TW201833977A - 載置台及電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種載置台及電漿處理裝置，改善沿著被處理體的圓周方向之電場強度的均一性。載置台，包含：基台，對其施加高頻電力；靜電吸盤，設置於基台上，具備用於載置被處理體之載置區域、及包圍載置區域之外周區域；加熱器，設置於載置區域之內部；配線層，與加熱器連接，延伸至外周區域之內部；供電端子，在外周區域中與配線層的接點部相連接；以及導電層，設置於外周區域之內部，或沿著外周區域的厚度方向設置於其他區域，在從外周區域的厚度方向觀察時係與供電端子重疊。

Description

載置台及電漿處理裝置
本發明之各方面及實施形態，係關於一種載置台及電漿處理裝置。
電漿處理裝置，將被處理體載置於配置在處理容器之內部的載置台。載置台，例如具備基台及靜電吸盤等。對基台，施加電漿生成用之高頻電力。靜電吸盤，由介電材料形成而設置於基台上，具備用於載置被處理體之載置區域、及包圍載置區域之外周區域。
此外，有在靜電吸盤之內部，設置使用於被處理體的溫度控制之加熱器的情形。例如已知一種構造，於靜電吸盤中的載置區域之內部設置加熱器，使與加熱器連接的配線層延伸至外周區域之內部，在外周區域中將配線層的接點部與加熱器用的供電端子連接。然則，此等構造中，對基台施加的高頻電力之一部分從加熱器用的供電端子往外部電源漏洩，多餘地消耗高頻電力。
相對於此，已知一種技術，在將加熱器用的供電端子與外部電源連接之供電線設置濾波器，使對基台施加而從加熱器用的供電端子往供電線漏洩之高頻電力衰減。 [習知技術文獻][專利文獻]
專利文獻1：日本特開2013－175573號公報 專利文獻2：日本特開2016－001688號公報 專利文獻3：日本特開2014－003179號公報
[本發明所欲解決的問題]
而濾波器，係與設置在靜電吸盤內部的加熱器之數量對應而設置，故濾波器之數量增加的情況，從避免裝置之大型化的觀點來看，有使用阻抗值低之小型濾波器作為各濾波器的情形。將此等小型濾波器應用於載置台之情況，並未使從加熱器用的供電端子往供電線漏洩之高頻電力充分衰減，電位在被處理體的圓周方向位置中之與加熱器用的供電端子對應之位置局部性地降低。作為結果，有破壞沿著被處理體的圓周方向之電場強度的均一性之疑慮。[解決問題之技術手段]
本發明揭露的載置台，在一實施態樣中，包含：基台，對其施加高頻電力；靜電吸盤，設置於該基台上，具備用於載置被處理體之載置區域、及包圍該載置區域之外周區域；加熱器，設置於該載置區域之內部；配線層，與該加熱器連接，延伸至該外周區域之內部；供電端子，在該外周區域中與該配線層的接點部相連接；以及導電層，設置於該外周區域之內部，或沿著該外周區域的厚度方向設置於其他區域，在從該外周區域的厚度方向觀察時係與該供電端子重疊。 [本發明之效果]
依本發明所揭露的載置台之一態樣，則達到可改善沿著被處理體的圓周方向之電場強度的均一性等效果。
以下，參考附圖，茲就本申請案揭露的載置台及電漿處理裝置之實施形態詳細地予以說明。另，在各附圖中對於相同或相當的部分給予相同符號。
圖1為概略顯示一實施形態之電漿處理裝置10的圖。圖1中，概略顯示一實施形態之電漿處理裝置的縱斷面之構造。圖1所示之電漿處理裝置10，為電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置。電漿處理裝置10，具備略圓筒狀的處理容器12。處理容器12，例如由鋁構成，對其表面施行陽極氧化處理。
