KR20220048304A - EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크 검사 장치 - Google Patents

EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크 검사 장치 Download PDF

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KR20220048304A
KR20220048304A KR1020200131295A KR20200131295A KR20220048304A KR 20220048304 A KR20220048304 A KR 20220048304A KR 1020200131295 A KR1020200131295 A KR 1020200131295A KR 20200131295 A KR20200131295 A KR 20200131295A KR 20220048304 A KR20220048304 A KR 20220048304A
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Abstract

예시적인 실시예들에 따르면, EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크 검사 장치가 제공된다. 상기 EUV 마스크 검사 장치는, 근적외선인 입력 빔을 방출하는 광원; 상기 입력 빔의 광 경로 상에 배치되고, 기체 매질을 내포하는 기체 콘테이너; 상기 기체 콘테이너와 상기 광원 사이에 배치되고, 상기 입력 빔의 중심 부분을 반사하고, 가장자리 부분을 통과시킴으로써 빔 단면에 중공을 포함하는 중공(Center-holed) 빔을 생성하는 빔 성형 장치; 및 상기 기체 매질 및 상기 중공 빔에 의해 생성된 출력 빔을 출력하는 빔 출력 장치를 포함할 수 있다.

Description

EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크 검사 장치{EUV mask inspection device}
본 개시의 기술적 사상은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, EUV(Extreme Ultra Violet) 빔을 조사하도록 구성된 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 고성능화, 고 집적화에 따라 반도체 소자에 회로를 전사하기 위한 EUV 마스크에 형성된 회로 패턴이 점점 더 미세화되고 있다. 이에 따라, EUV 마스크 상의 미세한 결함이 반도체 소자의 불량을 유발하는 문제점이 있다. 따라서, EUV 마스크를 높은 정밀도 및 효율로 검사하기 위한 다양한 방법들이 연구되고 있다.
본 개시의 기술적 사상은, 신뢰성이 제고된 EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크 검사 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 개시의 기술적 사상에 따른 예시적인 실시예들에 따르면, EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크 검사 장치가 제공된다. 상기 EUV 마스크 검사 장치는, 근적외선인 입력 빔을 방출하는 광원; 상기 입력 빔의 광 경로 상에 배치되고, 기체 매질을 내포하는 기체 콘테이너; 상기 기체 콘테이너와 상기 광원 사이에 배치되고, 상기 입력 빔의 중심 부분을 반사하고, 가장자리 부분을 통과시킴으로써 빔 단면에 중공을 포함하는 중공(Center-holed) 빔을 생성하는 빔 성형 장치; 및 상기 기체 매질 및 상기 중공 빔에 의해 생성된 출력 빔을 출력하는 빔 출력 장치를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, EUV 마스크에 출력 빔을 조사하는 HHG(High Harmonics Generation) 광학계; 및 상기 EUV 마스크에 의해 반사된 상기 출력 빔을 검출하는 디텍터를 포함하는 EUV 마스크 검사 장치가 제공된다. 상기 HHG 광학계는, 근적외선인 입력 빔을 방출하는 광원; 상기 입력 빔의 광 경로 상에 배치되고, 기체 매질을 한정하는 내부 공간을 포함하는 기체 콘테이너; 상기 기체 콘테이너와 상기 광원 사이에 배치되고, 상기 입력 빔의 빔 단면에 중공을 형성하는 빔 성형 장치; 및 상기 기체 매질 및 중공이 형성된 상기 입력 빔에 의해 생성된 출력 빔을 출력하는 빔 출력 장치를 포함하되, 상기 중공이 형성된 입력 빔과 상기 출력 빔은 서로 중첩되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, EUV 마스크 검사 장치가 제공된다. 상기 EUV 마스크 검사 장치는, 근적외선 빔을 방출하는 광원; 상기 근적외선 빔의 광 경로 상에 배치되고, 기체 매질을 한정하는 기체 콘테이너; 상기 기체 콘테이너와 상기 광원 사이에 배치되고, 상기 근적외선 빔의 빔 단면 성형하는 빔 성형 장치; 및 상기 기체 매질 및 근적외선 빔에 의해 생성된 극자외선 빔을 출력하고 상기 근적외선 빔을 차단하는 빔 출력 장치를 포함하되, 상기 극자외선 빔의 제1 단면은 원 형이고, 상기 기체 매질을 통과한 상기 근적외선 빔의 제2 단면은 상기 제1 단면을 둘러싸는 링 형일 수 있다.
