TW201727248A - 晶粒檢測裝置及晶粒傳送方法 - Google Patents

Abstract

一種晶粒檢測裝置，包含第一取置平台、攝像裝置、第二取置平台、移載機構與校正模組。攝像裝置用以擷取第一取置平台之第一承載面上之影像。校正模組根據影像計算出目標點與旋轉校正量。移載機構包含座體、擺臂與取放吸嘴。擺臂之第一端連接於座體且取放吸嘴位於擺臂之第二端。擺臂根據預定旋轉量與旋轉校正量作動，以補償晶粒之旋轉偏移量且將晶粒自第一取置平台移至第二取置平台。

Description

晶粒檢測裝置及晶粒傳送方法

本發明提供一種檢測裝置與傳送方法，特別是一種可提高晶粒（Die）之傳送速率與檢測速率的晶粒檢測裝置及晶粒傳送方法。

發光二極體（LED）是一種可發光之半導體電子元件，由於發光二極體具有效率高、反應速度快、壽命長等優點，故近年來已廣泛應於照明燈具、交通號誌、顯示面板等領域上。

一般於市面所看到之發光二極體，多係為半導體晶粒（die）經由封裝成一體的發光組件。由於晶粒乃為發光二極體中之核心，且其影響發光二極體之發光特性甚劇，因此，於完成晶粒之製作後，一般皆需針對所生產之各個晶粒進行光電特性之檢測，對各晶粒之電氣特性及/或光電特性進行分類，以應用於不同產品。

在晶粒的檢測過程中，一般需透過檢測裝置的擺臂將切割平台上之每一晶粒移位至另一檢測平台上來進行檢測程序。然而，在此之前，晶圓切割裝置會先將軟性薄膜拉展延伸以擴張晶粒間之間距，因而致使晶粒出現分布距離不同以及位置偏移等問題。此外，晶粒於檢測平台上欲透過檢測裝置的擺臂移位至另一平台前，晶粒於檢測平台上亦可能於檢測過程中因探針之碰觸而出現旋轉、移位等問題。

然而，上述此些位置偏移、晶粒旋轉等問題將會影響整體之傳送速率與檢測速率，且導致擺臂上之取放吸嘴無法精準吸取並精準移位至預設位置上釋放，甚至可能致使晶粒因取放吸嘴未精準吸取而受到損害，例如：掉落。因此，如何使擺臂上之取放吸嘴可精準地將晶粒吸取並將晶粒精準地移位至預設位置上釋放，並提升整體之傳送速率與檢測速率，以降低整體之生產成本，實為本技術領域之人員所欲琢磨的重要課題。

有鑑於此，本發明之一實施例提供一種晶粒檢測裝置，包含第一取置平台、攝像裝置、第二取置平台、校正模組與移載機構。第一取置平台具有第一承載面，且第一承載面可用以承載晶粒。攝像裝置具有攝像鏡頭，且攝像裝置係以攝像鏡頭朝向第一承載面而設置於第一承載面之上方。於此，攝像裝置可用以擷取晶粒之影像。第二取置平台具有第二承載面。移載機構位於第一取置平台與第二取置平台之間。校正模組耦接於攝像裝置。校正模組可用以根據晶粒之影像來計算出晶粒的目標點以及旋轉偏移量，並可根據旋轉偏移量來計算出旋轉校正量。移載機構耦接至校正模組且位於第一取置平台與第二取置平台之間。移載機構可包含座體、擺臂與取放吸嘴。於此，擺臂具有第一端與相對於第一端之第二端，其中擺臂係以其第一端連接於座體，且擺臂可以其第一端為軸心而可旋轉於第一承載面與第二承載面之間。而取放吸嘴係位於擺臂之第二端。其中，擺臂可以一預定旋轉量為其預設之旋轉量，而使得擺臂可在第一取置平台之第一承載面的第一預定位置以及第二取置平台之第二承載面的第二預定位置之間作動。於此，當晶粒具有旋轉偏移量時，擺臂可根據預定旋轉量以及旋轉校正量作動，來補償晶粒之旋轉偏移量，並旋轉至第一承載面時可自晶粒之目標點吸取晶粒且將晶粒一至第二承載面之放置點上來置放晶粒。

