TWI614567B - 用以改良圖案化程序之電腦實施方法及電腦程式產品 - Google Patents

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TWI614567B
TWI614567B TW104132432A TW104132432A TWI614567B TW I614567 B TWI614567 B TW I614567B TW 104132432 A TW104132432 A TW 104132432A TW 104132432 A TW104132432 A TW 104132432A TW I614567 B TWI614567 B TW I614567B
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端孚 徐
克特Ｅ 宛普勒
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本文揭示縮減用於一圖案化程序中之一設計佈局之一部分的一或多個圖案位移誤差、對比度損耗、最佳焦點移位、一柏桑(Bossung)曲線之傾角之若干方法，該圖案化程序用於使用一微影裝置而將彼部分成像至一基板上。該等方法包括使用一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定或調整一或多個輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合。

Description

用以改良圖案化程序之電腦實施方法及電腦程式產品
本文中之描述係關於微影裝置及程序，且更特定言之，係關於一種用於最佳化供微影裝置或程序中使用之照明源或圖案化器件之方法或工具。
微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在此狀況下，圖案化器件(例如，光罩)可含有或提供對應於IC之個別層之電路圖案(「設計佈局」)，且可藉由諸如經由圖案化器件上之電路圖案而輻照已被塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)的方法將此電路圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，電路圖案係由微影裝置順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影裝置中，將整個圖案化器件上之電路圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作基板步進器(substrate stepper)。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化器件上之電路圖案之不同部分漸進地轉印至一個目標部分。一般而言，因為微影裝置將具有放大因數M(通常<1)，所以基板被移動之速率F將為投影光束掃描圖案化器件之速率的因數M倍。可(例如)自以引 用方式併入本文中之US 6,046,792搜集到關於如本文中所描述之微影器件的更多資訊。
在將電路圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如，曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印電路圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製造一器件(例如，IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，據此，可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘，等等。
如所提及，微影蝕刻術(microlithography)為在IC之製造時的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定IC之功能元件，諸如，微處理器、記憶體晶片，等等。相似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他器件。
本文揭示一種用以改良一圖案化程序之電腦實施方法，該圖案化程序用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上，該方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則經組態以基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；使用該一或多個規則來判定該一或多個輔助特徵之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含一對面對邊緣之間的一間隔；其中該一或多個規則經組態以基於該對邊緣之間的一間 隔而判定該一或多個輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的一距離，使得該一或多個輔助特徵相對於該對邊緣不對稱；將該一或多個輔助特徵置放至一圖案化器件上。
本文亦揭示一種用以改良一圖案化程序之電腦實施方法，該圖案化程序用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上，該部分包含一或多個輔助特徵，該方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則經組態以基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而調整該等輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；其中該一或多個規則經組態以基於對邊緣之間的一間隔而調整該一或多個輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的一距離，使得該一或多個輔助特徵相對於該對邊緣不對稱；將該一或多個輔助特徵置放至一圖案化器件上。
本文亦揭示一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施以上之該方法。
本文亦揭示一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有一或多個規則之一非暫時性電腦可讀媒體，其中該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：一設計佈局之一部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、一圖案化程序之一或多個特性、一微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合。
本文亦揭示一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有一或多個規則之一非暫時性電腦可讀媒體，其中該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而調整一或多個輔助特徵之一或多個特性：一設計佈局之一部分中之一或多個設計特徵之一或多個特 性、一圖案化程序之一或多個特性、一微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合。
本文亦揭示一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：一設計佈局之一部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、一圖案化程序之一或多個特性、一微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合。
本文亦揭示一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而調整一或多個輔助特徵之一或多個特性：一設計佈局之一部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、一圖案化程序之一或多個特性、一微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合。
12‧‧‧照明源
14‧‧‧光學件/組件
16a‧‧‧光學件/組件
16b‧‧‧光學件/組件
16c‧‧‧透射光學件/組件
18‧‧‧圖案化器件
20‧‧‧可調整濾光器或孔徑
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧基板平面(圖1A)/琢面化場鏡面器件(圖21)
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
31‧‧‧源模型
32‧‧‧投影光學件模型
33‧‧‧設計佈局模型
36‧‧‧空中影像
37‧‧‧抗蝕劑模型
38‧‧‧抗蝕劑影像
100‧‧‧電腦系統
102‧‧‧匯流排
104‧‧‧處理器
105‧‧‧處理器
106‧‧‧主記憶體
108‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
110‧‧‧儲存器件
112‧‧‧顯示器
114‧‧‧輸入器件
116‧‧‧游標控制件
118‧‧‧通信介面
120‧‧‧網路鏈路
122‧‧‧區域網路
124‧‧‧主機電腦
126‧‧‧網際網路服務業者(ISP)
128‧‧‧網際網路
130‧‧‧伺服器
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧選用氣體障壁或污染物截留器/污染截留器
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
1000‧‧‧微影裝置
1110‧‧‧點線框
1120‧‧‧點線框
1130‧‧‧邊緣
1140‧‧‧邊緣
1150‧‧‧直線
1160‧‧‧步驟
1170‧‧‧步驟
1175‧‧‧步驟
1180‧‧‧步驟
1210‧‧‧間隔
1220‧‧‧定向
1230‧‧‧參數
1240‧‧‧規則
1250‧‧‧特性
1260-1‧‧‧分格
1260-2‧‧‧分格
1260-n‧‧‧分格
1270-1‧‧‧特性
1270-2‧‧‧特性
1270-n‧‧‧特性
1310‧‧‧設計特徵
1310A‧‧‧邊緣
1310B‧‧‧邊緣
1320‧‧‧設計特徵
1320A‧‧‧邊緣
1330‧‧‧設計特徵
1330B‧‧‧邊緣
1350‧‧‧輔助特徵
1360‧‧‧輔助特徵
1370‧‧‧輔助特徵
1410‧‧‧間隔
1420‧‧‧定向
1430‧‧‧參數
1440‧‧‧第二規則
1445‧‧‧調整
1460‧‧‧步驟
1470‧‧‧步驟
1480‧‧‧步驟
1485‧‧‧步驟
1490‧‧‧步驟
1560-1‧‧‧分格
1560-2‧‧‧分格
1560-n‧‧‧分格
1570-1‧‧‧調整
1570-2‧‧‧調整
1570-n‧‧‧調整
1610‧‧‧設計特徵
1610A‧‧‧邊緣
1610B‧‧‧邊緣
1620‧‧‧設計特徵
1620A‧‧‧邊緣
