TW201827389A - 化合物、樹脂、組成物，以及阻劑圖型形成方法及電路圖型形成方法 - Google Patents

化合物、樹脂、組成物，以及阻劑圖型形成方法及電路圖型形成方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供以下述式(0)表示之化合物。
Figure TW201827389A_A0001
(式(0)中，RY為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基， 　　RZ為碳數1~60之N價基或單鍵， 　　RT為氫原子， 　　RS各自獨立地為可具有取代基之碳數1~30之烷基、可具有取代基之碳數6~30之芳基、可具有取代基之碳數2~30之烯基、可具有取代基之碳數1~30之烷氧基、鹵素原子、硝基、胺基、羧酸基、硫醇基或羥基，前述烷基、前述芳基、前述烯基及前述烷氧基，亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵， 　　m各自獨立地為0~7之整數， 　　N為1~4之整數，此處，N為2以上之整數時，N個[ ]內之結構式可相同亦可相異)。

Description

化合物、樹脂、組成物，以及阻劑圖型形成方法及電路圖型形成方法
[0001] 本發明係關於具有特定結構之化合物、樹脂、組成物，以及阻劑圖型形成方法及電路圖型形成方法。
[0002] 於半導體裝置之製造中，係以使用光阻材料之微影術進行微細加工，近年來，伴隨LSI之高積體化與高速度化，要求以圖型規則進一步之微細化。又，阻劑圖型形成時所使用之微影術用的光源，係由KrF準分子雷射(248nm)短波長化至ArF準分子雷射(193nm)，亦預期極紫外光(EUV、13.5nm)之導入。 　　[0003] 但是，使用以往之高分子系阻劑材料的微影術中，其分子量大到1萬~10萬左右，分子量分布亦廣，因此於圖型表面產生粗糙性，圖型尺寸之控制變困難，微細化有所極限。因而，至今為止，為了獲得更高解像性之阻劑圖型，提出有各種之低分子量阻劑材料。低分子量阻劑材料由於分子尺寸小，故期待獲得解像性高，粗糙性小之阻劑圖型。 　　[0004] 目前，作為如此之低分子系阻劑材料，已知有各種者。例如，提出有使用低分子量多核多酚化合物作為主成分的鹼顯影型之負型感放射線性組成物(例如參照專利文獻1及專利文獻2)，作為具有高耐熱性之低分子量阻劑材料的候選者，亦提出有使用低分子量環狀多酚化合物作為主成分的鹼顯影型之負型感放射線性組成物(例如參照專利文獻3及非專利文獻1)。又，作為阻劑材料之基底化合物，已知多酚化合物雖為低分子量卻可賦予高耐熱性，有用於阻劑圖型之解像性或粗糙性的改善(例如參照非專利文獻2)。 　　[0005] 本發明者等人，至今為止提出有含有特定結構之化合物及有機溶劑的阻劑組成物(例如參照專利文獻4)，作為蝕刻耐性優良，並且可溶於溶劑且可適用濕式製程之材料。 　　[0006] 又，阻劑圖型之微細化進行時，會產生解像度之問題或顯影後阻劑圖型倒塌等問題，因此期望阻劑之薄膜化。然而，單純進行阻劑之薄膜化時，難以得到基板加工所足夠的阻劑圖型之膜厚。因此，不僅阻劑圖型，且於阻劑與所加工之半導體基板之間製作阻劑底層膜，使該阻劑底層膜亦具備作為基板加工時之遮罩的功能之製程係成為必要。 　　[0007] 目前，作為如此之製程用的阻劑底層膜，已知有各種者。例如，提出有含有至少具有藉由施加特定能量使末端基脫離而產生磺酸殘基的取代基之樹脂成分，與溶劑的多層阻劑製程用底層膜形成材料(例如參照專利文獻5)，作為與以往之蝕刻速度快的阻劑底層膜不同，實現具備接近阻劑之乾蝕刻速度的選擇比之微影術用阻劑底層膜者。又，提出了含有具有特定重複單位之聚合物的阻劑底層膜材料(例如參照專利文獻6)，作為實現具有較阻劑小之乾蝕刻速度的選擇比之微影術用阻劑底層膜者。進一步地，提出有含有使苊烯類之重複單位與具有取代或非取代的羥基之重複單位共聚合而成的聚合物之阻劑底層膜材料(例如參照專利文獻7)，作為實現具有較半導體基板小之乾蝕刻速度的選擇比之微影術用阻劑底層膜者。 　　[0008] 另一方面，於此種阻劑底層膜中，藉由於原料使用甲烷氣體、乙烷氣體、乙炔氣體等的CVD所形成之非晶碳底層膜，係作為具備高蝕刻耐性之材料而廣為人知。但是，由製程上之觀點而言，係要求能夠以旋轉塗佈法或網版印刷等之濕式製程形成阻劑底層膜的阻劑底層膜材料。 　　[0009] 又，本發明者等人，提出有含有特定結構之化合物及有機溶劑的微影術用底層膜形成組成物(例如參照專利文獻8)，作為蝕刻耐性優良，並且耐熱性高，可溶於溶劑且可適用濕式製程之材料。 　　[0010] 進一步地，關於3層製程中之阻劑底層膜之形成所使用的中間層之形成方法，例如已知有矽氮化膜之形成方法(例如參照專利文獻9)或矽氮化膜之CVD形成方法(例如參照專利文獻10)。又，作為3層製程用之中間層材料，已知有含有倍半矽氧烷基底之矽化合物的材料(例如參照專利文獻11及12)。 　　[0011] 作為光學零件形成組成物，亦提出有各種各樣者，例如，提出有丙烯酸系樹脂(例如參照專利文獻13及14)或具有以烯丙基衍生之特定結構的多酚(例如參照專利文獻15)。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0012] 　　[專利文獻1] 日本特開2005-326838號公報 　　[專利文獻2] 日本特開2008-145539號公報 　　[專利文獻3] 日本特開2009-173623號公報 　　[專利文獻4] 國際公開第2013/024778號 　　[專利文獻5] 日本特開2004-177668號公報 　　[專利文獻6] 日本特開2004-271838號公報 　　[專利文獻7] 日本特開2005-250434號公報 　　[專利文獻8] 國際公開第2013/024779號 　　[專利文獻9] 日本特開2002-334869號公報 　　[專利文獻10] 國際公開第2004/066377號 　　[專利文獻11] 日本特開2007-226170號公報 　　[專利文獻12] 日本特開2007-226204號公報 　　[專利文獻13] 日本特開2010-138393號公報 　　[專利文獻14] 日本特開2015-174877號公報 　　[專利文獻15] 國際公開第2014/123005號 [非專利文獻] 　　[0013] 　　[非專利文獻1] T. Nakayama, M. Nomura, K. Haga, M. Ueda：Bull. Chem. Soc. Jpn., 71,2979(1998) 　　[非專利文獻2] 岡崎信次及其他22名「光阻材料開發之新展開」CMC股份有限公司出版、2009年9月、p.211-259
[發明所欲解決之課題] 　　[0014] 如上所述，以往，提出有許多適於阻劑用途之微影術用膜形成組成物及適於底層膜用途之微影術用膜形成組成物，但並無不僅具有可適用旋轉塗佈法或網版印刷等濕式製程之高溶劑溶解性，且以高次元兼具耐熱性及蝕刻耐性者，新材料之開發受到需求。 　　[0015] 又，以往，提出有許多適於光學構件之組成物，但並無以高次元兼具耐熱性、透明性及折射率者，新材料之開發受到需求。 　　[0016] 本發明係有鑑於上述習知技術之課題而為者，其目的為提供有用於形成可適用濕式製程，且耐熱性、溶解性及蝕刻耐性優良之光阻及光阻用底層膜的化合物、樹脂及組成物。 [用以解決課題之手段] 　　[0017] 本發明者等人為了解決上述習知技術之課題而重複努力探討的結果，發現藉由具有特定結構之化合物或樹脂，可解決上述習知技術之課題，而完成本發明。 　　亦即，本發明係如以下所述。 [1] 　　一種以下述式(0)表示之化合物；(式(0)中，RY 為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基， 　　RZ 為碳數1~60之N價基或單鍵， 　　RT 為氫原子， 　　RS 各自獨立地為可具有取代基之碳數1~30之烷基、可具有取代基之碳數6~30之芳基、可具有取代基之碳數2~30之烯基、可具有取代基之碳數1~30之烷氧基、鹵素原子、硝基、胺基、羧酸基、硫醇基或羥基，前述烷基、前述芳基、前述烯基及前述烷氧基，亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵， 　　m各自獨立地為0~7之整數， 　　N為1~4之整數，此處，N為2以上之整數時，N個[ ]內之結構式可相同亦可相異)。 [2] 　　如[1]之化合物，其中前述式(0)表示之化合物，為下述式(1)表示之化合物；(式(1)中，RY 、RZ 、RT 及N，係與前述相同意義)。 [3] 　　如[2]之化合物，其中前述式(1)表示之化合物，為下述式(1-1)表示之化合物；(式(1-1)中，RZ 、RT 及N，係與前述相同意義)。 [4] 　　如[2]之化合物，其中前述式(1)表示之化合物，為下述式(1-2)表示之化合物；(式(1-2)中，RY 、RZ 、RT 及N，係與前述相同意義)。 [5] 　　一種樹脂，其係以如[1]之化合物為單體而得到。 [6] 　　如[5]之樹脂，其具有下述式(2)表示之結構；(式(2)中，RY 、RZ 、RT 、RS 、N及m，係與前述相同意義， 　　L為可具有取代基之碳數1~30之直鏈狀、分支狀或環狀之伸烷基、可具有取代基之碳數6~30之伸芳基、可具有取代基之碳數1~30之伸烷氧基或單鍵，前述伸烷基、前述伸芳基及前述伸烷氧基，亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵)。 [7] 　　如[6]之樹脂，其中前述式(2)表示之樹脂，具有下述式(3)表示之結構；(式(3)中，RY 、RZ 、RT 、N及L，係與前述相同意義)。 [8] 　　一種組成物，其含有選自由[1]~[4]中任一項之化合物及由[5]~[6]中任一項之樹脂所成之群的1種以上。 [9] 　　如[8]之組成物，其進一步含有溶劑。 [10] 　　如[8]或[9]之組成物，其進一步含有酸產生劑。 [11] 　　如[8]~[10]中任一項之組成物，其進一步含有交聯劑。 [12] 　　如[11]之組成物，其中前述交聯劑，為選自由酚化合物、環氧化合物、氰酸酯化合物、胺基化合物、苯并噁嗪化合物、三聚氰胺化合物、胍胺化合物、乙炔脲化合物、脲化合物、異氰酸酯化合物及疊氮化合物所成之群的至少1種。 [13] 　　如[11]或[12]之組成物，其中前述交聯劑具有至少1個烯丙基。 [14] 　　如[11]~[13]中任一項之組成物，其中前述交聯劑之含量，為固體成分之總質量的0.1~50質量%。 [15] 　　如[11]~[14]中任一項之組成物，其進一步含有交聯促進劑。 [16] 　　如[15]之組成物，其中前述交聯促進劑，為選自由胺類、咪唑類、有機膦類及路易士酸所成之群的至少1種。 [17] 　　如[15]或[16]之組成物，其中前述交聯促進劑之含量，為固體成分之總質量的0.1~5質量%。 [18] 　　如[8]~[17]中任一項之組成物，其進一步含有自由基聚合起始劑。 [19] 　　如[8]~[18]中任一項之組成物，其中前述自由基聚合起始劑，為選自由酮系光聚合起始劑、有機過氧化物系聚合起始劑及偶氮系聚合起始劑所成之群的至少1種。 [20] 　　如[8]~[19]中任一項之組成物，其中前述自由基聚合起始劑之含量，為固體成分之總質量的0.05~25質量%。 [21] 　　如[8]~[20]中任一項之組成物，其係使用於形成微影術用膜。 [22] 　　如[8]~[20]中任一項之組成物，其係使用於形成阻劑永久膜。 [23] 　　如[8]~[20]中任一項之組成物，其係光學零件形成組成物。 [24] 　　一種阻劑圖型形成方法，其包含使用如[21]之組成物於基板上形成光阻層後，對前述光阻層之特定區域照射放射線，進行顯影之步驟。 [25] 　　一種阻劑圖型形成方法，其包含使用如[21]之組成物於基板上形成底層膜，且於前述底層膜上形成至少1層的光阻層後，對前述光阻層之特定區域照射放射線，進行顯影之步驟。 [26] 　　一種電路圖型形成方法，其包含 　　使用如[21]之組成物於基板上形成底層膜，使用阻劑中間層膜材料於前述底層膜上形成中間層膜，且於前述中間層膜上形成至少1層的光阻層之步驟、 　　對前述光阻層之特定區域照射放射線，顯影而形成阻劑圖型之步驟、 　　以前述阻劑圖型為遮罩來蝕刻前述中間層膜，以所得到之中間層膜圖型為蝕刻遮罩來蝕刻前述底層膜，且以所得到之底層膜圖型為蝕刻遮罩來蝕刻基板，藉以於基板形成圖型之步驟。 [發明效果] 　　[0018] 本發明之化合物及樹脂，對安全溶劑之溶解性高，且耐熱性及蝕刻耐性良好。又，含有本發明之化合物及/或樹脂之阻劑組成物，會賦予良好的阻劑圖型形狀。
[0019] 以下說明用以實施本發明之形態(以下亦稱為「本實施形態」)。再者，以下之實施形態係用以說明本發明之例示，本發明並不僅限定於該實施形態。 　　[0020] 本實施形態之化合物、樹脂及含有其之組成物，有用於形成可適用濕式製程，且耐熱性及蝕刻耐性優良的光阻底層膜。又，本實施形態之組成物，由於使用耐熱性及溶劑溶解性高之具有特定結構的化合物或樹脂，故可形成高溫烘烤時之膜的劣化被抑制，對氧電漿蝕刻等之蝕刻耐性亦優良的阻劑及底層膜。此外，形成底層膜時，與阻劑層之密合性亦優良，因此可形成優良的阻劑圖型。 　　進而，由於折射率高，且由低溫至高溫之廣範圍的熱處理所致之著色被抑制，故亦有用於作為各種光學形成組成物。 　　又，本實施形態之化合物、樹脂，其結晶性非常低，含有其之組成物，有利於使阻劑、底層膜或光學構件成形。 　　[0021] [式(0)表示之化合物] 　　本實施形態之化合物，係以下述式(0)表示。 　　[0022][0023] 　　(式(0)中，RY 為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基， 　　RZ 為碳數1~60之N價基或單鍵， 　　RT 為氫原子， 　　RS 各自獨立地為可具有取代基之碳數1~30之烷基、可具有取代基之碳數6~30之芳基、可具有取代基之碳數2~30之烯基、可具有取代基之碳數1~30之烷氧基、鹵素原子、硝基、胺基、羧酸基、硫醇基或羥基，上述烷基、上述芳基、上述烯基及上述烷氧基，亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵， 　　m各自獨立地為0~7之整數， 　　N為1~4之整數，此處，N為2以上之整數時，N個[ ]內之結構式可相同亦可相異)。 　　[0024] RY 為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基。烷基可使用直鏈狀、分支狀或環狀之烷基。藉由使RY 為碳數1~30之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基或碳數6~30之芳基，可賦予優良之耐熱性及溶劑溶解性。 　　[0025] Rz 為碳數1~60之N價基或單鍵，各芳香環係透過該Rz 而鍵結。N為1~4之整數，N為2以上之整數時，N個[ ]內之結構式可相同亦可相異。再者，上述N價基，N=1時，係指碳數1~60之烷基、N=2時，係指碳數1~30之伸烷基、N=3時，係指碳數2~60之烷三基、N=4時，係指碳數3~60之烷四基。上述N價基例如可列舉具有直鏈狀烴基、分支狀烴基或脂環式烴基者等。此處，上述脂環式烴基亦包含有橋脂環式烴基。又，上述N價烴基，亦可具有脂環式烴基、雙鍵、雜原子或碳數6~60之芳香族基。 　　[0026] RT 為氫原子。 　　[0027] RS 各自獨立地為可具有取代基之碳數1~30之烷基、可具有取代基之碳數6~30之芳基、可具有取代基之碳數2~30之烯基、可具有取代基之碳數1~30之烷氧基、鹵素原子、硝基、胺基、羧酸基、硫醇基或羥基，上述烷基、上述芳基、上述烯基、上述烷氧基，亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵。再者，上述烷基、烯基及烷氧基，可為直鏈狀、分支狀或環狀之基。 　　[0028] m各自獨立為0~7之整數。 　　[0029] 上述式(0)表示之化合物的具體例子例示如下，但式(0)表示之化合物，並不限定於此處所列舉之具體例子。 　　[0030][0031][0032][0033][0034][0035][0036] 由原料之獲得性的觀點而言，上述式表示之化合物，更佳為以下所表示之化合物。 　　[0037] 上述式中，RT 係與上述式(0)中說明者為相同意義。RZ’ 係與上述式(0)之RZ 相同意義。m14 為0~5之整數、m14’ 為0~4之整數、m14’’ 為0~3之整數。 　　[0038] RZ’ 例如可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、三十烷基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、環十一烷基、環十二烷基、環三十烷基、降莰基、金剛烷基、苯基、萘基、蒽基、芘基、聯苯、並七苯基、乙烯基、烯丙基、三十烯基、甲氧基、乙氧基、三十烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、硫醇基。 　　