TW201820011A - 電磁屏蔽電致變色窗 - Google Patents

Abstract

本發明揭示電磁屏蔽電致變色窗，該等電磁屏蔽電致變色窗包括一或多個多層導體，該(等)多層導體具有用於阻擋電磁通信信號穿過該等窗之一電磁屏蔽堆疊。

Description

電磁屏蔽電致變色窗

本發明大體上係關於電致變色裝置，且特定而言，係關於電致變色裝置中之材料層。

電致變色為材料在被置於不同之電子狀態(通常因為經歷了電壓變化)時在光學性質上展現出可逆之電化學介導之變化的現象。該光學性質通常為顏色、透射率、吸收率及反射率中之一或多者。電致變色材料可合併至(例如)窗及鏡子中。可藉由在電致變色材料中引致變化而改變此類窗及鏡子之顏色、透射率、吸收率及/或反射率。然而，需要改進電致變色技術、設備及製作及/或使用電致變色設備之相關方法，因為習知電致變色窗存在(例如)高缺陷率及低通用性之問題。

某些實施例係關於電致變色裝置，該等電致變色裝置包括第一及第二導體，其中該第一導體及該第二導體中之至少一者為多層導體。該等電致變色裝置進一步包括在該等導體之間的與一基板相鄰之一電致變色堆疊。該至少一個多層導體包括夾在一第一非金屬層與一第二非金屬層之間的一金屬層，使得該金屬層不會接觸該電致變色堆疊。 某些實施例係關於一種電致變色裝置，該電致變色裝置包括第一及第二導體及在該第一導體與該第二導體之間的與一基板相鄰之一電致變色堆疊。該第一導體及該第二導體中之至少一者為多層導體。該多層導體包括夾在一第一非金屬層與一第二非金屬層之間的一金屬層，使得該金屬層不會接觸該電致變色堆疊。在一個實施例中，該第一非金屬層及該第二非金屬層中之每一者為一透明傳導氧化物層或一第二缺陷減輕絕緣層。在一個實施例中，該電致變色裝置進一步包括一或多個額外金屬層，其中該等額外金屬層中之每一者夾在該第一非金屬層與該第二非金屬層之間，且視情況地，該第一非金屬層及該第二非金屬層中之每一者為一透明傳導氧化物層或一第二缺陷減輕絕緣層，或者該第一非金屬層及該第二非金屬層為額外缺陷減輕絕緣層。在一個實施例中，該第一導體及該第二導體中之每一者為包括一金屬層之一多層導體。在一個實施例中，該電致變色裝置進一步包括安置於該基板上之一擴散障壁，且視情況地，該擴散障壁包括一或多個層，或該擴散障壁為SiO2、SnO2及SiOx層之三層堆疊，其中該SiO2層具有在20 nm與30 nm之間的厚度，其中該SnO2層具有在20 nm與30 nm之間的厚度，且其中該SiOx層具有在2 nm與10 nm之間的厚度，且另外，視情況地，該擴散障壁中之一或多個層包括二氧化矽、氧化矽、氧化錫及FTO中之至少一者。在一些情況下，該第一導體及該第二導體之總薄膜電阻小於10 Ω/□、小於5 Ω/□或小於5 Ω/□。在一種情況下，該第一導體及該第二導體中之一者的電阻率係在約150 Ω-cm與約500 Ω-cm之間的範圍中。在一些情況下，該第一導體及該第二導體之薄膜電阻變化幅度小於20%、10%或5%。在一些情況下，該第一導體及該第二導體中之每一者的厚度與標稱厚度相差小於10%、5%或2%。在一個實施例中，該金屬層為透明的。某些實施例係關於電致變色裝置，該等電致變色裝置按以下次序包括下列各項：a)一玻璃基板；b)一第一TCO層；c)一第一缺陷減輕絕緣層；d)一第一金屬層；e)一第二缺陷減輕絕緣層；f)一EC堆疊，該EC堆疊包括夾著一離子導體層之一陰極著色電極層及一陽極著色電極層；g)一第二TCO層；h)一第二金屬層；及i)一第三TCO層。在一個實施例中，該玻璃基板為浮法玻璃，且在該玻璃基板與該第一TCO層之間存在一擴散障壁。在一個實施例中，該第一TCO層為FTO。在一個實施例中，該第一金屬層及該第二金屬層為銀。在一個實施例中，該第二TCO層及該第三TCO層為ITO。在一個實施例中，該電致變色裝置進一步按以下次序包括下列各項：j)一第三金屬層；及k)一第四TCO層，視情況地，其中該第三金屬層為銀且該第四TCO層為ITO。 某些實施例係關於一種電致變色裝置，該電致變色裝置按以下次序包括下列各項：一實質上透明之基板、安置於該實質上透明之基板上的一第一多層導體、一電致變色堆疊、及安置於該電致變色堆疊上之一第二多層導體。該第一多層導體按以下次序包括一第一傳導材料層、一第一缺陷減輕絕緣層、一第二傳導材料層及一第二缺陷減輕絕緣層。該第二多層導體按以下次序包括一第三缺陷減輕絕緣層、一第三傳導材料層、一第四缺陷減輕絕緣層及一第四傳導材料層。在一個實施例中，該電致變色裝置進一步包括在該實質上透明之基板與該第一多層導體之間的一或多個擴散障壁層。 某些實施例係關於一種電致變色裝置，該電致變色裝置按以下次序包括一實質上透明之基板、安置於該實質上透明之基板上的一第一多層導體、一電致變色堆疊及安置於該電致變色堆疊上之一第二多層導體。該第一多層導體按以下次序包括一第一透明之傳導氧化物層、一第一金屬層、一第二透明之傳導氧化物層及一第一缺陷減輕絕緣層。該第二多層導體按以下次序包括一第三透明傳導氧化物層、一第二金屬層及一第四透明傳導氧化物層。 某些實施例係關於一種電致變色裝置，該電致變色裝置按以下次序包括一實質上透明之基板、安置於該實質上透明之基板上的一第一多層導體、一電致變色堆疊及安置於該電致變色堆疊上之一第二多層導體。該第一多層導體按以下次序包括一第一透明傳導氧化物層、一第一金屬層、一第二透明傳導氧化物層、一或多個阻擋層及一第一缺陷減輕絕緣層。該第二多層導體按以下次序包括一第三透明傳導氧化物層、一第二金屬層及一第四透明傳導氧化物層。在一個實施例中，該電致變色裝置進一步包括在該實質上透明之基板與該第一多層導體之間的一或多個擴散障壁層。 某些實施例係關於一種電致變色裝置，該電致變色裝置按以下次序包括下列各項：一實質上透明之基板、安置於該實質上透明之基板上的一第一多層導體、一電致變色堆疊及安置於該電致變色堆疊上之一第二多層導體。該第一多層導體按以下次序包括一第一透明傳導氧化物層、一第一金屬層、一保護蓋層及一第二透明傳導氧化物層。該第二多層導體按以下次序包括一第三透明傳導氧化物層、一第二金屬層及一第四透明傳導氧化物層。 某些實施例係關於一種電致變色裝置，該電致變色裝置按以下次序包括下列各項：一實質上透明之基板、安置於該實質上透明之基板上的一第一多層導體、一電致變色堆疊及安置於該電致變色堆疊上之一第二多層導體。該第一多層導體按以下次序包括一或多個調色層、一第一金屬層及一第一缺陷減輕絕緣層。該第二多層導體依序包括一第二缺陷減輕絕緣層及一第二金屬層。在一個實施例中，該電致變色裝置進一步包括在該實質上透明之基板與該第一多層導體之間的一或多個擴散障壁層。在一個實施例中，該第一金屬層在安置於該一或多個調色層上時變成透明的。在一個實施例中，該一或多個調色層具有波長吸收特性，使得透射穿過該電致變色裝置之光係在預定光譜中。在一個實施例中，該一或多個調色層具有波長吸收特性，使得透射穿過該電致變色裝置之光為藍色的。 本發明之某些態樣係關於窗，該等窗包括本文中所闡述之一或多個電致變色裝置。 某些實施例係關於一種經組態以實現電磁屏蔽之電致變色窗(亦即，電磁屏蔽電致變色窗)。在一個實施例中，電磁屏蔽電致變色窗包括安置於一透明基板上之一第一多層導體、安置於該第一導體上之一電致變色堆疊及一第二多層導體。該第一多層導體及該第二多層導體中之一者或兩者包括一電磁屏蔽堆疊，該電磁屏蔽堆疊經組態以被啟動來阻擋電磁通信信號穿過該窗。該電磁屏蔽堆疊包括夾在一第一抗反射層(例如，TCO、DMIL與一第二抗反射層之間的一第一導電材料層(例如，金屬層)。 將在下文參看圖式來更詳細地闡述此等及其他特徵及實施例。