1630‧‧‧設計特徵
1630B‧‧‧邊緣
1650‧‧‧輔助特徵
1660‧‧‧輔助特徵
1670‧‧‧輔助特徵
2200‧‧‧偶極照明光瞳
2210‧‧‧極
2211‧‧‧路徑
2212‧‧‧路徑
2215‧‧‧零階繞射
2220‧‧‧極
2221‧‧‧路徑
2222‧‧‧路徑
2225‧‧‧零階繞射
2240‧‧‧投影光瞳
2300‧‧‧反射圖案化器件
2310‧‧‧圖案
2311‧‧‧陰影寬度
2312‧‧‧陰影寬度
2810‧‧‧源收集器模組
2820‧‧‧照明光學件
2840‧‧‧圖案化器件
3100‧‧‧偶極源
3110‧‧‧極
3120‧‧‧極
4410‧‧‧設計特徵
4411‧‧‧輔助特徵
4412‧‧‧輔助特徵
4910‧‧‧對稱偶極源
4920‧‧‧不對稱照明光瞳
5110‧‧‧輔助特徵
5120‧‧‧設計特徵
5130‧‧‧吸收材料
5210‧‧‧輔助特徵
5220‧‧‧設計特徵
5230‧‧‧吸收材料
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧輻射收集器/近正入射收集器光學件
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
對於一般熟習此項技術者而言，在結合附圖而檢閱特定實施例之以下描述後，以上態樣以及其他態樣及特徵就將變得顯而易見，在該等圖中：圖1A為根據一實施例之微影系統之各種子系統的方塊圖；圖1B展示照明源之示意圖；圖1C為對應於圖1A中之子系統之模擬模型的方塊圖；圖2A至圖2C示意性地展示偶極照明光瞳與投影光瞳之間的光路徑；圖3示意性地展示具有不平衡極之偶極照明光瞳的實例；圖4A、圖4B及圖4C示範源影響圖案位移誤差(PDE)；圖5A、圖5B、圖5C及圖5D展示如由傾斜柏桑曲線表明的輔助特 徵對PDE、對比度損耗、最佳焦點移位及程序窗之效應；圖5E展示輔助特徵對對比度損耗之效應；圖6A、圖6B、圖6C、圖6D及圖6E說明柏桑曲線(其表明PDE及最佳焦點移位)之傾角之根本原因包括反射圖案化器件及圖案化器件上之輻射之非零入射角；圖7A、圖7B、圖7C及圖7D展示輔助特徵可影響柏桑曲線之對稱性，此係因為輔助特徵造成零繞射階與高繞射階之間的相移；圖8展示輔助特徵之形狀及位置影響柏桑曲線之傾角；圖9A展示對不對稱輔助特徵及不對稱照明光瞳之柏桑曲線之組合之效應；圖9B展示對不對稱輔助特徵之最佳焦點移位之效應；圖10展示可合適之具有不同位置、形狀、數目、透射及相位的若干輔助特徵組態；圖11A展示用於判定輔助特徵之特性(例如，形狀、數目、位置、透射、相位)之方法的流程圖；圖11B展示用於圖11A之步驟1170之實施的流程圖；圖11C展示用以闡明術語「一對邊緣」之實例；圖12展示圖11B中之規則1240的實例；圖13展示用以進一步闡明圖12中之實例之工作的三個設計特徵之實例；圖14A展示用於調整輔助特徵之特性(例如，形狀、數目、位置、透射、相位)之方法的流程圖；圖14B展示用於圖14A之步驟1480之實施的流程圖；圖15展示圖14A中之規則1440的實例；圖16展示用以進一步闡明圖15中之實例之工作的三個設計特徵之實例； 圖17展示設計佈局之剪輯；圖18示範圖11A、圖11B及圖12中所描述之方法的效應；圖19為可供實施實施例之實例電腦系統的方塊圖；圖20為另一微影裝置之示意圖；圖21為圖20中之裝置的更詳細視圖；及圖22為圖20及圖21之裝置之源收集器模組SO的更詳細視圖。
現在將參看圖式詳細地描述實施例，該等圖式被提供為說明性實例以便使熟習此項技術者能夠實踐該等實施例。值得注意地，以下之該等圖及實例不意謂將範疇限於單一實施例，而是借助於所描述或所說明元件中之一些或全部之互換而使其他實施例係可能的。在任何方便之處，將貫穿圖式而使用相同元件符號以指相同或類似部件。在可使用已知組件來部分地或完全地實施此等實施例之某些元素的情況下，僅將描述理解該等實施例所必需之此等已知組件之彼等部分，且將省略此等已知組件之其他部分之詳細描述以便不混淆該等實施例之描述。在本說明書中，展示單數組件之實施例不應被視為限制性的；實情為，除非本文中另有明確陳述，否則範疇意欲涵蓋包括複數個相同組件之其他實施例，且反之亦然。此外，申請人不意欲使本說明書或申請專利範圍中之任何術語歸結於不常見或特定涵義，除非如此明確闡述。另外，範疇涵蓋借助於說明而在本文所提及之組件的目前及未來已知等效者。
隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地縮減，而每器件的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此情況遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前先進技術下，使用微影裝置來製造器件層，微影裝置使用來自深紫外線(例如，13.52奈米)照明源或極紫外線照明源之照明而將設計佈局 投影至基板上，從而產生尺寸充分地低於30奈米之個別功能元件。
印刷尺寸小於微影裝置之經典解析度極限之特徵的此程序根據解析度公式CD=k1×λ/NA而通常被稱為低k1微影，其中λ為所使用輻射之波長(當前在大多數狀況下為248奈米或193奈米)，NA為微影裝置中之投影光學件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用於微影裝置及/或設計佈局。此等步驟包括(例如，但不限於)NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移圖案化器件之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。如本文所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括(例如)折射光學件、反射光學件、孔徑及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括用於集體地或單個地導向、塑形或控制投影輻射光束的根據此等設計類型中之任一者而操作之組件。術語「投影光學件」可包括微影裝置中之任何光學組件，而不管該光學組件在微影裝置之光學路徑上位於何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化器件之前塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化器件之後塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學件通常排除源及圖案化器件。
作為一實例，OPC處理如下事實：投影於基板上之設計佈局之影像的最終大小及置放將不相同於或簡單地僅取決於該設計佈局在圖案化器件上之大小及置放。應注意，術語「光罩」、「比例光罩」、「圖案化器件」在本文中可被互換地利用，且可包括透射圖案化器件及反射圖案化器件兩者。又，熟習此項技術者將認識到，尤其是在微影模擬 /最佳化之內容背景中，術語「光罩」、「圖案化器件」及「設計佈局」可被互換地使用，此係因為：在微影模擬/最佳化中，未必使用實體圖案化器件，而可使用設計佈局以表示實體圖案化器件。對於存在於某一設計佈局上之小特徵大小及高特徵密度，給定特徵之特定邊緣之位置將在某種程度上受到其他鄰近特徵之存在或不存在的影響。此等近接效應起因於自一特徵耦合至另一特徵的微小量之輻射及/或諸如繞射及干涉之非幾何光學效應。相似地，近接效應可起因於在通常跟隨微影之曝光後烘烤(PEB)、抗蝕劑顯影及蝕刻期間之擴散及其他化學效應。
為了確保設計佈局之經投影影像係根據給定目標電路設計之要求，需要使用設計佈局之複雜數值模型、校正或預失真來預測及補償近接效應。論文「Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis-How OPC Is Changing IC Design」(C.Spence，Proc.SPIE，第5751卷，第1至14頁(2005年))提供當前「以模型為基礎」之光學近接校正程序的綜述。在典型高端設計中，設計佈局之幾乎每一特徵皆具有某種修改，以便達成經投影影像至目標設計之高保真度。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置，以及意欲輔助其他特徵之投影之「輔助」特徵的應用。
在一晶片設計中通常存在數百萬個特徵的情況下，將以模型為基礎之OPC應用於目標設計涉及良好的程序模型及相當大的計算資源。然而，應用OPC通常不為「嚴正科學(exact science)」，而為並不總是補償所有可能近接效應之經驗反覆程序。因此，需要藉由設計檢測(亦即，使用經校準數值程序模型之密集型全晶片模擬)來驗證OPC之效應(例如，在應用OPC及任何其他RET之後的設計佈局)，以便最小化將設計瑕疵建置至圖案化器件圖案中的可能性。此情形係藉由如下各者驅使：製造高端圖案化器件之巨大成本，其在數百萬美元的範 圍內；以及對產品製作時程之影響，其係因重做或修復實際圖案化器件(一旦其已被製造)而引起。
OPC之最簡單形式中之一者為選擇性偏置。在給出CD相對於間距之曲線的情況下，可至少在最佳焦點及曝光處藉由改變光罩位階處之CD而迫使所有不同間距產生相同CD。因此，若特徵在基板位階處過小地印刷，則光罩位階特徵將偏置成稍微大於標稱，且反之亦然。因為自光罩位階至基板位階之圖案轉印程序非線性，所以偏置之量並非簡單地為最佳焦點及曝光處之經量測CD誤差乘以縮減比，但在運用模型化及實驗的情況下，可判定適當偏置。選擇性偏置為對近接效應之問題的不完整解決方案(特別是在其僅應用於標稱程序條件下的情況下)。儘管此偏置原則上可應用以給出最佳焦點及曝光處之均一CD相對於間距曲線，但一旦曝光程序自標稱條件變化，每一偏置間距曲線就將作出不同的反應，從而引起用於不同特徵之不同程序窗。因此，為給出相同CD相對於間距之「最佳」偏置甚至可具有對總程序窗之消極影響，從而縮減(而非放大)所有目標特徵在所要程序容許度內印刷於基板上之焦點及曝光範圍。
已開發供超出以上之一維偏置實例之應用的其他更複雜OPC技術。二維近接效應係線端縮短的。線端具有依據曝光及焦點而自其所要端點部位「拉回」之傾向。在許多狀況下，長線端之末端縮短程度可比對應線窄化大若干倍。此類型之線端拉回可在線端不能完全橫渡其意欲覆蓋之底層(諸如，源極-汲極區上方之多晶矽閘極層)的情況下引起所製造之器件之嚴重故障。因為此類型之圖案對焦點及曝光高度敏感，所以使線端簡單地偏置成長於設計長度不充分，此係因為最佳焦點及曝光處或在曝光不足條件下之線將過長，從而在延伸型線端觸摸相鄰結構時引起短路，或在電路中之個別特徵之間添加更多空間的情況下引起不必要大的電路大小。因為積體電路設計及製造之關鍵目 標中之一者應為最大化功能元件之數目同時最小化每晶片所需之面積，所以添加過量間隔為高度不理想的解決方案。
