TW201829843A

TW201829843A - 表面處理鍍覆材料、連接器端子、連接器、ｆｆｃ端子、ｆｆｃ、ｆｐｃ及電子零件

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Publication number: TW201829843A
Application number: TW106145062A
Authority: TW
Inventors: 児玉篤志; 遠藤智
Original assignee: 日商Ｊｘ金屬股份有限公司
Priority date: 2017-01-30
Filing date: 2017-12-21
Publication date: 2018-08-16
Also published as: EP3575446A1; US20200243995A1; US10868383B2; JPWO2018138928A1; CN110199054A; KR20190101466A; TWI649451B; EP3575446B1; JP6267404B1; EP3575446A4; CN110199054B; EP3575446C0; WO2018138928A1

Abstract

本發明提供一種表面處理鍍覆材料，其可抑制晶鬚之產生，且即便暴露於高溫環境下亦保持良好之焊接性及低接觸電阻，且端子、連接器之插入力較低。本發明係一種表面處理鍍覆材料，其於基材設置有上層，且上述上層具備含有Sn或In之鍍覆材料，且於鍍覆材料表面包含特定之通式所表示之化合物、與特定之通式所表示之化合物，進而使選自特定之通式所表示之D構成化合物群中之一種或兩種以上附著於上層側之表面。

Description

表面處理鍍覆材料、連接器端子、連接器、FFC端子、FFC、FPC及電子零件

本發明係關於一種表面處理鍍覆材料、連接器端子、連接器、FFC端子、FFC、FPC及電子零件。

一般而言，於使用於汽車、家電、OA(Office Automation，辦公自動化)機器等各種電子機器中之連接器、端子等電子零件中，使用銅或銅合金作為母材，該等旨在防銹、提高耐蝕性、提高電特性等功能提高，而被施以鍍覆處理。鍍覆中有Au、Ag、Cu、Sn、Ni、焊料及Pd等種類，尤其是經Sn或Sn合金鍍覆之鍍Sn材料，就成本面、接觸可靠性及焊接性等觀點而言，常使用於連接器、端子、開關及引線框架之外引線部等。

另一方面，Sn或Sn合金等所謂之Sn系鍍覆材料存在產生晶鬚之問題。晶鬚係指Sn之針狀結晶成長而形成者，發生於Sn或Zn等熔點相對低之金屬。晶鬚呈鬍鬚狀成長至數十~數百μm之長度，存在引起電性短路之情況，故而期待防止其產生、成長。

進而，Sn系鍍覆存在如下問題，即，於高溫環境下接觸電阻上升，又，焊接性劣化。作為避免該問題之方法，亦有使Sn系鍍覆之厚度變厚之方法，但該方法會新產生後述端子、連接器之插入力增大之問題。

近年來，連接器之接腳之數量不斷增加，伴隨於此，連接器插入力之增大亦成為問題。汽車等之連接器之組裝作業多依賴於人工，從而插入力之增大使得施加於作業人員之手之負擔變大，故而期待連接器之低插入力化，但Sn之端子之嵌合連接時之摩擦較大，若連接器之芯數顯著增加則需要強大之插拔力。

例如，於專利文獻1中記載有如下發明，其係於鋼板表面實施鍍Sn層，且於該鍍Sn層之上層形成含有P與Si之化學轉化皮膜，並界定出該化學轉化皮膜之附著量。於該發明中，敘述其焊接性及耐晶鬚優異。然而，由於鍍覆表面存在Si，故而推定其於高溫環境下存在鍍覆之接觸電阻變高之問題。

又，於專利文獻2中記載有如下發明，其係使用具有如下化合物等之溶液對Sn或Sn合金鍍覆之表面進行處理，該化合物含有具有至少2個以上鍵結有膦酸基之亞甲基之胺基氮。於該發明中，關於使用磷酸系液體對Sn或Sn合金鍍覆進行後處理之方法進行敍述，但並未提及處理後之鍍覆表面之各元素之存在狀態、附著量。因此，根據處理液組成或處理條件，預測焊接性或耐晶鬚性完全未提高。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2004-360004號公報

[專利文獻2]日本特開2007-197791號公報

為使於習知之「Ni底層或Cu底層鍍覆上實施有Sn鍍覆之鍍覆材料」或3層鍍覆提高其耐晶鬚性，進而降低插拔力，只要使Sn鍍覆之厚度變薄即可，但若Sn鍍覆之厚度變薄，則存在如下問題：於高溫環境下表層之Sn與素材之Cu或底層鍍覆之Ni及Cu發生合金化，而致使表層漸無Sn殘留之情形，焊接性或接觸電阻劣化，尤其於高溫環境中之劣化變得顯著。

因此，本發明之課題在於，提供一種表面處理鍍覆材料，其可抑制晶鬚之產生，且即便暴露於高溫環境下亦保持良好之焊接性及低接觸電阻，且端子、連接器之插入力較低。

本發明者為了解決上述課題反覆進行了努力研究，結果意外發現，藉由於Ni底層鍍覆之上實施含有Sn或In之鍍覆(以下稱為Sn-In系鍍覆)，進而於其上使用特定之液體進行表面處理，可獲得抑制晶鬚之產生，並且即便暴露於高溫環境下亦可保持良好之焊接性及低接觸電阻之表面處理鍍覆材料。並且，該表面處理鍍覆材料可使表層Sn-In系鍍覆變薄，故而用作端子、連接器之情形時之插入力較低。此種現象之產生無法自習知之見解加以預測。

基於以上見解而完成之本發明之一態樣為表面處理鍍覆材料，其於基材設置有上層，且上述上層具備含有Sn或In之鍍覆材料，且於上述鍍覆材料表面包含下述通式[1]或[2]所表示之化合物、與下述通式[3]所表示之化合物，進而於上述上層側之表面附著有選自下述通式[4]~[8]所表示之D構成化合物群中之一種或兩種以上。

(式[1]、[2]中，R₁、R₂表示烷基、取代烷基，M₁表示氫、鹼金屬)

