TW201728774A - 用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板的裝置、具有其的處理設備、以及使用其之支撐可撓性基板的方法 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種用於在一真空處理腔室中支撐一可撓性基板(10)的裝置(100)。該裝置(100)包含一塗佈鼓，能夠繞著一旋轉軸(105)旋轉，其中該塗佈鼓具有一支撐表面(110)，支撐表面(110)係配置成用於支撐可撓性基板(10)，其中支撐表面(110)相對於旋轉軸(105)呈對稱，且其中在垂直於旋轉軸(105)的一方向中旋轉軸(105)和支撐表面(110)的一中央部分(112)之間的一第一距離(120)，小於旋轉軸(105)和支撐表面(110)的一周緣(114, 116)之間的一第二距離(122)。

Description

用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板的裝置、具有其的處理設備、以及使用其之支撐可撓性基板的方法

本揭露的實施例是關於一種用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板的裝置、一種配置成用於可撓性基板上之層沉積的處理設備、和一種用於在塗佈鼓上支撐可撓性基板的方法。本揭露的實施例特別是關於薄膜處理設備，例如關於一種用於處理可撓性基板的裝置，更特別是關於連續捲繞式(roll-to-roll, R2R)系統。

在封裝工業、半導體工業、和其他工業中，能夠採用可撓性基板如塑膠膜或箔的處理。所述處理可包含以一或更多種塗佈材料塗佈可撓性基板，塗佈材料例如是金屬、半導體材料、和介電材料。所述處理還能夠包含其他處理方面，例如蝕刻。處理該些方面的處理設備，能夠包含耦接到用於可撓性基板之傳送的系統的塗佈鼓。這類連續捲繞式系統能夠提供高産量。

塗佈製程如濺鍍沉積製程、熱蒸鍍製程、或化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)製程，能夠用於將塗佈材料的薄層沉積到可撓性基板上。在塗佈製程期間，能夠增加可撓性基板的溫度。可撓性基板可能因為增加的溫度而損壞。特別是，可撓性基板的邊緣可能經歷熱損壞。例如，可撓性基板的邊緣可能產生皺褶。

基於上述情況，克服至少一些現有技術中之問題的新的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板的裝置、配置成用於可撓性基板上之層沉積的處理設備、和用於在塗佈鼓上支撐可撓性基板的方法是有利的。具體來說，能夠避免可撓性基板的熱損壞如可撓性基板之邊緣的熱損壞的裝置、處理設備、和方法是有利的。

有鑑於上述情況，提供一種用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板的裝置、一種配置成用於可撓性基板上之層沉積的處理設備、和一種用於在塗佈鼓上支撐可撓性基板的方法。本揭露另外的方面、優點、和特徵，係藉由請求項、說明書、及所附圖式而明朗。

根據本揭露的一方面，提供一種用於在一真空處理腔室中支撐一可撓性基板的裝置。該裝置包含一塗佈鼓，塗佈鼓能夠繞著一旋轉軸旋轉，其中塗佈鼓具有一支撐表面，該支撐表面係配置成用於支撐可撓性基板，其中支撐表面相對於旋轉軸呈對稱，且其中在垂直於旋轉軸的一方向中旋轉軸和支撐表面的一中央部分之間的一第一距離，小於旋轉軸和支撐表面的一周緣之間的一第二距離。

根據本揭露的另一方面，提供一種配置成用於一可撓性基板上之層沉積的處理設備。該處理設備包含一真空處理腔室、根據本揭露之用於支撐可撓性基板的裝置、和一或更多個處理工具，該裝置位於真空處理腔室中，該一或更多個處理工具選自於由沉積源和蝕刻工具所組成的群組，其中該一或更多個處理工具位在相鄰於裝置之塗佈鼓的位置。

根據本揭露的又一方面，提供一種用於在一塗佈鼓上支撐一可撓性基板的方法。該方法包含在塗佈鼓的一支撐表面上支撐可撓性基板，其中支撐表面相對於塗佈鼓的一旋轉軸呈對稱，且其中在垂直於旋轉軸的一方向中旋轉軸和支撐表面之間的一距離沿著旋轉軸變化，以及在可撓性基板的複數個邊緣部分藉由支撐表面施加一張力。