某些態樣係關於經組態以不僅實現較快切換，而且實現高品質低缺陷數之電致變色裝置。在一些情況下，該等電致變色裝置具有不同材料之多層導體。該等不同之導體材料層經組態以相對於習知單層導體實現較快切換，同時亦在光學上及在材料上與其他裝置層相容。在其他態樣中，電致變色裝置經組態而具有一或多個障壁/阻擋層及/或一或多個金屬合金層以幫助防止金屬遷移至電致變色裝置中，從而改良耐久性。在下文闡述此等及其他態樣。I. 電致變色裝置結構 在轉向對電致變色裝置之層中的導體設計及其他改良的更詳細闡述之前，提供電致變色裝置之結構的實例。電致變色裝置大體上包括夾著電致變色堆疊之兩個導體。該電致變色堆疊通常包括電致變色(EC)層、相對電極(CE)層及視情況存在之一或多個離子傳導(IC)層，該(等) IC層允許離子傳輸但為電絕緣的。電致變色裝置通常沈積於基板上，且通常被闡述為在水平定向之基板上製作，因此，為了達成本發明之目的，有時將電致變色裝置之導體稱為「上」及「下」導體，其中該闡述參考以此方式描繪導體之圖式。在其他情況下，導體被稱作「第一」及「第二」導體。圖 1 為根據多個實施例之電致變色裝置100 之截面的示意圖。電致變色裝置100 包括基板102 (例如，玻璃)、第一導體110 、電致變色堆疊120 及第二導體130 。可操作以在電致變色堆疊120 上施加電位之電壓源20 實現了電致變色裝置100 在染色狀態之間(諸如，例如在漂白狀態與著色狀態之間)的轉變。在某些實施方案中，電致變色裝置100 進一步包括在基板102 與第一導體110 之間的一或多個層之擴散障壁。在一些情況下，基板102 可被製作有擴散障壁。 在某些實施例中，電致變色堆疊為三層堆疊，該三層堆疊包括EC層、允許離子傳輸但為電絕緣之可選IC層、及CE層。EC層與CE層夾著IC層。通常，但不一定，EC層為基於氧化鎢的，且CE層為基於氧化鎳的，例如，分別係陰極著色及陽極著色的。在一個實施例中，電致變色堆疊為約100 nm至約500 nm厚。在另一實施例中，電致變色堆疊為約410 nm至約600 nm厚。舉例而言，EC堆疊可包括約200 nm至約250 nm厚之電致變色層、約10 nm至約50 nm厚之IC層及約200 nm至300 nm厚之CE層。圖 2A 及圖 2B 為根據實施例的電致變色裝置200 之示意截面圖。電致變色裝置200 包括基板202 、第一導體210 、電致變色堆疊220 及第二導體230 。電致變色堆疊220 包括電致變色層(EC)222 、可選之離子傳導(電阻)層(IC)224 及相對電極層(CE)226 。電壓源22 可操作以在電致變色堆疊220 上施加電壓電位以實現電致變色裝置在染色狀態之間(諸如，例如在漂白狀態(參看圖 2A )與著色狀態(參看圖 2B )之間)的轉變。在某些實施方案中，電致變色裝置200 進一步包括位於基板202 與第一導體210 之間的擴散障壁。 在圖 2A 及圖 2B 之電致變色裝置200 的某些實施方案中，電致變色堆疊220 中之層的次序可相對於基板202 為顛倒的，及/或可切換第一導體及第二導體之位置。舉例而言，在一個實施方案中，該等層可按以下次序：基板202 、第二導體230 、CE層226 、可選之IC層224 、EC層222 及第一導體210 。 在某些實施方案中，CE層可包括為電致變色或非電致變色之材料。若EC層與CE層均採用電致變色材料，則其中一者為陰極著色材料，而另一者為陽極著色材料。舉例而言，EC層可採用陰極著色材料，而CE層可採用陽極著色材料。在EC層為氧化鎢且相對電極層為氧化鎳鎢時，情況正是如此。氧化鎳鎢可摻雜有另一種金屬，諸如錫、鈮或鉭。 在電致變色裝置(例如，電致變色裝置100 或電致變色裝置200 )之示例性操作期間，電致變色裝置可在漂白狀態與著色狀態之間可逆地循環。為簡單起見，就圖 2A 及圖 2B 中所示之電致變色裝置200 來闡述此操作，但此操作亦適用於本文中闡述之其他電致變色裝置。如圖 2A 中所描繪，在漂白狀態下，藉由電壓源22 在第一導體210 及第二導體230 處施加電壓以在電致變色堆疊220 上施加電壓電位，如此使該堆疊中之可用離子(例如，鋰離子)主要駐留於CE層226 中。若EC層222 含有陰極著色材料，則該裝置處於漂白狀態。在某些電致變色裝置中，在裝載有可用離子時，CE層可被認為係離子儲存層。參看圖 2B ，在電致變色堆疊220 上之電壓電位反相時，離子穿過可選之IC層224 輸送至EC層222 ，如此使材料轉變至著色狀態。此外，此情況假設電致變色裝置中的光學上可逆之材料為陰極著色之電致變色材料。在某些實施例中，離子自相對電極材料排空使其亦如所描繪般著色。換言之，相對電極材料為陽極著色之電致變色材料。因此，EC層222 與CE層226 組合以協同地減少透射穿過該堆疊之光的量。當對電致變色裝置200 施加反向電壓時，離子自EC層222 行進穿過IC層224 且返回CE層226 中。結果，電致變色裝置200 漂白，亦即，轉變至漂白狀態。在某些實施方案中，電致變色裝置可操作以不僅在漂白狀態與著色狀態之間轉變，而且轉變至在漂白狀態與著色狀態之間的一或多個中間染色狀態。 在以下美國專利申請案中呈現了電致變色裝置之某些相關實例，其中每一申請案特此以全文引用之方式併入：在2009年12月22日提交之美國專利申請案第12/645,111號；在2010年4月30日提交之美國專利申請案第12/772,055號；在2009年12月22日提交之美國專利申請案第12/645,159號；在2010年6月11日提交之美國專利申請案第12/814,279號；及在2012年5月2日提交之美國專利申請案第13/462,725號。 本文中所闡述之電致變色裝置(諸如參看圖 1 、圖 2A 、圖 2B 、圖 3 、圖 4 、圖 5A 、圖 5B 、圖 6 、圖 7 及圖 8 闡述之彼等電致變色裝置)可合併(例如)於電致變色窗中。在此等實例中，基板為透明或實質上透明之基板，諸如玻璃。舉例而言，基板102 或基板202 可為在上面製作電致變色裝置之建築玻璃。建築玻璃為可用作建築材料之玻璃。建築玻璃通常用於商業建築中，但亦可用於住宅建築中，且通常，但不一定，將室內環境與室外環境隔開。在某些實施例中，建築玻璃為至少20吋乘20吋。在一些實施例中，建築玻璃可大至約72吋乘120吋。 由於在電致變色窗應用中使用愈來愈大之基板，因此變得更希望減少電致變色裝置中之缺陷的數目及範圍，否則可能會有損電致變色窗之效能及視覺品質。本文中闡述之某些實施例可減少電致變色窗中之缺陷率。 在一些實施例中，一或多個電致變色裝置整合至隔熱玻璃單元(IGU)中。隔熱玻璃單元包括多個窗板(亦被稱作「窗片」)，其中一間隔件密封在窗板之間以形成密封之內部區，該內部區為隔熱的且可容納氣體，諸如惰性氣體。在一些實施例中，IGU包括多個電致變色窗片，每一窗片具有至少一個電致變色裝置。 在某些實施例中，藉由薄膜沈積法來製作電致變色裝置，諸如，例如濺鍍沈積、化學氣相沈積、熱解噴射技術及其類似者，包括熟習此項技術者已知之薄膜沈積技術的組合。在一個實施例中，使用全電漿氣相沈積來製作電致變色裝置。 在某些實施例中，電致變色裝置可進一步包括用於向電致變色裝置之導體施加電壓的一或多個匯流條。該等匯流條與電壓源電通信。該等匯流條通常位於電致變色裝置之一或多個邊緣處且不處於中心區(例如，IGU之可見中心區域)中。在一些情況下，匯流條被焊接至或以其他方式連接至第一導體及第二導體以在電致變色堆疊上施加電壓電位。舉例而言，可使用超音波焊接，超音波焊接製作低電阻連接。匯流條可(例如)為基於銀墨水之材料及/或包括其他金屬或傳導材料(諸如石墨及其類似者)。II. 導體及其他電致變色裝置材料 近來，放在改良用於諸如大面積電致變色裝置之應用的導體上之關注增加。照慣例，已使用具有基於In₂ O₃ 、ZnO、氧化鋁鋅(AZO)、氟化氧化錫(FTO)、氧化銦錫(ITO)之透明傳導氧化物(TCO)的單層導體，但先進及/或大面積之電致變色裝置需要具有比之前達成之電阻率低的電阻率的新導體，例如，以實現較快切換速度。TCO/金屬/TCO三層結構可用作替代，因為其可提供比習知單層導體之電特性優良的電特性且可具有經改良之光學性質。然而，就此結構而言，仍需要改良。舉例而言，將TCO/金屬/TCO三層結構合併至先進電致變色裝置中引入了成問題之問題，諸如解決與先進電致變色裝置之其他層的光學及材料相容性。一般而言，電致變色裝置設計之最新進展使得對與此等先進設計相容之導體的改良成為必要。 在一些實施例中，電致變色裝置經組態以不僅實現較快切換，而且考量對高品質、低缺陷數之電致變色裝置的需要。在一些情況下，電致變色裝置導體經組態以相對於習知單層TCO導體實現較快切換，同時亦在光學上及在材料上與其他之裝置層相容。 本文中闡述之導體一般包括一或多個金屬層或一或多個TCO層，且在一些實施例中，包括一或多個金屬層與一或多個TCO層。具有不同組成之兩個或更多個層之導體在本文中有時被稱作「複合導體」或「多層導體」。在一些情況下，複合導體具有不同組成之兩個或更多個金屬層。在其他情況下，複合導體具有一或多個金屬層及一或多個TCO層。在其他情況下，複合導體具有兩個或更多個TCO層。一般而言，但不一定，導體中所用之TCO材料為高能隙金屬氧化物。 導體之TCO層中使用之TCO材料的一些實例包括但不限於(例如)摻雜有或不摻雜有一或多種摻雜劑之氟化氧化錫(FTO)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋁鋅(AZO)及其他金屬氧化物。在一些情況下，TCO層為約200 nm至500 nm厚。在一些情況下，TCO層為約100 nm至500 nm厚。在一些情況下，TCO層為約10 nm至100 nm厚。在一些情況下，TCO層為約10 nm至50 nm厚。在一些情況下，TCO層為約200 nm至500 nm厚。在一些情況下，TCO層為約100 nm至250 nm厚。 導體之金屬層中使用之金屬的一些實例包括但不限於銀、銅、鋁、金、鉑及其混合物、金屬間化合物及合金。在一個實施例中，金屬層具有在約1 nm至5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，金屬層具有在約5 nm至約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，金屬層具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，金屬層具有在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。 在一些實施例中，導體之金屬層可包括具有兩個或更多個不同金屬子層之「金屬夾芯」構造。舉例而言，金屬層可包括Cu/Ag/Cu子層之「金屬夾芯」構造來替代(例如)單個Cu層。在另一實例中，金屬層可包括NiCr/金屬/NiCr之「金屬夾芯」構造，其中金屬子層為前述金屬中之一者。 在一些實施例中，導體之金屬層包括金屬合金。可藉由合金化來增加金屬之電遷移耐力。增加導體中之金屬層的電遷移耐力會減少金屬遷移至電致變色堆疊中且潛在地干擾裝置之操作的傾向。藉由使用金屬合金，可減慢及/或減少金屬至電致變色堆疊中之遷移，如此可改良電致變色裝置之耐久性。某些態樣係關於在導體之金屬層中使用金屬合金來幫助減少金屬遷移至電致變色堆疊中之傾向且潛在地改良電致變色裝置之耐久性。舉例而言，向銀添加少量Cu或Pd可實質上增加銀材料之電遷移耐力。在一個實施例中，舉例而言，在導體中使用具有Cu或Pd之銀合金以減少銀遷移至電致變色裝置中之傾向以減慢或防止此類遷移干擾正常之裝置操作。在一些情況下，金屬層可包括其氧化物具有低電阻率之合金。在一個實例中，金屬層可進一步包括在氧化物之製備期間呈化合物之形式的另一材料(例如，Hg、Ge、Sn、Pb、As、Sb或Bi)以增加密度及/或降低電阻率。 在一些實施例中，複合導體中之一或多個金屬層為透明的。通常，透明金屬層小於10 nm厚，例如，約5 nm厚或更少。在其他實施例中，複合導體中之一或多個金屬層為不透明的或非完全透明的。 在某些實施例中，複合導體包括與介電層或金屬層相鄰的、由具有「相反磁化率」之材料形成的層。關於材料之電磁化率，具有「相反磁化率」之材料大體上係指具有正負號相反之磁化率的材料。材料之電磁化率係指其在外加電場中極化之能力。磁化率愈大，材料回應於電場而極化之能力愈大。包括具有「相反磁化率」之層可改變波長吸收特性以增加介電層或金屬層之透明度及/或變換透射穿過組合層之波長。舉例而言，複合導體可包括與金屬層相鄰的具有「相反磁化率」之高折射率介電材料層(例如，TiO₂ )以增加金屬層之透明度。在一些情況下，與金屬層相鄰的具有相反磁化率」之所添加層可使非完全透明之金屬層變得更透明。舉例而言，具有在約5 nm至約30 nm、或在約10 nm與約25 nm之間、或在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度的金屬層(例如，銀層)可能自身並非完全透明，但在塗佈有具有「相反磁化率」之材料(例如，在銀層之頂部上的TiO₂ 層)時，穿過組合層之透射量比單獨金屬層或介電層高。某些態樣係關於選擇介電層或金屬層及具有「相反磁化率」之相鄰層以對電致變色裝置調色以透射預定光譜中之某些波長。 在某些實施例中，複合導體包括一或多個金屬層及亦被稱作「折射率匹配」層之再一個「調色」層。此等調色層一般由相對於該一或多個金屬層具有「相反磁化率」的高折射率、低損失之介電材料形成。可在「調色」層中使用之材料的一些實例包括氧化矽、氧化錫、氧化銦錫及其類似者。在此等實施例中，在一或多個調色層中使用之厚度及/或材料改變吸收特性以變換透射穿過材料層之組合的波長。舉例而言，可選擇該一或多個調色層之厚度以將透射穿過漂白狀態下之電致變色裝置的光之顏色調整至預定光譜(例如，藍色比綠色或紅色多)。在另一實例中，選擇及組態調色層以減少某些波長(例如黃色)穿過電致變色裝置且因此穿過(例如)包括裝置塗層之窗的透射。 雖然在所闡述之實施方案中第一複合導體與第二複合導體一般具有相同或實質上類似之層且第一複合導體中之層的次序與第二複合導體中之層的次序成鏡像，但本發明不限於此。舉例而言，在其他實施例中，第一複合導體可具有與第二複合導體不同之層。作為另一實例，第一複合導體可具有與第二複合導體相同之層，但該等層之次序可能並未彼此成鏡像。 在某些實施例中，第一導體與第二導體具有匹配之薄膜電阻，例如，以提供電致變色裝置之最佳切換效率及/或對稱之著色前面。匹配之導體具有在一些實施例中各自相差不超過20%、在其他實施例中相差不超過10%且在其他實施例中相差不超過5%之薄膜電阻。 對於大面積之電致變色裝置，例如，安置於建築尺度之基板(亦即，至少20 吋× 20吋且直至72 吋× 120吋之基板)上的彼等裝置，多層導體中之每一者(若存在，則包括導體中之所有層，諸如金屬、TCO及DMIL)的總薄膜電阻通常小於15 Ω/□、小於10 Ω/□、小於5 Ω/□、小於3 Ω/□或小於2 Ω/□。此使得可相對於習知裝置達成較快切換，尤其在薄膜電阻小於5 Ω/□、或小於3 Ω/□、或小於2 Ω/□時。