(式[3]中，R₃表示鹼金屬或氫)

(式[4]中，R₄、R₅表示烷基、取代烷基，M₂表示鹼金屬、鹼土金屬，n表示整數)

(式[5]中，R₆表示氫、烷基、取代烷基，R₇表示鹼金屬、氫、烷基、取代烷基)

C_nH_m 〔6〕

(式[6]中，n、m表示整數)

(式[7]中，R₈表示烷基、取代烷基)

R₉-O-R₁₀-OH 〔8〕

(式[8]中，R₉、R₁₀表示烷基、取代烷基)

於本發明之表面處理鍍覆材料之一實施形態中，存在於上述鍍覆材料表面之上述D構成化合物之附著量合計為0.005~10.0μg/mm²。

於本發明之表面處理鍍覆材料之另一實施形態中，上述鍍覆材料具備：下層，其形成於上述基材上，且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成之群即A構成元素群中之一種或兩種以上所構成；中層，其形成於上述下層上，且由選自上述A構成元素群中之一種或兩種以上、與選自由Sn及In所組成之群即B構成元素群中之一種或兩種所構成；及上層，其形成於上述中層上，且由選自上述B構成元素群中之一種或兩種、與選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成之群即C構成元素群中之一種或兩種以上的合金所構成。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述下層之厚度為0.05μm以上且未達5.00μm，上述中層之厚度為0.01μm以上且未達0.40μm，上述上層之厚度為0.02μm以上且未達1.00μm。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層含有10~50at%之上述B構成元素群之金屬。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層存在包含Sn 11.8~22.9at%之SnAg合金即ζ(zeta)相。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層存在Ag₃Sn即ε(epsilon)相。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層存在包含Sn 11.8~22.9at%之SnAg合金即ζ(zeta)相、與Ag₃Sn即ε(epsilon)相。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層僅存在Ag₃Sn即ε(epsilon)相。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層存在Ag₃Sn即ε(epsilon)相、與Sn單相即βSn。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層存在包含Sn 11.8~22.9at%之SnAg合金即ζ(zeta)相、Ag₃Sn即ε(epsilon)相、及Sn單相即βSn。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述中層含有35at%以上之上述B構成元素群之金屬。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述中層存在Ni₃Sn₄。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述中層存在Ni₃Sn₄、與Sn單相即βSn。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層與上述中層之厚度比為上層：中層=9：1~3：7。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，利用超顯微硬度計以負載3mN對上述上層之表面打出凹痕並進行測定而獲得之硬度、即上述上層之表面壓痕硬度為1000MPa以上且10000MPa以下。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層之表面算術平均高度(Ra)為0.3μm以下。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述上層之表面最大高度(Rz)為3μm以下。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述A構成元素群之金屬以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu之合計來算為50mass%以上，且進而包含選自由B、P、Sn及Zn所組成之群中之一種或兩種以上。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述B構成元素群之金屬以Sn與In之合計來算為50mass%以上，剩餘合金成分係由選自由Ag、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn所組成之群中之一種或兩種以上之金屬所構成。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述C構成元素群之金屬以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir之合計來算為50mass%以上，剩餘合金成分係由選自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn所組成之群中之一種或兩種以上之金屬所構成。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述中層由Ni₃Sn與Ni₃Sn₂所構成。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述中層由Ni₃Sn₂所構成。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，上述中層由Ni₃Sn₄所構成。

於本發明之表面處理鍍覆材料之又一實施形態中，於上述下層與中層之間進而具備由A構成元素群之金屬與C構成元素群之金屬的合金所構成之層。

本發明之另一態樣係一種連接器端子，其於接點部分具備本發明之表面處理鍍覆材料。

本發明之又一態樣係一種連接器，其具備本發明之連接器端子。

本發明之又一態樣係一種FFC端子，其於接點部分具備本發明之表面處理鍍覆材料。

本發明之又一態樣係一種FFC，其具備本發明之FFC端子。

本發明之又一態樣係一種FPC，其具備本發明之FFC端子。

本發明之又一態樣係一種電子零件，其係於外部連接用電極具備本發明之表面處理鍍覆材料。

本發明之又一態樣係一種電子零件，其係具備壓入型端子者，且上述壓入型端子為本發明之表面處理鍍覆材料；該壓入型端子係於安裝於外殼之安裝部之一側設置有母端子連接部，且於另一側設置有基板連接部，並將上述基板連接部壓入至形成於基板之通孔中而安裝於上述基板者。

根據本發明，可提供一種抑制可晶鬚之產生，且即便暴露於高溫環境下亦保持良好之焊接性及低接觸電阻，且端子、連接器之插入力較低之表面處理鍍覆材料。

10‧‧‧表面處理鍍覆材料

11‧‧‧基材

12‧‧‧層(下層)

13‧‧‧層(中層)

14‧‧‧層(上層)

圖1係表示本發明之實施形態之表面處理鍍覆材料之構成的示意圖。

以下，對本發明之實施形態之表面處理鍍覆材料進行說明。如圖1所示，本發明之實施形態之表面處理鍍覆材料10，於基材11上形成有作為下層之層12，於層12上形成有作為中層之層13，於層13上形成有作為上層之層14。又，本發明之實施形態之表面處理鍍覆材料10亦可於基材11上形成作為底層鍍覆或下層之層12；於層12上形成有作為層12與Sn-In系鍍覆之合金層或中層的層13；且於層13上形成有作為含有Sn或In之鍍覆層或上層的層14。

〈表面處理鍍覆材料之構成〉

本發明之實施形態之表面處理鍍覆材料於基材11設置有上層即層14，且上述上層具備含有Sn或In之鍍覆材料。於上述鍍覆材料表面包含後述之通式[1]或[2]所表示之化合物、與後述之通式[3]所表示之化合物，進而於上述上層側之表面附著有選自後述之通式[4]~[8]所表示之D構成化合物群中之一種或兩種以上。

(基材11)

