TW201805741A - 標記檢測裝置及標記檢測方法、測定裝置、曝光裝置及曝光方法以及元件製造方法 - Google Patents

Abstract

標記檢測裝置對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，包括：第1光學系統，朝向標記區域射出測定光；第2光學系統，將藉由從第1光學系統朝向標記區域的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分照射至標記區域；以及受光器，接收藉由從第2光學系統朝向標記區域的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分。

Description

標記檢測裝置及標記檢測方法、測定裝置、曝光裝置及曝光方法以及元件製造方法

本發明是有關於一種對形成於物體上的標記（mark）的位置進行檢測的標記檢測裝置及標記檢測方法、測定裝置、曝光裝置及曝光方法以及元件製造方法的技術領域。

將元件圖案（pattern）轉印至基板的曝光裝置為了進行對準（alignment）動作，藉由對形成於基板上的對準標記照射測定光，從而檢測對準標記的位置。對準動作主要是為了進行已形成於基板上的元件圖案、與欲新轉印至基板上的元件圖案的對位而進行。然而，根據對準標記的特性或測定光的特性，有時無法適當地檢測對準標記的位置。 現有技術文獻 專利文獻

專利文獻1：美國專利公開第2004/0033426號

標記檢測裝置的第1形態是一種標記檢測裝置，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測裝置包括：第1光學系統，朝向所述標記區域射出第1測定光；第2光學系統，使第2測定光偏向並作為第3測定光而照射至所述標記區域，所述第2測定光包含藉由從所述第1光學系統朝向所述標記區域的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分；以及受光器，接受第4測定光，所述第4測定光包含藉由從所述第2光學系統朝向所述標記區域的所述第3測定光的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分。

標記檢測裝置的第2形態是一種標記檢測裝置，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測裝置包括：第1光學系統，朝向所述標記區域射出第1測定光；第2光學系統，使第2測定光偏向並作為第3測定光而照射至所述標記區域，所述第2測定光包含藉由從所述第1光學系統朝向所述標記區域的所述第1測定光的照射而產生的繞射光；以及受光器，接受第4測定光，所述第4測定光包含藉由從所述第2光學系統朝向所述標記區域的所述第3測定光的照射而產生的繞射光。

標記檢測裝置的第3形態是一種標記檢測裝置，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測裝置包括：第1光學系統，朝向所述標記區域射出包含多個光成分的測定光，所述多個光成分具有各不相同的波長；以及受光器，接收經由所述標記區域的測定光的至少一部分，所述受光器具備用於分別檢測所述多個光成分的多個受光面。

標記檢測裝置的第4形態是一種標記檢測裝置，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測裝置包括：第1光學系統，朝向所述標記區域射出包含多個光成分的測定光，所述多個光成分具有各不相同的波長；第2光學系統，使經由所述標記區域的測定光中的第1波長的光成分、和與所述第1波長不同的第2波長的光成分的行進方向一致地射出；以及受光器，接收來自所述第2光學系統的測定光的至少一部分。

測定裝置的第1形態是一種測定裝置，對形成於物體的標記區域的標記的位置進行測定，所述測定裝置包括：載台（stage），保持所述物體；標記檢測裝置的第1形態、第2形態或第3形態；載台位置測定系統，測定所述載台的位置；以及運算裝置，使用所述受光器的受光結果與所述載台位置測定系統的測定結果，來算出所述標記的位置。

標記檢測方法的第1形態是一種標記檢測方法，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測方法包括：朝向所述標記區域射出第1測定光；使第2測定光偏向並作為第3測定光而照射至所述標記區域，所述第2測定光包含藉由所述第1測定光向所述標記區域的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分；以及接受第4測定光，所述第4測定光包含藉由所述第3測定光向所述標記區域的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分。

標記檢測方法的第2形態是一種標記檢測方法，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測方法包括：朝向所述標記區域射出包含多個光成分的測定光，所述多個光成分具有各不相同的波長；使經由所述標記區域的測定光中的第1波長的光成分、和與所述第1波長不同的第2波長的光成分的行進方向一致地射出；以及接收所述射出的測定光的至少一部分。 曝光裝置的第1形態是使用測定裝置的第1形態的測定結果來對物體進行曝光。 曝光方法的第1形態是使用測定裝置的第1形態的測定結果來對物體進行曝光。

元件製造方法的第1形態是使用曝光方法的第1形態，對塗佈有光敏劑的所述物體進行曝光，將所需的圖案轉印至所述物體，對經曝光的所述光敏劑進行顯影，形成與所述所需的圖案對應的曝光圖案層，經由所述曝光圖案層來加工所述物體。

以下，參照圖式來說明本發明的實施形態。但是，本發明並不限定於以下說明的實施形態。 （ 1 ）曝光裝置 EX 的結構

首先，參照圖1來說明本實施形態的曝光裝置EX的結構的一例。再者，以下的說明中，使用由彼此正交的X軸、Y軸及Z軸定義的XYZ正交座標系，對構成曝光裝置EX的構成要素的位置關係進行說明。再者，以下的說明中，為了便於說明，設X軸方向及Y軸方向分別為水平方向（即水平面內的規定方向），Z軸方向為鉛垂方向（即，與水平面正交的方向，實質上為上下方向）。而且，將繞X軸、Y軸及Z軸的旋轉方向（換言之為傾斜方向）分別稱作θX方向、θY方向及θZ方向。

曝光裝置EX對物體進行曝光。以下，為了便於說明，設物體是塗佈有抗蝕劑（resist）的半導體基板等基板41。此時，曝光裝置EX藉由對基板41進行曝光，從而將元件圖案（例如半導體元件圖案）轉印至基板41上。即，設曝光裝置EX是用於製造半導體元件等元件的曝光裝置。但是，如後所述，曝光裝置EX亦可為對任意物體進行曝光、或者將光照射至任意物體的任意曝光裝置。

為了將元件圖案轉印至基板41，曝光裝置EX如圖1所示，具備遮罩（mask）載台1、照明系統2、投影光學系統3、基板載台4、對準系統5及控制裝置6。

遮罩載台1保持遮罩11，該遮罩11形成有將被轉印至基板41的元件圖案。遮罩載台1在保持著遮罩11的狀態下，可沿著包含從照明系統2射出的曝光用光EL所照射的照明區域的平面（例如XY平面）而移動。例如，遮罩載台1藉由包含馬達（motor）的驅動系統12的動作而移動。遮罩載台1藉由驅動系統12的動作，可沿著X軸方向、Y軸方向及Z軸方向以及、θX方向、θY方向及θZ方向中的至少一個方向移動。遮罩載台1的位置是由位置測定裝置13來適當測定。位置測定裝置13例如包含雷射（laser）干涉計及編碼器（encoder）系統中的至少一者。

照明系統2射出曝光用光EL。曝光用光EL例如亦可為從汞燈射出的輝線（例如g線、h線或i線等）。曝光用光EL例如亦可為KrF準分子（excimer）雷射光（波長248 nm）等遠紫外光（DUV光：Deep Ultra Violet光）。曝光用光EL例如亦可為ArF準分子雷射光（波長193 nm）或F₂ 雷射光（波長157 nm）等真空紫外光（VUV光：Vacuum Ultra Violet光）。曝光用光EL例如亦可為X射線（波長：1 nm～40 nm左右）的極紫外光（EUV光：Extreme Ultra Violet光）。照明系統2所射出的曝光用光EL被照射至遮罩11的一部分。 投影光學系統3將透射過遮罩11的曝光用光EL（即，形成於遮罩11的元件圖案的像）投影至基板41。

基板載台4保持基板41。基板載台4在保持著基板41的狀態下，可沿著包含藉由投影光學系統3來投影曝光用光EL的投影區域的平面（例如XY平面）而移動。例如，基板載台4藉由包含馬達的驅動系統42的動作而移動。基板載台4藉由驅動系統42的動作，可沿著X軸方向、Y軸方向及Z軸方向以及θX方向、θY方向及θZ方向中的至少一個方向移動。基板載台4的位置是由位置測定裝置43來適當測定。位置測定裝置43例如包含雷射干涉計及編碼器系統中的至少一者。

對準系統5對形成於基板41上的標記區域MA中的對準標記M進行檢測。具體而言，對準系統5對於對準標記M（即，標記區域MA內的所需區域）照射測定光L1。對準系統5對藉由來自對準標記M的出射光L2（即，來自標記區域MA內的所需區域的出射光L2）相干而獲得的干涉光L3進行檢測。對準系統5基於干涉光L3的檢測結果來檢測對準標記M。再者，對準系統5亦可對來自對準標記M的出射光L2（即，未相干的出射光L2）進行檢測。此時，對準系統5亦可基於出射光L2的檢測結果來檢測對準標記M。

對準系統5是配置於投影光學系統3的側面。因此，對準系統5不經由投影光學系統3而將測定光L1照射至對準標記M。進而，對準系統5不經由投影光學系統3而檢測干涉光L3。即，對準系統5是離軸（off axis）式的對準系統。但是，對準系統5亦可經由投影光學系統3來將測定光L1照射至對準標記M。對準系統5亦可經由投影光學系統3來檢測干涉光L3。

曝光裝置EX亦可具備單一的對準系統5。或者，曝光裝置EX亦可具備多個對準系統5。此時，亦可將多個對準系統5中的一個對準系統5用作初級（primary）對準系統5，且將多個對準系統5中的其他對準系統5用作次級（secondary）對準系統5。進而，多個對準系統5亦可沿著所需方向（例如X軸方向或Y軸方向）而排列。具備多個對準系統5的曝光裝置例如在美國專利第8,054,472號公報中有所揭示。本申請案中，引用該美國專利第8,054,472號公報來作為參照。

對準標記M包含依所需的間距Λ形成的光柵標記。更具體而言，對準標記M包含：光柵標記MY，以依所需的間距ΛY沿第1方向（例如Y軸方向）排列的方式而形成；以及光柵標記MX，以依所需的間距ΛX沿與第1方向正交的第2方向（例如X軸方向）排列的方式而形成。但是，對準標記M只要是對準系統5可檢測的標記，則亦可為任何標記。

在基板41上，配置有與基板41上的各照射曝光（shot）區域對應的一個或多個標記區域MA。在各標記區域MA中，既可形成有單個光柵標記MX，亦可形成有多個光柵標記MX。在各標記區域MA中，既可形成有單個光柵標記MY，亦可形成有多個光柵標記MY。

控制裝置6控制整個曝光裝置EX的動作。控制裝置6將用於使曝光裝置EX所具備的各動作塊（block）進行動作的控制指令，輸出至各動作塊。各動作塊依照控制指令來進行動作。例如，控制裝置6獲取表示位置測定裝置13所測定出的遮罩載台1的位置的遮罩位置資訊、表示位置測定裝置43所測定出的基板載台4的位置的基板位置資訊、及表示對準系統5對於對準標記M的檢測結果的標記檢測資訊。控制裝置6基於標記檢測資訊及基板位置資訊，來獲取表示對準標記M的位置的標記位置資訊。控制裝置6進行如下所述的對準動作，即：對所獲取的標記位置資訊實施統計處理（例如基於增強型全局對準（Enhanced Global Alingment，EGA）的統計處理），藉此來算出基板41上的多個照射曝光區域的位置座標的校正量（例如，相當於位置座標的設計值與實測值的偏離的校正量）。控制裝置6基於所算出的校正量以及所獲取的遮罩位置資訊及基板位置資訊來控制遮罩載台1及基板載台4的移動，以將所需的元件圖案轉印至基板41上的所需的照射曝光區域的所需位置。 （ 2 ）對準系統 5 的結構

接下來說明對準系統5的結構。本實施形態中，作為對準系統5，可採用第1實施形態的對準系統5a至第7實施形態的對準系統5g的各個。因此，以下，依序說明第1實施形態的對準系統5a至第7實施形態的對準系統5g的各自的結構。 （ 2-1 ）第 1 實施形態的對準系統 5a 的結構

參照圖2來說明第1實施形態的對準系統5a的結構。如圖2所示，對準系統5a具備光源51a、半反射鏡（half mirror）52a、反射光學元件53a、聚光透鏡54a及受光器55a。

光源51a出射測定光L1。光源51a所出射的測定光L1經由半反射鏡52a而照射至對準標記M。因而，光源51a朝向對準標記M（更具體而言，朝向半反射鏡52a）出射測定光L1。測定光L1例如為可見光（具體而言，為可見光區域的雷射光）。測定光L1包含具有各不相同的波長的多個雷射光。再者，作為測定光L1，亦可取代可見光，或者除了可見光以外還使用近紅外光或紅外光。而且，作為測定光，亦可為紫外光。

為了出射測定光L1，光源51a具備多個發光元件511a、及對來自多個發光元件511a的光進行合成的合波器512a。多個發光元件511a各自包含雷射二極體（Laser Diode，LD）元件。多個發光元件511a出射具有各不相同的波長的多個雷射光。多個雷射光包含波長之差至少為100 nm的至少二個雷射光。例如，多個發光元件511a亦可具備：出射紅色雷射光的發光元件511a、出射綠色雷射光的發光元件511a、及出射藍色雷射光的發光元件511a。多個發光元件511a所出射的多個雷射光是由合波器512a予以合成。其結果，合波器512a出射藉由將多個雷射光合成而獲得的測定光L1。

半反射鏡52a使光源51a所出射的測定光L1的一部分朝向基板41（即，對準標記M）反射。即，半反射鏡52a是將測定光L1的一部分導向對準標記M的光學構件。因此，半反射鏡52a是配置在從光源51a到達基板41的測定光L1的光路上且光源51a與基板41之間。

半反射鏡52a所反射的測定光L1通過反射光學元件53a的開口532a。因此，反射光學元件53a是以開口532a位於從半反射鏡52a到達基板41的測定光L1的光路上的方式，而配置於半反射鏡52a與基板41之間。再者，亦可在光源51a與反射光學元件53a之間設置對測定光L1進行聚光的聚光光學系統。該聚光光學系統亦可配置於光源51a與半反射鏡52a之間。該聚光光學系統亦可具備光圈，該光圈設於與基板41的表面光學共軛的位置。

通過開口532a的測定光L1相對於基板41的表面而垂直地入射。因此，當對準標記M位於開口532a的下方時，測定光L1被照射至對準標記M。從照射有測定光L1的對準標記M，出射因測定光L1的照射而產生的出射光L2。具體而言，照射至對準標記M的測定光L1被對準標記M反射。因此，從對準標記M出射測定光L1的0次反射光L2（0），以作為出射光L2的至少一部分。進而，照射至對準標記M的測定光L1因對準標記M而繞射。因此，從對準標記M出射測定光L1的+N次繞射光L2（+N）及測定光L1的-N次繞射光L2（-N），以作為出射光L2的至少一部分（N為1以上的整數）。再者，圖2中，僅圖示了測定光L1的+1次繞射光L2（+1）及測定光L1的-1次繞射光L2（-1）。為了使說明簡單，以下，僅對測定光L1的±1次繞射光L2（±1）進行說明。

另外，所謂藉由測定光L1向對準標記M的照射而產生的0次反射光及繞射光的至少一部分，既可為0次反射光的至少一部分，亦可為繞射光的至少一部分，還可為0次反射光的至少一部分及繞射光的至少一部分。

從對準標記M出射的+1次繞射光L2（+1）入射至反射光學元件53a的反射面531a。反射面531a使+1次繞射光L2（+1）反射，以使入射至反射面531a的+1次繞射光L2（+1）照射至對準標記M。尤其，反射面531a以從對準標記M朝向反射面531a的+1次繞射光L2（+1）的光路與從反射面531a朝向對準標記M的+1次繞射光L2（+1）的光路變得平行（或者一致）的方式，來反射+1次繞射光L2（+1）。為了使光路變得平行，例如，反射面531a亦可以來自對準標記M的+1次繞射光L2（+1）的繞射角度（換言之為出射角度）與朝向對準標記M的+1次繞射光L2（+1）的入射角度（換言之為照射角度）一致的方式，來反射+1次繞射光L2（+1）。進而，反射面531a以來自對準標記M的（換言之，來自標記區域MA的特定部分的）+1次繞射光L2（+1）照射至相同的對準標記M（即，照射至相同的特定部分）的方式，來反射+1次繞射光L2（+1）。

