TW201742115A - 基於位移之疊對或對準 - Google Patents

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Abstract

一種方法包括獲得一基板上之複數個結構之一影像，其中該複數個結構中之每一者藉由轉印一設計佈局之一對應圖案而形成至該基板上；獲得該等結構中之每一者相對於彼結構之一參考點的一位移；及基於該位移使用一硬體電腦系統將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之一者中。

Description

基於位移之疊對或對準
本文中之描述係關於器件圖案化裝置及程序(例如，微影裝置及程序)。
製造器件(諸如半導體器件)通常涉及使用數個圖案化程序及圖案化裝置處理基板(例如，半導體晶圓)以形成器件之各種特徵及多個層。通常使用(例如)沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來圖案化此等層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上圖案化多個器件，且接著將其分離成個別器件。圖案化程序可涉及使用圖案化裝置之圖案化步驟(諸如使用微影裝置之光學及/或奈米壓印微影)以在基板上提供圖案，且通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置之抗蝕劑顯影、使用烘烤工具烘烤基板、使用蝕刻裝置使用圖案進行蝕刻，等等。此外，在圖案化程序中可涉及一或多個度量衡程序。 在圖案化程序期間在各種步驟下使用度量衡程序以監視及控制該程序。舉例而言，度量衡程序係用以量測基板之一或多個特性，諸如在圖案化程序期間形成於基板上之特徵之相對部位(例如，對齊、疊對、對準等等)或尺寸(例如，線寬、臨界尺寸(CD)、厚度等等)，使得(例如)可自該一或多個特性判定圖案化程序之效能。若該一或多個特性為不可接受的(例如，在特性之預定範圍外)，則該一或多個特性之量測可用於變更圖案化程序之一或多個參數，使得藉由圖案化程序製造之另外基板具有可接受特性。 微影裝置可用於(例如)圖案化程序中以用於製造積體電路(IC)或其他器件。在此狀況下，圖案化器件(例如，光罩)可含有或提供對應於器件之個別層之電路圖案(「設計佈局」)，且此電路圖案可藉由諸如藉由圖案化器件上之電路圖案輻照目標部分之方法而轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含一或多個晶粒)上，該基板已經塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，電路圖案係由微影裝置順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影裝置中，將整個圖案化器件上之電路圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作晶圓步進器(wafer stepper)。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化器件上之電路圖案之不同部分漸進地被轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影裝置將具有縮減比M (例如，4)，因此基板移動之速度F將為因數1/M乘以投影光束掃描圖案化器件之速度。 在將電路圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如，曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印電路圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製造器件(例如，IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切割或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，由此，可將個別器件安裝於載體上，連接至接腳，等等。 如所提及，微影蝕刻術為製造IC之中心步驟，其中形成於基板上之圖案定義IC之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等等。相似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他器件。
本文中揭示一種方法，其包含：獲得一基板上之複數個結構之一影像，其中該複數個結構中之每一者藉由轉印一設計佈局之一對應圖案而形成至該基板上；獲得該等結構中之每一者相對於彼結構之一參考點之一位移；及基於該位移使用一硬體電腦系統將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之每一者中。 根據一實施例，該影像為一掃描電子顯微法(SEM)影像。根據一實施例，該等結構為一光阻之結構。根據一實施例，該等結構為該基板中之經蝕刻結構。根據一實施例，該等結構為該基板上之經沈積結構。根據一實施例，在不同時間形成指派至該複數個群組中之一第一群組之結構及經指派至該複數個群組中之一第二群組之結構。根據一實施例，在不同深度處形成經指派至該複數個群組中之一第一群組之結構及經指派至該複數個群組中之一第二群組之結構。根據一實施例，運用具有不同像差之輻射形成經指派至該複數個群組中之一第一群組之結構及經指派至該複數個群組中之一第二群組之結構。根據一實施例，該複數個結構之該等參考點為同一點。根據一實施例，該複數個結構之該等參考點係自其各別對應圖案予以判定。根據一實施例，該等參考點係藉由模擬該等對應圖案之影像予以判定。根據一實施例，獲得該位移包含自該影像提取一輪廓。根據一實施例，該方法進一步包含基於經指派至一第一群組之結構之該等位移及經指派至一第二群組之結構之該等位移來判定經指派至該第一群組之該等結構與經指派至該第二群組之該等結構之間的一相對移位、一相對旋轉或此兩者。根據一實施例，該方法進一步包含基於該相對移位、該相對旋轉或此兩者識別一缺陷。根據一實施例，將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之一者中包含使用一叢集演算法。根據一實施例，經指派至一同一群組之該等結構能夠藉由一相同矩陣經線性地映射至其各別對應圖案。根據一實施例，該矩陣為一均勻變換矩陣。根據一實施例，該指派包含基於該位移之一量值將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之一者中。 本文中揭示一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施本文中之該等方法中之任一者。
