TW201833295A - 熱傳導性薄片 - Google Patents

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Abstract

本發明可藉由於富有耐熱性、電氣絕緣性及機械性強度之芳香族聚醯亞胺等之合成樹脂薄膜層的雙面或單面，在層合熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層之熱傳導性薄片，該熱傳導性聚矽氧組成物係藉由將包含接著性賦予劑之有機矽化合物成分及DOP吸油量為80ml/100g以下之非球狀的熱傳導性填充材料，相對於該有機矽化合物成分100質量份，包含250～600質量份，具有高熱傳導性、高絕緣性、強固之層間接著性，進而藉由連續成形製得不會發生使用時之脆化的熱傳導性薄片。

Description

熱傳導性薄片
本發明係關於熱傳導性薄片。尤其是關於可介在於發熱性電子零件與散熱片等之散熱構件之間作為熱傳達材料使用之熱傳導性薄片。
變流器或電源等之電子機器所使用之晶體管和二極管等之半導體，伴隨高性能化・高速化・小型化・高集積化，其本身成為如產生大量的熱，因該熱導致機器的溫度上昇引起運作不佳或破壞。因此，提案有用以抑制運作中之半導體的溫度上昇之多數散熱方法及使用在其之散熱構件。
例如，在電子機器等為了抑制運作中之半導體的溫度上昇，使用有用鋁或銅等之熱傳導率高之金屬板的散熱片。此散熱片係傳導半導體所產生的熱，將其熱藉由與外氣的溫度差從表面釋出。另一方面，半導體與散熱片之間必須電氣性絕緣，因此，發熱性電子零件與散熱片之間介在有塑膠薄膜等。惟，由於塑膠薄膜熱傳導率極為低，顯著妨礙對散熱片之熱的傳達。又，將晶體管等之半導體於散熱片以螺絲釘固定時，螺絲釘必需貫通塑膠薄膜，此時於薄膜空出洞孔，藉此機會發生破壞薄膜，無法保持絕緣性的故障。無法保持絕緣性對晶體管和二極管而言是致命的。
因此，為了難以破裂且賦予熱傳導性，正開發有於玻璃布層合熱傳導性樹脂之熱傳導性薄片。例如，於玻璃布層合將氮化硼粉末與球狀二氧化矽粉末作為熱傳導性填充材料包含之聚矽氧橡膠的熱傳導性薄片(專利文獻1：日本特開平9-199880號公報)。
又，為了擔保熱傳導性薄片之電氣絕緣性，已提案於中間層使用芳香族聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯等之富有耐熱性、電氣絕緣性及機械性強度之薄膜，於外層作為摻合氧化鈹、氧化鋁、氫氧化鋁等之配有熱傳導性及電氣特性優異的聚矽氧橡膠層的多層構造體，例如專利文獻2(日本特公平2-24383號公報)中，記載有將特定量摻合氧化鋁等之聚醯亞胺(醯胺)薄膜作為中間層，於該中間層的雙面作為一對外層，由配置摻合氧化鋁等之聚矽氧橡膠層之至少三層所構成之層合體的具有熱傳導性之電氣絕緣構件。
具有此等之多層構造之熱傳導電氣絕緣構件中，外層部之聚矽氧橡膠層、與中間層之芳香族聚醯亞胺等之薄膜的接著性不安定，且容易隨著時間產生層間剝離，有耐久性劣化的問題點。作為改良之問題點，可列舉一種熱傳導性聚矽氧橡膠複合薄片，其特徵為使包含具有將聚矽氧橡膠層作為外層之層合構造體，該聚矽氧橡膠層係使包含具有選自由環氧基、烷氧基、乙烯基及式：Si-H表示之基所構成之群組中之至少1種的官能性基之矽化合物系接著性賦予劑的組成物硬化而成(專利文獻3：日本特開2004-122664號公報)。
作為此等熱傳導性薄片的製造方法，有加壓成形及連續成形。為了進行加壓成形，必須準備適當尺寸之薄片，使用沖壓成形機等，由於成為批次製造，故無法將經完成之熱傳導性薄片捲成輥狀。此點從生產性或收率的觀點來看，係非常非效率性，又，由於對原始薄片尺寸有限制，故實裝時之尺寸亦有限制。
作為連續成形之方法，可列舉塗佈成形。例如為玻璃布時，可藉由將玻璃布以熱傳導性聚矽氧樹脂進行密封，於經密封之玻璃布將熱傳導性聚矽氧橡膠層以塗佈形成，可連續性製造熱傳導性薄片。合成樹脂薄膜時，可藉由於合成樹脂薄膜的單面或雙面將熱傳導性聚矽氧橡膠層以塗佈形成，可連續性製造熱傳導性薄片。於塗佈成形，由於可連續性捲繞經完成之薄片，係非常有效率。又，薄片之寬度方向的長度雖因塗佈裝置的尺寸而被限制，但由於長度方向的長度未被限制，與沖壓成形相比較，實裝時之尺寸的自由度急遽上昇。惟，於塗佈成形，與沖壓成形相比較，由於表面精度不良，提昇接觸熱電阻。又，由於不施加壓力，聚矽氧橡膠層的密度難以提昇。因此，不適合作為具有高熱傳導性之薄片的製法。
作為即使塗佈成形亦可用以將表面精度成為良好之手段，有使用球狀之熱傳導性填充材料，提昇熱傳導性聚矽氧樹脂的流動性之方法。然而，球狀之熱傳導性填充材料被限於種類，每一種類都有各種問題。例如，球狀氧化鋁雖比較便宜，但由於硬度高，於摻合時產生摻合釜的剝削，有降低設備的保安性或製品的絕緣性的問題。又，雖亦存在氮化鋁或氮化硼等之凝集球狀粉，但非常昂貴，有提高熱傳導性薄片的製造成本的問題。
另一方面，氫氧化鋁所代表之比較材料成本便宜，且具有絕緣性之非球狀的熱傳導性填充材料，由於比表面積大，可填充在聚矽氧樹脂的量被限定，故有降低熱傳導率的問題。又，由於流動性劣化，有於塗佈成形得不到良好之表面精度，接觸熱電阻惡化的問題。
進而，在將富有耐熱性、電氣絕緣性及機械性強度之薄膜作為中間層使用之熱傳導性薄片，使用比表面積大之熱傳導性填充材料時，藉由接著性賦予劑吸附在熱傳導性填充材料，此隨著時間脫離與聚矽氧橡膠進行反應，有產生脆化的問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平9-199880號公報 　　[專利文獻2] 日本特公平2-24383號公報 　　[專利文獻3] 日本特開2004-122664號公報
[發明欲解決之課題]
本發明係鑑於上述事情而完成者，其係以提供一種使用便宜之非球狀的熱傳導性填充材料，藉由塗佈成形連續性製造可捲繞成輥狀，富有耐熱性、電氣絕緣性及機械性強度之芳香族聚醯亞胺等之使用合成樹脂薄膜之熱傳導性薄片，且具有高熱傳導性、低接觸熱電阻、高絕緣性、強固之層間接著性，進而不會產生使用時之脆化的熱傳導性薄片作為目的。 [用以解決課題之手段]