本發明之一實施例中提供一種晶粒傳送方法，包含：擷取晶粒之影像；根據影像計算晶粒之目標點與旋轉偏移量；根據旋轉偏移量計算旋轉校正量；以及根據預定旋轉量與旋轉校正量驅動擺臂，以補償晶粒之旋轉偏移量，並使得擺臂可在第一承載面自晶粒之目標點吸取晶粒且將晶粒自第一承載面移至第二承載面之放置點上來放置晶粒。

綜上所述，根據本發明一實施例之晶粒檢測裝置與晶粒傳送方法，透過驅動擺臂根據預定旋轉量與旋轉校正量進行作動，來補償晶粒之旋轉偏移量，以提升晶粒自第一承載面移送至第二承載面之放置點上的傳送速率以及檢測速率，進而可降低整體之生產成本。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者瞭解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。

請參閱第1圖與第2圖，晶粒檢測裝置100包含至少二取置平台（以下分別稱之為第一取置平台110與第二取置平台120）、攝像裝置130、校正模組150與至少一移載機構140。以下，是以二取置平台110、120與一移載機構140為例來進行說明，然而本發明並非以此為限，取置平台之數量與移載機構之數量端視使用需求而定。例如，取置平台之數量可為3個，移載機構之數量可為2個，且此二移載機構與三取置平台係分別間隔排列。

第一取置平台110可包含第一置放部112，且第一置放部112具有可用以承載晶粒C1的第一承載面110a。

在本實施例中，第一置放部112可為晶圓環，而由於晶圓環一般係為中空框體結構而具有一窗口，故晶圓環之底部可黏貼有軟性薄膜，例如：藍膜（blue tape），以便於此軟性薄膜上放置已完成晶圓切割且待測試的晶粒C1，而此時之第一承載面110a係指軟性薄膜之表面。此外，第一取置平台110更可包含頂針機構（圖未示），設置於第一置放部112之窗口的下方。於此，頂針機構可透過移位組件（圖未示）協助移動，以由下往上頂之方式協助移載機構140之取放吸嘴143揀取位於軟性薄膜上之晶粒C1。然而，本發明不以此為限，第一置放部112可為一實體平台，第一承載面110a即為實體平台之上表面，且晶粒C1或貼片晶圓係可直接置放於第一置放部112之第一承載面110a上。於此，貼片晶圓係指切割後之晶圓以及用於晶圓貼附之軟性薄膜的組合。

此外，需注意的是一般所述之晶粒C1之面積或體積非常微小。為了方便顯示及說明，在本發明之圖式中的所有晶粒C1與晶粒檢測裝置100間的比例大小可能與實際上之比例不符，於此僅作為參考而非用以限制本發明。在一實際例子中，晶粒C1的大小可約略等於或僅略大於後述之取放吸嘴143的大小。

同樣地，第二取置平台120可包含第二置放部122，且第二置放部122具有可用以承載晶粒C1的第二承載面120a。在本實施例中，第二置放部122可為晶圓環，而由於晶圓環一般係為中空框體，故晶圓環之底部可黏貼有軟性薄膜，例如：藍膜，以便於此軟性薄膜上放置晶粒C1，其中，此時之第二承載面120a係指軟性薄膜。然而本發明不以此為限，第二置放部122可為一實體平台，第二承載面120a即為實體平台之上表面，且晶粒C1係可直接置放於第二置放部122之第二承載面120a上。此外，第二置放部122之第二承載面120a上可先貼附有軟性薄膜，以避免放置於第二承載面120a上之晶粒C1受到外界干擾而有所移位或轉動。

在本實施例中，上述之第一取置平台110與第二取置平台120可以XYZ滑台（XYZ-table）及T軸機構 （T-table）來實現，第一取置平台110與第二取置平台120可於水平面（即XY平面）上移動，也可透過升降結構而沿垂直於水平面之Z軸移動，此外，也可以透過旋轉軸心方式進行T軸移動。然而，本發明並非以此為限，第一取置平台110與第二取置平台120可以上述的各軸作排列組合實現。

