TW201834001A - 基板支撐單元及具有基板支撐單元之膜體形成裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種用以精密控制基板溫度的基板支撐單元，以及具有基板支撐單元的膜體形成裝置或膜體加工裝置。提供一種基板支撐單元。基板支撐單元具有軸件、第一加熱器及工作台。第一加熱器位於軸件內，且建構成加熱軸件之上部。工作台位於軸件上，且具有第一板件、位於第一板件上之第二板件及位於第一板件與第二板件之間的第二加熱器。

Description

基板支撐單元及具有基板支撐單元之膜體形成裝置
本發明係關於一種基板支撐單元或具有基板支撐單元之膜體加工裝置、膜體形成裝置。
半導體裝置幾乎搭載於所有的電子器件中，且對於電子器件之功能擔任重要的角色。半導體裝置為利用矽等材料所具有之半導體特性的裝置，不僅由半導體構成，還由包含絕緣體或導電體等之多層薄膜構成。此些薄膜之形成與加工係藉由光刻製程（photolithography process）而進行。一般而言，光刻製程包含：利用蒸鍍法、濺射（sputtering）法、化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法或基板的化學反應等方法而形成薄膜之步驟；往薄膜上形成阻劑膜之步驟；藉由曝光顯影形成阻劑遮罩之步驟；藉由蝕刻去除部分薄膜之步驟；以及去除阻劑膜之步驟。
光刻製程之各個步驟中，由多個反應條件決定薄膜特性，其中一者為基板溫度。多數情況下，基板的溫度係藉由調節用以設置基板之載置台（以下稱為工作台）的溫度而控制。在專利文獻1至3中係揭示基板支撐單元，其具有：搭載用以控制基板溫度之加熱器的工作台；以及支撐工作台的軸件。
［專利文獻］ 專利文獻1：日本專利第5712054號公報。 專利文獻2：日本專利公開第2005-166368號公報。 專利文獻3：日本專利第4311922號公報。
本發明之實施型態之其中一者為基板支撐單元。基板支撐單元具有軸件、第一加熱器及工作台。第一加熱器位於軸件內，且建構成加熱軸件之上部。工作台位於軸件上，且具有第一板件、位於第一板件上之第二板件及位於第一板件與第二板件之間的第二加熱器。
本發明之實施型態的課題之一，在於提供用以精密控制基板溫度的基板支撐單元，以及具有基板支撐單元的膜體形成裝置或膜體加工裝置。
以下參照圖式以說明本申請所揭示之發明的各實施型態。惟本發明在未脫離其要旨之範圍中可以各種型態實施，而並非解釋為限定於以下示例之實施型態的記載內容者。
並且，為了使說明更為明確，圖式相較於實際態樣，關於各部分之幅寬、厚度、形狀等雖有示意表示之情況，但僅為一例，而並非為限定本發明之解釋者。並且，於本說明書與各圖式中，對於具備與已在前圖中出現且已說明者相同功能的元件，有時予以相同符號，且省略重覆的說明。
（第一實施型態）
以下使用圖1至圖4B，說明關於本發明之實施型態之其中一者的基板支撐單元及具備此基板支撐單元的膜體加工裝置。
［1. 膜體加工裝置］
在圖1中，繪示用以對於各種膜體進行乾蝕刻的蝕刻裝置100作為關於本發明之第一實施型態的膜體加工裝置之一例。蝕刻裝置100具有腔體102。腔體102提供對於例如形成於矽基板或玻璃基板上的導電體、絕緣體、半導體等膜體進行蝕刻的空間。
在腔體102中，藉由連接有排氣裝置104，可將腔體102內設定為減壓氣體環境。在腔體102中，設置有用以進一步將反應氣體導入的導入管106，且經由閥門108將蝕刻用反應氣體導入至腔體內。作為反應氣體，可列舉例如：四氟化碳（CF4 ）、八氟環丁烷（c-C4 F8 ）、十氟環戊烷（c-C5 F10 ）、六氟丁二烯（C4 F6 ）等含氟有機化合物。