本發明者們為了達成上述目的經努力研究的結果，發現於富有耐熱性、電氣絕緣性及機械性強度之芳香族聚醯亞胺等之合成樹脂薄膜層的雙面或單面，在層合熱傳導性聚矽氧組成物之硬化物層的熱傳導性薄片，該熱傳導性聚矽氧組成物藉由特定量包含接著性賦予劑之有機矽化合物成分及具有特定DOP吸油量之非球狀的熱傳導性填充材料，具有高熱傳導性、高絕緣性、強固之層間接著性，進而藉由連續成形可製得不會產生使用時之脆化的熱傳導性薄片，而終至完成本發明。
據此，本發明係提供下述之熱傳導性薄片。 [1] 　　一種熱傳導性薄片，其係於電氣絕緣性之合成樹脂薄膜層的雙面或單面，在具有熱傳導性聚矽氧組成物之硬化物層的熱傳導性薄片，該熱傳導性聚矽氧組成物係含有包含接著性賦予劑之有機矽化合物成分及非球狀之熱傳導性填充材料，該熱傳導性填充材料的量相對於該有機矽化合物成分100質量份，為250～600質量份，且該熱傳導性填充材料的DOP吸油量為80ml/100g以下。 [2] 　　如[1]記載之熱傳導性薄片，其中，前述合成樹脂薄膜層所使用之合成樹脂的熔點為100℃以上。 [3] 　　如[1]或[2]記載之熱傳導性薄片，其中，前述合成樹脂薄膜層所使用之合成樹脂為芳香族聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯、聚烯烴、芳香族聚醚、氟系聚合物或此等之2種以上的組合。 [4] 　　如[1]～[3]中任一項記載之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物中之接著性賦予劑係具有環氧基及/或烷氧基，進而為具有選自由乙烯基及式：Si-H表示之基所構成之群組中之至少1種的基之矽化合物系接著性賦予劑。 [5] 　　如[4]記載之熱傳導性薄片，其中，接著性賦予劑為選自下述式表示之矽化合物， 。 [6] 　　如[1]～[5]中任一項記載之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物中之非球狀的熱傳導性填充材料為氫氧化鋁粉末。 [7] 　　如[6]記載之熱傳導性薄片，其中，氫氧化鋁粉末係由 　　(1)平均粒子徑為5～14μm，DOP吸油量為50ml/100g以下之氫氧化鋁粉末 100～500質量份及 　　(2)平均粒子徑為0.5～3μm，DOP吸油量為80ml/100g以下之氫氧化鋁粉末 50～400質量份 　　構成而成，且在非球狀之熱傳導性填充材料的全量之上述(1)的比率為40質量%以上。 [8] 　　如[1]～[7]中任一項記載之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物中之非球狀的熱傳導性填充材料為粒徑45μm以上之粒子的量為0～0.5質量%，且粒徑75μm以上之粒子的量為0～0.01質量%。 [9] 　　如[1]～[8]中任一項記載之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物中之有機矽化合物成分為含有(A)下述平均組成式(1)表示，且於1分子中具有至少與2個矽原子鍵結之烯基的有機聚矽氧烷， R1 a SiO(4-a)/2 (1) 　　(式中，R1 獨立為非取代或取代之碳原子數1～10之1價烴基，a為1.90～2.05)。 [10] 　　如[9]記載之熱傳導性薄片，其係進一步作為前述熱傳導性聚矽氧組成物中之有機矽化合物成分，將選自(E)(E1)下述一般式(2)表示之烷氧基矽烷及(E2)下述一般式(3)表示之單末端被三烷氧基矽烷基封鎖之二甲基聚矽氧烷中之1個以上含有前述熱傳導性聚矽氧組成物中之有機矽化合物成分之合計量的0.01～30質量%， R2 b R3 c Si(OR4 )4-b-c (2) 　　(式中，R2 獨立為碳原子數6～15之烷基，R3 獨立為非取代或取代之碳原子數1～12之1價烴基，R4 獨立為碳原子數1～6之烷基，b為1～3之整數，c為0、1或2，惟b+c為1～3)(式中，R5 獨立為碳原子數1～6之烷基，d為5～100之整數)。 [11] 　　如[9]或[10]記載之熱傳導性薄片，其進一步於前述熱傳導性聚矽氧組成物中，作為(C)硬化劑含有： 　　(C-1a)有機氫聚矽氧烷：相對於熱傳導性聚矽氧組成物中之烯基的合計1莫耳，熱傳導性聚矽氧組成物中之矽原子結合氫原子的合計成為0.8～10莫耳之範圍的量及 　　(C-1b)鉑系觸媒：相對於(A)成分，鉑系觸媒中之鉑金屬以質量單位成為0.1～2,000ppm的量。 [12] 　　如[9]或[10]記載之熱傳導性薄片，其進一步於前述熱傳導性聚矽氧組成物中，作為(C)硬化劑含有： 　　(C-2)有機過氧化物：相對於包含熱傳導性聚矽氧組成物中之乙烯基的化合物的合計100質量份，為0.5～30質量份。 [13] 　　如[1]～[12]中任一項記載之熱傳導性薄片，其中，電氣絕緣性之合成樹脂薄膜層的厚度為5～90μm，熱傳導性聚矽氧組成物之硬化物層的厚度為40～400μm，熱傳導性薄片全體的厚度為55～500μm。 [14] 　　如[1]～[13]中任一項記載之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物為具有1.2W/m･K以上之熱傳導率。 [15] 　　如[1]～[14]中任一項記載之熱傳導性薄片，其中，氣中絕緣破壞電壓依照JIS K6249測定時，為2kV以上。 [發明的效果]
本發明之熱傳導性薄片可藉由塗佈成形進行連續性製造，而捲繞成輥狀。又，由於摻合有熱傳導性填充材料，從不僅具有熱傳導性良好之熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層，而且具有電氣絕緣性及機械性強度亦優異之芳香族聚醯亞胺等之合成樹脂薄膜層，藉由其補強效果而具有充分之強度與柔軟性。從此等之點來看，本發明之熱傳導性薄片，適合作為介裝在發熱性電子・電氣零件與放熱零件之間的電氣絕緣性的放熱構件。而且，由於熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層含有接著性賦予劑，可強固地密著熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層與合成樹脂薄膜層。此外，由於使用DOP吸油量小之熱傳導性填充材料，不會發生因接著性賦予劑導致薄片之隨著時間的脆化。因此，本發明之熱傳導性薄片為發揮耐久性亦優異之顯著的作用・效果。