[0039] 上述RZ’ 之各例示，包含異構物。例如，丁基中包含n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基。 　　[0040] [式(1)表示之化合物] 　　本實施形態之化合物(0)，由耐熱性及溶劑溶解性之觀點而言，較佳為下述式(1)表示之化合物。 　　[0041][0042] 上述式(1)中，RY 、RZ 、RT 、N，係與上述相同意義。 　　[0043] 上述式(1)表示之化合物，由於在比較低分子量的同時，因其結構之剛性而具有高耐熱性，故於高溫烘烤條件下亦可使用。又，分子中具有3級碳或4級碳，結晶性受抑制，適合使用作為可使用於微影術用膜製造之微影術用膜形成組成物。 　　[0044] 又，由於對安全溶劑之溶解性高，耐熱性及蝕刻耐性良好，故含有上述式(1)表示之化合物的微影術用阻劑形成組成物，可賦予良好的阻劑圖型形狀。 　　[0045] 進一步地，由於較低分子量而為低黏度，故即使為具有階差之基板(特別是微細之空間或孔洞圖型等)，亦容易地均勻填充至其階差之角落，同時提高膜的平坦性，其結果，使用其之微影術用底層膜形成組成物，係埋入及平坦化特性良好。又，由於為具有較高碳濃度之化合物，故亦可賦予高的蝕刻耐性。 　　[0046] 又再者，由於芳香族密度高，故折射率高，且即使進行低溫至高溫之廣範圍的熱處理亦會抑制著色，故亦有用於作為各種光學零件形成組成物。其中就抑制化合物之氧化分解，抑制著色，提高耐熱性及溶劑溶解性之觀點而言，尤以具有4級碳之化合物為佳。就光學零件而言，除了薄膜狀、薄片狀之零件以外，也有用於作為塑膠透鏡(稜鏡透鏡、扁豆狀透鏡、微透鏡、菲涅耳透鏡、視角控制透鏡、對比提高透鏡等)、相位差薄膜、電磁波屏蔽用薄膜、稜鏡、光纖、可撓印刷配線用防焊劑、抗鍍劑、多層印刷配線板用層間絕緣膜、感光性光波導。 　　[0047] 上述式(1)表示之化合物，就耐熱性及對有機溶劑之溶解性的觀點而言，更佳為下述式(1-1)表示之化合物。[0048] 式(1-1)中，RZ 、RT 、N，係與上述相同意義。 　　[0049] 又，上述式(1)表示之化合物，就交聯之容易性的觀點而言，亦更佳為下述式(1-2)表示之化合物。 　　[0050][0051] 式(1-2)中，RY 、RZ 、RT 、N，係與上述相同意義。 　　[0052] 又，上述式(1-1)表示之化合物，就原料之供給性的觀點而言，又更佳為選自由下述式(1a)表示之化合物所成之群的化合物。 　　[0053][0054] 上述式(1a)中，RY 、RZ 、RT 、N，係與上述式(1)中說明者為相同意義。 　　[0055] 上述式(1a)表示之化合物，就對有機溶劑之進一步的溶解性之觀點而言，又再更佳為下述式(BiF-1)~(BiF-2)表示之化合物。 　　[0056][0057][0058] 又，上述式(1-2)表示之化合物，就原料之供給性的觀點而言，又更佳為選自由下述式(1b)表示之化合物所成之群的化合物。 　　[0059][0060] 上述式(1a)中，RY 、RZ 、RT 、N，係與上述式(1)中說明者為相同意義。 　　[0061] 上述式(1a)表示之化合物，就對有機溶劑之進一步的溶解性之觀點而言，又再更佳為下述式(BiF-3)~(BiF-4)表示之化合物。 　　[0062][0063][0064] [式(0)表示之化合物之製造方法] 　　本實施形態之式(0)表示之化合物，可應用公知之手法適當地合成，其合成手法並無特殊限定。 　　例如，可藉由於常壓下，與2,2’-聯酚類與對應之醛類或酮類於酸觸媒下進行聚縮合反應而得到多酚化合物。又，亦可依需要於加壓下進行。 　　[0065] 上述2,2’-聯酚類，例如可列舉2,2’-聯酚、3,3’-二甲基-2,2’-聯酚、3,3’-二苯基-2,2’-聯酚等，但不特別限定於此等。此等可1種單獨或組合2種以上使用。此等之中，就原料之安定供給性的觀點而言，尤以使用2,2’-聯酚更佳。 　　[0066] 上述醛類例如可列舉甲醛、三噁烷、多聚甲醛、苯甲醛、乙醛、丙醛、苯基乙醛、苯基丙醛、羥基苯甲醛、氯苯甲醛、硝基苯甲醛、甲基苯甲醛、乙基苯甲醛、丁基苯甲醛、聯苯醛、萘醛、蒽甲醛、菲甲醛、芘甲醛、糠醛等，但不特別限定於此等。此等可1種單獨或組合2種以上使用。此等之中，尤以使用苯甲醛、苯基乙醛、苯基丙醛、羥基苯甲醛、氯苯甲醛、硝基苯甲醛、甲基苯甲醛、乙基苯甲醛、丁基苯甲醛、環己基苯甲醛、聯苯醛、萘醛、蒽甲醛、菲甲醛、芘甲醛、糠醛，就賦予高的耐熱性之觀點上為佳；使用苯甲醛、羥基苯甲醛、氯苯甲醛、硝基苯甲醛、甲基苯甲醛、乙基苯甲醛、丁基苯甲醛、環己基苯甲醛、聯苯醛、萘醛、蒽甲醛、菲甲醛、芘甲醛、糠醛，係蝕刻耐性高而更佳。 　　[0067] 上述酮類例如可列舉丙酮、甲基乙基酮、環丁酮、環戊酮、環己酮、降莰烷酮、三環己酮、三環癸酮、金剛烷酮、茀酮、苯并茀酮、乙烷合萘醌、乙烷合萘酮、蒽醌、苯乙酮、二乙醯基苯、三乙醯基苯、萘乙酮、二苯基羰基萘、苯基羰基聯苯、二苯基羰基聯苯、二苯甲酮、二苯基羰基苯、三苯基羰基苯、苯甲醯萘、二苯基羰基萘、苯基羰基聯苯、二苯基羰基聯苯等，但不特別限定於此等。此等可1種單獨或組合2種以上使用。此等之中，就賦予高的耐熱性之觀點而言，尤以使用環戊酮、環己酮、降莰烷酮、三環己酮、三環癸酮、金剛烷酮、茀酮、苯并茀酮、乙烷合萘醌、乙烷合萘酮、蒽醌、苯乙酮、二乙醯基苯、三乙醯基苯、萘乙酮、二苯基羰基萘、苯基羰基聯苯、二苯基羰基聯苯、二苯甲酮、二苯基羰基苯、三苯基羰基苯、苯甲醯萘、二苯基羰基萘、苯基羰基聯苯、二苯基羰基聯苯為佳；就提高蝕刻耐性之觀點而言，更佳為使用苯乙酮、二乙醯基苯、三乙醯基苯、萘乙酮、二苯基羰基萘、苯基羰基聯苯、二苯基羰基聯苯、二苯甲酮、二苯基羰基苯、三苯基羰基苯、苯甲醯萘、二苯基羰基萘、苯基羰基聯苯、二苯基羰基聯苯。 　　[0068] 就酮類而言，就兼備高的耐熱性及高的蝕刻耐性之觀點而言，較佳使用具有芳香族之酮。 　　[0069] 上述反應所用之酸觸媒，可由公知者中適當選擇使用，並無特殊限定。作為如此之酸觸媒，廣為人知有無機酸或有機酸，例如可列舉鹽酸、硫酸、磷酸、氫溴酸、氫氟酸等之無機酸；草酸、丙二酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、檸檬酸、富馬酸、馬來酸、甲酸、p-甲苯磺酸、甲烷磺酸、三氟乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟甲烷磺酸、苯磺酸、萘磺酸、萘二磺酸等之有機酸；氯化鋅、氯化鋁、氯化鐵、三氟化硼等之路易士酸；或矽鎢酸、磷鎢酸、矽鉬酸或磷鉬酸等之固體酸等，但不特別限定於此等。此等之中，就製造上之觀點而言，尤以有機酸及固體酸為佳，就獲得容易性或操作容易性等之製造上的觀點而言，更佳使用鹽酸或硫酸。再者，關於酸觸媒，可1種單獨或組合2種以上使用。又，酸觸媒之使用量，可依所使用之原料及觸媒的種類，進而反應條件等而適當設定，並無特殊限定，相對於反應原料100質量份而言，較佳為0.01~100質量份。 　　[0070] 上述反應時亦可使用反應溶劑。作為反應溶劑，只要係所用之醛類或酮類與2,2’-聯酚類的反應會進行者，則無特殊限定，可由公知者中適當選擇使用。反應溶劑例如可列舉水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、四氫呋喃、二噁烷、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚或此等之混合溶劑等。再者，溶劑可1種單獨或組合2種以上使用。 　　[0071] 又，此等反應溶劑之使用量，可依所使用之原料及觸媒的種類，進而反應條件等而適當設定，並無特殊限定，相對於反應原料100質量份而言，較佳為0~2000質量份之範圍。進一步地，上述反應之反應溫度，可依反應原料之反應性而適當選擇，並無特殊限定，通常係10~200℃之範圍。 　　[0072] 為了得到多酚化合物，反應溫度較高者為佳，具體而言較佳為60~200℃之範圍。再者，反應方法可適當選擇公知手法來使用，並無特殊限定，可列舉將2,2’-聯酚類、醛類、酮類、觸媒一次進料之方法或將2,2’-聯酚類、醛類或酮類於觸媒存在下滴下之方法。聚縮合反應結束後，所得之化合物的單離，可遵照一般方法進行，並無特殊限定。例如，為了去除系內所存在之未反應原料或觸媒等，可藉由採用使反應釜之溫度上昇至130~230℃，以1~50mmHg左右將揮發成分去除等之一般的手法，單離目標物之化合物。 　　[0073] 較佳之反應條件，可列舉對醛類或酮類1莫耳，使用2,2’-聯酚類1莫耳~過剩量，及酸觸媒0.001~1莫耳，於常壓下50~150℃反應20分~100小時左右。 　　[0074] 反應結束後，可藉由公知方法單離目標物。例如可將反應液濃縮，添加純水使反應生成物析出，冷卻至室溫後，進行過濾使其分離，過濾所得到之固體物，乾燥之後，以管柱層析與副生成物分離精製，進行溶劑餾去、過濾、乾燥而得到目標物之上述式(0)表示之化合物。 　　[0075] [以式(0)表示之化合物為單體而得到之樹脂] 　　上述式(0)表示之化合物，可作為微影術用膜形成或光學零件形成所使用的組成物(以下亦僅稱為「組成物」)來直接使用。又，亦可將以上述式(0)表示之化合物為單體而得到之樹脂，作為組成物來使用。樹脂例如係使上述式(0)表示之化合物與具有交聯反應性之化合物反應而得到。 　　[0076] 以上述式(0)表示之化合物為單體而得到之樹脂，例如可列舉具有以下之式(2)表示之結構者。亦即，本實施形態之組成物，亦可為含有具有下述式(2)表示之結構的樹脂者。 　　[0077][0078] 式(2)中，L為可具有取代基之碳數1~30之伸烷基、可具有取代基之碳數6~30之伸芳基、可具有取代基之碳數1~30之伸烷氧基或單鍵，上述伸烷基、上述伸芳基及上述伸烷氧基，亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵。又，上述伸烷基及上述伸烷氧基，可為直鏈狀、分支狀或環狀之基。 　　RY 、RZ 、RT 、RS 、N、m，係與上述式(0)中者為相同意義。 　　[0079] 由原料之獲得性的觀點而言，上述式(2)表示之樹脂，較佳為具有下述式(3)表示之結構之樹脂。(式(3)中，RY 、RZ 、RT 、N、L，係與上述相同意義)。 　　[0080] [以式(0)表示之化合物為單體而得到之樹脂之製造方法] 　　本實施形態之樹脂，可藉由使上述式(0)表示之化合物與具有交聯反應性之化合物反應而得到。具有交聯反應性之化合物，只要係可使上述式(0)表示之化合物寡聚物化或聚合物化者，則可無特殊限制地使用公知者。其具體例子例如可列舉醛、酮、羧酸、羧酸鹵化物、含鹵素之化合物、胺基化合物、亞胺基化合物、異氰酸酯、含不飽和烴基之化合物等，但不特別限定於此等。 　　[0081] 具有上述式(2)表示之結構的樹脂之具體例子，例如，可列舉藉由使上述式(0)表示之化合物與具有交聯反應性之化合物的醛及/或酮進行縮合反應等而酚醛清漆化之樹脂。 　　[0082] 此處，將上述式(0)表示之化合物酚醛清漆化時所用之醛，例如可列舉甲醛、三噁烷、多聚甲醛、苯甲醛、乙醛、丙醛、苯基乙醛、苯基丙醛、羥基苯甲醛、氯苯甲醛、硝基苯甲醛、甲基苯甲醛、乙基苯甲醛、丁基苯甲醛、聯苯醛、萘醛、蒽甲醛、菲甲醛、芘甲醛、糠醛等，但不特別限定於此等。酮可列舉上述酮類。此等之中尤更佳為甲醛。再者，此等之醛及/或酮類可1種單獨或組合2種以上使用。又，上述醛及/或酮類之使用量並無特殊限定，相對於上述式(0)表示之化合物1莫耳而言，較佳為0.2~5莫耳、更佳為0.5~2莫耳。 　　[0083] 上述式(0)表示之化合物與醛及/或酮之縮合反應中，亦可使用酸觸媒。此處所使用之酸觸媒，可由公知者中適當選擇來使用，並無特殊限定。作為如此之酸觸媒，廣為人知有無機酸或有機酸，例如可列舉鹽酸、硫酸、磷酸、氫溴酸、氫氟酸等之無機酸；草酸、丙二酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、檸檬酸、富馬酸、馬來酸、甲酸、p-甲苯磺酸、甲烷磺酸、三氟乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟甲烷磺酸、苯磺酸、萘磺酸、萘二磺酸等之有機酸；氯化鋅、氯化鋁、氯化鐵、三氟化硼等之路易士酸；或矽鎢酸、磷鎢酸、矽鉬酸或磷鉬酸等之固體酸等，但不特別限定於此等。此等之中，就製造上之觀點而言，尤以有機酸及固體酸為佳，就獲得之容易性或操作容易性等之製造上之觀點而言，較佳為鹽酸或硫酸。再者，酸觸媒可1種單獨或組合2種以上使用。 　　[0084] 又，酸觸媒之使用量，可依所使用之原料及觸媒的種類，進而反應條件等而適當設定，並無特殊限定，相對於反應原料100質量份而言，較佳為0.01~100質量份。惟，與茚、羥基茚、苯并呋喃、羥基蒽、苊烯、聯苯、雙酚、三酚、二環戊二烯、四氫茚、4-乙烯基環己烯、降莰二烯、5-乙烯基降莰-2-烯、α-蒎烯、β-蒎烯、檸檬烯等之具有非共軛雙鍵的化合物進行共聚合反應時，並不一定需要醛類。 　　[0085] 上述式(0)表示之化合物與醛及/或酮之縮合反應中，亦可使用反應溶劑。該聚縮合中之反應溶劑，可由公知者中適當選擇來使用，並無特殊限定，例如，可列舉水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、四氫呋喃、二噁烷或此等之混合溶劑等。再者，溶劑可1種單獨或組合2種以上使用。 　　[0086] 又，此等溶劑之使用量，可依所使用之原料及觸媒的種類，進而反應條件等而適當設定，並無特殊限定，相對於反應原料100質量份而言，較佳為0~2000質量份之範圍。進一步地，反應溫度，可依反應原料之反應性來適當選擇，並無特殊限定，通常係10~200℃之範圍。再者，反應方法可適當選擇而使用公知之手法，並無特殊限定，可列舉將上述式(0)表示之化合物、醛及/或酮類、觸媒一次進料之方法，或將上述式(0)表示之化合物或醛及/或酮類於觸媒存在下滴下之方法。 　　[0087] 聚縮合反應結束後，所得之化合物的單離，可遵照一般方法進行，並無特殊限定。例如，為了去除系內所存在之未反應原料或觸媒等，可藉由採用使反應釜之溫度上昇至130~230℃，以1~50mmHg左右將揮發成分去除等之一般的手法，單離目標物之經酚醛清漆化之樹脂。 　　[0088] 此處，具有上述式(2)表示之結構的樹脂，可為上述式(0)表示之化合物的均聚物，亦可為與其他酚類之共聚物。此處，可共聚合之酚類，例如列舉有酚、甲酚、二甲基酚、三甲基酚、丁基酚、苯基酚、二苯基酚、萘基酚、間苯二酚、甲基間苯二酚、兒茶酚、丁基兒茶酚、甲氧基酚、甲氧基酚、丙基酚、五倍子酚、瑞香酚等，但不特別限定於此等。 　　[0089] 又，具有上述式(2)表示之結構的樹脂，亦可為於上述其他酚類以外，也與可聚合之單體共聚合者。該共聚合單體例如可列舉萘酚、甲基萘酚、甲氧基萘酚、二羥基萘、茚、羥基茚、苯并呋喃、羥基蒽、苊烯、聯苯、雙酚、三酚、二環戊二烯、四氫茚、4-乙烯基環己烯、降莰二烯、乙烯基降莰烯、蒎烯、檸檬烯等，但不特別限定於此等。再者，具有上述式(3)表示之結構的樹脂，可為上述式(0)表示之化合物與上述酚類之2元以上的(例如，2~4元系)共聚物、可為上述式(0)表示之化合物與上述共聚合單體之2元以上(例如，2~4元系)共聚物、亦可為上述式(0)表示之化合物與上述酚類與上述共聚合單體之3元以上的(例如，3~4元系)共聚物。 　　[0090] 具有上述式(2)表示之結構的樹脂之分子量並無特殊限定，聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)較佳為500~30000、更佳為750~20000。又，由提高交聯效率並且抑制烘烤中之揮發成分的觀點而言，具有上述式(2)表示之結構的樹脂，分散度(重量平均分子量Mw/數平均分子量Mn)較佳為1.2~7之範圍內。再者，上述Mw及Mn，可藉由後述實施例記載之方法求得。 　　[0091] 具有上述式(2)表示之結構的樹脂，由濕式製程之應用更為容易等之觀點而言，較佳為對溶劑之溶解性高者。更具體而言，以1-甲氧基-2-丙醇(PGME)及/或丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)為溶劑時，對該溶劑之溶解度較佳為10質量%以上。此處，對PGME及/或PGMEA之溶解度，係定義為「樹脂之質量÷(樹脂之質量+溶劑之質量)×100(質量%)」。例如，上述樹脂10g對PGMEA 90g溶解時，上述樹脂對PGMEA之溶解度，係「10質量%以上」，不溶解時，係「未達10質量%」。 　　[0092] [化合物及/或樹脂之精製方法] 　　本實施形態之化合物及/或樹脂之精製方法，包含將由上述式(0)表示之化合物、以上述式(0)表示之化合物為單體而得到之樹脂中選出的1種以上，溶解於溶劑而得到溶液(S)之步驟，與使所得之溶液(S)與酸性之水溶液接觸，萃取上述化合物及/或上述樹脂中的雜質之步驟(第一萃取步驟)，得到上述溶液(S)之步驟中所用之溶劑，包含不與水任意混合的溶劑。 　　