二維OPC途徑可幫助解決線端拉回問題。諸如「錘頭」或「襯線」之額外結構(亦被稱為「輔助特徵」)可添加至線端以將該等線端有效地錨定於適當位置且提供遍及整個程序窗之縮減拉回。即使在最佳焦點及曝光處，此等額外結構仍未被解析，但其變更設計特徵之外觀，而未被獨自完全解析。如本文所使用之「設計特徵」意謂意欲在程序窗中之一些或全部條件下印刷於基板上且在最終產生之電路中具有某種功能之特徵。輔助特徵可呈現比添加至線端之簡單錘頭更積極之形式，而達光罩上之圖案不再簡單地為大小被增加縮減比的所要基板圖案之程度。諸如襯線之輔助特徵可應用於比簡單地縮減線端拉回更多的狀況。內部或外部襯線可應用於任何邊緣(尤其是二維邊緣)，以縮減隅角圓化或邊緣擠壓。在運用足夠選擇性偏置以及所有大小及極性之輔助特徵的情況下，光罩上之特徵承受與基板位階處所要之最終圖案愈來愈小的類似性。一般而言，光罩圖案變成基板位階圖案之經預失真版本，其中失真意欲抵消或反轉將在圖案化程序期間發生的圖案變形，該圖案化程序用以在基板上產生儘可能接近於由設計者預期之圖案的圖案。圖案化程序可包括微影程序、蝕刻、壓印或可用於在基板上形成圖案的其他程序。
代替連接至設計特徵之彼等輔助特徵(例如，襯線)或除了連接至設計特徵之彼等輔助特徵(例如，襯線)以外，另一OPC技術亦涉及使用完全非相依且不可解析輔助特徵。此處之術語「非相依」意謂此等輔助特徵之邊緣未連接至設計特徵之邊緣。此等非相依輔助特徵不意欲或需要作為特徵印刷於基板上，而是實情為，意欲修改附近設計特徵之空中影像以增強彼設計特徵之可印刷性及程序容許度。此等輔助特徵(常常被稱作「散射長條」或「SBAR」)可包括：子解析度輔助 特徵(SRAF)，其為設計特徵之邊緣外部之特徵；及子解析度逆特徵(SRIF)，其為自設計特徵之邊緣內部取出之特徵。SBAR之存在將具有複雜度之又一層添加至光罩。散射長條之使用之簡單實例為：其中在經隔離線特徵之兩個側上拖曳不可解析散射長條之規則陣列，自空中影像之觀點，此情形具有使經隔離線呈現為更多地表示緻密線陣列內之單一線之效應，從而引起在焦點及曝光容許度方面更接近於緻密圖案之焦點及曝光容許度之程序窗。此經裝飾經隔離特徵與緻密圖案之間的共同程序窗相比於如在光罩位階處隔離而拖曳之特徵之情形將具有對焦點及曝光變化之更大的共同容許度。
OPC及全晶片RET驗證兩者可基於如(例如)美國專利申請案第10/815,573號及Y.Cao等人之名為「Optimized Hardware and Software For Fast,Full Chip Simulation」(Proc.SPIE，第5754卷，405(2005年))之論文中描述的數值模型化系統及方法。
一個RET係關於設計佈局之全域偏置之調整。全域偏置為設計佈局中之圖案與意欲印刷於基板上之圖案之間的差。舉例而言，具有25奈米直徑之圓形圖案可藉由設計佈局中之50奈米直徑圖案或藉由設計佈局中之20奈米直徑圖案但以高劑量而印刷於基板上。
除了對設計佈局或圖案化器件之最佳化(例如，OPC)以外，亦可與圖案化器件最佳化聯合地抑或分離地最佳化照明源，以致力於改良總微影保真度。術語「照明源」及「源」在此文件中可被互換地使用。自1990年代以來，已引入諸如環形、四極及偶極之許多離軸照明源，且該等離軸照明源已提供用於OPC設計之更多自由度，藉此改良成像結果。如吾人所知，離軸照明為用以解析圖案化器件中含有之精細結構(亦即，目標特徵)之被證實方式。然而，相比於傳統照明源，離軸照明源通常提供針對空中影像(aerial image,AI)之較小輻射強度。因此，變得需要嘗試最佳化照明源以在較精細解析度與縮減輻射 強度之間達成最佳平衡。
舉例而言，可在Rosenbluth等人之名為「Optimum Mask and Source Patterns to Print A Given Shape」(Journal of Microlithography,Microfabrication,Microsystems 1(1)，第13至20頁(2002年))之論文中找到眾多照明源最佳化途徑。將源分割成若干區，該等區中之每一者對應於光瞳光譜之某一區。接著，將源分佈假定為在每一源區中均一，且針對程序窗來最佳化每一區之亮度。然而，源分佈在每一源區中均一之此假定並不總是有效，且結果，此途徑之有效性受損。在Granik之名為「Source Optimization for Image Fidelity and Throughput」(Journal of Microlithography,Microfabrication,Microsystems 3(4)，第509至522頁(2004年))之論文中所闡述的另一實例中，綜述若干現有源最佳化途徑，且提出將源最佳化問題轉換成一系列非負最小平方最佳化的基於照明器像素之方法。儘管此等方法已示範一些成就，但其通常需要多次複雜反覆以進行收斂。另外，可難以判定用於一些額外參數(諸如，Granik方法中之γ)之適當/最佳值，此情形規定在最佳化用於基板影像保真度之源與該源之平滑度要求之間的取捨。
對於低k1光微影，源及圖案化器件兩者之最佳化有用於確保用於臨界電路圖案之投影的可行程序窗。一些演算法(例如，Socha等人之Proc.SPIE，第5853卷，2005年，第180頁)在空間頻域中將照明離散化成非相依源點且將光罩離散化成繞射階，且基於可藉由光學成像模型自源點強度及圖案化器件繞射階而預測之程序窗度量(諸如，曝光寬容度)來分離地公式化成本函數(其被定義為選定設計變數之函數)。如本文所使用之術語「設計變數」包含微影裝置之參數集，例如，微影裝置之使用者可調整之參數。應瞭解，微影投影程序之任何特性(包括源、圖案化器件、投影光學件之特性，及/或抗蝕劑特性)可在最 佳化中之設計變數當中。成本函數常常為設計變數之非線性函數。接著使用標準最佳化技術以最小化成本函數。
相關地，不斷地減低設計規則之壓力已驅使半導體晶片製造者在現有193奈米ArF微影的情況下更深入於低k1微影時代。朝向較低k1之微影施予對RET、曝光工具及針對微影親和設計之需要的大量需求。未來可使用1.35ArF超數值孔徑(NA)曝光工具。為了幫助確保電路設計可以可工作程序窗而產生至基板上，源-圖案化器件最佳化(在本文中被稱作源-光罩最佳化(source-mask optimization)或SMO)正變成用於2x奈米節點之顯著RET。
2009年11月20日申請且被公開為WO2010/059954之名為「Fast Freeform Source and Mask Co-Optimization Method」的共同讓渡之國際專利申請案第PCT/US2009/065359號中描述允許在無約束之情況下且在可實行之時間量內使用成本函數來同時地最佳化源及圖案化器件(設計佈局)的源及圖案化器件最佳化方法及系統，該專利申請案之全文係據此以引用方式併入。
2010年6月10日申請且被公開為美國專利申請公開案第2010/0315614號之名為「Source-Mask Optimization in Lithographic Apparatus」的共同讓渡之美國專利申請案第12/813456號中描述涉及藉由調整源之像素來最佳化源的另一源及圖案化器件最佳化方法及系統，該專利申請案之全文係據此以引用方式併入。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中之實施例之使用，但應明確理解，該等實施例具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於整合式光學系統之製造中、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，本文中對術語「比例光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別可與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標 部分」互換。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)，及極紫外線輻射(EUV，例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)。
如本文所使用之術語「最佳化」意謂調整圖案化程序或圖案化程序中涉及之裝置使得圖案化之結果及/或程序具有較理想特性，諸如，設計佈局在基板上之投影之較高準確度、較大程序窗等等。
另外，微影投影裝置可屬於具有兩個或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)之類型。在此等「多載物台」器件中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，以引用方式併入本文中之US 5,969,441中描述雙載物台微影裝置。
上文所提及之圖案化器件包含設計佈局。可利用電腦輔助設計(CAD)程式來產生設計佈局，此程序常常被稱作電子設計自動化(EDA)。大多數CAD程式遵循一設計規則集合，以便產生功能設計佈局/圖案化器件。藉由處理及設計限制來設定此等規則。舉例而言，設計規則定義電路器件(諸如，閘、電容器等等)或互連線之間的空間容許度，以便確保該等電路器件或線彼此不會以不理想方式相互作用。設計規則限制通常被稱作「臨界尺寸」(CD)。可將電路之臨界尺寸定義為線或孔之最小寬度，或兩個線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計電路之總大小及密度。積體電路製作中之目標中之一者係在基板上如實地再生原始電路設計(經由圖案化器件)。
如本文所使用之術語「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦 可用於此內容背景中。除了經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等等)以外，其他此等圖案化器件之實例亦包括：
- 可程式化鏡面陣列。此器件之一實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域使入射輻射反射作為繞射輻射，而未經定址區域使入射輻射反射作為非繞射輻射。在使用適當濾光器的情況下，可自反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，該光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適電子件來執行矩陣定址。可(例如)自以引用方式併入本文中之美國專利第5,296,891號及第5,523,193號搜集到關於此等鏡面陣列之更多資訊。
- 可程式化LCD陣列。以引用方式併入本文中之美國專利第5,229,872號中給出此構造之一實例。
作為簡要介紹，圖1A說明微影裝置。主要組件為：照明源12，其可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源之其他類型之源；照明光學件，其定義部分相干性(被表示為均方偏差)且可包括塑形來自源12之輻射之光學件14、16a及16b；圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)18；及透射光學件16c，其將圖案化器件圖案之影像投影至基板平面22上。投影光學件之光瞳平面處之可調整濾光器或孔徑20可限定照射於基板平面22上之光束角度之範圍，其中最大可能角度定義投影光學件之數值孔徑NA=sin(Θmax)。如本文所使用之術語「源」及「照明源」可包括照明光學件。舉例而言，圖1B展示包括源收集器模組2810及照明光學件2820之EUV照明源。在源收集器模組2810中，可由電漿產生EUV輻射。EUV輻射接著係由照明光學件2820塑形且導向至圖案化器件2840。圖案化器件2840與照明光學件2820之間的平面處之光瞳可被稱作照明光瞳。照明源之「形狀」係指照明光瞳處之強度及/或相位分佈。