本發明之熱傳導性薄片係於電氣絕緣性之合成樹脂薄膜層的雙面或單面，具有熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層。在本發明，於電氣絕緣性之合成樹脂薄膜層的雙面，具有熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層時，將該合成樹脂薄膜層稱為中間層。
[合成樹脂薄膜層] 　　作為本發明所使用之電氣絕緣性的合成樹脂薄膜層，若為電氣絕緣性優異之柔軟且機械性強度高之合成樹脂薄膜層，則並未特別限定，可使用周知者全部。作為合成樹脂，例如可列舉芳香族聚醯亞胺；聚醯胺；聚醯胺醯亞胺；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯；聚烯烴；芳香族聚醚；聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯・全氟烷基乙烯基醚共聚物等之氟系聚合物。可使用於合成樹脂中分散摻合熱傳導性粉體者，或可使用提昇合成樹脂的結晶性，而提昇熱傳導性之熱傳導性合成樹脂薄膜。進而，可使用於提高結晶度之合成樹脂分散上述之熱傳導性粉體者。又，可組合此等之2種以上作為合成樹脂薄膜層。
前述合成樹脂薄膜層所使用之合成樹脂，若熔點為100℃以上，較佳為150℃以上，更佳為200℃以上，再更佳為250℃以上，由於耐熱性優異，機械性強度低下亦難以產生熱變形故適合。作為前述合成樹脂薄膜層之適合例，例如作為具有熔點為250℃以上的耐熱性之薄膜，可列舉芳香族聚醯亞胺系薄膜之Kapton(註冊商標)(商品名、東麗杜邦(股)製)等。
作為合成樹脂，使用前述氟系聚合物時，對於所得之合成樹脂薄膜的表面，使用金屬Na/萘系處理液，實施化學蝕刻處理，從接著性提昇的點來看較佳。
合成樹脂薄膜層的厚度，可藉由本發明之熱傳導性薄片的適用形態・適用對象設定，雖並未特別限制，但較佳為成為5～90μm，更佳為10～75μm，再更佳為10～40μm左右的範圍即可。前述厚度過厚時，變成對本發明之熱傳導性薄片的熱傳導性產生故障，反之過薄時，應發揮之強度不足，且有電氣絕緣性能變不夠充分的情況。 　　尚，本發明所使用之合成樹脂薄膜層，較佳為無使電氣絕緣特性降低般之孔的合成樹脂薄膜層。
[熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層] 　　本發明所使用之熱傳導性聚矽氧組成物，係含有包含接著性賦予劑之有機矽化合物成分及非球狀之熱傳導性填充材料，該熱傳導性填充材料的量相對於該有機矽化合物成分100質量份，為250～600質量份，且該熱傳導性填充材料之DOP吸油量為80ml/100g以下者。
該熱傳導性聚矽氧組成物，若為含有包含接著性賦予劑之有機矽化合物成分及具有特定DOP吸油量之非球狀的熱傳導性填充材料的特定量者，雖並未特別限定，但較佳為包含下述(A)～(D)成分，再更佳為包含(E)、(F)成分。 　　(A)下述平均組成式(1)： R1 a SiO(4-a)/2 (1) 　　(式中，R1 獨立為非取代或取代之碳原子數1～10之1價烴基，a為1.90～2.05) 　　表示，且於1分子中具有至少與2個矽原子鍵結之烯基的有機聚矽氧烷、 　　(B)接著性賦予劑、 　　(C)硬化劑、 　　(D)非球狀之熱傳導性填充材料、 　　進而視需要為 　　(E)選自下述(E1)及(E2)中1個以上、 　　(E1)下述一般式(2)： R2 b R3 c Si(OR4 )4-b-c (2) 　　(式中，R2 獨立為碳原子數6～15之烷基，R3 獨立為非取代或取代之碳原子數1～12之1價烴基，R4 獨立為碳原子數1～6之烷基，b為1～3之整數，c為0、1或2，惟b+c為1～3) 　　表示之烷氧基矽烷及 　　(E2)下述一般式(3)：(式中，R5 獨立為碳原子數1～6之烷基，d為5～100之整數) 　　表示之單末端被三烷氧基矽烷基封鎖之二甲基聚矽氧烷、 　　(F)可塑劑。
本發明之該熱傳導性聚矽氧組成物所使用之(A)成分，為下述平均組成式(1)表示，且於1分子中具有至少與2個矽原子鍵結之烯基的有機聚矽氧烷，熱傳導性聚矽氧組成物之主劑(基底聚合物)。 R1 a SiO(4-a)/2 (1) 　　(式中，R1 獨立為非取代或取代之碳原子數1～10，較佳為1～8之1價烴基，a為1.90～2.05)。
上述式(1)中，作為R1 ，例如可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之烷基；環戊基、環己基等之環烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等之芳基；苄基、苯乙基、3-苯基丙基等之芳烷基；3,3,3-三氟丙基、3-氯丙基等之鹵素取代烷基；乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基等之烯基等。尚，R1 未包含環氧取代基及烷氧基取代基。
(A)成分可為油狀，亦可為橡膠狀。 　　(A)成分之平均聚合度較佳為20～12,000，更佳為50～10,000。尚，在本發明，平均聚合度，例如可作為在將甲苯、四氫呋喃(THF)等作為展開溶劑之凝膠滲透層析(GPC)分析之聚苯乙烯換算值求得，通常，平均聚合度適合作為數平均聚合度等求得(以下相同)。
(A)成分係藉由加成反應或過氧化物而硬化之成分，於1分子中具有2個以上與矽原子鍵結之烯基，較佳為具有3個以上。又，烯基量較佳為0.0002～0.5mol/ 100g。與矽原子鍵結之烯基的含量較上述範圍更少時，硬化藉由加成反應進行時，所得之組成物無法充分硬化。 　　作為上述烯基，較佳為乙烯基。上述烯基可與分子鏈末端之矽原子及分子鏈末端以外之矽原子之任一者鍵結，較佳為至少1個烯基為與分子鏈末端之矽原子鍵結。