作為基材11，並無特別限定，例如可使用：銅及銅合金、Fe系材料、不銹鋼、鈦及鈦合金、鋁及鋁合金等金屬基材。又，亦可為使金屬基材與樹脂層複合而成者。所謂使金屬基材與樹脂層複合而成者，例如FPC(軟性印刷基板，Flexible Printed Circuits)或FFC(軟性扁平電纜，Flexible Flat Cable)基材上之電極部分等。

(層14)

圖1所示之層14較理想為含有Sn或In之鍍覆，或由選自由Sn及In所組成之群即B構成元素群中之一種或兩種、與選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成之群即C構成元素群中之一種或兩種以上的合金所構成。

Sn及In雖然為具有氧化性之金屬，但具有於金屬中相對柔軟之特徵。因此，即便於Sn及In表面形成有氧化膜，例如於將表面處理鍍覆材料作為接點材料而將公端子與母端子嵌合時，氧化膜亦容易脫落，接點彼此成為金屬，故而可獲得低接觸電阻。

又，Sn及In對氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫氣體等氣體之耐氣體腐蝕性優異，例如於層14使用耐氣體腐蝕性欠佳之Ag、在層12使用耐氣體腐蝕性欠佳之Ni、在基材11使用耐氣體腐蝕性欠佳之銅及銅合金之情形時，有提高表面處理鍍覆材料之耐氣體腐蝕性之作用。再者，關於Sn及In，基於有關厚生勞動省之防止健康損害之技術方針，對In之限制較為嚴格，故而較佳為Sn。

Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir具有於金屬中相對具有耐熱性之特徵。因此，抑制基材11、層12及層13之組成擴散至層14側而提高耐熱性。又，該等金屬與層14之Sn或In形成化合物而抑制Sn或In之氧化膜的形成，而提高焊料潤濕性。再者，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir之中，就導電率之觀點而言更理想為Ag。Ag其導電率較高。例如將Ag用於高頻訊號用途之情形，因集膚效應導致阻抗電阻變低。

層14之厚度較佳為0.02μm以上且未達1.00μm。若層14之厚度未達0.02μm，則基材11或層12之組成容易擴散至層14側，而導致耐熱性或焊料潤濕性變差。又，因微小滑動導致層14磨耗，接觸電阻較高之層12變得容易露出，故而耐微小滑動磨耗性較差，因微小滑動導致接觸電阻變得容易上升。進而由於耐氣體腐蝕性欠佳之層12變得容易露出，故而耐氣體腐蝕性亦欠佳，若進行氣體腐蝕試驗則外觀會發生變色。另一方面，若層14之厚度為1.00μm以上，則較硬之基材11或層12所發揮之薄膜潤滑效果降低而凝附磨耗容易變大。又，機械耐久性降低，而容易發生鍍覆脫落。

層14為純Sn或純In、或者含有該等元素之合金鍍覆，較佳為含有10~50at%之B構成元素群之金屬。若B構成元素群之金屬未達10at%，則例如於C構成元素群之金屬為Ag之情形時，存在耐氣體腐蝕性變差，若進行氣體腐蝕試驗則外觀變色之情況。另一方面，若B構成元素群之金屬超過50at%，則層14中之B構成元素群之金屬比例變大導致凝附磨耗變大，又，亦變得容易產生晶鬚。進而亦存在耐微小滑動磨耗性欠佳之情況。

於層14中，較佳為存在包含Sn 11.8~22.9at%之SnAg合金即ζ(zeta)相。藉由存在該ζ(zeta)相，使耐氣體腐蝕性提高，即便進行氣體腐蝕試驗，外觀亦不易變色。

於層14中，較佳為存在ζ(zeta)相、與Ag₃Sn即ε(epsilon)相。藉由存在ε(epsilon)相，使皮膜較層14僅存在ζ(zeta)相之情形變較硬且凝附磨耗降低。又，層14之Sn比例變高，藉此耐氣體腐蝕性亦提高。

於層14中，較佳為僅存在Ag₃Sn即ε(epsilon)相。藉由上層14中單獨存在ε(epsilon)相，使皮膜較層14存在ζ(zeta)相與Ag₃Sn即ε(epsilon)相之情形變得更硬，且凝附磨耗降低。又，層14之Sn比例變得更高，藉此耐氣體腐蝕性亦提高。

於層14中，較佳為存在Ag₃Sn即ε(epsilon)相、與Sn單相即βSn。藉由存在Ag₃Sn即ε(epsilon)相、與Sn單相即βSn，而使上層之Sn比例較層14僅存在ε(epsilon)相之情形進而變得更高，藉此耐氣體腐蝕性提高。

於層14中，較佳為存在包含Sn 11.8~22.9at%之SnAg合金即ζ(zeta)相、Ag₃Sn即ε(epsilon)相、及Sn單相即βSn。藉由存在ζ(zeta)相、Ag₃Sn即ε(epsilon)相、及Sn單相即βSn，使耐氣體腐蝕性提高，即便進行氣體腐蝕試驗而外觀亦不易變色，且凝附磨耗降低。該組成之產生原因在於擴散，而非平衡狀態之構造。

層14不可單獨存在βSn。於βSn單獨存在之情形時，凝附磨耗較大，亦會產生晶鬚，且耐熱性及耐微小滑動磨耗性等劣化。

(層13)

較佳為圖1所示之層13形成於層12與層14之間。層13為Sn-In系鍍覆與層12之合金層、或由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成之群即A構成元素群中之一種或兩種以上、與選自由Sn及In所組成之群即B構成元素群中之一種或兩種所構成。層13較佳為以0.01μm以上且未達0.40μm之厚度形成。

Sn及In對氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫氣體等氣體之耐氣體腐蝕性優異，例如，尤其於下層12使用耐氣體腐蝕性欠佳之Ni、於基材11使用耐氣體腐蝕性欠佳之銅及銅合金之情形時，有提高表面處理鍍覆材料之耐氣體腐蝕性之作用。Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu之皮膜硬於Sn或In，故而不易產生凝附磨耗，且防止基材11之構成金屬擴散至上層14，並提高耐熱性試驗或抑制焊料潤濕性劣化等耐久性。

