TW201728607A

TW201728607A - 可分解之共軛聚合物

Info

Publication number: TW201728607A
Application number: TW105138826A
Authority: TW
Inventors: 正南包; 丁磊
Original assignee: 李蘭. 史丹佛學院理事會
Priority date: 2015-11-27
Filing date: 2016-11-25
Publication date: 2017-08-16
Also published as: US10889499B2; CN108602941A; EP3380541B1; KR102539449B1; KR20180088672A; WO2017089952A1; EP3380541A1; TWI723086B; US20180346336A1; CN108602941B

Abstract

本發明描述一種聚合物，其包含至少一個式(1)之單元□(1)其中 T1為碳原子或氮原子，若T1為氮原子，則T2為碳原子，或若T1為碳原子，則T2為氮原子， r為1、2、3或4， s為1、2、3或4， M1較佳選自由以下各者組成之群：□M2較佳為□該等聚合物係藉由使單體(1a)與單體(2a)反應 H2N-[-M1-]r-NH2(1a) OHC-[-M2-]s-CHO(2a) 或使單體(1b)與單體(2b)反應之步驟來製備 OHC-[-M1-]r-CHO(1b) H2N-[-M2-]s-NH2(2b)。

Description

可分解之共軛聚合物

本發明係關於可分解之共軛聚合物、用於自單體製備可分解之共軛聚合物的方法及用於使用可分解之共軛聚合物作為分散劑自半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物分離半導電單壁碳奈米管的方法。

取決於管直徑及纏繞角，單壁碳奈米管(SWNT)顯示出金屬或半導電特性。SWNT之多種應用，諸如有機光伏(OPV)器件及有機場效電晶體(OFET)，特別需要具有極少金屬SWNT雜質之半導電SWNT。不幸的是，所有當前用於SWNT之生長方法，諸如電弧放電或雷射切除，均製造出半導電SWNT及金屬SWNT之混合物。已知若干分離半導電SWNT與金屬SWNT之方法，但其中大多數又不適於大規模技術方法。高效方法依賴於在聚合物存在下分散半導電SWNT與金屬SWNT，隨後離心。 Nish, A.；Hwang, J.-Y.；Doig, J.；Nicholas, R. J. Nat. Nano 2007, 2, 640-646描述作為SWNT之分散劑的包含茀單元之若干聚合物及共聚物。聚(9,9-二辛基茀基-2,7-二基) (PFO)作為分散劑顯示出最高選擇性。 Berton, N.；Lemasson, F.；Tittmann, J.；Stürzl, N.；Hennrich, F.；Kappes, M.M.；Mayor, M. Chem. Mat. 2011, 23, 2237-2249描述作為SWNT之分散劑的包含由萘、蒽及蒽醌間隔基分離之茀或咔唑單元的若干共聚物。 Tange, M.；Okazaki, T.；Iijima, S. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 11908-11911描述作為SWNT之分散劑的聚(9,9-二辛基茀-交替-苯并噻二唑) (F8BT)及聚(9,9-二-正十二烷基茀) (PFD)。詳言之，F8BT選擇性地分離大(＞1.3 nm)直徑SWNT。 Akazaki, K.；Toshimitsu, F.；Ozawa, H.；Fujigaya T.；Nakashima, N. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 12700-12707描述12共聚物(9,9-二辛基茀-2,7-二基)_x ((R)-或(S)-2,2'-二甲氧基-1,1'-聯萘-6,6-二基)_y ，其中x及y為作為SWNT分散劑之共聚物組成比。 Jakubka, F.；Schiessl, S.P.；Martin, S.；Englert, J.M.；Hauke, F.；Hirsch A., Zaumseil, J. ACS Marco Lett. 2012, 1, 815-819描述作為SWNT之分散劑的聚(9,9-二辛基茀)及聚(9,9-二辛基茀-共-苯并噻二唑)。 Mistry, K.S.；Larsen, B.A.；Blackburn, J.L. ACS Nano 2013, 7, 2231-2239描述作為用於雷射汽化具有1.3 nm之平均直徑的SNWT之分散劑的聚[(9,9-二辛基茀基-2,7-二基)-交替-共-(6,6'-(2,2'-聯吡啶))]及聚[(9,9-二己基茀基-2,7-二基)-共-(9,10-蒽)]。 Qian, L.；Xu, W.；Fan, X.；Wang, C.；Zhang, J.；Zhao, J.；Cui, Z. J. Phys. Chem. 2013, C117, 18243-18250描述作為SWNT之分散劑以便選擇性地自商業電弧放電SWNT分離大直徑SWNT的9,9-二辛基茀-共-聯噻吩。 Wang, H.；Mei, J.；Liu, P.；Schmidt, K.；Jimenez-Oses, G.；Osuna, S.；Fang, L.；Tassone, C.T.；Zoombelt, A.P.；Sokolov, A.N.；Houk K.N.；Toney, M.F.；Bao, Z. ACS Nano 2013, 7, 2659-2668描述作為用於自電弧放電之1.1 nm至1.8 nm SWNT分離半導電SWNT之分散劑的聚(二硫富瓦烯-茀-共-間-噻吩)。 Berton, N.；Lemasson, F.；Poschlad, A.；Meded, V.；Tristram F.；Wenzel, W.；Hennrich, F.；Kappes, M.M.；Mayor, M. Small 2014, 10, 360-367描述各自具有2,7-茀單元但隨著吡啶基之連通性而變化的聚(茀-交替-吡啶)共聚物以及作為SWNT之分散劑以選擇性地分離大(＞1 nm且至多1.3 nm)直徑SWNT的聚(咔唑-交替-吡啶)共聚物。在基於離心之分離方法中作為SWNT之分散劑的半導電聚合物特別有用，因為包含該半導電聚合物及該半導電SWNT之該離心方法之產物可直接用於製備有機器件，諸如有機場效電晶體(OFET)。 Lee, H. W.；Yoon, Y.；Park, S.；Oh, J. H.；Hong, S.；Liyanage, L. S.；Wan, H.；Morishita, S.；Patil, N.；Park, Y. J.；Park, J. J.；Spakowitz, A.；Galli, G., Gygi, F.；Wong, P. H.-S.；Tok, J. B.-H.；Kim, J. M.；Bao, Z. Nat. Commun. 2011, 2, 541-548描述區位規則性聚(3-烷基噻吩)，其常在諸如有機場效電晶體(OFET)的有機電子器件中用作半導電材料而作為SWNT之分散劑。描述電晶體包含區位規則性聚(3-烷基噻吩)及半導電SWNT之電晶體。 US 2012/0104328描述包括噻吩環及連接至噻吩環之烴側鏈的聚噻吩衍生物。描述電晶體包含聚噻吩衍生物及半導電SWNT之電晶體。 Smithson, C；Wu, Y.；Wigglesworth, T.；Gardner, S.；Thu, S.；Nie H.-Y. Organic Electronics 2014, 15, 2639-2646描述使用二酮基吡咯并吡咯-四噻吩及未篩選之SWNT之半導體共聚物製造有機薄膜電晶體。已針對增濃s-SWNT集中地研究共軛聚合物，因為其在幾個小時內經由簡單音波處理及離心步驟提取s-SWNT。此外，具有某些分子設計之共軛聚合物可選擇性地提取特定對掌性(n ， m )的半導電SWNT。儘管共軛聚合物包裹提供用於s-SWNT分離之快速、低成本及可調式方法，但此方法具有兩個主要缺點：(1)經純化s-SWNT在其表面上保留許多共軛聚合物。由於緊密的聚合物包裹及較強的聚合物/SWNT相互作用，移除共軛聚合物係困難的。(2)通常，類似量之共軛聚合物係用於SWNT分離。然而，共軛聚合物之價格為類似的且甚至高於SWNT之價格，例如，聚(9,9-二-正十二烷基氟基-2,7-二基) (PFDD) (廣泛使用以供SWNT篩選之聚合物)為$364.50/500 mg；然而具有30%純度之電漿SWNT為$10/g，且具有~30%純度的電弧放電SWNT為$35/g。因此，共軛聚合物導致關於此方法的大量成本。為解決此等問題，已研發出三個策略：(1)使用構形可變聚合物剝離SWNT；(2)採用非共價連接超分子聚合物，其可使用過量酸分解成較小單元；(3)非不可逆的將聚合物分解成較小單元。策略(1)需要用於聚合物結構的特定設計且尚未展現出用於s-SWNT之良好選擇性。在策略(2)中，超分子聚合物通常需要昂貴且複雜的非共價結合部分，且其通常針對不同濃度原位形成具有可變分子量之聚合物。此外，此策略亦需要過量酸以分解聚合物，且該酸可充當SWNT之摻雜劑。策略(3)為破壞性的且經分解單體不可再循環。因此，用於SWNT篩選之理想的共軛聚合物應為低成本的、可移除的、可再循環的、高選擇性的且對SWNT損害較小。然而，滿足所有此等準則具有挑戰性。

本發明之目標為提供適合作為用於自半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物分離半導電單壁碳奈米管之分散劑的可分解之共軛聚合物。特定言之，可分解聚合物應易於合成且應非不可逆地可分解成較小單元。此目標係藉由包含至少一個式(1)之單元的聚合物解決： (1) 其中 T¹ 為碳原子或氮原子，若T¹ 為氮原子，則T² 為碳原子，或若T¹ 為碳原子，則T² 為氮原子， r為1、2、3或4， s為1、2、3或4， M¹ 及M² 彼此獨立地為選自由以下各者組成之群：、，其中，在M¹ 及M² 中， b及c彼此獨立地為1、2、3、4、5或6， a及d彼此獨立地為0、1、2、3或4， n及m彼此獨立地為0、1、2、3或4， A選自由以下各者組成之群：及 B選自由以下各者組成之群：其中 X在每次出現時為O、S、Se或NR¹ ， M¹ 或M² 可經一至四個取代基R² 取代， L¹ 及L² 彼此獨立地且在每次出現時選自由C₆ _- ₁₈ 伸芳基、5員至20員伸雜芳基、組成之群，其中 C₆ _- ₁₈ 伸芳基及5員至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R³ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、OR³¹ 、OC(O)-R³¹ 、C(O)-OR³¹ 、C(O)-R³¹ 、NR³¹ R³² 、NR³¹ -C(O)R³² 、C(O)-NR³¹ R³² 、N[C(O)R³¹ ][C(O)R³² ]、SR³¹ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及OH，及其中可經一個或兩個取代基R⁴ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、C(O)-R⁴¹ 、C(O)-NR⁴¹ R⁴² 、C(O)-OR⁴¹ 及CN，其中 R³¹ 、R³² 、R⁴¹ 及R⁴² 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及其中 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NRⁱ 或NRⁱ -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ，其中 R^Siv 、R^Siw 、R^Six 彼此獨立地為選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ， Rⁱ 及R^j 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基，其中 C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^k 及R^l 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群， L³ 及L⁴ 彼此獨立地且在每次出現時選自由C₆ _- ₁₈ 伸芳基及5員至20員伸雜芳基組成之群其中 C₆ _- ₁₈ 伸芳基及5員至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R⁹ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、OR⁹¹ 、OC(O)-R⁹¹ 、C(O)-OR⁹¹ 、C(O)-R⁹¹ 、NR⁹¹ R⁹² 、NR⁹¹ -C(O)R⁹² 、C(O)-NR⁹¹ R⁹² 、N[C(O)R⁹¹ ][C(O)R⁹² ]、SR⁹¹ 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及OH，及其中 R⁹¹ 及R⁹² 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及其中 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NRⁿ R^m 、N[C(O)Rⁿ ][C(O)R^m ]、SRⁿ 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NR^m Rⁿ 、N[C(O)R^m ][C(O)Rⁿ ]、SR^m 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^m 或NR^m -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NR^m Rⁿ 、N[C(O)R^m ][C(O)Rⁿ ]、SR^m 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ， R^Siy 、R^Siz 、R^Siaa 彼此獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ，其中 R^m 及Rⁿ 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ _- 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^o 及R^p 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群， R¹ 在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基、C₂ _- ₁₀₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基、5員至20員雜芳基、C(O)-C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C(O)-C₅ _- ₁₂ 環烷基及C(O)-OC₁ _- ₁₀₀ 烷基，其中 C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基可經一至四十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a R^b 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、N[C(O)R^a ][C(O)R^b ]、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素、CN及NO₂ ；且C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a R^b 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、N[C(O)R^a ][C(O)R^b ]、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素、CN及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^a 或NR^a -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ _- 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a R^b 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、N[C(O)R^a ][C(O)R^b ]、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素、CN及NO₂ ，其中 R^a 及R^b 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， R^Sia 、R^Sib 及R^Sic 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、O-C₁ _- ₆₀ 烷基、O-C₂ _- ₆₀ 烯基、O-C₂ _- ₆₀ 炔基、O-C₅ _- ₈ 環烷基、O-C₆ _- ₁₄ 芳基、O-5員至14員雜芳基、-[O-SiR^Sid R^Sie ]_o -R^Sif 、NR⁵ R⁶ 、鹵素及O-C(O)-R⁵ ，其中 o為1至50之整數， R^Sid 、R^Sie 、R^Sif 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、O-C₁ _- ₆₀ 烷基、O-C₂ _- ₆₀ 烯基、O-C₂ _- ₆₀ 炔基、O-C₅ _- ₈ 環烷基、O-C₆ _- ₁₄ 芳基、O-5員至14員雜芳基、-[O-SiR^Sig R^Sih ]_p -R^Sii 、NR⁵⁰ R⁶⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁵⁰ ；其中 p為1至50之整數， R^Sig 、R^Sih 、R^Sii 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、O-C₁ _- ₃₀ 烷基、O-C₂ _- ₃₀ 烯基、O-C₂ _- ₃₀ 炔基、O-C₅ _- ₆ 環烷基、O-C₆ _- ₁₀ 芳基、O-5員至10員雜芳基、O-Si(CH₃ )₃ 、NR⁵⁰⁰ R⁶⁰⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁵⁰⁰ ， R⁵ 、R⁶ 、R⁵⁰ 、R⁶⁰ 、R⁵⁰⁰ 及R⁶⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₆₀ 炔基可經一至二十個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c R^d 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、N[C(O)R^c ][C(O)R^d ]、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素、CN及NO₂ ；且C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₆₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c R^d 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、N[C(O)R^c ][C(O)R^d ]、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素、CN及NO₂ ；且C₅ _- ₈ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^c 或NR^c -CO置換， C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c R^d 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、N[C(O)R^c ][C(O)R^d ]、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^c 及R^d 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基， R^Sij 、R^Sik 及R^Sil 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、O-C₁ _- ₃₀ 烷基、O-C₂ _- ₃₀ 烯基、O-C₂ _- ₃₀ 炔基、O-C₅ _- ₆ 環烷基、O-C₆ _- ₁₀ 芳基、O-5員至10員雜芳基、-[O-SiR^Sim R^Sin ]_q -R^Sio 、NR⁷ R⁸ 、鹵素及O-C(O)-R⁷ ，其中 q為1至50之整數， R^Sim 、R^Sin 、R^Sio 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、O-C₁ _- ₃₀ 烷基、O-C₂ _- ₃₀ 烯基、O-C₂ _- ₃₀ 炔基、O-C₅ _- ₆ 環烷基、O-C₆ _- ₁₀ 芳基、O-5員至10員雜芳基、-[O-SiR^Sip R^Siq ]_r -R^Sir 、NR⁷⁰ R⁸⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁷⁰ ；其中 r為1至50之整數， R^Sip 、R^Siq 、R^Sir 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C_1-30 烷基、C_2-30 烯基、C_2-30 炔基、C_5-6 環烷基、C_6-10 芳基、5員至10員雜芳基、O-C_1- ₃₀ 烷基、O-C_2-30 烯基、O-C_2-30 炔基、O-C_5-6 環烷基、O-C_6-10 芳基、O-5員至10員雜芳基、O-Si(CH₃ )₃ 、NR⁷⁰⁰ R⁸⁰⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁷⁰⁰ ， R⁷ 、R⁸ 、R⁷⁰ 、R⁸⁰ 、R⁷⁰⁰ 及R⁸⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基及5員至10員雜芳基， C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群， R² 在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基、5員至20員雜芳基、OR²¹ 、OC(O)-R²¹ 、C(O)-OR²¹ 、C(O)-R²¹ 、NR²¹ R²² 、NR²¹ -C(O)R²² 、C(O)-NR²¹ R²² 、N[C(O)R²¹ ][C(O)R²² ]、SR²¹ 、鹵素、CN、SiR^Sis R^Sit R^Siu 及OH，其中 R²¹ 及R²² 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^e 、OC(O)-R^e 、C(O)-OR^e 、C(O)-R^e 、NR^e R^f 、NR^e -C(O)R^f 、C(O)-NR^e R^f 、N[C(O)R^e ][C(O)R^f ]、SR^e 、鹵素、CN、SiR^Sis R^Sit R^Siu 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^e 、OC(O)-R^e 、C(O)-OR^e 、C(O)-R^e 、NR^e R^f 、NR^e -C(O)R^f 、C(O)-NR^e R^f 、N[C(O)R^e ][C(O)R^f ]、SR^e 、鹵素、CN、SiR^Sis R^Sit R^Siu 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^e 或NR^e -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^e 、OC(O)-R^e 、C(O)-OR^e 、C(O)-R^e 、NR^e R^f 、NR^e -C(O)R^f 、C(O)-NR^e R^f 、N[C(O)R^e ][C(O)R^f ]、SR^e 、鹵素、CN、SiR^Sis R^Sit R^Siu 及NO₂ ， R^Sis 、R^Sit 及R^Siu 彼此獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ，其中 R^e 及R^f 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^g 、OC(O)-R^g 、C(O)-OR^g 、C(O)-R^g 、NR^g R^h 、NR^g -C(O)R^h 、C(O)-NR^g R^h 、N[C(O)R^g ][C(O)R^h ]、SR^g 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^g 、OC(O)-R^g 、C(O)-OR^g 、C(O)-R^g 、NR^g R^h 、NR^g -C(O)R^h 、C(O)-NR^g R^h 、N[C(O)R^g ][C(O)R^h ]、SR^g 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^g 、OC(O)-R^g 、C(O)-OR^g 、C(O)-R^g 、NR^g R^h 、NR^g -C(O)R^h 、C(O)-NR^g R^h 、N[C(O)R^g ][C(O)R^h ]、SR^g 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^g 及R^h 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群。 R¹⁰² 、R¹⁰³ 、R¹⁰⁴ 及R¹⁰⁵ 獨立地為且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基，其中 C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^s 、OC(O)-R^t 、C(O)-OR^s 、C(O)-R^s 、NR^s R^t 、NR^s -C(O)R^t 、C(O)-NR^s R^t 、N[C(O)R^s ][C(O)R^t ]、SR^s 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^s 、OC(O)-R^t 、C(O)-OR^s 、C(O)-R^s 、NR^s R^t 、NR^s -C(O)R^t 、C(O)-NR^s R^t 、N[C(O)R^s ][C(O)R^t ]、SR^s 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^s 、OC(O)-R^t 、C(O)-OR^s 、C(O)-R^s 、NR^s R^t 、NR^s -C(O)R^t 、C(O)-NR^s R^t 、N[C(O)R^s ][C(O)R^t ]、SR^s 、鹵素、CN及NO₂ ； 5員至12員環系統可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^s 、OC(O)-R^t 、C(O)-OR^s 、C(O)-R^s 、NR^s R^t 、NR^s -C(O)R^t 、C(O)-NR^s R^t 、N[C(O)R^s ][C(O)R^t ]、SR^s 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^s 及R^t 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群。聚亞胺(亦稱為聚亞甲胺或希夫鹼聚合物)為由基幹中之亞胺鍵(C=N)建構之共軛聚合物之一族且已經用於若干光電子應用並合成共價有機構架。共軛芳基亞胺鍵為環境上穩定的，然而其在酸之催化下為可逆的。根據本發明，在沒有聚合物污染及低得多的聚合物成本之情況下，採取設計用於分離較大直徑之半導電SWNT的可分解共軛聚合物亞胺鍵之優點。與較小直徑之s-SWCNT相比較，由於電子器件更小的肖特基障壁(Schottky barrier)及更高的電流密度，較大直徑之s-SWCNT對於電子器件為更加所需的。兩個亞胺聚合物展現用於較大直徑之s-SWNT的較高選擇性(＞99%)。在分離之後，可藉由催化量之酸將包裹聚合物分解成小分子並接著再循環，因此顯示用於分離較高純度之「純淨」s-SWNT之一種新穎的低成本方法。因此，本發明之聚合物可由含有r M¹ 單元之二胺及含有s M² 單元之二醛來製備，或由含有r單元M² 單元之二胺及含有s M² 單元之二醛來製備。 M¹ 較佳地選自由由以下各者組成之群：M¹ 更佳地選自由由以下各者組成之群：M¹ 甚至更佳地選自由由以下各者組成之群：M¹ 最佳地選自由由以下各者組成之群：M² 選自由由以下各者組成之群： M² 較佳地選自由由以下各者組成之群： M² 更佳地選自由由以下各者組成之群：M² 最佳為用於C₆ _- ₁₄ 亞芳基之實例為用於5員至14員雜芳基之實例為鹵素可為F、Cl、Br及I。 C₁ _- ₄ 烷基、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₁ _- ₃₆ 烷基、C₁ _- ₅₀ 烷基、C₁ _- ₆₀ 烷基及C₁ _- ₁₀₀ 烷基可為分支或未分支的。C₁ _- ₄ 烷基之實例為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基及第三丁基。