KR20110021854A

KR20110021854A - 플라즈마 디스플레이 패널용 ｅｍｉ 필터

Info

Publication number: KR20110021854A
Application number: KR1020107027422A
Authority: KR
Inventors: 필립 제이. 린글; 안톤 디트리히; 이웨이 루; 윌름 던 보어; 존 에이. 반데르프로에그; 예이-핑 (미미) 에이치 왕
Original assignee: 가디언 인더스트리즈 코퍼레이션.; 센트르 룩셈부르크게오이 데 레체르체 푸으 르 베르 에 라 세라미끄 에스. 에이. (씨.알.브이.씨.)
Priority date: 2008-05-27
Filing date: 2009-04-27
Publication date: 2011-03-04
Also published as: WO2009145864A1; TW201007224A; US20110169402A1; EP2294904A1; US8298678B2; BRPI0912047A2; US7931971B2; JP2011522287A; US20100187990A1; US20090297864A1; JP5369177B2; US7713633B2

Abstract

플라즈마 디스플레이 패널은 전자파의 상당량을 블러킹/쉴딩하기 위해 플라즈마 디스플레이 패널의 프런트 부분에서 EMI 필터을 포함한다. 상기 필터는 고 가시 투과율을 가지고, 전자파를 블러킹/쉴딩할 수 있다. 일 실시예에서, EMI 필터의 실버 기반 코팅은, 고 가시 투과율을 유지하면서, 높은 전도성 Ag 층을 통하여 EMI 방사로부터의 손상을 감소시키고, PDP 패널의 온도를 감소시키기 위하여 아웃도어 태양광으로부터의 현저한 NIR 및 IR 방사 량을 블럭하며, 감소된 반사율을 통하여 콘트라스트비를 증가시키며, 일 실시예에서 실리콘 나이트라이드를 포함하는 적어도 하나의 층은 Si-풍부할 수 있고, 및/또는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 적어도 하나의 층은 서브옥사이드일 수 있으며, 이는 코팅된 물품의 열 처리능을 향상시키기 위함이다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널용 ＥＭＩ 필터{EMI FILTER FOR PLASMA DISPLAY PANEL}

본 출원은 2008.5.27자로 출원된 미국 출원 제 61/071,936의 우선권 주장 출원으로, 상기 명세서는 전체로서 본 명세서에 포함된다.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 필터(PDP)에 관한 것으로, 전자파의 상당량을 블러킹/쉴딩하기 위하여 플라즈마 디스플레이 필터의 프런트 부분에 위치하는 필터를 포함한다. 상기 필터는 높은 가시 투과율을 가지며, 전차파의 블러킹/쉴딩이 가능하다.

이미지 디스플레이 장치는 TV 스크린, 개인용 컴퓨터의 모니터 등 다양한 기기에 폭넓게 사용된다. 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel; PDP)은 CRT 를 대체하는 차세대 디스플레이 장치로 인기를 얻고 있는데, 이는 PDP 가 얇고 스크린이 커서 복수의 유닛으로 제작할 수 있기 때문이다. PDP는 기체 방전 현상(gas discharge phenomenon)을 사용하여 이미지가 디스플레이 되는 플라즈마 디스플레이 패널을 포함하고, 높은 디스플레이 용량(high display capacity), 높은 밝기(high brightness), 고해상도(high contrast), 깨끗한 잠상(clear latent image), 와이드 뷰 앵글(a wide viewing angle) 등을 포함한 우수한 디스플레이 능력을 나타낸다. PDP 장치에 있어서, 직류(direct current; DC) 또는 교류(alternating current; AC) 전압(voltage)이 전극(electrodes)에 인가되고, 가스 플라즈마의 방출(a discharge of gas plasma)이 생성되어, 자외선광이 방출된다. 자외선 방출은 인접한 인 물질(adjacent phosphor materials)을 여기시켜, 가시광선의 전자기 방출이 일어나게 한다. 상기와 같은 장점에도 불구하고, PDP는 전자기파 방사의 증가(electromagnetic wave radiation), 근적외선 방출(near-infrared emission), 및 인 표면 반사(phosphor surface reflection)를 포함하는 드라이빙 특성(driving characteristics), 및 실링 가스(sealing gas)로 사용되는 헬륨(helium; He), 네온(neon), 또는 제논(xenon; Xe)으로부터 방출된 오렌지 광으로 인한 모호한 색 순도(obscured color purity)에 관하여 개선이 필요하다.

PDP 에서 생성되는 전자기파 및 근적외선은 인체에 유해한 영향을 미치고, 무선 전화기 또는 리모트 컨트롤러와 같은 정밀한 기계의 오작동을 유발하는 것으로 알려져 있다(U.S. 2006/0083938 참조, 본 명세서에 참고로 포함됨). 개별적으로 또는 수집되는 상기와 같은 파장을 전자파 장애(electromagnetic interference; EMI)라고 한다. 따라서, 이와 같은 PDP를 사용하기 위해서는, 미리 결정된 수준 미만으로 PDP로부터 방출된 전자파 및 근적외선(the electromagnetic waves and near-infrared (IR or NIR) rays emitted from the PDPs)을 감소할 필요가 있다. 이러한 관점에서, 광 반사를 감소시키고 및/또는 색순도를 증가시키고, PDP 로부터 전자파 또는 근적외선을 차단하기 위하여 다양한 PDP 필터가 제안되었다. 필터는 각 PDP의 앞 면에 장착되기 때문에 제안된 PDP 필터는 투과율 요건을 만족하여야 한다.

미리 결정된 수준 미만으로 플라즈마 디스플레이 패널로부터 방출된 전자파 및 NIR 파를 감소시키기 위해서, 다양한 PDP 필터가, 예컨대 PDP 로부터 방출된 전자파 또는 NIR의 차폐, 광 반사의 감소 및/또는 색 순도의 증가 목적으로 사용되어 왔다. 이와 같은 필터에 있어서 고 투과율이 요구되는데, 이들은 일반적으로 PDP 앞 표면에 적용되기 때문이다. 이와 같은 요구 및 특성을 만족하는 전형적인 전자파 차폐 필터는 금속 메시-패턴 필터(metal mesh-pattern filter) 및 투명 전도성 필름 필터(transparent conductive film filter)로 분류된다. 금속 메시-패턴 필터가 우수한 전자파 차폐 효과를 나타냄에도 불구하고, 열악한 투과율, 이미지 디스토션, 및 고가의 메시로 인한 제조 단가의 증가를 포함한 몇몇 단점이 있다. 상기와 같은 단점으로 인해, 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide; ITO)를 사용한 투명 전도성 필름을 사용한 전자파 차폐 필터가 금속 메시-패턴 필터 대신 폭 넓게 사용된다. 투명 전도성 필름은 일반적으로 다층 박막 필름 구조로 형성되며, 그 사이에 메탈 필름 및 고-굴절률-인덱스 투명 박막(a high-refractive-index transparent thin layer)이 샌드위치된다. 실버 또는 실버-베이스 알로이가 금속 필름으로 사용될 수 있다. 그러나, 통상적인 PDP EMI 필터는 내구성이 떨어지고 및/또는 가시광선 투과율 및/또는 쉴딩 성질의 관점에서 향상되는 경향이 있다.

