TW201806777A - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種在400nm以上小於495nm、495nm以上小於600nm及600nm以上780nm以下之各波長區域各別具有發光光譜之峰頂的液晶顯示裝置中，於使用配向薄膜作為偏光片保護薄膜時，也可抑制虹斑的液晶顯示裝置。
一種液晶顯示裝置，其係具有背光光源、光源側偏光板、液晶胞、及識別側偏光板之液晶顯示裝置；其中該背光光源在400nm以上小於495nm、495nm以上小於600nm及600nm以上780nm以下之各波長區域各別具有發光光譜之峰頂，各峰的半峰寬為5nm以上；該識別側偏光板包含具有1500~30000nm之延遲的聚酯薄膜A、及在聚酯薄膜A之至少一面積層之抗反射層及/或低反射層；該光源側偏光板包含聚酯薄膜B；在將聚酯薄膜B之延遲定為ReB，將存在於背光光源之600nm以上780nm以下的波長區域之峰的峰頂之波長定為Rx，且將半峰寬定為Ry時，Ry/[Rx/(ReB/Rx)]為0.55以上。

Description

液晶顯示裝置
本發明係關於一種液晶顯示裝置。詳細而言，關於一種減低虹狀色斑之產生的液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置(LCD)所使用的偏光板通常為將在聚乙烯醇(PVA)等染上碘的偏光片以2片偏光片保護薄膜夾持的結構，且作為偏光片保護薄膜，大多的情況係使用三乙醯纖維素(TAC)薄膜。近年來伴隨LCD之薄型化，變得需要偏光板之薄層化。但是，因此若將作為保護薄膜使用之TAC薄膜的厚度變薄，則無法得到充分的機械強度，而且產生透濕性惡化的問題。又，TAC薄膜為非常高價，作為廉價之代替素材，有人提出聚酯薄膜(專利文獻1~3)，但有觀察到虹狀色斑之問題。
在偏光片的單側配置具有雙折射性的配向聚酯薄膜時，在自背光單元、或是偏光片射出的直線偏光通過聚酯薄膜之際，偏光狀態產生變化。透射的光在配向聚酯薄膜的雙折射與厚度之積的延遲顯示特有的干涉色。因此，若使用冷陰極管或熱陰極管等不連續的發光光譜作 為光源，則因波長而顯示不同的透射光強度，且成為虹狀色斑(參照：第15回Micro Optical Conference會議論文集、第30~31項)。
作為解決上述之問題的手段，有人提出使用如白色發光二極體之連續且具有寬廣的發光光譜之白色光源作為背光光源，並且使用具有一定之延遲的配向聚酯薄膜作為偏光片保護薄膜(專利文獻4)。白色發光二極體，在可見光區域中具有連續且寬廣的發光光譜。因此，有人提出若注目於透射雙折射體的透射光所致之干涉色光譜的包絡線形狀，則藉由控制配向聚酯薄膜之延遲，可得到與光源之發光光譜相似的光譜，且可抑制虹斑。
藉由使配向聚酯薄膜的配向方向與偏光板的偏光方向相對於彼此成為正交、或平行，自偏光片射出的直線偏光，即使通過配向聚酯薄膜，也可維持偏光狀態而通過。又，藉由控制配向聚酯薄膜之雙折射，提高單軸配向性，自斜向入射的光，也可維持偏光狀態而通過。若傾斜觀看配向聚酯薄膜，則與自正上方觀察時相比，在配向主軸方向產生偏差，但若單軸配向性高，則自傾斜觀察時的配向主軸方向之偏差變小。因此，直線偏光的方向與配向主軸方向之偏差變小，偏光狀態之變化變得難以產生。如前述，藉由控制光源的發光光譜與雙折射體的配向狀態、及配向主軸方向，可抑制偏光狀態之變化，不會產生虹狀色斑，且識別性顯著改善。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特開2002-116320號公報
專利文獻2 日本特開2004-219620號公報
專利文獻3 日本特開2004-205773號公報
專利文獻4 WO2011/162198
利用使用聚酯薄膜作為偏光片保護薄膜的偏光板，工業上生產液晶顯示裝置時，通常以使偏光片的透射軸與聚酯薄膜的快軸之方向相互垂直的方式而配置。前述為如下述之情事所致。偏光片之聚乙烯醇薄膜係進行縱單軸延伸而製造。因此，作為偏光片使用的聚乙烯醇薄膜為通常在延伸方向長的薄膜。另一方面，作為其保護薄膜之聚酯薄膜，朝其長邊方向進行縱延伸後，進行橫延伸而製造，因此聚酯薄膜配向主軸方向成為橫向。亦即，作為偏光片保護薄膜使用的聚酯薄膜之配向主軸與薄膜的長邊方向約為垂直交叉。該等之薄膜，從製造效率之觀點，通常以使彼此的長邊方向成為平行的方式貼合以製造偏光板。若為如此，聚酯薄膜的快軸與偏光片的透射軸，通常成為垂直方向。此時，藉由使用具有特定延遲之配向聚酯薄膜作為聚酯薄膜，且使用如白色LED之連續並具有寬廣的發光光譜之光源作為背光光 源，虹狀色斑將大幅地改善。但是，當背光光源含有包含射出激發光的光源與量子點之發光層時，發現存在有依然產生虹斑之新的課題。
由於近年之色域擴大需求之高漲，故除了利用量子點技術的白色光源以外，也開發一種白色光源的發光光譜在R(紅)、G(綠)、及B(藍)之各波長區域各別具有明確的相對發光強度之峰的液晶顯示裝置。例如，開發一種對應廣色域化之液晶顯示裝置，其係使用以下各式各樣的種類之光源：使用利用激發光在R(紅)、及G(綠)之區域具有明確的發光峰之螢光體與藍色LED之螢光體方式的白色LED光源、3波長方式的白色LED光源、以及組合紅色雷射之白色LED光源等。該等之白色光源，相較於以往以來包含使用通用之YAG系黃色螢光體的白色發光二極體之光源，峰的半峰寬均窄。該等之白色光源，在將具有延遲的聚酯薄膜作為偏光板的構成構件之偏光片保護薄膜使用時，發現存在與上述之具有含有包含射出激發光的光源與量子點之發光層的背光光源之液晶顯示裝置的情況同樣的課題。
亦即，本發明的課題之一為提供一種液晶顯示裝置，如包含射出激發光的光源與量子點之背光光源所代表，在具有發光光譜之各峰的半峰寬比較窄之背光光源的液晶顯示裝置中，使用聚酯薄膜作為偏光片保護薄膜時，也可抑制虹斑。
代表的本發明係如下述。
項1.
一種液晶顯示裝置，其係具有背光光源、光源側偏光板、液晶胞、及識別側偏光板之液晶顯示裝置，其中該背光光源在400nm以上小於495nm、495nm以上小於600nm及600nm以上780nm以下之各波長區域各別具有發光光譜之峰頂，各峰的半峰寬為5nm以上；該識別側偏光板包含具有1500~30000nm之延遲的聚酯薄膜A、及在聚酯薄膜A之至少一面積層之抗反射層及/或低反射層；該光源側偏光板包含聚酯薄膜B；且在將聚酯薄膜B之延遲定為ReB，將存在於背光光源之600nm以上780nm以下的波長區域之峰的峰頂之波長定為Rx，且將半峰寬定為Ry時，Ry/[Rx/(ReB/Rx)]為0.55以上。
項2.
如項1記載之液晶顯示裝置，其中在將存在於該400nm以上小於495nm的波長區域之峰的峰頂之波長定為Bx，將半峰寬定為By，且將存在於該495nm以上小於600nm的波長區域之峰的峰頂之波長定為Gx，將半峰寬定為Gy時，By/[Bx/(ReB/Bx)]為0.55以上，而且，Gy/[Gx/(ReB/Gx)]為0.55以上。
項3.
如項1或2記載之液晶顯示裝置，其中該Rx為630nm以上。
項4.
如項1至3中任一項記載之液晶顯示裝置，其中該Ry為180nm以下。
項5.
如項1至4中任一項記載之液晶顯示裝置，其中該光源包含射出激發光的光源與量子點。
項6.
