TW201731572A - 金屬化合物粒子的萃取方法、該金屬化合物粒子的分析方法、以及可用於其等之電解液 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於：在藉由以溶劑系電解液之電解腐蝕法對金屬材料中之金屬微粒子(夾雜物、析出物)進行萃取或分析時，不大幅度變更習知之萃取、分析方法即可抑制由Cu離子等引起之金屬微粒子之表面交換，而防止假影(Artifact)CuS等之生成。 本發明係關於一種將金屬材料於電解液中進行蝕刻並萃取金屬材料中之金屬化合物粒子之方法、以及該電解液，前述方法係使用包含會形成如下錯合物之藥劑而成之電解液，該錯合物包含下述式所定義之Δ成為10以上之金屬M'： 設金屬化合物M'x'Ay'之溶度積為Ksp[M'x'Ay']， 設前述金屬材料中所含之萃取對象金屬化合物MxAy之溶度積為Ksp[MxAy]時， Δ＝pKsp[M'x'Ay']－pKsp[MxAy] ＝(-log10Ksp[M'x'Ay'])－(-log10Ksp[MxAy])。

Description

金屬化合物粒子的萃取方法、該金屬化合物粒子的分析方法、以及可用於其等之電解液
本案發明係關於一種將金屬材料於電解液中進行蝕刻而萃取金屬材料中之金屬化合物粒子時，使用包含會捕獲特定金屬之藥劑而成之電解液之金屬化合物粒子的萃取方法、該金屬化合物粒子的分析方法、及該電解液。
金屬材料、尤其是鋼鐵材料係藉由微量添加元素或各種熱處理而控制存在於材料基質中之夾雜物或析出相之種類、縱橫比等形狀、尺寸等，而對鋼鐵材料所要求之強度或特性進行控制被廣泛地實施。 因此，在進行鋼鐵材料之品質管理或製造製程之分析的方面上，對夾雜物及/或析出相進行觀察、或者對其成分、分量進行測定係具有重要之意義。
為了利用SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)等對夾雜物或析出相進行觀察，而必須使埋藏於基質中之狀態之夾雜物或析出相露出至觀察表面，習知係藉由於各種電解質溶液中進行電解而使夾雜物或析出相露出至試樣表面而製成能夠觀察之狀態。
近年來，因鋼鐵材料之製造技術之進步，夾雜物或析出相之種類多樣化，並且微細分散化亦進展，而於觀察時要求如下電解液，即選擇性地僅使基質(Fe)溶解，並且對於夾雜物或析出相，即便其等為微細粒，亦確實地將其等保持在觀察表面而不會使其等溶解。
又，當對其等夾雜物或析出相進行鑑定、定量分析時，同樣地，於電解質溶液中使鋼鐵試樣之基質溶解，將夾雜物或析出相以電解殘渣之形式進行回收，對該電解殘渣進行鑑定、定量分析。
當該定量分析時，要求一面僅將鋼鐵材料之基質部分高效率地電解，一面使Fe分確實地溶解並保持於電解液中，並且可確實地將其他相當於夾雜物或析出相之部分以電解殘渣之形式進行回收。
專利文獻1中記載有用於鋼鐵試樣之電解液組成物、與使用其之夾雜物或析出物之分析方法。 關於該電解液組成物，習知電解液呈酸性者較多，相對於此，藉由添加鹼性之三乙醇胺，而即便為微細之夾雜物或析出相亦變得難以溶解，而其等夾雜物或析出物之粒子容易殘留在鋼材試樣表面，將鋼鐵試樣自電解液中取出並乾燥後，而能夠在該狀態下直接利用SEM等進行觀察或分析。
又，專利文獻2中揭示有關於鋼鐵試樣中之夾雜物或析出物之萃取用非水溶劑系電解液、與使用其之鋼鐵試樣之電解萃取方法的發明。 該電解液係將順丁烯二酸酐、四甲基氯化銨、及甲醇以特定之比例包含者，且係一次性將大量之鋼鐵試樣進行電解之能力優異之電解液，並且具有如下特徵：液中所包含之順丁烯二酸酐會使鐵錯合物生成，而抑制Fe氫氧化物等沈澱生成。
另一方面，專利文獻3中揭示有為了將含銅礦物中之雜質元素之砷與銅離子進行沈澱分離，而使用三乙四胺(TETA)、或乙二胺四乙酸(EDTA)作為砷礦物之懸浮抑制劑之技術，但該技術並不以鋼鐵試樣作為對象。
為了利用SEM等原位觀察鋼鐵試樣中之夾雜物或析出相，而以如下方式進行電解：將試樣電解，利用Fe離子螯合劑將構成基質之Fe成分保持於電解液中，而使夾雜物或析出相殘留在試樣表面。 另一方面，若為夾雜物或析出相之定量分析，則藉由螯合劑將基質之Fe分保持於電解液中，使用如不會使因電解而自試樣脫離之夾雜物或析出相溶解之電解液，將其等以電解殘渣之形式進行回收，對該殘渣進行鑑定、定量分析。 因此，關於以用以夾雜物或析出相之鑑定、定量分析之殘渣回收為目的之電解液，主要著眼點在於：能夠將Fe分於電解液中以螯合複合物之形式維持為溶解狀態，關於在電解液中之對夾雜物或析出相之污染等，並未特別考慮。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-303620號公報 [專利文獻2]日本專利特開2000-137015號公報 [專利文獻3]日本專利特開2011-156521號公報
[發明欲解決之課題] 於習知利用非水溶劑系電解液中之電解腐蝕等對鋼材中之金屬化合物進行分析時，存在觀察到如下原因不明之現象之情況：於夾雜物或析出相之微粒子、特別是各種金屬化合物、尤其是MnS之表層會觀察到較利用電解操作以外之方法所測得之含量為高濃度之CuS。因此，存在將MnS粒子正好以CuS(Artifact CuS)之形式檢測到之情況。
本案發明者等人針對其原因詳細地進行研究，結果發現，若因電解操作而於電解液中生成溶度積Ksp 較小之金屬離子(Cu2+ )，則於金屬硫化物(MnS)之表面上溶度積Ksp較大之金屬離子(Mn2+ )會被交換(exchange)為溶度積Ksp較小之金屬離子(Cu2+ )。又，查明了此種於硫化物表面上之金屬離子之交換於常溫常壓下並且於水溶液或非水溶劑中亦容易地進行。
其結果為，鋼鐵試樣中原本以MnS之形式存在之夾雜物或析出相於只是觀察表面時以CuS之形式被觀察到，又，於MnS之表面，源自電解液中之Cu離子之CuS會與厚度數十nm左右(1～100nm)MnS進行交換，藉此即便根據殘渣進行質譜分析，於微細粒子之情形時CuS亦會佔據體積之相當部分，因此無法實現準確之定量。
