TW201728413A - 蓋層、具有蓋層的研磨墊、避免研磨墊形變的方法及研磨方法 - Google Patents

Abstract

一種蓋層、具有蓋層的研磨墊、避免研磨墊形變的方法及研磨方法。研磨墊包括研磨層、溝槽圖案以及蓋層。研磨層具有第一表面以及第二表面。溝槽圖案位於研磨層之第一表面。蓋層位於第一表面上且覆蓋溝槽圖案。

Description

蓋層、具有蓋層的研磨墊、避免研磨墊形變的方法及研磨方法

本發明是有關於一種蓋層、研磨墊、研磨墊的應用方法及研磨方法，且特別是有關於一種蓋層、具有蓋層的研磨墊、避免研磨墊形變的方法及研磨方法。

隨著產業的進步，平坦化製程經常被採用為生產各種元件的製程。在平坦化製程中，研磨製程經常為產業所使用。研磨製程是將研磨物件吸附於研磨系統之研磨頭，並施加一壓力以將其壓置於研磨墊上，且讓研磨物件與研磨墊彼此進行相對運動，而使其表面逐漸平坦，來達成平坦化的目的。

在進行研磨之前，研磨墊須先置放並固定於研磨平台上。然而，由於研磨墊容易因為溫度變化或是應力的影響而產生形變（或翹曲），若是研磨墊產生形變（或翹曲），將會影響其固定於研磨平台上的平整度。

因此，如何提供一種使研磨墊不易形變（或翹曲）的方法，並且能夠使研磨墊平整固定於研磨平台上就成為相當重要的研究課題。

本發明提供一種蓋層、具有蓋層的研磨墊、避免研磨墊形變的方法以及研磨方法，使研磨墊不易產生變形，可以平整固定於研磨平台上。

本發明所提供的研磨墊，包括研磨層、溝槽圖案以及蓋層。研磨層具有第一表面以及第二表面。溝槽圖案位於研磨層之第一表面。蓋層位於第一表面上且覆蓋溝槽圖案。

本發明所提供的避免研磨墊形變的方法，包括提供研磨墊，研磨墊包括研磨層、溝槽圖案以及蓋層。研磨層具有第一表面以及第二表面。溝槽圖案位於研磨層之第一表面。蓋層位於第一表面上且覆蓋溝槽圖案。

本發明所提供的研磨方法，用於研磨一研磨物件，包括提供研磨墊；將研磨墊放置於研磨平台上；向研磨平台的方向對蓋層施予一向下壓力，以使研磨墊固定於研磨平台上；將蓋層自研磨墊移除；以及將研磨物件置於研磨墊上以進行研磨程序。其中，研磨墊包括研磨層、溝槽圖案以及蓋層。研磨層具有第一表面以及第二表面。溝槽圖案位於研磨層之第一表面。蓋層位於第一表面上且覆蓋溝槽圖案，其中，蓋層包括覆蓋部以覆蓋研磨層之第一表面並與研磨層重疊設置。

基於上述，由於本發明的研磨墊包括研磨層、溝槽圖案以及蓋層，且所述蓋層可在後續程序中自研磨墊移除。因此，當進行研磨程序之前，將蓋層壓於研磨層上能夠使研磨墊平整固定於研磨平台上，減少研磨墊產生形變（或翹曲），亦可避免在研磨層表面產生汙染。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。

圖1A至圖1D是將本發明一實施方式之研磨墊應用於研磨系統之研磨程序的過程側視示意圖，以及圖2是研磨程序的流程圖。

根據本發明提出的研磨方法，其是將本發明所揭露的研磨墊應用於研磨程序中，用於研磨一研磨物件。

請同時參照圖1A及圖2的步驟S201和步驟S202。首先，提供研磨墊100，其至少包括研磨層102，且在研磨層102上方具有蓋層106。接著，將研磨墊100放置於研磨平台120上。