於處理容器12內，設置載置台16。載置台16，具備靜電吸盤18、對焦環FR、及基台20。基台20，具有略圓盤形狀，在其主部中，例如由鋁等導電性之金屬構成。基台20，構成下部電極。基台20，係由支持部14及支持台15支持。支持部14，係從處理容器12的底部延伸之圓筒狀的構件。支持台15，係配置於處理容器12的底部之圓柱狀的構件。
基台20，經由匹配器MU1而與第1高頻電源HFS電性連接。第1高頻電源HFS，係產生電漿生成用之高頻電力的電源，產生27～100MHz之頻率，在一例中為40MHz的高頻電力。匹配器MU1，具備用於匹配第1高頻電源HFS之輸出阻抗與負載側（基台20側）之輸入阻抗的電路。
此外，基台20，經由匹配器MU2而與第2高頻電源LFS電性連接。第2高頻電源LFS，產生用於將離子導入晶圓W之高頻電力（高頻偏壓電力），將該高頻偏壓電力往基台20供給。高頻偏壓電力之頻率，為400kHz～40MHz的範圍內之頻率，在一例中為3MHz。匹配器MU2，具備用於匹配第2高頻電源LFS之輸出阻抗與負載側（基台20側）之輸入阻抗的電路。
靜電吸盤18，設置於基台20上，藉由庫侖力等靜電力吸附晶圓W，保持晶圓W。靜電吸盤18，在介電材料製的本體部內具備靜電吸附用之電極E1。電極E1，經由開關SW1而與直流電源22電性連接。此外，於靜電吸盤18之內部，設置複數個加熱器HT。各加熱器HT，與加熱器電源HP電性連接。各加熱器HT，依據從加熱器電源HP個別供給的電力而產生熱，將靜電吸盤18加熱。藉此，控制保持在靜電吸盤18之晶圓W的溫度。
於靜電吸盤18上，設置對焦環FR。對焦環FR，係為了改善電漿處理的均一性而設置。對焦環FR，由介電材料構成，例如可由石英構成。
於基台20之內部，形成冷媒流路24。於冷媒流路24，從設置在處理容器12之外部的急冷器單元經由配管26a而供給冷媒。供給至冷媒流路24的冷媒，經由配管26b而返回急冷器單元。另，關於包含基台20及靜電吸盤18之載置台16的細節，將於後述內容說明。
於處理容器12內，設置上部電極30。此上部電極30，在載置台16之上方中，與基台20對向配置；基台20與上部電極30，彼此略平行地設置。在基台20與上部電極30之間，形成處理空間S。
上部電極30，隔著絕緣性遮蔽構件32，而支持在處理容器12之上部。上部電極30，可包含電極板34及電極支持體36。電極板34，面向處理空間S，提供複數個氣體噴吐孔34a。此電極板34，可由焦耳熱少的低電阻之導電體或半導體構成。
電極支持體36，以可任意裝卸的方式支持電極板34，例如可由鋁等導電性材料構成。此電極支持體36，可具備水冷構造。於電極支持體36之內部，設置氣體擴散室36a。從此氣體擴散室36a，使與氣體噴吐孔34a連通的複數個氣體流通孔36b往下方延伸。此外，於電極支持體36形成將處理氣體往氣體擴散室36a引導之氣體導入口36c，於此氣體導入口36c，連接氣體供給管38。
氣體供給管38，經由閥群42及流量控制器群44而與氣體源群40連接。閥群42具備複數個開閉閥，流量控制器群44具備質量流量控制器等複數個流量控制器。此外，氣體源群40，具備電漿處理所需的複數種氣體用之氣體源。氣體源群40之複數個氣體源，經由對應的開閉閥及對應的質量流量控制器而與氣體供給管38連接。
電漿處理裝置10中，將來自氣體源群40之複數個氣體源中選出的一個以上之氣體源的一種以上之氣體，往氣體供給管38供給。供給至氣體供給管38的氣體，到達氣體擴散室36a，經由氣體流通孔36b及氣體噴吐孔34a而往處理空間S噴吐。