另一方面，從對準標記M出射的-1次繞射光L2（-1）亦入射至反射光學元件53a的反射面531a。反射面531a以入射至反射面531a的-1次繞射光L2（-1）照射至對準標記M的方式，來反射-1次繞射光L2（-1）。此時，反射面531a以從對準標記M朝向反射面531a的-1次繞射光L2（-1）的光路與從反射面531a朝向對準標記M的-1次繞射光L2（-1）的光路變得平行（或者一致）的方式，來反射-1次繞射光L2（-1）。為了使光路變得平行，例如，反射面531a亦可以來自對準標記M的-1次繞射光L2（-1）的繞射角度與朝向對準標記M的-1次繞射光L2（-1）的入射角度一致的方式，來反射-1次繞射光L2（-1）。進而，反射面531a以來自對準標記M的（換言之，來自標記區域MA的特定部分的）-1次繞射光L2（-1）照射至相同的對準標記M（即，照射至相同的特定部分）的方式，來反射-1次繞射光L2（-1）。 另外，相同的特定部分既可為對準標記M或形成有對準標記M的區域的全部，亦可為一部分。

反射面531a為凹狀的球面鏡。即，反射面531a的包含Z軸的剖面形狀（換言之，反射面531a的、包含反射光學元件53a的光軸AXa的剖面形狀），為相當於圓的外周的形狀。但是，為了在反射光學元件53a形成開口532a且避免基板41與反射光學元件53a的接觸，反射面531a的剖面形狀為相當於圓的一部分（即圓弧）的外周的形狀。進而，構成反射面531a的球面鏡的中心（即，構成反射面531a的剖面形狀的圓的中心）C位於基板41的表面與光軸AXa的交點。

當如上所述般設有聚光光學系統時，該聚光光學系統對測定光L1的聚焦位置對準構成反射面531a的球面鏡的中心C。因此，光源51a、半反射鏡52a及反射光學元件53a是以測定光L1的聚焦位置一致於中心C的方式而配置。再者，在未設有聚光光學系統的情況下，測定光L1的束腰（beam waist）位置亦可一致於中心C。

對反射面531a為球面鏡的情況進行說明。反射面531a是以從中心C朝向反射面531a的出射光L2的光路與從反射面531a朝向中心C的出射光L2的光路變得平行的方式，來反射出射光L2。因而，在球面鏡的中心C位於基板41的表面與光軸AXa的交點且對準標記MA位於中心C的情況下，反射面531a以朝向反射面531a的+1次繞射光L2（+1）的光路與朝向對準標記M的+1次繞射光L2（+1）的光路一致的方式，來反射+1次繞射光L2（+1）。同樣，反射面531a以朝向反射面531a的-1次繞射光L2（-1）的光路與朝向對準標記M的-1次繞射光L2（-1）的光路變得平行的方式，來反射-1次繞射光L2（-1）。

此處，如上所述，測定光L1包含具有各不相同的波長的多個雷射光。因此，從對準標記M，出射多個雷射光各自的±1次繞射光L2（±1）。與多個雷射光分別對應的多個+1次繞射光L2（+1）的繞射角度對應於雷射光的波長而變動。同樣，與多個雷射光分別對應的多個-1次繞射光L2（-1）的繞射角度對應於雷射光的波長而變動。例如，如圖3（a）所示，具有波長λ1的雷射光的+1次繞射光L2（+1）：λ1的繞射角度θ1（+1）：λ1，與具有波長λ2（≠λ1）的雷射光的+1次繞射光L2（+1）：λ2的繞射角度θ1（+1）：λ2不同。例如，如圖3（a）所示，具有波長λ1的雷射光的-1次繞射光L2（-1）的繞射角度θ1（-1）：λ1，與具有波長λ2的雷射光的-1次繞射光L2（-1）的繞射角度θ1（-1）：λ2不同。然而，從中心C出射的出射光L2即使波長不同，但因被反射面531a反射，而再次返回中心C。因而，即使在±1次繞射光L2（±1）的繞射角度對應於波長而變動的情況下，±1次繞射光L2（±1）仍會返回相同的位置。例如，從對準標記M以第1繞射角度出射的±1次繞射光L2（±1）、及從對準標記M以與第1繞射角度不同的第2繞射角度出射的±1次繞射光L2（±1）全部返回至基板41上的相同位置（即中心C）。因此，即使在測定光L1包含具有各不相同的波長的多個雷射光的情況下，只要與多個雷射光分別對應的多個±1次繞射光L2（±1）被反射面531a反射，反射面531a所反射的多個±1次繞射光L2（±1）便會與入射至反射面531a的多個±1次繞射光L2（±1）逆向地行進而照射至基板41上的相同位置。

再者，在+1次繞射光L2（+1）從對準標記M出射的期間，載台4有可能移動（即，基板41移動）。然而，相對於+1次繞射光L2（+1）的傳播速度（=光速），載台4的移動速度小至可忽略的程度。因此，從不會對對準動作造成影響的觀點來看，即使在+1次繞射光L2（+1）從對準標記M出射的期間載台4移動的情況下，仍可以說，朝向反射面531a的+1次繞射光L2（+1）的光路實質上與朝向對準標記M的+1次繞射光L2（+1）的光路平行（或者一致）。即，來自對準標記M的+1次繞射光L2（+1）實質上可以說照射至相同的對準標記M。-1次繞射光L2（-1）亦同樣。因而，即使在±1次繞射光L2（±1）從對準標記M出射的期間載台4移動的情況下，仍可以說，反射面531a所反射的多個±1次繞射光L2（±1）照射至基板41上的相同位置。

朝向與入射至反射面531a的±1次繞射光L2（±1）正相反的方向行進的、來自反射面531a的±1次繞射光L2（±1）返回至基板41上的相同位置，並因基板41（尤其是基板41上的對準標記M）而產生反射及繞射。

以下，參照圖3（b）及圖3（c）來進行於對準標記M繞射的光的說明。圖3（b）是表示於對準標記M繞射的具有波長λ1、λ2的雷射光中的+1次繞射光L2（+1）：λ1及+1次繞射光L2（+1）：λ2的圖。此處，+1次繞射光L2（+1）：λ1的繞射角度θ1（+1）：λ1滿足sin（θ1（+1）：λ1）=λ1/Λ這一條件。同樣，+1次繞射光L2（+1）：λ2的繞射角度θ1（+1）：λ2滿足sin（θ1（+1）：λ2）=λ2/Λ這一條件。圖3（c）是表示來自對準標記M的+1次繞射光L2（+1）：λ1及+1次繞射光L2（+1）：λ2經反射面531a反射後的狀態的圖。具有波長λ1的+1次繞射光L2（+1）：λ1相對於光軸AXa而以角度θ2（+1）：λ1照射至對準標記M後，於對準標記M繞射。具有波長λ2的+1次繞射光L2（+1）：λ2相對於光軸AXa而以角度θ2（+1）：λ2照射至對準標記M後，於對準標記M繞射。此時的+1次繞射光L2（+1）：λ1的繞射角度θ2（+1）：λ1滿足sin（θ2（+1）：λ1）=λ1/Λ這一條件。而且，此時的+1次繞射光L2（+1）：λ2的繞射角度θ2（+1）：λ2滿足sin（θ2（+1）：λ2）=λ2/Λ這一條件。即，繞射角度θ2（+1）：λ1與所述的繞射角度θ1（+1）：λ1相等，且繞射角度θ2（+1）：λ2與所述的繞射角度θ1（+1）：λ2相等。因而，即使雷射光（測定光L1）的波長不同，於對準標記M多次繞射後的光的行進方向仍相同或平行。

其結果，如圖3（a）所示，從對準標記M，±1次繞射光L2（±1）朝向相同的方向出射。尤其，從對準標記M，相當於於對準標記M（或標記區域MA）多次（圖3（a）所示的示例中為二次）繞射的光的±1次繞射光L2（±1）朝向相同的方向出射。具體而言，從對準標記M，通過與測定光L1入射向對準標記M的光路平行的光路（或者相同的光路）的±1次繞射光L2（±1）出射。其結果，從對準標記M，實質上藉由反射面531a所反射的±1次繞射光L2（±1）相干而獲得的干涉光L3出射。尤其，在具有各不相同的波長的多個±1次繞射光L2（±1）被反射面531a反射的情況下，反射面531a所反射的多個±1次繞射光L2（±1）從對準標記M朝向相同的方向出射。即，反射面531a對於具有各不相同的波長的多個±1次繞射光L2（±1）的反射，實質上相當於使反射面531a所反射的該多個±1次繞射光L2（±1）與從對準標記M出射的方向一致的動作的至少一部分。其結果，干涉光L3成為如下所述的光，即，對應於每個波長而含有多個藉由具有相同波長的±1次繞射光L2（±1）相干而獲得的干涉光。例如，圖3（a）所示的示例中，波長λ1的±1次繞射光L2（±1）：λ1彼此相干而成為干涉光L3：λ1，波長λ2的±1次繞射光L2（±1）λ2彼此相干而成為干涉光L3：λ2。干涉光L3以通過與測定光L1入射向對準標記M的光路平行的光路（或者相同的光路）的方式，而從對準標記M垂直地出射。其結果，干涉光L3通過反射光學元件53a的開口532a。通過開口532a的干涉光L3入射至半反射鏡52a。

半反射鏡52a使干涉光L3的一部分朝向受光器55a透射。即，半反射鏡52a是將干涉光L3的一部分導向受光器55a的光學構件。因此，半反射鏡52a是配置於從基板41到達受光器55a的干涉光L3的光路上且基板41與受光器55a之間。

透射過半反射鏡52a的干涉光L3由聚光透鏡54a予以聚光。即，藉由聚光透鏡54a，干涉光L3的束徑被調整為干涉光L3可入射至受光器55（更具體而言，入射至後述的分光器551a）的程度的大小。經聚光透鏡54a聚光的干涉光L3入射至受光器55a。再者，若為即使無聚光透鏡54a，干涉光L3亦可入射至受光器55（更具體而言，入射至後述的分光器551a）的程度的大小，則可省略聚光透鏡54a。

受光器55a具備分光器551a與受光元件554a。分光器551a對干涉光L3進行分光。即，分光器551a將干涉光L3分離為具有各不相同的波長的多個光成分。分光器551a例如亦可包含稜鏡（prism）及繞射光柵中的至少一者。分光器551a所分光的干涉光L3入射至受光元件554a的受光面中的第1受光面555a。第1受光面555a被分割成用於分別接收分光器551a所分離的多個光成分的多個受光區域558a。具體而言，在分光器551a將干涉光L3分割為P（其中，P為1以上的整數）個光成分的情況下，第1受光面555a被分割為受光區域558a#1、受光區域558a#2、受光區域558a#3、…、受光區域558a#P-1及受光區域558a#P。因此，即使在測定光L1包含（即，干涉光L3亦包含）具有各不相同的波長的多個光成分的情況下，受光元件554a亦可同時接收多個光成分。受光元件554a的受光結果作為標記檢測資訊而輸出至控制裝置6。

受光器55a進而具備分光器552a與分光器553a。進而，受光元件554a的受光面包含第2受光面556a及第3受光面557a。所述分光器551a及第1受光面555a是如下所述的光學元件，即，當構成反射面531a的球面鏡的中心C位於基板41的表面與光軸AXa的交點（即，中心C的Z軸方向的位置與對準標記M的Z軸方向的位置一致）時，用於對從基板41入射至受光器55a的光（即，干涉光L3）進行檢測。另一方面，分光器552a、分光器553a、第2受光面556a及第3受光面557a是如下所述的光學元件，即，當中心C未位於基板41的表面與光軸AXa的交點（即，中心C的Z軸方向的位置與對準標記M的Z軸方向的位置不一致）時，用於對從基板41入射至受光器55a的光進行檢測。

如上所述，當構成反射面531a的球面鏡的中心C位於基板41的表面（即，對準標記M）與光軸AXa的交點時，於對準標記M繞射的±1次繞射光L2（±1）朝向相同的方向出射。另一方面，當中心C未位於基板41的表面時，如圖4（a）及圖4（b）所示，從對準標記M出射的+1次繞射光L2（+1）即使被反射面531a反射，亦不會再次返回至對準標記M上的相同位置。

參照圖4（b），相對於測定光L1照射至對準標記M（光柵標記MY）的區域SPL1，經由反射面531a的+1次繞射光L2（+1）照射至對準標記M的區域SPL2（+1）成為關於對準標記M的測定方向（Y方向）而不同的位置。

如此，+1次繞射光L2（+1）即使被反射面531a反射，亦會返回至與形成有+1次繞射光L2（+1）所出射的對準標記M的區域不同的區域。因此，+1次繞射光L2（+1）在中心C位於基板41的表面與光軸AXa的交點的情況下，通過與干涉光L3所傳播的光路不同的光路，而入射至受光器55a。入射至受光器55a的+1次繞射光L2（+1）經分光器552a分光。再者，分光器552a的結構與分光器551a的結構相同。分光器552a所分光的+1次繞射光L2（+1）入射至第2受光面556a。第2受光面556a的結構與第1受光面555a的結構相同。因此，即使在測定光L1包含（即，+1次繞射光L2（+1）亦包含）具有各不相同的波長的多個光成分的情況下，受光元件554a亦可同時接收多個光成分。受光元件554a的受光結果作為標記檢測資訊而輸出至控制裝置6。

同樣，在中心C未位於基板41的表面的情況下，如圖4（a）及圖4（b）所示，從對準標記M出射的-1次繞射光L2（-1）即使被反射面531a反射，亦不會再次返回至對準標記M上的相同位置。參照圖4（b），相對於測定光L1照射至對準標記M（光柵標記My）的區域SPL1，經由反射面531a的-1次繞射光L2（-1）照射至對準標記的區域SPL2（-1）成為關於對準標記M的測定方向（Y方向）而不同的位置。此處，二個區域SPL2（±1）亦可以不超過光柵標記MY（Y方向測定標記）的範圍的方式而設置。

如此，-1次繞射光L2（-1）即使被反射面531a反射，亦會返回至與形成有-1次繞射光L2（-1）所出射的對準標記M的區域不同的區域。因此，-1次繞射光L2（-1）在中心C位於基板41的表面與光軸AXa的交點的情況下，通過與干涉光L3所傳播的光路不同的光路，而入射至受光器55a。尤其，反射面531a所反射的-1次繞射光L2（-1）所照射的基板41上的位置（即，區域SPL2（-1）），與反射面531a所反射的+1次繞射光L2（+1）所照射的基板41上的位置（即，區域SPL2（+1））不同。因此，-1次繞射光L2（-1）從基板41朝向受光器55a所傳播的光路，與+1次繞射光L2（+1）從基板41朝向受光器55a所傳播的光路不同。入射至受光器55a的-1次繞射光L2（-1）經分光器553a分光。再者，分光器553a的結構與分光器551a的結構相同。分光器553a所分光的-1次繞射光L2（-1）入射至第3受光面557a。第3受光面557a的結構與第1受光面555a的結構相同。因此，即使在測定光L1包含（即，-1次繞射光L2（-1）亦包含）具有各不相同的波長的多個光成分的情況下，受光元件554a亦可同時接收多個光成分。受光元件554a的受光結果作為標記檢測資訊而輸出至控制裝置6。