參照圖1B及圖2的步驟S203。待研磨墊100放置於研磨平台120上之後，向研磨平台120的方向對蓋層106施予一向下壓力（受力方向如箭頭方向所示），以使研磨墊100固定於研磨平台120上，固定的方式例如是使用黏著、真空吸附、靜電吸附或是磁力吸附等方式，但並非用以限定本發明之範圍，亦可選擇其他合適的固定方式。若研磨墊100使用黏著方式固定於研磨平台120上，研磨墊100下方則另外包括一背膠層（未繪示），例如是使用感壓雙面膠將研磨墊100黏著於研磨平台120上。

接下來請參照圖1C及圖2的步驟S204。將蓋層106自研磨墊100中移除，此時研磨平台120上的研磨墊100只留下研磨層102。

最後，參照圖1D及圖2的步驟S205，將研磨物件10置於不具有蓋層106的研磨墊100上以進行研磨程序。

值得說明的是，經由前述將研磨墊100固定於研磨平台120的步驟為對蓋層106施予壓力，而非直接接觸研磨層102表面。此外，在研磨墊100固定於研磨平台120上之後，將蓋層106自研磨墊100移除以進行研磨程序。因此，可避免操作人員或所使用工具直接接觸研磨層102表面，以減少在研磨層102表面產生汙染（缺陷源），進而使研磨物件減少刮傷或缺陷的機率。

圖3A是根據圖1A所示框線區域之研磨墊局部放大示意圖（未依照實際比例繪製）。根據本實施方式，研磨墊100，至少包括研磨層102、溝槽圖案104以及蓋層106。研磨層102具有第一表面102a以及第二表面102b。溝槽圖案104位於研磨層102之第一表面102a。蓋層106位於第一表面102a上方並且覆蓋溝槽圖案104。

在研磨墊100中，蓋層106包括覆蓋部106a，覆蓋部106a覆蓋研磨層102之第一表面102a而與研磨層102重疊設置。在本實施方式中，蓋層106之覆蓋部106a覆蓋溝槽圖案104，但未填入溝槽圖案104內，以使蓋層106與溝槽圖案104之間具有完整的溝槽空隙。蓋層106的材料例如是聚合物、金屬或是陶瓷材料，但並非用以限定本發明之範圍。蓋層106之覆蓋部106a的平均厚度例如為介於0.05至5 mm，覆蓋部106a例如是以重力方式壓置於研磨層102上，或是以黏貼方式與研磨層102重疊設置，由於覆蓋部106a具有一定的抗形變強度，因此可減少研磨墊100因為溫度變化或是應力的影響而形變（或翹曲）。

蓋層106之覆蓋部106a的下表面可選擇包括黏著層（未繪示），其與研磨層102之第一表面102a以可剝離的方式相黏。黏著層與研磨層102之第一表面102a間的黏著力（例如為小於1.5 kgf/inch）小於黏著層本身的內聚力（cohesive force），並且小於黏著層與覆蓋部106a間的黏著力（例如為大於1.5 kgf/inch）。因此，蓋層106之覆蓋部106a連同黏著層可從研磨層102之第一表面102a上剝離，而不會留下殘膠，甚至可重複使用（黏貼及剝離）於不同的研磨層102上。在一實施例中，黏著層配置於覆蓋部106a與研磨層102之第一表面102a的部份或整個接觸面上，黏著層例如為雙面膠，此雙面膠其中與覆蓋部106a相黏面之膠系例如為壓克力膠系或熱熔膠系，而與研磨層102之第一表面102a相黏面之膠系例如為矽膠系或橡膠系。在另一實施例中，黏著層配置於覆蓋部106a的整個下表面，覆蓋部106a連同黏著層例如為單面膠，此單面膠其中與研磨層102之第一表面102a相黏面之膠系例如為矽膠系或橡膠系，而覆蓋部106a為此單面膠之承載膜（carrier film），例如為聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）膜。

蓋層106可選擇包括握持部106b，握持部106b與覆蓋部106a連接且不與研磨層102重疊設置，握持部106b使得將蓋層106自研磨墊100中移除（如圖2的步驟S204）較為容易。在一實施例中，握持部106b例如是與覆蓋部106a一體相連並為覆蓋部106a向外延伸的一個部分，也就是與覆蓋部106a具有相同材料並且沒有彼此的分界線。在另一實施例中，握持部106b例如是與覆蓋部106a相連接（例如是黏著方式相連接）的分別個體，握持部106b例如是另外黏在覆蓋部106a邊緣的膠帶。