如項1至5中任一項記載之液晶顯示裝置，其中該抗反射層表面之波長550nm的表面反射率為2.0%以下。
本發明的液晶顯示裝置及偏光板，具有廣泛色域，且在任何的觀察角度中，均可具有顯著抑制虹狀色斑的產生之良好的識別性。
圖1表示在單一之波長區域內存在多個峰的情況之例。
圖2表示在單一之波長區域內存在多個峰的情況之例。
圖3表示在單一之波長區域內存在多個峰的情況之例。
圖4表示在單一之波長區域內存在多個峰的情況之例。
圖5為表示具有7000nm之延遲的配向薄膜之透光率的圖表。
實施發明的形態
一般而言，液晶顯示裝置係以自配置背光光源(也稱為「背光單元」)側朝顯示圖像側(識別側)之順序，具有後面模組、液晶胞及前面模組。後面模組及前面模組，一般由透明基板、在其液晶胞側表面形成的透明導電膜、及在其相反側配置的偏光板構成。亦即，偏光板在後面模組中係配置於與背光光源相對向側，在前面模組中係配置於顯示圖像側(識別側)。
液晶顯示裝置至少將背光光源與在2個偏光板之間配置的液晶胞作為構成構件。該背光光源較佳為具有在400nm以上小於495nm、495nm以上小於600nm、及600nm以上780nm以下之各波長區域各別具有峰頂，且各峰的半峰寬為5nm以上之發光光譜。以CIE色度圖定義的藍色、綠色、紅色的各峰波長，已知各別為435.8nm(藍色)、546.1nm(綠色)、及700nm(紅色)。前述400nm以上小於495nm、495nm以上小於600nm、及600nm以上780nm以下的各波長區域，各別相當於藍色區域、綠色區域、及紅色區域。作為具有如上述的發光光譜之光源，可舉出至少包含射出激發光的光源與量子點之背光光源。除此以外，可例示組合利用激發光在R(紅)、及G(綠)之區域各別具有發光峰的螢光體與LED之螢光體方式的白色LED光源、3波長方式的白色LED光源、組合紅色雷射 的白色LED光源等。作為前述螢光體中之紅色螢光體，可例示例如，將CaAlSiN3：Eu等作為基本組成的氮化物系螢光體、將CaS：Eu等作為基本組成的硫化物系螢光體、將Ca2SiO4：Eu等作為基本組成的矽酸鹽系螢光體等。又，作為前述螢光體中之綠色螢光體，可例示例如，將β-SiAlON：Eu等作為基本組成的氮化矽系螢光體、將(Ba,Sr)2SiO4：Eu等作為基本組成的矽酸鹽系螢光體。
液晶顯示裝置，除了背光光源、偏光板、液晶胞以外，亦可適當具有其它的構成，例如，彩色濾光片、透鏡薄膜、擴散薄片、抗反射薄膜等。在光源側偏光板與背光光源之間，亦可設置亮度提升薄膜。作為亮度提升薄膜，可舉出例如，透射一方的直線偏光，反射與其正交的直線偏光之反射型偏光板。作為反射型偏光板，例如，可適當使用住友3M股份有限公司製之DBEF(註冊商標)(Dual Brightness Enhancement Film)系列的亮度提升薄膜。再者，反射型偏光板，通常使反射型偏光板的吸收軸與光源側偏光板的吸收軸成為平行而配置。
在液晶顯示裝置內配置的2個偏光板中，識別側偏光板，從抑制虹狀色斑之觀點，較佳為包含具有1500~30000nm之延遲的聚酯薄膜A、及在其至少一面積層之抗反射層及/或低反射層。抗反射層及/或低反射層，可在與聚酯薄膜A之積層偏光片的面為相反側的面設置，也可在聚酯薄膜A之積層偏光片的面設置，亦可 為其雙方。較佳為在與積層聚酯薄膜A之偏光片的面相反側之面設置抗反射層及/或低反射層。在聚酯薄膜A之積層偏光片的面設置抗反射層及/或低反射層時，該層較佳為在聚酯薄膜與偏光片之間設置。又，在抗反射層及/或低反射層與聚酯薄膜A之間，亦可存在其它的層(例如，易接著層、硬塗層、防眩層、抗靜電層、防污層等)。從進一步抑制虹狀色斑之觀點，與偏光片的透射軸平行的方向之前述聚酯薄膜A的折射率，較佳為1.53以上1.62以下。較佳為在偏光片之另一面，積層如TAC薄膜、丙烯酸薄膜、及降莰烯系薄膜所代表之沒有雙折射的薄膜(3層構成的偏光板)，但未必需要在偏光片之另一面積層薄膜(2層構成的偏光板)。再者，使用聚酯薄膜A作為偏光片之兩側的保護薄膜時，較佳為兩方的聚酯薄膜之慢軸彼此為略平行。
聚酯薄膜A可透過任意的接著劑積層於偏光片，亦可不透過接著劑進行直接積層。作為接著劑，沒有特別限制，可使用任意者。作為一例，可使用水系的接著劑(亦即，將接著劑成分溶解於水者或分散於水者)。例如，作為主成分，可使用含有聚乙烯醇系樹脂、及/或胺基甲酸酯樹脂等之接著劑。為了提升接著性，視需要也可使用將異氰酸酯系化合物、及/或環氧化合物等進一步摻合的接著劑。又，作為其它之一例，也可使用光硬化性接著劑。在一實施形態中，較佳為無溶劑型的紫外線硬化型接著劑。作為光硬化性樹脂，可舉出例如，光硬化性環氧樹脂與光陽離子聚合起始劑之混合物等。
作為背光之構成，可為將導光板或反射板等作為構成構件的邊光(edge lighting)方式，亦可為直下型方式。背光光源較佳為將包含射出激發光的光源與量子點的背光光源作為代表例之「具有在400nm以上小於495nm、495nm以上小於600nm、及600nm以上780nm以下之各波長區域各別具有峰頂，且各峰的半峰寬為5nm以上之發光光譜的背光光源」。再者，量子點例如可設置包含大量量子點的層，將其作為發光層使用於背光。
對量子點技術的LCD之應用，由於近年之色域擴大需求之高漲而為受矚目的技術。將通常的白色LED作為背光光源使用的LED，僅能重現人類的眼睛可識別的光譜之20%左右的顏色。相對於此，據稱使用含有包含射出激發光的光源與量子點之發光層的背光光源時，可重現人類的眼睛可識別的光譜之60%以上的顏色。實用化的量子點技術，有Nanosys公司之QDEFTM或QD Vision公司之Color IQTM等。
包含量子點的發光層，例如，在聚苯乙烯等之樹脂材料等包含量子點而構成，且為基於自光源射出的激發光，在畫素單元射出各色的發光光之層。該發光層例如包含配置於紅色畫素的紅色發光層、配置於綠色畫素的綠色發光層、及配置於藍色畫素的藍色發光層，該等多色的發光層之量子點，基於激發光而生成彼此不同之波長(色)的發光光。
作為如前述的量子點之材料，可舉出例如，CdSe、CdS、ZnS：Mn、InN、InP、CuCl、CuBr、及Si等，該等之量子點的粒徑(一邊方向的尺寸)，例如為2~20nm左右。又，上述的量子點材料中，作為紅色發光材料，可舉出InP，作為綠色發光材料，可舉出例如CdSc，作為藍色發光材料，可舉出例如CdS等。如前述的發光層中，藉由使量子點的尺寸(粒徑)或材料之組成產生變化，可確認發光波長產生變化。控制量子點的尺寸(粒徑)或材料，與樹脂材料混合，且每個畫素以不同顏色塗布來使用。又，在大多的用途，鎘等重金屬之使用有限制的方向，因此保持與以往者同樣的亮度及安定性的同時為無鎘的量子點也正在開發。
作為發出激發光的光源，可利用藍色LED，也可使用半導體雷射等雷射光。藉由自光源發出的激發光通過發光層，產生在400nm以上小於495nm、495nm以上小於600nm、及600nm以上780nm以下之各波長區域各別具有峰頂的發光光譜。此時，各波長區域之峰的半峰寬越窄色域越廣，但若峰的半峰寬變窄，則發光效率下降，因此考慮需要的色域與發光效率之平衡來設計發光光譜的形狀。
使用量子點的光源，並沒有限定於以下，但大致上有2種安裝方式。一種為沿著背光之導光板的端面(側面) 安裝量子點的On-Edge方式。將數nm~數十nm徑之粒子的量子點加入至數mm徑的玻璃管中並密封，且將前述配置於藍色LED與導光板之間。來自藍色LED的光照射於玻璃管，其中衝擊量子點的藍色光轉換為綠色光或紅色光。On-Edge方式有即使為大畫面也可減少量子點之使用量的優點。另一種為在導光板上乘載量子點的表面安裝方式。將量子點分散於樹脂且薄片化，將前述以2片阻隔薄膜夾持，並將密封的量子點薄膜鋪設於導光板上。阻隔薄膜發揮抑制水或氧所致的量子點之劣化的作用。藍色LED係與On-Edge方式同樣地置於導光板的端面(側面)。來自藍色LED的光進入至導光板成為面狀的藍色光，且其照射量子點薄膜。表面安裝方式的優點大致上有兩個，一個為藍色LED的光經由導光板衝擊量子點，因此來自LED的熱之影響少，容易確保可靠度。另一個為由於為薄膜狀，因此容易對應由小型至大型之廣泛的畫面尺寸。
背光光源較佳為在400nm以上小於495nm、495nm以上小於600nm、及600nm以上780nm以下之各波長區域各別具有發光光譜之峰頂，各峰的半峰寬為5nm以上。該400nm以上小於495nm之波長區域，更佳為430nm以上470nm以下。該495nm以上小於600nm之波長區域，更佳為510nm以上560nm以下。該600nm以上780nm以下之波長區域，更佳為600nm以上750nm以下，進一步更佳為630nm以上700nm以下，特佳為630nm以上 680mn以下。各峰的半峰寬之較佳的下限值為10nm以上，更佳為15nm以上，進一步更佳為20nm以上。從確保最佳的色域之觀點，各峰的半峰寬之上限，較佳為180nm以下，較佳為140nm以下，較佳為120nm以下，較佳為100nm以下，更佳為80nm以下，進一步更佳為60nm以下，再更佳為45nm以下。再者，在此之半峰寬係為峰頂之波長的峰強度之1/2的強度之峰寬(nm)。在此記載之波長區域的各別上限及下限，假定為此等之任意的組合。在此記載之半峰寬的各別上限及下限，假定為此等之任意的組合。峰強度、背光光源的發光光譜，例如，可使用Hamamatsu Photonics K.K.製多通道光譜儀PMA-12等進行測定。
茲認為在400nm以上小於495nm的波長區域、495nm以上小於600nm的波長區域、或600nm以上780nm以下的波長區域之任一者的波長區域中存在多個峰的情況如下。多個峰為各別獨立的峰時，峰強度最高的峰之半峰寬較佳為上述範圍。再者，關於具有最高的峰強度之70%以上的強度之其它的峰，也同樣地使半峰寬成為上述範圍為更佳的態樣。關於具有多個峰重疊的形狀之一個獨立的峰，當可直接測定多個峰中之峰強度最高的峰之半峰寬時，係使用其半峰寬。在此，獨立的峰為在峰之短波長側、長波長側皆具有成為峰強度之1/2的強度之區域者。亦即，當多個峰重疊且各別的峰未具有成為峰強度之1/2的強度之區域時，可將該多個峰作為全體而視 為一個峰。如前述具有多個峰重疊的形狀之一個峰，將其中最高的峰強度之1/2的強度之峰的寬(nm)定為半峰寬。多個峰之中，將峰強度最高的點定為峰頂。將在單一波長區域內存在多個峰的情況之半峰寬，在圖1~4中以雙向箭頭表示。