C₁ _- ₁₀ 烷基之之實例為C₁ _- ₄ 烷基、正戊基、新戊基、異戊基、正-(1-乙基)丙基、正己基、正庚基、正辛基、正-(2-乙基)己基、正壬基及正癸基。C₁ _- ₂₀ 烷基之實例為C₁ _- ₁₀ 烷基及正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基及正二十烷基(C₂₀ )。C₁ _- ₃₀ 烷基、C₁ _- ₃₆ 烷基、C₁ _- ₅₀ 烷基、C₁ _- ₆₀ 烷基及C₁ _- ₁₀₀ 烷基之實例為C₁ _- ₂₀ 烷基及正二十二烷基(C₂₂ )、正二十四烷基(C₂₄ )、正二十六烷基(C₂₆ )、正二十八烷基(C₂₈ )及正三十烷基(C₃₀ )。 C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 烯基可為分支或未分支的。C₂ _- ₁₀ 烯基之之實例為乙烯基、丙烯基、順-2-丁烯基、反-2-丁烯基、3-丁烯基、順-2-戊烯基、反-2-戊烯基、順-3-戊烯基、反-3-戊烯基、4-戊烯基、2-甲基-3-丁烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基及十二烷基C₂ _- ₂₀ 烯基之實例為C₂ _- ₁₀ 烯基及亞油烯基(C₁₈ )、次亞油烯基(C₁₈ )、油烯基(C₁₈ )及二十碳四烯基(C₂₀ )。C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 烯基之實例為C₂ _- ₂₀ 烯基及二十二碳烯基(C₂₂ )。 C₂ _- ₁₀ 炔基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₂ _- ₆₀ 炔基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基可為分支或未分支的。C₂ _- ₁₀ 炔基之實例為乙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、壬炔基及癸炔基。C₂ _- ₂₀ 炔基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基之實例為C₂ _- ₁₀ 炔基及十一炔基、十二炔基、十一炔基、十二炔基、十三炔基、十四炔基、十五炔基、十六炔基、十七炔基、十八炔基、十九炔基及二十炔基(C₂₀ )。 C₅ _- ₆ 環烷基之實例為環戊基及環己基。C₅ _- ₈ 環烷基之實例為C₅ _- ₆ 環烷基及環庚基及環辛基。C₅ _- ₁₂ 環烷基為C₅ _- ₈ 環烷基及環壬基、環癸基、環十一烷基及環十二基。 C₆ _- ₁₀ 芳基之實例為苯基、。 C₆ _- ₁₄ 芳基之實例為C₆ _- ₁₀ 芳基及。 C₆ _- ₁₈ 芳基之實例為C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至10員雜芳基為5員至10員單環或多環，諸如雙環、三環或四環之環系統，其包含至少一個雜芳族環且其亦可包含非芳族環，其可經=O取代。 5員至14員雜芳基為5員至14員單環或多環，諸如雙環、三環或四環之環系統，其包含至少一個雜芳族環且其亦可包含非芳族環，其可經=O取代。 5員至20員雜芳基為5員至20員單環或多環，諸如雙環、三環或四環之環系統，其包含至少一個雜芳族環且其亦可包含非芳族環，其可經=O取代。 5員至10員雜芳基之實例為； 5員至14員雜芳基之實例為關於5員至10員雜芳基所給之實例及； 5員至20員雜芳基之實例為關於5員至14員雜芳基所給之實例及、其中 R¹⁰⁰ 及R¹⁰¹ 獨立地為且在每次出現時係選以下各者自由組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基，或若與其所附接之原子一起附接至相同原子，則R¹⁰⁰ 及R¹⁰¹ 形成5員至12員環系統，其中 C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^q 、OC(O)-R^q 、C(O)-OR^q 、C(O)-R^q 、NR^q R^r 、NR^q -C(O)R^r 、C(O)-NR^q R^r 、N[C(O)R^q ][C(O)R^r ]、SR^q 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^q 、OC(O)-R^q 、C(O)-OR^q 、C(O)-R^q 、NR^q R^r 、NR^q -C(O)R^r 、C(O)-NR^q R^r 、N[C(O)R^q ][C(O)R^r ]、SR^q 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^q 、OC(O)-R^q 、C(O)-OR^q 、C(O)-R^q 、NR^q R^r 、NR^q -C(O)R^r 、C(O)-NR^q R^r 、N[C(O)R^q ][C(O)R^r ]、SR^q 、鹵素、CN及NO₂ ； 5員至12員環系統可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^q 、OC(O)-R^q 、C(O)-OR^q 、C(O)-R^q 、NR^q R^r 、NR^q -C(O)R^r 、C(O)-NR^q R^r 、N[C(O)R^q ][C(O)R^r ]、SR^q 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^q 及R^r 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群。較佳地，b及c彼此獨立地為1、2、3或4。更佳地，b及c彼此獨立地為1、2或3。較佳地，a及d彼此獨立地為0、1、2或3。更佳地，a及d彼此獨立地為0、1或2。甚至更佳地，a及d彼此獨立地為0或1。最佳地，a及d為0。較佳地，n為0、1或2，且m為0、1或2。更佳地，n為0或1，且m為0、1或2。最佳地，n為0，且m為0、1或2。較佳地，R¹ 在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基、C₂ _- ₁₀₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，其中 C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基可經一至四十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素及CN；且C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素及CN；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^a 或NR^a -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素及CN，其中 R^a 及R^b 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， R^Sia 、R^Sib 及R^Sic 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、O-C₁ _- ₆₀ 烷基、O-C₂ _- ₆₀ 烯基、O-C₂ _- ₆₀ 炔基、O-C₅ _- ₈ 環烷基、-[O-SiR^Sid R^Sie ]_o -R^Sif ，其中 o為1至50之整數， R^Sid 、R^Sie 及R^Sif 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、-[O-SiR^Sig R^Sih ]_p -R^Sii ，其中 p為1至50之整數， R^Sig 、R^Sih 及R^Sii 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、O-Si(CH₃ )₃ ， R⁵ 、R⁶ 、R⁵⁰ 、R⁶⁰ 、R⁵⁰⁰ 及R⁶⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₆₀ 炔基可經一至二十個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素及CN；且C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₆₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素及CN；且C₅ _- ₈ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^c 或NR^c -CO置換， C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素及CN；其中 R^c 及R^d 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基， R^Sij 、R^Sik 及R^Sil 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、-[O-SiR^Sim R^Sin ]_q -R^Sio ，其中 q為1至50之整數， R^Sim 、R^Sin 、R^Sio 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、O-C₁ _- ₃₀ 烷基、O-C₂ _- ₃₀ 烯基、O-C₂ _- ₃₀ 炔基、O-C₅ _- ₆ 環烷基、O-C₆ _- ₁₀ 芳基、O-5員至10員雜芳基、-[O-SiR^Sip R^Siq ]_r -R^Sir 、NR⁷⁰ R⁸⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁷⁰ ；其中 r為1至50之整數， R^Sip 、R^Siq 、R^Sir 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、O-C₁ _- ₃₀ 烷基、O-C₂ _- ₃₀ 烯基、O-C₂ _- ₃₀ 炔基、O-C₅ _- ₆ 環烷基、O-C₆ _- ₁₀ 芳基、O-5員至10員雜芳基、O-Si(CH₃ )₃ 、NR⁷⁰⁰ R⁸⁰⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁷⁰⁰ ， R⁷ 、R⁸ 、R⁷⁰ 、R⁸⁰ 、R⁷⁰⁰ 及R⁸⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基及5員至10員雜芳基， C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素及CN組成之群。更佳地，R¹ 在每次出現時選自由C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基組成之群，其中 C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基可經一至四十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素及CN；且C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換，其中 R^a 及R^b 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， R^Sia 、R^Sib 及R^Sic 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、-[O-SiR^Sid R^Sie ]_o -R^Sif ，其中 o為1至50之整數， R^Sid 、R^Sie 及R^Sif 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、-[O-SiR^Sig R^Sih ]_p -R^Sii ，其中 p為1至50之整數， R^Sig 、R^Sih 及R^Sii 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、O-Si(CH₃ )₃ ， R⁵ 、R⁶ 、R⁵⁰ 、R⁶⁰ 、R⁵⁰⁰ 及R⁶⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₆₀ 炔基可經一至二十個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素及CN；且C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₆₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素及CN；且C₅ _- ₈ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^c 或NR^c -CO置換， C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素及CN；其中 R^c 及R^d 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基， R^Sij 、R^Sik 及R^Sil 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、-[O-SiR^Sim R^Sin ]_q -R^Sio ，其中 q為1至50之整數， R^Sim 、R^Sin 及R^Sio 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、-[O-SiR^Sip R^Siq ]_r -R^Sir ，其中 r為1至50之整數， R^Sip 、R^Siq ^、 R^Sir 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、O-Si(CH₃ )₃ ， R⁷ 、R⁸ 、R⁷⁰ 、R⁸⁰ 、R⁷⁰⁰ 及R⁸⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基及5員至10員雜芳基， C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素及CN組成之群。