於前述中以Cu對MnS表面之攻擊(MnS表面之Mn原子與Cu原子之交換現象)之事例進行了說明，但對於Cu以外之金屬，亦可推測會出現同樣之現象。即，可推測金屬化合物表面上之金屬離子之交換於溶度積Ksp 存在相當的大小差(10位數(1010 )左右以上之大小差)時會容易地進行(以下，於本說明書中，將該現象稱為「假影(Artifact)」)。更詳細而言，可推測溶度積Ksp 不同之兩種化合物之pKsp 之差(以下有稱為Δ之情形)為約10以上時，pKsp 較大(溶度積Ksp 較小)之化合物與pKsp 較小(溶度積較大)之化合物的交換會容易地進行。 前述之條件可由以下之式表示。 Δ＝pKsp [化合物(Ksp 較小者)]－pKsp [化合物(Ksp 較大者)] ＝(-log10 Ksp [化合物(Ksp 較小者)])－(-log10 Ksp [化合物(Ksp 較大者)]) ≧10 此處，或者化合物之溶度積Ksp 表示為Ksp [化合物]，且表示為pKsp [化合物]＝-log10 Ksp [化合物]。
實際上，本發明者進行使Ag作用於MnS之模擬實驗，結果確認到Ag攻擊MnS，使Mn離子化並將之趕至電解液中，並且自身以Ag2 S之形式殘留在MnS表面。此處，若將Ag2 S與MnS之溶度積(或pKsp )進行比較，則Ag2 S之溶度積Ksp 較小(pKsp 較大)，MnS之溶度積Ksp 較大(pKsp 較小)。Ag2 S與MnS之溶度積Ksp 之差為37位數，pKsp 之差Δ為36.6。若用式表示，則如下。 Δ＝pKsp [Ag2 S]－pKsp [MnS] ＝50.1－13.5 ＝36.6≧10
因此，本案發明欲解決之課題如下。 ・課題在於：於藉由利用溶劑系電解液之電解腐蝕法等對金屬材料中之金屬微粒子(夾雜物、析出物)進行萃取或分析時，不大幅度變更習知之萃取、分析方法而抑制由Cu離子等引起之金屬微粒子之表面交換，而防止假影(Artifact)CuS等之生成。 ・課題在於：尤其是著眼於金屬硫化物(MnS、FeS等)，而防止假影(Artifact)CuS等之生成。 [用以解決課題之手段]
本案發明者等人對用以解決前述課題之方法進行了努力研究。 其結果為，若不使會形成假影(Artifact)金屬硫化物之金屬(攻擊金屬)存在於溶劑系電解液中，則交換現象不會出現，根據該見解，想到捕獲此種攻擊金屬。即，想到藉由於溶劑系電解液中添加會選擇性地捕獲會形成假影(Artifact)金屬硫化物之金屬(攻擊金屬)之藥劑(螯合劑等)，電解液中之自由之攻擊金屬會減少，而不會生成假影(Artifact)金屬硫化物。
例如判明了如下情況：藉由Cu離子螯合劑將自鋼鐵試樣等溶出之Cu離子保持在電解液中，而使之不會攻擊表面觀察用鋼鐵試樣表面之MnS；或者於用以對夾雜物或析出相進行鑑定、定量分析之電解操作，亦同樣地於電解液中藉由Cu螯合劑而將Cu離子以螯合複合物之形式保持在電解液中，藉此使CuS不會混入至由夾雜物或析出相所製作之定量分析用殘渣中，由此能夠將表面觀察用之鋼鐵試樣中之夾雜物或析出相以原本之狀態進行觀察，又，於作為分析對象之電解殘渣中不包含自試樣之基質等溶出之源自Cu離子之CuS等，而能夠確實地僅鑑定、定量源自原本鋼鐵試樣所含有之夾雜物或析出相之元素。
本案發明係基於前述見解而完成者，其主旨係如下所示。 (1)一種金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：其係將金屬材料於電解液中進行蝕刻，萃取金屬材料中之金屬化合物粒子者，且 該方法係使用包含會形成如下錯合物之藥劑而成之電解液，該錯合物包含下述式所定義之Δ成為10以上之金屬M'： 設金屬化合物M'x' Ay' 之溶度積為Ksp [M'x' Ay' ]， 設前述金屬材料中所含之萃取對象金屬化合物Mx Ay 之溶度積為Ksp [Mx Ay ]時， Δ＝pKsp [M'x' Ay' ]－pKsp [Mx Ay ] ＝(-log10 Ksp [M'x' Ay' ])－(-log10 Ksp [Mx Ay ]) 此處，M與M'係不同之金屬元素，A係與M或M'形成化合物之單原子或原子團，x、x'、y、y'係表示取決於M、M'、A之價數的前述化合物之組成比，前述溶度積Ksp 係水溶液中25℃下之值。
(2)如前述(1)所記載之金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：電解液為非水溶劑系電解液。
(3)如前述(1)或(2)所記載之金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：前述萃取對象金屬化合物Mx Ay 為MnS或FeS之1種或2種。
(4)如前述(1)至(3)中任一項所記載之金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：前述金屬化合物M'x' Ay' 之金屬M'為Hg、Ag、Cu、Pb、Cd、Co、Zn及Ni之至少一者。
(5)如前述(1)至(4)中任一項所記載之金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：前述藥劑係包含冠醚而成。
(6)如前述(1)至(5)中任一項所記載之金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：前述藥劑係包含聚伸乙胺類、乙二胺四乙酸、環己二胺四乙酸中之任意1種或2種以上而成。
(7)如前述(6)所記載之金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：前述藥劑係包含三乙四胺而成。
(8)如前述(1)至(7)中任一項所記載之金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：前述金屬材料為鋼鐵材料。
