TW201729002A - 具有塗覆於圓柱形對稱元件上之靶材料之基於電漿之光源 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於具有塗覆於一圓柱形對稱元件(例如，滾筒)之外表面上之一靶材料(諸如氙)之雷射產生之電漿光源。實施例包含可經最佳化以減少對該滾筒之照射損壞之一預脈衝配置及可用來減少對該滾筒之照射損壞之一脈衝修整單元。另外，揭示一實施例，其中一圓柱形對稱元件之表面形成有具有大於1 mm之一凹槽深度之複數個凹槽及聚焦一雷射光束且建立一照射位點以從該靶材料產生電漿之一聚焦單元，其中該照射位點遠離一凹槽表面部分以保護該表面部分免受照射損壞影響。

Description

具有塗覆於圓柱形對稱元件上之靶材料之基於電漿之光源
本發明大體上係關於用於產生真空紫外(VUV)範圍中之光(即，具有近似100 nm至200 nm之一波長之光)、極紫外(EUV)範圍中之光(即，具有10 nm至124 nm之範圍中之一波長之光且包含具有13.5 nm之一波長之光)及/或軟X射線範圍中之光(即，具有近似0.1 nm至10 nm之一波長之光)之基於電漿之光源。本文中描述之一些實施例係特別適合用於度量及/或遮罩檢測活動(例如，光化遮罩檢測且包含空白或圖案化遮罩檢測)中之高亮度光源。更一般地，亦可使用(直接或經適當修改)本文中描述之基於電漿之光源作為用於圖案化晶片之所謂的大批量製造(HVM)光源。
基於電漿之光源(諸如雷射產生之電漿(LPP)源)可用來產生用於諸如缺陷檢測、光微影或度量之應用之軟X射線、極紫外(EUV)及/或真空紫外(VUV)光。總而言之，在此等電漿光源中，藉由自具有一適當線發射或帶發射元素之一靶材料(諸如氙、錫、鋰或其他)形成之電漿發射具有所要波長之光。舉例而言，在一LPP源中，在一真空腔室中藉由一激發源(諸如一脈衝雷射光束)照射一靶材料以產生電漿。 在一個配置中，靶材料可形成於一滾筒之表面上。在一脈衝於一照射位點處照射靶材料之一小區域之後，正旋轉及/或軸向平移之滾筒將靶材料之一新區域呈現於照射位點。每一照射在靶材料之層中產生一凹坑。此等凹坑可重新填充有一補充系統以提供一靶材料遞送系統，該靶材料遞送系統理論上可將靶材料無限地呈現於照射位點。 在一些應用中，氙(例如，呈塗覆於一滾筒之表面上之一層氙冰之形式)在用作一靶材料時可提供特定優點。舉例而言，藉由具有幾千瓦之範圍中之一總雷射輸出之一1 μm驅動雷射所照射之一氙靶材料可用來產生特別適合用於一度量工具或一遮罩/薄膜檢測工具中之一相對較亮EUV光源。對於此應用，雷射通常聚焦於直徑上小於約100 μm之一焦點。 此等基於電漿之光源之開發中之主要剩餘挑戰之一者係防止被氙冰覆蓋之滾筒之雷射引發之損壞，此係因為氙冰對於1 μm之驅動雷射光半透明。雖然雷射在傳播穿過通常約1 mm厚之氙冰時擴張，但冰表面上之雷射功率密度仍保持相當高且可引起滾筒表面消融。在滾筒表面上產生之顆粒可導致氙冰穩定性隨時間流逝而降級且亦緩慢傳播穿過冰且導致對真空腔室中之光學器件及其他元件之污染。 考慮到上文，申請者揭示一種具有塗覆於一圓柱形對稱元件上之一靶材料之基於電漿之光源及對應使用方法。
在一第一態樣中，本文中揭示一種裝置，其具有：一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有具有一曝光表面之電漿形成靶材料之一帶之一表面；一系統，其輸出一連串雷射光束脈衝，每一脈衝具有藉由雷射光束強度隨時間之一上升特徵化之一前緣；及一脈衝修整單元，其接收雷射系統下游之脈衝且修整每一脈衝之前緣之至少一部分以輸出一經修整脈衝以供與靶材料相互作用，從而產生電漿。 在此態樣之一項實施例中，每一脈衝具有藉由雷射光束強度隨時間之一下降特徵化之一後緣且脈衝修整單元修整每一脈衝之後緣之至少一部分。 在一特定實施例中，脈衝修整單元包括一電光調變器。舉例而言，該電光調變器可具有具選自由磷酸二氫鉀(KDP)、β-硼酸鋇(BBO)、磷酸鈦氧銣(RTP)、砷酸鈦氧銣(RTA)、LiNbO3或其他適合材料組成之晶胞材料群組之一晶胞材料之一晶胞。 在一實施例中，輸出一連串雷射光束脈衝之系統包含一傾腔雷射且在另一實施例中，輸出一連串雷射光束脈衝之系統包含一Q切換雷射。 在此態樣之一項特定實施例中，經修整脈衝具有小於1 ns之一上升時間。 在另一態樣中，本文中揭示一種裝置，其具有：一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有具有一曝光表面且在該曝光表面上之一照射位點處界定一表面法線之電漿形成靶材料之一帶之一表面；及一系統，其輸出一雷射光束以供與靶材料相互作用以產生電漿，該雷射光束在照射位點處沿著一雷射軸行進，其中雷射軸及表面法線在照射位點處對向一非零角度α。 在一實施例中，角度α大於10度。 在一特定實施例中，雷射軸法向對準於與照射位點相交之一軸且平行對準於旋轉軸。 在另一態樣中，本文中揭示一種裝置，其具有：一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有具有一曝光表面之電漿形成靶材料之一帶之一表面；一系統，其輸出一雷射光束以供與靶材料相互作用以產生電漿；及一聚焦單元，其將雷射光束聚焦於該聚焦單元與電漿形成靶材料之曝光表面之間之一位置處之一腰部。 在另一態樣中，本文中揭示一種裝置，其具有：一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有電漿形成靶材料之一帶之一表面；及一系統，其照射靶材料以產生電漿，該系統輸出具有一強度最大值I1 及脈衝能量E1 之一第一雷射光束脈衝(例如，一預脈衝)，及具有一強度最大值I2 及脈衝能量E2 之一第二雷射光束脈衝(例如，一主脈衝)，其中E1 ＜E2 ，且I1 與I2 之間之一時間延遲經選擇以引起第一雷射光束脈衝預調節電漿形成靶材料以減少由第二雷射光束脈衝對圓柱形對稱元件之表面之照射損壞。 