作為硬化藉由加成反應進行時之(A)成分之具體例，例如可列舉分子鏈兩末端三甲基矽氧烷基封鎖二甲基矽氧烷・甲基乙烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端三甲基矽氧烷基封鎖甲基乙烯基聚矽氧烷、分子鏈兩末端三甲基矽氧烷基封鎖二甲基矽氧烷・甲基乙烯基矽氧烷・甲基苯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽氧烷基封鎖二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽氧烷基封鎖甲基乙烯基聚矽氧烷、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽氧烷基封鎖二甲基矽氧烷・甲基乙烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽氧烷基封鎖二甲基矽氧烷・甲基乙烯基矽氧烷・甲基苯基矽氧烷共聚物及分子鏈兩末端三乙烯基矽氧烷基封鎖二甲基聚矽氧烷等。此等可1種單獨或組合2種以上使用。
作為硬化係使用過氧化物進行時之(A)成分的具體例，例如可列舉分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽氧烷基封鎖二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端甲基苯基乙烯基矽氧烷基封鎖二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽氧烷基封鎖二甲基矽氧烷・甲基苯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽氧烷基封鎖二甲基矽氧烷・甲基乙烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端三甲基矽氧烷基封鎖二甲基矽氧烷・甲基乙烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽氧烷基封鎖甲基(3,3,3-三氟丙基)聚矽氧烷、分子鏈兩末端矽烷醇基封鎖二甲基矽氧烷・甲基乙烯基矽氧烷共聚物及分子鏈兩末端矽烷醇基封鎖二甲基矽氧烷・甲基乙烯基矽氧烷・甲基苯基矽氧烷共聚物等。此等可1種單獨或組合2種以上使用。
尚，(A)成分係熱傳導性聚矽氧組成物所包含之有機矽化合物成分的合計量中，以50～95質量%，尤其是以60～90質量%的範圍摻合較佳。
在本發明之該熱傳導性聚矽氧組成物摻合接著性賦予劑(B)。藉由將該接著性賦予劑摻合在熱傳導性聚矽氧組成物中，合成樹脂薄膜層與熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層彼此顯示強固之接著性，不會產生層間剝離，而是隨著時間亦可成為耐久性優異者。又，由於可省略對於合成樹脂薄膜層實施以提昇接著性作為目的之底漆處理的步驟，實現熱傳導性薄片製造步驟之簡略化，進而由於不具有底漆層，故可得到未減低熱傳導性之熱傳導性薄片。
此接著性賦予劑較佳為具有環氧基及/或烷氧基，進而具有選自由乙烯基及式：Si-H表示之基所構成之群組中之至少1種的基之矽化合物。
前述熱傳導性聚矽氧組成物中所包含之硬化劑為氫矽烷基化反應硬化劑時，接著性賦予劑之矽化合物更佳為具有環氧基、烷氧基或此等之雙方、與乙烯基、式：Si-H表示之基或此等之雙方，再更佳為具有環氧基、烷氧基或此等之雙方、與式：Si-H表示之基。尚，將具有式：Si-H表示之基之矽化合物作為接著性賦予劑使用時，亦作為後述之(C)硬化劑的有機氫聚矽氧烷進行作用。 　　又，於其他較佳之實施形態，前述熱傳導性聚矽氧組成物所包含之硬化劑為有機過氧化物硬化劑時，接著性賦予劑之矽化合物更佳為具有環氧基、烷氧基或此等之雙方、與乙烯基、式：Si-H表示之基或此等之雙方。
作為具有如此之基的矽化合物，具體而言，可例示下述者。惟，並非被限定於下述者。 。
接著性賦予劑可1種單獨亦可組合2種以上使用。 　　此接著性賦予劑(B)的摻合量，於熱傳導性聚矽氧組成物所包含之有機矽化合物成分的合計量中，通常為0.1～20質量%，較佳為成為0.5～15質量%的範圍即可。前述摻合量過少時，有無法發揮接著性賦予效果的情況，又，過多時，有產生機械性特性損害，或發生因隨著時間硬化導致之脆化的問題的情況。
(C)成分為硬化劑，將熱傳導性聚矽氧組成物的硬化藉由加成反應進行時，作為硬化劑(C)，係使用有機氫聚矽氧烷，於鉑系觸媒的存在下進行反應。藉由過氧化物之硬化時，作為硬化劑(C)，係使用有機過氧化物。
於此，將熱傳導性聚矽氧組成物藉由加成反應(氫矽烷基化反應)進行硬化時，此硬化劑係摻合由於1分子中具有平均2個以上，尤其是具有2～30個矽原子鍵結氫原子的有機氫聚矽氧烷與鉑系觸媒所構成者。
作為於此有機氫聚矽氧烷中之氫原子以外與矽原子鍵結之基，例如可列舉未包含脂肪族不飽和鍵之碳原子數1～10，較佳為1～8之1價烴基，例示有甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等之直鏈狀烷基、異丙基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基等之分枝鏈狀烷基、環戊基、環己基等之環狀烷基、苯基等之芳基、苄基、苯乙基等之芳烷基、3,3,3-三氟丙基、3-氯丙基等之鹵素取代烷基，較佳為烷基、芳基，特佳為甲基、苯基。
又，此有機氫聚矽氧烷在25℃之黏度雖並未被限定，但較佳為5～300mm2 /s的範圍內，特佳為10～200mm2 /s的範圍內。此有機氫聚矽氧烷的分子構造並未限定，例如可列舉直鏈狀、分枝鏈狀、具有一部分分枝之直鏈狀、環狀、樹枝狀(樹枝狀聚合物(Dendrimer)狀)。此有機氫聚矽氧烷，例如可為具有此等之分子構造之單一聚合物、由此等之分子構造所構成之共聚物或此等之混合物。
