TW201805757A - 電壓調節器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可進行相位補償電容的測試而不會損及作為調節器的穩定性，且晶片面積不會增加的電壓調節器。本發明採用了下述結構：在相位補償電路中具備相位補償電容測試電路，且在外部輸出電壓調整端子具備負電壓檢測電路，藉由對外部輸出電壓調整端子施加負電壓來啟動相位補償電容測試電路，對相位補償電容的放電時間或放電電流進行測定，藉此來測試相位補償電容的優劣。

Description

電壓調節器
本發明是有關於一種具有測試電路的電壓調節器（voltage regulator）。
電壓調節器的重要特性在於不振盪。 圖5是表示習知的電壓調節器的電路圖。 習知的電壓調節器600具備差動放大電路60、作為相位補償電路的電阻61和電容62、電流源63、分壓電阻電路64、PMOS（P Channel Metal Oxide Semiconductor，P通道金屬氧化物半導體）電晶體65、輸出電晶體66及基準電壓電路67。 相位補償電路藉由使所形成的零點低頻地產生，從而響應性良好，且即便是少的輸出電容亦使其穩定動作（例如參照專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2004-62374號公報 [發明所欲解決之問題]
然而，習知的電壓調節器存在下述問題：在製造步驟中實施的測試中，位於電路內部的相位補償電路等難以對氧化膜異常、觸點（contact）連接不良等元件單體的不良進行直接測試。 例如，若在相位補償電路中設置測試端子，則存在下述問題：因測試用焊墊（pad）而導致晶片（chip）面積變大，或者因測試用焊墊引起的寄生電容成分，而導致相位補償電路的性能受損。
本發明鑒於所述問題，提供一種無須新設置測試用焊墊便可測試相位補償電路的電壓調節器。 [解決問題之手段]
為了解決習知的問題，本發明的電壓調節器採用了如下所述的結構。 本發明採用了下述結構，即，電壓調節器具備第一輸出端子與第二輸出端子，且包括：分壓電路，設於第二輸出端子，輸出基於輸出電壓的反饋電壓；差動放大器，對基準電壓與反饋電壓進行比較；輸出電晶體，汲極連接於第一輸出端子，根據基於輸入至源極的電源電壓與輸入至閘極的差動放大器的輸出電壓的電壓而將輸出電壓輸出；相位補償電路及相位補償電容測試電路，設於差動放大器的輸出端子；以及負電壓偵測電路，設於第二輸出端子，當檢測到第二輸出端子成為負電壓時，負電壓偵測電路輸出檢測信號，相位補償電容測試電路接收負電壓偵測電路的檢測信號，將充電至相位補償電容中的電荷朝接地端子放電。 [發明之效果]
根據本發明的電壓調節器，在相位補償電路中具備相位補償電容測試電路，且在外部輸出電壓調整端子具備負電壓檢測電路，因此可進行相位補償電容的測試而不會損及作為調節器的穩定性，且不需要追加測試用焊墊，因此晶片面積不會增加。
[第一實施形態] 圖1是表示第一實施形態的電壓調節器的一例的電路圖。 第一實施形態的電壓調節器100具備基準電壓電路17、差動放大電路10、形成放大級的PMOS電晶體15與定電流電路13、分壓電路14、作為相位補償電路的相位補償電阻11與相位補償電容12、輸出電晶體16、相位補償電容測試電路20、負電壓檢測電路30、接地（ground）端子101、電源端子102、輸出端子103以及外部輸出電壓調整端子104。
差動放大電路10的非反相輸入端子連接於基準電壓電路17，反相輸入端子連接於分壓電路14的輸出端子，輸出端子連接於PMOS電晶體15的閘極。相位補償電路與相位補償電容測試電路20連接於差動放大電路10的輸出端子與PMOS電晶體15的汲極之間。PMOS電晶體15與定電流電路13串聯連接於電源端子102與接地端子101之間。輸出電晶體16的閘極連接於PMOS電晶體15的汲極，源極連接於電源端子102，汲極連接於輸出端子103。分壓電路14連接於外部輸出電壓調整端子104與接地端子101之間。負電壓檢測電路30連接於外部輸出電壓調整端子104與相位補償電容測試電路20之間。
相位補償電容測試電路20具備定電流電路23以及開關電晶體（switch transistor）21及開關電晶體22。開關電晶體21是設於相位補償電阻11與相位補償電容12之間。串聯連接的開關電晶體22與定電流電路23設於相位補償電容12與接地端子101之間。開關電晶體21與開關電晶體22的閘極連接於相位補償電容測試電路20的輸入端子。將相位補償電容12與相位補償電容測試電路20的連接點設為節點（node）VA。
