TW201802903A - 半導體加工用片 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種半導體加工用片，於基材上具備黏著劑層，且具有以下之特性：將該黏著劑層的厚度設為200μm時，該厚度200μm的黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數為1000MPa以下；且將該半導體加工用片貼附於半導體晶圓的鏡面時，該黏著劑層對該鏡面之黏著力為200mN/25mm以下。

Description

半導體加工用片
本發明係關於一種半導體加工用片。
本申請案主張基於2016年3月30日在日本提出申請之日本專利特願2016-069603號的優先權，並將該申請案的內容引用至本文中。
切割片係於藉由切割將半導體晶圓單片化為半導體晶片時使用。切割片例如於基材上具備黏著劑層而構成，藉由前述黏著劑層貼附於半導體晶圓而使用。切割後，例如藉由照射紫外線等能量線使之硬化，從而使前述黏著劑層的黏著力降低，藉此將半導體晶片自硬化後的黏著劑層拉離，而容易地拾取。
另一方面，對於拾取後的半導體晶片，例如，藉由膜狀接著劑黏接於基板的電路面，視需要，於該半導體晶片進而積層1個以上之其他半導體晶片，經打線接合後，藉由樹脂將整體密封。
使用以此種方式獲得之半導體封裝，最終製造目標半 導體裝置。因此，有時構成為：將半導體晶片以於該半導體晶片的成為黏接對象之面具備膜狀接著劑之狀態拾取。
於如此般使用膜狀接著劑之情形時，有時使用切晶黏晶片，該切晶黏晶片係於上述之切割片中的黏著劑層上設置有未切斷的膜狀接著劑。另一方面，有時於膜狀接著劑上設置預先單片化之多個半導體晶片，該情形時，亦使用具有與切晶黏晶片相同構成之加工用片。於使用此種加工用片之情形時，例如有時於該加工用片的膜狀接著劑上設置預先單片化之多個半導體晶片，將加工用片於低溫下進行延展，藉此將膜狀接著劑與半導體晶片的外形相對應地切斷，從而製造於目標面具備切斷後的膜狀接著劑之半導體晶片。
作為適於如此般藉由延展將膜狀接著劑切斷之加工用片(晶圓加工用帶)，例如揭示有以下加工用片：黏著劑層與膜狀接著劑(接著劑層)於25℃下的剪切力為0.2N/mm2以上，照射200mJ/cm2的能量線後依據JIS-Z0237之標準狀態下剝離速度300mm/min、剝離角度180°下的前述黏著劑層與前述膜狀接著劑的剝離力為0.3N/25mm以下(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2013/103116號。
但是，專利文獻1中所揭示之加工用片存在如下問題：使用時必須照射能量線。對於該加工用片，為了於藉由延展將膜狀接著劑切斷時，抑制具備膜狀接著劑之半導體晶片自黏著劑層隆起或飛散，以照射能量線前的黏著劑層的黏著力變高之方式進行設計，另一方面，為了容易拾取具備膜狀接著劑之半導體晶片，以照射能量線後的黏著劑層的黏著力變低之方式進行設計。
因此，本發明之目的在於提供一種半導體加工用片，構成為於基材上具備黏著劑層，用以於貼附於半導體晶片之膜狀接著劑之切斷時使用，且該半導體加工用片於使用時無需照射能量線，於藉由延展將膜狀接著劑切斷時，可抑制具備膜狀接著劑之半導體晶片自黏著劑層隆起或飛散，可容易地拾取具備膜狀接著劑之半導體晶片。
為了解決上述課題，本發明提供一種半導體加工用片，於基材上具備黏著劑層，厚度為200μm的前述黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數為1000MPa以下，前述黏著劑層對半導體晶圓的鏡面之黏著力為200mN/25mm以下。
本發明之半導體加工用片中，較佳為前述黏著劑層為非能量線硬化性。
本發明之半導體加工用片亦可為於前述黏著劑層上進而具備膜狀接著劑。
[1]一種半導體加工用片，於基材上具備黏著劑層，且具有以下之特性：將前述黏著劑層的厚度設為200μm時，前述厚度200μm的黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數為1000MPa以下；且將前述半導體加工用片貼附於半導體晶圓的鏡面時，前述黏著劑層對前述鏡面之黏著力為200mN/25mm以下。
[2]如[1]所記載之半導體加工用片，其中前述黏著劑層為非能量線硬化性。
[3]如[1]或[2]所記載之半導體加工用片，其中於前述黏著劑層上進而具備膜狀接著劑。
根據本發明，提供一種半導體加工用片，構成為於基材上具備黏著劑層，用以於貼附於半導體晶片之膜狀接著劑之切斷時使用，且該半導體加工用片於使用時無需照射能量線，於藉由延展將膜狀接著劑切斷時，可抑制具備膜狀接著劑之半導體晶片自黏著劑層隆起或飛散，可容易地拾取具備膜狀接著劑之半導體晶片。
1、7‧‧‧半導體加工用片
8‧‧‧半導體晶片
8b‧‧‧半導體晶片的背面
8'‧‧‧半導體晶圓
8a'‧‧‧半導體晶圓的表面(電路形成面)
8b'‧‧‧半導體晶圓的背面
9‧‧‧膜狀接著劑
9'‧‧‧切斷後的膜狀接著劑
9a‧‧‧膜狀接著劑9中的與具備黏著劑層12之側為相反側的表面
9b‧‧‧膜狀接著劑9中的與具備半導體晶片8之側為相反側的表面
11‧‧‧基材
11a‧‧‧基材的表面
12、72‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧黏著劑層的表面
61‧‧‧提拉部
62‧‧‧研磨機
63‧‧‧背面研磨帶
80'‧‧‧溝槽
81'‧‧‧改質層
101‧‧‧積層結構體
圖1係以示意方式表示本發明之半導體加工用片的一實施形態之剖面圖。
圖2係用於以示意方式說明使用本發明之半導體加工用片之情形時，半導體裝置的製造方法的一實施形態之剖面圖。
圖3係用於以示意方式說明於半導體晶圓形成溝槽而獲得半導體晶片之方法的一實施形態之剖面圖。
圖4係用於以示意方式說明於半導體晶圓形成改質層而獲得半導體晶片之方法的一實施形態之剖面圖。
圖5係以示意方式表示使用先前之半導體加工用片之情形時，膜狀接著劑之延展時半導體晶片的狀態之剖面圖。
圖6係以示意方式表示使用先前之半導體加工用片之情形時，嘗試拾取附膜狀接著劑之半導體晶片時的狀態之剖面圖。
<半導體加工用片>
本發明之半導體加工用片於基材上具備黏著劑層，厚度為200μm的前述黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數為1000MPa以下，前述黏著劑層對半導體晶圓的鏡面之黏著力為200mN/25mm以下。
作為另一態樣，本發明之半導體加工用片於基材上具備黏著劑層，且具有以下之特性：將前述黏著劑層的厚度設為200μm時，前述厚度200μm的黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數為1000MPa以下；且將前述半導體加工用片貼附於半導體晶圓的鏡面時，前述黏著劑層對前述鏡面之黏著力為200mN/25mm以下。