若層13之厚度為0.01μm以上，則皮膜變硬且凝附磨耗減少。另一方面，若中層13厚度為0.40μm以上，則彎曲加工性降低，又，機械耐久性降低，從而亦存在發生鍍覆脫落之情況。關於Sn及In中，基於有關厚生勞動省之防止健康損害之技術方針，對In之限制較為嚴格，故而較佳為Sn。又，Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu中，較佳為Ni。其原因在於：Ni較硬且不易產生凝附磨耗，又可獲得充分之彎曲加工性。

於層13中，較佳為B構成元素群之金屬為35at%以上。藉由Sn成為35at%以上，存在皮膜變硬且凝附磨耗減少之情況。層13可由Ni₃Sn與Ni₃Sn₂所構成，亦可單獨由Ni₃Sn₂或Ni₃Sn₄構成。藉由存在Ni₃Sn、Ni₃Sn₂、Ni₃Sn₄，而存在耐熱性或焊料潤濕性提高之情況。於層13中，較佳為存在Ni₃Sn₄、與Sn單相即βSn。藉由存在該等，而有耐熱性或焊料潤濕性較存在Ni₃Sn₄與Ni₃Sn₂之情形提高之情況。

(層14之厚度與層14之最小厚度之關係)

較佳為層14之最小厚度(μm)滿足層14之厚度(μm)之50%以上。若層14之最小厚度未達層14之厚度之50%，則存在層14之表面粗糙度變粗糙，且接觸電阻較高，焊料亦難以潤濕，且耐氣體腐蝕性欠佳之Ni變得容易露出至表面，故而耐熱性、焊料潤濕性、耐氣體腐蝕性變差之情況。

此處，掌握層14之厚度與上層14之最小厚度的關係之部位係發揮本發明之皮膜之作用效果之部分的平均剖面。於該部分中之素材之正常表面輪廓(不包括油坑、腐蝕坑、刮痕、擊痕、其他表面缺陷部分)中表示經正常地成膜處理之部分。當然不包括由成膜前後之衝壓加工造成之變形部分等。

(層14與層13之厚度比及組成)

較佳為層14與層13之厚度比為層14：層13=9：1~3：7。若層14之比超過9，則於堅硬之基材11、層12及較層14更硬之層13中，薄膜潤滑效果降低而凝附磨耗變大。另一方面，若層14之比低於3，則存在接觸電阻較高，焊料亦難以潤濕，耐氣體腐蝕性欠佳之Ni變得容易露出至表面，故而耐熱性、焊料潤濕性、耐微小滑動磨耗性及耐氣體腐蝕性變差之情況。

又，於自層14至距離層14之最表面0.03μm之範圍除外之層13中，較佳為含有C、S、O各2at%以下。若C、S、O多於2at%，則有於實施熱處理時該等共析元素氣體化而無法形成均勻之合金皮膜之虞。

(層12)

圖1所示之層12較佳為形成於基材11上。層12為任意之底層鍍覆、或由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成之群即A構成元素群中之一種或兩種以上所構成。藉由使用選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成之群即A構成元素群中之一種或兩種以上之金屬來形成層12，而形成堅硬之下層12，藉此使薄膜潤滑效果提高而凝附磨耗降低，且下層12防止基材11之構成金屬擴散至層14而提高耐熱性或焊料潤濕性等。

層12之厚度較佳為0.05μm以上。若層12之厚度未達0.05μm，則堅硬之層12所發揮之薄膜潤滑效果降低而凝附磨耗容易變大。進而，基材11之構成金屬容易擴散至層14，耐熱性或焊料潤濕性容易劣化。另一方面，下層12之厚度較佳為未達5.00μm。若厚度為5.00μm以上，則有彎曲加工性變差之傾向。

於下層12與中層13之間，亦可進而具備由A構成元素群之金屬與C構成元素群之金屬的合金所構成之層。作為該層，例如較佳為Ni-Ag合金層。若此種層形成於層12與層13之間，則進而良好地防止基材11之構成金屬擴散至層14，而提高耐熱性或焊料潤濕性等。

(A構成元素群)

A構成元素群之金屬以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu之合計來算為50mass%以上，亦可進而包含選自由B、P、Sn及Zn所組成之群中之一種或兩種以上。藉由層12之合金組成成為此種構成而存在如下情況：層12進一步硬化，藉此使薄膜潤滑效果進一步提高，凝附磨耗進一步降低，且層12之合金化進一步防止基材11之構成金屬擴散至上層，提高耐熱性或焊料潤濕性等耐久性。

(B構成元素群)

B構成元素群之金屬以Sn與In之合計來算為50mass%以上，剩餘合金成分係可由選自由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn所組成之群中之一種或兩種以上之金屬所構成。藉由該等金屬，而存在如下情況：使凝附磨耗變得更少，又，抑制晶鬚之產生，進而提高耐熱性或焊料潤濕性等耐久性。

(C構成元素群)

C構成元素群之金屬以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir之合計來算為50mass%以上，剩餘合金成分係可由選自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn所組成之群中之一種或兩種以上之金屬所構成。藉由該等金屬，而存在如下情況：使凝附磨耗變得更少，又，抑制晶鬚之產生，進而提高耐熱性或焊料潤濕性等耐久性。

(擴散處理)

可藉由如下方式分別形成層14、層13及層12：於基材11上使選自A構成元素群中之一種或兩種以上成膜，其後使選自C構成元素群中之一種或兩種成膜，其後使選自B構成元素群中之一種或兩種以上之元素成膜，並使A構成元素群、B構成元素群及C構成元素群之各元素擴散。例如，於B構成元素群之金屬為Sn且C構成元素群之金屬為Ag之情形時，Ag向Sn中之擴散迅速，藉由自然擴散而形成Sn-Ag合金層。藉由形成合金層而使Sn之凝附力進一步變小，又亦可進一步提高低晶鬚性及耐久性。

(熱處理)