現將參看圖式詳細地描述實施例，該等圖式被提供為說明性實例以便使熟習此項技術者能夠實踐該等實施例。值得注意地，以下之諸圖及實例不意欲將範疇限於單一實施例，而是藉助於所描述或所說明元件中之一些或全部之互換而使其他實施例係可能的。在任何方便之處，將貫穿圖式使用相同參考數字來指代相同或相似部分。此外，在可使用已知組件來部分地或完全地實施此等實施例之某些元件之情況下，僅將描述理解實施例所必要之此等已知組件之彼等部分，且將省略此等已知組件之其他部分之詳細描述以便不混淆實施例之描述。在本說明書中，展示單數組件之實施例不應被視為限制性的；實情為，除非本文中另有明確陳述，否則範疇意欲涵蓋包括複數個相同組件之其他實施例，且反之亦然。此外，申請人不意欲使本說明書或申請專利範圍中之任何術語歸結於不常見或特定涵義，除非如此明確闡述。另外，範疇涵蓋本文中藉助於說明而提及的組件之目前及未來已知等效者。 隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地縮減，而每器件的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前先進科技下，使用微影裝置來製造器件層，微影裝置使用來自深紫外線(例如，13.52奈米)照明源或極紫外線照明源之照明而將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸充分地低於30奈米之個別功能元件。 印刷具有尺寸小於微影裝置的經典解析度極限之特徵的此程序根據解析度公式CD = k1 ×λ/NA而通常被稱為低k1 微影，其中λ為所使用輻射之波長(當前在大多數狀況下為248奈米或193奈米)，NA為微影裝置中之投影光學件的數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k1 為經驗解析度因數。一般而言，k1 愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用於微影裝置及/或設計佈局。此等微調步驟包括(例如，但不限於)：NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移圖案化器件之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。如本文中所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括(例如)折射光學件、反射光學件、光圈及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括根據此等設計類型中之任一者操作以用於集體地或單獨地導向、塑形或控制輻射之投影束的組件。術語「投影光學件」可包括微影裝置中之任何光學組件，而不管該光學組件在微影裝置之光學路徑上位於何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化器件之前對輻射進行塑形、調整及/或投影的光學組件，及/或在輻射通過圖案化器件之後對輻射進行塑形、調整及/或投影的光學組件。投影光學件通常不包括源及圖案化器件。 作為一實例，OPC處理如下事實：投影於基板上之設計佈局之影像的最終大小及置放將不相同於或簡單地僅取決於如表示於圖案化器件上的該設計佈局之大小及置放。應注意，術語「光罩」、「倍縮光罩」、「圖案化器件」在本文中可被互換地利用，且可包括透射及反射圖案化器件兩者。對於存在於某一設計佈局上之小特徵大小及高特徵密度，給定特徵之特定邊緣之位置將在某種程度上受到其他鄰近特徵之存在或不存在影響。此等近接效應起因於自一個特徵耦接至另一特徵的微小量之輻射及/或諸如繞射及干涉之非幾何光學效應。類似地，近接效應可起因於在通常繼微影之後的曝光後烘烤(PEB)、抗蝕劑顯影及蝕刻期間之擴散及其他化學效應。 為了幫助確保設計佈局之經投影影像係根據給定目標電路設計之要求，應使用設計佈局之複雜數值模型、校正或預失真來預測及補償近接效應。在典型高端設計中，設計佈局之幾乎每一特徵皆具有某種修改，以便達成經投影影像至目標設計之高保真度。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置，以及意欲輔助其他特徵之投影的「輔助」特徵之應用。 在一晶片設計中通常存在數百萬個特徵的情況下，將以模型為基礎之OPC應用於目標設計涉及良好的程序模型及相當多的計算資源。然而，應用OPC通常不為嚴正科學(exact science)，而為並不總是補償所有可能近接效應之經驗反覆程序。因此，應藉由設計檢測(亦即，使用經校準數值程序模型之密集型全晶片模擬)來驗證OPC之效應(例如，在應用OPC及任何其他RET之後的設計佈局)，以便使將設計缺陷建置至圖案化器件圖案中的可能性最小化。 OPC的最簡單形式中之一者為選擇性偏置。在給定CD相對於間距之曲線的情況下，可至少在最佳焦點及曝光處藉由改變光罩位階處之CD而迫使所有不同間距產生相同CD。因此，若特徵在晶圓位階處印刷地過小，則光罩位階特徵將偏置成稍微大於標稱，且反之亦然。由於自光罩位階至晶圓位階之圖案轉印程序非線性，因此偏置之量並非簡單地為最佳焦點及曝光處之經量測CD誤差乘以縮減比M，但在運用模型化及實驗的情況下，可判定適當偏置。選擇性偏置為對近接效應之問題的不完整解決方案，特別在其僅在標稱程序條件下予以應用之情況下。儘管此偏置原則上可應用以給出最佳焦點及曝光處之均一CD相對於間距之曲線，但一旦曝光程序自標稱條件變化，每一偏置間距曲線就將作出不同的反應，從而引起用於不同特徵之不同程序窗。因此，為給出相同CD相對於間距之「最佳」偏置甚至可具有對總程序窗之負面影響，從而縮減(而非放大)所有目標特徵在所要程序容許度內印刷於晶圓上所在之焦點及曝光範圍。 已開發供超出以上之一維偏置實例之應用的其他更複雜OPC技術。二維近接效應為線端縮短的。線端具有依據曝光及焦點而自其所要端點部位「拉回」之傾向。在許多狀況下，長線端之末端縮短程度可比對應線窄化大若干倍。此類型之線端拉回可在線端不能完全橫越其意欲涵蓋之底層(諸如，源極-汲極區上方之多晶矽閘極層)的情況下引起所製造的器件發生嚴重故障。由於此類型之圖案對焦點及曝光高度敏感，因此使線端簡單地偏置成長於設計長度不充分，此係因為最佳焦點及曝光處或在曝光不足條件下之線將過長，從而在延伸型線端觸摸相鄰結構時引起短路，或在電路中之個別特徵之間添加更多空間的情況下引起不必要大的電路大小。由於積體電路設計及製造之關鍵目標中之一者應為最大化功能元件之數目同時最小化每晶片所需之面積，因此添加過量間隔為高度不理想的解決方案。 二維OPC途徑可幫助解決線端拉回問題。諸如「錘頭」或「襯線」之額外結構(亦被稱作「輔助特徵」)可被添加至線端，以將該等線端有效地錨定於適當位置且提供遍及整個程序窗之經縮減拉回。即使在最佳焦點及曝光處，此等額外結構仍未被解析，但其變更設計特徵之外觀，而未被獨自完全解析。如本文中所使用之「設計特徵」意謂意欲在程序窗中之一些或全部條件下印刷於晶圓上且在最終產生之電路中具有某種功能之特徵。輔助特徵可呈現相較於被添加至線端之簡單錘頭更具攻擊性的形式，而達光罩上之圖案不再簡單地為由縮減比M之倒數增加的所要晶圓圖案之程度。諸如襯線之輔助特徵可被應用至比簡單地縮減線端拉回更多的狀況。內部或外部襯線可應用於任何邊緣(尤其是二維邊緣)，以縮減隅角圓化或邊緣擠壓。在運用足夠選擇性偏置以及所有大小及極性之輔助特徵的情況下，光罩上之特徵承受與晶圓位階處所要之最終圖案愈來愈小的類似性。一般而言，光罩圖案變成晶圓位階圖案之經預失真版本，其中失真意欲抵消或反轉將在微影程序期間發生的圖案變形，該微影程序用以在晶圓上產生儘可能接近於由設計者預期之圖案的圖案。 代替使用連接至設計特徵之彼等輔助特徵(例如，襯線)或除了使用連接至設計特徵之彼等輔助特徵(例如，襯線)以外，另一OPC技術亦涉及使用完全獨立且不可解析之輔助特徵。