TW201827514A - 硬化性樹脂組合物及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

硬化性樹脂組合物及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201827514A
TW201827514A TW106134306A TW106134306A TW201827514A TW 201827514 A TW201827514 A TW 201827514A TW 106134306 A TW106134306 A TW 106134306A TW 106134306 A TW106134306 A TW 106134306A TW 201827514 A TW201827514 A TW 201827514A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin composition
curable resin
semiconductor wafer
layer
semiconductor device
Prior art date
Application number
TW106134306A
Other languages
English (en)
Inventor
熊倉博之
Original Assignee
日商迪睿合股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪睿合股份有限公司 filed Critical 日商迪睿合股份有限公司
Publication of TW201827514A publication Critical patent/TW201827514A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Ink Jet (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本發明提供一種可提高半導體裝置之可靠性之硬化性樹脂組合物。 本發明之硬化性樹脂組合物係藉由噴墨方式塗佈且能夠進行光硬化及熱硬化者，包含(a)陽離子聚合性單體、(b)光陽離子聚合起始劑、及(c)室溫下為液狀之丙烯腈共聚物，且25℃黏度為10 mPa・s以上且100 mPa・s以下。

Description

硬化性樹脂組合物及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種藉由噴墨方式塗佈且能夠光硬化及熱硬化之硬化性樹脂組合物、及使用其之半導體裝置之製造方法。
已知於基板上經由硬化性樹脂組合物層而積層有單個或複數個半導體晶片之半導體裝置。該半導體裝置係藉由於在半導體晶片之下表面積層有硬化性樹脂組合物層之狀態下使該硬化性樹脂組合物層硬化而製造。 作為上述半導體裝置之製造方法，有如下方法：藉由分注器或網版印刷將膏狀之硬化性樹脂組合物(晶粒黏著膏(DAP))塗佈於基板或半導體晶片上，形成硬化性樹脂組合物層後，於其上積層半導體晶片，使硬化性樹脂組合物層硬化。然而，該使用DAP之製造方法存在如下問題：由於工站時間較長，或不易以均一之厚度塗佈硬化性樹脂組合物，故而連接部之厚度精度較低。 因此，為了縮短工站時間及提高連接部之厚度精度，於專利文獻1、2中提出有藉由噴墨裝置塗佈硬化性樹脂組合物之方法作為使用DAP之製造方法。具體而言，提出有如下半導體裝置之製造方法，其包括：將能夠光硬化及熱硬化之硬化性樹脂組合物自噴墨裝置噴出而形成硬化性樹脂組合物層，使其光硬化而形成B階段化層之步驟；及於其上積層半導體晶片而使B階段化層熱硬化之步驟。 又，於專利文獻1、2中揭示有如下情況：作為噴墨用之硬化性樹脂組合物，使用包含硬化性化合物、光聚合起始劑、及熱硬化劑者，且作為上述硬化性化合物，使用包含自由基聚合性單體等光硬化性化合物、與環氧化合物及氧雜環丁烷化合物等熱硬化性化合物者。