為了更清楚描述本發明實施方式，請參考圖3B。圖3B是圖1A研磨系統的上視圖，由此可看出，在研磨墊100中，蓋層106的覆蓋部106a覆蓋於研磨層102（以細虛線表示）上方，而握持部106b則為覆蓋部106a相連接的一個部份。圖3B中所繪示為單一個長方形握持部106b，但本發明不限於此，握持部106b可以是複數個，也可以具有不同形狀，甚至可選擇為覆蓋部106a所有周圍皆向外延伸的環狀握持部106b。另外，研磨層102上可具有多種不同的溝槽圖案分布，可以是同心環狀、不同心環狀、橢圓環狀、波浪環狀、不規則環狀、多條直線狀、平行直線狀、放射直線狀、放射弧線狀、螺旋狀、多角格狀、或其組合。此處僅為例示性繪製為同心圓（以粗虛線表示），但本發明不限於此。

在本實施方式中，研磨層102例如是由聚合物基材所構成，其中聚合物基材可以是聚酯(polyester)、聚醚(polyether)、聚氨酯(polyurethane)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丁二烯(polybutadiene)、或其餘經由合適之熱固性樹脂(thermosetting resin)或熱塑性樹脂(thermoplastic resin)所合成之聚合物基材。研磨層102除聚合物基材外，另可包含導電材料、研磨顆粒、微球體(micro-sphere)或可溶解添加物於此聚合物基材中。

圖4是本發明另一實施方式之研磨墊示意圖（未依照實際比例繪製）。在本實施方式中，研磨墊200類似於圖3A及圖3B中的研磨墊100，因此，在圖4中，研磨墊200的元件以及相關敘述可參考圖3A及圖3B的研磨墊100，與圖3A及圖3B相同的元件以相同的符號表示，且相同元件所具有的相同特徵將不再重複贅述。研磨墊200與研磨墊100的差異在於，蓋層106可更包括突出部106c，其與覆蓋部106a相連接。突出部106c可填入於溝槽圖案104內，突出部106c例如為具有與溝槽圖案104互補之形狀。

請參照圖4，詳細而言，蓋層106之突出部106c的高度可例如為溝槽圖案104的深度的5%至小於100%（例如為溝槽圖案104的深度的10%至90%；20%至80%；30%至70%；40%至60%；或50%），換言之，當突出部106c填入溝槽圖案104時，突出部106c填入至溝槽圖案104的深度為溝槽圖案104的深度的5%至小於100%，以使蓋層106與溝槽圖案104之間具有部份的溝槽空隙。圖4所繪示突出部106c皆具有相同高度，但並非用以限定本發明之範圍，突出部106c亦可選擇具有不同高度，使得在不同區域填入至溝槽圖案104的深度不同。

值得一提的是，蓋層106的突出部106c具有與溝槽圖案104互補之形狀並填入於溝槽圖案104內，突出部106c可限制溝槽圖案104的尺寸變化，也就是使研磨層102不會內凹或外凸，因此蓋層106除了如圖3A及圖3B的研磨墊100所述的功能之外，蓋層106具有的突出部106c可進一步減少研磨墊200產生形變（或翹曲）。

圖5是本發明另一實施方式之研磨墊示意圖（未依照實際比例繪製）。在本實施方式中，研磨墊300類似於圖3A及圖3B中的研磨墊100，因此，在圖5中，研磨墊300的元件以及相關敘述可參考圖3A及圖3B的研磨墊100，與圖3A及圖3B相同的元件以相同的符號表示，且相同元件所具有的相同特徵將不再重複贅述。研磨墊300與研磨墊100的差異在於，蓋層106可更包括突出部106c，其與覆蓋部106a相連接。突出部106c可填入於溝槽圖案104內，突出部106c例如為具有與溝槽圖案104互補之形狀。

請參照圖5，溝槽圖案104的深度與突出部106c的高度一致。進一步來說，蓋層106之突出部106c的高度可例如為溝槽圖案104的深度的100%，換言之，突出部106c可完整填入溝槽圖案104內，以使蓋層106與溝槽圖案104之間不具有溝槽空隙。