在腔體102上部可透過導波管110設置微波源112。微波源112具有用以供給微波的天線等，輸出例如所謂2.45 GHz之微波或13.56 MHz之無線電波（RF）的高頻微波。在微波源112產生的微波係藉由導波管110而往腔體102之上部傳播，且透過包含石英或陶瓷等之窗口114往腔體102內部導入。藉由微波使反應氣體電漿化，並藉由電漿所包含的電子、離子、自由基進行膜體的蝕刻。
在腔體102下部設置有用以載置基板且控制基板溫度的基板支撐單元130。基板支撐單元130具有軸件134及設置於軸件134上的工作台132。基板設置於工作台132上。在工作台132中，連接有電源122，對工作台132提供高頻電力，在垂直於工作台132表面、基板表面的方向上形成有由微波所致之電場。在腔體102之上部或側面可更設置磁石116、118、120。作為磁石116、118、120，可為永久磁石，亦可為具有電磁線圈的電磁鐵。藉由磁石116、118、120而生成平行於工作台132及基板表面的磁場分量，且藉由與由微波所致之電場間的聯合作用，電漿中的電子受到勞侖茲力（Lorentz force）而共鳴，進而被束縛於工作台132及基板表面。其結果，可使高密度的電漿產生在基板表面。
在工作台132中連接有加熱器電源126，其控制設置於工作台132或軸件134的加熱器（後述的第一加熱器、第二加熱器）。在工作台132亦可更連接有用以將基板固定於工作台132的靜電吸盤用電源124。在蝕刻裝置100中，亦可更設置用以使工作台132旋轉的旋轉控制裝置128作為任意結構。
［2.基板支撐單元］
圖2A繪示基板支撐單元130的立體示意圖。如圖2A所示，基板支撐單元130具有軸件134及設置於軸件134上的工作台132。
〈1.工作台〉。
工作台132可具有二個板件，於此示例設置有下部板件132b及位於下部板件132b上之上部板件132a。上部板件132a與下部板件132b可以螺釘相互連接，或者亦可藉由熔接、釬焊而固定。上部板件132a或下部板件132b的主要材料為金屬，作為材料可列舉例如：鈦或鋁、不鏽鋼等。雖圖未繪示，但在下部板件132b的底面亦可開設用以設置溫度感測器的開口。在溫度感測器可利用熱電偶等。在圖2A中，雖繪示圓形的工作台132，但工作台132的形狀並無限制，亦可具有橢圓或四邊形等多邊形的形狀。
圖2B繪示基板支撐單元130的剖面立體圖，圖2C繪示圖2B之中心部分的放大圖。如圖2B所示，工作台132於下部板件132b與上部板件132a之間具有第二加熱器140。第二加熱器140係為了加熱工作台132而設置，且沿形成於下部板件132b與上部板件132a的溝槽配置。惟溝槽亦可僅設置於下部板件132b及上部板件132a的其中一者。
圖3A繪示工作台132的俯視示意圖。圖3A繪示自工作台132省略上部板件132a的狀態。如圖3A所示，第二加熱器140分布在工作台132的整體，藉此加熱工作台132的整體。
作為第二加熱器140的代表例可列舉護套加熱器。護套加熱器具有金屬護套，且在金屬護套內設置有包含藉由通電而發熱之金屬的發熱體以及圍繞發熱體的絕緣物。發熱體可包含選自鎢、鎳、鉻、鈷及鉬的金屬。金屬可為包含此些金屬的合金，亦可例如為鎳與鉻的合金或為包含鎳、鉻及鈷的合金。作為絕緣物，可列舉例如：氧化鋁、氧化鈦、氧化鉻、氧化鋯、氧化鎂、氧化釔或此些的複合氧化物等。
如圖2B所示，第二加熱器140連接於配線142，配線142自工作台132的中心延伸經過軸件134之內部，而連接於圖1所示的加熱器電源126。藉由加熱器電源126控制流至第二加熱器140的電流，藉此控制工作台132的溫度。
〈2.軸件〉
軸件134係為支撐工作台132的元件，且具有主軸136及作為任意結構的連接件138（圖2B、圖2C）。在設置連接件138的情況下，連接件可設置成接觸於下部板件132b及主軸136之其中至少一者。軸件134與工作台132可藉由熔接或釬焊而連接。
