TW201721618A - 顯示畫素及顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種顯示畫素，適於配置於一承載器上。顯示畫素包括多個發光二極體晶片。發光二極體晶片配置於承載器上並與承載器電性連接，各發光二極體晶片分別作為一子畫素並且包括一半導體元件層，其中半導體元件層包括一顯示發光平台與至少一備用發光平台，而在各發光二極體晶片被驅動期間，各發光二極體晶片中的顯示發光平台與備用發光平台其中之一能夠發光。本揭露另提供一種具有上述顯示畫素的顯示面板。

Description

顯示畫素及顯示面板
本揭露是有關於一種顯示元件，且特別是有關於一種顯示畫素以及顯示面板。
無機發光二極體顯示器具備主動發光、高亮度等特點，因此已經廣泛地被應用於照明、顯示器、投影機等技術領域中。以單片微顯示器(monolithic micro-displays)為例，單片微顯示器廣泛地被使用於投影機且一直以來都面臨彩色化的技術瓶頸。目前，已有習知技術提出利用磊晶技術於單一發光二極體晶片中製作出多層能夠發出不同色光之發光層，以使單一發光二極體晶片即可提供不同色光。但由於能夠發出不同色光之發光層的晶格常數不同，因此不容易成長在同一個基板上。此外，其他習知技術提出了利用發光二極體晶片搭配不同色轉換材料之彩色化技術，其中當發光二極體晶片發光時，色轉換材料被激發而發出不同色光的激發光，但是此技術仍面臨色轉換材料之轉換效率過低以及塗佈均勻性等問題。
除了上述兩種彩色化技術，亦有習知技術提出了發光二極體之轉貼技術，由於能夠發出不同色光之發光二極體可分別在適當的基板上成長，故發光二極體能夠具備較佳的磊晶品質與發光效率。是以，發光二極體晶片之轉貼技術較有機會使單片微顯示器的亮度以及顯示品質提升。
目前，發光二極體晶片之轉貼技術仍然面臨了製造良率、轉貼精準度難以有效提升等瓶頸。為了提升製造良率，必須針對無法正常顯示但已經被轉貼完成的發光二極體晶片進行替換或修補，然而，發光二極體晶片的替換與修補勢必將耗費一定的成本與工時，導致製造成本增加。在現有技術中，已有相關技術提出利用備用發光二極體晶片來取代原本的發光二極體晶片的概念，但此作法必須使用更多的發光二極體晶片，會導致成本大幅增加。此外，使用過多個備用發光二極體晶片將導致發光二極體晶片的排列間距（點距）將無法縮小，十分不利於高解析度顯示方面的應用。
承上述，如何在不大幅增加成本並且不影響發光二極體晶片之排列間距的情況下提升製造良率，實為目前業界關注的議題之一。
本揭露提供一種以發光二極體晶片作為子畫素之顯示畫素及顯示面板。
本揭露提供一種顯示畫素，其適於配置於一承載器上。顯示畫素包括多個發光二極體晶片。發光二極體晶片配置於承載器上並與承載器電性連接，各發光二極體晶片分別作為一子畫素並且包括一半導體元件層，其中半導體元件層包括一顯示發光平台與至少一備用發光平台，而在各發光二極體晶片被驅動期間，各發光二極體晶片中的顯示發光平台與備用發光平台其中之一能夠發光。
在本揭露的一實施例中，上述的各個發光二極體晶片的邊長例如小於或等於100微米。
在本揭露的一實施例中，上述的各個發光二極體中的半導體元件層包括一第一型摻雜半導體層、相互分離的一第一發光層與一第二發光層以及一第二型摻雜半導體層。第一發光層與第二發光層配置於第一型摻雜半導體層的部分區域上。第二型摻雜半導體層包括相互分離的第一半導體圖案與一第二半導體圖案，其中第一半導體圖案位於第一發光層上，第二半導體圖案位於第二發光層上，而第一半導體圖案與第一發光層構成至少部分的顯示發光平台，且第二半導體圖案與第二發光層構成至少部分的備用發光平台。
在本揭露的一實施例中，上述的發光二極體晶片適於發出多個色光（例如紅光、綠光與藍光）。
本揭露另提供一種顯示面板，其包括承載器以及前述的顯示畫素，且前述的顯示畫素陣列排列於承載器上。
在本揭露的一實施例中，上述的承載器包括一線路板或一互補金氧半導體積體電路(CMOS-IC)。