本文中所闡述之導體的電阻率通常係以Ω-cm為單位來量測。在一個實例中，多層導體中之一或多者的電阻率可在約150Ω- cm與約500Ω-cm之間。多層導體中之一或多個層(諸如金屬層)可具有較低電阻率。 理想地，至少下導體之形貌應為平滑的以在沈積於其上之堆疊中實現較好之保形層。在某些實施例中，該等導體中之一者或兩者為在一些情況下厚度變化幅度約±10%、或在一些情況下變化幅度約±5%、或在一些情況下變化幅度甚至約±2%的實質上均一之導體層。雖然通常導體之厚度為約10 nm至800 nm，但厚度將視所使用之材料、單獨層之厚度及導體中層之數目而變化。舉例而言，對於包括一或多個TCO之複合導體而言，在該導體亦包括一或多個金屬層時，TCO組件可為約50 nm至約500 nm厚。在一個實例中，金屬層之厚度係在約0.1 nm至約5 nm厚之範圍中。在一個實例中，金屬層之厚度係在約1 nm至約5 nm厚之範圍中。在一個實例中，金屬層之厚度係在約5 nm至約30 nm之範圍中。在一個實例中，金屬層之厚度係在約10 nm與約25 nm之間的範圍中。在一個實例中，金屬層之厚度係在約15 nm與約25 nm之間的範圍中。 在某些情況下，導體中之一或多個金屬層被製作得足夠薄以便在透射式電致變色裝置中為透明的。在其他情況下，導體中之金屬層被製作得足夠薄以為幾乎透明的，且之後將具有「相反磁化率」之材料沈積於與該幾乎透明之金屬相鄰處以增加透射式電致變色裝置中之金屬層的透明度。在反射式裝置之情況下，在不添加由具有「相反磁化率」之材料形成的相鄰層之情況下，該一或多個金屬層可具有非透明金屬層。 本文中所闡述之電致變色裝置可包括一或多個缺陷減輕絕緣層(DMIL)，諸如發明名稱為「DEFECT MITIGATION LAYERS IN ELECTROCHROMIC DEVICES」且在2013年2月8日提交之美國專利申請案系列第13/763,505號中闡述之彼等DMIL，該申請案特此以全文引用之方式併入。DMIL技術包括採用至少一個DMIL之增添的裝置及方法。DMIL防止導電層及/或電致變色作用層接觸具有相反極性之層及在形成某些類型之缺陷的區中造成短路。在一些實施例中，DMIL可將粒子囊封起來且防止該等粒子自電致變色堆疊噴射出及可能會在沈積後續層時造成短路。在某些實施例中，DMIL具有在約1×10¹⁰ 歐姆-cm與5×10¹⁰ 歐姆-cm之間的電阻率。 在某些實施例中，DMIL含有以下金屬氧化物中之一或多者：氧化鈰、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化矽鋁、氧化鎢、氧化鎳鎢、氧化鉭及氧化之氧化銦錫。在某些實施例中，DMIL含有氮化物、碳化物、氮氧化物、或碳氧化物，諸如所列氧化物之氮化物、碳化物、氮氧化物、或碳氧化物類似物，例如，氮氧化矽鋁。作為一實例，DMIL可包括以下金屬氮化物中之一或多者：氮化鈦、氮化鋁、氮化矽及氮化鎢。DMIL亦可含有氧化物與氮化物材料之混合物或其他組合(例如，氮氧化矽)。 DMIL之一般屬性包括可見光譜區中之透明度、弱或無電致變色、與未摻雜電極材料(電致變色及/或相對電極)之電阻相當或較高之電阻及物理及化學耐久性。在某些實施例中，DMIL之密度至多為用於製作DMIL之材料的最大理論密度之約90%。 如上文所討論，DMIL之性質中之一者為其電阻率。一般而言，DMIL之電阻率水平應實質上大於導體中之透明傳導層之電阻率水平且在某些情況下大數個數量級。在一些實施例中，DMIL之材料具有在習知離子傳導層之電阻率與透明傳導層(例如摻雜銦之氧化錫)之電阻率之間的電阻率。在一些情況下，DMIL之材料具有大於約10^-4 Ω-cm (接近氧化銦錫之電阻率)之電阻率。在一些情況下，DMIL之材料具有大於約10^-6 Ω-cm之電阻率。在一些情況下，DMIL具有在約10^-4 Ω-cm與10¹⁴ Ω-cm之間(接近用於電致變色裝置之典型離子導體之電阻率)的電阻率。在一些情況下，DMIL之材料具有在約10^-5 Ω- cm與10¹² Ω-cm之間的電阻率。在某些實施例中，DMIL中之材料的電阻率係在約1×10¹³ Ω-cm與5×10¹³ Ω-cm之間。在某些實施例中，DMIL中之材料的電阻率係在約10² Ω-cm與10¹² Ω-cm之間。在某些實施例中，DMIL中之材料的電阻率係在約10⁶ Ω-cm與5×10¹² Ω-cm之間。在某些實施例中，DMIL中之材料的電阻率係在約10⁷ Ω-cm與5×10⁹ Ω-cm之間。在一些實施例中，DMIL中之材料將具有與電致變色堆疊中之電致變色層或相對電極層之材料的電阻率相當(例如，相差不超過一個數量級)之電阻率。 電阻率耦合至DMIL之厚度。此電阻率與厚度水平將一起產生一薄膜電阻值，該薄膜電阻值實際上可能比僅材料獨自之電阻率更重要(較厚之材料將具有較低之薄膜電阻)。在使用具有相對較高之電阻率值的材料時，電致變色裝置可經設計而具有相對較薄之DMIL，此對於維持該裝置之光學品質而言可能為所要的。在某些實施例中，DMIL具有約100 nm或更少或約50 nm或更少之厚度。在一個實例中，DMIL具有約5 nm之厚度，在另一實例中，該層具有約20 nm之厚度，且在另一實例中，該層具有約40 nm之厚度。在某些實施例中，DMIL具有在約10 nm與約100 nm之間的厚度。在一種情況下，DMIL為約50 nm厚。在某些實施例中，DMIL之電子薄膜電阻係在約每平方40 Ω與4000 Ω之間或在約每平方100 Ω與1000 Ω之間。在一些情況下，絕緣材料為半導電的，具有無法容易地量測之薄膜電阻。 在某些實施例中，尤其係其中DMIL安置於基板上之彼等實施例，有時採用DMIL之較厚層。DMIL之厚度可為(例如)在約5 nm與500 nm之間、在約5 nm與100 nm之間、在10 nm與100 nm之間、在約15 nm與50 nm之間、在約20 nm與50 nm之間或在約20 nm與40 nm之間。 在某些實施例中，組成DMIL之材料具有相對較低之電荷電容。在電致變色裝置之情形中，材料之電荷電容表示其在正常之電致變色循環期間可逆地容納鋰離子的能力。電荷電容為材料不可逆地容納在製作期間或在初始循環期間其碰到之鋰離子的能力。被當作電荷容納之彼等鋰離子不可用於進出其藏於其中之材料的後續循環中。若DMIL之絕緣材料具有高電荷電容，則其可用作非功能性鋰離子之儲集器(通常，該層不會展現出電致變色，因此傳遞至其中之鋰離子不會驅動著色或漂白轉變)。因此，此額外層之存在要求將提供於該裝置中之額外鋰離子完全被此額外層拿去。此當然係缺點，因為鋰可能難以在製作期間整合至裝置中。在某些實施例中，DMIL之電荷電容係在約10毫庫倫/cm² *um與100毫庫倫/cm² *um之間。在一個實例中，DMIL之電荷電容係在約30毫庫倫/cm² 與60毫庫倫/cm² 之間。為了進行比較，典型氧化鎳鎢電致變色層之電荷電容為約120毫庫倫/cm² *um。在某些實施例中，DMIL之電荷電容係在約30毫庫倫/cm² *um與100毫庫倫/cm² *um之間。在一個實例中，DMIL之電荷電容係在約100毫庫倫/cm² *um與110毫庫倫/cm² *um之間。為了進行比較，典型氧化鎳鎢電致變色層之電荷電容通常小於約100毫庫倫/cm² *um。 在某些實施例中，DMIL為離子導電的。若該層係在相對電極層之前沈積，則情況尤其如此。在此等實施例中之一些實施例中，DMIL具有在約10^-7 西門子/cm與10^-12 西門子/cm之間的離子導電率。在此等實施例中之其他實施例中，DMIL具有在約10^-8 西門子/cm與10^-11 西門子/cm之間的離子導電率。在此等實施例中之其他實施例中，DMIL具有在約10^-9 西門子/cm與10^-10 西門子/cm之間的離子導電率。 在一些實施方案中，DMIL在正常之操作期間很少展現或不展現出電致變色。可藉由施加經界定之電壓變化或其他驅動力且量測該裝置之光學密度或透射率之變化來量測電致變色。 根據某些實施方案，DMIL之材料將具有良好之光學性質。舉例來說，DMIL之材料將具有相對較低之光學密度，諸如，例如約0.1以下之光學密度或約0.05以下之光學密度。另外，在某些情況下，DMIL之材料具有與該堆疊中之相鄰材料之折射率匹配的折射率，使得其不會引入顯著反射。該材料亦將很好地黏著至該電致變色堆疊中與其相鄰之其他材料。 如上文所討論，在某些實施例中，DMIL可用於囊封在製作期間沈積於該裝置上之粒子。藉由囊封此等粒子，該等粒子很少可能會噴射出且潛在地引致缺陷。在某些實施方案中，在很可能會將粒子引入裝置中之一或多個製程操作之後立即或不久執行沈積DMIL之製作操作。此等實施方案可能可用於改良對粒子之囊封及減少電致變色裝置中之缺陷率。在某些實施方案中，使用DMIL之較厚層。使用較厚DMIL可尤其可用於增加對粒子之囊封及減少電致變色裝置中之缺陷率。 在DMIL中可使用各種絕緣材料。此等絕緣材料中之一些包括各種透明之金屬氧化物，諸如，例如，氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化矽鋁、氧化矽、氧化鈰、化學計量氧化鎢(例如，WO₃ ，其中氧與鎢之比正好為3)、氧化鎳鎢之變體及高度氧化之氧化銦錫(ITO)。在一些情況下，DMIL之絕緣材料選自氧化鋁、氧化鋅、氧化矽鋁、氧化鉭及氧化鎳鎢(通常為非電致變色類型)中。另外，可使用具有中等至高之電阻及光學透明度的一些氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物及氟化物。舉例而言，可使用諸如氮化鈦、氮化鉭、氮化鋁、氮化矽及/或氮化鎢之氮化物。另外，可使用諸如碳化鈦、碳化鋁、氮化鉭、碳化矽及/或碳化鎢之碳化物。在某些實施例中，亦可使用碳氧化物及/或氮氧化物。除非另外指明，否則此等組成中之每一者可按元素之各種化學計量或比率存在。對於含有鎳及鎢之DMIL而言，可控制鎳與鎢之比，使得採用相對較高之比。舉例而言，Ni:W (原子)比可在約90:10與50:50之間或在約80:20與60:40之間。 在一些情況下，為DMIL選擇之材料為與電致變色堆疊很好地整合(亦即，相容)之材料。該整合可藉由以下行為來執行：(a)採用與該堆疊中與DMIL相鄰之層中的材料之組成類似的組成(促進製作之簡易性)及(b)採用與該堆疊中之其他材料光學上相容且減少整個堆疊中之品質降級的材料。 在某些實施例中，該電致變色裝置包括在下導體與透明基板(例如，玻璃基板，諸如鈉鈣玻璃)之間的擴散障壁。該擴散障壁可包括一或多個層。該(等)擴散障壁層使鈉離子無法擴散至其上方之電致變色裝置層中且亦可視情況地進行光學調整以增強整個構造之各種光學性質，例如，%光學透射(%T)、霧度、顏色、反射及其類似者。 在一個實施例中，該擴散障壁包括一或多個層，該(等)層包括(例如)二氧化矽、氧化矽、氧化錫、FTO及其類似者中之再一者。在某些態樣中，該擴散障壁為SiO₂ 、SnO₂ 及SiO_x 之三層堆疊，其中SiO₂ 層具有在20 nm與30 nm之間的範圍中之厚度，SnO₂ 層具有在20 nm與30 nm之間的範圍中之厚度，且SiO_x 層具有在2 nm與10 nm之間的範圍中之厚度。在一個態樣中，該三層擴散障壁中之SiO_x 層為一氧化物或一氧化物與SiO₂ 之混合。在一個態樣中，該三層擴散障壁可夾在FTO與基板之間。在某些態樣中，擴散障壁呈SnO₂ 、SiO₂ 及SiO_x 按各種組合形式之雙層或三層構造。在一個實施例中，單獨之擴散障壁層之厚度可在約10 nm與30 nm之間的範圍中。在某些情況下，單獨之擴散障壁層之厚度可在20 nm至30 nm之範圍中。在一些情況下，擴散障壁可為鈉擴散障壁及/或抗反射層或抗變色層。 在某些實施方案中，電致變色裝置具有在下導體與基板之間的擴散障壁。在其他實施方案中，電致變色裝置不具有擴散障壁。在一些情況下，擴散障壁可能並非必要的且不使用擴散障壁。舉例而言，若基板為無鈉之基板，諸如塑膠或無鹼玻璃，則擴散障壁為可選的。在其他實例中，電致變色裝置可具有用作擴散障壁的、在基板上方之一或多個調色層。III. 複合導體實例 本章節包括根據實施例的、具有一或多個複合導體之電致變色裝置的實例。在某些實施方案中，在本章節中闡述之電致變色裝置中的電致變色堆疊及其他層可具有與以上章節中闡述之層類似的特性。舉例而言，本章節中闡述之電致變色堆疊中的層在一些方面可類似於在章節I中參看圖 2A 及圖 2B 闡述之層。作為另一實例，在章節II中詳細地闡述本章節中闡述之DMIL之特性。 - 傳導材料 /DMIL1/ 傳導材料 /DMIL2 在某些實施例中，複合導體按以下次序包括多個材料層：第一傳導材料層、與該第一傳導材料層相鄰之第一DMIL、與該第一DMIL相鄰之第二傳導材料層及與該第二傳導材料層相鄰之第二DMIL。在此等實施例中，第一傳導材料層為金屬層或TCO層，且第二傳導材料層為金屬層或TCO層。在某些實例中，第一傳導材料層與第二傳導材料層均為金屬層。在其他實例中，第一傳導材料層與第二傳導材料層均為TCO層。在其他實例中，第一傳導材料層或第二傳導材料層為TCO層，且其他傳導材料層為金屬層。在圖 3 中示出了具有多個材料層之複合導體的實例，該等材料層依序為：第一傳導材料層、第一DMIL、第二傳導材料層及第二DMIL。圖 3 繪示了根據實施例的電致變色裝置300 之材料層的示意圖。電致變色裝置300 包括基板302 、安置於基板302 上之一或多個擴散障壁層304 、安置於該(等)擴散障壁層304 上之第一複合導體310 、安置於第一複合導體310 上之電致變色堆疊320 及安置於電致變色堆疊320 上之第二複合導體330 。第一複合導體310 包括第一傳導材料層312 、第一DMIL314 、第二傳導材料層316 及第二DMIL318 。第二複合導體330 包括第三DMIL314 、第三傳導材料層334 、第四DMIL336 及第四傳導材料層338 。第一傳導材料層312 及第四傳導材料層338 為金屬層或TCO層。第二傳導材料層316 及第三傳導材料層334 為金屬層或TCO層。在一個實例中，第一傳導材料層312 為TCO層，且第二傳導材料層316 為金屬層。在另一實例中，第一傳導材料層312 為金屬層，且第二傳導材料層316 為TCO層。在另一實例中，第一傳導材料層312 與第二傳導材料層316 由金屬製成。在另一實例中，第一傳導材料層312 與第二傳導材料層316 由TCO製成。 若第一傳導材料層312 由TCO製成，則該層由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。若第一傳導材料層312 由金屬製成，則該層可由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在其中第一傳導材料層312 由金屬製成之一個實施例中，厚度為約1 nm至5 nm厚。在其中第一傳導材料層312 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約5 nm至約30 nm之間。在其中第一傳導材料層312 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約10 nm與約25 nm之間。