甚至更佳地，R¹ 在每次出現時選自由C₁ _- ₅₀ 烷基、C₂ _- ₅₀ 烯基及C₂ _- ₅₀ 炔基組成之群，其中 C₁ _- ₅₀ 烷基、C₂ _- ₅₀ 烯基及C₂ _- ₅₀ 炔基可經一至二十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^a 、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素及CN；且C₁ _- ₅₀ 烷基、C₂ _- ₅₀ 烯基及C₂ _- ₅₀ 炔基至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換，其中 R^a 及R^b 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基及C₆ _- ₁₀ 芳基， R^Sia 、R^Sib 及R^Sic 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、-[O-SiR^Sid R^Sie ]_o -R^Sif ，其中 o為1至50之整數， R^Sid 、R^Sie 及R^Sif 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、-[O-SiR^Sig R^Sih ]_p -R^Sii ，其中 p為1至50之整數， R^Sig 、R^Sih 及R^Sii 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、O-Si(CH₃ )₃ ， R⁵ 、R⁶ 、R⁵⁰ 、R⁶⁰ 、R⁵⁰⁰ 及R⁶⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基及5員至10員雜芳基， C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素及CN組成之群。最佳地，R¹ 在每次出現時選自由C₁ _- ₃₆ 烷基、C₂ _- ₃₆ 烯基及C₂ _- ₃₆ 炔基組成之群，其中 C₁ _- ₃₆ 烷基、C₂ _- ₃₆ 烯基及C₂ _- ₃₆ 炔基可經一至二十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^a 、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素及CN；且C₁ _- ₃₆ 烷基、C₂ _- ₃₆ 烯基及C₂ _- ₃₆ 炔基至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換，其中 R^a 及R^b 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基及C₆ _- ₁₀ 芳基 R^Sia 、R^Sib 及R^Sic 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、-[O-SiR^Sid R^Sie ]_o -R^Sif ，其中 o為1至50之整數， R^Sid 、R^Sie 及R^Sif 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、-[O-SiR^Sig R^Sih ]_p -R^Sii ，其中 p為1至50之整數， R^Sig 、R^Sih 及R^Sii 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、O-Si(CH₃ )₃ ， R⁵ 、R⁶ 、R⁵⁰ 、R⁶⁰ 、R⁵⁰⁰ 及R⁶⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基及5員至10員雜芳基， C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素及CN組成之群。特定言之，R¹ 在每次出現時為未經取代之C₁ _- ₃₆ 烷基。較佳地，L¹ 及L² 彼此獨立地為且在每次出現時選自由C₆ _- ₁₈ 伸芳基、5員至20員亞伸雜芳基及組成之群，其中 C₆ _- ₁₈ 伸芳基及5員至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R³ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、OR³¹ 、OC(O)-R³¹ 、C(O)-OR³¹ 、C(O)-R³¹ 、NR³¹ R³² 、NR³¹ -C(O)R³² 、C(O)-NR³¹ R³² 、SR³¹ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及OH，及其中可經一個或兩個取代基R⁴ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、C(O)-R⁴¹ 、C(O)-NR⁴¹ R⁴² 、C(O)-OR⁴¹ 及CN，其中 R³¹ 、R³² 、R⁴¹ 及R⁴² 彼此獨立地為且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及其中 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NRⁱ 或NRⁱ -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ，其中 R^Siv 、R^Siw 、R^Six 彼此獨立地為選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ， Rⁱ 及R^j 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基，其中 C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^k 及R^l 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群。更佳地，L¹ 及L² 彼此獨立地為且在每次出現時選自由5員至20員伸雜芳基及組成之群，其中 5至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R³ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ _- 芳基及5員至20員雜芳基、OR³¹ 、OC(O)-R³¹ 、C(O)-OR³¹ 、C(O)-R³¹ 、NR³¹ R³² 、NR³¹ -C(O)R³² 、C(O)-NR³¹ R³² 、SR³¹ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及OH，及其中可經一個或兩個取代基R⁴ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、C(O)-R⁴¹ 、C(O)-NR⁴¹ R⁴² 、C(O)-OR⁴¹ 及CN，其中 R³¹ 、R³² 、R⁴¹ 及R⁴² 彼此獨立地為且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及其中 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NRⁱ 或NRⁱ -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ，其中 R^Siv 、R^Siw 、R^Six 彼此獨立地為選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ， Rⁱ 及R^j 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基，其中 C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^k 及R^l 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群。甚至更佳地，L¹ 及L² 彼此獨立地為且在每次出現時選自由5員至20員伸雜芳基及組成之群，其中5員至20員伸雜芳基係選自由以下各者組成之群：其中 R¹⁰⁴ 及R¹⁰⁵ 獨立地且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基，或若與其所附接之原子一起附接至相同原子，則R¹⁰⁴ 及R¹⁰⁵ 形成5員至12員環系統，其中 C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^u 、OC(O)-R^u 、C(O)-OR^u 、C(O)-R^u 、NR^u R^v 、NR^u -C(O)R^v 、C(O)-NR^u R^v 、N[C(O)R^u ][C(O)R^v ]、SR^u 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^u 、OC(O)-R^u 、C(O)-OR^u 、C(O)-R^u 、NR^u R^v 、NR^u -C(O)R^v 、C(O)-NR^u R^v 、N[C(O)R^u ][C(O)R^v ]、SR^u 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^u 、OC(O)-R^u 、C(O)-OR^u 、C(O)-R^u 、NR^u R^v 、NR^u -C(O)R^v 、C(O)-NR^u R^v 、N[C(O)R^u ][C(O)R^v ]、SR^u 、鹵素、CN及NO₂ ； 5員至12員環系統可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^u 、OC(O)-R^u 、C(O)-OR^u 、C(O)-R^u 、NR^u R^v 、NR^u -C(O)R^v 、C(O)-NR^u R^v 、N[C(O)R^u ][C(O)R^v ]、SR^u 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^u 及R^v 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群，其中 5員至20員伸雜芳基可經一至四個取代基R³ 取代，該等取代基R³ 在每次出現時選自由C₁ _- ₃₀ 烷基及鹵素組成之群，及其中可經一個或兩個取代基R⁴ 取代，該等取代基R⁴ 在每次出現時選自由C₁ _- ₃₀ 烷基、C(O)-R⁴¹ 、C(O)-OR⁴¹ 及CN組成之群，其中 R⁴¹ 在每次出現時為C₁ _- ₃₀ 烷基。甚至更佳地，L¹ 及L² 彼此獨立地且在每次出現時選自由5員至20員伸雜芳基及組成之群，其中5員至20員伸雜芳基係選自由以下各者組成之群：其中 R¹⁰⁴ 及R¹⁰⁵ 獨立地且在每次出現時選自由H及C₁ _- ₂₀ 烷基組成之群，其中 5員至20員伸雜芳基可經一至四個取代基R³ 取代，該等取代基R³ 在每次出現時選自由C₁ _- ₃₀ 烷基及鹵素組成之群，及其中為未經取代的。最佳地，L¹ 及L² 彼此獨立地且在每次出現時選自由5至20員伸雜芳基及組成之群，其中5員至20員伸雜芳基為其中 5員至20員伸雜芳基為未經取代的，及其中為未經取代的。特定言之，L¹ 及L² 彼此獨立地且在每次出現時為5員至20員伸雜芳基，其中5員至20員伸雜芳基為其中 5員至20員伸雜芳基為未經取代的。較佳地，L³ 及L⁴ 彼此獨立地且在每次出現時選自由C₆ _- ₁₈ 伸芳基及5員至20員伸雜芳基組成之群其中 C₆ _- ₁₈ 伸芳基及5員至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R⁹ 取代，該等取代基R⁹ 在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、OR⁹¹ 、OC(O)-R⁹¹ 、C(O)-OR⁹¹ 、C(O)-R⁹¹ 、NR⁹¹ R⁹² 、NR⁹¹ -C(O)R⁹² 、C(O)-NR⁹¹ R⁹² 、SR⁹¹ 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及OH，及其中 R⁹¹ 及R⁹² 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及其中 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NRⁿ R^m 、N[C(O)Rⁿ ][C(O)R^m ]、SRⁿ 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一個至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NR^m Rⁿ 、N[C(O)R^m ][C(O)Rⁿ ]、SR^m 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^m 或NR^m -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NR^m Rⁿ 、N[C(O)R^m ][C(O)Rⁿ ]、SR^m 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ， R^Siy 、R^Siz 、R^Siaa 彼此獨立地為選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ，其中 R^m 及Rⁿ 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ _- 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^o 及R^p 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群。更佳地，L³ 及L⁴ 彼此獨立地為且在每次出現時為5員至20員伸雜芳基其中 5員至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R⁹ 取代，該等取代基R⁹ 在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、OR⁹¹ 、OC(O)-R⁹¹ 、C(O)-OR⁹¹ 、C(O)-R⁹¹ 、NR⁹¹ R⁹² 、NR⁹¹ -C(O)R⁹² 、C(O)-NR⁹¹ R⁹² 、SR⁹¹ 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及OH，及其中 R⁹¹ 及R⁹² 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NRⁿ R^m 、N[C(O)Rⁿ ][C(O)R^m ]、SRⁿ 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一個至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NR^m Rⁿ 、N[C(O)R^m ][C(O)Rⁿ ]、SR^m 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^m 或NR^m -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NR^m Rⁿ 、N[C(O)R^m ][C(O)Rⁿ ]、SR^m 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ， R^Siy 、R^Siz 、R^Siaa 彼此獨立地為選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ，其中 R^m 及Rⁿ 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ _- 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^o 及R^p 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群。