本發明之半導體加工用片適宜用於以下步驟：於該半導體加工用片的黏著劑層上設置膜狀接著劑，於前述膜狀接著劑上設置預先已分割之多個半導體晶片，成為上述構成後，於低溫下進行下述之所謂延展：使前述膜狀接著劑，連同前述半導體加工用片一起，沿該膜狀接著劑的表面方向(沿表面之方向，亦即相對於膜狀接著劑的表面為水平的方向)擴展，藉此將前述膜狀接著劑與前述半導體晶片的外形相對應地切斷。於與形成有電路之面(以下，有時簡稱為「電路形成面」)為相反側的面(背面)具備切斷後的前述膜狀接著劑之半導體晶片(本說明書中，有時稱為「附膜狀接著劑之半導體晶片」)在拾取後，用於製造半導體裝置。
本發明之半導體加工用片適宜作為如上所述般將膜狀接著劑進行延展而切斷之所謂延展片。
另外，本發明之半導體加工用片亦適宜單獨用作切割片。
根據本發明之半導體加工用片，於藉由延展將設置於前述半導體加工用片上之膜狀接著劑切斷時，可抑制附膜狀接著劑之半導體晶片自黏著劑層(換言之，半導體加工用片)隆起或飛散，進而可不伴有步驟異常而容易地拾取附膜狀接著劑之半導體晶片。
如上述藉由延展將膜狀接著劑切斷，例如適宜應用於製造具備厚度薄的半導體晶片之附膜狀接著劑之半導體晶片時。
已分割之多個半導體晶片例如可藉由下述方式而製作：自半導體晶圓中的與前述膜狀接著劑之貼附面(背面)為相反側的電路形成面(表面)形成溝槽，並對前述背面進行研削直至到達該溝槽。如此，以不分割半導體晶圓而殘留溝槽的底部之方式切入半導體晶圓之操作稱作半切。但是，本發明中，所謂「半切」，並非僅意指以溝槽的深度成為例如半導體晶圓的厚度的一半等特定值之方式切入半導體晶圓之操作，而是意指如上述般以殘留溝槽的底部之方式切入半導體晶圓之所有操作。
作為形成前述溝槽之方法，例如可列舉以下方法：藉由使用刀片切入半導體晶圓而形成溝槽之方法(亦即，刀片切割)；藉由利用雷射照射切入半導體晶圓而形成溝槽之方法(亦即，雷射切割)；藉由利用吹送含有研磨劑之水切入半導體晶圓而形成溝槽之方法(亦即，水切割)等。但 是，於如這些般，藉由削去半導體晶圓的一部分而製造半導體晶片之情形時，若半導體晶圓的厚度薄，則容易獲得破裂的半導體晶片，良率容易降低。另外，於半導體晶片殘存鬚狀研削殘餘，或者半導體晶圓的研削碎屑附著於半導體晶片，因此拾取附膜狀接著劑之半導體晶片時產生異常，或者所獲得之半導體裝置的性能降低。
另一方面，已分割之多個半導體晶片亦可藉由下述方式而製作：以聚焦於設定於半導體晶圓內部之焦點之方式，照射紅外區域之雷射光，於半導體晶圓內部形成改質層後，對半導體晶圓的前述背面進行研削，並且進而對前述背面研削中之半導體晶圓，施加研削時的力，藉此於形成前述改質層之部位分割半導體晶圓。該方法中，由於不存在削去半導體晶圓的一部分之步驟，即便半導體晶圓的厚度薄，亦可抑制如上述之半導體晶片破裂、於半導體晶片殘存研削殘餘以及研削碎屑附著於半導體晶圓等。
如此，於形成改質層之部位分割半導體晶圓之方法適於半導體晶圓的厚度薄之情形，將由此種半導體晶圓獲得之厚度薄之半導體晶片，連同膜狀接著劑一起拾取時，本發明之半導體加工用片適宜。
<基材>
前述基材的構成材料較佳為各種樹脂，具體而言，例如可列舉：聚乙烯(低密度聚乙烯(有時簡稱為LDPE；Low Density Polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(有時簡稱為LLDPE；Linear Low Density Polyethylene)、高密度聚乙烯(有時簡稱為HDPE；High Density Polyethylene)等)、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸胺基甲酸酯、聚醯亞胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、這些任一樹脂的氫化物、改質物、交聯物或共聚物等。
上述之中，較佳為低密度聚乙烯(LDPE)。
再者，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」的概念係包括「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同，例如，「(甲基)丙烯酸酯」的概念係包括「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者，「(甲基)丙烯醯基」的概念係包括「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者。
構成基材之樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
基材可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之多層構成 。於基材由多層構成之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，只要無損本發明的效果，則這些多層的組合並無特別限定。
再者，本說明書中，並不限於基材之情形，所謂「多層相互可相同亦可不同」，意指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」，進而所謂「多層相互不同」，意指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。
基材的厚度可根據目的適宜選擇，較佳為50至300μm，更佳為70至150μm。
此處，所謂「基材的厚度」，意指基材整體的厚度，例如，所謂由多層構成之基材的厚度，意指構成基材之全部層的合計厚度。
再者，本說明書中，所謂「厚度」，意指以下述方式獲得之以平均表示之值：於任意5個部位，利用接觸式厚度計測定厚度。
基材的表面亦可經實施以下處理以提高與設置於該基材上之黏著劑層等其他層之密接性：藉由噴砂處理、溶劑處理等實施之凹凸化處理；或者電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。
另外，基材的表面亦可經實施底塗處理。
另外，基材亦可具有抗靜電塗層、防止使半導體加工用片重疊保存時基材接著於其他片或基材接著於吸附台之層等。
<黏著劑層>
前述黏著劑層較佳為滿足以下所示之儲存彈性模數之條件，且為非能量線硬化性。
本發明中，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。與此相反，將藉由照射能量線而硬化之性質稱為「能量線硬化性」。
本發明中，所謂「能量線」，意指具有能量量子之電磁波或帶電粒子束，作為該能量線的示例，可列舉紫外線、電子束等。
紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、融合(Fusion)H型燈、氙氣燈或發光二極體等作為紫外線源而進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等產生之電子束。
黏著劑層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之多層，於為多層之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
黏著劑層的厚度可根據目的適宜選擇，較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。
