TW201822241A - 用於動態補償樣本的位置誤差之系統 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於動態補償一樣本的位置誤差之系統及方法。該系統可包含經組態以基於一樣本之一位置而產生一信號的一或多個感測單元，及一控制器。該控制器可經組態以：基於該信號而判定該樣本之該位置，且回應於該經判定位置而提供與該經判定位置相關聯之資訊以用於控制一第一腔室中之一第一處置單元、一第二腔室中之一第二處置單元及該第二腔室中之一射束定位單元中的一者。

Description

用於動態補償樣本的位置誤差之系統
本發明大體上係關於用於判定樣本的位置之系統及方法，且更特定言之係關於用於動態補償樣本的位置誤差之系統及方法。
在積體電路(IC)之製造過程中，未完成或已完成電路組件經檢測以確保其等係根據設計而製造且無缺陷。利用光學顯微鏡之檢測系統通常具有下至幾百奈米之解析度；且該解析度受光之波長限制。隨著IC組件之實體大小繼續減小至低於100奈米或甚至低於10奈米，需要比利用光學顯微鏡之彼等者具有更高解析度的檢測系統。 諸如掃描電子顯微鏡(SEM)或透射電子顯微鏡(TEM)之具有下至小於一奈米之解析度的帶電粒子(例如，電子)束顯微鏡充當用於檢測具有低於100奈米之特徵大小之IC組件的可行工具。在SEM之情況下，單個主電子束之電子或多個主電子束之電子可聚焦於被檢測的晶圓之一或多個掃描方位處。原電子與晶圓相互作用且可反向散射或可致使晶圓發射二次電子。包含經反向散射電子及二次電子之電子束或二次電子的強度可基於晶圓之內部及/或外部結構的屬性而變化。 在大氣壓下，帶電粒子(例如，電子)遭受與氣體分子的頻繁碰撞，且自其路徑偏轉。在大氣壓下之帶電粒子之平均自由路徑對於實際檢測應用而言可能過小。因此在使用帶電粒子束進行檢測之前，將容納帶電粒子束顯微鏡之腔室抽空至低壓值(高真空等級)。 可使用裝載/鎖定(load/lock chamber)腔室以使容納帶電粒子束顯微鏡之低壓腔室與大氣壓隔離。晶圓可由第一機器人自裝載埠傳送至裝載/鎖定腔室。第二機器人可將晶圓自裝載/鎖定腔室傳送至容納帶電粒子束之腔室。然而，位置誤差可能在該等傳送中之一者或兩者期間發生。位置誤差可導致對晶圓之錯誤處理。 在一些情況下，位置誤差可導致晶圓斷裂，藉此降低半導體製造良率。在一些系統中，在卸載晶圓且以經校正位置再次裝載晶圓之後，可校正位置誤差。但此可導致顯著時間延遲且減少半導體製造過程之產量。 且在一些系統中，可使用第二校準晶圓來判定第一晶圓與校準晶圓之間的漂移值。然而，該經判定漂移係相對測量值，且與絕對位置測量值相比可能更不可靠。此外，使用兩個晶圓亦可導致顯著時間延遲且可減少半導體製造過程之產量。
本發明之實施例提供用於動態補償樣本的位置誤差之系統及方法。在一些實施例中，提供一種系統。該系統包含經組態以基於一樣本之一位置而產生一信號的一或多個感測單元及一控制器。該控制器可經組態以基於該信號而判定該樣本之該位置，且回應於該經判定位置而提供與該經判定位置相關聯之資訊以用於控制一第一腔室中之一第一處置單元、一第二腔室中之一第二處置單元及該第二腔室中之一射束定位單元中的一者。 在一些實施例中，提供一種用於判定一樣本在一第一腔室與一第二腔室之間的一介面中之一位置的方法。該方法包含：基於該樣本之該位置而產生一信號；基於該信號而判定該樣本之該位置；及回應於該經判定位置而提供與該經判定位置相關聯之資訊以用於控制該第一腔室中之一第一處置單元、該第二腔室中之一第二處置單元或該第二腔室中之一射束定位單元中的一者。 在一些實施例中，提供一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之一或多個處理器執行以致使該運算裝置執行一方法。該方法包含：自一或多個感官單元接收一信號，其中該信號係基於一樣本在一第一腔室與一第二腔室之間的一介面中的一位置；基於該所接收信號而判定該樣本之該位置；及回應於該經判定位置而提供與該經判定位置相關聯之資訊以用於控制該第一腔室中之一第一處置單元、該第二腔室中之一第二處置單元或該第二腔室中之一射束定位單元中的一者。 在以下描述中將部分闡述所揭示實施例之額外目標及優點，且此等目標及優點將部分自該描述顯而易見，或可藉由實踐該等實施例習得。所揭示實施例之該等目標及優點可藉由在申請專利範圍中所闡述之要素及組合來實現及獲得。 應理解，前文一般描述及以下詳細描述兩者皆僅為例示性及解釋性的，且並不限定如所主張之所揭示實施例。
