TW201827584A - 洗淨組成物、洗淨方法及半導體之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種洗淨組成物，其係使用半導體製造裝置中所搭載的塗佈機或烘烤爐(硬化爐)、洗淨腔室等非特別之裝置，可抑制基板或層間絕緣膜等的被處理層以外的其他層之損傷或形狀變化之同時，可良好地除去被處理層，以及提供使用該洗淨組成物的洗淨方法、與使用該洗淨方法的半導體之製造方法。 　　使用含有可分解被處理層的成分(A)、及膜形成性聚合物(B)而成的洗淨組成物，來洗淨形成於基板上的被處理層。作為被處理層，可舉例硬遮罩膜。作為成分(A)，可舉例選自鹼性化合物(A1)、及酸性化合物(A2)之至少1種。

Description

洗淨組成物、洗淨方法及半導體之製造方法
[0001] 本發明為關於洗淨組成物、使用該洗淨組成物的洗淨方法、與使用該洗淨方法的半導體之製造方法。
[0002] 在半導體基板之製造步驟中進行著下述之步驟：以阻劑膜(resist film)作為遮罩材使用，來蝕刻形成於半導體晶圓等的基板上的層間絕緣膜或金屬膜等的被蝕刻膜，藉此形成指定的圖型。 　　[0003] 近年，將低介電率膜(Low-k膜)使用作為層間絕緣膜的Cu多層配線技術備受矚目，如此般的Cu多層配線技術係採用雙重金屬鑲嵌法(dual damascene)，其係對於Low-k膜形成埋入配線溝或孔，並將Cu埋入至其中。 　　作為Low-k膜亦大多使用有機系的材料。將如此般的有機系Low-k膜進行蝕刻時，在與Low-k膜同為有機膜的阻劑之間，難以使蝕刻速率產生充分之差異，因此將Ti膜、TiN膜等的無機系硬遮罩膜(hard mask film)使用作為蝕刻用的遮罩。 　　[0004] 蝕刻後，必須將殘留於基板上的阻劑膜、或硬遮罩膜自基板上予以除去。作為如此的除去方法，已知有例如，使用單片式的洗淨裝置，以有機胺系除去液、含氟化銨的氟化銨系除去液、無機系除去液等來進行之方法(參考專利文獻1)。 　　[0005] 又，硬遮罩膜以外的各種的光阻膜亦廣泛地使用於各式各樣的電路製造製程中。如此的光阻膜多被期望著：形成於基板或各種的機能層上之另一方面，對於基板或機能層以不造成損傷之方式來除去光阻膜。 　　例如，在半導體裝置之製造中，作為離子注入製程用遮罩材所使用的經離子注入的光阻膜，在對於半導體基板進行離子注入後，將其自半導體基板的表面予以除去。 　　[0006] 作為光阻膜的一般的除去方法，可舉例如使用N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、甘醇醚、胺類、或二甲基亞碸(DMSO)等的有機溶劑之方法。 　　作為光阻膜的其他除去方法，可舉例：藉由使用如硫酸、及過氧化氫般的化學蝕刻劑的濕式化學製程的除去方法、或藉由灰化的乾式的反應除去方法等。濕式化學製程時，有將濃硫酸與過氧化氫之混合物、或濃硫酸與臭氧之混合物使用於光阻膜之除去之情形。 　　[0007] 作為另外的具體的光阻膜之除去方法，已知如美國專利第5,785,875號記載之方法，其係將晶圓完全浸漬於酸性水溶液中來進行濕式酸蝕刻，接下來，導入經加熱的溶劑蒸氣之同時，自蝕刻槽中取出酸性水溶液。如此的方法所使用的溶劑為例如丙酮或醇類(較佳為異丙醇)，溶劑蒸氣經加熱至約超過50℃~約未滿100℃之範圍溫度。 　　[0008] 做為進一步另外的除去方法，已知有：使用溶解於脫離子水中的臭氧之方法、或使用將臭氧氣體與水蒸氣經混合、加熱而成的蒸氣之方法。 　　又，亦已知有使用硫酸、或硫酸的脫氫物或前驅物(例如，三氧化硫(SO3 )、硫代硫酸(H2 S2 O3 )、過氧單硫酸(H2 S2 O3 )、過氧二硫酸(H2 S2 O8 )、氟硫酸(HSO3 F)、及氯硫酸(HSO3 Cl))之方法，但如此的方法即使是使用經加熱的除去液，亦無法良好地除去光阻膜。 　　[0009] 即便是已知如上述般所提案的各種的除去方法，但在所謂的光阻膜的良好洗淨、除去並非容易的狀況下，作為可良好除去光阻膜之方法，已提案著一種方法，其係將包含以指定比率的水及硫酸而成的液狀硫酸組成物，依據經控制的指定條件來進行噴霧(參考專利文獻2~5)。 　　[0010] [先前技術文獻] [專利文獻] 　　專利文獻1：日本特開2004-146594號公報 　　專利文獻2：日本特開2010-157749號公報 　　專利文獻3：日本特開2012-069994號公報 　　專利文獻4：日本專利第4728402號公報 　　專利文獻5：日本專利第4965673號公報
[發明所欲解決之課題] 　　[0011] 但，如專利文獻1中記載般的使用有機胺系除去液、含氟化銨的氟化銨系除去液、無機系除去液等之方法時，依阻劑膜或硬遮罩膜之材質而有產生下述般之情況：無法良好地進行除去、對於基板或層間絕緣膜等的除去對象之膜以外的其他層造成損傷、或使產生如膜減少般的形狀變化。 　　又，專利文獻2~5中記載之方法時，為了供給液狀硫酸組成物，必須要有特別的裝置或複雜的控制，而具有問題。 　　[0012] 本發明係有鑑於上述課題之發明，本發明之目的為提供一種洗淨組成物，其係使用半導體製造裝置中所搭載的塗佈機或烘烤爐(硬化爐)、洗淨腔室等非特別之裝置，可抑制基板或層間絕緣膜等的被處理層以外的其他層之損傷或形狀變化之同時，可良好地除去被處理層，以及提供使用該洗淨組成物的洗淨方法、與使用該洗淨方法的半導體之製造方法。 　　 [解決課題之手段] 　　[0013] 本發明人發現，藉由使用含有可分解被處理層的成分(A)、及膜形成性聚合物(B)的洗淨組成物來洗淨形成於基板上的被處理層，使用半導體製造裝置中所搭載的塗佈機或烘烤爐(硬化爐)、洗淨腔室等非特別之裝置，可抑制基板或層間絕緣膜等的被處理層以外的其他層之損傷或形狀變化之同時，可良好地除去被處理層，因而完成本發明。具體而言，本發明係提供下述之發明。 　　[0014] 本發明之第一樣態為一種洗淨組成物，其係用來洗淨形成於基板上的被處理層之洗淨組成物，其包含可分解被處理層的成分(A)、及膜形成性聚合物(B)。 　　[0015] 本發明之第二樣態為一種洗淨方法，其係包含將第一樣態相關的洗淨組成物適用於經層合至基板的被處理層上以形成塗膜之塗佈步驟。 　　[0016] 本發明之第三樣態為一種半導體之製造方法，其係使用第二樣態相關的洗淨方法。 　　 [發明的效果] 　　[0017] 藉由本發明，可提供一種洗淨組成物，其係使用半導體製造裝置中所搭載的塗佈機或烘烤爐(硬化爐)、洗淨腔室等非特別之裝置，可抑制以洗淨而被除去的被處理層以外的基板或層間絕緣膜等的其他層之損傷或形狀變化之同時，可以洗淨來進行指定的被處理層之除去，以及可提供使用該洗淨組成物以洗淨來將指定的被處理層除去的洗淨方法、與使用該洗淨方法的半導體之製造方法。