第一萃取步驟中，上述樹脂，較佳為藉由上述式(1)表示之化合物及/或式(2)表示之化合物與具有交聯反應性之化合物的反應所得到之樹脂。依照本實施形態之精製方法，可減低於具有上述特定結構之化合物或樹脂中可能作為雜質而含有的各種金屬之含量。 　　更詳細而言，本實施形態之精製方法中，可將上述化合物及/或上述樹脂，溶解於不與水任意混合的有機溶劑中而得到溶液(S)，進一步使該溶液(S)與酸性水溶液接觸來進行萃取處理。藉此，於將上述溶液(S)中所含有的金屬成分移至水相後，使有機相與水相分離，可得到減低了金屬含量之化合物及/或樹脂。 　　[0093] 本實施形態之精製方法中使用之化合物及/或樹脂，可單獨使用、亦可混合2種以上使用。又，上述化合物或樹脂，亦可含有各種界面活性劑、各種交聯劑、各種酸產生劑、各種安定劑等。 　　[0094] 本實施形態之精製方法中所使用之不與水任意混合的溶劑，並無特殊限定，較佳為可安全地應用於半導體製造製程的有機溶劑，具體而言，係於室溫下對水的溶解度未達30%、更佳為未達20%、又更佳為未達10%之有機溶劑。該有機溶劑之使用量，相對於所使用之化合物與樹脂的合計量而言，較佳為1~100質量倍。 　　[0095] 不與水任意混合的溶劑之具體例子，不限定為以下，但例如可列舉二乙基醚、二異丙基醚等之醚類；乙酸乙酯、乙酸n-丁酯、乙酸異戊酯等之酯類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙基異丁基酮、環己酮、環戊酮、2-庚酮、2-戊酮等之酮類；乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙基醚乙酸酯等之二醇醚乙酸酯類；n-己烷、n-庚烷等之脂肪族烴類；甲苯、二甲苯等之芳香族烴類；二氯甲烷、氯仿等之鹵化烴類等。此等之中尤以甲苯、2-庚酮、環己酮、環戊酮、甲基異丁基酮、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙酸乙酯為佳；更佳為甲基異丁基酮、乙酸乙酯、環己酮、丙二醇單甲基醚乙酸酯；又更佳為甲基異丁基酮、乙酸乙酯。甲基異丁基酮、乙酸乙酯等，由於上述化合物及含有該化合物作為構成成分之樹脂的飽和溶解度較高，沸點較低，故可減低工業上餾去溶劑的情況或於以乾燥去除之步驟中的負荷。此等溶劑亦可分別單獨使用，又亦可混合2種以上使用。 　　[0096] 本實施形態之精製方法中所使用之酸性水溶液，係由一般已知之將有機系化合物或無機系化合物溶解於水而得的水溶液中適當選擇。酸性水溶液，不限定為以下者，但例如可列舉將鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸等之礦酸溶解於水而得的礦酸水溶液；將乙酸、丙酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、富馬酸、馬來酸、酒石酸、檸檬酸、甲烷磺酸、酚磺酸、p-甲苯磺酸、三氟乙酸等之有機酸溶解於水而得的有機酸水溶液。此等之酸性水溶液，亦可分別單獨使用，又亦可組合2種以上使用。此等之酸性水溶液中，尤以選自由鹽酸、硫酸、硝酸及磷酸所成之群的1種以上之礦酸水溶液；或選自由乙酸、丙酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、富馬酸、馬來酸、酒石酸、檸檬酸、甲烷磺酸、酚磺酸、p-甲苯磺酸及三氟乙酸所成之群的1種以上之有機酸水溶液為佳；更佳為硫酸、硝酸，及乙酸、草酸、酒石酸、檸檬酸等之羧酸的水溶液；又更佳為硫酸、草酸、酒石酸、檸檬酸的水溶液；又再更佳為草酸的水溶液。草酸、酒石酸、檸檬酸等之多元羧酸，由於配位於金屬離子，而產生鉗合效果，故可認為有可更有效地去除金屬之傾向。又，此處所用之水，依本實施形態之精製方法的目的，較佳為使用金屬含量少之水，例如離子交換水等。 　　[0097] 本實施形態之精製方法中所使用之酸性水溶液的pH，並無特殊限定，較佳為考慮對上述化合物或樹脂之影響，來調整水溶液之酸性度。酸性水溶液之pH，通常為0~5左右、較佳為pH 0~3左右。 　　[0098] 本實施形態之精製方法中所使用之酸性水溶液的使用量並無特殊限定，較佳為由減低用以去除金屬之萃取次數的觀點，及考慮全體之液量來確保操作性之觀點，來調整使用量。由上述觀點，酸性水溶液之使用量，相對於上述溶液(S)100質量份而言，較佳為10~200質量份、更佳為20~100質量份。 　　[0099] 於本實施形態之精製方法中，可藉由使上述酸性水溶液與上述溶液(S)接觸，由溶液(S)中之上述化合物或上述樹脂萃取金屬成分。 　　[0100] 本實施形態之精製方法中，上述溶液(S)較佳為進一步含有與水任意混合之有機溶劑。溶液(S)含有與水任意混合之有機溶劑時，可增加上述化合物及/或樹脂之進料量，又，係有分液性提高，能夠以高的釜效率進行精製的傾向。添加與水任意混合之有機溶劑的方法並無特殊限定，例如，可為預先添加於含有有機溶劑之溶液中的方法、預先添加於水或酸性水溶液中的方法、使含有有機溶劑之溶液與水或酸性水溶液接觸後添加的方法。此等之中，就操作之作業性或進料量之管理容易性的觀點而言，尤以預先添加於含有有機溶劑之溶液中的方法為佳。 　　[0101] 本實施形態之精製方法中所使用之與水任意混合之有機溶劑，並無特殊限定，較佳為可安全地應用於半導體製造製程的有機溶劑。與水任意混合之有機溶劑的使用量，只要係溶液相與水相會分離的範圍則無特殊限定，相對於所使用之化合物與樹脂的合計量而言，較佳為0.1~100質量倍、更佳為0.1~50質量倍、又更佳為0.1~20質量倍。 　　[0102] 本實施形態之精製方法中所使用的與水任意混合之有機溶劑之具體例子，雖不限定為以下，但可列舉四氫呋喃、1,3-二氧雜環戊烷等之醚類；甲醇、乙醇、異丙醇等之醇類；丙酮、N-甲基吡咯啶酮等之酮類；乙二醇單乙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚(PGME)、丙二醇單乙基醚等之二醇醚類等之脂肪族烴類。此等之中，尤以N-甲基吡咯啶酮、丙二醇單甲基醚等為佳；更佳為N-甲基吡咯啶酮、丙二醇單甲基醚。此等溶劑亦可分別單獨使用、亦可混合2種以上使用。 　　[0103] 進行萃取處理時的溫度通常為20~90℃、較佳為30~80℃之範圍。萃取操作例如係藉由以攪拌等充分混合後靜置來進行。藉此，溶液(S)中所含有的金屬成分移至水相。又，藉由本操作，可使溶液之酸性度降低，抑制化合物及/或樹脂之變質。 　　[0104] 藉由靜置，上述混合溶液會分離為含有化合物及/或樹脂與溶劑之溶液相，與水相，因此藉由傾析等來回收溶液相。靜置之時間並無特殊限定，較佳為由使含有溶劑之溶液相與水相的分離成為更良好的觀點，來調整該靜置之時間。通常，靜置之時間為1分鐘以上、較佳為10分鐘以上、更佳為30分鐘以上。又，萃取處理即使僅1次亦可，但重複進行複數次之混合、靜置、分離的操作亦為有效。 　　[0105] 本實施形態之精製方法中，較佳包含於上述第一萃取步驟後，使含有上述化合物或上述樹脂之溶液相進一步與水接觸，來萃取上述化合物或上述樹脂中之雜質的步驟(第二萃取步驟)。具體而言，例如，較佳為使用酸性之水溶液進行上述萃取處理後，將含有由該水溶液萃取、回收之化合物及/或樹脂與溶劑的溶液相，進一步以水進行萃取處理。該以水進行的萃取處理，並無特殊限定，例如，可藉由將上述溶液相與水以攪拌等充分混合後，將所得之混合溶液靜置來進行。該靜置後之混合溶液，會分離為含有化合物及/或樹脂與溶劑之溶液相與水相，因此可藉由傾析等來回收溶液相。 　　[0106] 又，此處所用之水，依本實施形態之目的，較佳為金屬含量少之水，例如離子交換水等。萃取處理即使僅1次亦可，但重複進行複數次之混合、靜置、分離的操作亦為有效。又，萃取處理中，兩者的使用比例或溫度、時間等之條件並無特殊限定，可與先前之與酸性水溶液的接觸處理之情況相同。 　　[0107] 如此方式所得到之含有化合物及/或樹脂與溶劑的溶液中可能混入之水分，可藉由實施減壓蒸餾等之操作而容易地去除。又，可依需要於上述溶液中添加溶劑，將化合物及/或樹脂之濃度調整為任意濃度。 　　[0108] 由所得之含有化合物及/或樹脂與溶劑的溶液中單離化合物及/或樹脂之方法，並無特殊限定，能夠以減壓去除、再沈澱分離及該等之組合等公知之方法進行。可依需要進行濃縮操作、過濾操作、離心分離操作、乾燥操作等之公知之處理。 　　[0109] [組成物] 　　本實施形態之組成物，含有選自由上述式(0)表示之化合物及以上述式(0)表示之化合物為單體而得到之樹脂所成之群的1種以上。 　　[0110] 本實施形態之組成物，可為微影術用膜形成組成物或光學零件形成組成物。 　　[0111] [適於化學增幅型阻劑用途之微影術用膜形成組成物] 　　本實施形態之適於化學增幅型阻劑用途之微影術用膜形成組成物(以下亦稱為「阻劑組成物」)，含有選自由上述式(0)表示之化合物、以上述式(0)表示之化合物為單體而得到之樹脂所成之群的1種以上，作為阻劑基材。 　　[0112] 又，本實施形態之組成物(阻劑組成物)，較佳進一步含有溶劑。溶劑並無特殊限定，例如可列舉乙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單-n-丙基醚乙酸酯、乙二醇單-n-丁基醚乙酸酯等之乙二醇單烷基醚乙酸酯類；乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚等之乙二醇單烷基醚類；丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單-n-丙基醚乙酸酯、丙二醇單-n-丁基醚乙酸酯等之丙二醇單烷基醚乙酸酯類；丙二醇單甲基醚(PGME)、丙二醇單乙基醚等之丙二醇單烷基醚類；乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸n-丙酯、乳酸n-丁酯、乳酸n-戊酯等之乳酸酯類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸n-丙酯、乙酸n-丁酯、乙酸n-戊酯、乙酸n-己酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯等之脂肪族羧酸酯類；3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、3-甲氧基-3-甲基丙酸丁酯、3-甲氧基-3-甲基丁酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯等之其他酯類；甲苯、二甲苯等之芳香族烴類；2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、環戊酮(CPN)、環己酮(CHN)等之酮類；N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之醯胺類；γ-內酯等之內酯類等，但不特別限定於此等。此等溶劑可單獨使用、亦可合併使用2種以上。 　　[0113] 本實施形態中使用之溶劑，較佳為安全溶劑；更佳為由PGMEA、PGME、CHN、CPN、2-庚酮、苯甲醚、乙酸丁酯、丙酸乙酯及乳酸乙酯中選出之至少1種；又更佳為由PGMEA、PGME及CHN中選出之至少一種。 　　[0114] 本實施形態中，固體成分之量與溶劑之量，並無特殊限定，相對於固體成分之量與溶劑之合計質量100質量%而言，較佳為固體成分1~80質量%及溶劑20~99質量%、更佳為固體成分1~50質量%及溶劑50~99質量%、又更佳為固體成分2~40質量%及溶劑60~98質量%、特佳為固體成分2~10質量%及溶劑90~98質量%。 　　[0115] 本實施形態之組成物(阻劑組成物)，亦可進一步含有選自由酸產生劑(C)、酸交聯劑(G)、酸擴散控制劑(E)及其他成分(F)所成之群的至少一種，作為其他固體成分。再者，本說明書中，「固體成分」係指溶劑以外之成分。 　　[0116] 此處，關於酸產生劑(C)、酸交聯劑(G)、酸擴散控制劑(E)及其他成分(F)，可使用公知者，並無特殊限定，例如，較佳為國際公開第2013/024778號所記載者。 　　[0117] [各成分之摻合比例] 　　本實施形態之阻劑組成物中，作為阻劑基材使用之化合物及/或樹脂的含量，並無特殊限定，較佳為固體成分之總質量(包含阻劑基材、酸產生劑(C)、酸交聯劑(G)、酸擴散控制劑(E)及其他成分(F)等之任意使用的成分之固體成分的總和，以下相同)之50~99.4質量%、更佳為55~90質量%、又更佳為60~80質量%、特佳為60~70質量%。作為阻劑基材使用之化合物及/或樹脂的含量為上述範圍時，係有解像度更加提高，線邊緣粗糙度(LER)更加減小的傾向。 　　再者，含有化合物與樹脂兩方作為阻劑基材時，上述含量為兩成分之合計量。 　　[0118] [其他成分(F)] 　　在不阻礙本發明之目的的範圍，可依需要於本實施形態之阻劑組成物中，添加1種或2種以上之溶解促進劑、溶解控制劑、增感劑、界面活性劑、有機羧酸或磷之含氧酸或其衍生物、熱及/或光硬化觸媒、聚合抑制劑、難燃劑、填充劑、偶合劑、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、染料、顏料、增黏劑、潤滑劑、消泡劑、調平劑、紫外線吸收劑、界面活性劑、著色劑、非離子系界面活性劑等之各種添加劑，作為阻劑基材、酸產生劑(C)、酸交聯劑(G)及酸擴散控制劑(E)以外的成分。再者，本說明書中，有將其他成分(F)稱為任意成分(F)者。 　　[0119] 本實施形態之阻劑組成物中，阻劑基材(以下亦稱為「成分(A)」)、酸產生劑(C)、酸交聯劑(G)、酸擴散控制劑(E)、任意成分(F)之含量(成分(A)/酸產生劑(C)/酸交聯劑(G)/酸擴散控制劑(E)/任意成分(F))，以固體物基準之質量%計， 　　較佳為50~99.4/0.001~49/0.5~49/0.001~49/0~49、 　　更佳為55~90/1~40/0.5~40/0.01~10/0~5、 　　又更佳為60~80/3~30/1~30/0.01~5/0~1、 　　特佳為60~70/10~25/2~20/0.01~3/0。 　　各成分之摻合比例，係由各範圍中選擇，使其總和成為100質量%。各成分之摻合比例為上述範圍時，係有感度、解像度、顯影性等之性能優良的傾向。 　　[0120] 本實施形態之阻劑組成物，通常係於使用時將各成分溶解於溶劑而成為均勻溶液，之後依需要，例如藉由以孔徑0.2μm左右之濾器等過濾來配製。 　　[0121] 本實施形態之阻劑組成物，於不阻礙本發明之目的的範圍，可含有本實施形態之樹脂以外的其他樹脂。其他樹脂並無特殊限定，例如可列舉酚醛清漆樹脂、聚乙烯基酚類、聚丙烯酸、聚乙烯醇、苯乙烯-馬來酸酐樹脂，及含有丙烯酸、乙烯醇或乙烯基酚作為單體單位之聚合物或此等之衍生物等。其他樹脂之含量並無特殊限定，係依所使用之成分(A)的種類來適當調節，相對於成分(A)100質量份而言，較佳為30質量份以下、更佳為10質量份以下、又更佳為5質量份以下、特佳為0質量份。 　　[0122] [阻劑組成物之物性等] 　　可使用本實施形態之阻劑組成物，藉由旋轉塗佈來形成非晶質膜。又，本實施形態之阻劑組成物，可應用於一般的半導體製造製程。可依上述式(0)表示之化合物、以其為單體而得到之樹脂的種類及/或所使用之顯影液的種類，分別製造正型阻劑圖型及負型阻劑圖型之任一者。 　　[0123] 正型阻劑圖型的情況時，將本實施形態之阻劑組成物予以旋轉塗佈所形成之非晶質膜對23℃之顯影液的溶解速度，較佳為5Å/sec以下、更佳為0.05~5Å/sec、又更佳為0.0005~5Å/sec。溶解速度為5Å/sec以下時，有對顯影液不溶，容易作為阻劑之傾向。又，溶解速度為0.0005Å/sec以上時，可能有解像性提高的情況。此推測係因由於上述式(0)表示之化合物及/或含有該化合物作為構成成分的樹脂之曝光前後的溶解性之變化，溶解於顯影液之曝光部與不溶解於顯影液之未曝光部的界面之對比增大之故。又，亦可見LER之減低、缺陷之減低效果。 　　[0124] 負型阻劑圖型的情況時，將本實施形態之阻劑組成物予以旋轉塗佈所形成之非晶質膜對23℃之顯影液的溶解速度，較佳為10Å/sec以上。溶解速度為10Å/sec以上時，對顯影液易溶，適宜為阻劑。又，溶解速度為10Å/sec以上時，亦可能有解像性提高的情況。此推測係因上述式(0)表示之化合物及/或含有該化合物作為構成成分之樹脂的微觀之表面部位溶解，LER減低之故。又，亦可見缺陷之減低效果。 　　[0125] 上述溶解速度，可於23℃將非晶質膜浸漬於顯影液特定時間，藉由目視、橢圓偏光計或QCM法等之公知方法測定其浸漬前後之膜厚來決定。 　　[0126] 正型阻劑圖型的情況時，將旋轉塗佈本實施形態之阻劑組成物所形成之非晶質膜以KrF準分子雷射、極紫外線、電子束或X射線等之放射線曝光之部分對23℃之顯影液的溶解速度，較佳為10Å/sec以上。