(9)如前述(1)至(8)中任一項所記載之金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：於將前述蝕刻後之電解液通過過濾器，並以所捕獲到之殘渣而萃取金屬化合物粒子時，前述過濾器為四氟乙烯樹脂製過濾器。
(10)一種金屬化合物粒子的分析方法，其特徵在於：對已藉由如前述(1)至(9)中任一項所記載之金屬化合物粒子的萃取方法萃取之金屬化合物粒子進行分析。
(11)一種電解液，係於將金屬材料進行蝕刻，萃取金屬材料中之金屬化合物粒子時所使用者，其特徵在於： 其係包含會形成如下錯合物之藥劑而成，該錯合物包含下述式所定義之Δ成為10以上之金屬M'： 設金屬化合物M'x' Ay' 之溶度積為Ksp [M'x' Ay ]， 設前述金屬材料中所含之萃取對象金屬化合物Mx Ay 之溶度積為Ksp [Mx Ay ]時， Δ＝pKsp [M'x' Ay' ]－pKsp [Mx Ay ] ＝(-log10 Ksp [M'x' Ay' ])－(-log10 Ksp [Mx Ay ]) 此處，M與M'係不同之金屬元素，A係與M或M'形成化合物之單原子或原子團，x、x'、y、y'係表示取決於M、M'、A之價數的前述化合物之組成比，前述溶度積Ksp 係水溶液中25℃下之值。
(12)如前述(11)所記載之電解液，其特徵在於為非水溶劑系。
(13)如前述(11)或(12)所記載之電解液，其特徵在於：前述萃取對象金屬化合物Mx Ay 為MnS或FeS之1種或2種。
(14)如前述(11)至(13)中任一項所記載之電解液，其特徵在於：前述金屬化合物M'x' Ay' 之金屬M'為Hg、Ag、Cu、Pb、Cd、Co、Zn及Ni中之至少1者。
(15)如前述(11)至(14)中任一項所記載之電解液，其特徵在於：前述藥劑係包含冠醚而成。
(16)如前述(11)至(15)中任一項所記載之電解液，其特徵在於：前述藥劑係包含聚伸乙胺類、乙二胺四乙酸、環己二胺四乙酸中之任意1種或2種以上而成。
(17)如前述(16)所記載之電解液，其特徵在於：前述藥劑係包含三乙四胺而成。
(18)如前述(11)至(17)中任一項所記載之電解液，其特徵在於：前述金屬材料為鋼鐵材料。 (19)如前述(11)至(18)中任一項所記載之電解液，其中前述非水溶劑係包含甲醇、乙醇之至少一者而成。 [發明之效果]
・根據本案發明，藉由所萃取之金屬微粒子之表面分析，而不會將實際狀態為MnS或FeS之微粒子誤認為CuS，從而能夠獲知金屬硫化物之真實狀態(尺寸、成分)，進而亦能夠準確地掌握鋼鐵材料中之金屬硫化物之含量。 ・根據本案發明，變得能夠將藉由電解操作而露出至鋼板試樣表面之夾雜物或析出相等以原本存在於鋼鐵試樣中之成分及形態進行觀察，除此以外，當根據電解殘渣之分析對夾雜物或析出相成分進行定量分析時，亦能夠不受自電解液混入之Cu等之影響而確實地進行定量分析，因此會大大地有助於鋼鐵試樣之組織觀察、或鋼鐵試樣中之夾雜物或析出相之鑑定、定量分析之精度提高。
根據本案發明，提供一種金屬化合物粒子的萃取方法，該方法之特徵在於：係將金屬材料於電解液中進行蝕刻，並萃取金屬材料中之金屬化合物粒子，該方法使用包含會形成如下錯合物之藥劑而成之電解液，該錯合物包含下述金屬M'： 設金屬化合物M'x' Ay' 之溶度積為Ksp [M'x' Ay' ]， 設前述金屬材料中所含之萃取對象金屬化合物Mx Ay 之溶度積為Ksp [Mx Ay ]時， 下述式所定義之Δ成為10以上： Δ＝pKsp [M'x' Ay' ]－pKsp [Mx Ay ] ＝(-log10 Ksp [M'x' Ay' ])－(-log10 Ksp [Mx Ay ]) 此處，M與M'係不同之金屬元素，A係與M或M'形成化合物之單原子或原子團，x、x'、y、y'表示取決於M、M'、A之價數的前述化合物之組成比，前述溶度積Ksp 係水溶液中25℃下之值。
於本發明中，進行金屬材料中之金屬化合物粒子之萃取。即，藉由將金屬材料於電解質溶液中進行蝕刻，選擇性地使基質(Fe等)溶解，而使金屬材料所含之夾雜物或析出相等金屬化合物粒子露出至試樣表面。藉此，可成為能夠觀察金屬化合物粒子之狀態。 作為金屬試樣中之微粒子之萃取方法，例如可使用：於酸溶液中使鋼鐵試樣之鐵基質溶解之酸分解法；於碘甲醇混合溶液或溴甲醇混合溶液中使鋼鐵試樣之鐵基質溶解之鹵素溶解法；非水溶劑系定電流電解法、或非水溶劑系定電位電解(SPEED：Selective Potentiostatic Etching by Electrolytic Dissolution Method)法等。其等中，關於使用非水溶劑之SPEED法，由於在溶劑中分散有微粒子時不易產生組成或尺寸之變化，即便為不穩定之微粒子亦可穩定地萃取，故而較佳。關於本實施形態，一面參照圖1，一面以利用非水溶劑系定電位電解法(SPEED法)對鋼鐵材料中之微粒子進行評價的方法為例進行說明，但本發明中之萃取方法並不限定於SPEED法，又，金屬材料並不限定於鋼鐵材料。
首先，將金屬試樣4加工為例如20mm×40mm×2mm之大小，藉由化學研磨或機械研磨等將表層之鏽皮等氧化皮膜等去除，而使金屬層露出。反之，於對氧化皮膜層所含之微粒子進行分析時，直接保留該形態。
其次，使用SPEED法，將該金屬試樣進行電解。具體而言，於電解槽10中充滿電解溶液9，使金屬試樣4浸漬於其中，使參考電極7與金屬試樣4進行接觸。將鉑電極6與金屬試樣4連接於電解裝置8。通常而言，若使用前述電解法，則與成為金屬試樣4之基質的金屬部分之電解電位相比，析出物等鋼中微粒子之電解電位具有較高之電解電位。因此，可藉由使用電解裝置8，於使金屬試樣4之基質溶解且不會使析出物等微粒子溶解之電解電位之間設定電壓，而選擇性地僅使基質溶解。於表面基質部分之Fe已電解溶出之試樣表面，夾雜物或析出相5露出，而成為適於利用SEM等進行觀察之狀態。進而，亦可繼續電解，使夾雜物或析出相自試樣表面脫離，以電解殘渣11之形式進行回收，自電解液進行過濾分離，而供於鑑定、定量分析。