圖1中，峰A及B，各自將峰作為起點，在短波長側及長波長側存在成為峰強度之1/2的點。因此，峰A及B為各別獨立的峰。圖1的情況，只要以具有最高之峰強度的峰A之雙向箭頭之寬度來評價半峰寬即可。
圖2中，峰A在其短波長側及長波長側存在成為峰強度之1/2的點，但峰B在其長波長側未存在成為峰強度之1/2的點。因此，將峰A及峰B一併視為獨立的1個峰。關於如此具有多個峰重疊的形狀之一個獨立的峰，當可直接測定多個峰中之峰強度最高的峰之半峰寬時，將其半峰寬定為獨立的峰之半峰寬。因此，圖2的情況，峰的半峰寬為雙向箭頭之寬度。
圖3中，峰A在其短波長側未存在成為峰強度之1/2的點，峰B在其長波長側未存在成為峰強度之1/2的點。因此，圖3係與圖2的情況同樣地將峰A及峰B一併視為獨立的1個峰，且其半峰寬為以雙向箭頭表示的寬度。
圖4中，峰A在其短波長側及長波長側存在成為峰強度之1/2的點，但峰B在其長波長側未存在成為峰強度之1/2的點。因此，將峰A及峰B一併視為獨立的1個峰。關於具有多個峰重疊的形狀之一個獨立的峰，當可直接測定多個峰中之峰強度最高的峰之半峰寬時，使用其半峰寬。因此，圖4的情況，其半峰寬為以雙向箭頭表示的寬。
圖1~4係將400nm以上小於495nm的波長區域示於例，但在其它的波長區域中也可應用同樣的想法。
多個峰之中，將峰強度最高的峰作為峰頂。再者，400nm以上小於495nm的波長區域、495nm以上小於600nm的波長區域、或600nm以上780nm以下的波長區域之具有最高的峰強度之峰，較佳為與其它的波長區域之峰彼此獨立的關係。特別是在於495nm以上小於600nm的波長區域具有最高的峰強度之峰、與於600nm以上780nm以下的波長區域具有最高的峰強度之峰之間的波長區域，從色彩的鮮明性之方面，較佳為存在強度成為具有600nm以上780nm以下波長區域之最高的峰強度之峰的峰強度之1/3以下的區域。
背光光源的發光光譜，可藉由使用Hamamatsu Photonics K.K.製多通道光譜儀PMA-12等之分光器測定。
本發明發現可提供一種液晶顯示裝置及對於提供其為有用的偏光板，該液晶顯示裝置係在具有如包含射出激發光的光源與量子點之背光光源的具有發光光譜之各峰的半峰寬比較窄之背光光源的液晶顯示裝置中，只要使用具有抗反射層及/或低反射層作為偏光片保護薄膜，且具有特定延遲的聚酯薄膜，則可抑制虹斑。茲認為藉由上述態樣而抑制虹狀色斑之產生的機構如下。
在偏光片的單側配置配向聚酯薄膜時，在自背光單元、或是偏光片射出的直線偏光通過聚酯薄膜之際，偏光狀態產生變化。偏光狀態產生變化的主因之一，有可能是空氣層與配向聚酯薄膜之界面的折射率差、或偏光片與配向聚酯薄膜之界面的折射率差產生影響。入射至配向聚酯薄膜的直線偏光，在通過各界面之際，利用界面間之折射率差反射光之一部分。此時，出射光、反射光，偏光狀態均產生變化，且其成為虹狀色斑產生的主因之一。因此，藉由在配向聚酯薄膜的表面賦予抗反射層或低反射層，減低表面反射，可抑制空氣層與配向聚酯薄膜之界面的反射，且抑制虹狀色斑。
如上，藉由組合以包含射出激發光的光源與量子點之背光光源為代表的發光光譜之各峰的半峰寬比較窄之背光光源、與使用聚酯薄膜作為偏光片保護薄膜的偏光板，可抑制虹狀色斑，且具有良好的識別性。
聚酯薄膜A較佳為具有1500以上30000nm以下之延遲。只要延遲在上述範圍，則有變得更容易減低虹斑的傾向而較佳。較佳之延遲的下限值為3000nm，更佳的下限值為3500nm，進一步更佳的下限值為4000nm，特佳的下限值為6000nm，最佳的下限值為8000nm。較佳之上限為30000nm，具有在其以上之延遲的聚酯薄膜，厚度會變得相當大，而有作為工業材料之處理性下降的傾向。在本說明書中，除了另外表示的情況以外，延遲意指面內延遲。在本說明書中，為了與聚酯薄膜B之延遲區別，有時將聚酯薄膜A之延遲標記為ReA。
從抑制虹狀色斑之觀點，較佳為光源側偏光板包含聚酯薄膜B，在將其延遲定為ReB，將存在於背光光源之600nm以上780nm以下的波長區域之峰的峰頂之波長定為Rx，且將半峰寬定為Ry時，Ry/[Rx/(ReB/Rx)]為0.55以上。Ry/[Rx/(ReB/Rx)]若為0.55以上，則在自正面方向及斜向觀察液晶顯示裝置之際，可抑制虹斑之發生而較佳。Ry/[Rx/(ReB/Rx)]進一步較佳為0.6以上，更佳為0.65以上，進一步更佳為0.7以上，特佳為0.75以上，最佳為0.8以上。該值越高越好，但從配向薄膜之薄膜化、液晶顯示裝置之廣色域化的觀點，較佳為10以下，更佳為7以下，進一步更佳為5以下，最佳為3以下。再者，在此配向薄膜具有之延遲為波長589nm的值。
在正交尼寇稜鏡間之對角位配置雙折射體，並使用白色光源作為背光光源時，將透射正交尼寇稜鏡的光作為干涉色定義的話，透光率係以式(1)表示。
I/I0=1/2‧sin2(π‧Re/λ)…(1)
在此，I0表示入射至正交尼寇稜鏡之光的強度，I表示透射正交尼寇稜鏡之光的強度，Re表示雙折射體之延遲。如前述，透射率(I/I0)因延遲、光之波長而產生變化，因此在延遲的數值觀察到特有的干涉色。透光率係如上述式(1)為以sin之平方表示的函數，如圖5所示，成為透射強度重複上下的圖表。在此，Rx/(ReB/Rx)相當於在波長Rx的透射強度之重複的間隔(nm)。因此，Ry/[Rx/(ReB/Rx)]為表示在半峰寬Ry之間存在幾個透射強度之重複的指標。在半峰寬Ry之間，透射強度之重複越多，越可抑制顯示畫面所觀察到的虹斑。
Rx較佳為600nm以上780nm以下。Rx較佳為630nm以上，更佳為635nm以上，進一步更佳為640nm以上，特佳為645nm以上。又，上限較佳為780nm以下，更佳為700nm以下，進一步更佳為680nm以下。若Rx為630nm以上，則可將紅色更鮮明地顯示，且可確保色域廣泛而較佳。若為780nm以下，則可大量輸出容易識別的區域之光而較佳。
半峰寬Ry較佳為180nm以下，較佳為150nm以下，較佳為140nm以下，較佳為120nm以下，較佳為110nm 以下，較佳為100nm以下，更佳為80nm以下，進一步更佳為60nm以下，特佳為45nm以下。若半峰寬大，則橘色域的光成分變多，變得難以顯示純粹的紅色，因此Ry的值較佳為180nm以下。Ry的下限較佳為5nm以上，更佳為10nm以上，進一步更佳為15nm以上，特佳為20nm以上。
再者，在將存在於背光光源之400nm以上小於495nm的波長區域之峰的峰頂之波長定為Bx，將半峰寬定為By，將存在於該495nm以上小於600nm的波長區域之峰的峰頂之波長定為Gx，將半峰寬定為Gy時，較佳為By/[Bx/(ReB/Bx)]為0.55以上、及/或Gy/[Gx/(ReB/Gx)]為0.55以上。更佳為By/[Bx/(ReB/Bx)]為0.55以上，而且，Gy/[Gx/(ReB/Gx)]為0.55以上。By/[Bx/(ReB/Bx)]及Gy/[Gx/(ReB/Gx)]均更佳為0.60以上，進一步更佳為0.65以上，特佳為0.7以上，進一步特佳為0.75以上，最佳為0.8以上。若為0.55以上，則可進一步抑制虹斑之產生而較佳。該等值越高越好，但從配向薄膜之薄膜化、液晶顯示裝置之廣色域化的觀點，較佳為10以下，更佳為7以下，進一步更佳為5以下，特佳為3以下。
與上述的Ry/[Rx/(ReB/Rx)]同樣，Bx/(ReB/Bx)為相當於在波長Bx的透射強度之重複的間隔(nm)者，By/[Bx/(ReB/Bx)]為表示在半峰寬By之間存在幾個透射 強度之重複的指標。又，Gx/(ReB/Gx)為相當於在波長Gx的透射強度之重複的間隔(nm)者，Gy/[Gx/(ReB/Gx)]為表示在半峰寬Gy之間存在幾個透射強度之重複的指標。半峰寬By及Gy之各別的透射強度之重複越多，越可進一步抑制顯示畫面所觀察到的虹斑。
Bx較佳為400nm以上小於495nm，Gx較佳為495nm以上小於600nm。半峰寬By的上限較佳為100nm以下，更佳為70nm以下，進一步更佳為60nm以下，特佳為50nm以下。半峰寬By的下限較佳為5nm以上，更佳為8nm以上，進一步更佳為10nm以上，特佳為12nm以上。若小於5nm，則變得容易產生虹狀色斑。
半峰寬Gy的上限較佳為150nm以下，較佳為140nm以下，較佳為120nm以下，較佳為100nm以下，更佳為80nm以下，進一步更佳為70nm以下，特佳為60nm以下。半峰寬Gy的下限較佳為5nm以上，更佳為10nm以上，進一步更佳為15nm以上，特佳為20nm以上。若小於5nm，則變得容易產生虹狀色斑。
在一實施形態中，Bx，較佳為430nm以上470nm以下。Gx，較佳為510nm以上560nm以下。
如圖5所示，透射率與波長之關係重複上下。如圖5所示，相較於短波長區域，長波長區域有重複間隔變 長的傾向。因此，從確保色域廣泛之觀點，具有具備各峰的半峰寬By、Gy、Ry狹窄的發光光譜之白色光源之液晶顯示裝置，特別是滿足Ry/[Rx/(ReB/Rx)]為0.55以上之要件，會比By/[Bx/(ReB/Bx)]或Gy/[Gx/(ReB/Gx)]滿足條件更佳。
聚酯薄膜B較佳為具有3000~30000nm之延遲(ReB)。延遲小於3000nm則作為偏光片保護薄膜使用時，有在自斜向觀察時呈現干涉色，無法確保良好的識別性之虞。較佳之延遲的下限值為4500nm，更佳的下限值為5000nm，更佳的下限值為6000nm，進一步更佳的下限值為8000nm，再更佳的下限值為10000nm。
