TW201826058A - 異常檢測方法及半導體製造裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明旨在精確地檢測基板處理中的異常。本發明提供一種異常檢測方法，其具有以下程序：算出針對根據處理已正常處理的複數片基板時的記錄資訊以既定間隔所收集的製程條件的3標準差值，再根據所算出的該3標準差值，算出異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值；及根據所算出的該異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值，檢測基板處理的異常。

Description

異常檢測方法及半導體製造裝置
本發明係關於異常檢測方法及半導體製造裝置。
半導體的製造中，於對每個製程配方(以下稱「配方」)經常監視壓力、氣體流量等製程條件的信號之下，進行晶圓的處理。於製程條件中，事先設定視為正常的幅度(上限值及下限值)，於監視的信號超過所設定的表示正常範圍的上限值或下限值的情形時，檢測為發生異常。
例如，於專利文獻1中，揭示一種半導體製造時用於異常檢測的監控方法。於專利文獻1中揭示，若所測定的自偏電壓值超出設定偏壓電壓值範圍，則與不適當的蝕刻速度等相關。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2008－515198號公報
[發明欲解決之問題] 然而，於專利文獻1中，藉由顯示自偏電壓值的正常範圍的特定值範圍的設定方法，有時並無法檢測出晶圓處理中的細微異常。例如，於正常範圍設得較寬、或配方具有複數個步驟的情形時，若於步驟切換的既定時間中設置不進行異常判定的非感測時間，則有時無法檢測出晶圓處理中的細微異常。
針對上述課題，於一方面，本發明之目的在於精確檢測基板處理中的異常。 [解決問題之方法]
為了解決上述課題，依據一態樣，提供一種異常檢測方法，其具有以下程序： 算出根據「已正常處理的複數片基板在進行處理時的記錄資訊」以既定間隔所收集的製程條件相關的3標準差值，再根據所算出的該3標準差值，算出異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值；及 根據所算出的該異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值，檢測基板處理的異常。 [發明效果]
依據一態樣，可精確檢測基板處理中的異常。
以下，參考圖式，說明用以實施本發明的形態。又，本說明書及圖式中，對於實質上相同的構成，藉由賦予相同符號而省略重複說明。
[半導體製造系統的構成] 首先，參考圖1，說明本發明的一實施形態的半導體製造系統1的整體構成的一例。圖1顯示本發明的一實施形態的半導體製造系統1的整體構成的一例。於本實施形態的半導體製造系統1中，具有半導體製造裝置10及控制裝置50。本實施形態中，以電容耦合型電漿蝕刻裝置作為半導體製造裝置10的一例。
半導體製造裝置10，具有由表面經氧皮鋁處理(陽極氧化處理)的鋁所成的圓筒形腔室C(處理容器)。於腔室C內部，對半導體晶圓(以下稱「晶圓W」)實施蝕刻等的既定處理。腔室C為接地。於腔室C內部設有載置台12。載置台12載置著晶圓W。
載置台12經由匹配器13a而連接著用以激發電漿的高頻電源13。載置台12除了載置晶圓W外，並具有作為下部電極的功能。例如，高頻電源13將適用於腔室C內部產生電漿的頻率例如40MHz的高頻電力，施加於載置台12。匹配器13a的功能在於：於在腔室C內部產生電漿時，使高頻電源13的內部阻抗與負載阻抗於外觀上一致。