本案發明之金屬材料用之電解液、即為了觀察夾雜物或析出相而將表面之Fe基質電解、或為了定量分析夾雜物或析出相而將Fe基質進行電解，而用以回收殘渣的電解所使用的電解液較佳為包含： (1)針對Fe離子之錯合物形成劑、 (2)用以使電解液保持導電性之電解質、 (3)用以將所形成之Fe等之錯合物保持於液中之溶劑。
作為針對Fe離子之錯合物形成劑，亦可自乙醯丙酮、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸、三乙醇胺、水楊酸、水楊酸甲酯中選擇1種以上。
關於電解質，可自四甲基氯化銨(TMAC)、氯化鈉(NaCl)、氯化鋰(LiCl)中選擇1種以上。
溶劑需為能夠以溶解狀態保持各種錯合物形成劑、或其等與Fe之錯合物者，亦可為非水溶劑。若為水溶液系電解液，則即便於相對較低之電解電壓(例如-300mV以下)下，各種析出物亦會分解，相對於此，非水溶劑系電解液之穩定之電解區域較廣，能夠應用於超合金、高合金、不鏽鋼至碳鋼之幾乎全部鋼鐵材料。於使用非水溶劑系電解液之情形時，主要僅引起基質之溶解、與溶解之Fe離子與螯合劑之(錯合物化)反應，而夾雜物或析出相5不會溶解，從而能夠於母材上以「原位(in situ)」之狀態進行三維觀察與分析。作為非水溶劑，適合的是使電解順利地進行而且會將可錯合物化之有機化合物與支持電解質加以溶解之化合物，例如可使用低級醇、例如甲醇、乙醇、或異丙醇。可選擇甲醇、或乙醇、或者其等之混合物。又，若為具有與其等醇相同程度或以上之極性(偶極矩等)之溶劑，則可使用。
於習知之定電位電解法中，使用有例如10質量%乙醯丙酮(以下稱為「AA」)-1質量%四甲基氯化銨(以下稱為「TMAC」)-甲醇溶液、或者10質量%順丁烯二酸酐-2質量%TMAC-甲醇溶液作為電解溶液。其等電解溶液就電解溶出之Fe會生成錯合物且所生成之Fe錯合物會溶解於電解液中之觀點而言較佳，故而被大量使用。
於電解液中，基質(Fe)以外之金屬與基質(Fe)相比，相對較少，但有時會溶出。本發明者發現，於該溶出金屬之溶度積Ksp 較小(換言之，pKsp (＝-log10 Ksp )較大)且夾雜物或析出相5或者電解殘渣11包含溶度積Ksp 較大(pKsp 較小)之金屬之金屬化合物的情況下，於該金屬化合物之表面上溶度積Ksp 較大(pKsp 較小)之金屬離子(例如Mn2+ )會被交換(exchange)為溶度積Ksp 較小(pKsp 較大)之金屬離子(例如Cu2+ )。認為該交換於存在溶度積Ksp 之差為10位數(1010 )左右以上之大小差時，更詳細而言於溶度積Ksp 不同之兩種化合物之pKsp 之差Δ為約10以上時會容易地進行。認為於存在溶度積Ksp 之差為20位數(1020 )左右以上之大小差時，更詳細而言，於pKsp 之差Δ為約20以上時，交換會進一步容易地進行。
於表1中表示水溶液中25℃下之硫化物之溶度積Ksp 、與硫化物間之pKsp (＝-log10 Ksp )之差Δ。表中，雙劃線之框(或者深灰色之框)係pKsp 之差Δ為22以上之硫化物之組合，預想於其等組合中交換反應會容易地進行或以秒單位進行。若簡單地用符號表示，則將交換反應之期望度(預測)表示為◎。粗實線之框(或者淺灰色之框)係pKsp 之差Δ為10以上且未達22之硫化物之組合，預想雖然會歷時數分鐘至數小時單位，但交換反應會進行。若簡單地用符號表示，則將交換反應之期望度(預測)表示為○～△。細實線之框(或者白色之框)係pKsp 之差Δ未達10之硫化物之組合，預想於其等組合中交換反應難以進行。若簡單地用符號表示，則將交換反應之期望度(預測)表示為△～×。 再者，關於硫化物之溶度積，即便為相同元素之硫化物，亦會根據結晶形態等而顯示不同之溶度積。表1中，列舉有具有pKsp 之差Δ變小之結晶形態等之硫化物。認為其原因在於：即便為pKsp 之差Δ變大之形態，與成為對象之硫化物之pKsp 之差Δ亦成為10以上，交換反應會進行。
[表1]
前述之溶度積Ksp 係水溶液中之值，但同樣地，推測於極性溶劑之甲醇等非水溶劑中亦存在相同之傾向。
例如，於鋼鐵試樣表面或電解液殘渣中存在MnS之情形時，溶出至電解液中之Cu離子之硫化物由於與MnS之pKsp 之差Δ為22.6，故而攻擊MnS，使Mn離子化並將之趕至電解液中，並且自身以CuS之形式殘留在MnS表面。即，於含Cu之鋼鐵試樣中原本以MnS之形式存在之夾雜物或析出相於只是觀察其表面時以CuS之形式被觀察到。又，於MnS之表面源自電解液中之Cu離子之CuS會與厚度數十nm左右(1～100nm)MnS進行交換，藉此即便根據殘渣進行質譜分析，於微細粒子之情形時CuS亦會佔據體積之相當部分，因此無法實現準確之定量。有將此種表面附近之金屬被交換之現象於本說明書中稱為假影(Artifact)之情況。
又，Ag離子之硫化物由於與MnS之pKsp 之差Δ為36.6，故而攻擊MnS，使Mn離子化並將之趕至電解液中，並且自身以Ag2 S之形式殘留在MnS表面。該情況係於藉由以下程序所獲得之圖5中得到確認。 ・準備已確認含有MnS作為夾雜物之鋼鐵試樣，且為了將表面雜質去除而預先實施過鏡面研磨。 ・準備包含習知已知之能夠將硫化物系夾雜物以殘渣之形式進行回收之4質量%水楊酸甲酯＋1質量%水楊酸＋1質量%四甲基氯化銨(TMAC)，且溶劑為甲醇之電解液(4%MS)。 ・將前述鋼鐵試樣於前述電解液中進行電解。 ・電解結束後，將Ag離子溶液滴加至前述電解液中並進行混合。 ・於Ag離子溶液滴加之前與滴加之後，針對已將表面電解之鋼鐵試樣，進行利用掃描式電子顯微鏡(SEM)之觀察、及利用EDS(Energy Dispersive Spectrometer，能譜分析)之表面元素濃度之測量。 ・圖5係Ag離子滴加後者，左上圖像係SEM觀察圖像，右上圖像為於SEM觀察圖像上將藉由EDS所測得之Ag濃度之線圖予以重合而表示者，左下圖像為將Mn濃度之線圖予以重合而表示者，右下圖像為將S濃度之線圖予以重合而表示者。 ・再者，當然於Ag離子滴加前，未發現Ag之存在。