作為如此之有機氫聚矽氧烷，例如可列舉分子鏈兩末端二甲基氫矽氧烷基封鎖二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端三甲基矽氧烷基封鎖二甲基矽氧烷・甲基氫矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基氫矽氧烷基封鎖二甲基矽氧烷・甲基氫矽氧烷共聚物、由式：(CH3 )3 SiO1/2 表示之矽氧烷單位與式：(CH3 )2 HSiO1/2 表示之矽氧烷單位與式：SiO4/2 表示之矽氧烷單位所構成之有機矽氧烷共聚物及此等之2種以上的混合物。
在本組成物，此有機氫聚矽氧烷的含量為本組成物的硬化所必要的量，具體而言，(A)成分中之矽原子鍵結烯基或上述(B)接著性賦予劑包含乙烯基時，相對於(A)成分與(B)成分中之烯基的合計1莫耳，本成分中之矽原子鍵結氫原子或上述(B)接著性賦予劑包含Si-H基時，較佳為本成分與(B)成分中之Si-H基的合計成為0.8～10莫耳的範圍內的量，更佳為成為1～8莫耳的範圍內的量，特佳為成為1.2～5莫耳的範圍內的量。本成分的含量成為未滿上述範圍的下限的量時，由於硬化變不夠充分，得不到充分之薄片強度，又有促進滲油的情況，超過上述範圍的上限時，有薄片脆化或發泡的情況。
又，鉑系觸媒係用以促進本組成物的硬化之觸媒，例如可列舉氯化鉑酸、氯化鉑酸之醇溶液、鉑之烯烴錯合物、鉑之烯基矽氧烷錯合物、鉑之羰基錯合物等。
在本組成物，鉑系觸媒的含量為本組成物的硬化所必要的量，具體而言，較佳為相對於(A)成分，本成分中之鉑金屬以質量單位成為0.1～2,000ppm的量，特佳為成為10～1,000ppm的量。本成分的含量為未滿上述範圍的下限時，由於硬化變不夠充分，得不到充分之薄片強度，又有促進滲油的情況，超過上述範圍的上限時，有薄片脆化或發泡的情況。
又，本組成物藉由自由基反應進行硬化時，硬化劑為有機過氧化物。作為有機過氧化物，例如可列舉過氧化苯甲醯基、二(p-甲基苯甲醯基)過氧化物、二(o-甲基苯甲醯基)過氧化物、過氧化二異丙苯、2,5-二甲基-2,5-雙(tert-過氧化丁基)己烷、二-tert-丁基過氧化物、tert-丁基過氧苯甲酸酯等。
此有機過氧化物的含量為本組成物的硬化所必要的量，具體而言，(A)成分或上述(B)接著性賦予劑包含乙烯基時，相對於(A)成分與(B)成分的合計100質量份，較佳為成為0.5～30質量份的量，特佳為成為1～20質量份的量。本成分的含量成為未滿上述範圍的下限的量時，由於硬化變不夠充分，得不到充分之薄片強度，又有促進滲油的情況，超過上述範圍的上限時，有薄片脆化或發泡的情況。
本發明之該熱傳導性聚矽氧組成物所摻合之非球狀的熱傳導性填充材料(D)為一般性使用即可，例如可列舉非磁性之銅或鋁等之金屬、氧化鋁、二氧化矽、氧化鎂、鐵丹(bengala)、氧化鈹、二氧化鈦及氧化鋯等之金屬氧化物、氮化鋁、氮化矽及氮化硼等之金屬氮化物、氫氧化鋁、氫氧化鎂等之金屬氫氧化物、人造鑽石及碳化矽等。此等可單獨或以2種以上的組合使用。
非球狀之熱傳導性填充材料的DOP吸油量為80ml/100g以下，更佳為60ml/100g以下。DOP吸油量超過上述上限時，降低對於有機矽化合物成分之該熱傳導性填充材料的填充性，失去塗佈時之流動性，損害薄片表面的光滑，導致熱電阻的上昇。又，將該熱傳導性填充材料進行高填充變困難，以熱傳導性的點來看不利。又，上述DOP吸油量較佳為10ml/100g以上。尚，DOP吸油量係將熱傳導性填充材料與油(苯二甲酸二-2-乙基己酯)進行捏合，而成為堅硬纏繞狀所需要之油的量。
非球狀之熱傳導性填充材料係粒徑45μm以上之粒子的量為0～0.5質量%，較佳為0～0.2質量%，粒徑75μm以上之粒子的量為0～0.01質量%，較佳為0質量%。粒徑45μm以上之粒子的量及粒徑75μm以上之粒子的量之任一個超過上述上限時，塗佈熱傳導性聚矽氧組成物得到熱傳導性薄片時，有該熱傳導性填充材料從塗膜表面突出，損害薄片表面的光滑的情況。此係導致實裝時之接觸熱電阻的上昇，以熱傳導性的點來看為不利。 　　非球狀之熱傳導性填充材料中之粒徑45μm以上之粒子的量及粒徑75μm以上之粒子的量，係如以下般進行而決定。採取熱傳導性填充材料10g，放入任意量的水中進行超音波分散。重疊篩目為45μm與75μm之篩設定在篩振動機，且將上述分散於水之熱傳導性填充材料投入上述振動機。使殘留於各篩上之熱傳導性填充材料乾燥並進行秤量。
非球狀之熱傳導性填充材料總合性考量熱傳導性、電氣的絕緣性、比重、難燃性及價格等時，較佳為氫氧化鋁。尤其是由 　　(1)平均粒子徑為5～14μm，較佳為5μm以上未滿12μm，粒徑45μm以上之粒子的量為0～0.5質量%，較佳為0～0.2質量%，粒徑75μm以上之粒子的量為0～0.01質量%，較佳為0質量%，DOP吸油量為50ml/100g以下，較佳為40ml/100g以下之氫氧化鋁粉末及 　　(2)平均粒子徑為0.5～3μm，較佳為0.5μm以上2μm未滿，粒徑45μm以上之粒子的量為0～0.5質量%，較佳為0～0.2質量%，更佳為0～0.1質量%，粒徑75μm以上之粒子的量為0～0.01質量%，較佳為0質量%，DOP吸油量為80ml/100g以下，較佳為60ml/100g以下之氫氧化鋁粉末 　　所構成，以(1)成分的量相對於有機矽化合物成分100質量份，為100～500質量份，較佳為150～400質量份，(2)成分的量相對於有機矽化合物成分100質量份，為50～400質量份，較佳為80～300質量份(惟，非球狀之熱傳導性填充材料的合計係如上述)之氫氧化鋁粉末構成而成，且在非球狀之熱傳導性填充材料的全量之上述(1)的比率為40質量%以上，更佳為50質量%以上時，不損害塗佈成形時之流動性，於聚矽氧樹脂高填充該熱傳導性填充材料變可能，可達成高熱傳導率，並且可使成形之熱傳導性薄片的表面更加光滑。
在本發明之平均粒子徑係使用雷射繞射・散射式之粒子徑分布測定裝置即微軌道MT3300EX(日機裝)來決定之值(體積基準)。
在熱傳導性聚矽氧組成物，非球狀之熱傳導性填充材料(D)的填充量，相對於有機矽化合物成分100質量份，為250～600質量份，較佳為300～570質量份，更佳為350～550質量份。非球狀之熱傳導性填充材料的填充量未滿上述下限時，得不到充分之熱傳導性。又，超過上述上限時，對聚矽氧之填充變困難，又，即使可填充，該熱傳導性填充材料變過密，塗佈組成物得到熱傳導性薄片時，損害薄片表面的光滑，導致熱電阻的上昇。
