TW201821857A - 反射折射光學系統、照明光學系統、曝光裝置及物品製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及反射折射光學系統、照明光學系統、曝光裝置。在物面以及像面為遠心的反射折射光學系統包括:第1反射面、第2反射面、第3反射面以及第4反射面;以及具有正的折射力的折射面,該折射面配置於前述物面與前述第1反射面之間,從前述物面出來的光依序經由前述折射面、前述第1反射面、前述折射面、前述第2反射面、前述折射面、前述第3反射面、前述第4反射面到達前述像面。
Description
[0001] 本發明涉及反射折射光學系統、照明光學系統、曝光裝置以及物品製造方法。
[0002] 曝光裝置是在用於製造半導體裝置、顯示裝置等物品的光刻程序中經由投影光學系統將原版的圖案轉印到感光性的基板(表面形成有光阻層的基板)的裝置。例如,用於製造顯示裝置的曝光裝置方面要求能以高解析度將圖案轉印到更大面積的基板的性能。為了應對這樣的要求,可得到高解析度且可就大畫面進行曝光的掃描曝光裝置是有用的。掃描曝光裝置一邊掃描原版和基板,一邊用被整形成圓弧形狀的光對基板進行曝光。此時,以被整形成圓弧形狀的光對原版進行照明,利用被整形成圓弧形狀的光將原版的圖案投影到基板。 [0003] 在專利文獻1中記載有用被整形成圓弧形狀的光對原版進行照明的照明光學系統。然而,為了按照所期望的形狀以均勻的能量對物體進行照明,需要使設置於照明光學系統的視場光闌的開口部成像於物體的成像光學系統。一般而言,這樣的成像光學系統被稱為遮蔽成像系統。在對大畫面進行照明的情況下,為了盡可能減小視場光闌周邊的光學元件的大小,遮蔽成像系統最好由反射鏡系統構成,具有放大倍率。 [0004] 在專利文獻2中記載有良好地抑制像差的成像光學系統。如專利文獻2所記載的成像光學系統被稱為奧夫納(offner)光學系統,用3個曲率鏡使光彎曲來成像。奧夫納光學系統是1次成像的相等倍率系統,但如專利文獻3所記載般,可根據3個曲率鏡的位置使得具有放大倍率。另外,如專利文獻4所記載般,還有利用多次成像來校正像差的光學系統。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0005] 專利文獻1:日本特公平04-078002號公報 專利文獻2:日本特開2010-20017號公報 專利文獻3:日本特開平07-146442號公報 專利文獻4:日本特開昭61-203419號公報 [0006] 但是,如專利文獻2、3所記載的成像光學系統由於光學系統的後焦距長,所以例如在搭載於曝光裝置的情況下,會使曝光裝置變大型化。另外,專利文獻4所記載的光學系統由於多次成像,所以全長變長,導致裝置的大型化。
[0007] 本發明的目的在於提供小型並且具有對像差的降低有利的結構的反射折射光學系統以及包括該反射折射光學系統的裝置。 [0008] 本發明的第1方案涉及在物面以及像面為遠心的反射折射光學系統,該反射折射光學系統包括:第1反射面、第2反射面、第3反射面以及第4反射面;以及具有正的折射力的折射面,該折射面被配置於前述物面與前述第1反射面之間,從前述物面出來的光依序經由前述折射面、前述第1反射面、前述折射面、前述第2反射面、前述折射面、前述第3反射面、前述第4反射面到達前述像面。 本發明的第2方案涉及照明光學系統,前述照明光學系統具有如前述第1方案的反射折射光學系統。 本發明的第3方案涉及曝光裝置,前述曝光裝置具有如前述第1方案的反射折射光學系統。 本發明的第4方案涉及物品製造方法,前述物品製造方法包括以下程序:利用如前述第3方案的曝光裝置對基板進行曝光;以及使前述基板顯影;其中,從前述基板製造物品。 [0009] 依本發明時,提供小型並且具有對像差的降低有利的結構的反射折射光學系統以及包括該反射折射光學系統的裝置。
[0011] 以下,參照附圖,對本發明透過其例示性的實施方式來進行說明。 [0012] 參照圖1、圖2以及圖3,說明本發明的1個實施方式的反射折射光學系統的結構。反射折射光學系統例如可嵌入到曝光裝置的照明光學系統100。在圖1中示出了照明光學系統100的結構例。照明光學系統100可包括光源部120、波長濾波器104、第1光學系統105、偏向鏡107、第2光學系統140、蠅眼光學系統109、開口光闌110、第3光學系統150、視場光闌111、第4光學系統160。照明光學系統100構成為對處於被照明面的原版M進行照明。光源部120可包括光源101和橢圓鏡102。 [0013] 光源101例如可為高壓水銀燈、氙燈或者準分子雷射。橢圓鏡102為用於對從光源101出來的光進行聚光的聚光光學系統,形成使用了橢圓形狀的一部分的形狀。光源101可配置於橢圓鏡102的兩個焦點中的一方(第1焦點)。 [0014] 從光源101出來並由橢圓鏡102反射後的光聚光到配置於橢圓鏡102的另一方的焦點(第2焦點)附近的波長濾波器104。波長濾波器104變更光的光譜分布。通過波長濾波器104的光被第1光學系統105引導到偏向鏡107,由偏向鏡107反射。