攝像裝置130具有攝像鏡頭131，且攝像裝置130可以其攝像鏡頭131朝向第一承載面110a以擷取位於第一承載面110a上之晶粒C1的影像S1。在另一實施例中，攝像裝置130亦可以其攝像鏡頭131朝向第二承載面120a以擷取位於第二承載面120a上之晶粒C1的影像。於此，攝像裝置130可為照相機、攝影機、或CCD（charge-coupled device）相機等。

校正模組150耦接至攝像裝置130，並接收來自攝像裝置130所擷取的影像S1。在本實施例中，校正模組150可用以根據攝像裝置130所擷取的影像S1計算出晶粒C1的一目標點T1，且可根據影像S1與原先設定之預設畫面來判斷晶粒C1是否出現旋轉現象，並可根據判斷之結果來計算出晶粒C1之旋轉偏移量，進而可再根據計算出之旋轉偏移量產生對應之旋轉校正量S2。在一實施例中，校正模組150係透過影像分析技術來計算出所需之目標點T1與旋轉校正量S2。於此，目標點T1係為晶粒C1上用以供後述之移載機構140上之取放吸嘴143對準之用。在本實施例中，校正模組150可直接以晶粒C1之中心點作為所述之目標點T1，然本發明不以此為限。

於此，校正模組150可運用軟體程式搭配處理器來實現。

移載機構140位於第一取置平台110與第二取置平台120之間。在本實施例中，移載機構140包含座體141、擺臂142以及取放吸嘴143。擺臂142包含具有相對之二端（以下分別稱之為第一端與第二端）。其中，擺臂142係以其第一端連接於座體141，並以此第一端作為其轉動之軸心，而取放吸嘴143則位於擺臂142之第二端。因此，移載機構140之擺臂142可於第一取置平台110至第二取置平台120之範圍間轉動，且透過取放吸嘴143將晶粒C1自第一取置平台110吸起並移置到第二取置平台120之第二承載面120a上的一放置點P1。

在本實施例中，移載機構140可包含真空泵（圖未示），真空泵可透過管線連通至位於擺臂142之第二端的取放吸嘴143，以使取放吸嘴143具有真空吸引之功能。

此外，移載機構140可耦接至校正模組150，以根據校正模組150所產生之旋轉校正量S2以及對應於晶粒C1在第一承載面110a之位置的一預定旋轉量S3來驅動擺臂142進行相應之旋轉動作，並將晶粒C1自第一取置平台110移置到第二取置平台120。其中，移載機構140之詳細作動將留待後述。

於此，預定旋轉量S3係指晶粒C1於不具有旋轉偏移量時，擺臂142於第一承載面110a之第一預定位置與第二承載面120a之第二預定位置之間轉動所需之轉動量。其中，第一預定位置即為晶粒C1在第一承載面110a上之初始位置，第二預定位置則為晶粒C1在第二承載面120a上之預定的放置點P1。

晶粒檢測裝置100更可包含水平位移機構160，耦接至校正模組150。在本實施例中，當擺臂142為吸起晶粒C1而移動至第一取置平台110時，水平位移機構160可根據校正模組150所產生之目標點T1來調整位於第一取置平台110之第一承載面110a上之晶粒C1與擺臂142的相對位置，以使擺臂142旋轉至第一取置平台110之第一承載面110a後，位於擺臂142上之取放吸嘴143可對準於晶粒C1的目標點T1並自此目標點T1吸起晶粒C1。

在一實施態樣中，水平位移機構160可設置於第一取置平台110下，以帶動第一取置平台110進行移位來改變晶粒C1與擺臂142的相對位置。然而，本發明並非以此為限，在另一實施態樣中，水平位移機構160可設置於移載機構140下，以帶動移載機構140進行移位來改變晶粒C1與擺臂142的相對位置。

而當擺臂142為擺放晶粒C1而移動至第二取置平台120時，水平位移機構160亦可根據預存於校正模組150中之一放置點P1來調整位於擺臂142上之取放吸嘴143與第二取置平台120的相對位置，以使擺臂142旋轉至第二取置平台120之第二承載面120a後，位於擺臂142上之取放吸嘴143可將晶粒C1放置於第二承載面120a之放置點P1上。

在一實施態樣中，水平位移機構160可設置於移載機構140下，以帶動移載機構140進行移位來改變取放吸嘴143與第二取置平台120的相對位置。然而，本發明並非以此為限，在另一實施態樣中，水平位移機構160可設置於第二取置平台120下，以帶動第二取置平台120進行移位來改變取放吸嘴143與第二取置平台120的相對位置。