溶解速度為10Å/sec以上時，對顯影液易溶，適宜為阻劑。又，溶解速度為10Å/sec以上時，亦可能有解像性提高的情況。此推測係因上述式(0)表示之化合物及/或含有該化合物作為構成成分之樹脂的微觀之表面部位溶解，LER減低之故。又，亦可見缺陷之減低效果。 　　[0127] 負型阻劑圖型的情況時，將旋轉塗佈本實施形態之阻劑組成物所形成之非晶質膜以KrF準分子雷射、極紫外線、電子束或X射線等之放射線曝光之部分對23℃之顯影液的溶解速度，較佳為5Å/sec以下、更佳為0.05~5Å/sec、又更佳為0.0005~5Å/sec。溶解速度為5Å/sec以下時，有對顯影液不溶，容易作為阻劑之傾向。又，溶解速度為0.0005Å/sec以上時，亦可能有解像性提高的情況。此推測係因由於上述式(0)表示之化合物及/或含有該化合物作為構成成分之樹脂之曝光前後的溶解性之變化，溶解於顯影液之未曝光部與不溶解於顯影液之曝光部的界面之對比增大之故。又，亦可見LER之減低、缺陷之減低效果。 　　[0128] [非適於化學增幅型阻劑用途之微影術用膜形成組成物] 　　本實施形態之非適於化學增幅型阻劑用途之微影術用膜形成組成物(以下亦稱為「感放射線性組成物」)中含有的成分(A)，有用於作為與後述之重氮萘醌光活性化合物(B)合併使用，藉由照射g線、h線、i線、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、極紫外線、電子束或X射線，而成為易溶於顯影液之化合物的正型阻劑用基材。藉由g線、h線、i線、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、極紫外線、電子束或X射線，成分(A)之性質雖無大變化，但對顯影液難溶之重氮萘醌光活性化合物(B)會變化為易溶之化合物，因此可藉由顯影步驟製作阻劑圖型。 　　[0129] 本實施形態之感放射線性組成物中含有的成分(A)，為較低分子量之化合物，故所得之阻劑圖型的粗糙性非常小。又，上述式(0)中，選自由RS 所成之群的至少1者較佳為含有碘原子之基。本實施形態之感放射線性組成物，應用具有含有碘原子之基的成分(A)時，對電子束、極紫外線(EUV)、X射線等之放射線的吸收能力增加，其結果，可提高感度，故較佳。 　　[0130] 本實施形態之感放射線性組成物中含有的成分(A)之玻璃轉移溫度，較佳為100℃以上、更佳為120℃以上、又更佳為140℃以上、特佳為150℃以上。成分(A)之玻璃轉移溫度的上限值並無特殊限定，例如為400℃。藉由使成分(A)之玻璃轉移溫度為上述範圍內，於半導體微影術製程中，有具有可維持圖型形狀之耐熱性，高解像度等之性能提高的傾向。 　　[0131] 藉由本實施形態之感放射線性組成物中含有的成分(A)之玻璃轉移溫度的示差掃描熱量分析所求得的結晶化發熱量，較佳為未達20J/g。又，(結晶化溫度)-(玻璃轉移溫度)，較佳為70℃以上、更佳為80℃以上、又更佳為100℃以上、特佳為130℃以上。結晶化發熱量未達20J/g，或(結晶化溫度)-(玻璃轉移溫度)為上述範圍內時，有容易藉由旋轉塗佈感放射線性組成物形成非晶質膜，且可長期保持阻劑所必要之成膜性，可提高解像性的傾向。 　　[0132] 本實施形態中，上述結晶化發熱量、結晶化溫度及玻璃轉移溫度，可藉由使用了島津製作所製DSC/TA-50WS之示差掃描熱量分析來求得。將試樣約10mg置入鋁製非密封容器，於氮氣氣流中(50mL/分)以昇溫速度20℃/分昇溫至熔點以上。急冷後，再度於氮氣氣流中(30mL/分)以昇溫速度20℃/分昇溫至熔點以上。進一步急冷後，再度於氮氣氣流中(30mL/分)以昇溫速度20℃/分昇溫至400℃。將呈階梯狀變化之基線的階差之中點(比熱變為一半處)之溫度作為玻璃轉移溫度(Tg)，將其後所出現之發熱波峰的溫度作為結晶化溫度。由被發熱波峰與基線圍繞的區域之面積求出發熱量，作為結晶化發熱量。 　　[0133] 本實施形態之感放射線性組成物中所含有的成分(A)，較佳為於常壓下、100以下，較佳為於120℃以下、更佳為130℃以下、又更佳為140℃以下、特佳為150℃以下之昇華性低。昇華性低係表示於熱重量分析中，於特定溫度保持10分鐘時的重量減少為10%以下、較佳為5%以下、更佳為3%以下、又更佳為1%以下、特佳為0.1%以下。藉由使昇華性低，可防止曝光時之排氣所致之曝光裝置的污染。又，可得到低粗糙性而良好之圖型形狀。 　　[0134] 本實施形態之感放射線性組成物中所含有的成分(A)，為選自由丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME)、環己酮(CHN)、環戊酮(CPN)、2-庚酮、苯甲醚、乙酸丁酯、丙酸乙酯及乳酸乙酯所成之群，且對於對成分(A)顯示最高溶解能力的溶劑，於23℃，較佳為溶解1質量%以上、更佳為溶解5質量%以上、又更佳為溶解10質量%以上。特佳為選自由PGMEA、PGME、CHN所成之群，且對於對(A)阻劑基材顯示最高溶解能力的溶劑，於23℃溶解20質量%以上，特佳為對PGMEA，於23℃溶解20質量%以上。藉由滿足上述條件，容易於實際生產之半導體製造步驟中使用。 　　[0135] [重氮萘醌光活性化合物(B)] 　　本實施形態之感放射線性組成物中所含有的重氮萘醌光活性化合物(B)，為含有聚合物性及非聚合物性重氮萘醌光活性化合物之重氮萘醌物質，一般而言只要係於正型阻劑組成物中，作為感光性成分(感光劑)使用者，則無特殊限制，可任意選擇1種或2種以上來使用。 　　[0136] 作為成分(B)，較佳為藉由使萘醌二疊氮磺酸氯化物或苯醌二疊氮磺酸氯化物等，與具有可與此等酸氯化物縮合反應之官能基的低分子化合物或高分子化合物反應而得到之化合物。此處，可與酸氯化物縮合之官能基，並無特殊限定，例如可列舉羥基、胺基等，特別適宜為羥基。可與含有羥基之酸氯化物縮合的化合物，並無特殊限定，例如可列舉氫醌、間苯二酚、2,4-二羥基二苯甲酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,4,6-三羥基二苯甲酮、2,4,4’-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,2’,3,4,6’-五羥基二苯甲酮等之羥基二苯甲酮類；雙(2,4-二羥基苯基)甲烷、雙(2,3,4-三羥基苯基)甲烷、雙(2,4-二羥基苯基)丙烷等之羥基苯基烷類；4,4’,3”,4”-四羥基-3,5,3’,5’-四甲基三苯基甲烷、4,4’,2”,3”,4”-五羥基-3,5,3’,5’-四甲基三苯基甲烷等之羥基三苯基甲烷類等。 　　又，萘醌二疊氮磺酸氯化物或苯醌二疊氮磺酸氯化物等之酸氯化物，例如可列舉1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯基氯化物、1,2-萘醌二疊氮-4-磺醯基氯化物等作為較佳者。 　　[0137] 本實施形態之感放射線性組成物，較佳例如藉由於使用時將各成分溶解於溶劑成為均勻溶液，之後依需要例如以孔徑0.2μm左右的濾器等過濾來配製。 　　[0138] [感放射線性組成物之特性] 　　可使用本實施形態之感放射線性組成物，藉由旋轉塗佈而形成非晶質膜。又，本實施形態之感放射線性組成物，可應用於一般的半導體製造製程。可依所使用之顯影液的種類，分別製造正型阻劑圖型及負型阻劑圖型之任一者。 　　[0139] 正型阻劑圖型的情況時，旋轉塗佈本實施形態之感放射線性組成物所形成之非晶質膜對23℃之顯影液的溶解速度，較佳為5Å/sec以下、更佳為0.05~5Å/sec、又更佳為0.0005~5Å/sec。溶解速度為5Å/sec以下時，有對顯影液不溶，容易作為阻劑之傾向。又，溶解速度為0.0005Å/sec以上時，可能有解像性提高的情況。此推測係因由於上述式(1)及(2)表示之化合物及/或含有該化合物作為構成成分的樹脂之曝光前後的溶解性之變化，溶解於顯影液之曝光部與不溶解於顯影液之未曝光部的界面之對比增大之故。又，亦可見LER之減低、缺陷之減低效果。 　　[0140] 負型阻劑圖型的情況時，旋轉塗佈本實施形態之感放射線性組成物所形成之非晶質膜對23℃之顯影液的溶解速度，較佳為10Å/sec以上。該溶解速度為10Å/sec以上時，對顯影液易溶，適合為阻劑。又，溶解速度為10Å/sec以上時，亦可能有解像性提高的情況。此推測係因上述式(1)及(2)表示之化合物及/或含有該化合物作為構成成分之樹脂的微觀之表面部位溶解，LER減低之故。又，亦可見缺陷之減低效果。 　　[0141] 上述溶解速度，可於23℃下，將非晶質膜浸漬於顯影液中特定時間，藉由目視、橢圓偏光計或QCM法等之公知方法測定其浸漬前後之膜厚來決定。 　　[0142] 正型阻劑圖型的情況時，將旋轉塗佈本實施形態之感放射線性組成物所形成之非晶質膜以KrF準分子雷射、極紫外線、電子束或X射線等之放射線照射後，或者於20~500℃加熱後之曝光部分對23℃之顯影液的溶解速度，較佳為10Å/sec以上、更佳為10~10000Å/sec、又更佳為100~1000Å/sec。溶解速度為10Å/sec以上時，對顯影液易溶，適合為阻劑。又，溶解速度為10000Å/sec以下時，亦可能有解像性提高的情況。此推測係因上述式(0)表示之化合物及/或含有該化合物作為構成成分之樹脂的微觀之表面部位溶解，LER減低之故。又，亦可見缺陷之減低效果。 　　[0143] 負型阻劑圖型的情況時，將旋轉塗佈本實施形態之感放射線性組成物所形成之非晶質膜以KrF準分子雷射、極紫外線、電子束或X射線等之放射線照射後，或者於20~500℃加熱後之曝光部分對23℃之顯影液的溶解速度，較佳為5Å/sec以下、更佳為0.05~5Å/sec、又更佳為0.0005~5Å/sec。溶解速度為5Å/sec以下時，有對顯影液不溶，容易作為阻劑之傾向。又，溶解速度為0.0005Å/sec以上時，亦可能有解像性提高的情況。此推測係因由於上述式(0)表示之化合物及/或含有該化合物作為構成成分之樹脂之曝光前後的溶解性之變化，溶解於顯影液之未曝光部與不溶解於顯影液之曝光部的界面之對比增大之故。又，亦可見LER之減低、缺陷之減低效果。 　　[0144] [各成分之摻合比例] 　　本實施形態之感放射線性組成物中，成分(A)之含量，相對於固體成分之總質量(成分(A)、重氮萘醌光活性化合物(B)及其他成分(D)等之任意使用之固體成分的總和，以下相同)而言，較佳為1~99質量%、更佳為5~95質量%、又更佳為10~90質量%、特佳為25~75質量%。本實施形態之感放射線性組成物，成分(A)之含量為上述範圍內時，有可得到高感度且粗糙性小的圖型之傾向。 　　[0145] 本實施形態之感放射線性組成物中，重氮萘醌光活性化合物(B)之含量，相對於固體成分之總質量(成分(A)、重氮萘醌光活性化合物(B)及其他成分(D)等之任意使用之固體成分的總和，以下相同)而言，較佳為1~99質量%、更佳為5~95質量%、又更佳為10~90質量%、特佳為25~75質量%。本實施形態之感放射線性組成物，重氮萘醌光活性化合物(B)之含量為上述範圍內時，有可得到高感度且粗糙性小的圖型之傾向。 　　[0146] [其他成分(D)] 　　本實施形態之感放射線性組成物中，在不阻礙本發明之目的的範圍，可依需要添加1種或2種以上之酸產生劑、酸交聯劑、酸擴散控制劑、溶解促進劑、溶解控制劑、增感劑、界面活性劑、有機羧酸或磷之含氧酸或其衍生物、熱及/或光硬化觸媒、聚合抑制劑、難燃劑、填充劑、偶合劑、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、染料、顏料、增黏劑、潤滑劑、消泡劑、調平劑、紫外線吸收劑、界面活性劑、著色劑、非離子系界面活性劑等之各種添加劑，作為成分(A)及重氮萘醌光活性化合物(B)以外的成分。再者，本說明書中，有將其他成分(D)稱為任意成分(D)者。 　　[0147] 本實施形態之感放射線性組成物中，各成分之摻合比例(成分(A)/重氮萘醌光活性化合物(B)/任意成分(D))，以固體成分基準之質量%計，為 　　較佳為1~99/99~1/0~98、 　　更佳為5~95/95~5/0~49、 　　又更佳為10~90/90~10/0~10、 　　又再更佳為20~80/80~20/0~5、 　　特佳為25~75/75~25/0。 　　各成分之摻合比例，係由各範圍中選擇，使其總和成為100質量%。本實施形態之感放射線性組成物的各成分之摻合比例為上述範圍時，係有粗糙性、且感度、解像度等之性能優良的傾向。 　　[0148] 本實施形態之感放射線性組成物，於不阻礙本發明之目的的範圍，亦可含有其他樹脂。如此之其他樹脂，可列舉酚醛清漆樹脂、聚乙烯基酚類、聚丙烯酸、聚乙烯醇、苯乙烯-馬來酸酐樹脂，及含有丙烯酸、乙烯醇或乙烯基酚作為單體單位之聚合物或此等之衍生物等。此等樹脂之摻合量，係依所使用之成分(A)之種類來適當調節，相對於成分(A)100質量份而言，較佳為30質量份以下、更佳為10質量份以下、又更佳為5質量份以下、特佳為0質量份。 　　[0149] [阻劑圖型之形成方法] 　　本實施形態之阻劑圖型之形成方法，包含使用上述本實施形態之阻劑組成物或感放射線性組成物於基板上形成光阻層之後，對上述光阻層之特定區域照射放射線，進行顯影之步驟。更詳細而言，係具備使用上述本實施形態之阻劑組成物或感放射線性組成物於基板上形成阻劑膜之步驟、將所形成之阻劑膜曝光之步驟，與將上述阻劑膜顯影而形成阻劑圖型之步驟。本實施形態之阻劑圖型，亦可形成為多層製程中之上層阻劑。 　　[0150] 形成阻劑圖型之方法並無特殊限定，例如可列舉以下之方法。首先，將阻劑組成物或感放射線性組成物，藉由旋轉塗佈、流延塗佈、輥塗佈等之塗佈手段塗佈於以往公知之基板上，藉以形成阻劑膜。以往公知之基板並無特殊限定，例如可列舉電子零件用之基板，或於其上形成有特定的配線圖型者等。更具體而言，可列舉矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等之金屬製基板，或玻璃基板等。配線圖型之材料，例如可列舉銅、鋁、鎳、金等。又，亦可依需要，於前述基板上設置無機系及/或有機系之膜。無機系之膜可列舉無機抗反射膜(無機BARC)。有機系之膜可列舉有機抗反射膜(有機BARC)。基板上亦能夠以六亞甲基二矽氮烷等進行表面處理。 　　[0151] 接著，依需要將塗佈有阻劑組成物或感放射線性組成物之基板加熱。加熱條件係依阻劑組成物或感放射線組成物之摻合組成等而變化，較佳為20~250℃、更佳為20~150℃。藉由加熱，阻劑對基板之密合性有提高的傾向，故較佳。接著，藉由選自由可見光線、紫外線、準分子雷射、電子束、極紫外線(EUV)、X射線及離子束所成之群的任一種放射線，將阻劑膜曝光為所期望之圖型。曝光條件等，係依阻劑組成物或感放射線性組成物之摻合組成等而適當選定。本實施形態中，為了穩定形成曝光之高精度的微細圖型，較佳為於放射線照射後加熱。加熱條件係依阻劑組成物或感放射線性組成物之摻合組成等而變化，較佳為20~250℃、更佳為20~150℃。 　　[0152] 接著，藉由將經曝光之阻劑膜以顯影液顯影，而形成特定之阻劑圖型。作為顯影液，較佳為選擇對所使用之式(1)或式(2)表示之化合物或以式(1)或式(2)表示之化合物為單體而得到之樹脂溶解度參數(SP值)近的溶劑，可使用酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等之極性溶劑、烴系溶劑或鹼水溶液。 　　[0153] 酮系溶劑可列舉例如1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯基丙酮、丙酮基丙酮、紫羅酮、二丙酮醇、乙醯甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛酮、碳酸伸丙酯等。 　　[0154] 酯系溶劑例如可列舉乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、丙酸乙基-3-乙氧酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯等。 　　[0155] 醇系溶劑例如可列舉甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇(2-丙醇)、n-丁醇、sec-丁醇、tert-丁醇、異丁醇、n-己醇、4-甲基-2-戊醇、n-庚醇、n-辛醇、n-癸醇等之醇，或乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等之二醇系溶劑，或乙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇單乙基醚、二乙二醇單甲基醚、三乙二醇單乙基醚、甲氧基甲基丁醇等之二醇醚系溶劑等。 　　[0156] 醚系溶劑，例如除了上述二醇醚系溶劑以外，也可列舉二噁烷、四氫呋喃等。 　　