본 개시의 예시적인 실시예들에 따르면, EUV(Extreme Ultra Violet) 빔의 생성을 위한 입력 빔인 근적외선 빔을 제거하기 위한 필터 없이도 EUV 빔을 근적외선 빔으로부터 분리할 수 있다. 이에 따라, HHG(High Harmonics Generation) 광학계 및 상기 HHG 광학계를 포함하는 EUV 마스크 검사 장치의 신뢰성이 제고될 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1의 EUV 마스크 검사 장치에 포함된 HHG(High Harmonics Generation) 광학계를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 3a는 도 2의 절단선 A-A'를 포함하는 절단면에서 입력 빔의 단면을 도시한 평면도이다.
도 3b는 도 2의 절단선 B-B'를 포함하는 절단면에서 중공(Center-holed) 빔의 단면을 도시한 평면도이다.
도 3c는 도 2의 절단선 C-C'를 포함하는 절단면에서 중공 빔의 단면을 도시한 평면도이다.
도 3d는 도 2의 절단선 D-D'를 포함하는 절단면에서 중공 빔 및 출력 빔의 단면을 도시한 평면도이다.
도 4a는 빔 성형 장치를 나타내는 위한 사시도이고, 도 4b는 빔 출력 장치를 나타내는 사시도이다.
도 5a는 다른 예시적인 실시예들에 따른 HHG 광학계를 설명하기 위한 도면이다.
도 5b는 HHG 광학계에 포함된 빔 성형 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 다른 예시적인 실시예들에 따른 HHG 광학계를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 다른 예시적인 실시예들에 따른 HHG 광학계를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 EUV 마스크 검사 장치(10)를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 1을 참조하면, EUV 마스크 검사 장치(10)는 EUV 마스크(EM)를 검사할 수 있다. EUV 마스크 검사 장치(10)는 HHG(High Harmonics Generation) 광학계(100) 및 디텍터(200)를 포함할 수 있다.
HHG 광학계(100)는 극자외선 파장 대역의 출력 빔(OB)을 EUV 마스크(EM)에 조사할 수 있다. EUV 마스크(EM)는 반사 타입 마스크일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, EUV 마스크(EM)는 투과 타입 마스크일 수도 있다. 도 1에 도시되지 않았으나, EUV 마스크 검사 장치(10)는 EUV 마스크(EM)를 고정하고 정렬시키기 위한 마스크 스테이지를 더 포함할 수도 있다. 마스크 스테이지는, EUV 마스크(EM)을 수직 또는 수평 방향으로 평행이동 시키거나, EUV 마스크(EM)를 EUV 마스크의 상면(EM)에 수직한 축을 중심으로 회전시킬 수 있다.
여기서, EUV 마스크(EM)는 웨이퍼 상에 설정된 회로 패턴을 전사하기 위한 장치일 수 있다. 서로 다른 EUV 마스크(EM) 상에 형성된 패턴이 웨이퍼 상에 중첩적으로 전사됨에 따라 반도체 소자가 제조될 수 있다. EUV 마스크(EM)에 형성된 패턴을 웨이퍼에 전사하는 공정을 리소그래피 공정이라고 한다. 리소그래피 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트 물질을 제공하는 스핀 코팅 공정, EUV 마스크(EM)를 이용하여 상기 포토레지스트 층에 EUV 빔을 조사하는 노광 공정 및 상기 포토레지스트의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분을 제거하는 현상 공정을 포함할 수 있다.