在圖1所示的例子中,設置有兩個光源部120,但光源部120既可以是1個,也可以是3個以上。 [0015] 第1光學系統105被構成為,面108相對於從橢圓鏡102的第2焦點出來的光實質成為傅立葉轉換的位置。來自傅立葉轉換平面108的光被第2光學系統140引導到蠅眼光學系統109。第2光學系統140被構成為,蠅眼光學系統109的入射面相對於面108實質成為傅立葉轉換位置。 [0016] 在圖2中,示出了蠅眼光學系統109。如圖2所示,蠅眼光學系統109可包括兩個透鏡群131、132。各透鏡群可在平面上排列多個平凸透鏡而構成。在構成透鏡群131的平凸透鏡的焦點位置配置有構成透鏡群132的平凸透鏡。另外,構成透鏡群131的平凸透鏡的凸面與構成透鏡群132的平凸透鏡的凸面被配置成相向。在這樣的蠅眼光學系統109的出射面側形成有二次光源分布(有效光源分布)。 [0017] 從蠅眼光學系統109的出射面射出的光束經由開口光闌110被第3光學系統150引導到視場光闌111。開口光闌110根據開口形狀決定被照明面的入射角度分布形狀(有效光源)。第3光學系統150被構成為,視場光闌111的位置相對於開口光闌110實質成為傅立葉轉換平面。在蠅眼光學系統109的出射面側形成有二次光源分布,所以在視場光闌111上成為均勻的光強度分布。 [0018] 圖3例示出視場光闌111的形狀。視場光闌111遮斷圓弧形狀的透射部23以外的光。通過視場光闌111而被整形成圓弧形狀的光經由第4光學系統160對原版M均勻地進行照明。視場光闌111的開口部的形狀並不限定於圓弧形狀,也可以是其它形狀。視場光闌111的開口部例如也可以具有與圓弧形狀內切的矩形形狀。第4光學系統160是反射折射光學系統。以下,將第4光學系統160設為反射折射光學系統160進行說明。 [0019] 以下,參照圖4A、圖5A、圖6A、圖7A、圖8A、圖9A,說明本發明的例示性的實施方式的反射折射光學系統160。反射折射光學系統160在物面OBJ以及像面IMG為遠心。反射折射光學系統160可包括第1反射鏡(第1反射面)M1、第2反射鏡(第2反射面)M2、第3反射鏡(第3反射面)M3以及第4反射鏡(第4反射面)M4。另外,反射折射光學系統160可包括配置於物面OBJ與第1反射鏡M1之間的具有正的折射力的折射面。該折射面可由透鏡L1構成。從物面OBJ出來的光依序經由該折射面、第1反射鏡M1、該折射面、第2反射鏡M2、該折射面、第3反射鏡M3、第4反射鏡M4達至像面IMG。 [0020] 所述折射面既可以由1個透鏡L1構成,也可以由至少兩個透鏡構成。在後者中,至少兩個透鏡各自的面可構成所述折射面中的相互不同的區域。透鏡L1可具有兩個折射面。所述折射面可具有非球面形狀。所述折射面可被構成為,在將3次珀茲伐項設為P(L1)、將所述反射折射光學系統的整體的3次珀茲伐和設為P(sum)時,滿足|P(sum)|<|P(L1)|。 [0021] 第1反射鏡M1、第2反射鏡M2、第3反射鏡M3以及第4反射鏡M4中的至少1個反射鏡可具有非球面形狀。 [0022] 反射折射光學系統160可被構成為在物面OBJ與像面IMG之間不具有成像面。換言之,反射折射光學系統160可是僅在像面IMG具有成像面的1次成像的光學系統。 [0023] 反射折射光學系統160可被構成為,在將反射折射光學系統160的全長設為TT、將物面OBJ與和物面OBJ最接近的折射力面的距離設為S1時,滿足S1/TT>0.1。反射折射光學系統160可被構成為,在將從物面OBJ至與物面OBJ最接近的折射力面為止的距離設為S1、將從最終折射力面至像面IMG為止的距離設為Sk時,滿足Sk/S1<3.0。 [0024] 反射折射光學系統160可被構成為,從物面OBJ射出的光的行進方向與入射到像面IMG的光的行進方向相同。反射折射光學系統160可被構成為反射折射光學系統160的光瞳位置位於第1反射鏡M1與第2反射鏡M2之間。反射折射光學系統160可在物面OBJ的附近以及像面IMG的附近中的至少一方包括用於校正遠心性的非球面透鏡。 [0025] 以下,說明反射折射光學系統160的設計例。 (設計例1) 表1A示出了設計例1的光學規格。 [0026][0027] 光的波長為365nm~435nm,NAil為反射折射光學系統160的像面IMG處的數值孔徑,在設計例1中為0.09。曝光寬度、狹縫寬度、圓弧R是界定第4光學系統160的像面IMG處的照明光的形狀的參數,在圖4D中示出。倍率是反射折射光學系統160的成像倍率。 [0028] 表1B示出了設計例1的反射折射光學系統160的結構。 [0029][0030] r(mm)為面的曲率半徑,d(mm)為面間隔,n為玻璃材。其中,將空氣的折射率設為1,成為-1的面表示反射面。SiO2