甚至更佳地，L³ 及L⁴ 彼此獨立地為且在每次出現時為5員至20員伸雜芳基，其中5員至20員伸雜芳基係選自由以下各者組成之群：其中 R¹⁰⁴ 及R¹⁰⁵ 獨立地為且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基，或若與其所附接之原子一起附接至相同原子，則R¹⁰⁴ 及R¹⁰⁵ 形成5員至12員環系統，其中 C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^u 、OC(O)-R^u 、C(O)-OR^u 、C(O)-R^u 、NR^u R^v 、NR^u -C(O)R^v 、C(O)-NR^u R^v 、N[C(O)R^u ][C(O)R^v ]、SR^u 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^u 、OC(O)-R^u 、C(O)-OR^u 、C(O)-R^u 、NR^u R^v 、NR^u -C(O)R^v 、C(O)-NR^u R^v 、N[C(O)R^u ][C(O)R^v ]、SR^u 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^u 、OC(O)-R^u 、C(O)-OR^u 、C(O)-R^u 、NR^u R^v 、NR^u -C(O)R^v 、C(O)-NR^u R^v 、N[C(O)R^u ][C(O)R^v ]、SR^u 、鹵素、CN及NO₂ ； 5員至12員環系統可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^u 、OC(O)-R^u 、C(O)-OR^u 、C(O)-R^u 、NR^u R^v 、NR^u -C(O)R^v 、C(O)-NR^u R^v 、N[C(O)R^u ][C(O)R^v ]、SR^u 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^u 及R^v 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群，其中 5員至20員伸雜芳基可經一至三個取代基R⁹ 取代，該等取代基在每次出現時選自由C₁ _- ₃₀ 烷基及鹵素組成之群。最佳地，L³ 及L⁴ 彼此獨立地且在每次出現時為5員至20員伸雜芳基，其中5員至20員伸雜芳基係選自由以下各者組成之群：其中 5員至20員伸雜芳基可經一個取代基R⁹ 取代，該取代基R⁹ 在每次出現時選自由C₁ _- ₃₀ 烷基及鹵素組成之群。特定言之，L³ 及L⁴ 彼此獨立地為且在每次出現時為5員至20員伸雜芳基，其中5員至20員伸雜芳基為其中 5員至20員伸雜芳基為未經取代的。較佳地，A係選自由以下各者組成之群：其中 X在每次出現時為O、S或NR¹ ，及 A1、A2、A3及A4可經一至三個取代基R² 取代。更佳地，A為其中 X在每次出現時為S或NR¹ ，及 A1及A4可經一至三個取代基R² 取代。最佳地，A為其中 A4為未經取代的。較佳地，B選自由以下各者組成之群：其中 X在每次出現時為O、S或NR¹ ，及 B1、B2、B3及B4可經一至三個取代基R² 取代。更佳地，B為其中 X在每次出現時為S或NR¹ ，及 B1及B4可經一至三個取代基R² 取代。最佳地，B為其中 B4為未經取代的。較佳地，R² 在每次出現時選自由C₁ _- ₃₀ 烷基及鹵素組成之群，其中 C₁ _- ₃₀ 烷基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^e 、OC(O)-R^e 、C(O)-OR^e 、C(O)-R^e 、NR^e R^f 、NR^e -C(O)R^f 、C(O)-NR^e R^f 、N[C(O)R^e ][C(O)R^f ]、SR^e 、鹵素、CN、SiR^Sis R^Sit R^Siu 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換，其中 R^Sis 、R^Sit 及R^Siu 彼此獨立地為選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ， R^e 及R^f 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^g 、OC(O)-R^g 、C(O)-OR^g 、C(O)-R^g 、NR^g R^h 、NR^g -C(O)R^h 、C(O)-NR^g R^h 、N[C(O)R^g ][C(O)R^h ]、SR^g 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^g 、OC(O)-R^g 、C(O)-OR^g 、C(O)-R^g 、NR^g R^h 、NR^g -C(O)R^h 、C(O)-NR^g R^h 、N[C(O)R^g ][C(O)R^h ]、SR^g 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^g 、OC(O)-R^g 、C(O)-OR^g 、C(O)-R^g 、NR^g R^h 、NR^g -C(O)R^h 、C(O)-NR^g R^h 、N[C(O)R^g ][C(O)R^h ]、SR^g 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^g 及R^h 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群。更佳地，R² 在每次出現時選自由未經取代之C₁ _- ₃₀ 烷基及鹵素組成之群。最佳地，M¹ 或M² 不由取代基R² 取代。在將烯基或炔基取代基鍵結至O、N或S個原子之每一情況中，雙鍵或參鍵較佳地不直接地鍵結至雜原子。在將烯基或炔基取代基鍵結至O、N或S個原子之每一情況中，烯基或炔基取代基較佳地為至少C₃ 烯基或C₃ 炔基部分。本發明之聚合物可經由直接縮合含有r單元M¹ 之二胺及含有s單元M² 之二醛，或直接縮合含有r單元M¹ 之二醛及含有s單元M² 之二胺來製備。可在無任何貴金屬催化劑之情況下及在無任何有毒磷配位體之情況下合成本發明之聚合物。本發明亦提供用於製備本發明之可分解聚合物之方法，其包含使單體(1a)與單體(2a)反應之以下步驟 H₂ N-[-M¹ -]_r -NH₂ (1a) OHC-[-M² -]_s -CHO(2a) 或使單體(1b)與單體(2b)反應之步驟 OHC-[-M¹ -]_r -CHO(1b) H₂ N-[-M² -]_s -NH₂ (2b) 本發明亦提供用於自半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物分離半導電單壁碳奈米管之方法，其包含以下步驟： (i) 提供半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物A； (ii) 將本發明之可分解聚合物用作分散劑而將含有半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物A分散於溶劑中，以獲得該等半導電單壁碳奈米管於溶劑中之分散液B，該分散液另外含有金屬單壁碳奈米管； (iii) 自該等半導電單壁碳奈米管於溶劑中之分散液B分離金屬單壁碳奈米管，以獲得半導電單壁碳奈米管於溶劑中之增濃分散液C； (iv) 在半導電單壁碳奈米管於溶劑中之分散液C中藉由水解來分解本發明之聚合物； (v) 自含有溶劑及經分解聚合物之溶液D分離半導電單壁碳奈米管。本發明亦提供用於製備半導電單壁碳奈米管之方法，其包含步驟(i)至(v)。在另一實施例中，本發明亦提供用於製備半導電單壁碳奈米管之方法，其包含步驟(i)至(iii)。溶劑可為鹵代或非鹵代、芳族或非芳族、雜芳族或非雜芳族。適合的溶劑為(例如)芳族溶劑，較佳地選自由苯、萘、聯苯及其混合物組成之群，該苯、萘及聯苯可經一至四個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由鹵素、C₁ _- ₂₀ 烷基組成之群，其中C₁ _- ₂₀ 烷基可經一或多個鹵素取代。萘及聯苯較佳地在高於其熔點之溫度下以其液態形式使用。芳族溶劑之實例為苯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲苯(均三甲苯)、1,2,3-三甲苯、1,2,4-三甲苯、氯苯、1,2-二氯苯(鄰二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、茚滿、四氫化萘(tetraline)、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、1,2-二乙苯、1,3-二乙苯、1,4-二乙苯、丙基苯、丁基苯、第三丁基苯、異丙基苯、1-甲基萘、2-甲基萘及1-氯萘。適合的溶劑亦為雜芳族溶劑，較佳地選自由以下各者組成之群：噻吩、呋喃、吡啶、吡咯、嘧啶及其混合物，該噻吩、呋喃、吡啶、吡咯及嘧啶可經一至四個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由鹵素及C₁ _- ₂₀ 烷基組成之群，其中C₁ _- ₂₀ 烷基可經一或多個鹵素取代。雜芳族溶劑之實例為噻吩、2-甲基-噻吩、3-甲基-噻吩、吡啶、2-甲基-吡啶、3-甲基-吡啶、4-甲基-吡啶、2,4-二甲基-吡啶及2,4,6-三甲基吡啶。特定言之，溶劑為甲苯或含有甲苯之混合物。較佳地，以半導電及金屬單壁碳奈米管之重量的總和計，半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物A含有20重量%至95重量%之半導電單壁碳奈米管及80重量%至5重量%之金屬單壁碳奈米管。更佳地，以半導電及金屬單壁碳奈米管之重量的總和計，混合物A含有30重量%至95重量%之半導電單壁碳奈米管及70重量%至5重量%之金屬單壁碳奈米管。甚至更佳地，以半導電及金屬單壁碳奈米管之重量的總和計，混合物A含有40重量%至95重量%之半導電單壁碳奈米管及60重量%至5重量%之金屬單壁碳奈米管。較佳地，混合物A中之半導電及金屬單壁碳奈米管之直徑在0.5 nm至5 nm之範圍內。更佳地，混合物中之半導電及金屬單壁碳奈米管之直徑在0.8 nm至2.5 nm之範圍內。最佳地，混合物中之半導電及金屬單壁碳奈米管之直徑在1.0 nm至2.0 nm之範圍內。較佳地，分散液B中之半導電及金屬單壁碳奈米管之濃度在0.001重量%至20重量%之範圍內，更佳地在0.001重量%至10重量%之範圍內，甚至更佳地在0.001重量%至5重量%之範圍內，仍更佳地在0.001重量%至1重量%之範圍內，且最佳地在0.01重量%至1重量%之範圍內。較佳地，分散液B中之本發明之半導電及金屬單壁碳奈米管/聚合物之總和之重量比在0.01/1至10/1之範圍內，較佳地在0.05/1至5/1之範圍內且更佳地在0.25/1至3/1之範圍內。可藉由此項技術中已知之方法(諸如電弧放電、雷射切除、電漿炬處理或帶碳分子之催化分解(CVD))來製備半導電單壁碳奈米管與金屬單壁碳奈米管之混合物A。較佳地，藉由電弧放電及電漿炬處理來製備半導電單壁碳奈米管與金屬單壁碳奈米管之混合物A。通常，藉助於超音波處理在步驟(ii)中製備半導電單壁碳奈米管於溶劑中之分散液B。較佳地，藉由離心方法在步驟(iii)中自半導電單壁碳奈米管於溶劑中之分散液B分離金屬單壁碳奈米管。較佳地，用於離心方法之角速度與在100 g至100 000 g範圍內，更佳在500 g至50 000 g範圍內且甚至更佳在1 000 g至50 000 g範圍內之g值有關。最佳地，用於離心方法之g值在4 000 g至30 000 g之範圍內。任何適合類型之離心機均可用於該離心方法中，諸如微量離心機、高速離心機及超離心機。較佳地，使用高速離心機。通常，離心方法係在0℃至100℃，更佳地0℃至50℃，甚至更佳地0℃至30℃，最佳地5℃至20℃，且特定言之10℃至20℃之溫度下進行。較佳地，離心方法之後為收集清液層，以便獲得半導電單壁碳奈米管於溶劑中之分散液C，其可視情況經另外的溶劑稀釋。較佳地，半導電單壁碳奈米管於分散液C中之濃度在0.0001重量%至10重量%之範圍內，更佳地在0.001重量%至10重量%之範圍內且最佳在0.001重量%至1重量%之範圍內。通常在藉由添加催化量之酸的酸性條件下藉由水解來分解分散液C中之本發明之聚合物。適合的酸為三氟乙酸(TFA)、乙酸、對甲苯磺酸(pTsOH)、HCl、H₂ SO₄ 、HNO₃ 。步驟(iv)中之水解係在0℃至200℃，更佳地0℃至100℃，甚至更佳地20℃至80℃，尤其室溫之溫度下進行。較佳地，步驟(iv)中之可分解聚合物之水解受助於超音波處理及加熱。較佳地，在步驟(v)中藉由離心方法自含有溶劑及經分解聚合物之溶液D分離半導電單壁碳奈米管。離心之條件係如上文針對步驟(iii)所描述。溶液D含有製備本發明之聚合物的單體。在視情況選用之另外步驟(vi)中，較佳地藉由急驟管柱層析法自溶液D分離該等單體，以便獲得用於聚合物再合成的純單體。實例 1. 聚合物合成及表徵材料及通用方法所有試劑及起始材料均購自商業來源且不經進一步純化即使用。在氮氣流(20 mL/min)下，在10℃/min之加熱速率下使用Mettler Toledo TGA/SDTA 851e進行熱重量分析(TGA)。使用1,2,4-三氯苯(TCB)作為溶離劑，在180℃之高溫下對Tosoh High-temperature EcoSEC (RI偵測器)執行凝膠滲透層析法(GPC)。根據文獻程序製備化合物1 。2 係購自Sigma-Aldrich。流程1 可分解聚合物之合成。與藉由交聯偶合反應(例如，Suzuki或Stille偶合)合成之傳統的共軛聚合物相比，可在無任何貴金屬催化劑及有毒磷配位體之情況下合成本發明之聚合物。因此，本發明之可分解聚合物為更便宜的且更環保。亞胺鍵在環境條件下為環境上穩定的，且在六個月之儲存內未觀測到聚合物分解。兩種聚合物在400℃內之分解溫度下展示極佳熱穩定性(圖1)。圖1展示PDPP-PD (5%損耗，404℃)及PFPD (5%損耗，400℃)之熱重量分析(TGA)。實例1 9,9-二(十二烷基)-9H-茀-2,7-二甲醛(F-CHO)：向100 mL圓底燒瓶添加化合物1 (3 g，4.54 mmol)及乙醚(40 mL)。在-78℃下添加n-BuLi (2.5 M，4.54 mL，11.4 mmol)。在-78℃下攪拌30 min之後，在-78℃下逐滴添加乾燥DMF (1.16 g，15.9 mmol)。