在此態樣之一項實施例中，第一雷射光束脈衝具有比第二雷射光束脈衝更長之一脈衝持續時間。 在此態樣之一實施例中，第一雷射光束脈衝具有比第二雷射光束脈衝更短之一波長。 在此態樣之一項特定實施例中，I1 與I2 之間之時間延遲在10 ns至10 μs之範圍中。 在此態樣之一特定實施例中，第一雷射光束脈衝之強度最大值I1 大於第二雷射光束脈衝之強度最大值I2 (I1 ＞I2 )。 在另一態樣中，本文中揭示一種裝置，其具有：一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有電漿形成靶材料之一帶之一表面，該表面形成有複數個軸向對準凹槽，其中每一凹槽係藉由一對鰭片建立且每一鰭片具有一鰭片尖端，且其中每一凹槽具有從一鰭片尖端至一凹槽表面部分之大於1 mm之一凹槽深度；一系統，其輸出一雷射光束；及一聚焦單元，其聚焦雷射光束且建立一照射位點以從靶材料產生電漿，該照射位點遠離凹槽表面部分以保護該表面部分免受照射損壞影響。 在此態樣之一項實施例中，電漿形成靶材料帶具有遠離一鰭片尖端達大於0.5 mm之一曝光靶材料表面。 在一實施例中，凹槽具有一根表面，及該根表面與一鰭片尖端之間之一面，且其中根表面之至少一部分具有一表面粗糙度SR1，且面之至少一部分具有一表面粗糙度SR2，其中SR1＜SR2。 在此態樣之一項實施例中，裝置包含用於輸出指示圓柱形對稱元件之一旋轉位置之一信號之一編碼器且在一特定實施例中，輸出一雷射光束之系統接收信號且經組態以使用該信號來觸發一脈衝雷射輸出以使雷射輸出與圓柱形對稱元件旋轉位置同步。 在此態樣之一特定實施例中，每一凹槽具有法向於軸、經定尺寸以容納一個照射位點之一寬度。 在一項特定實施例中，每一凹槽具有法向於軸、經定尺寸以容納複數個(例如，兩個或兩個以上)照射位點之一寬度。 在一項特定實施例中，裝置包含一驅動單元以繞軸旋轉圓柱形對稱元件且沿著軸在一第一末端位置與一第二末端位置之間來回平移該圓柱形對稱元件，該驅動單元可程式化以改變每一末端位置處之一旋轉速度以建立用於照射從第一末端位置至第二末端位置之一平移之一第一組電漿形成靶材料點及用於照射從第二末端位置至第一末端位置之一平移之不同於第一組之一第二組電漿形成靶材料點。 在一些實施例中，如本文中描述之一光源可併入一檢測系統(諸如一空白或圖案化遮罩檢測系統)中。在一實施例中，舉例而言，一檢測系統可包含：一光源，其將輻射遞送至一中間位置；一光學系統，其經組態以運用輻射照明一樣本；及一偵測器，其經組態以接收藉由樣本沿著一成像路徑反射、散射或輻射之照明。檢測系統亦可包含與偵測器通信之一運算系統，該偵測器經組態以基於與所偵測照明相關聯之一信號而定位或量測樣本之至少一個缺陷。 在一些實施例中，如本文中描述之一光源可併入一微影系統中。舉例而言，該光源可用於一微影系統中以運用一圖案化輻射光束曝光一光阻劑塗覆之晶圓。在一實施例中，舉例而言，一微影系統可包含：一光源，其將輻射遞送至一中間位置；一光學系統，其接收輻射且建立一圖案化輻射光束；及一光學系統，其用於將圖案化光束遞送至一光阻劑塗覆之晶圓。 應瞭解，前文概述及下文詳細描述兩者皆僅為例示性及說明性且未必限制本發明。併入說明書且組成說明書之一部分之附圖圖解說明本發明之標的。描述及圖式一起用來說明本發明之原理。
相關申請案之交叉參考 本申請案係關於且主張來自(若干)下文列出之申請案(「相關申請案」)之(若干)最早可用有效申請日期之權利(例如，主張除臨時專利申請案以外之最早可用優先權日期或主張依據35 USC § 119(e)之臨時專利申請案、(若干)相關申請案之任何及所有母案、前代母案、前兩代母案等等申請案之權利)。相關申請案： 出於USPTO非法定要求之目的，本申請案組成2015年11月16日申請之申請案序號為62/255,907之指定Alexey Kuritsyn、Ye Liu及Oleg Khodykin為發明者之標題為「PLASMA BASED LIGHT SOURCE HAVING A TARGET MATERIAL COATED ON A CYLINDRICALLY-SYMMETRIC ELEMENT」之美國臨時專利申請案之一正式(非臨時)專利申請案。 現在，將詳細參考揭示之標的，在附圖中圖解說明該標的。 圖1展示用於產生EUV光之一光源(大致指定為100)及一靶材料遞送系統102之一實施例。舉例而言，光源100可經組態以產生帶內EUV光(例如，具有13.5 nm之一波長，頻寬為2%之光)。如展示，光源100包含經組態以在一照射位點108處照射一靶材料106以產生在一雷射產生之電漿腔室110中發射電漿之一EUV光之一激發源104，諸如一驅動雷射。在一些情況中，可藉由一第一脈衝(預脈衝)、其後接著藉由一第二脈衝(主脈衝)照射靶材料106以產生電漿。作為一實例，對於經組態用於光化遮罩檢測活動之一光源100，由具有輸出近似1 μm之光之一固態增益介質(諸如Nd:YAG)之一脈衝驅動雷射及包含氙之一靶材料106組成之一激發源104可在產生可用於光化遮罩檢測之一相對較高亮度EUV光源方面呈現特定優點。具有一固態增益介質(諸如Er:YAG、Yb:YAG、Ti:藍寶石或Nd:釩酸鹽)之其他驅動雷射亦可為適合的。亦可使用包含準分子雷射之氣體放電雷射，前提是其等依所需波長提供足夠輸出。一EUV遮罩檢測系統可能僅需要約10 W之範圍中，但在一小區域中具有高亮度之EUV光。在此情況中，為針對一遮罩檢測系統產生足夠功率及亮度之EUV光，幾千瓦之範圍中之總雷射輸出可為適合的，該輸出聚焦至直徑通常小於約100 μm之一小靶點上。