더우기, 특정 PDP EMI 필터는 열 처리(예컨대, 열적으로 템퍼드됨(thermally tempered))될 필요가 있다. 이와 같은 열처리는 전형적으로 적어도 580 도 C(℃), 더욱 바람직하게는 적어도 약 600 도 C 및 더더욱 적어도 620 도 C 의 온도의 사용이 요구된다. 본 명세서에서 사용된 "열 처리(heat treatment)" 및 "열 처리 단계(heat treating)"는 물품(article)을 글래스를 포함하는 물품(glass inclusive article)의 열 강화 및/또는 열적 템퍼링을 달성하기에 충분한 온도로 가열하는 것을 의미한다. 이와 같은 정의는, 예컨대 오븐 또는 로(furnace) 내에서 코팅된 물품을 적어도 약 550 도 C, 더욱 바람직하게는 적어도 약 580 도 C, 더욱 바람직하게는 적어도 약 600 도 C, 더욱 바람직하게는 적어도 약 620 도 C의 온도에서, 템퍼링 및/또는 열 강화(tempering and/or heat strengthening)가 가능한 충분한 시간 동안 열처리하는 것을 포함한다. 일반적으로, 열처리는 약 550 도 C 내지 약 650 도 C 의 온도에서 이루어진다. 특정 예에서, HT는 적어도 약 4 또는 5 분 동안 이루어질 수 있다. 이러한 고온에서의 (예컨대, 5 내지 10 분 이상 동안) 사용으로 코팅이 벗겨지고, 및/또는 상기 바람직한 특성이 바람직하지 못한 방법으로 현저하게 악화되도록 유발한다. 통상적인 PDP EMI 필터는 열적 안정성 및/또는 열 처리에 대한 내구성이 열악한 경향이 있다. 특히, 열처리는 통상적인 PDP 필터의 고장(break down)을 유발하는 경향이 있다.

상기 관점에서, (i) 화학적 내구성의 향상, (ii) 열적 안정성의 향상 (예컨대, 템퍼링과 같은 광학적 열처리에 대한), (iii) 가시 투과의 향상, 및/또는 (iv) EMI 쉴딩 특성의 향상 중 하나 이상의 관점에서(통상적인 PDP EMI 필터에 대한 관점에서) 향상된 PDP 필터에 대한 요구가 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)는 전자파(electromagnetic waves)의 상당량을 블러킹/쉴딩하기 위하여 플라즈마 디스플레이 패널의 프런트 부분에 필터를 포함한다. 필터는 높은 가시 투과율을 갖고(high visible transmission), 전자파의 상당량을 블러킹/쉴딩할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, EMI 필터의 실버 기반 코팅은, 고 가시 투과율을 유지하면서, 높은 전도성 Ag 층을 통하여 EMI 방사(EMI radiation)로부터의 손상을 감소시키고, PDP 패널의 온도를 감소시키기 위하여 아웃도어 태양광으로부터의 현저한 NIR 및 IR 방사 량을 블럭하며, 감소된 반사율(reduced reflection)을 통하여 콘트라스트비(contrast ratio)를 증가시킨다.

본 발명의 일 실시예에서, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP); 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 프런트 부분에 제공되는 전자파 차폐(EMI) 필터, 상기 EMI 필터는 글래스 기판에 의해 지지되는 EMI 코팅을 포함하고, 상기 EMI 코팅은 상기 글래스 기판으로부터 제거되는 하기 층을 포함하고: 실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 층; 적어도 약 2.2의 굴절률(n)을 갖는 제1 고 굴절률 층; 아연 산화물을 포함하는 제1 층; 아연 산화물을 포함하는 제1 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층; 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 층; 제1 금속 산화물 층; 아연 산화물을 포함하는 제2 층; 아연 산화물을 포함하는 제2 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층; 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제2층; 제2 금속 산화물 층; 아연 산화물을 포함하는 제3 층; 아연 산화물을 포함하는 제3 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층; 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층; 제3 금속 산화물 층; 및 오버코트층를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공한다.

본 발명의 일 실시예에서 글래스 기판에 지지되는 EMI 코팅, 상기 EMI 코팅은 상기 글래스 기판으로부터 제거되는 하기 층을 포함하고: 아연 산화물을 포함하는 제1 층; 아연 산화물을 포함하는 제1 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층; 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 층; 아연 산화물을 포함하는 제2 층; 아연 산화물을 포함하는 제2 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층; 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제2 층; 제2 금속 산화물 층; 아연 산화물을 포함하는 제3 층; 아연 산화물을 포함하는 제3 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층; 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층; 및 오버코트층을 포함하는 디스플레이 장치용 EMI 필터를 제공하며; 실버를 포함하는 상기 제3 EMI 쉴딩층은 실버를 포함하는 제1 및/또는 제2 EMI 쉴딩층보다 두꺼운, 디스플레이 장치용 EMI 필터를 제공한다.

하기를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공한다: 플라즈마 디스플레이 패널; 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 프런트 부분에 제공되는 전자파 차폐(EMI) 필터, 상기 EMI 필터는 글래스 기판에 의해 지지되는 EMI 코팅을 포함하고, 상기 EMI 코팅은 상기 글래스 기판으로부터 제거되는 하기 층을 포함함: 실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 층; 아연 산화물을 포함하는 제1 층; 아연 산화물을 포함하는 제1 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층; 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 층; 제1 금속 산화물 층; 아연 산화물을 포함하는 제2 층; 아연 산화물을 포함하는 제2 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층; 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제2 층; 제2 금속 산화물 층; 아연 산화물을 포함하는 제3 층; 아연 산화물을 포함하는 제3 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층; 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층; 제3 금속 산화물 층; 오버코트층을 포함하는 디스플레이 장치를 제공하며; Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층은 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 및/또는 제2 EMI 쉴딩층 중 어느 하나 또는 양쪽 모두 보다 덜 산화된, 플라즈마 디스플레이 장치를 제공한다.

본 발명의 일 실시예에서, 실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 층은 Si_xN_y 층을 포함하고, 상기 x/y 는 0.76 내지 1.5 이다(더욱 바람직하게는 약 0.85 내지 1.2).

도 1(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)용 EMI 필터의 횡단면을 도시한 것이다.
도 1(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 EMI 필터(예컨대, 일 실시예로서의 필터)를 포함하는 PDP 패널의 횡단면을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1(a)의 필터의 광학적 특성을 도시한, 투과율/반사율 대 파장 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)용 EMI 필터의 횡단면을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)용 EMI 필터의 층 리스트이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 EMI 코팅과 관련하여 선택적으로 사용될 수 있는 안티리플렉션(AR) 코팅의 실시예의 층 리스트이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 패널의 프런트 부분에서 사용하는 EMI 코팅(TCC)(본 발명의 일 실시예에 따른), 프런트 커버 글래스, 및 선택적 AR 코팅의 횡단면을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 패널의 프런트 부분에서 사용하는 EMI 코팅(TCC)(본 발명의 일 실시예에 따른), 프런트 커버 글래스, 및 한 쌍의 선택적 AR 코팅의 횡단면을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 패널의 프런트 부분에서 사용하는 EMI 코팅(TCC)(본 발명의 일 실시예에 따른), 프런트 커버 글래스, 및 한 쌍의 선택적 AR 코팅의 횡단면을 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 필터의 광학적 특성의 테이블 리스트 예시이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학적 특성을 도시하는 투과율(T)/반사율(R) 대 파장 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 구체예에서 사용될 수 있는 선택적 핑크 염료 예시의 정규화된 흡수 스펙트럼(normalized absorption spectrum)을 도시한 그래프이다.
도 12는 염료의 사용을 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 구조의 광학적 특성의 테이블 리스팅이다.
도 13은 염료의 사용을 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 필터의 광학적 특성을 도시한 투과율(T)/반사율(R) 대 파장 그래프이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)용 EMI 필터의 횡단면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)용 EMI 필터의 횡단면이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)용 EMI 필터의 횡단면이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)용 EMI 필터의 횡단면이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)용 EMI 필터의 횡단면이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)용 EMI 필터의 횡단면이다.