此處之術語「獨立」意謂此等輔助特徵之邊緣未連接至設計特徵之邊緣。此等獨立輔助特徵不意欲或需要作為特徵印刷於晶圓上，而是實情為，意欲修改附近設計特徵之空中影像以增強彼設計特徵之可印刷性及程序容許度。此等輔助特徵(常常被稱作「散射桿體」或「SBAR」)可包括：子解析度輔助特徵(SRAF)，其為設計特徵之邊緣外部之特徵；及子解析度逆特徵(SRIF)，其為自設計特徵之邊緣內部收集出的特徵。SBAR之存在將具有複雜度之又一層添加至光罩。散射桿體之使用之簡單實例為：其中在經隔離線特徵之兩個側上拖曳不可解析散射桿體之規則陣列，此情形具有自空中影像之觀點使經隔離線呈現為更表示緻密線陣列內之單一線之效應，從而引起程序窗在焦點及曝光容許度方面更接近於緻密圖案之焦點及曝光容許度。此經裝飾隔離特徵與緻密圖案之間的共同程序窗相比於如在光罩位階處隔離而拖曳之特徵之情形將具有對焦點及曝光變化之較大共同容許度。 OPC及全晶片RET驗證兩者可基於數值模型化系統及方法。 一個RET係關於設計佈局之全域偏置之調整。全域偏置為設計佈局中之圖案與意欲印刷於基板上之圖案之間的差。舉例而言，具有25奈米直徑之圓形圖案可藉由設計佈局中之50奈米直徑圖案或藉由設計佈局中之20奈米直徑圖案但以高劑量而印刷於基板上。 除了對設計佈局或圖案化器件之最佳化(例如，OPC)以外，亦可與圖案化器件最佳化聯合地或分離地最佳化照明源，以致力於改良總微影保真度。術語「照明源」及「源」在此文件中可互換使用。許多離軸照明源(諸如環形、四極及偶極)已被引入且已為OPC設計提供更多自由，由此改良成像結果。如吾人所知，離軸照明為用以解析圖案化器件中含有之精細結構(亦即，目標特徵)之被證實方式。然而，相比於傳統照明源，離軸照明源通常提供針對空中影像(AI)之較小輻射強度。因此，變得需要嘗試最佳化照明源以在較精細解析度與經縮減輻射強度之間達成最佳平衡。可使用眾多照明源最佳化途徑。 對於低k1 光微影，源及圖案化器件兩者之最佳化適用於確保用於臨界電路圖案之投影的可行程序窗。一些演算法在空間頻域中將照明離散化成獨立源點且將光罩離散化成繞射階，且基於可藉由光學成像模型自源點強度及圖案化器件繞射階而預測之程序窗度量(諸如，曝光寬容度)來分離地公式化成本函數(其被定義為選定設計變數之函數)。如本文中所使用之術語「設計變數」包含圖案化程序之一組參數，例如，微影裝置之使用者可調整之參數。應瞭解，圖案化程序之任何特性(包括源、圖案化器件、投影光學件之特性及/或抗蝕劑特性)可在設計變數之間。成本函數常常為設計變數之非線性函數。接著，標準最佳化技術係用於最小化或最大化成本函數。 相關地，為幫助確保電路設計可產生至具有可工作的程序窗之基板上，可使用源-圖案化器件最佳化(在本文中被稱作源-光罩最佳化或SMO)。全文特此以引用方式併入之PCT專利申請公開案第WO 2010/059954號描述允許在不具有約束的情況下且在可實行時間量內使用成本函數來同時最佳化源及圖案化器件(設計佈局)之源及圖案化器件最佳化方法及系統。特此以全文引用之方式併入之美國專利申請公開案第US 2010-0315614號描述涉及藉由調整源之像素最佳化源之另一源及圖案化器件最佳化方法及系統。 儘管可在本文中特定參考在IC之製造中的實施例之使用，但應明確理解，該等實施例具有許多其他可能應用。舉例而言，其可被用來製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，在本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被視為可分別與更一般之術語「基板」及「目標部分」互換。 在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)，及EUV (極紫外線輻射，例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)。 如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」意謂調整圖案化程序參數(諸如微影裝置參數)，使得圖案化程序之結果及/或程序具有較理想特性，諸如，設計佈局在基板上之投影之較高準確度、較大程序窗等等。 此外，微影裝置可屬於具有兩個或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個圖案化器件台)之類型。在此等「多載物台」器件中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，以引用的方式併入本文中之US 5,969,441中描述雙載物台微影裝置。 以上所提及之圖案化器件表示設計佈局。可利用CAD (電腦輔助設計)程式來產生設計佈局，此程序常常被稱作EDA (電子設計自動化)。大多數CAD程式遵循一組設計規則，以便產生功能設計佈局/圖案化器件。藉由處理及設計限制來設定此等規則。舉例而言，設計規則定義電路器件(諸如，閘、電容器等)或互連線之間的空間容許度，以便確保該等電路器件或線彼此不會以不合需要之方式相互作用。設計規則限制通常被稱作「臨界尺寸」(CD)。可將電路之臨界尺寸定義為線或孔之最小寬度，或兩條線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計電路之總大小及密度。積體電路製作中之目標中之一者係在基板上如實地再生原始電路設計(經由圖案化器件)。 如本文中所使用之術語「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等等)以外，其他此等圖案化器件之實例亦包括： -可程式化鏡面陣列。此器件之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域使入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域使入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光器之情況下，可自經反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得經圖案化。可使用合適電子件來執行矩陣定址。 -可程式化LCD陣列。 作為簡要介紹，圖1A高度示意性地說明實例微影裝置。主要組件為：照明源12，其可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源之其他類型之源；照明光學件，其定義部分相干性(被表示為均方偏差)且可包括塑形來自源12之輻射之光學件14、16a及16b；圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩) 18；及透射光學件16c，其將圖案化器件圖案之影像投影至基板平面22上。投影光學件之光瞳平面處的可調整濾光器或孔徑20可限定照射於基板平面22上之光束角度之範圍，其中最大可能角度定義投影光學件之數值孔徑NA=sin(Θmax )。如本文中所使用之術語「源」及「照明源」可包括照明光學件。舉例而言，圖1B展示包括源收集器模組2810及照明光學件2820之EUV照明源。在源收集器模組2810中，可由電漿產生EUV輻射。EUV輻射接著係由照明光學件2820塑形且經導向至圖案化器件2840。圖案化器件2840與照明光學件2820之間的平面處之光瞳可被稱作照明光瞳。