TW201741494A - 半導體處理室狹縫閥開口之清洗設備 - Google Patents

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Abstract

提供一種半導體處理室，且該半導體處理室可包含延伸穿過腔室壁並具有定義一開口之內通道表面的晶圓轉移通道、包含定義插入件開口之插入件內表面的插入件、及氣體入口。晶圓轉移通道的第一凹面至少部分地圍繞內通道表面延伸，且從該內通道表面向外偏移，第一插入件外表面至少部分地圍繞該插入件內表面延伸，且從該插入件內表面向外偏移，且第一壁表面延伸於內通道表面與第一凹面之間，至少部分地定義流體連接至氣體入口的氣體分佈通路，第一凹面與第一插入件外表面隔開第一距離，且插入件正面面向第一壁表面並與該第一壁表面隔開第一間隙距離。

Description

半導體處理室狹縫閥開口之清洗設備
本揭露內容相關於半導體處理室及套組，更特別地相關於半導體處理室狹縫閥開口之清洗設備。
一些半導體處理工具透過從處理室外側區域延伸穿過處理室壁至處理室內部之通道移動晶圓進出該處理室。如此之通道在該通道的一端可具有閘閥(亦即，狹縫閥)，可開放該閘閥，以容許晶圓穿過通道，且該閘閥可關閉及/或密封(例如，壓力或流體密封)通道，使得處理室的內部與處理室外側區域隔離。
在一實施例中可提供半導體處理室。該半導體處理室可包含用於半導體處理的內部容積、至少部分地界定該半導體處理室外側與該內部容積之界線的腔室壁、及氣體入口。半導體處理室亦可包含晶圓轉移通道，該晶圓轉移通道從半導體處理室外側沿第一軸延伸穿過腔室壁至內部容積，並具有定義開口(該開口具有垂直於第一軸之實質上矩形的第一橫剖面)的內通道表面、(沿第一軸審視時)至少部分地圍繞該內通道表面延伸並自該內通道表面向外偏移的第一凹面、以及延伸於該內通道表面及該第一凹面之間的第一壁表面。半導體處理室亦可包含插入件，該插入件包含定義插入件開口(該插入件開口具有垂直於第一軸之實質上矩形的第二橫剖面)的插入件內表面、(沿第一軸審視時)至少部分地圍繞該插入件內表面延伸並自該插入件內表面向外偏移的第一插入件外表面、以及面向第一壁表面的插入件正面。第一凹面、第一插入件外表面、及第一壁表面可至少部分地定義氣體分佈通路，該氣體分佈通路可流體連接至氣體入口，第一凹面可與第一插入件外表面隔開第一距離，且插入件正面可與第一壁表面隔開第一間隙距離。
在一如此之實施例中，插入件可更包含第二插入件外表面，當沿第一軸審視時，該第二插入件外表面至少部分地圍繞第一插入件外表面延伸，且自該第一插入件外表面向外偏移。
在進一步如此的實施例中，第二插入件外表面可接近第一凹面。
在一進一步如此的實施例中，插入件可更包含第二壁表面，其延伸於第二插入件外表面與第一插入件外表面之間，且氣體分佈通路可至少部分地藉由第二壁表面進一步定義。
在一些進一步如此的實施例中，晶圓轉移通道可更包含第二凹面，沿第一軸審視時，該第二凹面圍繞內通道表面延伸，且自第一凹面向內偏移，晶圓轉移通道可更包含第三壁表面，其延伸於第二凹面及第一凹面之間，且氣體分佈通路可至少部分地藉由該第三壁表面進一步定義。
在一如此的實施例中，晶圓轉移通道可更包含沿第一軸審視時，圍繞內通道表面延伸且自第一凹面向內偏移的第二凹面。
在進一步如此的實施例中，第一插入件外表面可接近第二凹面。
在進一步如此的實施例中，晶圓轉移通道可更包含延伸於第二凹面及第一凹面之間的第三壁表面，且氣體分佈通路可至少部分地藉由第三壁表面進一步定義。
在一如此的實施例中，氣體分佈通路可沿著至少部分圍繞插入件內表面延伸的第一路徑， 且可具有垂直於第一路徑的第三橫剖面。
在進一步如此的實施例中，第一路徑可完全圍繞插入件內表面延伸。
在進一步如此的實施例中，第三橫剖面沿第一路徑可維持實質上恆定。
在進一步如此的實施例中，第三橫剖面可沿第一路徑改變。
在進一步如此的實施例中，第一路徑可具有第一點及第二點，使得沿第一路徑，該第一點比該第二點更接近氣體入口，且第三橫剖面在該第二點處可比在該第一點處更大。
在一些實施例中，插入件可由二或更多部件構成，該二或更多部件當組合時共同形成插入件內表面、第一插入件外表面、及插入件正面。
在一些實施例中，第一凹面可完全圍繞內通道表面延伸。
在一些實施例中，第一插入件外表面可完全圍繞插入件內表面延伸。
在一如此的實施例中，插入件可包含接觸第一壁表面以使插入件正面與第一壁表面隔開第一間隙距離的一或更多間隔件。
在進一步如此的實施例中，該一或更多間隔件可自插入件正面延伸。
在一些實施例中，插入件正面可實質上平行於第一壁表面。
在一些實施例中，插入件正面相關於第一壁表面可夾一斜角。
在一些實施例中，第一橫剖面在尺寸及形狀上可實質上等於第二橫剖面。
在一些實施例中，內通道表面可與插入件內表面對準。
在一實施例中可提供一套組。該套組可包含a) 半導體處理室，其包含：內部容積，其用於半導體處理；腔室壁，其至少部分地界定半導體處理室外側與內部容積的界線；晶圓轉移通道，其從半導體處理室外側沿第一軸延伸穿過腔室壁至內部容積，並具有定義開口(該開口具有垂直於第一軸之實質上矩形的第一橫剖面)的內通道表面、(沿第一軸審視時)至少部分地圍繞內通道表面延伸並自該內通道表面向外偏移的第一凹面、以及延伸於內通道表面及第一凹面之間的第一壁表面；以及氣體入口，其係流體連接至第一凹面。該套組亦可包含b) 插入件，該插入件包含定義插入件開口(該插入件開口具有垂直於第一軸之實質上矩形的第二橫剖面)的插入件內表面、(沿第一軸審視時)至少部分地圍繞插入件內表面延伸並自該插入件內表面向外偏移的第一插入件外表面、以及插入件正面。插入件的至少一部分係配置成插入於晶圓轉移通道中，腔室壁係配置成具有插入晶圓轉移通道之該插入件的至少一部分。當插入件的至少一部分安裝於晶圓轉移通道中時，第一凹面、第一插入件外表面、及第一壁表面至少部分地定義氣體分佈通路，該氣體分佈通路係流體連接至氣體入口，第一凹面與第一插入件外表面隔開第一距離，且插入件正面與第一壁表面隔開第一間隙距離。
在以下描述內容中，提出許多特定的細節，以提供對所呈現之概念的透徹理解。所呈現之概念可在沒有該等特定細節之一些或全部者的情況下實施。在其他情形中，已熟知的操作未作詳細描述，以免不必要地模糊所述之概念。儘管一些概念將結合特定的實施例加以描述，但吾人將理解，該等實施例不意圖為限制性。
有許多概念及實施例在本文中加以描述及說明。儘管本文中所討論之實施例的某些特徵、屬性、及優勢已加以描述及說明，但應理解，本揭露內容之許多其他的、及不同及/或類似的實施例、特徵、屬性、及優勢係由描述及說明內容而明白。由此，以下實施例僅為例示性。它們不意圖為詳盡無遺的，且不意圖將本揭露內容限制於所揭露之確切形式、技術、材料、及/或配置。就本揭露內容而言，許多修正及變化係可能的。應理解，在不背離本揭露內容之範疇的情形下，可利用其它實施例且可作出操作性改變。由此，因為以下實施例的描述內容已針對說明及描述的目的而呈現，所以本揭露內容的範疇並不是唯一地受限於以下描述內容。