첨부된 도면을 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하며, 동일한 도면 부호는 동일한 부분/층을 의미한다.

플라즈마 디스플레이 패널(A plasma display panel (PDP))은 전자파의 상당량을 블러킹/쉴딩하기 위하여 플라즈마 디스플레이 패널의 프런트 부분에 위치하는 필터를 포함한다. 상기 필터는 높은 가시 투과율을 가지고, 전자파의 상당량을 블러킹/쉴딩할 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 디스플레이 어플리케이션(예컨대, PDP 어플리케이션) 용 Ag-기반 다층 투명 전도성 코팅(Ag-based multiple layered transparent conductive coating (TCC))에 관한 것이다. 상기 EMI 필터는 금속 산화물(metal oxides), 나이트라이드(nitrides) 또는 옥시나이트라이드(oxynitrides) 사이에 샌드위치된 3 이상의 Ag 기반 층을 포함한다. EMI 방사를 블러킹하고, 근적외선 및 적외선 투과율을 최소화/감소하는 기능을 제공한다. Ag 기반 투명 전도성 코팅은 본 발명의 일 실시예에서 글래스 상에 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering )에 의해 제조될 수 있다. 글래스 상의 코팅은 본 발명의 일 실시예에서 글래스 강조(glass strength)를 증가시키고 코팅 전도성(coating conductivity) 및 투명도(transparency)를 증가시키기 위하여 전형적인 오븐 또는 템퍼링 로( a typical oven or tempering furnace) 내에서 포스트 열처리(post heat-treatment)를 수행할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, Ag-기반 ECC (또는 EMI 필터) 코팅은 금속 산화물 및 나이트라이드 사이에 샌드위치된 ZnOx/Ag/NiCrOx 의 4 개의 층을 포함하거나, 이들로 이루어진다. 본 발명의 일 실시예에서, 사용된 금속 산화물(예컨대, 주석 산화물, 아연 산화물) 및 나이트라이드(예컨대, 실리콘 나이트라이드)는 굴절률(refractive indices (n))이 가시 영역에서 1.8 초과이고, SiNx 와 같이 비전도성이거나, ZnAlOx 와 같이 전도성일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 특정 물질들(예컨대, Ag, 아연 산화물 기반 층(zinc oxide based layers) 및 NiCrOx 기반 층)은 3 개 또는 4 개의 스택(stacks)에서 동일하고, 그러나 유전체(dielectric) 및 Ag 층들의 두께는 각각의 층 스택에 있어서 시트 저항성(sheet resistance)과 광학적 타겟(optics targets)에 적합하다. 더우기, 다른 층들은 내구성 및 광학적 성능(durability and optical performance)을 향상시키기 위하여 스택에서 스택으로 상이할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, EMI 필터는 플라즈마 TV 의 하우징에 접촉하는 낮은 컨덕턴스(conductance)를 제공하기 위하여 주변부(periphery ) 주위에 전도성 프리트 프레임(a conductive frit frame)을 포함할 수 있다. 완성된 필터는 디스플레이 리플렉턴스(display reflectance)를 감소시키기 위하여 프런트 표면(front surface)에 라미네이트된 AR 코팅 필름, 및 플라즈마 TV의 색 성능(color performance)을 향상시키기 위하여 코팅된 글래스의 뒤에 부착된 보라색 및/또는 핑크색 염료를 갖는 라미네이트(a laminate)를 또한 포함할 수 있다.

도 1(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 패널(또는 디스플레이 패널의 다른 유형)용 EMI 필터의 횡단면을 도시한 것이다. 도 1(b)는 PDP 패널 상에 도 1(a)의 필터의 횡단면을 도시한 것이다. 도 1(b)에서 알 수 있듯이, 도 1(a)의 필터는 PDP 의 프런트에서 프런트 커버 글래스 기판(front cover glass substrate)의 인테리어 사이드(태양으로부터 먼 쪽을 마주하는 면) 상에 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 EMI 필터는 안티리플렉션 (AR) 코팅과 관련되어 사용되거나 사용되지 않을 수 있다. AR 코팅은 커버 글래스 상에, EMI 필터 코팅과 동일한 면 또는 반대쪽 면에 제공될 수 있다. 도 1(b)의 PDP 패널(40)은 PDP 패널의 적합한 유형이면 가능하다. 예시적인 PDP 패널은 미국 특허 2006/0083938 호(도 6 참조)에 기재되어 있으며, 전체가 본 명세서에 참고로서 포함된다. 예시로서, 미국 특허 2006/0083938 호의 도 6의 PDP 장치에서 100 또는 100'에 대신하여 도 1(a)의 필터 구조를 사용할 수 있다.

도 1의 EMI 필터 구조는 커버 글래스 기판(1) (예컨대, 투명, 그린, 브론즈, 또는 블루-그린 글래스 기판으로 약 1.0 내지 10.0 mm의 두께이며, 더욱 바람직하게는 1.0 mm 내지 3.5 mm 두께이다), 및 직접 또는 간접적으로 기판(1) 상에 제공되는 EMI 필터 코팅(또는 층 시스템) (30)을 포함한다. 상기 코팅 (또는 층 시스템) (30)은 하기를 포함한다:

유전체 실리콘 나이트라이드 기반 층(3) (dielectric silicon nitride base layer)으로, 이는 헤이즈 감소를 위한 Si-풍부한 유형의, 또는 본 발명의 다른 실시예에서 다른 적합한 화학양론적인, Si₃N₄ 일 수 있고(Si₃N₄, of the Si-rich type for haze reduction, or of any other suitable stoichiometry in different embodiments of this invention),

고 굴절률 티타늄 산화물 포함 층(4) (high index titanium oxide inclusive layer),

제1 하부 컨택 층(7) (이는 전도성 EMI 쉴딩 층(9)과 접촉함) (first lower contact layer ),

제1 전도성 및 바람직하게는 금속성 EMI 쉴딩 층(9) (first conductive and preferably metallic EMI shielding layer),

제1 상부 컨택 층 (11) (층 (9)와 접촉함) (first upper contact layer),

유전체 또는 전도성 금속 산화물 층 (13) (이는 본 발명의 다른 실시예에서 하나 또는 다수의 단계에서 디포짓될 수 있다) (dielectric or conductive metal oxide layer),

제2 하부 컨택 층 (17) (이는 EMI 쉴딩 층(19)과 접촉함) (second lower contact layer),

제2 전도성 및 바람직하게는 금속성 EMI 쉴딩 층(19) (second conductive and preferably metallic EMI shielding layer),

제2 상부 컨택 층 (21) (층 (19)와 접촉함) (second upper contact layer) 21 (which contacts layer 19),

유전체 또는 전도성 금속 산화물 층 (23) (dielectric or conductive metal oxide layer),

유전체 실리콘 나이트라이드 기반 층(들) (25, 26)으로, 이는 헤이즈 감소를 위한 Si-풍부한 유형의, 또는 본 발명의 다른 실시예에서 다른 적합한 화학양론적인, Si₃N₄ 일 수 있고( dielectric silicon nitride based layer(s)),

제2 고굴절률 티타늄 산화물 포함 층 (24) (second high index titanium oxide inclusive layer),

제3 하부 컨택 층 (27) (이는 EMI 쉴딩 층(29)과 접촉함) (third lower contact layer),

제3 전도성 및 바람직하게는 금속성 EMI 쉴딩 층(29) (third conductive and preferably metallic EMI shielding layer),

제3 상부 컨택 층 (31) (층 (29)와 접촉함) (third upper contact layer),

유전체 또는 전도성 금속 산화물 층 (33) (이는 본 발명의 다른 실시예에서 하나 또는 다수의 단계에서 디포짓될 수 있다) (dielectric or conductive metal oxide layer),

제4 하부 컨택 층 (37) (이는 EMI 쉴딩 층(39)과 접촉함) (fourth lower contact layer),

제4 전도성 및 바람직하게는 금속성 EMI 쉴딩 층(39) (fourth conductive and preferably metallic EMI shielding layer),

제4 상부 컨택 층 (41) (층 (39)와 접촉함),

유전체 또는 전도성 금속 산화물 층 (43) (dielectric or conductive metal oxide layer), 및

실리콘 나이트라이드 등을 포함하거나 이로 이루어지는 보호용 오버코트 층 (45) (protective overcoat layer).