此外，如圖1所示，電漿處理裝置10，可進一步具備接地導體12a。接地導體12a，為略圓筒狀之接地導體，設置為從處理容器12之側壁往較上部電極30的高度位置更為上方延伸。
此外，電漿處理裝置10中，沿著處理容器12之內壁以可任意裝卸的方式設置防沉積遮蔽件46。此外，防沉積遮蔽件46，亦於支持部14之外周設置。防沉積遮蔽件46，防止蝕刻副產物（沉積物）附著於處理容器12，可藉由將Y2 O3 等陶瓷被覆於鋁材而構成。
於處理容器12的底部側中，在支持部14與處理容器12的內壁之間設置排氣板48。排氣板48，例如，可藉由將Y2 O3 等陶瓷被覆於鋁材而構成。在此排氣板48之下方中，於處理容器12，設置排氣口12e。排氣口12e，經由排氣管52而與排氣裝置50連接。排氣裝置50，具備渦輪分子泵等真空泵，可將處理容器12內減壓至期望的真空度。此外，於處理容器12之側壁設置晶圓W的搬出入口12g，此搬出入口12g可藉由閘閥54開閉。
此外，電漿處理裝置10，可進一步具備控制部Cnt。此控制部Cnt，為具備處理器、記憶部、輸入裝置、顯示裝置等的電腦，控制電漿處理裝置10之各部。此控制部Cnt，利用輸入裝置，操作者可為了管理電漿處理裝置10而進行指令的輸入操作等，此外，藉由顯示裝置，可將電漿處理裝置10之運作狀況視覺化顯示。進一步，於控制部Cnt之記憶部，收納有用於以處理器控制在電漿處理裝置10實行之各種處理的控制程式、及用於因應處理條件而使電漿處理裝置10之各構成部實行處理的程式，亦即，收納有處理配方。
接著，對載置台16詳細地說明。圖2為顯示一實施形態之載置台16的俯視圖。圖3為圖2之I－I線的剖面圖。圖4為顯示一實施形態之基台20、靜電吸盤18、及對焦環FR的構成之一例的剖面圖。另，圖2中，為了說明方便而省略對焦環FR。
如圖2～圖4所示，載置台16，具備靜電吸盤18、對焦環FR、及基台20。靜電吸盤18，具備載置區域18a及外周區域18b。載置區域18a，為俯視時呈略圓形之區域。於載置區域18a上，載置被處理體即晶圓W。載置區域18a之頂面，例如由複數個凸部之頂面構成。此外，載置區域18a的直徑，為與晶圓W略相同的直徑，或較晶圓W的直徑略小。外周區域18b，為包圍載置區域18a之區域，呈略環狀地延伸。一實施形態中，外周區域18b之頂面，位於較載置區域18a之頂面更低的位置。於外周區域18b上，設置對焦環FR。
此外，於外周區域18b，形成在厚度方向貫通外周區域18b的貫通孔18b－1；於貫通孔18b－1，使用於將基台20固定在支持台15的扣接構件21貫穿。一實施形態中，藉由複數扣接構件21將基台20固定於支持台15，故因應扣接構件21之數量而在外周區域18b形成複數個貫通孔18b－1。
靜電吸盤18，在載置區域18a內具備靜電吸附用之電極E1。電極E1，如同上述，經由開關SW1而與直流電源22連接。
此外，於載置區域18a之內部，設置複數個加熱器HT。例如，如圖2所示，於載置區域18a的中央之圓形區域內、及包圍該圓形區域的同心狀之複數個環狀區域，設置複數個加熱器HT。此外，在複數個環狀區域中，分別於圓周方向配列複數個加熱器HT。對複數個加熱器HT，從加熱器電源HP供給經個別調整之電力。藉此，個別控制各加熱器HT所發出的熱，個別調整載置區域18a內之複數個部分區域的溫度。