實施例也針對用於進行所揭露之方法的裝置，並包含用於執行所述之各個方法方面的裝置部分。這些方法方面可以藉由硬體元件、以適當軟體編程的電腦、藉由二者的任意組合、或以任何其他方式執行。此外，根據本揭露的實施例也針對用於操作所述設備的方法。用於操作所述設備的方法包含用於進行設備的每個功能的方法方面。

現在將對於本揭露的各種實施例進行詳細說明，其一或更多個範例係繪示於圖中。在以下對於圖式的敘述中，相同的元件符號是指示相同的元件。一般來說，只會對於個別實施例的不同之處進行敘述。各個範例係以解釋本揭露的方式來提供，而非欲作為本揭露的限制。此外，作為一實施例的一部分而被繪示或敘述的特徵，能夠被用於或結合其他實施例，以產生又另一實施例。所述內容意欲包含這類修改和變化。

在基板處理期間，例如在塗佈製程期間，能夠增加可撓性基板的溫度。可撓性基板可能因為增加的溫度而損壞。特別是，基板的邊緣可能經歷熱損壞，例如，基板的邊緣可能變成波浪狀或起皺褶。根據本揭露，塗佈鼓具有變化的直徑，以局部性地增加可撓性基板的張力。作為一個範例，變化的直徑能夠增加基板往邊緣的張力和/或在基板邊緣的張力。可撓性基板之張力的局部性增加，允許減輕或甚至避免可撓性基板的熱損壞。具體來說，增加在基板邊緣的張力，能夠避免基板邊緣變成波浪狀或起皺褶。

用詞「張力」，如本揭露中通篇所使用者，能夠理解成藉由支撐表面運行在可撓性基板上的「拉力」。具體來說，「張力」相對於「壓縮」。

用詞「可撓性基板」，如在此所使用者，應囊括可撓性基板如卷材或箔。在此要注意的是，如在此所述之實施例中使用的可撓性基板，能夠表徵為其係可彎曲的。

第1圖示出根據在此所述之實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板之一裝置100的剖面示意圖，裝置100具有一塗佈鼓，該塗佈鼓能夠繞著一旋轉軸105旋轉。具體來說，第1圖示出裝置100的一剖面示意圖，在平行於旋轉軸105的一平面。第2圖示出第1圖之裝置的另一剖面示意圖，在垂直於旋轉軸105的一平面。

裝置100包含、或為一塗佈鼓，該塗佈鼓能夠繞著一旋轉軸105旋轉。該塗佈鼓具有一支撐表面110，支撐表面110係配置成用於支撐可撓性基板，其中支撐表面110相對於旋轉軸105呈對稱。作為一個範例，支撐表面110係實質上繞著旋轉軸105旋轉性地對稱。用詞「實質上」應解釋為塗佈鼓之製造公差(manufacturing tolerance)的原因，特別是支撐表面110之製造公差的原因。在垂直於旋轉軸105的一方向中旋轉軸105和支撐表面110的一中央部分112之間的一第一距離120，小於旋轉軸105和支撐表面110的一周緣之間的一第二距離122。

塗佈鼓也能夠稱為「基板支撐件」。具體來說，塗佈鼓能夠是配置成用以在基板處理如塗佈製程期間於真空處理腔室中支撐可撓性基板。具體來說，可撓性基板能夠移動通過真空處理腔室的一塗佈區，該塗佈區提供在塗佈鼓並對應一或更多個沉積源的位置。在操作期間，塗佈鼓繞著旋轉軸105旋轉，使得可撓性基板往前或往後移動。作為一個範例，塗佈鼓係配置成用以繞著旋轉軸105順時針或逆時針旋轉，以傳送可撓性基板。

用詞「支撐表面」，如本揭露中通篇所使用者，是指示一表面，該表面係配置成用以接觸可撓性基板以支撐可撓性基板。具體來說，支撐表面不同於塗佈鼓之並非意欲或提供為接觸或支撐可撓性基板的其他表面部分。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，支撐表面110能夠藉由一圓周表面如塗佈鼓的一外圓周表面來提供。在一些實施方案中，塗佈鼓能夠為實質上圓柱狀，其中支撐表面110能夠藉由實質上圓柱狀之塗佈鼓的圓周表面來提供。用詞「實質上圓柱狀」應考量到塗佈鼓的旋轉軸105和支撐表面110之間的變化距離。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，支撐表面110的周緣是在平行於旋轉軸105的一方向中支撐表面110的一邊界(例如，一邊緣或終端)。作為一個範例，支撐表面110的周緣包含一第一邊界114和相對於第一邊界114的一第二邊界116。支撐表面110能夠在第一邊界114和第二邊界116之間延伸。在第1圖的剖面圖中，第一邊界114能夠是支撐表面110的一左方邊緣或一左方終端。第二邊界116能夠是支撐表面110的一右方邊緣或一右方終端。