為了於形成層14後進而抑制凝附磨耗，又進而提高低晶鬚性及耐久性，亦可實施熱處理。藉由熱處理，使層14之B構成元素群之金屬與C構成元素群之金屬、層13之A構成元素群之金屬與B構成元素群之金屬變得更容易形成合金層，可使Sn之凝附力進一步變小，又亦進一步提高低晶鬚性及耐久性。

再者，關於該熱處理，處理條件(溫度×時間)可適當選擇。又，亦可不特別進行該熱處理。再者，於實施熱處理之情形時，在B構成元素群之金屬之熔點以上之溫度進行時，層14之B構成元素群之金屬與C構成元素群之金屬、層13之A構成元素群之金屬與B構成元素群之金屬變得更容易形成合金層。關於該熱處理，可適當選擇處理條件(溫度×時間)。

(後處理)

於層14上，或於在層14上實施熱處理後，為了進而降低凝附磨耗，又，亦提高耐蝕性、耐熱性，而實施後處理。藉由後處理，而提高潤滑性，進而亦提高耐蝕性，又，抑制層14之氧化，從而可提高耐熱性或焊料潤濕性等耐久性。作為具體之後處理，有使用抑制劑與磷酸化合物之防銹處理、使用有機化合物之潤滑處理等。

作為後處理，使用含有一種或兩種以上之磷酸酯、巰基苯并噻唑(Mercaptobenzothiazole)系化合物、及D構成化合物群(潤滑、防銹劑)的液體(以下稱為後處理液)對層14之表面進行處理。

作為該後處理液之必需成分之一的磷酸酯發揮作為鍍覆之抗氧化劑及潤滑劑之作用。本發明中所使用之磷酸酯由通式[1]及[2]所表示。若列舉於通式[1]所表示之化合物中較佳者，則有月桂基酸性磷酸單酯等。若列舉於通式[2]所表示之化合物中之較佳者，則有月桂基酸性二磷酸酯等。

作為後處理液之另一必需成分的巰基苯并噻唑系化合物發揮鍍覆之抗氧化、防腐蝕之作用。若列舉於本發明中所使用之巰基苯并噻唑系化合物中之較佳者，則如通式[3]所示般，例如有巰基苯并噻唑、巰基苯并噻唑之Na鹽、巰基苯并噻唑之K鹽等。

(式[3]中，R₃表示鹼金屬或氫)

後處理液中所添加之D構成化合物群發揮潤滑、防腐蝕之作用。將本發明中所使用之D構成化合物群以通式[4]~[8]表示，並於本發明中自該等中選擇一種或兩種以上後添加至處理液中。

若列舉於通式[4]中之較佳者，則有二壬基萘磺酸鋇、二壬基萘磺酸鈣、二壬基萘磺酸鋅、二壬基萘磺酸鈉、二壬基萘磺酸鋰等。

若列舉於通式[5]所表示之化合物中之較佳者，則有苯并三唑、苯并三唑之Na鹽等。

若列舉於通式[6]所表示之化合物中之較佳者，則有石蠟、白凡士林等。

若列舉於通式[7]所表示之化合物中之較佳者，則有油醯胺、硬脂醯胺、月桂醯胺等。

若列舉於通式[8]所表示之化合物中之較佳者，則有丙二醇第三丁醚、丙二醇單甲醚等。

C_nH_m 〔6〕

(式[6]中，n、m表示整數)

(式[7]中，R₈表示烷基、取代烷基)

R₉-O-R₁₀-OH 〔8〕

(式[8]中，R₉、R₁₀表示烷基、取代烷基)

於本發明中，若於層14之表面D構成化合物之合計設為0.005~10.0μg/mm²，則潤滑性良好，且耐蝕性亦變得更良好，故而較佳。若D構成化合物之附著量未達0.005μg/mm²，則鍍覆材料之潤滑性不充分，若附著量超過10.0μg/mm²，則發生外觀惡化或接觸電阻變高之不良情況。

為了獲得本發明之層14之表面上之後處理成分的附著量，而進行如下處理：使鍍覆進行擴散或熱處理後，於後處理液中進行浸漬處理、或在後處理液中進行電解處理、或進行後處理液之塗佈等。進而亦可於電解處理之後進行塗佈等之組合。

關於本發明之鍍覆材料用後處理液，可利用將各成分於水中乳化而成者、或於甲醇等有機溶劑中使各成分溶解而成者等。

用以獲得本發明之上層14之表面之後處理液成分的附著量，其磷酸酯之濃度相對於處理液整體之體積為0.1~10g/L，較佳為0.5~5g/L。另一方面，苯并噻唑系化合物濃度相對於處理液整體之體積為0.01~1.0g/L，較佳為0.05~0.6 g/L。又，D構成化合物濃度相對於處理液整體之體積為0.1~50g/L，較佳為0.5~10g/L。

後處理並無特別時間上之限制，就工業性觀點而言較佳為以一系列之步驟進行。

〈表面處理鍍覆材料之特性〉

藉由超顯微硬度試驗，對層14之表面以負載3mN打出凹痕並進行測定而獲得之硬度、即層14之表面壓痕硬度較佳為1000MPa以上。藉由壓痕硬度為1000MPa以上，而使堅硬之上層14所發揮之薄膜潤滑效果提高，降低凝附磨耗。上層之表面壓痕硬度較佳為10000MPa以下。若上層14之表面壓痕硬度為10000MPa以下，則彎曲加工性提高，於將本發明之表面處理鍍覆材料壓製成形之情形時，所成形之部分不易產生裂痕，且抑制耐氣體腐蝕性之降低。

層14之表面算術平均高度(Ra)較佳為0.3μm以下。若層14之表面算術平均高度(Ra)為0.3μm以下，則相對容易腐蝕之凸部減少而變得平滑，故而耐氣體腐蝕性提高。

