TW201823513A - 無氰化物之置換鍍金液組成物 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種金析出促進劑，其用於無電解鍍金，並包含1種或2種以上的鹼金屬化合物，前述鹼金屬化合物不是僅含作為鹼金屬的鈉之化合物，且前述鹼金屬化合物不是僅為鹼金屬的鹵化物、僅為亞硫酸鉀或僅為酒石酸鉀鈉；又，提供一種無電解鍍金液，其包含該金析出促進劑；並且，提供一種使用該無電解鍍金液之鍍金方法、及金的析出促進方法等。
Description
本發明是關於一種金析出促進劑，其使用於在印刷線路基板等的電子工業零件上形成鍍金皮膜時；一種無電解鍍金液，其包含該金析出促進劑；以及一種使用該無電解鍍金液的鍍覆方法及金析出促進方法等。
印刷基板，其在基板上及/或基板內部具有金屬線路圖案。在該線路上使用銅等的電性阻抗低的金屬，並且設置有防止線路的氧化、腐蝕用及/或防止與金的遷移用的障壁金屬層。作為障壁金屬層而被使用的金屬，除了鎳或鎳合金之外，還能夠使用鈀、鉑、銀、鈷及此等的合金。又，也有基於防止因熱處理而導致鎳的擴散之目的，而在鎳層之上形成鈀層的技術。雖然在這些基底金屬層的形成後，會進一步以金皮膜覆蓋而完成線路，但因為通常金皮膜是利用來防止線路的腐蝕及/或作為接點，所以孔隙度高的皮膜並不佳，而要求是空隙少的表面。
作為鍍金方法，已知有電解鍍金、自催化型無電解鍍金、基底觸媒（表面觸媒）鍍金、以及置換鍍金等。自催化型電解鍍金是藉由將金作為觸媒的還原劑來進行金析出。基底觸媒（表面觸媒）鍍金是藉由將基底金屬作為觸媒的還原劑來進行金析出。置換鍍金，是藉由受鍍面的基底金屬與金離子及/或金離子錯合物的電性置換反應來進行金析出。這些鍍覆方法也有組合二種以上來使用的情況。
作為無電解鍍金液，雖然多數報告是以含氰化物之鍍覆液作為金源，但是除了保管及管理的問題和各種處理時的安全性問題，再加上還有廢液處理費用上漲的問題。因此，一直期望著開發出不含有氰化物的無電解鍍金液。專利文獻1中，記載著一種無電解電鍍液（鍍覆液），其是使用亞硫酸金鈉等的水溶性金鹽來取代氰化物而成的包含二種還原劑的無電解電鍍液，並探討著將一般作為錯合劑使用的乙二胺四乙酸（EDTA）和酒石酸等的氧代羧酸類作為反應促進劑來使用。專利文獻2中，記載著一種無電解電鍍液，其同樣使用亞硫酸金鈉作為金源，專利文獻2中探討著為了提升金析出速度而使用亞硫酸鉀，但其中亦記載著，由於若亞硫酸鉀的濃度過大，則鍍覆液變得不穩定而引起自體分解，因此將亞硫酸鉀的濃度限制在500mg/L以下。在專利文獻3，探討著以釋放鹵素離子的化合物來作為無電解鍍金液的金析出促進劑，該鹵素離子促進陽極反應作用強。在專利文獻4，將鉈鹽等的重金屬作為金析出促進劑來使用。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2003-221674號公報 專利文獻2：日本專利第4758470號公報 專利文獻3：日本特開2010-209415號公報 專利文獻4：日本特開2007-308796號公報