此外，如圖3及圖4所示，於靜電吸盤18內，設置複數配線層EW。複數配線層EW，與複數個加熱器HT分別連接，延伸至外周區域18b之內部。例如，各配線層EW，可包含水平延伸之線狀的圖案、及對線狀的圖案往交叉之方向（例如垂直方向）延伸的接觸通孔。此外，各配線層EW，在外周區域18b中構成接點部CT。接點部CT，在外周區域18b中，從該外周區域18b之底面露出。
於接點部CT，連接用於供給由加熱器電源HP生成之電力的供電端子ET。一實施形態中，如圖4所示，供電端子ET，設置於每個配線層EW，貫通基台20，在外周區域18b中與對應之配線層EW的接點部CT相連接。供電端子ET與加熱器電源HP，係由供電線EL連接。於供電線EL，設置濾波器60。濾波器60，使對基台20施加而從供電端子ET往供電線EL漏洩之高頻電力衰減。濾波器60，與加熱器HT之數量對應而設置。一實施形態中，設置複數個加熱器HT，故與加熱器HT之數量對應而設置複數個濾波器60。此處，從避免電漿處理裝置10之大型化的觀點來看，作為各濾波器60使用阻抗值低之小型濾波器。將此等小型濾波器應用於載置台16的情況，並未使對基台20施加而從供電端子ET往供電線EL漏洩之高頻電力充分衰減。
此外，如圖2～圖4所示，於外周區域18b之內部，設置由導電體形成的導電層62。導電層62，在從外周區域18b的厚度方向觀察時係與供電端子ET重疊。具體而言，導電層62形成為環狀，包含在從外周區域18b的厚度方向觀察時係與供電端子ET重疊的部分、及未與供電端子ET重疊的部分。而導電層62，與其他部位電性絕緣。藉此，在導電層62中，與供電端子ET重疊的部分之電位、及未與供電端子ET重疊的部分之電位成為相等。導電層62，例如，包含W、Ti、Al、Si、Ni、C及Cu中之至少任一種。
此處，使用電漿處理裝置10之等價電路，說明導電層62的作用。圖5及圖6為用於說明一實施形態之導電層62的作用之一例的圖。圖5所示之等價電路，相當於不存在導電層62之電漿處理裝置10。圖6所示之等價電路，相當於一實施形態之電漿處理裝置10，亦即，相當於在外周區域18b的內部設置有導電層62之電漿處理裝置10。另，圖5及圖6中，箭頭表示高頻電力的流動，箭頭之寬度表示高頻電力的大小。
如圖5及圖6所示，從第1高頻電源HFS對基台20施加之高頻電力的一部，從供電端子ET往供電線EL漏洩。從供電端子ET往供電線EL漏洩之高頻電力，因濾波器60的阻抗值較低，故並未充分衰減。因此，不存在導電層62的情況，如圖5所示，在外周區域18b內部之位置（亦即，晶圓W的圓周方向之位置）中的與供電端子ET對應之位置中，電位局部性地降低，往處理空間S供給之高頻電力局部性地降低。作為結果，不存在導電層62的情況，沿著晶圓W的圓周方向之電場強度的均一性受到破壞。圖5之例子中，沿著晶圓W的圓周方向之處理空間S的區域中之與供電端子ET對應的區域A、B之電場強度，相較於未與供電端子ET對應的區域C之電場強度，更為降低。
相對於此，於外周區域18b之內部設置導電層62的情況，在導電層62中，與供電端子ET重疊的部分之電位、及未與供電端子ET重疊的部分之電位成為相等。因此，於外周區域18b之內部設置導電層62的情況，如圖6所示，沿著晶圓W的圓周方向，導電層62與處理空間S之間的電位差成為一定，往處理空間S均等地供給高頻電力。作為結果，於外周區域18b之內部設置導電層62的情況，可改善沿著晶圓W的圓周方向之電場強度的均一性。圖6之例子中，沿著晶圓W的圓周方向之處理空間S的區域中之與供電端子ET對應的區域A、B之電場強度，和未與供電端子ET對應的區域C之電場強度的差減少。