照明源之「形狀」係指照明光瞳處之強度及/或相位分佈。 在一系統之最佳化程序中，可將該系統之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化程序歸結為找到最小化成本函數的系統之一組參數(設計變數)的程序。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何適合形式。舉例而言，成本函數可為系統之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如，理想值)的偏差之經加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統之任何特性。歸因於系統之實施的實務性，系統之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影裝置之狀況下，約束常常係與硬體之物理屬性及特性(諸如，可調諧範圍，及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像上之實體點，以及諸如劑量及焦點之非物理特性。 在微影裝置中，源提供照明(亦即，輻射)；投影光學件經由圖案化器件導向且塑形照明且將該照明導向且塑形至基板上。此處，術語「投影光學件」被廣泛地界定為包括可變更輻射光束之波前的任何光學組件。舉例而言，投影光學件可包括組件14、16a、16b及16c中之至少一些。空中影像(AI)為基板上之輻射強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容特此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型係僅關於抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、PEB及顯影期間發生之化學程序之效應)。微影裝置之光學屬性(例如，源、圖案化器件及投影光學件之屬性)規定空中影像。由於可改變用於微影裝置中之圖案化器件，因此需要使圖案化器件之光學屬性與至少包括源及投影光學件的微影裝置之其餘部分之光學屬性分離。 圖1C中說明用於模擬微影裝置中之微影的流程圖。源模型31表示源之光學特性(包括輻射強度分佈及/或相位分佈)。投影光學件模型32表示投影光學件之光學特性(包括由投影光學件造成的對輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。投影光學件模型32可包括由各種因素造成的像差，該等因素例如，投影光學件之組件之加熱，藉由投影光學件之組件之機械連接造成的應力。源模型31及投影光學件模型32可組合成透射交叉係數(TCC)模型。設計佈局模型33表示設計佈局之光學特性(包括由給定設計佈局造成的對輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)，該設計佈局為圖案化器件之特徵之配置的表示。可自源模型31、投影光學件模型32及設計佈局模型33模擬空中影像36。可使用抗蝕劑模型37而自空中影像36模擬抗蝕劑影像38。舉例而言，微影之模擬可預測抗蝕劑影像中之輪廓及CD。 更具體言之，應注意，源模型31可表示源之光學特性，該等光學特性包括(但不限於) NA-均方偏差(σ)設定，以及任何特定照明源形狀(例如，離軸輻射源，諸如，環形、四極及偶極等等)。投影光學件模型32可表示投影光學件之光學特性，該等光學特性包括像差、失真、折射率、實體大小、實體尺寸、吸收率等等。設計佈局模型33亦可表示實體圖案化器件之實體屬性，如(例如)全文以引用方式併入之美國專利第7,587,704號中所描述。模擬之目標係準確地預測(例如)邊緣置放及CD，接著可比較邊緣置放及CD與預期設計。預期設計通常被定義為預OPC設計佈局，且可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式而提供。 圖案化程序可包括多個微影程序，多個微影程序中之每一者將圖案之群組之影像形成至基板上。圖案之一個群組之影像及圖案之另一群組之影像可在所製造之器件之同一層中。舉例而言，若器件之同一層中之圖案過於密集而不能由單一圖案化器件呈現或不能表示在單一圖案化器件上，則該等圖案可單獨地呈現(使用同一圖案化器件或使用不同圖案化器件)或單獨地表示在同一圖案化器件上或由多重圖案化器件表示，藉此縮減經表示或當前圖案中之每一者之密度(多重圖案化(multiple patterning/multi-patterning))。多個微影程序中之誤差可不同。舉例而言，形成於微影程序中之影像可具有誤差，諸如平移、旋轉、按比例調整、緯斜等等。此等誤差在不同微影程序中可不同。舉例而言，誤差之差可歸因於微影程序之一或多個參數(例如，源、圖案化器件、投影光學件等等)之差。誤差之差可造成形成於一個微影程序中之影像相對於形成於另一微影程序中之影像移位。判定移位可重要的以限制該移位對圖案化程序之影響。然而，判定該移位可並非一直直接了當的。舉例而言，當誤差之差不限於平移誤差之差時，該移位變得部位相關的。舉例而言，因為多重圖案化中之所有影像在同一層中合併在一起，所以哪一圖案化程序形成經合併影像之給定部分且因此難以判定該移位並非一直明顯的。 圖2示意性地展示設計佈局2010。在多重圖案化之一實例中，設計佈局2010經表示(例如)在多重圖案化器件(諸如圖案化器件2021及圖案化器件2022)上。多重圖案化器件中之每一者表示設計佈局2010之部分。設計佈局2010中之圖案中之每一者經表示在一個圖案化器件上且僅經表示在一個圖案化器件上(以用於至特定基板上之曝光；當然，針對其他工具或有缺陷圖案化器件之替換可存在多個複製品)。在此實例中，設計佈局2010具有兩列圖案。若此等圖案中之所有經表示在單一圖案化器件上，則一個列中之圖案過於接近另一列中之圖案。因此，第一列中之圖案經表示在圖案化器件2021中且第二列中之圖案經表示在圖案化器件2022中。圖案化器件2021及2022係用於單獨圖案化程序中。 圖3示意性地展示多重圖案化之實例。在此實例中，兩個圖案化器件3021及3022分別用於單獨圖案化程序中。在圖案化程序中之一者中，經表示在圖案化器件3021上之圖案經投影至基板且形成結構3031。在圖案化程序中之另一者中，經表示在圖案化器件3022上之圖案經投影至基板且形成結構3032。因此，結構3031與3032之組合在基板上實現。影像3012為結構3031與3032之組合之影像。在此實例中，兩個圖案化程序在平移、旋轉、按比例調整或緯斜誤差方面沒有差異。 圖4示意性地展示多重圖案化之實例。在此實例中，兩個圖案化器件4021及4022分別用於單獨圖案化程序中。在圖案化程序中之一者中，經表示在圖案化器件4021上之圖案經投影至基板且形成結構4031。在圖案化程序中之另一者中，經表示在圖案化器件4022上之圖案經投影至基板且形成結構4032。因此，結構4031與4032之組合在基板上實現。影像4012為結構4031與4032之組合之影像。在此實例中，兩個圖案化程序在平移誤差方面具有差異，但在旋轉、按比例調整或緯斜誤差方面沒有差異。 圖5示意性地展示多重圖案化之實例。在此實例中，兩個圖案化器件5021及5022分別用於單獨圖案化程序中。在圖案化程序中之一者中，經表示在圖案化器件5021上之圖案經投影至基板且形成結構5031。