[發明所欲解決之問題] 習知的將氧代羧酸類和亞硫酸鉀等的錯合劑作為反應促進劑使用的方法，是期待其藉由錯離子配位到金屬離子的界面錯合物的形成(interface complexation)來促進金的析出之作用，但由於錯合劑會依據其添加量而使對基底的侵蝕成為問題，或因錯合劑自體的分解使鍍覆液不穩定，而誘發鍍覆液的自體分解，故必須控制添加量，再者當包含還原劑或穩定劑時，不能不考慮到該等成分的相互作用，僅依錯合劑要得到期望的金析出速度是有困難的。另一方面，使用鉈等重金屬的金析出促進劑，其對環境的影響會成為問題。 因此，本發明提供一種金析出促進劑，其使無電解鍍金液的金析出速度輕易地提升，並能夠形成均勻的金皮膜；又，提供一種無電解鍍金液，其包含該金析出促進劑；並且，提供一種使用該無電解鍍金液之鍍金方法、及金的析出促進方法等。 [解決問題之技術手段]
本案發明人，在探討不依賴錯合劑而促進金的析出的方法中，發現鹼金屬離子會對金析出速度帶來影響，進一步深入研究，終於完成本發明。
亦即，本發明是關於下述所列舉者： 1 一種金析出促進劑，其用於無電解鍍金，並包含1種或2種以上的鹼金屬化合物，前述鹼金屬化合物不是僅含作為鹼金屬的鈉之化合物，且前述鹼金屬化合物不是僅為鹼金屬的鹵化物、僅為亞硫酸鉀或僅為酒石酸鉀鈉。 2 一種無電解鍍金液，其包含如前述1所述之金析出促進劑、水溶性金源及錯合劑。 3 如前述2所述之無電解鍍金液，其中，以鈉以外的鹼金屬離子來換算時，鹼金屬化合物的濃度為0.001～5M。 4 一種金析出促進劑，其包含銣化合物及/或銫化合物。 5 一種無電解鍍金液，其包含如前述4所述之金析出促進劑、水溶性金源及錯合劑。
6 如2、3或5之中的任一項所述之無電解鍍金液，其中，進一步包含鈉化合物。 7 如2、3、5或6之中的任一項所述之無電解鍍金液，其中，不包含氰化物。 8 如2、3、5、6或7之中的任一項所述之無電解鍍金液，其中，包含酸或鹼作為pH調整劑。
9 一種形成鍍金皮膜的方法，其包含將如2、3、5、6、7或8之中的任一項所述之無電解鍍金液應用在電子工業零件的表面的步驟。 10 一種促進無電解鍍金中的金析出的方法，其包含將1種或2種以上的鹼金屬化合物添加到無電解鍍金液中的步驟，前述鹼金屬化合物不是僅含作為鹼金屬的鈉之化合物，且前述鹼金屬化合物不是僅為鹼金屬的鹵化物、僅為亞硫酸鉀或僅為酒石酸鉀鈉。 11 如10所述之方法，其中，以鈉以外的鹼金屬離子來換算時，鹼金屬化合物的濃度為0.001～5M 12 一種促進無電解鍍金中的金析出的方法，其是藉由添加銣化合物及/或銫化合物來促進無電解鍍金中的金的析出。 13 如12所述之方法，其中，以銣離子及/或銫離子來換算時，銣化合物及/或銫化合物的濃度為0.001M～5M。 [發明之功效]
根據本發明，由於能夠輕易地提升無電解鍍金液的金析出速度，故即使在不將氰化物作為金源且析出速度慢的無電解鍍金液中，仍能夠實現充分的金析出速度。又，由於藉由僅調整鈉以外的鹼金屬離子的濃度，就能夠調整金析出速度，故與僅依賴錯合劑來促進金的析出的情況相比，本發明可進行採用多成分的調整，能夠提供更穩定的無電解鍍金液。並且，由於本發明無須使金濃度增量，就能夠使析出速度提升，故能夠提供價廉的鍍覆液。