控制裝置6基於在中心C位於基板41的表面與光軸AXa的交點的狀況下獲取的標記檢測資訊（以下稱作“第1標記檢測資訊”）、及在中心C未位於基板41的表面與光軸AXa的交點的狀況下獲取的標記檢測資訊（以下稱作“第2標記檢測資訊”），來進行用於變更（換言之，校正、修正或調整）第1標記檢測資訊的散射（scatterometry）測定。具體而言，如上所述，對準標記M包含光柵標記MX及光柵標記MY。此處，根據光柵標記MX及光柵標記MY的形成精度，構成光柵標記MX及光柵標記MY的結構物（例如槽或規定槽的壁等）的形狀有可能成為非對稱的形狀（例如未呈線對稱）。若構成光柵標記MX及光柵標記MY的結構物的形狀成為非對稱的形狀，則第1標記檢測資訊有可能包含因光柵標記MX及光柵標記MY的非對稱形狀引起的誤差。因此，控制裝置6為了提高第1標記檢測資訊的精度（換言之，減小或排除誤差的影響），藉由在與獲取第1標記檢測資訊的狀況不同的狀況下獲取第2標記檢測資訊，從而檢測光柵標記MX及光柵標記MY的形狀的非對稱性。因此，此處所述的散射測定，亦可指檢測光柵標記MX及光柵標記MY的形狀的非對稱性。再者，為了獲取第1標記檢測資訊，控制裝置6控制載台驅動系統41，以使中心C位於基板41的表面與光軸AXa的交點。進而，為了獲取第2標記檢測資訊，控制裝置6控制載台驅動系統41，以使中心C不位於基板41的表面與光軸AXa的交點（具體而言，使中心C位於從基板41的表面與光軸AXa的交點沿著Z軸方向而偏移的位置）。

如以上所說明般，第1實施形態的對準系統5a可適當地獲取對準標記M的檢測結果即標記檢測資訊。其結果，控制裝置6可基於標記檢測資訊來適當地進行對準動作。具體而言，控制裝置6控制對準系統5a，以將測定光L1照射至對準標記M中的光柵標記MY。其結果，控制裝置6獲取被用於算出沿著Y軸方向的多個照射曝光區域的位置座標校正量的標記檢測資訊。進而，控制裝置6控制對準系統5a，以將測定光L1照射至對準標記M中的光柵標記MX。其結果，控制裝置6獲取被用於算出沿著X軸方向的多個照射曝光區域的位置座標校正量的標記檢測資訊。因此，控制裝置6可適當地進行用於算出XY平面上的多個照射曝光區域的位置座標校正量的對準動作。再者，當在基板41上存在多個對準標記M，對所述多個對準標記M進行檢測的情況下，亦可在使反射面531a的中心C與基板41的表面一致的狀態下檢測所有多個對準標記之後，在Z軸方向上使反射面531a的中心C偏離基板41的表面的狀態下，檢測所有多個對準標記。或者，亦可在Z軸方向上使反射面531a的中心C偏離基板41的表面的狀態下檢測所有多個對準標記之後，在使反射面531a的中心C與基板41的表面一致的狀態下檢測所有多個對準標記。在該些情況下，載台驅動系統41對基板41朝向Z軸方向的移動動作為一次，因此可實現對準檢測時間的縮短。

進而，第1實施形態中，即使在測定光L1包含具有各不相同的波長的多個雷射光的情況下，與多個波長分別對應的多個±1次繞射光L2（±1）亦會再次返回至基板41上的相同位置。即，來自基板41的繞射角度各不相同的多個±1次繞射光L2（±1）再次返回至基板41上的相同位置。因此，對準系統5a可對藉由與多個波長分別對應的多個±1次繞射光L2（±1）相干而獲得的干涉光L3進行檢測。因此，在使用包含具有各不相同的波長的多個雷射光的測定光L1，來獲取標記檢測資訊的情況下，與使用具有單一波長的測定光L1來獲取標記檢測資訊的情況相比，可獲取精度更高的標記檢測資訊。或者，與藉由依序照射具有各不相同的波長的多個測定光L1，來獲取標記檢測資訊的情況相比，獲取標記檢測資訊所需的時間變短。

另一方面，±1次繞射光L2（±1）的繞射角度不僅會根據±1次繞射光L2（±1）各自所含的光成分的波長，亦會根據對準標記M中所含的光柵標記MY及光柵標記MX的間距ΛY及間距ΛX而變化。即，從包含以第1間距ΛY1所形成的光柵標記MY的對準標記M出射的、+1次繞射光L2（+1）的繞射角度，跟從包含以與第1間距ΛY1不同的第2間距ΛY2所形成的光柵標記MY的對準標記M出射的、+1次繞射光L2（+1）的繞射角度不同。因此，對準系統5a即使對包含以任意間距ΛY及間距ΛX分別形成的光柵標記MX及光柵標記MY的對準標記M照射測定光L1，亦可適當地獲取標記檢測資訊。

進而，第1受光面555a被分割為多個受光區域558a，因此受光元件554a可同時檢測干涉光L3中所含的具有各不相同的波長的多個光成分。因此，與第1受光面555a具備單個受光區域558a的情況相比，獲取標記檢測資訊所需的時間變短。

再者，控制裝置6控制載台驅動系統41來設定基板41的表面在Z軸方向的位置，以使經由反射面531a的來自對準標記M的±1次繞射光L2（±1）彼此僅重複一部分。此時，±1次繞射光L2（±1）重複的部分成為干涉光L3而入射至第1受光面555a，未重複的部分分別入射至第2受光面556a及第3受光面557a。藉此，可縮短獲取標記檢測資訊所需的時間。 （ 2-2 ）第 2 實施形態的對準系統 5b 的結構

繼而，參照圖5來說明第2實施形態的對準系統5b的結構。再者，對於與在第1實施形態中已說明的構件相同的構件，標註相同的參照符號並省略其詳細說明。

如圖5所示，第2實施形態的對準系統5b與第1實施形態的對準系統5a相比，不同之處在於，取代半反射鏡52a而具備偏光分光鏡（beam splitter）52b。進而，第2實施形態的對準系統5b與第1實施形態的對準系統5a相比，不同之處在於，在基板41與反射面531a之間的+1次繞射光L2（+1）的光路上，具備1/4波長板56b。進而，第2實施形態的對準系統5b與第1實施形態的對準系統5a相比，不同之處在於，在基板41與反射面531a之間的-1次繞射光L2（-1）的光路上，具備1/4波長板57b。第2實施形態的對準系統5b的其他結構亦可與第1實施形態的對準系統5a的其他結構相同。

偏光分光鏡52b將光源51a所出射的測定光L1中的第1偏光（例如s偏光）朝向基板41（即，對準標記M）反射。另一方面，偏光分光鏡52b使光源51a所出射的測定光L1中的第2偏光（例如p偏光）透射。偏光分光鏡52b所反射的測定光L1被照射至對準標記M。其結果，從對準標記M出射+1次繞射光L2（+1）及-1次繞射光L2（-1）。再者，光源51a亦可對偏光分光鏡52b的偏光分離面出射作為s偏光的測定光L1。

從對準標記M出射的+1次繞射光L2（+1）通過1/4波長板56b。其結果，+1次繞射光L2（+1）由直線偏光轉換為圓偏光。隨後，+1次繞射光L2（+1）被反射面531a反射。其結果，構成+1次繞射光L2（+1）的圓偏光的旋轉方向反轉。隨後，反射面531a所反射的+1次繞射光L2（+1）再次通過1/4波長板56b。其結果，+1次繞射光L2（+1）由圓偏光轉換為直線偏光。尤其，因反射面531a處的反射，構成+1次繞射光L2（+1）的圓偏光的旋轉方向發生了反轉，因此再次通過1/4波長板56b的+1次繞射光L2（+1）成為第2偏光的直線偏光（p偏光）。

同樣，從對準標記M出射的-1次繞射光L2（-1）通過1/4波長板57b，並被反射面531a反射而再次通過1/4波長板57b。其結果，再次通過1/4波長板57b的-1次繞射光L2（-1）成為第2偏光的直線偏光（p偏光）。

作為第2偏光的直線偏光的±1次繞射光L2（±1）返回至基板41上的相同位置。其結果，從對準標記M，出射藉由±1次繞射光L2（±1）相干而獲得的干涉光L3。干涉光L3通過開口532a後，入射至偏光分光鏡52b。由於干涉光L3為第2偏光的直線偏光（p偏光），因此偏光分光鏡52b使干涉光L3的一部分朝向受光器55a通過。其結果，受光器55a可檢測干涉光L3。

此種第2實施形態的對準系統5b可適當地享有與第1實施形態的對準系統5a可享有的效果同樣的效果。進而，第2實施形態的對準系統5b取代半反射鏡52a而具備偏光分光鏡52b。因此，無半反射鏡52a處的干涉光L3的衰減，因此受光器55a對干涉光L3的受光效率提高。進而，測定光L1的0次反射光L2（0）為第1偏光的直線偏光（s偏光），因此0次反射光L2（0）不透射過分光鏡52b。即，0次反射光L2（0）不入射至受光器55a。因此，藉由±1次繞射光L2（±1）相干而獲得的干涉光L3不會埋沒於0次反射光L2（0）。因而，受光器55a對干涉光L3的受光效率提高。 （ 2-3 ）第 3 實施形態的對準系統 5c 的結構

繼而，參照圖6及圖7來說明第3實施形態的對準系統5c的結構。再者，對於與在第1實施形態至第2實施形態中已說明的構件相同的構件，標註相同的參照符號並省略其詳細說明。

如圖6及圖7所示，對準系統5c具備四個光源51a（即，光源51a-1、光源51a-2、光源51a-3及光源51a-4）、半反射鏡52a、物鏡53c、反射光學元件54c及受光器55c。

光源51a-1出射第1測定光L1（LY），以作為測定光L1。光源51a-2出射第2測定光L1（RY），以作為測定光L1。光源51a-3出射第3測定光L1（LX），以作為測定光L1。光源51a-4出射第4測定光L1（RX），以作為測定光L1。該些光源51a-1～51a-4亦可分別使用與第1實施形態的光源51a相同者。而且，亦可使用將來自第1實施形態的光源51a的測定光L1以光纖一分為四者，以取代來自光源51a-1～51a-4的測定光L1。而且，亦可使用光柵型的繞射光柵或分光鏡來使來自光源51a的測定光分支。

第1測定光L1（LY）及第2測定光L1（RY）分別為照射至光柵標記MY的測定光L1。因而，第1測定光L1（LY）及第2測定光L1（RY）是為了算出沿著Y軸方向的多個照射曝光區域的位置座標的校正量而照射的測定光L1。再者，第1測定光L1（LY）及第2測定光L1（RY）的光路主要記載於圖6中。

第3測定光L1（LX）及第4測定光L1（RX）分別為照射至光柵標記MX的測定光L1。因而，第3測定光L1（LX）及第4測定光L1（RX）是為了算出沿著X軸方向的多個照射曝光區域的位置座標的校正量而照射的測定光L1。再者，第3測定光L1（LX）及第4測定光L1（RX）的光路主要記載於圖7中。

第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別入射至半反射鏡52a。半反射鏡52a將第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）各自的一部分朝向基板41（即，對準標記M）反射。半反射鏡52a所反射的第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別入射至物鏡53c。物鏡53c是位於從半反射鏡52a到達基板41的、第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）的光路上。

物鏡53c使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）折射，以使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別相對於基板41而傾斜入射。換言之，物鏡53c使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別折射，以使他們相對於物鏡53c的光軸AXc而收斂。通過物鏡53c後的第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別通過反射光學元件54c的開口542c-1、開口542c-2、開口542c-3及開口542c-4。

因此，反射光學元件54c以下述方式配置於半反射鏡52a與基板41之間，即，開口542c-1位於從半反射鏡52a到達基板41的第1測定光L1（LY）的光路上，開口542c-2位於從半反射鏡52a到達基板41的第2測定光L1（RY）的光路上，開口542c-3位於從半反射鏡52a到達基板41的第3測定光L1（LX）的光路上，且開口542c-4位於從半反射鏡52a到達基板41的第4測定光L1（RX）的光路上。通過開口542c-1後的第1測定光L1（LY）、通過開口542c-2後的第2測定光L1（RY）、通過開口542c-3後的第3測定光L1（LX）、及通過開口542c-4後的第4測定光L1（RX）相對於基板41而傾斜入射。即，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）相對於基板41，以大於0度且小於90度的入射角度而入射。

物鏡53c使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）折射，以使第1測定光L1（LY）至第2測定光L1（RY）入射至基板41上的相同位置，且第3測定光L1（RY）至第4測定光L1（RX）入射（即，照射）至基板41上的相同位置。因此，光源51a-1至光源51a-4、半反射鏡52a及物鏡53c是配置為，可使第1測定光L1（LY）至第2測定光L1（RY）入射至基板41上的相同位置，且第3測定光L1（RY）至第4測定光L1（RX）入射至基板41上的相同位置。當對準標記M（光柵標記MY）位於第1測定光L1（LY）至第2測定光L1（RY）的照射位置時，第1測定光L1（LY）至第2測定光L1（RY）分別照射至相同的對準標記M。當對準標記M（光柵標記MX）位於第3測定光L1（LX）至第4測定光L1（RX）的照射位置時，第3測定光L1（LX）至第4測定光L1（RX）分別照射至相同的對準標記M。再者，第1測定光L1（LY）至第2測定光L1（RY）所入射的基板41上的位置，亦可與第3測定光L1（RY）至第4測定光L1（RX）所入射的基板41上的位置不同。再者，物鏡53c亦可稱作聚光光學系統。物鏡53c亦可使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）偏向，以使第1測定光L1（LY）至第2測定光L1（RY）入射至基板41上的相同位置，且第3測定光L1（LX）至第4測定光L1（RX）入射（即，照射）至基板41上的相同位置。

通過物鏡53c而朝向基板41（尤其是對準標記M）的第1測定光L1（LY）相對於光軸AXc的角度（甚而，相對於對準系統5c的光軸的角度，以下相同），與通過物鏡53c而朝向基板41（尤其是對準標記M）的第2測定光L1（RY）相對於光軸AXc的角度不同。這是因為，第1測定光L1（LY）的光路及第2測定光L1（RY）的光路是以包夾光軸AXc的方式而設定。在此情況下，通過物鏡53c而朝向基板41的第1測定光L1（LY）相對於光軸AXc的角度的絕對值，亦與通過物鏡53c而朝向基板41的第2測定光L1（RY）相對於光軸AXc的角度的絕對值相等。但是，通過物鏡53c而朝向基板41的第1測定光L1（LY）相對於光軸AXc的角度的絕對值，亦可與通過物鏡53c而朝向基板41的第2測定光L1（RY）相對於光軸AXc的角度的絕對值不同。

同樣，通過物鏡53c而朝向基板41（尤其是對準標記M）的第3測定光L1（LX）相對於光軸AXc的角度，與通過物鏡53c而朝向基板41（尤其是對準標記M）的第4測定光L1（RX）相對於光軸AXc的角度不同。其原因在於，第3測定光L1（LX）的光路及第4測定光L1（RX）的光路是以包夾光軸AXc的方式而設定。在此情況下，通過物鏡53c而朝向基板41的第3測定光L1（LX）相對於光軸AXc的角度的絕對值自身，亦與通過物鏡53c而朝向基板41的第4測定光L1（RX）相對於光軸AXc的角度的絕對值相等。但是，通過物鏡53c而朝向基板41的第1測定光L1（LY）相對於光軸AXc的角度的絕對值，亦可與通過物鏡53c而朝向基板41的第2測定光L1（RY）相對於光軸AXc的角度的絕對值不同。

進而，第1測定光L1（LY）及第2測定光L1（RY）的至少一者相對於光軸AXc的角度，與第3測定光L1（LX）及第4測定光L1（RX）的至少一者相對於光軸AXc的角度不同。在此情況下，第1測定光L1（LY）及第2測定光L1（RY）的至少一者相對於光軸AXc的角度的絕對值自身，亦與第3測定光L1（LX）及第4測定光L1（RX）的至少一者相對於光軸AXc的角度的絕對值相等。但是，第1測定光L1（LY）及第2測定光L1（RY）的至少一者相對於光軸AXc的角度的絕對值自身，亦可與第3測定光L1（LX）及第4測定光L1（RX）的至少一者相對於光軸AXc的角度的絕對值不同。