在一系統之最佳化程序中，可將該系統之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化程序歸結為找到最小化成本函數的系統之參數(設計變數)集合的程序。成本函數可具有取決於最佳化之目標之任何合適形式。舉例而言，成本函數可為系統之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如，理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統之任何特性。歸因於系統之實施之實務性，系統之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影裝置之狀況下，約束常常係與硬體之物理屬性及特性(諸如，可調諧範圍，及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像上之實體點，以及諸如劑量及焦點之非物理特性。
在微影裝置中，源提供照明(亦即，輻射)；投影光學件經由圖案化器件而導向及塑形照明且將照明導向及塑形至基板上。此處，術語「投影光學件」被廣泛地定義為包括可變更輻射光束之波前的任何光學組件。舉例而言，投影光學件可包括組件14、16a、16b及16c中之至少一些。空中影像(AI)為基板上之輻射強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至該抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之空間溶解度分佈。可使用抗蝕劑模型以自空中影像演算抗蝕劑影像，可在揭示內容之全文據此以引用方式併入的共同讓渡之美國專利申請案第12/315,849號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型係僅關於抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、PEB及顯影期間發生之化學程序之效應)。微影裝置之光學屬性(例如，源、圖案化器件及投影光學件之屬性)規定空中影像。因為可改變用於微影裝置中之圖案化器件，所以需要使圖案化器件之光學屬性與至少包括源及投影光學件的微影裝置之其餘部分之光學屬性分離。
圖1C中說明用於模擬微影裝置中之微影的流程圖。源模型31表示源之光學特性(包括輻射強度分佈及/或相位分佈)。投影光學件模型32表示投影光學件之光學特性(包括由投影光學件造成的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。投影光學件模型32可包括由各種因素造成的像差，該等因素例如，投影光學件之組件之加熱，藉由投影光學件之組件之機械連接造成的應力。源模型31及投影光學件模型32可組合成透射交叉係數(TCC)模型。設計佈局模型33表示設計佈局之光學特性(包括由給定設計佈局造成的對輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)，該設計佈局為圖案化器件之特徵之配置的表示。可自源模型31、投影光學件模型32及設計佈局模型33模擬空中影像36。可使用抗蝕劑模型37而自空中影像36模擬抗蝕劑影像38。微影之模擬可(例如)預測抗蝕劑影像中之輪廓及CD。
更具體言之，應注意，源模型31可表示源之光學特性，該等光學特性包括但不限於NA-均方偏差(σ)設定，以及任何特定照明源形狀(例如，離軸輻射源，諸如，環形、四極及偶極等等)。投影光學件模型32可表示投影光學件之光學特性，該等光學特性包括像差、失真、折射率、實體大小、實體尺寸、吸收率，等等。設計佈局模型33亦可表示實體圖案化器件之實體屬性，如(例如)全文以引用方式併入之美國專利第7,587,704號中所描述。模擬之目標為準確地預測(例如)邊緣置放及CD，可接著比較該等邊緣置放及CD與預期設計。預期設計通常被定義為可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式而提供之預OPC設計佈局。
自此設計佈局，可識別被稱作「剪輯(clip)」之一或多個部分。在一特定實施例中，提取剪輯集合，其表示設計佈局中之複雜圖案(通常為約50個至1000個剪輯，但可使用任何數目個剪輯)。如熟習此項技術者應瞭解，此等圖案或剪輯表示設計之小部分(亦即，電路、 格胞(cell)或圖案)，且該等剪輯尤其表示需要特定關注及/或驗證之小部分。換言之，剪輯可為設計佈局之部分，或可相似或具有臨界特徵係藉由經驗而識別(包括由客戶提供之剪輯)、藉由試誤法而識別或藉由執行全晶片模擬而識別的設計佈局之部分的相似行為。剪輯通常含有一或多個測試圖案或量規圖案。
可由客戶基於設計佈局中需要特定影像最佳化之已知臨界特徵區域而先驗地提供初始較大剪輯集合。替代地，在另一實施例中，可藉由使用識別臨界特徵區域之某種自動化(諸如，機器視覺)或手動演算法而自整個設計佈局提取初始較大剪輯集合。
可(例如)在2010年10月28日申請之美國專利申請案第12/914,946號中找到最佳化方法之實例，該專利申請案之揭示內容之全文係據此以引用方式併入。
許多實體效應可不利於圖案化程序。一個此類效應為圖案位移誤差(PDE)，其亦被稱為圖案移位誤差。此誤差為圖案自其在經模擬或實際影像(例如，空中影像、抗蝕劑影像，及經蝕刻影像)中之預期部位之移位之量測。有時，圖案位移誤差係圖案非相依的，亦即，圖案化器件上之所有圖案之誤差相同。圖案非相依圖案位移誤差係(例如)藉由使圖案化器件或基板移位而相對容易地補償或校正。有時，圖案位移誤差係圖案相依的，此情形使得圖案位移誤差之補償或校正較困難。可由多種原因造成移位，諸如，歸因於加熱或機械力之圖案化器件之非均一失真。移位之原因亦可包括微影裝置之組態，諸如，圖案化器件上之圖案之有限高度(亦即，3-D效應)、圖案相依入射角或射出角、來自照明光瞳之不同位置之零繞射階之非均一強度，及投影光學件之失真或非遠心性。在某些微影裝置中，圖案化器件係反射的而非透射的。反射圖案化器件可在表面上具有吸收材料，該等吸收材料形成待轉印至基板之圖案。此等吸收材料可具有有限(不可忽略 的)高度。來自源之輻射在反射圖案化器件處之入射角可為非零。圖案化器件上之部位處之入射角可針對來自照明光瞳之不同部分處之輻射而不同。對於來自照明光瞳之同一部分之輻射在不同部位處之入射角可不同。與非零入射角組合之反射圖案化器件之另一結果為來自源之繞射階之強度不平衡。
另一此類效應係最佳焦點移位。術語「最佳焦點移位」意謂圖案化佈局上之一特徵之最佳焦點可不同於另一特徵之最佳焦點。
作為用以示範反射圖案化器件及非零入射角對圖案化程序之貢獻之一實例，圖2A示意性地展示照明反射圖案化器件2300之偶極照明光瞳2200的一實例。偶極照明光瞳2200具有兩個極2210及2220。來自一個極2210之輻射沿著路徑2211入射於圖案化器件2300上，且以零階沿著路徑2212繞射。來自另一極2220之輻射沿著路徑2221入射於圖案化器件2300上，且以零階沿著路徑2222繞射。來自兩個極之輻射之入射角在圖案化器件2300上之同一圖案2310處不同。圖2B展示圖案2310相對於極2210之陰影寬度2311。圖2C展示圖案2310相對於極2220之陰影寬度2312。由於針對此等極之不同入射角，而使陰影寬度2311大於陰影寬度2312。在陰影寬度內，入射輻射係由圖案2310吸收。結果，在投影光瞳2240處，極2210之零階繞射2215具有比極2220之零階繞射2225更低的強度(由波狀影線描繪)。零階繞射之間的此強度差可導致PDE。一階繞射之間的強度差可導致對比度損耗。
PDE、最佳焦點移位及對比度損耗可藉由縮減程序窗而不利地影響圖案化程序。程序窗可被定義為使圖案化程序「在規範中」--滿足多種準則(例如，產出率、缺陷之似然性，等等)的程序窗度量(例如，EL及DOF)之空間。可以傾斜柏桑曲線表明程序窗之縮減。柏桑曲線(亦被稱為柏桑標繪圖)展示在恆定劑量下一特定特徵之CD對焦點之相依性。傾斜柏桑曲線意謂曲線相對於焦點之值不對稱。
照明源之形狀(亦即，照明光瞳之強度及/或相位分佈)可用以補償PDE、對比度損耗及最佳焦點移位且藉此放大程序窗。圖3示意性地展示具有不平衡極3110及3120之偶極源3100的實例，其中極3110之強度大於極3120之強度。此不平衡性補償零階繞射之間的強度差，亦即，使零階繞射具有相同強度，且因此校正PDE。此不平衡性亦可補償由一階繞射之間的強度差造成的對比度損耗。
圖4A至圖4C示範：源影響PDE。如圖4A所展示，反射圖案化器件上之具有一設計特徵及兩個對稱輔助特徵的圖案化器件係用於此示範。圖4B展示使用對稱偶極源4910模擬的圖4A之圖案化器件之空中影像(實線)(其中假定圖案化器件上之吸收材料之厚度為零)，及在考量吸收材料之非零厚度之電磁效應的情況下模擬的圖4A之圖案化器件之空中影像(點線)。圖4C展示使用不對稱照明光瞳4920模擬的圖4A之圖案化器件之空中影像(實線)(其中假定圖案化器件上之吸收材料之厚度為零)，及在考量吸收材料之非零厚度之電磁效應的情況下模擬的圖4A之圖案化器件之空中影像(點線)。具有波狀影線之不對稱照明光瞳4920之區域具有比未加影線區域更低的強度。不對稱照明光瞳4920使設計特徵之空中影像非相依於是否考量圖案化器件上之吸收材料之厚度。
可在共同讓渡之美國專利申請案第61/955015號中找到用以最佳化源以縮減PDE之方法之實例，該專利申請案之全文係以引用方式併入。
輔助特徵可縮減對比度損耗但其可同時導致較高PDE及最佳焦點移位。根據一實施例，調整輔助特徵之位置、數目、形狀、透射、相位可保留該益處(例如，較小對比度損耗)且縮減其對PDE及最佳焦點移位之貢獻。圖5A、圖5B、圖5C及圖5D展示如由柏桑曲線表明的輔助特徵之效應。在使用模擬(其中考量吸收材料之非零厚度之電磁效應)(「嚴密模擬」)的情況下，獲得在不具有任何輔助特徵的情況下用 於設計特徵4410之柏桑曲線(如在圖5A中)且該等柏桑曲線基本上對稱(如圖5B中所展示)(作為垂直軸線之CD及作為水平軸線之焦點)，且獲得在具有輔助特徵4411及4412的情況下用於相同設計特徵4410之柏桑曲線(如在圖4C中)且該等柏桑曲線傾斜(如圖5D中所展示)(作為垂直軸線之CD及作為水平軸線之焦點)。已在理論上及實驗上兩種情況下觀測由輔助特徵對柏桑曲線之此效應。因此，最佳化源(如在照明光瞳中所表明)、輔助特徵或其兩者可為用以縮減藉由具有與反射圖案化器件相關聯之非零入射角造成的不利效應，藉此放大程序窗之有用工具。
圖5E展示輔助特徵對對比度損耗之效應。在圖5E中之畫面中之每一者中，實線為具有對稱輔助特徵之設計特徵(64奈米間距線)之空中影像；點線為不具有任何輔助特徵之相同設計特徵之空中影像。上部三個畫面展示在對稱偶極照明光瞳之照明下之空中影像。下部三個畫面展示在不對稱偶極照明光瞳之照明下之空中影像。輔助特徵之存在增加在多個散焦值下之NILS值。較高NILS值指示較低對比度損耗。