於腔室C的頂棚部，設置作為上部電極的氣體噴淋頭11。藉此，來自高頻電源13的高頻電力電容性地施加於載置台12與氣體噴淋頭11之間。氣體從氣體供給源15輸出，並從氣體導入口14導入，通過氣體緩衝空間11b，從複數個氣體通氣孔11a供給至腔室C內部。
半導體製造裝置10藉由供給至腔室C內部的期望氣體的作用，而對晶圓W施行微細加工。於腔室C底部，設置形成排氣口24的排氣管26，排氣管26連接至排氣裝置16。排氣裝置16由渦輪分子泵或乾式泵等真空泵所構成，將腔室C內部的處理空間減壓至既定真空度，並將腔室C內部的氣體導引至排氣管26及排氣口24而排出。
於如此構成的半導體製造裝置10中對晶圓W進行蝕刻等處理時，首先，晶圓W在固持於搬運臂上的狀態下從閘閥被搬入至腔室C內部。晶圓W藉由頂推銷固持於載置台12上方，並利用頂推銷下降而載置於載置台12。腔室C內部壓力藉由排氣裝置16而維持於設定值。自氣體供給源15輸出的氣體，從氣體噴淋頭11成噴淋狀地導入至腔室C內部。又，自高頻電源13輸出的高頻電力，施加於載置台12。
利用以高頻電力將所導入的氣體予以電離或解離，而產生電漿，藉由電漿作用對晶圓W進行蝕刻等的處理。於電漿蝕刻結束後，將晶圓W固持於搬運臂上，並搬出至腔室C外部。藉由重複進行此處理，而連續處理複數片晶圓W。
控制裝置50控制於半導體製造裝置10所進行的晶圓處理。控制裝置50具有CPU51、ROM(Read Only Memory)52、RAM(Random Access Memory)53、HDD(Hard Drive Disk)54及顯示器55。CPU51依據記憶於RAM53的配方P60中所設定的順序，控制蝕刻等的處理。
控制裝置50將處理晶圓W時的記錄資訊記憶於HDD54的記錄資訊DB(資料庫)61。控制裝置50檢測各晶圓的處理中所發生的異常。控制裝置50亦可將檢測結果顯示於顯示器55，以喚起作業員的注意。又，控制裝置50的功能，可利用軟體實現，亦可利用硬體實現。 (比較例的異常檢測) 本實施形態中，作為晶圓W處理時所監視的製程條件的一例，以腔室C內部壓力為例，針對異常檢測方法加以說明。又，於針對本實施形態的異常檢測方法說明之前，參考圖2，簡單說明比較例的異常檢測方法。圖2係用以說明比較例的異常檢測方法的圖式。
此例中，依據設定於配方P的Step1～Step5的順序，處理晶圓W。於晶圓W的處理中，控制裝置50使用設於腔室C內部的壓力計，監視腔室C內部的壓力。
比較例中，異常檢測的上限值及下限值事先設定為固定值，控制裝置50於所監視的壓力超過上限值或下限值時，判定為異常。控制裝置50為了異常檢測的上限值及下限值的算出，例如使用以100msec間隔所收集的晶圓處理中的腔室C內部的壓力資料，依壓力資料的變異程度設定異常檢測的上限值及下限值。
然而，於比較例的情形時，Step1～Step5的步驟切換中，如圖2的Step4的波峰B所示的一例，有時會有於步驟條件改變而製程條件變化時產生波峰的情形。有時為了使不會依此時的波峰的壓力資料進行異常的判定，會於各步驟的一開始設定非感測時間T，而有將波峰B等的壓力資料從監視對象去除的情形。於如此情形時，則無法進行非感測時間中的異常檢測。
又，由於異常檢測的上限值及下限值為固定值，故控制裝置50有時會留有餘裕地將依異常檢測的上限值及下限值所確定的正常範圍設為較寬。於如此情形時，如圖2的Step2的波峰A所示的一例，所收集的壓力資料，即使實際上為顯示異常的值，但若未超出上限值及下限值，則無法進行異常的檢測。 (本實施形態的異常檢測) 對此，於以下所述的本實施形態中，提供一種異常檢測方法，其以高分辨率收集壓力資料，並即時更新適當的上限值及下限值，可於監視異常的壓力資料時，確實檢測該異常。
因此，本實施形態中，控制裝置50不設定非感測時間T，於晶圓處理中以1msec的間隔監視腔室C內部的壓力，從所監視的壓力資料，算出顯示壓力變異的3標準差值(3σ)的值。接著，控制裝置50從3σ算出異常檢測的上限值及下限值，並即時使用所算出的上限值及下限值，而檢測新晶圓處理的異常。
