TW201737475A - 用於照相機模組的基板和具有該基板的照相機模組 - Google Patents

用於照相機模組的基板和具有該基板的照相機模組 Download PDF

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Abstract

一種用於照相機模組的基板包括：第一基板；影像感測器，安裝於所述第一基板上；以及記憶體晶片，被安裝成嵌於所述第一基板中。所述第一基板包括安置於所述第一基板的中心部分處的軟基板部分以及形成於所述軟基板部分的上部部分及下部部分上的硬基板部分，且所述記憶體晶片的至少一部分安置在所述軟基板部分中所形成的安裝孔中。

Description

用於照相機模組的基板和具有該基板的照相機模組
本發明是有關於一種用於照相機模組的基板和一種具有該基板的照相機模組。
對於開發用於能夠實作包括例如超級慢動作及反失真快門（anti-distortion shutter）等特徵的高速攝影的行動裝置的高速照相機模組的需求已增加。
在此種情形中，為了處理在高速下拍攝的大量的影像資料，影像感測器需要具有記憶體，但當影像感測器及記憶體在基板上彼此平行地安置時，照相機模組的大小會增大。
因此，需要開發能夠實作高速攝影而不會使照相機模組的大小增大的照相機模組。
本發明的態樣可提供一種用於能夠達成高速攝影的照相機模組的基板和一種具有該基板的照相機模組。
根據本發明的態樣，一種用於照相機模組的基板包括：第一基板；影像感測器，安裝於所述第一基板上；以及記憶體晶片，被安裝成嵌於所述第一基板中，其中所述第一基板包括安置於所述第一基板的中心部分處的軟基板部分以及形成於所述軟基板部分的上部部分及下部部分上的硬基板部分，且其中所述記憶體晶片的至少一部分安置在所述軟基板部分中所形成的安裝孔中。
在下文中，將參照附圖詳細闡述本發明的示例性實施例。
圖1是說明根據本發明中的第一示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。
參照圖1，舉例而言，根據第一示例性實施例的照相機模組100可包括透鏡筒110、第一基板120、影像感測器150、記憶體晶片160、樹脂層170及加強板180。
在透鏡筒110中可安裝至少一個透鏡L，且透鏡筒110可藉由將其接合至第一基板120的頂表面而被安裝。作為實例，透鏡筒110可具有柱狀中空形狀，且可被形成為在內部表面及/或外部表面上具有至少一個台階。
儘管本示例性實施例說明於透鏡筒110中安裝有三個構件的情形，然而，安裝於透鏡筒110上的構件的數目並非僅限於此。
亦即，可對安裝於透鏡筒110中的透鏡的數目及透鏡筒110的形狀作出各種修改。
透鏡筒110可安裝於第一基板120上，且影像感測器150可安裝於第一基板120上以安置於在透鏡筒110中安裝的透鏡L下方。
第一基板120可包括安置於第一基板120的中心部分處的軟基板部分130；以及安置於軟基板部分130的上部部分及下部部分上的硬基板部分140。
軟基板部分130可包括易於彎折的絕緣膜132及形成於絕緣膜132的頂表面及底表面上的銅箔134。此外，可在暴露至外部的軟基板部分130上形成保護層136。
此外，在軟基板部分130中可形成有安裝孔138，且記憶體晶片160可安置於安裝孔138中。
硬基板部分140可形成於軟基板部分130的上部部分及下部部分上。硬基板部分140可包括絕緣層142及圖案層144。此外，絕緣層142與圖案層144可交替地形成。
同時，在第一基板120中可形成有安裝槽122，記憶體晶片160被安裝成插入至安裝槽122中。安裝槽122可將安置於軟基板部分130的下部部分上的硬基板部分140經由軟基板部分130連接至安置於軟基板部分130的上部部分上的硬基板部分140。
亦即，安裝槽122可包括形成於軟基板部分130中的安裝孔138。
硬基板部分140可包括用於與記憶體晶片160進行連接的通孔144a。此外，在硬基板部分140中可形成有用於與軟基板部分130的銅箔134進行電性連接的多個通孔146。
影像感測器150可安裝於第一基板120的頂表面上以安置於透鏡L下方，且可藉由打線接合而電性連接至第一基板120。然而，影像感測器150並非僅限於藉由打線接合而連接至第一基板120，而是可藉由各種方法而連接至第一基板120。
記憶體晶片160可被安裝成嵌於第一基板120中。作為一實例，記憶體晶片160可被安置成插入於第一基板120的安裝槽122中。此外，記憶體晶片160可包括連接墊162，連接墊162暴露至記憶體晶片160的頂表面以連接至硬基板部分140的通孔144a。