圖7為顯示反應有無導電層62的電場強度之模擬結果的圖。圖7中，橫軸表示以300mm尺寸的晶圓W之中心位置為基準的晶圓W之徑方向的位置［mm］，縱軸表示處理空間S之電場強度［V／m］。另，處理空間S之電場強度，係從靜電吸盤18之載置區域18a算起上方3mm的位置之電場強度。此外，晶圓W之徑方向中150mm的位置，與載置區域18a之邊緣部對應；晶圓W之徑方向中157mm的位置，與供電端子ET對應；晶圓W之徑方向中172mm的位置，與外周區域18b之邊緣部對應。
此外，圖7中，圖形501，顯示不存在導電層62的情況，在沿著晶圓W的圓周方向之處理空間S的區域裡之與供電端子ET對應的區域中計算出之電場強度的分布。此外，圖形502，顯示不存在導電層62的情況，在沿著晶圓W的圓周方向之處理空間S的區域裡之未與供電端子ET對應的區域中計算出之電場強度的分布。
另一方面，圖7中，圖形601，顯示於外周區域18b之內部設置導電層62的情況，在沿著晶圓W的圓周方向之處理空間S的區域裡之與供電端子ET對應的區域計算出之電場強度的分布。此外，圖形602，顯示於外周區域18b之內部設置導電層62的情況，在沿著晶圓W的圓周方向之處理空間S的區域裡之未與供電端子ET對應的區域中計算出之電場強度的分布。另，圖7之模擬，作為導電層62使用W。
如圖7之圖形501、502所示，不存在導電層62的情況，與供電端子ET對應的區域之電場強度，相較於未與供電端子ET對應的區域之電場強度，更為降低。
相對於此，如圖7之圖形601、602所示，於外周區域18b之內部設置導電層62的情況，與供電端子ET對應的區域之電場強度、及未與供電端子ET對應的區域之電場強度的差減少。亦即，於外周區域18b之內部設置導電層62的情況，可改善沿著晶圓W的圓周方向之電場強度的均一性。
接著，對於一實施形態之導電層62的設置態樣予以說明。一實施形態中，雖顯示在外周區域18b之內部設置導電層62的情況，但亦可沿著外周區域18b的厚度方向於其他區域設置導電層62。亦即，導電層62，沿著外周區域18b的厚度方向設置於其他區域，在從外周區域18b的厚度方向觀察時係與供電端子ET重疊。
作為一例，例如亦可如圖8所示，導電層62，沿著外周區域18b的厚度方向設置於對焦環FR之內部，在從外周區域18b的厚度方向觀察時係與供電端子ET重疊。圖8為顯示一實施形態之導電層62的設置態樣之一例的圖。圖8所示之導電層62，與圖2所示之導電層62同樣地形成為環狀，包含在從外周區域18b的厚度方向觀察時係與供電端子ET重疊的部分、及未與供電端子ET重疊的部分。而導電層62，與其他部位電性絕緣。藉此，在導電層62中，與供電端子ET重疊的部分之電位、及未與供電端子ET重疊的部分之電位成為相等。
作為另一例，例如亦可如圖9所示，導電層62，沿著外周區域18b的厚度方向，設置於對焦環FR與外周區域18b之間，在從外周區域18b的厚度方向觀察時係與供電端子ET重疊。圖9為顯示一實施形態之導電層62的設置態樣之另一例的圖。圖9所示之導電層62，與圖2所示之導電層62同樣地形成為環狀，包含在從外周區域18b的厚度方向觀察時係與供電端子ET重疊的部分、及未與供電端子ET重疊的部分。而導電層62，與其他部位電性絕緣。藉此，在導電層62中，與供電端子ET重疊的部分之電位、及未與供電端子ET重疊的部分之電位成為相等。另，圖9的說明，雖顯示導電層62與對焦環FR為不同構件的情況，但導電層62，可為覆蓋對焦環FR之與外周區域18b相對向的面之導電膜。