本揭露內容既不受限於任何單一的實施態樣或實施例，亦不受限於如此實施態樣及/或實施例的任何單一的組合及/或置換。再者，本揭露內容之實施態樣及/或其實施例的每一者可單獨使用，或結合本揭露內容之其他實施態樣及/或實施例的一或更多者使用。為簡潔起見，該等置換及組合的許多者將不在本文中單獨地進行討論及/或說明。
本文中揭露用以保護半導體處理室之閘閥(或狹縫閥，本文中統稱為閘閥)免於處理室之不利影響(例如，半導體處理所涉及之製程化學) 的實施例、實施方式、方法、技術、及設備。
許多半導體處理工具(以下稱「工具」) 使用晶圓上的一或更多類型的處理(例如，包含原子層沉積、保形膜沉積、及化學氣相沉積的沉積技術，以及例如原子層蝕刻的蝕刻技術)、利用一或更多處理室來處理半導體晶圓或基板(以下稱「晶圓」)。如此之晶圓處理典型地涉及以下者的引入及使用：惰性液體及/或蒸汽；揮發性液體、蒸汽、及/或化合物；輻射；及/或處理室內的電漿。所有這些項目可集體視為「製程化學」。在晶圓處期間產生的顆粒或碎屑亦可能出現於處理室中。一些晶圓處理亦可發生於包含大氣及低壓環境的諸多壓力下、及包含高溫的不同溫度下。
許多工具透過延伸穿過處理室壁的晶圓轉移通道(以下稱為「通道」或「晶圓轉移通道」二者) 轉移晶圓進出處理室。閘閥可設置於腔室外側之該晶圓轉移通道的一端處，且如此之閘閥可開放及關閉，以容許晶圓往返處理室時穿過晶圓轉移通道。閘閥亦可密封處理室免受處理室外側環境影響，以防止製程化學透過通道離開處理室，並使處理室能夠進行降壓及加壓。
圖1描繪例示性處理室的等視角圖。如可見，例示性處理室100包含四個晶圓處理站102(為簡化起見，僅標示並圈起一個)、腔室壁104、及內部容積106。處理室100係顯示成沒有頂部或蓋子，以提供處理室100內部的視圖。每一處理站102係表示為處理室100之底部中的凹洞。例如基座、噴淋頭、冷卻及/或電導管之典型包含於處理室中的許多零件未在本文中顯示。可見腔室壁104圍繞內部容積106延伸，並包圍內部容積106，該內部容積106大致上係在虛雙點線內。腔室壁104的外表面亦部分地界定處理室100之外側的界線，且腔室壁104的內表面亦部分地界定內部容積106的界線。內部容積106係半導體處理發生之處。例示性處理室100亦包含大致上描繪於點線以內的晶圓轉移通道108。晶圓轉移通道108包含在處理室100外側之腔室壁104中以陰影顯示的開口110，且該晶圓轉移通道108從開口110沿第一軸112延伸穿過腔室壁104至內部容積106。閘閥(未描繪)可在腔室壁104的前板114上附接至處理室100。前板114可視為腔室壁104的一部分，即使其係藉由固定於處理室100的單獨元件而設置亦然。
圖2至5描繪穿過圖1之例示性處理室之晶圓轉移通道的晶圓。如可見，晶圓116可穿過晶圓轉移通道108，包含穿過開口110及進入內部容積(未標示；為了簡潔的目的，晶圓轉移通道及開口僅在圖2上標示)。晶圓亦可藉由穿過晶圓轉移通道108而離開內部容積。許多工具使用自動機械手臂(其在圖2至5中未描繪)來轉移晶圓通過晶圓轉移通道108。開口110及晶圓轉移通道108可配置成容許晶圓及自動機械手臂穿過晶圓轉移通道108。
本發明人已發現，閘閥可能被製程化學(例如，如以上所討論之用於晶圓處理的化學物)不利地影響。例如，閘閥的一些部件(如橡膠密封件)可能被如此之製程化學損傷及/或損壞，從而需要維護及/或更換，而這可能增加成本、增加處理室的停機時間、增加勞動力、以及降低晶圓產量。製程化學亦可能在閘閥的部位(如內表面)上導致化學物質的凝結(如材料的沉積)，這可能降低閘閥的功能性及有效性，且這可能導致閘閥的不適當操作及/或不良密封。該等不利的凝結效應亦可能需要維護及更換，這可能再次增加成本、增加處理室的停機時間、增加勞動力、以及降低晶圓產量。
防止製程化學影響閘閥的目前技術係在處理室壁(亦即，開口的外側)及閘閥之間設置清洗氣體延伸部。該等清洗氣體延伸部的一些者係配置成透過清洗氣體延伸部中的孔口(例如，孔洞)將清洗氣體供應並分佈至晶圓轉移通道中。如此引入清洗氣體可能在製程化學及閘閥之間產生部分阻障或部分氣簾。
然而，該目前技術存在許多劣勢。例如，該目前技術增加處理室的佔用空間(footprint)(亦即，長度)。在一範例中，清洗氣體延伸部約為1.25英吋厚，這導致處理室在長度上增加2.5%。較長的處理室可能需要使用較長的自動機械手臂來移動晶圓，這可能導致增加的自動機械手臂成本、自動機械手臂較大的變形、用以補償晶圓增加之行進距離的產量降低、及/或自動機械手臂單元較大的佔用空間。再者，該目前技術在清洗氣體延伸部及處理室之間使用密封O型環，因此這可能增加腔室洩露速率，及/或降低處理室的可靠性。
如本文中所討論，本揭露內容的發明人已發展新的實施例、實施方式、方法、技術、及設備，用以保護處理室之閘閥免於處理室的不利影響(例如，處理化學物質)。在本揭露內容的一實施例中，改裝處理室，以容許插入件插入閘閥及內部容積之間之晶圓轉移通道的至少一部分中，且該插入件至少部分地圍繞該晶圓轉移通道的開口延伸，使得插入件至晶圓轉移通道中的組合產生氣體分佈通路及晶圓轉移通道之第一壁表面與插入件之間的間隙。當氣體供應至氣體分佈通路中時，間隙將大致上均勻的氣體平面射流分佈至晶圓轉移通道中。該氣體平面射流可在處理室與閘閥之間產生一致的氣體阻障。為了解釋的目的，將顯示及討論處理室的局部部位圖。
圖6描繪圖1中處理室、及該處理室之一部位的俯視圖。完整未分割的處理室在左側，且包含晶圓轉移通道之處理室的局部「部位」在右側。以下將進一步討論該部位。
圖7描繪圖6中處理室之部位的平面前視圖。標示前板114及腔室壁104之一部分，且晶圓轉移通道108的開口110係以陰影標示。開口110可具有垂直於第一軸112之實質上矩形的第一橫剖面。實質上矩形的橫剖面可包含具有一或更多圓角、及/或可能並非精確平行於相反側邊(例如，在平行的10%以內)之一或更多側邊的矩形。在一些情形中，開口可為長圓形開口，例如類似於軌道(藉由半圓封端連結的兩直線)。就本揭露內容的目的而言，長圓形開口可視為「實質上矩形」。
圖8描繪圖7中處理室之部位的等視角圖。再次可見腔室壁104、前板114、及第一軸112，但晶圓轉移通道的開口110係標示於其圓周處。大致上在點線內的晶圓轉移通道108沿第一軸112延伸穿過腔室壁104，且包含二者皆部分描繪的內通道表面118及第一凹面120。
內通道表面118可定義晶圓轉移通道108的開口110。如圖8中部分顯示，內通道表面118形成處理室壁104內之開口110(未標示)的界線。開口110亦可延伸穿過前板114，在如圖8中所描繪內容的一些實施例中，該前板114係腔室壁104的一部分。