另一方面，對於大批量製造(HVM)活動，諸如光微影，由具有一高功率氣體放電CO2 雷射系統(其具多個放大級)且輸出近似10.6 μm之光之一驅動雷射及包含錫之一靶材料106組成之一激發源104可呈現特定優點，其包含依良好轉換效率產生具有相對較高功率的帶內EUV光。 繼續參考圖1，對於光源100，激發源104可經組態以在一照射位點108處運用遞送穿過一雷射輸入窗112之一聚焦照明光束或一連串光脈衝照射靶材料106。如進一步展示，自照射位點108發射之一些光行進至一集光光學器件114 (例如，近法向入射鏡)，其中光如藉由極端射線116a及116b界定般反射至一中間位置118。集光光學器件114可為具有兩個焦點之一長球體之一片段，該片段具有塗覆有經最佳化用於帶內EUV反射之一多層鏡(例如，Mo/Si或NbC/Si)之一高品質拋光表面。在一些實施例中，集光光學器件114之反射表面具有近似100 cm2 與10000 cm2 之範圍中之一表面積且可安置在距照射位點108近似0.1至2米處。熟習此項技術者將瞭解，前述範圍係例示性的且各種光學器件可代替長球體鏡或作為其補充用於收集光並將光引導至一中間位置118以供後續遞送至利用EUV照明之一裝置，諸如一檢測系統或一光微影系統。 對於光源100，LPP腔室110係一低壓容器，其中形成充當EUV光源之電漿且收集並聚焦所得EUV光。EUV光被氣體強烈吸收，因此，減小LPP腔室110內之壓力減少光源內之EUV光之衰減。通常，LPP腔室110內之一環境維持在小於40毫托之一總壓力及小於5毫托之氙之一局部壓力以允許EUV光在不被實質上吸收之情況下傳播。一緩衝氣體(諸如氫氣、氦氣、氬氣或其他惰性氣體)可用於真空腔室內。 如圖1中進一步展示，中間位置118處之EUV光束可投射至內部聚焦模組122中，該內部聚焦模組122可充當一動態氣鎖以保持LPP腔室110內之低壓環境，且保護使用所得EUV光之系統免受由電漿形成程序所產生之任何碎屑之影響。 光源100亦可包含與控制系統120通信之一氣體供應系統124，該氣體供應系統124可提供(若干)保護緩衝氣體至LPP腔室110中、可供應緩衝氣體以保護內部聚焦模組122之動態氣鎖功能，且可提供靶材料(諸如氙(作為一氣體或液體))至靶材料遞送系統102。若需要，可提供與控制系統120通信之一真空系統128 (例如，具有一或多個泵)以建立並維持LPP腔室110之低壓環境且可提供泵抽至靶材料遞送系統102。在一些情況中，可再循環由真空系統128回收之靶材料及/或(若干)緩衝氣體。 繼續參考圖1，可見光源100可包含用於使EUV電漿成像之一診斷工具134且可提供一EUV功率計136以量測EUV光功率輸出。可提供一氣體監測感測器138以量測LPP腔室110內之氣體之溫度及壓力。所有前述感測器可與控制系統120通信，該控制系統120可控制即時資料擷取及分析、資料記錄及包含激發源104及靶材料遞送系統102之各種EUV光源子系統之即時控制。 圖1亦展示靶材料遞送系統102包含一圓柱形對稱元件140。在一項實施例中，如圖1中所展示，可旋轉圓柱形對稱元件140包含一圓筒。在其他實施例中，該可旋轉圓柱形對稱元件140包含此項技術中之任何圓柱形對稱形狀。舉例而言，該可旋轉圓柱形對稱元件140可包含但不限於一圓筒、一圓錐、一球體、一橢圓體及類似者。此外，圓柱形對稱元件140可包含由兩個或兩個以上形狀組成之一複合形狀。在一實施例中，可旋轉圓柱形對稱元件140可經冷卻且塗覆有圍繞該圓柱形對稱元件140之圓周橫向延伸之氙冰靶材料106之一帶。熟習此項技術者將瞭解，可使用各種靶材料及沈積技術而不背離本發明之範疇。靶材料遞送系統102亦可包含上覆且實質上符合圓柱形對稱元件140之表面之一外殼142。該外殼142可用來保護靶材料106之帶且促成該靶材料106在圓柱形對稱元件140之表面上之初始產生、維護及補充。如展示，外殼142形成有一開口以曝光電漿形成靶材料106以供來自激發源104之一光束照射，從而在照射位點108處產生電漿。靶材料遞送系統102亦包含藉由軸件148附接至圓柱形對稱元件140之一驅動單元144。運用此配置，驅動單元144可經程式化以繞軸146且相對於固定外殼142選擇性地旋轉圓柱形對稱元件140且沿著軸146且相對於固定外殼142來回平移圓柱形對稱元件140。 運用此配置，靶材料帶可相對於驅動雷射焦點移動以依序呈現一系列新靶材料點以供照射。關於具有一可旋轉圓柱形對稱元件之靶材料支撐系統之更多細節提供於Alexey Kuritsyn等人於2016年9月14日申請之標題為「Laser Produced Plasma Light Source Having a Target Material Coated on a Cylindrically-Symmetric Element」的美國專利申請案第15/265,515號、Bykanov等人於2014年7月18日申請之標題為「System And Method For Generation Of Extreme Ultraviolet Light」的美國專利申請案第14/335,442號、及Chilese等人於2014年6月20日申請之標題為「Gas Bearing Assembly for an EUV Light Source」的美國專利申請案第14/310,632號，該等申請案之各者之全部內容據此以引用的方式併入本文中。 圖2展示具有一激發源104a之一系統149，該激發源104a具有產生一第一雷射光束輸出152之一雷射源150及產生一第一雷射光束輸出156之一雷射源154。如展示，輸出152及156可藉由光學器件160組合至一共同光束路徑158上，該光學器件160可為(舉例而言)一部分反射鏡。其他光學配置可用來將輸出組合至一共同路徑上。舉例而言，若輸出具有不同波長，則可使用一光柵(未展示)。