"컨택" 층(The "contact" layers) (7, 11, 17, 21, 27, 31, 37 및 41) 각각은 적어도 하나의 EMI 쉴딩/리플렉팅 층(EMI shielding/reflecting layer) (예컨대, Ag 기반 층) (9, 19, 29, 39)과 접촉한다. 상기 층들 (3-45)은 PDP 장치로부터 방출되는 EMI 의 상당량을 블러킹하기 위하여 기판(1) 상에 제공된 EMI 쉴딩 코팅 (30)을 이룬다. 실시예 시트 저항성은 상이한 실시예에서 코팅(30)에 있어서 0.8, 1.2 및 1.6 ohm/sq.이다. 본 발명의 일 실시예에서, 코팅 (30)은 약 0.5 내지 1.8 ohm/sq.의 시트 저항을 갖는다.

도 1의 구체예에서 변형(An alternative)(도시되지 않음)은 두 개의 상이한 층에 금속 산화물 층 (13 및 33)의 각각이 스플릿(splitting)되는 것과 관련이 있으며, 스플릿 층 사이에서 실리콘 나이트라이드 기반 층을 제공한다. 달리 말하면, 예컨대, 주석 산화물 기반 층 (13)은 제1 주석 산화물 기반 층(13'), 실리콘 나이트라이드 층(13"), 및 제2 주석 산화물 기반 층(13"')으로 대체될 수 있다. 마찬가지로, 주석 기반 층(33)은 제1 주석 산화물 기반 층(33'), 실리콘 나이트라이드 층(33"), 및 제2 주석 산화물 기반 층(33"')으로 대체될 수 있다. 이들 변형 층 스택(This alternative layer stack)은, 예컨대 버스 바/블랙 프리트(bus bar/black frit)가 코팅 (30)의 최상부에 적용될 때 사용될 수 있는 열 처리된 및 열 처리 가능한 필터의 관점에서 특히 유리하다. 상기 실시예에서, 층 (11, 21, 31 및 41)에 있어서의 NiCrOx 물질을 사용함으로써, 더욱 내구성이 있고, 아연 산화물 또는 아연 알루미늄 산화물과 같은 다른 가능한 물질들과 비교하였을 때 더 우수한 열적 안정성을 제공한다는 점에서 유리하다.

유전체 층(3, 25, 26 및 45)은 바람직하게는 굴절률 (n)이 약 1.9 내지 2.1, 더욱 바람직하게는 약 1.97 내지 2.08이고, 본 발명의 일 실시예에서 실리콘 나이트라이드를 포함하거나 이로 이루어질 수 있다. 실리콘 나이트라이드 층(3, 3a, 25, 26 및 45)은, 다른 것들 중에서, 예컨대 열적 템퍼링(thermal tempering)과 같은 코팅된 물품의 열-처리능을 향상시킨다. 이들 층의 하나, 둘 또는 전부의 실리콘 나이트라이드는 화학양론적 유형(stoichiometric type) (Si₃N₄) 유형일 수 있고, 또는 본 발명의 다른 실시예에서는 Si-풍부한 유형일 수 있다. 예컨대, 실버 기반 EMI 쉴딩층(9) (및/또는 (29)) 아래에 아연 산화물 포함 층(7) (및/또는 (27))과 결하ㅎㅂ된 Si-풍부한 실리콘 나이트라이드(3, 3a, 26)은, 특정 다른 물질(들)이 실버 하에 있을 때(따라서, EMI 쉴딩이 향상됨)와 비교하였을 때 이의 시트 저항성을 감축시키는 방법으로 실버를 디포짓시킬 수 있다(예컨대, 스퍼터링 등의 방법으로). 더구나, Si-풍부한 실리콘 나이트라이드 포함 층(3 및/또는 3a)에서 자유 Si 의 존재는, 열처리 동안 글래스(1)로부터 외부로 이동하는 소듐(Na)과 같은 특정 물질들이 Si-풍부한 실리콘 나이트라이드 포함 층에 의해 더육 효율적으로 중단될 수 있도록 하며, 이는 이들이 실버에 도달하여 손상을 가하기 전에 이루어진다. 따라서, 열 처리에 의해 유발된 산화는 가시 투과를 증가시키고, Si- 풍부한 Si_xN_y 은 본 발명의 일 실시예에서 열처리 동안 실버 층(들)에 발생하는 손상의 양을 감소시킬 수 있으며, 따라서 시트 저항성 (R_s) 이 바람직한 방법으로 감소되고 EMI 쉴딩이 향상된다. 본 발명의 일 실시예에서, Si-풍부한 실리콘 나이트라이드가 층(들) (3, 3a, 및/또는 25, 26)에 사용될 때, 디포짓된 Si-풍부한 실리콘 나이트라이드 층은 Si_xN_y 층을 포함하고, 상기 x/y 는 0.76 내지 1.5, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.4, 더욱 바람직하게는 0.85 내지 1.2 이다. 더우기, 일 실시예에서, Si-풍부한 Si_xN_y 층(들) (예컨대 3 및/또는 3a)은 굴절률 "n"이 적어도 2.05, 더욱 바람직하게는 적어도 2.07, 및 때로 적어도 2.10 (예컨대 632 nm) (참조: 또한 사용될 수 있는 화학양론적 Si₃N₄ 은 굴절률 "n" 이 2.02-2.04이다). 일 실시예에서, 디포짓된 Si-풍부한 Si_xN_y 층(들)이 굴절률 "n"이 적어도 2.10, 더욱 바람직하게는 적어도 2.2, 가장 바람직하게는 2.2 내지 2.4 일 때, 특히 향상된 열적 안정성이 현실화 된다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서 Si-풍부한 Si_xN_y 층(들) 은 흡광 계수 (extinction coefficient) "k"가 적어도 0.001, 더욱 바람직하게는 적어도 0.003 일 수 있다 (참조: 화학양론적 Si₃N₄ 은 흡광 계수 "k"가 효과적으로 0 임). 또한, 본 발명의 일 실시예에서, Si-풍부한 Si_xN_y 층에서 "k"가 디포짓(550 nm)에서 0.001 내지 0.05 일 때, 향상된 열적 안정성이 현실화될 수 있다. n 및 k 는 열 처리로 인해 떨어지는 경향이 있다. 본 명세서에서 언급된 실리콘 나이트라이드 층 (3, 25, 26, 45)의 어느 하나 및/또는 전부는, 본 발명의 일 실시예에서 스테인레스 스틸 또는 알루미늄과 같은 다른 물질들로 도핑될 수 있다. 예컨대 본 명세서에서 언급된 실리콘 나이트라이드 층의 어느 하나 및/또는 전부는, 본 발명의 일 실시예에서, 선택적으로 약 0-15% 알루미늄, 더욱 바람직하게는 약 1 내지 10% 알루미늄, 가장 바람직하게는 1-4 % 알루미늄을 포함할 수 있다. 실리콘 나이트라이드는 본 발명의 일 실시예에서 Si 또는 SiAl 의 타겟을 스퍼터링함으로써 디포짓될 수 있다. 이들 층은 가시 투과를 희생시킴 없이 EMI 의 반사율을 향상시키기 위하여 제공된다.

