TW201726342A - 分斷裝置 - Google Patents

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TW201726342A TW105125053A TW105125053A TW201726342A TW 201726342 A TW201726342 A TW 201726342A TW 105125053 A TW105125053 A TW 105125053A TW 105125053 A TW105125053 A TW 105125053A TW 201726342 A TW201726342 A TW 201726342A
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Houhi Kaku
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Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd
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Abstract

本發明之課題係於分斷裝置中，可選擇尺寸不同之切割環並固定於平台上。將平台47保持於藉由交叉滾柱軸承41而轉動自由之基環43、44上。介隔彈性板5將第1切割環51安裝於平台47上。或，取代其而將保護定位板53設置於平台上，且於其中央部分設置彈性板54並安裝第2切割環55。環扣單元60可更換尺寸不同之壓臂64、67，且配合切割環之尺寸而選擇性地安裝。

Description

分斷裝置
本發明係關於分斷經由黏著材料安裝於切割環之脆性材料基板之分斷裝置，尤其係關於可選擇性地將尺寸不同之複數種類別之切割環設置於平台上之分斷裝置者。
於專利文獻1，揭示有將設置半導體晶圓之切割環保持於平台上，自其上部按壓分斷條而分斷之分斷裝置。於該分斷裝置中，於保持於平台上之切割環之半導體晶圓上預先以格子狀形成劃線。於將基板分斷成格子狀之情形，沿著一條劃線按壓分斷條而進行分斷。且，於一定方向平行地移動平台，且依次沿著多條劃線而分斷半導體晶圓。接著約90°旋轉平台，沿著垂直於已分斷之劃線之劃線同樣地依次按壓分斷條而進行分斷，且於一定之方向平行地移動平台。如此依次沿著多條劃線分斷半導體晶圓。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-83821號公報
接著半導體晶圓自現在8英吋向12英吋之尺寸之擴大處於進行中，故處理搭載有較大尺寸之切割環之半導體晶圓之必要性增加。於先前之分斷裝置中，於變更切割環之尺寸之情形，有必要使用對應於 各尺寸之平台。因此不僅平台與其周邊構件之更換花費較多時間，且於更換後之精度調整亦需要較多之時間與工數，而存在成本變高之問題點。
本發明係著眼於此種問題點而完成者，其目的在於提供一種共通地使用平台，同時可容易地變更切割環之尺寸之分斷裝置。
為了解決該課題，本發明之分斷裝置具有保持分斷對象之脆性材料基板之平台及使上述平台旋轉之轉動機構，且係將第1切割環及尺寸小於其之至少1個第2切割環選擇性地安裝於上述平台上，並分斷保持於上述任一切割環之脆性材料基板者，且上述轉動機構包含：環狀之保護定位板，其具有大於上述第2切割環之外徑，且於內側具有圓形之開口；環扣單元，其藉由上述轉動自由之壓臂將上述第1或第2切割環保持於上述平台上；第1彈性板，其於上述第1切割環之使用時使用，且設置於上述平台與上述第1切割環之間；及第2彈性板，其於上述第2切割環之使用時使用，受保持於上述保護定位板之開口內，且設置於上述平台與上述第2切割環之間。