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利特開2014-220372號公報 [專利文獻2] 日本專利特開2014-237814號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，專利文獻1、2所揭示之硬化性樹脂組合物有未獲得較高之接合強度，而半導體裝置之可靠性降低之虞。可靠性中尤其是耐回流焊性降低，而有於後續步驟中產生剝離之虞。 本發明之目的在於提供一種可提高半導體裝置之可靠性之硬化性樹脂組合物、及使用其之半導體裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述課題，第1發明係一種硬化性樹脂組合物，其係藉由噴墨方式塗佈且能夠進行光硬化及熱硬化者；且包含以下之成分(a)～(c)： (a)陽離子聚合性單體； (b)光陽離子聚合起始劑；及 (c)室溫下為液狀之丙烯腈共聚物；且 25℃黏度為10 mPa・s以上且100 mPa・s以下。 第2發明係一種半導體裝置之製造方法，其係藉由樹脂硬化物層將第1半導體晶片與配線基板或第2半導體晶片固著者；該製造方法包括以下之步驟(A)～(D)： (A)將具有光硬化性及熱硬化性且25℃下之黏度為10 mPa・s以上且100 mPa・s以下之硬化性樹脂組合物自噴墨式噴嘴噴出至配線基板或第2半導體晶片之電極形成面，而形成硬化性樹脂組合物層； (B)對硬化性樹脂組合物層照射光，而形成經B階段化之半硬化樹脂層； (C)於半硬化樹脂層上按壓第1半導體晶片之電極形成面，而將第1半導體晶片與配線基板或第2半導體晶片積層；及 (D)對半硬化樹脂層進行加熱處理，而形成樹脂硬化物層；且 硬化性樹脂組合物包含以下之成分(a)～(c)： (a)陽離子聚合性單體； (b)光陽離子聚合起始劑；及 (c)室溫下為液狀之丙烯腈共聚物。 [發明之效果] 根據本發明，硬化性樹脂組合物包含(a)陽離子聚合性單體、(b)光陽離子聚合起始劑及(c)室溫下為液狀之丙烯腈共聚物，因此可更為提高第1半導體晶片與配線基板或第2半導體晶片之間之接合強度，而提高半導體裝置之可靠性。
＜第1實施形態＞ [半導體裝置之構成] 首先，參照圖1，對藉由本發明之第1實施形態之半導體裝置之製造方法所獲得的半導體裝置10之構成進行說明。該半導體裝置10包括：配線基板11、及藉由樹脂硬化物層12固著於配線基板11上之半導體晶片13。半導體晶片13係藉由接合線13a而與配線基板11電性連接。亦可藉由未圖示之密封樹脂將設置於配線基板11上之樹脂硬化物層12、半導體晶片13及接合線13a密封。 [硬化性樹脂組合物之組成] 樹脂硬化物層12係藉由使本發明之第1實施形態之硬化性樹脂組合物硬化而形成。該硬化性樹脂組合物係藉由噴墨方式塗佈且能夠進行光硬化及熱硬化，包含以下之成分(a)～(c)。硬化性樹脂組合物除上述成分(a)～(c)以外，亦可進而含有以下之成分(d)。 ＜成分(a)＞ 成分(a)係陽離子聚合性單體。就提高硬化性樹脂組合物之硬化速度之觀點而言，該單體較佳為脂環式環氧化合物。脂環式環氧化合物較佳為單官能或二官能者。其原因在於：三官能以上之脂環式環氧化合物有硬化性樹脂組合物之黏度變得過高而塗佈性變差之虞。可單獨地使用單官能之脂環式環氧化合物或二官能之脂環式環氧化合物，亦可將單官能之脂環式環氧化合物與二官能之脂環式環氧化合物組合而使用。 作為單官能之脂環式環氧化合物，例如可列舉：1,2-環氧-4-乙烯基環己烷(Daicel股份有限公司製造，Celloxide 2000)、4-乙烯基環氧環己烷、環氧六氫鄰苯二甲酸二辛酯、環氧六氫鄰苯二甲酸二-2-乙基己酯等。該等可單獨使用，亦可將複數種組合而使用。作為二官能之脂環式環氧化合物，例如可列舉：(3,3',4,4'-二環氧)聯環己烷(Daicel股份有限公司製造，Celloxide 8000)、3,4-環氧環己烷羧酸3,4-環氧環己基甲酯(Daicel股份有限公司製造，Celloxide 2021P)、3,4-環氧環己烷羧酸3,4-環氧環己基辛酯、2-(3,4-環氧環己基-5,5-螺-3,4-環氧)環己烷-間-二㗁烷、己二酸雙(3,4-環氧環己基甲基)酯、二氧化乙烯基環己烯、己二酸雙(3,4-環氧-6-甲基環己基甲基)酯、3,4-環氧-6-甲基環己烷羧酸3,4-環氧-6-甲基環己酯、亞甲基雙(3,4-環氧環己烷)、二環戊二烯二環氧化物、乙二醇二(3,4-環氧環己基甲基)醚、伸乙基雙(3,4-環氧環己烷羧酸酯)、1,2,8,9-二環氧檸檬烯等。