[實施發明之最佳形態] 　　[0018] ≪洗淨組成物≫ 　　洗淨組成物係用來洗淨形成於基板上的被處理層所使用的。洗淨組成物包含：可分解被處理層的成分(A)、及膜形成性聚合物(B)。 　　將如此的洗淨組成物塗佈至被處理層上時，由於膜形成性聚合物(B)之作用，會停留於被處理層上的一定的位置，並形成不易自由流動的塗膜。 　　又，藉由包含膜形成性聚合物(B)，使得洗淨組成物具有某程度的黏度。因此，以洗淨組成物來進行被處理層之除去，即使是在被處理層上形成微小的空隙，亦認為由洗淨組成物所成之塗膜不易與被處理層以外的其他層接觸，不易對於被處理層以外的其他層造成損傷、或引起形狀變化。 　　另一方面，由洗淨組成物所成之塗膜係與被處理層接觸，因此可分解被處理層的成分對於非處理層將可產生充分的作用，而可良好地洗淨除去被處理層。 　　[0019] 以下對於藉由洗淨組成物的處理對象的基板、及被處理層、和洗淨組成物中所包含的必須成分或任意成分進行說明。 　　[0020] ＜基板＞ 　　基板之種類未特別限定。基板係可例如玻璃基板或金屬基板等的由無機材料所成之基板，亦可例如PET等的由聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺等所成之樹脂製基板。 　　作為基板，典型而言為矽基板等的半導體基板。 　　[0021] 又，基板上除了被處理層以外，亦可形成各種的其他層。 　　作為其他層，可舉出絕緣層、或金屬或ITO等的金屬氧化物等的由導電性材料所成之導電性層、或半導體層、抗反射層等。 　　作為絕緣層，可舉例如SiO2 膜、或低介電率膜(Low-k膜)。 　　作為Low-k膜，係比介電率低於二氧化矽之比介電率的膜，可舉出SiOC膜、SiCOH膜等。 　　[0022] 於上述說明的基板上，以成為所期望的層構成之方式，可層合被處理層與因應所需的其他層。 　　[0023] ＜被處理層＞ 　　被處理層之材質，只要是可藉由成分(A)而分解之材料即可，未特別限定。作為被處理層，可舉出由熱硬化型交聯高分子等所成之層、或光阻膜(特別是作為離子注入製程用遮罩材所使用的經離子注入的光阻膜)。被處理層典型而言為硬遮罩膜。 　　在以光微影製程的微細加工等中，將基板上的被蝕刻層予以蝕刻並形成圖型之際，係形成由蝕刻選擇比與被蝕刻層為大幅相異的材質所成之經圖型化之層，將其作為遮罩來進行被蝕刻層之蝕刻。 　　作為該與被蝕刻層之蝕刻選擇比為大幅相異的遮罩來使用之層，被稱為硬遮罩。 　　硬遮罩膜之材質未特別限定，可為有機材料、亦可為無機材料。 　　[0024] 作為無機硬遮罩膜之材質，可舉例如鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、矽氧化物(SiO2 )、矽氮化物(Si3 N4 )、矽氧氮化物(SiON)、氮化矽(SiN)、碳化矽(SiC)、及碳氮化矽(SiCN)等。 　　[0025] 又，具有機基的含矽之材料亦可作為硬遮罩膜之材質使用。作為如此的具有機基的含矽之材料之例，可舉出聚碳矽烷、有機聚矽氮烷、有機聚矽烷、有機聚矽氧烷、有機聚矽氧烷與金屬氧化物(氧化鈦、氧化鋁、氧化鎢)之共聚物等。 　　[0026] 作為有機硬遮罩膜(碳硬遮罩膜)之材質，可舉出非晶碳或各種的樹脂材料。作為樹脂材料，較佳使用包含酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂等的芳香族基的樹脂。 　　又，作為由包含芳香族基的樹脂所成之碳硬遮罩膜，亦已知有例如使用日本專利第4433933號公報記載般之組成物而形成的硬遮罩膜。 　　[0027] 具體而言，日本專利第4433933號公報記載之組成物，其係含有共聚物、感放射線性酸產生劑、與溶劑之感放射線性組成物，該共聚物具有下述式(1)所表示之重複單位與下述式(2)所表示之重複單位。 　　[0028](式(1)中，R1 係表示氫原子或1價的有機基(但不包括具有環氧基者)，各R2 係相互獨立表示氫原子或1價的有機基(但不包括具有環氧基者)，R3 係表示具有環氧基的1價的有機基)。 　　[0029](式(2)中，各R4 係相互獨立表示氫原子或1價的有機基(但不包括具有環氧基者))。 　　[0030] 使用如此的感放射線性組成物而形成的硬遮罩膜，係包含源自式(2)所表示之重複單位之芳香族基、或源自式(1)所表示之重複單位之酯鍵。 　　又，式(1)所表示之重複單位中所包含的R3 所表示之環氧基彼此若反應時，可生成醚鍵。 　　如此般地，硬遮罩膜係有包含具有酯鍵、或醚鍵之聚合物之情形。 　　[0031] 更，硬遮罩膜亦有包含氟、氯、硫元素之情形。 　　例如，亦有將含氟之官能基依各種的目的來導入至硬遮罩膜之材料中之情形，對於具備硬遮罩膜的層合體使用含氟氣體來施予乾蝕刻時，硬遮罩膜之材料亦有被氟化之情形。 　　[0032] 關於碳硬遮罩膜，作為其他材料可舉例如日本專利第5440755號公報、日本專利第5229044號公報、日本專利第5920588號公報、國際公開WO2014/014034號、日本專利第4639919號公報、及國際公開WO2012/161126號等中記載之材料。 　　以下對於各專利文獻中記載之材料進行說明，但關於一般式之號碼或表示取代基等之代號，由於是使用各專利文獻中記載之號碼，故有重複之情形。 　　[0033] 日本專利第5440755號公報揭示一種聚合物，其係包含：下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)或(1-4)所表示之單位構造、與下述式(2)所表示之構造單位、與下述式(3)所表示之構造單位而成之聚合物，將構成該聚合物的全部單位構造之總數設定為1.0時，式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)或式(1-4)所表示之單位構造之數(a)之比例、式(2)所表示之單位構造之數(b)之比例及式(3)所表示之單位構造之數(c)之比例係成為0.5≦a≦0.8、0.1≦b≦0.2、0.1≦c≦0.3， (上述式中，R3 、R4 、R5 、R10 、R11 及R12 係分別表示氫原子、鹵素原子或碳原子數1至3之烷基， 　　R6 、R7 及R8 係分別表示氫原子或碳原子數1至10之鏈狀或環狀之烷基， 　　R9 係表示碳原子數1至10之鏈狀或環狀之烷基或碳原子數6至20之芳香族基，又， 　　R7 與R8 可相互鍵結而形成環， 　　M及Q係分別表示直接鍵結或連結基， 　　n係表示0或1之整數)。 　　[0034] 可作為日本專利第5440755號公報中記載的碳硬遮罩使用的聚合物，係具有源自式(2)所表示之單位之酯鍵。又，由於式(3)所表示之單位具有環氧基(環氧乙烷基)或氧雜環丁烷基，故藉由該等基彼此之反應，碳硬遮罩中所包含的聚合物係具有醚鍵之情形。 　　