例如，圖3中，顯示監視對象的製程條件為腔室C內部的壓力、所執行的配方P為Step1～Step5的順序、及進行n片晶圓No.1～晶圓No.n的處理時的壓力資料的收集。此情形時，橫跨各步驟以1msec的分辨率收集壓力資料X。從各晶圓的記錄資訊收集壓力資料的時間點，以1msec的間隔為佳，但若為數msec以下即可。壓力資料於任一晶圓中皆以相同間隔收集。壓力資料的收集時間點，若為相同間隔，則每片晶圓可為相同時間點，亦可為不同時間點。但是，收集壓力資料的n片晶圓的記錄資訊，設定為已正常處理的晶圓。又，晶圓的片數n為2以上的整數，但以50片～100片左右或以上為佳。
控制裝置50使用所收集的n個壓力資料，算出3標準差值(3σ)。標準差σ根據以下式(1)算出。
【數式1】
在此，如圖4所示，控制裝置50針對n個壓力資料算出3標準差值，根據3σ算出異常檢測的上限值及下限值。異常檢測的上限值，依據平均值m＋3σ而算出。異常檢測的下限值，依據平均值m－3σ而算出。圖4的圖形的壓力資料X的常態分布中以斜線顯示的超過上限值的部分及超過下限值的部分，可判定為異常資料的範圍。
本實施形態中，於以1msec的間隔對每個晶圓W所收集的壓力資料中，根據從以相同時間點或類似時間點所收集的壓力資料所算出的3σ，求得該每個間隔的異常檢測的上限值及下限值。
例如，於以1msec的間隔所收集的壓力資料中，藉由將於Step1以相同時間點或類似時間點所收集的n片晶圓W的壓力資料X11 、X21 、···、Xn1 代入式(1)，而算出標準差σ。接著，根據3標準差值(3σ)及壓力資料X11 、X21 、···、Xn1 的平均值m，算出異常檢測的上限值(＝平均值m＋3σ)及下限值(＝平均值m－3σ)。
針對其次於相同時間點或類似時間點所收集的壓力資料X12 、X22 、···、Xn2 ，亦同樣地使用式(1)算出異常檢測的上限值(＝平均值m＋3σ)及下限值(＝平均值m－3σ)。
如此，根據以1msec的間隔對每個晶圓W所收集的壓力資料，以1msec的間隔算出異常檢測的上限值及下限值。
結果，如圖5所示的一例，對應配方P的每個步驟所設定的製程條件，將壓力資料的異常檢測所使用的上限值及下限值設定為適當數值。藉此，於對象晶圓的處理中的壓力資料高於所設定的異常檢測的上限值或低於下限值的情形時，可檢測晶圓處理的異常。
又，本實施形態中，係算出異常檢測的上限值及下限值，但亦可算出上限值及下限值中的至少任一值。又，根據所算出的異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值，可檢測晶圓處理的異常。
[異常檢測的上限值及下限值(初始值)的算出處理] 其次，參考圖6，說明本實施形態的異常檢測方法所使用的上限值及下限值(初始值)的算出處理的一例。圖6係本實施形態的異常檢測的上限值及下限值(初始值)的算出處理的一例的流程圖。
本處理宜於本實施形態的異常檢測方法開始前執行。記錄資訊DB61中，儲存著已正常處理的n片以上的晶圓的記錄資訊。例如，以儲存50片～100片左右的記錄資訊為佳。本處理主要由控制裝置50的CPU51執行。又，記憶於記錄資訊DB61的記錄資訊，為使用檢查晶圓表面的檢查器等而可判別為已正常處理的晶圓的記錄資訊。
當開始進行圖6的本處理，CPU51從記錄資訊DB61取得已正常處理的n片晶圓處理中的壓力資料的記錄資訊(步驟S10)。其次，CPU51根據所取得的記錄資訊，以1msec的間隔收集各晶圓的壓力資料(步驟S12)。
其次，CPU51從於相同或類似時間點所收集的n個壓力資料，以1msec的分辨率算出3σ及平均值m(步驟S14)。其次，CPU51使用所算出的3σ及平均值m，以1msec的分辨率算出異常檢測的上限值(＝平均值m＋3σ)及下限值(＝平均值m－3σ)的初始值(步驟S16)。