根據圖5之各元素濃度之線圖，確認到僅MnS粒子之表面部被交換為Ag2 S。線圖中之各元素之高低(濃度)係相對而言，但能夠看出如下情況。具體而言，於夾雜物粒子之部分中，Mn與S之圖形之值上升為山型，而確認夾雜物粒子為包含Mn與S、即具體而言為以MnS作為主成分之粒子。Ag於夾雜物粒子之端部濃度變高，而確認於夾雜物粒子之表面Ag之濃度變高。又，於夾雜物粒子之中央部，Ag之濃度未變高，而Mn及S之濃度較高，因此確認到僅MnS之表面被交換為Ag。
本發明者等人新發現，藉由於萃取金屬材料中之金屬化合物粒子之方法中使用特定之電解液，而電解液中之自由之攻擊金屬減少，而能夠防止假影(Artifact)。特定之電解液係包含會形成如下錯合物之藥劑而成，該錯合物包含金屬化合物M'x' Ay' 之金屬(攻擊金屬)M'，此處，設金屬化合物M'x' Ay' 之溶度積為Ksp [M'x' Ay' ]， 設金屬材料中所含之萃取對象金屬化合物Mx Ay 之溶度積為Ksp [Mx Ay ]時， 則Δ＝pKsp [M'x' Ay' ]－pKsp [Mx Ay ] ＝(-log10 Ksp [M'x' Ay' ])－(-log10 Ksp [Mx Ay ]) ≧10。 再者，此處，M與M'係不同之金屬元素，A係與M或M'形成化合物之單原子或原子團，x、x'、y、y'係表示取決於M、M'、A之價數的前述化合物之組成比，前述溶度積Ksp 係水溶液中25℃下之值。
作為容易產生假影(Artifact)之攻擊金屬M'，就其含量或溶度積Ksp 之高低、換言之，pKsp 之高低而言，Cu較為顯著。Cu容易攻擊相對於Cu化合物，pKsp 差Δ為大約20之MnS或FeS之表面，而可能產生假影(Artifact)。但是，認為pKsp 之差Δ越大，越容易產生假影(Artifact)或由攻擊金屬M'引起之攻擊，本發明之對象並不限於Cu與MnS或FeS之組合。具體而言，具有較大pKsp 之金屬化合物M'x' Ay' 之金屬M'亦可為Hg、Ag、Cu、Pb、Cd、Co、Zn、及Ni中之至少一者，其等可能成為攻擊金屬M'。認為攻擊金屬M'主要為鋼材試樣中所含之金屬M'或其化合物溶出至電解液中者。但是，存在將電解液或電解裝置再利用之情況，而存在於再利用之電解液或電解裝置中存在金屬M'或其化合物之情況，亦存在其成為攻擊金屬M'之情況。又，亦存在於電解萃取操作時，金屬M'或其化合物作為污染物質混入至電解液中，而成為攻擊金屬M'之情況。 M'亦可為Hg、Ag、Cu、Pb、Cd、Co、Zn、及Ni中之至少一者，但係與M不同之金屬元素。A係與M或M'形成化合物之單原子或原子團，亦可包含獨立地選自由C、N、H、S、O、P及F之原子所組成之群中之1種以上之原子。Hg、Ag、Cu、Pb、Cd、Co、Zn、及Ni之硫化物與MnS之pKsp 之差Δ為10以上。尤其是Hg、Ag、Cu之硫化物與MnS之pKsp 之差Δ為20以上。 於萃取對象金屬化合物MxAy與攻擊金屬化合物M'x'Ay'之pKsp 之差Δ為10左右的情況下，可能以數小時產生假影(Artifact)。實際之電解萃取分析大多以數小時之程度進行。因此，pKsp 之差Δ為10左右之組合有可能對分析產生影響。於本發明中，規定pKsp 之差Δ為10以上，而能夠抑制於該情形時可能產生之假影(Artifact)。 萃取對象金屬化合物MxAy與攻擊金屬化合物M'x'Ay'之pKsp 之差Δ越大，越可能容易或迅速地產生假影(Artifact)。於本發明中，可選擇pKsp 之差Δ較大之MxAy與M'x'Ay'之組合，藉此可抑制可能容易或迅速地產生之假影(Artifact)，故而較佳。就該方面而言，M'x'Ay'之pKsp [M'x'Ay']與萃取對象金屬化合物MxAy之pKsp [MxAy]相比，較佳為大11以上，進而較佳為大12以上，進而較佳為大13以上，進而較佳為大14以上，進而較佳為大15以上，進而較佳為大16以上，進而較佳為大17以上，進而較佳為大18以上，進而較佳為大19以上，進而較佳為大20以上，進而較佳為大21以上，進而較佳為大22以上，進而較佳為大23以上，進而較佳為大24以上，進而較佳為大25以上，進而較佳為大26以上，進而較佳為大27以上，進而較佳為大28以上，進而較佳為大29以上，進而較佳為大30以上，進而較佳為大31以上，進而較佳為大32以上，進而較佳為大33以上，進而較佳為大34以上，進而較佳為大35以上，進而較佳為大36以上，進而較佳為大37以上，進而較佳為大38以上，進而較佳為大39以上，進而較佳為大40以上。 再者，溶度積Ksp 係水溶液中之值，但如表2中所示，即便於使用非水溶劑(低級醇)之情形時，亦確認到自Ksp 求出之pKsp (-log10 Ksp )之差Δ為10以上且發現反應。具體而言，進行以下之確認實驗。 ・準備2種含有MnS之鋼材(MnS之粒徑為1μm以上者、及粒徑100～150nm者)作為包含萃取對象物之試樣，對其等之表面進行鏡面研磨拋光。 ・準備Ag、Cu、Pb、Co、Zn、Ni之金屬離子濃度分別為1000μg/ml之6種原子吸光分析用標準溶液(M'＋溶液)作為攻擊金屬M'＋離子。將M'溶液0.1ml與作為非水溶劑之甲醇0.3ml進行混合。 ・將混合液塗佈於鋼材表面，確認鋼材表面之變化。 關於塗佈有包含Ag及Cu之混合液者，於塗佈後5分鐘以內鋼材之表面變成黑色。關於塗佈有包含Pb之混合液者，於塗佈後10分鐘左右鋼材之表面變成黑色。關於塗佈有包含Co、Zn、Ni之混合液者，於塗佈後20分鐘左右鋼材之表面變成黑色。 ・進而，對存在變色之鋼材進行SEM及EDS觀察，結果均確認到於MnS粒子之表面上產生Mn與攻擊金屬M'之交換(即，假影(Artifact))。 根據前述情況，於本發明之範圍內溶度積Ksp 係水溶液中之指標，但亦可應用於非水溶液，推測此處之溶度積Ksp 會顯示出與水溶液中同樣之傾向。 又，亦確認到pKsp 之差Δ越大，交換(假影(Artifact))反應越快。另一方面，亦確認到即便pKsp 之差Δ較小，反應速度相對變慢，但交換(假影(Artifact))反應亦會穩健地進行。鋼材之電解萃取分析大多以數小時之程度進行。例如，作為將試樣浸漬於電解液中之時間，計劃進行2小時左右，亦存在進而延長1小時左右之情況。於使用pKsp 之差Δ成為10之含Ni液與MnS之情形時，於20分鐘左右發現變色。即，確認到若pKsp 之差Δ為10以上，則交換(假影(Artifact))反應可能成為問題。 關於此，除前述之確認試驗外，亦準備於攻擊金屬M'＋溶液與甲醇之混合液進而添加有作為錯合劑之三乙四胺(TETA)0.1ml者(錯合劑添加液)，將其塗佈於鏡面拋光鋼材上，於該情形時進行觀察。於添加有錯合劑添加溶液之情形時，即便於經過數小時後亦未發現鋼材表面之變色，良好之鏡面研磨狀態得到了保持。即便進行SEM及EDS觀察，亦未確認到假影(Artifact)。