現在將詳細參考例示性實施例，在附圖中說明該等例示性實施例之實例。以下描述參考附圖，其中除非另外表示，否則不同圖式中之相同編號表示相同或類似元件。闡述於例示性實施例之以下描述中之實施並不表示符合本發明的所有實施。實情為，其僅為符合關於所附申請專利範圍中所列舉的本發明之態樣的設備及方法之實例。 本發明係關於用於動態補償樣本的位置誤差之系統及方法。本發明之實施例提供經組態以基於樣本之位置而產生信號的一或多個感測單元及經組態以基於信號而判定樣本之位置的控制器。回應於經判定位置，控制器可經組態以提供相關聯資訊以用於控制第一腔室中之第一處置單元、第二腔室中之第二處置單元及第二腔室系統提供中之射束定位單元中的一者。可偵測任何晶圓位置誤差且可進行校正而不用卸載及再裝載晶圓。藉由此類配置，所揭示實施例可改良晶圓傳送之準確度及製程之產量。並且，晶圓傳送之經改良準確度可幫助提高半導體製造良率。 現參考圖 1 ，其說明符合本發明之實施例之例示性電子束檢測(EBI)系統100。如圖 1 中所展示，EBI系統100包括主腔室101、裝載/鎖定腔室102、電子束工具104及設備前端模組(EFEM) 106。電子束工具104位於主腔室101內。 EFEM 106包括第一裝載埠106a及第二裝載埠106b。EFEM 106可包括額外裝載埠。第一裝載埠106a及第二裝載埠106b接收含有待檢測之晶圓(例如，半導體晶圓或由其他材料製成之晶圓)或樣本的晶圓前開式單元匣(FOUP)(晶圓及樣本在下文中統稱為「晶圓」)。EFEM 106中之一或多個機械臂(未圖示)可將晶圓運輸至裝載/鎖定腔室102。 裝載/鎖定腔室102連接至裝載/鎖定真空泵系統(未圖示)，其移除裝載/鎖定腔室102中之氣體分子以達至低於大氣壓之第一壓力。在達至第一壓力之後，一或多個機械臂(未圖示)將晶圓自裝載/鎖定腔室102運輸至主腔室101。主腔室101連接至主腔室真空泵系統(未圖示)，其移除主腔室101中之氣體分子以使其達至低於第一壓力之第二壓力。在達至第二壓力之後，晶圓經受電子束工具104之檢測。雖然本發明提供容納電子束檢測系統之主腔室101的實例，但應注意，本發明之態樣在其最廣泛意義上而言不限於容納電子束檢測系統之腔室。實際上，應理解，前述原理亦可應用於其他腔室。 現參考圖 2 ，其說明符合本發明之實施例之電子束工具104的例示性組件。如圖 2 中所展示，電子束工具104包括機動載物台200及晶圓固持器202，晶圓固持器202由機動載物台200支撐以固持待檢測之晶圓203。電子束工具104進一步包括物鏡總成204、電子偵測器206、物鏡孔徑208、聚光透鏡210、射束限制孔徑212、電子槍孔徑214、陽極216及陰極218。在一些實施例中，物鏡總成204可包括經修改擺動物鏡延遲浸沒透鏡(SORIL)，其包括磁極片204a、控制電極204b、偏轉器204c及激磁線圈204d。電子束工具104可另外包括能量色散X射線光譜儀(EDS)偵測器(未圖示)以表徵晶圓上之材料。 藉由在陽極216與陰極218之間施加電壓而自陰極218發射主電子束220。主電子束220傳遞通過電子槍孔徑214及射束限制孔徑212，此兩者可判定進入駐存在射束限制孔徑212下方之聚光透鏡210之電子束的大小。聚光透鏡210在射束進入物鏡孔徑208之前聚焦主電子束220，以在射束進入物鏡總成204之前設定電子束的大小。偏轉器204c偏轉主電子束220以促進晶圓上之射束掃描。