從第1測定光L1（LY）所照射的對準標記M，第1測定光L1（LY）的0次反射光L2（LY：0）及第1測定光L1（LY）的-1次繞射光L2（LY：-1）分別作為出射光L2的至少一部分而出射。從第2測定光L1（RY）所照射的對準標記M，第2測定光L1（RY）的0次反射光L2（RY：0）及第2測定光L1（RY）的-1次繞射光L2（RY：-1）分別作為出射光L2的至少一部分而出射。從第3測定光L1（LX）所照射的對準標記M，第3測定光L1（LX）的0次反射光L2（LX：0）及第3測定光L1（LX）的-1次繞射光L2（LX：-1）分別作為出射光L2的至少一部分而出射。從第4測定光L1（RX）所照射的對準標記M，第4測定光L1（RX）的0次反射光L2（RX：0）及第4測定光L1（RX）的-1次繞射光L2（RX：-1）分別作為出射光L2的至少一部分而出射。

從對準標記M出射的-1次繞射光L2（LY：-1）至-1次繞射光L2（RX：-1）分別入射至反射光學元件54c的反射面541c。反射面541c具有與所述反射光學元件53a的反射面531a的特性相同的特性。因而，反射面541c為凹狀的球面鏡。構成反射面541c的球面鏡的中心C位於基板41的表面上。因此，反射面541c將從中心C出射的出射光L2朝向中心C反射。再者，中心C位於物鏡53c的光軸AXc上。因此，反射光學元件54c的光軸與物鏡53c的光軸AXc一致。

進而，第3實施形態中，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）各自的聚焦位置（換言之，照射位置或入射位置）亦與中心C一致。此處，亦可將第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）彼此交叉的位置稱作聚焦位置。而且，亦可將物鏡53c的後側焦點位置稱作聚焦位置。因此，光源51a-1至光源51a-4、半反射鏡52a、物鏡53c及反射光學元件54c是配置為，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）各自的聚焦位置一致於中心C。其結果，當對準標記M位於中心C時，從對準標記M（即，中心C）出射的出射光L2被反射面541c反射後，再次返回至中心C。即，-1次繞射光L2（LY：-1）以從光軸AXc發散的方式，而從對準標記M出射。從對準標記M出射的-1次繞射光L2（LY：-1）被反射面541c反射後，再次返回至中心C。此時，反射面541c將從光軸AXc發散的-1次繞射光L2（LY：-1）以收斂至光軸AXc的方式予以反射。其他繞射光L2亦同樣。

第3實施形態中，亦與第1實施形態同樣，測定光L1包含具有各不相同的波長的多個雷射光。因此，從對準標記M，多個雷射光各自的-1次繞射光L2（LY：-1）以各不相同的繞射角度而出射。然而，第3實施形態中，亦與第1實施形態同樣，即使在多個-1次繞射光L2（LY：-1）的繞射角度根據波長而有所變動的情況下，只要多個-1次繞射光L2（LY：-1）被反射面541c反射，則所有的-1次繞射光L2（-1）便會返回至相同位置。其他的繞射光L2亦同樣。

照射至對準標記M的-1次繞射光L2（LY：-1）是在與0次反射光L2（RY：0）朝向受光器55c而傳播的光路平行（或者相同）的光路上傳播而朝向受光器55c。因此，從對準標記M，藉由-1次繞射光L2（LY：-1）及0次反射光L2（RY：0）彼此相干而獲得的干涉光L3（Ya）出射。從對準標記M出射的干涉光L3（Ya）通過反射光學元件541c的開口542c-2、物鏡53c及半反射鏡52a。其結果，干涉光L3（Ya）入射至受光器55c。

照射至對準標記M的-1次繞射光L2（RY：-1）是在與0次反射光L2（LY：0）朝向受光器55c而傳播的光路平行（或者相同）的光路上傳播而朝向受光器55c。因此，從對準標記M，藉由-1次繞射光L2（RY：-1）及0次反射光L2（LY：0）彼此相干而獲得的干涉光L3（Yb）出射。從對準標記M出射的干涉光L3（Yb）通過反射光學元件541c的開口542c-2、物鏡53c及半反射鏡52a。其結果，干涉光L3（Yb）入射至受光器55c。

照射至對準標記M的-1次繞射光L2（LX：-1）是在與0次反射光L2（RX：0）朝向受光器55c而傳播的光路平行（或者相同）的光路上傳播而朝向受光器55c。因此，從對準標記M，藉由-1次繞射光L2（LX：-1）及0次反射光L2（RX：0）彼此相干而獲得的干涉光L3（Xa）出射。從對準標記M出射的干涉光L3（Xa）通過反射光學元件541c的開口542c-3、物鏡53c及半反射鏡52a。其結果，干涉光L3（Xa）入射至受光器55c。

照射至對準標記M的-1次繞射光L2（RX：-1）是在與0次反射光L2（LX：0）朝向受光器55c而傳播的光路平行（或者相同）的光路上傳播而朝向受光器55c。因此，從對準標記M，藉由-1次繞射光L2（RX：-1）及0次反射光L2（LX：0）彼此相干而獲得的干涉光L3（Xb）出射。從對準標記M出射的干涉光L3（Xb）通過反射光學元件541c的開口542c-4、物鏡53c及半反射鏡52a。其結果，干涉光L3（Xb）入射至受光器55c。

如此，在二次照射至對準標記M後（即，在標記區域MA中多次（二次）繞射後）朝向受光器55c的-1次繞射光L2（LY：-1、RY：-1、LX：-1、RX：-1）分別通過與0次反射光L2（RY：0、LY：0、RX：0、LX：0）相同的光路，因此即使發生環境或光學系統的變化（例如，局部性的溫度波動、光學零件的熱膨脹變化或光學零件的折射率變化等），亦可將其影響降至最低限，甚而可實現測定穩定性、測定再現性的提高。

而且，在二次照射至對準標記M後（即，在標記區域MA中多次（二次）繞射後）朝向受光器55c的-1次繞射光L2（LY：-1、RY：-1、LX：-1、RX：-1）的光路即使其波長不同，亦成為相同的光路，因此即使發生環境或光學系統的變化、例如局部性的溫度波動等，亦可將每種波長的影響降至最低限，甚而可實現測定穩定性、測定再現性的提高。

受光器55c具備分光器551c、分光器552c、分光器553c、分光器554c、受光元件555c、受光元件556c、受光元件557c及受光元件558c。分光器551c至分光器554c各自的結構與所述分光器551a的結構相同。受光元件555c至分光器558c各自的受光面的結構與所述第1受光面555a的結構同樣。

干涉光L3（Ya）入射至分光器551c。分光器551c對干涉光L3（Ya）進行分光。分光器551c所分光的干涉光L3（Ya）入射至受光元件555c的受光面。因此，受光元件555c可同時接收干涉光L3（Ya）中所含的多個光成分。受光元件555c的受光結果作為標記檢測資訊（以下為了方便而稱為“標記檢測資訊#Ya”）而輸出至控制裝置6。

干涉光L3（Yb）入射至分光器552c。分光器552c對干涉光L3（Yb）進行分光。分光器552c所分光的干涉光L3（Yb）入射至受光元件556c的受光面。因此，受光元件556c可同時接收干涉光L3（Yb）中所含的多個光成分。受光元件556c的受光結果作為標記檢測資訊（以下為了方便而稱為“標記檢測資訊#Yb”）而輸出至控制裝置6。

干涉光L3（Xa）入射至分光器553c。分光器553c對干涉光L3（Xa）進行分光。分光器553c所分光的干涉光L3（Xa）入射至受光元件557c的受光面。因此，受光元件557c可同時接收干涉光L3（Xa）中所含的多個光成分。受光元件557c的受光結果作為標記檢測資訊（以下為了方便而稱為“標記檢測資訊#Xa”）而輸出至控制裝置6。

干涉光L3（Xb）入射至分光器554c。分光器554c對干涉光L3（Xb）進行分光。分光器554c所分光的干涉光L3（Xb）入射至受光元件558c的受光面。因此，受光元件558c可同時接收干涉光L3（Xb）中所含的多個光成分。受光元件558c的受光結果作為標記檢測資訊（以下為了方便而稱為“標記檢測資訊#Xb”）而輸出至控制裝置6。

其結果，控制裝置6可使用從對準系統5c輸出的四個標記檢測資訊，來進行對準動作。具體而言，控制裝置6使用標記檢測資訊#Ya及標記檢測資訊#Yb，來獲取表示沿著Y軸方向的對準標記M（光柵標記MY）的位置的標記位置資訊（以下為了方便而稱為“標記位置資訊#Y”）。隨後，控制裝置6使用標記位置資訊#Y，算出沿著Y軸方向的多個照射曝光區域的位置座標的校正量。同樣，控制裝置6使用標記檢測資訊#Xa及標記檢測資訊#Xb，來獲取表示沿著X軸方向的對準標記M（光柵標記MX）的位置的標記位置資訊（以下為了方便而稱為“標記位置資訊#X”）。隨後，控制裝置6使用標記位置資訊#X，算出沿著X軸方向的多個照射曝光區域的位置座標的校正量。

進而，第3實施形態中，控制裝置6基於標記檢測資訊#Ya及標記檢測資訊#Yb，來進行用於變更標記檢測資訊#Ya及標記檢測資訊#Yb中的至少一個的散射測定。進而，控制裝置6基於標記檢測資訊#Xa及標記檢測資訊#Xb，來進行用於變更標記檢測資訊#Xa及標記檢測資訊#Xb中的至少一個的散射測定。具體而言，如上所述，標記檢測資訊#Ya及標記檢測資訊#Yb中的至少一個有可能包含因光柵標記MY的非對稱形狀引起的誤差。標記檢測資訊#Xa及標記檢測資訊#Xb中的至少一個有可能包含因光柵標記MX的非對稱形狀引起的誤差。因此，控制裝置6為了提高標記檢測資訊#Ya及標記檢測資訊#Yb中的至少一者的精度，使用從各不相同的干涉光L3獲取的標記檢測資訊#Ya及標記檢測資訊#Yb來進行散射測定，以變更（換言之，校正、修正或調整）標記檢測資訊#Ya及標記檢測資訊#Yb。同樣，控制裝置6為了提高標記檢測資訊#Xa及標記檢測資訊#Xb中的至少一者的精度，使用從各不相同的干涉光L3獲取的標記檢測資訊#Xa及標記檢測資訊#Xb來進行散射測定，以變更（換言之，校正、修正或調整）標記檢測資訊#Xa及標記檢測資訊#Xb。

此種第3實施形態的對準系統5c可適當享有與第1實施形態的對準系統5a可享有的效果同樣的效果。

進而，第3實施形態的對準系統5c可將第1測定光L1（LY）及第2測定光L1（RY）、與第3測定光L1（LX）及第4測定光L1（RX）相對於基板41而同時照射。因此，對準系統5c可同時獲取用於算出沿著Y軸方向的多個照射曝光區域的位置座標校正量的標記檢測資訊#Ya及標記檢測資訊#Yb、與用於算出沿著X軸方向的多個照射曝光區域的位置座標校正量的標記檢測資訊#Xa及標記檢測資訊#Xb。因而，第3實施形態的對準系統5c中，與第1實施形態的對準系統5a相比，獲取用於算出沿著XY平面的多個照射曝光區域的位置座標校正量的標記檢測資訊所需的時間變短。

進而，第3實施形態的對準系統5c可將第1測定光L1（LY）與第2測定光L1（RY）同時照射至基板41。因此，對準系統5c能同時獲取用於進行可減小因光柵標記MY的非對稱形狀引起的誤差的散射測定以及標記檢測資訊的變更的、標記檢測資訊#Ya及標記檢測資訊#Yb。同樣，第3實施形態的對準系統5c可將第3測定光L1（LX）與第4測定光L1（RX）同時照射至基板41。因此，對準系統5c能同時獲取用於進行可減小因光柵標記MX的非對稱形狀引起的誤差的散射測定以及標記檢測資訊的變更的、標記檢測資訊#Xa及標記檢測資訊#Xb。因而，第3實施形態的對準系統5c中，與第1實施形態的對準系統5a相比，獲取用於散射測定的標記檢測資訊所需的時間變短。

進而，第3實施形態的對準系統5c可獨立接收0次反射光L2（RY：0）與-1次繞射光（LY：-1）的干涉光L3（Ya）、和0次反射光L2（LY：0）與-1次繞射光（RY：-1）的干涉光L3（Yb）。控制裝置6可使用該些受光結果，來同時求出對準標記M的位置及非對稱資訊（與因光柵標記MX的非對稱形狀引起的誤差對應的量）。因此，可降低因測定中的環境變化（測定光路的溫度變動等）或光學系統的變化（光學構件的溫度變動等）引起的影響。

進而，第3實施形態的對準系統5c中，第1測定光L1（LY）至第2測定光L1（RY）分別相對於基板41而傾斜入射。因此，與第1實施形態的對準系統5a相比，即使在光柵標記MY的間距ΛY相對較小的情況下，藉由光柵標記MY來使測定光L1繞射，以使-1次繞射光L2（-1）中的至少一者入射至反射面541c的可能性亦相對較高。因而，第3實施形態的對準系統5c與第1實施形態的對準系統5a相比，即使在光柵標記MY的間距ΛY相對較小的情況下，亦可適當地獲取標記檢測資訊。同樣，第3實施形態的對準系統5c中，第3測定光L1（LX）至第4測定光L1（RX）分別相對於基板41而傾斜入射。因此，因此，與第1實施形態的對準系統5a相比，即使在光柵標記MX的間距ΛX相對較小的情況下，藉由光柵標記MX來使測定光L1繞射，以使-1次繞射光L2（-1）中的至少一者入射至反射面541c的可能性亦較高。因而，第3實施形態的對準系統5c與第1實施形態的對準系統5a相比，即使在光柵標記MX的間距ΛX相對較小的情況下，亦可適當地獲取標記檢測資訊。

再者，第3實施形態的對準系統5c中，亦可將半反射鏡52a取代為偏光分光鏡。此時，亦可將1/4波長板設於偏光分光鏡與物鏡53c之間、物鏡53c中、物鏡53c與反射光學元件54c之間、或者反射光學元件54c與基板41之間。 （ 2-4 ）第 4 實施形態的對準系統 5d 的結構

繼而，參照圖8及圖9來說明第4實施形態的對準系統5d的結構。再者，對於與在第1實施形態至第3實施形態中已說明的構件相同的構件，標註相同的參照符號並省略其詳細說明。

如圖8及圖9所示，第4實施形態的對準系統5d與第3實施形態的對準系統5c相比，不同之處在於，取代物鏡53c而具備反射鏡（mirror）53d-1、反射鏡53d-2、反射鏡53d-3及反射鏡53d-4。第4實施形態的對準系統5d的其他結構與第3實施形態的對準系統5c的其他結構相同。

第3實施形態中，為了使第1測定光L1（LY）相對於基板41而傾斜入射，物鏡53c使第1測定光L1（LY）折射。另一方面，第4實施形態中，為了使第1測定光L1（LY）相對於基板41而傾斜入射，反射鏡53d-1反射第1測定光L1（LY）。反射鏡53d-1所反射的第1測定光L1（LY）通過開口542c-1後，相對於基板41而傾斜入射。進而，反射鏡53d-1反射干涉光L3（Ya），以使來自基板41的干涉光L3（Ya）入射至受光器55c。

第2測定光L1（RY）至第4測定光L1（RX）亦同樣。即，反射鏡53d-2反射第2測定光L1（RY），以使第2測定光L1（RY）相對於基板41而傾斜入射。反射鏡53d-2反射干涉光L3（Yb），以使來自基板41的干涉光L3（Yb）入射至受光器55c。反射鏡53d-3反射第3測定光L1（LX），以使第3測定光L1（LX）相對於基板41而傾斜入射。反射鏡53d-3反射干涉光L3（Xa），以使來自基板41的干涉光L3（Xa）入射至受光器55c。反射鏡53d-4反射第4測定光L1（RX），以使第4測定光L1（RX）相對於基板41而傾斜入射。反射鏡53d-4反射干涉光L3（Xb），以使來自基板41的干涉光L3（Xb）入射至受光器55c。