支撐表面110在平行於旋轉軸105的一方向中具有一寬度124。寬度124能夠定義在支撐表面110的周緣之間，例如，第一邊界114和第二邊界116之間。支撐表面110的寬度124能夠為至少300公厘(mm)，特別是為至少1公尺(m)，更特別是為至少3公尺。作為一個範例，支撐表面110的寬度能夠落在300公厘和5公尺之間的範圍內，且更特別是能夠落在400公厘和4.5公尺之間的範圍內。

支撐表面110的中央部分112能夠位於在平行於旋轉軸105的方向中支撐表面110的周緣之間的中央或中點，或者在其附近。作為一個範例，中央部分112能夠位在第一邊界114和第二邊界116之間的中央或中點，或者在其附近。

第一距離120和第二距離122能夠沿著連接旋轉軸105和支撐表面110的一條線來定義或測量。該條線能夠垂直於旋轉軸105。應理解的是，該條線在一些實施方案中，由於支撐表面在平行於旋轉軸105的方向中的曲率，能夠不垂直於支撐表面110。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，第一距離120為第二距離122的至少90%，特別是為第二距離122的至少95%，更特別是為第二距離122的至少99%。第一距離120和第二距離122之間的差異，提供可撓性基板中局部性增加的張力。

在一些實施方案中，塗佈鼓或支撐表面110能夠相對於旋轉軸105具有一直徑。該直徑能夠在垂直於旋轉軸105的一平面中來測量或定義。該直徑沿著至少一部分的旋轉軸105變化，以提供第一距離120和第二距離122。該直徑也能夠稱為「局部性直徑」。局部性直徑能夠為旋轉軸105和支撐表面110之間的(局部性)距離的二倍。作為一個範例，塗佈鼓或支撐表面110的最大直徑能夠為第二距離122的二倍。塗佈鼓或支撐表面110的最小直徑能夠為第一距離120的二倍。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，塗佈鼓在支撐表面110之周緣的直徑或最大直徑為至少300公厘，特別是為至少0.5公尺，更特別是為至少1公尺。特別是，塗佈鼓在支撐表面之周緣的直徑或最大直徑係至少0.5公尺。該直徑或最大直徑能夠落在300公厘和3公尺之間的範圍內，特別是落在400公厘和2公尺之間的範圍內，更特別是落在400公厘和1.8公尺之間的範圍內。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，一直徑差異落在支撐表面110之寬度124的0.005%到5%的範圍內，特別是落在支撐表面110之寬度124的0.01%到2%的範圍內，更特別是落在支撐表面110之寬度124的0.01%到0.5%的範圍內。該直徑差異能夠定義為支撐表面110的最大直徑和最小直徑之間的差異。作為一個範例，直徑差異能夠定義為支撐表面110在支撐表面110之周緣的直徑(例如最大直徑)和支撐表面110在支撐表面110之中央部分112的直徑(例如最小直徑)之間的差異。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，對於每公尺的支撐表面110之寬度，一直徑差異低於5公厘，特別是低於2公厘，更特別是低於1公厘。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，旋轉軸105和支撐表面110之間的距離，例如第一距離120和第二距離122，在垂直於旋轉軸105的一平面中實質上為常數。具體來說，該距離或直徑沿著旋轉軸105改變，且在垂直於旋轉軸105的一平面中並不改變。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，支撐表面110具有一或更多個凹形部分。具體來說，支撐表面110能夠在平行於旋轉軸105且旋轉軸105位於其中的一平面(例如第1圖)中，具有一剖面。支撐表面110之該剖面的外圓周，能夠具有該一或更多個凹形部分。內凹的塗佈鼓(也稱為「內凹的輥」能夠增加在可撓性基板之邊緣的張力。在可撓性基板之邊緣上的熱損壞，能夠減輕或甚至避免。