고 인덱스 층 (4 및 24)는 본 발명의 일 실시예에서 티타늄의 산화물 (예컨대, TiO₂, 또는 다른 적합한 화학양론적 물질들)을 포함하거나 이들로 이루어진다. 층 (4) 및 (24) 는, 본 발명의 일 실시예에서 바람직하게는 굴절률 (n)이 적어도 약 2.2, 더욱 바람직하게는 적어도 약 2.3, 2.4 또는 2.45 이다. 이들 층 (4) 및 (24) 는 본 발명의 일 실시예에서 전도성 또는 유전체일 수 있다. 이들 층은 가시 투과를 희생시킴 없이 EMI 의 반사율을 향상시키기 위하여 제공된다.

EMI 쉴딩/반사 층 (9, 19, 29 및 39)은 바람직하게는 실질적으로 또는 전체적으로 금속성 및/또는 전도성이고, 은 (Ag), 금, 또는 다른 적합한 EMI 반사 물질을 포함하거나 이들로 이루어질 수 있다. EMI 쉴딩층 (9, 19, 29 및 39)은 코팅이 우수한 전도성을 갖도록 하고, EMI 를 PDP 패널로부터 방출되는 것을 방지하도록 한다. 이들 층들은 본 발명의 일 실시예에서 다소 산화될 가능성이 있다.

상부 컨택 층 (11, 21, 31 및 41)은 니켈 (Ni) 산화물, 크로미움/크롬 (Cr) 산화물, 또는 니켈 알로이 산화물, 예컨대 니켈 크롬 산화물 (NiCrO_x), 또는 다fms적합한 물질(들)을 본 발명의 일 실시예에서 포함하거나 이들로 이루어질 수 있다. 예컨대, NiCrO_x 의 사용으로 상기 층들의 내구성(durability)을 향상시킬 수 있다. 층 (11) 및/또는 (21)의 NiCrO_x 는 본 발명의 일 실시예에서 완전히 산화될 수 있고(즉, 완전한 화학양론적), 또는 부분적으로 산화될 수도 있다. 특정의 경우, NiCrO_x 층은 적어도 약 50% 산화될 수 있다. 이들 층들 (예컨대, Ni 및/또는 Cr 을 포함하거나 이들로 이루어지는)은 본 발명의 상이한 실시예에서 산화 그레이드되거나 되지 않을 수 있다. 산화 그레이딩(Oxidation grading)이란, 층에서의 산화 정도가 층의 두께를 통하여 변화하여, 예컨대 컨택 층이 등급화 될 수 있는 것으로, 즉각적으로 인접한 IR 반사층으로부터 한층 또는 더욱/가장 멀리 있는 컨택층의 부분에서보다 바로 인접한 IR 반사층에서 컨택 인터페이스에서 덜 산화되도록 되어, 이들 컨택 층은 본 발명의 상이한 실시예에 있어서 전체적인 IR 반사층에 걸쳐 연속적이거나 연속적이지 않을 수 있다. 층 (11, 21, 31 및 41)의 하나, 둘, 셋 또는 전부에 있어서 NiCrOx 물질을 사용함으로써, 아연 산화물 또는 아연 알루미늄 산화물과 같은 다른 가능한 물질들과 비교하였을 때 더 우수한 열적 안정성을 제공하고 더 내구성이 강하게 된다. 예컨대 버스 바/블랙 프리트가 특정 어플리케이션에서 코팅(30)의 최상부에 적용될 때 사용될 수 있는 열처리되고 열 처리 가능한 필터의 관점의 경우일 때 특히 그러하다.

금속 산화물 층 (13, 23, 33 및 43)은 본 발명의 일 실시예에서 주석 산화물을 포함하거나 이들로 이루어질 수 있다. 이들 층은 바람직하게는 본 발명의 일 실시예에서 굴절률 (n)이 약 1.9 내지 2.1, 더욱 바람직하게는 약 1.95 내지 2.05 이다. 이들 층은 특정 예에서 아연과 같은 다른 물질로 도핑될 수 있다. 그러나, 본 발명의 다른 층들에 잇어서, 다른 물질들이 상이한 예시로 사용될 수 있다. 이들 층은 가시 투과를 희생시킴 없이 EMI 의 반사율을 향상시키기 위하여 제공된다.

본 발명의 일 실시예에서 하부 컨택 층 (7, 17, 27 및 37)은 아연 산화물 (예컨대, ZnO)을 포함하거나 이들로 이루어질 수 있다. 이들 층에서의 아연 산화물은 Al 과 같은 다른 물질들을 포함할 수 있다 (예컨대, ZnAlO_x 를 형성함). 예컨대, 본 발명의 일 실시예에서, 이들 아연 산화물 층의 하나 이상은 약 1 내지 10 % Al, 더욱 바람직하게는 1 내지 5 % Al, 및 가장 바람직하게는 2 내지 4 % Al로 도핑될 수 있다. 실버 (9, 19, 29, 39 )하에서 아연 산화물을 사용함으로써, 실버의 우수한 특성이 전도성의 향상 및 EMI 쉴딩의 향상을 가능하게 한다.

하기 또는 상기 예시된 코팅에 있어서의 다른 층(들)이 제공될 수 있다. 따라서, 층 시스템(layer system) 또는 코팅이 기판(1)(직접적으로 또는 간접적으로) "위에" 또는 기판"에 지지"되는 반면, 다른 층(들)은 이들 사이에 제공될 수 있다. 따라서, 예컨대, 도 1의 코팅은, 다른 층(들)이 층(2) 및 기판(1) 사이에 제공될지라도, 기판(1) "위에" 또는 기판"에 지지되는" 것으로 고려될 수 있다. 더구나, 예시된 코팅의 특정 층은 특성 실시예에서 제거될 수 있으며, 반면 다른 것들은 다양한 층들 사이에서 첨가되거나 또는 다양한 층(들)은 본 발명의 특정 실시예에서 크게 벗어나지 않는 이상 본 발명의 실시예에서 스플릿 섹션(split sections) 사이에서 첨가될 수 있다