表示合成石英。此外,各面的曲率中心位於光軸上。 [0031] 圖4A示出了設計例1的反射折射光學系統160的剖面圖。在此,反射折射光學系統160的物面OBJ具有圓弧形狀,圖4A示出了從圓弧形狀的中心出來的光和從端部出來的光。圖4A示出了經由圓弧形狀的中心的剖面。因而,在圖4A中,看起來從圓弧形狀的端部出來的光照射不到反射面,但該光在從圖4A偏移的剖面處照射到反射面。此點在圖5A、圖6A、圖7A、圖8A、圖9A中皆共通。 [0032] 在圖4A中,OBJ表示物面,IMG表示像面。L1為具有正的折射力的透鏡,具有兩個折射面。該兩個折射面的折射力的合計具有正的折射力。因而,至少1個折射面具有正的折射力。M1為第1反射鏡(第1反射面),M2為第2反射鏡(第2反射面),M3為第3反射鏡(第3反射面),M4為第4反射鏡(第4反射面)。M1以及M4為具有正的折射力的反射鏡(反射面),M2以及M3為具有負的折射力的反射鏡(反射面)。 [0033] 從物面OBJ以既定的NA出來的光束從OBJ起按順序通過L1(面編號1、2)、M1(面編號3)、L1(面編號4、5)、M2(面編號6)、L1(面編號7、8)、M3(面編號9)、M4(面編號10)而成像在IMG。反射折射光學系統160的光瞳也可以位於M1與L1之間,在光瞳位置具有孔徑光闌。 [0034] 圖4B示出了設計例1的反射折射光學系統160的展開圖。如圖4B所示定義反射折射光學系統160的全長TT以及S1、Sk。展開圖是用於使反射折射光學系統160的整體的折射力配置易於理解的參考圖,實際的反射折射光學系統160具有反射鏡。在圖4B中,反射鏡用與其等效的薄型的透鏡表示。這一點在圖5B、圖6B、圖7B、圖8B、圖9B中皆共通。 [0035] 圖4C示出了L1、M1、M2、M3、M4的3次珀茲伐項以及反射折射光學系統160的整體的3次珀茲伐和(SUM)。在此,珀茲伐項為將透鏡L1以及反射鏡M1、M2、M3、M4的折射力除以折射率而得到的值。珀茲伐和(SUM)為L1、M1、M2、M3、M4的3次珀茲伐項的總和。 [0036] 表1C示出了設計例1的反射折射光學系統160的全長TT、S1、Sk。 [0037][0038] 反射折射光學系統160的全長TT為從反射折射光學系統160的物面OBJ至像面IMG為止的多個面的間隔的簡單求和。也就是說,全長TT是對表1B的d的絕對值進行了積算而得到的值。S1為從物面OBJ至第1折射力面(與物面OBJ最接近的折射力面、即面編號為1的面)為止的距離,Sk為從最終折射力面(與像面IMG最接近的折射力面、即面編號為10的面)至像面IMG為止的距離。 [0039] S1/TT為S1相對於TT的比率,如果該值大,則例如可使多個視場光闌配置於物面OBJ的附近,設計的自由度增加。Sk/S1為Sk相對於S1的比率,在反射折射光學系統160為放大系統的情況下,可以說是該值越小則越是緊湊的光學系統。 [0040] 表1D示出了設計例1的反射折射光學系統160的光學性能。 [0041][0042] P(sum)表示反射折射光學系統160的珀茲伐和(SUM),P(L1)表示L1的珀茲伐項。另外,光點RMS表示有效區域內的RMS光點直徑的最差值,dist表示畸變,遠心度(range)表示狹縫寬度方向的遠心性的偏差。 [0043] 如設計例1般,從物面OBJ出來的光束3次透過透鏡L1。如果光束第1次透過透鏡L1的區域與光束第2次透過透鏡L1的區域不重疊,則未必需要使用相同的透鏡L1。但是,在像面IMG的NA大的情況、放大倍率小的情況等難以進行光束透過的區域的分離的情況下,需要使用相同的透鏡L1。 (設計例2) 表2A示出了設計例2的光學規格。 [0044][0045] 光的波長為365nm~435nm,NAil為0.09。表2B1、表2B2示出了設計例2的反射折射光學系統160的結構。 [0046][0047][0048] 面編號1的ASP表示非球面,關於其形狀,使用表2B2所記載的數值,如式(1)那樣被表示成h的函數。在式(1)中,h為距光軸的距離,Z為光軸方向的位置。 [0049][0050] 圖5A示出了設計例2的反射折射光學系統160的剖面圖。OBJ表示物面,IMG表示像面。L2是具有負的折射力的非球面透鏡。L1是具有正的折射力的透鏡,具有兩個折射面。該兩個折射面的折射力的合計具有正的折射力。因而,至少1個折射面具有正的折射力。M1為第1反射鏡(第1反射面),M2為第2反射鏡(第2反射面),M3為第3反射鏡(第3反射面),M4為第4反射鏡(第4反射面)。M1以及M4為具有正的折射力的反射鏡(反射面),M2以及M3為具有負的折射力的反射鏡(反射面)。 [0051] 從物面OBJ以既定的NA出來的光束從OBJ起按順序通過L2(面編號1、2)、L1(面編號3、4)、M1(面編號5)、L1(面編號6、7)、M2(面編號8)、L1(面編號9,10)、M3(面編號11)、M4(面編號12)。該光束之後成像在IMG。反射折射光學系統160的光瞳也可以位於M1與L1之間,在光瞳位置具有孔徑光闌。 [0052] 圖5B示出了設計例2的反射折射光學系統160的展開圖。圖5C示出了L1、L2、M1、M2、M3、M4的3次珀茲伐項以及反射折射光學系統160的整體的3次珀茲伐和(SUM)。 [0053] 表2C示出了設計例2的反射折射光學系統160的全長TT、S1、Sk、S1/TT、Sk/S1。 [0054][0055] 表2D示出了設計例2的反射折射光學系統160的光學性能。 [0056][0057] 設計例2的反射折射光學系統160相比於設計例1的反射折射光學系統160,遠心度(range)的值小。這是因為利用具有負折射力的非球面透鏡L2校正了遠心度(range)。 [0058] 在設計例2中,非球面透鏡L2配置於物面OBJ的附近,但非球面透鏡L2可配置於像面IMG的附近。即,非球面透鏡可配置於物面OBJ的附近以及像面IMG的附近中的至少一方。其中,在為放大系統的情況下,像面IMG的附近的光學元件的有效直徑變大,所以如果可能的話優選配置於物面OBJ的附近。 (設計例3) 表3A示出了設計例3的光學規格。 [0059][0060] 光的波長為335nm~405nm,NAil為0.126。表3B1、表3B2示出了設計例3的反射折射光學系統160的結構。 [0061][0062][0063] 面編號2、4、8的ASP表示非球面,其形狀由前述式(1)定義。圖6A示出了設計例3的反射折射光學系統160的剖面圖。OBJ表示物面,IMG表示像面。L1是具有正的折射力的透鏡,具有兩個折射面。該兩個折射面的折射力的合計具有正的折射力。因而,至少1個折射面具有正的折射力。M1為第1反射鏡(第1反射面),M2為第2反射鏡(第2反射面),M3為第3反射鏡(第3反射面),M4為第4反射鏡(第4反射面)。M1以及M4為具有正的折射力的反射鏡(反射面),M2為具有負的折射力的反射鏡(反射面),M3為平面鏡。 [0064] 從物面OBJ以既定的NA出來的光束從OBJ起按順序通過L1(面編號1、2)、M1(面編號3)、L1(面編號4、5)、M2(面編號6)、L1(面編號7、8)、M3(面編號9)、M4(面編號10)而成像在IMG。反射折射光學系統160的光瞳也可以位於M2的附近,在光瞳位置具有孔徑光闌。 [0065] 圖6B示出了設計例3的反射折射光學系統160的展開圖。圖6C示出了L1、M1、M2、M3、M4的3次珀茲伐項以及反射折射光學系統160的整體的3次珀茲伐和(SUM)。 [0066] 表3C示出了設計例3的反射折射光學系統160的全長TT、S1、Sk、S1/TT、Sk/S1。 [0067][0068] 表3D示出了設計例3的反射折射光學系統160的光學性能。 [0069][0070] 設計例3的反射折射光學系統160相比於設計例1、2的反射折射光學系統160,S1/TT的值大。利用非球面透鏡L2良好地校正了光學系統的像差以及遠心度,由此可進行如使S1變大那樣的折射力配置。 (設計例4) 表4A示出了設計例4的光學規格。 [0071][0072] 光的波長為365nm~435nm,NAil為0.09。表4B1、表4B2示出了設計例4的反射折射光學系統160的結構。 [0073][0074][0075] 面編號2、4、8、9的ASP表示非球面,其形狀由前述式(1)定義。圖7A示出了設計例4的反射折射光學系統160的剖面圖。OBJ表示物面,IMG表示像面。L1是具有正的折射力的透鏡,具有兩個折射面。該兩個折射面的折射力的合計具有正的折射力。因而,至少1個折射面具有正的折射力。M1為第1反射鏡(第1反射面),M2為第2反射鏡(第2反射面),M3為第3反射鏡(第3反射面),M4為第4反射鏡(第4反射面)。M1、M3以及M4為具有正的折射力的反射鏡(反射面),M2為具有負的折射力的反射鏡(反射面)。 [0076] 從物面OBJ以既定的NA出來的光束從OBJ起按順序通過L1(面編號1、2)、M1(面編號3)、L1(面編號4、5)、M2(面編號6)、L1(面編號7、8)、M3(面編號9)、M4(面編號10)。然後,該光束之後成像在IMG。反射折射光學系統160的光瞳也可以位於L1的附近,在光瞳位置具有孔徑光闌。 [0077] 圖7B示出了設計例4的反射折射光學系統160的展開圖。圖7C示出了L1、M1、M2、M3、M4的3次珀茲伐項、以及反射折射光學系統160的整體的3次珀茲伐和(SUM)。表4C示出了設計例4的反射折射光學系統160的全長TT、S1、Sk、S1/TT、Sk/S1。 [0078][0079] 表4D示出了設計例4的反射折射光學系統160的光學性能。 [0080][0081] 設計例4的反射折射光學系統160相比於設計例1的反射折射光學系統160,全長TT短。利用非球面透鏡L1以及非球面反射鏡M3良好地校正了反射折射光學系統160的像差以及遠心性,由此可整體地實現緊湊的折射力配置。 (設計例5) 表5A示出了設計例5的光學規格。 [0082][0083] 光的波長為335nm~405nm,NAil為0.108。表5B1、表5B2示出了設計例5的反射折射光學系統160的結構。 [0084][0085][0086] 面編號2、4、8、9的ASP表示非球面,其形狀由前述式(1)定義。圖8A示出了設計例5的反射折射光學系統160的剖面圖。表示光學系統的剖面圖。OBJ表示物面,IMG表示像面。L1是具有正的折射力的透鏡,具有兩個折射面。該兩個折射面的折射力的合計具有正的折射力。因而,至少1個折射面具有正的折射力。