此種第4實施形態的對準系統5d可適當享有與第3實施形態的對準系統5c可享有的效果同樣的效果。進而，第4實施形態的對準系統5d不具備物鏡53c（即，折射光學元件），因此與第3實施形態的對準系統5c相比，可減小或消除色差的影響。

再者，第4實施形態中，亦可取代反射鏡53d-1、反射鏡53d-2、反射鏡53d-3及反射鏡53d-4，而適用反射型的物端光學系統或者反射折射型的物端光學系統。該些反射型或反射折射型的物端光學系統亦可為中心遮蔽型。例如亦可將美國專利公開第2006/0158720號公報、美國專利公開第2012/0140353號公報、及美國專利第6,894,834號公報中揭示的光學系統等適用於物端光學系統。 （ 2-5 ）第 5 實施形態的對準系統 5e 的結構

繼而，參照圖10及圖11來說明第5實施形態的對準系統5e的結構。再者，對於與第1實施形態至第4實施形態中已說明的構件相同的構件，標註相同的參照符號並省略其詳細說明。

如圖10及圖11所示，第5實施形態的對準系統5e與第4實施形態的對準系統5d相比，不同之處在於，取代反射鏡53d-1至反射鏡53d-4而具備反射光學元件53e與反射光學元件54e。反射光學元件53e及反射光學元件54e可以說構成施瓦氏（Schwarzschild）型的反射光學元件。第5實施形態的對準系統5e的其他結構亦可與第4實施形態的對準系統5d的其他結構相同。

半反射鏡52a所反射的第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別通過反射光學元件54e的開口542e。通過開口542e後的第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別入射至反射光學元件53e的反射面531e。反射面531e與半反射鏡52a相向。反射面531e朝半反射鏡52a側為凸形狀。反射面531e使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別反射。

具體而言，反射面531e使第1測定光L1（LY）朝向反射面541e的第1部分541e-1反射，使第2測定光L1（RY）朝向反射面541e的第2部分541e-2反射，使第3測定光L1（LX）朝向反射面541e的第3部分541e-3反射，且使第4測定光L1（RX）朝向反射面541e的第4部分541e-4反射。第1部分541e-1至第4部分541e-4在從反射光學元件53e的光軸AXe觀察時，較反射面531e而位於外側。因此，反射面531e分別反射第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX），以使他們相對於光軸AXe而發散。

此處，第2部分541e-2沿著Y軸方向而與第1部分541e-1之間包夾光軸AXe。第2部分541e-2位於以光軸AXe為基準而與第1部分541e-1對稱的位置。第4部分541e-4沿著X軸方向而與第3部分541e-3之間包夾光軸AXe。第4部分541e-4位於以光軸AXe為基準而與第3部分541e-4對稱的位置。

反射面541e朝向基板41側。反射面541e將第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別朝向基板41反射。反射面541e分別反射第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX），以使他們相對於光軸AXe而收斂。其結果，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別相對於基板41而傾斜入射。反射面541e反射第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX），以使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）入射（即，照射）至基板41上的相同位置。具體而言，反射面541e反射第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX），以使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）入射至基板41上所設定的後述的反射面532e的中心C。因此，光源51a-1至光源51a-4、半反射鏡52a、反射光學元件53e及反射光學元件54e是配置於可使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）入射至基板41上的相同位置的配置位置。當對準標記M位於第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）的照射位置時，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別照射至相同的對準標記M。再者，從Z軸方向觀察反射面541e的形狀亦可為環形形狀。即，第1部分541e-1至第4部分541e-4亦可為一體。

從第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）所照射的對準標記M，0次反射光L2（LY：0）至0次反射光L2（RX：0）以及-1次繞射光L2（LY：-1）至-1次繞射光L2（RX：-1）出射。從對準標記M出射的-1次繞射光L2（LY：-1）至-1次繞射光L2（RX：-1）分別入射至反射光學元件53e的反射面532e。反射面532e具有與所述的反射光學元件53a的反射面531a的特性相同的特性。反射面532e為凹狀的球面鏡。構成反射面532e的球面鏡的中心C位於基板41的表面與光軸AXe的交點。因此，反射面532e將從中心C出射的出射光L2朝向中心C反射。

進而，第5實施形態中，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）各自的聚焦位置（換言之，照射位置或入射位置）亦與中心C一致。此處，亦可將第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）彼此交叉的位置稱為聚焦位置。而且，亦可將包含反射面541e及反射面531e的光學系統（物端光學系統）的後側焦點位置稱為聚焦位置。因此，光源51a-1至光源51a-4、半反射鏡52a、反射光學元件53e及反射光學元件54e是配置為，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）各自的聚焦位置一致於中心C。其結果，當對準標記M位於中心C時，從對準標記M（即，中心C）出射的出射光L2被反射面532e反射後，再次返回至中心C。即，-1次繞射光L2（LY：-1）以從光軸AXe發散的方式，而從對準標記M出射。從對準標記M出射的-1次繞射光L2（LY：-1）被反射面532e反射後，再次返回至中心C。此時，反射面532e以收斂至光軸AXe的方式，來反射從光軸AXe發散的-1次繞射光L2（LY：-1）。其他繞射光L2亦同樣。

第5實施形態中，亦與第1實施形態同樣，測定光L1包含具有各不相同的波長的多個雷射光。因此，從對準標記M，多個雷射光各自的-1次繞射光L2（LY：-1）以各不相同的繞射角度而出射。然而，第5實施形態中，亦與第1實施形態同樣，即使在多個-1次繞射光L2（LY：-1）的繞射角度根據波長而變動的情況下，只要多個-1次繞射光L2（LY：-1）被反射面532e反射，所有的-1次繞射光L2（LY：-1）便會返回至相同位置。其他繞射光L2亦同樣。

從反射面532e所反射的-1次繞射光L2（LY：-1）所照射的對準標記M，干涉光L3（Ya）以從光軸AXe發散的方式而出射。從對準標記M出射的干涉光L3（Ya）是在與從半反射鏡52a朝向基板41傳播的第1測定光L1（LY）的光路平行的（或者相同的）光路上傳播而朝向半反射鏡52a。即，干涉光L3（Ya）被反射面541e的第1部分541e-1反射。其結果，從光軸AXe發散的干涉光L3（Ya）以收斂至光軸Axe的方式，而朝向反射面531e傳播。隨後，干涉光L3（Ya）被反射面531e反射。被反射面531e反射的干涉光L3（Ya）通過半反射鏡52a。其結果，干涉光L3（Ya）入射至受光器55c。

從反射面532e所反射的-1次繞射光L2（RY：-1）所照射的對準標記M，干涉光L3（Yb）以從光軸AXe發散的方式而出射。從對準標記M出射的干涉光L3（Yb）是在與從半反射鏡52a朝向基板41傳播的第2測定光L1（RY）的光路平行的（或者相同的）光路上傳播而朝向半反射鏡52a。即，干涉光L3（Yb）被反射面541e的第2部分541e-2反射。其結果，從光軸AXe發散的干涉光L3（Yb）以收斂至光軸Axe的方式，而朝向反射面531e傳播。隨後，干涉光L3（Yb）被反射面531e反射。被反射面531e反射的干涉光L3（Yb）通過半反射鏡52a。其結果，干涉光L3（Yb）入射至受光器55c。

從反射面532e所反射的-1次繞射光L2（LX：-1）所照射的對準標記M，干涉光L3（Xa）以從光軸AXe發散的方式而出射。從對準標記M出射的干涉光L3（Xa）是在與從半反射鏡52a朝向基板41傳播的第3測定光L1（LX）的光路平行的（或者相同的）光路上傳播而朝向半反射鏡52a。即，干涉光L3（Xa）被反射面541e的第3部分541e-3反射。其結果，從光軸AXe發散的干涉光L3（Xa）以收斂至光軸Axe的方式，而朝向反射面531e傳播。隨後，干涉光L3（Xa）被反射面531e反射。被反射面531e反射的干涉光L3（Xa）通過半反射鏡52a。其結果，干涉光L3（Xa）入射至受光器55c。

從反射面532e所反射的-1次繞射光L2（RX：-1）所照射的對準標記M，干涉光L3（Xb）以從光軸AXe發散的方式而出射。從對準標記M出射的干涉光L3（Xb）是在與從半反射鏡52a朝向基板41傳播的第4測定光L1（RX）的光路平行的（或者相同的）光路上傳播而朝向半反射鏡52a。即，干涉光L3（Xb）被反射面541e的第4部分541e-4反射。其結果，從光軸AXe發散的干涉光L3（Xb）以收斂至光軸Axe的方式，而朝向反射面531e傳播。隨後，干涉光L3（Xb）被反射面531e反射。被反射面531e反射的干涉光L3（Xb）通過半反射鏡52a。其結果，干涉光L3（Xb）入射至受光器55c。

此種第5實施形態的對準系統5e可適當地享有與第4實施形態的對準系統5d可享有的效果同樣的效果。進而，第5實施形態的對準系統5e與第4實施形態的對準系統5d相比，可加大第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）各自朝向基板41的入射角度。即，可加大將第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）射出至基板41的、光學系統的數值孔徑。

再者，第5實施形態中，亦可如圖12所示，反射光學元件53e（反射面532e）具備多個開口533e。此時，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別經由至少一個開口533e而照射至基板41。干涉光L3（Ya）至干涉光L3（Xb）分別經由至少一個開口533e而入射至反射光學元件54e。

再者，第5實施形態中，亦可取代反射光學元件54e及反射面531e，而適用反射型的物端光學系統或者反射折射型的物端光學系統。該些反射型或反射折射型的物端光學系統亦可為中心遮蔽型。例如亦可將美國專利公開第2006/0158720號公報、美國專利公開第2012/0140353號公報、及美國專利第6,894,834號公報中揭示的光學系統等適用於物端光學系統。 （ 2-6 ）第 6 實施形態的對準系統 5f 的結構

繼而，參照圖13至圖15（b）來說明第6實施形態的對準系統5f的結構。再者，對於與第1實施形態至第5實施形態中已說明的構件相同的構件，標註相同的參照符號並省略其詳細說明。

如圖13至圖15（b）所示，對準系統5f具備四個光源51a（即，光源51a-1、光源51a-2、光源51a-3及光源51a-4）、偏光分光鏡52f、1/4波長板53f、物鏡54f、受光器55c、角隅稜鏡（corner cube）56f以及四個半反射鏡57f（即，半反射鏡57f-1、半反射鏡57f-2、半反射鏡57f-3及半反射鏡57f-4）。再者，該些光源51a-1～51a-4亦可分別使用與第1實施形態的光源51a相同者。而且，亦可使用將來自第1實施形態的光源51a的測定光以光纖一分為四者，以取代來自光源51a-1～51a-4的測定光L1。

光源51a-1所出射的第1測定光L1（LY）通過半反射鏡57f-2後，入射至偏光分光鏡52f。因此，半反射鏡57f-2位於光源51a-1與偏光分光鏡52f之間的第1測定光L1（LY）的光路上。光源51a-2所出射的第2測定光L1（RY）通過半反射鏡57f-1後，入射至偏光分光鏡52f。因此，半反射鏡57f-1位於光源51a-2與偏光分光鏡52f之間的第2測定光L1（RY）的光路上。光源51a-3所出射的第3測定光L1（LX）通過半反射鏡57f-4後，入射至偏光分光鏡52f。因此，半反射鏡57f-4位於光源51a-3與偏光分光鏡52f之間的第3測定光L1（LX）的光路上。光源51a-4所出射的第4測定光L1（RX）通過半反射鏡57f-3後，入射至偏光分光鏡52f。因此，半反射鏡57f-3位於光源51a-4與偏光分光鏡52f之間的第4測定光L1（RX）的光路上。

偏光分光鏡52f將光源51a-1至光源51a-4分別出射的第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）各自中的第1偏光（例如，s偏光）朝向1/4波長板53f反射。另一方面，偏光分光鏡52f使光源51a-1至光源51a-4分別出射的第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）各自中的第2偏光（例如，p偏光）透射。再者，為了便於說明，圖13中，省略了第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）的詳細光路。第1測定光L1（LY）至第2測定光L1（RY）的詳細光路記載於圖14（a）及圖14（b）中。而且，第3測定光L1（LX）至第4測定光L1（RX）的詳細光路記載於圖15（a）及圖15（b）中。再者，各光源51a-1至光源51a-4亦可分別出射相對於偏光分光鏡52f的偏光分離面為s偏光的第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）。

偏光分光鏡52f所反射的第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別通過1/4波長板53f。1/4波長板53f位於從偏光分光鏡52f到達基板41的、第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）的光路上且偏光分光鏡52f與物鏡54f之間。通過1/4波長板53f後的第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別入射至物鏡54f。物鏡54f位於從偏光分光鏡52f到達基板41的、第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）的光路上且1/4波長板53f與基板41之間。物鏡54f是與所述物鏡53c同樣，使第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別折射。其結果，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別相對於基板41而傾斜入射。此處，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）相對於物鏡54f的光軸的角度（甚而，相對於對準系統5f的光軸的角度）互不相同。此時，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）相對於物鏡54f的光軸的角度的絕對值既可彼此相等，亦可互不相同。再者，該物鏡54f可稱為偏向光學系統。進而，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別入射至基板41上的相同位置。因此，當對準標記M位於第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）的照射位置時，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）分別照射至相同的對準標記M。

如圖14（a）所示，從第1測定光L1（LY）所照射的對準標記M，0次反射光L2（LY：0）及-1次繞射光L2（LY：-1）出射。

來自對準標記M的0次反射光L2（LY：0）通過物鏡54f及1/4波長板53f後，入射至偏光分光鏡52f。入射至偏光分光鏡52f的0次反射光L2（LY：0）因測定光L1（LY）通過1/4波長板53f、測定光L1（LY）被基板41反射、及0次反射光L2（LY：0）通過1/4波長板53f，而成為第2偏光的直線偏光。因此，入射至偏光分光鏡52f的0次反射光L2（LY：0）通過偏光分光鏡52f。通過偏光分光鏡52f的0次反射光L2（LY：0）入射至角隅稜鏡56f，該角隅稜鏡56f在從偏光分光鏡52f觀察時配置於基板41的相反側。入射至角隅稜鏡56f的0次反射光L2（LY：0）被角隅稜鏡56f所具備的三個反射面回反射（retroreflection）。角隅稜鏡56f所回反射的0次反射光L2（LY：0）通過偏光分光鏡52f、1/4波長板53f及物鏡54f，而照射至基板41。此處，角隅稜鏡56f所回反射的0次反射光L2（LY：0）的行進方向，是與入射至角隅稜鏡56f的0次反射光L2（LY：0）的行進方向為反向。換言之，角隅稜鏡56f所回反射的0次反射光L2（LY：0）的光路、與入射至角隅稜鏡56f的0次反射光L2（LY：0）的光路彼此平行。該角隅稜鏡56f可稱為折返光學系統。再者，亦可取代角隅稜鏡56f而使用不完全角隅稜鏡。此時，不完全角隅稜鏡所反射的0次反射光L2（LY：0）的光路、與入射至不完全角隅稜鏡的0次反射光L2（LY：0）的光路並不平行。此種不完全角隅稜鏡可藉由在角隅稜鏡56f的入射面及射出面的至少一者上設置楔型稜鏡而實現。