此處，所謂「黏著劑層的厚度」，意指黏著劑層整體 的厚度，例如，所謂由多層構成之黏著劑層的厚度，意指構成黏著劑層之全部層的合計厚度。
求算前述儲存彈性模數之對象之黏著劑層可為厚度為200μm的單層的黏著劑層，亦可為將厚度未達200μm的黏著劑層以合計厚度成為200μm之方式積層2層以上而獲得之積層體。
再者，本說明書中，求算儲存彈性模數之對象之黏著劑層可為單層的黏著劑層及前述積層體之任一者，有時均僅記載為「黏著劑層」。
另外，本說明書中，上述之「黏著劑層的儲存彈性模數」、「積層體的儲存彈性模數」，只要無特別說明，則於黏著劑層為硬化性之情形時，分別意指「硬化前的黏著劑層的儲存彈性模數」、「黏著劑層硬化前的積層體的儲存彈性模數」。
前述黏著劑層或積層體於0℃下的儲存彈性模數為1000MPa以下，較佳為996MPa以下。藉由前述儲存彈性模數為前述上限值以下，如後述般，藉由延展將膜狀接著劑切斷時，可抑制附膜狀接著劑之半導體晶片自黏著劑層隆起或飛散。
前述黏著劑層或積層體於0℃下的儲存彈性模數的下限值並無特別限定，例如可設為100MPa、300MPa、500MPa之任一者，但這些為一例。
亦即，作為一態樣，前述黏著劑層或積層體於0℃下的儲存彈性模數為100MPa至1000MPa，較佳為300MPa至1000MPa，更佳為500MPa至996MPa，尤佳為533MPa至994MPa。
本發明中，前述儲存彈性模數(MPa)藉由下述方式而求出：將測定對象之前述黏著劑層或積層體，於升溫速度10℃/min、頻率11Hz之條件下，例如自-50℃升溫至50℃等，於特定之溫度範圍內升溫，測定此時的儲存彈性模數(MPa)。
更具體而言，藉由下述方式而求出：將黏著劑層的厚度設為200μm時，藉由動態黏彈性測定裝置，於升溫速度10℃/min、頻率11Hz、溫度-50℃至50℃之條件下升溫，測定此時0℃下的儲存彈性模數(MPa)。
前述儲存彈性模數例如可藉由調節黏著劑層的含有成分的種類及量等而適宜調節。
例如，藉由調節構成後述之黏著性樹脂之單體的比率、交聯劑的調配量、填充劑的含量等，可容易地調節前述黏著劑層的儲存彈性模數及前述積層體的儲存彈性模數。
但是，這些調節方法僅為一例。
本發明之半導體加工用片中的前述黏著劑層對半導體晶圓之黏著力(對半導體晶圓的鏡面之黏著力)為 200mN/25mm以下，較佳為196mN/25mm以下。藉由前述黏著力為前述上限值以下，如後述般，即便不藉由照射能量線等使黏著劑層硬化，亦可容易地拾取附膜狀接著劑之半導體晶片。
前述黏著劑層對半導體晶圓之黏著力的下限值並無特別限定，例如可設為10mN/25mm、30mN/25mm、50mN/25mm之任一者，但這些為一例。
亦即，作為一態樣，本發明之半導體加工用片中的前述黏著劑層對半導體晶圓之黏著力為10mN/25mm至200mN/25mm，較佳為30mN/25mm至200mN/25mm，更佳為50mN/25mm至196mN/25mm，尤佳為55mN/25mm至194mN/25mm。
再者，本說明書中，所謂「黏著劑層對半導體晶圓之黏著力」，只要無特別說明，則於黏著劑層為硬化性之情形時，意指「硬化前的黏著劑層對半導體晶圓之黏著力」。另外，只要無特別說明，則前述黏著力之測定為JIS Z0237 2008中所規定之標準狀態下的黏著力之測定。
本發明中，前述黏著力(mN/25mm)可利用以下之方法進行測定。亦即，製作寬度為25mm且長度為任意的前述半導體加工用片。繼而，於常溫下(例如，23℃)下，藉由黏著劑層，將該半導體加工用片貼附於半導體晶圓(亦即，半導體晶圓的鏡面)。然後，進行以下所謂之180°剝離 ：保持該溫度不變，自半導體晶圓，將半導體加工用片以黏著劑層及半導體晶圓相互接觸之面彼此成為180°之角度之方式以剝離速度300mm/min剝離。測定此時的剝離力，將該剝離力的測定值設為前述黏著力(mN/25mm)。供於測定之前述半導體加工用片的長度只要為可穩定地測定剝離力之範圍，則並無特別限定。例如，供於測定之前述半導體加工用片的長度亦可為150mm。
作為半導體晶圓，例如可列舉矽晶圓等。
前述黏著劑層對半導體晶圓之黏著力例如可藉由調節黏著劑層的含有成分的種類及量等而適宜調節。
例如，藉由調節構成後述之黏著性樹脂之單體的組合、前述單體的比率、交聯劑的調配量、填充劑的含量等，可容易地調節黏著劑層的前述接著力。
但是，這些調節方法僅為一例。
矽晶圓等半導體晶圓的種類不同，或者種類相同但製造批次不同，只要於該矽晶圓等半導體晶圓的相同部位貼附相同黏著劑層之情形時，與黏著劑層之黏著力之不均皆小。因此，黏著劑層的黏著力可藉由選擇半導體晶圓作為該黏著力的測定對象物而高精度地特定。本發明中，藉由選擇黏著劑層對半導體晶圓的鏡面之黏著力為200mN/25mm以下之黏著劑層，可調節黏著劑層對膜狀接著劑之黏著力，以於將附膜狀接著劑之半導體晶片自黏著 劑層拉離而進行拾取時，可抑制步驟異常的產生而容易地拾取。對於該領域中所使用之所有膜狀接著劑而言均會表現出此種本發明的效果。
前述黏著劑層可由含有黏著劑之黏著劑組成物形成。例如，於黏著劑層的形成對象面塗敷黏著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此可於目標部位形成黏著劑層。關於黏著劑層的更具體的形成方法，與其他層的形成方法一起，隨後進行詳細說明。關於黏著劑組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量比率，通常與黏著劑層中的前述成分彼此的含量比率相同。
利用公知的方法塗敷黏著劑組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、Meyer棒式塗佈機、吻合式塗佈機等。
黏著劑組成物的乾燥條件並無特別限定，於黏著劑組成物含有後述之溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥，該情形時，例如較佳為於70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。
[黏著劑組成物]
前述黏著劑組成物較佳為非能量線硬化性。
作為非能量線硬化性的黏著劑組成物，例如可列舉含有以下樹脂之組成物：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、或聚碳酸酯等黏著性樹脂(以下，稱為「黏著性樹脂(i)」)。
(黏著性樹脂(i))
前述黏著性樹脂(i)較佳為前述丙烯酸系樹脂。
作為黏著性樹脂(i)中的前述丙烯酸系樹脂，例如可列舉至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之丙烯酸系聚合物。
前述丙烯酸系樹脂所具有之結構單元可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
此處，所謂「源自」，意指因進行聚合而化學結構發生變化。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉構成烷基酯之烷基的碳數為1至20之(甲基)丙烯酸烷基酯，前述烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基) 丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