在其中第一傳導材料層312 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約15 nm與約25 nm之間。在一個實施例中，第一傳導材料層312 由銀金屬製成。第一DMIL314 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一DMIL314 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL314 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL314 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL314 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL314 為約50 nm厚。 若第二傳導材料層316 由TCO製成，則該層由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。若第二傳導材料層316 由金屬製成，則該層可由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在其中第二傳導材料層316 由金屬製成之一個實施例中，厚度為約1 nm至5 nm厚。在其中第二傳導材料層316 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約5 nm至約30 nm之間。在其中第二傳導材料層316 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約10 nm與約25 nm之間。在其中第二傳導材料層316 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約15 nm與約25 nm之間。在一個實施例中，第二傳導材料層316 由銀金屬製成。 第二DMIL318 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二DMIL318 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL318 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL318 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL318 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL318 為約50 nm厚。 第三DMIL314 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第三DMIL314 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第三DMIL314 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第三DMIL314 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第三DMIL314 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第三DMIL314 為約50 nm厚。 第四DMIL336 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第四DMIL336 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第四DMIL336 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第四DMIL336 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第四DMIL336 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第四DMIL336 為約50 nm厚。 若第三傳導材料層334 由TCO製成，則該層由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。若第三傳導材料層334 由金屬製成，則該層可由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在其中第三傳導材料層334 由金屬製成之一個實施例中，厚度為約1 nm至5 nm厚。在其中第三傳導材料層334 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約5 nm至約30 nm之間。在其中第三傳導材料層334 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約10 nm與約25 nm之間。在其中第三傳導材料層334 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約15 nm與約25 nm之間。在一個實施例中，第三傳導材料層334 由銀金屬製成。 若第四傳導材料層338 由TCO製成，則該層由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。若第四傳導材料層338 由金屬製成，則該層可由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一種情況下，第四傳導材料層338 為銀且為約1 nm至5 nm厚。在其中第四傳導材料層338 由金屬製成之一個實施例中，厚度為約1 nm至5 nm厚。在其中第四傳導材料層338 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約5 nm至約30 nm之間。在其中第四傳導材料層338 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約10 nm與約25 nm之間。在其中第四傳導材料層338 由金屬製成之一個實施例中，厚度係在約15 nm與約25 nm之間。在一個實施例中，第四傳導材料層338 由銀金屬製成。 在所示實施例中，第一複合導體310 與第二複合導體330 具有彼此相同或實質上類似之材料層，該等材料層具有鏡像佈局。亦即，第三DMIL332 與第二DMIL318 相同或實質上類似，第四DMIL336 與第一DMIL314 相同或實質上類似，第一傳導材料層312 與第四傳導材料層338 相同或實質上類似，且第二傳導材料層316 與第三傳導材料層334 相同或實質上類似。在其他實施例中，第一複合導體310 及第二複合導體330 可具有按不同次序佈置之相同層。在其他實施例中，第一複合導體310 及第二複合導體330 具有不同之材料層。雖然電致變色裝置300 如所示具有擴散障壁層304 ，但另一實施例省去了擴散障壁層。 在某些態樣中，圖 3 中所示之電致變色裝置300 的第一複合導體310 進一步包括位於基板302 與第一傳導材料層312 之間的一或多個調色層。在此等態樣中，第一傳導材料層312 由金屬製成。在此等態樣中之一些態樣中，用調色層替代擴散障壁304 。在此等調色實施例中，可選擇該一或多個調色層以增加導體之透明度及/或修改穿過電致變色裝置之光的波長以改變透射光之顏色。可在調色層中使用之材料的一些實例為氧化矽、氧化錫、氧化銦錫及其類似者。 - 具有「相反磁化率」之各種層 在某些實施例中，基於與相鄰層之「相反磁化率」來選擇在擴散層、調色層及DMIL層中之一或多者中使用的材料以增加電致變色裝置之透明度及/或將透射穿過電致變色裝置之光的波長調整至預定光譜。舉例而言，可選擇該等材料以使與藍光相關聯的一定範圍內之波長透射穿過電致變色裝置。在一些情況下，選擇該等材料以使該波長範圍遠離綠光或紅光。在圖 4 中示出了具有複合導體之電致變色裝置之構造的實例，該複合導體包括一或多個調色層。在此實例中，電致變色裝置400 不具有安置於基板402 上之單獨擴散障壁。圖 4 繪示了電致變色裝置400 之示意圖，該電致變色裝置包括基板402 、安置於基板402 上之第一複合導體410 、安置於第一複合導體410 上之電致變色堆疊420 及安置於電致變色堆疊420 上之第二複合導體430 。第一複合導體410 包括一或多個調色層411 、安置於該一或多個調色層411 上之金屬層(例如，銀)412 及安置於金屬層412 上之第一DMIL (例如，TiO₂ )424 。第二複合導體420 包括安置於EC堆疊420 上之第二DMIL432 、及第二金屬層433 。在另一實施例中，複合導體410 及430 中之任一者或兩者中的層之次序可顛倒。 在某些實施方案中，第二DMIL432 與第一DMIL424 相同或實質上類似，及/或第二金屬層433 與第一金屬層412 相同或實質上類似。在其他實施例中，第一複合導體410 及/或第二複合導體430 具有額外層。舉例而言，可向第二複合導體430 添加一或多個調色層。作為另一實例，可在該一或多個調色層411 與基板402 之間添加擴散障壁。 該一或多個調色層411 由上文針對調色層闡述之任何材料製成。第一金屬層412 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一金屬層412 具有在約1 nm與約5 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層412 具有在約5 nm與約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層412 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層412 具有在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層412 由銀製成。 第一DMIL424 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一DMIL424 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL424 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL424 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL424 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL424 為約50 nm厚。 第二金屬層433 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二金屬層433 為(例如)具有約1 nm至5 nm厚之厚度的銀。在一個實施例中，第二金屬層433 具有約1 nm至5 nm厚之厚度。在一個實施例中，第二金屬層433 具有在約5 nm與約30 nm之間的厚度。在一個實施例中，第二金屬層433 具有在約10 nm與約25 nm之間的厚度。在一個實施例中，第二金屬層433 具有在約15 nm與約25 nm之間的厚度。 第二DMIL432 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二DMIL432 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL432 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL432 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL432 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL432 為約50 nm厚。 在某些實施例中，本文中所闡述之材料層中之一或多者可提供多種功能。舉例而言，在一個實施例中，安置於基板上之層用作擴散障壁與具有相反磁化率之層。此外，一層可用作DMIL層與具有相反磁化率之層。 - 在 TCO/ 金屬 /TCO 導體與電致變色堆疊之間的 DMIL 在某些實施例中，電致變色裝置具有下複合導體，該下複合導體包括亦被稱作「IMI堆疊」之TCO (例如，ITO)/金屬/TCO (例如，ITO)及在IMI堆疊與電致變色堆疊之間的DMIL (例如，TiO₂ )。在圖 5 中示出此類電致變色裝置之實例。在此等實施例中，DMIL層可改良電致變色裝置之耐久性。在兩個IMI中之每一IMI與夾在該兩個IMI之間的EC堆疊之間可能存在DMIL，亦即，IMI/DMIL/EC堆疊/DMIL/IMI，其中在彼結構與基板之間視情況地具有調色層及/或擴散障壁層。圖 5A 繪示了電致變色裝置500 之示意圖，該電致變色裝置包括基板502 、安置於基板502 上之第一複合導體510 、安置於第一複合導體510 上之DMIL504 、 安置於DMIL504 上之電致變色堆疊520 及安置於電致變色堆疊520 上之第二複合導體530 。第一複合導體510 包括安置於基板502 上之第一TCO層512 、安置於第一TCO層512 上之第一金屬層(例如，銀)514 及安置於第一金屬層514 上之第二TCO層516 。第二複合導體530 包括安置於電致變色堆疊520 上之第三TCO層532 、安置於第三TCO層532 上之第二金屬層(例如，銀)534 及安置於第二金屬層534 上之第四TCO層536 。另一實施例亦包括如圖 5B 中所示在EC堆疊與第三TCO層之間的第二DMIL。 在一個實施方案中，第一複合導體510 及第二複合導體530 具有成鏡像佈置之相同或實質上類似之材料層。亦即，第四TCO536 與第一TCO 層512 相同或實質上類似，第三TCO層532 與第二TCO層516 相同或實質上類似，且第一金屬層514 與第二金屬層534 相同或實質上類似。在其他實施例中，第一複合導體510 及第二複合導體530 可具有按不同次序佈置之相同層。在其他實施例中，第一複合導體510 及第二複合導體530 可具有再一個不同之材料層。在某些態樣中，第一複合導體510 及/或第二複合導體530 具有一或多個調色層。 第一TCO層512 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一TCO層512 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第一金屬層(例如，銀)514 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一金屬層514 為銀。