使組合光束從光學器件160入射在一聚焦單元162上，該聚焦單元162可具有(舉例而言)一或多個光學器件，諸如一(若干)透鏡或鏡。在一些情況中，舉例而言，可能可手動或回應於線164上之一控制信號而調整聚焦單元162，線164可(舉例而言)與圖1中展示之控制系統120通信。在一些情況中，聚焦單元162可經調整以改變焦點(即，腰部)之大小及/或改變焦點(即，腰部)之位置。運用此配置，離開聚焦單元162之會聚光束可傳遞穿過窗112且進入腔室110，其中其可用來在照射位點108處從圓柱形對稱元件140上之靶材料106形成電漿。 交叉參考圖2及圖3，可見激發源104a可用來產生具有等於I1 之一強度最大值168及脈衝能量E1 之一第一雷射光束脈衝166 (例如，一預脈衝)，及具有等於I2 之一強度最大值172及脈衝能量E2 之一第二雷射光束脈衝170 (例如，一主脈衝)，其中E1 ＜E2 。對於此表達式，舉例而言，可使用半峰全幅值(FWHM)技術或相關技術中已知之某一其他技術來估計脈衝能量。舉例而言，脈衝166可由雷射源154輸出且脈衝170可由雷射源150輸出。雷射源150、154可放置成經由線174及線176而與控制系統120 (圖1)通信，該控制系統120可控制觸發該等雷射源150、154之時間以及其他程序變量。明確言之，雷射源150、154可經觸發以產生一時間延遲178 (例如，在脈衝峰值之間量測)。運用此配置，脈衝166與170之間之時間延遲178可經選擇以引起脈衝166預調節電漿形成靶材料106 (例如，允許一預電漿之演變)以減少且在一些情況中消除由脈衝170對圓柱形對稱元件140之表面180之照射損壞。舉例而言，時間延遲178可在約10 ns至10 μs之範圍中。 在一些情況中，具有一相對較短持續時間(~幾皮秒)及高強度但低總能量之一脈衝166可有效地用作一預脈衝。具有較短波長(即，小於1 μm)之一脈衝166可導致在相同輻射強度下之較高電離速率，而短波長(綠色、UV、DUV)雷射可具有一較高成本及較低脈衝能量。預脈衝雷射(脈衝166)可預調節靶材料(將其電離並加熱)。藉由改變預脈衝(脈衝166)與主脈衝(脈衝170)之間之時間延遲，靶條件(及電漿參數)可經最佳化以允許主雷射脈衝之有效吸收。此繼而導致對圓柱形對稱元件140之減小的損壞。 自上文提供之描述之修改係可行的。舉例而言，脈衝166、170可沿著不同光束路徑遞送至(若干)焦點。舉例而言，可在光束組合之前使用兩個獨立受控聚焦單元執行聚焦。因此，脈衝166、170可經遞送至位於相同或不同位置之(若干)焦點。 圖4展示具有一激發源104b之一系統182，該激發源104b具有可用來產生圖3中展示之脈衝166、170之一單一雷射源184。如展示，使來自雷射源184之輸出186入射在一聚焦單元162b上，舉例而言，該聚焦單元162b可具有一或多個光學器件，諸如一(諸)透鏡或鏡。在一些情況中，舉例而言，可能可手動或回應於線164b上之一控制信號而調整聚焦單元162b，舉例而言，該聚焦單元162b可與圖1中展示之控制系統120通信。在一些情況中，聚焦單元162b可經調整以改變焦點(即，腰部)之大小及/或改變焦點(即，腰部)之位置。運用此配置，離開聚焦單元162b之會聚光束可傳遞穿過窗112且進入腔室110，其中其可用來在照射位點108處從圓柱形對稱元件140上之靶材料106形成電漿。雷射源184可放置成與控制系統120通信(經由線188b)，該控制系統120可控制觸發雷射源184之時間以及其他程序變量以產生兩個脈衝166、170。運用此配置，脈衝166、170之間之時間延遲178可經選擇以引起脈衝166預調節電漿形成靶材料106以減少且在一些情況中消除由脈衝170對圓柱形對稱元件140之表面180之照射損壞。 圖5展示聚焦至一腰部192 (例如，藉由一聚焦單元，諸如圖4中展示之聚焦單元162b)之一光束190。如展示，腰部192經定位在距圓柱形對稱元件140上之靶材料106之表面194之一距離d處。運用此配置，圓柱形對稱元件140處之光束強度減小(相對於聚焦在靶材料內之一光束)且，因此此配置減少且在一些情況中可消除對該圓柱形對稱元件140之照射損壞。舉例而言，腰部192可經定位在距表面194在約0 mm至10 mm之範圍中之一距離d處。圖5中展示之實施例可用於圖2及圖4中展示之預脈衝/主脈衝系統且可用於不使用預脈衝之系統中。圖5中展示之實施例可用於一(若干)經修整脈衝(下文描述)。 圖6展示具有一激發源104c之一系統196，該激發源104c包含產生由一連串雷射光束脈衝組成之一雷射光束輸出200之一雷射源198。舉例而言，該雷射源198可為一傾腔雷射源或一Q切換雷射源。圖7展示來自雷射光束輸出200 (圖6)之一代表性脈衝202。如展示，該脈衝202可具有依據時間之強度之一實質上高斯分佈，其包含藉由雷射光束強度隨時間之一上升特徵化之一前緣204、一最大值206及藉由雷射光束強度隨時間之一下降特徵化之一後緣208。 如圖6中所展示，雷射光束輸出200傳遞穿過一脈衝塑形單元210，該脈衝塑形單元210回應於(例如，來自如圖1中展示之控制系統120之線212上之一電壓輸入)而修整前緣204及/或後緣208之一部分。舉例而言，脈衝修整單元210可包含具有一晶胞、電極及驅動電路之一電光調變器(EOM)。晶胞可由KDP、BBO、RTP、RTA、LiNbO3或其他適合材料製成。藉由T=sin2 [(π/2)(V/V1/2 )]給定電光調變器之透射率，其中V係施加於電極之電壓，且V1/2 係晶體之半波電壓。因此，藉由控制透射率T，吾等可達成所需脈衝塑形功能。應瞭解，相關技術中已知用於回應於一控制信號而修整一脈衝之其他配置可代替EOM用於脈衝塑形單元中。 圖7展示EOM電壓輸入214對時間之一表示。