在圖案化程序中之另一者中，經表示在圖案化器件5022上之圖案經投影至基板且形成結構5032。因此，結構5031與5032之組合在基板上實現。影像5012為結構5031與5032之組合之影像。在此實例中，兩個圖案化程序在平移誤差、旋轉誤差及按比例調整誤差方面具有差異，但在緯斜誤差方面沒有差異。 因此，在一實施例中，形成於基板上之結構中之每一者可相對於參考點具有位移。在使用結構之位移的情況下，結構可經指派至複數個群組中之一者中。舉例而言，經指派至同一群組之結構係在同一圖案化程序中形成於基板上。舉例而言，由經表示在同一圖案化器件上之圖案形成經指派至同一群組之結構。該等位移亦可用於識別基板上之一或多個缺陷、判定結構之群組之間的一或多個對準誤差及/或判定結構之群組之間的一或多個疊對誤差。 圖6A示意性地展示基板上或晶粒中之所有結構(例如，6010)之位移(例如，6011)可相對於單一參考點6000。給定結構之位移可為自參考點6000指向彼結構之重心或質心之向量。替代地，給定結構之位移可為自彼結構之重心或質心指向參考點之向量。圖6B僅展示結構之位移而未展示結構自身。 圖6C示意性地展示基板上或晶粒中之所有結構(例如，6012)之位移(例如，6013)可相對於不同參考點6003。舉例而言，給定結構6012之位移可為自結構6012應在設計佈局中所處之處(6014)指向結構6012在基板上實際所在之處之向量。圖6D僅展示結構之位移而未展示結構自身。 圖6E示意性地展示基板上或晶粒中之所有結構(例如，6016)之位移(例如，6015)可相對於不同參考點6005。舉例而言，給定結構6012之位移可為自結構6012之經模擬影像(6018)所位於之處指向結構6012在基板上實際所在之處的向量。圖6F僅展示結構之位移而未展示結構自身。 形成於同一圖案化程序中之結構之位移應以一種方式或另一種方式相關。舉例而言，若呈現或表示對應於此等結構之圖案之圖案化器件在一方向上移位，則該等結構有可能具有相同平移誤差，此係因為同一圖案化器件之圖案之間有可能在不存在相對平移。舉例而言，若旋轉呈現或表示對應於此等結構之圖案之圖案化器件，則該等結構有可能具有相同旋轉誤差，此係因為在同一圖案化器件之圖案之間有可能不存在相對旋轉或相對平移。以數學形式，圖案化程序可由線性映射(亦被稱作線性圖或線性變換)表示，該線性映射可表達為矩陣。舉例而言，在笛卡耳(Cartesian)座標系統中，逆時針旋轉角度之矩陣為因此，形成於同一圖案化程序中之結構應(若不存在像差的話)能夠藉由相同線性映射而經映射至其在設計佈局中之對應圖案，該相同線性映射可由相同矩陣表示。 圖7根據一實施例示意性地展示用於一方法之流程圖。在工序7010中，獲得基板上之複數個結構之影像。該複數個結構中之每一者藉由成像設計佈局之對應圖案而形成至基板上。該影像可為掃描電子顯微法(SEM)影像。該等結構可為在顯影光阻之前或之後的光阻之結構。該等結構可為基板中之經蝕刻結構。該等結構可為基板中之經沈積結構。 在工序7020中，獲得該等結構中之每一者相對於彼結構之參考點之位移。該複數個結構之參考點可為同一點。該複數個結構之參考點可自其在設計佈局中之各別對應圖案而予以判定。該複數個結構之參考點可藉由模擬對應圖案之影像而予以判定。獲得位移之一種方式涉及自該影像提取圖案之一或多個輪廓。 在工序7030中，基於該位移將該等結構中之每一者指派(例如，藉由使用電腦系統)至複數個群組中之一者中。可在不同時間形成經指派至不同群組之結構。可在不同深度處(亦即，在不同層中)形成經指派至不同群組之結構。可藉由具有不同像差之輻射形成經指派至不同群組之結構。經指派至同一群組之結構可能夠藉由相同矩陣經線性地映射至其各別對應圖案。該矩陣可為均勻變換矩陣(亦即，表示均勻變換之矩陣)。用以按位移將結構指派至複數個群組之一種方式可包括使用位移之量值。舉例而言，若結構之位移之量值係在兩個臨限值之間，則該結構經指派至一個群組，且若該量值係在另兩個臨限值之間，則該結構經指派至另一群組。用以按位移將結構指派至複數個群組之另一方式可藉由叢集演算法。 在視情況選用的工序7040中，可基於此等結構之位移來判定經指派至一個群組之結構與經指派至另一群組之結構之間的相對移位(例如，疊對誤差或對準誤差)、相對旋轉或此兩者。舉例而言，經指派至一個群組之結構與經指派至另一群組之結構的相對移位可為在經指派至一個群組之結構之平均位移與經指派至另一群組之結構之平均位移之間的差。 在視情況選用的工序7050中，可基於相對移位、相對旋轉或此兩者識別缺陷。 因此，在一實施例中，經圖案化基板之影像(例如，SEM)已識別結構。可藉由輪廓繪製或影像分離來識別此等結構。設計資訊(例如，所預期形狀及結構之部位)可用於加標籤於該等結構，從而將其指派為(例如)原始圖案化器件及/或原始多重圖案化程序之特定圖案化程序之圖案化器件。此等經量測結構之質量中心接著可用於與目標設計、經模擬目標或0 (無參考)之質量中心(在x、y上)比較。此將提供結構之位移資訊(例如，按多重圖案化程序之經曝光分裂)。藉由標繪不同結構(例如，多重圖案化程序之特定圖案化程序之結構及多重圖案化程序之另一特定圖案化程序之結構)之間的差異，可以高準確度標繪所關注參數(例如，疊對)之指紋。此分析可用於判定或驗證多重圖案化程序中之疊對。可在多於一個方向(例如，兩個方向)上判定疊對。 另外，可在輪廓上使用橋接偵測器以指示預期哪些部位在程序窗內部。此外，在識別影像及結構之情況下，亦可評估其他參數(諸如線之頸縮及/或夾捏及同一曝光內之特徵之相對位移)以控制(例如)實際產品上之邊緣置放誤差及/或圖案移位均一性。 因此，在一實施例中，可按可自動化之方式以高準確度量測產品上疊對。為實現此量測，在一實施例中，設計資訊可用於將影像分解成多重圖案化層之若干分裂在一實施例中，影像之分段及/或經提取輪廓係用於識別用於疊對判定之結構。該等結構接著經影像處理以判定用於疊對判定之位移。 雖然本文中之論述已專注於多重圖案化實施例，但本文中之揭示內容亦可用於其中結構在不同層中之傳統單一圖案化配置。舉例而言，可識別下部層及上部層之結構且接著該方法可與傳統疊對量測或分析一起使用。 在一實施例中，結構偏移量測可用於識別歸因於(例如)光學像差之單一層中的不同結構之間的移位之差。 本文中所揭示之概念及結果可用於校準或修改圖案化程序之任何模擬或數學模型，諸如模擬或模型化任何一般成像系統以用於成像亞微米特徵之模擬或數學模型。本文中所揭示之概念及結果可用於藉由(例如)修改一或多個設計變數來控制圖案化程序。本文中所揭示之概念及結果可用於藉由(例如)修改一或多個設計變數來設計圖案化程序。本文中所揭示之概念及結果可用於藉由(例如)識別是否出現一或多個缺陷或是否有可能出現一或多個缺陷來監視圖案化程序。本文中所揭示之概念及結果可用於產生或校準(例如)調節缺陷之模型預測控制系統。 圖8為說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程之電腦系統100的方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之處理器104 (或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106亦可用於在待由處理器104執行之指令的執行期間儲存暫時變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) 108或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件110，且儲存器件110耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。 