亦即，記憶體晶片160可被安置成插入於第一基板120的安裝槽122中，且可經由通孔144a而電性連接至圖案層144。
如此一來，由於所述記憶體晶片安裝於所述第一基板中以與影像感測器150相鄰，因此可提供高速攝影所需的記憶體容量。因此，高速攝影可得以實作。
樹脂層170可填充安裝槽122，且可形成於硬基板部分140的底表面上。樹脂層170亦可填充安裝槽122，且可僅形成於硬基板部分140的底表面上。
樹脂層170可用於防止發生由記憶體晶片160引起的電磁波或影像感測器150引起的電磁波造成的互相干擾。
加強板180可安裝於第一基板120的底表面上。作為另一實例，加強板180可被安裝成藉由黏合劑而接合至樹脂層170。
加強板180可用於防止在安裝影像感測器150時，第一基板120被安裝槽122彎折。作為加強板180的組成的實例，加強板180可由不鏽材料形成。
然而，儘管本示例性實施例藉由實例的方式闡述了安裝有加強板180的情形，但可省略加強板180。
第一基板120、影像感測器150、記憶體晶片160、樹脂層170及加強板180可構成用於照相機模組的基板190。
如上所述，由於記憶體晶片160安裝於第一基板120中以與影像感測器150相鄰，因此可提供高速攝影所需的記憶體容量。因此，高速攝影可得以實作。
亦即，由於記憶體晶片160安裝於第一基板120的安裝槽122中，因此，記憶體晶片160可經由第一基板120直接地連接且電性連接至影像感測器150。因此，可提供高速攝影所需的記憶體容量。
在下文中，將參照圖2闡述本發明中的第二示例性實施例。
圖2是說明根據本發明中的第二示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。
參照圖2，舉例而言，根據第二示例性實施例的照相機模組200可包括透鏡筒210、第一基板220、影像感測器250、記憶體晶片260及加強板270。
在透鏡筒210中可安裝至少一個透鏡L，且透鏡筒210可藉由將其接合至第一基板220的頂表面而被安裝。作為實例，透鏡筒210可具有柱狀中空形狀，且可被形成為在內部表面及/或外部表面上具有至少一個台階。
儘管本示例性實施例說明透鏡筒210中安裝有三個構件的情形，然而，安裝於透鏡筒210中的構件的數目並非僅限於此。
亦即，可對安裝於透鏡筒210中的透鏡的數目及透鏡筒210的形狀作出各種修改。
透鏡筒210可安裝於第一基板220上，且影像感測器250可安裝於第一基板220上以安置於在透鏡筒210中安裝的透鏡L下方。
第一基板220可包括安置於第一基板220的中心部分處的軟基板部分230；以及安置於軟基板部分230的上部部分及下部部分上的硬基板部分240。
軟基板部分230可包括可易於彎折的絕緣膜232；以及形成於絕緣膜232的頂表面及底表面上的銅箔234。此外，可在暴露至外部的軟基板部分230上形成保護層236。
此外，在軟基板部分230中可形成有安裝孔238，且記憶體晶片260可安置於安裝孔238中。
硬基板部分240可形成於軟基板部分230的上部部分及下部部分上。硬基板部分240可包括絕緣層242及圖案層244。此外，絕緣層242與圖案層244可交替地形成。
硬基板部分240可包括用於與記憶體晶片260進行連接的通孔244a。此外，在硬基板部分240中可形成有用於與軟基板部分230的銅箔234進行電性連接的多個通孔246。
影像感測器250可安裝於第一基板220的頂表面上以安置於透鏡L下方，且可藉由打線接合而電性連接至第一基板220。然而，影像感測器250並非僅限於藉由打線接合而連接至第一基板220，而是可藉由各種方法而連接至第一基板220。
記憶體晶片260可被安裝成嵌於第一基板220中。作為一實例，記憶體晶片260可被安置成插入於軟基板部分230的安裝孔238中。此外，記憶體晶片260可包括連接墊262，連接墊262暴露至記憶體晶片160的頂表面以連接至硬基板部分240的通孔244a。
亦即，記憶體晶片260可被安置成插入於軟基板部分230的安裝孔238中，且可經由通孔244a電性連接至圖案層244。
如此一來，由於記憶體晶片260安裝於第一基板220中以與影像感測器250相鄰，因此可提供高速攝影所需的記憶體容量。因此，高速攝影可得以實作。
加強板270可安裝於第一基板220的底表面上。作為一實例，加強板270可藉由利用黏合劑將其接合至第一基板220而被安裝。
加強板270可用於防止在安裝影像感測器150時，第一基板220因用於安裝記憶體晶片250的安裝孔239而彎折。此處，加強板270可由不鏽材料形成。