舉例而言，在掃描製程中，偏轉器204c可受控制以在不同時間點處將主電子束220依序偏轉至晶圓203之頂部表面的不同方位上，以提供用於晶圓203之不同部分的影像重建構之資料。此外，在一些實施例中，陽極216及陰極218可經組態以產生多個主電子束220，且電子束工具104可包括多個偏轉器204c以同時將多個主電子束220投影至晶圓之不同部分，從而為晶圓203之不同部分的影像重建構提供資料。 激磁線圈204d及磁極片204a產生在磁極片204a之一端處開始且在磁極片204a之另一端處終止的磁場。晶圓203之正由主電子束220掃描的部分可浸沒於磁場中且可帶電，此又產生一電場。該電場在主電子束220與晶圓碰撞之前減少衝擊靠近晶圓之表面之主電子束220的能量。與磁極片204a電隔離之控制電極204b控制晶圓上之電場，以防止晶圓之微拱起並確保適當射束聚焦。 在接收到主電子束220後，可自晶圓203之部分發射次電子束222。次電子束222可在電子偵測器206之感測器表面上形成射束點。電子偵測器206可產生表示射束點之強度的信號(例如，電壓、電流等)，並將該信號提供至處理系統(圖 2 中未示)。次電子束222及所得射束之強度可根據晶圓203之外部及/或內部結構而變化。此外，如上文所論述，主電子束220可被投影至晶圓之表面的不同方位上，以產生具不同強度之次電子束222 (及所得射束點)。因此，藉由透過晶圓203之部位映射射束點之強度，處理系統可重建構反映晶圓203之內部及/或外部結構的影像。 現參考圖 3 ，其為說明符合本發明之實施例之用於偵測晶圓350之位置之例示性感測單元311、321及331的示意圖。每一感測單元可包含經組態以發射光之發射器及經組態以偵測所發射光之感測器。感測單元311包含感測器311a及發射器311b，感測單元321包含感測器321a及發射器321b，感測單元331包含感測器331a及發射器331b。晶圓350可存在於腔室(例如，圖 1 之裝載/鎖定腔室102)中，且由三個底座341、342及343支撐。感測單元311、321及331可為直通型感測單元，且沿晶圓350之邊緣而定位。感測器311a、321a及331a可定位於晶圓350之頂部上，且對應發射器311b、321b及331b可定位於晶圓350之下，或反之亦然。來自發射器(例如，發射器311b)之由感測器(例如，感測器311a)偵測到的光之量可依據晶圓350之位置而變化。 現參考符合本發明之實施例的圖 4A ，其為說明由對應於晶圓350之位置的圖 3 之例示性感測器311a、321a及331a進行之光偵測的示意圖。在一些實施例中，可配置感測單元311、321及331，其中感測器311a、321a及331a偵測由正確地定位於底座341、342及343上之晶圓350的對應發射器311b、321b及331b發射之光的大致50%。在一些實施例中，感測單元中之一或多者可經配置以供感測器偵測由正確地定位於底座341、342及343上之晶圓350的對應發射器發射之較大量之光(例如，60%、70%、80%、90%、100%)。在一些實施例中，感測單元中之一或多者可經配置以供感測器偵測由正確地定位於底座341、342及343上之晶圓350的對應發射器發射之較小量之光(例如，10%、20%、30%、40%)。感測單元311、321及331可產生對應於經偵測光之量的電信號且將該等信號提供至控制器(圖 4A 中未展示)。 現參考符合本發明之實施例的圖 4B ，其為說明由對應於晶圓350之位置的例示性感測器311a、321a及331a進行之光偵測的示意圖。與圖 4A 相比，晶圓350在Y方向上移位且並未正確地定位於底座341、342及343上。此可致使感測器311a及321a偵測由對應發射器311b及321b發射的大於50%之光，且亦致使感測器331a偵測由對應發射器331b發射的小於50%之光。感測單元311、321及331可產生與經偵測光之量成比例的對應電信號且將該等信號提供至控制器(圖 4B 中未展示)。