본 발명의 특정 실시예에서, 코팅에 있어서 Ag-기반의 EMI 쉴딩 층은 상이한 두께를 갖는다. 이는 디자인에 의한 것이고, 특히 유리하다. 실버 기반 층(9, 19, 29, 39)의 상이한 두께는 PDP 장비(apparatus)의 아웃사이드로부터 보여지는 낮은 가시 반사율 및 동시에 높은 가시 투과율(high visible transmittance)을 수득하도록 최적화된다(즉, 필름의 글래스 면으로부터, 대부분의 실시예에서, 즉 코팅(30)이 플라즈마를 마주하는 기판(1)의 인테리어 표면 상에 있음). 스택에 깊게 뭍여진 실버 층(즉, 플라즈마에서 멀리 위치한)은 후속적인 층(preceeding layers)에서 흡수에 의해 특정한 정도로 마스킹되며; 따라서, 이들은 다른 현저한 정도(extent)로 아웃사이드 반사에의 부작용 없이 EMI 쉴딩을 향상시키기 위해 더 두껍게 만들어질 수 있다. 따라서, PDP 패널의 플라즈마로부터의 실버 기반 EMI 쉴딩층(들)(예컨대, (39))의 두께(물리적 두께)는 PDP 패널의 플라즈마에 가까운 실버 기반 EMI 쉴딩층(들)(예컨대, (9))의 두께보다 현저하게 더 두꺼울 수 있다. 총 실버 두께는, 이러한 효과의 장점을 위해서, 코팅(30)을 통하여 불규칙적으로 분포된다. 결합된 모든 실버 기반 층(9, 19, 29, 39)의 총 두께는, 본 발명의 특정 실시예에서 약 25-80 nm이고, 더욱 바람직하게는 약 30-70 nm이며, 반면 전체 코팅(30)의 총 두께는 본 발명의 일 실시예에서 약 300 내지 400 nm, 더욱 바람직하게는 325 내지 380 nm, 가장 바람직하게는 330 내지 375 이다. 본 발명의 일 실시예에서 PDP 패널의 플라즈마로부터 멀리 있는 실버 기반 EMI 쉴딩 층(들)(예컨대 39 또는 29)의 두께는, PDP 패널의 플라즈마에 가까운 실버 기반 EMI 쉴딩 층(들)(예컨대 (9))의 두께보다 적어도 약 1 nm 두께(더욱 바람직하게는 적어도 약 2 nm 두께, 가능하게는 적어도 약 3 또는 4 nm 두께)로 더 두껍다.

도 2는 투과/반사 대 파장 그래프로, 도 1(a)의 필터의 광학적 특성을 도시하며, 시트 저항성이 0.8 ohms/square 로 디자인되어, 그에 따라 두꺼운 실버 층(들)을 갖는다. 도 2에서, T는 투과율(transmission)을 의미하고, G는 글래스 사이드 반사율(glass side reflectance)을 의미하며, F는 필름 사이드 반사율(film side reflectance)을 의미한다. 도 2에서, NIR 와 같은 EMI 의 필름 사이드(즉, 플라즈마에 가장 가까운 면) 반사율이 증대되는 반면(과한 반사율), 가시 투과(즉, 450-650 nm)는 높게 유지된다. 이는 우수하고/높은 가시 투과를 갖는 필터를 제공하며, 다만 바람직하지 않은 파장이 존재하는 NIR 구역에서는 너무 과한 반사율/흡수(much reflectance/absorption)를 보인다. 본 발명의 일 실시예에서, 코팅(30)과 기판(1)의 결합은 적어도 약 50%, 더욱 바람직하게는 적어도 약 55%, 58% 또는 60% 의 가시 투과율을 갖는다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 패널(예컨대, PDP 패널)에 대한 EMI 필터의 횡단면이다. 도 3 구체예는 상기 언급된 도 1(a)-(b) 구체예와 동일하나, 다만, 특정 두께가 상이한 것에 차이가 있고, 이는 도 3의 필터가 높은 시트 저항성(Rs 1.64 ohms/square)로 디자인되었기 때문이다.

다양한 두께 및 물질이 본 발명의 상이한 실시예의 층에서 사용되는 반면, 도 1-3의 실시예에서의 글래스 기판(1) 상의 각각의 층들에 대한 두께 및 물질은 글래스 기판으로부터 다음과 같다:

층	바람직한 범위(nm)	더욱 바람직하게는 (nm)	실시예(nm)
글래스(1-10 mm 두께)
Si_xN_y (layer 3)	4-30	8-15	10-14
TiO_x (layer 4)	4-35	8-20	15
ZnO_x (layer 7)	4-22	5-15	10
Ag (layer 9)	4-20	6-15	8-13
NiCrO_x (layer 11)	0.3-4	0.5-2	1
SnO₂ (layer 13)	10-100	25-90	55-80
ZnO_x (layer 17)	4-22	5-15	10
Ag (layer 19)	4-24	6-20	8-18
NiCrO_x (layer 21)	0.3-4	0.5-2	1
SnO₂ (layer 23)	4-25	6-20	10-14
Si₃N₄ (layer 25)	10-50	12-40	15-25
Si_xN_y (layer 26)	4-30	8-15	10-14
TiO_x (layer 24)	4-35	8-20	15
ZnO_x (layer 27)	4-22	5-15	10
Ag (layer 29)	8-30	10-24	12-22
NiCrO_x (layer 31)	0.3-4	0.5-2	1
SnO₂ (layer 33)	10-100	25-90	55-80
ZnO_x (layer 37)	4-22	5-15	10
Ag (layer 39)	8-30	10-24	11-20
NiCrO_x (layer 41)	0.3-4	0.5-2	1
SnO₂ (layer 43)	4-25	6-20	10-18
Si₃N₄ (layer 45)	10-50	15-40	18-32

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 도 4는 상기 언급된 것과 같은 PDP 어플리케이션에 있어서의 EMI 필터로 사용되는 Ag 기반 TCC 코팅을 기술하고 있으며, 도 4 코팅 (30)은 4 개의 층 스택 ZnOx/Ag/NiCrOx 을 포함하며 이들은 금속 산화물 및 나이트라이드 사이에 샌드위치된다. 도 4 코팅은 도 1-3의 코팅보다 상이한 두께를 가지며, 또한 도 4에서 도 1-3으로부터의 층 (3, 25, 26, 24, 43)은 제거되었다. 이로써, 도 1 에서의 모든 층들이 반드시 필수적인 것은 아니며, 어떤 것들은 특별한 경우에 제거될 수도 있다. 상기 도 4의 코팅 (30)은, 일 실시예에 있어서, 시트 저항이 코팅으로서 및 열-처리 후에 측정된 바에 의하면 각각 1.5 ohm/sq 및 1.0 ohm/sq 미만이고, 가시에서의 중성 투과는(neutral transmission in visible) 일 실시예에사 55% 또는 60% 보다 높다. 시트 저항은 Ag 두께의 증가에 따라 가시에서 투과율의 트레이드-오프(trade-off)를 통하여 한층 감소될 수 있다. 낮은 투과율이 바람직하다면, 투과율은 증가된 NiCrOx 두께 및 감소된 x 값에 의해 감소될 수 있다. 금속 산화물 및 나이트라이드는 광학 인덱스가 가시에서 1.8 보다 높고, 다른 실시예에서 SiNx 와 같이 비전도성이거나 또는 ZnAlOx 과 같이 전도성일 수 있다. 다층 구조는 각각의 금속 산화물, 나이트라이드(nitride), 또는 옥시나이트라이드(oxynitride)로 교체되는데 사용될 수 있으며, 예컨대 TiOx 를 SiNx/TiOx 으로 또는 SnOx 를 SnOx/SiNx/ZnOx 으로 교체할 수 있다.