比較圖4及圖5所揭露的實施方式，其差異在於，蓋層106之突出部106c的高度。舉例而言，當突出部106c的高度為溝槽圖案104的深度的5%至小於100%時，突出部106c僅填入溝槽圖案104部份深度（如圖4所示）；相對地，當突出部106c的高度為溝槽圖案104的深度的100%時，突出部106c則會填滿整個溝槽圖案104（如圖5所示）。

值得說明的是，在本實施方式中，當突出部106c的高度為溝槽圖案104的深度的100%（即突出部106c填滿整個溝槽圖案104）時，可利於藉由施加壓力於蓋層106，使蓋層106獲得一朝向研磨平台方向的力（受力方向請參考圖5中箭頭所示方向），此時研磨墊300可均勻受力。也就是說，不論研磨墊300用何種方式固定於研磨平台上時，研磨墊300背面對應至溝槽圖案104區域及非溝槽圖案區域所受壓力一致，因此可使研磨墊300更平整地固定於研磨平台上，更可進一步減少研磨墊300產生形變（或翹曲）。

另外，本發明提出一種避免研磨墊形變的方法及一種研磨方法，其是將本發明所揭露的研磨墊應用於研磨程序中，步驟揭露如下。

首先，提供研磨墊，其包括研磨層、溝槽圖案以及蓋層。研磨層具有第一表面以及第二表面，溝槽圖案位於研磨層之第一表面。蓋層位於第一表面上方並且覆蓋溝槽圖案，以避免研磨墊形變。接著，將研磨墊放置於研磨平台上，再向研磨平台的方向對蓋層施予一向下壓力，以使研磨墊固定於研磨平台上。最後，將蓋層自研磨墊移除以進行研磨程序。此外，在一些實施例中，研磨層的第二表面與研磨平台的接觸面之間可以包括背膠層，並且透過如前述對蓋層施加向下的壓力，使得研磨墊可平整黏貼於研磨平台上。

上述各實施例中之研磨墊及研磨方法可應用於如半導體、積體電路、微機電、能源轉換、通訊、光學、儲存碟片、及顯示器等元件的製作中所使用之研磨設備及製程，製作這些元件所使用的研磨物件可包括半導體晶圓、ⅢⅤ族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但並非用以限定本發明之範圍。此外，上述各實施例中之研磨墊之研磨層均以單層結構做說明及繪示，研磨層也可以是雙層結構，例如是包括硬度較高（或壓縮較小）之上層及硬度較低（或壓縮較大）之底層，但並非用以限定本發明之範圍，研磨墊之研磨層亦可選擇為多層結構。

綜上所述，根據本發明所提供的蓋層、具有蓋層的研磨墊、避免研磨墊形變的方法及研磨方法，藉由在研磨墊提供蓋層於研磨層上，可使研磨墊較不易產生形變（或翹曲）。並且，在蓋層與研磨層之間可選擇性地加入黏著層，使蓋層與研磨層之間以可剝離的方式相黏，且在後續程序中將蓋層從研磨墊移除。除此之外，透過施加壓力於蓋層上，可使研磨墊均勻受力，而平整固定於研磨平台上。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧研磨物件
100‧‧‧研磨墊
102‧‧‧研磨層
102a‧‧‧第一表面
102b‧‧‧第二表面
104‧‧‧溝槽圖案
106‧‧‧蓋層
106a‧‧‧覆蓋部
106b‧‧‧握持部
106c‧‧‧突出部
108‧‧‧黏著層
110‧‧‧背膠層
120‧‧‧研磨平台
S201、S202、S203、S204‧‧‧步驟

圖1A至圖1D是將本發明一實施方式之研磨墊應用於研磨系統之研磨程序的過程側視示意圖。 圖2是研磨程序的流程圖。 圖3A是根據圖1A所示框線區域之研磨墊局部放大示意圖，圖3B是圖1A研磨系統的上視圖（未依照實際比例繪製）。 圖4是本發明另一實施方式之研磨墊示意圖（未依照實際比例繪製）。 圖5是本發明另一實施方式之研磨墊示意圖（未依照實際比例繪製）。