可見EOM電壓輸入214在其中入射於脈衝塑形單元210上之光自脈衝塑形單元輸出216修整之一高電壓與其中入射於該脈衝塑形單元210上之光傳遞至該脈衝塑形單元輸出216之一低電壓之間切換。圖8展示來自脈衝塑形單元輸出216之一經修整脈衝218。如展示，該經修整脈衝218可具有小於1 ns之一上升時間220。舉例而言，如展示，該上升時間220可經量測為在最大強度之10%與最大強度之90%之間之時間間隔。將雷射脈衝之上升前緣縮短至＜1 ns對基於滾筒之LPP EUV源有用，此係因為其可用來達成較好能量吸收率且實質上減小損壞滾筒之風險。 圖6展示脈衝塑形單元輸出216可傳遞穿過聚焦單元162c、穿過窗112且進入腔室110，其中其可用來在照射位點108處從圓柱形對稱元件140上之靶材料106形成電漿。雷射源198及聚焦單元162c可放置成與控制系統120通信(經由線188c、164c)。運用此配置，經修整脈衝可減少(即，相對於一未經修整脈衝)且在一些情況中消除對圓柱形對稱元件140之表面180之照射損壞。圖6至圖8中展示之脈衝修整可用於圖2及圖4中展示之預脈衝/主脈衝系統，以修整將光束聚焦在靶材料表面之上游(圖5)之系統中之一預脈衝、主脈衝或兩者，且可用於不使用預脈衝之系統中。 一氙靶材料藉由一1 μm驅動雷射之初始電離歸因於光電離程序而發生。藉由Ephoton =hc/λ給定一光子之能量，其中h係普朗克常數(6.62*10-34 m2 kg/s)，c係光速，且λ係光之波長。對於具有1 μm之波長之雷射光，雷射光子能量係約1.2 eV，而一氙原子之電離電位係12.13 eV。因此，無法藉由一單一光子完成電離。在高輻射強度下，電離歸因於數個光子之同時吸收而發生。此效應被稱為多光子電離(MPI)。在MPI程序中，電離速率隨輻射強度強烈增加。再者，具有較短波長之一雷射在相同輻射強度下具有一較高電離速率。此外，實際雷射強度最初在雷射脈衝開始時將低於脈衝平均值(歸因於脈衝之時間輪廓形狀)。此導致甚至更長的MPI電離時間。明顯地，在雷射脈衝之第一「階段」中，氙靶僅藉由MPI弱電離且雷射吸收將為小。因此，雷射能量之部分未被吸收且將透射穿過氙冰至滾筒表面上。自傾腔或Q切換雷射產生之一典型雷射時間脈衝形狀(例如，高斯)具有一長前緣上升時間且可導致無效能量吸收及滾筒表面之過度損壞。因此，期望具有具快速上升及下降時間之雷射脈衝，其可如上文描述般藉由脈衝修整而達成。 圖9及圖10展示用於藉由增大雷射光束在其到達一圓柱形對稱元件140d之表面180d之前行進(且擴張)穿過靶材料106d之距離，導致該圓柱形對稱元件140d之表面處之一減小雷射功率密度而減少且在一些情況中消除對該圓柱形對稱元件140d之照射損壞之配置。如展示，靶材料106d具有在一照射位點108d處具有一表面法線222之一曝光表面194d。圖9展示一雷射光束可沿著一雷射光束軸224遞送至照射位點108d，其在照射位點108d處與表面法線222建立一非零斜角α1 。舉例而言，可使用約10度至60度之範圍中之一角度α1 。再者，圖10展示一雷射光束可沿著一雷射光束軸226遞送至照射位點108d，其在照射位點108d處與表面法線222建立一非零斜角α2 。舉例而言，可使用約10度至60度之範圍中之一角度α2 。從圖9及圖10可見，隨著(若干)角度α1 及/或α2 從零增大，光束在其到達圓柱形對稱元件140d之前行進之距離增大，導致減少之照射損壞(相對於與表面法線222對準之一光束(即，α1 =α2 =零度))。如圖9及圖10中所展示依與表面法線之一非零角度對準雷射光束可用於圖2及圖4中展示之預脈衝/主脈衝系統、將光束聚焦在靶材料表面之上游之系統(圖5)、經修整脈衝實施例(圖6至圖8)或不使用預脈衝或脈衝修整之系統中。 圖11展示繞一軸146e旋轉且具有形成有複數個軸向對準凹槽230之一表面228之一圓柱形對稱元件140e。舉例而言，凹槽230可被加工於表面228中。圖12展示塗覆有一層靶材料106e之圓柱形對稱元件140e之一部分。如其中展示，藉由一對鰭片232建立每一凹槽230且每一鰭片232具有一鰭片尖端234。舉例而言，凹槽230a藉由鰭片232a、232b建立且具有從一鰭片尖端234a至一凹槽表面部分238之一凹槽深度236。通常，每一凹槽之凹槽深度236大於約1 mm以減少且在一些情況中消除對圓柱形對稱元件140e之照射損壞。再者，該層靶材料106e延伸從鰭片尖端234a至靶材料106e之曝光表面194e之一距離240。通常，該距離240大於約0.5 mm。運用此配置，雷射發射可與圓柱形對稱元件140e之旋轉同步以確保雷射僅照射厚靶材料(例如，氙冰)袋，因此減少對該圓柱形對稱元件140e之損壞，此係因為雷射光束可在一較長距離上擴張。凹槽230之間之鰭片232可幫助有效地冷卻圓柱形對稱元件140e之表面且保持氙冰穩定性。在一些實施例中，每一凹槽230之根表面242可經拋光為光滑的(即，具有一相對較低表面粗糙度SR1)，以增大雷射光之反射率且面244 (即，在根表面242與一鰭片尖端234之間之表面)可為粗糙(即，具有一相對較高表面粗糙度SR2，其中SR1＜SR2)或經紋理化以促進靶材料106e與圓柱形對稱元件140e之間之黏著。 圖13圖解說明一實施例，其中藉由鰭片232f至232h建立之凹槽230f、230g具有法向於軸146e (圖11)之凹槽寬度，該等凹槽寬度經定尺寸以容納一個照射位點108f、108g (每個圓表示受一照射影響之區域，例如，靶材料中產生之一所謂的凹坑)。如展示，相鄰凹槽230f、230g中之照射位點可在連續軸向遍次中照射(例如，照射位點108f (深色圓)可在圓柱形對稱元件140f之一第一軸向方向上依一軸向移動照射，其後接著可在該圓柱形對稱元件140f之一第二軸向方向(反平行於第一方向)上依一軸向移動照射之照射位點108g (淺色圓))。 