更，式(1-1)~(1-4)所表示之構造單位中的芳香環，亦有藉由使用含氟氣體的乾蝕刻等而被氟化之情形。 　　[0035] 日本專利第5229044號公報中記載著一種可作為碳硬遮罩使用的聚合物，其係使用含有下述(A)~(C)之組成物而形成的聚合物， (A)具有芳香族環之聚合物； (B)下述式(1)所表示之化合物，(式(1)中，複數個R係分別獨立表示氫原子、金剛烷基、或縮水甘油醚基，但複數個R之中的1個或2個為金剛烷基之同時，1個或2個為縮水甘油醚基，n係表示0~3之整數)； (C)有機溶劑。 　　日本專利第5229044號公報中亦記載著，作為(A)具有芳香族環之聚合物，可適合使用酚醛清漆樹脂。 　　[0036] 可作為日本專利第5229044號公報中記載的碳硬遮罩使用的聚合物，例如，若(A)具有芳香族環之聚合物為酚醛清漆樹脂時，藉由酚性羥基、與式(1)所表示之化合物所具有的縮水甘油基之反應，而具有所生成的醚鍵。 　　更，源自(A)具有芳香族環之聚合物、或式(1)所表示之化合物之芳香環，亦有藉由使用含氟氣體的乾蝕刻等而被氟化之情形。 　　[0037] 日本專利第5920588號公報中記載著一種聚合物，其係包含下述式(2)所表示之構造單位、或下述式(1)所表示之構造單位及前述式(2)所表示之構造單位之組合，(但，式(2)中Ar2 、Ar3 、及Ar4 係分別表示包含碳數6~50之伸芳基之有機基，T係表示羰基)。(式(1)中，Ar1 係表示包含碳數6~50之伸芳基或雜環基之有機基)。 　　[0038] 可作為日本專利第5229044號公報中記載的碳硬遮罩使用的聚合物，係具有芳香族聚醚且必然具有醚鍵。 　　更，日本專利第5229044號公報中記載的聚合物中所包含的芳香環，亦有藉由使用含氟氣體的乾蝕刻等而被氟化之情形。 　　[0039] 國際公開WO2014/014034號中記載著一種使用下述組成物而形成的聚合物，該組成物係含有樹脂與交聯劑，該樹脂包含芳香環，該交聯劑具有下述式(i)所表示之部分構造，(式(i)中， X為羰基或磺醯基；Q為1價的雜芳香族基或-OR1 ，R1 為碳原子數1~30之1價的有機基；Ar為芳香族烴基或雜芳香族基；n為1~8之整數，若n為2以上時，複數個X及Q可分別為相同或相異)。 　　[0040] 國際公開WO2014/014034號中，作為包含芳香環之樹脂之具體例係記載著有關酚醛清漆樹脂、或聚伸芳基醚等的聚伸芳基系樹脂等，作為交聯劑之具體例係揭示下述構造的化合物。藉由下述構造的交聯劑而交聯的酚醛清漆樹脂，所生成的聚合物為包含酯鍵。藉由下述構造的交聯劑而交聯的聚伸芳基醚，所生成的聚合物為包含醚鍵、與酯鍵。又，若使用包含1,1,1,3,3,3-六氟丙烷-2-基的交聯劑時，所生成的聚合物中可包含氟原子。 　　更，國際公開WO2014/014034號中記載的聚合物中所包含的芳香環，亦有藉由使用含氟氣體的乾蝕刻等而被氟化之情形。[0041] 日本專利第4639919號公報中記載著一種使用下述組成物所形成之膜並將該膜作為硬遮罩膜使用，該組成物包含具有下述式(4)~(6)所表示之構造單位之聚合物，(式(4)~(6)中，R係表示甲基；n係表示0或1之整數)(參考段落[0035]~[0037])。 　　[0042] 又，日本專利第4639919號公報中記載著，除了上述聚合物以外，組成物可包含聚醚類、聚醯胺類、聚酯類、聚醯亞胺類等的各種的樹脂(參考段落[0063]~[0065])。亦即，使用日本專利第4639919號公報中記載的組成物而形成的硬遮罩膜，不僅是包含源自式(4)~(6)所表示之構造單位的醯胺鍵、及酯鍵，亦可包含源自黏合劑樹脂的醚鍵、醯胺鍵、酯鍵、及醯亞胺鍵。 　　更，使用日本專利第4639919號公報中記載的組成物而形成的硬遮罩膜中所包含的芳香環，亦有藉由使用含氟氣體的乾蝕刻等而被氟化之情形。 　　[0043] 國際公開WO2012/161126號中記載可作為碳硬遮罩使用的聚合物，係記載使用包含聚合物(A)、交聯性化合物(B)與溶劑(C)而成之組成物來形成碳硬遮罩膜，該聚合物(A)包含下述式(1)所表示之構造單位及下述式(2)所表示之：(式(1)中，R1 係表示氫原子或甲基，R2 係表示碳原子數1~3之伸烷基或可具有取代基之伸苯基，R3 係表示羥基或羧基；式(2)中，R4 係表示氫原子或甲基，Y係表示以-C(＝O)-NH-基或-C(＝O)-O-基所表示之連結基，X係表示含內酯環之基、含金剛烷環之基或可經取代之苯環基、可經取代之萘環基、或可經取代之蒽環基，前述Y所表示之連結基之碳原子係與前述聚合物之主鏈鍵結)， 　　該交聯性化合物(B)具有至少2個嵌段異氰酸酯基、羥甲基或碳原子數1~5之烷氧基甲基。 　　[0044] 使用國際公開WO2012/161126號記載的組成物而形成的硬遮罩膜中所包含的聚合物，系具有源自式(1)所表示之構造單位、或式(2)所表示之構造單位之醯胺鍵、或源自式(2)所表示之構造單位之酯鍵。 　　[0045] 如同上述幾個專利文獻中記載般，使用包含所期望構造的聚合物、與交聯劑而成之組成物來形成膜，可較佳作為碳硬遮罩膜使用。 　　作為調配至碳硬遮罩膜形成用組成物中的一般的交聯劑，可舉出日本專利第5920588號公報記載的三聚氰胺系交聯劑、取代脲系交聯劑、或該等的寡聚物或聚合物等。 　　較佳為具有至少2個交聯形成取代基的交聯劑，例如，甲氧基甲基化乙炔脲、丁氧基甲基化乙炔脲、甲氧基甲基化三聚氰胺、丁氧基甲基化三聚氰胺、甲氧基甲基化苯并胍胺、丁氧基甲基化苯并胍胺、甲氧基甲基化脲、丁氧基甲基化脲、甲氧基甲基化硫脲、或甲氧基甲基化硫脲等的化合物，或專利5867732號的段落[0035]中記載的耐熱性高的交聯劑(其係含有於分子內具有芳香族環(例如，苯環、萘環)之交聯形成取代基的化合物)可特佳作為交聯劑使用。 　　[0046] 如此般的化合物，可舉出具有下述式(4)所表示之部分構造之化合物、或具有下述式(5)所表示之重複單位之聚合物或寡聚物。[0047] 式(4)中，R10 及R11 係分別表示氫原子、碳原子數1~10之烷基、或碳數6~20之芳基，n10係表示1~4之整數，n11係表示1~(5-n10)之整數，(n10+n11)係表示2~5之整數。 　　式(5)中，R12 係表示氫原子或碳原子數1~10之烷基，R13 係表示碳原子數1~10之烷基，n12係表示1~4之整數，n13係表示0~(4-n12)，(n12+n13)係表示1~4之整數。 　　寡聚物及聚合物之重複單位構造之數可以2~100、或2~50之範圍內使用。 　　[0048] 為了可良好地除去由上述說明之材料所成之硬遮罩膜或光阻膜，以選擇後述的可分解被處理層的成分(A)為適宜。 　　[0049] ＜可分解被處理層的成分(A)＞ 　　可分解被處理層的成分(A)(以下亦稱為成分(A))之種類係以因應被處理層之材質而適當選擇，未特別限定。 　　