M1為第1反射鏡(第1反射面),M2為第2反射鏡(第2反射面),M3為第3反射鏡(第3反射面),M4為第4反射鏡(第4反射面)。M1以及M4為具有正的折射力的反射鏡(反射面),M2以及M3為具有負的折射力的反射鏡(反射面)。 [0087] 從物面OBJ以既定的NA出來的光束從OBJ起按順序通過L1(面編號1、2)、M1(面編號3)、L1(面編號4、5)、M2(面編號6)、L1(面編號7、8)、M3(面編號9)、M4(面編號10)而成像在IMG。反射折射光學系統160的光瞳也可以位於L1的附近,在光瞳位置具有孔徑光闌。 [0088] 圖8B示出了設計例5的反射折射光學系統160的展開圖。圖8C示出了L1、M1、M2、M3、M4的3次珀茲伐項以及反射折射光學系統160的整體的3次珀茲伐和(SUM)。圖8B示出了設計例5的反射折射光學系統160的展開圖。圖8C示出了L1、M1、M2、M3、M4的3次珀茲伐項、以及反射折射光學系統160的整體的3次珀茲伐和(SUM)。 [0089] 表5C示出了設計例5的反射折射光學系統160的全長TT、S1、Sk、S1/TT、Sk/S1。 [0090][0091] 表5D示出了設計例5的反射折射光學系統160的光學性能。 [0092][0093] 設計例5的反射折射光學系統160相比於設計例4的反射折射光學系統160,Sk/S1的值小。這是因為相比於設計例4,NAil的值大,所以為了使在M3反射的光與從M4朝向像面IMG的光分離,使M4移動到像面IMG側。 (設計例6) 表6A示出了設計例6的光學規格。 [0094][0095] 光波長為335nm~405nm,NAil為0.126。表6B1、表6B2示出了設計例6的反射折射光學系統160的結構。 [0096][0097][0098] 面編號2、4、8、9的ASP表示非球面,其形狀由前述式(1)定義。圖9A示出了設計例6的反射折射光學系統160的剖面圖。OBJ表示物面,IMG表示像面。L1是具有正的折射力的透鏡,具有兩個折射面。該兩個折射面的折射力的合計具有正的折射力。因而,至少1個折射面具有正的折射力。M1為第1反射鏡(第1反射面),M2為第2反射鏡(第2反射面),M3為第3反射鏡(第3反射面),M4為第4反射鏡(第4反射面)。M1以及M4為具有正的折射力的反射鏡(反射面),M2以及M3為具有負的折射力的反射鏡(反射面)。 [0099] 從物面OBJ以既定的NA出來的光束從OBJ起按順序通過L1(面編號1、2)、M1(面編號3)、L1(面編號4、5)、M2(面編號6)、L1(面編號7、8)、M3(面編號9)、M4(面編號10)而成像在IMG。反射折射光學系統160的光瞳也可以位於L1的附近,在光瞳位置具有孔徑光闌。 [0100] 圖9B示出了設計例6的反射折射光學系統160的展開圖。圖9C示出了L1、M1、M2、M3、M4的3次珀茲伐項以及反射折射光學系統160的整體的3次珀茲伐和(SUM)。 [0101] 表6C示出了設計例6的反射折射光學系統160的全長TT、S1、Sk、S1/TT、Sk/S1。 [0102][0103] 表6D示出了設計例6的反射折射光學系統160的光學性能。 [0104][0105] 設計例6的反射折射光學系統160相比於設計例4的反射折射光學系統160,Sk/S1的值小。這是因為相比於設計例4,NAil的值大,所以為了使在M3反射的光與從M4朝向像面IMG的光分離,使M4位於更靠像面附近的位置。 (曝光裝置) 圖10示出了本發明的1個實施方式的曝光裝置400的結構。曝光裝置400包括照明光學系統100,利用來自照明光學系統100的狹縫光對基板進行掃描曝光。照明光學系統100具備可調整開口部的形狀的狹縫機構181。 [0106] 曝光裝置400具有保持原版的原版載台300、保持基板的基板載台302以及將原版的圖案投影到基板的投影光學系統301。投影光學系統301例如是在從物面至像面的光路中依序排列有第1凹反射面71、凸反射面72、第2凹反射面73而成的投影光學系統。 [0107] 曝光裝置400還可具備計測部304,該計測部304透過就到達基板載台302的光的照度分布進行計測,從而就基板的曝光區域中的照度不均進行計測。另外,狹縫板303位於基板載台302與計測部304之間。狹縫板303可在控制部(未圖示)的控制之下,利用驅動部(未圖示)在圖4D的曝光寬度方向上進行掃描驅動。 [0108] 如圖10所示,計測部304可包括感測器305以及用於將通過了狹縫板303的光引導到感測器305的光學系統。計測部304的動作大致如下。 [0109] 如圖11所示,針對成像於基板載台302的光的區域401,在X方向上使狹縫板303進行掃描。此時,僅成像於區域401的光中的成像於狹縫板303的開口部306的光入射到計測部304內。入射到計測部304內的光經由光學系統引導到感測器305。透過一邊在X方向上使狹縫板303進行掃描一邊讀取到達感測器305的光的能量,就區域401內的每個位置的照度進行計測。由此可計算照度不均。 [0110] 如上所述,透過調節照明光學系統100所具有的狹縫機構181的開口寬度,可降低照度不均。