此外，亦可將導電層62，沿著外周區域18b的厚度方向設置於其他區域，在從外周區域18b的厚度方向觀察時除了與供電端子ET重疊以外，更與外周區域18b的貫通孔18b－1重疊。例如，導電層62，如圖10所示，沿著外周區域18b的厚度方向設置於對焦環FR之內部，在從外周區域18b的厚度方向觀察時除了與供電端子ET重疊以外，更與外周區域18b的貫通孔18b－1重疊。圖10為顯示一實施形態之導電層62的設置態樣之更另一例的圖。圖10，相當於圖2之J－J線的剖面圖。圖10所示之導電層62，形成為環狀，在從外周區域18b的厚度方向觀察時，包含：與供電端子ET重疊的部分、未與供電端子ET重疊的部分、與貫通孔18b－1重疊的部分、及未與貫通孔18b－1重疊的部分。而導電層62，與其他部位電性絕緣。藉此，在導電層62中，與供電端子ET重疊的部分之電位、未與供電端子ET重疊的部分之電位、與貫通孔18b－1重疊的部分之電位、及未與貫通孔18b－1重疊的部分之電位成為相等。
此處，使用電漿處理裝置10之等價電路，說明圖10所示之導電層62的作用。圖11為用於說明一實施形態之導電層62的作用之另一例的圖。圖11所示之等價電路，相當於一實施形態之電漿處理裝置10，亦即，相當於在對焦環FR的內部設置有導電層62之電漿處理裝置10。另，圖11中，箭頭表示高頻電力的流動，箭頭之寬度表示高頻電力的大小。
如同上述，於對焦環FR之內部設置導電層62的情況，與供電端子ET重疊的部分之電位、未與供電端子ET重疊的部分之電位、與貫通孔18b－1重疊的部分之電位、及未與貫通孔18b－1重疊的部分之電位成為相等。因此，於對焦環FR之內部設置導電層62的情況，如圖11所示，沿著晶圓W的圓周方向，導電層62與處理空間S之間的電位差成為一定，往處理空間S均等地供給高頻電力。作為結果，於對焦環FR之內部設置導電層62的情況，可改善沿著晶圓W的圓周方向之電場強度的均一性。圖11之例子中，沿著晶圓W的圓周方向之處理空間S的區域中之與供電端子ET對應的區域A之電場強度、與貫通孔18b－1對應的區域B之電場強度、及未與貫通孔18b－1對應的區域C之電場強度成為略相等。
接著，對於一實施形態之電漿處理裝置10所產生的效果（蝕刻率的實測結果）予以說明。圖12為顯示一實施形態之電漿處理裝置10所產生的效果（蝕刻率的實測結果）之圖。圖12，包含圖表701～圖表703。
圖表701為，使用不存在導電層62之電漿處理裝置10（比較例），實測沿著300mm尺寸之晶圓W的圓周方向之蝕刻率的分布而獲得之實測結果。圖表702為，使用在外周區域18b之內部設置有導電層62的電漿處理裝置10（實施例1），實測沿著300mm尺寸之晶圓W的圓周方向之蝕刻率的分布而獲得之實測結果。圖表703為，使用在對焦環FR的內部設置有導電層62之電漿處理裝置10（實施例2），實測沿著300mm尺寸之晶圓W的圓周方向之蝕刻率的分布而獲得之實測結果。圖表701～圖表703中，橫軸表示以晶圓W之邊緣部的既定位置為基準之晶圓W的圓周方向之角度［degree（°）］，縱軸表示沿著晶圓W的徑方向從晶圓W之端部算起3mm的位置之蝕刻率［nm／min］。此外，在各個圖表中，以白圈表示與供電端子ET對應的區域之蝕刻率，以黑圈表示未與供電端子ET對應的區域之蝕刻率。
如圖12所示，比較例中，在沿著晶圓W的圓周方向之既定範圍中，與供電端子ET對應的區域之蝕刻率的平均值，和未與供電端子ET對應的區域之蝕刻率的平均值之差分，即「振幅」，為0.14nm／min。