負電壓檢測電路30具備定電流電路31、空乏型（depletion）NMOS電晶體32與形成信號的反相器（inverter）電路33、反相器電路34。空乏型NMOS電晶體32的閘極連接於外部輸出電壓調整端子104，汲極經由定電流電路31而連接於電源端子102，源極連接於接地端子101。串聯連接的反相器電路33及反相器電路34是設於空乏型NMOS電晶體32的汲極與相位補償電容測試電路20的輸入端子之間。
接下來，對第一實施形態的電壓調節器100的動作進行說明。 電壓調節器100除了負電壓檢測電路30與相位補償電容測試電路20以外，是一般的電壓三級放大的電壓調節器，因此省略詳細說明。
負電壓檢測電路30對外部輸出電壓調整端子104的電壓進行檢測。當對外部輸出電壓調整端子104施加正電壓時，空乏型NMOS電晶體32的電流將變得比定電流電路31的電流大，因此負電壓檢測電路30向輸出端子輸出低（Low）信號。當對外部輸出電壓調整端子104施加負電壓時，空乏型NMOS電晶體32的電流將變得比定電流電路31的電流小，因此負電壓檢測電路30向輸出端子輸出高（High）信號。
在通常動作時，輸出端子103與外部輸出電壓調整端子104相連接。外部輸出電壓調整端子104施加有輸出端子103的正電壓，因此負電壓檢測電路30向輸出端子輸出低信號。相位補償電容測試電路20在收到低信號時，開關電晶體21成為導通（ON）狀態，開關電晶體22成為斷開（OFF）狀態。因而，由於相位補償電阻11與相位補償電容12相連接，因此電壓調節器100可確保通常的動作。
接下來，對相位補償電路的測試進行說明。 外部輸出電壓調整端子104與輸出端子103分離，從外部連接電壓源。首先，對於外部輸出電壓調整端子104，從電壓源施加正電壓，例如施加電壓調節器100的經設定的輸出電壓，使電壓調節器100成為通常的動作狀態。
隨後，將電壓源的電壓變更為0 V。閘極施加有0 V電壓的空乏型NMOS電晶體32的電流大於定電流電路31的電流，因此負電壓檢測電路30輸出低信號，相位補償電容測試電路20不進行動作。此處，分壓電路14的輸出成為0 V，因此差動放大電路10輸出高信號（≒VDD），PMOS電晶體15成為斷開狀態。因而，節點VA的電壓成為高位準（level）（≒VDD），因此相位補償電容12得到充電。
在相位補償電容12經充分充電之後，將電壓源的電壓變更為負電壓。由於空乏型NMOS電晶體32成為斷開狀態，因此負電壓檢測電路30輸出高信號。由於開關電晶體21斷開，開關電晶體22導通，因此相位補償電容測試電路20成為測試狀態。在測試狀態下，節點VA與定電流電路23連接，因此相位補償電容12藉由定電流電路23來使放電電流流動，直至節點VA的電壓成為0 V為止。若設相位補償電容12的電容值為C、流經定電流電路23的電流為Ic、電源端子102的電壓為VDD，則電流流動的時間Tt以下述式來表示。
Tt=C×（VDD）/Ic 因而，藉由根據電路整體的消耗電流來對電流Ic流動的時間Tt進行測定，從而可進行相位補償電容12的連接不良的測試。
例如，如上所述，切換外部電壓源的電壓，在切換為負電壓前後測定消耗電流，消耗電流增加了定電流電路23的電流Ic的期間為所需的時間Tt，藉此可判斷為良品。 而且，例如，若在將外部電壓源的電壓切換為負電壓前後測定出的消耗電流無差異，則可檢測出相位補償電容12的觸點的連接不良。
如以上所說明般，第一實施形態的電壓調節器100可進行相位補償電容12的測試而不會損及作為調節器的穩定性，且無須追加測試用焊墊，因此晶片面積不會增加。進而，由於使用外部輸出電壓調整端子104，因此在裝配成封裝（package）後的出貨檢查時亦可進行測試。
圖2是表示本發明的第一實施形態的電壓調節器的另一例的電路圖。 如圖2的電壓調節器200所示，負電壓檢測電路30的定電流電路31亦可連接於輸出端子103而非電源端子102。
若如此般構成，則具有下述效果：當負電壓檢測電路30檢測出負電壓時，定電流電路31的電流不會對消耗電流造成影響。進而，可獲得下述效果：藉由將定電流電路31連接至輸出端子103，從而在通常動作時起到輸出負載的作用，在無負載時使輸出電壓穩定。而且，還具有下述效果：在高溫時，可抑制因輸出電晶體16的洩漏（leak）電流造成的輸出電壓的上升。
[第二實施形態] 圖3是表示本發明的第二實施形態的電壓調節器的一例的電路圖。第二實施形態的電壓調節器300從圖1的電壓調節器100將相位補償電容測試電路20變更為相位補償電容測試電路40，進而追加有導通斷開（ONOFF）端子105、或（OR）電路41、NMOS電晶體42及反相器電路43。