使混合物升溫至室溫並攪拌1 h。接著用HCl (50 mL，1 M水溶液)淬滅混合物。用二氯甲烷(3×50 mL)萃取水層。經合併之萃取物用蒸餾水洗滌且經無水Na₂ SO₄ 乾燥。在減壓下移除溶劑之後，經由氧化矽層析(溶離劑：己烷/二氯甲烷=4/1至1/1)純化殘餘物以得到呈灰白色固體狀之F-CHO。產量：2.23 g (88%)。¹ H NMR (CDCl₃ , 300 MHz, ppm)：δ 10.10 (s, 2H)、8.00 - 7.84 (m, 6H)、2.13 - 2.00 (m, 4H)、1.38 - 0.93 (m, 36H)、0.85 (t,J = 6.8 Hz, 6H)、0.62 - 0.44 (m, 4H)。實例2 5,5'-(2,5-雙(2-辛基十二烷基)-3,6-二側氧基-2,3,5,6-四氫吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二基)雙(噻吩-2-甲醛) (DPP-CHO)：向100 mL圓底燒瓶添加二異丙胺(0.98 mL，6.96 mmol)及THF (50 mL)。添加n-BuLi (1.6 M，2.9 mL，4.64 mmol)並在0℃下攪拌30 min以製備新製二異丙胺基鋰(LDA)。接著在-78℃下將化合物2 (1.0 g，1.16 mmol)逐滴添加至燒瓶中。在-78℃下攪拌30 min之後，在-78℃下逐滴添加乾燥DMF (0.46 mL，6.96 mmol)。使混合物升溫至室溫並攪拌1 h。接著用20 mL水淬滅混合物。用二氯甲烷(3×50 mL)萃取水層。經合併之萃取物用蒸餾水洗滌且經無水Na₂ SO₄ 乾燥。在減壓下移除溶劑之後，經由氧化矽層析(溶離劑：己烷/乙酸乙酯=20/1至10/1)純化殘餘物以得到呈暗紅色固體狀之DPP-CHO。產量：0.82 g (77%)。¹ H NMR (CDCl₃ , 300 MHz, ppm)：δ 10.03 (s, 2H)、9.04-9.02 (d,J = 4.2 Hz, 2H)、7.88-7.86 (d,J = 4.2 Hz, 2H)、4.05-4.03 (d,J = 7.7 Hz, 4H)、1.89-1.86 (m, 2H)、1.45-1.18 (m, 64H)、0.94-0.81 (m, 12H)。實例3 用於PF-PD之聚合：在氮氣氛圍下向Schlenk試管(100 mL)添加F-CHO (800 mg，1.43 mmol)、對苯二胺(154.8 mg，1.43 mmol)、對甲苯磺酸(PTSA) (13.6 mg，0.0715 mmol，5 mol%)、無水CaCl₂ (200 mg)及無水甲苯(50 mL)。接著在氮氣氛圍下密封該試管。在110℃下攪拌混合物48 h。完成後，添加乾燥K₂ CO₃ (20 mg)並在110℃下攪拌混合物30 min。接著經由耐綸過濾器過濾混合物以移除乾燥劑及任何不可溶的鹽。在移除濾液中之溶劑之後，收集聚合物以得到黃色固體(890 mg，產量99%)。¹ H NMR (C₂ D₂ Cl₄ , 400 MHz, ppm)：δ 8.64-8.57 (m, 2H), 8.00-7.83 (m, 6H)、7.40-7.23 (m, 2H)、6.77-6.74 (m, 2H)、2.12-2.05 (m, 4H)、1.28-1.06 (m, 36H)、0.88-0.85 (t,J = 6.8 Hz, 6H)、0.69 - 0.55 (m, 4H)。來自HT-GPC之分子量M_w ：15,580 Da，PDI：2.19。實例4 用於PDPP-PD之聚合：在氮氣氛圍下向Schlenk試管(100 mL)添加DPP-CHO (250 mg，0.273 mmol)、對苯二胺(29.5 mg，0.273 mmol)、對甲苯磺酸(PTSA) (2.6 mg，0.014 mmol，5 mol%)、無水CaCl₂ (100 mg，乾燥劑)及無水甲苯(30 mL)。接著在氮氣氛圍下密封該試管。在110℃下攪拌混合物48 h。完成後，添加乾燥K₂ CO₃ (10 mg)並在110℃下攪拌混合物30 min。接著經由耐綸過濾器過濾混合物以移除乾燥劑及任何不可溶的鹽。在移除濾液中之溶劑之後，經由用乾燥丙酮的索氏萃取2 h，用己烷索氏萃取2 h來純化聚合物，並最後藉由氯仿收集。接著汽化氯仿部分以移除溶劑並得到暗綠色固體(213 mg，產量79%)。¹ H NMR (C₂ D₂ Cl₄ , 400 MHz, 393 K, ppm)：δ 10.07-10.05 (m, 2H)、8.95-8.67 (m, 3H)、7.89-7.67 (m, 2H)、7.40 (m, 1H)、7.26-7.24 (m, 1H)、6.76-6.74 (m, 1H)、4.15-4.07 (m, 4H)、2.06-2.19 (m, 2H)、1.51-1.32 (m, 64H)、0.96-0.93 (m, 12H)。來自HT-GPC之分子量M_w ：39,574 Da，PDI：2.64。 2. 酸性條件下之聚合物分解實例5 為探索聚合物分解過程，吾等在THF中製備聚合物溶液並在添加少量三氟乙酸(TFA)及一滴DI水之後藉由UV-Vis-NIR光譜學(Cary 6000i分光光度計，瓦里安(Varian))來監視其分解過程。亦可在甲苯中進行分解，其需要音波處理(水浴音波處理器)來加速分解反應，因為水在甲苯中具有較低可溶性。圖2a、圖2b展示在酸之催化下的聚合物分解。添加少量三氟乙酸(TFA)及一滴水之後的(a) PF-PD及(b) PDPP-PD之吸收光譜變化。圖2a、圖2b分別顯示室溫下在酸性條件下的聚合物PF-PD及PDPP-PD之分解過程。可在催化量之酸下將兩種聚合物分解為單體。在完全分解之後，其吸收光譜幾乎與其單體相同。PF-PD分解較快，通常在若干分鐘內，而PDPP-PD分解慢得多。發現音波處理或加熱聚合物溶液可加速分解過程。舉例而言，可在50℃下使用水浴音波處理器在30分鐘內完成PDPP-PD之分解。 3. 選擇性分散及SWNT表徵使用電漿生長SWNT之聚合物PF-PD的通用篩選程序：實例6 將5 mg PF-PD及5 mg電漿生長SWNT (RN-020，如自Raymor Nanotech所獲得，含有30% SWNT)混合在25 mL 甲苯中並在50%之振幅水平下超音波處理30 min (科爾帕默(Cole Parmer)超音波處理器750 W)。接著在16℃下將溶液以17 000 rpm (22 000g )離心30 min。收集上澄液並提供最終經篩選s-SWNT溶液。 PF-PD之吸收光譜不與金屬SWNT之吸收重疊。因此，可藉由UV-Vis-NIR量測來評估分散液濃度及選擇率二者。使用電弧放電SWNT之PDPP-PD的通用篩選程序：實例7 將5 mg PDPP-PD及10 mg 電弧放電SWNT (P2-SWNT，購自Carbon Solutions, Inc.，含有~65% SWNT)混合在25 mL 甲苯中並在70%之振幅水平下超音波處理30 min (科爾帕默超音波處理器750 W)。接著在16℃下將混合物以17 000 rpm離心30 min。收集上澄液(80%)以得到最終經篩選SWNT溶液。藉由使用具有甲苯之1 cm路徑長度石英槽作為背景的UV-Vis-NIR量測來評估分散液濃度。為測定選擇率，藉由將上澄液滴落塗佈於基板上來製備玻璃基板上之SWNT薄膜且在500℃，Ar下退火薄膜1 h以移除包裹聚合物。用於聚合物移除及再循環之通用程序：實例8 為分解包裹聚合物，將少量TFA (10 uL)及若干滴水添加至經篩選SWNT溶液中。溶液經水浴音波處理0.5 h至1 h以完成水解反應。在聚合物分解之後形成SWNT沈澱物。接著將溶液以17 000 rpm離心5 min以沈降SWNT。在收集上澄液之後，添加20 mL丙酮。將混合物在水浴音波處理器中音波處理10 min並再次離心以清洗SWNT沈降物。重複清洗步驟兩次。接著藉由過濾收集s-SWNT沈降物。在聚合物篩選中產生沈降物，其含有非晶碳、met-SWNT及未分散之s-SWNT，吸收大量聚合物。再循環此等聚合物，將20 mL THF添加至沈降物中。將混合物在水浴音波處理器中音波處理10 min並以17 000 rpm離心15 min以清洗SWNT沈降物。重複清洗步驟兩次。接著藉由過濾移除沈降物。將來自以上步驟之所有上澄液及濾液合併以供聚合物再循環。在減壓下移除溶劑之後，經由急驟層析純化單體並提供純單體。經純化及循環之單體可再次用於聚合。篩選產量及聚合物循環效率之測定：實例9 將50 mg PF-PD及50 mg電漿生長SWNT (RN-020)混合在25 mL 甲苯中並在50%之振幅水平下超音波處理30 min (科爾帕默超音波處理器750 W)，同時用乾冰浴進行外部冷卻。接著在16℃下將溶液以17 000 rpm (22 000 g)離心30 min。收集80%之上澄液(20 mL)。吸收光譜學披露針對d=1 cm光析槽的在λ =939 nm處之A =2.486的峰吸收(圖4a)。在針對上澄液之以上聚合物移除步驟之後，經篩選SWNT最後經由0.2 um孔大小PTFE膜過濾，用甲苯洗滌3次(30 mL)且在60℃下，經真空乾燥。SWNT薄膜形成於膜上。稱重SWNT薄膜產生1.41 mg之總質量。因此，經篩選溶液(20 mL)之SWNT濃度經計算為0.0705 mg/mL。939 nm處之光學密度係用於經由比爾-蘭伯特法律(Beer-Lambert law)計算吸收度係數(ε，mL mg^- ¹ cm^- ¹ )：A =OD₉₃₉ =εlc ，其中l 為光析槽之路徑長度(cm)且c 為SWNT濃度(mg/mL)。吸收度係數(ε )經測定為35.3 mL mg^- ¹ cm^- ¹ ，符合針對類似類型之s-SWNT的最近所報告之值34.9 mL mg⁻ ¹ cm⁻ ¹ 。在此吸收度係數(ε )下，可使用其939 nm處之吸收峰來計算針對不同條件之篩選產量。針對PF-PD篩選之SWNT所計算之產量係基於原始SWNT之半導電SWNT量，其為原始SWNT (RN-020)之總質量之~20%。經篩選SWNT之拉曼及PLE表徵：在×100放大及1 μm光斑尺寸下在2.33 eV (532 nm)、1.93 eV (638 nm)及1.58 eV (785 nm)激勵處執行拉曼光譜法。峰位置係用Si線在521 cm⁻ ¹ 下校準。可根據拉曼Kataura曲線將拉曼峰指派給金屬SWNT或半導電SWNT。根據吾等前述所報告之方法獲取甲苯中之各種SWNT樣品之PLE光譜。圖3展示在相同條件(聚合物/SWNT比率=1:1)下使用不同純度SWNT的比較。如所製備之30% SWNT (RN-020，10 USD/g)及半純化SWCNT (RN-220，60~70%純度，45 USD/g)係購自Raymor Industries Inc.。半純化SWNT顯示比如所製備之原始SWNT明顯更高的SWNT含量，如藉由其NMP分散溶液所展示在PF-PD篩選之後，30% SWNT展示0.407之ϕ 值及23.7%之產量，而70% SWNT展示0.408之ϕ 值及19.8%之產量。產量計算係基於原始SWNT之總質量之s-SWNT量(對於RN-020，s-SWNT量為20%；對於RN-220，s-SWNT量為46%)。因此，與70%半純化SWNT相比，30%原始SWNT展示非常相似之選擇率及甚至更高產量。圖4展示(a)使用不同聚合物濃度(聚合物/SWNT比率為1:1)藉由PF-PD分散之原始SWNT (30%純度)之吸收光譜。在1 cm路徑長度光析槽中獲取光譜。(b)針對不同聚合物/SWNT濃度之產量及ϕ 值之曲線。更高濃度產生更低產量但提供用於大規模生產之更高產出率。圖5展示(a)在甲苯中之各種聚合物/SWNT比率下藉由PDPP-PD分散之SWNT之吸收光譜。(b)針對各種聚合物/SWNT比率之PDPP-PD篩選之SWNT薄膜之正規化吸收光譜。藉由將上澄液滴落塗佈於玻璃基板上來製備SWNT薄膜並接著在Ar、500℃下退火1 h以移除包裹聚合物。因為在SWNT量增加的同時保持恆定聚合物量，分散液濃度先增加且接著減小。分散液濃度之減小可歸因於藉由過量的含碳沈降物對聚合物的吸收，其接著減小用於在溶液中篩選之可用的聚合物濃度。篩選選擇率亦取決於聚合物/AD-SWNT比率，5 mg/10 mg比率產生最佳選擇率。圖6展示藉由PF-PD及PDPP PD分散之s-SWNT與來自Nanointegris之市售的99.9%純度之s-SWNT的純度比較。具有較大試管直徑的經PDD-PD篩選之s-SWNT展示類似選擇率，而具有類似試管直徑的PF-PD篩選之s-SWNT展示明顯更好的選擇率。圖7展示藉由聚合物PF-PD篩選，使用(a) 532 nm及(b) 638 nm雷射激勵之原始SWNT及SWNT之拉曼光譜。在532 nm及638 nm激勵下，在原始SWNT中在150 cm^- ¹ 至200 cm^- ¹ 之範圍內觀測s-SWNT之若干RBM峰。在篩選之後，保留一些峰且亦改變相對峰強度，指示該聚合物較佳用以分散s-SWNT之某些對掌性。為比較原始SWNT與經篩選SWNT之峰強度，將其G⁺ 峰正規化至相同強度。圖8展示藉由聚合物PDPP-PD篩選，使用(a) 785 nm、(b) 532 nm及(c) 638 nm雷射激勵之原始SWNT及SWNT的拉曼光譜。為比較原始SWNT與經篩選SWNT之峰強度，將其G⁺ 峰正規化至相同強度。圖9 展示使用分散液之單體的溶液之吸收光譜。未偵測到SWNT吸收，指示兩種單體不可分散任何SWNT。首先測試PF-PD分散具有0.9 nm至1.5 nm 之直徑的低成本原始SWNT (RN-020，$10/g，來自Raymor Industries Inc.，~30% SWNT純度)之能力。圖10a展現PF-PD可在M₁₁ 區域分散具有幾乎不可偵測之金屬峰的高濃度之大直徑s-SWNT。用於PF-PD篩選之SWNT的939 nm處之光學密度(OD)在1 cm路徑長度光析槽中至多為2.498，其對應於0.0705 mg/mL之SWNT濃度。OD值顯著高於用於大直徑SWNT之其他所報告之共軛聚合物，指示PF-PD之強分散能力。與使用更昂貴經純化SWNT (50%至70%純度，價格通常高出4倍至8倍)之前述篩選方法相比較，結果指示如所製備之原始SWNT (30%純度)可在不影響篩選產量及選擇率之情況下直接地用於聚合物包裹(圖3)。聚合物/SWNT比率及濃度為影響SWNT分散之產量及選擇率的因素。藉由S₂₂ 峰之吸收強度測定並相對於SWNT之總質量之s-SWNT量來計算篩選產量。基於ϕ 值評估選擇率，其係由峰比率及S₂₂ 及M₁₁ 吸收二者之背景區域限定。更高ϕ 值指示更高s-SWNT純度且ϕ 值＞0.40與純度＞99%相關。圖10b繪製針對不同聚合物/SWNT比率的產量與選擇率之間的關係。與達到高ϕ 值＞0.40通常產生針對大直徑SWNT之低產量(＜5%)的文獻報導相比，聚合物PF-PD同時展現0.407之高ϕ 值及23.7%之高產量二者(在圖10b中聚合物/SWNT比率=1)，表明此聚合物之強分散能力及高選擇率。減小聚合物/SWNT比率導致具有至多0.445之ϕ 值的甚至更高選擇率但相對更低的產量。聚合物/SWNT濃度亦在0.2 mg/mL至2 mg/mL之間變化(圖4a)。在相同聚合物/SWNT比率(1:1)下，更高濃度導致更高選擇率但更低產量。