該等可單獨使用，亦可將複數種組合而使用。 ＜成分(b)＞ 成分(b)係光陽離子聚合起始劑。光陽離子聚合起始劑較佳為硼酸鋶錯合物。於使用UV-LED(Ultraviolet-Light Emitting Diode，紫外線發光二極體)作為光源之情形時，硼酸鋶錯合物較佳為以下之式(1)所表示之三(4-(4-乙醯基苯基)噻吩基)鋶四(五氟苯基)硼酸鹽。 [化1]硼酸鋶錯合物等光陽離子聚合起始劑係於UV光之照射後發揮作為熱硬化劑之作用。因此，即便不向硬化性樹脂組合物添加成分(d)之熱陽離子聚合起始劑，亦可使藉由UV光之照射而半硬化之硬化性樹脂組合物熱硬化。 ＜成分(c)＞ 成分(c)係室溫下為液狀之丙烯腈共聚物。丙烯腈共聚物例如為以下之式(4)所表示之丙烯腈-丁二烯橡膠(NBR)、使其改性所獲得者、及CTBN(Carboxyl-terminated butadiene acrylontrile，末端為羧基之丁二烯-丙烯腈)改性環氧樹脂等之至少1種。 [化2]丙烯腈共聚物之丙烯腈部分表現出弱鹼性，因此若添加於陽離子聚合硬化系中，則會於硬化反應時引起較弱之硬化阻礙。該硬化阻礙於利用UV光之B階段化時，抑制由UV照射後之暗反應引起之硬化進行。因此，變得能夠控制半硬化樹脂層之表面觸黏性。再者，關於半硬化樹脂層，於下述之“半導體裝置之製造方法”中進行說明。 較佳為相對於陽離子聚合性單體100質量份，添加0.5質量份以上且25質量份以下之丙烯腈共聚物。若丙烯腈共聚物未達0.5質量份，則有於UV光照射後半硬化樹脂層之硬化進行，而半硬化樹脂層之表面觸黏感降低之虞。另一方面，若丙烯腈共聚物超過25質量份，則有硬化阻礙過強而UV光照射後之硬化未充分地進行，而無法實現均一之晶片搭載之虞。又，亦有25℃下之硬化性樹脂組合物之黏度變得過高而噴墨之塗佈性變差之虞。 丙烯腈共聚物中之丙烯腈量較佳為於1分子中為10莫耳%以上且30莫耳%以下。若丙烯腈量於1分子中未達10莫耳%，則有於UV光照射後半硬化樹脂層之硬化進行，而半硬化樹脂層之表面觸黏感降低之虞。另一方面，若丙烯腈量於1分子中超過30莫耳%，則有硬化阻礙過強而UV光照射後之硬化未充分地進行，而無法實現均一之晶片搭載之虞。又，亦有25℃下之硬化性樹脂組合物之黏度變得過高而噴墨之塗佈性變差之虞。 ＜成分(d)＞ 成分(d)係熱陽離子聚合起始劑。如上所述，成分(d)並非必須成分，但就使硬化性樹脂組合物更確實地熱硬化之觀點而言，較佳為硬化性樹脂組合物包含成分(d)。但是，就硬化性樹脂組合物之保存穩定性之觀點而言，較佳為硬化性樹脂組合物不包含成分(d)。熱陽離子聚合起始劑較佳為硼酸鋶錯合物。硼酸鋶錯合物較佳為以下之式(2)所表示之三烯丙基鋶四(五氟苯基)硼酸鹽、及以下之式(3)所表示之(4-羥基苯基)二甲基鋶四(五氟苯基)硼酸鹽之至少1種。 [化3](其中，式(2)中，R1為芳烷基，R2為低吸烷基，R3為氫原子或低吸烷氧基羰基。X為鹵素原子，n為1～3之整數)。 [化4]＜其他成分＞ 硬化性樹脂組合物亦可視需要，包含偶合劑等接著助劑、導電性粒子、顏料、染料、調平劑、消泡劑、及聚合抑制劑等中之至少1種。 [半導體裝置之製造方法] 繼而，對本發明之第1實施形態之半導體裝置之製造方法進行說明。該半導體裝置之製造方法係藉由樹脂硬化物層12將半導體晶片13與配線基板11固著者，該製造方法包括以下之步驟(A1)～(D1)。 (步驟(A1)) 將上述硬化性樹脂組合物自噴墨式噴嘴噴出至配線基板11之電極形成面，而形成硬化性樹脂組合物層。上述硬化性樹脂組合物於25℃下具有10 mPa・s以上且100 mPa・s以下之範圍之黏度。若25℃下之黏度為上述範圍外，則利用噴墨裝置之硬化性樹脂組合物之塗佈性降低。 (步驟(B1)) 繼而，對硬化性樹脂組合物層照射光，而形成經B階段化之半硬化樹脂層。此處，所謂B階段化，係指膜黏度為1000 Pa・s以上且15000 Pa・s以下之範圍內之狀態。藉由使半硬化樹脂層處於B階段化狀態，可獲得良好之表面觸黏感，因此可實現均一之晶片搭載，而提高晶片剪切強度(使配線基板11與半導體晶片13斷裂之強度)。 (步驟(C1)) 繼而，於半硬化樹脂層上按壓半導體晶片13之電極形成面，而將半導體晶片13與配線基板11積層，從而形成將半導體晶片13與配線基板11電性連接之積層體。 (步驟(D1)) 繼而，對積層體之半硬化樹脂層進行加熱處理，而形成樹脂硬化物層12。繼而，藉由接合線13a將半導體晶片13與配線基板11電性連接。 [效果] 第1實施形態之硬化性樹脂組合物包含作為成分(a)之陽離子聚合性單體、作為成分(b)之光陽離子聚合起始劑、及作為成分(c)之丙烯腈共聚物。藉由將該硬化性樹脂組合物應用於包括上述步驟(A1)～(D1)之半導體之製造方法，可提高半導體晶片13與配線基板11之接合強度。因此，可提高半導體裝置之可靠性。又，可縮短工站時間，而有效率地製造半導體裝置。進而，亦可提高半導體裝置之連接部之厚度精度。 ＜第2實施形態＞ [半導體裝置之構成] 首先，參照圖2，對藉由本發明之第2實施形態之半導體裝置之製造方法所獲得的半導體裝置10A之構成進行說明。該半導體裝置10A進而包括藉由樹脂硬化物層14而固著於半導體晶片13上之半導體晶片15。再者，於第2實施形態中，對於與第1實施形態相同之部位而言，附上相同之符號而省略說明。 半導體晶片15係藉由接合線15a而與配線基板11電性連接。亦可藉由未圖示之密封樹脂將設置於配線基板11上之樹脂硬化物層12、14、半導體晶片13、15及接合線13a、15a密封。 [半導體裝置之製造方法] 繼而，對本發明之第2實施形態之半導體裝置之製造方法進行說明。該半導體裝置之製造方法係藉由樹脂硬化物層12將半導體晶片13與配線基板11固著，且藉由樹脂硬化物層14將半導體晶片15與半導體晶片13固著者，該製造方法除第1實施形態之步驟(A1)～(D1)以外，亦進而包括以下之步驟(A2)～(D2)。 (步驟(A2)) 於上述步驟(A1)～(D1)後，將硬化性樹脂組合物自噴墨式噴嘴噴出至半導體晶片13之電極形成面，而形成硬化性樹脂組合物層。硬化性樹脂組合物係與第1實施形態之硬化性樹脂組合物相同。 (步驟(B2)) 繼而，對硬化性樹脂組合物層照射光，而形成經B階段化之半硬化樹脂層。此處，所謂B階段化，係指膜黏度為1000 Pa・s以上且15000 Pa・s以下之範圍內之狀態。藉由使半硬化樹脂層處於B階段化狀態，可獲得良好之表面觸黏感，因此可實現均一之晶片搭載，而提高晶片剪切強度(使半導體晶片13、15斷裂之強度)。 (步驟(C2)) 繼而，於半硬化樹脂層上按壓半導體晶片15之電極形成面，而將半導體晶片13、15積層，從而形成將半導體晶片13、15電性連接之積層體。 (步驟(D2)) 繼而，對積層體之半硬化樹脂層進行加熱處理，而形成樹脂硬化物層14。繼而，藉由接合線15a將半導體晶片15與配線基板11電性連接。 [效果] 關於第2實施形態之半導體裝置之製造方法，藉由將硬化性樹脂組合物應用於包括上述步驟(A1)～(D1)及步驟(A2)～(D2)之半導體之製造方法，可更為提高半導體晶片13與配線基板11之間、及半導體晶片13與半導體晶片15之間之接合強度，而提高半導體裝置10A之可靠性。 [變化例] 於上述之第2實施形態中，以於配線基板11上積層有2個半導體晶片13、15之構成為例進行了說明，但亦可設為於配線基板上積層有3個以上之複數個半導體晶片之構成。於該情形時，於各半導體晶片之間設置有樹脂硬化物層。該樹脂硬化物層係以與上述第2實施形態中之樹脂硬化物層14相同之方式形成。 [實施例] 以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明，但本發明並不僅限定於該等實施例。 於表1中表示本實施例及比較例中所使用之材料。 [表1] [實施例1～10、比較例1～3] (步驟(A1)) 首先，以成為表2、表3所示之調配之方式稱量各材料並放入至聚乙烯容器中，利用自轉公轉攪拌器均一地混合後，利用5 μm過濾器進行過濾，藉此製備硬化性樹脂組合物(接著劑)。繼而，以於FR4玻璃環氧基板(厚度1 mm)上之供放置半導體晶片之位置成為10×10 mm之大小的方式使用噴墨裝置(加溫至50℃，使用TOSHIBA TEC公司製造之噴頭，於最靠近噴頭處設置UV-LED(365 nm)光源)，將硬化性樹脂組合物塗佈為厚度20 μm，而形成硬化性樹脂組合物層。 (步驟(B1)) 繼而，以如表2、表3所示般累計光量成為50～3000 mJ/cm2 之範圍之方式對剛塗佈後之硬化性樹脂組合物層照射UV-LED光，而進行光硬化，藉此形成經B階段化之半硬化樹脂層。 (步驟(C1)) 繼而，使用黏晶裝置，於半硬化樹脂層上積層視作半導體晶片(3.3×3.3 mm，厚度0.4 mm)之矽裸晶片，而獲得積層體。 (步驟(D1)) 繼而，將所獲得之積層體放入至160℃之烘箱內1小時，使B階段化之半硬化樹脂層熱硬化，藉此形成樹脂硬化物層。藉由以上步驟，而製作目標之半導體裝置(積層構造體)。 [評價] 對實施例1～10、比較例1～3中所製備之硬化性樹脂組合物及所製作之半導體裝置進行以下的評價。 (黏度) 利用流變計(HAAKE公司製造)對25℃下之硬化性樹脂組合物之初期黏度、及50℃加熱時之硬化性樹脂組合物之黏度進行測定。作為轉子，使用C35/1，並於剪切率100(1/s)之條件下進行黏度測定。 (加熱後之黏度穩定性) 以下述方式判定硬化性樹脂組合物之加熱後之黏度穩定性。首先，使用流變計(HAAKE公司製造)對硬化性樹脂組合物之25℃之初期黏度進行測定。繼而，將硬化性樹脂組合物放置於50℃烘箱內24 h後，使用流變計(HAAKE公司製造)再次測定黏度。繼而，基於加熱前後之測定黏度，以下述基準判定加熱後之黏度穩定性。再者，作為轉子，使用C35/1，並於剪切率100(1/s)之條件下進行黏度測定。 ○：加熱後之黏度未達初期黏度之1.1倍 △：加熱後之黏度為初期黏度之1.1倍以上且未達1.5倍 ×：加熱後之黏度為初期黏度之1.5倍以上 (噴墨裝置之塗佈性) 利用TOSHIBA TEC公司製造之噴頭(即需即印壓電方式，636ch噴頭，300 dpi)噴出硬化性樹脂組合物而形成硬化性樹脂組合物層後，觀察硬化性樹脂組合物層之表面狀態，以下述基準判定噴墨裝置之塗佈性(噴出穩定性)。 ○：無塗佈不均或缺陷，為均一之表面狀態 △：塗膜之一部分存在不均或缺陷 ×：塗膜之整面存在不均或缺陷 (經B階段化之半硬化樹脂層之膜黏度) 使用流變計MARS(HAAKE公司製造)，以下述方式模擬性地測定B階段化之半硬化樹脂層之膜黏度。首先，將f 8 mm直徑之測定感測器PP8與平板TMP8安裝於流變計中並進行歸零調整。繼而，取下平板，利用點滴器將1滴之實施例1、9、10、比較例1～3中所使用之硬化性樹脂組合物滴下至平板上的測定部分上。繼而，對所滴下之硬化性樹脂組合物照射與實施例1、9、10、比較例1～3中所照射者相同累計光量之UV-LED光，藉此形成經B階段化之半硬化樹脂層。繼而，將形成有半硬化樹脂層之平板安裝於流變計中，於間隙0.2 mm、溫度25℃、振盪模式(壓力1000 Pa、頻率1Hz)之條件下測定半硬化樹脂層之黏度。再者，關於比較例1、3中所使用之硬化性樹脂組合物，由於因UV-LED光之照射而硬化性樹脂組合物硬化，故而無法測定膜黏度。 (UV硬化後之B階段化狀態) 對利用噴墨裝置所塗佈之硬化性樹脂組合物照射UV-LED光後，以下述基準判定其表面狀態。 ●：表面無觸黏感，矽裸晶片之貼附困難 ○：有可貼附矽裸晶片之程度之觸黏感 △：存在黏液成分(低黏度成分)，若貼附矽裸晶片，則硬化組成物層流動 ×：幾乎未硬化 (晶片剪切強度/初期) 藉由晶片剪切強度測試機4000(DAGE公司製造)，於室溫下測定所製作之半導體裝置之初期之晶片剪切強度。對5個半導體裝置實施該測定，而求出晶片剪切強度之平均值。 (耐回流焊性(晶片剪切強度/回流焊後)) 以下述方式判定半導體裝置之耐回流焊性。藉由晶片剪切強度測試機4000(DAGE公司製造)，於室溫下測定所製作之半導體裝置之初期之晶片剪切強度。又，將所製作之半導體裝置通過IR回流焊爐(Max260℃)3次後，藉由晶片剪切強度測試機4000(DAGE公司製造)再次測定晶片剪切強度。基於以上述方式測得之回流焊試驗前後之晶片剪切強度，以下述基準判定耐回流焊性。 ○：回流焊處理後之晶片剪切強度為初期之晶片剪切強度之90%以上 △：回流焊處理後之晶片剪切強度為初期之晶片剪切強度之70%以上且未達90% ×：回流焊處理後之晶片剪切強度未達初期之晶片剪切強度之70% 表2、表3係表示實施例1～10、比較例1～3之硬化性樹脂組合物之調配及評價結果。 [表2] [表3] 根據上述評價可知以下情況。 於適度地含有丙烯腈共聚物之實施例1～10中，於UV照射後可能殘留適度之表面觸黏性，而晶片搭載變得良好，從而初期及回流焊後之晶片剪切強度變高。又，可獲得膜黏度穩定且能夠噴墨塗佈之低黏度之硬化性樹脂組合物。 於不包含丙烯腈共聚物之比較例1、及添加有不包含丙烯腈之共聚物之比較例3中，於UV照射後硬化進行，而表面觸黏性消失，從而無法實現均一之晶片搭載，且晶片剪切強度亦變低。於丙烯腈共聚物之添加量過多之比較例2中，硬化阻礙過強而UV照射後之硬化未充分地進行，而無法實現均一之晶片搭載。又，硬化性樹脂組合物之黏度變高，且噴墨塗佈性亦變差。 以上，對本發明之實施形態及實施例具體地進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態及實施例，能夠基於本發明之技術思想而進行各種變化。 例如，上述實施形態及實施例中所列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只不過為例，亦可視需要，使用與上述不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。 又，上述實施形態及實施例之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只要不脫離本發明之主旨，則能夠相互地組合。
10、10A‧‧‧半導體裝置
11‧‧‧配線基板
12、14‧‧‧樹脂硬化物層
13、15‧‧‧半導體晶片
13a、15a‧‧‧接合線
圖1係表示藉由本發明之第1實施形態之半導體裝置之製造方法所獲得的半導體裝置之構成之剖視圖。 圖2係表示藉由本發明之第2實施形態之半導體裝置之製造方法所獲得的半導體裝置之構成之剖視圖。

Claims (10)

  1. 一種硬化性樹脂組合物，其係藉由噴墨方式塗佈且能夠進行光硬化及熱硬化者；包含以下之成分(a)～(c)： (a)陽離子聚合性單體； (b)光陽離子聚合起始劑；及 (c)室溫下為液狀之丙烯腈共聚物；且 25℃黏度為10 mPa・s以上且100 mPa・s以下。
  2. 如請求項1之硬化性樹脂組合物，其進而包含以下之成分(d)： (d)熱陽離子聚合起始劑。
  3. 如請求項1或2之硬化性樹脂組合物，其中上述陽離子聚合性單體為脂環式環氧化合物。
  4. 如請求項1至3中任一項之硬化性樹脂組合物，其中上述光陽離子聚合起始劑為硼酸鋶錯合物。
  5. 如請求項4之硬化性樹脂組合物，其中上述硼酸鋶錯合物為以下之式(1)所表示之三(4-(4-乙醯基苯基)噻吩基)鋶四(五氟苯基)硼酸鹽， [化1]。
  6. 如請求項2之硬化性樹脂組合物，其中上述熱陽離子聚合起始劑為硼酸鋶錯合物。
  7. 如請求項6之硬化性樹脂組合物，其中上述硼酸鋶錯合物為以下之式(2)所表示之三烯丙基鋶四(五氟苯基)硼酸鹽、及以下之式(3)所表示之(4-羥基苯基)二甲基鋶四(五氟苯基)硼酸鹽之至少1種， [化2](其中，式(2)中，R1為芳烷基，R2為低吸烷基，R3為氫原子或低吸烷氧基羰基；X為鹵素原子，n為1～3之整數) [化3]。
  8. 如請求項1至7中任一項之硬化性樹脂組合物，其中相對於上述陽離子聚合性單體100質量份，添加有0.5質量份以上且25質量份以下之上述丙烯腈共聚物。