[表2] 表2 pKsp 之差Δ與溶劑中離子交換反應產生預測與實測結果 凡例：×未發現反應，△以長時間發現反應，〇以數分鐘發現反應，◎以秒單位發現反應
作為會形成包含此種攻擊金屬M'之錯合物之藥劑，可應用冠醚。冠(王冠)醚係環狀聚醚(若干個醚單元連結而成者)，且可變更環狀孔穴部之尺寸。因此，視攻擊金屬種類M'，而準備具有適當孔穴之冠醚，藉此可選擇性地僅捕獲攻擊金屬種類M'。
會形成包含攻擊金屬M'之錯合物之藥劑亦可包含聚伸乙胺類、乙二胺四乙酸、環己二胺四乙酸中之任意1種或2種以上。該等會作為螯合劑發揮作用而捕獲攻擊金屬M'。作為聚伸乙胺類，可列舉：三乙四胺(TETA)、青黴胺(penicillamine)、五伸乙基六胺等。尤其是三乙四胺等螯合劑對Cu離子或Ni離子等之選擇性較高，於攻擊金屬M'為Cu或Ni等之情形時，會發揮出特別高之捕獲效果。 表3係表示利用各種螯合劑捕獲到作為攻擊金屬M'之Cu或Ni時之錯合物之穩定度常數(Log10 Kd )者。認為穩定度常數越高，越捕獲攻擊金屬並難以再次使之游離，故而較佳。於抑制化合物M'x' Ay 、尤其是CuS之生成之情形時，亦可選擇穩定度常數為10以上者、較佳為12以上者、進而較佳為14以上者、進而較佳為16以上者、進而較佳為18以上者、進而較佳為20以上者作為會形成包含攻擊金屬M'之錯合物之藥劑。通常而言，若設應抑制生成之化合物M'x' Ay 之溶度積為Ksp [M'x' Ay' ]，則亦可選擇pKsp [M'x' Ay' ](＝-Log10 Ksp [M'x' Ay' ])與LogKd 之差、pKsp [M'x' Ay' ]－LogKd 未達26者、較佳為未達24者、進而較佳為未達22者、進而較佳為未達20者、進而較佳為未達18者、進而較佳為未達16者。
[表3] 表3 利用各種螯合劑之錯合物之穩定度常數Kd (log值)
捕獲攻擊金屬M'而會形成攻擊金屬M'之錯合物。攻擊金屬M'之錯合物係以溶解狀態保持於前述溶劑中。因此，即便存在pKsp 之差Δ較大之金屬化合物Mx Ay ，攻擊金屬M'亦無法自由地進行於金屬化合物Mx Ay 之表面上之與金屬M之交換(即，假影(Artifact))。換言之，M'x' Ay' 之生成得到抑制。
會形成錯合物之藥劑、或包含其之電解液亦可於電解槽中進行攪拌。藉此，未反應之藥劑變得容易與攻擊金屬M'接觸，而變得容易捕獲攻擊金屬M'。攪拌之方法並無特別限定，亦可使用利用氣泡產生器所行之起泡、利用磁力攪拌器之渦流等。或者，亦可將未反應之藥劑之液滴滴加至攻擊金屬M'之附近。若為起泡，則亦可將100cc/分鐘、較佳為200cc/分鐘設為下限以使未反應之藥劑容易接觸於攻擊金屬M'，若為攪拌器，則亦可將100rpm、較佳為200rpm設為下限以使未反應之藥劑容易接觸於攻擊金屬M'。若起泡量或攪拌器轉數過高，則產生電解對象物表面之剝離等問題。因此，若為起泡，則亦可將600cc/分鐘、較佳為500cc/分鐘設為上限，若為攪拌器，則亦可將600rpm、較佳為500rpm設為上限。 再者，當於通常之電解操作中進行電解液之攪拌時，以因攪拌而產生之電解液之流動不會與電解對象物接觸之方式進行攪拌操作。其係基於如下考慮：使因攪拌而產生之電解液之流動不會對電解對象物產生影響。於本發明中，就會形成錯合物之藥劑容易與攻擊金屬M'或其產生源接觸之觀點而言，亦可以因攪拌等而產生之電解液之流動與電解對象物接觸之方式將該藥劑進行攪拌或供給。 又，作為用以起泡之氣體，可列舉：氮氣或氦氣、氬氣等惰性氣體。氧氣或氫氣等活性氣體有對電解液中之溶存氧濃度產生影響之虞，且有對電解對象物產生影響之虞，故而欠佳。
本發明中之金屬材料亦可為鋼鐵材料。所謂鋼鐵材料，係指以鐵作為主成分之材料，亦可包含微量之碳。
於將蝕刻後之電解液通過過濾器，萃取作為捕獲到之殘渣之金屬化合物粒子時，前述過濾器亦可為四氟乙烯樹脂製過濾器。關於為了對夾雜物或析出相5或者殘渣11進行鑑定、定量分析，而自電解液濾取夾雜物或析出相5或者殘渣11之過濾器，若為習知所使用之核孔濾器(GE公司製造)，則會溶解損傷而難以濾取殘渣。尤其是於螯合劑包含三乙四胺時，過濾器之損傷明顯。若為四氟乙烯樹脂製過濾器，則即便於螯合劑包含三乙四胺時，溶解損傷亦較少，故而較佳。
根據本發明，亦提供一種對經前述方法萃取過之金屬化合物粒子進行分析之方法。針對金屬化合物粒子，可藉由XRF進行概略組成分析，或者亦可藉由ICP進行精緻之組成分析。又，亦可使用利用SEM之觀察、利用EDS之元素分析等作為表面分析方法。亦可藉由於蝕刻之途中對供萃取金屬化合物之試樣之表面進行分析，而以時間序列觀察金屬化合物之萃取狀況。
根據本發明，若於電解液中添加選擇性地將如攻擊夾雜物或析出相之構成成分元素並進行交換之攻擊金屬(Cu離子等)以錯合物之形式保持，且會穩定地溶解維持於電解液中之成分，則於試樣之表面觀察中，可將夾雜物或析出相以原本存在於鋼鐵試樣中之形態進行觀察，又，於夾雜物或析出相之鑑定、定量分析中，前述Cu離子等不會混入至作為分析對象之電解殘渣中，而使夾雜物或析出相之鑑定、定量分析精度降低。例如，根據本發明，藉由所萃取之金屬微粒子之表面分析，而不會將實際形態為MnS或FeS之微粒子誤認為CuS，而能夠獲知金屬硫化物之真實狀態(尺寸、成分)，進而亦可準確地掌握鋼鐵材料中之金屬硫化物之含量。