其次，CPU51以1msec的分辨率，算出異常檢測的上限值的極限值(＝平均值m＋6σ的值(6標準差值))及下限值的極限值(＝平均值m－6σ的值)(步驟S18)。上限值的極限值及下限值的極限值，表示可取得異常檢測的上限值及下限值的值的極限。本實施形態中，如後所述，異常檢測的上限值及下限值被自動更新。通常，腔室C內由於反應產生物的附著等而變化，相應於此，異常檢測的上限值及下限值亦變化。當異常檢測的上限值或下限值於超過異常檢測的上限值或下限值的極限值的情形時，可判定腔室C內部為應清洗的狀態。因此，控制裝置50於算出異常檢測的上限值及下限值的初始值的時點，事先算出所算出的上限值的極限值及下限值的極限值。
其次，CPU51將所算出的上限值及下限值的初始值、上限值的極限值、下限值的極限值，對應配方P記憶於HDD54或RAM53等的記憶裝置(步驟S20)，而結束本處理。
若配方P不同，則每個步驟的製程條件不同。因此，控制裝置50於每個配方P算出上限值及下限值、上限值的極限值及下限值的極限值，並對應每個配方加以儲存。藉此，如圖5所示，於每個配方P設定適當的異常檢測的上限值及下限值的初始值，並設定上限值的極限值及下限值的極限值。
又，異常檢測的上限值及下限值，不一定非3σ不可，例如亦可使用2σ。又，上限值的極限值及下限值的極限值，不一定非6σ不可，亦可使用4σ或5σ。
控制裝置50於腔室C的清洗後重新算出異常檢測的上限值及下限值的初始值之時點，宜事先將重新算出後的上限值的極限值及下限值的極限值重新算出。
又，本實施形態中，係算出異常檢測的上限值的極限值及下限值的極限值，但亦可算出異常檢測的上限值的極限值及下限值的極限值中的至少任一值。又，可根據所算出的異常檢測的上限值的極限值及下限值的極限值中的至少任一值，檢測所算出的上限值及下限值的異常。
[異常檢測處理] 其次，參考圖7，說明本實施形態的異常檢測處理的一例。圖7係本實施形態的異常檢測處理的一例的流程圖。本處理主要由控制裝置50的CPU51執行。
當開始進行本處理，則從RAM53或HDD54等記憶裝置，取得對象晶圓處理所用配方所對應的異常檢測的上限值及下限值的初始值、上限值的極限值、下限值的極限值(步驟S30)。又，對象晶圓的處理所用配方的相關資訊，可從每批次儲存複數片晶圓的前開式晶圓傳送盒(HOOP)加以辨識。
其次，CPU51取得對象晶圓的壓力資料的記錄資訊(步驟S32)。接著，CPU51判定：「所取得的壓力資料中，是否有超過異常檢測的上限值或下限值的壓力資料?」(步驟S34)。CPU51於判定：「無超過異常檢測的上限值或下限值的壓力資料」的情形時，前往步驟S40。另一方面，CPU51於判定：「有超過異常檢測的上限值或下限值的壓力資料」的情形時，將超過上限值或下限值的壓力資料記憶為異常資訊(步驟S36)。藉此，將配方資訊、晶圓資訊、已檢測異常的壓力資料、該壓力資料產生時刻等作為異常資訊，記憶於RAM53或HDD54。
其次，CPU51判定：「已檢測異常的壓力資料是否超過異常檢測的上限值或下限值的極限值?」(步驟S38)。CPU51於判定：「已檢測異常的壓力資料未超過極限值」的情形時，前往步驟S40。另一方面，CPU51判定：「已檢測異常的壓力資料超過極限值」的情形時，則控制腔室C的清洗(步驟S42)，而結束本處理。
步驟S40中，CPU51判定：「是否已判斷對象晶圓的全部壓力資料異常的有無?」。CPU51於判定：「已針對全部壓力資料判斷異常的有無」的情形時，則結束本處理。另一方面，CPU51於判定：「尚未針對全部壓力資料判斷異常的有無」的情形時，則返回步驟S34，針對尚未判斷的壓力資料重複進行步驟S32以後的處理。