在一個實施例中，第一金屬層514 具有在約1 nm至約5 nm之範圍中的厚度。在一個實施例中，第一金屬層514 具有在約5 nm至約30 nm之範圍中的厚度。在一個實施例中，第一金屬層514 具有在約10 nm至約25 nm之範圍中的厚度。在一個實施例中，第一金屬層514 具有在約15 nm至約25 nm之範圍中的厚度。 第二TCO層516 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二TCO層516 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第三TCO層532 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第三TCO層532 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第二金屬層534 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二金屬層534 為銀。在一個實施例中，第二金屬層534 具有在約1 nm至約5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，第二金屬層534 具有在約5 nm與約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層534 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層534 具有在約15 nm與約25 nm之間的厚度。 第四TCO層536 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第四TCO層536 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第一DMIL504 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一DMIL504 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL504 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL504 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL504 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL504 為約50 nm厚。圖 5B 繪示了電致變色裝置500 之示意圖，該電致變色裝置包括基板552 、安置於基板552 上之第一複合導體560 、安置於第一複合導體550 上之第一DMIL554 、 安置於第一DMIL554 上之電致變色堆疊570 、安置於電致變色堆疊520 上之第二DMIL572 及安置於第二DMIL572 上之第二複合導體580 。第一複合導體560 包括安置於基板552 上之第一TCO層562 、安置於第一TCO層562 上之第一金屬層(例如，銀)564 及安置於第一金屬層564 上之第二TCO層566 。第二複合導體580 包括安置於第二DMIL572 上之第三TCO層582 、安置於第三TCO層582 上之第二金屬層(例如，銀)584 及安置於第二金屬層584 上之第四TCO層586 。 在一個實施方案中，第一複合導體560 及第二複合導體580 具有成鏡像佈置之相同或實質上類似之材料層。亦即，第四TCO586 與第一TCO層562 相同或實質上類似，第三TCO層532 與第二TCO層566 相同或實質上類似，且第一金屬層564 與第二金屬層584 相同或實質上類似。在其他實施例中，第一複合導體560 及第二複合導體580 可具有按不同次序佈置之相同層。在其他實施例中，第一複合導體560 及第二複合導體580 可具有再一個不同之材料層。在某些態樣中，第一複合導體560 及/或第二複合導體580 具有一或多個調色層。 第一TCO層562 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一TCO層562 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第一金屬層(例如，銀)564 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一金屬層564 為銀。在一個實施例中，第一金屬層564 具有在約1 nm至約5 nm之範圍中的厚度。在一個實施例中，第一金屬層564 具有在約5 nm至約30 nm之範圍中的厚度。在一個實施例中，第一金屬層564 具有在約10 nm至約25 nm之範圍中的厚度。在一個實施例中，第一金屬層564 具有在約15 nm至約25 nm之範圍中的厚度。 第二TCO層570 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二TCO層570 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第三TCO層582 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第三TCO層582 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第二金屬層584 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二金屬層584 為銀。在一個實施例中，第二金屬層584 具有在約1 nm至約5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，第二金屬層584 具有在約5 nm至約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層584 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層584 具有在約15 nm與約25 nm之間的厚度。 第四TCO層586 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第四TCO層586 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第一DMIL584 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一DMIL584 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL584 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL584 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL584 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL584 為約50 nm厚。 第二DMIL572 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二DMIL572 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL572 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL572 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL572 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL572 為約50 nm厚。在一個實施例中，第二DMIL572 具有與第一DMIL554 相同之特性。 - 障壁 / 阻擋層 在某些實施例中，電致變色裝置包括安置於下導體與電致變色堆疊之間的一或多個障壁或阻擋層以幫助防止金屬擴散至電致變色堆疊中。可在此類障壁或阻擋層中使用之材料的一些實例為氮化鉭、氮化鈦、氮化矽、氮氧化矽及其類似者，該等材料可用於阻止銀自下導體遷移至電致變色堆疊中。氮化鈦及氮化鉭(例如)為用於防止金屬遷移的特別好之障壁層。在圖 6 中示出了具有安置於下導體與電致變色堆疊之間的一或多個障壁或阻擋層的電致變色裝置之實例。圖 6 繪示了根據實施例之電致變色裝置600 的示意圖。電致變色裝置600 包括基板602 、安置於基板602 上之一或多個擴散障壁層604 、安置於該(等)擴散障壁層604 上之第一複合導體610 、安置於第一複合導體610 上之一或多個障壁/阻擋層618 (例如，TaN或TiN之材料層)、安置於該一或多個障壁/阻擋層618 上之第一DMIL619 (例如，TiO₂ )、安置於第一DMIL619 上之電致變色堆疊620 及安置於電致變色堆疊620 上之第二複合導體630 。第一複合導體610 包括安置於該一或多個擴散障壁層604 上之第一TCO層612 (例如，ITO層)、安置於第一TCO層612 上之第一金屬層614 (例如，銀層)及安置於第一金屬層614 上之第二TCO層616 。第二複合導體630 包括安置於電致變色堆疊620 上之第三TCO層632 、安置於第三TCO層632 上之第二金屬層634 及安置於第二金屬層634 上之第四TCO層636 。該一或多個障壁/阻擋層618 處在第一DMIL619 與第二TCO層616 之間以提供障壁以防擴散至電致變色堆疊620 中。舉例而言，若金屬層614 為銀層且該一或多個障壁/阻擋層618 包括TaN或TiN，則TaN或TiN障壁/阻擋層618 可阻止銀遷移至電致變色堆疊620 中。 第一TCO層612 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一TCO層612 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第一金屬層614 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一金屬層614 為銀。在一個實施例中，第一金屬層614 具有在約1 nm至5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，第一金屬層614 具有在約5 nm至約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層614 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層614 具有在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。 第二TCO層616 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二TCO層616 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第三TCO層632 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第三TCO層632 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第二金屬層634 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二金屬層634 為銀。在一個實施例中，第二金屬層634 具有在約1 nm至5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，第二金屬層634 具有在約5 nm與約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層634 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層634 具有在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。 第四TCO層636 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第四TCO層636 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。障壁/阻擋層618 由上文針對障壁/阻擋層闡述之材料製成且具有該等障壁/阻擋層的所有相關聯之電性質、實體性質及光學性質。第一DMIL619 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一DMIL619 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL619 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL619 為約50 nm厚。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL619 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL619 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL619 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL619 為約50 nm厚。 在一個實施方案中，第一複合導體610 與第二複合導體630 具有相同或實質上類似之材料層，該等材料層具有所示之鏡像佈局。亦即，第一TCO層612 與第四TCO層636 相同或實質上類似，第一金屬層614 與第二金屬層634 相同或實質上類似，且第二TCO層與第三TCO層632 相同或實質上類似。在其他實施例中，第一複合導體及第二複合導體可具有按不同次序佈置之相同層。在其他實施例中，第一複合導體及第二複合導體可具有再一個不同之材料層。在某些實施方案中，電致變色裝置600 省去了擴散障壁604 。在某些態樣中，圖 6 中所示的電致變色裝置600 之第一複合導體610 及/或第二複合導體630 進一步包括與金屬層相鄰之一或多個調色層。 - 保護蓋 在某些實施例中，電致變色裝置包括在重要之傳導層(例如，金屬層)之頂部上的保護蓋層，用於保護該傳導層使之在一個或多個製作操作期間不會受到損壞。舉例而言，重要之傳導層可由鋁製成，鋁在製作操作(諸如包括高溫之彼等製作操作，諸如熱處理製程)期間易於氧化成氧化鋁。鋁傳導層之氧化可能會使其變成不良導體，尤其在鋁層較薄之情況下。某些態樣係關於在鋁傳導層上製作保護蓋層(諸如鈦保護蓋層)以在製作期間保護該鋁傳導層。使用鈦金屬作為保護蓋層具有鈦氧化成TiO₂ 之好處，TiO₂ 生成DMIL層，同時保護下伏鋁使之免於氧化。圖 7 繪示了電致變色裝置700 之示意圖，該電致變色裝置包括基板702 、安置於基板702 上之一或多個擴散障壁層704 、安置於擴散障壁層704 上之第一複合導體710 、安置於第一複合導體710 上之電致變色堆疊720 及安置於電致變色堆疊720 上之第二複合導體730 。第一複合導體710 包括安置於一或多個擴散障壁層704 上之第一TCO層712 、安置於第一TCO層712 上之第一金屬層(例如，銀)714 、安置於第一金屬層714 上之保護蓋層716 及安置於保護蓋層716 上之第二TCO層718 。若保護蓋層由在製作操作期間氧化以生成DMIL之材料(諸如，鈦)製成，則可在與第二TCO718 之界面處形成DMIL層(未圖示)。第二複合導體530 包括安置於電致變色堆疊720 上之第三TCO層732 、安置於第三TCO層732 上之第二金屬層(例如，銀)734 及安置於第二金屬層734 上之第四TCO層736 。 第一TCO層712 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一TCO層712 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第一金屬層714 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一金屬層714 為銀。在一個實施例中，第一金屬層714 具有在約1 nm至5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，第一金屬層714 具有在約5 nm與約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層714 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層714 具有在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。 保護蓋層716 可由上文針對保護蓋材料闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之保護蓋材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。第二TCO層718 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二TCO層718 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第三TCO層732 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第三TCO層732 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。第二金屬層734 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二金屬層734 為銀。在一個實施例中，第二金屬層734 具有在約1 nm至5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，第二金屬層734 具有在約5 nm與約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層734 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層734 具有在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。 第四TCO層736 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第四TCO層736 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。 在一個實施方案中，第一複合導體710 及第二複合導體730 具有成鏡像佈置之相同或實質上類似之材料層。亦即，第四TCO736 與第一TCO層712 相同或實質上類似，第三TCO層732 與第二TCO層716 相同或實質上類似，且第一金屬層714 與第二金屬層734 相同或實質上類似。在其他實施例中，第一複合導體710 及第二複合導體730 可具有按不同次序佈置之相同層。在其他實施例中，第一複合導體710 及第二複合導體730 可具有再一個不同之材料層。在某些態樣中，第一複合導體710 及/或第二複合導體740 具有一或多個調色層。 多層下導體之其他實例 圖 8 為用於說明多層導體之各種其他實施例的實例。圖 8 繪示了根據實施例的電致變色裝置800 之材料層的示意圖。電致變色裝置800 包括基板802 、安置於基板802 上之一或多個擴散障壁層804 、安置於擴散障壁層804 上之第一複合導體810 、安置於第一複合導體810 上之電致變色堆疊820 及安置於電致變色堆疊820 上之第二複合導體830 。第一複合導體810 包括安置於一或多個擴散障壁層804 上之第一TCO層812 、安置於第一TCO層812 上之第一DMIL814 、安置於第一DMIL814 上之第一金屬層816 及安置於第一金屬層816 上之第二DMIL818 。第二複合導體830 包括如所示安置於電致變色堆疊820 上的可選之第三DMIL832 、安置於第三DMIL832 上之第二TCO833 、安置於第二TCO833 上之第二金屬層834 、安置於第二金屬層834 上之第三TCO836 、安置於第三TCO836 上的可選之第三金屬層837 及安置於第三金屬層837 上的可選之第四TCO838 。 在某些態樣中，圖 8 中所示的電致變色裝置800 之第一複合導體810 進一步包括與該等金屬層中之一或多者相鄰定位的一或多個調色層。在此等調色實施例中，可選擇該一或多個調色層以增加導體之透明度及/或修改穿過電致變色裝置之光的波長以改變透射光之顏色。可在調色層中使用之材料的一些實例為氧化矽、氧化錫、氧化銦錫及其類似者。 第一TCO層812 由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一TCO層812 為約200 nm至500 nm厚之FTO層。 第一DMIL814 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一DMIL814 由TiO₂ 製成。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL814 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL814 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL814 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第一DMIL814 為約50 nm厚。 第一金屬層816 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第一金屬層816 為銀。在一個實施例中，第一金屬層816 具有在約1 nm至5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，第一金屬層816 具有在約5 nm與約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層816 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第一金屬層816 具有在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。 第二DMIL818 之功能為防止來自第一金屬層816 之金屬遷移至電致變色堆疊820 及向電致變色堆疊820 暴露。舉例而言，在一些情況下，電致變色裝置800 可為基於鋰、質子或其他離子的。此類電致變色裝置在其電極層處經歷氧化/還原反應。第二DMIL818 保護第一金屬層816 使之免於發生氧化及還原反應，尤其係氧化。第二DMIL818 可由上文針對DMIL闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之DMIL之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二DMIL818 為TiO₂ 。在一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL818 為10 nm至100 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL818 為25 nm至75 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL818 為40 nm至60 nm厚。在另一種情況下，由TiO₂ 製成之第二DMIL818 為約50 nm厚。 第三DMIL832 為可選層。第三DMIL832 可用於保護第二TCO層833 使之免於向電致變色堆疊820 暴露及/或可用作傳統之DMIL。在一個實施例中，第三DMIL832 為NiWO且為約10 nm至約100 nm。在另一實施例中，第三DMIL832 為NiWO且約10 nm至約50 nm厚。 第二TCO層833 可由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二TCO層833 為ITO且約10 nm至約100 nm厚。在一個實施例中，第二TCO層833 為ITO且約25 nm至約75 nm厚。在一個實施例中，第二TCO層833 為ITO且約50 nm厚。 第二金屬層834 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第二金屬層834 為銀。在一個實施例中，第二金屬層834 具有在約1 nm至5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，第二金屬層834 具有在約5 nm與約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層834 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第二金屬層834 具有在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。 第三TCO層836 可由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第三TCO層836 為ITO且約50 nm至約500 nm厚。在一個實施例中，第三TCO層836 為ITO且約100 nm至約500 nm厚。在一個實施例中，第三TCO層836 為ITO且約100 nm厚至約250 nm厚。 第三金屬層837 為可選的。若包括此第三金屬層837 ，則亦包括可選之第四TCO層838。第三金屬層837 由如上文針對金屬層闡述之任何金屬材料製成，包括金屬之合金、金屬間化合物、混合物及/或層，且具有如上文所闡述之金屬的電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第三金屬層837 為銀。在一個實施例中，第三金屬層837 具有在約1 nm至5 nm厚之範圍中的厚度。在一個實施例中，第三金屬層837 具有在約5 nm與約30 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第三金屬層837 具有在約10 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。在一個實施例中，第三金屬層837 具有在約15 nm與約25 nm之間的範圍中之厚度。 第四TCO層838 為可選的。若包括第四TCO層838 ，則亦包括第三金屬層837 。第四TCO層838 可由上文針對TCO闡述之任何材料製成且具有如上文所闡述之TCO材料的相關聯之電性質、實體性質及光學性質。在一個實施例中，第四TCO層838 為ITO且約50 nm至約500 nm厚。在一個實施例中，第四TCO層838 為ITO且約100 nm至約500 nm厚。在一個實施例中，第四TCO層838 為ITO且約100 nm厚至約250 nm厚。 在某些態樣中，電致變色裝置包括：兩個導體，其中至少一者為多層導體；及安置於基板(例如，玻璃)上的在該等導體之間的電致變色堆疊。每一多層導體包括夾在至少兩個非金屬層(諸如，例如，金屬氧化物層、透明傳導氧化物(TCO)層及/或DMIL)之間的金屬層。亦即，金屬層未與電致變色堆疊直接接觸。在一些情況下，該等導體中之一者或兩者進一步包括一或多個額外金屬層。在此等態樣中，該等額外金屬層亦夾在層之間且未與電致變色堆疊接觸。在一些態樣中，多層導體中之一或多個金屬層未與TCO層接觸。舉例而言，多層導體中之金屬層可夾在兩個DMIL之間。 在某些態樣中，多層導體可包括夾在DMIL與非金屬層之間的金屬層。在一些情況下，所夾之金屬層可包括銀、金、銅、鉑及其合金中之一者。在一些情況下，該金屬層可包括其氧化物具有低電阻率之合金。在一個實例中，該金屬層可進一步包括在氧化物之製備期間呈化合物之形式的另一材料(例如，Hg、Ge、Sn、Pb、As、Sb或Bi)以增加密度及/或降低電阻率。 具有多種功能的多層下導體中之層 在某些實施例中，本文中所闡述之材料層中的一或多者可提供多種功能。舉例而言，在一個實施例中，安置於基板上之層用作擴散障壁與具有相反磁化率之層。此外，一層可用作DMIL層與具有相反磁化率之層。 電磁屏蔽 在某些實施例中，具有本文中所闡述之一或多個電致變色裝置的較快切換之電致變色窗經組態以藉由阻擋電磁通信信號而提供電磁屏蔽。此等電磁屏蔽電致變色窗中之每一者具有用於阻擋電磁通信信號的由一或多個材料層組成之屏蔽堆疊。在某些態樣中，該屏蔽堆疊及該電致變色裝置共用多個材料層之單個多功能堆疊中之某些層。舉例而言，一電致變色裝置可包括一複合導體，該複合導體具有可用作屏蔽堆疊之多個材料層。