然而，儘管本示例性實施例藉由實例的方式闡述了安裝有加強板270的情形，但可省略加強板270。
第一基板220、影像感測器250、記憶體晶片260及加強板270可構成用於照相機模組的基板290。
如上所述，由於記憶體晶片260安裝於第一基板220中以與影像感測器250相鄰，因此可提供高速攝影所需的記憶體容量。因此，高速攝影可得以實作。
亦即，由於記憶體晶片260安裝於第一基板220的安裝孔238中，因此記憶體晶片260可經由第一基板220直接地連接且電性連接至影像感測器250。因此，可提供高速攝影所需的記憶體容量。
在下文中，將參照圖3闡述根據本發明中的第三示例性實施例的照相機模組。
圖3是說明根據本發明中的第三示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。
參照圖3，舉例而言，根據第三示例性實施例的照相機模組300可包括透鏡筒310、第一基板320、影像感測器封裝350及加強構件370。
在透鏡筒310中可安裝至少一個透鏡L，且透鏡筒310可藉由將其接合至第一基板320的頂表面而被安裝。作為實例，透鏡筒310可具有柱狀中空形狀，且可被形成為在內部表面及/或外部表面上具有至少一個台階。
儘管本示例性實施例說明透鏡筒310中安裝有三個構件的情形，然而，安裝於透鏡筒210上的構件的數目並非僅限於此。
亦即，可對安裝於透鏡筒310中的透鏡的數目及透鏡筒310的形狀作出各種修改。
透鏡筒310可被安裝成固定至第一基板320的頂表面。第一基板320可包括安置於第一基板320的中心部分處的軟基板部分330；以及安置於軟基板部分330的上部部分及下部部分上的硬基板部分340。
軟基板部分330可包括可易於彎折的絕緣膜332及形成於絕緣膜332的頂表面及底表面上的銅箔334。此外，在暴露至外部的軟基板部分330上可形成有保護層336。
此外，硬基板部分340可形成於軟基板部分330的上部部分及下部部分上。硬基板部分340可包括絕緣層342及圖案層344。此外，絕緣層342與圖案層344可交替地形成。
此外，在第一基板320中可形成有用於將軟基板部分330的銅箔334與硬基板部分340的圖案層344連接至彼此的多個通孔321。
此外，在第一基板320中可形成有安裝槽322，影像感測器封裝350插入至安裝槽322中。安裝槽322可被形成為凹陷於第一基板320的頂表面中。
此外，加強構件安裝槽323可被形成為凹陷於第一基板320的底表面中。
影像感測器封裝350可被安裝成固定至第一基板320。作為一實例，影像感測器封裝350可安裝於第一基板320上以使得影像感測器封裝350的下部端部部分可插入至第一基板320的安裝槽322中。
影像感測器封裝350可包括框架352、重佈線部354、影像感測器356、記憶體晶片358、囊封劑360及電極墊362。
在框架352中可形成有貫穿孔352a，記憶體晶片358可插入至貫穿孔352a中。亦即，作為一實例，框架352可被安置成環繞記憶體晶片358，且可具有記憶體晶片358安置於貫穿孔352a中的板形形狀。
重佈線部354可包括絕緣層354a及佈線層354b。此外，影像感測器356可安裝於重佈線部354的頂表面上，且記憶體晶片358可安裝於重佈線部354的底表面上。可在重佈線部354中形成連接至記憶體晶片358的通孔354c。
影像感測器356可安裝於重佈線部354的頂表面上，且可藉由打線接合而電性連接至重佈線部354。此外，影像感測器356可安置於在透鏡筒310中安裝的透鏡L下方。
記憶體晶片358可安裝於重佈線部354的底表面上，以插入框架352的貫穿孔352a中。連接至通孔354c的連接墊358a可暴露至記憶體晶片368的頂表面。
囊封劑360可填充於由記憶體晶片358及貫穿孔352a形成的空間中。亦即，囊封劑360可用於將記憶體晶片358固定於定位中，且同時可額外地執行電磁干擾（electromagnetic interference，EMI）屏蔽功能。
電極墊362可暴露至囊封劑360的底表面，且可經由連接通孔363連接至重佈線部354。連接通孔363可被形成為穿透過囊封劑360及框架352以藉此連接至重佈線部354的佈線層354b。
在電極墊362上可形成有焊料球364以用於將影像感測器封裝350與第一基板320電性連接至彼此。
影像感測器封裝350可為扇出型封裝。