第6實施形態中，在物鏡54f的射出側，換言之，在對準系統5f的對準標記M側，從第1測定光L1（LY）所照射的對準標記M而來的反射光的光路（圖14（a）所示的示例中，為從基板41朝向角隅稜鏡56f的0次反射光L2（LY：0）的光路）、與該反射光再次朝向對準標記M時的光路（圖14（a）所示的示例中，為從角隅稜鏡56f朝向基板41的0次反射光L2（LY：0）的光路）相對於物鏡54f的光軸而呈對稱。藉此，即使在對準標記M的間距從規定間距發生變化的情況下，亦可實現對準動作。後述的第2測定光L1（RY）、第3測定光L1（LX）及第4測定光L1（RX）的反射光L2亦同樣。

第6實施形態中，來自角隅稜鏡56f的0次反射光L2（LY：0）被照射至與0次反射光L2（LY：0）朝向角隅稜鏡56f所出射的位置相同的位置。反言之，偏光分光鏡52f、1/4波長板53f、物鏡54f及角隅稜鏡56f被配置為，角隅稜鏡56f所反射的0次反射光L2（LY：0）照射至該0次反射光L2（LY：0）所出射的位置。另外，來自角隅稜鏡56f的0次反射光L2（LY：0）亦可照射至與0次反射光L2（LY：0）朝向角隅稜鏡56f出射的位置不同的位置。例如來自角隅稜鏡56f的0次反射光L2（LY：0）所照射的區域、與0次反射光L2（LY：0）朝向角隅稜鏡56f所出射的區域亦可部分重複。

當角隅稜鏡56f所反射的0次反射光L2（LY：0）照射至該0次反射光L2（LY：0）所出射的位置時，即使在0次反射光L2（LY：0）包含具有各不相同的波長的多個光成分的情況下，該多個光成分亦會照射至基板41上的相同位置。即，即使在0次反射光L2（LY：0）中所含的多個光成分從基板41以各不相同的出射角度而出射的情況下，該多個光成分亦會經由角隅稜鏡56f而照射至基板41上的相同位置。

當角隅稜鏡56f所反射的0次反射光L2（LY：0）被基板41再次反射時，該0次反射光L2（LY：0）通過物鏡54f及1/4波長板53f，而入射至偏光分光鏡52f。入射至偏光分光鏡52f的0次反射光L2（LY：0）因0次反射光L2（LY：0）二次通過1/4波長板53f、及0次反射光L2（LY：0）被基板41反射，而成為第1偏光的直線偏光。因此，入射至偏光分光鏡52f的0次反射光L2（LY：0）被偏光分光鏡52f反射。偏光分光鏡52f所反射的0次反射光L2（LY：0）被半反射鏡57f-1反射。半反射鏡57f-1所反射的0次反射光L2（LY：0）入射至受光器55c（尤其是分光器551c）。

另一方面，-1次繞射光L2（LY：-1）亦與0次反射光L2（LY：0）同樣，通過物鏡54f、1/4波長板53f及偏光分光鏡52f，隨後，被角隅稜鏡56f回反射，隨後通過偏光分光鏡52f、1/4波長板53f及物鏡54f，隨後被基板41繞射，隨後通過物鏡54f及1/4波長板53f，隨後被偏光分光鏡52f反射，隨後被半反射鏡57f-1反射，隨後入射至受光器55c（尤其是分光器551c）。-1次繞射光L2（LY：-1）亦與0次反射光L2（LY：0）同樣，在物鏡54f的射出側，換言之，在對準系統5f的對準標記M側，從第1測定光L1（LY）所照射的對準標記M而來的繞射光的光路（圖14（a）所示的示例中，為從基板41朝向角隅稜鏡56f的-1次反射光L2（LY：-1）的光路）、與該繞射光再次朝向對準標記M時的光路（圖14（a）所示的示例中，為從角隅稜鏡56f朝向基板41的-1次反射光L2（LY：-1）的光路）相對於物鏡54f的光軸而呈對稱。藉此，即使在對準標記M的間距從規定間距發生變化的情況下，亦可實現對準動作。後述的第2測定光L1（RY）、第3測定光L1（LX）及第4測定光L1（RX）的繞射光L2亦同樣。

此處，在第1測定光L1（LY）包含具有各不相同的波長的多個光成分的情況下，-1次繞射光L2（LY：-1）的繞射角度依存於波長而不同。然而，於對準標記M繞射後被角隅稜鏡56f回反射的-1次繞射光（LY：-1）經由物鏡54f，以依存於波長而不同的入射角度，再次入射至對準標記M。隨後，再次入射至對準標記M的-1次繞射光（LY：-1）在對準標記M處受到第二次繞射，隨後，不依存於波長而朝同一行進方向行進。因而，角隅稜鏡56f藉由與物鏡54f組合，從而可具有與所述的反射光學元件53a（或者反射光學元件54c或反射光學元件53e）相同的功能。

藉由0次反射光L2（LY：0）與-1次繞射光L2（LY：-1）相干而獲得的干涉光L3（Yc）入射至受光器55c（尤其是分光器551c）。分光器551c對干涉光L3（Yc）進行分光。分光器551c所分光的干涉光L3（Yc）入射至受光元件555c的受光面。因此，受光元件555c可同時接收干涉光L3（Yc）中所含的多個光成分。受光元件555c的受光結果作為標記檢測資訊（以下為了方便而稱為“標記檢測資訊#Yc”），而輸出至控制裝置6。

如圖14（b）所示，從第2測定光L1（RY）所照射的對準標記M，0次反射光L2（RY：0）及-1次繞射光L2（RY：-1）出射。

0次反射光L2（RY：0）是與0次反射光L2（LY：0）同樣，通過物鏡54f、1/4波長板53f及偏光分光鏡52f，隨後被角隅稜鏡56f回反射，隨後通過偏光分光鏡52f、1/4波長板53f及物鏡54f，隨後被基板41反射，隨後通過物鏡54f及1/4波長板53f，隨後被偏光分光鏡52f反射，隨後被半反射鏡57f-2反射，隨後入射至受光器55c（尤其是分光器552c）。

另一方面，-1次繞射光L2（RY：-1）亦與0次反射光L2（LY：0）同樣，通過物鏡54f、1/4波長板53f及偏光分光鏡52f，隨後被角隅稜鏡56f回反射，隨後通過偏光分光鏡52f、1/4波長板53f及物鏡54f，隨後被基板41繞射，隨後通過物鏡54f及1/4波長板53f，隨後被偏光分光鏡52f反射，隨後被半反射鏡57f-2反射，隨後入射至受光器55c（尤其是分光器552c）。

因此，藉由0次反射光L2（RY：0）與-1次繞射光L2（RY：-1）相干而獲得的干涉光L3（Yd）入射至受光器55c（尤其是分光器552c）。分光器552c對干涉光L3（Yd）進行分光。分光器552c所分光的干涉光L3（Yd）入射至受光元件556c的受光面。因此，受光元件556c可同時接收干涉光L3（Yd）中所含的多個光成分。受光元件556c的受光結果作為標記檢測資訊（以下為了方便而稱為“標記檢測資訊#Yd”），而輸出至控制裝置6。

如圖15（a）所示，從第3測定光L1（LX）所照射的對準標記M，0次反射光L2（LX：0）及-1次繞射光L2（LX：-1）出射。

0次反射光L2（LX：0）是與0次反射光L2（LY：0）同樣，通過物鏡54f、1/4波長板53f及偏光分光鏡52f，隨後被角隅稜鏡56f回反射，隨後通過偏光分光鏡52f、1/4波長板53f及物鏡54f，隨後被基板41反射，隨後通過物鏡54f及1/4波長板53f，隨後被偏光分光鏡52f反射，隨後被半反射鏡57f-3反射，隨後入射至受光器55c（尤其是分光器553c）。

另一方面，-1次繞射光L2（LX：-1）亦與0次反射光L2（LY：0）同樣，通過物鏡54f、1/4波長板53f及偏光分光鏡52f，隨後被角隅稜鏡56f回反射，隨後通過偏光分光鏡52f、1/4波長板53f及物鏡54f，隨後被基板41反射或繞射，隨後通過物鏡54f及1/4波長板53f，隨後被偏光分光鏡52f反射，隨後被半反射鏡57f-3反射，隨後入射至受光器55c（尤其是分光器553c）。

因此，藉由0次反射光L2（LX：0）與-1次繞射光L2（LX：-1）相干而獲得的干涉光L3（Xc）入射至受光器55c（尤其是分光器553c）。分光器553c對干涉光L3（Xc）進行分光。分光器553c所分光的干涉光L3（Xc）入射至受光元件557c的受光面。因此，受光元件557c可同時接收干涉光L3（Xc）中所含的多個光成分。受光元件557c的受光結果作為標記檢測資訊（以下為了方便而稱為“標記檢測資訊#Xc”），而輸出至控制裝置6。

如圖15（b）所示，從第4測定光L1（RX）所照射的對準標記M，0次反射光L2（RX：0）及-1次繞射光L2（RX：-1）出射。

0次反射光L2（RX：0）是與0次反射光L2（LY：0）同樣，通過物鏡54f、1/4波長板53f及偏光分光鏡52f，隨後被角隅稜鏡56f回反射，隨後通過偏光分光鏡52f、1/4波長板53f及物鏡54f，隨後被基板41反射，隨後通過物鏡54f及1/4波長板53f，隨後被偏光分光鏡52f反射，隨後被半反射鏡57f-4反射，隨後入射至受光器55c（尤其是分光器554c）。

另一方面，-1次繞射光L2（RX：-1）亦與0次反射光L2（LY：0）同樣，通過物鏡54f、1/4波長板53f及偏光分光鏡52f，隨後被角隅稜鏡56f回反射，隨後通過偏光分光鏡52f、1/4波長板53f及物鏡54f，隨後被基板41反射或繞射，隨後通過物鏡54f及1/4波長板53f，隨後被偏光分光鏡52f反射，隨後被半反射鏡57f-4反射，隨後入射至受光器55c（尤其是分光器554c）。

因此，藉由0次反射光L2（RX：0）與-1次繞射光L2（RX：-1）相干而獲得的干涉光L3（Xd）入射至受光器55c（尤其是分光器554c）。分光器554c對干涉光L3（Xd）進行分光。分光器554c所分光的干涉光L3（Xd）入射至受光元件558c的受光面。因此，受光元件558c可同時接收干涉光L3（Xd）中所含的多個光成分。受光元件558c的受光結果作為標記檢測資訊（以下為了方便而稱為“標記檢測資訊#Xd”），而輸出至控制裝置6。

其結果，控制裝置6可使用從對準系統5f輸出的四個標記檢測資訊，來進行對準動作。具體而言，控制裝置6使用標記檢測資訊#Yc及標記檢測資訊#Yd，來獲取表示沿著Y軸方向的對準標記M（光柵標記MY）的位置的標記位置資訊#Y。同樣，控制裝置6使用標記檢測資訊#Xc及標記檢測資訊#Xd，來獲取表示沿著X軸方向的對準標記M（光柵標記MX）的位置的標記位置資訊#X。進而控制裝置6可基於標記檢測資訊#Yc及標記檢測資訊#Yd，來變更標記檢測資訊#Yc及標記檢測資訊#Yd中的至少一個。進而，控制裝置6可基於標記檢測資訊#Xc及標記檢測資訊#Xd，來變更標記檢測資訊#Xc及標記檢測資訊#Xd中的至少一個。

第6實施形態中，控制裝置6亦可使用從對準系統5f輸出的四個標記檢測資訊，來測定標記形狀的非對稱性。再者，在測定此種標記形狀的非對稱性時，第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）相對於光軸的角度亦可互不相同。使用該標記形狀的非對稱性的測定結果，可修正表示對準標記M的位置的標記位置資訊。

此種第6實施形態的對準系統5f可適當地享有與第3實施形態的對準系統5c可享有的效果同樣的效果。除此以外，第6實施形態中，與所述第1實施形態至第5實施形態相比，0次反射光L2及-1次繞射光L2在基板41與角隅稜鏡56f之間往復，因此0次反射光L2及-1次繞射光L2的光路長差相對變小。因此，第6實施形態的對準系統5f即使在測定光L1的相干長度（coherent length）相對較短的情況下，亦可適當地進行對準動作。 （ 2-7 ）第 7 實施形態的對準系統 5g 的結構

繼而，參照圖16來說明第7實施形態的對準系統5g的結構。再者，對於與第1實施形態至第6實施形態中已說明的構件相同的構件，標註相同的參照符號並省略其詳細說明。

所述第1實施形態的對準系統5a使來自對準標記M的±1次繞射光L2（±1）返回至基板41上的相同位置（相同的對準標記M）。第2實施形態至第6實施形態中亦同樣。另一方面，第7實施形態的對準系統5g不使來自對準標記M的±1次繞射光L2（±1）返回至基板41。

如圖16所示，對準系統5g具備光源51a、半反射鏡52a、繞射光柵53g及受光器55g。光源51a所出射的測定光L1被半反射鏡52a反射。半反射鏡52a所反射的測定光L1通過形成於繞射光柵53g的開口531g。因此，繞射光柵53g是以開口531g位於從半反射鏡52a到達基板41的測定光L1的光路上的方式，而配置於半反射鏡52a與基板41之間。通過開口531g後的測定光L1相對於基板41的表面而垂直地入射。因此，當對準標記M位於開口531g的下方時，測定光L1的±1次繞射光L2（±1）從對準標記M出射。

此處，如上所述，測定光L1包含具有各不相同的波長的多個雷射光。因此，從對準標記M，出射多個雷射光各自的±1次繞射光L2（±1）。圖16表示波長為λ3的雷射光的±1次繞射光L2（±1：λ3）及波長為λ4（≠λ3）的雷射光的±1次繞射光L2（±1：λ4）從對準標記M出射的示例。圖16所示的示例中，±1次繞射光L2（±1：λ3）從基板41而來的繞射角度大於±1次繞射光L2（±1：λ4）從基板41而來的繞射角度。

多個±1次繞射光L2（±1）入射至繞射光柵53g。繞射光柵53g具備：以依所需的間距ΛY而沿第1方向（例如Y軸方向）排列的方式形成的光柵、以及以依所需的間距ΛX而沿第2方向（例如X軸方向）排列的方式形成的光柵。即，繞射光柵53g具備與光柵標記MY的間距ΛY為相同間距的光柵、以及與光柵標記MX的間距ΛX為相同間距的光柵。

繞射角度相對較大的±1次繞射光L2（±1：λ3）在繞射光柵53g中的繞射角，大於繞射角度相對較小的±1次繞射光L2（±1：λ4）在繞射光柵53g中的繞射角。因此，從繞射光柵53g，+1次繞射光L2（+1：λ3）的-1次繞射光L4（-1：λ3）及-1次繞射光L2（-1：λ3）的+1次繞射光L4（+1：λ3）出射。進而，從繞射光柵53g，+1次繞射光L2（+1：λ4）的-1次繞射光L4（-1：λ4）及-1次繞射光L2（-1：λ4）的+1次繞射光L4（+1：λ4）出射。

±1次繞射光L4（±1：λ3）及±1次繞射光L4（±1：λ4）是以在互不相同但彼此平行的多個光路上分別傳播的方式，而從繞射光柵53g出射。±1次繞射光L4（±1：λ3）及±1次繞射光L4（±1：λ4）透射過半反射鏡52a。其結果，±1次繞射光L4（±1：λ3）及±1次繞射光L4（±1：λ4）入射至受光器55g。

受光器55g具備受光元件554g。受光元件554g的受光面的結構是與所述第1受光面555a的結構同樣。即，受光元件554g的受光面被分割為多個受光區域555g，所述多個受光區域555g用於分別接收從繞射光柵53g朝向受光器55g傳播的多個繞射光L4。例如，受光元件554g的受光面至少被分割為：用於接收+1次繞射光L4（+1：λ3）的受光區域555g#1、用於接收+1次繞射光L4（+1：λ4）的受光區域555g#2、用於接收-1次繞射光L4（-1：λ3）的受光區域555g#3、及用於接收-1次繞射光L4（-1：λ4）的受光區域555g#4。因此，即使在測定光L1包含具有各不相同的波長的多個光成分的情況下，受光元件554g亦可同時接收多個光成分。受光元件554g的受光結果作為標記檢測資訊而輸出至控制裝置6。