EUV 마스크(EM)의 불량은 웨이퍼 상에 전사되는 회로 패턴에 심각한 결함을 야기시킬 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자의 제조를 위한 웨이퍼에 리소그래피 공정을 수행하기 전에 EUV 마스크(EM)에 의해 전사되는 패턴을 측정 및 검사해야 한다.
디텍터(200)는 EUV 마스크(EM)에 의해 반사된 출력 빔(OB)을 검출할 수 있다. EUV 마스크 검사 장치(10)는 디텍터(200)에 의해 생성되는 영상으로부터 EUV 마스크(EM)에 의해 웨이퍼에 전사되는 패턴을 별도의 리소그래피 공정 없이 검사할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 디텍터(200)는 CCD(Charge Coupled Device) 카메라 및 CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 이미지 센서 중 어느 하나일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
도 2는 도 1의 EUV 마스크 검사 장치(10)에 포함된 HHG 광학계(100)를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 3a는 도 2의 절단선 A-A'를 포함하는 절단면에서 입력 빔(IB)의 단면을 도시한 평면도이다.
도 3b는 도 2의 절단선 B-B'를 포함하는 절단면에서 중공(Center-holed) 빔(CHB)의 단면을 도시한 평면도이다.
도 3c는 도 2의 절단선 C-C'를 포함하는 절단면에서 중공 빔(CHB)의 단면을 도시한 평면도이다.
도 3d는 도 2의 절단선 D-D'를 포함하는 절단면에서 중공 빔(CHB) 및 출력 빔(OB)의 단면을 도시한 평면도이다.
도 4a는 빔 성형 장치(120)를 나타내는 위한 사시도이고, 도 4b는 빔 출력 장치(150)를 나타내는 사시도이다.
도 2를 참조하면, HHG 광학계(100)는 광원(110), 빔 성형 장치(120), 기체 공급 장치(130), 기체 콘테이너(140) 및 빔 출력 장치(150)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 광원(110)은 근적외선(Infra-red) 생성 장치일 수 있다. 광원(110)에 의해 생성된 입력 빔(IB)의 파장은 근적외선 대역에 있을 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 광원(110)은 주 공진기를 포함할 수 있다. 도 2에 실시예에서, 광원(110)은 포커싱된 빔인 입력 빔(IB)을 방출할 수 있다. 입력 빔(IB)은 빔 성형 장치(120)를 향해 조사될 수 있다.
도 2 및 도 3a을 참조하면, 입력 빔(IB)은 대략 원형의 빔 단면을 갖는 빔일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 입력 빔(IB)은 공간적으로 가우시안 분포를 가질 수 있다. 예컨대, 입력 빔(IB)은 중심 최대 세기(Center-peaked intensity)를 가질 수 있고, 입력 빔(IB)의 중심으로부터 반경에 따른 입력 빔(IB)의 세기는 실질적으로 가우시안 분포를 따라 변할 수 있다.
도 2, 도 3b 및 도 4a를 참조하면, 빔 성형 장치(120)는 반사 타입의 빔 성형 장치일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 빔 성형 장치(120)는 중공(120H)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 빔 성형 장치(120)는 링 형 미러일 수 있다. 빔 성형 장치(120)는 상기 중공(120H)에 대응되는 입력 빔(IB)의 중심 부분을 통과시키고, 상기 중심 부분을 제외한 부분을 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 입력빔이 빔 성형 장치(120)에 의해 반사되어 생성된 중공 빔(CHB)은 빔 단면의 중앙에 형성된 빔 홀(BH)을 포함할 수 있다. 빔 홀(BH)은 중공 빔(CHB)과 중심을 공유하는 원형일 수 있다.