圖6A至圖6E說明柏桑曲線(其表明PDE及最佳焦點移位)之傾角之根本原因包括反射圖案化器件及圖案化器件上之輻射之非零入射角。圖6A展示：用於圖6B至圖6E中之演算的源為對稱偶極源。圖6B示意性地展示具有設計特徵5120及兩個對稱定位之輔助特徵5110的透射圖案化器件。圖6D示意性地展示具有設計特徵5220及兩個對稱定位之輔助特徵5210的反射圖案化器件。圖6C展示在假定圖6B之圖案化器件上之吸收材料5130之厚度為零的情況下模擬的圖6B之圖案化器件之空中影像(實線)，及在考量吸收材料5130之非零厚度之電磁效應的情況下模擬的圖6B之圖案化器件之空中影像(點線)。圖6C展示設計特徵5110之空中影像之位置保持相同，而不管在模擬中是否考量吸收材 料5130之非零厚度之電磁效應，亦即，不存在PDE。與此對比，圖6E展示在假定吸收材料5230之厚度為零的情況下模擬的圖6D之圖案化器件之空中影像(實線)，及在考量吸收材料5230之厚度的情況下模擬的圖6D之圖案化器件之空中影像(點線)。圖6E展示：設計特徵5220之空中影像之位置取決於在模擬中是否考量吸收材料5230之非零厚度之電磁效應。
圖7A至圖7D展示輔助特徵可影響柏桑曲線之對稱性，此係因為輔助特徵造成零繞射階與高繞射階之間的相移。藉由在假定圖案化器件上之吸收材料之厚度為零的情況下進行模擬而獲得圖7A中所展示的具有主特徵與兩個對稱輔助特徵之圖案在圖7B及圖7C中之柏桑曲線(作為垂直軸線之CD及作為水平軸線之焦點)。對於圖7B中之柏桑曲線之模擬係在零階繞射與高階繞射之間無相移的條件下進行。對於圖7C中之柏桑曲線之模擬係在零階繞射與高階繞射之間具有30度相移的條件下進行(該30度相移人工地添加至模擬)。圖7C之柏桑曲線極相似於圖5D之柏桑曲線(在零階繞射與一階繞射之間無相移的條件下在考量圖案化器件上之吸收材料之非零厚度之電磁效應的情況下模擬之柏桑曲線)。此相似性表明輔助特徵可影響柏桑曲線之對稱性的原因在於：輔助特徵造成零階繞射與高階繞射之間的相移。圖7D(作為垂直軸線之劑量及作為水平軸線之焦點)展示：圖7A之圖案之最佳焦點取決於柏桑曲線之傾角。
圖8(作為垂直軸線之劑量及作為水平軸線之焦點)展示：輔助特徵之形狀及位置影響柏桑曲線之傾角。使用對稱偶極源來模擬具有相同設計特徵及四個不同輔助特徵集合的四個圖案之柏桑曲線。該四個輔助特徵集合(自左至右)為：無輔助特徵、具有相同形狀之兩個對稱定位之輔助特徵、具有相同形狀之兩個不對稱定位之輔助特徵，及不對稱定位且具有不同形狀兩種情況之兩個輔助特徵。在此特定實例 中，不對稱定位且具有不同形狀兩種情況之輔助特徵引起最對稱柏桑曲線及最大且對稱定位之程序窗。
圖9A展示不對稱輔助特徵及不對稱源對柏桑曲線之組合之效應。分別使用對稱源(左側)及不對稱源(右側)來模擬一設計特徵與兩者不對稱地定位且具有不同形狀之兩個輔助特徵之柏桑曲線。不對稱源引起較大程序窗。圖9B展示不對稱輔助特徵對最佳焦點移位之效應。使用不對稱源及對稱輔助特徵(左側)及使用不對稱源及不對稱輔助特徵(右側)來模擬用於兩個不同圖案之最佳焦點(亦即，程序窗之中心)。不對稱輔助特徵引起較小最佳焦點移位(亦即，用於兩個不同圖案之程序窗之較多重疊)。
可用以影響柏桑曲線之傾角的輔助特徵之形狀不限於具有各種寬度之長條。圖10展示可合適之具有不同位置、形狀、數目、透射及相位的若干輔助特徵組態。舉例而言，輔助特徵未必為矩形。該等輔助特徵視需要可具有任何複合形狀。一個特定實例為所謂半色調輔助特徵，其基本上為具有有限寬度之點線(圖10中之最右側實例)。另一實例為相移輔助特徵。
迄今為止，本發明已展示：源、輔助特徵之形狀、輔助特徵之位置、輔助特徵之數目或選自前述各者之組合可用以影響柏桑曲線之傾角，亦即，影響PDE、對比度損耗、最佳焦點移位及程序窗。設計佈局最初可不包括輔助特徵，此係因為輔助特徵之位置及形狀可取決於待用以將該設計佈局成像之特定微影裝置及程序。可將輔助特徵添加至設計佈局中。可藉由規則集合而判定輔助特徵之初始位置及形狀。此等規則可基於許多因素而指定初始位置及形狀，該等因素諸如，設計佈局之特性、微影裝置及程序之特性，等等。一旦判定輔助特徵之初始位置及形狀，就可進一步調整或最佳化該等輔助特徵之初 始位置及形狀。
圖11A展示用於判定輔助特徵之特性(例如，形狀、數目、位置、透射、相位、至一對邊緣之相對位置、至一對邊緣之間的中心線之相對位置，或至設計佈局上之任何參考點之相對位置)之方法的流程圖。位置可為至設計特徵之相對位置(例如，至一對邊緣之一個邊緣之距離)。形狀可為輔助特徵之寬度。在選用步驟1160中，調整源，藉此縮減圖案移位、對比度損耗及/或柏桑曲線之傾角。在步驟1170中，使用一或多個規則來判定輔助特徵之特性或表示輔助特徵之資料結構之特性。在選用步驟1175中，可使用模型來調整表示輔助特徵之資料結構的輔助特徵之特性。舉例而言，可將輔助特徵與一或多個設計特徵、圖案化程序之一或多個參數(例如，焦點、劑量、光罩偏置)、微影裝置之一或多個參數或選自前述各者之組合共同最佳化。此以模型為基礎之調整可包括：模擬藉由設計及輔助特徵根據圖案化程序而產生之影像；及計算表示該影像之偏差之成本函數。在選用步驟1180中，將具有經判定特性之輔助特徵置放於圖案化器件上；或將表示輔助特徵之資料結構置放至表示設計佈局之一部分之資料結構中。圖案化器件可經組態或經製造為表示該表示輔助特徵的資料結構。可將輔助特徵置放於一對邊緣之間。輔助特徵可相對於該對邊緣不對稱(例如，具有不同寬度、不同至邊緣之距離、不同形狀、不同透射、不同相位，或選自前述各者之組合)。輔助特徵可經進一步調整以便符合可製造性之要求。舉例而言，可稍微縮短圖13中之輔助特徵1350、1360及1370。
圖11B展示用於圖11A之步驟1170之實施的流程圖。規則1240可使用許多參數來判定輔助特徵之特性1250。舉例而言，此等參數可包括設計佈局中之設計特徵之若干對邊緣之間隔1210、來自設計佈局之 設計特徵之若干對邊緣之定向1220，及可能其他參數1230，諸如，設計特徵之隙縫位置、設計特徵之大小、設計特徵之部位等等。舉例而言，規則1240可基於該對邊緣之間的間隔而判定輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的距離。設計特徵之「隙縫位置」意謂微影裝置之隙縫之位置，其中來自彼位置之光使設計特徵成像至基板。如本文所使用之術語「一對邊緣」意謂設計佈局中之設計特徵之邊緣之平行的兩個部分具有相同長度，且連接其且垂直於其之任何直線並不通過該設計佈局之任何設計特徵之任何其他邊緣。
圖11C展示用以闡明術語「一對邊緣」之實例。在圖11C中，展示四個設計特徵(實線框)。點線框1110及1120各自圍封一對邊緣。邊緣1130與邊緣1140並非一對邊緣，此係因為連接邊緣1130及1140且垂直於邊緣1130及1140的直線1150通過另一設計特徵。一對邊緣中之邊緣可沿著任何方向延伸。只要符合以上定義，一對邊緣中之邊緣可為具有相同設計特徵之邊緣。
表示輔助特徵之資料結構的輔助特徵之特性之遵循在步驟1170中之基於規則之判定的以模型為基礎之調整可相比於表示輔助特徵之資料結構的輔助特徵之特性之以全模型為基礎的判定而進一步改良圖案化程序，且在計算上較不昂貴。亦即，模型可採取步驟1170中之基於規則之判定之結果，且彼等結果應用至模型可達到表示輔助特徵之資料結構的輔助特徵之一或多個特性之調整(例如，位置、寬度或此兩者之調整)。另外或替代地，模型可採取步驟1170中之基於規則之判定之結果，且彼等結果應用至模型可達到圖案化程序之一或多個處理參數至較接近於處理參數之所要值的該處理參數之值之調整(其中一或多個輔助特徵之(例如)一或多個特性係供模型使用)。
舉例而言，可將基於規則之經判定輔助特徵與設計特徵中之一或多者、圖案化程序之一或多個參數(例如，焦點、劑量、光罩偏 置)、微影裝置之一或多個參數或選自前述各者之組合共同最佳化。作為另一實例，可將圖案化程序之一或多個參數(例如，焦點、劑量、光罩偏置等等)與基於規則之經判定輔助特徵、設計特徵中之一或多者、微影裝置之一或多個參數(例如，光罩偏置，其中經共同最佳化圖案化程序參數包含劑量、焦點等等)或選自前述各者之組合共同最佳化。此以模型為基礎之調整可包括：模擬藉由設計及輔助特徵運用圖案化程序而產生之影像；及計算表示(例如)該影像之偏差之成本函數。成本函數可集中於一個參數或參數之組合之最小化/最大化，諸如，劑量變化、焦點深度(例如，最大化)、MEEF(例如，最小化)、MEEF之範圍(例如，最小化)及/或邊緣置放誤差(EPE)。在一實例中，成本函數可具有一或多個損失，諸如，暗至亮轉變損失、照明源規範(例如，關於角度/空間強度分佈之極限等等)損失、不當圖案特徵印刷損失、不當輔助特徵印刷損失，及/或輔助特徵可製造性損失。舉例而言，成本函數可最小化藉由散焦、劑量及圖案化器件CD判定之程序變化頻帶內之EPE。
表1展示示範藉由此以額外模型為基礎之調整進行之改良的實例。如表1中之資料展示，步驟1175自如在步驟1170中判定的藉由輔助特徵獲得之MEEF及焦點深度縮減MEEF且增加焦點深度。
Figure TWI614567BD00001
MEEF或光罩誤差增強因數描述設計佈局上之圖案之改變與成像至基板上之對應圖案之改變之間的關係。可將MEEF數學上表達為
Figure TWI614567BD00002
，其中M為微影裝置之縮減比。
圖12展示規則1240之實例。可藉由將一對邊緣之間隔1210分格化(bin)成複數個分格1260-1、1260-2、......，1260-n中之一者而判定輔助特徵之特性。每一分格具有用於判定輔助特徵之特性之一分離規則。因此，根據分格化間隔之結果而判定特性1270-1、1270-2、......，1270-n。在一實例中，存在三個分格(0,HCS1]、(HCS1,HCS2]及(HCS2,∞)。若間隔1210屬於為(0,HCS1]之分格，則無輔助特徵待置放於設計佈局上；若間隔1210屬於為(HCS1,HCS2]之分格，則一個輔助特徵待置放於該對邊緣之間；若間隔1210屬於為(HCS2,∞)之分格，則兩個輔助特徵待置放於該對邊緣之間。HCS1及HCS2為兩個正值，且HCS2大於HCS1。分格化間隔1210僅僅為一項實例，且並非用以判定輔助特徵之特性之唯一方式。
圖13展示為了進一步闡明圖12中之實例之工作的三個設計特徵1310、1320及1330之實例。存在兩對邊緣。設計特徵1310之邊緣1310A與設計特徵1320之邊緣1320A構成一對。設計特徵1310之邊緣1310B與設計特徵1330之邊緣1330B構成另一對。該對邊緣1310A與1320A之間隔屬於為(HCS1,HCS2]之分格；該對邊緣1310B與1330B之間隔屬於為(HCS2,∞)之分格。因此，規則判定一個輔助特徵1350待置放於邊緣1310A與1320A之間，且兩個輔助特徵1360及1370待置放於邊緣1310B與1330B之間。
圖14A展示用於調整輔助特徵之特性(例如，形狀、數目、位置、透射、相位、至一對邊緣之相對位置、至一對邊緣之間的中心線之相對位置，或至設計佈局上之任何參考點之相對位置)之方法的流程圖。在選用步驟1460中，調整源，藉此縮減圖案移位、對比度損耗 及/或柏桑曲線之傾角。在選用步驟1470中，使用一或多個第一規則來判定輔助特徵之特性或表示輔助特徵之資料結構之特性。在步驟1480中，使用一或多個第二規則來調整輔助特徵之特性或表示輔助特徵之資料結構之特性。在選用步驟1485中，可使用模型來調整表示輔助特徵之資料結構的輔助特徵之特性。舉例而言，可將輔助特徵與設計特徵中之一或多者、圖案化程序之一或多個參數(例如，焦點、劑量、光罩偏置)、微影裝置之一或多個參數或選自前述各者之組合共同最佳化。此以模型為基礎之調整可包括：模擬藉由設計及輔助特徵運用圖案化程序而產生之影像；及計算表示該影像之偏差之成本函數。在選用步驟1490中，將具有經調整特性之輔助特徵置放於圖案化器件上；或將表示輔助特徵之資料結構置放至表示設計佈局之一部分之資料結構中。圖案化器件可經組態或經製造為表示該表示輔助特徵的資料結構。第一規則可判定輔助特徵之特性使得輔助特徵待對稱地置放於一對邊緣中。第二規則可調整輔助特徵以縮減傾斜柏桑曲線，此情形之結果可為：輔助特徵在一對邊緣中停止對稱。輔助特徵可相對於該對邊緣不對稱(例如，具有不同寬度、不同至邊緣之距離、不同形狀、不同透射、不同相位，或選自前述各者之組合)。輔助特徵可經進一步調整以便符合可製造性之要求。舉例而言，可稍微縮短圖16中之輔助特徵1650、1660及1670。