[0157] 醯胺系溶劑例如可列舉N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、六甲基磷三醯胺、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮等。 　　[0158] 烴系溶劑例如可列舉甲苯、二甲苯等之芳香族烴系溶劑；戊烷、己烷、辛烷、癸烷等之脂肪族烴系溶劑。 　　[0159] 上述溶劑可混合複數種，亦可於具有性能之範圍內，與上述以外之溶劑或水混合來使用。惟，就發揮十二分之本發明之效果的觀點而言，作為顯影液全體之含水率較佳為未達70質量%、又更佳為未達50質量%、又再更佳為未達30質量%、又再更佳為未達10質量%、特佳為實質上不含有水分。亦即，有機溶劑相對於顯影液之含量，相對於顯影液之全部量而言，較佳為30質量%以上100質量%以下、更佳為50質量%以上100質量%以下、又更佳為70質量%以上100質量%以下、又再更佳為90質量%以上100質量%以下、特佳為95質量%以上100質量%以下。 　　[0160] 鹼水溶液例如可列舉單-、二-或三烷基胺類、單-、二-或三烷醇胺類、雜環式胺類、氫氧化四甲基銨(TMAH)、膽鹼等之鹼性化合物。 　　[0161] 特別地，作為顯影液，就改善阻劑圖型之解像性或粗糙性等之阻劑性能的觀點而言，較佳為含有由酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑中選擇的至少1種溶劑之顯影液。 　　[0162] 顯影液之蒸氣壓，於20℃下，較佳為5kPa以下、更佳為3kPa以下、又更佳為2kPa以下。顯影液之蒸氣壓為5kPa以下時，會抑制顯影液於基板上或顯影杯內之蒸發，提高晶圓面內之溫度均勻性，結果晶圓面內之尺寸均勻性係有良化的傾向。 　　[0163] 於20℃下具有5kPa以下之蒸氣壓之具體的顯影液之例子，可列舉1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、4-庚酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基異丁基酮等之酮系溶劑；乙酸丁酯、乙酸戊酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、丙酸乙基-3-乙氧酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯等之酯系溶劑；n-丙醇、異丙醇、n-丁醇、sec-丁醇、tert-丁醇、異丁醇、n-己醇、4-甲基-2-戊醇、n-庚醇、n-辛醇、n-癸醇等之醇系溶劑；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等之二醇系溶劑；乙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇單乙基醚、二乙二醇單甲基醚、三乙二醇單乙基醚、甲氧基甲基丁醇等之二醇醚系溶劑；四氫呋喃等之醚系溶劑；N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺之醯胺系溶劑；甲苯、二甲苯等之芳香族烴系溶劑；辛烷、癸烷等之脂肪族烴系溶劑。 　　[0164] 於20℃下具有2kPa以下之蒸氣壓之具體的顯影液之例子，可列舉1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、4-庚酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮等之酮系溶劑；乙酸丁酯、乙酸戊酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、丙酸乙基-3-乙氧酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯等之酯系溶劑；n-丁醇、sec-丁醇、tert-丁醇、異丁醇、n-己醇、4-甲基-2-戊醇、n-庚醇、n-辛醇、n-癸醇等之醇系溶劑；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等之二醇系溶劑；乙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇單乙基醚、二乙二醇單甲基醚、三乙二醇單乙基醚、甲氧基甲基丁醇等之二醇醚系溶劑；N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺之醯胺系溶劑；二甲苯等之芳香族烴系溶劑；辛烷、癸烷等之脂肪族烴系溶劑。 　　[0165] 顯影液中可依需要添加適當量的界面活性劑。界面活性劑並無特殊限定，例如可使用離子性或非離子性之氟系及/或矽系界面活性劑等。此等之氟及/或矽系界面活性劑，例如可列舉日本特開昭62-36663號公報、日本特開昭61-226746號公報、日本特開昭61-226745號公報、日本特開昭62-170950號公報、日本特開昭63-34540號公報、日本特開平7-230165號公報、日本特開平8-62834號公報、日本特開平9-54432號公報、日本特開平9-5988號公報、美國專利第5405720號說明書、同5360692號說明書、同5529881號說明書、同5296330號說明書、同5436098號說明書、同5576143號說明書、同5294511號說明書、同5824451號說明書所記載之界面活性劑，較佳為非離子性之界面活性劑。非離子性之界面活性劑並無特殊限定，較佳為氟系界面活性劑或矽系界面活性劑。 　　[0166] 界面活性劑之使用量，相對於顯影液之全部量而言，通常係0.001~5質量%、較佳為0.005~2質量%、更佳為0.01~0.5質量%。 　　[0167] 顯影方法例如可應用於充滿顯影液之槽中將基板浸漬一定時間的方法(浸漬法)、於基板表面使顯影液因表面張力隆起而靜止一定時間以進行顯影的方法(槳式法)、對基板表面將顯影液噴霧之方法(噴霧法)、於以一定速度旋轉之基板上以一定速度將顯影液塗出噴嘴一邊進行掃描一邊持續塗出顯影液之方法(動態分配法)等。進行圖型顯影的時間並無特殊限制，較佳為10秒~90秒。 　　[0168] 又，於進行顯影之步驟之後，亦可實施一邊取代為其他溶劑，一邊使顯影停止之步驟。 　　[0169] 於顯影之後，較佳包含使用含有有機溶劑之潤洗液進行洗淨之步驟。 　　[0170] 顯影後之潤洗步驟所用的潤洗液，只要不溶解因交聯所硬化之阻劑圖型則無特殊限制，可使用含有一般的有機溶劑之溶液或水。上述潤洗液，較佳為使用含有由烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑中選擇的至少1種有機溶劑之潤洗液。更佳為於顯影之後，進行使用含有選自由酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑所成之群的至少1種有機溶劑之潤洗液洗淨的步驟。又更佳為於顯影之後，進行使用含有醇系溶劑或酯系溶劑之潤洗液洗淨的步驟。又再更佳為於顯影之後，進行使用含有1元醇之潤洗液洗淨的步驟。特佳為於顯影之後，進行使用含有碳數5以上之1元醇的潤洗液洗淨的步驟。進行圖型之潤洗的時間並無特殊限制，較佳為10秒~90秒。 　　[0171] 此處，顯影後之潤洗步驟所用的1元醇，可列舉直鏈狀、分支狀、環狀之1元醇，具體而言，可使用1-丁醇、2-丁醇、3-甲基-1-丁醇、tert-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、4-甲基-2-戊醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、環戊醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇等，特佳之碳數5以上之1元醇，可列舉1-己醇、2-己醇、4-甲基-2-戊醇、1-戊醇、3-甲基-1-丁醇等。 　　[0172] 上述各成分，可複數混合、亦可與上述以外之有機溶劑混合來使用。 　　[0173] 潤洗液中之含水率，較佳為10質量%以下、更佳為5質量%以下、又更佳為3質量%以下。藉由使潤洗液中之含水率成為10質量%以下，有可得到更良好之顯影特性的傾向。 　　[0174] 顯影後所用之潤洗液的蒸氣壓，於20℃下，較佳為0.05kPa以上、5kPa以下；更佳為0.1kPa以上、5kPa以下；又更佳為0.12kPa以上、3kPa以下。潤洗液之蒸氣壓為0.05kPa以上、5kPa以下時，有晶圓面內之溫度均勻性更提高，進而起因於潤洗液之滲透的膨潤更加被抑制，晶圓面內之尺寸均勻性更加良化的傾向。 　　[0175] 潤洗液中，亦可添加適當量之界面活性劑來使用。 　　[0176] 潤洗步驟中，係將進行過顯影之晶圓使用含有上述有機溶劑之潤洗液進行洗淨處理。洗淨處理之方法並無特殊限定，例如，可應用於以一定速度旋轉之基板上持續塗出潤洗液之方法(旋轉塗佈法)、於充滿潤洗液之槽中將基板浸漬一定時間之方法(浸漬法)、對基板表面噴霧潤洗液之方法(噴霧法)等，其中尤以藉由旋轉塗佈方法進行洗淨處理，於洗淨後將基板以2000rpm~4000rpm之旋轉數旋轉，將潤洗液由基板上去除為佳。 　　[0177] 形成阻劑圖型後，藉由蝕刻而得到圖型配線基板。蝕刻之方法能夠以使用電漿氣體之乾蝕刻及使用鹼溶液、氯化銅(II)溶液、氯化鐵(III)溶液等之濕蝕刻等公知方法進行。 　　[0178] 形成阻劑圖型後，亦可進行鍍敷。鍍敷法例如可列舉鍍銅、鍍銲料、鍍鎳、鍍金等。 　　[0179] 蝕刻後之殘存阻劑圖型能夠以有機溶劑剝離。有機溶劑可列舉PGMEA(丙二醇單甲基醚乙酸酯)、PGME(丙二醇單甲基醚)、EL(乳酸乙酯)等。剝離方法例如可列舉浸漬方法、噴霧方式等。又，形成有阻劑圖型之配線基板，可為多層配線基板、亦可具有小直徑穿通孔。 　　[0180] 本實施形態之配線基板，亦可藉由於阻劑圖型形成後，於真空中蒸鍍金屬，之後將阻劑圖型以溶液溶解的方法，亦即掀離(lift off)法來形成。 　　[0181] [適於底層膜用途之微影術用膜形成組成物] 　　本實施形態之適於底層膜用途之微影術用膜形成組成物(以下亦稱為「底層膜形成材料」)，含有選自由上述式(0)表示之化合物、以上述式(0)表示之化合物為單體而得到之樹脂所成之群的至少1種物質。本實施形態中，上述物質就塗佈性及品質安定性之觀點而言，於固體成分之總質量中，較佳為1~100質量%、更佳為10~100質量%、又更佳為50~100質量%、特佳為100質量%。 　　[0182] 本實施形態之底層膜形成材料，可應用於濕式製程，耐熱性及蝕刻耐性優良。進一步地，本實施形態之底層膜形成材料，由於使用上述物質，故可形成高溫烘烤時之膜劣化被抑制，且對氧電漿蝕刻等之蝕刻耐性亦優良的底層膜。進一步地，本實施形態之底層膜形成材料，由於與阻劑層之密合性亦優良，故可得到優良的阻劑圖型。再者，本實施形態之底層膜形成材料，在不損及本發明之效果的範圍，亦可含有已知之微影術用底層膜形成材料等。 　　[0183] [溶劑] 　　本實施形態之底層膜形成材料，亦可含有溶劑。底層膜形成材料所用之溶劑，只要係至少溶解上述物質者，則可適當使用公知者。 　　[0184] 溶劑之具體例子，並無特殊限定，例如可列舉丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等之酮系溶劑；丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯等之賽璐索芙系溶劑；乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、羥基異丁酸甲酯等之酯系溶劑；甲醇、乙醇、異丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等之醇系溶劑；甲苯、二甲苯、苯甲醚等之芳香族系烴等。此等溶劑可1種單獨、或組合2種以上使用。 　　[0185] 上述溶劑之中，就安全性之觀點而言，尤以環己酮、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯、羥基異丁酸甲酯、苯甲醚特佳。 　　[0186] 溶劑之含量並無特殊限定，就溶解性及製膜上之觀點而言，相對於固體成分之總質量100質量份而言，較佳為100~10000質量份、更佳為200~5000質量份、又更佳為200~1000質量份。 　　[0187] [交聯劑] 　　本實施形態之底層膜形成材料，就抑制互混等之觀點而言，亦可依需要含有交聯劑。交聯劑並無特殊限定，例如可使用國際公開第2013/024779號記載者。 　　[0188] 本實施形態可使用的交聯劑之具體例子，例如可列舉酚化合物、環氧化合物、氰酸酯化合物、胺基化合物、苯并噁嗪化合物、丙烯酸酯化合物、三聚氰胺化合物、胍胺化合物、乙炔脲化合物、脲化合物、異氰酸酯化合物、疊氮化合物等，不特別限定於此等。此等交聯劑可1種單獨、或組合2種以上使用。此等之中尤以苯并噁嗪化合物、環氧化合物或氰酸酯化合物為佳，就蝕刻耐性提高之觀點而言，更佳為苯并噁嗪化合物。 　　[0189] 上述酚化合物可使用公知者。例如，就酚類而言，除了酚以外，也可列舉甲酚類、二甲酚類等之烷基酚類；氫醌等之多元酚類；萘酚類、萘二醇類等之多環酚類；雙酚A、雙酚F等之雙酚類；或酚酚醛清漆、酚芳烷基樹脂等之多官能性酚化合物等。其中就耐熱性及溶解性之觀點而言，尤以芳烷基型酚樹脂為佳。 　　[0190] 上述環氧化合物，可使用公知者，係由1分子中具有2個以上環氧基者中選擇。例如可列舉雙酚A、雙酚F、3,3’,5,5’-四甲基-雙酚F、雙酚S、茀雙酚、2,2’ -聯酚、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二羥基聯酚、間苯二酚、萘二醇類等之2元酚類之環氧化物；參-(4-羥基苯基)甲烷、1,1,2,2-肆(4-羥基苯基)乙烷、參(2,3-環氧基丙基)異三聚氰酸酯、三羥甲基甲烷三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、三羥乙基乙烷三縮水甘油醚、酚酚醛清漆、o-甲酚酚醛清漆等之3元以上之酚類的環氧化物；二環戊二烯與酚類之共縮合樹脂的環氧化物；由酚類與對伸二甲苯基二氯化物等所合成之酚芳烷基樹脂類的環氧化物；由酚類與雙氯甲基聯苯等所合成之聯苯基芳烷基型酚樹脂的環氧化物；由萘酚類與對伸二甲苯基二氯化物等所合成之萘酚芳烷基樹脂類的環氧化物等。此等環氧樹脂可單獨亦可合併使用2種以上。就耐熱性與溶解性之觀點而言，較佳為由酚芳烷基樹脂類、聯苯基芳烷基樹脂類所得到的環氧樹脂等之常溫為固體狀的環氧樹脂。 　　[0191] 上述氰酸酯化合物，只要係1分子中具有2個以上之氰酸酯基的化合物，則無特殊限制，可使用公知者。本實施形態中，較佳之氰酸酯化合物，可列舉將1分子中具有2個以上之羥基的化合物之羥基取代為氰酸酯基的結構者。又，氰酸酯化合物，較佳為具有芳香族基者，可適合地使用氰酸酯基直接鍵結於芳香族基的結構者。如此之氰酸酯化合物，例如可列舉將雙酚A、雙酚F、雙酚M、雙酚P、雙酚E、酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯酚醛清漆樹脂、四甲基雙酚F、雙酚A酚醛清漆樹脂、溴化雙酚A、溴化酚酚醛清漆樹脂、3官能酚、4官能酚、萘型酚、聯苯型酚、酚芳烷基樹脂、聯苯基芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂、二環戊二烯芳烷基樹脂、脂環式酚、含磷酚等之羥基取代為氰酸酯基的結構者。此等之氰酸酯化合物，可單獨或適當組合2種以上來使用。又，上述氰酸酯化合物，可為單體、寡聚物及樹脂之任意形態。 　　[0192] 上述胺基化合物，例示有m-苯二胺、p-苯二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基丙烷、4,4’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基硫醚、3,4’-二胺基二苯基硫醚、3,3’-二胺基二苯基硫醚、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、4,4’-雙(3-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]醚、9,9-雙(4-胺基苯基)茀、9,9-雙(4-胺基-3-氯苯基)茀、9,9-雙(4-胺基-3-氟苯基)茀、O-聯甲苯胺、m-聯甲苯胺、4,4’-二胺基苯甲醯苯胺、2,2’-雙(三氟甲基)-4,4’-二胺基聯苯、苯甲酸4-胺基苯基-4-胺酯、2-(4-胺基苯基)-6-胺基苯并噁唑等。