主軸136亦可具有管狀的形狀，在工作台132為圓形的情況下，可以通過工作台132中心的法線通過主軸136之截面或截面中心的方式，而建構工作台132及主軸136。工作台132的面積大於主軸136的截面積。在主軸136的內部形成有空洞或空間，且在此之中配置有配線142。在主軸136的上端亦可如圖2C所示形成有凸緣144（圖中以虛線橢圓表示的部分）。在形成凸緣144的情況下，凸緣144具有環狀的形狀，且形成於主軸136的端部。在設置連接件138的場合中，連接件138可具有環狀的形狀，且設置成覆蓋凸緣144。
主軸136或連接件138可包含在上部板件132a及下部板件132b所能使用的材料。舉例而言，主軸136與上部板件132a、下部板件132b可包含相同材料。藉此，因軸件134與工作台132間沒有熱膨脹係數的差異，故可對於軸件134與工作台132間的連接賦予高度可靠性。在軸件134或工作台132、連接件138使用相異材料的情況下，材料間的熱膨脹係數的差異可定為0.2×10−6 ／K以上且為2.0×10−6 ／K以下，或可定為0.5×10−6 ／K以上且為1.0×10−6 ／K以下，或可定為0.7×10−6 ／K以上且為0.9×10−6 ／K以下。再者，為了提升防止自軸件散熱的效果，亦可在連接件138使用高熱傳導材料，且在主軸136使用低熱傳導材料。在此情況下，高熱傳導材料及低熱傳導材料之其中至少一者亦能為與上部板件132a或下部板件132b所包含的材料相異。
在軸件134可更內藏有加熱主軸136之上部的第一加熱器150。舉例而言，第一加熱器150可設置於主軸136與下部板件132b之間，或可如圖2B、圖2C所示而設置於主軸136與連接件138之間。雖圖未繪示，但第一加熱器150亦可設置於連接件138與下部板件132b之間。
第一加熱器150配置成圍繞軸件134或配置成圍繞主軸136的空洞。並且，配置成圍繞「通過工作台132中心之工作台132的法線」。在設置凸緣144的情況下，可如圖2C所示而沿形成於凸緣144與連接件138的溝槽配置第一加熱器150。惟溝槽形成於凸緣144及連接件138之其中至少一者即可。圖3B繪示軸件134的俯視圖。於此以虛線表示第二加熱器140或下部板件132b的一部分。如圖2C及圖3B所示，第一加熱器150可在凸緣144所形成的平面內，以第一加熱器150的一部分重疊於多個同心圓的方式形成。
與第二加熱器140同樣地，可使用護套加熱器作為第一加熱器150。第一加熱器150的端子連接於配線152（圖2B、圖2C），配線152延伸經過主軸136的空洞，而連接於圖1所示的加熱器電源126。藉由加熱器電源126控制流至第一加熱器150的電流，藉此控制主軸136之上部的溫度。
可由第一加熱器150之截面積成為小於第二加熱器140之截面積的方式，建構第一加熱器150及第二加熱器140。亦即，可由內藏於第一加熱器之發熱體之截面積成為相對小於內藏於第二加熱器140之發熱體之截面積的方式，建構第一加熱器150及第二加熱器140。因此，可在所具有的面積相對小於工作台132的主軸136或凸緣144以更高的密度設置第一加熱器150。
半導體製程中之基板溫度的設定幅度寬廣，例如多加熱至500℃以上。為了在如此之高溫進行基板加熱，需要對設置於工作台132的第二加熱器140提供大量電力，因而在第二加熱器140使用具有大截面積的發熱體，隨之使用具有大截面積的護套加熱器作為第二加熱器140。在如圖1所示將具有大截面積的護套加熱器變形而使用的情況下，彎曲部分的曲率半徑有其極限。亦即，雖容易緩和地彎曲第二加熱器140，但難以大的曲率彎曲，故難以使工作台132的中心附近與周邊區域的加熱器設置密度變得均勻。更具體而言，雖可在工作台132的周邊區域以高密度配置第二加熱器140，但在工作台132的中心附近係難以高密度設置第二加熱器140的。再者，因工作台132的中心附近設置有軸件134，故容易透過軸件134而帶走工作台132的熱。其結果，工作台132之中心與其附近的溫度容易低於周邊區域。起因於此些理由，使工作台132整體保持均勻的溫度絕非易事。