例如,設為由計測部304就如圖12A所示的照度不均進行計測。在該情況下,局部地擴大照度下降的部分的狹縫機構181的寬度,並局部地縮窄照度上升的部分的狹縫機構181的寬度,從而可如圖12B那樣使照度分布變均勻。 [0111] 本發明的1個實施方式的物品製造方法可包括利用曝光裝置400對基板進行曝光的曝光程序以及使所述基板進行顯影的顯影程序。在曝光程序中被曝光的基板在表面具有光阻,在曝光程序中,可使原版的圖案的潛像形成於該光阻。在顯影程序中,能使該潛像顯影而形成抗蝕圖案。在顯影程序之後,例如可經由該抗蝕圖案對基板進行蝕刻、或者對基板注入離子。能這樣形成的物品例如可包括顯示裝置(顯示面板)、半導體裝置(半導體晶片)等。 (設計例7) 表7A示出了設計例7的光學規格。 [0112][0113] 光波長為335nm~405nm,NAil為0.09。表7B示出了設計例7的反射折射光學系統160的結構。 [0114][0115] 圖13A示出了設計例7的反射折射光學系統160的剖面圖。OBJ表示物面,IMG表示像面。L1、L2分別是具有正的折射力的透鏡,具有兩個折射面。該兩個折射面的折射力的合計具有正的折射力。因而,至少1個折射面具有正的折射力。M1為第1反射鏡(第1反射面),M2為第2反射鏡(第2反射面),M3為第3反射鏡(第3反射面),M4為第4反射鏡(第4反射面)。M1以及M4為具有正的折射力的反射鏡(反射面),M2以及M3為具有負的折射力的反射鏡(反射面)。 [0116] 從物面OBJ以既定的NA出來的光束從OBJ起按順序通過L1(面編號1、2)、M1(面編號3)、L2(面編號4、5)、M2(面編號6)、L2(面編號7、8)、M3(面編號9)、M4(面編號10)而成像在IMG。反射折射光學系統160的光瞳也可以位於L2的附近,在光瞳位置具有孔徑光闌。 [0117] 圖13B示出了設計例6的反射折射光學系統160的展開圖。圖13C示出了L1、L2、M1、M2、M3、M4的3次珀茲伐項以及反射折射光學系統160的整體的3次珀茲伐和(SUM)。 [0118] 設計例7的L1、L2是一個例子,只要分別是具有正的折射力的透鏡即可,不限定於當前的例子。 [0119] 表7C示出了設計例7的反射折射光學系統160的全長TT、S1、Sk、S1/TT、Sk/S1。 [0120][0121] 表7D示出了設計例7的反射折射光學系統160的光學性能。 [0122][0123] 設計例7的L1、L2是一個例子,只要分別是具有正的折射力的透鏡即可,不限定於當前的例子。 (抗反射膜1) 說明在設計例4的反射折射光學系統160中所構成的透鏡L1的抗反射膜。 [0124] 如圖7A般,從物面OBJ以既定的NA出來的光束從OBJ起按順序通過L1(面編號1、2)、M1(面編號3)、L1(面編號4、5)、M2(面編號6)、L1(面編號7、8)、M3(面編號9)、M4(面編號10)。然後,該光束之後成像在IMG。 [0125] 圖14A是從OBJ側觀察透鏡L1的R1面(與OBJ側接近的面)而得到的圖。圖14A的被虛線包圍的區域500是從OBJ出來的光束最初入射到L1的R1面時的有效區域,相當於表4B1的面1。通過區域500的光的面入射角度為5°
~20°
。另外,圖14A的被點劃線包圍的區域501是第2次入射到L1的R1面時的有效區域,相當於表4B1的面5。通過區域501的光的面入射角度為35°
~50°
。圖14A所記載的被雙點劃線包圍的區域502是第3次入射到透鏡L1的R1面時的有效區域。相當於表4B1的面7。通過區域502的光的面入射角度為35°
~50°
。圖14B的被實線包圍的區域503是包括區域500、501以及502的區域。可在區域503設置如表8A那樣的光學膜設計例1的光學膜。 [0126][0127] 光學膜設計例1是使用了介電體材料的3層結構的抗反射膜。在作為基板層的SiO2
之上依序堆疊Al2
O5
,ZrO2
,MgF2
的薄層。各層的膜厚設為表中所記載的值。其中,用與膜種對應的折射率n與膜的物理上的厚度d之積nd表示。 [0128] 圖15A示出光學膜設計例1的反射率特性。具有在波長為350nm~450nm、入射角度為5°
~20°
以及35°
~50°
時反射率為2%以下的特性。 (抗反射膜2) 也可以在區域503設置如表8B所示的光學膜設計例2的光學膜。 [0129][0130] 光學膜設計例2是使用了介電體材料的7層結構的抗反射膜。圖15B示出光學膜設計例2的反射率特性。具有在波長為350nm~450nm、入射角度為5°
~20°
以及35°
~50°
時反射率為1%以下的特性。光學膜設計例2由於增加了膜的層數的效果,與3層構造的光學膜設計例1相比,抑制了反射率。 (抗反射膜3以及4) 圖14C所記載的被實線包圍的區域505是包括區域500的區域。另外,圖14C的被實線包圍的區域506是包括區域501以及區域502的區域。對區域505安裝如表8C1那樣的光學膜設計例3,對區域505安裝如表8C2那樣的光學膜設計例4。 [0131][0132][0133] 光學膜設計例3、4分別是使用了介電體材料的3層結構的抗反射膜。圖15C1示出光學膜設計例3的反射率特性,圖15C2示出光學膜設計例4的反射率特性。 [0134] 光學膜設計例3具有在波長為350nm~450nm、入射角度為5°