儘管在圖8中僅部分顯示，但第一凹面120可至少部分地圍繞內通道表面118延伸。圖9描繪圖7中處理室之部位之背側的偏角圖。其中，第一凹面120係加上陰影，且可見至少部分地圍繞內通道表面118(標示於其圓周處)延伸。沿第一軸112審視時，第一凹面120亦可自內通道表面118向外偏移。圖10描繪圖7中處理室之部位之背側的正視圖。從圖10之沿第一軸112(以「X」標註)的視角來看，可見內通道表面118及第一下凹通道120的輪廓。所標示之該等輪廓部位可分別視為每一表面的圓周。針對說明的目的，內通道表面118係以虛線顯示，而第一凹面120係以點線顯示。如圖10中所描繪，沿第一軸112審視時，第一下凹通道120係自內通道表面118向外偏移。如本中所使用，除非以其他方式指定，或從上下文顯而易見，否則「向外」意指偏離第一軸112的方向。在圖10所顯示的實施例中，沿第一軸112審視時，亦可見第一下凹通道120完全地圍繞內通道表面118延伸。在一些其他的實施例中，沿第一軸112審視時，第一下凹通道120可僅圍繞內通道表面118的一部分或複數部分延伸，而非完全地圍繞內通道表面118延伸。
在一些實施例中，內通道表面118及第一下凹通道120可互相平行。例如，如圖10中顯示，內通道表面118及第一下凹通道表面120係互相平行，且平行於第一軸112。在一些如此的實施例中，該兩表面可實質上平行於彼此及/或第一軸112，該情形可為平行的10%。
晶圓轉移通道108亦可包含延伸於內通道表面118及第一凹面120之間的第一壁表面122。在圖9中，可見第一壁表面122的一部分延伸於內通道表面118及第一凹面120之間。在圖10中，再次可見第一壁表面122延伸於內通道表面118及第一凹面120之間。在圖10中，第一壁表面122係與第一軸112正交。在一些實施例中，第一壁表面122可與第一軸112實質上正交，該情形可為與第一軸112正交的10%以內。在一些其他的實施例中，第一壁表面122的一或更多部位可與第一軸112夾一斜角。
圖11描繪圖7中處理室之部位的不同偏角圖。如可見，被處理室壁104擋住看不到之晶圓轉移通道108的至少一些特徵部係以虛線顯示。開口110、內通道表面118、第一凹面120、及第一壁表面係標示於圖中。如更清晰可見，內通道表面118界定開口110的界線並定義開口110，第一凹面120圍繞內通道表面118延伸，且第一壁表面122延伸於該兩表面之間。
半導體處理室100亦可包含可插入晶圓轉移通道108之至少一部分中的插入件。圖12描繪例示性插入件的等視角圖。插入件124包含插入件內表面126、插入件開口128、第一插入件外表面130、及插入件正面132。插入件內表面可定義插入件開口128。插入件開口128可具有可垂直於第一軸112之實質上矩形的第二橫剖面。類似於實質上矩形的第一橫剖面，實質上矩形的第二橫剖面可具有圓角且可具有實質上互相平行(例如，平行的10%以內)的邊緣，或者可為長圓形。插入件開口128亦可定尺寸成容許晶圓及自動機械手臂穿過插入件開口128。
沿第一軸112審視時，第一插入件外表面130可至少部分地圍繞插入件內表面126延伸。圖13描繪圖12之插入件的等視角圖。可見第一插入件外表面130圍繞插入件內表面126延伸。在一些實施例中，第一插入件外表面130完全圍繞插入件內表面126延伸。在一些其他的實施例中，第一插入件外表面130可僅部分地圍繞插入件內表面126延伸。在一些如此的其他實施例中，第一插入件外表面130的一或更多部分可部分地圍繞插入件內表面126延伸。例如，第一插入件外表面130可並非為連續表面，在該情形中，另一表面或特徵部(例如，一或更多的分隔件)可能導致第一插入件外表面130中的間斷或不連續。
如圖13中亦可見，沿第一軸112審視時，第一插入件外表面130可自插入件內表面126向外偏移。在一些實施例中，第一插入件外表面130可沿著插入件內表面126自該插入件內表面126偏移實質上恆定的間距，以及在一些其他的實施例中，偏移間距可沿插入件內表面126改變。例如，圖12及13中所描繪之插入件124包含第一插入件外表面130，沿第一軸112審視時，該第一插入件外表面130自插入件內表面126偏移一改變間距。亦參見以下所討論之圖14。
如以上所述，插入件可包含標示於圖13中的正面132。插入件正面132可定向成與第一軸112正交，但在其他實施例中，(複數)插入件正面可相關於第一軸112傾斜一角度(例如，見圖23)。在一些實施例中，如圖13及21中所描繪，插入件正面132可非單一連續表面，而可包含一或更多(例如，四個)子部位。在一些其他實施例中，插入件正面132可為單一連續表面。如以下更詳細討論，當插入件124插入腔室壁104中時，插入件正面132亦可面向第一壁表面122。本上下文中的「面向」意指兩表面定向成彼此相向，使得從該等表面之一者上之至少一點在與該表面正交之方向上延伸的線與另一表面上的一點相交。本上下文中的「面向」亦可包含平行或實質上平行(「實質上」此處是指平行的10%以內，例如平行的+/- 9°)於彼此的兩表面。
在一些實施例中，如圖12及13中進一步描繪，插入件124亦可包含第二插入件外表面134，沿第一軸112審視時，該第二插入件外表面134可按照與第一插入件外表面130相關於插入件內表面124之方式相似的方式，至少部分地圍繞第一插入件外表面130延伸，並且亦可自第一插入件外表面130向外偏移。在如以上所提及的一些如此之實施例中，第二插入件外表面134的一或更多部分可部分地圍繞第一插入件外表面130延伸，且可能有在第二插入件外表面134中導致一或更多間斷及/或不連續的其他特徵部或表面。或者，沿第一軸112審視時，第二插入件外表面可完全地圍繞第一插入件外表面130延伸。
在一些實施例中，且亦如圖12及13中所顯示，插入件124亦可包含跨距於第二插入件外表面134及第一插入件外表面130之間的第二壁表面136。一般來講，第二壁表面136以與第二插入件外表面134相同的程度圍繞第一插入件內表面130延伸。在一些如此的實施例中，例如，第二插入件外表面134完全圍繞第一插入件內表面130延伸的實施例中，第二壁表面136完全圍繞第一插入件外表面130延伸。
圖13亦描繪沿第一軸112審視時，第二插入件外表面134係自第一插入件外表面130向外偏移。如以上所述，「向外」意指在偏離第一軸112的方向上。在一些實施例中，第二插入件外表面134可自第一插入件外表面130偏移實質上恆定的間距，且在一些其他實施例中，偏移間距可沿第一插入件外表面130改變。例如，圖13中所描繪之插入件124包含沿第一軸112審視時，自第一插入件外表面130偏移一改變間距的第二插入件外表面134。