本發明之金析出促進劑，包含鹼金屬化合物。 本發明之金析出促進劑的金析出促進作用，是依據鹼金屬離子而來，本發明之金析出促進劑中所包含的鹼金屬化合物，只要是會解離生成鹼金屬離子者即可。令人驚訝地，即使同樣是鹼金屬離子但鈉離子不會促進金析出反應。因此，本發明之金析出促進劑中所包含的鹼金屬化合物，不是僅含作為鹼金屬的鈉之化合物，但只要存在著鈉以外的鹼金屬，則亦可包含鈉。作為這樣的化合物，例如可舉出酒石酸鉀鈉。
本發明之金析出促進劑中所包含的鹼金屬化合物，較佳為選自由鉀化合物、銣化合物及銫化合物所組成之群組中的1種或2種以上，從析出促進性的觀點而言，進而較佳為銣化合物及/或銫化合物。從成本的觀點而言，鉀化合物亦佳。
本發明之金析出促進劑中所包含的鹼金屬化合物，可舉出在以下記載的化合物，但並不限定於此。例如可舉出：碳酸鉀、碳酸銣、碳酸銫等的碳酸鹽；硝酸銫、硝酸銣、硝酸銫等的硝酸鹽；硫酸鉀、硫酸銣、硫酸銫等的硫酸鹽；鹵化物，作為鹵化物可舉出：氟化鉀、氟化銣、氟化銫等的氟化物；氯化鉀、氯化銣、氯化銫等的氯化物；溴化鉀、溴化銣、溴化銫等的溴化物；碘化鉀、碘化銣、碘化銫等的碘化物等。這些化合物亦可單獨使用亦可併用2種以上。
相對於該化合物中的鹼金屬離子的相對離子並沒有特別限制。作為該相對離子，例如可舉出：碳酸離子、硝酸離子、硫酸離子、亞硫酸離子、磷酸離子、硼酸離子、鹵化物離子、甲酸離子、乙酸離子、丙酸離子、丁酸離子、戊酸離子、己酸離子、庚酸離子、辛酸離子等的羧酸離子；乙醇酸離子、乳酸離子、蘋果酸離子、檸檬酸離子、酒石酸離子、異檸檬酸離子、柳酸離子等的羥酸離子；苯甲酸離子、苯二甲酸離子等的芳香族羧酸離子；乙二酸離子、丙二酸離子、丁二酸離子、戊二酸離子、己二酸離子、富馬酸離子、馬來酸離子等的二羧酸離子等。這些化合物可單獨使用亦可併用2種以上。
作為具有上述相對離子的化合物以外的鹼金屬化合物，可舉出在以下記載的化合物，但並不限定於此。例如可舉出：鹼金屬的氧化物、過氧化物、氫氧化物、鉻酸化合物、鎢酸化合物、硒酸化合物、鉬酸化合物、正鉬酸化合物、鈮酸化合物、過錳酸化合物、疊氮化合物、醯胺化合物、甲苯磺酸化合物、氫化物、苦味酸化合物、四氫硼酸化合物、六氟矽酸化合物、過錸酸化合物、過碘酸化合物、碘酸化合物、亞硝酸化合物、次膦酸化合物、硝苯磺酸化合物、苯磺酸化合物、烷氧化合物、碳酸氫鹽化合物、甲基丙烯酸化合物等。這些化合物可單獨使用亦可併用2種以上。
如此一來，本案發明之金析出促進劑，可以是鹼金屬化合物本身，或亦可以是含該化合物的組成物。組成物可能是由2種以上的鹼金屬化合物所構成的混合物。又，組成物亦可以是除了1種或2種以上的鹼金屬之外，再加上包含水、有機溶劑等的溶劑。
本發明之金析出促進劑中，金析出促進劑中所包含的鹼金屬化合物，不是僅為鹼金屬的鹵化物、僅為亞硫酸鉀或僅為酒石酸鉀鈉。 本發明之金析出促進劑的一個態樣中，金析出促進劑中所包含的鹼金屬化合物不是僅為亞硫酸鹽。 本發明之金析出促進劑的一個態樣中，金析出促進劑中所包含的鹼金屬化合物不是僅為酒石酸鹽。 本發明之金析出促進劑的一個態樣中，金析出促進劑在僅包含鉀化合物作為鹼金屬化合物的情況中，包含選自鹵化鉀、亞硫酸鉀及酒石酸鉀鈉的鉀化合物以外之鉀化合物。