중공 빔(CHB)은 포커싱된 빔일 수 있다. 중공 빔(CHB)의 초점은 기체 매질(G)에 있을 수 있다. 중공 빔(CHB)은 상기 초점 근방에서 수십 펨토 초의 펄스 폭(예컨대, 반치폭(Full width at half maximum))과 수 mJ의 펄스 에너지를 가질 수 있다. 중공 빔(CHB)은 기체 매질(G)에 약 1015 W/cm2 이상의 강력한 세기의 전기장을 형성할 수 있다. 중공 빔(CHB)에 의해 기체 매질(G)에 형성된 강력한 전기장은 기체 매질(G)을 이온화시키고, 이온화된 전자가 대응되는 양이온과 재결합하면서, 전자의 비행시간 동안 얻은 운동에너지를 빛의 형태로 방출한다. 상술된 방식으로 생성된 출력 빔(OB)을 고차조화파(High-order Harmonics) 라고 한다. 이러한 고차조화파 성분 중, 설정된 파장 이하(예컨대, 약 13.5nm)의 성분의 광이 출력 빔(OB)으로 출력될 수 있다.
도 2 및 도 3c를 참조하면, 중공 빔(CHB)은 기체 매질(G)의 초점에서, 가우시안 빔과 유사하게 중심 최대 세기를 갖는 공간-세기 분포를 가질 수 있다. 이에 따라, 기체 매질(G) 내의 초점 근방에서는, 중공 빔(CHB)은 빔 성형 장치(120)에 도달하기 전과 유사한 점 형상의 세기 분포를 갖게 되어, 종래와 동등한 출력 빔(OB)이 생성될 수 있다.
여기서, 기체 매질(G)은 헬륨(He), 네온(Ne), 알곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe) 등과 같은 불활성 기체일 수 있다. 기체 매질(G)은 기체 공급 장치(130)에 의해 기체 콘테이너(140)의 입구(inlet)(141)에 공급될 수 있으며 기체 콘테이너(140)의 출구(outlet)(142)를 통해 배출될 수 있다. 기체 콘테이너(140)는 기체 매질(G)을 외부의 분위기와 분리할 수 있다. 기체 콘테이너(140)는 예컨대, 기체 셀 일 수 있다.
도 2 및 도 3d를 참조하면, 출력 빔(OB)은 중공 빔(CHB)에 비해 상대적으로 작은 발산각을 갖는 빔일 수 있고, 중공 빔(CHB)은 기체 매질(G)에 입사하기 전과 유사한 빔 단면을 가질 수 있는바, 출력 빔(OB)과 중공 빔(CHB)은 공간적으로 분리될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상대적으로 짧은 파장을 갖는 출력빔(OB)의 발산 각은 상대적으로 긴 파장을 갖는 중공 빔(CHB)의 발산 각보다 더 작을 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 출력 빔(OB)과 중공 빔(CHB)은 서로 중첩되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 출력 빔(OB)의 빔 단면은 대략 원형일 수 있고, 중공 빔(CHB)의 빔 단면은 출력 빔(OB)의 빔 단면을 둘러싸는 링 형일 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 출력 빔(OB)은 빔 단면 상에서, 중심 최대 세기를 갖는 에너지 공간 분포를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 출력 빔(OB)은 공간적으로 가우시안 분포를 가질 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
도 2 및 도 4b를 참조하면, 빔 출력 장치(150)는 출력 빔(OB)이 출력되도록 구성된 중공(150H)을 포함하는 미러일 수 있다. 이에 따라, 빔 출력 장치(150)는 출력 빔(OB)을 통과시킴으로써 상기 출력 빔(OB)을 출력하고, 중공 빔(CHB)을 반사시킴으로써 상기 중공 빔(CHB)을 차단할 수 있다. 경우에 따라, 중공 빔(CHB)과 기체 매질(G)과의 상호 작용으로 인해, 중공 빔(CHB)으로부터 유래한 일부 근적외선 성분의 빔이 출력 빔(OB)과 중첩된 경로를 가질 수도 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 출력 빔(OB)과 중첩되는 근적외선 빔의 세기는, 입력 빔(IB)의 세기의 약 5% 이하일 수 있다. 이에 따라, 출력 빔(OB)과 중첩되는 근적외선 빔이 유발한 다크 노이즈에 의해 검사 결과의 신뢰성이 저하되지 않으며, 근적외선의 광에 의해 디텍터(20, 도 1 참조) 등의 광학 소자의 손상되지 않을 수 있다.