再者，報告有於鋼材中，析出物MnS之Mn容易被交換為Se，而可能以MnSe之形式析出之情況，認為其原因在於：MnS與MnSe為相同之NaCl型結構，而晶格常數極為接近。根據元素週期律亦預想出如下情況：關於與S、Se同族之Te或鄰接之族之Sb，亦容易與MnS之S交換，而以MnTe或MnSb之形式析出。並且，若MnS容易被交換為MnSe、MnTe、及/或MnSb，則認為MnS之確實之定量分析亦有助於MnSe、MnTe及MnSb之定量分析之精度提高。
又，因MnS之交換等而產生之MnSe可能進而產生與其他硒化物之交換(假影(Artifact)反應。於表4中表示水溶液中25℃下之硒化物間之pKsp (＝-log10 Ksp )之差Δ。表中，雙劃線之框(或者深灰色之框)係pKsp 之差Δ為22以上之硒化物之組合，預想於其等組合中交換反應會容易地進行或以秒單位進行。若簡單地用符號表示，則將交換反應之期望度(預測)表示為◎。粗實線之框(或者淺灰色之框)係pKsp 之差Δ為10以上且未達22之硒化物之組合，預想雖然會歷時數分鐘至數小時單位，但交換反應會進行。若簡單地用符號表示，則將交換反應之期望度(預測)表示為○～△。細實線之框(或者白色之框)係pKsp 之差Δ未達10之硒化物之組合，預想於其等組合中交換反應難以進行。若簡單地用符號表示，則將交換反應之期望度(預測)表示為△～×。
[表4]
根據本發明，對於硒化物，亦可防止假影(Artifact)。
進而根據本案發明，亦提供一種前述金屬化合物粒子的萃取方法所使用之電解液。
本案發明之電解液亦可視需要而含有SDS等粒子分散劑作為前述選擇性地捕獲攻擊金屬(Cu離子等)之藥劑(Cu離子螯合劑等)以外的成分。 [實施例1]
以下，通過實施例對本案發明進行說明。但是，本案發明不應限定於以下之實施例而進行解釋。
藉由本案發明之電解液及電解方法，而進行鋼鐵試樣中之夾雜物或析出相之觀察。作為對照例，係使用如下比較例，同樣地進行鋼鐵試樣之夾雜物或析出相之觀察，該比較例係使用包含習知已知之可將硫化物系夾雜物以殘渣之形式進行回收之4質量%水楊酸甲酯＋1質量%水楊酸＋1質量%四甲基氯化銨(TMAC)之習知的電解液(4%MS)而進行電解者。作為本案發明之電解液，係使用三乙四胺(TETA)5體積%＋1質量%四甲基氯化銨(TMAC)之電解液(5%TETA)。再者，溶劑均設為甲醇。
將結果示於圖2中。 圖2a係針對已利用本案發明電解液將表面電解後之鋼鐵試樣，將其已利用掃描式電子顯微鏡所得的觀察照片與已藉由EDS所測得之Cu濃度圖重合而表示者，圖2b係針對已利用習知電解液將表面電解後之鋼鐵試樣，將其已利用掃描式電子顯微鏡所得之觀察照片與已藉由EDS所測得之Cu濃度圖重合而表示者。於電解前，對於鋼鐵試樣，為了將表面雜質去除而預先過實施鏡面研磨。 於各掃描式電子顯微鏡照片之下，一併揭示有僅抽選前述Cu濃度圖而記載者。
圖中之值之高低(Cu濃度)係相對而言，因此於在本案發明之電解液中電解之情形時，可看出Cu濃度於析出粒子與Fe基質部分沒有差，相對於此，於圖2b所示之於習知之電解液中進行電解而測定Cu濃度之情形時，判明於析出粒子部分中Cu濃度上升。
針對前述實施例及對照例所使用之鋼鐵試樣，發明者等人僅進行鏡面研磨，並供於元素分析。 將結果示於圖3。於圖3中，SEM係夾雜物粒子存在部分之掃描式電子顯微鏡照片。針對該粒子與其附近，實施元素分析。 其結果為，於夾雜物粒子之部分Mn與S之圖值上升，而確認到夾雜物粒子包含Mn與S，即具體而言為MnS。 另一方面，關於Cu成分，未見波峰，而亦確認到並不包含於夾雜物中。
根據前述之結果，而判明如下情況：若使用習知之電解液，將鋼鐵試樣進行電解，並進行利用SEM等之觀察與利用EDS之微分析，則產生如下異常，即原本於鋼鐵材料中所觀察到之MnS因浸漬於電解液中而至少MnS之表面被CuS污染，而作為CuS被觀察到。
相對於此，若使用本案發明之電解液，則不會產生前述之異常，MnS被保持為MnS不變，即便進行利用SEM等之觀察或利用EDS之微分析，亦能夠以原本存在於鋼鐵試樣中之狀態進行觀察，因此能夠大大地有助於鋼鐵試樣之分析精度之提高。 [實施例2]
藉由使用本案發明之電解液之電解，而進行鋼鐵試樣中之夾雜物或析出相之定量分析。準備使用習知之電解液而電解之比較例作為對照例。
於本實施例中，利用1350℃×30min之加熱處理將含有0.4質量%Cu之鋼材進行固溶化後，於水中急冷而製成試樣，使用該試樣作為鋼鐵試樣。 電解液係準備以下3種。 (1)4%MS：將習知已知之可將硫化物系夾雜物以殘渣之形式進行回收之4質量%水楊酸甲酯＋1質量%水楊酸＋1質量%四甲基氯化銨(TMAC)設為對照例者。 (2)4%MS＋5%TETA：於(1)之4%MS中添加有會與Cu離子形成錯合物之三乙四胺(TETA)5體積%者。 (3)5%TETA：三乙四胺(TETA)5體積%(TETA)5體積%＋1質量%四甲基氯化銨(TMAC)之電解液。 再者，溶劑係(1)～(3)均設為甲醇。
針對各電解液，將相當於約1g之試樣進行電解，利用濕式化學分析對所獲得之電解殘渣所含之Mn與Cu之含量進行定量，並計算1g鋼材試樣中所包含之含量。
將結果示於圖4中。 於圖4中，3個直方圖係將自各電解殘渣中所檢測到之Mn與Cu重合並以%單位表示者，自左起依序表示：(1)於習知之電解液(4%MS)中電解之情形；(2)於在習知電解液中添加有TETA 5體積%之本案發明之電解液(4%MS＋5%TETA)中電解之情形；(3)於添加有TETA 5體積%(5%TETA)之本案發明之電解液中電解之情形。任一種情形時均將Pt電極作為陰極而進行電解。
再者，對實施例中所採用之鋼鐵試樣進行鏡面研磨，藉由EDS等對成分元素之分佈進行分析，結果確認到如下情況：試樣中所含之Cu基本上固溶至試樣之基質部分中，而不會以CuS或Cu2 S等硫化物形態存在。