另一方面，即使使用具有超過30000nm之延遲的配向薄膜，不僅實質上無法得到進一步的識別性改善效果，而且薄膜的厚度也變得相當厚，作為工業材料之處理性下降，因而不佳。
聚酯薄膜之延遲可測定雙軸方向的折射率與厚度而求出，也可使用KOBRA-21ADH(王子計測機器股份有限公司)等之市售的自動雙折射測定裝置而求出。再者，折射率可藉由阿貝折射率計(測定波長589nm)而求出。
聚酯薄膜A及B的延遲(Re：面內延遲)與厚度方向的延遲(Rth)之比(Re/Rth)，較佳為0.2以上，較佳為0.3 以上，較佳為0.4以上，較佳為0.5以上，更佳為0.5以上，進一步更佳為0.6以上。上述延遲與厚度方向延遲之比(Re/Rth)越大，雙折射的作用越增加各向同性，且有變得難以產生觀察角度所致之虹狀色斑之產生的傾向。從完全的單軸性(單軸對稱)薄膜中，上述延遲與厚度方向延遲之比(Re/Rth)成為2.0之觀點，上述延遲與厚度方向延遲之比(Re/Rth)的上限，較佳為2.0。較佳的Re/Rth之上限為1.2以下。再者，厚度方向相位差意指對將薄膜從厚度方向剖面看時之2個雙折射△Nxz、△Nyz各別乘上薄膜厚度d而得到的相位差之平均。
從進一步抑制虹狀色斑之觀點，聚酯薄膜A及B的NZ係數較佳為2.5以下，更佳為2.0以下，進一步更佳為1.8以下，再更佳為1.6以下。而且，在完全的單軸性(單軸對稱)薄膜中，由於NZ係數成為1.0，因此NZ係數的下限為1.0。但是，隨著接近完全的單軸性(單軸對稱)薄膜，而有與配向方向正交的方向之機械強度顯著下降的傾向，因此必須留意。
NZ係數以| Ny-Nz |/| Ny-Nx |表示，在此，Ny表示慢軸方向之折射率，Nx表示與慢軸正交的方向之折射率(快軸方向的折射率)，Nz表示厚度方向的折射率。使用分子配向計(王子計測器股份有限公司製、MOA-6004型分子配向計)，求出薄膜的配向軸，並將配向軸方向及與其正交的方向之雙軸的折射率(Ny、Nx、 但是，Ny>Nx)、及厚度方向的折射率(Nz)，藉由阿貝折射率計(ATAGO公司製、NAR-4T、測定波長589nm)而求出。可將如此求出的數值代入| Ny-Nz |/| Ny-Nx |而求出NZ係數。
又，從進一步抑制虹狀色斑之觀點，聚酯薄膜A及B之Ny-Nx的數值，較佳為0.05以上，更佳為0.07以上，進一步更佳為0.08以上，再更佳為0.09以上，最佳為0.1以上。上限沒有特別限定，但聚對苯二甲酸乙二酯系薄膜的情況，上限較佳為1.5左右。
在識別側及光源側之各偏光板中，偏光片的吸收軸方向與聚酯薄膜(A、B)的慢軸方向，較佳為略平行或略垂直。從製造效率之觀點，偏光片的吸收軸方向與聚酯薄膜(A、B)的慢軸方向，較佳為略垂直。在此，略平行意指吸收軸與慢軸形成的角，較佳為±15°以下，更佳為±10°以下，再更佳為±5°以下，進一步更佳為±3°以下，又更佳為±2°以下，特佳為±1°以下。在較佳之一實施形態中，略平行實質上為平行。在此，實質上為平行意指在容許不可避免產生的偏差之程度，吸收軸與慢軸為平行。在此，略垂直意指吸收軸與慢軸形成的角，較佳為±15°以下，更佳為±10°以下，再更佳為±5°以下，進一步更佳為±3°以下，又更佳為±2°以下，特佳為±1°以下。在較佳之一實施形態中，略垂直實質上為垂直。在此，實質上為垂直意指在容許不可避免產生的偏差之程度，吸 收軸與慢軸垂直。慢軸的方向可以分子配向計(例如，王子計測器股份有限公司製、MOA-6004型分子配向計)進行測定而求出。
IPS模式、VA模式的液晶顯示裝置中，通常識別側偏光板係以使識別側偏光板的吸收軸之方向與畫面水平方向平行的方式而配置，光源側偏光板係以使光源側偏光板的吸收軸之方向與畫面上下方向平行的方式而配置。
在適合之一實施形態中，與構成識別側偏光板的偏光片之透射軸方向平行的方向之聚酯薄膜A的折射率，較佳為1.53以上1.62以下的範圍。藉此，可抑制偏光片與聚酯薄膜A之界面的反射，且可有效地抑制虹狀色斑。折射率若超過1.62，則在自斜向觀察之際，有虹狀色斑產生。與偏光片的透射軸方向平行的方向之聚酯薄膜A的折射率，較佳為1.61以下，更佳為1.60以下，進一步更佳為1.59以下，再更佳為1.58以下。關於與光源側偏光板的偏光片之透射軸方向平行的方向之聚酯薄膜B的折射率，也可適用與此相同的關係。
另一方面，與識別側偏光板的偏光片之透射軸方向平行的方向之聚酯薄膜A的折射率之下限值為1.53。若該折射率小於1.53，則聚酯薄膜之結晶化變得不足，且尺寸安定性、力學強度、耐化學性等之利用延伸得到的 特性變得不足，因此較不佳。該折射率較佳為1.56以上，更佳為1.57以上。假定為組合上述之該折射率的各上限與各下限之任意的範圍。關於與光源側偏光板的偏光片之透射軸方向平行的方向之聚酯薄膜B的折射率，也可適用與此相同的關係。
欲將與偏光片之透射軸方向平行的方向之聚酯薄膜的折射率設定為1.53以上1.62以下之範圍，較佳為偏光片的透射軸與積層於該偏光片之聚酯薄膜的快軸(與慢軸為垂直方向)為平行。聚酯薄膜藉由後述之製膜步驟的延伸處理，可將與慢軸垂直的方向之快軸方向的折射率調低為1.53~1.62左右。藉由使聚酯薄膜的快軸方向與偏光片的透射軸方向成為平行，可將與偏光片之透射軸方向平行的方向之聚酯薄膜的折射率設定為1.53~1.62。在此，平行意指偏光片的透射軸與偏光片保護薄膜的快軸形成的角度為-15°~15°，較佳為-10°~10°，進一步較佳為-5°~5°，更佳為-3°~3°，進一步更佳為-2°~2°，特佳為-1°~1°。在較佳之一實施形態中，平行，實質上為平行。在此，實質上為平行意指在容許於黏合偏光片與保護薄膜之際不可避免產生的偏差之程度，透射軸與快軸平行。慢軸的方向可以分子配向計(例如，王子計測器股份有限公司製、MOA-6004型分子配向計)進行測定而求出。
亦即，聚酯薄膜A及B之快軸方向的折射率，較佳為1.53以上1.62以下，藉由以使偏光片的透射軸與聚酯 薄膜A及B的快軸成為略平行的方式而積層，可使與偏光片之透射軸平行的方向之聚酯薄膜A及B的折射率成為1.53以上1.62以下。
在識別側偏光板中，包含聚酯薄膜A的偏光片保護薄膜，可將偏光片作為起點而配置於光源側，也可配置於識別側，亦可配置於兩側，但較佳為至少配置於識別側。在光源側偏光板中，包含聚酯薄膜B的偏光片保護薄膜，可將偏光片作為起點而配置於光源側，也可配置於識別側，亦可配置於兩側，但較佳為至少配置於光源側。
識別側偏光板可在其偏光片之未積層聚酯薄膜A側具有其它的偏光片保護薄膜。又，光源側偏光板可在其偏光片之未積層聚酯薄膜B側具有其它的偏光片保護薄膜。其它的保護薄膜之種類為任意，可適當選擇而使用以往以來作為保護薄膜使用的薄膜。從處理性及取得的容易性之觀點，例如，較佳為將選自於包含三乙醯纖維素(TAC)薄膜、丙烯酸薄膜、及環狀烯烴系樹脂薄膜(降莰烯系薄膜)、聚丙烯薄膜、及聚烯烴系樹脂薄膜(例如，TPX)等之群組的一種以上之未具有雙折射的薄膜作為其它的偏光片保護薄膜使用。
在一實施形態中，識別側偏光片的光源側保護薄膜及光源側偏光片的識別側保護薄膜，較佳為具有光學補 償功能的光學補償薄膜。如此的光學補償薄膜，可配合液晶之各方式而適當選擇，可舉出例如，由選自於包含在三乙醯纖維素中使液晶化合物(例如，圓盤狀液晶化合部及/或雙折射性化合物)分散的樹脂、環狀烯烴樹脂(例如，降莰烯樹脂)、丙醯乙酸酯樹脂、聚碳酸酯薄膜樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯丙烯腈共聚物樹脂、含內酯環的樹脂、及含醯亞胺基的聚烯烴樹脂等之群組之1種以上而得者。
光學補償薄膜可商業性地取得，因此也可適當選擇此等而使用。可舉出例如，TN方式用的「Wide View-EA」及「Wide View-T」(Fuji Film公司製)、VA方式用的「Wide View-B」(Fuji Film公司製)、VA-TAC(KONICA MINOLTA公司製)、「ZEONOR薄膜」(日本Zeon公司製)、「ARTON」(JSR公司製)、「X-plate」(日東電工公司製)、以及IPS方式用的「Z-TAC」(Fuji Film公司製)、「CIG」(日東電工公司製)、「P-TAC」(大倉工業公司製)等。
在聚酯薄膜使用的聚酯，可使用聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯，亦可包含其它的共聚合成分。該等樹脂係透明性佳的同時熱、機械特性也優異，可藉由延伸加工輕易地控制延遲。特別是從固有雙折射大、可藉由延伸薄膜而將快軸(與慢軸方向垂直)方向的折射率抑制為低、及即使薄膜的厚度薄也比較容易得到大的延遲之觀點，聚對苯二甲酸乙二酯為最適當的素材。
將抑制碘色素等光學功能性色素之劣化作為目的，聚酯薄膜較佳為波長380nm的透光率為20%以下。380nm的透光率更佳為15%以下，進一步更佳為10%以下，特佳為5%以下。若前述透光率為20%以下，則可抑制光學功能性色素的紫外線所致之變質。再者，透射率為相對於薄膜之平面以垂直方法測定者，且可使用分光光度計(例如，日立U-3500型)進行測定。
為了使聚酯薄膜的波長380nm之透射率成為20%以下，較佳為適當調節紫外線吸收劑的種類、濃度、及薄膜的厚度。本發明所使用的紫外線吸收劑為公知的物質。作為紫外線吸收劑，可舉出有機系紫外線吸收劑與無機系紫外線吸收劑，但從透明性之觀點，較佳為有機系紫外線吸收劑。作為有機系紫外線吸收劑，可舉出苯并三唑系、二苯甲酮系、環狀亞胺酯系等、及其組合，但若為本發明界定之吸光度的範圍，則沒有特別限定。但是，從耐久性之觀點，特佳為苯并三唑系、環狀亞胺酯系。在併用2種以上之紫外線吸收劑時，可同時吸收各別的波長之紫外線，因此可進一步改善紫外線吸收效果。