在此，被處理層之分解，不僅是將構成被處理層的材料的分子中的共價鍵等的化學鍵使其開裂，為了使被處理層成為可藉由淋洗等而容易地洗淨、除去之程度，而包含了使被處理層、與成分(A)反應之內容。藉由如此的反應的被處理層之變性，係包含例如被處理層之對於洗淨組成物或淋洗液為可溶化。 　　典型而言，成分(A)可自鹼性化合物(A1)、酸性化合物(A2)、氧化劑(A3)、及還原劑(A4)等中適當地選出。 　　尚，在不損及洗淨效果之範圍內，亦可自鹼性化合物(A1)、酸性化合物(A2)、氧化劑(A3)、及還原劑(A4)等中選擇2種以上組合使用。 　　[0050] 作為成分(A)，就易於良好地分解各種材質之觀點而言，以選自由鹼性化合物(A1)及酸性化合物(A2)所成之群之至少1種為佳。 　　[0051] (鹼性化合物(A1)) 　　若進行洗淨之被處理層所包含的材料係具有例如酯鍵(-CO-O-)、碳酸酯鍵(-CO-O-CO-)、醯胺鍵(-CO-NH-)、胺甲酸酯鍵(-NH-CO-NH-)等的在鹼之存在下可開裂之鍵結時，作為成分(A)較佳為使用鹼性化合物(A1)。 　　鹼性化合物(A1)之種類，只要是可分解被處理層即可未特別限定，可為有機鹼，亦可為無機鹼。 　　[0052] 作為無機鹼，可舉例如金屬氫氧化物、金屬碳酸氫鹽、及金屬重碳酸鹽。 　　作為無機鹼的適合具體例，可舉出氫氧化鋰、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銣、氫氧化銫、氫氧化鎂、氫氧化鈣、氫氧化鍶、及氫氧化鋇等的金屬氫氧化物；碳酸鋰、碳酸鉀、碳酸鈉、碳酸銣、碳酸銫、碳酸鎂、碳酸鈣、碳酸鍶、及碳酸鋇等的金屬碳酸鹽；碳酸氫鋰、碳酸氫鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫銣、及碳酸氫銫等的金屬重碳酸鹽等。 　　[0053] 作為無機鹼，較佳為鹼金屬氫氧化物、及鹼金屬碳酸鹽，又較佳為氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、及碳酸鉀，特佳為氫氧化鈉、及水酸鉀。 　　[0054] 作為有機鹼，可舉出乙基胺、n-丙基胺、乙醇胺、二乙基胺、二-n-丙基胺、二乙醇胺、三乙基胺、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、及三乙醇胺等的胺類；吡咯、哌啶、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]-7-十一烯、及1,5-二氮雜雙環[4,3,0]-5-壬烷等的環狀鹼性化合物；四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨(TPAH)、四丁基氫氧化銨、甲基三丙基氫氧化銨、甲基三丁基氫氧化銨、苄基三甲基氫氧化銨、苄基三乙基氫氧化銨、及三甲基(2-羥基乙基)氫氧化銨等的第四級銨鹽等。 　　[0055] 就便宜且容易取得、易於良好地分解被處理層之觀點而言，鹼性化合物(A1)較佳為選自由第四級銨鹽、及無機鹼所成之群之至少1種。 　　鹼性化合物(A1)又較佳為選自由四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨(TPAH)、氫氧化鉀、及氫氧化鈉所成之群之至少1種。 　　[0056] (酸性化合物(A2)) 　　若進行洗淨之被處理層所包含的材料係具有例如酯鍵(-CO-O-)、碳酸酯鍵(-CO-O-CO-)、醯胺鍵(-CO-NH-)、胺甲酸酯鍵(-NH-CO-NH-)等的在鹼之存在下可開裂之鍵結時，作為成分(A)較佳為使用酸性化合物(A2)。 　　酸性化合物(A2)之種類，只要是可分解被處理層即可未特別限定，可為有機酸，亦可為無機酸。 　　[0057] 作為有機酸的適合例子，可舉出脂肪族羧酸(例如，乙酸、丙酸)、氟化脂肪族羧酸(例如三氟乙酸等)、烷磺酸(例如甲磺酸、十二烷磺酸等)、芳基磺酸(例如苯磺酸、p-甲苯磺酸等)、氟化烷基磺酸(例如三氟甲磺酸、五氟乙磺酸、七氟丙磺酸、九氟丁磺酸、十一氟戊磺酸及十三氟己磺酸)等。 　　有機酸的碳原子數未特別限定，但較佳為1~30，又較佳為1~10。 　　[0058] 作為無機酸的適合例子，可舉出鹽酸(氯化氫)、氫溴酸、氫碘酸、氫氟酸、硝酸、硫酸、磷酸等。 　　[0059] 又，酸性化合物(A2)之中又以顯示出路易斯酸性的路易斯酸，可使醚鍵良好地開裂。又，用來使醚鍵開裂，亦可使用氫溴酸或氫碘酸等的鹵化氫。 　　若進行洗淨之被處理層所包含的材料係具有醚鍵時，較佳為使用氫溴酸或氫碘酸等的鹵化氫、或顯示出路易斯酸性的酸性化合物(A2)。 　　作為如此的路易斯酸之適合例子，可舉出氟化烷基磺酸。作為氟化烷基磺酸，較佳為選自由三氟甲磺酸、五氟乙磺酸、七氟丙磺酸、及九氟丁磺酸所成之群之至少1種。 　　[0060] 包含該等氟化烷基磺酸之洗淨組成物，對於硬遮罩膜(特別是包含氟元素之硬遮罩膜)之親和性(濕潤性)為良好。 　　因此，若使用包含氟化烷基磺酸之洗淨組成物時，可易於良好地洗淨、除去硬遮罩膜(特別是包含氟元素之硬遮罩膜)。 　　[0061] (氧化劑(A3)) 　　若進行洗淨之被處理層係由具有可藉由氧化劑而容易開裂之鍵結(例如，-CO-NH-NH-CO-鍵般)之材料所構成時，或被處理層係無機硬遮罩膜時，作為成分(A)較佳為使用氧化劑(A3)。 　　可作為成分(A3)使用的氧化劑方面，可舉例如過氧化物、過碘酸、過碘酸鹽、過錳酸鹽、釩酸鹽、次氯酸鹽、氧化鐵、臭氧等。 　　做為過氧化物之具體例，可舉出過氧化氫、過乙酸、過苯甲酸、m-氯過苯甲酸、過碳酸鹽、過氧化脲、及過氯酸；過氯酸鹽；以及過硫酸鈉、過硫酸鉀及過硫酸銨等的過硫酸鹽等。 　　[0062] (還原劑(A4)) 　　若進行洗淨之被處理層所包含的材料係具有例如雙硫鍵(disulfide bond)般的可藉由還原劑而容易開裂之鍵結時，作為成分(A)較佳為使用還原劑(A4)。 　　可作為成分(A)使用的還原劑方面，可舉出肼、鹽酸肼、硫酸肼、及水合肼等的肼化合物；氫化硼鈉、亞硫酸鈉、亞硫酸氫鈉、硫代硫酸鈉、亞硝酸鈉、次亞硝酸鈉、亞磷酸鈉、及二亞磷酸鈉等的金屬鹽；亞磷酸；次亞磷酸；甲醛類；醇類；胺類；糖類等。 　　[0063] 洗淨劑組成物中之成分(A)之含量，在進行所期望的洗淨條件中，只要是能將被處理層依所期望之程度予以除去即可，未特別限定。又，成分(A)之含量，可因應成分(A)之種類而調整成適當、適宜之量。 　　典型而言，洗淨劑組成物中之成分(A)之含量，相對於聚合物溶液之質量(膜形成性聚合物(B)之質量與溶劑之質量之合計)較佳為5~150質量%，又較佳為30~130質量%，特佳為90~120質量%。 　　