此處上述環扣單元之壓臂亦可作為供安裝保持上述第1切割環之第1壓臂與保持上述第2切割環之第2壓臂中之一者。
根據具有如此特徵之本發明，可容易切換介隔第1彈性板將第1切割環保持於平台上之第1狀態，與卸下第1切割環及第1彈性板，介隔保護定位板與設置於其貫通孔內之第2彈性板保持第2切割環之第2狀態。藉由將環扣單元之臂變更為根據尺寸之壓臂，可容易地將尺寸不同之切割環保持於共通之平台上。因此於使用尺寸不同之切割環之情形，亦可獲得可不變更平台而於同一分斷裝置進行分斷之效果。
10‧‧‧分斷裝置
11‧‧‧載台
12‧‧‧Y軸移動機構
13‧‧‧水平固定構件
14‧‧‧伺服馬達
15‧‧‧滾珠螺桿
16‧‧‧水平固定構件
17‧‧‧上移動構件
18‧‧‧螺母
19a‧‧‧支持軸
19b‧‧‧支持軸
20‧‧‧下移動構件
21‧‧‧分斷條
30‧‧‧旋轉機構
31‧‧‧基台
31a‧‧‧貫通孔
31b‧‧‧缺口
32‧‧‧托架
33‧‧‧鏈線纜
34‧‧‧驅動單元
41‧‧‧交叉滾柱軸承
42‧‧‧環
43‧‧‧下基環
44‧‧‧上基環
44a‧‧‧環
44b‧‧‧環
44d‧‧‧缺口
44e‧‧‧缺口
44f‧‧‧缺口
45‧‧‧齒輪
46‧‧‧環
47‧‧‧平台
48‧‧‧平台固定塊
49‧‧‧塊
51‧‧‧切割環
52‧‧‧彈性板
53‧‧‧保護定位板
54‧‧‧彈性板
55‧‧‧切割環
60‧‧‧環扣單元
61‧‧‧托架
62‧‧‧缸體
63‧‧‧臂
64‧‧‧壓臂
65‧‧‧壓板
66‧‧‧螺栓
67‧‧‧壓臂
71‧‧‧支柱
72‧‧‧相機
73‧‧‧相機
80‧‧‧控制器
81‧‧‧圖像處理部
82‧‧‧控制部
83‧‧‧輸入部
84‧‧‧監視器
85‧‧‧分斷條驅動部
86‧‧‧平台旋轉驅動部
87‧‧‧Y軸驅動部
88‧‧‧馬達
89‧‧‧馬達
y‧‧‧方向
圖1係本發明之實施形態之分斷裝置之概略立體圖。
圖2係本實施形態之旋轉機構之平台部分之俯視圖。
圖3係顯示本實施形態之旋轉機構之立體圖。
圖4係顯示切離本實施形態之旋轉機構之上部塊與下部塊之立體圖。
圖5係本實施形態之旋轉機構之下部塊之組裝構成圖。
圖6係顯示本實施形態之旋轉機構之上部塊詳細之組裝構成圖。
圖7係本實施形態之旋轉機構之側視圖。
圖8係顯示將平台固定於本實施形態之旋轉機構之上基環之狀態之部分立體圖。
圖9係顯示本實施形態之旋轉機構之環扣單元與其周邊部分之立體圖(其1)。
圖10係顯示本實施形態之旋轉機構之環扣單元與其周邊部分之立體圖(其2)。
圖11係顯示於本實施形態之分斷裝置中切割環之更換過程之俯視圖(其1)。
圖12係顯示於本實施形態之分斷裝置中切割環之更換過程之俯視圖(其2)。
圖13係顯示於本實施形態之分斷裝置中切割環之更換過程之俯視圖(其3)。
圖14係顯示於本實施形態之分斷裝置中切割環之更換過程之俯視圖(其4)。
圖15係顯示於本實施形態之分斷裝置中切割環之更換過程之俯視圖(其5)。
圖16係顯示本實施形態之分斷裝置之概略圖之側視圖。
圖17係顯示本實施形態之分斷裝置之控制器之方塊圖。
接著，針對本發明之實施形態之分斷裝置10進行說明。分斷裝置10包含圖1所示之可向y軸之正及負方向移動之載台11。於載台11之下方設置有將載台11沿著該面向y軸方向移動，進而沿著該面進行旋轉之Y軸移動機構12。於載台11之上部設置有字狀之水平固定構件13，且於其上部保持伺服馬達14。於伺服馬達14之旋轉軸直接連結滾珠螺桿15，滾珠螺桿15之下端以滾珠螺桿15可旋轉之方式受支持於另一水平固定構件16。上移動構件17於中央部具備螺合於滾珠螺桿15之螺母18，且具備自其兩端部朝向下方之支持軸19a、19b。支持軸19a、19b貫通水平固定構件16之一對貫通孔而連結於下移動構件20。於下移動構件20之下表面安裝有未圖示之分斷條。分斷條係細長之平板，且將前端銳利化之金屬製之刀刃狀之構件，且以前端部分為下方之方式垂直於載台11之面地安裝於下移動構件20。如此於藉由伺服馬達14使滾珠螺桿15旋轉之情形時，上移動構件17與下移動構件20一體地上下移動，且分斷條亦同時上下移動。此處，伺服馬達14、水平固定構件13、16及上下移動構件17、20構成使分斷條升降之升降機構。