作為二苯甲酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、丙烯腈系紫外線吸收劑，可舉出例如，2-[2’-羥基-5’-(甲基丙烯醯氧甲基)苯基]-2H-苯并三唑、2-[2’- 羥基-5’-(甲基丙烯醯氧乙基)苯基]-2H-苯并三唑、2-[2’-羥基-5’-(甲基丙烯醯氧丙基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,4-二-三級丁基-6-(5-氯苯并三唑-2-基)酚、2-(2’-羥基-3’-三級丁基-5’-甲苯基)-5-氯苯并三唑、2-(5-氯(2H)-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(三級丁基)酚、2,2’-亞甲基雙(4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-(2H-苯并三唑-2-基)酚等。作為環狀亞胺酯系紫外線吸收劑，可舉出例如，(2,2’-(1,4-伸苯基)雙(4H-3,1-苯并-4-酮)、2-甲基-3,1-苯并-4-酮、2-丁基-3,1-苯并-4-酮、2-苯基-3,1-苯并-4-酮等。但是並沒有特別限定於該等。
又，除了紫外線吸收劑以外，在不妨礙本發明之效果的範圍，含有觸媒以外之各種的添加劑也為較佳的態樣。作為添加劑，可舉出例如，無機粒子、耐熱性高分子粒子、鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物、磷化合物、抗靜電劑、耐光劑、阻燃劑、熱安定劑、抗氧化劑、抗膠化劑、界面活性劑等。又，為了實現高透明性，在聚酯薄膜實質上未含有粒子也較佳。「實質上未含有粒子」意指例如，在無機粒子的情況，以磷光X射線分析定量無機元素時為50ppm以下，較佳為10ppm以下，特佳為成為檢測極限以下之含量。
較佳為在作為識別側偏光板的偏光片保護薄膜之聚酯薄膜A的至少一表面，設置抗反射層及/或低反射層。 抗反射層的表面反射率，較佳為2.0%以下。若超過2.0%，則虹狀色斑變得容易識別。抗反射層的表面反射率，更佳為1.6%以下，進一步更佳為1.2%以下，特佳為1.0%以下。抗反射層的表面反射率之下限，並沒有特別限制，但例如為0.01%。反射率可以任意的方法測定，例如，可使用分光光度計(島津製作所製、UV-3150)，自抗反射層側的表面測定波長550nm的光線反射率。
抗反射層可為單層，亦可為多層，在單層的情況，若將包含較聚酯薄膜低折射率的材料之低折射率層的厚度以成為光波長之1/4波長或其奇數倍的方式而形成，則可得到抗反射效果。又，在抗反射層為多層的情況，若使低折射率層與高折射率層交互成為2層以上，且適當控制各層的厚度而積層，則可得到抗反射效果。又，視需要也可在抗反射層之間積層硬塗層、及在硬塗層上形成防污層。
作為抗反射層，可舉出利用蛾眼結構者。蛾眼結構為較形成於表面之波長小的節距之凹凸結構，該結構可將與空氣的邊界部之急遽且不連續的折射率變化，改變為連續且逐漸推移的折射率變化。因此，藉由使蛾眼結構形成於表面，可減少薄膜的表面之光反射。利用蛾眼結構的抗反射層之形成，例如，可參照日本特表2001-517319號公報進行。
作為形成抗反射層的方法，可舉出例如，在基材(聚酯薄膜)表面利用蒸鍍或濺鍍法形成抗反射層的乾式塗布法；在基材表面將抗反射用塗布液塗布並乾燥，形成抗反射層的濕式塗布法；或是併用該等之兩方的併用法。關於抗反射層之組成或其形成方法，若滿足上述特性，則沒有特別限定。
低反射層可使用公知者。例如，將金屬或氧化物的薄膜，藉由蒸鍍法或濺鍍法至少積層1層以上的方法；或藉由將有機薄膜塗布一層或多層的方法等而形成。作為低反射層，可適當使用將較在聚酯薄膜或聚酯薄膜上積層的硬塗層等為更低折射率之有機薄膜塗布一層者。低反射層的表面反射率，較佳為小於5%，更佳為4%以下，進一步更佳為3%以下。下限較佳為0.8%~1.0%左右。
在抗反射層及/或低反射層，亦可進一步賦予防眩功能。藉此，可進一步抑制虹斑。亦即，亦可為抗反射層與防眩層之組合、低反射層與防眩層之組合、抗反射層與低反射層及防眩層之組合。特佳為低反射層與防眩層之組合。作為防眩層，可使用公知的防眩層。例如，從抑制薄膜的表面反射之觀點，較佳為在聚酯薄膜A積層防眩層後，在防眩層上積層抗反射層或低反射層的態樣。
在設置抗反射層或低反射層之際，較佳為聚酯薄膜A在其表面具有易接著層。此時，從抑制反射光所致的 干涉之觀點，較佳為將易接著層的折射率調整成為抗反射層的折射率與聚酯薄膜的折射率之相乘平均附近。易接著層的折射率之調整，可採用公知的方法，例如，藉由使黏結劑樹脂含有鈦或鍺、其它的金屬種，可輕易地調整。
為了使與偏光片之接著性變良好，也可在聚酯薄膜實施電暈處理、塗布處理及/或火焰處理等。
在本發明中，為了改良與偏光片之接著性，較佳為在本發明的薄膜之至少單面，具有將聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂或聚丙烯酸樹脂之至少1種作為主成分的易接著層。在此，「主成分」係指構成易接著層的固體成分中之50質量%以上的成分。在本發明的易接著層之形成使用的塗布液，較佳為包含水溶性或水分散性的共聚合聚酯樹脂、丙烯酸樹脂及聚胺基甲酸酯樹脂中之至少1種的水性塗布液。作為該等之塗布液，可舉出例如，日本專利第3567927號公報、日本專利第3589232號公報、日本專利第3589233號公報、日本專利第3900191號公報、及日本專利第4150982號公報等所揭露之水溶性或水分散性共聚合聚酯樹脂溶液、丙烯酸樹脂溶液、或聚胺基甲酸酯樹脂溶液等。
易接著層係將前述塗布液塗布於縱向之單軸延伸薄膜的單面或兩面後，在100~150℃乾燥，並且朝橫向延伸 而可得到。最終的易接著層之塗布量，較佳為控管為0.05~0.20g/m2。若塗布量小於0.05g/m2，則有與得到的偏光片之接著性變得不足的情況。另一方面，若塗布量超過0.20g/m2，則有耐黏結性下降的情況。在聚酯薄膜的兩面設置易接著層時，兩面的易接著層之塗布量，可相同亦可不同，且可各別獨立而設定為上述範圍內。
易接著層較佳為為了賦予易滑性而添加粒子。較佳為使用微粒的平均粒徑為2μm以下的粒子。粒子的平均粒徑若超過2μm，則粒子變得容易自被覆層脫落。作為易接著層所含有的粒子，可舉出例如，氧化鈦、硫酸鋇、碳酸鈣、硫酸鈣、二氧化矽、氧化鋁、滑石、高嶺土、黏土、磷酸鈣、雲母、水輝石、氧化鋯、氧化鎢、氟化鋰、及氟化鈣等無機粒子、或苯乙烯系、丙烯酸系、三聚氰胺系、苯并胍胺系、及矽酮系等有機聚合物系粒子等。該等可單獨添加至易接著層，亦可組合2種以上而添加。
又，作為塗布塗布液的方法，可使用公知的方法。可舉出例如，逆輥塗布法、凹版塗布法、吻合塗布法、輥刷法、噴灑塗布法、氣刀塗布法、線棒塗布法、及管式刮塗法等，且可單獨或組合而進行該等之方法。
再者，上述之粒子的平均粒徑之測定係利用下述方法進行。將粒子以掃描型電子顯微鏡(SEM)拍攝照片，以 最小之粒子1個的大小成為2~5mm的倍率，測定300~500個之粒子的最大徑(最遠的2點間之距離)，並將其平均值作為平均粒徑。
作為偏光片保護薄膜使用的聚酯薄膜A及B，可依據一般的聚酯薄膜之製造方法進行製造。可舉出例如，將聚酯樹脂熔融，擠製為薄片狀，且將成形之無配向聚酯，在玻璃轉化溫度以上的溫度中，利用輥之速度差朝縱向延伸後，藉由拉幅機朝橫向延伸，並實施熱處理的方法。
聚酯薄膜可為單軸延伸薄膜，亦可為雙軸延伸薄膜。
若具體地說明聚酯薄膜的製膜條件，則縱延伸溫度及橫延伸溫度較佳為80~130℃，特佳為90~120℃。欲使慢軸成為TD方向而配向薄膜，縱延伸倍率較佳為1.0~3.5倍，特佳為1.0倍~3.0倍。又，橫延伸倍率較佳為2.5~6.0倍，特佳為3.0~5.5倍。欲使慢軸成為MD方向而配向薄膜，縱延伸倍率較佳為2.5倍~6.0倍，特佳為3.0~5.5倍。又，橫延伸倍率較佳為1.0倍~3.5倍，特佳為1.0倍~3.0倍。
以降低聚酯薄膜之快軸方向的折射率，提高延遲為前提，將延伸溫度設定為低也為較佳的對應。接著，在熱處理中，處理溫度較佳為100~250℃，特佳為180~245℃。
為了抑制延遲之變動，較佳為薄膜的厚度不均小。因為延伸溫度、及延伸倍率對薄膜之厚度不均給予很大的影響，所以從減小厚度不均之觀點，較佳為也進行製膜條件之最佳化。特別是為了提高延遲而減低縱延伸倍率的話，縱厚度不均會變大。因為縱向的厚度不均在有延伸倍率之特定的範圍有變得非常差之區域，所以較佳為在避開該範圍處設定製膜條件。
聚酯薄膜A及B的厚度不均較佳為5.0%以下，更佳為4.5%以下，進一步更佳為4.0%以下，特佳為3.0%以下。薄膜的厚度不均可如以下進行而測定。採取膠帶狀的薄膜樣本(3m)，使用Seiko Em(股)製電子測微計、Millitron 1240，以1cm節距測定100點的厚度。由測定值求出厚度的最大值(dmax)、最小值(dmin)、及平均值(d)，並以下述式算出厚度不均(%)。測定較佳為進行3次以求出其平均值。
厚度不均(%)=((dmax-dmin)/d)×100
如前述，為了將聚酯薄膜之延遲控制為特定範圍，可藉由適當設定延伸倍率或延伸溫度、薄膜的厚度而進行。例如，延伸倍率越高、延伸溫度越低、薄膜的厚度越厚，越容易得到延遲。反之，延伸倍率越低、延伸溫度越高、薄膜的厚度越薄，越容易得到低延遲。但是，若使薄膜的厚度增厚，則厚度方向相位差容易變大。因 此，薄膜厚度較佳為適當設定為後述的範圍。又，較佳為除了控制延遲，也考慮加工所需要的物性等而設定最後的製膜條件。
聚酯薄膜A及B的厚度為任意，但較佳為15~300μm的範圍，更佳為15~200μm的範圍。即使為低於15μm之厚度的薄膜，以原理而言仍可得到1500nm以上之延遲。但是，此時薄膜的力學特性之各向異性變顯著，且變得容易產生分裂、破裂等，作為工業材料之實用性顯著下降。特佳之厚度的下限為25μm。另一方面，偏光片保護薄膜之厚度的上限，若超過300μm，則偏光板的厚度變得過厚，因而較不佳。從作為偏光片保護薄膜的實用性之觀點，厚度的上限較佳為200μm。特佳之厚度的上限係與一般TAC薄膜同等程度之100μm。為了也在上述厚度範圍中將延遲控制為上述的範圍，作為薄膜基材使用的聚酯係以聚對苯二甲酸乙二酯為適當。