另一方面如上所述，在本實施型態所示之基板支撐單元中，設置有用以進行工作台132之加熱的第二加熱器140，同時設置有用以加熱軸件134之端部（亦即工作台132附近）的第一加熱器150。並且，由於第一加熱器150的截面積小於第二加熱器140的截面積，故可高密度配置在凸緣144或連接件138等具有小面積的組件。因此，透過使用第一加熱器150加熱軸件134的端部，可防止工作台132之中心及其附近溫度降低的情形。其結果，容易使工作台132整體的溫度保持均勻，而能達成精密的基板溫度控制。
〈3.其他結構〉
在工作台132亦可更具有靜電吸盤160作為用以將基板固定於工作台132上的機構（圖4A）。靜電吸盤160可具有例如以絕緣性膜體164覆蓋靜電吸盤電極162的構造。透過將來自電源124（參照圖1）的高電壓（數百V至數千V）施加於靜電吸盤電極162，在靜電吸盤電極162產生電荷。同時，在基板背面產生與靜電吸盤電極162所產生的電荷相反極性的電荷。藉由極性相異的電荷彼此的庫侖力（Coulomb force）可固定基板。作為絕緣體，可使用氧化鋁或氮化鋁、氮化硼等陶瓷材料。此外，絕緣性膜體164並非必須為完全絕緣性，亦可具有某種程度的導電性（例如109 Ω∙cm至1012 Ω∙cm等級的電阻率）。在此情況下，膜體164可在上述陶瓷中摻雜有氧化鈦、氧化鋯或氧化鉿等金屬氧化物。在靜電吸盤160的周邊亦可設置有用以決定基板位置之肋體166。
再者，工作台132亦可具有一個或多個貫通孔168作為任意結構。亦可在腔體102設置氦氣導入管，以使氦氣等熱傳導率高的氣體流往貫通孔168。藉此，氣體流通經過工作台132與基板的間隙，而可有效率將工作台132的熱能傳往基板。
亦可不在工作台132上設置用以固定基板的靜電吸盤160，而將真空吸盤的功能賦予於工作台132。舉例而言如圖4B所示，亦可在上部板件132a設置多個吸引孔170，使用圖未繪示的吸引裝置自吸引孔170吸引氣體，透過將基板吸附於上部板件132a而固定基板。
雖圖未繪示，但亦可在工作台132的內部設置用以使介質循環流通的溝槽（流道），所述介質用以控制基板溫度。作為介質，可使用水、異丙醇、乙二醇等醇類、矽油等液態介質。在此情況下，在上部板件132a及下部板件132b之其中一者或二者皆形成溝槽，之後藉由釬焊等方式接合上部板件132a及下部板件132b。介質亦可使用於冷卻工作台132之情況、加熱之情況的任一情況。
（第二實施型態）
在本實施型態中，使用圖5至圖7說明關於具有在第一實施型態所述之基板支撐單元130的各種膜體形成裝置。關於與第一實施型態同樣結構的描述有時予以割捨。
［1.CVD裝置］
圖5為作為一種膜體形成裝置之CVD裝置200的示意圖。CVD裝置200具有腔體202，且提供使反應氣體進行化學反應的場所。
在腔體202連接有排氣裝置204，可降低腔體202內的壓力。在腔體202設置有用以進一步將反應氣體導入之導入管206，且經由閥門208將膜體形成用反應氣體導入至腔體內。作為反應氣體，可依所欲製作的膜體使用各種氣體。氣體於常溫亦可為液體。舉例而言，可透過使用矽烷或二氯矽烷、四乙氧基矽烷等，而形成矽、氧化矽、氮化矽等的薄膜。或者，可透過使用氟化鎢或三甲基鋁等，而形成鎢或鋁等的金屬薄膜。
與蝕刻裝置100同樣地，在腔體202上部亦可透過導波管210而設置微波源212。在微波源212所產生的微波，係藉由導波管210而往腔體202內部導入。藉由微波而令反應氣體電漿化，且藉由電漿所包含的各種活性物質促進氣體的化學反應，由化學反應獲得的生成物堆積於基板上，進而形成薄膜。在腔體202內可設置用以使電漿密度增加的磁石244作為任意結構。在腔體202下部可設置在第一實施型態所述的基板支撐單元130，且可在基板設置於工作台132上的狀態下進行薄膜的堆積。與蝕刻裝置100同樣地，在腔體202之側面亦可更設置有磁石216、218。