[0064] ＜膜形成性聚合物(B)＞ 　　膜形成性聚合物(B)(以下亦稱為成分(B))，只要是可賦予洗淨組成物使洗淨組成物在被處理層上不會過度流動般的膜形成能之聚合物即可，未特別限定。 　　[0065] 若膜形成性聚合物(B)本身會因為成分(A)而被分解的話，由洗淨組成物所成之塗佈膜會變得容易流動，而在不希望之場所與洗淨組成物接觸，基板或層間絕緣膜等的被處理層以外的其他層會有受到損傷之虞。 　　又，膜形成性聚合物(B)具有在由洗淨組成物所成之塗膜中保持成分(A)之作用。因此，使用包含膜形成性聚合物(B)之洗淨組成物時，可使成分(A)良好地自塗膜中進行擴散。但若膜形成性聚合物(B)分解時，由於塗膜中無法保持成分(A)，故被處理層之洗淨、除去需要長時間，或難以將被處理層良好地洗淨、除去。 　　因此，膜形成性聚合物(B)較佳為對於成分(A)具有耐性者。 　　[0066] 膜形成性聚合物(B)之種類，只要是可調製均勻的洗淨組成物即可，未特別限定。 　　作為膜形成性聚合物(B)之適合例子，可舉出選自由具有源自(甲基)丙烯酸之構成單位之聚合物、具有源自含有乙烯基之化合物之構成單位之聚合物、及多糖類所成之群之至少1種。 　　[0067] (具有源自(甲基)丙烯酸之構成單位之聚合物) 　　具有源自(甲基)丙烯酸之構成單位之聚合物，可為(甲基)丙烯酸之均聚物，亦可為(甲基)丙烯酸與其他單體之共聚物。 　　雖然對於成分(A)之耐性為優異，但由於對於酸性化合物(A2)之耐性為優異、或具有與鹼性化合物(A1)形成鹽之情形，故較佳為將具有源自(甲基)丙烯酸之構成單位之聚合物與酸性化合物(A2)一起使用。 　　[0068] 作為可與(甲基)丙烯酸共聚合之單體之適合例子，可舉出(甲基)丙烯酸以外的不飽和羧酸、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯醯胺類、烯丙化合物、及苯乙烯類等。 　　[0069] 作為(甲基)丙烯酸以外的不飽和羧酸之例子，可舉出(甲基)丙烯酸醯胺、巴豆酸、馬來酸、福馬酸、檸康酸、中康酸、伊康酸等。 　　[0070] 作為(甲基)丙烯酸酯之例子，可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸t-辛酯等的直鏈狀或支鏈狀的(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸氯乙酯、(甲基)丙烯酸2,2-二甲基羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、三羥甲基丙烷單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸糠基酯；含有具脂環式骨架之基之(甲基)丙烯酸酯。 　　在含有具脂環式骨架之基之(甲基)丙烯酸酯中，構成脂環式骨架的脂環式基可為單環，亦可為多環。作為單環的脂環式基，可舉出環戊基、環己基等。又，作為多環的脂環式基，可舉出降莰基、異莰基、三環壬基、三環癸基、四環十二烷基等。 　　[0071] 作為(甲基)丙烯醯胺類之例子，可舉出(甲基)丙烯醯胺、N-烷基(甲基)丙烯醯胺、N-芳基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二烷基(甲基)丙烯醯胺、N,N-芳基(甲基)丙烯醯胺、N-甲基-N-苯基(甲基)丙烯醯胺、N-羥基乙基-N-甲基(甲基)丙烯醯胺等。 　　[0072] 作為烯丙化合物之例子，可舉出乙酸烯丙酯、己酸烯丙酯、辛酸烯丙酯、月桂酸烯丙酯、棕櫚酸烯丙酯、硬脂酸烯丙酯、苯甲酸烯丙酯、乙醯乙酸烯丙酯、乳酸烯丙酯等的烯丙酯類；烯丙基氧基乙醇等。 　　[0073] 作為苯乙烯類之例子，可舉出苯乙烯；甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙基苯乙烯、異丙基苯乙烯、丁基苯乙烯、己基苯乙烯、環己基苯乙烯、癸基苯乙烯、苄基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、三氟甲基苯乙烯、乙氧基甲基苯乙烯、乙醯氧基甲基苯乙烯等的烷基苯乙烯；甲氧基苯乙烯、4-甲氧基-3-甲基苯乙烯、二甲氧基苯乙烯等的 烷氧基苯乙烯；氯苯乙烯、二氯苯乙烯、三氯苯乙烯、四氯苯乙烯、五氯苯乙烯、溴基苯乙烯、二溴基苯乙烯、碘基苯乙烯、氟苯乙烯、三氟苯乙烯、2-溴-4-三氟甲基苯乙烯、4-氟-3-三氟甲基苯乙烯等的鹵苯乙烯等。 　　[0074] 具有源自(甲基)丙烯酸之構成單位之聚合物中，源自(甲基)丙烯酸之構成單位之含量較佳為70莫耳%以上，又較佳為80莫耳%以上，特佳為90莫耳%以上，最佳為100莫耳%。亦即，以聚甲基丙烯酸、及聚丙烯酸為最佳。 　　[0075] (具有源自含有乙烯基之化合物之構成單位之聚合物) 　　具有源自含有乙烯基之化合物之構成單位之聚合物，可為含有乙烯基之化合物之均聚物，亦可為含有乙烯基之化合物與其他單體之共聚物。尚，(甲基)丙烯酸或其衍生物不包含至含有乙烯基之化合物之中。 　　[0076] 作為含有乙烯基之化合物之例子，可舉出N-乙烯基羧酸醯胺、乙烯醚類、乙烯酯類、及含有酸基之乙烯基化合物等。 　　[0077] 作為N-乙烯基羧酸醯胺之例子，可舉出N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基丙醯胺、N-乙烯基苯甲酸醯胺等。 　　[0078] 作為乙烯醚類之例子，可舉出己基乙烯醚、辛基乙烯醚、癸基乙烯醚、乙基己基乙烯醚、甲氧基乙基乙烯醚、乙氧基乙基乙烯醚、氯乙基乙烯醚、1-甲基-2,2-二甲基丙基乙烯醚、2-乙基丁基乙烯醚、羥基乙基乙烯醚、二乙二醇乙烯醚、二甲基胺基乙基乙烯醚、二乙基胺基乙基乙烯醚、丁基胺基乙基乙烯醚、苄基乙烯醚、四氫呋喃乙烯醚等的脂肪族乙烯醚；乙烯基苯基醚、乙烯基甲苯基醚、乙烯基氯苯基醚、乙烯基-2,4-二氯苯基醚、乙烯基萘基醚、乙烯基蒽基醚等的乙烯基芳基醚等。 　　[0079] 作為乙烯酯類之例子，可舉出乙烯基丁酸酯(vinyl butyrate)、乙烯基異丁酸酯、乙烯基三甲基乙酸酯(vinyl trimethylacetate)、乙烯基二乙基乙酸酯、乙烯基戊酸酯、乙烯基己酸酯、乙烯基氯乙酸酯、乙烯基二氯乙酸酯、乙烯基甲氧基乙酸酯、乙烯基丁氧基乙酸酯、乙烯基苯基乙酸酯、乙烯基乙醯乙酸酯、乳酸乙烯酯、乙烯基-β-苯基丁酸酯、苯甲酸乙烯酯、水楊酸乙烯酯、氯苯甲酸乙烯酯、四氯苯甲酸乙烯酯、萘甲酸乙烯酯等。 　　[0080] 作為含有酸基之乙烯基化合物之例子，可舉出乙烯基磺酸、及乙烯基膦酸等。 　　