接著，針對設置於載台11之旋轉機構30進行說明。圖2係旋轉機構30之俯視圖，圖3係其立體圖，圖4係顯示切離其上部塊與下部塊之狀態之立體圖。又，圖5係下部塊之組裝構成圖。如圖5所示，於下部之基台31設置有圓形之帶階之貫通孔31a與側方之缺口31b。如圖4所示，於基台31之側方安裝有圓弧狀之托架32與鏈線纜33(亦稱為纜線導管，包含CABLEVEYOR(註冊商標))。鏈線纜33為柔軟之構件，且係用以對後述之環扣單元供給電源者。又於基台31之缺口31b安裝設置有用以使平台旋轉之馬達或齒輪之驅動單元34。
接著，圖6係顯示圖4所示之上部塊詳細之分解立體圖。於上部塊之最下部設置有環狀軸承即交叉滾柱軸承41，且於其上部設置有環 42。交叉滾柱軸承41係經由軸承而連結內環與外環，可藉由固定外環減小摩擦而使內環自由地旋轉。交叉滾柱軸承41插入於基台31之貫通孔31a內，其下部被保持在階差部分。環42係藉由自上部夾入交叉滾柱軸承41之外環且螺止於基台31，而固定交叉滾柱軸承41之外環者。下基環43係將環狀之環與直徑略小且向下方突出之突出環部分一體化而成者，下部之突出部插入於交叉滾柱軸承41之內環之內側且藉由上部而固定於內環。又，於下基環43之上部固定上基環44。上基環44係將環狀之環44a與直徑較小且向其上方突出之環44b一體化而成者，上部之突出環44於四方設置有缺口44c~44f。於上基環44之上部之突出環44b之外周部分安裝有齒輪45。齒輪45係如圖示般於全周形成有齒輪之環狀之齒輪，與驅動單元34之驅動齒輪嚙合。於上基環44安裝有另一環46。於環46之內側形成有階，將透明玻璃製之平台47嵌入保持於該階差之內側。平台47係保持要分斷之基板之圓形之構件，且設為與切割環大致相同直徑者，此處約為12英吋之直徑。
接著，圖7係顯示該旋轉機構整體之側視圖，顯示除去托架32之狀態。如本圖所示般於基台31上設置有鏈線纜33，於鏈線纜33之上部設置有齒輪45。此處，顯示將8英吋用之切割環安裝於平台47上之狀態。此處，藉由下基環43與上基環44，構成較基台31之上表面更高地保持平台47與齒輪45之基環。
圖8係顯示於安裝後述之環扣單元60前將平台47安裝於上基環44之狀態之立體圖。於平台47之外周，如圖6所示設置有4個平台固定塊48與4個塊49。平台固定塊48係用以保持平台47之L字狀之塊，介隔環46以螺栓固定於上基環44。塊49係用以保持切割環者，介隔環46以螺栓固定於上基環44。
接著，於將12英吋之基板用之第1切割環51設置於平台47上之情形，如圖6所示介隔第1彈性板52直接將切割環51安裝固定於平台47之 上表面。於將保持8英吋之基板之第2切割環安裝於平台47上之情形時，係使用保護定位板53。保護定位板53係較第2切割環更大外徑，此處為大致等於平台之尺寸之約12英吋之環狀薄平板，且於中央部設置有供第2彈性板54插入之開口。於安裝保持8英吋之基板之第2切割環55之情形時，將保護定位板53保持於平台47上，將第2彈性板54插入於其開口，且自其上部安裝8英吋用之切割環55。第1切割環51或第2切割環55於載置於平台47之周圍之塊49後，以設置於平台周圍之4個環扣單元60保持。第1，第2彈性板52、54係橡膠製等具有彈性之圓板，且為了自下側之相機可確認基板之劃線而採用透明體。