電腦系統100可經由匯流排102耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字及其他按鍵之輸入器件114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，其允許該器件指定在平面中之位置。亦可將觸控面板(螢幕)顯示器用作輸入器件。 根據一個實施例，可回應於處理器104執行一或多個指令之一或多個序列而由電腦系統100執行本文中所描述之方法之部分。在一實施例中，電腦系統100可為微影裝置之部分、度量衡系統之部分，單機系統連接至微影裝置及/或度量衡系統，等等。 此等指令可在主記憶體106中含有且可自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件110)經讀取至主記憶體106中。主記憶體106中所含有之指令序列之執行致使處理器104執行本文中所描述之程序步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體106中所含有之指令序列。在替代性實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路。因此，實施例不限於硬體電路與軟體之任何特定組合。 如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採用許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸電纜、銅線及光纖，其包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採用聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間所產生的聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括(例如)軟碟、軟性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。 可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將該資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體106擷取並執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在供處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。 電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦合，網路鏈路120連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供至對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供至相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此實施中，通信介面118發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料流的電信號、電磁信號或光學信號。 網路鏈路120通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122而將連接提供至主機電腦124或由網際網路服務業者(ISP) 126操作之資料設備。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」128)而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128兩者皆使用攜載數位資料流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號為輸送資訊之載波的形式，該等信號將數位資料攜載至電腦系統100且自電腦系統100攜載數位資料。 電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118發送訊息及接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之所請求程式碼。根據一或多個實施例，一個此類經下載應用程式提供(例如)本文中所描述之方法的實施。所接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波之形式之應用程式碼。 圖9示意性地描繪另一微影裝置1000。該微影裝置1000包括： - 源收集器模組SO - 照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)； - 支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM； - 基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及 - 投影系統(例如，反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。 如此處所描繪，裝置1000屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以光罩可具有包含(例如)鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一個實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可藉由X射線微影來產生甚至更小的波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，因此圖案化器件構形(topography)上之經圖案化吸收材料薄片段(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。 參看圖9，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於用在EUV範圍內之一或多個發射譜線將具有至少一種元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖9中未展示)的EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組SO可為單獨實體。 在此等狀況下，雷射不被視為形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部分。 照明器IL可包含用於調整輻射光束之角度強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，(例如)以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。 