又，作為在聚酯薄膜摻合紫外線吸收劑的方法，可組合而採用公知的方法，例如，可藉由預先使用混練擠製機，先製作將乾燥的紫外線吸收劑與聚合物原料混摻的母粒，在薄膜製膜時混合規定的該母粒與聚合物原料之方法等而摻合。
此時母粒的紫外線吸收劑濃度，為了使紫外線吸收劑均勻地分散，且經濟地摻合而定為5~30質量%的濃度 較佳。作為製作母粒的條件，較佳為使用混練擠製機，在擠製溫度為聚酯原料的熔點以上、290℃以下的溫度擠製1~15分鐘。290℃以上則紫外線吸收劑的減量大，而且母粒的黏度下降變大。擠製溫度1分以下則使紫外線吸收劑之均勻的混合變困難。此時，視需要亦可添加安定劑、色調調整劑、及/或抗靜電劑。
較佳為將聚酯薄膜定為至少3層以上的多層結構，在薄膜的中間層添加紫外線吸收劑。在中間層包含紫外線吸收劑之3層結構的薄膜，具體而言，可如以下而進行製作。將作為外層用之聚酯的丸粒單獨、作為中間層用之含有紫外線吸收劑的母粒與聚酯的丸粒以規定的比例混合並乾燥之後，供給至公知的熔融積層用擠製機，自狹縫狀的模具擠製為薄片狀，在鑄造輥上進行冷卻固化，製作未延伸薄膜。亦即，使用2台以上的擠製機、3層的歧管或合流塊(例如，具有方型合流部的合流塊)，積層構成兩外層的薄膜層、構成中間層的薄膜層，自模頭擠製3層的薄片，以鑄造輥進行冷卻，製作未延伸薄膜。再者，發明中，為了除去成為光學缺點的原因之原料的聚酯中所含之異物，較佳為在熔融擠製之際進行高精度過濾。在熔融樹脂的高精度過濾使用之濾材的過濾粒子尺寸(初期過濾效率95%)較佳為15μm以下。濾材的過濾粒子尺寸若超過15μm，則20μm以上的異物之除去容易變得不足。
[實施例]
以下參照實施例來更具體地說明本發明，但本發明並沒有受限於實施例，也可在可適於本發明的宗旨之範圍加入適當變更而實施，且此等均包含於本發明的技術範圍。再者，下述的實施例之物性的評價方法係如以下。
(1)聚酯薄膜的折射率
使用分子配向計(王子計測器股份有限公司製、MOA-6004型分子配向計)，求出薄膜的慢軸方向，以使慢軸方向成為與長邊平行的方式，切出4cm×2cm的長方形，並作為測定用樣本。對於該樣本，將正交之雙軸的折射率(慢軸方向的折射率：Ny、快軸(與慢軸方向正交之方向的折射率)：Nx)、及厚度方向的折射率(Nz)，藉由阿貝折射率計(ATAGO公司製、NAR-4T、測定波長589nm)求出。
(2)延遲(Re)
延遲為以薄膜上之正交的雙軸之折射率的各向異性(△Nxy=| Nx-Ny |)與薄膜厚度d(nm)之積(△Nxy×d)進行定義的參數，且為表示光學各向同性、各向異性的標準。將雙軸的折射率之各向異性(△Nxy)利用上述(1)的方法求出，將前述雙軸的折射率差之絶對值(| Nx-Ny |)作為折射率的各向異性(△Nxy)而算出。薄膜的厚度d(nm)係使用電動測微計(Feinpruf公司製、Millitron 1245D) 進行測定，並將單位換算為nm。由折射率的各向異性(△Nxy)與薄膜的厚度d(nm)之積(△Nxy×d)求出延遲(Re)。
(3)厚度方向延遲(Rth)
厚度方向延遲為表示對從薄膜厚度方向剖面看時之2個雙折射△Nxz(=| Nx-Nz |)、及△Nyz(=| Ny-Nz |)各別乘上薄膜厚度d而得到之延遲的平均之參數。採用與延遲之測定同樣的方法求出Nx、Ny、Nz與薄膜厚度d(nm)，並算出(△Nxz×d)與(△Nyz×d)之平均值，求出厚度方向延遲(Rth)。
(4)NZ係數
將利用上述(1)得到之Ny、Nx、Nz的值代入式(NZ=| Ny-Nz |/| Ny-Nx |)，求出NZ係數的數值。
(5)背光光源的發光光譜之測定
將液晶顯示裝置之背光光源的發光光譜，使用Hamamatsu Photonics K.K.製 多通道光譜儀PMA-12進行測定。再者，光譜測定之際的曝光時間定為20msec。
(6)反射率
使用分光光度計(島津製作所製、UV-3150)，將波長550nm的5度反射率，自抗反射層側(或低反射層側)的表面進行測定。再者，在與設置聚酯薄膜的抗反射層(或 低反射層)側為相反側的面，塗上黑色麥克筆後，貼合黑乙烯膠帶(共和(股)乙烯膠帶HF-737寬50mm)進行測定。
(7)虹斑觀察
將各實施例所得到的液晶顯示裝置，自正面、及斜向於暗處進行目視觀察，對於虹斑之產生有無，如以下進行判定。在此，斜向意指離液晶顯示裝置之畫面的法線方向30度~60度的範圍。
○：沒有觀察到虹斑
△：稍微觀察到虹斑
×：觀察到虹斑
(製造例1-聚酯A)
在將酯化反應罐升溫且到達200℃的時間點，加入對苯二甲酸86.4質量份及乙二醇64.6質量份，且一邊攪拌，一邊加入作為觸媒之三氧化二銻0.017質量份、乙酸鎂4水合物0.064質量份、三乙胺0.16質量份。接著，進行加壓升溫，以錶壓力0.34MPa、240℃的條件進行加壓酯化反應後，將酯化反應罐恢復至常壓，並添加磷酸0.014質量份。再者，花費15分鐘，升溫至260℃，並添加磷酸三甲酯0.012質量份。接著，在15分後，以高壓分散機進行分散處理，15分後，將得到的酯化反應生成物轉移至聚縮合反應罐，在280℃於減壓下進行聚縮合反應。
聚縮合反應結束後，以95%cut直徑為5μm之Naslon製過濾器進行過濾處理，自噴嘴擠製為股線狀，使用預先進行過濾處理(孔徑：1μm以下)的冷卻水進行冷卻、固化，並切成丸粒狀。得到的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(A)之固有黏度為0.62dl/g，且實質上未含有惰性粒子及內部析出粒子(以下省略為PET(A))。
(製造例2-聚酯B)
混合乾燥的紫外線吸收劑(2,2’-(1,4-伸苯基)雙(4H-3,1-苯并-4-酮)10質量份、未包含粒子之PET(A)(固有黏度為0.62dl/g)90質量份，使用混練擠製機，得到含有紫外線吸收劑之聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(B)(以下省略為PET(B))。
(製造例3-接著性改質塗布液之調整)
利用常法進行酯交換反應及聚縮合反應，調製作為二羧酸成分之(相對於二羧酸成分全體)對苯二甲酸46莫耳%、間苯二甲酸46莫耳%及5-磺酸酯基間苯二甲酸鈉8莫耳%、作為二醇成分之(相對於二醇成分全體)乙二醇50莫耳%及新戊二醇50莫耳%的組成之含水分散性磺酸金屬鹼的共聚合聚酯樹脂。接著，混合水51.4質量份、異丙醇38質量份、正丁基賽路蘇5質量份、非離子系界面活性劑0.06質量份後，加熱攪拌，一旦到達77℃，則加入上述含水分散性磺酸金屬鹼的共聚合聚酯樹脂5質 量份，持續攪拌直到樹脂塊消失後，將樹脂水分散液冷卻直到常溫，得到固體成分濃度5.0質量%之均勻的水分散性共聚合聚酯樹脂液。再者，使凝聚體二氧化矽粒子(Fuji Silysia(股)公司製、Sylysia 310)3質量份分散於水50質量份後，在上述水分散性共聚合聚酯樹脂液99.46質量份加入Sylysia 310的水分散液0.54質量份，一邊攪拌，一邊加入水20質量份，得到接著性改質塗布液。
(製造例4-高折射率塗布劑之調製)
將甲基丙烯酸甲酯80份、甲基丙烯酸20份、偶氮異丁腈1份、異丙醇200份加入至反應容器，在氮環境下80℃反應7小時，得到重量平均分子量30000之聚合物的異丙醇溶液。將得到的聚合物溶液進一步以異丙醇稀釋直到固體成分5%，得到丙烯酸樹脂溶液B。接著，將得到的丙烯酸樹脂溶液B與下述的成分混合，得到高折射率層形成用塗布液。
(製造例5-低折射率塗布劑之調製)
將2,2,2-丙烯酸三氟乙酯(45質量份)、丙烯酸全氟辛基乙酯(45質量份)、丙烯酸(10質量份)、偶氮異丁腈(1.5質量份)、甲基乙酮(200質量份)加入至反應容器，在氮環境下80℃反應7小時，得到重量平均分子量20.000之聚合物的甲基乙酮溶液。將得到的聚合物溶液，以甲基乙酮稀釋直到固體成分濃度5質量%，得到氟聚合物溶液C。將得到的氟聚合物溶液C，如以下而混合，得到低折射率層形成用塗布液。
(製造例6-防眩層塗布劑-1之調整)
使含不飽和雙鍵的丙烯酸共聚物CYCLOMER-P ACA-Z250(Daicel化學工業公司製)(49質量份)、纖維素乙酸酯丙酸酯CAP482-20(數量平均分子量75000)(Eastman Chemical公司製)(3質量份)、丙烯酸單體AYARAD DPHA(日本化藥公司製)(49質量份)、丙烯酸-苯乙烯共聚物(平均粒徑4.0μm)(積水化成品工業公司製)(2質量份)、及IRGACURE 184(BASF公司製)(10質量份)之固體成分成為35質量%而加入至甲基乙酮：1-丁醇=3：1的混合溶劑，得到防眩層形成用塗布液。
(製造例7-防眩層塗布劑-2之調整)
使含不飽和雙鍵的丙烯酸共聚物CYCLOMER-P ACA-Z250(Daicel化學工業公司製)(49質量份)、纖維素乙酸酯丙酸酯CAP482-0.5(數量平均分子量25000)(Eastman Chemical公司製)(3質量份)、丙烯酸單體AYARAD DPHA(日本化藥公司製)(49質量份)、丙烯酸-苯乙烯共聚物(平均粒徑4.0μm)(積水化成品工業公司製)(4質量份)、及IRGACURE 184(BASF公司製)(10質量份)之固體成分成為35質量%而加入至甲基乙酮：1-丁醇=3：1的混合溶劑，得到防眩層形成用塗布液。
(製造例8-防眩層塗布劑-3之調整)
使含不飽和雙鍵的丙烯酸共聚物CYCLOMER-P ACA-Z250(Daicel化學工業公司製)(49質量份)、纖維素乙酸酯丙酸酯CAP482-0.2(數量平均分子量15000)(Eastman Chemical公司製)(3質量份)、丙烯酸單體AYARAD DPHA(日本化藥公司製)(49質量份)、丙烯酸-苯乙烯共聚物(平均粒徑4.0μm)(積水化成品工業公司製)(2質量份)、及IRGACURE 184(BASF公司製)(10質量份)之固體成分成為35質量%而加入至甲基乙酮：1-丁醇=3：1的混合溶劑，得到防眩層形成用塗布液。
(偏光片保護薄膜1A)