在CVD裝置200中，更設置有控制「設置於工作台132或軸件134之第一加熱器150、第二加熱器140」的加熱器電源224。CVD裝置200亦可更具有用以對工作台132供給高頻電力的電源226、靜電吸盤用的電源228、進行循環流通於工作台132內部之媒介之溫度控制的溫度控制器230等。在CVD裝置200亦可更設置有用以使工作台132旋轉的旋轉控制裝置（圖未繪示）作為任意結構。
［2.濺射裝置］
圖6為係為一種膜體形成裝置之濺射裝置300的示意圖。濺射裝置300具有腔體302，且提供用以使高速離子與靶件間發生撞擊且使在此時所產生之靶件原子堆積的場所。
在腔體302連接有用以使腔體302內減壓的排氣裝置304。在腔體302設置有用以將氬氣等濺射氣體往腔體302導入的導入管306及閥門308。
在腔體302下部設置有靶件工作台310，其上設置有靶件312，所述靶件工作台310承載包含膜體形成材料的靶件，且發揮作為陰極的功能。在靶件工作台310可連接有高頻電源314，且可藉由高頻電源314而在腔體302內產生電漿。
在腔體302上部可設置在第一實施型態所述的基板支撐單元130。在此情況下，可在基板設置於工作台132下的狀態下進行薄膜的形成。與蝕刻裝置100及CVD裝置200同樣地，濺射裝置300設置有控制「設置於工作台132或軸件134之第一加熱器150、第二加熱器140」的加熱器電源324。在基板支撐單元130亦可更連接有用以對工作台132供給高頻電力的電源326、靜電吸盤用的電源328、溫度控制器330等。在濺射裝置300亦可更設置有用以使工作台132旋轉的旋轉控制裝置（圖未繪示）作為任意結構。
藉由於腔體302內產生之電漿而加速之氬離子，撞擊至靶件312，而使靶件312之原子彈出。所彈出之原子在快門316開啟期間，往設置於工作台132下的基板飛濺且堆積。
在本實施型態中，雖示例基板支撐單元130設置於腔體302上部且靶件工作台310設置於腔體302下部的結構，但本實施型態並不受限於此結構，亦可以將靶件放置於基板支撐單元130之上的方式構成濺射裝置300。或者，亦可以基板的主面配置成垂直於水平面的方式設置基板支撐單元130，且以朝向上述元件的方式設置靶件工作台310。
［3. 蒸鍍裝置］
圖7為係為一種膜體形成裝置之蒸鍍裝置400的示意圖。蒸鍍裝置400具有腔體402，且提供用以使在蒸鍍源410的材料蒸發且使蒸發的材料往基板上堆積的空間。
在腔體402連接有用以使腔體402內呈現高度真空狀態的排氣裝置404。在腔體402設置有用以使腔體402回到大氣壓力的導入管406，且經由閥門408將氮氣或氬氣等惰性氣體（inert gas）導入至腔體402內。
在腔體402上部可設置第一實施型態所述的基板支撐單元130。在基板設置於工作台132下的狀態下進行材料的堆積。與蝕刻裝置100、CVD裝置200及濺射裝置300同樣地，蒸鍍裝置400設置有控制「設置於工作台132或軸件134之第一加熱器150、第二加熱器140」的加熱器電源424。在基板支撐單元130亦可設置有靜電吸盤用的電源426、溫度控制器428及用以使工作台132旋轉的旋轉控制裝置430等。基板支撐單元130亦可更具有用以將金屬遮罩固定於基板與蒸鍍源410之間的遮罩架（mask holder）416。藉此，可以金屬遮罩的開口部重疊於材料堆積區域的方式，將金屬遮罩配置於基板附近。