請參閱第1圖至第4圖，本實施例之晶粒傳送方法主要係透過驅動晶粒檢測裝置100之擺臂142來根據預定旋轉量S3與旋轉校正量S2進行旋轉動作，以補償晶粒C1之旋轉偏移量，並搭配驅動水平位移機構160進行水平移動，以將晶粒C1自第一取置平台110移放至第二取置平台102。由於在本實施例之晶粒傳送方法中，所有之旋轉作動皆係由擺臂142來完成，故相較於習知藉由取置平台來進行轉動作動之晶粒傳送方法，更可提昇整體之傳送與檢測速率。

本發明一實施例之晶粒傳送方法包含擷取晶粒C1之影像S1（步驟S11）、根據影像S1計算晶粒C1之目標點T1與旋轉偏移量（步驟S12）、根據旋轉偏移量計算旋轉校正量S2（步驟S13）、以及根據預定旋轉量S3與旋轉校正量S2驅動擺臂142，以補償晶粒C1之旋轉偏移量，並使擺臂142可將晶粒C1自第一承載面110a移至第二承載面120a之放置點P1（步驟S14）。

在步驟S11中，晶粒檢測裝置100可透過位於第一取置平台110上方之攝像裝置130對位於第一取置平台110之第一承載面110a上的晶粒C1或貼片晶圓（切割後之晶圓以及用於晶圓貼附之軟性薄膜的組合）擷取影像S1。

在步驟S12中，晶粒檢測裝置100可透過校正模組150根據攝像裝置130所擷取到之影像S1找到所需之目標點T1的位置，並將影像S1與預設影像資訊進行比較，以判斷並計算出晶粒C1的旋轉偏移量。於此，校正模組150係以晶粒C1之中心點作為目標點T1，然而本發明並不以此為限。

請參閱第4圖，實線用以繪示晶粒C1於攝像裝置130擷取影像S1時所呈現的一態樣，且虛線用以繪示晶粒C1’原本應該呈現的態樣。因此，在一實施態樣中，校正模組150可透過將實線所示之晶粒C1與虛線所示之晶粒C1’比較而得知晶粒C1的旋轉偏移量或直接藉由影像分析技術對影像S1進行分析來獲取所需之目標點T1與旋轉偏移量。

在步驟S13中，晶粒檢測裝置100可透過校正模組150根據其計算出的旋轉偏移量來產生對應之旋轉校正量S2。

舉例而言，假若校正模組150根據影像S1所得之旋轉偏移量為+30度（即晶粒C1相對於晶粒C1’順時鐘偏移了30度）時，校正模組150可根據旋轉偏移量，即+30度，計算出旋轉校正量S2為-30度。

在步驟S14中，晶粒檢測裝置100之移載機構140的擺臂142可根據於步驟S13中所得到之旋轉校正量S2與預設之預定旋轉量S3進行相應之旋轉動作，以補償晶粒C1之旋轉偏移量，並使得擺臂142旋轉至第一取置平台110時可自晶粒C1之目標點T1將晶粒C1從第一承載面110a上吸起，並可將晶粒C1移置於第二取置平台120之第二承載面120a的放置點P1上（如第6圖至第14圖所示）。

其中，預定旋轉量S3是指晶粒C1於不具有旋轉偏移量時(如第4圖C1’)，擺臂142將晶粒C1自第一承載面110a之第一預定位置（即，初始位置）移動至第二承載面120a之第二預定位置（即，放置點）的所需旋轉角度。在第一承載面110a上，擺臂142會通過晶粒C1的下側邊到晶粒C1的目標點T1將晶粒C1取起，在晶粒C1不具有旋轉偏移量的狀態下，擺臂142與晶粒C1的下側邊之間具有一夾角θ，如第5圖所示。