如上所述，依據本實施形態的異常檢測處理，因以1msec的間隔將上限值及下限值設定為適當值，故如圖5的波峰A所示，可正確檢測於對象晶圓的壓力資料中產生超過上限值及下限值的異常，並記憶該異常資訊。
又，如波峰B所示，由於步驟改變而使製程條件變化等因素，而易於步驟初始產生波峰。於此情形時，藉由不於步驟初始設定非感測時間，並依步驟的初始所產生的波峰是否超過上限值或下限值，而亦可精確檢測晶圓處理中的異常。
又，步驟S42中，CPU51於判定：「已檢測異常的壓力資料超過極限值」的情形時，控制腔室C的清洗，但不限於此。例如，於判定：「已檢測異常的壓力資料超過極限值」的情形時，CPU51亦可執行以下的至少任一個動作：停止異常檢測的上限值及下限值中的至少任一個的更新、進行腔室C的清洗、更換設於腔室C的既定零件、及進行設於腔室C的既定零件的校準(校準)。
[異常檢測的上限值及下限值的更新處理] 其次，參考圖8，說明本實施形態的異常檢測方法所使用的上限值及下限值的更新處理的一例。圖8係本實施形態的異常檢測的上限值及下限值的更新處理的一例的流程圖。
當開始進行本處理，CPU51判定：「新晶圓是否已正常處理?」(步驟S50)。已正常處理的晶圓可為1片，亦可為複數片。CPU51於判定：「無已正常處理的晶圓」的情形時，結束本處理。另一方面，CPU51於判定：「有已正常處理的晶圓」的情形時，從記錄資訊DB61取得已正常處理的晶圓的記錄資訊(步驟S52)。其次，CPU51根據所取得的記錄資訊，以1msec的間隔收集已正常處理的晶圓的壓力資料(步驟S54)。
其次，CPU51從所收集的壓力資料(包含已正常處理的新晶圓的壓力資料)，以1msec的分辨率算出3σ及平均值m(步驟S56)。所收集的壓力資料(包含新晶圓的壓力資料)，為包含本次所收集的壓力資料的複數片已正常處理的晶圓的壓力資料。
其次，CPU51使用所算出的3σ及平均值m，以1msec的分辨率，算出異常檢測的上限值(＝平均值m＋3σ)及下限值(＝平均值m－3σ)(步驟S58)。
其次，CPU51以所算出的上限值及下限值，將對應配方P而記憶於記憶裝置的上限值及下限值加以更新(步驟S60)，而結束本處理。
如上所述，本實施形態中，於根據配方執行晶圓處理之際，當晶圓處理已正常處理，則可根據已正常處理的晶圓的記錄資訊重新算出3σ，並根據重新算出的3σ，自動更新異常檢測的上限值及下限值。結果，根據自動更新後的異常檢測的上限值及下限值，檢測晶圓處理的異常。藉此，隨著因執行製程而產生的反應產生物等導致腔室C的狀況些許改變，而將上限值及下限值更新為適當數值，藉此可精確地檢測晶圓處理中的異常。又，藉此，可節省使用者定期重新計算出異常檢測的上限值及下限值的時間及勞力。
[清洗後的上限值及下限值的重新算出處理] 最後，參考圖9，說明清洗後的上限值及下限值的重新算出處理的一例。圖9係本實施形態的清洗後的異常檢測的上限值及下限值的重新算出處理的一例的流程圖。
當開始進行本處理，CPU51判定：「腔室C的清洗是否已結束?」(步驟S70)。CPU51於判定：「腔室C的清洗已結束」的情形時，從記錄資訊DB61取得清洗後已正常處理的s片晶圓的記錄資訊(步驟S72)。在此，s片若為複數片，則任意片數皆可。又，由於剛清洗後已正常處理的既定片數的晶圓的記錄資訊中，有可能包含不穩定的資訊，故亦可將剛清洗後的既定片數的晶圓的記錄資訊除外，而取得已正常處理的s片晶圓的記錄資訊。
其次，CPU51根據所取得的記錄資訊，以1msec的間隔，收集已正常處理的各晶圓的壓力資料(步驟S12)。
其次，CPU51從於相同或類似時間點所收集的n個壓力資料，以1msec的分辨率重新算出3σ及平均值m(步驟S14)。其次，CPU51使用重新算出的3σ及平均值m，以1msec的分辨率，重新算出異常檢測的上限值(＝平均值m＋3σ)及下限值(＝平均值m－3σ)的初始值(步驟S16)。 其次，CPU51以1msec的分辨率，重新算出異常檢測的上限值的極限值(＝平均值m＋6σ的值)及下限值的極限值(＝平均值m－6σ的值)(步驟S18)。