層14之表面最大高度(Rz)較佳為3μm以下。若上層14之表面最大高度(Rz)為3μm以下，則相對容易腐蝕之凸部減少而變得平滑，故而耐氣體腐蝕性提高。

〈表面處理鍍覆材料之用途〉

本發明之表面處理鍍覆材料之用途並無特別限定，例如可列舉將表面處理鍍覆材料用於接點部分之連接器端子、將表面處理鍍覆材料用於接點部分之FFC端子或FPC端子、將表面處理鍍覆材料用於外部連接用電極之電子零件等。再者，關於端子，壓接端子、焊接端子、壓入配合端子等不依賴於與配線側之接合方法。外部連接用電極有對引板(tab)實施過表面處理之連接零件或對半導體之凸塊下金屬層實施過表面處理之材料等。

又，可使用如此形成之連接器端子製作連接器，亦可使用FFC端子或FPC端子製作FFC或FPC。

又，本發明之表面處理鍍覆材料亦可用於壓入型端子，該壓入型端子係於安裝於外殼之安裝部之一側設置有母端子連接部，且於另一側設置有基板連接部，並將上述基板連接部壓入至形成於基板之通孔中而安裝於上述基板。

連接器可為其公端子與母端子兩者皆為本發明之表面處理鍍覆材料，亦可僅公端子或母端子一者為本發明之表面處理鍍覆材料。再者，藉由將公端子與母端子兩者設為本發明之表面處理鍍覆材料，而使低插拔性進一步提高。

〈表面處理鍍覆材料之製造方法〉

作為本發明之表面處理鍍覆材料之製造方法，可使用濕式(電性、無電解)鍍覆、乾式(濺鍍、離子鍍覆等)鍍覆等。

[實施例]

以下，將本發明之實施例及比較例一併進行表示，但該等係為了更好地理解本發明而提供者，並非意圖限定本發明。

作為實施例及比較例，以表1中所示之條件按照電解脫脂、酸洗、第1鍍覆、第2鍍覆、第3鍍覆、及熱處理之順序進行表面處理。

(素材)

(1)板材：厚度0.30mm，寬度30mm，成分Cu-30Zn

(2)公端子：厚度0.64mm，寬度2.3mm，成分Cu-30Zn

(3)壓入型端子：常盤商行製造，壓入配合端子PCB連接器，R800

(第1鍍覆條件)

(1)半光澤Ni鍍覆

鍍覆方法：電鍍

鍍覆液：胺基磺酸Ni鍍覆液+糖精

鍍覆溫度：55℃

電流密度：0.5~4A/dm²

(2)光澤Ni鍍覆

鍍覆方法：電鍍

鍍覆液：胺基磺酸Ni鍍覆液+糖精+添加劑

鍍覆溫度：55℃

電流密度：0.5~4A/dm²

(3)Cu鍍覆

鍍覆方法：電鍍

鍍覆液：硫酸Cu鍍覆液

鍍覆溫度：30℃

電流密度：0.5~4A/dm²

(4)無光澤Ni鍍覆

鍍覆方法：電鍍

鍍覆液：胺基磺酸Ni鍍覆液

鍍覆溫度：55℃

電流密度：0.5~4A/dm²

(5)Ni-P鍍覆

鍍覆方法：電鍍

鍍覆液：胺基磺酸Ni鍍覆液+亞磷酸鹽

鍍覆溫度：55℃

電流密度：0.5~4A/dm²

(第2鍍覆條件)

(1)Ag鍍覆

鍍覆方法：電鍍

鍍覆液：氰化Ag鍍覆液

鍍覆溫度：40℃

電流密度：0.2~4A/dm²

(2)鍍Sn

鍍覆方法：電鍍

鍍覆液：甲磺酸Sn鍍覆液

鍍覆溫度：40℃

電流密度：0.5~4A/dm²

(第3鍍覆條件)

(1)鍍Sn條件

鍍覆方法：電鍍

鍍覆液：甲磺酸Sn鍍覆液

鍍覆溫度：40℃

電流密度：0.5~4A/dm²

(2)In鍍覆條件

鍍覆方法：電鍍

鍍覆液：硫酸In鍍覆液

鍍覆溫度：30℃

電流密度：0.5~2A/dm²

(熱處理)

熱處理係將樣品放置於加熱板，確認加熱板之表面成為特定溫度後實施。

(後處理)

作為表面處理液，使表1所示之各成分(磷酸酯、巰基系化合物、D構成化合物)溶解於異烷烴(C₁₀~C₁₂)中，將該液體霧狀噴射於熱處理後之鍍覆材料表面並進行塗佈，進而藉由熱風進行乾燥。此時之表面處理條件示於下述表2。附著於鍍覆表面之D構成化合物之量係首先使鍍覆材料表面之附著物溶解於甲醇中，其次利用LC-QMS分析裝置(Waters公司製造之ACQUITY UPLC H-CLASS，ACQUITY QDa檢測器)而測定。

(上層及中層之構造[組成]之確定及厚度測定)

所獲得之試樣之上層及中層之構造之確定及厚度測定係藉由利用STEM(掃描式電子顯微鏡)分析之線分析而進行。所分析之元素為上層、中層及下層之組成、與C、S及O。將該等元素設為指定元素。又，將指定元素之合計設為100%，而分析各元素之濃度(at%)。厚度對應於由線分析(或面分析)求出之距離。STEM裝置使用日本電子股份有限公司製造之JEM-2100F。本裝置之加速電壓為200kV。

所獲得之試樣之上層及中層之構造之確定及厚度測定係對任意10處進行評價並取其平均值。

(下層之厚度測定)

下層之厚度係利用螢光X射線膜厚計(Seiko Instruments製造之SFT9550X，準直器0.1mmΦ)而測定。

下層之厚度測定係對任意10處進行評價並取其平均值。

(評價)

對各試樣進行以下評價。

‧凝附磨耗

凝附磨耗係藉由使用市售之Sn回焊鍍覆母端子(090型住友TS/矢崎090II系列母端子非防水/F090-SMTS)，與已實施鍍覆之公端子進行插拔試驗而評價。

試驗中所使用之測定裝置為Aikoh Engineering製造之1311NR，以公接腳之滑動距離5mm進行評價。樣品數量設為5個，凝附磨耗係使用插入力而評價。插入力採用將各樣品之最大值進行平均而得之值。作為凝附磨耗之胚材，採用比較例5之樣品。