圖14B展示用於圖14A之步驟1480之實施的流程圖。第二規則1440可判定使用許多參數對輔助特徵之特性1450之調整1445。舉例而言，此等參數可包括設計佈局中之設計特徵之若干對邊緣之間隔1410、來自設計佈局之設計特徵之若干對邊緣之定向1420，及可能其他參數1430，諸如，設計特徵之隙縫位置、設計特徵之大小、設計特徵之部位等等。舉例而言，第二規則1440可基於該對邊緣之間的間隔而調整輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的距離。
圖15展示第二規則1440之實例。可藉由將一對邊緣之間隔1410分格化成複數個分格1560-1、1560-2、......，1560-n中之一者而判定輔助特徵之特性。每一分格具有用於判定對輔助特徵之特性之調整之一分離規則。因此，根據分格化間隔之結果而判定調整1570-1、1570-2、......，1570-n。在一實例中，存在三個分格(0,HCS1]、(HCS1,HCS2]及(HCS2,∞)。若間隔1410屬於為(0,HCS1]之分格，則調整沒有必要；若間隔1410屬於為(HCS1,HCS2]之分格，則一個輔助特徵待朝向該對之一個邊緣移位；若間隔1410屬於為(HCS2,∞)之分格，則兩個輔助特徵待相對於該對邊緣而非相依地移位。HCS1及HCS2為兩個正值，且HCS2大於HCS1。分格化間隔1410僅僅為一項實例，且並非用以判定輔助特徵之特性之唯一方式。
圖16展示為了進一步闡明圖15中之實例之工作的三個設計特徵1610、1620及1630之實例。存在兩對邊緣。設計特徵1610之邊緣1610A與設計特徵1620之邊緣1620A構成一對。設計特徵1610之邊緣1610B與設計特徵1630之邊緣1630B構成另一對。第一規則將單一輔助特徵1650對稱地置放於邊緣1610A與1620A之間(例如，與邊緣1610A及1620A相隔同等距離)，且將兩個輔助特徵1660及1670對稱地置放於邊緣1610B與1630B之間(例如，與邊緣1610B及1630B相隔同等距離)。該對邊緣1610A與1620A之間隔屬於為(HCS1,HCS2]之分格；該對邊緣1610B與1630B之間隔屬於為(HCS2,∞)之分格。因此，第二規則藉由使輔助特徵1650朝向設計特徵1610移位而調整輔助特徵1650，且藉由使輔助特徵1660及1670兩者朝向設計特徵1610移位但移位達不同量而調整輔助特徵1660及1670。在調整之後，輔助特徵1650、1660及1670不再被對稱地定位。
圖17展示設計佈局之實例剪輯。圖18之方框須圖示範圖11A、圖11B及圖12中所描述之方法之效應。具體言之，圖18展示圖17之剪輯 之最佳焦點移位之分佈。行A展示在無任何輔助特徵置放於圖17之剪輯上的情況下之分佈。行B展示在對稱輔助特徵置放於圖17之剪輯上的情況下之分佈。行C展示在輔助特徵根據圖11A、圖11B及圖12中所描述之方法而置放於圖17之剪輯上的情況下之分佈。垂直軸線為以奈米為單位之最佳焦點移位。每一行中之長條為圖17之剪輯中之設計特徵當中的最佳焦點移位之最大值及最小值。每一行中之方框展示圖17之剪輯中之設計特徵之最佳焦點移位之值的標準偏差。每一行中之方框中之線展示圖17之剪輯中之設計特徵之最佳焦點移位值的中值。圖11A、圖11B及圖12中所描述之方法導致如由最小第一至第三四分位數範圍表明的最佳結果。
如本文所描述之規則可經組織至資料庫或台中。舉例而言，該等規則可判定在一參數(例如，設計特徵之隙縫位置)之複數個離散值下之輔助特徵之特性之值。若該參數之實際值並非確切為此等離散值中之一者，則可藉由內插或外插而獲得輔助特徵之特性。
圖19為說明可輔助實施本文所揭示之最佳化方法及流程之電腦系統100的方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之一處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如，隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106亦可用於在待由處理器104執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件110，且儲存器件110耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。
電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用於向電腦使用者顯示 資訊之顯示器112，諸如，陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，其允許該器件指定在一平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
根據一項實施例，可由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中含有之一或多個指令之一或多個序列而執行最佳化程序之部分。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如，儲存器件110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中含有之指令序列之執行使處理器104執行本文所描述之程序步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體106中含有之指令序列。在替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路。因此，實施例不限於硬體電路及軟體之任何特定組合。
如本文所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括(但不限於)非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如，儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如，主記憶體106。揮發性及非揮發性媒體可被認為非暫時性媒體。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，其包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如，在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括(例如)軟碟、可撓性碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任 何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體106擷取並執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在供處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。
電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦接，網路鏈路120連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。
網路鏈路120通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122而向主機電腦124或向由網際網路服務業者(ISP)126操作之資料設備提供連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」)128而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128兩者皆使用攜載數 位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的載波之形式。
電腦系統100可經由該(該等)網路、網路鏈路120及通信介面118而發送訊息且接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之所請求程式碼。根據一或多個實施例，一個此類經下載應用程式提供(例如)實施例之照明最佳化。所接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波之形式的應用程式碼。
圖20示意性地描繪可利用本文所描述之方法而最佳化照明源的另一微影裝置1000。
該微影裝置1000包括：- 源收集器模組SO；- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包 含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置1000屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以光罩可具有包含(例如)鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一項實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生更小波長。因為大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，所以圖案化器件構形(topography)上之經圖案化吸收材料薄片段(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。
參看圖20，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖20中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通 常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置1000可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分 C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