在其他態樣中，電致變色裝置及屏蔽堆疊中之層為同一基板上之單獨結構、不同基板(例如，IGU之不同基板)上之單獨結構或同一基板之不同表面上的單獨結構。 一個實施例為具有用作電磁屏蔽之一或多個層的電致變色裝置。在一個實施例中，電磁屏蔽功能為主動的，亦即，其可藉由接地功能(例如，藉由控制器)而開啟及關閉。在一個實施例中，電磁屏蔽功能為被動的，亦即，總是開啟。此可能係因為該等層藉由設計而固有地具有屏蔽功能，亦即，其不依賴於接地功能，或例如因為一層或多個層係永久接地的。一個實施例為電致變色裝置堆疊與電磁屏蔽組合，無論該電磁屏蔽是該電致變色裝置堆疊之部分抑或單獨結構。 此等電磁屏蔽電致變色窗可用於防止電磁干擾(EMI)，允許在所屏蔽空間中觀察敏感電磁傳輸，或用於阻擋無線通信及產生私密空間，在該私密空間中防止外部裝置竊聽自該空間內發出之無線傳輸。經組態以為一結構或建築物提供電磁屏蔽之電致變色窗可有效地將建築物、房間或其他空間轉變成法拉第籠，條件係周圍結構自身使電磁信號衰減(例如，周圍結構由傳導材料(諸如鋼或鋁)製成或恰當地接地以便如法拉第籠在其他情況下般阻擋)。經組態以實現電磁屏蔽之電致變色窗可被表徵為跨越一頻率範圍(例如，在20 MHz與10,000 MHz之間)使電磁傳輸充分衰減。一些應用可允許更有限或選擇性之衰減。舉例而言，視屏蔽特徵之結構而定，可將一或多個子範圍排除於衰減之外。舉例而言，在一些實施例中，可使電磁輻射在所選範圍內衰減了約10 dB至70 dB或在所選範圍內衰減了約20 dB至50 dB。 可將電磁屏蔽電致變色窗放置於建築物中需要安全性之其他區的房間中，以防止無線電磁通信進入或離開該區。可使用窗控制器來根據時間表啟動及撤銷啟動安全區中之屏蔽特徵或藉由事件(諸如特定的人或資產進入安全區中或進入安全區附近)來觸發屏蔽特徵。窗控制器可經由窗通信網路或(例如)自窗處之本地機載控制器在本地發出指令。在一個態樣中，該屏蔽堆疊具有至少一個金屬層，例如，作為電致變色裝置之多層導體的部分。為了啟動該屏蔽特徵，該屏蔽堆疊中之金屬層可接地以有效地阻擋通信。在一個態樣中，控制該(等)電致變色裝置至不同染色狀態之轉變的同一窗控制器亦控制該窗之屏蔽特徵(「主動」屏蔽)。在一個實例中，藉由接地功能來選擇性地控制屏蔽堆疊是否進行屏蔽。接地功能可藉由窗控制器來控制，該窗控制器亦控制電致變色裝置至不同染色狀態之轉變。在其他實施例中，該屏蔽功能可能係屏蔽堆疊之結構中固有的，亦即，不需要為了實現屏蔽功能而應用接地功能(被稱作「被動」屏蔽)。 電磁屏蔽電致變色窗之屏蔽堆疊被設計成使在用於無線通信之頻率中的電磁輻射之傳輸衰減，同時傳輸可見光譜中之大多數輻射。該屏蔽大體上包括由導電材料形成之一或多個層(亦即，一或多導電層)，該一或多個層橫跨其中將要阻擋電磁輻射之傳輸的區域。舉例而言，該一或多個導電層可與透明基板之表面區域(或窗框之間的可見區域)同延，該一或多個導電層安置於該透明基板上以便提供對電磁輻射之衰減。在一些情況下，在該一或多個導電層接地或保持於特定電壓以提供對電磁輻射之衰減時，可增加窗之衰減效應。在一些情況下，該一或多個導電層未連接至接地或外部電路且具有浮動電位。用於其他窗應用之電磁屏蔽先前已闡述於(例如)美國專利第5,139,850號及美國專利第5,147,694號中。 在一個態樣中，電磁屏蔽電致變色窗經組態以選擇性地阻擋具有某些波長之電磁通信，因此用作高通、低通或帶通濾波器。換言之，屏蔽堆疊可經組態以阻止傳輸及/或接收在某些頻率範圍中之通信，但允許在其他頻率範圍中之通信，在一些情形下，該等在其他頻率範圍中之通信可被視為十分安全的。舉例而言，可能會允許在800 MHz下傳輸之通信而阻擋Wi-Fi通信。 導電層可由多種傳導材料中之任一者製成，諸如銀、銅、金、鎳、鋁、鉻、鉑及其混合物、金屬間化合物及合金。在一些情況下，導電層可包括由相同或不同傳導材料形成之多個層。舉例而言，屏蔽堆疊中之導電層可為兩個或更多個不同之金屬子層的「金屬夾芯」構造(例如，Cu/Ag/Cu或NiCr/金屬/NiCr，其中金屬子層為前述金屬中之一者)。 在一個態樣中，屏蔽堆疊包括具有浮動電位之一或多個銀導電層，其中每一銀層具有約10 nm至20 nm之厚度。該屏蔽堆疊亦包括由氧化銦錫製成之抗反射層。該等抗反射層在與一個銀導電層相鄰時具有約30 nm至40 nm之厚度且在插入於兩個銀導電層之間時具有約75 nm至85 nm之厚度。 在一些情況下，屏蔽堆疊中之一或多個導電層由塊狀之不透明或反射材料製成(例如，金屬層)。舉例而言，屏蔽堆疊中之一或多個導電層可為電致變色裝置(例如，300 、 400 、 500 、 550 等)之複合導體(例如，310 、 330 、 410 、 430 、 510 、 530 、 560 、 580 )中之一或多個金屬層。在一個態樣中，該屏蔽堆疊可被設計成最小化對可見輻射之衰減，而根據一個態樣仍強烈地衰減在常用於無線通信中之較長波長下的輻射。最小化對可見輻射之衰減的一種方式為包括與每一導電層(例如，金屬層)相鄰安置之至少一個抗反射層。在一些情況下，抗反射層放置於導電層之任一側上以增強穿過具有屏蔽堆疊之有塗層基板的光透射。抗反射層通常具有與相鄰之導電層不同的折射率。通常，抗反射層為介電或金屬氧化物材料。抗反射層之實例包括氧化銦錫(ITO)、In₂ O₃ 、TiO₂ 、Nb₂ O₅ 、Ta₂ O₅ 、SnO₂ 、ZnO或Bi₂ O₃ 。在某些實施例中，抗反射層為氧化錫層，該氧化錫層具有在約15 nm至80 nm之間或在約30 nm至50 nm之間的範圍中之厚度。一般而言，抗反射層之厚度視傳導層之厚度而定。 根據一個態樣，屏蔽堆疊包括至少一個導電層(例如，金屬層)及與每一導電層相鄰之至少一個抗反射層。該抗反射層可為(例如)具有「相反磁化率」之材料層，諸如「調色層」、TCO層、DMIL層或其他抗反射層。參看圖 4 ，舉例而言，電致變色裝置400 之第一複合導體410 包括安置於一或多個調色層411 與第一DMIL (例如，TiO₂ )424 之間的金屬層(例如，銀)412 的堆疊，該堆疊可用作屏蔽堆疊，該屏蔽堆疊包括夾在抗反射層之間的金屬層。作為另一實例，圖 5 中的電致變色裝置500 之第一複合導體510 包括在第一TCO層512 及第二TCO層516 與DMIL504 之間的金屬層514 的堆疊，該堆疊可用作屏蔽堆疊，該屏蔽堆疊包括夾在抗反射層之間的金屬層。圖 5 中的電致變色裝置500 之第二導體530 具有在第三TCO層532 與第四TCO層536 之間的金屬層534 之堆疊，該堆疊亦可用作屏蔽堆疊，該屏蔽堆疊包括夾在抗反射層之間的金屬層。其他實例可見於其他所示實例中及本發明之別處。 根據另一態樣，屏蔽堆疊包括兩個或更多個單獨導電層(例如，金屬層)以及在該等導電層之間的夾層或抗反射層。在圖 4 中示出了電致變色裝置之所示實例，該電致變色裝置包括根據此構造之屏蔽堆疊。如所示，電致變色裝置400 包括第一金屬層412 、第二金屬層433 ，且若DMIL424 、432 由TiO₂ 製成，則其用作該等金屬層之間的抗反射層。額外實例可見於其他所示實施例中及本發明之別處。夾層可由透過可見光譜中之短波電磁輻射而吸收具有用於通信之較長波長之頻率的材料製成。夾層可為單個層或由若干材料層組成之複合層。若電致變色窗為積層構造，則諸如聚乙烯丁醛(「PVB」)或聚氨酯之樹脂可用作夾層以將兩個透明基板層壓在一起。在一個實例中，當使用諸如PVB之樹脂時，夾層之厚度係在約0.25 mm至1.5 mm之範圍中。 根據另一態樣中，屏蔽堆疊可包括兩個或更多個導電層，其中每一導電層被一抗反射層所夾。在圖 5B 中示出了電致變色裝置之所示實例，該電致變色裝置包括根據此構造之屏蔽堆疊。如所示，電致變色堆疊550 包括第一金屬層564 、第二金屬層584 及夾著該等金屬層中之每一者的多個TCO。額外實例可見於其他所示實施例中及本發明之別處。在另一態樣中，在單個屏蔽堆疊中可使用四個或更多個導電層。 當具有單個導電層之屏蔽堆疊與半導體金屬氧化物層結合使用時，或當使用具有兩個導電層之屏蔽堆疊時，為了達成特別之衰減效應而需要的導電層之間的間距可視位於該兩個導電層之間的層之組成(例如，玻璃、空氣、氣體或EC裝置層)及厚度而定。 在一個實施例中，屏蔽堆疊包括厚度在約15 nm至60 nm之範圍中的單個銀(或其他傳導材料)層。銀之厚度大於約15 nm提供小於每平方5歐姆之低薄膜電阻。在一個實例中，單個導電銀層將為約20 nm至30 nm厚且因此允許充分地吸收在通信頻率中之電磁輻射同時維持足夠高之光透射率。在此種情況下，該銀層可藉由實體連接(例如，匯流條)或藉由導電層與金屬框之間的電容耦合而電耦合至接地，該金屬框至少部分地覆蓋該導電層。 在一個態樣中，屏蔽堆疊包括由銀或其他導電材料形成之兩個層，每一層具有在約7 nm至約30 nm之範圍中的厚度。已發現，與在使用單個但較厚之銀層時相比，對於給定衰減，具有兩個導電材料層之屏蔽堆疊具有減少之光反射。在一種情況下，該等導電層中之一者(第一者)藉由實體連接(例如，匯流條)或藉由該導電層與接地金屬框之間的電容耦合而電耦合至接地，該金屬框至少部分地覆蓋該導電層。另一(第二)導電層可電容耦合至第一接地導電層，因此將第二導電層連接至接地。在另一種情況下，第一導電層與第二導電層在實體上連接至接地。在另一種情況下，該等導電層中之一者或兩者具有浮動電位(亦即，其未電連接至接地或具有經界定電位之源)。在根據此態樣之實施例中，大多數衰減可能是歸因於電磁輻射在第一導電層處之反射。進一步之衰減係由於在導電層(或其鄰近之抗反射層)之間的夾層區中之吸收而發生，因為入射波之路徑長度由於導電層之間的反射而大幅增加，導致對在該夾層內反射之輻射的顯著吸收。 在另一實施例中，電磁屏蔽電致變色窗之外表面塗佈有包括導電半導體金屬氧化層之透明耐磨塗層，該金屬氧化物層可起到屏蔽堆疊或其一部分之作用。在此實施例中，窗片亦包括屏蔽堆疊，該屏蔽堆疊具有放置於玻璃之內表面中之一者(例如，S3或S4) (諸如不具有電致變色堆疊之表面)上的厚度(例如)約15 nm至50 nm的單個銀(或其他傳導材料)層。視情況地，可將一夾層放置於金屬氧化物層與屏蔽堆疊之間的任何位置處以增加對在該兩個導電層之間反射的波之吸收。在一些情況下，金屬氧化物層及屏蔽堆疊放置於IGU之相對窗片上，使得在金屬氧化物層與屏蔽堆疊之間存在間隙。舉例而言，耐磨塗層可由金屬氧化物製成，諸如摻錫氧化銦、摻雜氧化錫、氧化銻及其類似者。在此實施例中，導電層與耐磨塗層藉由實體連接(例如，匯流條)或藉由(例如)該導電層與金屬框之間的電容耦合而電耦合至接地，該金屬框至少部分地覆蓋該層。 在另一實施例中，屏蔽堆疊合併至撓性屏蔽膜中，該膜可黏著至或以其他方式安裝至基板。舉例而言，IGU可經組態以藉由在製作IGU之後將撓性屏蔽膜附接至IGU窗片之表面S1或S4來實現電磁屏蔽。替代地，在IGU之組裝期間，可將撓性屏蔽膜附接至IGU窗片之表面S2或S3。作為另一實例，可在製作期間將撓性屏蔽膜嵌入於積層中。在另一實例中，IGU可經建構，使得S2具有電致變色裝置，且用於IGU之相配窗片為積層，該積層具有層壓在兩個基板之間的屏蔽膜。 撓性屏蔽膜可經組態以阻擋射頻(RF)信號、紅外線(IR)信號及紫外線(UV)信號中之一或多者。撓性膜之一些實例，諸如由Owings Mills之Signals Defense出售的SD2500 / SD2510、SD 1000 / SD 1010及DAS Shield^TM 膜，為市售的。圖 9 繪示了撓性電磁屏蔽膜900 ，該電磁屏蔽膜可安裝至基板之表面(不具有或不具有電致變色裝置)上以提供電磁屏蔽。第一膜層910 用作基板，在該基板上沈積或形成屏蔽堆疊920 。積層黏著劑層930 用於將屏蔽堆疊920 結合至第二膜層940 ，將屏蔽堆疊920 囊封於撓性膜內。如圖9中所示，安裝黏著劑層950 亦可包括於撓性電磁屏蔽膜900 中。之後可使用安裝黏著劑層950 將屏蔽膜900 之其他層結合至窗之基板的表面以提供電磁屏蔽。在一些情況下，在安裝於窗片上時，撓性電磁屏蔽膜之總厚度係在約25 µm與1000 µm之間。視情況地，額外保護層(未圖示)可位於表面960 上。可用於保護層之材料的類型視窗環境而改變。可使用之材料的一些實例包括向屏蔽膜結構提供恰當之保護的材料，諸如環氧樹脂、樹脂或任何天然或合成之材料。在撓性電磁屏蔽膜安裝於窗片上之前對撓性電磁屏蔽膜進行運輸、儲存或以其他方式保存時，視情況地，脫膜層可位於表面970 上。該脫膜層可保護安裝黏著劑層950 ，直至在移除脫膜層進行安裝時為止。 在另一實施例中，撓性電磁屏蔽膜包括在上面沈積或形成屏蔽堆疊之基板及將屏蔽堆疊直接結合至窗基板之表面上的安裝黏著劑層。此實施例移除了圖 9 中所示之積層層930 及第二膜層940 。許多材料可適用於膜層910 及940 、適用於積層黏著劑層930 及適用於安裝黏著劑層950 。通常，所選之材料將能透過可見光且具有足夠低之霧度，使得不會實質上降低窗片之光學性質。在某些實施例中，膜層小於約300 µm厚(例如，約10 µm至275 µm厚)且由熱塑性聚合樹脂製成。膜材料之實例包括聚對酞酸乙二酯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。熟習此項技術者可自各種可接受之黏著劑層及安裝黏著劑層中選擇。視屏蔽堆疊之厚度、膜在IGU單元內之放置或為了實現電磁屏蔽而進行組態之窗的所要光學性質而定，可使用不同之黏著劑。在一個實例中，安裝黏著劑層950 可由壓敏黏著劑(諸如，可購自Ingredion公司之National Starch 80-1057)製成。其他合適黏著劑之實例包括可購自Rohm & Haas的具有催化劑9H1H之Adcote 76R36及可購自Rohm & Haas之Adcote 89r3。 針對電磁屏蔽及/或電致變色裝置闡述之層可使用各種沈積製程來製作，包括用於製作電致變色裝置之彼等沈積製程。在一些情況下，用於沈積屏蔽堆疊之步驟可整合至用於沈積電致變色裝置之製作製程步驟中。一般而言，為半導體金屬氧化物之屏蔽堆疊或耐磨塗層可在製作製程中之任何步驟中藉由物理及/或化學氣相技術來沈積在透明基板上。屏蔽堆疊中之單獨層通常非常適於藉由物理氣相沈積技術(諸如濺鍍)來沈積。在一些情況下，銀(或其他金屬)層藉由諸如冷濺鍍或甚至基於液體之製程(諸如用金屬墨水塗佈)之技術來沈積。在使用樹脂材料(諸如PVB)之情況下，可藉由層壓製程來形成夾層，在層壓製程中將兩個基板(視情況地在上面具有一或多個層)接合在一起。 在一些態樣中，屏蔽堆疊沈積於一個基板上，且電致變色裝置沈積於IGU之另一基板、積層構造或其組合上。在一個實例中，IGU之積層窗片包括屏蔽堆疊，而IGU之非積層窗片包括電致變色裝置。在另一實施例中，IGU之兩個窗片均為積層，其中一個積層窗片包括屏蔽堆疊，且另一積層窗片包括電致變色裝置。在其他實施例中，單個積層包括電致變色裝置塗層與屏蔽堆疊。該積層自身可為IGU之窗片或並非IGU之窗片。 雖然已較為詳細地闡述了前述實施例以方便理解，但所闡述之實施例應被視為說明性而非限制性的。熟習此項技術者將顯而易見，在以上說明書及所附申請專利範圍之範疇內可實踐某些改變及修改。