本發明之金析出促進劑，在包含該金析出促進劑的鍍覆液中，包含鈉以外的鹼金屬之鹼金屬化合物，能夠以下述方式調整來使用：以鈉以外的鹼金屬離子換算之濃度成為0.001M以上，較佳是成為0.01M以上，進而較佳是成為0.02M以上。從析出促進性的觀點而言，該濃度能調整如下：成為0.001M～5M，進而較佳是成為0.01M～2M，特佳是成為0.02M～0.5M。由於在金析出速度中亦可看到濃度依賴性，故藉由調整濃度，亦能夠調整期望的金析出速度。
本發明的一個態樣中，本發明之金析出促進劑不含酒石酸鉀鈉。 本發明的一個態樣中，當本發明之金析出促進劑包含酒石酸鉀鈉或酒石酸鹽時，較佳是以下述方式調整來使用：鍍覆液中的酒石酸鉀鈉的濃度成為0.11M以上，較佳為大於0.11M，進而較佳是成為0.2M以上。從析出促進性的觀點而言，該濃度較佳為0.11M～5M，進而較佳為0.11M～2M，特佳為0.11M～0.5M。
本發明的一個態樣中，本發明之金析出促進劑不含亞硫酸鉀。 本發明的一個態樣中，當本發明之金析出促進劑包含亞硫酸鉀或亞硫酸鹽時，較佳是以鍍覆液中的亞硫酸鉀的濃度成為0.004M以上的方式調整來使用。從析出促進性的觀點而言，該濃度較佳為0.004M～5M，進而較佳為0.01M～2M，特佳為0.02M～0.5M。
本發明又關於一種無電解鍍金液，其包含上述的本發明之金析出促進劑、水溶性金源及錯合劑。 包含本發明之金析出促進劑的無電解鍍金液中，鹼金屬化合物的濃度，以鈉以外的鹼金屬離子來換算時，較佳為0.001M以上，進而較佳為0.01M以上，特佳為0.02M以上。從析出促進性的觀點而言，該濃度較佳為0.001M～5M，進而較佳為0.01M～2M，特佳為0.02M～0.5M。金析出速度中亦可看到一定程度的濃度依賴性，故藉由調整濃度，能夠調整期望的金析出速度。
作為用於本發明中的金源，具體而言，能夠使用亞硫酸金鹽或氯化金酸鹽等的水溶性金鹽。從安全性以及廢液處理的問題的觀點而言，較佳為使用不含氰的金源。金源的濃度較佳為0.1～10g/L，更佳為0.5～5g/L。例如在使用亞硫酸金鈉的情況中，若考慮到析出皮膜的物性，則亞硫酸金鈉的濃度範圍以金濃度來換算時，較佳為0.1～10g/L，更佳為0.5～5g/L。本發明的一個態樣中，金源不含鈉以外的鹼金屬。又，本發明的一個態樣中，本發明之金析出促進劑包含不含金的鹼金屬化合物。
本發明的一個態樣中，當金源包含鈉以外的鹼金屬時，本發明之無電解鍍金液，進一步包含不含金的鹼金屬化合物，此時，無電解鍍金液中的鈉以外的鹼金屬離子的濃度，較佳為0.001M以上，進而較佳為0.01M以上，特佳為0.02M以上。從析出促進性的觀點而言，該濃度較佳為0.001M～5M，進而較佳為0.01M～2M，特佳為0.02M～0.5M。該鹼金屬離子的濃度，是將源自金源的鹼金屬離子以及源自前述不含金的鹼金屬化合物的鹼金屬離子加總而得的濃度（不含鈉離子）。
作為用於本發明中的錯合劑，並沒有特別限定，具體而言例如可舉出：亞硫酸鹽、硫代硫酸鹽等的能與一價或三價金離子形成錯合物的化合物等。錯合劑的濃度較佳為0.001M～5M，更佳為0.01M～0.5M，作為錯合劑，例如當使用亞硫酸鈉時，其濃度範圍，較佳為0.001～5M，更佳為0.01～0.5M。