100‧‧‧研磨墊

102‧‧‧研磨層

102a‧‧‧第一表面

102b‧‧‧第二表面

104‧‧‧溝槽圖案

106‧‧‧蓋層

106a‧‧‧覆蓋部

106b‧‧‧握持部

Claims (40)

1. 一種研磨墊，包括： 一研磨層，其具有一第一表面以及一第二表面； 一溝槽圖案，位於該研磨層之該第一表面；以及 一蓋層，位於該第一表面上且覆蓋該溝槽圖案。
2. 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中該蓋層包括一覆蓋部，覆蓋該研磨層之該第一表面並與該研磨層重疊設置。
3. 如申請專利範圍第2項所述的研磨墊，其中該覆蓋部的平均厚度介於0.05至5 mm。
4. 如申請專利範圍第2項所述的研磨墊，其中該蓋層更包括一黏著層，位於該蓋層之該覆蓋部的下表面，且與該研磨層之該第一表面以可剝離的方式相黏。
5. 如申請專利範圍第4項所述的研磨墊，其中該黏著層與該研磨層之該第一表面間的黏著力小於該黏著層本身的內聚力，並且小於該黏著層與該覆蓋部間的黏著力。
6. 如申請專利範圍第2項所述的研磨墊，其中該蓋層更包括至少一握持部，與該覆蓋部連接且不與該研磨層重疊設置。
7. 如申請專利範圍第2項所述的研磨墊，其中該蓋層更包括一突出部，與該覆蓋部連接，且該突出部填入該溝槽圖案內。
8. 如申請專利範圍第7項所述的研磨墊，其中該突出部的高度為該溝槽圖案的深度的5%至100%。
9. 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中該蓋層與該溝槽圖案之間具有完整的溝槽空隙或部份的溝槽空隙，或該蓋層與該溝槽圖案之間不具有溝槽空隙。
10. 如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中該研磨墊更包括一背膠層，位於該研磨層之該第二表面上。
11. 一種蓋層，用於一研磨墊，該研磨墊具有一研磨層，該蓋層包括： 一覆蓋部，可覆蓋該研磨墊之該研磨層並與該研磨層重疊設置；以及 至少一握持部，與該覆蓋部連接且不與該研磨層重疊設置。
12. 如申請專利範圍第11項所述的蓋層，其中該覆蓋部的平均厚度介於0.05至5 mm。
13. 如申請專利範圍第11項所述的蓋層，其中該蓋層更包括一突出部，與該覆蓋部連接。
14. 如申請專利範圍第11項所述的蓋層，其中該蓋層更包括一黏著層，位於該蓋層之該覆蓋部的下表面，可與該研磨層之該第一表面以可剝離的方式相黏。
15. 如申請專利範圍第14項所述的蓋層，其中該黏著層與該研磨層之該第一表面間的黏著力小於該黏著層本身的內聚力，並且小於該黏著層與該覆蓋部間的黏著力。
16. 一種蓋層，用於一研磨墊，該研磨墊包括一溝槽圖案，該蓋層包括： 一覆蓋部，可覆蓋該研磨墊之該研磨層並與該研磨層重疊設置；以及 一突出部，與該覆蓋部連接，且該突出部可填入該溝槽圖案內。
17. 如申請專利範圍第16項所述的蓋層，其中該突出部的高度為該溝槽圖案的深度的5%至100%。
18. 如申請專利範圍第16項所述的蓋層，其中該蓋層與該溝槽圖案之間具有部份的溝槽空隙，或該蓋層與該溝槽圖案之間不具有溝槽空隙。
19. 如申請專利範圍第16項所述的蓋層，更包括一黏著層，位於該覆蓋部與該研磨墊之間。
20. 如申請專利範圍第16項所述的蓋層，其中該蓋層更包括至少一握持部，與該覆蓋部連接且不與該研磨層重疊設置。