進一步地，可列舉4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基丙烷、4,4’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基碸、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、4,4’-雙(3-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]醚等之芳香族胺類；二胺基環己烷、二胺基二環己基甲烷、二甲基ｰ二胺基二環己基甲烷、四甲基ｰ二胺基二環己基甲烷、二胺基二環己基丙烷、二胺基雙環[2.2.1]庚烷、雙(胺基甲基)-雙環[2.2.1]庚烷、3(4),8(9)-雙(胺基甲基)三環[5.2.1.02,6]癸烷、1,3-雙胺基甲基環己烷、異佛酮二胺等之脂環式胺類、乙二胺、六亞甲二胺、八亞甲二胺、十亞甲二胺、二乙三胺、三乙四胺等之脂肪族胺類等。 　　[0193] 上述苯并噁嗪化合物，可列舉由二官能性二胺類與單官能酚類所得到之P-d型苯并噁嗪、由單官能性二胺類與二官能性酚類所得到之F-a型苯并噁嗪等。 　　[0194] 上述三聚氰胺化合物之具體例子，例如可列舉六羥甲基三聚氰胺、六甲氧基甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺之1~6個羥甲基經甲氧基甲基化之化合物或其混合物、六甲氧基乙基三聚氰胺、六醯氧基甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺之1~6個羥甲基經醯氧基甲基化之化合物或其混合物等。 　　[0195] 上述胍胺化合物之具體例子，例如可列舉四羥甲基胍胺、四甲氧基甲基胍胺、四羥甲基胍胺之1~4個羥甲基經甲氧基甲基化之化合物或其混合物、四甲氧基乙基胍胺、四醯氧基胍胺、四羥甲基胍胺之1~4個羥甲基經醯氧基甲基化之化合物或其混合物等。 　　[0196] 上述乙炔脲化合物之具體例子，例如可列舉四羥甲基乙炔脲、四甲氧基乙炔脲、四甲氧基甲基乙炔脲、四羥甲基乙炔脲之1~4個羥甲基經甲氧基甲基化之化合物或其混合物、四羥甲基乙炔脲之1~4個羥甲基經醯氧基甲基化之化合物或其混合物等。 　　[0197] 上述脲化合物之具體例子，例如可列舉四羥甲基脲、四甲氧基甲基脲、四羥甲基脲之1~4個羥甲基經甲氧基甲基化之化合物或其混合物、四甲氧基乙基脲等。 　　[0198] 又，本實施形態中，就提高交聯性之觀點而言，亦可使用具有至少1個烯丙基之交聯劑。具有至少1個烯丙基之交聯劑之具體例子，可列舉2,2-雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)丙烷、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)丙烷、雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)碸、雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)硫醚、雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)醚等之烯丙基酚類；2,2-雙(3-烯丙基-4-氰氧基苯基)丙烷、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(3-烯丙基-4-氰氧基苯基)丙烷、雙(3-烯丙基-4-氰氧基苯基)碸、雙(3-烯丙基-4-氰氧基苯基)硫醚、雙(3-烯丙基-4-氰氧基苯基)醚等之烯丙基氰酸酯類；鄰苯二甲酸二烯丙酯、間苯二甲酸二烯丙酯、對苯二甲酸二烯丙酯、異三聚氰酸三烯丙酯、三羥甲基丙烷二烯丙基醚、季戊四醇烯丙基醚等，但不限定於此等例示者。此等可為單獨、亦可為2種以上之混合物。此等之中，尤以2,2-雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)丙烷、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)丙烷、雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)碸、雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)硫醚、雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)醚等之烯丙基酚類為佳。 　　[0199] 底層膜形成材料中之交聯劑的含量，並無特殊限定，較佳為固體成分之總質量的0.1~50質量%、更佳為5~50質量%、又更佳為10~40質量%。藉由使交聯劑之含量成為上述範圍，有抑制與阻劑層之混合現象產生的傾向，又，有抗反射效果提高、交聯後之膜形成性提高的傾向。 　　[0200] [交聯促進劑] 　　本實施形態之底層膜形成材料中，可依需要使用用於促進交聯、硬化反應之交聯促進劑。 　　[0201] 上述交聯促進劑，只要係會促進交聯、硬化反應者，則無特殊限定，例如可列舉胺類、咪唑類、有機膦類、路易士酸等。此等交聯促進劑可1種單獨、或組合2種以上來使用。此等之中尤以咪唑類或有機膦類為佳，就交聯溫度之低溫化的觀點而言，更佳為咪唑類。 　　[0202] 上述交聯促進劑，雖不限定為以下，但例如可列舉1,8-二氮雜雙環(5,4,0)十一烯-7、三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、參(二甲基胺基甲基)酚等之三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑、2,4,5-三苯基咪唑等之咪唑類；三丁基膦、甲基二苯基膦、三苯基膦、二苯基膦、苯基膦等之有機膦類；四苯基鏻･四苯基硼酸鹽、四苯基鏻･乙基三苯基硼酸鹽、四丁基鏻･四丁基硼酸鹽等之四取代鏻･四取代硼酸鹽、2-乙基-4-甲基咪唑･四苯基硼酸鹽、N-甲基嗎啉･四苯基硼酸鹽等之四苯基硼鹽等。 　　[0203] 交聯促進劑之含量，通常係固體成分之總質量的較佳為0.1~10質量%，就控制之容易性及經濟性之觀點而言更佳為0.1~5質量份、又更佳為0.1~3質量%。 　　[0204] [自由基聚合起始劑] 　　本實施形態之底層膜形成材料中，可依需要摻合自由基聚合起始劑。作為自由基聚合起始劑，可為藉由光而使自由基聚合開始之光聚合起始劑、亦可為藉由熱而使自由基聚合開始之熱聚合起始劑。自由基聚合起始劑，例如，可為選自由酮系光聚合起始劑、有機過氧化物系聚合起始劑及偶氮系聚合起始劑所成之群的至少1種。 　　[0205] 如此之自由基聚合起始劑並無特殊限制，可適當採用以往所用者。例如可列舉1-羥基環己基苯基酮、苄基二甲基縮酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物等之酮系光聚合起始劑；甲基乙基酮過氧化物、環己酮過氧化物、甲基環己酮過氧化物、甲基乙醯乙酸酯過氧化物、乙醯基乙酸酯過氧化物、1,1-雙(t-己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(t-己基過氧基)-環己烷、1,1-雙(t-丁基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(t-丁基過氧基)-2-甲基環己烷、1,1-雙(t-丁基過氧基)-環己烷、1,1-雙(t-丁基過氧基)環十二烷、1,1-雙(t-丁基過氧基)丁烷、2,2-雙(4,4-二-t-丁基過氧基環己基)丙烷、p-薄荷烷氫過氧化物、二異丙基苯氫過氧化物、1,1,3,3-四甲基丁基氫過氧化物、異丙苯氫過氧化物、t-己基氫過氧化物、t-丁基氫過氧化物、α,α’-雙(t-丁基過氧基)二異丙基苯、二異丙苯基過氧化物、2,5-二甲基-2,5-雙(t-丁基過氧基)己烷、t-丁基異丙苯基過氧化物、二-t-丁基過氧化物、2,5-二甲基-2,5-雙(t-丁基過氧基)己炔-3、異丁醯基過氧化物、3,5,5-三甲基己醯基過氧化物、辛醯基過氧化物、月桂醯基過氧化物、硬脂醯基過氧化物、琥珀酸過氧化物、m-甲苯甲醯基苯甲醯基過氧化物、苯甲醯基過氧化物、二-n-丙基過氧基二碳酸酯、二異丙基過氧基二碳酸酯、雙(4-t-丁基環己基)過氧基二碳酸酯、二-2-乙氧基乙基過氧基二碳酸酯、二-2-乙氧基己基過氧基二碳酸酯、二-3-甲氧基丁基過氧基二碳酸酯、二-s-丁基過氧基二碳酸酯、二(3-甲基-3-甲氧基丁基)過氧基二碳酸酯、α,α’-雙(新癸醯基過氧基)二異丙基苯、異丙苯基過氧基新癸酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基新癸酸酯、1-環己基-1-甲基乙基過氧基新癸酸酯、t-己基過氧基新癸酸酯、t-丁基過氧基新癸酸酯、t-己基過氧基三甲基乙酸酯、t-丁基過氧基三甲基乙酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基-2-乙基己酸酯、2,5-二甲基-2,5-雙(2-乙基己醯基過氧基)己酸酯、1-環己基-1-甲基乙基過氧基-2-乙基己酸酯、t-己基過氧基-2-乙基己酸酯、t-丁基過氧基-2-乙基己酸酯、t-己基過氧基異丙基單碳酸酯、t-丁基過氧基異丁酸酯、t-丁基過氧基馬來酸酯、t-丁基過氧基-3,5,5-三甲基己酸酯、t-丁基過氧基月桂酸酯、t-丁基過氧基異丙基單碳酸酯、t-丁基過氧基-2-乙基己基單碳酸酯、t-丁基過氧基乙酸酯、t-丁基過氧基-m-甲苯甲醯基苯甲酸酯、t-丁基過氧基苯甲酸酯、雙(t-丁基過氧基)間苯二甲酸酯、2,5-二甲基-2,5-雙(m-甲苯甲醯基過氧基)己烷、t-己基過氧基苯甲酸酯、2,5-二甲基-2,5-雙(苯甲醯基過氧基)己烷、t-丁基過氧基烯丙基單碳酸酯、t-丁基三甲基矽烷基過氧化物、3,3’,4,4’-四(t-丁基過氧基羰基)二苯甲酮、2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷等之有機過氧化物系聚合起始劑。 　　[0206] 又，亦可列舉2-苯基偶氮-4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈、1-[(1-氰基-1-甲基乙基)偶氮]甲醯胺、1,1’-偶氮雙(環己烷-1-碳腈)、2,2’-偶氮雙(2-甲基丁腈)、2,2’-偶氮二異丁腈、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙脒)二氫氯化物、2,2’-偶氮雙(2-甲基-N-苯基丙脒)二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[N-(4-氯苯基)-2-甲基丙脒]二氫化物氯化物、2,2’-偶氮雙[N-(4-氫苯基)-2-甲基丙脒]二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-(苯基甲基)丙脒]二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-丙烯基)丙脒]二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[N-(2-羥基乙基)-2-甲基丙脒]二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氫氯化物、2,2´-偶氮雙[2-(4,5,6,7-四氫-1H-1,3-二氮呯-2-基)丙烷]二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[2-(3,4,5,6-四氫嘧啶-2-基)丙烷]二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[2-(5-羥基-3,4,5,6-四氫嘧啶-2-基)丙烷]二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[2-[1-(2-羥基乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷]二氫氯化物、2,2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-[1,1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙醯胺]、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-[1,1-雙(羥基甲基)乙基]丙醯胺]、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙醯胺]、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙醯胺)、2,2’-偶氮雙(2,4,4-三甲基戊烷)、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙烷)、二甲基-2,2-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)、4,4’-偶氮雙(4-氰基戊烷酸)、2,2’-偶氮雙[2-(羥基甲基)丙腈]等之偶氮系聚合起始劑。本實施形態之自由基聚合起始劑，可單獨使用此等當中之1種，亦可組合2種以上來使用，亦可進一步組合其他公知之聚合起始劑來使用。 　　[0207] 上述自由基聚合起始劑之含量，只要係化學計量上所必要之量即可，較佳為固體成分之總質量的0.05~25質量%、更佳為0.1~10質量%。自由基聚合起始劑之含量為0.05質量%以上時，有可防止硬化不充分的傾向，另一方面，自由基聚合起始劑之含量為25質量%以下時，有可防止損及底層膜形成材料於室溫之長期保存安定性的傾向。 　　[0208] [酸產生劑] 　　本實施形態之底層膜形成材料，就進一步促進以熱所進行之交聯反應等之觀點而言，亦可依需要含有酸產生劑。作為酸產生劑，已知有藉由熱分解而產生酸者、藉由光照射而產生酸者等，不管何者均可使用。作為酸產生劑，例如可使用國際公開第2013/024779號中記載者。 　　[0209] 底層膜形成材料中之酸產生劑之含量，並無特殊限定，較佳為固體成分之總質量之0.1~50質量%、更佳為0.5~40質量%。藉由使酸產生劑之含量成為上述範圍，有酸產生量增多而提高交聯反應的傾向，又，有抑制與阻劑層之混合現象的產生之傾向。 　　[0210] [鹼性化合物] 　　本實施形態之底層膜形成材料，就提高保存安定性等之觀點而言，亦可含有鹼性化合物。 　　[0211] 鹼性化合物，係發揮用以防止由酸產生劑所微量產生之酸使交聯反應進行的對酸之淬熄劑的角色。如此之鹼性化合物並無特殊限定，例如可列舉國際公開第2013/024779號記載者。 　　[0212] 底層膜形成材料中之鹼性化合物之含量，並無特殊限定，較佳為固體成分之總質量的0.001~2質量%、更佳為0.01~1質量%。藉由使鹼性化合物之含量成為上述範圍，有在不過度損及交聯反應的同時提高保存安定性之傾向。 　　[0213] [其他添加劑] 　　又，本實施形態之底層膜形成材料，亦能夠以控制熱或光所賦予的硬化性，或者吸光度為目的，含有其他樹脂及/或化合物。如此之其他樹脂及/或化合物，可列舉萘酚樹脂、二甲苯樹脂萘酚改質樹脂、萘樹脂之酚改質樹脂；聚羥基苯乙烯、二環戊二烯樹脂、(甲基)丙烯酸酯、二甲基丙烯酸酯、三甲基丙烯酸酯、四甲基丙烯酸酯；含有乙烯基萘、聚苊烯等之萘環；菲醌、茀等之聯苯環；噻吩、茚等之具有雜原子之雜環的樹脂或不含芳香族環之樹脂；松香系樹脂、環糊精、金剛烷(多元)醇、三環癸烷(多元)醇及該等之衍生物等之含脂環結構之樹脂或化合物等，但不特別限定於此等。進一步地，本實施形態之底層膜形成材料，亦可含有公知之添加劑。公知之添加劑，雖不限定為以下，但例如可列舉熱及/或光硬化觸媒、聚合抑制劑、難燃劑、填充劑、偶合劑、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、染料、顏料、增黏劑、潤滑劑、消泡劑、調平劑、紫外線吸收劑、界面活性劑、著色劑、非離子系界面活性劑等。 　　[0214] [微影術用底層膜及多層阻劑圖型之形成方法] 　　本實施形態之微影術用底層膜，係由上述底層膜形成材料所形成。 　　[0215] 又，本實施形態之阻劑圖型形成方法，包含使用上述組成物於基板上形成底層膜，且於上述底層膜上形成至少1層之光阻層後，對上述光阻層之特定區域照射放射線，進行顯影之步驟。更詳而言之，係具有使用本實施形態之底層膜形成材料於基板上形成底層膜之步驟(A-1)、於上述底層膜上形成至少1層之光阻層之步驟(A-2)，與上述(A-2)步驟之後，對上述光阻層之特定區域照射放射線，進行顯影之步驟(A-3)。 　　[0216] 進一步地，本實施形態之電路圖型形成方法，包含使用上述組成物於基板上形成底層膜，使用阻劑中間層膜材料於上述底層膜上形成中間層膜，且於上述中間層膜上形成至少1層之光阻層之步驟、 　　對上述光阻層之特定區域照射放射線，顯影而形成阻劑圖型之步驟、 　　以上述阻劑圖型為遮罩來蝕刻上述中間層膜，以所得到之中間層膜圖型為蝕刻遮罩來蝕刻上述底層膜，以所得到之底層膜圖型為蝕刻遮罩來蝕刻基板，藉以於基板形成圖型之步驟。 　　