作為pH調整劑，例如，能夠使用：硫酸、鹽酸、磷酸等的各種酸；氫氧化鈉、氫氧化鉀等的氫氧化物塩；及，附有限制下使用的NR4
OH（R：氫或烷基）等的胺類等。作為pH調整劑，例如當使用磷酸緩衝液時，較佳為藉由磷酸與氫氧化鈉或者氫氧化鉀來進行。 pH值是配合組成而定，較佳為5～11的範圍，更佳為6～10。
本發明之金析出促進劑可以添加到用於無電解鍍金的鍍覆液中，但該鍍覆液亦能夠使用在自催化型無電解鍍金、基底觸媒（表面觸媒）鍍金、置換鍍金及組合這些鍍金方法的任何方法。尤其，從析出促進性的觀點而言，較佳為使用在置換鍍金。
本發明之鍍覆液可包含還原劑，亦可不含還原劑。作為還原劑，可舉出：抗壞血酸鈉等的抗壞血酸鹽；羥胺或羥胺鹽酸鹽、羥胺硫酸鹽等的羥胺的鹽類；羥胺-O-磺酸等的羥胺衍生物；肼、二甲基胺硼烷等的胺硼烷化合物；硼氫化鈉等的硼氫化物；葡萄糖等的糖類；次磷酸鹽（hypophosphite）類等。這些還原劑可單獨使用，亦可併用2種以上。其他，只要藉由能斯特的公式（Nernst equation），判斷出是能由金離子或金錯合物中將金還原析出的化合物，則使用哪一種皆可，但要考慮到對於其他鍍浴構成成分的反應性、鍍浴的穩定性等來使用。
本發明之鍍覆液，能夠在適當的濃度範圍內使用結晶粒形調整劑、光澤劑等其他的添加劑。其他的添加劑並沒有特別限制，例如能夠使用從以往就在使用的添加劑。具體而言，可舉出聚乙二醇等的結晶粒形調整劑；鉈、銅、銻、鉛等的光澤劑。在這些添加劑以外，只要是滿足上述條件的添加劑就能夠使用。
本發明的一個態樣中，本發明之無電解鍍金液不含酒石酸鉀鈉。 本發明的一個態樣中，當本發明之無電解鍍金液包含酒石酸鉀鈉或酒石酸鹽時，鍍覆液中的酒石酸鉀鈉或酒石酸鹽的濃度，較佳是以下述方式調整來使用：以鈉以外的鹼金屬離子換算時，成為0.11M以上，較佳為大於0.11M，更佳為0.2M以上的濃度。從析出促進性的觀點而言，該濃度較佳為0.01M～5M，進而較佳為0.01M～2M，特佳為0.01M～0.5M。
本發明的一個態樣中，本發明之無電解鍍金液不含亞硫酸鉀。 本發明的一個態樣中，當本發明之無電解鍍金液包含亞硫酸鉀時，較佳是以鍍覆液中的亞硫酸鉀的濃度成為0.004M以上的方式調整來使用。從析出促進性的觀點而言，該濃度為0.004M～5M，進而較佳為0.01M～2M，特佳為0.02M～0.5M。 本發明之無電解鍍金液的一個態樣中，無電解鍍金液在僅包含鉀化合物作為鹼金屬化合物的情況中，包含選自鹵化鉀、亞硫酸鉀及酒石酸鉀鈉的鉀化合物以外之鉀化合物。
本發明又關於一種金析出促進劑，其包含銣化合物及/或銫化合物。銣離子及銫離子會促進金的析出。銣離子的濃度較佳為0.001～5M，進而較佳為0.01～2M，特佳為0.02～0.5M。銫離子的濃度較佳為0.001～5M，進而較佳為0.01～2M，特佳為0.02～0.5M。作為銣化合物及/或銫化合物的例子，可舉出：與作為上述的鹼金屬化合物的例子而舉出的化合物相同者。