圖14圖解說明一實施例，其中藉由鰭片232i至232k建立之凹槽230h、230i具有法向於軸146e (圖11)之凹槽寬度，該等凹槽寬度經定尺寸以容納兩個照射位點108h至108k (每個圓表示受一照射影響之區域，例如，靶材料中產生之一所謂的凹坑)。如展示，每一凹槽(諸如凹槽230i)中之相鄰照射位點可在連續軸向遍次中照射(例如，照射位點108h (深色圓)可在圓柱形對稱元件140h之一第一軸向方向上依一軸向移動照射，其後接著可在該圓柱形對稱元件140h之一第二軸向方向(反平行於第一方向)上依一軸向移動照射之照射位點108i (淺色圓))。雖然實施例展示為具有經定尺寸以容納每一凹槽寬度之一個及兩個照射位點之凹槽寬度，但應瞭解，可使用經定尺寸以容納兩個以上照射位點(每一凹槽寬度)之一凹槽。 為實施上文關於圖13及圖14描述之配置，圖1中展示之驅動單元144可經程式化以在照射發生在每一末端位置(例如，圖1中展示之用於對準之頂部及底部)的同時，改變圓柱形對稱元件140之一旋轉速度(即，加速)以避免先前照射位置之照射(即，以確保凹坑在連續操作期間不重疊)。運用此配置，一第一組電漿形成靶材料點(例如，圖14中之深色照射位置108j)可照射圓柱形對稱元件140從第一末端位置(例如，頂部)至第二末端位置(例如，底部)之一平移且一第二組電漿形成靶材料點(例如，圖14中之淺色照射位置108k)可照射該圓柱形對稱元件140從第二末端(例如，底部)位置至第一末端位置(例如，頂部)之一平移。 圖15展示具有用於經由線250輸出指示塗覆有一靶材料106m之圓柱形對稱元件140m之一旋轉位置之一信號之一編碼器248之一系統246。舉例而言，編碼器248可為一基於光學之編碼器、基於磁體之編碼器或相關技術中已知適於此應用之任何其他編碼器類型。舉例而言，編碼器可與圖1中展示之控制系統120通信。運用此配置，編碼器輸出可用來觸發一脈衝雷射輸出(例如，藉由圖1中展示之激發源104)以使雷射輸出與圓柱形對稱元件旋轉位置同步。舉例而言，編碼器248可為精確配準鰭片232m之間之凹槽230m之位置(例如，當一凹槽230m或鰭片232m穿過藉由編碼器248監測之一預選擇位置時)之一光學編碼器。 光源照明可用於半導體程序應用，諸如檢測、光微影或度量。舉例而言，如圖16中所展示，一檢測系統300可包含併入一光源(諸如上文描述之具有本文中描述之靶遞送系統之一者之一光源100)之一照明源302。該檢測系統300可進一步包含經組態以支撐至少一個樣本304 (諸如一半導體晶圓或一空白或圖案化遮罩)之一載物台306。照明源302可經組態以經由一照明路徑照明樣本304，且自該樣本304反射、散射或輻射之照明可沿著一成像路徑引導至至少一個偵測器310 (例如，相機或光感測器陣列)。通信耦合至偵測器310之一運算系統312可經組態以處理與經偵測照明信號相關聯之信號以根據嵌入可由該運算系統312之一處理器從一非暫時性載體媒體314實行之程式指令316中之一檢測演算法定位及/或量測樣本304之一或多個缺陷之各種屬性。 進一步舉例而言，圖17大致圖解說明包含併入一光源(諸如上文所描述具有本文中描述之靶遞送系統之一者之一光源100)之一照明源402之一光微影系統400。光微影系統可包含經組態以支撐至少一個基板404 (諸如一半導體晶圓)以供微影處理之一載物台406。照明源402可經組態以運用藉由該照明源402輸出之照明對基板404或安置在該基板404上之一層執行光微影。舉例而言，輸出照明可引導至一倍縮光罩408且從該倍縮光罩408引導至基板404以根據一照明倍縮光罩圖案圖案化基板404之表面或基板404上之一層。圖16及圖17中圖解說明之例示性實施例大致描繪上文描述之光源之應用；然而，熟習此項技術者將瞭解，源可應用於各種內容背景中而不背離本發明之範疇。 熟習此項技術者將進一步瞭解，存在可藉由其實現本文中描述之程序及/或系統及/或其他技術之各種工具(例如，硬體、軟體及/或韌體)，且較佳工具將隨其中部署程序及/或系統及/或其他技術之內容背景而變化。在一些實施例中，藉由下列內容之一或多者實行各種步驟、功能及/或操作：電子電路、邏輯閘、多工器、可程式化邏輯裝置、ASIC、類比或數位控制件/切換器、微控制器、或運算系統。一運算系統可包含但不限於：一個人運算系統、主機運算系統、工作站、影像電腦、並行處理器、或此項技術中已知之任何其他裝置。一般而言，術語「運算系統」廣泛定義為涵蓋具有一或多個處理器之任何裝置，該一或多個處理器實行來自一載體媒體之指令。實施諸如本文中描述之方法之程式指令可經由載體媒體傳輸或儲存在載體媒體上。一載體媒體可包含一傳輸媒體，諸如一電線、電纜或無線傳輸鏈路。該載體媒體亦可包含一儲存媒體，諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟或一磁帶。 本文中描述之所有方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存在一儲存媒體中。結果可包含本文中描述之結果之任意者且可以此項技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中描述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在已儲存結果之後，該等結果可在儲存媒體中存取且由本文中描述之方法或系統實施例之任意者使用、經格式化以顯示給一使用者、由另一軟體模組、方法或系統使用等等。此外，結果可被「永久」、「半永久」、「暫時」儲存或儲存達某段時間。舉例而言，儲存媒體可為隨機存取記憶體(RAM)，且結果可能不一定無限地存留在儲存媒體中。 雖然已圖解說明本發明之特定實施例，但明白可由熟習此項技術者實行本發明之各種修改及實施例而不背離前述揭示內容之範疇及精神。因此，本發明之範疇應僅由其隨附申請專利範圍限制。