於此，所謂有機矽化合物成分，係意指上述之(A)成分、為矽化合物時之(B)成分及若存在，係意指後述之(E)成分、後述之(F)成分及作為上述之硬化劑(C)的有機氫聚矽氧烷，所謂有機矽化合物成分的合計量，係意指上述之(A)成分、為矽化合物時之(B)成分及若存在，係意指後述之(E)成分、後述之(F)成分及作為上述之硬化劑(C)之有機氫聚矽氧烷的合計量。
本發明之該熱傳導性聚矽氧組成物中，可進一步包含(E)成分。(E)成分係選自下述(E1)及(E2)成分中之1個以上。(E)成分係改善非球狀之熱傳導性填充材料(D)的潤濕性，使得對有機矽化合物成分之上述熱傳導性填充材料的填充變容易，據此，可提高上述熱傳導性填充材料的填充量。
(E1)成分為下述一般式(2)表示之烷氧基矽烷。 R2 b R3 c Si(OR4 )4-b-c (2) 　　(式中，R2 獨立為碳原子數6～15之烷基，R3 獨立為非取代或取代之碳原子數1～12之1價烴基，R4 獨立為碳原子數1～6之烷基，b為1～3之整數，c為0、1或2，惟b+c為1～3)。
在上述式(2)，作為R2 表示之烷基，例如可列舉己基、辛基、壬基、癸基、十二烷基及十四烷基等。藉由此R2 表示之烷基的碳原子數為6～15，充分提昇非球狀之熱傳導性填充材料(D)的潤濕性，使得對熱傳導性聚矽氧組成物之該熱傳導性填充材料的填充變容易，又，上述組成物的低溫特性成為良好。
作為R3 表示之非取代或取代之碳原子數1～12之1價烴基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基及十二烷基等之烷基、環戊基、環己基及環庚基等之環烷基、苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基及聯苯基等之芳基、苄基、苯基乙基、苯基丙基及甲基苄基等之芳烷基、以及此等之基之氫原子的一部分或全部被氟、氯及溴等之鹵素原子或氰基取代者，例如氯甲基、2-溴乙基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基、氯苯基、氟苯基、氰基乙基、3,3,4,4,5,5,6,6,6-九氟己基等。R3 較佳為未包含碳原子數1～10，更佳為碳原子數1～6之脂肪族不飽和鍵之1價烴基，特佳為甲基、乙基、丙基、氯甲基、溴乙基、3,3,3-三氟丙基及氰基乙基等之碳原子數1～3之非取代或取代之烷基及苯基、氯苯基及氟苯基等之非取代或取代之苯基。尚，R3 未包含環氧取代基及烷氧基取代基。
作為R4 表示之烷基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及己基等之碳原子數1～6之烷基。
(E2)成分係下述一般式(3)表示之分子鏈單末端被三烷氧基矽烷基封鎖之二甲基聚矽氧烷。(式中，R5 獨立為碳原子數1～6之烷基，d為5～100之整數，較佳為10～50之整數)。
作為R5 表示之烷基，可列舉與上述式(2)中之R4 表示之烷基相同者。
摻合(E)成分時之摻合量，係於有機矽化合物成分之合計量中，較佳為0.01～30質量%，更佳為5～20質量%。上述量未滿上述下限時，有對非球狀之熱傳導性填充材料(D)之有機矽化合物成分的填充變困難的情況。上述量超過上述上限時，有所得之硬化物的強度變不夠充分的情況。
本發明之該熱傳導性聚矽氧組成物中，可進一步包含下述(F)可塑劑。作為(F)成分，較佳為下述式(4)表示之二甲基矽氧烷。(式中，e為5～500之整數，較佳為50～400之整數)。
摻合(F)成分時之摻合量，係有機矽化合物成分之合計量中，較佳為0.5～20質量%，更佳為1～15質量%。上述量未滿上述下限時，有薄片的硬度提高，變脆的情況。上述量超過上述上限時，有得不到充分之薄片強度，又促進滲油的情況。
上述熱傳導性聚矽氧組成物可如以下般進行來調製。摻合(A)及(D)成分時，可與(E)及(F)成分一同使用捏合機、班伯里密煉機、行星式攪拌機及品川混合機等之混合機，如有必要邊加熱至100℃以上之溫度，邊進行混煉。於此混煉步驟，視期望，於不損害熱傳導性能的範圍內，可添加煙薰二氧化矽及沉澱性二氧化矽等之補強性二氧化矽；聚矽氧油、聚矽氧潤濕劑等；鉑、氧化鈦及苯并三唑等之難燃劑等。將於混煉步驟所得之均一混合物冷卻至室溫後，通過過濾器(Strainer)等進行過濾，其次，使用2條輥、品川混合機等，於前述混合物添加所要量之接著性賦予劑(B)及硬化劑(C)，再度進行混煉。在此再度之混煉步驟，可視期望添加1-乙炔基-1-環己醇等之乙炔化合物系加成反應制御劑、有機顏料或無機顏料等之著色劑、氧化鐵或氧化鈰等之耐熱性提昇劑及內添脫模劑等。如此進行所得之熱傳導性聚矽氧組成物作為塗佈材料，雖可直接供於下一步驟，但如有必要可進一步加入甲苯等之溶劑。
作為上述熱傳導性聚矽氧組成物的硬化條件，例如藉由加成反應之硬化時，以80～180℃，尤其是在100～160℃進行30秒～20分鐘，尤其是進行1分鐘～10分鐘較佳，藉由有機過氧化物之硬化時，以100～180℃，尤其是在110～170℃進行30秒～20分鐘，尤其是進行1分鐘～10分鐘較佳。
上述熱傳導性聚矽氧組成物較佳為其硬化物的熱傳導率為1.2W/m･K以上，更佳為1.5W/m･K以上，再更佳為1.7W/m･K以上。尚，熱傳導率可使用京都電子工業(股)製之TPS-2500S測定。
本發明之熱傳導性薄片，係於合成樹脂薄膜層的雙面或單面具有上述熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層(熱傳導性硬化層)。 　　熱傳導性薄片如後述，係藉由於合成樹脂薄膜層的雙面或單面塗佈・硬化上述熱傳導性聚矽氧組成物，形成硬化物層而獲得。上述塗佈較佳為以硬化後之硬化物層的厚度較佳為成為40μm以上400μm以下，更佳為成為50μm以上300μm以下的方式進行。上述硬化物層的厚度過薄時，有其所包含之熱傳導性填充材料突出，損害熱傳導性硬化層表面的光滑的情況，厚度過厚時，有導致增大熱傳導性薄片的熱電阻的情況。尚，將熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層形成在合成樹脂薄膜層的雙面時，此等雙面之熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層可為相同厚度，亦可為不同厚度。