도 5를 참조하면, 브로드 밴드 가시 안티리플렉션(broad band visible antireflection (AR)) 코팅(50), 예컨대 도 5에 도시된 바와 같이 또는 다른 적합한 AR 코팅은, 본 발명의 일 실시예에서 Ag 기반 EMI 프로텍션 코팅(30)의 광학 성능을 더욱 향상시키기 위하여 TCC (30)의 최상부에 라미네이트하거나(도 7-8 참조) 및/또는 기판(1)의 반대쪽 표면에 적용될 수 있다(도 6-8 참조). 디스플레이 어플리케이션을 위한 Ag 기반 TCC 코팅의 사용의 예가 도 6-8에 도시되어 있다. 상기 설명한 바와 같이, 다양한 도 6-8 필터 구조는 본 발명의 일 실시예로 포함된, 미국 특허 제2006/0083938호의 도 6 의 PDP 장치에 있어서 100 또는 100'에 대신하여 사용될 수 있다. 도 6-8에서, 광학적 부가적 기판(들) (1'), (1")는 글래스 또는 플라스틱일 수 있고, 글루는 적합한 접착력이 있으면 가능하다. 예컨대, 하나의 실시예에서 Ag 4 개의 층을 갖는 TCC 코팅(30)(도 1(a), 3 및 4 참조)은 아웃도어 디스플레이 어플리케이션을 위한 커버 글래스(1) 구조의 일부로 사용되고, 도 6-8은 AR 코팅(50)을 함께 사용할 가능성이 있는 커버 글래스 구조의 예시 디자인을 도시한 것이다. 실시예의 광학적 성능은 도 9에 도시되어 있으며, 이는 TCC (30)(예컨대 도 4 또는 도 1 참조) 및 AR (도 5 참조)이 기판(1)의 반대 표면에 코팅된다. 투과율 및 반사율 스펙트럼 상세 내용(Transmission and reflection spectra details)이 도 10에 도시되어 있다. 다른 실시예와 마찬가지로, TCC EMI 필터 코팅(30)을 하기 기능/장점을 제공한다: 높은 전도성 Ag 층을 통하여 EMI 방사로부터의 손상을 감소시키고, 패널 온도를 감소하기 위하여 야외 태양광으로부터의 NIR 및 IR 의 현저한 양을 블러킹하며, 감소된 반사를 통하여 콘트라스트비를 향상시킨다.

도 11-13을 참조하면, 본 발명의 또다른 예는 도 1-10의 구체예와 유사하나, 또한 플라즈마 디스플레이 어플리케이션에 있어서 색 중성도(color neutrality)를 향상시키기 위하여 약 595 nm(도 11 참조)에서 투과율을 감소시키는 여분의 염료 기반 흡수 층(들)을 포함한다. 일 실시예에서, 염료는 선택된 파장 범위에서 흡수되며, 다른 범위에서는 흡수되지 않는다. 예컨대, 특정 실시예에서, 염료는 PDP 장치의 색 특성을 향상시키기 위하여 약 595 nm 광을 흡수할 수 있다(도 11 참조). 염료 포함 층(도시되어 있지 않음)은 하나 이상의 위치에 도입될 수 있으며, 예컨대 AR 코팅(50) 및 기판(1) 사이이며, 또는 TCC (30)과 기판(1) 사이, 또는 TCC (30)과 글루 층 사이, 또는 글루 층 또는 기판(들)(1) 에 임베딩될 수 있다(도 6-8 참조). PDP 장치를 위한 상기 염료 포함 구체예의 실시예의 광학적 성능이 도 12에 도시되어 있고, 상기 실시예의 투과율 및 반사율 스펙트럼이 도 13에 도시되어 있다. 상기 커버 글래스 구조에 있어서, TCC 코팅(30)은 하기 기능을 제공한다: 높은 전도성 Ag 층에 의해 플라즈마 패널로부터 EMI 방사의 방출을 블로킹하고, 아웃도어 사용에 있어서 패널 온도를 낮추기 위하여 태양으로부터 NIR 및 IR 방사를 블로킹하며, 감소된 반사율을 통하여 콘트라스트비를 증가시키고, 인접한 전자제품(electronics)에 대한 방해를 피하기 위하여 플라즈마 패널로부터 NIR (850-950nm) 방사의 방출을 블로킹한다.

도 14-19 는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널 (예컨대, PDP 패널) 용 EMI 필터의 횡단면을 도시한 것이다. 이들 실시예는 열 처리가능할 수 있으며, 상이한 시트 저항 (Rs)으로 디자인 될 수 있다. 이들 실시예에서의 EMI 필터 코팅은 전형적이고 통상적인 템퍼링 로 내에서 열 처리될 수 있고, 따라서 글래스 기판 (1)은 코팅된 물품이 열 처리 될 때 템퍼링 될 수 있다. 적합한 블랙 및/또는 실버 프리트는 우수한 접착력을 갖는 코팅된 표면 상에 적용 및 파이어링 될 수 있고 코팅된 표면에 현저한 손상을 유발하지 않는다.

도 14-19 는 열 처리 가능한 버전이고, 이들 실시예에서의 코팅은 약 500-750 도 C (더욱 바람직하게는 약 520-650 도 C) 의 온도의 열처리에도 남아 있고, 반면 열처리 후에 허용가능한 헤이즈 값을 유지한다 ; 이들 실시예에서의 코팅은 열 처리 후에 시트 저항성 (Rs) 가 약 1.3 또는 1.2 ohms/square (더욱 바람직하게는 약 1.0 또는 0.90 ohms/square ) 미만이고, 가시 투과율은 적어도 약 60% (더욱 바람직하게는 약 62 또는 63 %)이다. 본 발명의 일 실시예에서, 이들 구체예의 코팅된 물품들은 열 처리 후에 헤이즈 값이 약 3 미만 (더욱 바람직하게는 약 2.0 또는 1.0 미만)이다. 도 14-19 실시예에서, 실리콘 나이트라이드 기반 층(들) (3) 및 (3a) (및 가능하면 (3a'))는 상기 실시예에서 언급한 바와 같이 Si-풍부할 것이며, NiCr 산화 기반 층(들) (31) 및/또는 (41)은 일 실시예에서 부분적으로 산화된다. 상기 Si-풍부한 실리콘 나이트라이드 및 NiCrOx 기반 층의 적어도 하나에서 부분적으로 산화됨으로써 코팅된 물품에서 열 처리 후에 적합한 가시 투과율 및 헤이즈 압ㅅ을 유지하면서 열처리에 더 잘 견디게 된다. 본 발명의 일 실시예에서, NiCrOx 기반 층 (41)은 NiCrOx 기반 층 (11, 21 및/또는 31)의 하나, 둘, 또는 모든 3 개에서보다 덜 산화된다. 일 실시예에서, NiCrOx 기반 층(들) (31) 및/또는 (41)은 NiCrOx 기반 층 (11) 및/또는 (21) 중 어느 한 또는 모두에서보다 덜 산화된다; 이는 열처리에 대해 더 우수한 열적 안정성을 갖는 더욱 열 처리 가능한 코팅을 제공하는데 도움이 된다. 도 14-19 실시예에서, 금속 산화물 (예컨대, 주석 산화물) 기반 층(13a) (및 13a')는 실리콘 나이트라이드 층 (3a) 및 아연 산화물 기반 층(17)사이에서 향상된 부착력(adhesion)을 제공한다.

도면에서 다양한 층들에 대하여 나타난 물질들이 본 발명의 일 실시예에서 바람직한 물질들이라도, 이들은 하기 청구항을 한정할 의미로 제시된 것은 아니다. 다른 물질들이 본 발명의 일 실시예에서 도면에서 나타난 물질을 대체하여 사용될 수 있다. 더우기, 본 발명의 다른 실시예에서 특정 층들은 제거될 수 있으며, 다른 층들은 더해질 수 있다. 마찬가지로, 예시된 두께는 또한 청구항을 한정할 목적으로 제시된 것이 아니다.