儘管如此，但於圖4之(1)所示之於習知電解液(4%MS)中之電解中，自將鋼鐵試樣中之硫化物視作主成分之電解殘渣中，測得濃度高於為143ppm之Mn濃度之Cu濃度(334ppm)。
(2)所示之圖係表示自於添加有三乙四胺5體積%之本案發明之電解液(4%MS＋5%TETA)中電解時之電解殘渣中測得的Mn與Cu之濃度。 於該情形時，電解殘渣中之Cu成分係減少至62ppm。
又，(3)係表示本案發明之三乙四胺5體積%電解液(5%TETA)之情形時之測定值。 根據電解殘渣測得之Cu濃度係減少至12ppm。
再者，由於在將三乙四胺添加至電解液中而成之本案發明之電解液中習知之核孔濾器會溶解，故而必須對該電解液使用不溶性之過濾器。 本案發明者等人發現：可藉由採用聚氟乙烯製過濾器而防止過濾器之溶解現象。
即，若使用本案發明之電解液將鋼鐵試樣進行電解，則殘渣之化學分析精度提高，而變得能夠準確地鑑定、定量試樣中所存在之夾雜物或析出相。 [產業上之可利用性]
藉由使用本案發明之電解液將鋼鐵試樣進行電解，而能夠將試樣中之夾雜物或析出相以原本存在於試樣中之形態進行觀察，並且即便於其等夾雜物或析出相之化學分析中，亦能夠消除原因在於由Cu等所導致之污染之浸染，從而能夠謀求化學分析之精度提高。
4‧‧‧金屬試樣
5‧‧‧夾雜物、析出相粒
6‧‧‧電極(陰極側)
7‧‧‧參考電極
8‧‧‧電源(恆電位器)
9‧‧‧電解液
10‧‧‧電解槽
11‧‧‧電解殘渣
圖1係表示使用本案發明之電解液之電解裝置之示意圖的一例者。 圖2a、b係表示經電解研磨之鋼鐵試樣之夾雜物附近之SEM照片與元素濃度之圖表。 圖3係表示經鏡面研磨之鋼鐵試樣之夾雜物附近之SEM照片與元素濃度之圖表。 圖4係表示鋼鐵試樣之電解殘渣之分析結果之圖表。 圖5係表示經鏡面研磨之鋼鐵試樣之夾雜物附近之SEM照片與元素濃度之圖表。

Claims (19)

  1. 一種金屬化合物粒子的萃取方法，其特徵在於：該方法係將金屬材料於電解液中進行蝕刻，萃取金屬材料中之金屬化合物粒子，其中， 該方法係使用包含會形成如下錯合物之藥劑而成之電解液，該錯合物包含下述式所定義之Δ成為10以上之金屬M'： 設金屬化合物M'x' Ay' 之溶度積為Ksp [M'x' Ay' ]， 設前述金屬材料中所含之萃取對象金屬化合物Mx Ay 之溶度積為Ksp [Mx Ay ]時， Δ＝pKsp [M'x' Ay' ]－pKsp [Mx Ay ] ＝(-log10 Ksp [M'x' Ay' ])－(-log10 Ksp [Mx Ay ]) 此處，M與M'係不同之金屬元素，A係與M或M'形成化合物之單原子或原子團，x、x'、y、y'係表示取決於M、M'、A之價數的前述化合物之組成比，前述溶度積Ksp 係水溶液中25℃下之值。
  2. 如請求項1之金屬化合物粒子的萃取方法，其中電解液為非水溶劑系電解液。
  3. 如請求項1或2之金屬化合物粒子的萃取方法，其中前述萃取對象金屬化合物Mx Ay 為MnS或FeS之1種或2種。
  4. 如請求項1至3中任一項之金屬化合物粒子的萃取方法，其中前述pKsp 較大之金屬化合物M'x' Ay' 之金屬M'為Hg、Ag、Cu、Pb、Cd、Co、Zn及Ni之至少一者。
  5. 如請求項1至4中任一項之金屬化合物粒子的萃取方法，其中前述藥劑係包含冠醚而成。
  6. 如請求項1至5中任一項之金屬化合物粒子的萃取方法，其中前述藥劑係包含聚伸乙胺類、乙二胺四乙酸、環己二胺四乙酸中之任意1種或2種以上而成。
  7. 如請求項6之金屬化合物粒子的萃取方法，其中前述藥劑係包含三乙四胺而成。
  8. 如請求項1至7中任一項之金屬化合物粒子的萃取方法，其中前述金屬材料為鋼鐵材料。
  9. 如請求項1至8中任一項之金屬化合物粒子的萃取方法，其於令前述蝕刻後之電解液通過過濾器，並以所捕獲到之殘渣而萃取金屬化合物粒子時，前述過濾器為四氟乙烯樹脂製過濾器。
  10. 一種金屬化合物粒子的分析方法，其特徵在於：對已藉由如請求項1至9中任一項之金屬化合物粒子的萃取方法萃取之金屬化合物粒子進行分析。
  11. 一種電解液，係於將金屬材料進行蝕刻，並萃取金屬材料中之金屬化合物粒子時所使用者，其特徵在於： 其係包含會形成如下錯合物之藥劑而成，該錯合物包含下述式所定義之Δ成為10以上之金屬M'： 設金屬化合物M'x' Ay' 之溶度積為Ksp [M'x' Ay ]， 設前述金屬材料中所含之萃取對象金屬化合物Mx Ay 之溶度積為Ksp [Mx Ay ]時， Δ＝pKsp [M'x' Ay' ]－pKsp [Mx Ay ] ＝(-log10 Ksp [M'x' Ay' ])－(-log10 Ksp [Mx Ay ]) 此處，M與M'係不同之金屬元素，A係與M或M'形成化合物之單原子或原子團，x、x'、y、y'係表示取決於M、M'、A之價數的前述化合物之組成比，前述溶度積Ksp 係水溶液中25℃下之值。
  12. 如請求項11之電解液，其係非水溶劑系。
  13. 如請求項11或12之電解液，其中前述萃取對象金屬化合物Mx Ay 為MnS或FeS之1種或2種。
  14. 如請求項11至13中任一項之電解液，其中前述具有較小之溶度積Ksp 之金屬化合物M'x' Ay' 之金屬M'為Hg、Ag、Cu、Pb、Cd、Co、Zn及Ni之至少一者。
  15. 如請求項11至14中任一項之電解液，其中前述藥劑係包含冠醚而成。
  16. 如請求項11至15中任一項之電解液，其中前述藥劑係包含聚伸乙胺類、乙二胺四乙酸、環己二胺四乙酸中之任意1種或2種以上而成。
  17. 如請求項16之電解液，其中前述藥劑係包含三乙四胺而成。
  18. 如請求項11至17中任一項之電解液，其中前述金屬材料為鋼鐵材料。
  19. 如請求項11至18中任一項之電解液，其中前述非水溶劑係包含甲醇、乙醇之至少一者而成。
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