舉例而言，加強構件370可被安裝成插入至加強構件安裝槽323中，且可由不鏽材料形成。加強構件370可用於防止第一基板320在形成安裝槽322時彎折。因此，當安裝影像感測器352時，平坦度可得以維持。
加強構件370可具有與安裝槽322的大小對應的大小，且可直接安置於安裝槽322下方。
第一基板320、影像感測器封裝350及加強構件370可構成用於照相機模組的基板390。
如上所述，影像感測器封裝350可安裝於第一基板320的安裝槽322中，在影像感測器封裝350中，影像感測器356安裝於重佈線部354的頂表面上且記憶體晶片358安裝於重佈線部354的底表面上。
亦即，由於記憶體晶片358被安裝成與影像感測器356相鄰，因此可提供高速攝影所需的記憶體容量。因此，高速攝影可得以實作。
此外，由於影像感測器封裝350可被插入至安裝槽322中，且加強構件370被安裝成插入至加強構件安裝槽323中，因此照相機模組的薄度可得以實作。亦即，由於影像感測器封裝350及加強構件370而導致的厚度的增大可得以防止。
圖4是說明根據本發明中的第四示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。
參照圖4，舉例而言，根據第四示例性實施例的照相機模組400可包括透鏡筒410、第一基板420、影像感測器封裝450及加強板470。
在透鏡筒410中可安裝至少一個透鏡L，且透鏡筒410可藉由將其接合至第一基板420的頂表面而被安裝。作為一實例，透鏡筒410可具有柱狀中空形狀，且可被形成為在內部表面及/或外部表面上具有至少一個台階。
儘管本示例性實施例說明透鏡筒410中安裝有三個構件的情形，然而，安裝於透鏡筒410上的構件的數目並非僅限於此。
亦即，可對安裝於透鏡筒410中的透鏡的數目及透鏡筒410的形狀作出各種修改。
透鏡筒410可被安裝成固定至第一基板420的頂表面。第一基板420可包括安置於第一基板420的中心部分處的軟基板部分430；以及安置於軟基板部分430的上部部分及下部部分上的硬基板部分440。
軟基板部分430可包括可易於彎折的絕緣膜432及形成於絕緣膜432的頂表面及底表面上的銅箔434。此外，在暴露至外部的軟基板部分430上可形成有保護層436。
此外，硬基板部分440可形成於軟基板部分430的上部部分及下部部分上。硬基板部分440可包括絕緣層442及圖案層444。此外，絕緣層442與圖案層444可交替地形成。
此外，在第一基板420中可形成有用於將軟基板部分430的銅箔434與硬基板部分440的圖案層444連接至彼此的多個通孔421。
影像感測器封裝450可被安裝成固定至第一基板420。作為一實例，影像感測器封裝450可被安裝成安放於第一基板420的頂表面上。
影像感測器封裝450可包括框架452、重佈線部454、影像感測器456、記憶體晶片458、囊封劑460及電極墊462。
在框架452中可形成有貫穿孔452a，記憶體晶片458可被安置成插入於貫穿孔452a中。亦即，舉例而言，框架452可被安置成環繞記憶體晶片458，且可具有記憶體晶片458安置於貫穿孔452a中的板形形狀。
重佈線部454可包括絕緣層454a及佈線層454b。此外，影像感測器454可安裝於重佈線部456的頂表面上，且記憶體晶片458可安裝於重佈線部354的底表面上。連接至記憶體晶片458的通孔454c可形成於重佈線部454中。
影像感測器456可安裝於重佈線部454的頂表面上，且可藉由打線接合而電性連接至重佈線部454。此外，影像感測器456可安置於在透鏡筒410中安裝的透鏡L下方。
記憶體晶片458可安裝於重佈線部454的底表面上，以被安置成插入於框架452的貫穿孔452a中。連接至通孔454c的連接墊458a可暴露至記憶體晶片468的頂表面。
囊封劑460可填充於由記憶體晶片458及貫穿孔452a形成的空間中。亦即，囊封劑460可用於固定記憶體晶片458，且同時可額外地執行電磁干擾（EMI）屏蔽功能。
電極墊462可暴露至囊封劑460的底表面，且可經由連接通孔463連接至重佈線部454。連接通孔463可穿透過囊封劑460及框架452以藉此連接至重佈線部454的佈線層454b。
在電極墊462上可形成有焊料球464以用於將影像感測器封裝450與第一基板420電性連接至彼此。
影像感測器封裝450可為扇出型封裝。
舉例而言，加強板470可安裝於第一基板420的底表面上，且可由不鏽材料形成。加強板470可用於防止第一基板450在安裝影像感測器封裝450時彎折。因此，當安裝影像感測器452時，平坦度可得以維持。
加強板470可具有與第一基板420的大小對應的大小。