本揭露另提供一種顯示面板的驅動方法，包括下列步驟。提供前述之顯示面板，藉由承載器驅動顯示畫素，並且偵測顯示畫素中的顯示發光平台是否正常顯示。當顯示畫素中的至少一個顯示畫素被判斷為一異常顯示畫素時，禁能異常顯示畫素中的顯示發光平台，並且致能異常顯示畫素中的備用發光平台。
在本揭露的一實施例中，上述的各顯示畫素包括一晶圓層級晶片尺寸封裝體。
在本揭露的一實施例中，偵測顯示畫素中的顯示發光平台是否正常顯示的方法包括：量測顯示發光平台的電流-電壓關係，以判斷顯示發光平台是否出現開路或短路之異常狀態。
在本揭露的一實施例中，偵測顯示畫素中的顯示發光平台是否正常顯示是藉由一控制電路來執行。
基於上述，本揭露採用發光二極體晶片作為顯示畫素中的子畫素，且發光二極體晶片中同時具備了顯示發光平台與備用發光平台，以使顯示發光平台無法正常被驅動而顯示時，可被備用發光平台所取代。承上述，本揭露可以在不增加顯示畫素尺寸與排列間距的情況下，大幅提高顯示畫素及顯示面板的製造良率。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
第一實施例
圖1是本揭露第一實施例的顯示面板的示意圖。圖1的下半部繪示為第一實施例的顯示面板的剖面示意圖，而圖1的上半部繪示為發光二極體晶片（即子畫素）的上視圖。
請參照圖1，本實施例的顯示面板100包括一承載器110以及多個陣列排列於承載器110上並且與承載器110電性連接的顯示畫素120。在本實施例中，顯示面板100例如為單片微顯示器(monolithic micro-displays)，其可應用於非直視型態的微型顯示器中或者是應用於數位顯示看板(digital signage)。依據實際設計需求，本實施例的承載器110例如為一線路板、一互補金氧半導體積體電路(CMOS-IC)或是其他型態的承載器。具體而言，前述之承載器110例如是具有矽穿孔(Through Silicon Via，TSV)的矽基礎線路板(silicon-based circuit board)或者是具有互補金氧半導體所構成的電路的晶片。此外，承載器110中的電路係與顯示畫素120電性連接，以驅動各個顯示畫素120顯示出所需的顏色或灰階。
在本實施例的顯示面板100中，顯示畫素120包括多個適於發出不同色光的發光二極體晶片LED，各個發光二極體晶片LED分別作為一子畫素SP。舉例而言，顯示畫素120中的發光二極體晶片LED適於發出不同色光，且顯示畫素120中的發光二極體晶片LED例如包括紅光發光二極體晶片、綠光發光二極體晶片與藍光發光二極體晶片，然本實施例不以此為限。此外，發光二極體晶片LED例如是以覆晶接合方式(flip-chip bonding)與承載器110電性連接。詳言之，各個發光二極體晶片LED例如是透過凸塊B1、B2、B3與承載器100中的電路電性連接。值得注意的是，發光二極體晶片LED的排列間距與顯示面板100的顯示解析度相關，本實施例可依據顯示面板100的顯示解析度來決定發光二極體晶片LED的排列間距，在本實施例中，發光二極體晶片LED的排列間距例如是介於50微米至1000微米之間。
在發光二極體晶片LED轉貼至承載器110之後，發光二極體晶片LED有可能會出現無法正常顯示而導致顯示面板100出瑕疵點(defective dot)，進而使得顯示面板100的製造良率下降，為了提升顯示面板100的製造良率以及降低顯示面板100修補所需的時間與成本，本實施例提出一種具有備用發光平台的發光二極體晶片LED，將詳述如下。
在本實施例中，各個發光二極體晶片LED分別包括一基板SUB以及一半導體元件層122，其中半導體元件層122配置於基板SUB上，且半導體元件層122包括一顯示發光平台122a與至少一備用發光平台122b，而在各個發光二極體晶片LED被驅動的期間，各個發光二極體晶片LED中的顯示發光平台122a與備用發光平台122b其中之一能夠發光。詳言之，在各個發光二極體晶片LED被驅動的期間，各個發光二極體晶片LED中的顯示發光平台122a與備用發光平台122b僅有一者會被驅動而顯示。