由感測單元311、321及331產生之信號可因此提供對晶圓350之位置的指示。雖然圖 3 及圖 4A 至圖 4B 中顯示三個感測單元，但應瞭解，可使用任何數目個感測單元。舉例而言，可使用單個相對較大的感測單元來準確地預測晶圓之位置。 現參考圖 5 ，其為說明符合本發明之實施例之用於偵測晶圓350之位置之例示性感測單元511(包含感測器511a及發射器511b)及例示性感測單元521(包含感測器521a及發射器521b)的示意圖。如圖 5 中所說明，感測單元511及521可沿晶圓之邊緣而置放以判定晶圓350相對於X-Y平面之傾斜。為了將晶圓350正確置放於底座341、342及343上，晶圓350相對於X-Y平面之傾斜為零。感測器511a及521a可經配置以偵測由對應發射器511b及521b發射之所有或幾乎100%的光束531及532。此外，應理解，雖然展示兩個感測單元，但可使用任何數目個感測單元以判定晶圓350之位置。 現參考圖 6 ，其為說明符合本發明之實施例之由對應於晶圓350之位置的圖 5 之例示性感測器511a及521a進行之光偵測的示意圖。與圖 5 相比，晶圓350並未在X方向上正確地定位於底座341、342及343上。晶圓350相對於X-Y平面傾斜，且可阻止來自發射器521b之光束532中之一些或全部達至感測器521a。感測單元521可產生指示晶圓350之位置之誤差的對應電信號。感測單元521可將所產生電信號提供至控制器(圖 4A 中未展示)。 現參考圖 7 ，其為說明符合本發明之實施例之由對應於晶圓350之位置的圖 5 之例示性感測器511a及521a進行之光偵測的示意圖。與圖 5 相比，晶圓350並未在Y方向上正確地定位於底座341、342及343上。晶圓350相對於X-Y平面傾斜，且可阻止來自發射器511b之光束531中之一些或全部達至感測器511a。感測單元511可產生指示晶圓350之位置之誤差的對應電信號。感測單元511可將所產生電信號提供至控制器(圖 4A 中未展示)。 現參考圖 8 ，其為說明符合本發明之實施例之用於偵測晶圓之位置及動態補償經偵測位置中之任何誤差之例示性系統800的示意圖。系統800可包含控制器810及一或多個感測單元，例如感測單元311、321及331。控制器810可包含一或多個模組，該一或多個模組可為經設計以與其他組件(例如，集成電路之部分)一起使用之封裝式功能硬體單元或執行相關功能中之特定功能的程式之一部分(儲存於電腦可讀媒體上)。模組可具有入口點及出口點，且可以諸如Java、Lua、C或C++之程式設計語言加以編寫。軟體模組可經編譯並鏈接至可執行程式中、安裝於動態鏈接庫中，或以諸如BASIC、Perl或Python之經解譯程式設計語言加以編寫。將瞭解，可自其他模組或自其自身調入軟體模組，及/或可回應於偵測到之事件或中斷而調用軟體模組。經組態以用於執行於運算裝置上之軟體模組可提供於電腦可讀媒體上，該電腦可讀媒體諸如光碟、數位視訊光碟、快閃驅動機、磁碟、快取、暫存器或任何其他非暫時性媒體，或提供為數位下載(且可最初以要求在執行之前安裝、解壓縮、或解密的壓縮或可安裝格式儲存)。此等軟體程式碼可部分或完全地儲存於執行運算裝置之記憶體裝置上以用於由運算裝置執行。軟體指令可嵌入於諸如EPROM之韌體中。應進一步瞭解，硬體模組可由經連接邏輯單元(諸如閘及正反器)組成，及/或可由可程式化單元(諸如可程式化閘陣列或處理器)組成。本文中所描述之模組或運算裝置功能性較佳被實施為軟體模組，但可以硬體或韌體表示。 感測單元311、321及331(已圖示)及/或感測單元511及521(未圖示)可偵測晶圓(例如，晶圓350)之位置且產生對應電信號，如參考圖 3 至圖 7 所描述。感測單元311、321及331及/或感測單元511及521可將所產生電信號提供至控制器810。控制器810可基於晶圓350之經偵測位置與晶圓350之所要位置之間的差異而計算移位向量。