用詞「凹形」和「內凹」，如本揭露中通篇所使用者，應理解成支撐表面相對於旋轉軸105向內彎曲。作為一個範例，支撐表面110和旋轉軸105之間的距離(或支撐表面110的直徑)，能夠在從支撐表面110的周緣往中央部分112之一方向中，連續性且/或非線性地減少。該距離或支撐表面110的直徑，能夠在從中央部分112往支撐表面110的周緣如第一邊界114和第二邊界116之一方向中，連續性且/或非線性地增加。

在一些實施方案中，如第1圖所繪示，支撐表面110由所述凹形部分組成。換言之，整個支撐表面係內凹形狀。在其他實施方案中，支撐表面110具有二或更多個凹形部分，該二或更多個凹形部分能夠是在平行於旋轉軸105的一方向中相繼配置。

該一或更多個凹形部分能夠提供支撐表面110的周緣和中央部分112中之至少一者。作為一個範例，該一或更多個凹形部分能夠提供支撐表面110的第一邊界114、中央部分112、和第二邊界116。

在一些實施方案中，塗佈鼓包含一冷卻裝置，該冷卻裝置係配置成用以冷卻支撐表面110，例如是在基板處理期間用以冷卻支撐表面110。支撐表面110的冷卻能夠進一步地減輕可撓性基板的熱損壞，例如是在塗佈製程期間進一步地減輕可撓性基板的熱損壞。根據一些實施例，塗佈鼓能夠是雙壁塗佈鼓(double-walled coating drum)。冷卻液體能夠提供在雙壁塗佈鼓的二個壁之間。該二個壁能夠是一內壁和一外壁，其中外壁能夠提供支撐表面110。

第3圖示出根據在此所述之實施例的支撐一可撓性基板10之裝置100的示意圖。塗佈鼓係配置成用以在基板處理如塗佈製程期間於真空處理腔室中支撐可撓性基板10。具體來說，可撓性基板10能夠移動通過一塗佈區，該塗佈區提供在塗佈鼓並對應一或更多個沉積源(未示出)的位置。在操作期間，塗佈鼓繞著旋轉軸105例如順時針或逆時針地旋轉，使得可撓性基板10往前或往後移動。

具有變化之直徑的塗佈鼓，能夠局部性地增加基板中的張力。例如，變化的直徑能夠增加基板往邊緣的張力。可撓性基板之張力的局部性增加，允許減輕或甚至避免可撓性基板的熱損壞。具體來說，增加在基板邊緣的張力，能夠避免基板邊緣變成波浪狀或起皺褶。要注意的是，本揭露並不受限於增加在基板邊緣的張力。塗佈鼓的直徑能夠變化，使得張力在可撓性基板被選擇的位置如熱損壞可能發生處局部性地增加。

第4圖示出根據在此所述之實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板之一裝置400的示意圖。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，支撐表面具有一或更多個線性傾斜部分，該一或更多個線性傾斜部分在平行於旋轉軸105的一方向中線性地傾斜。具體來說，支撐表面能夠在平行於旋轉軸105且旋轉軸105位於其中的一平面(例如第4圖)中，具有一剖面。支撐表面之該剖面的外圓周，能夠具有該一或更多個線性傾斜部分。

在一些實施方案中，該一或更多個線性傾斜部分包含一第一線性傾斜部分410和一第二線性傾斜部分412，其中第一線性傾斜部分410和第二線性傾斜部分412係相對地傾斜。作為一個範例，支撐表面110和旋轉軸105之間的距離，能夠從中央部分414往支撐表面的各個周緣如第一邊界415和第二邊界416線性地增加。具體來說，第一線性傾斜部分410和第二線性傾斜部分412能夠相對於彼此呈鏡像反轉。根據一些實施例，第一線性傾斜部分410和第二線性傾斜部分412一起，能夠形成V形。

根據一些實施例，第一線性傾斜部分410和第二線性傾斜部分412彼此連接，例如是在支撐表面的中央部分414彼此連接。特別是，第一線性傾斜部分410和第二線性傾斜部分412之間的連接部分，能夠提供中央部分414。

在一些實施方案中，第一線性傾斜部分410能夠是一第一截錐，第二線性傾斜部分412能夠是一第二截錐。第一截錐和第二截錐能夠具有實質上相同的形狀。具體來說，第一截錐和第二截錐能夠相對於彼此呈鏡像反轉。

第5圖示出根據在此所述之另外的實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板之一裝置500的示意圖。