在本實施例中，基板SUB的材質例如為藍寶石、矽、碳化矽等。在其他可行的實施例中，前述的基板SUB可在發光二極體晶片LED的製作過程中被移除，因此前述的基板SUB為選擇性構件。
在本實施例中，上述的各個發光二極體LED中的半導體元件層122包括一第一型摻雜半導體層122-1、相互分離的一第一發光層122-2與一第二發光層122-3以及一第二型摻雜半導體層。第一發光層122-2與第二發光層122-3配置於第一型摻雜半導體層122-1的部分區域上。第二型摻雜半導體層包括相互分離的第一半導體圖案122-4與一第二半導體圖案122-5，其中第一發光層122-2位於第一型摻雜半導體層122-1與第二型摻雜半導體層的第一半導體圖案122-4之間，而第二發光層122-3位於第一型摻雜半導體層122-1與第二型摻雜半導體層的第二半導體圖案122-5之間。如圖1所示，第一型摻雜半導體層122-1、第一發光層122-2以及第二型摻雜半導體層的第一半導體圖案122-4構成顯示發光平台122a，而第一型摻雜半導體層122-1、第二發光層122-3以及第二型摻雜半導體層的第二半導體圖案122-5構成備用發光平台122b。
舉例而言，前述的第一型摻雜半導體層122-1例如為N型摻雜半導體層，第一發光層122-2與第二發光層122-3例如為單一或多重量子井層，而第一半導體圖案122-4與第二半導體圖案122-5例如為P型摻雜半導體層。
請參照圖1的上半部，本實施例的各個發光二極體晶片LED可進一步包括一第一電極E1、一第二電極E2與一第三電極E3，其中第一電極E1與第一型摻雜半導體層122-1電性連接，而第二電極E2與第二型摻雜半導體層的第一半導體圖案122-4電性連接，且第三電極E3與第二型摻雜半導體層的第二半導體圖案122-5電性連接。此外，本實施例的各個發光二極體晶片LED可進一步包括一第一凸塊B1、一第二凸塊B2與一第三凸塊B3，其中第一凸塊B1與第一電極E1電性連接，而第二凸塊B2與第二電極E2電性連接，且第三凸塊B3與第三電極E3電性連接。從圖1可以清楚得知，第一電極E1、第二電極E2係用以提供電流至具有第一發光層122-2的顯示發光平台122a中，而第一電極E1與第三電極E3係用以提供電流至具有第二發光層122-3的備用發光平台122b中。
在發光二極體晶片LED被轉貼至承載器110上之後，若顯示發光平台122a經測試而被檢出無法正常顯示，則本實施例可透過承載器110上的控制電路禁能(disable)顯示發光平台122a，並且致能(enable)備用發光平台122b。舉例而言，前述承載器110上的控制電路例如是一特殊應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)或其他的電路設計。值得注意的是，前述的控制電路不限定必須製作於承載器110中。在本實施例中，可藉由量測顯示發光平台122a的電流-電壓關係，以判斷顯示發光平台122a是否出現開路或短路之異常狀態。前述之禁能意指不提供電訊號至第二電極E2，使得第一電極E1與第二電極E2之間無驅動電流流經而達到禁能顯示發光平台122a的效果，而前述之致能意指提供電訊號至第三電極E3，使得第一電極E1與第三電極E3之間有驅動電流流經而達到致能備用發光平台122b的效果。本實施例透過簡單的電路控制，被致能的備用發光平台122b便可輕易地取代顯示發光平台122a的顯示功能。舉例而言，本實施例可以透過一控制器（例如微處理單元）偵測顯示發光平台122a是否異常（例如出現開路或短路），若偵測到部分顯示發光平台122a出現異常，則禁能出現異常的顯示發光平台122a，並致能對應的備用發光平台122b。換言之，當顯示發光平台122a無法正常顯示時，本實施例無須將失效的發光二極體晶片LED自承載器110上取下，亦無須重新轉貼另一個發光二極體晶片LED至承載器110上，本實施例僅需透過適當的電路控制即可修復原本失效的發光二極體晶片LED。