21. 一種避免研磨墊形變的方法，包括： 提供一研磨墊，包括： 一研磨層，其具有一第一表面以及一第二表面； 一溝槽圖案，位於該研磨層之該第一表面；以及 一蓋層，位於該第一表面上且覆蓋該溝槽圖案。
22. 如申請專利範圍第21項所述的避免研磨墊形變的方法，其中該蓋層包括一覆蓋部，覆蓋該研磨層之該第一表面並與該研磨層重疊設置。
23. 如申請專利範圍第22項所述的避免研磨墊形變的方法，其中該覆蓋部的平均厚度介於0.05至5 mm。
24. 如申請專利範圍第22項所述的避免研磨墊形變的方法，其中該蓋層更包括一黏著層，位於該蓋層之該覆蓋部的下表面，且與該研磨層之該第一表面以可剝離的方式相黏。
25. 如申請專利範圍第24項所述的避免研磨墊形變的方法，其中該黏著層與該研磨層之該第一表面間的黏著力小於該黏著層本身的內聚力，並且小於該黏著層與該覆蓋部間的黏著力。
26. 如申請專利範圍第22項所述的避免研磨墊形變的方法，其中該蓋層更包括至少一握持部，與該覆蓋部連接且不與該研磨層重疊設置。
27. 如申請專利範圍第22項所述的避免研磨墊形變的方法，其中該蓋層更包括一突出部，與該覆蓋部連接，且該突出部填入該溝槽圖案內。
28. 如申請專利範圍第27項所述的避免研磨墊形變的方法，其中該突出部的高度為該溝槽圖案的深度的5%至100%。
29. 如申請專利範圍第21項所述的避免研磨墊形變的方法，其中該蓋層與該溝槽圖案之間具有完整的溝槽空隙或部份的溝槽空隙，或該蓋層與該溝槽圖案之間不具有溝槽空隙。
30. 如申請專利範圍第21項所述的避免研磨墊形變的方法，其中該研磨墊更包括一背膠層，位於該研磨層之該第二表面上。
31. 一種研磨方法，用於研磨一研磨物件，包括： 提供一研磨墊，包括： 一研磨層，其具有一第一表面以及一第二表面； 一溝槽圖案，位於該研磨層之該第一表面；以及 一蓋層，位於該第一表面上且覆蓋該溝槽圖案，其中該蓋層包括一覆蓋部，該覆蓋部覆蓋該研磨層之該第一表面並與該研磨層重疊設置； 將該研磨墊放置於一研磨平台上； 向該研磨平台的方向對該蓋層施予一向下壓力，以使該研磨墊固定於該研磨平台上； 將該蓋層自該研磨墊移除；以及 將該研磨物件置於該研磨墊上以進行一研磨程序。
32. 如申請專利範圍第31項所述的研磨方法，其中該蓋層更包括至少一握持部，與該覆蓋部連接且不與該研磨層重疊設置。
33. 如申請專利範圍第31項所述的研磨方法，其中將該蓋層自該研磨墊移除的步驟為利用該蓋層之該握持部以使將該蓋層自該研磨墊移除。
34. 如申請專利範圍第31項所述的研磨方法，其中該覆蓋部的平均厚度介於0.05至5 mm。
35. 如申請專利範圍第31項所述的研磨方法，其中該蓋層更包括一黏著層，位於該蓋層之該覆蓋部的下表面，且與該研磨層之該第一表面以可剝離的方式相黏。
36. 如申請專利範圍第35項所述的研磨方法，其中該黏著層與該研磨層之該第一表面間的黏著力小於該黏著層本身的內聚力，並且小於該黏著層與該覆蓋部間的黏著力。
37. 如申請專利範圍第31項所述的研磨方法，其中該蓋層更包括一突出部，與該覆蓋部連接，且該突出部填入該溝槽圖案內。
38. 如申請專利範圍第37項所述的研磨方法，其中該突出部的高度為該溝槽圖案的深度的5%至100%。
39. 如申請專利範圍第31項所述的研磨方法，其中該蓋層與該溝槽圖案之間具有完整的溝槽空隙或部份的溝槽空隙，或該蓋層與該溝槽圖案之間不具有溝槽空隙。
40. 如申請專利範圍第31項所述的研磨方法，其中該研磨墊更包括一背膠層，位於該研磨層之該第二表面上。