其次，CPU51將重新算出的上限值及下限值的初始值、上限值的極限值、下限值的極限值，對應配方P而記憶於記憶裝置(步驟S20)，而結束本處理。
如上所述，依據本實施形態，對應清洗後的腔室C的環境，重新算出異常檢測的上限值及下限值。藉此，可隨著腔室C內部的狀況因清洗而改變，而設定適當的異常檢測的上限值及下限值。藉此，可精確地檢測晶圓處理中的異常，並節省使用者定期重新計算上限值及下限值的時間及勞力。
但是，清洗後的異常檢測的上限值及下限值，除了如本實施形態般地重新算出清洗後的異常檢測的上限值及下限值之外，亦可再次設定於圖6所算出的異常檢測的上限值及下限值的初始值。
以上，藉由上述實施形態，說明異常檢測方法及半導體製造裝置，但本發明所請的異常檢測方法及半導體製造裝置不限於上述實施形態，於本發明的範圍內可有各種變形及改良。上述複數實施形態所記載的事項，可於不相矛盾的範圍內彼此組合。
例如，上述實施形態中，係以壓力資料作為製程條件為例，而說明本發明的異常檢測方法的一例。然而，成為檢測異常的對象的製程條件，不限於壓力，亦可為例如高頻電力的反射波、所供給氣體的流量、腔室C內部溫度等。
又，例如，本發明所請的半導體製造裝置，不限於電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)裝置，亦可為電感耦合型電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)處理裝置、使用輻射線槽孔天線的電漿處理裝置、螺旋波激發型電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)裝置、電子迴旋共振電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)裝置、表面波電漿處理裝置等。
本說明書中，作為蝕刻對象的基板雖以半導體晶圓W為例進行說明，但不限於此，亦可為用於LCD(Liquid Crystal Display)，FPD(Flat Panel Display)等的各種基板、光罩、CD基板、印刷電路板等。
1‧‧‧半導體製造系統
10‧‧‧半導體製造裝置
11‧‧‧氣體噴淋頭
11a‧‧‧氣體通氣孔
11b‧‧‧氣體緩衝空間
12‧‧‧載置台
13‧‧‧高頻電源
13a‧‧‧匹配器
14‧‧‧氣體導入口
15‧‧‧氣體供給源
16‧‧‧排氣裝置
24‧‧‧排氣口
26‧‧‧排氣管
50‧‧‧控制裝置
51‧‧‧CPU
52‧‧‧ROM
53‧‧‧RAM
54‧‧‧HDD
55‧‧‧顯示器
60‧‧‧配方P
61‧‧‧記錄資訊DB
A‧‧‧波峰
B‧‧‧波峰
C‧‧‧腔室
W‧‧‧晶圓
X‧‧‧壓力資料
【圖1】一實施形態的半導體製造系統的縱剖面圖。 【圖2】異常檢測的比較例圖。 【圖3】一實施形態的以1msec的分辨率所收集到的每個晶圓的壓力資料的一例圖。 【圖4】標準差(σ)的圖。 【圖5】一實施形態的以1msec的分辨率所收集的每個晶圓的壓力資料的異常檢測的說明圖。 【圖6】一實施形態的異常檢測的上限值及下限值(初始值)的算出處理的一例的流程圖。 【圖7】一實施形態的異常檢測處理的一例的流程圖。 【圖8】一實施形態的異常檢測的上限值及下限值的更新處理的一例的流程圖。 【圖9】一實施形態的清洗後的異常檢測的上限值及下限值的重新算出處理的一例的流程圖。

Claims (9)