12‧‧‧線 100‧‧‧光源 102‧‧‧靶材料遞送系統 104‧‧‧激發源 104a‧‧‧激發源 104b‧‧‧激發源 104c‧‧‧激發源 106‧‧‧靶材料 106d‧‧‧靶材料 106e‧‧‧靶材料 106m‧‧‧靶材料 108‧‧‧照射位點 108d‧‧‧照射位點 108f‧‧‧照射位點 108g‧‧‧照射位點 108h‧‧‧照射位點 108i‧‧‧照射位點 108j‧‧‧照射位點/深色照射位置 108k‧‧‧照射位點/淺色照射位置 110‧‧‧雷射產生之電漿腔室 112‧‧‧雷射輸入窗 114‧‧‧集光光學器件 116a‧‧‧極端射線 116b‧‧‧極端射線 118‧‧‧中間位置 120‧‧‧控制系統 122‧‧‧內部聚焦模組 124‧‧‧氣體供應系統 128‧‧‧真空系統 134‧‧‧診斷工具 136‧‧‧極紫外(EUV)功率計 138‧‧‧氣體監測感測器 140‧‧‧圓柱形對稱元件 140d‧‧‧圓柱形對稱元件 140e‧‧‧圓柱形對稱元件 140f‧‧‧圓柱形對稱元件 140h‧‧‧圓柱形對稱元件 140m‧‧‧圓柱形對稱元件 142‧‧‧外殼 144‧‧‧驅動單元 146‧‧‧軸 146e‧‧‧軸 148‧‧‧軸件 149‧‧‧系統 150‧‧‧雷射源 152‧‧‧第一雷射光束輸出 154‧‧‧雷射源 156‧‧‧第一雷射光束輸出 158‧‧‧共同光束路徑 160‧‧‧光學器件 162‧‧‧聚焦單元 162b‧‧‧聚焦單元 162c‧‧‧聚焦單元 164‧‧‧線 164b‧‧‧線 164c‧‧‧線 166‧‧‧第一雷射光束脈衝 168‧‧‧強度最大值 170‧‧‧第二雷射光束脈衝 172‧‧‧強度最大值 174‧‧‧線 176‧‧‧線 178‧‧‧時間延遲 180‧‧‧表面 180d‧‧‧表面 182‧‧‧系統 184‧‧‧單一雷射源 186‧‧‧輸出 188b‧‧‧線 188c‧‧‧線 190‧‧‧光束 192‧‧‧腰部 194‧‧‧表面 194d‧‧‧曝光表面 194e‧‧‧曝光表面 196‧‧‧系統 198‧‧‧雷射源 200‧‧‧雷射光束輸出 202‧‧‧脈衝 204‧‧‧前緣 206‧‧‧最大值 208‧‧‧後緣 210‧‧‧脈衝塑形單元/脈衝修整單元 212‧‧‧線 214‧‧‧電光調變器(EOM)電壓輸入 216‧‧‧脈衝塑形單元輸出 218‧‧‧經修整脈衝 220‧‧‧上升時間 222‧‧‧表面法線 224‧‧‧雷射光束軸 226‧‧‧雷射光束軸 228‧‧‧表面 230‧‧‧軸向對準凹槽 230a‧‧‧凹槽 230f‧‧‧凹槽 230g‧‧‧凹槽 230h‧‧‧凹槽 230i‧‧‧凹槽 230m‧‧‧凹槽 232‧‧‧鰭片 232a‧‧‧鰭片 232b‧‧‧鰭片 232f‧‧‧鰭片 232g‧‧‧鰭片 232h‧‧‧鰭片 232i‧‧‧鰭片 232j‧‧‧鰭片 232k‧‧‧鰭片 232m‧‧‧鰭片 234‧‧‧鰭片尖端 234a‧‧‧鰭片尖端 236‧‧‧凹槽深度 238‧‧‧凹槽表面部分 240‧‧‧距離 242‧‧‧根表面 244‧‧‧面 246‧‧‧系統 248‧‧‧編碼器 250‧‧‧線 300‧‧‧檢測系統 302‧‧‧照明源 304‧‧‧樣本 306‧‧‧載物台 310‧‧‧偵測器 312‧‧‧運算系統 314‧‧‧非暫時性載體媒體 316‧‧‧程式指令 400‧‧‧光微影系統 402‧‧‧照明源 404‧‧‧基板 406‧‧‧載物台 408‧‧‧倍縮光罩 α1‧‧‧非零斜角/角度 α2‧‧‧非零斜角/角度 d‧‧‧距離
熟習此項技術者藉由參考附圖可更好地理解本發明之眾多優點，其中： 圖1係圖解說明根據本發明之一實施例之具有塗覆於一可旋轉圓柱形對稱元件上之一靶材料之一LPP光源之一簡化示意圖； 圖2係圖解說明具有一預脈衝雷射源及一主脈衝雷射源之一激發源之一示意圖； 圖3係展示一預脈衝及主脈衝之強度對時間之一圖表； 圖4係圖解說明具有產生一預脈衝及一主脈衝之一單一雷射源之一激發源之一示意圖； 圖5係展示聚焦於距一靶材料之一表面之一距離上之一腰部之一雷射光束之一示意圖； 圖6係圖解說明具有一脈衝修整單元之一激發源之一示意圖； 圖7係展示藉由一傾腔或Q切換雷射源輸出之一典型脈衝之強度對時間之一圖表； 圖8係展示在修整之後圖7之脈衝之強度對時間之一圖表； 圖9係圖解說明依斜角入射在一靶材料表面上之雷射光束之一示意圖； 圖10係圖解說明依斜角入射在一靶材料表面上之雷射光束之一示意圖； 圖11係具有形成有複數個凹槽之一表面之一圓柱形對稱元件之一透視圖； 圖12係如沿著圖11中之線12-12所見且在塗覆有一靶材料之後圖11中展示之圓柱形對稱元件之一剖面圖； 圖13係針對其中凹槽具有經定尺寸以容納一個照射位點之一寬度之一實施例之圖11中所展示之圓柱形對稱元件之一部分之一前視圖； 圖14係針對其中凹槽具有經定尺寸以容納兩個照射位點之一寬度之一實施例之圖11中所展示之圓柱形對稱元件之一部分之一前視圖； 圖15係具有一編碼器以判定一圓柱形對稱元件之旋轉位置之一系統之一示意圖； 圖16係圖解說明併入如本文中揭示之一光源之一檢測系統之一簡化示意圖；且 圖17係圖解說明併入如本文中揭示之一光源之一微影系統之一簡化示意圖。
100‧‧‧光源
102‧‧‧靶材料遞送系統
104‧‧‧激發源
106‧‧‧靶材料
108‧‧‧照射位點
110‧‧‧雷射產生之電漿腔室
112‧‧‧雷射輸入窗
114‧‧‧集光光學器件
116a‧‧‧極端射線
116b‧‧‧極端射線
118‧‧‧中間位置
120‧‧‧控制系統
122‧‧‧內部聚焦模組