所描繪之裝置1000可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台) MT之速度及方向。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 圖10更詳細地展示裝置1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸氣(例如，Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣)來產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可使用為(例如) 10 Pa之分壓的Xe、Li、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。 由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方的視情況選用的氣體障壁或污染物截留器230 (在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中為吾人所知，本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。 收集器腔室211可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240被反射以沿著由點虛線「O」指示之光軸聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。 隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處之輻射光束21之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處反射輻射光束21後，隨即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。 通常，比所展示元件多之元件可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，光柵光譜濾光器240可視情況存在。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖10所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。 如圖10中所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)使用。 替代地，源收集器模組SO可為如圖11中所展示之LPP輻射系統之部分。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。 可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種方法，其包含： 獲得一基板上之複數個結構之一影像，其中該複數個結構中之每一者藉由轉印一設計佈局之一對應圖案而形成至該基板上； 獲得該等結構中之每一者相對於彼結構之一參考點的一位移；及 基於該位移使用一硬體電腦系統將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之一者中。 2. 如條項1之方法，其中該影像為一SEM影像。 3. 如條項1或條項2之方法，其中該等結構為一光阻之結構。 4. 如條項1或條項2之方法，其中該等結構為該基板中之經蝕刻結構。 5. 如條項1或條項2之方法，其中該等結構為該基板上之經沈積結構。 6. 如條項1至5中任一項之方法，其中在不同時間形成經指派至該複數個群組中之一第一群組之結構及經指派至該複數個群組中之一第二群組之結構。 7. 如條項1至6中任一項之方法，其中在不同深度處形成經指派至該複數個群組中之一第一群組之結構及經指派至該複數個群組中之一第二群組之結構。 8. 如條項1至7中任一項之方法，其中藉由具有不同像差之輻射形成經指派至該複數個群組中之一第一群組之結構及經指派至該複數個群組中之一第二群組之結構。 9. 如條項1至8中任一項之方法，其中該複數個結構之該等參考點為一同一點。 10. 如條項1至8中任一項之方法，其中該複數個結構之該等參考點係自其各別對應圖案予以判定。 11. 如條項1至8中任一項之方法，其中該等參考點係藉由模擬該等對應圖案之影像予以判定。 12. 如條項1至11中任一項之方法，其中獲得該位移包含自該影像提取一輪廓。 13. 如條項1至12中任一項之方法，其進一步包含基於經指派至一第一群組之結構之該等位移且基於經指派至一第二群組之結構之該等位移來判定經指派至該第一群組之該等結構與經指派至該第二群組之該等結構之間的一相對移位、一相對旋轉或此兩者。 14. 如條項13之方法，其進一步包含基於該相對移位、該相對旋轉或此兩者識別一缺陷。 15. 如條項1至14中任一項之方法，其中將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之一者中包含使用一叢集演算法。 16. 如條項1至15中任一項之方法，其中經指派至一同一群組之該等結構能夠藉由一相同矩陣經線性地映射至其各別對應圖案。 17. 如條項16之方法，其中該矩陣為一均勻變換矩陣。 18. 如條項1至17中任一項之方法，其中該指派包含基於該位移之一量值將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之一者中。 19. 一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至18中任一項之方法。 本文中之技術可與能夠產生大小愈來愈小之波長的新興成像科技一起使用。已經在使用中之新興科技包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193奈米波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157奈米波長之EUV (極紫外線)微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體抑或電漿)而產生在5奈米至20奈米之範圍內之波長，以便產生在此範圍內之光子。 雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之成像，但應理解，所揭示概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在除了矽晶圓以外的基板上成像之微影成像系統。 本發明之態樣可以任何合宜形式予以實施。舉例而言，可藉由一或多個適當電腦程式來實施實施例，該一或多個適當電腦程式可在可為有形載體媒體(例如，磁碟)或無形載體媒體(例如，通信信號)之適當載體媒體上進行。可使用合適裝置來實施本發明之實施例，該合適裝置可特定地採取可程式化電腦之形式，該可程式化電腦執行經配置以實施如本文中所描述之方法之電腦程式。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明的申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之實施例作出修改。