在使用移位向量之情況下，控制器810可藉由基於晶圓350之經偵測位置而控制第一機器人820或第二機器人830調整晶圓350之位置或藉由控制射束定位單元840進行補償來補償晶圓350之位置中之誤差。 現參考圖 9 ，其為說明符合本發明之實施例之第一機器人820、第二機器人830、裝載/鎖定腔室102之晶圓定位單元910及射束定位單元840在例示性EBI系統100內之方位的示意圖。 第一機器人820可在EFEM 106與裝載/鎖定腔室102之間傳送晶圓350。舉例而言，第一機器人820可將晶圓提供至射束定位單元910，射束定位單元910可包括以通信方式耦接至控制器810之晶圓定位單元910。晶圓定位單元910可包括底座341、342及343，以及感測單元311、321及331，及/或感測單元511及521。定位單元910可隨後評估晶圓之位置且將對應資料提供至控制器810。控制器810可如上文所描述基於晶圓相對於感測單元之位置而判定移位向量。 第二機器人820可在裝載/鎖定腔室102與電子束工具104之間傳送晶圓350。舉例而言，在判定移位向量之後，控制器810可輔助第二機器人830獲取晶圓350且將其自裝載/鎖定腔室102傳送至電子束工具104。在晶圓350自裝載/鎖定腔室102傳送至電子束工具104期間，控制器810可基於經計算移位向量而控制第二機器人830及射束定位單元840中之一者。對於經計算移位向量大於臨限值之情況，控制器810可控制第二機器人830。舉例而言，經計算移位向量可指示晶圓350相比於正確位置在Y方向上移位Y1 距離單位，其中Y1 大於臨限值。控制器810可藉由對第二機器人830之運動進行對應調整來控制晶圓350之傳送。對於經計算移位向量小於臨限值之情況，控制器810可控制射束定位單元840。舉例而言，經計算移位向量可指示晶圓350相比於正確位置在Y方向上移位Y2 距離單位，其中Y2 小於臨限值。控制器810可控制射束定位單元840對電子束工具104之一或多個主電子束進行對應調整。 此外，第二機器人830可將晶圓自電子束工具104傳送至裝載/鎖定腔室102之射束定位單元910。射束定位單元910可隨後評估晶圓之位置且將對應位置資料提供至控制器810。在使用位置資料之情況下，控制器810可如上文所描述基於晶圓相對於感測單元之位置而判定移位向量。 第一機器人820可將晶圓350自裝載/鎖定腔室102傳送至EFEM 106。在晶圓350自裝載/鎖定腔室102傳送至EFEM 106期間，控制器810可基於經計算移位向量而控制第一機器人820。舉例而言，經計算移位向量可指示晶圓350相比於正確位置在X方向上移位X1 距離單位。控制器810可藉由對第一機器人820之運動進行對應調整來控制晶圓350之傳送。 應瞭解，若偵測到晶圓傾斜，則控制器810可輔助第一機器人820及第二機器人830進行適當調整以獲取晶圓350。 現參考圖 10 ，其為說明符合本發明之實施例之用於判定晶圓在第一腔室與第二腔室之間的介面中之位置之例示性方法1000的流程圖。作為一實例，方法1000可由系統(例如，圖 8 之系統800)執行。將易於瞭解，所說明程序可經變更以修改步驟次序、刪除步驟或進一步包括額外步驟。 在初始啟動之後，在步驟1010中，系統可偵測晶圓之位置。舉例而言，系統800之感測單元311、321及331可產生對應於晶圓之位置的電信號。感測單元可將所產生電信號提供至控制器(例如，系統800之控制器810)。 在步驟1020中，控制器可基於經偵測晶圓位置及正確晶圓位置而計算移位向量。舉例而言，參考圖 4B ，控制器可計算指示晶圓相比於圖 4A 中之正確晶圓位置在Y方向上移位的移位向量。 在步驟1030中，控制器可判定移位向量是否大於臨限值。可基於不同系統屬性而設定移位向量，該系統屬性例如傳送晶圓之機器人的屬性、用於在晶圓上掃描電子束之偏轉器的屬性等。 對於移位向量大於臨限值之情況，在步驟1040中，控制器可控制機器人(例如，第二機器人830)。舉例而言，經計算移位向量可指示晶圓相比於正確位置在Y方向上移位Y1 距離單位，其中Y1 大於臨限值。