  9. 如請求項1至8中任一項之硬化性樹脂組合物，其中上述丙烯腈共聚物中之丙烯腈量於1分子中為10莫耳%以上且30莫耳%以下。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，其係藉由樹脂硬化物層將第1半導體晶片與配線基板或第2半導體晶片固著者；包括以下之步驟(A)～(D)： (A)將具有光硬化性及熱硬化性且25℃下之黏度為10 mPa・s以上且100 mPa・s以下之硬化性樹脂組合物自噴墨式噴嘴噴出至上述配線基板或第2半導體晶片之電極形成面，形成硬化性樹脂組合物層； (B)對上述硬化性樹脂組合物層照射光而形成經B階段化之半硬化樹脂層； (C)於上述半硬化樹脂層上按壓上述第1半導體晶片之電極形成面而將上述第1半導體晶片與上述配線基板或第2半導體晶片積層；及 (D)對上述半硬化樹脂層進行加熱處理而形成樹脂硬化物層；且 上述硬化性樹脂組合物包含以下之成分(a)～(c)： (a)陽離子聚合性單體； (b)光陽離子聚合起始劑；及 (c)室溫下為液狀之丙烯腈共聚物。
TW106134306A 2016-10-21 2017-10-05 硬化性樹脂組合物及半導體裝置之製造方法 TW201827514A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016206689A JP2018065957A (ja) 2016-10-21 2016-10-21 硬化性樹脂組成物、および半導体装置の製造方法
JP??2016-206689 2016-10-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201827514A true TW201827514A (zh) 2018-08-01

Family

ID=62085771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106134306A TW201827514A (zh) 2016-10-21 2017-10-05 硬化性樹脂組合物及半導體裝置之製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (2) JP2018065957A (zh)
TW (1) TW201827514A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111869093B (zh) 2018-03-29 2024-08-27 日本精工株式会社 电动机控制装置以及电动机控制装置的故障检测方法
WO2023242807A1 (en) 2022-06-17 2023-12-21 Ricoh Company, Ltd. Curable composition for forming adhesive structure, adhesive structure, method of manufacturing adhesive structure, and semiconductor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2028259A1 (en) * 1989-11-20 1991-05-21 Stefan Weigl Tacky photopolymerizable adhesive compositions
JP2004099649A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Konica Minolta Holdings Inc 活性光線硬化型インクジェット用非水系インク組成物とその製造方法及びインクジェット記録方法
JP2008037879A (ja) 2006-08-01 2008-02-21 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 活性光線硬化型組成物、接着剤、印刷用インク及びインクジェット用インク