上述之中，較佳為(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
就黏著劑層的黏著力提高之方面而言，前述丙烯酸系聚合物較佳為具有源自前述烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。並且，就黏著劑層的黏著力進一步提高之方面而言，前述烷基的碳數較佳為4至12，更佳為4至8。另外，前述烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為丙烯酸烷基酯。
前述丙烯酸系聚合物較佳為除源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進而具有源自含官能基之單體之結構單元。
作為前述含官能基之單體，例如可列舉以下單體，該單體可藉由前述官能基與後述交聯劑反應而成為交聯的起點，或者可藉由前述官能基與含不飽和基之化合物中的不飽和基反應，而於丙烯酸系聚合物的側鏈導入不飽和基。
作為含官能基之單體中的前述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、胺基、環氧基等。
亦即，作為含官能基之單體，例如可列舉：含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含環氧基之單體等。
作為前述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
上述之中，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
作為前述含羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之 單羧酸)；反丁烯二酸、衣康酸、順丁烯二酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能基之單體較佳為含羥基之單體、含羧基之單體，更佳為含羥基之單體。
構成前述丙烯酸系聚合物之含官能基之單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物中，源自含官能基之單體之結構單元的含量相對於構成前述丙烯酸系聚合物之結構單元的總量(總質量)，較佳為1質量%至35質量%，更佳為3質量%至32質量%，尤佳為5質量%至30質量%。
前述丙烯酸系聚合物中，除源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含官能基之單體之結構單元以外，亦可進而具有源自其他單體之結構單元。
前述其他單體只要能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚合，則並無特別限定。
作為前述其他單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、 丙烯醯胺等。
構成前述丙烯酸系聚合物之前述其他單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物以外的黏著性樹脂(i)亦與前述丙烯酸系聚合物同樣地，較佳為具有源自含官能基之單體之結構單元。
黏著劑組成物所含有之黏著性樹脂(i)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
黏著性樹脂(i)的含量相對於構成黏著劑組成物之溶劑以外的成分的總質量(亦即，相對於黏著劑層的總質量)，較佳為45質量%至90質量%，更佳為55質量%至87質量%，進而更佳為65質量%至84質量%，尤佳為72質量%至81質量%。藉由黏著性樹脂(i)的含量的前述比率為此種範圍，黏著劑層的黏著性變得更良好。
(交聯劑(ii))
黏著劑組成物較佳為含有交聯劑(ii)。
交聯劑(ii)例如與前述官能基反應而使黏著性樹脂(i)彼此進行交聯。
作為交聯劑(ii)，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、這些二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(亦即，具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(亦即，具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三膦三嗪等氮丙啶系交聯劑(亦即，具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(亦即，具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰尿酸酯系交聯劑(亦即，具有異氰尿酸骨架之交聯劑)等。
就提高黏著劑的凝聚力而提高黏著劑層的黏著力之方面、及容易獲取等方面而言，交聯劑(ii)較佳為異氰酸酯系交聯劑，例如可列舉：三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物等。
黏著劑組成物所含有之交聯劑(ii)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
於黏著劑組成物含有交聯劑(ii)之情形時，黏著劑組成物中，交聯劑(ii)的含量相對於黏著性樹脂(i)的含量100質量份，較佳為5質量份至50質量份，更佳為10質量份至45質量份，尤佳為15質量份至40質量份。另外，作為另一 態樣，交聯劑(ii)的含量相對於黏著性樹脂(i)的含量100質量份，可為22質量份至38質量份，亦可為22.62質量份至37.70質量份。藉由交聯劑(ii)的前述含量為前述下限值以上，可獲得更顯著的由使用交聯劑(ii)所帶來之效果。另外，藉由交聯劑(ii)的前述含量為前述上限值以下，更容易調節黏著劑層對膜狀接著劑之黏著力。
(其他添加劑)
在無損本發明的效果之範圍內，黏著劑組成物亦可含有不屬於上述任一成分之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材料(填料)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、黏著賦予劑、反應延遲劑、交聯促進劑(亦即，觸媒)等公知的添加劑。
再者，所謂「反應延遲劑」，例如抑制因混入至黏著劑組成物中的觸媒的作用而導致保存中的黏著劑組成物中進行目標外的交聯反應。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由對觸媒之螯合而形成螯合錯合物之化合物，更具體而言，可列舉1分子中具有2個以上羰基(-C(=O)-)之化合物。
黏著劑組成物所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。
(溶劑)
黏著劑組成物亦可含有溶劑。黏著劑組成物藉由含有溶劑，對塗敷對象面之塗敷適性提高。