控制器可藉由對執行晶圓傳送之機器人之運動進行對應調整來控制晶圓之傳送。 對於移位向量小於臨限值之情況，在步驟1040中，控制器可控制機器人(例如，第二機器人830)。舉例而言，經計算移位向量可指示晶圓相比於正確位置在Y方向上移位Y2 距離單位，其中Y2 小於臨限值。控制器可控制射束定位單元對電子束工具之一或多個主電子束進行對應調整。 可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種系統，其包含： 一或多個感測單元，其經組態以基於一樣本之一位置而產生一信號；及 一控制器，其經組態以： 基於該信號而判定該樣本之該位置；且 回應於該經判定位置而提供與該經判定位置相關聯之資訊以用於控制一第一腔室中之一第一處置單元、一第二腔室中之一第二處置單元及該第二腔室中之一射束定位單元中的一者。 2. 如條項1之系統，其中該一或多個感測單元中之一感測單元包含： 一發射器，其經組態以發射光；及 一感測器，其經組態以偵測該所發射光。 3. 如條項2之系統，其中該一或多個感測單元相對於該樣本之一邊緣而定位，其中該樣本之該位置係基於偵測由該一或多個感測單元之一或多個發射器發射之光的該一或多個感測單元之一或多個感測器而判定。 4. 如條項1至3中任一項之系統，其中該控制器經進一步組態以判定該經判定位置與一參考位置之間的一偏移。 5. 如條項4之系統，其中該控制器經進一步組態以基於該經判定偏移而控制該第一處置單元，以用於該樣本在一介面與該第一腔室之間的一傳送。 6. 如條項4之系統，其中該控制器經進一步組態以： 回應於該經判定偏移高於一臨限值，基於該經判定偏移而控制該第二處置單元，以用於該樣本在一介面與該第二腔室之間的一傳送；且 回應於該經判定偏移小於或等於該臨限值，基於該經判定偏移而控制該射束定位單元，以用於該樣本在該介面與該第二腔室之間的一傳送。 7. 如條項1至6中任一項之系統，其中該樣本之該位置係在該樣本在一真空環境與一大氣壓環境之間的傳送期間被判定。 8. 如條項1至7中任一項之系統，其中該經判定位置包含一水平面內之空間座標及相對於該水平面之一傾斜角。 9. 如條項1至8中任一項之系統，其中該第一腔室為一設備前端模組。 10. 如條項1至9中任一項之系統，其中該第一處置單元為一機器人。 11. 如條項1至10中任一項之系統，其中該第二腔室為一電子束檢測工具、一尺寸掃描電子顯微法工具、一再檢測掃描電子顯微法工具或一電子束直寫工具中之一者。 12. 如條項1至11中任一項之系統，其中該第二處置單元為一機器人。 13. 如條項1至12中任一項之系統，其中該射束定位單元為經組態以控制一電子束之位置的掃描偏轉器。 14. 如條項2至13中任一項之系統，其中該一或多個感測單元包含三個感測單元，其中每一感測單元包含一發射器及一感測器。 15. 如條項2至13中任一項之系統，其中該一或多個感測單元包含五個感測單元，其中每一感測單元包含一發射器及一感測器。 16. 如條項1至15中任一項之系統，其中該介面為一裝載鎖定腔室。 17. 如條項1至16中任一項之系統，其中該樣本為一晶圓或一光罩中之一者。 18. 一種用於判定一樣本在一第一腔室與一第二腔室之間的一介面中之一位置的方法，該方法包含： 基於該樣本之該位置而產生一信號； 基於該信號而判定該樣本之該位置；及 回應於該經判定位置而提供與該經判定位置相關聯之資訊以用於控制該第一腔室中之一第一處置單元、該第二腔室中之一第二處置單元或該第二腔室中之一射束定位單元中的一者。 19. 如條項18之方法，其中基於該樣本之該位置而產生一信號包含： 由一或多個發射器發射光；及 由一或多個對應感測器偵測該所發射光。 20. 如條項18或19中任一項之方法，其進一步包含判定該經判定位置與一參考位置之間的一偏移。 21. 如條項20之方法，其進一步包含基於該經判定偏移而控制該第一處置單元，以用於該樣本在該介面與該第一腔室之間的一傳送。 22. 