[0081] 上述含有乙烯基之化合物之中，就取得容易性、或對於成分(A)之耐性等之觀點而言，較佳為N-乙烯基羧酸醯胺、及含有酸基之乙烯基化合物，又較佳為N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基丙醯胺、乙烯基磺酸、及乙烯基膦酸，特佳為N-乙烯基乙醯胺、乙烯基磺酸、及乙烯基膦酸。 　　[0082] 作為可與含有乙烯基之化合物共聚合之單體之適合例子，可舉出(甲基)丙烯酸以外的不飽和羧酸、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯醯胺類、烯丙化合物、及苯乙烯類等。 　　關於該等的適合例子，如同前述。 　　尚，亦可將包含(甲基)丙烯酸、與含有乙烯基之化合物之單體之共聚物，作為成分(B)使用。 　　[0083] 具有源自含有乙烯基之化合物之構成單位之聚合物中，源自含有乙烯基之化合物之構成單位之含量較佳為70莫耳%以上，又較佳為80莫耳%以上，特佳為90莫耳%以上，最佳為100莫耳%。 　　作為具有源自含有乙烯基之化合物之構成單位之聚合物，特佳的聚合物方面可舉出聚(N-乙烯基乙醯胺)、聚乙烯基磺酸、及聚乙烯基膦酸。 　　雖然對於成分(A)之耐性為優異，但由於對於鹼性化合物(A1)之耐性為特別優異，故較佳為將聚(N-乙烯基乙醯胺)與鹼性化合物(A1)一起使用。 　　雖然對於成分(A)之耐性為優異，但由於對於酸性化合物(A2)之耐性為優異、或具有與鹼性化合物(A1)形成鹽之情形，故較佳為將聚乙烯基磺酸及聚乙烯基膦酸、與酸性化合物(A2)一起使用。 　　[0084] (多糖類) 　　作為多糖類，可舉出澱粉類、纖維素類、瓊脂醣、黃原膠、瓜爾膠、聚葡甘露糖、卡德蘭膠、卡拉膠、黃原膠、結冷膠、葡萄聚糖、刺槐豆膠、海藻酸類、及玻尿酸類等。 　　[0085] 以上說明的成分(B)之分子量未特別限定。成分(B)之分子量，例如以聚苯乙烯換算之質量平均分子量(Mw)較佳為5萬~200萬，又較佳為10萬~125萬。 　　[0086] 洗淨組成物中之成分(B)之含量，在不損及本發明之目的之範圍內未特別限定。成分(B)之使用量，相對於聚合物溶液之質量(成分(B)之質量與溶劑之質量之合計)，較佳為1~30質量%，又較佳為2~20質量%，特佳為3~15質量%。 　　[0087] ＜溶劑＞ 　　為了賦予洗淨組成物對於被處理層表面之適當之塗佈性，洗淨組成物較佳為包含溶劑。 　　尚，在使用洗淨組成物之溫度下，若鹼性化合物(A1)或酸性化合物(A2)為液狀時，具有可不使用溶劑來調製洗淨組成物之情形。 　　作為如此的溶劑，較佳為選自由水、及有機溶劑所成之群之至少1種。 　　[0088] 由於大多會參與被處理層之藉由成分(A)之分解的水解反應，或容易進行洗淨處理後之基板之洗淨等，故溶劑較佳為包含水，又較佳為水。若溶劑為含水溶劑時，溶劑中之水之含量較佳為50質量%以上，又較佳為70質量%以上，特佳為90質量%以上。 　　[0089] 可作為溶劑使用的有機溶劑之具體例方面，可舉出： 　　二甲基亞碸等的亞碸類； 　　二甲基碸、二乙基碸、雙(2-羥基乙基)碸、四亞甲基碸等的碸類； 　　N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺等的醯胺類； 　　N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N-丙基-2-吡咯啶酮、N-羥基甲基-2-吡咯啶酮、N-羥基乙基-2-吡咯啶酮等的內醯胺類； 　　1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,3-二乙基-2-咪唑啉酮、1,3-二異丙基-2-咪唑啉酮等的咪唑啉酮類； 　　乙二醇、丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、甘油、二乙二醇等的多元醇類； 　　二甲基甘醇、二甲基二甘醇、二甲基三甘醇、甲基乙基二甘醇、二乙甘醇、二乙基二甘醇、三乙二醇丁基甲基醚、四乙二醇二甲基醚等的二烷基甘醇醚類； 　　乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單-n-丙基醚、乙二醇單-n-丁基醚、乙二醇單烯丙基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單-n-丙基醚、二乙二醇單-n-丁基醚、二乙二醇單苄基醚、三乙二醇單甲基醚、三乙二醇單乙基醚、三乙二醇單-n-丙基醚、三乙二醇單-n-丁基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單-n-丙基醚、丙二醇單-n-丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單-n-丙基醚、二丙二醇單-n-丁基醚、三丙二醇單甲基醚、三丙二醇單乙基醚、三丙二醇單-n-丙基醚、三丙二醇單丁基-n-醚、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇等的(聚)伸烷基二醇單烷基醚類； 　　乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、二丙二醇單乙酸酯等的(聚)伸烷基二醇酯類； 　　乙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯等的(聚)伸烷基二醇單烷基醚乙酸酯類； 　　二甲基醚、二乙基醚、甲基乙基醚、二丙基醚、二異丙基醚、二丁基醚、二異戊基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二乙基醚、四氫呋喃等的其他醚類； 　　甲基乙基酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮等的酮類； 　　2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯等的乳酸烷基酯類；2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯、乙酸乙酯、乙酸-n-丙酯、乙酸-i-丙酯、乙酸-n-丁酯、乙酸-i-丁酯、甲酸-n-戊酯、乙酸-i-戊酯、丙酸-n-丁酯、丁酸乙酯、丁酸-n-丙酯、丁酸-i-丙酯、丁酸-n-丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸-n-丙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2-氧代丁酸乙酯等的其他酯類； 　　β-丙內酯、γ-丁內酯、δ-戊內酯等的內酯類； 　　n-己烷、n-庚烷、n-辛烷、n-壬烷、甲基辛烷、n-癸烷、n-十一烷、n-十二烷、2,2,4,6,6-五甲基庚烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、環己烷、甲基環己烷等的直鏈狀、支鏈狀、或環狀的脂肪族烴類； 　　苯、甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲基苯、萘等的芳香族烴類； 　　p-薄荷烷、二苯基薄荷烷、檸檬烯、萜品烯、莰烷、降莰烷、蒎烷等的萜烯類等。 　　