圖21更詳細地展示裝置1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)來產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射係經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中為吾人所知，本文進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室211可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240被反射以沿著由點虛線「O」指示之光軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間 焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。
比所展示元件多之元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖21所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如圖21所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)予以使用。
替代地，源收集器模組SO可為如圖22所展示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
本文所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生具有愈來愈小之大小之 波長的新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括極紫外線(EUV)微影，其能夠藉由使用ArF雷射來產生193奈米之波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157奈米之波長。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體抑或電漿)而產生在20奈米至5奈米之範圍內之波長，以便產生在此範圍內之光子。
雖然本文所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之成像，但應理解，所揭示概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在除了矽晶圓以外之基板上之成像之微影成像系統。
根據一實施例，一種用以改良用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上的一圖案化程序之電腦實施方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及其一組合；視情況使用該一或多個規則來判定該一或多個輔助特徵之該一或多個特性；其中該一或多個參數視情況包含一對邊緣之間的一間隔，且其中該一或多個規則經組態以針對該對邊緣之間的空間值之一範圍而產生該輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的一預定義距離，以獲得該輔助特徵在該兩個邊緣之間之一不對稱配置；將該一或多個輔助特徵置放至該圖案化器件上。
根據一實施例，一種用以改良用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上的一圖案化程序之電腦實施方法包含：獲得適用於表示該設計佈局之該部分的一資料結構之一或多個規則，該一或多個規則經組態以基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定表示一或多個輔助特徵之一另外資料結構之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵、該圖案化程序之一或多個特性、 該微影裝置之一或多個特性，及其一組合；使用該一或多個規則來判定表示該一或多個輔助特徵之該另外資料結構之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含表示該設計佈局之該部分的該資料結構中之一對邊緣之間的一間隔，且其中該一或多個規則經組態以針對該對邊緣之間的空間值之一範圍而產生該輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的一預定義距離，以獲得該輔助特徵在該兩個邊緣之間的一不對稱配置；將表示該一或多個輔助特徵之該另外資料結構置放至表示該設計佈局之該部分之該資料結構上。
根據一實施例，一種用以改良用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上的一圖案化程序之電腦實施方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；使用該一或多個規則來判定該一或多個輔助特徵之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含一對面對邊緣之間的一間隔；將該一或多個輔助特徵置放至該設計佈局上；其中該一或多個輔助特徵相對於該對面對邊緣不對稱。
根據一實施例，一種用以改良用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分(該部分包含一或多個輔助特徵)成像至一基板上的一圖案化程序之電腦實施方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而調整該等輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；使用該一或多個規則來調整該等輔助特徵之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含一對面對邊緣之間的一 間隔；將該一或多個輔助特徵置放至該設計佈局上；其中該一或多個輔助特徵相對於該對面對邊緣不對稱。
根據一實施例，一種用以改良用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上的一圖案化程序之電腦實施方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；使用該一或多個規則來判定該一或多個輔助特徵之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含一對面對邊緣之間的一間隔；將該一或多個輔助特徵置放至該設計佈局上；其中該一或多個輔助特徵縮減該部分之柏桑曲線之傾角。
根據一實施例，一種用以改良用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分(該部分包含一或多個輔助特徵)成像至一基板上的一圖案化程序之電腦實施方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而調整該等輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；使用該一或多個規則來調整該等輔助特徵之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含一對面對邊緣之間的一間隔；將該一或多個輔助特徵置放至該設計佈局上；其中該一或多個輔助特徵縮減該部分之柏桑曲線之傾角。
根據一實施例，該方法可進一步包含運用於一圖案化器件上之該一或多個輔助特徵來表示該設計佈局。
根據一實施例，一種電腦程式產品可包含一非暫時性電腦可讀媒體，該非暫時性電腦可讀媒體具有其上經記錄有該一或多個輔助特 徵之該設計佈局。
可在以下條項中概述本發明：
1.一種用以改良一圖案化程序之電腦實施方法，該圖案化程序用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上，該方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則經組態以基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；使用該一或多個規則基於該一或多個設計特徵之一對邊緣之間的一間隔來判定該一或多個輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的一距離，使得該一或多個輔助特徵相對於該對邊緣不對稱；及將該一或多個輔助特徵置放至一圖案化器件上。
2.如條項1之方法，其中該一或多個規則經組態以藉由分格化該間隔而判定該一或多個輔助特徵之該一或多個特性。
3.如條項1之方法，其進一步包含使用該一或多個規則來判定該一或多個輔助特徵之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含該間隔。
4.一種用以改良一圖案化程序之電腦實施方法，該圖案化程序用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上，該部分包含一或多個輔助特徵，該方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則經組態以基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而調整該等輔助特徵之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者 之一組合；使用該一或多個規則基於該一或多個設計特徵之一對邊緣之間的一間隔來調整該一或多個輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的一距離，使得該一或多個輔助特徵相對於該對邊緣不對稱；將該一或多個輔助特徵置放至一圖案化器件上。
5.如條項4之方法，其中該一或多個規則經組態以藉由分格化該間隔而調整該一或多個輔助特徵之該一或多個特性。
6.如條項4之方法，其進一步包含使用該一或多個規則來調整該一或多個輔助特徵之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含該間隔。
7.一種用以改良一圖案化程序之電腦實施方法，該圖案化程序用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上，該方法包含：獲得適用於表示該設計佈局之該部分之一資料結構之一或多個規則，該一或多個規則經組態以基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定表示一或多個輔助特徵的一另外資料結構之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；使用該一或多個規則基於該一或多個設計特徵之一對邊緣之間的一間隔來判定該一或多個輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的一距離，使得該一或多個輔助特徵相對於該對邊緣不對稱；將表示該一或多個輔助特徵之該另外資料結構置放至表示該設計佈局之該部分之該資料結構中。
8.如條項7之方法，其進一步包含使用該一或多個規則來判定表示該一或多個輔助特徵之該另外資料結構之該一或多個特性；其中 該一或多個參數包含該間隔。