~20°
時反射率為1%以下的特性。另外,光學膜設計例4具有在波長為350nm~450nm、入射角度為35°
~50°
時反射率為1%以下的特性。 [0135] 這樣,對透鏡L1的R1面安裝種類因區域不同而不同的光學膜。抗反射膜1~4是一個例子,膜的材料、層數、膜厚等不限定於該例子。 [0136] 關於本說明書所記載的抗反射膜,對透鏡L1的R1面照射光點而進行了說明,但抗反射膜本來應該被施加於光學元件的入射面或出射面。因而,在有多個光學元件的情況下,最好以在各個面滿足所期望的光學特性的方式使膜的結構最佳化。另外,關於光學反射構材,最好構成反射膜(如在所期望的波長下反射率變高那樣的膜)而不是構成抗反射膜。
[0137]
160‧‧‧反射折射光學系統
OBJ‧‧‧物面
IMG‧‧‧像面
L1、L2‧‧‧透鏡
M1~M4‧‧‧反射鏡
[0010] 圖1是示出本發明的1個實施方式的照明光學系統的結構的圖。 圖2是示出蠅眼光學系統的概略結構的圖。 圖3是示出視場光闌的概略結構的圖。 圖4A是示出設計例1的反射折射光學系統的結構的圖。 圖4B是設計例1的反射折射光學系統的展開圖。 圖4C是示出設計例1的反射折射光學系統的珀茲伐和的分擔度的圖。 圖4D是示出被整形成圓弧形狀的照明光的圖。 圖5A是示出設計例2的反射折射光學系統的結構的圖。 圖5B是設計例2的反射折射光學系統的展開圖。 圖5C是示出設計例2的反射折射光學系統的珀茲伐和的分擔度的圖。 圖6A是示出設計例3的反射折射光學系統的結構的圖。 圖6B是設計例3的反射折射光學系統的展開圖。 圖6C是示出設計例3的反射折射光學系統的珀茲伐和的分擔度的圖。 圖7A是示出設計例4的反射折射光學系統的結構的圖。 圖7B是設計例4的反射折射光學系統的展開圖。 圖7C是示出設計例4的反射折射光學系統的珀茲伐和的分擔度的圖。 圖8A是示出設計例5的反射折射光學系統的結構的圖。 圖8B是設計例5的反射折射光學系統的展開圖。 圖8C是示出設計例5的反射折射光學系統的珀茲伐和的分擔度的圖。 圖9A是示出設計例6的反射折射光學系統的結構的圖。 圖9B是設計例6的反射折射光學系統的展開圖。 圖9C是示出設計例6的反射折射光學系統的珀茲伐和的分擔度的圖。 圖10是示出本發明的1個實施方式的曝光裝置的結構的圖。 圖11是說明照度計測的圖。 圖12A、12B是說明照度不均校正的圖。 圖13A是示出設計例7的反射折射光學系統的結構的圖。 圖13B是設計例7的反射折射光學系統的展開圖。 圖13C是示出設計例7的反射折射光學系統的珀茲伐和的分擔度的圖。 圖14A是表示光束的有效區域的圖。 圖14B是表示安裝光學膜設計例1或者2的區域的圖。 圖14C是表示安裝光學膜設計例3和4的區域的圖。 圖15A是表示光學膜設計例1的光學特性的圖。 圖15B是表示光學膜設計例2的光學特性的圖。 圖15C是表示光學膜設計例3的光學特性的圖。 圖15D是表示光學膜設計例4的光學特性的圖。
Claims (17)
- 一種反射折射光學系統,是在物面以及像面為遠心,包括: 第1反射面、第2反射面、第3反射面以及第4反射面;以及 具有正的折射力的折射面,該折射面配置於前述物面與前述第1反射面之間, 從前述物面出來的光依序經由前述折射面、前述第1反射面、前述折射面、前述第2反射面、前述折射面、前述第3反射面、前述第4反射面到達前述像面。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,前述折射面由1個透鏡構成。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,前述折射面由至少兩個透鏡構成。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,在前述物面與前述第1反射面之間配置有包括前述折射面的兩個折射面。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,在前述物面與前述像面之間不具有成像面。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,具有前述正的折射力的折射面具有非球面形狀。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,前述第1反射面、前述第2反射面、前述第3反射面以及前述第4反射面中的至少1個反射面具有非球面形狀。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,具有前述正的折射力的折射面在將3次珀茲伐項設為P(L1)、將前述反射折射光學系統的整體的3次珀茲伐和設為P(sum)時,滿足 |P(sum)|<|P(L1)|。