[0090] ＜其他成分＞ 　　除了上述成分以外，在不損及本發明之目的之範圍內，洗淨組成物亦可包含各種的添加劑。作為如此的添加劑，可舉出抗氧化劑、紫外線吸收劑、界面活性劑、pH調整劑、及金屬防腐蝕劑等。 　　[0091] ＜洗淨組成物之製造方法＞ 　　可藉由將上述說明的各成分以所期望的量進行均勻混合來調製洗淨組成物。為了除去調製時的溶解殘留、或不溶性的雜質，因應所需亦可藉由過濾器來過濾洗淨組成物。 　　[0092] ≪洗淨方法≫ 　　上述說明的洗淨組成物係適合使用於以洗淨來進行被處理層之除去。 　　具體而言，洗淨方法係包含下述塗佈步驟之方法，所述塗佈步驟係將洗淨組成物適用於經層合至前述基板的指定的被處理層上以形成塗膜。 　　[0093] 作為將洗淨組成物塗佈至基板上的被處理層之方法之具體例，可舉出旋轉塗佈法、噴霧法、輥塗佈法等。就易於將洗淨組成物均勻地塗佈而言，作為塗佈方法較佳為旋轉塗佈法。又，亦可使洗淨組成物之液體隆起於被處理層之表面上以形成塗膜。 　　[0094] 如此般地，將由洗淨組成物所成之塗膜形成於被處理層上，藉此成分(A)會自塗膜中進行擴散，因而可將被處理層予以洗淨、除去。 　　[0095] 洗淨方法較佳具有將塗膜進行加熱之加熱步驟。亦即，形成於被處理層上的塗膜較佳為被加熱。藉此，可易於快速且良好地將被處理層洗淨、除去。 　　塗膜之典型加熱溫度較佳為100~250℃，又較佳為150~200℃。加熱時間未特別限定，但通常較佳為30~600秒鐘，又較佳為120~300秒鐘。 　　[0096] 又，洗淨方法較佳具有以成分(B)的玻璃轉移點以上、且成分(A)的沸點以上之溫度來將塗膜進行加熱之加熱步驟。 　　藉由如此的條件來加熱塗膜，可特別易於快速且良好地將被處理層洗淨、除去。 　　加熱時間通常較佳為30~600秒鐘，又較佳為120~ 300秒鐘。 　　[0097] 洗淨方法較佳具有供給淋洗液並將塗膜及被處理層自基板上除去之淋洗步驟。 　　進行塗膜之形成、與任意的塗膜之加熱後，藉由進行上述淋洗步驟，可得到塗膜及被處理層為被除去的清淨基板。 　　淋洗液之種類，只要是可得到所期望的洗淨效果即可，未特別限定。作為淋洗液，可使用例如水、或甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇等的醇類。 　　因應所需，淋洗液中亦可添加酸或鹼。作為酸或鹼，可使用作為洗淨組成物之成分而說明的鹼性化合物(A1)、或酸性化合物(A2)。 　　[0098] 藉由上述洗淨方法，使用半導體製造裝置中所搭載的塗佈機或烘烤爐(硬化爐)、洗淨腔室等非特別之裝置，可抑制基板或層間絕緣膜等的被處理層以外的其他層之損傷或形狀變化之同時，可良好地除去如硬遮罩膜般的被處理層，因此，上述洗淨方法可適合適用於半導體之製造方法，特別是包含雙重金屬鑲嵌法之半導體之製造方法。 [實施例] 　　[0099] 以下，藉由實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不被限定於該等之實施例。 　　[0100] [實施例1] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩膜(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含三氟甲磺酸50質量%、與聚丙烯酸(質量平均分子量25萬)6.25質量%的水溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以180℃下加熱150秒鐘。加熱後，利用弱鹼性的水-水溶性醚混合液進行淋洗後，進一步進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，可良好地除去碳硬遮罩膜、且基板的膜厚幾乎沒有減少。 　　[0101] [實施例2] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩膜(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含四甲基氫氧化銨6.25質量%、與聚(N-乙烯基乙醯胺)(質量平均分子量120萬)1質量%的水溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以200℃下加熱300秒鐘。加熱後，進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，可良好地除去碳硬遮罩膜、且基板的膜厚幾乎沒有減少。 　　[0102] [實施例3] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩膜(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含四甲基氫氧化銨6.25質量%、氫氧化鉀200質量ppm、與聚(N-乙烯基乙醯胺)(質量平均分子量120萬)1質量%的水溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以120℃、或140℃下加熱300秒鐘。加熱後，進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，即使是以120℃下進行加熱之情形、或以140℃下進行加熱之情形，皆可良好地除去碳硬遮罩膜、且基板的膜厚幾乎沒有減少。 　　[0103] [實施例4] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含三氟甲磺酸50質量%、與聚乙烯基磺酸(質量平均分子量10萬)10質量%的水溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以180℃下加熱150秒鐘。加熱後，利用弱鹼性的水-水溶性醚混合液進行淋洗後，進一步進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，可良好地除去碳硬遮罩。 　　[0104] [實施例5] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含三氟甲磺酸50質量%、與聚乙烯基膦酸(質量平均分子量20萬)10質量%的水溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以180℃下加熱150秒鐘。