124‧‧‧氣體供應系統
128‧‧‧真空系統
134‧‧‧診斷工具
136‧‧‧極紫外(EUV)功率計
138‧‧‧氣體監測感測器
140‧‧‧圓柱形對稱元件
142‧‧‧外殼
144‧‧‧驅動單元
146‧‧‧軸
148‧‧‧軸件
150‧‧‧雷射源

Claims (25)

  1. 一種裝置，其包括： 一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有具有一曝光表面之電漿形成靶材料之一帶之一表面； 一系統，其輸出一連串雷射光束脈衝，每一脈衝具有藉由雷射光束強度隨時間之一上升特徵化之一前緣；及 一脈衝修整單元，其接收該雷射系統下游之脈衝且修整每一脈衝之該前緣之至少一部分以輸出一經修整脈衝以與該靶材料相互作用，從而產生電漿。
  2. 如請求項1之裝置，其中每一脈衝具有藉由雷射光束強度隨時間之一下降特徵化之一後緣且該脈衝修整單元修整每一脈衝之該後緣之至少一部分。
  3. 如請求項1之裝置，其中該脈衝修整單元包括一電光調變器。
  4. 如請求項3之裝置，其中該電光調變器具有一晶胞，該晶胞具有選自由一KDP、BBO、RTP、RTA、LiNbO3組成之晶胞材料群組之一晶胞材料。
  5. 如請求項1之裝置，其中輸出一連串雷射光束脈衝之該系統包括一傾腔雷射。
  6. 如請求項1之裝置，其中輸出一連串雷射光束脈衝之該系統包括一Q切換雷射。
  7. 如請求項1之裝置，其中該經修整脈衝具有小於1 ns之一上升時間。
  8. 一種裝置，其包括： 一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有具有一曝光表面且在該曝光表面上之一照射位點處界定一表面法線之電漿形成靶材料之一帶之一表面；及 一系統，其輸出一雷射光束以與該靶材料相互作用以產生電漿，該雷射光束在該照射位點處沿著一雷射軸行進，其中該雷射軸及該表面法線在該照射位點處對向一非零角度α。
  9. 如請求項8之裝置，其中該角度α大於10度。
  10. 如請求項8之裝置，其中該雷射軸法向對準於與該照射位點相交之一軸且平行對準於旋轉軸。
  11. 如請求項8之裝置，其中該雷射軸法向對準於與該照射位點相交之一軸且平行對準於該旋轉軸。
  12. 一種裝置，其包括： 一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有具有一曝光表面之電漿形成靶材料之一帶之一表面； 一系統，其輸出一雷射光束以與該靶材料相互作用以產生電漿；及 一聚焦單元，其將該雷射光束聚焦至在該聚焦單元與該電漿形成靶材料之該曝光表面之間之一位置處之一腰部。
  13. 一種裝置，其包括： 一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有電漿形成靶材料之一帶之一表面；及 一系統，其照射該靶材料以產生電漿，該系統輸出具有一強度最大值I1 及脈衝能量E1 之一第一雷射光束脈衝，及具有一強度最大值I2 及脈衝能量E2 之一第二雷射光束脈衝，其中E1 ＜E2 ，且I1 與I2 之間之一時間延遲經選擇以引起該第一雷射光束脈衝預調節該電漿形成靶材料以減少由該第二雷射光束脈衝對該圓柱形對稱元件之該表面之照射損壞。
  14. 如請求項13之裝置，其中該第一雷射光束脈衝具有比該第二雷射光束脈衝更長之一脈衝持續時間。
  15. 如請求項13之裝置，其中該第一雷射光束脈衝具有比該第二雷射光束脈衝更短之一波長。
  16. 如請求項13之裝置，其中I1 與I2 之間之該時間延遲在10 ns至10 μs之範圍中。
  17. 如請求項13之裝置，其中該第一雷射光束脈衝之該強度最大值I1 大於該第二雷射光束脈衝之該強度最大值I2 (I1 ﹥I2 )。
  18. 一種裝置，其包括： 一圓柱形對稱元件，其可繞一軸旋轉且具有塗覆有電漿形成靶材料之一帶之一表面，該表面形成有複數個軸向對準凹槽，其中藉由一對鰭片建立每一凹槽，其中每一鰭片具有一鰭片尖端，且其中每一凹槽具有從一鰭片尖端至一凹槽表面部分之大於1 mm之一凹槽深度； 一系統，其輸出一雷射光束；及 一聚焦單元，其聚焦該雷射光束且建立一照射位點以從該靶材料產生電漿，該照射位點遠離該凹槽表面部分以保護該表面部分免受照射損壞之影響。
  19. 如請求項18之裝置，其中該電漿形成靶材料帶具有遠離一鰭片尖端達大於0.5 mm之一曝光靶材料表面。
  20. 如請求項18之裝置，其中該凹槽具有一根表面，及該根表面與一鰭片尖端之間之一面，且其中該根表面之至少一部分具有一表面粗糙度SR1，且該面之至少一部分具有一表面粗糙度SR2，其中SR1＜SR2。
  21. 如請求項18之裝置，其進一步包括用於輸出指示該圓柱形對稱元件之一旋轉位置之一信號之一編碼器。
  22. 如請求項21之裝置，其中輸出一雷射光束之該系統接收該信號且經組態以使用該信號來觸發一脈衝雷射輸出以使雷射輸出與圓柱形對稱元件旋轉位置同步。
  23. 如請求項18之裝置，其進一步包括： 一驅動單元，其繞該軸旋轉該圓柱形對稱元件且沿著該軸在一第一末端位置與一第二末端位置之間來回平移該圓柱形對稱元件，該驅動單元可程式化以改變每一末端位置處之一旋轉速度以建立用於照射從該第一末端位置至該第二末端位置之一平移之一第一組電漿形成靶材料點及用於照射從該第二末端位置至該第一末端位置之一平移之不同於該第一組之一第二組電漿形成靶材料點。
  24. 如請求項18之裝置，其中每一凹槽具有法向於該軸、經定尺寸以容納一個照射位點之一寬度。
  25. 如請求項18之裝置，其中每一凹槽具有法向於該軸、經定尺寸以容納兩個照射位點之一寬度。
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