圖14描繪圖13中之插入件的前視圖。圖14之視圖係沿著以「X」標示的第一軸112。標示插入件開口128，且其係垂直於第一軸112。插入件內表面126、第一插入件外表面130、及第二插入件外表面134的輪廓(如邊緣)全部可見，且第一插入件外表面130完全圍繞插入件內表面126延伸，且自插入件內表面126向外偏移，又且第二插入件外表面134完全圍繞第一插入件外表面130延伸，且自第一插入件外表面130向外偏移。如以上所提及，圖14亦顯示沿第一軸112審視時，第一插入件外表面130自插入件內表面126偏移一改變間距。類似地，沿第一軸112審視時，第二插入件外表面134係自第一插入件外表面130偏移一改變間距。
如以上所提及，插入件124係插入於腔室壁104之晶圓轉移通道108的至少一部分中。圖15描繪插入件插入圖6腔室壁之部位之晶圓轉移通道中的兩個偏角圖。圖15的上部顯示插入件124在外側但與腔室壁104之晶圓轉移通道(未標示)對準的分解圖。下部描繪位於腔室壁104之晶圓轉移通道(未標示)內側的插入件124。在一些實施例中，插入件124的一或更多部分可位於晶圓轉移通道108外側、及/或腔室壁104外側。
現在將討論具有插入於晶圓轉移通道之至少一部分中之插入件的腔室壁的額外特徵部。圖16描繪圖15中所描繪之處理室壁之部位的橫剖面偏角圖。已切割處理室壁的該部位，以露出腔室壁、晶圓轉移通道、及插入件的內部，使得額外的特徵部可加以討論。如可見，插入件124係安裝於晶圓轉移通道(未標示)中，且可見特徵部的一些者包含部分的內通道表面118、第一凹面120、插入件內表面126、第一插入件外表面130、及氣體入口138。如圖16中所顯示，氣體入口138可延伸穿過腔室壁104的部分，且可延伸穿過第一凹面120。在一些實施例中，氣體入口138可連接至可包含清洗氣體供應的氣體供應。在一些實施例中，插入件124係位於閘閥(未顯示)與內部容積106之間的晶圓轉移通道108內。
圖17描繪圖16中處理室壁之部位的橫剖面側視圖。在圖17中，標示氣體入口138，以及部分的第一凹面120、第一壁表面122、第一插入件外表面130、第二壁表面136、及插入件內表面126。如以下更詳細討論，氣體分佈通路(此處未標示)係至少部分地藉由第一凹面120、第一插入件外表面130、及第一壁表面122定義。在一些實施例中，且如圖17中所顯示，氣體分佈通路係進一步藉由第二壁表面136而部分定義。氣體分佈通路亦可流體連接至氣體入口138，使得氣體可從氣體入口138流入氣體分佈通路。應理解，氣體入口138可配置成使任何適當的氣體或液體流入氣體分佈通路。
圖18描繪氣體分佈通路之容積性示意的等視角圖。在圖18中概括性描繪氣體分佈通路1840的容積性示意圖，並標示至少部分界定氣體分佈通路1840之界線的表面。如顯示，第一壁表面122界定氣體分佈通路1840之正面的界線，第一凹面120界定氣體分佈通路1840之外周部的界線，且第一插入件外表面130界定氣體分佈通路1840之內周部的界線。
在一些實施例中，氣體分佈通路1840可沿著至少部分圍繞插入件內表面延伸的第一路徑1842。圖18進一步描繪以虛雙點線顯示的第一路徑1842。在一些實施例中，如圖18中所顯示，氣體分佈通路1840的第一路徑1842完全圍繞插入件內表面126(圖18中未顯示)延伸。在第一路徑部分圍繞插入件內表面延伸的一些其他實施例中，在第一路徑中可能有阻止第一路徑使其無法完全圍繞插入件內表面延伸的一或更多間斷處。例如，在一位置中可能有阻隔氣體分佈通路的一或更多表面或特徵部，從而使第一路徑間斷，並產生氣體分佈通道的兩單獨部位。這可產生「C型」的氣體分佈通路。在另一範例中，第一路徑中的間斷可發生於距離氣體入口可為相等距離之第一路徑的中點處。圖19描繪氣體分佈通路的側視圖，該氣體分佈通路沿著部分圍繞插入件內表面延伸的第一路徑。如可見，氣體分佈通路1940沿著具有間斷(標示於點圓圈內)的第一路徑1944，該間斷導致第一路徑1944未完全圍繞插入件內表面延伸。例如，該間斷處可由使第一插入件外表面不連續的一壁產生。如此之壁的頂部可與第二插入件外表面齊平，且該壁可從插入件正面延伸至第二壁表面。
氣體分佈通路1840可具有垂直於第一路徑1842的第三橫剖面。圖20描繪圖18中氣體分佈通路之容積表示的橫剖面偏角圖。標示界定氣體分佈通路1840之界線的四表面(第一壁表面122、第一凹面120、第一插入件外表面130、及第二壁表面136)及氣體入口138。氣體分佈通路1840的第三橫剖面1844亦可見於圖20中，且係垂直於第一路徑1842。在一些實施例中，第三橫剖面1844沿第一路徑1842維持實質上恆定。其中「實質上」意指在沿第一路徑1842之平均第三橫剖面面積的10%以內。在一些其他實施例中，第三橫剖面1844可沿第一路徑1842改變。在一些如此的實施例中，第三橫剖面1844可具有二或更多不同的橫剖面，或可在二或更多不同橫剖面之間平滑地過渡。在一些實施例中，第三橫剖面1844亦可實質上矩形，類似於第一及第二橫剖面，其中一或更多轉角可為圓的。例如，圖20中的第三橫剖面1844具有一圓角。在一些其他的實施例中，第三橫剖面1844可為其他幾何形狀，例如包含梯形。
在一些實施例中，第三橫剖面在沿著第一路徑的至少一點處可大於其在沿著該第一路徑的另一點處。例如，第一路徑可具有第一點及第二點，使得第一點沿第一路徑比第二點更接近氣體入口。在一些如此的實施例中，第一點可為最接近氣體入口的點，而第二點係沿第一軸距離氣體入口最遠的點。在一些實施例中，第二點處的第三橫剖面可大於第一點處的第三橫剖面。
返回參考圖20，標示第一路徑1842的第一點1846及第一路徑1842的第二點1848，且雖圖中未顯示，但氣體入口沿第一路徑1842相較於第二點1848更接近第一點1846，使得氣體可從第一點1846在黑色箭頭的方向上流向第二點1848。如圖20中可見，第二點1848處的第三橫剖面1844大於第一點1846處的第三橫剖面1844。在一些實施例中，第一路徑1842可具有額外的點，在該等額外點處的第三橫剖面1844大於、小於、或實質上相同於一或更多其他點處的第三橫剖面1844。例如，第三橫剖面1844就沿第一路徑1842的一部分而言可為實質上恆定(例如，橫剖面面積的10%以內)，然後沿第一路徑1842在尺寸上逐漸增加，以及然後就沿第一路徑1842的不同部分而言維持實質上恆定。
當插入件插入晶圓轉移通道的至少一部分中時，插入件及/或晶圓轉移通道係配置成在晶圓轉移通道的第一壁表面及插入件的正面之間產生間隙。圖21描繪圖12之插入件的等視角圖。在一些實施例中，類似於圖21，插入件124可包含一或更多間隔件。其中，插入件2124包含標示於虛線橢圓內的四個間隔件2150。間隔件2150可接觸晶圓轉移通道(未顯示)的第一壁表面，以使插入件正面2132與第一壁表面隔開第一間隙距離。該第一間隙距離可在介於約0.005英吋與約0.040英吋之間的範圍內。例如，第一間隙距離可約為0.010英吋。在一些實施例中，第一間隙距離可為實質上恆定(其他第一間隙距離的10%以內)，而在一些其他實施例中，第一間隙距離可沿插入件正面2132改變。