相位補償電容測試電路40將開關電晶體22與定電流電路23的連接點設為輸出端子。反相器電路43的輸入端子連接於導通斷開端子105。或電路41的輸入端子連接有反相器電路43的輸出端子與相位補償電容測試電路40的輸出端子，輸出端子連接於NMOS電晶體42的閘極。NMOS電晶體42將汲極連接於輸出端子103，將源極連接於接地端子101。
在通常動作時，導通斷開端子105輸入高信號，反相器電路43輸出低信號。相位補償電容測試電路40從輸出端子輸出低信號。因而，或電路41輸出低信號，NMOS電晶體42斷開。 而且，當對導通斷開端子105輸入有低信號時，或電路41輸出高信號以使NMOS電晶體42導通，以對外置的輸出電容的電荷進行放電。
在相位補償電路的測試時，開關電晶體22導通，因此相位補償電容測試電路40的輸出端子根據相位補償電容12的狀態而輸出的信號發生變化。
在相位補償電容12的狀態為正常時，節點VA的電壓變高，因此相位補償電容測試電路40從輸出端子輸出高信號。或電路41輸出高信號，將NMOS電晶體42設為導通狀態。此時，電流從輸出端子103流向NMOS電晶體42，因此消耗電流增加。
在相位補償電容12為連接不良時，相位補償電容測試電路40從輸出端子輸出低信號，NMOS電晶體42維持斷開狀態，因此消耗電流不增加。 因而，電壓調節器300根據消耗電流的大小來判定相位補償電容12的優劣，因此可容易地進行測試。
如以上所說明般，本發明的電壓調節器在相位補償電路中具備相位補償電容測試電路，且在外部輸出電壓調整端子具備負電壓檢測電路，可進行相位補償電容的測試而不會損及作為調節器的穩定性，且無須追加測試用焊墊，因此晶片面積不會增加。進而，由於使用外部輸出電壓調整端子，因此在裝配成封裝之後的出貨檢查中亦可進行測試。
另外，本發明的電壓調節器並不限於所述的電路圖，可在不脫離本發明的主旨的範圍內進行各種變更。 例如，以上的實施形態中是以電壓三級放大的電壓調節器為例，但亦可為電壓二級放大的電壓調節器。圖4中，作為將本發明適用於二級放大的電壓調節器的示例，表示電壓調節器400的電路圖。
10、60‧‧‧差動放大電路
11‧‧‧相位補償電阻
12‧‧‧相位補償電容
13、23、31‧‧‧定電流電路
14‧‧‧分壓電路
15、65‧‧‧PMOS電晶體
16、66‧‧‧輸出電晶體
17、67‧‧‧基準電壓電路
20、40‧‧‧相位補償電容測試電路
21、22‧‧‧開關電晶體
30‧‧‧負電壓檢測電路
32‧‧‧空乏型NMOS電晶體
33、34、43‧‧‧反相器電路
41‧‧‧或電路
42‧‧‧NMOS電晶體
61‧‧‧電阻
62‧‧‧電容
63‧‧‧電流源
64‧‧‧分壓電阻電路
100、200、300、400‧‧‧電壓調節器
101‧‧‧接地端子
102‧‧‧電源端子
103‧‧‧輸出端子
104‧‧‧外部輸出電壓調整端子
105‧‧‧導通斷開端子
600‧‧‧習知的電壓調節器
VA‧‧‧節點
圖1是表示本發明的第一實施形態的電壓調節器的一例的電路圖。 圖2是表示本發明的第一實施形態的電壓調節器的另一例的電路圖。 圖3是表示本發明的第二實施形態的電壓調節器的一例的電路圖。 圖4是表示本發明的二級放大的電壓調節器的一例的電路圖。 圖5是表示習知的電壓調節器的電路圖。
10‧‧‧差動放大電路
11‧‧‧相位補償電阻
12‧‧‧相位補償電容
13、23、31‧‧‧定電流電路
14‧‧‧分壓電路
15‧‧‧PMOS電晶體
16‧‧‧輸出電晶體
17‧‧‧基準電壓電路
20‧‧‧相位補償電容測試電路
21、22‧‧‧開關電晶體
30‧‧‧負電壓檢測電路
32‧‧‧空乏型NMOS電晶體
33、34‧‧‧反相器電路
100‧‧‧電壓調節器
101‧‧‧接地端子
102‧‧‧電源端子
103‧‧‧輸出端子
104‧‧‧外部輸出電壓調整端子
VA‧‧‧節點

Claims (6)