  1. 一種異常檢測方法，包含以下程序： 算出根據「已正常處理的複數片基板在進行處理時的記錄資訊」以既定間隔所收集的製程條件相關的3標準差值，再根據所算出的該3標準差值，算出異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值；及 根據所算出的該異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值，檢測基板處理的異常。
  2. 如申請專利範圍第1項之異常檢測方法，其中， 從根據該記錄資訊以數msec以下的間隔所收集的製程條件，算出3標準差值。
  3. 如申請專利範圍第2項之異常檢測方法，其中， 於根據該記錄資訊以數msec以下的間隔所收集的製程條件中，從該複數片基板中以相同時間點或類似時間點所收集的製程條件，算出3標準差值。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之異常檢測方法，其中， 從根據該記錄資訊以1msec以下的間隔所收集的製程條件，算出3標準差值。
  5. 如申請專利範圍第1～3項中任一項的異常檢測方法，更包含以下程序： 更新根據「已另外正常處理的1片或複數片基板在進行處理時的記錄資訊」以既定間隔所收集的製程條件相關的3標準差值，再根據更新後的該3標準差值，以更新該異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值；及 根據更新後的該異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值，以檢測基板處理的異常。
  6. 如申請專利範圍第5項的異常檢測方法，其中， 算出該製程條件相關的6標準差值，根據所算出的該6標準差值，算出異常檢測的上限值的極限值或下限值的極限值中的至少任一值， 於根據更新後的該3標準差值更新而得的該異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值，超過該異常檢測的上限值的極限值或下限值的極限值的情形時，執行下述中至少任一程序：停止該異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值的更新、執行進行基板處理的處理容器之清洗、更換設於該處理容器的既定零件、及進行設於該處理容器的既定零件之校準。
  7. 如申請專利範圍第6項的異常檢測方法，包含以下程序： 於進行該處理容器的清洗、設於該處理容器的既定零件之更換、或設於該處理容器的既定零件之校準的情形時，根據已另外正常處理的複數片基板在進行處理時的記錄資訊，重新算出該3標準差值，根據重新算出後的該3標準差值，再重新算出異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值；及 根據重新算出後的該異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值，檢測基板處理的異常。
  8. 如申請專利範圍第7項的異常檢測方法，其中， 於最初算出該3標準差值時，算出該6標準差值，或於最初重新算出該3標準差值時，重新算出該6標準差值，根據算出或重新算出後的該6標準差值，而算出或重新算出該異常檢測的上限值的極限值及下限值的極限值。
  9. 一種半導體製造裝置，包含： 處理容器，進行基板處理； 記憶裝置，算出根據「已於該處理容器正常處理的複數片基板在進行處理時的記錄資訊」以既定間隔所收集的製程條件相關的3標準差值，並記憶根據該3標準差值所算出的異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值；及 控制裝置，參照該記憶裝置，根據所算出的該異常檢測的上限值及下限值中的至少任一值，檢測基板處理的異常。
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