凝附磨耗之目標為相較於比較例5之最大插拔力，未達70%。

‧接觸電阻

接觸電阻係使用山崎精機研究所製造之接點模擬器CRS-113-Au型，於接點負載50g之條件下藉由四端子法而測定。樣品數量設為5個，採用各樣品之最小值至最大值之範圍。目標特性為接觸電阻10mΩ以下。

‧耐熱性

耐熱性係對大氣加熱(180℃×1000h)試驗後之樣品之接觸電阻進行測定並評價。目標特性為接觸電阻10mΩ以下，但作為最大目標，設為接觸電阻於耐熱性試驗前後無變化(同等)。

‧耐微小滑動磨耗性

耐微小滑動磨耗性係使用山崎精機研究所製造之精密滑動試驗裝置CRS-G2050型，於滑動距離0.5mm、滑動速度1mm/s、接觸負載1N、滑動次數500往返條件下評價滑動次數與接觸電阻之關係。樣品數量設為5個，採用各樣品之最小值至最大值之範圍。目標特性為於滑動次數100次時接觸電阻為100mΩ以下。

‧焊料潤濕性

焊料潤濕性係對鍍覆後之樣品進行評價。利用焊料測試儀(Rhesca公司製造之SAT-5200)，使用市售之25%松香甲醇助焊劑作為助焊劑，藉由彎面(meniscograph)法而測定焊料潤濕時間。焊料使用Sn-3Ag-0.5Cu(250℃)。樣品數量設為5個，採用各樣品之最小值至最大值之範圍。目標特性為沾錫時間(zero cross time)5秒鐘(s)以下。

‧耐氣體腐蝕性

耐氣體腐蝕性係於下述試驗環境下進行評價。耐氣體腐蝕性之評價係結束環境試驗之試驗後之樣品外觀。再者，目標特性為外觀未變色，或實用上無問題之略微變色。

硫化氫氣體腐蝕試驗

硫化氫濃度：10ppm

溫度：40℃

濕度：80%RH

暴露時間：96h

樣品數量：5個

‧機械耐久性

機械耐久性係將插入至通孔(基板厚2mm，通孔Φ1mm)中之壓入型端子自通孔拔出，利用SEM(JEOL公司製造，型號JSM-5410)將壓入型端子剖面於100~10000倍之倍率下進行觀察，並確認粉末之產生狀況。將粉末之直徑未達5μm者設為○，將5~未達10μm者設為△，將10μm以上者設為×。

‧彎曲加工性

彎曲加工性係利用W字型之金屬模具，於試樣之板厚與彎曲半徑之比成為1之條件下，以90°彎曲進行評價。評價係利用光學顯微鏡對彎曲加工部表面進行觀察，於未觀察到裂痕之情形時判斷為實用上無問題，於該情形時設為○，將確認到裂痕之情形設為×。再者，於無法區分○與×之情形時設為△。

‧表面粗糙度

表面粗糙度(算術平均高度(Ra)及最大高度(Rz))之測定係依據JIS B 0601，利用非接觸式三維測定裝置(三鷹光器公司製造，型號NH-3)而進行。截止點(cut-off)為0.25mm，測定長度為1.50mm，每個試樣測定5次。

實施例A1~29係具有低晶鬚性、高焊接性、低接觸電阻及低凝附磨耗性之表面處理鍍覆材料。

實施例B1之D構成化合物之附著量為0.003μg/mm²，附著量少於實施例A1，故而雖然可獲得目標特性，但凝附磨耗、插入力稍差。

實施例B2之D構成化合物之附著量為12μg/mm²，附著量多於實施例A1，故而雖然可獲得目標特性，但接觸電阻稍高。

實施例B3之上層為ε相與βSn層，上層之Sn之比例多於實施例A1，故而雖然可獲得目標特性，且未產生長度20μm以上之晶鬚，但存在產生長度未達20μm之晶鬚之情況。