蒸鍍源410設置於腔體的下側，且將欲蒸鍍的材料填充於蒸鍍源410。在蒸鍍源410設置有用以加熱材料的加熱器，且加熱器係由控制裝置412控制。使用排氣裝置404使腔體402內呈現高度真空狀態，加熱蒸鍍源410以使材料氣化，藉此開始蒸鍍。蒸鍍速度變穩定時藉由開啟快門414，而在基板上開始堆積材料。
如上所述，可在本實施型態之CVD裝置200、濺射裝置300、蒸鍍裝置400等膜體形成裝置具有在第一實施型態中所說明的基板支撐單元130。因此，可均勻控制基板整體溫度，且可大幅降低所形成的薄膜之物性偏差的情形。
『實施例』
於以下所述之實施例說明「透過使用第一實施型態所述的基板支撐單元130，可均勻加熱工作台132整體」的情形。
使用具有圖2A至圖3B所示之結構的基板支撐單元130作為實施例，進行加熱溫度的模擬。模擬的設定條件如同以下內容。並且使用未具備第一加熱器150的基板支撐單元作為比較例。 （1）上部板件132a及下部板件132b 直徑：350 mm，厚度：30 mm，熱導電率：170 W/m∙K （2）第一加熱器150 截面積：2.54 mm2 ，長度：1300 mm，產生熱量：400 W （3）第二加熱器140 截面積：85 mm2 ，長度：1500 mm，產生熱量：600 W （4）主軸136 外徑：60 mm，內徑：50 mm，長度：90 mm，熱導電率：170 W/m∙K （5）連接件138 外徑：90 mm，內徑：50 mm，厚度：5 mm，熱導電率：170 W/m∙K （6）凸緣144 外徑：90 mm，內徑：50 mm，厚度：10 mm，熱導電率：170 W/m∙K （7）外部環境 氣體環境：真空，溫度：30℃，輻射率：0.3
在圖8A、圖8B分別揭示在上述設定條件下達到平衡時之實施例、比較例之基板支撐單元130的溫度分布。在各圖中，左側為基板支撐單元的俯視圖，右側為自箭號方向觀看的剖面圖。如圖8B所示，在比較例的基板支撐單元中，上部板件132a觀測到有大幅度的溫度分布，溫度隨著自周邊區域朝向中心而降低。具體而言，呈現最高溫度的位置為上部板件132a的周邊區域，其溫度為370.9℃。另一方面，呈現最低溫度的位置為上部板件132a的中央部，其溫度為350.5℃，最高溫度與最低溫度的差為20.4℃。
另一方面如圖8A所示，在實施例的基板支撐單元130中，呈現最高溫度及最低溫度的位置雖為與比較例相同者，但前者變為368.5℃。後者變為360.4℃，其差僅為8.1℃。
如上述模擬結果所示，可知關於本發明之實施型態的基板支撐單元130，在軸件134的上端部，亦即在軸件134的工作台132附近，內藏有第一加熱器150，可透過使用此第一加熱器150補償自工作台132的中心部往軸件134之熱傳導所致的熱損失，其結果，可均勻進行工作台132的加熱。因此，透過使用具備此基板支撐單元130的膜體形成裝置或膜體加工裝置，因可在基板上形成具有均勻特性的各種薄膜，或可在基板上對於薄膜進行均勻的成形，故能更精密控制半導體製程。
作為本發明之實施型態的上述各實施型態，只要不會相互矛盾，可適當組合而實施。並且，只要具備本發明之要旨，本領域業者基於各實施型態進行適當構成要件的追加、刪除或設計變更的內容，亦包含於本發明之範圍。
並且，即使為與由上述各實施型態所帶來之作用效果相異的其他作用效果，關於自本說明書之記載可明瞭的內容或本領域業者得容易預測的內容，亦當然理解為由本發明所帶來的內容。
100‧‧‧蝕刻裝置
102‧‧‧腔體
104‧‧‧排氣裝置
106‧‧‧導入管
108‧‧‧閥門
110‧‧‧導波管
112‧‧‧微波源
114‧‧‧窗口
116‧‧‧磁石
118‧‧‧磁石
120‧‧‧磁石
122‧‧‧電源
124‧‧‧電源
126‧‧‧加熱器電源
128‧‧‧旋轉控制器
130‧‧‧基板支撐單元
132‧‧‧工作台
132a‧‧‧上部板
132b‧‧‧下部板
134‧‧‧軸件
136‧‧‧主軸
138‧‧‧連接件
140‧‧‧第二加熱器
142‧‧‧配線