在本發明之一實施態樣中，擺臂142可於欲旋轉至第一承載面110a之第一預定位置時，進行對晶粒C1之旋轉偏移量的補償，而依據預定旋轉量S3與校正模組150所產生之旋轉校正量S2旋轉至第一承載面110a。此外，在本實施態樣中，更透過水平位移機構160依據校正模組150所輸出之目標點T1來調整晶粒C1與擺臂142之相對位置，以使擺臂142於依據預定旋轉量S3與旋轉校正量S2旋轉至第一承載面110a時，位於擺臂142之一端的取放吸嘴143可對準於晶粒C1之目標點T1並自此目標點T1將晶粒C1吸起。此狀態下，在第一承載面110a上，擺臂142與晶粒C1的下側邊之間具有一夾角θ1，如第7圖所示，且夾角θ1與前述的夾角θ相同。

舉例而言，假設預定旋轉量為150度且旋轉校正量為-30度時，擺臂142可於旋轉至第一承載面110a時便減少30度之旋轉角，換言之，擺臂142於第一承載面110a與第二承載面120a之間的轉動量將從150度更改為120度，以補償晶粒C1之旋轉偏移量，並且搭配水平位移機構160依據目標點T1來調整晶粒C1與擺臂142之相對位置，而使得位於擺臂142上之取放吸嘴143可對準於晶粒C1之目標點T1並吸起晶粒C1，如第6圖、第9圖所示。接續，於吸起晶粒C1後，移載機構140之擺臂142可再次根據旋轉校正量S2與預定旋轉量S3攜載著晶粒C1旋轉至第二承載面120a，即旋轉120度至第二承載面120a，以將晶粒C1置放於第二承載面120a之放置點P1上，如第7圖、第10圖所示。

在本實施態樣中，水平位移機構160可設置於移載機構140或第一取置平台110，以帶動移載機構140或第一取置平台110進行移位來改變晶粒C1與擺臂142的相對位置。於此，水平位移機構160可與擺臂142同時作動，然而本發明並非以此為限，水平位移機構160亦可與擺臂142分別依序作動。

然而本發明並非以此為限，在另一實施態樣中，擺臂142亦可於吸起晶粒C1後欲旋轉至第二承載面120a之第二預定位置時，再進行對晶粒C1之旋轉偏移量的補償，而依據預定旋轉量S3與旋轉校正量S2旋轉至第二承載面120a。而在本實施態樣中，水平位移機構160更依據預存之放置點P1來調整位於擺臂142上之取放吸嘴143與第二承載面120a之相對位置，以使擺臂142於依據預定旋轉量S3與旋轉校正量S2旋轉至第二承載面120a時，可將晶粒C1放置於第二承載面120a之放置點P1上。此狀態下，在第一承載面110a上，擺臂142與晶粒C1的下側邊之間具有一夾角θ2，如第12圖所示，且夾角θ2與前述的夾角θ不同。

舉例而言，假設預定旋轉量為150度且旋轉校正量為-30度時，擺臂142可先依據預定旋轉量為150度旋轉至第一承載面110a以將晶粒C1自第一承載面110a吸起，如第11圖所示，之後於旋轉至第二承載面120a時再減少30度之旋轉角以補償C1之旋轉偏移量，並且搭配水平位移機構160依據放置點P1來調整取放吸嘴143與第二承載面120a之相對位置，而使得擺臂142所攜載之晶粒C1可置放於第二承載面120a之放置點P1上，如第13圖與第14圖所示。

在本實施態樣中，水平位移機構160可設置於移載機構140或第二取置平台120，以帶動移載機構140或第二取置平台120進行移位來改變取放吸嘴143與第二承載面120a之相對位置。於此，水平位移機構160可與擺臂142同時作動，然而本發明並非以此為限，水平位移機構160亦可與擺臂142分別依序作動。

在又一實施態樣中，擺臂142可分別於欲旋轉至第一承載面110a之第一預定位置以及欲旋轉至第二承載面120a之第二預定位置，對晶粒C1之旋轉偏移量進行補償。因此，在本實施態樣中，校正模組150所產生之旋轉校正量S2可依據一比例分配，例如1：2或1：3來分成第一旋轉校正分量與第二旋轉校正分量。