前述溶劑較佳為有機溶劑。作為前述有機溶劑，例如可列舉：甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(例如，羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇等。
作為前述溶劑，例如，可不將製造黏著性樹脂(i)時所使用之溶劑自黏著性樹脂(i)中去除，而於黏著劑組成物中直接使用，亦可於製造黏著劑組成物時，另行添加與製造黏著性樹脂(i)時所使用之溶劑相同或不同種類的溶劑。
黏著劑組成物所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些2種以上的組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。
[黏著劑組成物的製造方法]
黏著劑組成物藉由調配用以構成該黏著劑組成物之各成分而獲得。
調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋，亦可不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋，而將溶劑與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波而進行混合之方法等。
關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不會使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
圖1係以示意方式表示本發明之半導體加工用片的一實施形態之剖面圖。再者，關於以下之說明所使用之圖，為了易於理解本發明的特徵，方便起見，有時將成為主要部分之部分放大表示，並不限於各構成要素的尺寸比率等與實際相同。
圖1所示之半導體加工用片1係於基材11上設置黏著劑層12而成之片。半導體加工用片1中，黏著劑層12積層於基材11的一表面11a。
再者，本發明之半導體加工用片並不限定於圖1所示之半導體加工用片，亦可在無損本發明的效果之範圍內，變更、刪除或追加圖1所示之半導體加工用片中的一部分構成。
<半導體加工用片的製造方法>
本發明之半導體加工用片可藉由於基材上積層黏著劑層而製造。黏著劑層的形成方法如上文所說明。
例如，藉由下述方式而獲得前述半導體加工用片：於剝離膜上塗敷黏著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此於剝離膜上預先形成黏著劑層，將該所形成之黏著劑層中的與和前述剝離膜接觸之側為相反側的露出面與基材的一表面貼合。獲得半導體加工用片後，於任意時間點移除剝離膜即可。黏著劑組成物較佳為塗敷於剝離膜的剝離處理面。
再者，半導體加工用片通常於下述狀態下保存：於該半導體加工用片中的與基材為相反側的最表層(亦即黏著劑層)的表面貼合有剝離膜之狀態。因此，亦可利用上述方法於剝離膜上形成黏著劑層後，將該黏著劑層與基材貼 合，然後亦不移除剝離膜而保持貼合之狀態不變。
<半導體裝置的製造方法>
作為使用本發明之半導體加工用片之情形時的半導體裝置的製造方法，例如可列舉包括以下步驟之製造方法：形成積層結構體的步驟，該積層結構體於前述半導體加工用片中的黏著劑層的表面設置有膜狀接著劑，於前述膜狀接著劑中的與設置有前述黏著劑層之側為相反側的表面設置有已分割之多個半導體晶片(以下，有時簡稱為「積層結構體形成步驟」)；將前述積層結構體中的前述膜狀接著劑，一面冷卻，一面沿前述膜狀接著劑的表面方向延展，藉此將前述膜狀接著劑切斷的步驟(以下，有時簡稱為「切斷步驟」)；及將具備切斷後的前述膜狀接著劑之前述半導體晶片(亦即附膜狀接著劑之半導體晶片)，自前述黏著劑層拾取(拉離)的步驟(以下，有時簡稱為「拉離步驟」)。
藉由使用本發明之半導體加工用片，於前述切斷步驟中，可抑制利用半導體加工用片之延展，換言之利用前述膜狀接著劑之延展而將前述膜狀接著劑切斷時，前述附膜狀接著劑之半導體晶片自黏著劑層隆起或飛散。另外，於前述拉離步驟中，即便不藉由照射能量線等使前述黏著劑層硬化，亦可將前述附膜狀接著劑之半導體晶片容易地自黏著劑層拉離而進行拾取。如此，於使用本發明之半導體 加工用片之情形時，由於可不進行前述黏著劑層之硬化而拾取前述附膜狀接著劑之半導體晶片，因此可使半導體裝置的製造步驟簡化。
以下，一面參照圖2，一面對前述製造方法進行說明。圖2係用於以示意方式說明使用本發明之半導體加工用片之情形時半導體裝置的製造方法的一實施形態之剖面圖。此處，對使用圖1所示之半導體加工用片之情形時的製造方法進行說明。再者，圖2中，對於與圖1所示之構成要素相同的構成要素，標附與圖1之情形相同的符號，並省略該符號的詳細說明。另外，圖2中，僅以剖面形式表示與半導體加工用片、膜狀接著劑及半導體晶片相關之構成。這些於圖3以後的圖中亦相同。
<積層結構體形成步驟>
圖2中的(a)所示之積層結構體101係於半導體加工用片1的黏著劑層12的表面12a(黏著劑層12中的與具備基材之側為相反側的面)設置有膜狀接著劑9，於膜狀接著劑9中的與具備黏著劑層12之側為相反側的表面9a設置有已分割之多個半導體晶片8之積層結構體。再者，半導體加工用片1係於基材11的表面11a積層黏著劑層12而成之本發明之半導體加工用片。
圖2中，強調表示多個半導體晶片8彼此之間的空隙部(源於前述溝槽之空隙部)。
前述積層結構體形成步驟中，例如可藉由下述方式而形成積層結構體101：於已分割之多個半導體晶片8的背面8b(半導體晶片8中的與電路形成面為相反側的面)貼附1片膜狀接著劑9後，於該膜狀接著劑9中的與具備半導體晶片8之側為相反側的表面9b貼附本發明之半導體加工用片1中的黏著劑層12。另外，亦可藉由下述方式而形成前述積層結構體：於本發明之半導體加工用片1中的黏著劑層12的表面12a貼附1片膜狀接著劑9後，將該膜狀接著劑9中的與具備黏著劑層12之側為相反側的表面9a貼附於已分割之多個半導體晶片8的背面8b。
如上所述，已分割之多個半導體晶片8可藉由下述方式而製作：自半導體晶圓中的與膜狀接著劑9之貼附面(背面)為相反側的電路形成面(表面)形成溝槽，並對前述背面進行研削直至到達該溝槽。並且，前述溝槽可利用刀片切割、雷射切割、水切割等方法形成。
圖3係用於以示意方式說明於此種半導體晶圓形成溝槽而獲得半導體晶片之方法的一實施形態之剖面圖。
該方法中，如圖3中的(a)所示，於半導體晶圓8'，自該半導體晶圓8'中的作為電路形成面之一表面8a'，利用刀片切割、雷射切割、水切割等方法形成溝槽80'。
繼而，如圖3中的(b)所示，對半導體晶圓8'中的與前述表面(電路形成面)8a'為相反側的面(背面)8b'進行研削。前述背面8b'的研削可藉由公知的方法，例如使用研磨機62進行。前述背面8b'的研削較佳為如此處所示般，於半導體晶圓8'的前述表面8a'貼附背面研磨帶63而進行。
然後，對前述背面8b'進行研削直至到達溝槽80'，藉此如圖3(c)所示，由半導體晶圓8'獲得多個半導體晶片8。半導體晶圓8'的前述背面8b'成為半導體晶片8的背面8b，亦即用以設置膜狀接著劑9之面。