12‧‧‧照明源 14‧‧‧光學件/組件 16a‧‧‧光學件/組件 16b‧‧‧光學件/組件 16c‧‧‧透射光學件/組件 18‧‧‧圖案化器件 20‧‧‧濾光器或孔徑 21‧‧‧輻射光束 22‧‧‧基板平面(圖1A)/琢面化場鏡面器件(圖10) 24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件 26‧‧‧經圖案化光束 28‧‧‧反射元件 30‧‧‧反射元件 31‧‧‧源模型 32‧‧‧投影光學件模型 33‧‧‧設計佈局模型 36‧‧‧空中影像 37‧‧‧抗蝕劑模型 38‧‧‧抗蝕劑影像 100‧‧‧電腦系統 102‧‧‧匯流排 104‧‧‧處理器 105‧‧‧處理器 106‧‧‧主記憶體 108‧‧‧唯讀記憶體(ROM) 110‧‧‧儲存器件 112‧‧‧顯示器 114‧‧‧輸入器件 116‧‧‧游標控制件 118‧‧‧通信介面 120‧‧‧網路鏈路 122‧‧‧區域網路 124‧‧‧主機電腦 126‧‧‧網際網路服務業者(ISP) 128‧‧‧網際網路 130‧‧‧伺服器 210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿 211‧‧‧源腔室 212‧‧‧收集器腔室 220‧‧‧圍封結構 221‧‧‧開口 230‧‧‧氣體障壁或污染物截留器/污染物障壁/污染截留器 240‧‧‧光柵光譜濾光器 251‧‧‧上游輻射收集器側 252‧‧‧下游輻射收集器側 253‧‧‧掠入射反射器 254‧‧‧掠入射反射器 255‧‧‧掠入射反射器 1000‧‧‧微影裝置 2010‧‧‧設計佈局 2021‧‧‧圖案化器件 2022‧‧‧圖案化器件 2810‧‧‧源收集器模組 2820‧‧‧照明光學件 2840‧‧‧圖案化器件 3012‧‧‧影像 3021‧‧‧圖案化器件 3022‧‧‧圖案化器件 3031‧‧‧結構 3032‧‧‧結構 4012‧‧‧影像 4021‧‧‧圖案化器件 4022‧‧‧圖案化器件 4031‧‧‧結構 4032‧‧‧結構 5012‧‧‧影像 5021‧‧‧圖案化器件 5022‧‧‧圖案化器件 5031‧‧‧結構 5032‧‧‧結構 6000‧‧‧參考點 6003‧‧‧參考點 6005‧‧‧參考點 6010‧‧‧結構 6011‧‧‧位移 6012‧‧‧結構 6013‧‧‧位移 6014‧‧‧結構6012應在設計佈局中所處之處 6015‧‧‧位移 6016‧‧‧結構 6018‧‧‧經模擬影像 7010‧‧‧工序 7020‧‧‧工序 7030‧‧‧工序 7040‧‧‧工序 7050‧‧‧工序 B‧‧‧輻射光束 C‧‧‧目標部分 CO‧‧‧輻射收集器/近正入射收集器光學件 IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點 IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元 LA‧‧‧雷射 M1‧‧‧圖案化器件對準標記 M2‧‧‧圖案化器件對準標記 MA‧‧‧圖案化器件 MT‧‧‧支撐結構 O‧‧‧光軸 P1‧‧‧基板對準標記 P2‧‧‧基板對準標記 PM‧‧‧第一定位器 PS‧‧‧投影系統 PS1‧‧‧位置感測器 PS2‧‧‧位置感測器 PW‧‧‧第二定位器 SO‧‧‧源收集器模組 W‧‧‧基板 WT‧‧‧基板台
對於一般熟習此項技術者而言，在結合附圖而檢閱特定實施例之以下描述後，以上態樣及其他態樣及特徵就將變得顯而易見，在該等附圖中： 圖1A為根據一實施例的微影系統之各種子系統的方塊圖。 圖1B展示照明源之示意圖。 圖1C為對應於圖1A中之子系統之模擬模型的方塊圖。 圖2示意性地展示圖案化程序之設計佈局。 圖3示意性地展示多重圖案化之實例。 圖4示意性地展示多重圖案化之實例。 圖5示意性地展示多重圖案化之實例。 圖6A示意性地展示基板上或晶粒中之結構之位移。 圖6B示意性地展示圖6A之結構之位移但不展示結構自身。 圖6C示意性地展示基板上或晶粒中之結構之位移。 圖6D示意性地展示圖6C之結構之位移但不展示結構自身。 圖6E示意性地展示基板上或晶粒中之結構之位移。 圖6F示意性地展示圖6E之結構之位移但不展示結構自身。 圖7示意性地展示方法之流程圖。 圖8為實例電腦系統之方塊圖。 圖9為另一微影裝置之示意圖。 圖10為圖9中之裝置之更詳細視圖。 圖11為圖9及圖10之裝置之源收集器模組SO的更詳細視圖。
2010‧‧‧設計佈局
2021‧‧‧圖案化器件
2022‧‧‧圖案化器件

Claims (15)

  1. 一種方法，其包含： 獲得一基板上之複數個結構之一影像，其中該複數個結構中之每一者藉由轉印一設計佈局之一對應圖案而形成至該基板上； 獲得該等結構中之每一者相對於彼結構之一參考點的一位移；及 基於該位移使用一硬體電腦系統將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之一者中。
  2. 如請求項1之方法，其中該影像為一掃描電子顯微法(SEM)影像。
  3. 如請求項1之方法，其中該等結構為一光阻之結構，或其中該等結構為該基板中之經蝕刻結構，或其中該等結構為該基板上之經沈積結構。
  4. 如請求項1之方法，其中在不同時間形成經指派至該複數個群組中之一第一群組之結構及經指派至該複數個群組中之一第二群組之結構，及/或其中在不同深度處形成經指派至該複數個群組中之一第一群組之結構及經指派至該複數個群組中之一第二群組之結構，及/或其中藉由具有不同像差之輻射形成經指派至該複數個群組中之一第一群組之結構及經指派至該複數個群組中之一第二群組之結構。
  5. 如請求項1之方法，其中該複數個結構之該等參考點為一同一點。
  6. 如請求項1之方法，其中該複數個結構之該等參考點係自其各別對應圖案予以判定。
  7. 如請求項1之方法，其中該等參考點係藉由模擬該等對應圖案之影像予以判定。
  8. 如請求項1之方法，其中獲得該位移包含：自該影像提取一輪廓。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包含基於經指派至一第一群組之結構之該等位移且基於經指派至一第二群組之結構之該等位移來判定經指派至該第一群組之該等結構與經指派至該第二群組之該等結構之間的一相對移位、一相對旋轉或此兩者。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包含基於該相對移位、該相對旋轉或此兩者識別一缺陷。
  11. 如請求項1之方法，其中將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之一者中包含：使用一叢集演算法。
  12. 如請求項1之方法，其中經指派至一同一群組之該等結構能夠藉由一相同矩陣經線性地映射至其各別對應圖案。
  13. 如請求項12之方法，其中該矩陣為一均勻變換矩陣。
  14. 如請求項1之方法，其中該指派包含：基於該位移之一量值將該等結構中之每一者指派至複數個群組中之一者中。
  15. 一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1之方法。
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