在一些實施例中，例如在圖21中，間隔件2150自插入件正面2132延伸。圖21描繪圖12之插入件。在一些如此的實施例中，間隔件亦可從晶圓轉移通道的表面延伸，或者替代地從晶圓轉移通道的表面延伸。
圖22描繪類似於圖17中所描繪內容之腔室壁及插入件的例示性部位的部分橫剖面側視圖。如可見，腔室壁2204及插入件2224的一部分係定向成使得插入件正面2232與第一壁表面2222隔開第一間隙距離2252。第一間隙距離2252可從沿著插入件正面2232的任何點開始量測。如以上所提及，且如圖22中可見，插入件正面2232及第一壁表面2222可實質上互相平行。在一些實施例中，插入件正面2232及第一壁表面2222可與第一軸(未顯示)正交或實質上正交。插入件正面2232及第一壁表面2222亦可互相處於斜角。在一些如此的實施例中，例如圖23中所顯示，第一壁表面2222可與第一軸正交，而正面壁表面2232係處於相對第一壁表面2222的斜角。圖23描繪與圖22中所描繪內容類似的腔室壁之部位的部分橫剖面側視圖。在一些其他的實施例中，正面壁表面2232可與第一軸正交，而第一壁表面2222係處於相對正面壁表面2232的斜角。在一些其他的實施例中，兩表面可皆不與第一軸正交，但如此之表面仍可互相處於斜角。在所有如此之實施例中，第一壁表面2222及正面壁表面2232可視為面向彼此，這可包含互相平行。
舉例而言，如圖22中所顯示，第一凹面亦可與第一插入件外表面隔開第一距離。第一距離2266可見於第一凹面2220及第一插入件外表面2230之間。如以下所討論，該距離可改變，但在一些實施例中，該距離可在介於約0.010英吋至約0.50英吋之間的範圍內，且亦可約為0.200英吋。儘管結合圖22加以討論，但至少如圖16及17中所描繪，第一距離亦可隔開在本文中所討論及所顯示之其他實施例的任何者中的第一凹面2220及第一插入件外表面2230。再者，如本文所討論，第一距離可提供第三橫剖面的一尺寸。
插入件正面及插入件內表面相交的第一邊緣可為尖銳的、圓的、或倒角的。返回參考圖22，插入件正面2232及插入件內表面2226相交的第一邊緣2254係標示於點圓圈內。如描繪，第一邊緣2254係實質上90度角，亦即，「尖銳的」(「實質上」意指垂直的+/- 5以內)。在一些實施例中，第一邊緣2254亦可為鈍角或銳角，且在一些其他的實施例中，可為圓的或倒角的。同樣地，第一壁表面2222及內通道表面2218相交的第二邊緣2256可類似於第一邊緣2254加以配置。
在一些實施例中，當插入件插入晶圓轉移通道的至少一部分中時，第二插入件外表面可接近第一凹面。圖24描繪圖17中所描繪之腔室壁及插入件的部分的放大橫剖面側視圖。如可見，為清晰之目的，腔室壁104及晶圓轉移通道(未標示)的部分係以暗陰影代替橫剖面線顯示，且為清晰之目的，插入晶圓轉移通道之至少一部分中的插入件124係以淺陰影代替橫剖面線標示。所見第一凹面120及第二插入件外表面134互相接近。在一些實施例中，第一凹面120及第二插入件外表面134可互相接觸，使得其互相流體密封。在一些其他的實施例中，一些材料或間隔件可設置於第一凹面120及第二插入件外表面134之間。在一些實施例中，腔室壁124(含晶圓轉移通道)及插入件104係配置成使得氣體分佈通路(其橫剖面以2440標示)中的氣體及/或流體不會行進於在第一凹面120及第二插入件外表面134之間存在的間隙之間。
在一些實施例中，晶圓轉移通道可包含沿第一軸審視時，圍繞內通道表面延伸且從第一凹面向內偏移的第二凹面。詞組「向內」意指靠近第一軸。圖25描繪與圖17中所描繪內容類似之腔室壁及插入件的部分的放大橫剖面側視圖。如圖25中可見，腔室壁2504的晶圓轉移通道包含第二凹面2558及延伸於第一凹面2520及第二凹面2558之間的第三壁表面2560。在一些如此的配置中，類似於圖25中所描述內容，插入件2524可不包含第二插入件外表面，且可僅具有第一插入件外表面2530。類似於圖25中所顯示內容，插入件2524及晶圓轉移通道可配置成使得第二凹面2558接近第一插入件外表面2530。類似於以上討論內容，在一些實施例中，間隔件或材料可設置於該兩表面之間。再者，在一些如此的實施例中，氣體分佈通道(其橫剖面以2540標示)可至少藉由第三壁表面2560、第一插入件外表面2530、及第一壁表面2522而部分定義，且如此之氣體分佈通路可類似於以上討論內容加以配置。
在晶圓轉移通道可包含(沿第一軸審視時)圍繞內通道表面延伸且自第一凹面向內偏移之第二凹面的一些如此之實施例中，如之前所討論，插入件亦可包含第二外表面。圖26描繪與圖17中所描繪內容類似之腔室壁及插入件的部分的放大橫剖面側視圖。如可見，腔室壁2604的晶圓轉移通道包含第二凹面2658及延伸於第一凹面2620與第二凹面2658之間的第三壁表面2660。類似於之前所討論，插入件2624包含第二插入件外表面2634，該第二插入件外表面2634可按照與第一插入件外表面相關於插入件內表面124之方式相似的方式，至少部分地圍繞第一插入件外表面(未顯示)延伸且亦可自第一插入件外表面向外偏移，並且該插入件2624包含延伸於第二插入件外表面2634及第一插入件外表面2630之間的第二壁表面2636。在一些如此的實施例中，如之前以上所討論，第二凹面2658可接近第二插入件外表面2634。
此外，在一些如此的實施例中，氣體分佈通道(其橫剖面以2640標示)可至少藉由第三壁表面2660、第二壁表面2636、第一插入件外表面2630、第一凹面2620、及第一壁表面2622部分地定義，且如此之氣體分佈通路可類似於以上討論內容加以配置。
在一些實施例中，插入件可由二或更多部件構成，使得當該二或更多部件組合時，該二或更多部件共同形成插入件的至少一或更多表面，該等表面可包含插入件內表面、第一插入件外表面、插入件正面、第二插入件外表面、及第二壁表面。在一些實施例中，插入件可由包含但不限於陶瓷、鍍鎳的鋁、及不鏽鋼的諸多材料製成。
在一些實施例中，第一橫剖面在尺寸上可實質上等於第二橫剖面。「實質上等於」意指第二橫剖面的10%以內。在一些如此的實施例中，第一橫剖面在尺寸及形狀上可實質上等於第二橫剖面。例如，圖27描繪圖10中處理室之部位之背側的前視圖、以及圖13及14中插入件的平面正視圖。在圖27中標示定義具有第一橫剖面2762之開口的內通道表面118(以虛線標示)、以及定義具有第二橫剖面2764之插入件開口的插入件內表面126。圖27的視角係沿著再次以「X」標示的第一軸112。第一橫剖面2762及第二橫剖面2764二者皆可垂直於第一軸112。如從圖27之視角亦可見，開口110與第一橫剖面2762係相同區域，且插入件開口與第二橫剖面2764係相同區域。在圖27中，第一橫剖面2762及第二橫剖面2764在尺寸及形狀上亦實質上相等。在一些實施例中，第一橫剖面及/或第二橫剖面沿第一軸在尺寸上可改變，且在一些實施例中沿第一軸可保持恆定。