此種第7實施形態的對準系統5g可適當地獲取對準標記M的檢測結果即標記檢測資訊。其結果，控制裝置6可基於標記檢測資訊來適當地進行對準動作。

進而，第7實施形態中，繞射光柵53g具備：與光柵標記MY的間距ΛY為相同間距的光柵、及與光柵標記MX的間距ΛX為相同間距的光柵。因此，從繞射光柵53g，在互不相同但彼此平行的多個光路上分別傳播的±1次繞射光L4（±1：λ3）及±1次繞射光L4（±1：λ4）出射。因此，即使在測定光L1包含具有各不相同的波長的多個雷射光的情況下，受光器55g亦可接收與多個波長分別對應的多個±1次繞射光L4（±1）。因此，與使用單一波長的測定光L1來獲取標記檢測資訊的情況相比，可獲取精度更高的標記檢測資訊。或者，與藉由依序照射具有各不相同的波長的多個測定光L1來獲取標記檢測資訊的情況相比，獲取標記檢測資訊所需的時間變短。

再者，亦可在繞射光柵53g與基板41之間的光路上配置1/4波長板。此時，測定光L1及±1次繞射光L2通過1/4波長板。此時，亦可將半反射鏡52a設為偏光分光鏡，亦可將被偏光分光鏡的偏光分離面所反射的測定光L1設為相對於偏光分離面的s偏光。

而且，第7實施形態中，亦可如圖17所示，使測定光L1相對於基板41而傾斜入射。再者，在圖17中，對於與先前的實施形態中已說明的構件相同的構件，標註相同的參照符號並省略其詳細說明。

如圖17所示，對準系統5h具備與第3實施形態同樣的光源51a-1～51a-4。來自光源51a-1的測定光L1（LY）被半反射鏡52a反射後，被繞射光柵53g繞射而到達基板41上的對準標記M。而且，來自光源51a-2的測定光L1（RY）被半反射鏡52a反射後，被繞射光柵53g繞射而到達基板41上的對準標記M。再者，圖17中雖未圖示，但來自光源51a-3的測定光L1（LX）及來自光源51a-4的測定光L1（RX）亦被繞射光柵53g繞射而到達基板41上的對準標記M。

經基板41上反射的測定光以及於基板41上的對準標記M繞射的測定光均被繞射光柵53g繞射，並經由半反射鏡52a而入射至受光器55c。

此處，由於繞射光柵53g是與對準標記M的間距相同的間距，因此即使在測定光L1包含具有各不相同的波長的多個雷射光的情況下，受光器55c亦可接收與多個波長分別對應的多個±1次繞射光。因此，與使用具有單一波長的測定光L1來獲取標記檢測資訊的情況相比，可獲取精度更高的標記檢測資訊。或者，與藉由依序照射具有各不相同的波長的多個測定光L1來獲取標記檢測資訊的情況相比，獲取標記檢測資訊所需的時間變短。

再者，所述曝光裝置EX的結構（例如構成曝光裝置EX的各構件（或者各裝置）的形狀、配置位置、尺寸或功能等）不過是一例。因而，曝光裝置EX的結構的至少一部分亦可適當改變。以下說明改變例的一部分。

測定光L1亦可並非為可見光。測定光L1亦可並非為雷射光。測定光L1亦可為任意的光。發光元件511a亦可不包含LD元件。發光元件511a亦可包含發光二極體（Light Emitting Diode，LED）元件。而且，發光元件511a亦可為產生寬頻帶光的白色光源。而且，發光元件511a亦可為將此種白色光源與帶通濾波器（band pass filter）或陷波濾波器（notch filter）組合而成者。

而且，多個發光元件511a分別出射的多個雷射光（或者任意）光的波長之差亦可並非至少100 nm。例如波長之差亦可為至少50 nm。

測定光L1亦可為具有單一波長的光。此時，光源51a亦可不具備合波器512a。進而，光源51a亦可具備單一的發光元件511a。或者，當光源51a具備多個發光元件511a時，多個發光元件511a亦可以彼此不同時出射雷射光的方式，來依序出射雷射光。

半反射鏡52a亦可為分幅型分光鏡（例如偏光無關分光鏡或薄膜（pellicle）分光鏡等）。而且，分幅型分光鏡的分割比亦可並非為1：1。而且，分光鏡的形狀既可為立方體狀，亦可為板狀。

分光器551a亦可為雙色鏡（dichroic mirror）。例如亦可使用多個雙色鏡來將光路對應於每個波長予以分支，並在分支的光路中分別設置受光元件554a。

第1實施形態及第2實施形態中，亦可除了±1次繞射光L2（±1）以外，或者取代±1次繞射光L2（±1），而從對準標記M出射±K（其中，K為2以上的整數）次繞射光L2（±K）。當±K次繞射光L2（±K）朝向可到達反射面531a的方向出射時，反射面531a亦可反射±K次繞射光L2（±K）。其結果，受光器55a亦可對藉由±1次繞射光L2（±1）及±K次繞射光L2（±K）相干而獲得的干涉光L3進行檢測。或者，亦可為：±K次繞射光L2（±K）朝向可到達反射面531a的方向而出射，另一方面，±1次繞射光L2（±1）未朝向可到達反射面531a的方向而出射。其結果，受光器55a亦可對藉由±K次繞射光L2（±K）相干而獲得的干涉光L3進行檢測。第3實施形態至第6實施形態中亦同樣。即，第3實施形態至第6實施形態中，亦可從對準標記M出射第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）中的至少一者的±K次繞射光L2（±K）。進而，亦可從對準標記M出射第1測定光L1（LY）至第4測定光L1（RX）中的至少一者的+1次繞射光L2（+1）。

第7實施形態中，亦可除了±1次繞射光L2（±1）以外或者取代±1次繞射光L2（±1），而從對準標記M出射±K次繞射光L2（±K）。進而，從繞射光柵53g，亦可出射+1次繞射光L2（+1）的-K次繞射光L4（-K）。從繞射光柵53g，亦可出射-1次繞射光L2（-1）的+K次繞射光L4（+K）。從繞射光柵53g，亦可出射+K次繞射光L2（+K）的-1次繞射光L4（-1）。從繞射光柵53g，亦可出射+K次繞射光L2（+K）的-K'（其中，K'為2以上的整數）次繞射光L4（-K'）。從繞射光柵53g，亦可出射-K次繞射光L2（-K）的+1次繞射光L4（+1）。從繞射光柵53g，亦可出射-K次繞射光L2（-K）的+K'次繞射光L4（+K'）。

第7實施形態中，繞射光柵53g亦可具備與光柵標記MY的間距ΛY為不同間距的光柵。繞射光柵53g具備與光柵標記MX的間距ΛX為不同間距的光柵。此時，從繞射光柵53g，在互不相同且不彼此平行的多個光路上分別傳播的±1次繞射光L4（±1：λ3）及±1次繞射光L4（±1：λ4）出射，但不變的是：只要受光器55g可接收±1次繞射光L4（±1：λ3）及±1次繞射光L4（±1：λ4），則對準系統5g便可獲取標記檢測資訊。

第1實施形態及第2實施形態中，控制裝置6亦可不進行散射測定。此時，控制裝置6亦可不獲取第2標記檢測資訊。即，控制裝置6亦可不控制載台驅動系統41，以實現中心C不位於基板41的表面與光軸AXa的交點處的狀態。第3實施形態中，控制裝置6亦可不進行散射測定。此時，對準系統5c亦可不具備分光器551c及分光器552c中的其中任一者以及受光元件555c及受光元件556c中的其中任一者。進而，對準系統5c亦可不具備分光器553c及分光器554c中的其中任一者以及受光元件557c及受光元件558c中的其中任一者。第4實施形態至第6實施形態中亦同樣。

第3實施形態及第4實施形態中，開口542c-1至開口542c-4的至少一部分亦可一體化。第3實施形態中，物鏡53c亦可配置於基板41與反射光學元件54c之間。第4實施形態中，反射鏡53d-1至反射鏡53d-4中的至少一個亦可配置於基板41與反射光學元件54c之間。

第5實施形態中，對準系統5e亦可除了具備反射面531e及反射面532e這兩者的反射光學元件53e以外，或者取代該反射光學元件53e，而獨立地包括具備反射面531e的反射光學元件和具備反射面532e的反射光學元件。

第6實施形態中，對準系統5f亦可取代角隅稜鏡56f而具備任意的利特羅反射體（Littrow reflector）。對準系統5f亦可取代角隅稜鏡56f而具備具有二個反射面的光學元件（例如直角稜鏡）。此時，對準系統5f亦可具備：用於反射0次反射光L2及-1次反射光L2的光學元件，該0次反射光L2及-1次反射光L2用於獲取標記檢測資訊#Yc及標記檢測資訊#Yd；以及用於反射0次反射光L2及-1次反射光L2的光學元件，該0次反射光L2及-1次反射光L2用於獲取標記檢測資訊#Xc及標記檢測資訊#Xd。

曝光裝置EX亦可不具備對準系統5。此時，具備對準系統5的測定裝置亦可獨立於曝光裝置EX而準備。測定裝置進行對準動作的基板41（即，獲取有標記檢測資訊的基板41）亦可使用搬送裝置而搬送至曝光裝置EX。曝光裝置EX亦可使用測定裝置所獲取的標記檢測資訊，來算出多個照射曝光區域的位置座標的校正量，隨後對基板41進行曝光。或者，即使在存在具備對準系統5的測定裝置的情況下，曝光裝置EX亦可具備對準系統5。此時，曝光裝置EX亦可使用測定裝置所進行的對準動作的結果，進一步進行對準動作。再者，具備此種曝光裝置和獨立於該曝光裝置的對準系統的曝光系統於美國專利第4,861,162號中有所揭示。

在獨立於曝光裝置EX而準備具備對準系統5的測定裝置的情況下，測定裝置亦可不進行所述散射測定。此時，曝光裝置EX亦可使用測定裝置所獲取的標記檢測資訊來進行散射測定。而且，此時，曝光裝置EX亦可不進行所述散射測定。此時，曝光裝置EX亦可使用測定裝置所獲取的標記檢測資訊來進行對準動作。

所述說明中，曝光裝置EX以規定波長的光來對半導體基板等的基板41進行曝光。然而，曝光裝置EX亦可使用電子束來對基板41進行曝光。 所述說明中，曝光裝置EX對半導體基板等基板41進行曝光。然而，曝光裝置EX亦可對玻璃板、陶瓷（ceramic）基板、膜（film）構件或遮罩坯材（mask blanks）等任意物體進行曝光。曝光裝置EX亦可為用於製造液晶顯示元件或顯示器（display）的曝光裝置。曝光裝置EX亦可為用於製造薄膜磁頭、攝像元件（例如電荷耦合元件（Charge Coupled Device，CCD））、微機器（micro machine）、微機電系統（Micro Electromechanical Systems，MEMS）、去氧核糖核酸晶片（Deoxyribonucleic Acid（DNA）chip）及遮罩11（或者標線片（reticle））中的至少一者的曝光裝置。曝光裝置EX亦可為光鉗（optical tweezers）裝置，該光鉗裝置是使用藉由對物體照射曝光用光EL而對物體產生的光阱（light trap）力來補足物體。

半導體元件等的元件亦可經由圖18所示的各步驟來製造。用於製造元件的步驟亦可包含：進行元件的功能及性能設計的步驟S201、製造基於功能及性能設計的遮罩11的步驟S202、製作元件的基材即基板41的步驟S203、利用來自遮罩11的元件圖案的曝光用光EL來對基板41進行曝光且對經曝光的基板41進行顯影的步驟S204、包含元件裝配處理（切割處理、接合處理、封裝處理等加工處理）的步驟S205及檢查步驟S206。

所述各實施形態的要件可進行適當組合。所述各實施形態的要件中的一部分亦可不使用。所述各實施形態的要件可適當地與其他實施形態的要件進行置換。而且，於法令容許的範圍內引用所述各實施形態中所引用的與曝光裝置等相關的所有公開公報及美國專利的揭示，來作為本文記載的一部分。

而且，本發明在不違反從申請專利範圍及整個說明書可讀取的發明的主旨或思想的範圍內，可進行適當變更，伴隨此種變更的標記檢測裝置及標記檢測方法、測定裝置及測定方法、曝光裝置及曝光方法以及元件製造裝置亦包含於本發明的技術思想中。

1‧‧‧遮罩載台
2‧‧‧照明系統
3‧‧‧投影光學系統
4‧‧‧基板載台
5、5a、5b、5c、5d、5e、5f、5g、5h‧‧‧對準系統
6‧‧‧控制裝置
11‧‧‧遮罩
12、42‧‧‧驅動系統
13、43‧‧‧位置測定裝置
41‧‧‧基板
51a、51a-1、51a-2、51a-3、51a-4‧‧‧光源
52a、57f-1、57f-2、57f-3、57f-4‧‧‧半反射鏡
52b、52f‧‧‧偏光分光鏡
53a、53e、54c、54e‧‧‧反射光學元件
53c、54f‧‧‧物鏡
53d-1、53d-2、53d-3、53d-4‧‧‧反射鏡
53f、56b、57b‧‧‧1/4波長板
53g‧‧‧繞射光柵
54a‧‧‧聚光透鏡
55a、55c、55g‧‧‧受光器
56f‧‧‧角隅稜鏡
511a‧‧‧發光元件
512a‧‧‧合波器
531a、531e、532e、541c、541e‧‧‧反射面
531g、532a、533e、542e、542c-1、542c-2、542c-3、542c-4‧‧‧開口
541e-1‧‧‧第1部分
541e-2‧‧‧第2部分
541e-3‧‧‧第3部分
541e-4‧‧‧第4部分
551a、551c、552a、552c、553a、553c、554c‧‧‧分光器
554a、555c、556c、557c、558c‧‧‧受光元件
555a‧‧‧第1受光面
555g#1、555g#2、555g#3、555g#4、558a#1、558a#2、558a#3、558a#P-1、558a#P‧‧‧受光區域
556a‧‧‧第2受光面
557a‧‧‧第3受光面
AXa、AXc、AXe‧‧‧光軸
C‧‧‧中心
EX‧‧‧曝光裝置
L1‧‧‧測定光
L1（LX）‧‧‧第3測定光
L1（LY）‧‧‧第1測定光
L1（RX）‧‧‧第4測定光
L1（RY）‧‧‧第2測定光
L2‧‧‧出射光
L2（+1）、L2（+1：λ3）、L2（+1：λ4）、L2（+1）：λ1、L2（+1）：λ2、L4（+1：λ3）、L4（+1：λ4）‧‧‧+1次繞射光
L2（-1）、L2（-1：λ3）、L2（-1：λ4）、L2（LX：-1）、L2（LY：-1）、L2（RX：-1）、L2（RY：-1）、L4（-1：λ3）、L4（-1：λ4）‧‧‧-1次繞射光
L2（LX：0）、L2（LY：0）、L2（RX：0）、L2（RY：0）‧‧‧0次反射光
L2（+N）‧‧‧+N次繞射光
L3、L3（Xa）、L3（Xb）、L3（Ya）、L3（Yb）、L3（Yc）、L3（Yd）‧‧‧干涉光
M‧‧‧對準標記
MA‧‧‧標記區域
MX、MY‧‧‧光柵標記
S201～S206‧‧‧步驟
SPL1、SPL2（+1）、SPL2（-1）‧‧‧區域
θ1（+1）：λ1、θ1（+1）：λ2、θ1（-1）：λ1、θ1（-1）：λ2、θ2（+1）：λ1、θ2（+1）：λ2‧‧‧繞射角度