KR101392442B1 (ko) * 2008-01-11 2014-05-07 도레이첨단소재 주식회사 전자부품용 액상 접착제 및 이를 이용하여 리드프레임에 도포하는 방법
JP5830883B2 (ja) * 2011-03-08 2015-12-09 日立化成株式会社 半導体用接着剤組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5630334B2 (ja) * 2011-03-08 2014-11-26 日立化成株式会社 半導体用接着剤組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018065957A (ja) 2018-04-26
JP2022125142A (ja) 2022-08-26
JP7392925B2 (ja) 2023-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5201347B2 (ja) 有機ｅｌ素子封止用光硬化性樹脂組成物
JP7392925B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5651421B2 (ja) 封止用組成物及びそれを用いた封止用シート
CN102640564A (zh) 有机el元件密封部件
JP3982499B2 (ja) 活性エネルギー線硬化型樹脂組成物およびその硬化物
JP5278457B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、それを用いたダイアタッチ方法及び該組成物の硬化物を有する半導体装置
CN111788250B (zh) 密封剂
JP6672837B2 (ja) 異方導電性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接続構造体及び半導体装置
KR101148051B1 (ko) 에폭시 수지 조성물
JP5101931B2 (ja) 熱硬化型接着シート
JP2017105883A (ja) 液状樹脂組成物及び該組成物を用いたダイアタッチ方法、並びに該組成物の硬化物を有する半導体装置
JP2017536448A (ja) 多官能性シロキサン水捕捉剤を含む接着剤
TW201823038A (zh) 半導體裝置之製造方法
TW202112873A (zh) 圖像顯示裝置密封材
JP2010174077A (ja) 電子部品用接着剤
JP2016216725A (ja) インクジェット用硬化性組成物及び電子部品の製造方法
JP2009256466A (ja) 電子部品用接着剤
JP5668659B2 (ja) アンダーフィル材料、半導体装置及びその製造方法
JP5227915B2 (ja) 電子部品装置集合体およびその製造方法
JP2002201264A (ja) 封止樹脂用組成物
WO2007083673A1 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた接着剤
JP2018170208A (ja) 異方導電性フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法
KR20150082188A (ko) 에폭시 수지 혼합물, 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물
JP2005320491A (ja) 接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤及び回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法
CN109804034B (zh) 粘合剂组合物及含其的粘合剂层、支撑接合体，及具备该支撑接合体的阻气性评价装置