本發明之熱傳導性薄片係藉由於合成樹脂薄膜層的雙面或單面，塗佈上述熱傳導性聚矽氧組成物，形成熱傳導性硬化層連續性製得。例如使用乾燥爐、加熱爐及具有捲繞裝置之缺角輪塗佈機，刮刀塗佈機，吻塗機等之慣用的塗佈裝置，將於上述所得之熱傳導性聚矽氧組成物連續性塗佈於合成樹脂薄膜之一側的面(作為表面)後，使溶劑等乾燥・蒸散，藉由加成反應之硬化時以80～180℃，較佳為100～160℃左右進行30秒～20分鐘加熱，尤其是進行1分鐘～10分鐘加熱，藉由過氧化物之硬化時以100～180℃，較佳為110～170℃左右進行30秒～20分鐘，尤其是進行1分鐘～10分鐘加熱，而形成熱傳導性硬化層。塗佈於雙面時，係與表面同樣進行，於合成樹脂薄膜層之另一側的面(作為內側)亦形成熱傳導性硬化層，而得到熱傳導性薄片。可一次進行對表側之塗佈與對內側之塗佈。完成之熱傳導性薄片係連續性捲繞成輥狀。表面與內面的熱傳導性聚矽氧組成物可彼此相同亦可為相異。
熱傳導性薄片的厚度可因適用形態・適用對象設定，雖並未特別限制，但較佳為成為55～500μm，再更佳為成為100～300μm左右的範圍即可。通常，前述厚度過薄時，由於對電子零件之形狀適應性惡化，有熱傳導性惡化的傾向，又，過厚時，有損害熱傳達特性的傾向，任一種皆不佳。
如此進行所得之熱傳導性薄片，氣中絕緣破壞電壓依照JIS K6249測定時，期望為2kV以上，尤其是4kV以上。上述氣中絕緣破壞電壓幾乎與熱傳導性薄片的厚度成比例。 [實施例]
於以下雖展示實施例及比較例，具體說明本發明，但本發明並非被限制於下述之實施例。
於實施例及比較例使用之材料係如以下。 (A)成分： 　　(A1)以平均聚合度8,000之二甲基乙烯基密封兩末端之二甲基聚矽氧烷 　　(A2)以平均聚合度3,000之二甲基乙烯基密封兩末端之二甲基聚矽氧烷
(B)成分： 　　(B1)下述式(5)表示之矽化合物(B2)下述式(6)表示之矽化合物
(C)成分：過氧化2-甲基苯甲醯基
(D)成分： 　　(D1)平均粒子徑為9.3μm，粒徑45μm以上之粒子的量為0.04質量%，粒徑75μm以上之粒子的量為0質量%，DOP吸油量為30ml/100g之不定形(非球狀)氫氧化鋁粉末 　　(D2)平均粒子徑為1.3μm，粒徑45μm以上之粒子的量為0.06質量%，粒徑75μm以上之粒子的量為0質量%，DOP吸油量為50ml/100g之不定形(非球狀)氫氧化鋁粉末 　　(D3)(比較用)平均粒子徑為8.2μm，粒徑45μm以上之粒子的量為0.06質量%，粒徑75μm以上之粒子的量為0質量%，DOP吸油量為90ml/100g之不定形(非球狀)氫氧化鋁粉末 　　(D4)(比較用)平均粒子徑為1.2μm，粒徑45μm以上之粒子的量為0.06質量%，粒徑75μm以上之粒子的量為0質量%，DOP吸油量為130ml/100g之不定形(非球狀)氫氧化鋁粉末
(E)成分：下述式(7)表示之平均聚合度為30，單末端被三甲氧基矽烷基封鎖之二甲基聚矽氧烷
(F)成分：下述式(8)表示之二甲基聚矽氧烷(式中，f=300)
(G)：合成樹脂薄膜 　　(G1)芳香族聚醯亞胺系薄膜：商品名：Kapton 50EN (東麗杜邦(股)製、12.5μm) 　　(G2)熱傳導性芳香族聚醯亞胺系薄膜：商品名：Kapton 150MT(東麗杜邦(股)製、37.5μm)
實施例1～4及比較例1～3 [熱傳導性聚矽氧組成物之調製] 　　將表1所示之量(質量份)的成分投入班伯里密煉機(Bunbury mixer)，進行20分鐘混煉，調製熱傳導性聚矽氧組成物(1)～(5)。
將所得之熱傳導性聚矽氧組成物之硬化物的熱傳導率用以下之方法測定。將結果示於表1。 熱傳導率 　　將所得之聚矽氧組成物使用60mm×60mm×6mm之模具，以硬化後之厚度成為6mm的方式調整壓力，以160℃進行10分鐘沖壓成形，硬化成6mm厚之薄片狀。使用熱傳導率計(TPS-2500S、京都電子工業(股)製之商品名)，於2片薄片之間挾持探測器測定該薄片之熱傳導率。
[熱傳導性薄片的製造] 對合成樹脂薄膜之塗佈 　　於表2所示之上述所得之熱傳導性聚矽氧組成物，添加該量之40質量%的甲苯，將使用行星式攪拌機進行混煉所得之塗佈材料，於合成樹脂薄膜一側的面(表面)使用缺角輪塗佈機，以包含合成樹脂薄膜的厚度之硬化後的總厚度成為90μm的方式進行塗佈，150℃、加熱10分鐘使其硬化後進行捲繞。其次，於另一側的面(內面)亦相同，藉由以薄片之硬化後的總厚度成為150μm的方式進行塗佈，同樣使其硬化後進行捲繞，而得到總厚150μm之熱傳導性薄片。
尚，於比較例3，將對合成樹脂薄膜之塗佈如以下般進行。將烤箱的溫度從靠近缺角輪部之側定為60℃、80℃及80℃，將塗佈速度定為2m/分鐘。藉由將烤箱的溫度下降至使甲苯揮發且不引起(C)過氧化物的分解般的溫度，而得到未加硫狀態之製品。藉由將此未加硫狀態之製品切出適當之尺寸，使用沖壓成形機，以硬化後之厚度成為130μm的方式調整壓力，以170℃/10分鐘進行沖壓成形，而得到熱傳導性薄片。
[熱傳導性薄片之特性・安定性] 　　將所得之熱傳導性薄片的熱電阻、氣中絕緣破壞電壓、合成樹脂薄膜與熱傳導性聚矽氧組成物之硬化物的接著強度、高溫長期保管後之脆化有無，用以下之方法測定・評估。將結果示於表2。
熱電阻 　　依照ASTM D5470，以50℃/0.69MPa的條件測定。
氣中絕緣破壞電壓 　　依照JIS K6249測定。
合成樹脂薄膜與熱傳導性聚矽氧組成物之硬化物的接著強度 　　依照JIS K6259，進行180度剝離試驗，測定接著強度。尚，作為試驗試料，於厚度25μm之合成樹脂薄膜單側的表面上，塗佈熱傳導性聚矽氧組成物，進行150℃、10分鐘加熱使其硬化，製作形成肉厚1mm之熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物層之2層構造者。