包含本發明之金析出促進劑的無電解鍍金液的金析出速度，於pH7、浴溫80℃、4cm2
的Ni基板上，可為0.003μm/分鐘以上，較佳為0.004μm/分鐘以上，進而較佳為0.005μm/分鐘以上。
本發明又關於一種形成鍍金皮膜的方法，其包含將本發明之無電解鍍金液應用在電子工業零件的表面的步驟。前述步驟中的無電解鍍金液的使用溫度，從析出速度的觀點而言，較佳為20～90℃，更佳為40～70℃。從液體的穩定性與析出速度的觀點而言，pH值較佳為5～11，進而較佳為6～10。電子工業零件雖然沒有特別限定，典型上而言，可舉出電極、電線等。
本發明又關於一種促進無電解鍍金中的金析出的方法，其包含將1種或2種以上的鹼金屬化合物添加到無電解鍍金液中的步驟，前述鹼金屬化合物不是僅含作為鹼金屬的鈉之化合物，且前述鹼金屬化合物不是僅為鹼金屬的鹵化物、僅為亞硫酸鉀或僅為酒石酸鉀鈉。
本發明之促進金析出的方法中，前述鹼金屬化合物的濃度，以鈉以外的鹼金屬離子換算時，可為0.001～5M，較佳為0.01～2M，進而較佳為0.02～0.5M。
本發明的一個態樣中，本發明之促進金析出的方法不包含添加酒石酸鉀鈉的步驟。 本發明的一個態樣中，當本發明之促進金析出的方法包含添加酒石酸鉀鈉的步驟時，較佳是以下述方式調整來添加：將鍍覆液中的酒石酸鉀鈉的濃度以鉀離子換算時，成為0.11M以上，較佳為大於0.11M，進而較佳為0.2M以上。從析出促進性的觀點而言，該濃度較佳為0.11M～5M，進而較佳為0.11M～2M，特佳為0.11M～0.5M。
本發明的一個態樣中，本發明之促進金析出的方法不包含添加亞硫酸鉀的步驟。 本發明的一個態樣中，當本發明之促進金析出的方法包含添加亞硫酸鉀的步驟時，較佳是以鍍覆液中的亞硫酸鉀的濃度成為0.004M以上的方式調整來添加。從析出促進性的觀點而言，該濃度較佳為0.004M～5M，進而較佳為0.01M～2M，特佳為0.02M～0.5M。
本發明又關於一種方法，其是藉由添加銣化合物及/或銫化合物來促進無電解鍍金中的金的析出。較佳的是，銣化合物及/或銫化合物的濃度總和，以銣離子及/或銫離子換算時，較佳為0.001M～5M，進而較佳為0.01M～1M。當僅添加銣化合物時，該較佳濃度以銣離子換算時為0.001M～5M，進而較佳為0.01M～1M。當僅添加銫化合物時，較佳濃度以銫離子換算時為0.001M～5M，進而較佳為0.001M～1M。
本發明又關於一種方法，是在其他的一個態樣中，促進無電解鍍金中的金的析出的方法，其是調整無電解鍍金液中的鹼金屬離子的濃度，來調整金析出速度。 無電解鍍金液中，全部的鹼金屬離子的濃度，是以下述方式來調整：成為0.001M～5M，較佳為0.01M～2M，進而較佳為0.02M～0.5M。 [實施例]
以下，針對本發明之無電解鍍金液，藉由實施例及比較例更詳細地說明，但這些實施例及比較例並沒有將本發明做任何限定。鍍覆試片是使用銅板，且照以下的順序於此進行鍍Ni合金，並用於試驗上。
比較例1～3 將表1所記載的金源、錯合劑以表1所記載的濃度進行混合來製備鍍金液，使用磷酸作為pH調整劑將鍍金液的pH值調整成pH7.0。使用4cm2