根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，支撐表面具有一或更多個直線部分520，該一或更多個直線部分520實質上平行於旋轉軸105。具體來說，旋轉軸105和支撐表面的一或更多個直線部分520之間的距離，能夠沿著(或平行於)旋轉軸105實質上為常數。該距離能夠在垂直於旋轉軸105的方向中來測量。用詞「實質上平行」，是關於例如旋轉軸105和支撐表面的一或更多個直線部分520之一實質上平行的方向，其中從一精確的平行的方向起算，少數幾度的偏差，例如達到5°或甚至是達到10°的偏差，仍視為「實質上平行」。

該一或更多個直線部分520能夠在平行於旋轉軸105的方向中具有一寬度522。該一或更多個直線部分520的寬度522，能夠小於支撐表面之總寬度(在第1圖中以元件符號「124」指示)的25%，小於10%，更特別是小於5%。

在一些實施方案中，該一或更多個直線部分520提供支撐表面的中央部分。作為一個範例，一或更多個直線部分520能夠提供在相對於旋轉軸105具有變化距離的二或更多個部分之間。具體來說，一或更多個直線部分520能夠提供在二或更多個線性傾斜部分如第一線性傾斜部分410和第二線性傾斜部分412之間。

第6圖示出根據在此所述之又另外的實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板之一裝置600的示意圖。裝置600具有以上參照第5圖所述的一或更多個直線部分520。在第6圖的範例中，一或更多個直線部分520提供在二或更多個曲線部分如一第一曲線部分610和一第二曲線部分612之間。一或更多個曲線部分，能夠是非線性部分和凹形部分中之至少一者。

在一些實施方案中，支撐表面的一或更多個曲線部分和旋轉軸105之間的距離，能夠從中央部分(例如由一或更多個直線部分520所提供)往支撐表面的各個周緣如第一邊界615和第二邊界616非線性地增加。具體來說，第一曲線部分610和第二曲線部分612能夠相對於彼此呈鏡像反轉。

第7圖示出根據在此所述之實施例的配置成用於在真空處理腔室中之可撓性基板10上的層沉積的一處理設備700的示意圖，處理設備700例如是連續捲繞式沉積設備。

處理設備700包含根據在此所述之實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板之裝置、以及一或更多個處理工具，該一或更多個處理工具選自於由沉積源和蝕刻工具所組成的群組。該一或更多個處理工具位在相鄰於裝置之塗佈鼓710的位置。塗佈鼓710具有變化的直徑，如虛線711所指示者。

處理設備700能夠包含至少三個腔室部分，例如一第一腔室部分702、一第二腔室部分704、和一第三腔室部分706。第三腔室部分706，或者第二腔室部分704和第三腔室部分706的組合，能夠是配置成作為本揭露的真空處理腔室。該一或更多個處理工具，例如一或更多個沉積源730和一或更多個蝕刻工具732，能夠提供在第三腔室部分706中。

可撓性基板10提供在一第一輥筒764上，第一輥筒764例如具有一捲繞軸。可撓性基板10從第一輥筒764解繞，如由箭頭1所示之基板移動方向所指示。一分隔牆708提供用於第一腔室部分702和第二腔室部分704的分隔。分隔牆708能夠進一步地提供有複數個間隙閘(gap sluice)709，以使可撓性基板10從中通過。第二腔室部分704和第三腔室部分706之間的一真空凸緣705，可提供有複數個開口，以接納該一或更多個處理工具如一或更多個沉積源730和一或更多個蝕刻工具732。

可撓性基板10移動通過複數個沉積區(或塗佈區)，該些沉積區提供在塗佈鼓710並對應一或更多個沉積源730的位置。在操作期間，塗佈鼓710繞著旋轉軸105旋轉，使得可撓性基板10在箭頭1的方向中移動。根據一些實施例，可撓性基板10透過一、二、或更多個輥，從第一輥筒764引導到塗佈鼓710，並從塗佈鼓710引導到第二輥筒765，第二輥筒765例如具有一捲繞軸，在處理可撓性基板10之後，可撓性基板10於該捲繞軸上捲繞。

在一些實施方案中，第一腔室部分702分隔成一插件腔室部分單元701和一基板腔室部分單元703。複數個插件輥筒766和複數個插件輥767，能夠提供做為處理設備700的一組合元件。處理設備700還能夠包含一預加熱單元740，以加熱可撓性基板10。再者，額外地或替代性地，能夠提供一預處理電漿源742，例如一射頻電漿源，以在進入第三腔室部分706之前，以電漿處理可撓性基板10。