相對於此，實施例1中，上述「振幅」為0.060nm／min；實施例2中，上述「振幅」為0.068nm／min。亦即，實施例1、2，相較於比較例，沿著晶圓W的圓周方向之蝕刻率的變動受到抑制。吾人認為，此係因於外周區域18b之內部或於對焦環FR之內部設置導電層62的情況，由於沿著晶圓W的圓周方向之電場強度的均一性改善，而局部性地改善沿著晶圓W的圓周方向之蝕刻率的不均之故。
以上，依一實施形態，則將導電層62，設置於靜電吸盤18之外周區域18b的內部，或沿著外周區域18b的厚度方向設置於其他區域，在從外周區域18b的厚度方向觀察時係與供電端子ET重疊。因此，依一實施形態，則可避免晶圓W的圓周方向之位置裡，電位在與供電端子ET對應的位置中局部性地降低，可改善沿著晶圓W的圓周方向之電場強度的均一性。作為結果，可改善沿著晶圓W的圓周方向之蝕刻率的不均。
另，上述實施形態中，雖顯示導電層62，在從外周區域18b的厚度方向觀察時係與供電端子ET重疊的例子，但亦可為在從外周區域18b的厚度方向觀察時除了與供電端子ET重疊以外，更與配線層EW的一部分重疊。此一情況，相對於配線層EW之與外周區域18b對應的部分之，配線層EW與導電層62的重合部分之比率，宜為76％以上。
此外，上述實施形態中，將產生電漿生成用之高頻電力的電源即第1高頻電源HFS，經由匹配器MU1而與基台20電性連接，但亦可將第1高頻電源HFS，經由匹配器MU1而與上部電極30連接。
此外，上述實施形態之電漿處理裝置10，為電容耦合型平行平板電漿（CCP）蝕刻裝置，但作為電漿源，亦可使用電感耦合型電漿（ICP）、微波電漿、表面波電漿（SWP）、輻射狀槽孔天線（RLSA）電漿、電子迴旋共振（ECR）電漿。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧處理容器
12a‧‧‧接地導體
12e‧‧‧排氣口
12g‧‧‧搬出入口
14‧‧‧支持部
15‧‧‧支持台
16‧‧‧載置台
18‧‧‧靜電吸盤
18a‧‧‧載置區域
18b‧‧‧外周區域
18b－1‧‧‧貫通孔
20‧‧‧基台
21‧‧‧扣接構件
22‧‧‧直流電源
24‧‧‧冷媒流路
26a、26b‧‧‧配管
30‧‧‧上部電極
32‧‧‧絕緣性遮蔽構件
34‧‧‧電極板
34a‧‧‧氣體噴吐孔
36‧‧‧電極支持體
36a‧‧‧氣體擴散室
36b‧‧‧氣體流通孔
36c‧‧‧氣體導入口
38‧‧‧氣體供給管
40‧‧‧氣體源群
42‧‧‧閥群
44‧‧‧流量控制器群
46‧‧‧防沉積遮蔽件
48‧‧‧排氣板
50‧‧‧排氣裝置
52‧‧‧排氣管
54‧‧‧閘閥
60‧‧‧濾波器
62‧‧‧導電層
A、B、C‧‧‧區域
CT‧‧‧接點部
Cnt‧‧‧控制部
E1‧‧‧電極
EL‧‧‧供電線
ET‧‧‧供電端子
EW‧‧‧配線層
FR‧‧‧對焦環
HFS‧‧‧第1高頻電源
HP‧‧‧加熱器電源
HT‧‧‧加熱器
LFS‧‧‧第2高頻電源
MU1、MU2‧‧‧匹配器
S‧‧‧處理空間
SW1‧‧‧開關
W‧‧‧晶圓
圖1係概略顯示一實施形態之電漿處理裝置的圖。 圖2係顯示一實施形態之載置台的俯視圖。 圖3係圖2之I－I線的剖面圖。 圖4係顯示一實施形態之基台、靜電吸盤及對焦環的構成之一例的剖面圖。 圖5係用於說明一實施形態之導電層的作用之一例的圖。 圖6係用於說明一實施形態之導電層的作用之一例的圖。 圖7係顯示反應有無導電層的電場強度之模擬結果的圖。 圖8係顯示一實施形態之導電層的設置態樣之一例的圖。 圖9係顯示一實施形態之導電層的設置態樣之另一例的圖。 圖10係顯示一實施形態之導電層的設置態樣之更另一例的圖。 圖11係用於說明一實施形態之導電層的作用之另一例的圖。 圖12係顯示一實施形態之電漿處理裝置所產生的效果（蝕刻率的實測結果）之圖。