亦在許多其他聚合物系統中觀測到產量與選擇率之間的此相逆關係。與傳統共軛聚合物相比，基於DPP之聚合物趨於分散較大直徑SWNT。電弧放電SWNT係用於研究PDPP-PD分散SWNT之能力(圖5)。PDPP-PD可在2.3%之估計產量下分散大量電弧放電SWNT。因為基於DPP之聚合物之吸收光譜與經篩選SWNT之M₁₁ 區域重疊，故藉由於500℃在Ar下熱退火聚合物-SWNT薄膜來移除聚合物，隨後估計針對不同篩選條件之選擇率。由於ϕ 值不可直接用於估計歸因於來自聚合物之干擾而對DPP篩選之SWNT的選擇率，故將經篩選吸收光譜與市售99.9% s-SWNT之吸收光譜進行比較(圖6)。PDPP-PD篩選之s-SWNT及PF-PD篩選之s-SWNT二者與99.9% s-SWNT相比展示類似或甚至更好的選擇率，指示可分解聚合物之高選擇率。為進一步驗證s-SWCNT之增濃，量測原始SWNT及聚合物篩選之SWNT之拉曼光譜(圖10c、圖7及圖8)。在785 nm激勵下，針對原始SWNT觀測在140 cm^- ¹ 至190 cm^- ¹ 範圍內之金屬試管之強徑向呼吸模式(RBM)峰。在篩選之後，此峰幾乎消失。在G峰區域(1500 cm^- ¹ 至1600 cm^- ¹ 中)，主要來自1550 cm^- ¹ 處之m-SWNT的G^- 峰之強度顯著地減小，而主要來自1600 cm^- ¹ 處之s-SWNT的G⁺ 峰保持不變。其他雷射激勵(532 nm及633 nm)亦確認移除m-SWNT且分散s-SWNT之某些對掌性(圖7)。 PF-PD之二醛單體及PDPP-PD之二醛單體二者不能夠分散SWNT (圖5)，表明其與SWNT之弱相互作用。為剝離s-SWNT，將催化量之TFA及一些DI水添加至經篩選溶液中。將溶液經音波處理以加速水解反應。在聚合物分解之後形成SWNT沈澱物。將SWNT沈澱物離心並藉由經由0.2 μm PTFE膜過濾來收集。濾液之吸收光譜僅展示單體吸收，指示所有經增濃s-SWNT係經定量收集(圖10d)。經過濾之s-SWNT可使用在M₁₁ 及S₂₂ 區域二者中具有幾乎相同吸收光譜之界面活性劑而再分散於NMP及水溶液中(圖10d)，指示經篩選SWNT亦可用於電子應用中之NMP或水基沈積法。並未藉由吸收光譜學偵測到NMP中之經再分散SWNT之聚合物或單體，從而展現聚合物之定量移除。藉由SWNT固體之X射線光電子光譜學(XPS)量測來進一步確認此結果，其中歸因於聚合物中之N原子的N 1s峰消失在經剝離SWNT樣品中(圖10e)。發現~1/2至2/3之共軛聚合物由含有未分散之s-SWNT、m-SWNT及非晶碳的沈降物吸收。因此，為再循環聚合物，分解及過濾上澄液及沈降物二者中之聚合物。可藉由急驟管柱層析純化濾液以獲得純單體以用於聚合物再合成。可在純化之後在至多93%之再循環產量下再循環幾乎所有單體，指示本發明之可分解聚合物方法將有效地降低用於SWNT分離之聚合物成本。 4. 經篩選SWNT之薄膜電晶體表徵實例10 藉由將PF-PD篩選之SWNT溶液滴落塗佈於經圖案化之Au (源極-漏極)/SiO₂ (300 nm)/摻雜Si基板上來製造薄膜電晶體(TFT)。接著用甲苯沖洗基板並在環境條件下在200℃下退火20 min。甲苯沖洗係用於移除大部分聚合物，其可產生較好的試管-試管接面並改良電荷載流子移動力。圖11a顯示原子力顯微法(AFM)影像，其展示具有試管密度約50試管/平方微米之SWNT網狀物。大部分經篩選試管展現在0.5 μm至2 μm範圍內之試管長度。TFT器件展現在開/關比率＞10⁵ 之情況下在20 cm² V⁻ ¹ s⁻ ¹ 至49 cm² V⁻ ¹ s⁻ ¹ 範圍內之高電洞孔遷移率(圖11b)。與具有開/關比率低於10的未篩選之原始SWNT相比，吾等經篩選s-SWNT之高開/關比率進一步確定經篩選s-SWNT之高純度。概言之，針對s-SWNT之選擇性分散測試基於不同類型的構築嵌段之亞胺基共軛聚合物。其對於具有高產量(至多23.7%)及高選擇率(＞99%)的大直徑s-SWNT展現出強分散能力。本發明之方法提供優於其他方法之顯著優點(例如，低成本、高選擇率、可再循環及對SWNT之損害較小)，但仍然採用無特定結構設計之常規構築嵌段。更重要的是，可分解聚合物設計可易於用於其他π-共軛結構，因此展現用於「清潔」s-SWNT之低成本分離的通用方法。圖10a至圖10e展示使用PF-PD對s-SWNT之選擇性分散及剝離。(a)藉由PF-PD (PF-PD/SWNT比率=1:1，濃度2 mg/mL)及NMP分散之原始SWNT (30%純度)之吸收光譜。在1 cm路徑長度光析槽中獲取光譜。(b)針對不同聚合物/SWNT比率(聚合物濃度0.2 mg/mL)的產量及ϕ 值之曲線。(c)原始SWNT及PF-PD篩選之SWNT之拉曼光譜(藉由785 nm雷射激勵)。針對經篩選SWNT分解並移除聚合物。(d)在聚合物分解之後再分散於NMP及界面活性劑SC (1%水性)聚合物PF-PD及單體(F-CHO)中之如經篩選之SWNT、經篩選之SWNT之吸收光譜。(e)針對PF-PD包裹之SWNT及經剝離之SWNT的XPS結果。圖11b展示典型TFT器件之轉移特徵(V _DS =-40V)。

Claims

一種聚合物，其包含至少一個式(1)之單元(1) 其中 T¹ 為碳原子或氮原子，若T¹ 為氮原子，則T² 為碳原子，或若T¹ 為碳原子，則T² 為氮原子， r為1、2、3或4， s為1、2、3或4， M¹ 及M² 彼此獨立地選自由以下各者組成之群：、，其中，在M¹ 及M² 中， b及c彼此獨立地為1、2、3、4、5或6， a及d彼此獨立地為0、1、2、3或4， n及m彼此獨立地為0、1、2、3或4， A選自由以下各者組成之群：B選自由以下各者組成之群：其中 X在每次出現時為O、S、Se或NR¹ ， M¹ 或M² 可經一至四個取代基R² 取代， L¹ 及L² 彼此獨立地且在每次出現時選自由C₆ _- ₁₈ 伸芳基、5員至20員伸雜芳基、組成之群，其中 C₆ _- ₁₈ 伸芳基及5員至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R³ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、OR³¹ 、OC(O)-R³¹ 、C(O)-OR³¹ 、C(O)-R³¹ 、NR³¹ R³² 、NR³¹ -C(O)R³² 、C(O)-NR³¹ R³² 、N[C(O)R³¹ ][C(O)R³² ]、SR³¹ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及OH，及其中可經一個或兩個取代基R⁴ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、C(O)-R⁴¹ 、C(O)-NR⁴¹ R⁴² 、C(O)-OR⁴¹ 及CN，其中 R³¹ 、R³² 、R⁴¹ 及R⁴² 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及其中 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NRⁱ 或NRⁱ -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、ORⁱ 、OC(O)-R^j 、C(O)-ORⁱ 、C(O)-Rⁱ 、NRⁱ R^j 、NRⁱ -C(O)R^j 、C(O)-NRⁱ R^j 、N[C(O)Rⁱ ][C(O)R^j ]、SRⁱ 、鹵素、CN、SiR^Siv R^Siw R^Six 及NO₂ ，其中 R^Siv 、R^Siw 、R^Six 彼此獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ， Rⁱ 及R^j 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基，其中 C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^k 、OC(O)-R^l 、C(O)-OR^k 、C(O)-R^k 、NR^k R^l 、NR^k -C(O)R^l 、C(O)-NR^k R^l 、N[C(O)R^k ][C(O)R^l ]、SR^k 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^k 及R^l 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群， L³ 及L⁴ 彼此獨立地且在每次出現時選自由C₆ _- ₁₈ 伸芳基及5員至20員伸雜芳基組成之群，其中 C₆ _- ₁₈ 伸芳基及5員至20員伸雜芳基可經一至六個取代基R⁹ 取代，該等取代基在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基、OR⁹¹ 、OC(O)-R⁹¹ 、C(O)-OR⁹¹ 、C(O)-R⁹¹ 、NR⁹¹ R⁹² 、NR⁹¹ -C(O)R⁹² 、C(O)-NR⁹¹ R⁹² 、N[C(O)R⁹¹ ][C(O)R⁹² ]、SR⁹¹ 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及OH，及其中 R⁹¹ 及R⁹² 彼此獨立地且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及其中 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NRⁿ R^m 、N[C(O)Rⁿ ][C(O)R^m ]、SRⁿ 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NR^m Rⁿ 、N[C(O)R^m ][C(O)Rⁿ ]、SR^m 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^m 或NR^m -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^m 、OC(O)-R^m 、C(O)-OR^m 、C(O)-R^m 、NR^m Rⁿ 、NR^m -C(O)Rⁿ 、C(O)-NR^m Rⁿ 、N[C(O)R^m ][C(O)Rⁿ ]、SR^m 、鹵素、CN、SiR^Siy R^Siz R^Siaa 及NO₂ ， R^Siy 、R^Siz 、R^Siaa 彼此獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ，其中 R^m 及Rⁿ 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ _- 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^o 、OC(O)-R^o 、C(O)-OR^o 、C(O)-R^o 、NR^o R^p 、NR^o -C(O)R^p 、C(O)-NR^o R^p 、N[C(O)R^o ][C(O)R^p ]、SR^o 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^o 及R^p 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群， R¹ 在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基、C₂ _- ₁₀₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基、5員至20員雜芳基、C(O)-C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C(O)-C₅ _- ₁₂ 環烷基及C(O)-OC₁ _- ₁₀₀ 烷基，其中 C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基可經一至四十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a R^b 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、N[C(O)R^a ][C(O)R^b ]、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素、CN及NO₂ ；且C₁ _- ₁₀₀ 烷基、C₂ _- ₁₀₀ 烯基及C₂ _- ₁₀₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a R^b 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、N[C(O)R^a ][C(O)R^b ]、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素、CN及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^a 或NR^a -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ -環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^a 、OC(O)-R^a 、C(O)-OR^a 、C(O)-R^a 、NR^a R^b 、NR^a -C(O)R^b 、C(O)-NR^a R^b 、N[C(O)R^a ][C(O)R^b ]、SR^a 、Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、-O-Si(R^Sia )(R^Sib )(R^Sic )、鹵素、CN及NO₂ ，其中 R^a 及R^b 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， R^Sia 、R^Sib 及R^Sic 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、O-C₁ _- ₆₀ 烷基、O-C₂ _- ₆₀ 烯基、O-C₂ _- ₆₀ 炔基、O-C₅ _- ₈ 環烷基、O-C₆ _- ₁₄ 芳基、O-5員至14員雜芳基、-[O-SiR^Sid R^Sie ]_o -R^Sif 、NR⁵ R⁶ 、鹵素及O-C(O)-R⁵ ，其中 o為1至50之整數， R^Sid 、R^Sie 、R^Sif 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、O-C₁ _- ₆₀ 烷基、O-C₂ _- ₆₀ 烯基、O-C₂ _- ₆₀ 炔基、O-C₅ _- ₈ 環烷基、O-C₆ _- ₁₄ 芳基、O-5員至14員雜芳基、-[O-SiR^Sig R^Sih ]_p -R^Sii 、NR⁵⁰ R⁶⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁵⁰ ；其中 p為1至50之整數， R^Sig 、R^Sih 、R^Sii 