其中，擺臂142可依據預定旋轉量S3與第一旋轉校正分量旋轉至第一承載面110a，且搭配水平位移機構160依據目標點T1來調整晶粒C1與擺臂142之相對位置，以使擺臂142於旋轉至第一承載面110a時，位於擺臂142之一端的取放吸嘴143可對準於晶粒C1之目標點T1並自此目標點T1將晶粒C1吸起。之後，擺臂142可依據預定旋轉量S3與第二旋轉校正分量旋轉至第二承載面120a，且搭配水平位移機構160依據預存之放置點P1來調整位於擺臂142上之取放吸嘴143與第二承載面120a之相對位置，以使擺臂142於旋轉至第二承載面120a時，可將晶粒C1放置於第二承載面120a之放置點P1上。

在本實施態樣中，水平位移機構160可設置於移載機構140、第一取置平台110及/或第二取置平台120，以帶動移載機構140、第一取置平台110及/或第二取置平台120進行移位。於此，水平位移機構160可與擺臂142同時作動，然而本發明並非以此為限，水平位移機構160亦可與擺臂142分別依序作動。

綜合前述，根據本發明一實施例之晶粒檢測裝置與晶粒傳送方法，透過驅動擺臂根據預定旋轉量與旋轉校正量進行作動，來補償晶粒之旋轉偏移量，以提升晶粒自第一承載面移送至第二承載面之放置點上的傳送速率以及檢測速率，進而可降低整體之生產成本。

本發明之技術內容已以較佳實施例揭示如上述，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神所做些許之更動與潤飾，皆應涵蓋於本發明之範疇內，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧晶粒檢測裝置
110‧‧‧第一取置平台
110a‧‧‧第一承載面
112‧‧‧第一置放部
120‧‧‧第二取置平台
120a‧‧‧第二承載面
122‧‧‧第二置放部
130‧‧‧攝像裝置
131‧‧‧攝像鏡頭
140‧‧‧移載機構
141‧‧‧座體
142‧‧‧擺臂
143‧‧‧取放吸嘴
150‧‧‧校正模組
160‧‧‧水平位移機構
T1‧‧‧目標點
C1、C1’‧‧‧晶粒
P1‧‧‧放置點
S1‧‧‧影像
S2‧‧‧旋轉校正量
S3‧‧‧預定旋轉量
步驟S11‧‧‧擷取晶粒之影像
步驟S12‧‧‧根據影像計算晶粒之目標點與旋轉偏移量
步驟S13‧‧‧根據旋轉偏移量計算旋轉校正量
步驟S14‧‧‧根據預定旋轉量與旋轉校正量驅動擺臂，以補償晶粒之旋轉偏移量，並使擺臂可將晶粒自第一承載面移至第二承載面之放置點

[第1圖]為本發明一實施例之晶粒檢測裝置的立體概要示意圖。 [第2圖]為本發明一實施例之晶粒檢測裝置的方塊概要示意圖。 [第3圖]為本發明第一實施例之晶粒傳送方法的流程概要示意圖。 [第4圖]為攝像裝置所擷取到之影像的概要示意圖。 [第5圖]為擺臂與不具旋轉偏移量之晶粒間所形成之夾角的概要示意圖。 [第6圖]為本發明一實施例之晶粒檢測裝置之作動的概要示意圖（一）。 [第7圖]為第6圖之局部放大示意圖。 [第8圖]為本發明一實施例之晶粒檢測裝置的作動概要示意圖（二）。 [第9圖]為本發明一實施例之晶粒檢測裝置的作動概要示意圖（三）。 [第10圖]為本發明一實施例之晶粒檢測裝置的作動概要示意圖（四）。 [第11圖]為本發明一實施例之晶粒檢測裝置的作動概要示意圖（五）。 [第12圖]為第11圖之局部放大示意圖。 [第13圖]為本發明一實施例之晶粒檢測裝置的作動概要示意圖（六）。 [第14圖]為本發明一實施例之晶粒檢測裝置的作動概要示意圖（七）。

步驟S11‧‧‧擷取晶粒之影像

步驟S12‧‧‧根據影像計算晶粒之目標點與旋轉偏移量

步驟S13‧‧‧根據旋轉偏移量計算旋轉校正量

步驟S14‧‧‧根據預定旋轉量與旋轉校正量驅動擺臂，以補償晶粒之旋轉偏移量，並使擺臂可將晶粒自第一承載面移至第二承載面之放置點

Claims (11)