第一基板420、影像感測器封裝450及加強板470可構成用於照相機模組的基板490。
如上所述，影像感測器封裝450可安裝於第一基板420上，在影像感測器封裝450中，影像感測器456安裝於重佈線部454的頂表面上且記憶體晶片458安裝於重佈線部454的底表面上。
亦即，由於記憶體晶片458被安裝成與影像感測器456相鄰，因此可提供高速攝影所需的記憶體容量。因此，高速攝影可得以實作。
圖5是說明根據本發明中的第五示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。
參照圖5，根據第五示例性實施例的照相機模組500可包括透鏡筒510、第一基板520、影像感測器550、記憶體晶片560、模製層570及加強板580。
在透鏡筒510中可安裝至少一個透鏡L，且透鏡筒510可藉由將其接合至第一基板520的頂表面而被安裝。作為一實例，透鏡筒510可具有柱狀中空形狀，且可被形成為在內部表面及/或外部表面上具有至少一個台階。
儘管本示例性實施例說明透鏡筒510中安裝有三個構件的情形，然而，安裝於透鏡筒510上的構件的數目並非僅限於此。
亦即，可對安裝於透鏡筒510中的透鏡的數目及透鏡筒510的形狀作出各種修改。
透鏡筒510可安裝於第一基板520上，且影像感測器550可安裝於第一基板520上以安置於在透鏡筒510中安裝的透鏡L下方。
同時，第一基板520可包括安置於第一基板520的中心部分處的軟基板部分530，及安置於軟基板部分530的上部部分及下部部分上的硬基板部分540。
軟基板部分530可包括易於彎折的絕緣膜532及形成於絕緣膜532的頂表面及底表面上的銅箔534。此外，在暴露至外部的軟基板部分530上可形成有保護層536。
硬基板部分540可形成於軟基板部分530的上部部分及下部部分上。硬基板部分540可包括絕緣層542及圖案層544。此外，絕緣層542與圖案層544可交替地形成。
下凹的槽522可形成於第一基板520中，記憶體晶片560可插入至下凹的槽522中。下凹的槽522可被形成為自安置於軟基板部分530的下部部分上的硬基板部分540穿透過軟基板部分530。
此外，下凹的槽522可被形成為台階狀，且軟基板部分530的銅箔534可被形成為暴露的。
此外，在硬基板部分540中可形成有被安置成能夠與軟基板部分530的銅箔534電性連接的多個通孔546。
影像感測器550可安裝於第一基板520的頂表面上以安置於透鏡L下方，且可藉由打線接合而電性連接至第一基板520。然而，影像感測器550並非僅限於藉由打線接合而連接至第一基板520，而是可藉由各種方法連接至第一基板520。
記憶體晶片560可被安裝成嵌於第一基板520中。作為一實例，記憶體晶片560可被插入式地安置於第一基板520的下凹的槽522中。此外，記憶體晶片560可藉由打線接合而電性連接至軟基板部分530的銅箔534。
如此一來，由於記憶體晶片560安裝於第一基板520中以與影像感測器550相鄰，因此可提供高速攝影所需的記憶體容量。因此，高速攝影可得以實作。
模製層570可填充於凹陷槽522中。模製層570可用於防止導線（wire）的切割或打線接合的短路（short-circuit），且同時用於保護記憶體晶片560。
加強板580可安裝於第一基板520的底表面上。作為一實例，加強板580可藉由利用黏合劑將其接合至第一基板520而被安裝。
加強板580可用於防止在安裝影像感測器550時，第一基板520被下凹的槽522彎折。就加強板580的組成方面而言，加強板580可例如由不鏽材料形成。
然而，儘管本示例性實施例藉由實例闡述了安裝有加強板580的情形，但可省略加強板580。
第一基板520、影像感測器550、記憶體晶片560、模製層570及加強板580可構成用於照相機模組的基板590。
如上所述，由於記憶體晶片560安裝於第一基板520中以與影像感測器550相鄰，因此可提供高速攝影所需的記憶體容量。因此，高速攝影可得以實作。
亦即，由於記憶體晶片560安裝於第一基板520的下凹的槽522中，因此記憶體晶片560可經由第一基板520直接地連接且電性連接至影像感測器550。因此，可提供高速攝影所需的記憶體容量。
如上所述，根據本發明的示例性實施例，可藉由在維持照相機模組的薄度的同時提供記憶體容量來實作高速攝影。
儘管以上已示出並闡述了示例性實施例，然而，對熟習此項技術者而言將顯而易見，在不背離由隨附申請專利範圍所界定的本發明的範圍的條件下，可作出各種潤飾及變化。