종래의 HHG 광학계는 극자외선 생성을 위한 근적외선이 극자외선과 중첩된 경로로 출력되었다. 근적외선은 극자외선에 비해 상대적으로 큰 세기를 갖는바, 디텍터(200, 도 1 참조) 에 대한 노이즈로 작용할 수 있다. 이에 따라 종래의 HHG 광학계는 상기 근적외선에 의한 노이즈를 방지 하기 위해 출력 빔의 광 경로 상에 금속 재질(예컨대, 지르코늄(Zr)을 포함하는 EUV 용 금속 박막 필터를 채용하였다.
이러한 EUV 용 금속 박막 필터는 가격이 비싸며 제조 공정의 진행에 따라 근적외선에 의해 손상되어 주기적으로 교체되어야 한다. 또한, EUV 용 금속 박막 필터는 상대적으로 낮은 반사율(즉, 높은 흡수율)을 갖는바 HHG 광학계의 에너지 효율을 저하시키는 문제점이 있다. 예컨대, 100nm 두께의 지르코늄(Zr)으로 구성된 EUV 용 금속 박막 필터의 13.5nm 파장의 광에 대한 흡수율은 약 30% 정도이다. 또한, EUV 용 금속 박막 필터에 데미지가 발생한 경우, EUV 용 금속 박막 필터의 데미지에 의한 출력 빔 파면의 변화가 발생할 수 있다. 이러한 출력 빔 파면의 변화에 의해 디텍터에 의해 검출되는 패턴이 실제 EUV 마스크에 의한 패턴과 달라져 검사의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.
이와 달리, HHG 광학계(100)에 의해 생성된 출력 빔(OB)은 중공 빔(CHB)으로부터 공간적으로 분리될 수 있다. 이에 따라, EUV 용 금속 박막 필터 등을 사용하지 않고 근적외선을 필터링하여 극자외선의 출력 빔(OB)만을 출력할 수 있다. 이에 따라, HHG 광학계(100)의 에너지 효율을 제고할 수 있고, 출력 빔(OB)의 파면의 왜곡을 방지할 수 있는바, HHG 광학계(100)의 신뢰성이 제고될 수 있다.
도 5a는 다른 예시적인 실시예들에 따른 HHG 광학계(101)를 설명하기 위한 도면이다.
도 5b는 HHG 광학계(101)에 포함된 빔 성형 장치(121)를 설명하기 위한 사시도이다.
설명의 편의상 도 2 내지 도 4b를 참조하여 설명한 것과 중복되는 것을 생략하고 차이점을 위주로 설명하도록 한다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, HHG 광학계(101)는 광원(110), 빔 성형 장치(121), 기체 공급 장치(130), 기체 콘테이너(140) 및 빔 출력 장치(150)를 포함할 수 있다.
빔 성형 장치(121)는 도 2의 빔 성형 장치(120)와 달리 투과 타입일 수 있다. 즉 빔 성형 장치(120)는 입력 빔(IB)의 가장자리 부분을 통과시킴으로써 출력하고, 입력 빔(IB)의 중앙 부분을 반사함으로써 차단할 수 있다. 광원(110)에 의해 생성된 입력 빔(IB)이 빔 성형 장치(121)를 통과함으로써, 중공 빔(CHB)이 생성될 수 있다.
도 6은 다른 예시적인 실시예들에 따른 HHG 광학계(102)를 설명하기 위한 도면이다.
설명의 편의상 도 2 내지 도 4b를 참조하여 설명한 것과 중복되는 것을 생략하고 차이점을 위주로 설명하도록 한다.