但是，半導體裝置的前述製造方法中，並非削去這些半導體晶圓的一部分之方法，而較佳為採用如上文所說明般，於半導體晶圓內部形成改質層，於形成該改質層之部位分割半導體晶圓之方法。
亦即，半導體裝置的前述製造方法中，較佳為在前述積層結構體形成步驟之前，進而包括以下步驟：以聚焦於設定於半導體晶圓內部之焦點之方式，照射紅外區域之雷射光，於前述半導體晶圓內部形成改質層的步驟(以下，有時簡稱為「改質層形成步驟」)；及對於形成有前述改質層之前述半導體晶圓，對用以設置前述膜狀接著劑之面進行研削，並且對前述半導體晶圓施加研削時的力，藉此於前述改質層的部位分割前述半導體晶圓，從而獲得多個 半導體晶片的步驟(以下，有時簡稱為「分割步驟」)；且將前述分割步驟中所獲得之多個半導體晶片於前述積層結構體形成步驟中使用。
圖4係用於以示意方式說明於此種半導體晶圓形成改質層而獲得半導體晶片之方法的一實施形態之剖面圖。
<改質層形成步驟>
該方法中，前述改質層形成步驟中，如圖4中的(a)所示，以聚焦於設定於半導體晶圓8'的內部之焦點之方式，照射紅外區域之雷射光，於半導體晶圓8'的內部形成改質層81'。
改質層形成步驟中，例如較佳為照射開口度(NA)大的雷射光，一面以使因照射雷射光而導致半導體晶圓8'的表面或表面附近的區域受到之損傷成為最小限度，一面形成改質層81'。
<分割步驟>
繼而，前述分割步驟中，如圖4(b)所示，對半導體晶圓8'中的與前述表面(電路形成面)8a'為相反側的面(背面)8b'進行研削。此時之研削可利用與引用上文之圖3進行說明之形成有溝槽之半導體晶圓的背面之研削相同的方法進行。例如，此時的前述背面8b'之研削較佳為於半導體晶圓8'的前述表面8a'貼附背面研磨帶63而進行。
然後，對半導體晶圓8'的前述背面8b'進行研削，並且進而對該研削中的半導體晶圓8'施加研削時的力，藉此於形成改質層81'之部位分割半導體晶圓8'，藉此如圖4(c)所示，由半導體晶圓8'獲得多個半導體晶片8。該情形時，亦與引用圖3進行說明之情形同樣地，半導體晶圓8'的前述背面8b'成為半導體晶片8的背面8b，亦即用以設置膜狀接著劑13之面。
上述之任一方法中，於使用背面研磨帶63之情形時，所獲得之多個半導體晶片8均保持為於背面研磨帶63上排列之狀態。
半導體晶片8的厚度並無特別限定，較佳為5至60μm，更佳為10至55μm。於使用此種薄型的半導體晶片之情形時，可獲得更顯著的使用本發明之半導體加工用片時之效果。
上述之半導體裝置的製造方法中，膜狀接著劑9可為公知的膜狀接著劑，例如可列舉具有硬化性之膜狀接著劑，較佳為具有熱硬化性之膜狀接著劑，較佳為具有感壓接著性之膜狀接著劑。一併具有熱硬化性及感壓接著性之膜狀接著劑9可藉由在未硬化狀態下輕輕按壓於各種被接著體而貼附。另外，亦可藉由將膜狀接著劑9進行加熱使之軟化而貼附於各種被接著體。膜狀接著劑9藉由硬化而最 終成為耐衝擊性高的硬化物，該硬化物於嚴酷的高溫、高濕度條件下亦可保持充分的接著特性。
膜狀接著劑9的厚度並無特別限定，較佳為1μm至50μm，更佳為3μm至40μm。藉由膜狀接著劑9的厚度為前述下限值以上，可獲得對被接著體(半導體晶片)更高的接著力。另外，藉由膜狀接著劑9的厚度為前述上限值以下，可藉由後述之延展而將膜狀接著劑9更容易地切斷。
<切斷步驟>
前述切斷步驟中，在前述積層結構體形成步驟後，如圖2中的(b)所示，將積層結構體101的膜狀接著劑9，一面冷卻，一面沿膜狀接著劑9的表面9a方向(圖2中的(b)中的箭頭I所示之方向，亦即相對於膜狀接著劑9的表面為水平的方向)將膜狀接著劑9延展，從而將膜狀接著劑9切斷。膜狀接著劑9連同基材11及黏著劑層12(亦即半導體加工用片1)一起延展即可。此處，將切斷後的膜狀接著劑標附符號9'而表示，有時將此種切斷後的膜狀接著劑9'簡稱為「膜狀接著劑9'」。另外，以箭頭I表示膜狀接著劑9的延展方向。
前述切斷步驟中，膜狀接著劑9的冷卻溫度並無特別限定，就更容易將膜狀接著劑9切斷之方面而言，較佳為-15℃至3℃。
前述切斷步驟中，膜狀接著劑9的延展速度(擴展速度)只要為無損本發明的效果之範圍內，則並無特別限定，較佳為0.5mm/sec至100mm/sec，更佳為0.5mm/sec至60mm/sec，例如可為1mm/sec至50mm/sec等。藉由延展速度為此種範圍內，可獲得更顯著的本發明的效果。進而，藉由延展速度為前述上限值以下，膜狀接著劑9之延展時，半導體晶片8更不易受到損傷。
前述切斷步驟中，藉由使用半導體加工用片1，可抑制於背面8b具備切斷後的膜狀接著劑9'之狀態的半導體晶片8自黏著劑層12隆起或飛散。
另一方面，圖5係以示意方式表示使用先前之半導體加工用片之情形時，膜狀接著劑之延展時半導體晶片的狀態之剖面圖。
此處所示之黏著劑層72自先前開始使用，於使用於基材11上設置黏著劑層72而成之半導體加工用片7之情形時，具備切斷後的膜狀接著劑9'之半導體晶片8有時產生自黏著劑層72之隆起，或者自黏著劑層72剝離而飛散。此種附膜狀接著劑之半導體晶片之隆起及飛散例如於以下情形時典型可見：上文所說明之厚度為200μm的黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數未達1000MPa。
另外，此種附膜狀接著劑之半導體晶片之隆起及飛散 於半導體晶片8的厚度薄之情形時容易產生。
<拉離步驟>
前述拉離步驟中，於前述切斷步驟後，如圖2中的(c)所示，將半導體晶片8及貼附於該半導體晶片8之切斷後的膜狀接著劑9'，自半導體加工用片1(黏著劑層12)拉離而進行拾取。
前述拉離步驟中，藉由半導體裝置的製造裝置的提拉部61提拉半導體晶片8，藉此將貼附於該半導體晶片8的背面8b之切斷後的膜狀接著劑9'自黏著劑層12剝離。提拉半導體晶片8之方法可為公知的方法，例如可列舉：藉由真空筒夾吸附半導體晶片8的表面而提拉之方法等。此處，以箭頭II表示半導體晶片8的提拉方向。
前述拉離步驟中，藉由使用半導體加工用片1，即便不藉由照射能量線等使黏著劑層12硬化，亦可將半導體晶片8連同切斷後的膜狀接著劑9'一起(附膜狀接著劑之半導體晶片)容易地自黏著劑層12拉離而進行拾取。
另一方面，圖6係以示意方式表示使用先前之半導體加工用片之情形時，嘗試附膜狀接著劑之半導體晶片之拾取時的狀態之剖面圖。
其中，圖6中的(a)中，表示以下狀態：與圖2中的(c) 之情形同樣地提拉半導體晶片8時，切斷後的膜狀接著劑9'自半導體晶片8剝離，成為切斷後的膜狀接著劑9'積層於黏著劑層72之狀態，而僅提拉半導體晶片8。
另一方面，圖6中的(b)中，表示以下狀態：欲與圖2中的(c)之情形同樣地提拉半導體晶片8時，半導體晶片8經由切斷後的膜狀接著劑9'積層於黏著劑層72，無法提拉半導體晶片8。
如圖6中的(a)及圖6中的(b)的步驟異常均於以下情形時典型可見：黏著劑層72對半導體晶圓之黏著力為如超過200mN/25mm之大值。並且，圖6中的(a)的狀態於以下情形時容易產生：膜狀接著劑9'對半導體晶圓之黏著力為相對較小值，圖6中的(b)的狀態於以下情形時容易產生：膜狀接著劑9'對半導體晶圓之黏著力為相對較大值。