的Ni壓延板，於80℃進行10分鐘鍍覆，測定膜厚，算出析出速度。
實施例1～6 將表1所記載的金源、錯合劑、析出促進劑以表1所記載的濃度進行混合來製備鍍金液，使用磷酸作為pH調整劑將鍍金液的pH調整成pH7.0。使用4cm2
的Ni壓延板，於80℃進行10分鐘鍍覆，測定膜厚，算出析出速度。鍍金膜厚，是使用了日立製造的螢光X光膜厚測量儀「FT-9500X」。
〔表1〕 表1. 鍍覆液的組成及鍍覆條件
第1圖是基於表1的比較例1、實施例1～3的結果，比較變更了鹼金屬離子時的析出速度而成者。可看出，藉由添加鹼金屬離子，金析出速度會提升。又，從實施例1、實施例2及實施例3全部儘管包含同濃度的碳酸離子，但是金析出速度並不相同的方面而言，可看出金析出速度取決於鹼金屬離子。
結果可看出，含有金析出促進劑的無電解鍍金液，該金析出促進劑包含鈉離子以外的至少1種以上的鹼金屬離子，即使是變更銫鹽、金源及錯合劑的種類，相較於不含金析出促進劑的無電解鍍金液，金析出速度仍較快。 [產業利用性]
根據本發明，即使在使用了不將氰化物作為金源且析出速度慢的無電解鍍金液的無電解電鍍中，仍能夠實現充分的金析出速度。
無
第1圖是變更了鹼金屬離子時的金析出速度比較圖。
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Claims (13)
- 一種金析出促進劑，其用於無電解鍍金，並包含1種或2種以上的鹼金屬化合物，前述鹼金屬化合物不是僅含作為鹼金屬的鈉之化合物，且前述鹼金屬化合物不是僅為鹼金屬的鹵化物、僅為亞硫酸鉀或僅為酒石酸鉀鈉。
- 一種無電解鍍金液，其包含如請求項1所述之金析出促進劑、水溶性金源及錯合劑。
- 如請求項2所述之無電解鍍金液，其中，以鈉以外的鹼金屬離子來換算時，鹼金屬化合物的濃度為0.001～5M。
- 一種金析出促進劑，其包含銣化合物及/或銫化合物。
- 一種無電解鍍金液，其包含如請求項4所述之金析出促進劑、水溶性金源及錯合劑。
- 3或5之中的任一項所述之無電解鍍金液，其中，進一步包含鈉化合物。
- 3、5或6之中的任一項所述之無電解鍍金液，其中，不包含氰化物。
- 3、5、6或7之中的任一項所述之無電解鍍金液，其中，包含酸或鹼作為pH調整劑。
- 一種形成鍍金皮膜的方法，其包含將如請求項2、3、5、6、7或8之中的任一項所述之無電解鍍金液應用在電子工業零件的表面的步驟。
- 一種促進無電解鍍金中的金析出的方法，其包含將1種或2種以上的鹼金屬化合物添加到無電解鍍金液中的步驟，前述鹼金屬化合物不是僅含作為鹼金屬的鈉之化合物，且前述鹼金屬化合物不是僅為鹼金屬的鹵化物、僅為亞硫酸鉀或僅為酒石酸鉀鈉。
- 如請求項10所述之方法，其中，以鈉以外的鹼金屬離子來換算時，鹼金屬化合物的濃度為0.001～5M。
- 一種促進無電解鍍金中的金析出的方法，其是藉由添加銣化合物及/或銫化合物來促進無電解鍍金中的金的析出。
- 如請求項12所述之方法，其中，以銣離子及/或銫離子來換算時，銣化合物及/或銫化合物的濃度為0.001M～5M。
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