[0217] 更詳細而言，係具有於使用本實施形態之底層膜形成材料於基板上形成底層膜之步驟(B-1)、使用含有矽原子之阻劑中間層膜材料於上述底層膜上形成中間層膜之步驟(B-2)、於上述中間層膜上形成至少1層之光阻層之步驟(B-3)、上述步驟(B-3)之後，對上述光阻層之特定區域照射放射線，顯影而形成阻劑圖型之步驟(B-4)，與於上述步驟(B-4)之後，以上述阻劑圖型為遮罩來蝕刻上述中間層膜，以所得到之中間層膜圖型為蝕刻遮罩來蝕刻上述底層膜，以所得到之底層膜圖型為蝕刻遮罩來蝕刻基板，藉以於基板形成圖型之步驟(B-5)。 　　[0218] 本實施形態之微影術用底層膜，只要係由本實施形態之底層膜形成材料所形成者，其形成方法並無特殊限定，可應用公知之手法。例如，可將本實施形態之底層膜材料以旋轉塗佈或網版印刷等之公知的塗佈法或印刷法等施與於基板上後，由揮發等將有機溶劑予以去除後，以公知之方法使其交聯、硬化，形成本實施形態之微影術用底層膜。交聯方法可列舉熱硬化、光硬化等之手法。 　　[0219] 於底層膜形成時，為了抑制與上層阻劑之混合現象產生並且促進交聯反應，較佳為實施烘烤。此時，烘烤溫度並無特殊限定，較佳為80~450℃之範圍內、更佳為200~400℃。又，烘烤時間亦無特殊限定，較佳為10~300秒之範圍內。再者，底層膜之厚度，可依所要求性能適當選定，並無特殊限定，通常較佳為30~20000nm左右、更佳為50~15000nm。 　　[0220] 製作底層膜後，2層製程的情況時，較佳於其上製作含矽阻劑層，或由通常之烴所構成的單層阻劑；3層製程的情況時，較佳於其上製作含矽中間層，進而於其上製作不含矽之單層阻劑層。此時，用以形成該阻劑層之光阻材料，可使用公知者。 　　[0221] 於基板上製作底層膜後，2層製程的情況時，可於該底層膜上製作含矽阻劑層或由通常之烴所構成的單層阻劑。3層製程的情況時，可於該底層膜上製作含矽中間層，進而於該含矽中間層上製作不含矽之單層阻劑層。於此等情況，用以形成阻劑層之光阻材料，可由公知者中適當選擇來使用，並無特殊限定。 　　[0222] 2層製程用之含矽阻劑材料，就氧氣蝕刻耐性之觀點而言，較佳為利用使用了聚倍半矽氧烷衍生物或乙烯基矽烷衍生物等之含有矽原子之聚合物作為基底聚合物，且進而含有有機溶劑、酸產生劑、依需要之鹼性化合物等的正型之光阻材料。此處，含有矽原子之聚合物，可使用於此種阻劑材料中所用的公知之聚合物。 　　[0223] 3層製程用之含矽中間層，較佳為使用聚倍半矽氧烷基底之中間層。藉由使中間層具備作為抗反射膜之效果，有可有效地抑制反射之傾向。例如，於193nm曝光用製程中，若使用含多量芳香族基且基板蝕刻耐性高的材料作為底層膜時，有k值增高、基板反射增高之傾向，但藉由以中間層抑制反射，可使基板反射成為0.5%以下。如此之具有抗反射效果之中間層，雖不限定為以下，但作為193nm曝光用時，較佳可使用導入有苯基或具有矽-矽鍵之吸光基的以酸或熱交聯之聚倍半矽氧烷。 　　[0224] 又，亦可使用以Chemical Vapour Deposition (CVD)法所形成之中間層。以CVD法製作之作為抗反射膜的效果高之中間層，雖不限定為以下，但例如已知有SiON膜。一般而言，相較於CVD法，以旋轉塗佈法或網版印刷等之濕式製程來形成中間層，較為簡便且具有成本上的優勢。再者，3層製程中之上層阻劑，係正型、負型均可，又，可使用與通常所用之單層阻劑相同者。 　　[0225] 進一步地，本實施形態之底層膜，亦可使用作為通常之單層阻劑用的抗反射膜或用以抑制圖型倒塌之基底材。底層膜由於用於基底加工之蝕刻耐性優良，故亦可期待作為用於基底加工之硬遮罩的功能。 　　[0226] 藉由上述光阻材料形成阻劑層時，與上述形成底層膜的情況相同地，較佳為使用旋轉塗佈法或網版印刷等之濕式製程。又，將阻劑材料以旋轉塗佈法等塗佈後，通常係進行預烘烤，該預烘烤較佳為於80~180℃且10~300秒之範圍進行。之後，可藉由遵照一般方法進行曝光，且進行曝光後烘烤(PEB)、顯影，來得到阻劑圖型。再者，阻劑膜之厚度並無特殊限制，一般而言，較佳為30~500nm、更佳為50~400nm。 　　[0227] 又，曝光光只要依所使用之光阻材料來適當選擇使用即可。一般而言，可列舉波長300nm以下之高能量線，具體而言可列舉248nm、193nm、157nm之準分子雷射、3~20nm之軟X射線、電子束、X射線等。 　　[0228] 藉由上述方法所形成之阻劑圖型，為藉由底層膜抑制了圖型倒塌者。因此，藉由使用本實施形態之底層膜，可得到更微細之圖型，又，可使為了得到該阻劑圖型所必要的曝光量降低。 　　[0229] 接著，以所得到之阻劑圖型為遮罩來進行蝕刻。2層製程中之底層膜的蝕刻，較佳為使用氣體蝕刻。就氣體蝕刻而言，宜為使用氧氣之蝕刻。除了氧氣以外，亦可添加He、Ar等之惰性氣體，或CO、CO2 、NH3 、SO2 、N2 、NO2 、 H2 氣體。又，亦可不使用氧氣，僅以CO、CO2 、NH3 、N2 、NO2 、 H2 氣體來進行氣體蝕刻。特別是後者之氣體，可較佳地使用於用以防止圖型側壁之底切的側壁保護。 　　[0230] 另一方面，於3層製程中之中間層的蝕刻，亦較佳使用氣體蝕刻。氣體蝕刻可應用與上述2層製程中所說明者為相同者。特別是3層製程中之中間層的加工，較佳為使用氯氟烴系之氣體以阻劑圖型為遮罩來進行。之後，可藉由如上述般以中間層圖型為遮罩，例如進行氧氣蝕刻，以進行底層膜之加工。 　　[0231] 此處，形成無機硬遮罩中間層膜作為中間層時，係以CVD法或ALD法等來形成矽氧化膜、矽氮化膜、矽氧化氮化膜(SiON膜)。氮化膜之形成方法，雖不限定為以下，但例如可使用日本特開2002-334869號公報(專利文獻6)、WO2004/066377(專利文獻7)記載之方法。可於如此之中間層膜上直接形成光阻膜，亦可以旋轉塗佈於中間層膜之上形成有機抗反射膜(BARC)，並於其上形成光阻膜。 　　[0232] 中間層較佳亦可使用聚倍半矽氧烷基底之中間層。藉由使阻劑中間層膜具備作為抗反射膜之效果，有可有效地抑制反射的傾向。聚倍半矽氧烷基底之中間層的具體的材料，雖不限定為以下，但例如可使用日本特開2007-226170號(專利文獻8)、日本特開2007-226204號(專利文獻9)記載者。 　　[0233] 又，如下之基板的蝕刻，亦可藉由一般方法進行，例如，基板若為SiO2 、SiN，可進行以氯氟烴系氣體為主體之蝕刻；為p-Si或Al、W時則可進行以氯系、溴系氣體為主體之蝕刻。將基板以氯氟烴系氣體蝕刻時，2層阻劑製程之含矽阻劑與3層製程之含矽中間層，係在基板加工的同時被剝離。另一方面，以氯系或溴系氣體蝕刻基板時，含矽阻劑層或含矽中間層之剝離係另外進行，一般而言，係於基板加工後以氯氟烴系氣體進行乾蝕刻剝離。 　　[0234] 本實施形態之底層膜，具有基板之蝕刻耐性優良的特徵。再者，基板可適當選擇公知者來使用，並無特殊限定，可列舉Si、α-Si、p-Si、SiO2 、SiN、SiON、W、TiN、Al等。又，基板亦可為於基材(支持體)上具有被加工膜(被加工基板)之層合體。如此之被加工膜，可列舉Si、SiO2 、SiON、SiN、p-Si、α-Si、W、W-Si、Al、Cu、Al-Si等各種之Low-k膜及其中止膜等，通常可使用與基材(支持體)不同材質者。再者，作為加工對象之基板或被加工膜的厚度，並無特殊限定，通常較佳為50~10,000nm左右、更佳為75~5,000nm。 　　[0235] [阻劑永久膜] 　　再者，亦可使用上述組成物來製作阻劑永久膜，塗佈上述組成物而成的阻劑永久膜，適宜作為依需要形成阻劑圖型後，於最終製品中亦殘存的永久膜。永久膜之具體例子，於半導體裝置相關者可列舉防焊劑、封裝材、底填材、電路元件等之封裝接著層或積體電路元件與電路基板之接著層，於薄型顯示器相關者，可列舉薄膜電晶體保護膜、液晶彩色濾光片保護膜、黑色矩陣、間隔件等。特別是由上述組成物所構成的永久膜，除了耐熱性或耐濕性優良以外，亦具有昇華成分所致之污染性少的非常優越的優點。特別是於顯示材料中，會成為重要的污染所致之畫質劣化少的兼具高感度、高耐熱、吸濕信賴性之材料。 　　[0236] 將上述組成物使用於阻劑永久膜用途時，藉由於硬化劑以外，進一步依需要添加其他之樹脂、界面活性劑或染料、填充劑、交聯劑、溶解促進劑等之各種添加劑，且溶解於有機溶劑，可作為阻劑永久膜用組成物。 　　[0237] 上述微影術用膜形成組成物或阻劑永久膜用組成物，可藉由將上述各成分摻合，並使用攪拌機等混合來調製。又，上述阻劑底層膜用組成物或阻劑永久膜用組成物含有填充劑或顏料時，可使用溶解器、均質機、3輥磨機等之分散裝置予以分散或混合來調製。 [實施例] 　　[0238] 以下，藉由合成實施例、合成例、實施例及比較例以更詳細說明本實施形態，但本實施形態不受此等例子的任何限定。 　　[0239] (碳濃度及氧濃度) 　　使用下述裝置，藉由有機元素分析測定碳濃度及氧濃度(質量%)。 　　裝置：CHN Coder MT-6(Yanaco分析工業(股)製) 　　[0240] (分子量) 　　化合物之分子量，係使用Water公司製Acquity UPLC/MALDI-Synapt HDMS，藉由LC-MS分析測定。 　　又，由以下條件進行凝膠滲透層析(GPC)分析，求得聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)、數平均分子量(Mn)及分散度(Mw/Mn)。 　　裝置：Shodex GPC-101型(昭和電工(股)製) 　　管柱：KF-80M×3 　　溶離液：THF 1mL/min 　　溫度：40℃ 　　[0241] (溶解性) 　　於23℃，將化合物對丙二醇單甲基醚(PGME)、環己酮(CHN)、乳酸乙酯(EL)、甲基戊基酮(MAK)或四甲基脲(TMU)以成為3重量%及10質量%溶液的方式溶解，由以下基準評估1週後之結果。 　　評估S：以目視確認到於10質量%時任一溶劑中無析出物 　　評估A：以目視確認到於3重量%時任一溶劑中無析出物 　　評估C：以目視確認到全部之溶劑中有析出物 　　[0242] [化合物之結構] 　　化合物之結構，係使用Bruker公司製「Advance600II spectrometer」，由以下之條件進行1H-NMR測定來確認。 　　頻率：400MHz 　　溶劑：d6-DMSO 　　內部標準：TMS 　　測定溫度：23℃ 　　[0243] ＜合成實施例1＞ BiF-1之合成 　　於具備攪拌機、冷卻管及滴定管之內容積300mL的容器中，將2,2’-聯酚(東京化成工業公司製試藥)13g(69.0mmol)於120℃溶融後，進料硫酸0.27g，添加4-乙醯基聯苯(Sigma-Aldrich公司製試藥)2.7g(13.8mmol)，將內容物於120℃攪拌6小時進行反應而得到反應液。接著於反應液中添加N-甲基-2-吡咯啶酮(關東化學股份有限公司製)100mL、純水50mL後，藉由乙酸乙酯進行萃取。接著添加純水分液至成為中性後，進行濃縮而得到溶液。 　　將所得之溶液以管柱層析分離後，得到下述式(BiF-1)表示之目標化合物(BiF-1) 1.0g。 　　對於所得之化合物(BiF-1)，藉由上述方法測定分子量的結果，係550。 　　熱分解溫度為330℃、玻璃轉移溫度為102℃，可確認具有高耐熱性。又，未觀察到熔點，故可確認非晶性高，容易以旋轉塗佈成形。 　　對於所得之化合物(BiF-1)，以上述測定條件進行NMR測定後，發現以下之波峰，確認到具有下述式(BiF-1)之化學結構。 　　δ(ppm)9.20(4H, O-H)、6.77~7.66(23H, Ph-H)、2.09 (3H, C-H) 　　[0244][0245] ＜合成實施例2＞ BiF-3之合成 　　將4-乙醯基聯苯變更為4-聯苯醛，其他係同樣地操作，得到下述式(BiF-3)表示之目標化合物(BiF-3)2.0g。 　　對於所得之化合物(BiF-3)，藉由上述方法測定分子量的結果，係536。 　　熱分解溫度為275℃、玻璃轉移溫度為102℃，可確認具有高耐熱性。又，未觀察到熔點，故可確認非晶性高，容易以旋轉塗佈成形。 　　對於所得之化合物(BiF-3)，以上述測定條件進行NMR測定後，發現以下之波峰，確認到具有下述式(BiF-3)之化學結構。 　　δ(ppm)9.15(4H, O-H)、6.78~7.64(23H, Ph-H)、5.47 (1H,C-H) 　　[0246][0247] (合成實施例3~7) 　　將合成實施例1之原料4-乙醯基聯苯變更為如表1之原料2，其他係與合成實施例1同樣地進行，得到各目標物。 　　各自以1H-NMR鑑定(表2)。 　　[0248][0249][0250][0251][0252][0253][0254][0255] (合成實施例8)樹脂(R1-BiF-1)之合成 　　準備具備戴氏冷卻管、溫度計及攪拌翼之底部可開之內容積1L的四口燒瓶。於該四口燒瓶中，氮氣流中將合成實施例1中得到之化合物(BiF-1)39.6g(70mmol、三菱氣體化學(股)製)、40質量%甲醛水溶液21.0g(以甲醛計係280mmol、三菱氣體化學(股)製)及98質量%硫酸(關東化學(股)製)0.97mL予以進料，常壓下一邊於100℃回流一邊反應7小時。之後，將作為稀釋溶劑之鄰二甲苯(和光純藥工業(股)製試藥特級)180.0g添加至反應液中，靜置後，去除下層的水相。進一步地，進行中和及水洗，藉由將鄰二甲苯於減壓下餾去，得到褐色固體之樹脂(R1-BiF-1)31.6g。 　　[0256] 所得到之樹脂(R1-BiF-1)，為Mn：1985、Mw：3420、Mw/Mn：1.72。 　　[0257] (合成實施例9)樹脂(R2-BiF-1)之合成 　　準備具備戴氏冷卻管、溫度計及攪拌翼之底部可開之內容積1L的四口燒瓶。於該四口燒瓶中，氮氣流中將合成實施例1中得到之化合物(BiF-1)39.6g(70mmol、三菱氣體化學(股)製)、4-聯苯醛50.9g(280mmol、三菱氣體化學(股)製)、苯甲醚(關東化學(股)製)100mL及草酸二水合物(關東化學(股)製)10mL予以進料，常壓下一邊於100℃回流一邊反應7小時。之後，將作為稀釋溶劑之鄰二甲苯(和光純藥工業(股)製試藥特級)180.0g添加至反應液中，靜置後，去除下層的水相。進一步地，進行中和及水洗，藉由將有機相之溶劑及未反應之4-聯苯醛於減壓下餾去，得到褐色固體之樹脂(R2-BiF-1)34.7g。 　　[0258] 所得到之樹脂(R2-BiF-1)，為Mn：1612、Mw：3040、Mw/Mn：1.89。 　　[0259] (合成比較例1) 　　準備具備戴氏冷卻管、溫度計及攪拌翼之底部可開之內容積10L的四口燒瓶。於該四口燒瓶中，氮氣流中將1,5-二甲基萘1.09kg(7mol、三菱氣體化學(股)製)、40質量%甲醛水溶液2.1kg(以甲醛計係28mol、三菱氣體化學(股)製)及98質量%硫酸(關東化學(股)製)0.97mL予以進料，常壓下一邊於100℃回流一邊反應7小時。之後，將作為稀釋溶劑之乙基苯(和光純藥工業(股)製試藥特級)1.8kg添加至反應液中，靜置後，去除下層的水相。進一步地，進行中和及水洗，藉由將乙基苯及未反應之1,5-二甲基萘於減壓下餾去，得到淡褐色固體之二甲基萘甲醛樹脂1.25kg。 　　所得到之二甲基萘甲醛之分子量，為Mn：562。 　　[0260] 接著，準備具備戴氏冷卻管、溫度計及攪拌翼之內容積0.5L的四口燒瓶。於該四口燒瓶中，氮氣流下，將如上述般得到之二甲基萘甲醛樹脂100g(0.51mol)與對甲苯磺酸0.05g予以進料，昇溫至190℃加熱2小時後，進行攪拌。之後，進一步添加1-萘酚52.0g(0.36mol)，昇溫至220℃反應2小時。以溶劑稀釋後，進行中和及水洗，藉由將溶劑於減壓下去除，得到黑褐色固體之改質樹脂(CR-1)126.1g。 　　所得到之樹脂(CR-1)，為Mn：885、Mw：2220、Mw/Mn：4.17。 　　[0261] (實施例1~9、比較例1) 　　對於上述合成實施例1~9之化合物、樹脂及CR-1，各評估溶解性。結果示於表3。 　　[0262] 又，各配製表3所示組成之微影術用底層膜形成材料。接著，將此等微影術用底層膜形成材料旋轉塗佈於矽基板上，之後，於240℃烘烤60秒，進一步於400℃烘烤120秒，各製作膜厚200nm之底層膜。酸產生劑、交聯劑及有機溶劑係使用以下者。 　　･酸產生劑：綠化學公司製 二-第三丁基二苯基錪九氟甲烷磺酸鹽(DTDPI) 　　･交聯劑：三和化學品公司製Nikalac MX270(Nikalac) 　　･有機溶劑：丙二醇單甲基醚乙酸酯乙酸酯(PGMEA) 　　[0263] [蝕刻耐性] 　　然後，以下述所示之條件進行蝕刻試驗，評估蝕刻耐性。評估結果示於表中。 　　[0264] [蝕刻試驗] 　　蝕刻裝置：Samco International公司製 RIE-10NR 　　輸出：50W 　　壓力：20Pa 　　時間：2min 　　蝕刻氣體 　　Ar氣體流量：CF4 氣體流量：O2 氣體流量=50：5：5(sccm) 　　[0265] 蝕刻耐性之評估，係由以下順序進行。 　　