圖1是表示本實施形態的曝光裝置的結構的一例的結構圖。 圖2是表示第1實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖3（a）、圖3（b）及圖3（c）是分別表示第1實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖4（a）及圖4（b）是分別表示第1實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖5是表示第2實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖6是表示第3實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖7是表示第3實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖8是表示第4實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖9是表示第4實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖10是表示第5實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖11是表示第5實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖12是表示第5實施形態的對準系統的結構的另一例的結構圖。 圖13是表示第6實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖14（a）及圖14（b）是分別表示第6實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖15（a）及圖15（b）是分別表示第6實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖16是表示第7實施形態的對準系統的結構的一例的結構圖。 圖17是表示第7實施形態的對準系統的結構的另一例的結構圖。 圖18是表示元件製造方法的流程的流程圖。

5a‧‧‧對準系統

41‧‧‧基板

51a‧‧‧光源

52a‧‧‧半反射鏡

53a‧‧‧反射光學元件

54a‧‧‧聚光透鏡

55a‧‧‧受光器

511a‧‧‧發光元件

512a‧‧‧合波器

531a‧‧‧反射面

532a‧‧‧開口

551a、552a、553a‧‧‧分光器

554a‧‧‧受光元件

555a‧‧‧第1受光面

558a#1、558a#2、558a#3、558a#P-1、558a#P‧‧‧受光區域

556a‧‧‧第2受光面

557a‧‧‧第3受光面

AXa‧‧‧光軸

C‧‧‧中心

L1‧‧‧測定光

L2(+1)‧‧‧+1次繞射光

L2(-1)‧‧‧-1次繞射光

L3‧‧‧干涉光

M‧‧‧對準標記

Claims (64)

1. 一種標記檢測裝置，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測裝置包括： 第1光學系統，朝向所述標記區域射出第1測定光； 第2光學系統，使第2測定光偏向並作為第3測定光而照射至所述標記區域，所述第2測定光包含藉由從所述第1光學系統朝向所述標記區域的所述第1測定光的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分；以及 受光器，接受第4測定光，所述第4測定光包含藉由從所述第2光學系統朝向所述標記區域的所述第3測定光的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分。
2. 如申請專利範圍第1項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統使來自所述標記區域的第2測定光與照射至所述標記區域的第3測定光成為平行。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統使來自所述標記區域中的至少一部分的區域的所述第2測定光偏向，並作為所述第3測定光而照射至所述至少一部分的區域。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統具有反射面，所述反射面將來自所述標記區域的所述第2測定光作為所述第3測定光而反射向所述標記區域。
5. 如申請專利範圍第4項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統的所述反射面的包含光軸的剖面形狀，為相當於圓的至少一部分外周的形狀， 所述標記區域是配置於所述圓的中心。
6. 如申請專利範圍第4項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統的所述反射面是彼此正交的至少二個平面反射面。
7. 如申請專利範圍第4項至第6項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統具有使經由所述標記區域的所述第4測定光通過的開口。
8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第1光學系統包含第1光學構件，所述第1光學構件將所述第1測定光導向所述標記區域，並且將所述第4測定光導向所述受光器。
9. 如申請專利範圍第8項所述的標記檢測裝置，其中 所述第1光學構件使所述第1測定光反射或透射而導向所述標記區域，並且使所述第4測定光反射或透射而導向所述受光器。
10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2測定光的光路與所述第3測定光的光路相對於所述第2光學系統的光軸而對稱。
11. 如申請專利範圍第10項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統包括偏向光學系統及折返光學系統，所述偏向光學系統使所述第2測定光偏向，所述折返光學系統使經由所述偏向光學系統的所述第2測定光折返。
12. 如申請專利範圍第11項所述的標記檢測裝置，其中 入射至所述折返光學系統的所述第2測定光的光路、與從所述折返光學系統射出的所述第2測定光的光路為平行。
13. 如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第1光學系統具備第2光學構件，所述第2光學構件以所述第1測定光相對於所述標記區域而傾斜入射的方式，來將所述第1測定光導向所述標記區域。
14. 如申請專利範圍第13項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學構件包含第1光學元件，所述第1光學元件以所述第1測定光傾斜入射的方式來使所述第1測定光折射而導向所述標記區域。
15. 如申請專利範圍第13項或第14項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學構件包含第2光學元件，所述第2光學元件以所述第1測定光傾斜入射的方式來使所述第1測定光反射而導向所述標記區域。
16. 如申請專利範圍第13項至第15項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學構件使所述第1測定光相對於所述第1光學系統的光軸而發散，隨後，使經發散的所述第1測定光相對於所述第1光學系統的光軸而收斂，從而傾斜入射至所述標記區域。
17. 如申請專利範圍第16項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學構件包含：第3光學元件，以相對於所述第1光學系統的光軸而發散的方式來使所述第1測定光反射；以及第4光學元件，使所述第3光學元件所反射的所述第1測定光以相對於所述第1光學系統的光軸而收斂的方式來反射，從而傾斜入射至所述標記區域。
18. 如申請專利範圍第17項所述的標記檢測裝置，其中 所述第3光學元件是與所述第2光學系統所具備的光學元件的至少一部分一體化。
19. 如申請專利範圍第13項至第18項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學構件進而使相對於所述第1光學系統的光軸而發散的、來自所述標記區域的所述第4測定光，相對於所述光軸而收斂。
20. 如申請專利範圍第19項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學構件包含：第5光學元件，使相對於所述第1光學系統的光軸而發散的、來自所述標記區域的所述第4測定光，以相對於所述光軸而收斂的方式予以反射；以及第6光學元件，使所述第3光學元件所反射的所述第4測定光反射。
21. 如申請專利範圍第20項所述的標記檢測裝置，其中 所述第6光學元件是與所述第2光學系統所具備的光學元件的至少一部分一體化。
22. 如申請專利範圍第1項至第21項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第1測定光包含第5測定光與第6測定光， 朝向所述標記區域的所述第5測定光與所述第6測定光的、相對於所述第1光學系統的光軸的角度互不相同。
23. 如申請專利範圍第22項所述的標記檢測裝置，其中 所述第5測定光相對於所述第1光學系統的所述光軸的角度的絕對值、與所述第6測定光相對於所述第1光學系統的所述光軸的角度的絕對值相等。
24. 如申請專利範圍第22項所述的標記檢測裝置，其中 所述第5測定光相對於所述第1光學系統的所述光軸的角度的絕對值、與所述第6測定光相對於所述第1光學系統的所述光軸的角度的絕對值互不相同。
25. 如申請專利範圍第1項至第24項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第4測定光包含所述第1光學系統所射出的所述第1測定光的反射光及繞射光中的至少一者， 所述第1測定光的繞射光包含藉由所述第3測定光的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分。
26. 如申請專利範圍第1項至第25項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述受光器接收所述第4測定光的干涉光。
27. 如申請專利範圍第26項所述的標記檢測裝置，其中 所述干涉光包含所述第1測定光的N1（其中，N1為零以外的整數）次繞射光與-N1次繞射光的干涉光。
28. 如申請專利範圍第26項或第27項所述的標記檢測裝置，其中 所述干涉光包含所述第1測定光的反射光與N2（其中，N2為零以外的整數）次繞射光的干涉光。
29. 如申請專利範圍第1項至第28項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述受光器接收在所述標記區域多次繞射的光與所述標記區域中的0次光的干涉光。
30. 如申請專利範圍第1項至第29項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述受光器接收經由所述標記區域的多個所述第4測定光。
31. 如申請專利範圍第30項所述的標記檢測裝置，其中 使用經由所述標記區域的多個所述第4測定光的受光結果，來校正所述受光結果。
32. 如申請專利範圍第30項或第31項所述的標記檢測裝置，其中 所述第1測定光包含第5測定光及第6測定光， 所述受光器接收所述第5測定光的反射光與所述第6測定光的繞射光的干涉光、及所述第6測定光的反射光與所述第5測定光的繞射光的干涉光。
33. 如申請專利範圍第30項至第32項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第1測定光包含第5測定光及第6測定光， 所述受光器接收所述第5測定光的反射光與所述第5測定光的繞射光的干涉光、及所述第6測定光的反射光與所述第6測定光的繞射光的干涉光。
34. 如申請專利範圍第30項或第31項所述的標記檢測裝置，其中 所述受光器包括：第1受光面，接收基於藉由所述第3測定光對所述標記區域的照射而產生的多個繞射光的干涉光；以及第2受光面及第3受光面，分別接收藉由所述第3測定光對所述標記區域的照射而產生的多個繞射光。
35. 如申請專利範圍第34項所述的標記檢測裝置，更包括： 載台，保持所述物體， 所述載台可沿著所述第2光學系統的光軸而移動，以使所述第1光學系統所射出的測定光的聚焦狀態在合焦至所述標記區域的狀態與未合焦至所述標記區域的狀態之間切換。
36. 如申請專利範圍第1項至第35項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第1光學系統射出包含多個光成分的所述第1測定光，多個所述光成分具有各不相同的波長。
37. 如申請專利範圍第36項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統使所述第4測定光中的第1波長的光成分、和與所述第1波長不同的第2波長的光成分的行進方向一致。
38. 如申請專利範圍第36項或第37項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統將所述第3測定光中的第1波長的光成分、和與所述第1波長不同的第2波長的光成分，照射至所述標記區域的相同位置。
39. 如申請專利範圍第36項至第38項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統使所述第2測定光中的從所述標記區域以第1角度出射的第1波長的光成分、和從所述標記區域以與所述第1角度不同的第2角度出射的與所述第1波長不同的第2波長的光成分偏向，並作為所述第3測定光而照射至所述標記區域的相同位置。
40. 如申請專利範圍第36項至第39項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統使所述第2測定光中的從所述標記區域以第1角度出射的第1波長的光成分、和從與所述第1波長的光成分相同的位置以與所述第1角度不同的第2角度出射的與所述第1波長不同的第2波長的光成分偏向，並作為所述第3測定光而照射至所述標記區域的相同位置。
41. 如申請專利範圍第36項至第40項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 多個所述光成分包含第1波長及第2波長的光成分， 所述第1波長及第2波長之差至少為100 nm。
42. 如申請專利範圍第36項至第41項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述受光器具備用於分別檢測多個所述光成分的多個受光面。
43. 一種標記檢測裝置，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測裝置包括： 第1光學系統，朝向所述標記區域射出第1測定光； 第2光學系統，使第2測定光偏向並作為第3測定光而照射至所述標記區域，所述第2測定光包含藉由從所述第1光學系統朝向所述標記區域的所述第1測定光的照射而產生的繞射光；以及 受光器，接受第4測定光，所述第4測定光包含藉由從所述第2光學系統朝向所述標記區域的所述第3測定光的照射而產生的繞射光。
44. 如申請專利範圍第43項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2測定光的光路與所述第3測定光的光路關於所述第2光學系統的光軸而對稱。
45. 如申請專利範圍第44項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統包括偏向光學系統及折返光學系統，所述偏向光學系統使所述第2測定光偏向，所述折返光學系統使經由所述偏向光學系統的所述第2測定光折返。
46. 如申請專利範圍第45項所述的標記檢測裝置，其中 入射至所述折返光學系統的所述第2測定光的光路、與從所述折返光學系統射出的所述第2測定光的光路為平行。
47. 如申請專利範圍第43項至第46項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述第1測定光包含第5測定光與第6測定光， 朝向所述標記區域的所述第5測定光與所述第6測定光的、相對於所述第1光學系統的光軸的角度互不相同。
48. 如申請專利範圍第47項所述的標記檢測裝置，其中 所述第5測定光相對於所述第1光學系統的所述光軸的角度的絕對值、與所述第6測定光相對於所述第1光學系統的所述光軸的角度的絕對值相等。
49. 如申請專利範圍第47項所述的標記檢測裝置，其中 所述第5測定光相對於所述第1光學系統的所述光軸的角度的絕對值、與所述第6測定光相對於所述第1光學系統的所述光軸的角度的絕對值互不相同。
50. 如申請專利範圍第43項至第49項中任一項所述的標記檢測裝置，其中 所述受光器接收在所述標記區域多次繞射的光與所述標記區域中的0次光的干涉光。
51. 一種標記檢測裝置，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測裝置包括： 第1光學系統，朝向所述標記區域射出包含多個光成分的測定光，多個所述光成分具有各不相同的波長；以及 受光器，接收經由所述標記區域的所述測定光的至少一部分， 所述受光器具備用於分別檢測多個所述光成分的多個受光面。
52. 如申請專利範圍第51項所述的標記檢測裝置，更包括： 分光器，將經由所述標記區域的所述測定光對應於波長來進行分光， 所述受光器對所述分光器所分光的所述測定光進行檢測。
53. 如申請專利範圍第52項所述的標記檢測裝置，包括： 多個所述受光器，接收來自所述標記區域的多個所述測定光；以及多個所述分光器，分別對應於多個所述受光器。
54. 如申請專利範圍第53項所述的標記檢測裝置，其中 來自所述標記區域的多個所述測定光是用於對沿著第1方向的所述標記的位置、及沿著與所述第1方向不同的第2方向的所述標記的位置進行測定。
55. 如申請專利範圍第54項所述的標記檢測裝置，其中 多個所述測定光包含：第7測定光，用於對沿著所述第1方向的所述標記的位置進行測定；以及第8測定光，用於對沿著所述第2方向的所述標記的位置進行測定， 多個所述分光器包含：第1分光器，將從照射有所述第7測定光的所述標記區域產生的第9測定光對應於波長來進行分光；以及第2分光器，將從照射有所述第8測定光的所述標記區域產生的第10測定光對應於波長來進行分光， 多個所述受光器包含：第1受光器，接收所述第1分光器所分光的所述第9測定光；以及第2受光器，接收所述第2分光器所分光的所述第10測定光。
56. 一種標記檢測裝置，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測裝置包括： 第1光學系統，朝向所述標記區域射出包含多個光成分的測定光，多個所述光成分具有各不相同的波長； 第2光學系統，使經由所述標記區域的所述測定光中的第1波長的光成分、和與所述第1波長不同的第2波長的光成分的行進方向一致地射出；以及 受光器，接收來自所述第2光學系統的所述測定光的至少一部分。
57. 如申請專利範圍第56項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統將藉由從所述第1光學系統朝向所述標記區域的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分照射至所述標記區域。
58. 如申請專利範圍第57項所述的標記檢測裝置，其中 所述第2光學系統將藉由從所述第2光學系統朝向所述標記區域的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分導向所述受光器。
59. 一種測定裝置，對形成於物體的標記區域的標記的位置進行測定，所述測定裝置包括： 載台，保持所述物體； 申請專利範圍第1項至第58項中任一項所述的標記檢測裝置； 載台位置測定系統，測定所述載台的位置；以及 運算裝置，使用所述受光器的受光結果與所述載台位置測定系統的測定結果，來算出所述標記的位置。
60. 一種標記檢測方法，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測方法包括： 朝向所述標記區域射出第1測定光； 使第2測定光偏向並作為第3測定光而照射至所述標記區域，所述第2測定光包含藉由所述第1測定光向所述標記區域的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分；以及 接受第4測定光，所述第4測定光包含藉由所述第3測定光向所述標記區域的照射而產生的0次光及繞射光的至少一部分。
61. 一種標記檢測方法，對形成於物體的標記區域的標記進行檢測，所述標記檢測方法包括： 朝向所述標記區域射出包含多個光成分的測定光，多個所述光成分具有各不相同的波長； 使經由所述標記區域的所述測定光中的第1波長的光成分、和與所述第1波長不同的第2波長的光成分的行進方向一致地射出；以及 接收所述射出的測定光的至少一部分。
62. 一種曝光裝置，使用申請專利範圍第59項所述的測定裝置的測定結果來對物體進行曝光。
63. 一種曝光方法，使用申請專利範圍第59項所述的測定裝置的測定結果來對物體進行曝光。
64. 一種元件製造方法， 使用申請專利範圍第63項所述的曝光方法，對塗佈有光敏劑的所述物體進行曝光，將所需的圖案轉印至所述物體， 對經曝光的所述光敏劑進行顯影，形成與所述所需的圖案對應的曝光圖案層， 經由所述曝光圖案層來加工所述物體。