144‧‧‧凸緣
150‧‧‧第一加熱器
152‧‧‧配線
160‧‧‧靜電吸盤
162‧‧‧靜電吸盤電極
164‧‧‧絕緣性膜體
166‧‧‧肋體
168‧‧‧貫通孔
170‧‧‧吸引孔
200‧‧‧CVD裝置
202‧‧‧腔體
204‧‧‧排氣裝置
206‧‧‧導入管
208‧‧‧閥門
210‧‧‧導波管
212‧‧‧微波源
216‧‧‧磁石
218‧‧‧磁石
224‧‧‧加熱器電源
226‧‧‧電源
228‧‧‧電源
230‧‧‧溫度控制器
244‧‧‧磁石
300‧‧‧濺射裝置
302‧‧‧腔體
304‧‧‧排氣裝置
306‧‧‧導入管
308‧‧‧閥門
310‧‧‧靶件工作台
312‧‧‧靶件
314‧‧‧高頻電源
316‧‧‧快門
324‧‧‧加熱器電源
326‧‧‧電源
328‧‧‧電源
330‧‧‧溫度控制器
400‧‧‧蒸鍍裝置
402‧‧‧腔體
404‧‧‧排氣裝置
406‧‧‧導入管
408‧‧‧閥門
410‧‧‧蒸鍍源
412‧‧‧控制裝置
414‧‧‧快門
416‧‧‧遮罩架
424‧‧‧加熱器電源
426‧‧‧電源
428‧‧‧溫度控制器
430‧‧‧旋轉控制裝置
圖1為繪示本發明之一實施型態之膜體加工裝置之結構的圖。 圖2A為本發明之一實施型態之基板支撐單元的立體示意圖。 圖2B為本發明之一實施型態之基板支撐單元的剖面立體圖。 圖2C為本發明之一實施型態之基板支撐單元的剖面圖。 圖3A為本發明之一實施型態之基板支撐單元的俯視示意圖。 圖3B為本發明之一實施型態之基板支撐單元的俯視示意圖。 圖4A為本發明之一實施型態之基板支撐單元的剖面立體圖。 圖4B為本發明之一實施型態之基板支撐單元的剖面立體圖。 圖5為繪示本發明之一實施型態之膜體形成裝置之結構的圖。 圖6為繪示本發明之一實施型態之膜體形成裝置之結構的圖。 圖7為繪示本發明之一實施型態之膜體形成裝置之結構的圖。 圖8A為繪示實施例與比較例之基板支撐單元的溫度分布圖。 圖8B為繪示實施例與比較例之基板支撐單元的溫度分布圖。

Claims (11)

  1. 一種基板支撐單元，包括：一軸件；一第一加熱器，位於該軸件內，且建構成加熱該軸件之上部；以及一工作台，位於該軸件上，且包括：一第一板件；一第二板件，位於該第一板件上；以及一第二加熱器，位於該第一板件與該第二板件之間。
  2. 如請求項1所述之基板支撐單元，其中該軸件具有一主軸，該第一加熱器夾置於該主軸與該第一板件之間。
  3. 如請求項2所述之基板支撐單元，其中該軸件更包括一連接件，其位於該主軸與該第一板件之間，該連接件接觸於該主軸及該第一板件之其中至少一者，該第一加熱器夾置於該主軸與該連接件之間。
  4. 如請求項3所述之基板支撐單元，其中該主軸具有管狀的形狀，於上端部具有環狀的一凸緣，該連接件具有環狀的形狀，且覆蓋該凸緣。
  5. 如請求項1所述之基板支撐單元，其中該軸件具有管狀的形狀，且於內部具有一空洞，於該空洞內配置有與該第一加熱器連接之配線及與該第二加熱器連接之配線，該第一加熱器配置成圍繞該空洞。
  6. 如請求項1所述之基板支撐單元，其中該第一加熱器之截面積小於該第二加熱器之截面積。
  7. 如請求項1所述之基板支撐單元，其中該軸件之截面積小於該第一板件之表面的面積，該軸件與該第一板件之一中心重疊，該第一加熱器配置成圍繞該第一板件之通過該中心的法線。
  8. 如請求項1所述之基板支撐單元，其中該軸件釬焊於或熔接於該第一板件。
  9. 如請求項3所述之基板支撐單元，其中該連接件釬焊於或熔接於該第一板件。
  10. 一種膜體形成裝置，包括如請求項1所述之基板支撐單元。
  11. 一種膜體加工裝置，包括如請求項1所述之基板支撐單元。
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