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、O-C₁ _- ₃₀ 烷基、O-C₂ _- ₃₀ 烯基、O-C₂ _- ₃₀ 炔基、O-C₅ _- ₆ 環烷基、O-C₆ _- ₁₀ 芳基、O-5員至10員雜芳基、O-Si(CH₃ )₃ 、NR⁵⁰⁰ R⁶⁰⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁵⁰⁰ ， R⁵ 、R⁶ 、R⁵⁰ 、R⁶⁰ 、R⁵⁰⁰ 及R⁶⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基、C₂ _- ₆₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₆₀ 炔基可經一至二十個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c R^d 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、N[C(O)R^c ][C(O)R^d ]、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素、CN及NO₂ ；且C₁ _- ₆₀ 烷基、C₂ _- ₆₀ 烯基及C₂ _- ₆₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c R^d 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、N[C(O)R^c ][C(O)R^d ]、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素、CN及NO₂ ；且C₅ _- ₈ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^c 或NR^c -CO置換， C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、OR^c 、OC(O)-R^c 、C(O)-OR^c 、C(O)-R^c 、NR^c R^d 、NR^c -C(O)R^d 、C(O)-NR^c R^d 、N[C(O)R^c ][C(O)R^d ]、SR^c 、Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、-O-Si(R^Sij )(R^Sik )(R^Sil )、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^c 及R^d 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基， R^Sij 、R^Sik 及R^Sil 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、O-C₁ _- ₃₀ 烷基、O-C₂ _- ₃₀ 烯基、O-C₂ _- ₃₀ 炔基、O-C₅ _- ₆ 環烷基、O-C₆ _- ₁₀ 芳基、O-5員至10員雜芳基、-[O-SiR^Sim R^Sin ]_q -R^Sio 、NR⁷ R⁸ 、鹵素及O-C(O)-R⁷ ，其中 q為1至50之整數， R^Sim 、R^Sin 、R^Sio 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、O-C₁ _- ₃₀ 烷基、O-C₂ _- ₃₀ 烯基、O-C₂ _- ₃₀ 炔基、O-C₅ _- ₆ 環烷基、O-C₆ _- ₁₀ 芳基、O-5員至10員雜芳基、-[O-SiR^Sip R^Siq ]_r -R^Sir 、NR⁷⁰ R⁸⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁷⁰ ；其中 r為1至50之整數， R^Sip 、R^Siq 、R^Sir 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、O-C₁ _- ₃₀ 烷基、O-C₂ _- ₃₀ 烯基、O-C₂ _- ₃₀ 炔基、O-C₅ _- ₆ 環烷基、O-C₆ _- ₁₀ 芳基、O-5員至10員雜芳基、O-Si(CH₃ )₃ 、NR⁷⁰⁰ R⁸⁰⁰ 、鹵素及O-C(O)-R⁷⁰⁰ ， R⁷ 、R⁸ 、R⁷⁰ 、R⁸⁰ 、R⁷⁰⁰ 及R⁸⁰⁰ 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基及5員至10員雜芳基， C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群， R² 在每次出現時選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基、5員至20員雜芳基、OR²¹ 、OC(O)-R²¹ 、C(O)-OR²¹ 、C(O)-R²¹ 、NR²¹ R²² 、NR²¹ -C(O)R²² 、C(O)-NR²¹ R²² 、N[C(O)R²¹ ][C(O)R²² ]、SR²¹ 、鹵素、CN、SiR^Sis R^Sit R^Siu 及OH，其中 R²¹ 及R²² 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基、C₂ _- ₃₀ 炔基、C₅ _- ₁₂ 環烷基、C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基，及 C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基可經一至十個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^e 、OC(O)-R^e 、C(O)-OR^e 、C(O)-R^e 、NR^e R^f 、NR^e -C(O)R^f 、C(O)-NR^e R^f 、N[C(O)R^e ][C(O)R^f ]、SR^e 、鹵素、CN、SiR^Sis R^Sit R^Siu 及NO₂ ；且C₁ _- ₃₀ 烷基、C₂ _- ₃₀ 烯基及C₂ _- ₃₀ 炔基之至少兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O或S置換， C₅ _- ₁₂ 環烷基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^e 、OC(O)-R^e 、C(O)-OR^e 、C(O)-R^e 、NR^e R^f 、NR^e -C(O)R^f 、C(O)-NR^e R^f 、N[C(O)R^e ][C(O)R^f ]、SR^e 、鹵素、CN、SiR^Sis R^Sit R^Siu 及NO₂ ；且C₅ _- ₁₂ 環烷基之一個或兩個CH₂ 基團，但非鄰近的CH₂ 基團可經O、S、OC(O)、CO、NR^e 或NR^e -CO置換， C₆ _- ₁₈ 芳基及5員至20員雜芳基可經一至六個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基、5員至14員雜芳基、OR^e 、OC(O)-R^e 、C(O)-OR^e 、C(O)-R^e 、NR^e R^f 、NR^e -C(O)R^f 、C(O)-NR^e R^f 、N[C(O)R^e ][C(O)R^f ]、SR^e 、鹵素、CN、SiR^Sis R^Sit R^Siu 及NO₂ ， R^Sis 、R^Sit 及R^Siu 彼此獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、苯基及O-Si(CH₃ )₃ ，其中 R^e 及R^f 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基， C_1-20 烷基、C_2-20 烯基及C_2-20 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C_5-6 環烷基、C_6-10 芳基、5員至10員雜芳基、OR^g 、OC(O)-R^g 、C(O)-OR^g 、C(O)-R^g 、NR^g R^h 、NR^g -C(O)R^h 、C(O)-NR^g R^h 、N[C(O)R^g ][C(O)R^h ]、SR^g 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^g 、OC(O)-R^g 、C(O)-OR^g 、C(O)-R^g 、NR^g R^h 、NR^g -C(O)R^h 、C(O)-NR^g R^h 、N[C(O)R^g ][C(O)R^h ]、SR^g 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^g 、OC(O)-R^g 、C(O)-OR^g 、C(O)-R^g 、NR^g R^h 、NR^g -C(O)R^h 、C(O)-NR^g R^h 、N[C(O)R^g ][C(O)R^h ]、SR^g 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^g 及R^h 獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群， R¹⁰² 、R¹⁰³ 、R¹⁰⁴ 及R¹⁰⁵ 獨立地且在每次出現時選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基、C₂ _- ₂₀ 炔基、C₅ _- ₈ 環烷基、C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基，其中 C₁ _- ₂₀ 烷基、C₂ _- ₂₀ 烯基及C₂ _- ₂₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^s 、OC(O)-R^t 、C(O)-OR^s 、C(O)-R^s 、NR^s R^t 、NR^s -C(O)R^t 、C(O)-NR^s R^t 、N[C(O)R^s ][C(O)R^t ]、SR^s 、鹵素、CN及NO₂ ； C₅ _- ₈ 環烷基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^s 、OC(O)-R^t 、C(O)-OR^s 、C(O)-R^s 、NR^s R^t 、NR^s -C(O)R^t 、C(O)-NR^s R^t 、N[C(O)R^s ][C(O)R^t ]、SR^s 、鹵素、CN及NO₂ ； C₆ _- ₁₄ 芳基及5員至14員雜芳基可經一至五個取代基取代，該等取代基係獨立地選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^s 、OC(O)-R^t 、C(O)-OR^s 、C(O)-R^s 、NR^s R^t 、NR^s -C(O)R^t 、C(O)-NR^s R^t 、N[C(O)R^s ][C(O)R^t ]、SR^s 、鹵素、CN及NO₂ ； 5員至12員環系統可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由以下各者組成之群：C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基、C₂ _- ₁₀ 炔基、C₅ _- ₆ 環烷基、C₆ _- ₁₀ 芳基、5員至10員雜芳基、OR^s 、OC(O)-R^t 、C(O)-OR^s 、C(O)-R^s 、NR^s R^t 、NR^s -C(O)R^t 、C(O)-NR^s R^t 、N[C(O)R^s ][C(O)R^t ]、SR^s 、鹵素、CN及NO₂ ；其中 R^s 及R^t 係獨立地選自由以下各者組成之群：H、C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基，其中 C₁ _- ₁₀ 烷基、C₂ _- ₁₀ 烯基及C₂ _- ₁₀ 炔基可經一至五個取代基取代，該等取代基係選自由鹵素、CN及NO₂ 組成之群。
如請求項1之聚合物，其中M¹ 係選自由以下各者組成之群：其中 L¹ 、L² 、L³ 、L⁴ 、R¹ 、R¹⁰² 及R¹⁰³ 係如請求項1中所定義。
如請求項1之聚合物，其中M¹ 係選自由以下各者組成之群：其中 R¹ 、R¹⁰² 及R¹⁰³ 係如請求項1中所定義。
如請求項1之聚合物，其中M² 係選自由以下各者組成之群：其中 L¹ 、L² 、L³ 、L⁴ 、R¹ 、R¹⁰² 、R¹⁰³ 、R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 、A、B、n、m、a、b、c及d係如請求項1中所定義。
如請求項1之聚合物，其中M² 較佳選自由以下各者組成之群：其中 R¹⁰² 及R¹⁰³ 係如請求項1中所定義。
如請求項1之聚合物，其中M² 為。
一種用於製備如請求項1至6中任一項之聚合物之方法，其包含使單體(1a)與單體(2a)反應之步驟 H₂ N-[-M¹ -]_r -NH₂ (1a) OHC-[-M² -]_s -CHO(2a) 或使單體(1b)與單體(2b)反應之步驟 OHC-[-M¹ -]_r -CHO(1b) H₂ N-[-M² -]_s -NH₂ (2b)。
一種用於自半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物分離半導電單壁碳奈米管的方法，其包含以下步驟： (i) 提供半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之混合物A， (ii) 使用如請求項1至6中任一項之可分解聚合物作為分散劑將含有半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之該混合物A分散於溶劑中，以獲得該等半導電單壁碳奈米管於溶劑中之分散液B，該分散液另外含有金屬單壁碳奈米管， (iii) 自該等半導電單壁碳奈米管於溶劑中之該分散液B分離該等金屬單壁碳奈米管，以獲得該等半導電單壁碳奈米管於溶劑中之增濃分散液C， (iv) 在該等半導電單壁碳奈米管於溶劑中之分散液C中藉由水解來分解本發明之該聚合物， (v) 自含有溶劑及該經分解聚合物之溶液D分離該等半導電單壁碳奈米管。
如請求項8之方法，其中半導電單壁碳奈米管及金屬單壁碳奈米管之該混合物A係藉由電弧放電或電漿炬製程來製備。
如請求項8之方法，其中步驟(ii)係藉助於超音波處理來進行。
如請求項8之方法，其中步驟(iv)中之該可分解聚合物之該水解係受助於超音波處理。
如請求項8之方法，其中步驟(i)中所用之該溶劑為甲苯。
如請求項8之方法，其進一步包含自溶液D分離純單體(1a)及(2a) H₂ N-[-M¹ -]_r -NH₂ (1a) OHC-[-M² -]_s -CHO(2a) 或純單體(1b)及(2b) OHC-[-M¹ -]_r -CHO(1b) H₂ N-[-M² -]_s -NH₂ (2b) 用於再合成該聚合物之步驟(vi)。
如請求項8之方法，其中該等純單體係藉由急驟管柱層析法分離。