도 6을 참조하면, HHG 광학계(102)는 광원(110), 빔 성형 장치(120), 기체 공급 장치(130), 기체 콘테이너(140) 및 빔 출력 장치(151)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 빔 출력 장치(151)는 반사 타입의 장치일 수 있다. 빔 출력 장치(151)는 고 반사율의 미러일 수 있고, 출력 빔(OB)의 경로 상에만 배치될 수 있다. 이에 따라, HHG 광학계(102)는 근적외선인 중공 빔(CHB)을 반사하지 않고, 극자외선인 출력 빔(OB)만을 반사하여 출력할 수 있다.
도 7은 다른 예시적인 실시예들에 따른 HHG 광학계(102)를 설명하기 위한 도면이다.
설명의 편의상 도 2 내지 도 4b를 참조하여 설명한 것과 중복되는 것을 생략하고 차이점을 위주로 설명하도록 한다.
도 7을 참조하면, HHG 광학계(103)는 광원(111), 빔 성형 장치(120), 기체 공급 장치(130), 기체 콘테이너(140), 빔 출력 장치(150) 및 포커싱 렌즈(160)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 광원(111)은 시준된 근적외선인 입력 빔(IB)을 출력할 수 있다. 입력 빔(IB)은 빔 성형 장치(120)에 의해 반사되어 중공 빔(CHB)이 될 수 있고, 중공 빔(CHB)은 포커싱 렌즈(160)에 의해 기체 매질(G)에 포커싱될 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크 검사 장치,
100: HHG(High Harmonics Generation) 광학계,
110: 광원, 120, 121: 빔 성형 장치, 130: 기체 공급 장치,
140: 기체 콘테이너, 150, 151: 빔출력 장치, 160: 렌즈, 200: 디텍터,

Claims (10)

  1. 근적외선인 입력 빔을 방출하는 광원;
    상기 입력 빔의 광 경로 상에 배치되고, 기체 매질을 내포하는 기체 콘테이너;
    상기 기체 콘테이너와 상기 광원 사이에 배치되고, 상기 입력 빔의 중심 부분을 반사하고, 가장자리 부분을 통과시킴으로써, 빔 단면에 중공을 포함하는 중공(Center-holed) 빔을 생성하는 빔 성형 장치; 및
    상기 기체 매질 및 상기 중공 빔에 의해 생성된 출력 빔을 출력하는 빔 출력 장치를 포함하는 EUV(Extreme Ultra Violet) 마스크 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 중공 빔은 포커싱된 광인 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 중공 빔의 초점은 상기 기체 콘테이너 내의 상기 기체 매질 상에 있는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 중공 빔의 초점에서, 상기 중공 빔은 중심 최대 세기(Center-peaked intensity)를 갖는 공간-세기 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기체 매질을 통과한 중공 빔과 상기 출력 빔은 공간적으로 분리된 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기체 매질을 통과한 중공 빔과 상기 출력 빔은 빔 단면상 서로 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 출력 빔의 빔 단면은, 상기 기체 매질을 통과한 중공 빔의 빔 단면에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 빔 출력 장치는 출력 중공을 포함하고,
    상기 출력 중공을 통해 상기 출력 빔을 통과시키며, 및
    상기 중공 빔을 차단하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 빔 출력 장치는 상기 출력 빔을 반사시키는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 장치.
  10. EUV 마스크에 출력 빔을 조사하는 HHG(High Harmonics Generation) 광학계; 및
    상기 EUV 마스크에 의해 반사된 상기 출력 빔을 검출하는 디텍터를 포함하되,
    상기 HHG 광학계는,
    근적외선인 입력 빔을 방출하는 광원;
    상기 입력 빔의 광 경로 상에 배치되고, 기체 매질을 한정하는 내부 공간을 포함하는 기체 콘테이너;
    상기 기체 콘테이너와 상기 광원 사이에 배치되고, 상기 입력 빔의 빔 단면에 중공을 형성하는 빔 성형 장치; 및
    상기 기체 매질 및 중공이 형성된 상기 입력 빔에 의해 생성된 출력 빔을 출력하는 빔 출력 장치를 포함하되,
    상기 중공이 형성된 입력 빔과 상기 출력 빔은 서로 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 검사 장치.
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