  1. 一種電壓調節器，具備第一輸出端子與第二輸出端子，所述電壓調節器的特徵在於包括： 分壓電路，設於所述第二輸出端子，輸出基於輸出電壓的反饋電壓； 差動放大器，對基準電壓與所述反饋電壓進行比較； 輸出電晶體，所述輸出電晶體的汲極連接於所述第一輸出端子，根據基於輸入至所述輸出電晶體的源極的電源電壓與輸入至所述輸出電晶體的閘極的所述差動放大器的輸出電壓的電壓而輸出所述輸出電壓； 相位補償電路及相位補償電容測試電路，設於所述差動放大器的輸出端子；以及 負電壓偵測電路，當檢測到所述第二輸出端子成為負電壓時，輸出檢測信號， 所述相位補償電容測試電路接收所述負電壓偵測電路的檢測信號，將充電至所述相位補償電路的相位補償電容中的電荷朝接地端子放電。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器，其包括： 第一電晶體，所述第一電晶體的閘極連接於所述差動放大器的輸出端子，所述第一電晶體的汲極連接於所述輸出電晶體的閘極；以及 第一定電流電路，連接於所述第一電晶體的汲極， 所述相位補償電容的一端連接於所述第一電晶體的汲極，另一端連接於所述相位補償電容測試電路。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的電壓調節器，其中 所述相位補償電容測試電路包括： 第一開關電晶體，設於所述差動放大器的輸出端子與所述相位補償電容的一端之間；以及 第二開關電晶體及第二定電流電路，串聯地設於所述相位補償電容的一端與所述接地端子之間， 所述第一開關電晶體與所述第二開關電晶體的閘極連接於所述負電壓偵測電路的輸出端子， 當收到所述負電壓偵測電路的檢測信號時，所述第一開關電晶體斷開，所述第二開關電晶體導通。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的電壓調節器，其中 所述相位補償電容的一端連接於所述差動放大器的輸出端子，另一端連接於所述相位補償電容測試電路。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電壓調節器，其中 所述相位補償電容測試電路包括： 第一開關電晶體，設於所述相位補償電容的另一端與所述輸出電晶體的汲極之間；以及 第二開關電晶體及第二定電流電路，串聯地設於所述相位補償電容的另一端與所述接地端子之間， 所述第一開關電晶體與所述第二開關電晶體的閘極連接於所述負電壓偵測電路的輸出端子， 當收到所述負電壓偵測電路的檢測信號時，所述第一開關電晶體斷開，所述第二開關電晶體導通。
  6. 如申請專利範圍第3項或第5項所述的電壓調節器，其中 所述相位補償電容測試電路在所述第二開關電晶體與所述第二定電流電路的連接點設有輸出端子， 所述電壓調節器包括：第二電晶體，所述第二電晶體的閘極連接於所述相位補償電容測試電路的輸出端子，所述第二電晶體的汲極連接於所述第一輸出端子，所述第二電晶體的源極連接於所述接地端子。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI752716B (zh) * 2019-11-07 2022-01-11 聯發科技股份有限公司 開關式穩壓器及電源管理積體電路

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7115939B2 (ja) * 2018-09-04 2022-08-09 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
JP7289973B2 (ja) * 2018-09-04 2023-06-12 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
CN110221644B (zh) * 2019-05-23 2021-02-26 上海艾为电子技术股份有限公司 一种芯片及其外置rset电阻开路监测电路
DE102020213559B4 (de) * 2020-10-28 2022-05-05 Infineon Technologies Ag Bestimmung einer Information über eine Verbindung einer Schaltungskomponente

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3035922B2 (ja) * 1989-07-06 2000-04-24 松下電器産業株式会社 電源回路の保護装置
JP3068482B2 (ja) * 1997-01-30 2000-07-24 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 定電圧回路
JP2004062374A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Seiko Instruments Inc ボルテージ・レギュレータ