將作為基材薄膜中間層用原料之未含有粒子的PET(A)樹脂丸粒90質量份與含有紫外線吸收劑的PET(B)樹脂丸粒10質量份於135℃減壓乾燥(1Torr)6小時後，供給至擠製機2(中間層II層用)，而且，將PET(A)利用常法進行乾燥，各別供給至擠製機1(外層I層及外層III用)，並於285℃進行溶解。將該2種聚合物，各別以不鏽鋼燒結物的濾材(額定過濾精度10μm粒子95%cut)過濾，並以2種3層合流塊進行積層，由模頭擠製為薄片狀後，使用靜電施加鑄造法，捲繞於表面溫度30℃之鑄造滾筒而冷卻固化，製作未延伸薄膜。此時，以使I層、II層、III層的厚度之比成為10：80：10的方式而調整各擠製機之吐出量。
接著，利用逆輥法，在該未延伸PET薄膜之兩面，以使乾燥後的塗布量成為0.08g/m2的方式，將上述接著性改質塗布液塗布後，在80℃乾燥20秒鐘。
將形成該塗布層之未延伸薄膜導引至拉幅式延伸機，一邊將薄膜的端部以夾子握持，一邊導引至溫度125℃之熱風區，朝寬度方向延伸至4.0倍。接著，保持朝寬度方向延伸的寬，同時在溫度225℃處理10秒鐘，並且在寬度方向進行3.0%之緩和處理，得到薄膜厚度約100μm的單軸延伸PET薄膜。
在該單軸延伸PET薄膜之一塗布面，塗布上述高折射率層形成用塗布液，在150℃乾燥2分鐘，形成膜厚0.1μm的高折射率層。在該高折射率層上，塗布上述方法所得到的低折射率層形成用塗布液，在150℃乾燥2分鐘，形成膜厚0.1μm的低折射率層，得到積層抗反射層的偏光片保護薄膜1A。
(偏光片保護薄膜2A)
變更線路速度，改變未延伸薄膜的厚度，除此以外係與偏光片保護薄膜1A同樣進行而製膜，得到積層抗反射層之薄膜厚度為約80μm的偏光片保護薄膜2A。
(偏光片保護薄膜3A)
變更線路速度，改變未延伸薄膜的厚度，除此以外係與偏光片保護薄膜1A同樣進行而製膜，得到積層抗反射層之薄膜厚度為約60μm的偏光片保護薄膜3A。
(偏光片保護薄膜4A)
變更線路速度，改變未延伸薄膜的厚度，除此以外係與偏光片保護薄膜1A同樣進行而製膜，得到積層抗反射層之薄膜厚度為約40μm的偏光片保護薄膜4A。
(偏光片保護薄膜5A)
將利用與偏光片保護薄膜1A同樣的方法製作的未延伸薄膜，使用加熱的輥群及紅外線加熱器，加熱至 105℃，之後以有圓周速率差的輥群朝移行方向延伸3.3倍後，導引至溫度130℃之熱風區，並朝寬度方向延伸4.0倍，採用與偏光片保護薄膜1A同樣的方法，得到積層抗反射層之薄膜厚度約30μm的偏光片保護薄膜5A。
(偏光片保護薄膜6A)
除了未賦予抗反射層以外，係利用與偏光片保護薄膜1A同樣的方法進行製作，得到薄膜厚度約100μm的偏光片保護薄膜6A。
(偏光片保護薄膜7A)
除了未賦予抗反射層以外，係於利用與偏光片保護薄膜2A同樣的方法進行製作之偏光片保護薄膜的一塗布面，以使硬化後的膜厚成為8μm的方式而塗布防眩層塗布劑-1，並於80℃烘箱乾燥60秒。之後，使用紫外線照射裝置(Fusion UV Systems Japan、光源H燈泡)，以照射線量300mJ/cm2照射紫外線，積層防眩層。之後，在防眩層上，採用與偏光片保護薄膜1A同樣的方法，積層抗反射層，得到偏光片保護薄膜7A。
(偏光片保護薄膜8A)
除了未賦予抗反射層以外，係於利用與偏光片保護薄膜3A同樣的方法進行製作之偏光片保護薄膜的一塗布面，採用與偏光片保護薄膜7A同樣的方法，積層防眩層與抗反射層，得到偏光片保護薄膜8A。
(偏光片保護薄膜9A)
除了未賦予抗反射層以外，係於利用與偏光片保護薄膜4A同樣的方法進行製作之偏光片保護薄膜的一塗布面，以使硬化後的膜厚成為8μm的方式而塗布防眩層塗布劑-2，並於80℃烘箱乾燥60秒。之後，使用紫外線照射裝置(Fusion UV Systems Japan、光源H燈泡)，以照射線量300mJ/cm2照射紫外線，積層防眩層。之後，在防眩層上，採用與偏光片保護薄膜1A同樣的方法，積層抗反射層，得到偏光片保護薄膜9A。
(偏光片保護薄膜10A)
除了未賦予抗反射層以外，係於利用與偏光片保護薄膜5A同樣的方法進行製作之偏光片保護薄膜的一塗布面，採用與偏光片保護薄膜7A同樣的方法，積層防眩層與抗反射層，得到偏光片保護薄膜10A(未積層抗反射層)。
(偏光片保護薄膜11A)
除了未賦予抗反射層以外，係於利用與偏光片保護薄膜1A同樣的方法進行製作之偏光片保護薄膜的一塗布面，以使硬化後的膜厚成為8μm的方式而塗布防眩層塗布劑-3，並於80℃烘箱乾燥60秒。之後，使用紫外線照射裝置(Fusion UV Systems Japan、光源H燈泡)，以照射線量300mJ/cm2照射紫外線，得到積層防眩層的偏光片保護薄膜11A。
(偏光片保護薄膜12A)
除了未賦予抗反射層以外，係於利用與偏光片保護薄膜2A同樣的方法進行製作之偏光片保護薄膜的一塗布面，以使硬化後的膜厚成為8μm的方式而塗布防眩層塗布劑-1，並於80℃烘箱乾燥60秒。之後，使用紫外線照射裝置(Fusion UV Systems Japan、光源H燈泡)，以照射線量300mJ/cm2照射紫外線，積層防眩層。之後，在防眩層上，採用與偏光片保護薄膜1A同樣的方法，積層低折射率層。如前述進行而得到在防眩層上積層低反射層的偏光片保護薄膜12A。
(偏光片保護薄膜1B)
將作為基材薄膜中間層用原料之未含有粒子的PET(A)樹脂丸粒90質量份與含有紫外線吸收劑的PET(B)樹脂丸粒10質量份於135℃減壓乾燥(1Torr)6小時後，供給至擠製機2(中間層II層用)，而且，將PET(A)利用常法進行乾燥，各別供給至擠製機1(外層I層及外層III用)，並於285℃進行溶解。將該2種聚合物，各別以不鏽鋼燒結物的濾材(額定過濾精度10μm粒子95%cut)過濾，並以2種3層合流塊進行積層，由模頭擠製為薄片狀後，使用靜電施加鑄造法，捲繞於表面溫度30℃之鑄造滾筒而冷卻固化，製作未延伸薄膜。此時，以使I層、II層、III層的厚度之比成為10：80：10的方式而調整各擠製機之吐出量。
接著，利用逆輥法，在該未延伸PET薄膜之兩面，以使乾燥後的塗布量成為0.08g/m2的方式，將上述接著性改質塗布液塗布後，在80℃乾燥20秒鐘。
將形成該塗布層之未延伸薄膜導引至拉幅式延伸機，一邊將薄膜的端部以夾子握持，一邊導引至溫度125℃之熱風區，朝寬度方向延伸至4.0倍。接著，保持朝寬度方向延伸的寬，同時在溫度225℃處理10秒鐘，並且在寬度方向進行3.0%之緩和處理，得到薄膜厚度約100μm之單軸延伸PET薄膜的偏光片保護薄膜1B。
(偏光片保護薄膜2B)
變更線路速度，改變未延伸薄膜的厚度，除此以外係與偏光片保護薄膜1B同樣進行而製膜，得到薄膜厚度為約80μm之單軸延伸PET薄膜的偏光片保護薄膜2B。
(偏光片保護薄膜3B)
變更線路速度，改變未延伸薄膜的厚度，除此以外係與偏光片保護薄膜1B同樣進行而製膜，得到薄膜厚度為約60μm之單軸延伸PET薄膜的偏光片保護薄膜3B。
(偏光片保護薄膜4B)
變更線路速度，改變未延伸薄膜的厚度，除此以外係與偏光片保護薄膜1B同樣進行而製膜，得到薄膜厚度為約40μm之單軸延伸PET薄膜的偏光片保護薄膜4B。
(偏光片保護薄膜5B)
變更線路速度，改變未延伸薄膜的厚度，除此以外係與偏光片保護薄膜1B同樣進行而製膜，得到薄膜厚度為約20μm之單軸延伸PET薄膜的偏光片保護薄膜5B。
(偏光片保護薄膜6B)
變更線路速度，改變未延伸薄膜的厚度，除此以外係與偏光片保護薄膜1B同樣進行而製膜，得到薄膜厚度為約150μm之單軸延伸PET薄膜的偏光片保護薄膜6B。
使用偏光片保護薄膜1A~12A及1B~6B，如後述而製作液晶顯示裝置。
(實施例1)
在包含PVA與碘的偏光片之單側，以使偏光片的透射軸與薄膜之快軸成為垂直的方式而貼附偏光片保護薄膜1A。此時，在偏光片保護薄膜1A之未積層抗反射層的面，積層偏光片。又，在偏光片之相反的面貼附TAC薄膜(Fuji Film(股)公司製、厚度80μm)。如前述進行而製作偏光板1A。同樣地在包含PVA與碘的偏光片之單側，以使偏光片的吸收軸與薄膜之慢軸成為垂直的方式而貼附偏光片保護薄膜1B，並於其相反的面貼附TAC薄膜(Fuji Film(股)公司製、厚度80μm)，製作偏光板1B。將SONY公司製之BRAVIA KDL-40W920A(具有包含射 出激發光的光源與量子點之背光光源的液晶顯示裝置)的識別側之偏光板，取代為偏光板1A，並將光源側之偏光板取代為偏光板1B。此時，以使偏光片保護薄膜1A及偏光片保護薄膜1B各別成為與液晶為相反側(遠端)的方式而配置偏光板1A及偏光板1B。又，使偏光板1A及偏光板1B之透射軸的方向與取代前的偏光板之透射軸的方向成為相同。如前述進行而製作液晶顯示裝置。
(實施例2)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜2A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例3)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜3A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例4)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜4A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例5)