9.一種用以改良一圖案化程序之電腦實施方法，該圖案化程序用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上，該方法包含：獲得適用於表示該設計佈局之該部分之一資料結構之一或多個規則，該一或多個規則經組態以基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而調整表示一或多個輔助特徵的一另外資料結構之一或多個特性：該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；使用該一或多個規則基於該一或多個設計特徵之一對邊緣之間的一間隔來調整該一或多個輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的一距離，使得該一或多個輔助特徵相對於該對邊緣不對稱；將表示該一或多個輔助特徵之該另外資料結構置放至表示該設計佈局之該部分之該資料結構中。
10.如條項9之方法，其進一步包含使用該一或多個規則來調整表示該一或多個輔助特徵之該另外資料結構之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含該間隔。
11.如條項7至10中任一項之方法，其進一步包含組態或製造表示該表示該一或多個輔助特徵的另外資料結構之一圖案化器件。
12.如條項1至11中任一項之方法，其中該等輔助特徵之該等特性係選自由該等輔助特徵之數目、該等輔助特徵之位置、該等輔助特徵之形狀、該等輔助特徵之透射、該等輔助特徵之相位、至該設計佈局上之一參考點之相對位置及其一組合組成的一群組。
13.如條項1至12中任一項之方法，其中該一或多個參數包含一對邊緣之一定向、一設計特徵之一隙縫位置、一設計特徵之一大小及 一設計特徵之一部位中之一或多者。
14.如條項1至13中任一項之方法，其進一步包含藉由調整該微影裝置之一照明源之一或多個特性而縮減圖案位移誤差、對比度損耗、最佳焦點移位、該部分之一柏桑曲線之傾角，或選自該前述各者之一組合。
15.如條項1至14中任一項之方法，其中置放該一或多個輔助特徵會縮減圖案位移誤差、對比度損耗、最佳焦點移位、該部分之一柏桑曲線之傾角，或選自該前述各者之一組合。
16.如條項14至15中任一項之方法，其中該一或多個圖案位移誤差係圖案相依的。
17.如條項14之方法，其中調整一照明源之一或多個特性會改變該照明源之一對稱性、該照明源之全部或一部分之一強度，或此兩者。
18.如條項1至17中任一項之方法，其中該微影裝置包含投影光學件，該等投影光學件包含一或多個反射光學組件。
19.如條項1至18中任一項之方法，其中該圖案化程序使用極紫外線輻射以用於將該設計佈局之該部分成像至該基板上。
20.如條項1至19中任一項之方法，其中該微影裝置包含非遠心光學件。
21.如條項1至20中任一項之方法，其中該設計佈局之該部分包含選自如下各者中之一或多者：一整個設計佈局、一剪輯、已知為具有一臨界特徵的一設計佈局之一區段，及/或一臨界特徵已藉由一圖案選擇方法予以識別的該設計佈局之一區段。
22.如條項1至21中任一項之方法，其中該一或多個輔助特徵包含一半色調輔助特徵、一相移輔助特徵，或此兩者。
23.如條項3之方法，其中使用該一或多個規則來判定該一或多 個輔助特徵之該一或多個特性包含內插或外插。
24.如條項6之方法，其中使用該一或多個規則來調整該一或多個輔助特徵之該一或多個特性包含內插或外插。
25.如條項1或3之方法，其中該一或多個輔助特徵置放於該對邊緣之間。
26.如條項1至25中任一項之方法，其進一步包含調整該一或多個輔助特徵以便符合可製造性之一要求。
27.如條項1至26中任一項之方法，其進一步包含使用一模型來調整一或多個輔助特徵或該另外資料結構之一或多個特性。
28.如條項27之方法，其中使用一模型來調整一或多個輔助特徵或該另外資料結構之一或多個特性包含將該一或多個輔助特徵與該等設計特徵中之一或多者、該圖案化程序之一或多個參數、該微影裝置之一或多個參數或選自該前述各者之一組合共同最佳化。
29.如條項1至28中任一項之方法，其進一步包含使用一模型來將該圖案化程序之一或多個處理參數調整至較接近於一所要值的一值。
30.如條項29之方法，其進一步包含使用藉由該一或多個規則而判定的一或多個輔助特徵或該另外資料結構之基於該模型之一或多個特性。
31.一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如以上條項中任一項之方法。
32.一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有一或多個規則之一非暫時性電腦可讀媒體，其中該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：一設計佈局之一部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、一 圖案化程序之一或多個特性、一微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；其中該一或多個輔助特徵相對於該一或多個設計特徵之一對邊緣不對稱。
33.一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有一或多個規則之一非暫時性電腦可讀媒體，其中該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而調整一或多個輔助特徵之一或多個特性：一設計佈局之一部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、一圖案化程序之一或多個特性、一微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；其中該一或多個輔助特徵相對於該一或多個設計特徵之一對邊緣不對稱。
34.一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：一設計佈局之一部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、一圖案化程序之一或多個特性、一微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；其中該一或多個輔助特徵相對於該一或多個設計特徵之一對邊緣不對稱。
35.一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而調整一或多個輔助特徵之一或多個特性：一設計佈局之一部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、一圖案化程序之一或多個特性、一微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；其中該一或多個輔助特徵相對於該一或多個設計特徵之一對邊緣不對稱。
可以任何方便形式來實施本發明之態樣。舉例而言，一實施例可由一或多個適當電腦程式實施，該一或多個適當電腦程式可攜載於 可為有形載體媒體(例如，磁碟)或無形載體媒體(例如，通信信號)之適當載體媒體上。可使用可特定地採取可程式化電腦之形式的合適裝置來實施本發明之實施例，該可程式化電腦執行經配置以實施如本文所描述之方法之電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之實施例進行修改。

Claims (14)

  1. 一種用以改良一圖案化程序之電腦實施方法，該圖案化程序用於使用一微影裝置而將一設計佈局之一部分成像至一基板上，該方法包含：獲得一或多個規則，該一或多個規則經組態以基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：該設計佈局之該部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、該圖案化程序之一或多個特性、該微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；使用該一或多個規則基於該一或多個設計特徵之一對邊緣之間的一間隔來判定該一或多個輔助特徵與該對邊緣中之一者之間的一距離，使得該一或多個輔助特徵相對於該對邊緣不對稱；及將該一或多個輔助特徵置放至一圖案化器件上，其中置放該一或多個輔助特徵會縮減圖案位移誤差、對比度損耗、最佳焦點移位、該設計佈局之該部分之一柏桑曲線之傾角，或選自該前述各者之一組合。
  2. 如請求項1之方法，其中該一或多個規則經組態以藉由分格化該間隔而判定該一或多個輔助特徵之該一或多個特性。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含使用該一或多個規則來判定該一或多個輔助特徵之該一或多個特性；其中該一或多個參數包含該間隔。
  4. 如請求項1之方法，其中該等輔助特徵之該等特性係選自由該等輔助特徵之數目、該等輔助特徵之位置、該等輔助特徵之形狀、該等輔助特徵之透射、該等輔助特徵之相位、至該設計佈 局上之一參考點之相對位置及其一組合組成的一群組。
  5. 如請求項1之方法，其中該一或多個參數包含一對邊緣之一定向、一設計特徵之一隙縫位置、一設計特徵之一大小及一設計特徵之一部位中之一或多者。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包含藉由調整該微影裝置之一照明源之一或多個特性而縮減圖案位移誤差、對比度損耗、最佳焦點移位、該設計佈局之該部分之一柏桑(Bossung)曲線之傾角，或選自該前述各者之一組合。
  7. 如請求項6之方法，其中調整一照明源之一或多個特性會改變該照明源之一對稱性、該照明源之全部或一部分之一強度，或此兩者。
  8. 如請求項1之方法，其中該微影裝置包含投影光學件，該等投影光學件包含一或多個反射光學組件。
  9. 如請求項1之方法，其中該微影裝置包含非遠心光學件。
  10. 如請求項1之方法，其中該設計佈局之該部分包含選自如下各者中之一或多者：一整個設計佈局、一剪輯、已知為具有一臨界特徵的一設計佈局之一區段，及/或一臨界特徵已藉由一圖案選擇方法予以識別的該設計佈局之一區段。
  11. 如請求項1之方法，其中該一或多個輔助特徵置放於該對邊緣之間。
  12. 如請求項1之方法，其進一步包含使用一模型來調整一或多個輔助特徵或另外資料結構之一或多個特性。
  13. 如請求項12之方法，其中使用一模型來調整一或多個輔助特徵或該另外資料結構之一或多個特性包含：將該一或多個輔助特徵與該等設計特徵中之一或多者、該圖案化程序之一或多個參數、該微影裝置之一或多個參數或選自該前述各者之一組合共 同最佳化。
  14. 一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有一或多個規則之一非暫時性電腦可讀媒體，其中該一或多個規則基於選自由如下各者組成之一群組之一或多個參數而判定一或多個輔助特徵之一或多個特性：一設計佈局之一部分中之一或多個設計特徵之一或多個特性、一圖案化程序之一或多個特性、一微影裝置之一或多個特性，及/或選自該前述各者之一組合；其中該一或多個輔助特徵相對於該一或多個設計特徵之一對邊緣不對稱，及其中置放該一或多個輔助特徵會縮減圖案位移誤差、對比度損耗、最佳焦點移位、該設計佈局之該部分之一柏桑曲線之傾角，或選自該前述各者之一組合。
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