如條項20之方法，其進一步包含： 回應於該經判定偏移高於一臨限值，基於該經判定偏移而控制該第二處置單元，以用於該樣本在一介面與該第二腔室之間的一傳送；及 回應於該經判定偏移小於或等於該臨限值，基於該經判定偏移而控制該射束定位單元，以用於該樣本在該介面與該第二腔室之間的一傳送。 23. 一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其儲存一指令集，該指令集可由一運算裝置之一或多個處理器執行以致使該運算裝置執行一方法，該方法包含： 自一或多個感官單元接收一信號，其中該信號係基於一樣本在一第一腔室與一第二腔室之間的一介面中的一位置； 基於該所接收信號而判定該樣本之該位置；及 回應於該經判定位置而提供與該經判定位置相關聯之資訊以用於控制該第一腔室中之一第一處置單元、該第二腔室中之一第二處置單元或該第二腔室中之一射束定位單元中的一者。 24. 如條項23之媒體，其中該指令集可由該運算裝置之該一或多個處理器執行以致使該運算裝置進一步執行： 判定該經判定位置與一參考位置之間的一偏移。 25. 如條項24之媒體，其中該指令集可由該運算裝置之該一或多個處理器執行以致使該運算裝置進一步執行： 基於該經判定偏移而控制該第一處置單元，以用於該樣本在該介面與該第一腔室之間的一傳送。 26. 如條項24之媒體，其中該指令集可由該運算裝置之該一或多個處理器執行以致使該運算裝置進一步執行： 回應於該經判定偏移高於一臨限值，基於該經判定偏移而控制該第二處置單元，以用於該樣本在一介面與該第二腔室之間的一傳送；及 回應於該經判定偏移小於或等於該臨限值，基於該經判定偏移而控制該射束定位單元，以用於該樣本在該介面與該第二腔室之間的一傳送。 將瞭解，本發明不限於上文所描述及在附圖中所說明之確切建構，且可在不背離本發明之範疇的情況下作出各種修改及改變。希望，本發明之範疇應僅受隨附申請專利範圍限制。
100‧‧‧電子束檢測(EBI)系統
101‧‧‧主腔室
102‧‧‧裝載/鎖定腔室
104‧‧‧電子束工具
106‧‧‧設備前端模組(EFEM)
106a‧‧‧第一裝載埠
106b‧‧‧第二裝載埠
200‧‧‧機動載物台
202‧‧‧晶圓固持器
203‧‧‧晶圓
204‧‧‧物鏡總成
204a‧‧‧磁極片
204b‧‧‧控制電極
204c‧‧‧偏轉器
204d‧‧‧激磁線圈
206‧‧‧電子偵測器
208‧‧‧物鏡孔徑
210‧‧‧聚光透鏡
212‧‧‧射束限制孔徑
214‧‧‧電子槍孔徑
216‧‧‧陽極
218‧‧‧陰極
220‧‧‧主電子束
222‧‧‧次電子束
311‧‧‧感測單元
311a‧‧‧感測器
311b‧‧‧發射器
321‧‧‧感測單元
321a‧‧‧感測器
321b‧‧‧發射器
331‧‧‧感測單元
331a‧‧‧感測器
331b‧‧‧發射器
341‧‧‧底座
342‧‧‧底座
343‧‧‧底座
350‧‧‧晶圓
511a‧‧‧感測器
511b‧‧‧發射器
521a‧‧‧感測器
521b‧‧‧發射器
531‧‧‧光束
532‧‧‧光束
800‧‧‧系統
810‧‧‧控制器
820‧‧‧第一機器人
830‧‧‧第二機器人
840‧‧‧射束定位單元
910‧‧‧晶圓定位單元
1000‧‧‧方法
1010‧‧‧步驟
1020‧‧‧步驟
1030‧‧‧步驟
1040‧‧‧步驟
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
圖 1 為說明符合本發明之實施例之例示性電子束檢測(EBI)系統的示意圖。圖 2 為說明可為符合本發明之實施例的圖 1 之例示性電子束檢測系統之一部分之例示性電子束工具的示意圖。圖 3 為說明符合本發明之實施例之用於偵測晶圓之位置之例示性感測單元的示意圖。圖 4A 、圖 4B 為說明符合本發明之實施例之由對應於晶圓之位置的例示性感測器進行之光偵測的示意圖。圖 5 為說明符合本發明之實施例之用於偵測晶圓之位置之例示性感測單元的示意圖。圖 6 為說明符合本發明之實施例之由對應於晶圓之位置的例示性感測器進行之光偵測的示意圖。圖 7 為說明符合本發明之實施例之由對應於晶圓之位置的例示性感測器進行之光偵測的示意圖。圖 8 為說明符合本發明之實施例之用於偵測晶圓之位置及動態補償經偵測位置中之任何誤差之例示性系統的示意圖。圖 9 為說明符合本發明之實施例之第一機器人、第二機器人及射束定位單元在例示性EBI系統內之方位的示意圖。圖 10 為說明符合本發明之實施例之用於判定晶圓在第一腔室與第二腔室之間的介面中之位置之例示性方法的流程圖。