100、200、300、400、500‧‧‧照相機模組 110、210、310、410、510‧‧‧透鏡筒 120、220、320、420、520‧‧‧第一基板 122、322‧‧‧安裝槽 130、230、330、430、530‧‧‧軟基板部分 132、232、332、432、532‧‧‧絕緣膜 134、234、334、434、534‧‧‧銅箔 136、236、336、536‧‧‧保護層 138‧‧‧安裝孔 140、240、340、440、540‧‧‧硬基板部分 142、242、342、354a、442、454a、542‧‧‧絕緣層 144、244、344、444、544‧‧‧圖案層 144a、146、244a、246、354c、454c‧‧‧通孔 150、250、356、456、550‧‧‧影像感測器 160、260、358、458、560‧‧‧記憶體晶片 162、262、358a、458a‧‧‧連接墊 170‧‧‧樹脂層 180、270、470、580‧‧‧加強板 190、290、390、490、590‧‧‧基板 323‧‧‧加強構件安裝槽 350、450‧‧‧影像感測器封裝 352、452‧‧‧框架 352a、452a‧‧‧貫穿孔 354、454‧‧‧重佈線部分 354b、454b‧‧‧佈線層 360、460‧‧‧囊封劑 362、462‧‧‧電極墊 363、463‧‧‧連接通孔 364、464‧‧‧焊料球 370‧‧‧加強構件 570‧‧‧模製層 L‧‧‧透鏡
結合附圖閱讀以下詳細說明，將更加清楚地理解本發明的以上及其他態樣、特徵及其他優點，在附圖中： 圖1是說明根據本發明中的第一示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。 圖2是說明根據本發明中的第二示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。 圖3是說明根據本發明中的第三示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。 圖4是說明根據本發明中的第四示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。 圖5是說明根據本發明中的第五示例性實施例的包括用於照相機模組的基板的照相機模組的示意性配置圖。
100‧‧‧照相機模組
110‧‧‧透鏡筒
120‧‧‧第一基板
122‧‧‧安裝槽
130‧‧‧軟基板部分
132‧‧‧絕緣膜
134‧‧‧銅箔
136‧‧‧保護層
138‧‧‧安裝孔
140‧‧‧硬基板部分
142‧‧‧絕緣層
144‧‧‧圖案層
144a、146‧‧‧通孔
150‧‧‧影像感測器
160‧‧‧記憶體晶片
162‧‧‧連接墊
170‧‧‧樹脂層
180‧‧‧加強板
190‧‧‧基板
L‧‧‧透鏡

Claims (17)

  1. 一種用於照相機模組的基板，所述基板包括： 第一基板； 影像感測器，安裝於所述第一基板上，以安置於透鏡下方；以及 記憶體晶片，嵌於所述第一基板中， 其中所述第一基板包括安置於所述第一基板的中心部分處的軟基板部分以及形成於所述軟基板部分的上部部分及下部部分上的硬基板部分，且 所述記憶體晶片的至少一部分安置在所述軟基板部分中所形成的安裝孔中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於照相機模組的基板，其中安置於所述軟基板部分的所述上部部分上的所述硬基板部分包括用於與所述記憶體晶片連接的通孔，且 所述記憶體晶片包括連接墊，所述連接墊暴露至所述記憶體晶片的頂表面以連接至所述通孔。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的用於照相機模組的基板，其中在所述第一基板中形成安裝槽，所述安裝槽將安置於所述軟基板部分的所述下部部分上的所述硬基板部分經由所述軟基板部分連接至安置於所述軟基板部分的所述上部部分上的所述硬基板部分。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的用於照相機模組的基板，其中在由所述安裝孔及所述記憶體晶片形成的空間中形成樹脂層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的用於照相機模組的基板，其中在所述第一基板的底表面上安裝有加強板。