加熱後，利用弱鹼性的水-水溶性醚混合液進行淋洗後，進一步進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，碳硬遮罩為良好地除去。 　　[0105] [實施例6] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含三氟甲磺酸50質量%、與交聯型聚丙烯酸(質量平均分子量20萬)5質量%的水溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以180℃下加熱150秒鐘。加熱後，利用弱鹼性的水-水溶性醚混合液進行淋洗後，進一步進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，可良好地除去碳硬遮罩。 　　[0106] [實施例7] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含五氟乙磺酸52.5質量%、與聚丙烯酸(質量平均分子量25萬)6.25質量%的水溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以180℃下加熱150秒鐘。加熱後，利用弱鹼性的水-水溶性醚混合液進行淋洗後，進一步進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，可良好地除去碳硬遮罩。 　　[0107] [實施例8] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含九氟丁磺酸55質量%、與聚丙烯酸(質量平均分子量25萬)6.25質量%的水溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以180℃下加熱150秒鐘。加熱後，利用弱鹼性的水-水溶性醚混合液進行淋洗後，進一步進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，可良好地除去碳硬遮罩。 　　[0108] [實施例9] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含硝酸17.5質量%、與聚丙烯酸(質量平均分子量25萬)12.5質量%的水溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以180℃下加熱300秒鐘。加熱後，利用弱鹼性的水-水溶性醚混合液進行淋洗後，進一步進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，可良好地除去碳硬遮罩。 　　[0109] [比較例1] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩膜(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含九氟丁磺酸50質量%的DMF溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以180℃下加熱120秒鐘。加熱後，利用強鹼性水-DMSO混合溶液進行淋洗後，進一步進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，可良好地除去碳硬遮罩。 　　[0110] [比較例2] 　　於矽基板上形成含有包含酯鍵、醚鍵與氟元素的聚合物之碳硬遮罩(膜厚80nm)，於該碳硬遮罩膜上塗佈包含三氟乙酸50質量%的DMF溶液之洗淨組成物。 　　塗佈後，將塗膜以180℃下加熱120秒鐘。加熱後，利用強鹼性水-DMSO混合溶液進行淋洗後，進一步進行水淋洗。 　　將水淋洗後的基板表面進行顯微鏡觀察時，可良好地除去碳硬遮罩。

Claims (20)

  1. 一種洗淨組成物，其係用來洗淨形成於基板上的被處理層之洗淨組成物，其包含可分解前述被處理層的成分(A)，及膜形成性聚合物(B)。
  2. 如請求項1之洗淨組成物，其中，前述被處理層為硬遮罩膜。
  3. 如請求項2之洗淨組成物，其中，前述硬遮罩膜為碳硬遮罩膜。
  4. 如請求項2之洗淨組成物，其中，前述硬遮罩膜包含具有醚鍵之聚合物。
  5. 如請求項2之洗淨組成物，其中，前述硬遮罩膜包含氟元素。
  6. 如請求項1~5中任一項之洗淨組成物，其中，前述成分(A)係選自由鹼性化合物(A1)及酸性化合物(A2)所成之群之至少1種。
  7. 如請求項6之洗淨組成物，其中，前述鹼性化合物(A1)係選自由第四級銨鹽及無機鹼所成之群之至少1種。
  8. 如請求項6之洗淨組成物，其中，前述鹼性化合物(A1)係選自由四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨(TPAH)、氫氧化鉀，及氫氧化鈉所成之群之至少1種。
  9. 如請求項6之洗淨組成物，其中，前述酸性化合物(A2)為路易斯酸。
  10. 如請求項9之洗淨組成物，其中，前述路易斯酸為氟化烷基磺酸。
  11. 如請求項10之洗淨組成物，其中，前述氟化烷基磺酸係選自由三氟甲磺酸、五氟乙磺酸、七氟丙磺酸，及九氟丁磺酸所成之群之至少1種。
  12. 如請求項1之洗淨組成物，其中，前述膜形成性聚合物(B)係對於前述成分(A)為具有耐性之膜形成性聚合物。
  13. 如請求項1之洗淨組成物，其中，前述膜形成性聚合物(B)係選自由具有源自(甲基)丙烯酸之構成單位之聚合物、具有源自含有乙烯基之化合物之構成單位之聚合物，及多糖類所成之群之至少1種。
  14. 如請求項1之洗淨組成物，其中，進一步包含溶劑。
  15. 如請求項14之洗淨組成物，其中，前述溶劑係選自由水及有機溶劑所成之群之至少1種。
  16. 一種洗淨方法，其係包含將請求項1之洗淨組成物適用於經層合至基板的被處理層上以形成塗膜之塗佈步驟。
  17. 如請求項16之洗淨方法，其中，進一步具有將前述塗膜進行加熱之加熱步驟。
  18. 如請求項16之洗淨方法，其中，進一步具有以前述膜形成性聚合物(B)的玻璃轉移點以上且前述成分(A)的沸點以上之溫度來將前述塗膜進行加熱之加熱步驟。
  19. 如請求項16~18中任一項之洗淨方法，其中，進一步具有將淋洗液供給至前述基板，將前述塗膜及前述被處理層自前述基板上除去之淋洗步驟。
  20. 一種半導體之製造方法，其係使用請求項16之洗淨方法。
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