1. 一種晶粒檢測裝置，包含： 一第一取置平台，具有一第一承載面，該第一承載面用以承載一晶粒； 一攝像裝置，具有一攝像鏡頭，該攝像裝置以該攝像鏡頭朝向該第一承載面而設置於該第一承載面之上方，以擷取該晶粒之一影像； 一第二取置平台，具有一第二承載面； 一校正模組，耦接該攝像裝置，該校正模組根據該晶粒之該影像計算該晶粒之一目標點與一旋轉偏移量，且該校正模組根據該旋轉偏移量計算出一旋轉校正量；及 一移載機構，耦接至該校正模組且位於該第一取置平台與該第二取置平台之間，該移載機構包含一座體、一擺臂與一取放吸嘴，該擺臂具有一第一端與相對於該第一端的一第二端，該擺臂以該第一端連接於該座體，該擺臂以該第一端為軸心而可旋轉於該第一承載面與該第二承載面之間，該取放吸嘴位於該第二端，該擺臂以一預定旋轉量為預設的旋轉量，使該擺臂在該第一承載面的一第一預定位置及該第二承載面的一第二預定位置之間作動； 其中該擺臂根據該預定旋轉量及該旋轉校正量作動，以補償該晶粒之該旋轉偏移量，並在該第一承載面自該晶粒的該目標點吸取該晶粒且移至該第二承載面之一放置點上放置該晶粒。
2. 如請求項1所述的晶粒檢測裝置，其中該擺臂在該第一預定位置根據該旋轉校正量作動，以在該第一承載面使該擺臂自該目標點將該晶粒取起，並在該第二承載面使該擺臂自該放置點放置該晶粒。
3. 如請求項1所述的晶粒檢測裝置，其中該擺臂移動至該第一預定位置，以使該取放吸嘴可於該第一承載面吸起該晶粒，該擺臂旋轉至該第二預定位置並根據該旋轉校正量作動，以在該第二承載面自該放置點放置該晶粒。
4. 如請求項1所述的晶粒檢測裝置，其中該旋轉校正量包含一第一旋轉校正分量及一第二旋轉校正分量，該擺臂在該第一預定位置根據該第一旋轉校正分量作動，以在該第一承載面自該目標點將該晶粒取起，該擺臂旋轉至該第二預定位置並根據該第二旋轉校正分量作動，以在該第二承載面自該放置點放置該晶粒。
5. 如請求項1至4任一項所述的晶粒檢測裝置，更包含一水平位移機構，耦接該校正模組，該擺臂移動至該第一取置平台，該水平位移機構根據該目標點調整該晶粒與該擺臂的相對位置，使該擺臂在該第一承載面能自該目標點吸取該晶粒，該擺臂旋轉至該第二取置平台，該水平位移機構根據該放置點，使該擺臂在該第二承載面之該放置點上放置該晶粒。
6. 如請求項5所述的晶粒檢測裝置，該水平位移機構設置在該移載機構。
7. 如請求項5所述的晶粒檢測裝置，該水平位移機構設置在該第一取置平台及/或該第二取置平台。
8. 如請求項1所述的晶粒檢測裝置，其中該放置點係預設定在該校正模組中。
9. 一種晶粒傳送方法，包含： 擷取一晶粒之一影像； 根據該影像計算該晶粒之一目標點與一旋轉偏移量； 根據該旋轉偏移量計算一旋轉校正量；及 根據一預定旋轉量與該旋轉校正量驅動一擺臂，以補償該晶粒之該旋轉偏移量，並使該擺臂在一第一承載面自該晶粒的該目標點吸取該晶粒且移至該第二承載面之一放置點上放置該晶粒。
10. 如請求項9所述的晶粒傳送方法，其中該預定旋轉量係為該擺臂之預設的旋轉量，用以使該擺臂在該第一承載面的一第一預定位置及該第二承載面的一第二預定位置之間作動，於根據該預定旋轉量與該旋轉校正量驅動該擺臂的步驟中，該擺臂是在該第一預定位置根據該旋轉校正量作動或者在該第二預定位置根據該旋轉校正量作動。
11. 如請求項10所述的晶粒傳送方法，其中該擺臂是在該第一預定位置根據該旋轉校正量作動的步驟中，更包含： 根據該目標點調整該晶粒與該擺臂的相對位置。