圖9、圖10係顯示環扣單元60與其周邊部分詳細之立體圖。環扣單元60係分別安裝於上基環44之4個缺口44c~44f，於圖9、圖10中顯示其中1個。於圖9、圖10中環扣單元60安裝於上基環44之上部環44b之缺口44c。環扣單元60於L字形之托架61安裝有缸體62。缸體62係內置馬達，且將其軸90°轉動者。於缸體62之軸設置有臂63。於臂63介隔壓板65以螺栓66安裝壓臂64或67。
為了將12英吋用之第1切割環51保持於平台47上，如圖9所示介隔壓板65且藉由螺栓66將壓臂64固定於臂63。為了將8英吋用之第2切割環55保持於平台47上，如圖10所示介隔壓板65且藉由螺栓66將壓臂67固定於臂63。臂63與壓臂64或67藉由缸體62內之馬達於順時針方向及逆時針方向90°旋轉。且壓臂之前端抵接於塊49之上部，於其間藉由夾著未圖示之切割環之端部而固定切割環51或55。此處經由上述之鏈線纜33對4個環扣單元60供給電源。
於本實施形態中，成為分斷對象之脆性材料基板係採用半導體晶圓。半導體晶圓為了分離成晶片而藉由圓環之框狀體即切割環51或55保持。於各自之切割環之內側向上貼附有具有黏著材料之黏著膠帶，且於其上表面中央保持成為分斷對象之圓形之半導體晶圓。於半 導體晶圓預先以格子狀形成多條劃線。
於本實施形態之旋轉機構30中，為了可將平台47旋轉180°以上，使用於全周設置有齒之齒輪45。又，如圖7所示，以位於鏈線纜33之上部之方式配置平台之旋轉機構，且藉由鏈線纜33之長度較先前更長而確保旋轉機構整體之尺寸不會變大且旋轉角度為180°以上。
圖11~圖15係顯示自12英吋用切割環51更換為8英吋用切割環55之過程之圖。首先於圖11中12英吋之切割環51安裝於平台47上，藉由環扣單元60之12英吋用之短壓臂64固定切割環51之周圍。將此作為第1狀態。此處，於自12英吋之切割環51更換為8英吋用之切割環55之情形，首先如圖12所示將4個環扣單元60之壓臂64轉動90。並朝上。藉此可卸除12英吋之切割環51。因此，同時卸除切割環51與其下部之彈性板52。接著如圖13所示將環狀之保護定位板53載置於玻璃平台47之上部。進而如圖14所示將環扣單元60之臂更換為較長之8英吋用之壓臂67。接著，將8英吋用之彈性板54載置於保護定位板53之中央之開口部分，如圖15所示將切割環55配置於塊49上，且藉由轉動壓臂67而固定切割環55之周圍。將此作為第2狀態。如此，可使用同一分斷裝置將8英吋用與12英吋用之任一切割環51或55固定於平台47上。
接著於該實施形態中，如圖16中顯示分斷裝置整體之概略圖般，於水平固定構件13水平設置有支柱71，於該支柱71朝下方設置有相機72。該相機72係檢測切割環上之半導體晶圓之劃線狀態者。又如圖中虛線所示，於水平固定構件13之下方之壓下分斷條之位置之側下方設置有自下方向平台上之半導體晶圓進行拍攝而檢測劃線之相機73。
接著針對本實施形態之分斷裝置之控制器之構成使用方塊圖進行說明。圖17係分斷裝置之控制器80之方塊圖。控制器80係控制平台之旋轉與平行移動及分斷條之升降之控制機構。於本圖中，來自相機 72、73之輸出係經由控制器80之圖像處理部81而被賦予至控制部82。輸入部83係輸入與脆性材料基板之分斷相關之資料者。於控制部82連接有監視器84、用以使分斷條上下移動之分斷條驅動部85、用以使平台旋轉之平台旋轉驅動部86、及Y軸驅動部87。分斷條驅動部85係驅動伺服馬達14而使分斷條上下移動者。又平台旋轉驅動部86係驅動設置於基台31之驅動單元34之馬達88者。Y軸驅動部87係驅動使載台11向y軸方向驅動之馬達89者。
此處，上述圖2所示之旋轉機構30與圖17所示之平台旋轉驅動部86及馬達88構成使平台至少180°旋轉之轉動機構。Y軸移動機構12與Y軸驅動部87及馬達89構成使載台向y軸方向移動之平行移動機構。又，上述升降機構與分斷條驅動部85構成使分斷條相對於劃線升降之升降機構。