首先，除了使用酚醛清漆(群榮化學公司製 PSM4357)以取代化合物(BiF-1)以外，係以與實施例1相同之條件，製作酚醛清漆之底層膜。然後，以該酚醛清漆之底層膜為對象，進行上述蝕刻試驗，測定此時之蝕刻速率。 　　接著，以實施例1~9、實施例1A~9A及比較例1之底層膜為對象，同樣地進行上述蝕刻試驗，測定此時之蝕刻速率。 　　然後，以酚醛清漆之底層膜的蝕刻速率為基準，由以下評估基準來評估蝕刻耐性。 　　[0266] [評估基準] 　　A：相較於酚醛清漆之底層膜，蝕刻速率為未達-10% 　　B：相較於酚醛清漆之底層膜，蝕刻速率為-10%~+5% 　　C：相較於酚醛清漆之底層膜，蝕刻速率為超過+5% 　　[0267][0268] (實施例10、11) 　　接著，將實施例1、2中得到之含有BiF-1或BiF-3的微影術用底層膜形成材料之各溶液，塗佈於膜厚300nm之SiO2 基板上，於240℃烘烤60秒，進一步於400℃烘烤120秒，形成膜厚70nm之底層膜。於該底層膜上塗佈ArF用阻劑溶液，藉由於130℃烘烤60秒，形成膜厚140nm之光阻層。再者，ArF阻劑溶液，係使用摻合下述式(11)之化合物：5質量份、三苯基鋶九氟甲烷磺酸鹽：1質量份、三丁胺：2質量份、及PGMEA：92質量份所配製者。 　　[0269] 式(11)之化合物，係將2-甲基-2-甲基丙烯醯氧基金剛烷4.15g、甲基丙烯醯氧基-γ-丁內酯3.00g、甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛烷酯2.08g、偶氮二異丁腈0.38g，溶解於四氫呋喃80mL而作為反應溶液。將該反應溶液於氮環境下，將反應溫度保持於63℃，聚合22小時後，將反應溶液滴下至400mL之n-己烷中。將如此方式所得之生成樹脂凝固精製，過濾所生成之白色粉末，於減壓下40℃乾燥一晩而得到。 　　[0270][0271] 上述式(11)中，記載有「40」、「40」、「20」者，係表示各構成單位之比率，並非表示嵌段共聚物。 　　[0272] 接著，使用電子束描繪裝置(Elionix公司製；ELS-7500，50keV)，使光阻層曝光，於115℃烘烤90秒(PEB)，以2.38質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液顯影60秒，藉以得到正型之阻劑圖型。 　　[0273] 使用(股)日立製作所製電子顯微鏡(S-4800)觀察所得到之55nmL/S(1：1)及80nmL/S(1：1)之阻劑圖型的形狀及缺陷。 　　關於顯影後之阻劑圖型的形狀，將無圖型倒塌，矩形性良好者評估為「良好」，其以外評估為「不良」。又，上述觀察之結果，以無圖型倒塌，矩形性良好之最小線寬為“解像性”，來作為評估之指標。進一步地，以可描繪良好之圖型形狀的最小電子束能量之量為“感度”，來作為評估之指標。 　　評估結果示於表4。 　　[0274] (比較例2) 　　除了不進行底層膜之形成以外，係與實施例3相同地，將光阻層直接形成於SiO2 基板上，得到正型之阻劑圖型。結果示於表4。 　　[0275][0276] 由表1明顯可知，使用BiF-1、BiF-3之實施例1~2中，相較於比較例1而言，至少確認到耐熱性、溶解度及蝕刻耐性之任一點均為良好。另一方面，使用CR-1(酚改質二甲基萘甲醛樹脂)之比較例1中，蝕刻耐性不良。 　　又，實施例10、11中，亦確認到顯影後之阻劑圖型形狀良好，亦見不到缺陷。進一步地，相較於省略底層膜形成之比較例2而言，亦確認到解像性及感度均顯著地優良。 　　此外，由顯影後之阻劑圖型形狀的不同，亦確認到於實施例1~2使用之微影術用底層膜形成材料，與阻劑材料之密合性良好。 　　[0277] ＜實施例12、13＞ 　　將實施例1~2之微影術用底層膜形成材料的溶液塗佈於膜厚300nm之SiO2 基板上，於240℃烘烤60秒，進一步於400℃烘烤120秒，藉以形成膜厚80nm之底層膜。於該底層膜上塗佈含矽中間層材料，於200℃烘烤60秒，藉以形成膜厚35nm之中間層膜。進一步地，於該中間層膜上塗佈上述ArF用阻劑溶液，於130℃烘烤60秒，藉以形成膜厚150nm之光阻層。再者，含矽中間層材料，係使用下述得到之含有矽原子之聚合物。 　　[0278] 於四氫呋喃(THF)200g、純水100g中，溶解3-羧基丙基三甲氧基矽烷16.6g、苯基三甲氧基矽烷7.9g與3-羥基丙基三甲氧基矽烷14.4g，使液溫成為35℃，滴下草酸5g，之後昇溫至80℃，進行矽醇之縮合反應。接著，添加二乙基醚200g，分離水層，將有機液層以超純水洗淨2次，添加丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)200g，將液溫加熱至60℃且於減壓下去除THF、二乙基醚水，得到含有矽原子之聚合物。 　　[0279] 接著，使用電子束描繪裝置(Elionix公司製；ELS-7500，50keV)，將光阻層予以遮罩曝光，於115℃烘烤90秒(PEB)，以2.38質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液顯影60秒，藉以得到55nmL/S(1：1)之正型阻劑圖型。 　　[0280] 之後，使用Samco International公司製 RIE-10NR，以所得到之阻劑圖型為遮罩來進行含矽中間層膜(SOG)之乾蝕刻加工，隨後，依序進行以所得到之含矽中間層膜圖型為遮罩的底層膜之乾蝕刻加工，與以所得到之底層膜圖型為遮罩的SiO2 膜之乾蝕刻加工。 　　[0281] 各自的蝕刻條件係如下述所示。 阻劑圖型對阻劑中間層膜之蝕刻條件 　　輸出：50W 　　壓力：20Pa 　　時間：1min 　　蝕刻氣體 　　Ar氣體流量：CF4 氣體流量：O2 氣體流量=50：8：2(sccm) 阻劑中間膜圖型對阻劑底層膜之蝕刻條件 　　輸出：50W 　　壓力：20Pa 　　時間：2min 　　蝕刻氣體 　　Ar氣體流量：CF4 氣體流量：O2 氣體流量=50：5：5(sccm) 阻劑底層膜圖型對SiO2 膜之蝕刻條件 　　輸出：50W 　　壓力：20Pa 　　時間：2min 　　蝕刻氣體 　　Ar氣體流量：C5 F12 氣體流量：C2 F6 氣體流量：O2 氣體流量=50：4：3：1(sccm) 　　[0282] [評估] 　　使用(股)日立製作所製電子顯微鏡(S-4800)觀察如上述方式所得到之圖型截面(蝕刻後之SiO2 膜的形狀)後，確認到使用本實施形態之底層膜的實施例，於多層阻劑加工中蝕刻後之SiO2 膜的形狀為矩形，亦未觀察到缺陷而為良好。 　　[0283] [實施例14~15] 　　使用上述合成例及合成實施例中合成之各化合物，以下述表5所示之摻合量配製光學零件形成組成物。再者，表5中之光學零件形成組成物的各成分當中，酸產生劑、酸交聯劑、酸擴散抑制劑及溶劑係使用以下者。 　　･酸產生劑：綠化學公司製 二-第三丁基二苯基錪九氟甲烷磺酸鹽(DTDPI) 　　･交聯劑：三和化學品公司製Nikalac MX270(Nikalac) 　　有機溶劑：丙二醇單甲基醚乙酸酯乙酸酯(PGMEA) 　　將均勻狀態之光學零件形成組成物旋轉塗佈於清潔的矽晶圓上後，於110℃之烘箱中預烘烤(prebake：PB)而形成厚度1μm之光學零件形成膜。對於所配製之光學零件形成組成物，膜形成良好的情況時評估為「A」、所形成之膜有缺陷的情況時評估為「C」。 　　[0284] 將均勻之光學零件形成組成物旋轉塗佈於清潔的矽晶圓上後，於110℃之烘箱中進行PB，形成厚度1μm之膜。對於該膜，以J. A. Woollam製多入射角分光橢圓偏光計VASE測定於25℃之折射率(λ=589.3nm)。對於所配製之膜，折射率為1.6以上的情況時評估為「A」、1.55以上且未達1.6的情況時評估為「B」、未達1.55的情況時評估為「C」。又，透明性(λ=632.8nm)為90%以上的情況時評估為「A」、未達90%的情況時評估為「C」。 　　[0285][0286] [實施例16~17] 　　使用上述合成例及合成實施例中合成之各化合物，以下述表6所示之摻合量配製阻劑組成物。再者，表6中之阻劑組成物的各成分當中，酸產生劑、酸交聯劑、酸擴散抑制劑及溶劑係使用以下者。 　　･酸產生劑：綠化學公司製 三苯基鏻 三氟甲烷磺酸鹽 　　･交聯劑：三和化學品公司製 Nikalac MX270 　　･酸擴散抑制劑：東京化成工業公司製 三辛胺 　　･有機溶劑：東京化成工業公司製 丙二醇單甲基醚(PGME) 　　[0287] [評估方法] (1) 阻劑組成物之保存安定性及薄膜形成 　　阻劑組成物之保存安定性，係藉由製成阻劑組成物後，於23℃、50%RH靜置3日，以目視觀察有無析出來評估。於3日靜置後之阻劑組成物中，為均勻溶液且無析出的情況時評估為A、有析出的情況時評估為C。又，將均勻狀態之阻劑組成物旋轉塗佈於清潔的矽晶圓上後，於110℃之烘箱中進行曝光前烘烤(PB)，形成厚度40nm之阻劑膜。對於所製成之阻劑組成物，薄膜形成良好的情況時評估為A、所形成之膜有缺陷的情況時評估為C。 　　[0288] (2) 阻劑圖型之圖型評估 　　將均勻的阻劑組成物旋轉塗佈於清潔的矽晶圓上後，於110℃之烘箱中進行曝光前烘烤(PB)，形成厚度60nm之阻劑膜。對所得之阻劑膜，使用電子束描繪裝置(ELS-7500、(股)Elionix公司製)，照射50nm、40nm及30nm間隔之1：1的線與空間(line and space)設定之電子束。於該照射後，將阻劑膜各自以特定之溫度加熱90秒，浸漬於PGME中60秒進行顯影。之後，將阻劑膜以超純水洗淨30秒後乾燥，形成負型之阻劑圖型。對於所形成之阻劑圖型，藉由掃描型電子顯微鏡((股)日立High Technology製S-4800)觀察線與空間，評估阻劑組成物之電子束照射的反應性。 　　感度係以用以得到圖型所必要之每單位面積的最小能量之量來表示，遵照以下來評估。 　　A：以未達50μC/cm2 而得到圖型的情況 　　C：以50μC/cm2 以上而得到圖型的場合 　　圖型形成，係以SEM(掃描型電子顯微鏡：Scanning Electron Microscope)觀察所得之圖型形狀，遵照以下來評估。 　　A：得到矩形圖型的情況 　　B：得到大致矩形圖型的情況 　　C：得到非矩形圖型的情況 　　[0289][0290] 如上所述，本實施形態並不限定於上述實施形態及實施例，可於不脫離其要旨之範圍內適當加以變更。 　　[0291] 本發明之化合物及樹脂，對安全溶劑之溶解性高，耐熱性及蝕刻耐性良好，本發明之阻劑組成物會賦予良好之阻劑圖型形狀。 　　[0292] 又，可實現有用於形成可適用濕式製程，且耐熱性及蝕刻耐性優良之光阻底層膜的化合物、樹脂及微影術用膜形成組成物。此外，該微影術用膜形成組成物，係使用耐熱性高，溶劑溶解性亦高之具有特定結構的化合物或樹脂，因此可形成高溫烘烤時之膜的劣化被抑制，對氧電漿蝕刻等之蝕刻耐性亦優良的阻劑及底層膜。進一步地，形成底層膜時，與阻劑層之密合性亦優良，因此可形成優良的阻劑圖型。 　　[0293] 進一步地，由於折射率高，且因低溫~高溫處理著色被抑制，故也有用於作為各種光學零件形成組成物。 　　[0294] 因此，本發明，例如係於電氣用絕緣材料、阻劑用樹脂、半導體用密封樹脂、印刷配線板用接著劑、電氣機器/電子機器/產業機器等所搭載之電氣用層合板、電氣機器/電子機器/產業機器等所搭載之預浸體的基質樹脂、增層層合板材料、纖維強化塑膠用樹脂、液晶顯示面板之密封用樹脂、塗料、各種塗覆劑、接著劑、半導體用之塗覆劑、半導體用之阻劑用樹脂、底層膜形成用樹脂，呈薄膜狀、薄片狀使用，此外可於塑膠透鏡(稜鏡透鏡、扁豆狀透鏡、微透鏡、菲涅耳透鏡、視角控制透鏡、對比提高透鏡等)、相位差薄膜、電磁波屏蔽用薄膜、稜鏡、光纖、可撓印刷配線用防焊劑、抗鍍劑、多層印刷配線板用層間絕緣膜、感光性光波導等之光學零件等中，廣泛且有效地利用。 　　[0295] 本申請案係基於2016年9月20日對日本國特許廳所申請的日本專利申請案(特願2016-183026號)者，該等之內容作為參照而援用於此。 [產業上之可利用性] 　　[0296] 本發明於微影術用阻劑、微影術用底層膜及多層阻劑用底層膜及光學零件之領域具有產業上之可利用性。

Claims (26)

  1. 一種以下述式(0)表示之化合物；(式(0)中，RY 為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基， 　　RZ 為碳數1~60之N價基或單鍵， 　　RT 為氫原子， 　　RS 各自獨立地為可具有取代基之碳數1~30之烷基、可具有取代基之碳數6~30之芳基、可具有取代基之碳數2~30之烯基、可具有取代基之碳數1~30之烷氧基、鹵素原子、硝基、胺基、羧酸基、硫醇基或羥基，前述烷基、前述芳基、前述烯基及前述烷氧基，亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵， 　　m各自獨立地為0~7之整數， 　　N為1~4之整數，此處，N為2以上之整數時，N個[ ]內之結構式可相同亦可相異)。
  2. 如請求項1之化合物，其中前述式(0)表示之化合物，為下述式(1)表示之化合物；(式(1)中，RY 、RZ 、RT 及N，係與前述相同意義)。
  3. 如請求項2之化合物，其中前述式(1)表示之化合物，為下述式(1-1)表示之化合物；(式(1-1)中，RZ 、RT 及N，係與前述相同意義)。
  4. 如請求項2之化合物，其中前述式(1)表示之化合物，為下述式(1-2)表示之化合物；(式(1-2)中，RY 、RZ 、RT 及N，係與前述相同意義)。
  5. 一種樹脂，其係以如請求項1之化合物為單體而得到。
  6. 如請求項5之樹脂，其具有下述式(2)表示之結構；(式(2)中，RY 、RZ 、RT 、RS 、N及m，係與前述相同意義， 　　L為可具有取代基之碳數1~30之直鏈狀、分支狀或環狀之伸烷基、可具有取代基之碳數6~30之伸芳基、可具有取代基之碳數1~30之伸烷氧基或單鍵，前述伸烷基、前述伸芳基及前述伸烷氧基，亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵)。
  7. 如請求項6之樹脂，其中前述式(2)表示之樹脂，具有下述式(3)表示之結構；(式(3)中，RY 、RZ 、RT 、N及L，係與前述相同意義)。
  8. 一種組成物，其含有選自由如請求項1~4中任一項之化合物及如請求項5~6中任一項之樹脂所成之群的1種以上。
  9. 如請求項8之組成物，其進一步含有溶劑。
  10. 如請求項8或9之組成物，其進一步含有酸產生劑。
  11. 如請求項8~10中任一項之組成物，其進一步含有交聯劑。
  12. 如請求項11之組成物，其中前述交聯劑，為選自由酚化合物、環氧化合物、氰酸酯化合物、胺基化合物、苯并噁嗪化合物、三聚氰胺化合物、胍胺化合物、乙炔脲化合物、脲化合物、異氰酸酯化合物及疊氮化合物所成之群的至少1種。
  13. 如請求項11之組成物，其中前述交聯劑具有至少1個烯丙基。
  14. 如請求項11之組成物，其中前述交聯劑之含量，為固體成分之總質量的0.1~50質量%。
  15. 如請求項11之組成物，其進一步含有交聯促進劑。
  16. 如請求項15之組成物，其中前述交聯促進劑，為選自由胺類、咪唑類、有機膦類及路易士酸所成之群的至少1種。
  17. 如請求項15之組成物，其中前述交聯促進劑之含量，為固體成分之總質量的0.1~5質量%。
  18. 如請求項8~10中任一項之組成物，其進一步含有自由基聚合起始劑。
  19. 如請求項8~10中任一項之組成物，其中前述自由基聚合起始劑，為選自由酮系光聚合起始劑、有機過氧化物系聚合起始劑及偶氮系聚合起始劑所成之群的至少1種。
  20. 如請求項8~10中任一項之組成物，其中前述自由基聚合起始劑之含量，為固體成分之總質量的0.05~25質量%。
  21. 如請求項8~10中任一項之組成物，其係使用於形成微影術用膜。
  22. 如請求項8~10中任一項之組成物，其係使用於形成阻劑永久膜。
  23. 如請求項8~10中任一項之組成物，其係光學零件形成組成物。
  24. 一種阻劑圖型形成方法，其包含使用如請求項21之組成物於基板上形成光阻層後，對前述光阻層之特定區域照射放射線，進行顯影之步驟。
  25. 一種阻劑圖型形成方法，其包含使用如請求項21之組成物於基板上形成底層膜，且於前述底層膜上形成至少1層的光阻層後，對前述光阻層之特定區域照射放射線，進行顯影之步驟。
  26. 一種電路圖型形成方法，其包含使用如請求項21之組成物於基板上形成底層膜，使用阻劑中間層膜材料於前述底層膜上形成中間層膜，且於前述中間層膜上形成至少1層的光阻層之步驟、 　　對前述光阻層之特定區域照射放射線，顯影而形成阻劑圖型之步驟、 　　以前述阻劑圖型為遮罩來蝕刻前述中間層膜，以所得到之中間層膜圖型為蝕刻遮罩來蝕刻前述底層膜，且以所得到之底層膜圖型為蝕刻遮罩來蝕刻基板，藉以於基板形成圖型之步驟。
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