實施例B4之中層之組成為Sn：Ni=37：63，Ni之比高於實施例A1，雖然可獲得目標特性，但彎曲加工性稍差。

實施例B5之中層之厚度為0.2μm，中層之厚度厚於實施例A1，故而雖然可獲得目標特性，但微小滑動磨耗性稍差。

實施例B6之下層為Ni-P鍍覆，上層之超顯微硬度較實施例A1堅硬，雖然可獲得目標特性，但彎曲加工性較差。

實施例B7之上層厚度為0.01μm，上層之厚度薄於實施例A1，雖然可獲得目標特性，但耐熱性、微小滑動磨耗性稍差。

實施例B8之上層厚度為1.30μm，上層之厚度厚於實施例A1，雖然可獲得目標特性，但彎曲加工性稍差。

實施例B9之中層厚度為0.005μm，中層之厚度薄於實施例A1，雖然可獲得目標特性，但耐熱性稍差。

實施例B10之中層厚度為0.50μm，中層之厚度厚於實施例A1，雖然可獲得目標特性，但彎曲加工性稍差。

實施例B11之下層厚度為0.03μm，下層之厚度薄於實施例A1，雖然可獲得目標特性，但耐熱性稍差。

實施例B12之下層厚度為5.5μm，下層之厚度厚於實施例A1，雖然可獲得目標特性，但微小滑動磨耗性稍差。

實施例B13為無中層(0μm)者，雖然與實施例A1相比可獲得目標特性，但耐熱性稍差。

比較例1為使用不含有磷酸酯之液體進行後處理者，耐熱性、微小滑動磨耗性、耐氣體腐蝕性、機械耐久性較差。

比較例2為使用不含有巰基苯并噻唑系化合物之液體進行後處理者，耐熱性、耐氣體腐蝕性較差。

比較例3為使用不含有D構成化合物之液體進行後處理者，凝附磨耗、插入力較差。

比較例4由於上層單獨存在Ag，故而於耐氣體(硫化氫)腐蝕試驗中發生變色。

比較例5由於上層未利用Sn實施後處理，故而凝附磨耗較大，耐熱性、微小滑動磨耗性亦較差。

Claims

一種表面處理鍍覆材料，其於基材設置有上層，且上述上層具備含有Sn或In之鍍覆材料，且於上述鍍覆材料表面包含下述通式[1]或[2]所表示之化合物、與下述通式[3]所表示之化合物，進而於上述上層側之表面附著有選自下述通式[4]~[8]所表示之D構成化合物群中之一種或兩種以上， (式[1]、[2]中，R ₁、R ₂表示烷基、取代烷基，M ₁表示氫、鹼金屬) (式[3]中，R ₃表示鹼金屬或氫) (式[4]中，R ₄、R ₅表示烷基、取代烷基，M ₂表示鹼金屬、鹼土金屬，n表示整數) (式[5]中，R ₆表示氫、烷基、取代烷基，R ₇表示鹼金屬、氫、烷基、取代烷基)C _nH _m 〔6〕(式[6]中，n、m表示整數) (式[7]中，R ₈表示烷基、取代烷基) R ₉-O-R ₁₀-OH 〔8〕(式[8]中，R ₉、R ₁₀表示烷基、取代烷基)。
如申請專利範圍第1項之表面處理鍍覆材料，其中，存在於上述鍍覆材料表面之上述D構成化合物之附著量合計為0.005~10.0μg/mm ²。
如申請專利範圍第1或2項之表面處理鍍覆材料，其中，上述鍍覆材料具備：下層，其形成於上述基材上，且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成之群即A構成元素群中之一種或兩種以上所構成；中層，其形成於上述下層上，且由選自上述A構成元素群中之一種或兩種以上、與選自由Sn及In所組成之群即B構成元素群中之一種或兩種所構成；及上層，其形成於上述中層上，且由選自上述B構成元素群中之一種或兩種、與選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成之群即C構成元素群中之一種或兩種以上的合金所構成。
如申請專利範圍第3項之表面處理鍍覆材料，其中，上述下層之厚度為0.05μm以上且未達5.00μm，上述中層之厚度為0.01μm以上且未達0.40μm，上述上層之厚度為0.02μm以上且未達1.00μm。
如申請專利範圍第3或4項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層含有10~50at%之上述B構成元素群之金屬。
如申請專利範圍第3至5項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層存在包含Sn 11.8~22.9at%之SnAg合金即ζ(zeta)相。
如申請專利範圍第3至5項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層存在Ag ₃Sn即ε(epsilon)相。
如申請專利範圍第3至5項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層存在包含Sn 11.8~22.9at%之SnAg合金即ζ(zeta)相、與Ag ₃Sn即ε(epsilon)相。
如申請專利範圍第3至5項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層僅存在Ag ₃Sn即ε(epsilon)相。
如申請專利範圍第3至5項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層存在Ag ₃Sn即ε(epsilon)相、與Sn單相即βSn。
如申請專利範圍第3至5項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層存在包含Sn 11.8~22.9at%之SnAg合金即ζ(zeta)相、Ag ₃Sn即ε(epsilon)相、及Sn單相即βSn。
如申請專利範圍第3至11項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述中層含有35at%以上之上述B構成元素群之金屬。
如申請專利範圍第3至11項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述中層存在Ni ₃Sn ₄。
如申請專利範圍第3至11項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述中層存在Ni ₃Sn ₄、與Sn單相即βSn。
如申請專利範圍第3至14項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層與上述中層之厚度比為上層：中層=9：1~3：7。
如申請專利範圍第3至15項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，利用超顯微硬度計以負載3mN對上述上層之表面打出凹痕並進行測定而獲得之硬度、即上述上層之表面壓痕硬度為1000MPa以上且10000MPa以下。
如申請專利範圍第3至16項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層之表面算術平均高度(Ra)為0.3μm以下。
如申請專利範圍第3至17項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述上層之表面最大高度(Rz)為3μm以下。
如申請專利範圍第3至18項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述A構成元素群之金屬以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu之合計來算為50mass%以上，且進而包含選自由B、P、Sn及Zn所組成之群中之一種或兩種以上。
如申請專利範圍第3至19項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述B構成元素群之金屬以Sn與In之合計來算為50mass%以上，剩餘合金成分係由選自由Ag、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn所組成之群中之一種或兩種以上之金屬所構成。
如申請專利範圍第3至20項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述C構成元素群之金屬以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir之合計來算為50mass%以上，剩餘合金成分係由選自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn所組成之群中之一種或兩種以上之金屬所構成。
如申請專利範圍第3至21項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述中層由Ni ₃Sn與Ni ₃Sn ₂所構成。
如申請專利範圍第3至21項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述中層由Ni ₃Sn ₂所構成。
如申請專利範圍第3至21項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，上述中層由Ni ₃Sn ₄所構成。
如申請專利範圍第3至24項中任一項之表面處理鍍覆材料，其中，於上述下層與中層之間進而具備由A構成元素群之金屬與C構成元素群之金屬的合金所構成之層。
一種連接器端子，其於接點部分具備申請專利範圍第1至25項中任一項之表面處理鍍覆材料。
一種連接器，其具備申請專利範圍第26項之連接器端子。
一種FFC端子，其於接點部分具備申請專利範圍第1至25項中任一項之表面處理鍍覆材料。
一種FFC，其具備申請專利範圍第28項之FFC端子。
一種FPC，其具備申請專利範圍第28項之FFC端子。
一種電子零件，其於外部連接用電極具備申請專利範圍第1至25項中任一項之表面處理鍍覆材料。
一種電子零件，其係具備壓入型端子者，且上述壓入型端子為申請專利範圍第1至25項中任一項之表面處理鍍覆材料；該壓入型端子係於安裝於外殼之安裝部之一側設置有母端子連接部，且於另一側設置有基板連接部，並將上述基板連接部壓入至形成於基板之通孔中而安裝於上述基板者。