根據又另外的能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，能夠選擇性地提供用於評價基板處理之結果的一光學測量單元744、和/或用於調適可撓性基板10上之電荷的一或更多個離子化單元746。

第8圖示出根據在此所述之實施例的用於在塗佈鼓上支撐可撓性基板的一方法800的流程圖。該方法能夠使用根據在此所述之實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板的裝置、和配置成用於可撓性基板上之層沉積的處理設備來實施。

該方法包含，在方塊810中，在一塗佈鼓的一支撐表面上支撐可撓性基板，其中該支撐表面相對於塗佈鼓的一旋轉軸呈對稱，且其中在垂直於旋轉軸的一方向中旋轉軸和支撐表面之間的一距離沿著旋轉軸變化。該方法包含，在方塊820中，在可撓性基板的複數個邊緣部分藉由支撐表面施加一張力。

根據一些實施例，方法800還包含繞著旋轉軸旋轉塗佈鼓，以移動可撓性基板通過提供在真空處理腔室中的一處理區。在一些實施方案中，方法800包含在該處理區中處理可撓性基板。可撓性基板的處理，能夠包含在可撓性基板上沉積材料層和進行蝕刻製程中之至少一者。

根據在此所述之實施例，用於在塗佈鼓上支撐可撓性基板的方法，能夠藉由使用電腦程式、軟體、電腦軟體產品、和相互關聯之控制器來進行，所述相互關聯之控制器能夠具有中央處理器、記憶體、使用者介面、以及和根據本揭露之裝置的對應元件交流的輸入及輸出手段。

根據本揭露，塗佈鼓具有變化的直徑，以局部性地增加基板的張力。作為一個範例，變化的直徑能夠增加基板往基板邊緣的張力。可撓性基板之張力的局部性增加，允許減輕或甚至避免可撓性基板的熱損壞。具體來說，增加在基板邊緣的張力，能夠避免基板邊緣變成波浪狀或起皺褶。

雖然上述內容是關於本揭露的實施例，但可在不背離本揭露的基本範圍的情況下，設計出本揭露其他和更進一步的實施例，本揭露的範圍係由下列的申請專利範圍決定。

1‧‧‧箭頭
10‧‧‧可撓性基板
100‧‧‧裝置
105‧‧‧旋轉軸
110‧‧‧支撐表面
112‧‧‧中央部分
114‧‧‧第一邊界
116‧‧‧第二邊界
120‧‧‧第一距離
122‧‧‧第二距離
124‧‧‧寬度
400‧‧‧裝置
410‧‧‧第一線性傾斜部分
412‧‧‧第二線性傾斜部分
414‧‧‧中央部分
415‧‧‧第一邊界
416‧‧‧第二邊界
500‧‧‧裝置
520‧‧‧直線部分
522‧‧‧寬度
600‧‧‧裝置
610‧‧‧第一曲線部分
612‧‧‧第二曲線部分
615‧‧‧第一邊界
616‧‧‧第二邊界
700‧‧‧處理設備
701‧‧‧插件腔室部分單元
702‧‧‧第一腔室部分
703‧‧‧基板腔室部分單元
704‧‧‧第二腔室部分
705‧‧‧真空凸緣
706‧‧‧第三腔室部分
708‧‧‧分隔牆
709‧‧‧間隙閘
710‧‧‧塗佈鼓
711‧‧‧虛線
730‧‧‧沉積源
732‧‧‧蝕刻工具
740‧‧‧單元
742‧‧‧預處理電漿源
744‧‧‧光學測量單元
746‧‧‧離子化單元
764‧‧‧第一輥子
765‧‧‧第二輥子
766‧‧‧插件輥筒
767‧‧‧插件輥
800‧‧‧方法
810‧‧‧方塊
820‧‧‧方塊