본 발명은 가장 실제적이고 바람직한 실시예를 고려하여 기재되었으나, 본 발명을 한정할 목적으로 제시된 것이 아니며, 반대로, 첨부된 청구항의 기술적 범위 내에서 등가의 변형을 포함한다.

Claims

하기를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치:
플라즈마 디스플레이 패널;
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 프런트 부분에 제공되는 전자파 차폐(EMI) 필터, 상기 EMI 필터는 글래스 기판에 의해 지지되는 EMI 코팅을 포함하고, 상기 EMI 코팅은 상기 글래스 기판으로부터 제거되는 하기 층을 포함함:
실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 층;
적어도 약 2.2의 굴절률(n)을 갖는 제1 고 굴절률 층;
아연 산화물을 포함하는 제1 층;
아연 산화물을 포함하는 제1 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 층;
제1 금속 산화물 층
아연 산화물을 포함하는 제2 층;
아연 산화물을 포함하는 제2 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제2층;
제2 금속 산화물 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층;
제3 금속 산화물 층; 및
오버코트층.
제1항에 있어서,
상기 제1 고굴절률층이 티타늄을 포함하는, 플라즈마 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
글래스 기판 및 EMI 코팅 결합이 적어도 55%, 더욱 바람직하게는 적어도 60%의 가시 투과율을 갖는, 플라즈마 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩 층은 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩 층보다 두꺼운, 플라즈마 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩 층은 실버를 포함하는 제1 및 제2 EMI 쉴딩 층 모두 보다 두꺼운, 플라즈마 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
적어도 2.2의 반사율을 갖는 제2 고굴절률층을 더 포함하고, 상기 제2 고굴절률층은 티타늄의 산화물을 포함하고, 제2 및 제3 EMI 쉴딩 층 사이에 위치하는, 플라즈마 디스플레이 장치.
제6항에 있어서,
티타늄의 산화물을 포함하는 고굴절률층이 제1 및 제2 EMI 쉴딩 층 사이에 위치하지 않는, 플라즈마 디스플레이 장치.
하기를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치로:
플라즈마 디스플레이 패널;
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 프런트 부분에 제공되는 전자파 차폐(EMI) 필터, 상기 EMI 필터는 글래스 기판에 의해 지지되는 EMI 코팅을 포함하고, 상기 EMI 코팅은 상기 글래스 기판으로부터 제거되는 하기 층을 포함함:
아연 산화물을 포함하는 제1 층;
아연 산화물을 포함하는 제1 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 층;
아연 산화물을 포함하는 제2 층;
아연 산화물을 포함하는 제2 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제2 층;
제2 금속 산화물 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층; 및
오버코트층;
실버를 포함하는 상기 제3 EMI 쉴딩층은 실버를 포함하는 제1 및/또는 제2 EMI 쉴딩층보다 두꺼운, 플라즈마 디스플레이 장치.
제8항에 있어서,
실버를 포함하는 상기 제3 EMI 쉴딩층은, 실버를 포함하는 제1 및/또는 제2 EMI 쉴딩층보다 적어도 1 nm 더 두꺼운(더욱 바람직하게는 적어도 2 nm, 가장 바람직하게는 적어도 3 nm), 플라즈마 디스플레이 장치.
제8항에 있어서,
글래스 기판 및 EMI 코팅 결합이 적어도 55%, 더욱 바람직하게는 적어도 60%의 가시 투과율을 갖는, 플라즈마 디스플레이 장치.
제8항에 있어서,
글래스 기판과 제1 EMI 쉴딩층의 사이에 위치하는 티타늄 산화물을 포함하는 고굴절률 층을 더 포함하지만, 티타늄 산화물을 포함하는 고굴절률 층이 제1 및 제2 EMI 쉴딩층의 사이에 존재하지 않는, 플라즈마 디스플레이 장치.
디스플레이 장치용 EMI 필터로,
상기 EMI 필터는 하기를 포함하고:
글래스 기판에 지지되는 EMI 코팅, 상기 EMI 코팅은 상기 글래스 기판으로부터 제거되는 하기 층을 포함함:
아연 산화물을 포함하는 제1 층;
아연 산화물을 포함하는 제1 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 층;
아연 산화물을 포함하는 제2 층;
아연 산화물을 포함하는 제2 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제2 층;
제2 금속 산화물 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층; 및
오버코트층;
실버를 포함하는 상기 제3 EMI 쉴딩층은 실버를 포함하는 제1 및/또는 제2 EMI 쉴딩층보다 두꺼운, 디스플레이 장치용 EMI 필터.
하기를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치:
플라즈마 디스플레이 패널;
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 프런트 부분에 제공되는 전자파 차폐(EMI) 필터, 상기 EMI 필터는 글래스 기판에 의해 지지되는 EMI 코팅을 포함하고, 상기 EMI 코팅은 상기 글래스 기판으로부터 제거되는 하기 층을 포함함:
실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 층;
아연 산화물을 포함하는 제1 층;
아연 산화물을 포함하는 제1 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 층;
제1 금속 산화물 층
아연 산화물을 포함하는 제2 층;
아연 산화물을 포함하는 제2 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제2 층;
제2 금속 산화물 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층;
제3 금속 산화물 층;
오버코트층; 및
Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층은 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 및/또는 제2 EMI 쉴딩층 중 어느 하나 또는 양쪽 모두 보다 덜 산화된, 플라즈마 디스플레이 장치.
제13항에 있어서,
Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층은 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 및 제2 층 모두 보다 덜 산화된, 플라즈마 디스플레이 장치.
제13항에 있어서,
실버를 포함하는 제4 EMI 쉴딩층 및 적어도 제3 금속 산화물 층에 위치하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제 4층을 더 포함하고,
Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 상기 제 4층은 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 상기 제1, 제2 및 제3 층 중 적어도 2 이상 보다 산화가 덜 이루어진, 플라즈마 디스플레이 장치.
제13항에 있어서,
실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 층은 Si_xN_y 층을 포함하고,
상기 x/y 는 0.76 내지 1.5 인, 디스플레이 장치.
제13항에 있어서,
실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 층은 Si_xN_y 층을 포함하고,
상기 x/y 는 0.85 내지 1.2 인, 디스플레이 장치.
하기를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치:
플라즈마 디스플레이 패널;
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 프런트 부분에 제공되는 전자파 차폐(EMI) 필터, 상기 EMI 필터는 글래스 기판에 의해 지지되는 EMI 코팅을 포함하고, 상기 EMI 코팅은 상기 글래스 기판으로부터 제거되는 하기 층을 포함함:
실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 층;
아연 산화물을 포함하는 제1 층;
아연 산화물을 포함하는 제1 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제1 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제1 층;
제1 금속 산화물 층;
아연 산화물을 포함하는 제2 층;
아연 산화물을 포함하는 제2 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제2 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제2층;
제2 금속 산화물 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층;
아연 산화물을 포함하는 제3 층과 접촉하는 실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층;
실버를 포함하는 제3 EMI 쉴딩층과 접촉하는 Ni 및/또는 Cr 의 산화물을 포함하는 제3 층;
제3 금속 산화물 층;
오버코트층; 및
실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 층은 Si_xN_y 층을 포함하고,
상기 x/y 는 0.85 내지 1.2 인,
플라즈마 디스플레이 장치.
제18항에 있어서,
적어도 제1 및 제2 EMI 쉴딩층 사이에 위치한 실리콘 나이트라이드를 포함하는 추가 층을 더 포함하고,
실리콘 나이트라이드를 포함하는 상기 추가 층은 Si_xN_y 층을 포함하고,
상기 x/y 는 0.85 내지 1.2 인,
플라즈마 디스플레이 장치.