在一些實施例中，內通道表面可與插入件內表面對準。返回參考圖17，內通道表面118及插入件內表面126二者皆可見，且如所描繪，該兩表面係互相對準。圖16亦顯示互相對準的內通道表面118及插入件內表面126。如此之對準可為相關於第一軸及/或相關於彼此的對準。
如以上所描述，當插入件插入晶圓轉移通道中時，藉由插入件及晶圓轉移通道的至少一些表面定義(亦即，產生)氣體分佈通路。氣體分佈通路亦流體連接至氣體入口，使得氣體可從氣體入口流動並進入氣體分佈通道。插入件及晶圓轉移通道亦配置成使得氣體分佈通道中的氣體能夠流過在第一壁表面及插入件正面之間所產生的間隙。插入件及晶圓轉移通道可配置成使得氣體能夠以大致上均勻及/或平均分佈的方式流過標的間隙(subject gap)。在一些如此的實施例中，流動可為均勻的片流(sheet of flow)。應注意，氣體不透過任何噴嘴從氣體分佈通路流出，而是流過線性間隙，這避免產生可能導致不均勻流動效應的點射流(point-jet)。
圖28描繪與圖18類似之氣體分佈通路的容積表示的等視角圖。所見為氣體分佈通路1840，以及代表氣體流過第一壁表面122(未顯示)與插入件正面132(未顯示)之間之間隙的陰影容積2868。圖29描繪圖28之氣體分佈通路的容積表示的偏角橫剖面視圖。如可見，代表氣體流過間隙2868的陰影區域係薄平面氣體射流。如箭頭所指示，該代表區域意圖顯示氣體流過標的間隙的至少大致上的方向，這可視為平面射流或「片流」，且不意圖描繪實際的氣體流動路徑。在一些實施例中，插入件及晶圓轉移通道之間的間隔件可能阻擋間隙間的一些氣流。例如，在圖28中，氣體不從氣體分佈通道流出的區域(例如，角落)係間隔件位於插入件124內的區域。在一些如此的實施例中，插入件及晶圓轉移通道可配置成使得氣體能夠被均勻地分佈於晶圓轉移通道內。
第三橫剖面(亦即，氣體分佈通路的橫剖面)及/或間隙亦可配置成使得氣體能夠流入氣體分佈通路並透過間隙以相對平穩的流速繞插入件內表面離開。在本文中所討論之實施例的諸多實施態樣中，如此的配置可改變，包含但不限於：第三橫剖面的一或更多尺寸、第一間隙距離、插入件正面的角度、及第三橫剖面沿第一路徑的變化。如此之配置亦可基於諸多因素，包含但不限於：清洗氣體之溫度及壓力、製程化學、製程氣體之溫度及壓力、及處理室之溫度及壓力。
在本揭露內容的一些實施方式中，插入件可例如藉由硬焊或如螺絲的機械手段而插入並固定於腔室壁。例如，在圖17中，腔室壁及插入件包含以點圓圈標示的固定區域1770，以接收可將插入件附接至腔室壁的螺絲。
可包含標的處理室的半導體處理工具可使氣體在半導體處理之一或更多階段期間流入氣體分佈通路。在一些如此的實施例中，氣體可恆定地流過標的間隙，而在一些其他如此的實施例中，氣體可在當製程化學出現於處理室中時流過間隙，及/或可在晶圓轉移通過晶圓轉移通道期間流過間隙。
本揭露內容的另一實施例係包含半導體處理室及插入件的套組。該套組的半導體處理室可包含用於半導體處理的內部容積、至少部分界定半導體處理室外側及內部容積之界線的腔室壁、以及從半導體處理室外側沿第一軸延伸穿過腔室壁至內部容積的晶圓轉移通道。晶圓轉移通道可具有內通道表面(其具有垂直於第一軸之實質上矩形的第一橫剖面)、(沿第一軸審視時)圍繞內通道表面延伸且自該內通道表面向外偏移的第一凹面、以及延伸於內通道表面及第一凹面之間的第一壁表面，且氣體入口係流體連接至第一凹面。該套組的插入件可包含一開口，該開口具有垂直於第二軸的矩形第二橫剖面，並且該開口係藉由插入件內表面、(沿第一軸審視時)至少部分圍繞插入件內表面延伸且自該插入件內表面向外偏移的第一插入件外表面、及插入件正面而定義。該套組的插入件及半導體處理室可配置成使得該插入件的至少一部分係配置成安裝並插入該晶圓轉移通道的至少一部分中，腔室壁係配置成具有安裝並插入晶圓轉移通道之至少一部分中的插入件的至少一部分，且當插入件的至少一部分係安裝於晶圓轉移通道的至少一部分中時，第一凹面、第一插入件外表面、及第一壁表面至少部分地定義氣體分佈通路，該氣體分佈通路係流體連接至氣體入口，第一凹面與第一插入件外表面隔開第一距離，且插入件正面與第一壁表面隔開第一間隙距離。
應注意，該套組之半導體處理室及插入件可包含全部的特徵及限制，且可按照本文中以上相關於任何其他插入件及半導體處理室所討論及顯示進行配置，且如此之討論內容及圖式係併入及應用於此，以作為這些項目的參考。
本發明人已發現該設備優於目前技術的諸多利處。例如，本文中所討論之設備及方法不會增加腔室的佔用空間，不需要額外的密封O型環，一旦插入件安裝於晶圓轉移通道則需要有限保養或無需保養，且流過間隙的氣體可在處理室的高溫與閥之間產生熱轉移阻障。此外，本設備可防止半導體處理期間所產生之碎屑及顆粒透過晶圓轉移通道離開處理室。
除非本揭露內容之上下文以其他方式明確要求，不然在描述內容及實施例的範圍內，詞彙「包含」、「包括」、及類似者應以包含性意義(相對於排除性或耗盡性意義)加以解讀。亦即，「包含但不限於」的意義。使用單數或複數的詞彙一般來講亦分別包含複數或單數。此外，詞彙「本文中」、「以下」、「以上」、「之下」、及具類似含義的詞彙是指本申請案整體，且不是指本申請案的任何特定部分。當列舉二或更多項目而使用詞彙「或」時，該詞彙涵蓋該詞彙之以下解釋的所有者：列舉項目的任何者、列舉項目的所有者、及列舉項目的任何組合。用語「實施例」是指本文中所述技術及方法的實施例、以及實施本文中所述結構之實物的實施例、及/或包含本文中所述技術及/或方法之實物的實施例。除非以其他方式指明，否則用於「實質上」是指所指示數值的+/- 5%以內。例如，「實質上平行」意指0°及90°之間之角度範圍的+/-5%。
100‧‧‧處理室
102‧‧‧處理站
104‧‧‧壁
106‧‧‧內部容積
108‧‧‧晶圓轉移通道
110‧‧‧開口
112‧‧‧第一軸
114‧‧‧前板
116‧‧‧晶圓
118‧‧‧內通道表面
120‧‧‧第一凹面
122‧‧‧第一壁表面
124‧‧‧插入件
126‧‧‧插入件內表面
128‧‧‧插入件開口
130‧‧‧表面
132‧‧‧插入件正面
134‧‧‧第二插入件外表面
136‧‧‧第二壁表面
138‧‧‧氣體入口
1770‧‧‧固定區域
1840‧‧‧氣體分佈通路
1842‧‧‧第一路徑
1844‧‧‧第三橫剖面
1846‧‧‧第一點
1848‧‧‧第二點
1940‧‧‧氣體分佈通路
1944‧‧‧第一路徑
2124‧‧‧插入件
2132‧‧‧插入件正面
2150‧‧‧間隔件
2204‧‧‧壁
2218‧‧‧內通道表面
2220‧‧‧第一凹面
2222‧‧‧第一壁表面
2224‧‧‧插入件
2226‧‧‧插入件內表面
2230‧‧‧第一插入件外表面
2232‧‧‧表面
2252‧‧‧第一間隙距離
2254‧‧‧第一邊緣
2256‧‧‧第二邊緣
2266‧‧‧第一距離
2440‧‧‧橫剖面
2504‧‧‧壁
2520‧‧‧第一凹面
2522‧‧‧第一壁表面
2524‧‧‧插入件