Claims (15)

  1. 一種系統，其包含： 一或多個感測單元，其經組態以基於一樣本之一位置而產生一信號；及 一控制器，其經組態以： 基於該信號而判定該樣本之該位置；且 回應於該經判定位置而提供與該經判定位置相關聯之資訊以用於控制一第一腔室中之一第一處置單元、一第二腔室中之一第二處置單元及該第二腔室中之一射束定位單元中的一者。
  2. 如請求項1之系統，其中該一或多個感測單元中之一感測單元包含： 一發射器，其經組態以發射光；及 一感測器，其經組態以偵測該所發射光，及/或 其中該一或多個感測單元相對於該樣本之一邊緣而定位，其中該樣本之該位置係基於偵測由該一或多個感測單元之一或多個發射器發射之光的該一或多個感測單元之一或多個感測器而判定。
  3. 如請求項1之系統，其中該控制器經進一步組態以： 判定該經判定位置與一參考位置之間的一偏移； 基於該經判定偏移而控制該第一處置單元，以用於該樣本在一介面與該第一腔室之間的一傳送； 回應於該經判定偏移高於一臨限值，基於該經判定偏移而控制該第二處置單元，以用於該樣本在一介面與該第二腔室之間的一傳送；且 回應於該經判定偏移小於或等於該臨限值，基於該經判定偏移而控制該射束定位單元，以用於該樣本在該介面與該第二腔室之間的一傳送。
  4. 如請求項1之系統，其中該樣本之該位置係在該樣本在一真空環境與一大氣壓環境之間的傳送期間予以判定。
  5. 如請求項1之系統，其中該經判定位置包含一水平面內之空間座標及相對於該水平面之一傾斜角。
  6. 如請求項1之系統，其中該第一腔室為一設備前端模組。
  7. 如請求項1之系統，其中該第一處置單元為一機器人，及/或其中該第二處置單元為一機器人。
  8. 如請求項1之系統，其中該第二腔室為一電子束檢測工具、一尺寸掃描電子顯微法工具、一再檢測掃描電子顯微法工具或一電子束直寫工具中之一者。
  9. 如請求項1之系統，其中該射束定位單元為經組態以控制一電子束之位置的掃描偏轉器。
  10. 如請求項1之系統，其中該介面為一裝載鎖定腔室。
  11. 如請求項1之系統，其中該樣本為一晶圓或一光罩中之一者。
  12. 一種用於判定一樣本在一第一腔室與一第二腔室之間的一介面中之一位置的方法，該方法包含： 基於該樣本之該位置而產生一信號； 基於該信號而判定該樣本之該位置；及 回應於該經判定位置而提供與該經判定位置相關聯之資訊以用於控制該第一腔室中之一第一處置單元、該第二腔室中之一第二處置單元或該第二腔室中之一射束定位單元中的一者。
  13. 如請求項12之方法，其中基於該樣本之該位置而產生一信號包含： 由一或多個發射器發射光；及 由一或多個對應感測器偵測該所發射光。
  14. 如請求項12之方法，其進一步包含： 判定該經判定位置與一參考位置之間的一偏移； 基於該經判定偏移而控制該第一處置單元，以用於該樣本在該介面與該第一腔室之間的一傳送； 回應於該經判定偏移高於一臨限值，基於該經判定偏移而控制該第二處置單元，以用於該樣本在該介面與該第二腔室之間的一傳送；及 回應於該經判定偏移小於或等於該臨限值，基於該經判定偏移而控制該射束定位單元，以用於該樣本在該介面與該第二腔室之間的一傳送。
  15. 一種儲存有一指令集之非暫時性電腦可讀儲存媒體，該指令集可由一運算裝置之一或多個處理器執行以致使該運算裝置執行如請求項12之方法。
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