為了能夠理解本揭露上述特徵的細節，可以參照實施例，得到對於簡單總括於上之揭露內容更詳細的敘述。所附圖式是關於本揭露的實施例，並敘述如下： 第1圖示出根據在此所述之實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板之一裝置的剖面示意圖。 第2圖示出第1圖之裝置的另一剖面示意圖。 第3圖示出根據在此所述之實施例的用於支撐可撓性基板之一裝置的示意圖。 第4圖示出根據在此所述之實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板之一裝置的剖面示意圖。 第5圖示出根據在此所述之另外的實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板之一裝置的剖面示意圖。 第6圖示出根據在此所述之又另外的實施例的用於在真空處理腔室中支撐可撓性基板之裝置的剖面示意圖。 第7圖示出根據在此所述之實施例的配置成用於可撓性基板上之層沉積的一處理設備的剖面示意圖。 第8圖示出根據在此所述之實施例的用於在塗佈鼓上支撐可撓性基板的一方法的流程圖。

100‧‧‧裝置

105‧‧‧旋轉軸

110‧‧‧支撐表面

112‧‧‧中央部分

114‧‧‧第一邊界

116‧‧‧第二邊界

120‧‧‧第一距離

122‧‧‧第二距離

124‧‧‧寬度

Claims (20)

1. 一種用於在一真空處理腔室中支撐一可撓性基板的裝置，包括： 一塗佈鼓，能夠繞著一旋轉軸旋轉，其中該塗佈鼓具有一支撐表面，該支撐表面係配置成用於支撐該可撓性基板， 其中該支撐表面相對於該旋轉軸呈對稱，且其中在垂直於該旋轉軸的一方向中該旋轉軸和該支撐表面的一中央部分之間的一第一距離，小於該旋轉軸和該支撐表面的一周緣之間的一第二距離。
2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該第一距離為該第二距離的至少95%。
3. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該塗佈鼓包含一冷卻裝置，該冷卻裝置係配置成用以冷卻該支撐表面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該支撐表面的該周緣包含該支撐表面的一第一邊界和相對於該第一邊界之該支撐表面的一第二邊界。
5. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該支撐表面具有一或更多個凹形部分。
6. 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中該支撐表面由該一或更多個凹形部分組成。
7. 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中該一或更多個凹形部分提供該支撐表面的該周緣和該中央部分中之至少一者。
8. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該一或更多個凹形部分提供該支撐表面的該周緣和該中央部分中之至少一者。
9. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該支撐表面具有一或更多個線性傾斜部分，該一或更多個線性傾斜部分在平行於該旋轉軸的一方向中線性地傾斜。
10. 如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中該一或更多個線性傾斜部分包含一第一線性傾斜部分和一第二線性傾斜部分，其中該第一線性傾斜部分和該第二線性傾斜部分係相對地傾斜。
11. 如申請專利範圍第10項所述之裝置，其中該第一線性傾斜部分和該第二線性傾斜部分在該支撐表面的該中央部分彼此連接。
12. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該支撐表面具有一或更多個直線部分，該一或更多個直線部分平行於該旋轉軸。
13. 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該支撐表面具有一或更多個直線部分，該一或更多個直線部分平行於該旋轉軸。
14. 如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中該支撐表面具有一或更多個直線部分，該一或更多個直線部分平行於該旋轉軸。
15. 如申請專利範圍第12到14項中任一項所述之裝置，其中該一或更多個直線部分中之至少一直線部分提供該支撐表面的該中央部分。
16. 如申請專利範圍第1到14項中任一項所述之裝置，其中該塗佈鼓在該支撐表面的該周緣的一直徑為至少300公厘。
17. 如申請專利範圍第1到14項中任一項所述之裝置，其中該塗佈鼓在該支撐表面的該周緣的一直徑落在300公厘和3公尺之間的範圍內。
18. 一種配置成用於一可撓性基板上之層沉積的處理設備，包括： 一真空處理腔室； 如申請專利範圍第1項所述之裝置，位在該真空處理腔室中；以及 一或更多個處理工具，選自於由沉積源和蝕刻工具所組成的群組，其中該一或更多個處理工具位在相鄰於該裝置之該塗佈鼓的位置。
19. 一種用於在一塗佈鼓上支撐一可撓性基板的方法，包括： 在該塗佈鼓的一支撐表面上支撐該可撓性基板，其中該支撐表面相對於該塗佈鼓的一旋轉軸呈對稱，且其中在垂直於該旋轉軸的一方向中該旋轉軸和該支撐表面之間的一距離沿著該旋轉軸變化；以及 在該可撓性基板的複數個邊緣部分藉由該支撐表面施加一張力。
20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該塗佈鼓在該支撐表面的一周緣的一直徑為至少300公厘。