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,在將前述反射折射光學系統的全長設為TT,將前述物面和與前述物面最接近的折射力面的距離設為S1時,滿足 S1/TT>0.1。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,在將從前述物面至與前述物面最接近的折射力面為止的距離設為S1、將從最終折射力面至前述像面為止的距離設為Sk時,滿足 Sk/S1<3.0。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,從前述物面射出的光的行進方向與入射到前述像面的光的行進方向相同。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,前述反射折射光學系統的光瞳位置位於前述第1反射面與前述第2反射面之間。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,前述反射折射光學系統在前述物面的附近以及前述像面的附近中的至少一方還包括非球面透鏡,該非球面透鏡用於校正遠心性。
- 如請求項1的反射折射光學系統,其中,形成於在前述物面與前述第1反射面之間配置的折射面的光學膜的種類與形成於在前述第2反射面與前述第3反射面之間配置的折射面的光學膜的種類相互不同。
- 一種照明光學系統,具有如請求項1至14中任一項的反射折射光學系統。
- 一種曝光裝置,具有如請求項1至14中任一項的反射折射光學系統。
- 一種物品製造方法,包括以下程序: 利用如請求項16的曝光裝置對基板進行曝光;以及 使前述基板顯影; 其中,從前述基板製造物品。
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JP2000227555A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-08-15 | Olympus Optical Co Ltd | 結像光学系 |
JP2000098228A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系 |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
WO2002044786A2 (en) | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection system for 157 nm lithography |
JP2003215458A (ja) * | 2002-01-23 | 2003-07-30 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US7511798B2 (en) * | 2004-07-30 | 2009-03-31 | Asml Holding N.V. | Off-axis catadioptric projection optical system for lithography |
JP5196869B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009025737A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Canon Inc | 反射屈折型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5654735B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2015-01-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学器械及びその結像光学器械を含む投影露光装置 |
JP5398185B2 (ja) | 2008-07-09 | 2014-01-29 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2011107594A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Nidec Copal Corp | 撮像光学系及び撮像装置 |
DE102010040030B4 (de) * | 2010-08-31 | 2017-02-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Objektiv und Bildaufnahmesystem |
CN105372799B (zh) * | 2015-12-14 | 2018-04-03 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种离轴反射型广角光学镜头 |
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