接著針對半導體晶圓之分斷方法進行說明。首先於載台11將任一切割環例如切割環51設置於旋轉機構之平台47上。採用於切割環51預先載置有半導體晶圓者。於該狀態下如圖16所示以相機72檢測半導體晶圓之劃線。接著以使分斷條與形成之劃線平行之方式，經由平台旋轉驅動部86驅動控制單元34之馬達88而使平台47旋轉。
若分斷條與劃線成為平行狀態，則驅動Y軸驅動部87，以最外側之劃線位於分斷條之正下方之方式使載台11向y軸方向移動。若劃線在分斷條之正下方，則使用分斷條驅動部85驅動伺服馬達14，使上移動構件17與下移動構件20同時降低，一面相對於載台11垂直保持分斷條一面緩緩下降，藉由沿著半導體晶圓之劃線按壓刀尖進行分斷。如此彈性板52經分斷條按壓而略變形為V字狀。且藉由使分斷條充分下降，沿著劃線完成分斷。若分斷完成，則使伺服馬達14反轉而使分斷條上升。然後使分斷條一度上升，將Y軸驅動部87驅動，僅將平台移動相當於鄰接之劃線之間隔之長度，成為任一劃線位於分斷條之正下 方。且，若鄰接之劃線與分斷條成為平行狀態，則使用分斷條驅動部85將分斷條向下方向驅動，藉由沿著半導體晶圓之劃線按壓刀尖而分斷。如此藉由分斷條之升降與向y軸方向之折返移動，可針對一定方向之劃線完成全部分斷。
接著若完成該一定方向之分斷，則藉由平台旋轉驅動部86使載台11自現在之位置90°旋轉，再次以與已分斷之劃線垂直之劃線平行於分斷條之方式設定。且可同樣地藉由沿著劃線按壓分斷條進行分斷。然後使載台11向y軸方向僅移動劃線之間距距離，同樣地使分斷條21下降。如此藉由分斷條之升降與向y軸方向之折返移動，可完成全面之分斷，將半導體晶圓分斷成格子狀。
如此於設置切割環之步驟中劃線與分斷條無須以正確平行之方式載置，可獲得大幅簡化作業步驟之效果。
另於該實施形態中，雖成為分斷對象之脆性材料基板係採用半導體晶圓進行說明，但其他脆性材料基板同樣可適用本發明。
另於該實施形態中雖可將平台旋轉180°以上，但因可更換設置於平台上部之2種類別之切割環即可，故平台並非必須可180°旋轉，可90°以上旋轉即可。
又此處雖可選擇性地將8英吋與12英吋之2種類別之切割環設置於平台上，但並非限定於該等尺寸者。切割環亦可設置更多種類別，例如3種類別之切割環。於該情形使用最大尺寸之切割環以外時使用中央部分之開口大小不同之複數個保護定位板，同時將壓臂設為對應於該切割環之長度即可。
[產業上之可利用性]
本發明因可使用分斷裝置正確地分斷半導體晶圓等之脆性材料基板，故適於精密地分斷脆性材料基板之分斷裝置。
41‧‧‧交叉滾柱軸承
42‧‧‧環
43‧‧‧下基環
44‧‧‧上基環
44a‧‧‧環
44b‧‧‧環
44d‧‧‧缺口
44e‧‧‧缺口
44f‧‧‧缺口
45‧‧‧齒輪
46‧‧‧環
47‧‧‧平台
48‧‧‧平台固定塊
49‧‧‧塊
51‧‧‧切割環
52‧‧‧彈性板
53‧‧‧保護定位板
54‧‧‧彈性板
55‧‧‧切割環

Claims (2)

  1. 一種分斷裝置，其特徵在於，其具有保持成為分斷對象之脆性材料基板之平台及使上述平台旋轉之轉動機構，且係將第1切割環及尺寸小於其之至少1個第2切割環選擇性地安裝於上述平台上，而分斷保持於上述任一切割環之脆性材料基板者，且上述轉動機構包含：環狀之保護定位板，其具有大於上述第2切割環之外徑，且於內側具有圓形之開口；環扣單元，其藉由上述旋轉自由之壓臂將上述第1或第2切割環保持於上述平台上；第1彈性板，其於上述第1切割環之使用時使用，且設置於上述平台與上述第1切割環之間；及第2彈性板，其於上述第2切割環之使用時使用，受保持於上述保護定位板之開口內，且設置於上述平台與上述第2切割環之間。