由於本實施例在單一發光二極體晶片LED中以相同的製程條件同時製作出顯示發光平台122a與備用發光平台122b，且顯示發光平台122a與備用發光平台122b具有相同或接近的發光面積，因此在相同的驅動條件下，顯示發光平台122a與備用發光平台122b會具備幾乎相同的顯示效果。承上述，本實施例可以確保無須修補的發光二極體晶片LED中的顯示發光平台122a與修補後的發光二極體晶片LED中的備用發光平台122b能夠具有接近一致的顯示效果。
在本實施例中，前述的各個發光二極體晶片LED例如為正方形的發光二極體晶片，且其邊長例如小於或等於100微米。舉例而言，各個發光二極體晶片LED的邊長例如為100微米、63微米等。然而，本實施例不限定發光二極體晶片LED必須為正方形的發光二極體晶片，本實施例亦可採用長方形的發光二極體晶片以作為顯示畫素120中的子畫素SP。舉例而言，本實施例中的各個發光二極體晶片LED的操作電流密度（不論是顯示發光平台122a還是備用發光平台122b）例如小於40A/cm2 。
以下將搭配圖2A至圖2E針對發光二極體晶片LED的製造流程進行詳細的說明。
圖2A至圖2E是本揭露第一實施例的發光二極體晶片的製造流程示意圖。圖2A至圖2E的上半部為發光二極體晶片的上視圖，而圖2A至圖2E的下半部為發光二極體晶片沿著剖面A-A’與剖面B-B’。
請參照圖2A，首先提供一基板SUB，而基板SUB的材質例如為藍寶石、矽、碳化矽等。接著，於基板SUB上形成一具有多個顯示發光平台122a以及多個備用發光平台122b的半導體元件層122。在本實施例中，半導體元件層122包括一形成於基板SUB上的第一型摻雜半導體層122-1（例如為N型摻雜半導體層）、相互分離的一第一發光層122-2與一第二發光層122-3（例如為單一或多重量子井層）以及一第二型摻雜半導體層（例如為P型摻雜半導體層），其中第一發光層122-2與第二發光層122-3配置於第一型摻雜半導體層122-1的部分區域上，而第二型摻雜半導體層包括相互分離的第一半導體圖案122-4與一第二半導體圖案122-5，第一半導體圖案122-4位於第一發光層122-2上，第二半導體圖案122-5位於第二發光層122-3上，而第一型摻雜半導體層122-1、第一半導體圖案122-4與第一發光層122-2構成顯示發光平台122a，而第一型摻雜半導體層122-1、第二半導體圖案122-5與第二發光層122-3構成備用發光平台122b。
如圖2A所示，除了顯示發光平台122a以及備用發光平台122b之外，本實施例的半導體元件層122可進一步包括多個擬平台(dummy mesa) 122c，此擬平台122c不具發光作用，且各個擬平台122c分別具有一開口H以將第一型摻雜半導體層122-1的部分區域暴露。值得注意的是，前述的顯示發光平台122a、備用發光平台122b以及擬平台122c例如是藉由同一道圖案化製程（例如微影蝕刻製程）所形成，因此顯示發光平台122a、備用發光平台122b以及擬平台122c皆具有相同的薄膜堆疊結構，並且具有相同的高度。
請參照圖2B，接著圖案化第一型摻雜半導體層122-1以形成多個相互分離且陣列排列於基板SUB上的平台結構M，其中各個平台結構M分別包括一個顯示發光平台122a、至少一個備用發光平台122b以及一個擬平台122c。值得注意的是，前述的備用發光平台122b的數量可以是多個，而前述的平台結構M例如具有正方形輪廓，當然，平台結構M亦可以依據設計需求而製作成長方形輪廓，然本實施例不以此為限。在本實施例中，陣列排列於基板SUB上的平台結構M例如是藉由一道圖案化製程（例如微影蝕刻製程）所形成。