2530‧‧‧第一插入件外表面
2540‧‧‧橫剖面
2558‧‧‧第二凹面
2560‧‧‧第三壁表面
2604‧‧‧壁
2620‧‧‧第一凹面
2624‧‧‧插入件
2630‧‧‧第一插入件外表面
2634‧‧‧第二插入件外表面
2636‧‧‧第二壁表面
2640‧‧‧橫剖面
2658‧‧‧第二凹面
2660‧‧‧第三壁表面
2762‧‧‧第一橫剖面
2764‧‧‧第二橫剖面
2868‧‧‧間隙
圖1描繪例示性處理室的等視角圖。
圖2至5描繪穿過圖1之例示性處理室之晶圓轉移通道的晶圓。
圖6描繪圖1中處理室、及該處理室之一部位的俯視圖。
圖7描繪圖6中處理室之部位的平面前視圖。
圖8描繪圖7中處理室之部位的等視角圖。
圖9描繪圖7中處理室之部位之背側的偏角圖。
圖10描繪圖7中處理室之部位之背側的正視圖。
圖11描繪圖7中處理室之部位的不同偏角圖。
圖12描繪例示性插入件的等視角圖。
圖13描繪圖12的插入件。
圖14描繪圖13中所描繪之嵌入件的前視圖。
圖15描繪插入件插入圖6之腔室壁之部位之晶圓轉移通道中的兩個偏角圖。
圖16描繪圖15中所描繪之處理室壁的部位的橫剖面偏角圖。
圖17描繪圖16中處理室壁之部位的橫剖面側視圖。
圖18描繪氣體分佈通路之容積性示意的等視角圖。
圖19描繪氣體分佈通路的側視圖，該氣體分佈通路沿著部分圍繞插入件內表面延伸的第一路徑。
圖20描繪圖18中氣體分佈通路之容積表示的橫剖面偏角圖。
圖21描繪圖12之插入件的等視角圖。
圖22描繪類似於圖17中所描繪者之腔室壁及插入件的例示性部位的部分橫剖面側視圖。
圖23描繪類似於圖22中所描繪者之腔室壁的部位部分橫剖面側視圖。
圖24描繪圖17中所描繪之腔室壁及插入件的部分的放大橫剖面側視圖。
圖25描繪與圖17中所描繪內容類似之腔室壁及插入件的部分的放大橫剖面側視圖。
圖26描繪與圖17中所描繪內容類似之腔室壁及插入件的部分的放大橫剖面視圖。
圖27描繪圖10中處理室之部位之背側的正視圖、及圖13及14中插入件的平面前視圖。
圖28描繪類似於圖18內容之氣體分佈通路的容積表示的等視角圖。
圖29描繪圖28之氣體分佈通路的容積表示的偏角橫剖面視圖。
118‧‧‧內通道表面
120‧‧‧第一凹面
124‧‧‧插入件
126‧‧‧插入件內表面
130‧‧‧表面
138‧‧‧氣體入口

Claims (21)

  1. 一種半導體處理室，包含： 一內部容積，用於半導體處理； 一腔室壁，其至少部分地界定該半導體處理室之外側及該內部容積的界線； 一晶圓轉移通道，其從該半導體處理室之外側沿一第一軸延伸穿過該腔室壁至該內部容積，且具有： 一內通道表面，其定義一開口，該開口具有垂直於該第一軸之實質上矩形的一第一橫剖面， 一第一凹面，沿該第一軸審視時，該第一凹面至少部分地圍繞該內通道表面延伸，且自該內通道表面向外偏移，以及 一第一壁表面，其延伸於該內通道表面及該第一凹面之間； 一插入件，包含： 一插入件內表面，其定義一插入件開口，該插入件開口具有垂直於該第一軸之實質上矩形的一第二橫剖面， 一第一插入件外表面，沿該第一軸審視時，該第一插入件外表面至少部分地圍繞該插入件內表面延伸，且自該插入件內表面向外偏移，以及 一插入件正面，其面向該第一壁表面；以及 一氣體入口， 其中： 該第一凹面、該第一插入件外表面、及該第一壁表面至少部分地定義一氣體分佈通路， 該氣體分佈通路係流體連接至該氣體入口， 該第一凹面與該第一插入件外表面隔開一第一距離，以及 該插入件正面與該第一壁表面隔開一第一間隙距離。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體處理室，其中該插入件更包含一第二插入件外表面，沿該第一軸審視時，該第二插入件外表面至少部分地圍繞該第一插入件外表面延伸，且自該第一插入件外表面向外偏移。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體處理室，其中該第二插入件外表面接近該第一凹面。
  4. 如申請專利範圍第2項之半導體處理室，其中： 該插入件更包含延伸於該第二插入件外表面及該第一插入件外表面之間的一第二壁表面，且 該氣體分佈通路係至少部分地藉由該第二壁表面進一步定義。
  5. 如申請專利範圍第4項之半導體處理室，其中： 該晶圓轉移通道更包含一第二凹面，沿該第一軸審視時，該第二凹面圍繞該內通道表面延伸，且自該第一凹面向內偏移， 該晶圓轉移通道更包含延伸於該第二凹面及該第一凹面之間的一第三壁表面，以及 該氣體分佈通路係至少部分地藉由該第三壁表面進一步定義。
  6. 如申請專利範圍第1項之半導體處理室，其中該晶圓轉移通道更包含一第二凹面，沿該第一軸審視時，該第二凹面圍繞該內通道表面延伸，且自該第一凹面向內偏移。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體處理室，其中該第一插入件外表面接近該第二凹面。
  8. 如申請專利範圍第6項之半導體處理室，其中： 該晶圓轉移通道更包含延伸於該第二凹面及該第一凹面之間的一第三壁表面，且 該氣體分佈通路係至少部分地藉由該第三壁表面進一步定義。
  9. 如申請專利範圍第1~8項之任一項的半導體處理室，其中該氣體分佈通路沿著至少部分圍繞該插入件內表面延伸的一第一路徑， 並具有垂直於該第一路徑的一第三橫剖面。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體處理室，其中該第一路徑完全圍繞該插入件內表面延伸。
  11. 如申請專利範圍第9項之半導體處理室，其中該第三橫剖面沿該第一路徑維持實質上恆定，或者沿該第一路徑改變。
  12. 如申請專利範圍第9項之半導體處理室，其中： 該第一路徑具有一第一點及一第二點，其中沿該第一路徑，該第一點比該第二點更接近該氣體入口，且該第三橫剖面在該第二點處比在該第一點處更大。
  13. 如申請專利範圍第1~8項之任一項的半導體處理室，其中該插入件係由二或更多部件構成，當該二或更多部件組合時，該二或更多部件共同形成該插入件內表面、該第一插入件外表面、及該插入件正面。
  14. 如申請專利範圍第1~8項之任一項的半導體處理室，其中該第一凹面完全圍繞該內通道表面延伸。
  15. 如申請專利範圍第1~8項之任一項的半導體處理室，其中該第一插入件外表面完全圍繞該插入件內表面延伸。
  16. 如申請專利範圍第1~8項之任一項的半導體處理室，其中該插入件包含接觸該第一壁表面以使該插入件正面與該第一壁表面隔開該第一間隙距離的一或更多間隔件。
  17. 如申請專利範圍第16項之半導體處理室，其中該一或更多間隔件自該插入件正面延伸。
  18. 如申請專利範圍第1~8項之任一項的半導體處理室，其中該插入件正面係以下情形之一：實質上平行於該第一壁表面、或相關於該第一壁表面夾一斜角。