  6. 一種用於照相機模組的基板，所述基板包括： 第一基板；以及 影像感測器封裝，包括影像感測器及連接至所述影像感測器的記憶體晶片，並且所述影像感測器封裝安裝於所述第一基板上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的用於照相機模組的基板，其中所述影像感測器封裝包括： 框架，在所述框架中形成貫穿孔； 重佈線部分，堆疊於所述框架上； 所述影像感測器，安裝於所述重佈線部的頂表面上； 所述記憶體晶片，安置於所述貫穿孔中並安裝於所述重佈線部的底表面上； 囊封劑，填充於由所述記憶體晶片及所述貫穿孔形成的空間中；以及 電極墊，暴露至所述囊封劑的底表面且經由連接通孔而連接至所述重佈線部分。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的用於照相機模組的基板，其中在所述電極墊上形成焊料球。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的用於照相機模組的基板，其中所述第一基板包括安置於所述第一基板的中心部分處的軟基板部分以及形成於所述軟基板部分的上部部分及下部部分上的硬基板部分。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的用於照相機模組的基板，其中所述影像感測器封裝安置在所述第一基板中所形成的安裝槽中，以安裝於所述第一基板中。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的用於照相機模組的基板，其中在所述第一基板中形成安置於所述安裝槽下方的加強構件安裝槽，且 在所述加強構件安裝槽中安裝有加強板。
  12. 如申請專利範圍第6項所述的用於照相機模組的基板，更包括安裝於所述第一基板下方的加強板。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的用於照相機模組的基板，其中所述影像感測器封裝安裝於所述第一基板的頂表面上。
  14. 一種用於照相機模組的基板，所述基板包括： 第一基板； 影像感測器，安裝於所述第一基板上； 記憶體晶片，插入至凹陷槽中，所述凹陷槽被形成為自所述第一基板的底表面下凹；以及 模製層，填充於由所述下凹的槽及所述記憶體晶片形成的空間中。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的用於照相機模組的基板，其中所述第一基板包括安置於所述第一基板的中心部分處的軟基板部分以及形成於所述軟基板部分的上部部分及下部部分上的硬基板部分，且 所述下凹的槽是自安置於所述軟基板部分的所述下部部分上的所述硬基板部分至所述軟基板部分形成。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的用於照相機模組的基板，其中所述下凹的槽被形成為台階狀，且 所述影像感測器及所述記憶體晶片藉由打線接合而連接至所述第一基板。
  17. 一種照相機模組，包括： 透鏡筒，在所述透鏡筒中安裝有至少一個透鏡；以及 如申請專利範圍第1項所述的用於照相機模組的基板，所述透鏡筒安裝於所述基板上，且在所述基板中，在所述至少一個透鏡下方安置有影像感測器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI673833B (zh) * 2017-11-29 2019-10-01 南韓商三星電子股份有限公司 扇出型半導體封裝
TWI683406B (zh) * 2017-11-30 2020-01-21 南韓商三星電子股份有限公司 扇出型半導體封裝

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI662695B (zh) * 2017-12-28 2019-06-11 財團法人工業技術研究院 晶圓級晶片尺寸封裝結構
CN115943739A (zh) 2018-05-29 2023-04-07 Lg伊诺特有限公司 透镜驱动装置、相机装置和包括该相机模块的光学设备
KR102536269B1 (ko) 2018-09-14 2023-05-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US11206732B2 (en) 2019-07-02 2021-12-21 Waymo Llc Reliable interconnect for camera image sensors