半導體裝置的前述製造方法中，使用連同切斷後的膜狀接著劑9'一起拉離(拾取)之半導體晶片8(附膜狀接著劑之半導體晶片)，以下利用與先前法相同的方法，製造半導體裝置。例如，藉由膜狀接著劑9'將前述半導體晶片8黏接於基板的電路面，視需要，於該半導體晶片8進而積層1個以上半導體晶片，進行打線接合後，藉由樹脂將整體密封，藉此製成半導體封裝(省略圖示)。然後，使用該半導體封裝，製作目標半導體裝置即可。
使用本發明之半導體加工用片之半導體裝置的製造 方法並不限定於引用圖2所說明之上述方法，亦可在無損本發明的效果之範圍內，於上述方法中變更、刪除或追加一部分構成。
再者，參照圖5至圖6所說明之步驟異常為一例，視情況有時亦會產生其他步驟異常。
相對於此，於使用本發明之半導體加工用片之情形時，可抑制產生此種步驟異常的產生，結果為，可利用較先前簡化之方法價格低廉地製造半導體裝置。
作為本發明之一實施形態之半導體加工用片的一態樣，可列舉一種半導體加工用片，於基材上具備黏著劑層；且前述黏著劑層由包含黏著性樹脂(i)及交聯劑(ii)之黏著劑組成物形成；前述黏著性樹脂(i)為至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之丙烯酸系聚合物，較佳為具有選自由源自(甲基)丙烯酸2-乙基己酯之結構單元、源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元及源自(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯之結構單元所組成之群組中的至少1個結構單元之丙烯酸系聚合物；前述交聯劑(ii)為異氰酸酯系交聯劑，較佳為三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物；前述黏著性樹脂(i)的含量相對於前述黏著劑層的總質量，為45質量%至90質量%，較佳為55質量%至87質量%，更佳為65質量%至84質量%，尤佳為72質量%至81質量%；前述交聯劑(ii)的含量相對於前述黏 著性樹脂(i)的含量100質量份，為5質量份至50質量份，較佳為10質量份至45質量份，更佳為15質量份至40質量份，尤佳為22質量份至38質量份；將前述黏著劑層的厚度設為200μm時，前述厚度200μm的黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數為100MPa至1000MPa，較佳為300MPa至1000MPa，更佳為500MPa至996MPa，尤佳為533MPa至994MPa；將前述半導體加工用片貼附於半導體晶圓的鏡面時，前述黏著劑層對前述鏡面之黏著力為10mN/25mm至200mN/25mm，較佳為30mN/25mm至200mN/25mm，更佳為50mN/25mm至196mN/25mm，尤佳為55mN/25mm至194mN/25mm。
作為本發明之一實施形態之半導體加工用片的另一態樣，可列舉一種半導體加工用片，於基材上具備黏著劑層；且前述黏著劑層由包含黏著性樹脂(i)及交聯劑(ii)之黏著劑組成物形成；前述黏著性樹脂(i)為具有選自由源自(甲基)丙烯酸2-乙基己酯之結構單元及源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元所組成之群組中的至少1個結構單元之丙烯酸系聚合物；前述交聯劑(ii)為三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物；前述黏著性樹脂(i)的含量為76質量%至81質量%；前述交聯劑(ii)的含量相對於前述黏著性樹脂(i)的含量100質量份，為22至31質量份；將前述黏著劑層的厚度設為200μm時，前述厚度200μm的黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數為 533MPa至873MPa；將前述半導體加工用片貼附於半導體晶圓的鏡面時，前述黏著劑層對前述鏡面之黏著力為94mN/25mm至194mN/25mm。
作為本發明之一實施形態之半導體加工用片的另一態樣，可列舉一種半導體加工用片，於基材上具備黏著劑層；且前述黏著劑層由包含黏著性樹脂(i)及交聯劑(ii)之黏著劑組成物形成；前述黏著性樹脂(i)為具有選自由源自(甲基)丙烯酸2-乙基己酯之結構單元及源自(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯之結構單元所組成之群組中的至少1個結構單元之丙烯酸系聚合物；前述交聯劑(ii)為三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物；前述黏著性樹脂(i)的含量為70質量%至75質量%；前述交聯劑(ii)的含量相對於前述黏著性樹脂(i)的含量100質量份，為35質量份至39質量份；將前述黏著劑層的厚度設為200μm時，前述厚度200μm的黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數為500MPa至994MPa；將前述半導體加工用片貼附於半導體晶圓的鏡面時，前述黏著劑層對前述鏡面之黏著力為50mN/25mm至60mN/25mm。
[實施例]
以下，藉由具體的實施例，對本發明進行更詳細的說明。但是，本發明並不受以下所示之實施例任何限定。
再者，以下，時間的單位「msec」意指「毫秒」。
以下表示製造黏著劑組成物時所使用之成分。
‧黏著性樹脂
黏著性樹脂(i)-1：使丙烯酸-2-乙基己酯(以下，簡稱為「2EHA」)(80質量份)、及丙烯酸-2-羥基乙酯(以下，簡稱為「HEA」)(20質量份)進行共聚合而成之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量860000，玻璃轉移溫度-61℃)。
黏著性樹脂(i)-2：使2EHA(80質量份)、及丙烯酸-4-羥基丁酯(以下，簡稱為「4HBA」)(20質量份)進行共聚合而成之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量430000，玻璃轉移溫度-63℃)。
黏著性樹脂(i)-3：使2EHA(60質量份)、甲基丙烯酸甲酯(以下，簡稱為「MMA」)(30質量份)、及HEA(10質量份)進行共聚合而成之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量430000，玻璃轉移溫度-31℃)。
黏著性樹脂(i)-4：使丙烯酸月桂酯(以下，簡稱為「LA」)(80質量份)、及HEA(20質量份)進行共聚合而成之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量720000，玻璃轉移溫度-27℃)。
‧交聯劑
交聯劑(ii)-1：三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(Tosoh公司製造之「Coronate L」)。
‧光聚合起始劑
光聚合起始劑(iii)-1：1-羥基環己基苯基酮(BASF公 司製造之「Irgacure(註冊商標)184」。
[實施例1] <半導體加工用片之製造> (黏著劑組成物之製造)