TWI255088B (en) * 2004-05-24 2006-05-11 Anpec Electronics Corp DC converting controller with mode-switching and over-current protection by using multifunctional pin and its method
JP4212560B2 (ja) * 2005-01-21 2009-01-21 パナソニック株式会社 電源回路
GB2432471A (en) * 2005-11-01 2007-05-23 Zetex Semiconductors Plc A CMOS support IC for a DBS LNA
JP2007187489A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Renesas Technology Corp 半導体集積回路
JP4855913B2 (ja) * 2006-12-01 2012-01-18 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
JP2009074850A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Denso Corp 半導体集積回路の検査方法及び半導体集積回路
KR101514459B1 (ko) * 2007-11-09 2015-04-22 세이코 인스트루 가부시키가이샤 볼티지 레귤레이터
JP2009232486A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Renesas Technology Corp 電圧発生回路および半導体記憶装置のテスト方法
US7876060B2 (en) * 2008-06-10 2011-01-25 Osram Sylvania Inc. Multi-lamps instant start electronic ballast
JP5715587B2 (ja) * 2012-03-21 2015-05-07 株式会社東芝 レギュレータ
US9753473B2 (en) * 2012-10-02 2017-09-05 Northrop Grumman Systems Corporation Two-stage low-dropout frequency-compensating linear power supply systems and methods
JP2015005054A (ja) * 2013-06-19 2015-01-08 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
JP6211916B2 (ja) * 2013-12-24 2017-10-11 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 スイッチングレギュレータ
JP6316632B2 (ja) * 2014-03-25 2018-04-25 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
US9041378B1 (en) * 2014-07-17 2015-05-26 Crane Electronics, Inc. Dynamic maneuvering configuration for multiple control modes in a unified servo system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI752716B (zh) * 2019-11-07 2022-01-11 聯發科技股份有限公司 開關式穩壓器及電源管理積體電路
US11557971B2 (en) 2019-11-07 2023-01-17 Mediatek Inc. Switching regulator using protection circuit for avoiding voltage stress and associated power management integrated circuit

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