使用偏光片保護薄膜4A代替偏光片保護薄膜1A，並以使其快軸與偏光片的透射軸成為平行的方式而貼附，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例6)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜7A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例7)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜8A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例8)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜9A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例9)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜12A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例1)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜5A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例2)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜6A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例3)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜10A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例4)
將偏光片保護薄膜1A換成偏光片保護薄膜11A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例10)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜2B，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例5)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜3B，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例6)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜4B，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例7)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜5B，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例11)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜6B，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例12)
將SONY公司製之BRAVIA KDL-40W920A換成SONY公司製之BRAVIA KDL-42W900B，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例13)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜2B，除此以外係與實施例12同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例13)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜3B，除此以外係與實施例12同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例15)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜4B，除此以外係與實施例12同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例8)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜5B，除此以外係與實施例12同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例16)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜6B，除此以外係與實施例12同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例17)
將SONY公司製之BRAVIA KDL-40W920A換成SONY公司製之BRAVIA KDL-55W900A，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例9)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜2B，除此以外係與實施例17同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例10)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜3B，除此以外係與實施例17同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例11)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜4B，除此以外係與實施例17同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(比較例12)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜5B，除此以外係與實施例17同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例18)
將偏光片保護薄膜1B換成偏光片保護薄膜6B，除此以外係與實施例17同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例19)
在包含PVA與碘的偏光片之單側，以使偏光片的吸收軸與薄膜之慢軸成為平行的方式而貼附偏光片保護薄膜2B，並於其相反的面貼附TAC薄膜(Fuji Film(股)公司製、厚度80μm)，製作偏光板2B。使用偏光板2B代替偏光板1B，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
(實施例20)
在包含PVA與碘的偏光片之單側，以使偏光片的吸收軸與薄膜之慢軸成為平行的方式而貼附偏光片保護薄膜1，並於其相反的面貼附TAC薄膜(Fuji Film(股)公司製、厚度80μm)，製作偏光板1B’。使用前述代替偏光板1B，除此以外係與實施例1同樣進行，製作液晶顯示裝置。
將偏光片保護薄膜1A~12A的物性示於表1。
將偏光片保護薄膜1B~6B的物性示於表1。
將存在於液晶顯示裝置BRAVIA KDL-40W920A、BRAVIA KDL-42W900B、及BRAVIA KDL-55W900A之600nm以上780nm以下的波長區域之峰的峰頂之波長 (Rx)及其半峰寬(Ry)、存在於495nm以上小於600nm的波長區域之峰的峰頂之波長(Gx)及其半峰寬(Gy)、以及存在於400nm以上小於495nm的波長區域之峰的峰頂之波長(Bx)及其半峰寬(By)示於表3。
將對於各實施例之液晶顯示裝置的虹斑觀察進行評價的結果示於表4。
[產業上的可利用性]
本發明的液晶顯示裝置及偏光板，在任何角度中均可確保顯著抑制虹狀色斑產生之良好的識別性，對產業界之貢獻大。

Claims (6)

  1. 一種液晶顯示裝置，其係具有背光光源、光源側偏光板、液晶胞、及識別側偏光板之液晶顯示裝置；其中該背光光源在400nm以上小於495nm、495nm以上小於600nm及600nm以上780nm以下之各波長區域各別具有發光光譜之峰頂，各峰的半峰寬為5nm以上；該識別側偏光板包含具有1500~30000nm之延遲的聚酯薄膜A、及在聚酯薄膜A之至少一面積層之抗反射層及/或低反射層；該光源側偏光板包含聚酯薄膜B；在將聚酯薄膜B之延遲定為ReB，將存在於背光光源之600nm以上780nm以下的波長區域之峰的峰頂之波長定為Rx，且將半峰寬定為Ry時，Ry/[Rx/(ReB/Rx)]為0.55以上。
  2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中在將存在於該400nm以上小於495nm的波長區域之峰的峰頂之波長定為Bx，將半峰寬定為By，且將存在於該495nm以上小於600nm的波長區域之峰的峰頂之波長定為Gx，將半峰寬定為Gy時，By/[Bx/(ReB/Bx)]為0.55以上，而且，Gy/[Gx/(ReB/Gx)]為0.55以上。
  3. 如請求項1或2之液晶顯示裝置，其中該Rx為630nm以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之液晶顯示裝置，其中該Ry為180nm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之液晶顯示裝置，其中該光源包含射出激發光的光源與量子點。
  6. 如請求項1至5中任一項之液晶顯示裝置，其中該抗反射層表面之波長550nm的表面反射率為2.0%以下。
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