Claims (11)

  1. 一種載置台，其特徵為包含： 基台，對其施加高頻電力； 靜電吸盤，設置於該基台上，具備用於載置被處理體之載置區域、及包圍該載置區域之外周區域； 加熱器，設置於該載置區域之內部； 配線層，與該加熱器連接，延伸至該外周區域之內部； 供電端子，在該外周區域中與該配線層的接點部相連接；以及 導電層，設置於該外周區域之內部，或沿著該外周區域的厚度方向設置於其他區域，在從該外周區域的厚度方向觀察時係與該供電端子重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項之載置台，其中， 更包含對焦環，設置於該外周區域上； 該導電層，沿著該外周區域的厚度方向設置於該對焦環之內部，或設置於該對焦環與該外周區域之間，在從該外周區域的厚度方向觀察時係與該供電端子重疊。
  3. 如申請專利範圍第2項之載置台，其中， 該導電層，係覆蓋該對焦環之與該外周區域相對向的面之導電膜。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之載置台，其中， 該導電層係形成為環狀，包含在從該外周區域的厚度方向觀察時係與該供電端子重疊的部分、及未與該供電端子重疊的部分。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之載置台，其中， 該導電層，與其他部位電性絕緣。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之載置台，其中， 該導電層包含W、Ti、Al、Si、Ni、C及Cu中之至少任一種。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之載置台，其中， 有複數之該加熱器設置於該載置區域之內部； 複數之該配線層，與複數之該加熱器分別連接，延伸至該外周區域之內部； 該供電端子，設置於每個該配線層，在該外周區域中與對應之該配線層的接點部相連接； 該導電層，在從該外周區域的厚度方向觀察時係與複數之該供電端子重疊。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之載置台，其中， 更包含： 供電線，將該供電端子與外部電源連接；以及 濾波器，設置於該供電線，使對該基台施加而從該供電端子往該供電線漏洩之高頻電力衰減。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之載置台，其中， 於該外周區域，形成貫穿該基台之固定用構件的貫通孔； 該導電層，係沿著該外周區域的厚度方向設置於其他區域，在從該外周區域的厚度方向觀察時除了與該供電端子重疊以外，更與該貫通孔重疊。
  10. 一種載置台，其特徵為包含： 基台，對其施加高頻電力； 靜電吸盤，設置於該基台上，具備用於載置被處理體之載置區域、包圍該載置區域之外周區域、及貫通該外周區域之貫通孔；以及 導電層，沿著該外周區域的厚度方向設置於其他區域，在從該外周區域的厚度方向觀察時係與該貫通孔重疊。
  11. 一種電漿處理裝置， 包含如申請專利範圍第1至10項中任一項之載置台。
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