KR102301208B1 (ko) 2019-08-14 2021-09-09 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈 및 이를 구비하는 전자 기기
KR20230040823A (ko) * 2021-09-16 2023-03-23 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 이를 포함하는 광학기기
KR20230068114A (ko) * 2021-11-10 2023-05-17 삼성전자주식회사 카메라 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102616022B1 (ko) * 2022-04-15 2023-12-20 (주)파트론 광학센서 패키지

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3822040B2 (ja) * 2000-08-31 2006-09-13 株式会社ルネサステクノロジ 電子装置及びその製造方法
KR100444704B1 (ko) 2002-08-14 2004-08-16 (주)선양디지털이미지 무선통신 단말기용 촬상모듈 및 이를 이용한 화상처리장치
JP2005101711A (ja) 2003-09-22 2005-04-14 Renesas Technology Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US7045897B2 (en) * 2004-07-28 2006-05-16 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Electrical assembly with internal memory circuitized substrate having electronic components positioned thereon, method of making same, and information handling system utilizing same
JP3110007U (ja) 2005-01-25 2005-06-09 華泰電子股▲分▼有限公司 レンズモジュール
JP4304163B2 (ja) * 2005-03-09 2009-07-29 パナソニック株式会社 撮像モジュールおよびその製造方法
US7556442B2 (en) 2005-05-24 2009-07-07 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for a smart image-receptor unit
KR101070921B1 (ko) * 2006-10-19 2011-10-06 삼성테크윈 주식회사 이미지 센서용 칩 패키지 및 그 제조방법
JP2010103628A (ja) 2008-10-21 2010-05-06 Rohm Co Ltd 撮像モジュール
JP5584086B2 (ja) * 2010-10-14 2014-09-03 パナソニック株式会社 電子機器
JP5794002B2 (ja) * 2011-07-07 2015-10-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器
JP2013183425A (ja) 2012-03-05 2013-09-12 Toshiba Corp カメラモジュール
JP2013232756A (ja) 2012-04-27 2013-11-14 Sony Corp 光学モジュール

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI673833B (zh) * 2017-11-29 2019-10-01 南韓商三星電子股份有限公司 扇出型半導體封裝
TWI683406B (zh) * 2017-11-30 2020-01-21 南韓商三星電子股份有限公司 扇出型半導體封裝
US10559540B2 (en) 2017-11-30 2020-02-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package

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