  2. 如請求項1之分斷裝置，其中上述環扣單元之壓臂係供安裝保持上述第1切割環之第1壓臂與保持上述第2切割環之第2壓臂中之一者。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109624109A (zh) * 2019-02-20 2019-04-16 广州安特激光技术有限公司 一种晶圆片切割装置的承载台

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50183B1 (zh) * 1970-03-26 1975-01-07
US4227348A (en) * 1978-12-26 1980-10-14 Rca Corporation Method of slicing a wafer
JPH062684U (ja) * 1992-06-03 1994-01-14 日新ハイボルテージ株式会社 イオン注入装置用ウエファサイズ変換アダプタ
JP3042604B2 (ja) * 1997-02-04 2000-05-15 サンケン電気株式会社 半導体ウエハ組立体切断法及び半導体ウエハ用ワイヤソー切断機
JPH10284443A (ja) * 1997-04-08 1998-10-23 Hitachi Ltd ブレーキング方法および装置
JP3657190B2 (ja) * 2000-11-13 2005-06-08 Ｎｅｃセミコンパッケージ・ソリューションズ株式会社 エキスパンド装置
WO2004002705A1 (ja) * 2002-07-01 2004-01-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法
JP4502260B2 (ja) * 2004-10-28 2010-07-14 株式会社ディスコ スピンナー洗浄装置及びダイシング装置
DE102005028112A1 (de) * 2005-06-13 2006-12-21 Schmid Technology Systems Gmbh Verfahren zur Positionierung und Lageerhaltung von Substraten, insbesondere von dünnen Siliziumwafern nach dem Drahtsägen zu deren Vereinzelung
DE102006032432B3 (de) * 2006-07-13 2007-09-27 Siltronic Ag Sägeleiste sowie Verfahren zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem zylindrischen Werkstück unter Verwendung der Sägeleiste
JP2010045117A (ja) * 2008-08-11 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP5330845B2 (ja) * 2009-01-30 2013-10-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板ブレーク装置
FR2961014A1 (fr) * 2010-06-08 2011-12-09 St Microelectronics Tours Sas Procede de fabrication de puces semiconductrices a partir d'une tranche semiconductrice

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