相對於黏著性樹脂(i)-1(100質量份)，添加交聯劑(ii)-1(30.16質量份)，並於23℃下進行攪拌，藉此獲得非能量線硬化性的黏著劑組成物。
再者，此處所示之調配份數全部為固形物成分換算值。
各調配成分及其調配量示於表1。再者，表1中的調配成分一欄中記載為「-」時，意指未調配該成分。
(半導體加工用片之製造)
於聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(Lintec公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)的前述剝離處理面，塗敷上述所獲得之黏著劑組成物，於120℃下加熱乾燥2分鐘，藉此形成厚度10μm的黏著劑層。
繼而，於該黏著劑層的露出面貼合作為基材之厚度110μm的低密度聚乙烯(LDPE)製膜，藉此獲得具備剝離膜之黏著片。
<半導體加工用片之評價> (附膜狀接著劑之半導體晶片之隆起、飛散之抑制效果)
使用切割裝置(Disco公司製造之「DFD6361」)，對8吋之矽晶圓(厚度720μm)的鏡面進行下述半切切割：以描繪出10mm×10mm之大小之正方形之方式，藉由切割刀片自該矽晶圓的表面切出切口直至80μm之深度而形成溝槽。此時，作為切割刀片，使用Disco公司製造之「27HECC」，將該切割刀片的移動速度設為50mm/sec，旋轉速度設為40000rpm。
繼而，使用帶貼合機(Lintec公司製造之「RAD-3510」)，在常溫(23℃)下，將背面研磨帶(Lintec公司製造之「ADWILL E-3125KN」)藉由該背面研磨帶的黏著層貼附於上述之形成有溝槽之矽晶圓的鏡面。
繼而，使用研磨機(DISCO公司製造之「DFG8760」)，對矽晶圓中的與上述之形成有溝槽之鏡面為相反側的面進行研削。此時，以矽晶圓的厚度成為50μm之方式進行研削，同時分割矽晶圓，單片化為矽晶片。將所獲得之矽晶片，相互空出約30μm之間隔，固定於背面研磨帶上。
繼而，於所獲得之矽晶片的前述研削面貼附加熱至60℃之膜狀接著劑(Lintec公司製造之「ADWILL LE61-25＊」，厚度25μm)，進而，將上述所獲得之半導體加工用片經由該半導體加工用片的黏著劑層，於常溫下(23℃)貼附於該膜狀接著劑，獲得積層物。
繼而，將所獲得之積層物，經由該積層物的黏著劑層 的露出面貼附於切割用環狀框而進行固定，自矽晶片剝離背面研磨帶，藉此獲得以下積層結構體之試片，該積層結構體於基材上具備黏著劑層之半導體加工用片的前述黏著劑層上積層有未切斷的膜狀接著劑，於該膜狀接著劑上排列設置有預先單片化之多個半導體晶片。
於擴幅機(expander)(JCM公司製造之「ME-300B」)的延展單元，設置上述所獲得之試片，在0℃之環境下，於延展量(擴展量)10mm、延展速度(擴展速度)10mm/sec之條件下，將半導體加工用片及膜狀接著劑進行延展而將膜狀接著劑沿矽晶片的外形切斷。亦即，此處，將上述所獲得之半導體加工用片用作延展片。
繼而，藉由目視，針對具備已切斷的膜狀接著劑之矽晶片(附膜狀接著劑之半導體晶片)，確認自黏著劑層之隆起之有無、飛散之有無，於完全確認不到這些異常之情形時，將隆起、飛散之抑制效果判定為合格(A)，於確認到少許這些異常之情形時，將隆起、飛散之抑制效果判定為不合格(B)。結果示於表1中的「半導體晶片之隆起、飛散之抑制」一欄。
(附膜狀接著劑之半導體晶片的拾取適性)
使用拾取/黏接裝置(Canon Machinery公司製造之「BESTEM D02」)，針對經評價上述之「附膜狀接著劑之半導體晶片之隆起、飛散之抑制效果」後，未確認到異常 之附膜狀接著劑之半導體晶片，於頂出量200μm、頂出速度20mm/sec、上拉等待時間300msec之條件下，藉由1銷頂出方式，進行30次拾取。並且，於30次拾取全部成功之情形時，將拾取適性判定為合格(A)，於拾取失敗1次以上之情形時，將拾取適性判定為不合格(B)。結果示於表1中的「拾取適性」一欄。
(由黏著劑層構成之積層體的儲存彈性模數)
使用上述所獲得之半導體加工用片，將剝離了基材之黏著劑層以合計厚度成為200μm之方式積層多層而製作積層體。然後，使用動態黏彈性測定裝置(TA instrument公司製造之「DMA Q800」)，於升溫速度10℃/min、頻率11Hz、溫度-50℃至50℃之條件下，測定該積層體於0℃下的儲存彈性模數(MPa)。結果示於表1中的「儲存彈性模數」一欄。
(黏著劑層的黏著力)
將上述所獲得之半導體加工用片切斷成25mm×150mm之大小，藉由該半導體加工用片的黏著劑層於常溫(23℃)下貼附於矽晶圓的鏡面。然後，保持該溫度條件不變，進行以下所謂之180°剝離：將半導體加工用片，以黏著劑層及矽晶圓相互接觸之面彼此成為180°之角度之方式以剝離速度300mm/min剝離，並測定此時的剝離力，將該剝離力的測定值設為黏著力(mN/25mm)。結果示於 表1中的「黏著力」一欄。
[實施例2至實施例4、比較例1至比較例3] <半導體加工用片之製造及評價>
將製造黏著劑組成物時的調配成分及其調配量設為如表1所示，除此方面以外，利用與實施例1相同的方法，製造半導體加工用片，並進行評價。結果示於表1。
再者，根據黏著劑組成物的含有成分亦可明白，比較例3中的黏著劑層為能量線(紫外線)硬化性，在上述之黏著劑層之形成至半導體加工用片之評價這一期間，未進行藉由照射能量線之硬化。
根據上述結果可明白，實施例1至實施例4中，0℃下的前述積層體的儲存彈性模數為994MPa以下，藉由延展將膜狀接著劑切斷時，附膜狀接著劑之半導體晶片自黏著劑層之隆起及飛散完全得到抑制。另外，黏著劑層對半導體晶圓之黏著力為194mN/25mm以下，即便不進行藉由照射能量線等之硬化，附膜狀接著劑之半導體晶片的拾取適性亦優異。
相對於此，比較例1及比較例2中，0℃下的前述積層體的儲存彈性模數為1218MPa以上，附膜狀接著劑之半導體晶片之隆起及飛散未得到抑制。
另外，比較例3中，黏著劑層對半導體晶圓之黏著力大，為534mN/25mm，附膜狀接著劑之半導體晶片的拾取適性不良。
再者，此處，上述之隆起、飛散之抑制效果之評價時，使用以下述方式獲得之矽晶片：使用切割刀片，進行矽晶圓之半切切割，獲得矽晶片。但是，使用以下矽晶片亦可獲得同樣的評價結果：該矽晶片採用例如上述之於半導 體晶圓(矽晶圓)的內部形成改質層之方法，代替於此種矽晶圓形成溝槽之方法而獲得。原因在於，只要用於評價之半導體晶片無異常，則半導體晶片的製造方法(半導體晶圓的分割方法)並不會對上述之評價步驟造成影響。
(產業可利用性)
本發明可用於製造半導體裝置，故而於產業上極其有用。

Claims (3)

  1. 一種半導體加工用片，於基材上具備黏著劑層，且具有以下之特性：將前述黏著劑層的厚度設為200μm時，前述厚度200μm的黏著劑層於0℃下的儲存彈性模數為1000MPa以下；將前述半導體加工用片貼附於半導體晶圓的鏡面時，前述黏著劑層對前述鏡面之黏著力為200mN/25mm以下。
  2. 如請求項1所記載之半導體加工用片，其中前述黏著劑層為非能量線硬化性。
  3. 如請求項1或2所記載之半導體加工用片，其中於前述黏著劑層上進而具備膜狀接著劑。
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