TW201833057A - 控制材料及控制材料的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供:於球墨鑄鐵(ductile iron)之製造中進行石墨球狀化處理用的餵線(wire injection)法中,能控制鎂之反應,同時能輕量化之線(wire)。   本發明之解決手段為:於進行石墨球狀化處理用的餵線法中,與鎂合金一起填充於線內部者,特徵為其係包含70~75重量%的SiO2之多孔質的火山性矽酸鹽礦物。

Description

控制材料及控制材料的製造方法
[0001] 本發明關於控制材料及該控制材料的製造方法,該控制材料係於球墨鑄鐵之製造中進行石墨球狀化處理用的餵線法中,與鎂合金一起填充於線中者。
[0002] 以往於球墨鑄鐵之製造中,作為進行石墨球狀化處理之方法的一個,有餵線法。   [0003] 餵線法係以專用的進料器,將填充有作為石墨球狀化劑的鎂合金之線投入至熔液中之方法。餵線法係可將填充有鎂合金的線投入至熔液深部。   [0004] 再者,餵線法係即使在熔渣(slag)覆蓋熔液表面時,也能使填充有鎂合金的線貫穿該熔渣而投入至熔液中。   [0005] 餵線法由於能將石墨球狀化所需要的鎂成分安定地添加至熔液中,可提高球墨鑄鐵的製造良率。   [0006] 又,餵線法由於可藉由專用進料器而自由自在地調整線的添加速度,可容易實現球墨鑄鐵品質管理、對於處理熔液量的變動之對應、鎂添加之自動化等。   [0007] 作為可藉由如此的餵線法將線投入至熔液中的裝置,有專利文獻1所示者。線中所含有的鎂由於沸點低,若與高溫的熔液接觸則有爆炸性反應。為了控制如此的鎂之爆炸性反應,將控制反應的控制材料與鎂合金一地填充於線中。 [先前技術文獻] [專利文獻]   [0008]   [專利文獻1]日本特開2016-16415號公報
[發明所欲解決的課題]   [0009] 然而,若將控制材料與鎂合金一起填充於線中,則線變重。由於此線的重量化,有線的運送作業之負荷增大,且專用進料器的線投入之負荷增大的問題。   [0010] 因此,基於上述之點,本發明之目的在於提供:於球墨鑄鐵之製造中進行石墨球狀化處理用的餵線法中,能控制鎂之反應,同時能輕量化之線。 [解決課題的手段]   [0011] 為了解決上述課題,請求項1之控制材料係於進行石墨球狀化處理用的餵線法中,與鎂合金一起填充於線內部者,特徵為:該控制材料係包含70~75重量%的SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物。   [0012] 請求項1之控制材料由於是與鎂合金一起填充於線內部者,可降低線的鎂之濃度。因此,此線係在以進行石墨球狀化處理用的餵線法投入至熔液時,可控制鎂之反應。   [0013] 再者,請求項1之控制材料由於是包含70~75重量%的SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物,比以往之與鎂合金一起填充於線中控制材料較輕量。因此,請求項1之控制材料係可將與鎂合金一起填充的線予以輕量化。   [0014] 請求項2之控制材料係於請求項1之控制材料中,氣孔率為60~80%者。   [0015] 球墨鑄鐵係在熔液中發生浮渣(dross)。若以浮渣殘留在熔液中之狀態進行澆鑄,則發生球墨鑄鐵的鑄造缺陷。此浮渣係浮出熔液之液面而成為熔渣。已浮出液面的熔渣係可去除。   [0016] 然而,若熔渣之量多,則該熔渣之去除作業的負荷增大。特別地,由於從高溫的熔液之液面來去除熔渣的作業為危險,宜儘可能減少熔渣之去除作業的負荷。   [0017] 由包含SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物所構成的控制材料,係在熔液之中發泡而成為浮渣。由此包含SiO2 之含多孔質的火山性矽酸鹽礦物所產生的浮渣,係浮出液面而成為熔渣。   [0018] 請求項2之控制材料係不僅與請求項1之控制材料同樣地作用,而且氣孔率高到60~80%,故控制材料的密度小。因此,請求項2之控制材料係即使發泡浮渣的體積也小,故該浮渣浮上的熔渣之量亦變小。因此,請求項2之控制材料係可減輕熔渣的去除作業之負荷。   [0019] 請求項3之控制材料係於請求項1或2之控制材料中,Ig. loss為0.5%以下者。   [0020] 由包含SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物所構成的控制材料,係Ig. loss愈小而熔液之中的控制材料之發泡量愈安定。   [0021] 請求項3之控制材料係不僅與請求項1或2之控制材料同樣地作用,而且Ig. loss為0.5%以下之充分小。因此,請求項3之控制材料係已發泡的體積安定。因此,請求項3之控制材料係可細地調節浮渣及熔渣之發生量。   [0022] 請求項3之控制材料由於發泡量安定,可細地調節熔液中之控制材料的發泡量。藉由以熔液中之控制材料的發泡量成為恰當範圍之方式調節,可調節在已發泡的控制材料中所產生的浮力。因此,請求項3之控制材料係可調節留在熔液中的時間,可高效率控制鎂之反應。   [0023] 另一方面,以含有鎂的線所添加的成分亦在熔液內成為浮渣。當注入熔液的澆桶為大型時,如此的浮渣浮出熔液之液面係費時。若浮渣之浮出費時,則發生熔液之溫度降低、石墨球狀化之效果消失的問題。   [0024] 請求項3之控制材料例如係藉由以熔液中之控制材料的發泡量成為恰當範圍之方式調節,而可調節已發泡的控制材料中所發生的浮力。因此,請求項3之控制材料係藉由在熔液中發泡,與以含有鎂的線所添加的成分之浮渣一起,浮出熔液之液面,而可調整浮渣浮出熔液的液面之時間。   [0025] 控制材料若發泡量過大,則會接觸澆桶的內表面及附著。如此之已發泡的控制材料之附著係有對於球墨鑄鐵的品質造成不良影響之可能性,同時有引起澆桶的損傷之可能性。   [0026] 請求項3之控制材料例如係藉由以熔液中之控制材料的發泡量成為恰當範圍之方式調節,而可在已發泡的控制材料接觸澆桶的內表面及附著之前,容易地去掉。   [0027] 請求項4之控制材料係於請求項1~3中任一項之控制材料中,比重為0.5~1.0g/cm3 者。   [0028] 請求項4之控制材料係不僅與請求項1~3中任一項之控制材料同樣地作用,而且比重為0.5~1.0g/cm3 之比以往的控制材料充分地小。因此,請求項4之控制材料與鎂合金一起填充的線係可輕量化。   [0029] 請求項5之控制材料係於請求項1~4中任一項之控制材料中,直徑未達5mm的球體之燒成體或長度未達5mm的棒體之燒成體者。   [0030] 由包含SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物所構成的控制材料係藉由燒成而發泡量更安定。   [0031] 請求項5之控制材料係不僅與請求項1~4中任一項之控制材料同樣地作用,而且為直徑未達5mm的球體之燒成體或長度未達5mm的棒體之燒成體,故發泡量安定。請求項5之控制材料由於發泡量安定,可細地調節熔液中之控制材料的發泡量。因此,具有與請求項3之控制材料同樣的作用。   [0032] 請求項6之控制材料的製造方法係於進行石墨球狀化處理用的餵線法用之控制材料的製造方法中,其控制材料為由包含70~75重量%的SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物所構成。   [0033] 由請求項6之控制材料的製造方法所製造的控制材料係具有與請求項1之控制材料同樣的作用。   [0034] 請求項7之控制材料的製造方法係控制材料為以粒徑0.1mm以下且含有15~35重量%的水分之粉末狀的火山性矽酸鹽礦物作為黏結劑,將平均粒徑為3mm以下之多孔質的火山性矽酸鹽礦物加工成直徑未達5mm的球體或長度未達5mm的棒體而成。   [0035] 由請求項7之控制材料的製造方法所製造的控制材料係可配合熔液之量、溫度等之條件,實現恰當的控制材料之溶解及恰當的鎂所致之石墨球狀化的反應時間。   [0036] 請求項8之控制材料的製造方法係控制材料為在900~1000℃所燒成者。   [0037] 由請求項8之控制材料的製造方法所製造的控制材料係可配合熔液之量、溫度等之條件,實現恰當的鎂所致之石墨球狀化的反應時間。此外,由請求項8之控制材料的製造方法所製造的控制材料係可藉由燒成而進一步調節發泡量。因此,由請求項8之控制材料的製造方法所製造的控制材料係具有與請求項3之控制材料同樣的作用。 [發明效果]   [0038] 請求項1~5中任一項之控制材料及由請求項6~8任一項之控制材料的製造方法所製造的控制材料,係在球墨鑄鐵之製造中的進行石墨球狀化處理用之餵線法中,可控制鎂之反應,同時可輕量化。