  19. 如申請專利範圍第1~8項之任一項的半導體處理室，其中該第一橫剖面在尺寸及形狀上係實質上等於該第二橫剖面。
  20. 如申請專利範圍第1~8項之任一項的半導體處理室，其中該內通道表面係與該插入件內表面對準。
  21. 一套組，包含： a) 一半導體處理室，包含： 一內部容積，用於半導體處理， 一腔室壁，其至少部分地界定該半導體處理室之外側及該內部容積的界線， 一晶圓轉移通道，其自該半導體處理室的外側沿一第一軸延伸穿過該腔室壁至該內部容積，且具有： 一內通道表面，其定義一開口，該開口具有垂直於該第一軸之實質上矩形的一第一橫剖面， 一第一凹面，沿該第一軸審視時，該第一凹面至少部分地圍繞該內通道表面延伸，且自該內通道表面向外偏移，以及 一第一壁表面，其延伸於該內通道表面及該第一凹面之間； 一氣體入口，其流體連接至該第一凹面；以及 b) 一插入件，包含： 一插入件內表面，其定義一插入件開口，該插入件開口具有垂直於該第一軸之實質上矩形的一第二橫剖面， 一第一插入件外表面，沿該第一軸審視時，該第一插入件外表面至少部分地圍繞該插入件內表面延伸，且自該插入件內表面向外偏移，以及 一插入件正面； 其中： 該插入件的至少一部分係配置成插入於該晶圓轉移通道中， 該腔室壁係配置成具有插入該晶圓轉移通道之該插入件的至少一部分，以及 當該插入件的至少一部分安裝於該晶圓轉移通道中時： 該第一凹面、該第一插入件外表面、及該第一壁表面至少部分地定義一氣體分佈通路， 該氣體分佈通路係流體連接至該氣體入口， 該第一凹面與該第一插入件外表面隔開一第一距離，以及 該插入件正面與該第一壁表面隔開一第一間隙距離。
TW106106295A 2016-03-01 2017-02-24 半導體處理室狹縫閥開口之清洗設備 TWI742047B (zh)

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10090174B2 (en) * 2016-03-01 2018-10-02 Lam Research Corporation Apparatus for purging semiconductor process chamber slit valve opening
USD924825S1 (en) * 2018-01-24 2021-07-13 Applied Materials, Inc. Chamber inlet

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5997588A (en) * 1995-10-13 1999-12-07 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Semiconductor processing system with gas curtain
US6045620A (en) * 1997-07-11 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Two-piece slit valve insert for vacuum processing system
US6673198B1 (en) * 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
JP4422295B2 (ja) * 2000-05-17 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
US6602346B1 (en) * 2000-08-22 2003-08-05 Novellus Systems, Inc. Gas-purged vacuum valve
US6630053B2 (en) * 2000-08-22 2003-10-07 Asm Japan K.K. Semiconductor processing module and apparatus
US6672864B2 (en) * 2001-08-31 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas
US6800172B2 (en) * 2002-02-22 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Interfacial structure for semiconductor substrate processing chambers and substrate transfer chambers and for semiconductor substrate processing chambers and accessory attachments, and semiconductor substrate processor
US8794896B2 (en) * 2005-12-14 2014-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
US8100082B2 (en) * 2007-05-18 2012-01-24 Tokyo Electron Limited Method and system for introducing process fluid through a chamber component
US20080315141A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Slit Valve Door
US8377213B2 (en) * 2008-05-05 2013-02-19 Applied Materials, Inc. Slit valve having increased flow uniformity
US8011381B2 (en) 2008-10-02 2011-09-06 Applied Material, Inc. Balanced purge slit valve
KR20140048752A (ko) * 2012-10-16 2014-04-24 삼성전자주식회사 슬릿 밸브 유닛 및 이를 구비하는 성막 장치
US9435025B2 (en) 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports
US20150118012A1 (en) * 2013-10-31 2015-04-30 Lam Research Corporation Wafer entry port with gas concentration attenuators
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