高溫長期保管後之脆化有無 　　將所得之熱傳導性薄片保管150℃/1,000小時後，確認折彎成180度時之破裂發生有無。
本發明之實施例1～4之熱傳導性薄片係藉由塗佈成形連續性製造而捲繞成輥狀者，從表2即可清楚明白，係熱電阻低，顯示高絕緣，合成樹脂薄膜與熱傳導性聚矽氧組成物之硬化物的接著良好。又，由於高溫長期老化後之脆化未叢生，故具有優異之長期信賴性。
另一方面，比較例1之薄片，係非球狀之熱傳導性填充材料(D)的量較本發明的範圍更少，其結果熱電阻較大。又，由於未摻合接著性賦予劑(B)，導致合成樹脂薄膜與熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物輕易剝離。於使用DOP吸油量大之D3及D4之比較例2，對非球狀之熱傳導性填充材料的聚矽氧之潤濕變不夠充分，於塗佈時損害薄片表面的光滑，上昇熱電阻。又，觀察到老化後之脆化。比較例3之薄片與在比較例2，僅取代塗佈成形進行沖壓成形不同。藉由沖壓成形，雖得到熱電阻小之薄片，但於沖壓成形，無法連續性製造薄片捲繞成輥狀。又，與比較例2相同觀察到老化後之脆化。
尚，在表1，於組成物(5)，非球狀之熱傳導性填充材料(D)的量較本發明的範圍更多，其結果，由於無法成為光滑之化合物(Compound)，故未實施塗佈。

Claims (15)

  1. 一種熱傳導性薄片，其係於電氣絕緣性之合成樹脂薄膜層的雙面或單面，在具有熱傳導性聚矽氧組成物之硬化物層的熱傳導性薄片，該熱傳導性聚矽氧組成物係含有包含接著性賦予劑之有機矽化合物成分及非球狀之熱傳導性填充材料，該熱傳導性填充材料的量相對於該有機矽化合物成分100質量份，為250～600質量份，且該熱傳導性填充材料的DOP吸油量為80ml/100g以下。
  2. 如請求項1之熱傳導性薄片，其中，前述合成樹脂薄膜層所使用之合成樹脂的熔點為100℃以上。
  3. 如請求項1或2之熱傳導性薄片，其中，前述合成樹脂薄膜層所使用之合成樹脂為芳香族聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯、聚烯烴、芳香族聚醚、氟系聚合物或此等之2種以上的組合。
  4. 如請求項1或2之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物中之接著性賦予劑係具有環氧基及/或烷氧基，進而為具有選自由乙烯基及式：Si-H表示之基所構成之群組中之至少1種的基之矽化合物系接著性賦予劑。
  5. 如請求項4之熱傳導性薄片，其中，接著性賦予劑為選自下述式表示之矽化合物， 。
  6. 如請求項1或2之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物中之非球狀的熱傳導性填充材料為氫氧化鋁粉末。
  7. 如請求項6之熱傳導性薄片，其中，氫氧化鋁粉末係由 　　(1)平均粒子徑為5～14μm，DOP吸油量為50ml/100g以下之氫氧化鋁粉末100～500質量份及 　　(2)平均粒子徑為0.5～3μm，DOP吸油量為80ml/100g以下之氫氧化鋁粉末50～400質量份 　　構成而成，且在非球狀之熱傳導性填充材料的全量之上述(1)的比率為40質量%以上。
  8. 如請求項1或2之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物中之非球狀的熱傳導性填充材料為粒徑45μm以上之粒子的量為0～0.5質量%，且粒徑75μm以上之粒子的量為0～0.01質量%。
  9. 如請求項1或2之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物中之有機矽化合物成分為含有(A)下述平均組成式(1)表示，且於1分子中具有至少與2個矽原子鍵結之烯基的有機聚矽氧烷， R1 a SiO(4-a)/2 (1) 　　(式中，R1 獨立為非取代或取代之碳原子數1～10之1價烴基，a為1.90～2.05)。
  10. 如請求項9之熱傳導性薄片，其係進一步作為前述熱傳導性聚矽氧組成物中之有機矽化合物成分，將選自(E)(E1)下述一般式(2)表示之烷氧基矽烷及(E2)下述一般式(3)表示之單末端被三烷氧基矽烷基封鎖之二甲基聚矽氧烷中之1個以上含有前述熱傳導性聚矽氧組成物中之有機矽化合物成分之合計量的0.01～30質量%， R2 b R3 c Si(OR4 )4-b-c (2) 　　(式中，R2 獨立為碳原子數6～15之烷基，R3 獨立為非取代或取代之碳原子數1～12之1價烴基，R4 獨立為碳原子數1～6之烷基，b為1～3之整數，c為0、1或2，惟b+c為1～3)(式中，R5 獨立為碳原子數1～6之烷基，d為5～100之整數)。
  11. 如請求項9之熱傳導性薄片，其係進一步於前述熱傳導性聚矽氧組成物中，作為(C)硬化劑，係含有： 　　(C-1a)有機氫聚矽氧烷：相對於熱傳導性聚矽氧組成物中之烯基的合計1莫耳，熱傳導性聚矽氧組成物中之矽原子結合氫原子的合計成為0.8～10莫耳之範圍的量及 　　(C-1b)鉑系觸媒：相對於(A)成分，鉑系觸媒中之鉑金屬以質量單位成為0.1～2,000ppm的量。
  12. 如請求項9之熱傳導性薄片，其進一步於前述熱傳導性聚矽氧組成物中，作為(C)硬化劑係含有： 　　(C-2)有機過氧化物：相對於包含熱傳導性聚矽氧組成物中之乙烯基的化合物的合計100質量份，為0.5～30質量份。
  13. 如請求項1或2之熱傳導性薄片，其中，電氣絕緣性之合成樹脂薄膜層的厚度為5～90μm，熱傳導性聚矽氧組成物之硬化物層的厚度為40～400μm，熱傳導性薄片全體的厚度為55～500μm。
  14. 如請求項1或2之熱傳導性薄片，其中，前述熱傳導性聚矽氧組成物的硬化物為具有1.2W/m･K以上之熱傳導率。
  15. 如請求項1或2之熱傳導性薄片，其中，氣中絕緣破壞電壓依照JIS K6249測定時，為2kV以上。
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