20‧‧‧電壓源

22‧‧‧電壓源

100‧‧‧電致變色裝置

102‧‧‧基板

110‧‧‧第一導體

120‧‧‧電致變色堆疊

130‧‧‧第二導體

200‧‧‧電致變色裝置

202‧‧‧基板

210‧‧‧第一導體

220‧‧‧電致變色堆疊

222‧‧‧電致變色層(EC)

224‧‧‧可選之離子傳導(電阻)層(IC)

226‧‧‧相對電極層(CE)

230‧‧‧第二導體

300‧‧‧電致變色裝置

302‧‧‧基板

304‧‧‧擴散障壁層

310‧‧‧第一複合導體

312‧‧‧第一傳導材料層

314‧‧‧第一DMIL

316‧‧‧第二傳導材料層

318‧‧‧第二DMIL

320‧‧‧電致變色堆疊

330‧‧‧第二複合導體

332‧‧‧第三DMIL

334‧‧‧第三傳導材料層

336‧‧‧第四DMIL

338‧‧‧第四傳導材料層

400‧‧‧電致變色裝置

402‧‧‧基板

410‧‧‧第一複合導體

411‧‧‧調色層

412‧‧‧金屬層

420‧‧‧第二複合導體

424‧‧‧第一DMIL

430‧‧‧複合導體

432‧‧‧第二DMIL

433‧‧‧第二金屬層

500‧‧‧電致變色裝置

502‧‧‧基板

504‧‧‧DMIL

510‧‧‧第一複合導體

512‧‧‧第一TCO層

514‧‧‧第一金屬層

516‧‧‧第二TCO層

520‧‧‧電致變色堆疊

530‧‧‧第二複合導體

532‧‧‧第三TCO層

534‧‧‧第二金屬層

536‧‧‧第四TCO層

550‧‧‧第一複合導體

552‧‧‧基板

554‧‧‧第一DMIL

560‧‧‧第一複合導體

562‧‧‧第一TCO層

564‧‧‧第一金屬層

566‧‧‧第二TCO層

570‧‧‧第二TCO層

572‧‧‧第二DMIL

580‧‧‧第二複合導體

582‧‧‧第三TCO層

584‧‧‧第二金屬層

586‧‧‧第四TCO層

600‧‧‧電致變色裝置

602‧‧‧基板

604‧‧‧擴散障壁層

610‧‧‧第一複合導體

612‧‧‧第一TCO層

614‧‧‧第一金屬層

616‧‧‧第二TCO層

618‧‧‧障壁/阻擋層

619‧‧‧第一DMIL619

620‧‧‧電致變色堆疊

630‧‧‧第二複合導體

632‧‧‧第三TCO層

634‧‧‧第二金屬層

636‧‧‧第四TCO層

700‧‧‧電致變色裝置

702‧‧‧基板

704‧‧‧擴散障壁層

710‧‧‧第一複合導體

712‧‧‧第一TCO層

714‧‧‧第一金屬層

716‧‧‧保護蓋層

718‧‧‧第二TCO層

720‧‧‧電致變色堆疊

730‧‧‧第二複合導體

732‧‧‧第三TCO層

734‧‧‧第二金屬層

736‧‧‧第四TCO層

800‧‧‧電致變色裝置

802‧‧‧基板

804‧‧‧擴散障壁層

810‧‧‧第一複合導體

812‧‧‧第一TCO層

814‧‧‧第一DMIL

816‧‧‧第一金屬層

818‧‧‧第二DMIL

820‧‧‧電致變色堆疊

830‧‧‧第二複合導體

832‧‧‧第三DMIL

833‧‧‧第二TCO

834‧‧‧第二金屬層

836‧‧‧第三TCO

837‧‧‧第三金屬層

838‧‧‧第四TCO

900‧‧‧撓性電磁屏蔽膜

910‧‧‧第一膜層

920‧‧‧屏蔽堆疊

930‧‧‧積層黏著劑層

940‧‧‧第二膜層

950‧‧‧安裝黏著劑層

960‧‧‧表面

970‧‧‧表面

圖 1 繪示了根據多個態樣之電致變色裝置之截面的示意圖。圖 2A 及圖 2B 繪示了根據某些態樣之電致變色裝置之截面的示意圖。圖 3 繪示了根據實施例之電致變色裝置之截面的示意圖，該電致變色裝置依序包括基板、擴散障壁、具有第一傳導(金屬或TCO)材料層之第一複合導體、第一DMIL、第二傳導(金屬或TCO)材料層及第二DMIL以及第二複合導體，該第二複合導體具有與第一複合導體鏡像地安置之層。圖 4 繪示了根據多個態樣的具有複合導體之電致變色裝置之截面的示意圖，該複合導體具有一或多個調色層。圖 5A 繪示了根據多個態樣的具有複合導體之電致變色裝置之截面的示意圖，該複合導體具有在TCO/金屬/TCO堆疊與電致變色堆疊之間的DMIL。圖 5B 繪示了根據多個態樣的具有複合導體之電致變色裝置之截面的示意圖，該複合導體具有在TCO/金屬/TCO堆疊與電致變色堆疊之間的DMIL。圖 6 繪示了根據多個態樣的具有一或多個障壁/阻擋層之電致變色裝置之截面的示意圖。圖 7 繪示了根據多個態樣的具有保護蓋之電致變色裝置之截面的示意圖。圖 8 繪示了根據實施例的具有多層導體之電致變色裝置之截面的示意圖。圖 9 繪示了根據實施例的撓性電磁屏蔽膜之示意圖。

Claims (12)

1. 一種電磁屏蔽電致變色窗，其包括： 一第一多層導體，其安置於一透明基板上； 一電致變色堆疊，其安置於該第一導體上；及 一第二多層導體， 其中該第一多層導體及該第二多層導體中之一者或兩者包括一電磁屏蔽堆疊，該電磁屏蔽堆疊經組態以被啟動來阻擋電磁通信信號穿過該窗， 其中該電磁屏蔽堆疊包括夾在一第一抗反射層與一第二抗反射層之間的一第一導電材料層。
2. 如請求項1之電磁屏蔽電致變色窗，其中該導電材料層為一金屬層。
3. 如請求項1之電磁屏蔽電致變色窗，其中該第一抗反射層包括一TCO、一DMIL或一具有相反磁化率之材料中的一者。
4. 如請求項1之電磁屏蔽電致變色窗，其中該第二抗反射層包括一TCO、一DMIL或一具有相反磁化率之材料中的一者。
5. 如請求項1之電磁屏蔽電致變色窗，其進一步包括與該屏蔽堆疊通信以控制啟動之一窗控制器。
6. 如請求項1之電磁屏蔽電致變色窗，其中該屏蔽堆疊接收來自一窗控制器之信號，該等信號控制啟動以阻擋該等電磁通信信號。
7. 如請求項1之電磁屏蔽電致變色窗，其中該電磁屏蔽堆疊進一步包括一第二導電材料層。
8. 如請求項7之電磁屏蔽電致變色窗，其中該第二導電材料層夾在一第三抗反射層與一第四抗反射層之間。
9. 如請求項7之電磁屏蔽電致變色窗，其中該電磁屏蔽堆疊進一步包括在該第一導電材料層與該第二導電材料層之間的一夾層。
10. 如請求項9之電磁屏蔽電致變色窗，其中該第一導電材料層及該第二導電材料層為金屬層。
11. 如請求項10之電磁屏蔽電致變色窗，其中該等金屬層由銀製成且具有在約7 nm至約30 nm之一範圍中的一厚度。
12. 如請求項7之電磁屏蔽電致變色窗，其中該第一導電層及該第二導電層中之一者或兩者具有浮動電位。