[實施發明的形態]   [0039] 餵線法所使用的線為線徑6~16mm。此線係以金屬的薄板被覆鎂合金、控制材料、添加劑者。   [0040] 說明本發明的一實施形態之控制材料的製造方法。   [0041] 首先,第一步驟為篩分包含SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物。藉由此篩分,得到粒徑0.1mm以下且包含15~35重量%的水分之粉末狀的火山性矽酸鹽礦物與粒徑為3mm以下之多孔質的火山性矽酸鹽礦物。   [0042] 其次,第二步驟係將粒徑0.1mm以下之粉末狀的火山性矽酸鹽礦物當作黏結劑,與粒徑為3mm以下之多孔質的火山性矽酸鹽礦物混合,造粒成直徑未達5mm的球體。   [0043] 隨後,第三步驟係使經造粒的直徑未達5mm的球體乾燥。   [0044] 接著,第四步驟係將經造粒的直徑未達5mm的球體在900~1000℃燒成。   [0045] 以上述步驟,製造本發明之一實施形態的控制材料。   [0046] 分析如此所製造的控制材料,結果如以下。   [0047] 控制材料為包含73.0重量%的SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物。控制材料之氣孔率為60~80%之範圍內。控制材料之Ig. loss為0.33%。控制材料之比重為0.5~1.0g/cm3 之範圍內。控制材料之球體的直徑係直徑未達5mm。   [0048] 為了確認本實施形態之控制材料的吸水率,進行以下之實驗。將控制材料50g置入直徑120mm、深度30mm的鋁皿內,在溫度105℃的乾燥爐中乾燥24小時。測定經此乾燥的控制材料之質量(以下,乾燥時質量)。   [0049] 接著,將經該乾燥的控制材料置入溫度20℃、濕度90%RH的環境槽內。於環境槽內120小時吸水的過程中,定期地測定已吸水的控制材料之質量(給水時質量)。   [0050] 計算吸水率(%)=(給水時質量-乾燥時質量)/乾燥時質量´100,結果本實施形態之控制材料從吸水開始時起到經過120小時之時間為未達1%。   [0051] 因此,本實施形態之控制材料係隨著時間經過,幾乎不從大氣中吸水。因此,此控制材料係長期間的保管容易。此外,經長期間保管的控制材料係與使用未長期間保管的控制材料之情況同樣地,熔液之中的發泡量為安定。   [0052] 於上述之控制材料的製造方法之實施形態中,說明將粒徑0.1mm以下之粉末狀的火山性矽酸鹽礦物當作黏結劑,與粒徑為3mm以下之多孔質的火山性矽酸鹽礦物混合,造粒成直徑未達5mm的球體之情況,但不受此所限定。亦可將粒徑0.1mm以下之粉末狀的火山性矽酸鹽礦物當作黏結劑,與粒徑為3mm以下之多孔質的火山性矽酸鹽礦物混合,加工成長度未達5mm的棒體。   [0053] 於上述之控制材料的實施形態制中,說明控制材料為包含73.0重量%的SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物之情況,但不受此所限定。只要是按照鑄造條件,控制材料為包含70~75重量%的SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物即可。   [0054] 於上述之控制材料的實施形態制中,說明控制材料之Ig. loss為0.33%之情況,但不受此所限定。只要是按照鑄造條件,控制材料係Ig. loss為0.5%以下即可。

Claims (8)

  1. 一種控制材料,其係於進行石墨球狀化處理用的餵線(wire injection)法中,與鎂合金一起填充於線內部者,該控制材料之特徵為:   係包含70~75重量%的SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物。
  2. 如請求項1之控制材料,其氣孔率為60~80%。
  3. 如請求項1或2之控制材料,其Ig. loss為0.5%以下。
  4. 如請求項1~3任一項之控制材料,其比重為0.5~1.0g/cm3
  5. 如請求項1~4任一項之控制材料,其係直徑未達5mm的球體之燒成體或長度未達5mm的棒體之燒成體。
  6. 一種控制材料的製造方法,其係進行石墨球狀化處理用的餵線法用之控制材料的製造方法,特徵為:   該控制材料係由包含70~75重量%的SiO2 之多孔質的火山性矽酸鹽礦物所構成。
  7. 如請求項6之控制材料的製造方法,其中控制材料係以粒徑0.1mm以下且含有15~35重量%的水分之粉末狀的火山性矽酸鹽礦物作為黏結劑,將粒徑為3mm以下之多孔質的火山性矽酸鹽礦物加工成直徑未達5mm的球體或長度未達5mm的棒體。
  8. 如請求項6或7之控制材料的製造方法,其中控制材料係在900~1000℃燒成。
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