請參照圖2C，在完成平台結構M的製作後，接著於各個平台結構M上形成一第一電極E1、一第二電極E2與一第三電極E3，其中第一電極E1配置於擬平台122c上並且開口H與第一型摻雜半導體層122-1電性連接，而第二電極E2配置於顯示發光平台122a上並且與第一半導體圖案122-4電性連接，且第三電極E3配置於備用發光平台122b上並且與第二半導體圖案122-5電性連接。
請參照圖2D，在完成第一電極E1、第二電極E2與第三電極E3的製作後，接著於各個平台結構M上形成保護層130以局部覆蓋住第一電極E1、第二電極E2與第三電極E3。在本實施例中，保護層130具有多個開口132a、132b、132c以分別暴露出第二電極E2、第三電極E3與第一電極E1的部分區域。
請參照圖2E，接著於第一電極E1、第二電極E2與第三電極E3上分別形成第一凸塊B1、一第二凸塊B2與一第三凸塊B3，其中第一凸塊B1透過開口132c與第一電極E1電性連接，而第二凸塊B2透過開口132a與第二電極E2電性連接，且第三凸塊B3透過開口132b與第三電極E3電性連接。在完成第一凸塊B1、第二凸塊B2與第三凸塊B3的製作後，接著沿著切割線SCL切割保護層130以及基板SUB以完成單體化步驟(singulation)。值得注意的是，本實施例的發光二極體晶片的製造流程可以省略前述的單體化步驟。舉例而言，發光二極體晶片可先與一暫時基板接合，之後，將前述的基板SUB去除以使發光二極體晶片被暫時性基板所承載，接著，再透過轉移(transfer bonding)的方式將位於暫時基板上發光二極體晶片轉貼至一永久基板上。本實施例不限定發光二極體與永久基板的接合方式。
從圖2A至圖2E所繪示之製程可知，本實施例的發光二極體晶片的製造流程與現有製程相容，僅需更動光罩的設計即可導入量產，不會導致成本上的過度負擔。
值得注意的是，由於顯示發光平台122a與備用發光平台122b是成長於同一基板SUB上，換言之，顯示發光平台122a與備用發光平台122b屬於單一發光二極體晶片中的不同構件，因此具有顯示發光平台122a與備用發光平台122b的顯示畫素120可被視為一種晶片尺寸封裝體(Chip Scale Package，CSP)。此外，由於此顯示畫素120可在晶圓層級下完成製作，因此前述的顯示畫素120可被視為一種晶圓層級晶片尺寸封裝體(Wafer Level Chip Scale Package，WL-CSP)。
第二實施例
圖3A至圖3E是本揭露第二實施例的發光二極體晶片的製造流程示意圖。請參照圖3A至圖3E，本實施例的發光二極體晶片的製造流程與第一實施例的發光二極體晶片的製造流程類似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的發光二極體晶片的製造流程省略了第一實施例中擬平台122c的製作，且相較於第一實施例，本實施例的顯示發光平台122a與備用發光平台122b具有較大的發光面積（如圖3A與圖3B所示）。
除了上述差異，本實施例的第二電極E2與第三電極E3是採用一道圖案化製程來製作，而第一電極E1則是採用另一道圖案化製程來製作，其中保護層130是在第二電極E2與第三電極E3製作完成後才形成，而第一電極E1則是在保護層130製作完成後才形成（如圖3C與圖3E所示）。再者，第一凸塊B1直接形成於第一電極E1上並與第一第電極E1電性連接，第二凸塊B2透過開口132a與第二電極E2電性連接，而第三凸塊B3則透過開口132b與第三電極E3電性連接。此外，第一電極E1透過開口132c與第一型摻雜半導體層122-1電性連接（如圖3E所示）。
第三實施例
圖4A是本揭露第三實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖，圖4B與圖4C是本揭露第三實施例的發光二極體晶片的頂視圖。請參照圖4A至圖4E，本實施例的發光二極體晶片與第一實施例的發光二極體晶片類似，惟二者主要差異之處在於：本實施例的發光二極體晶片為垂直式發光二極體晶片。從圖4A可清楚得知，在本實施例的發光二極體晶片中，第一電極E1位於半導體元件層122的一側，並與第一型摻雜半導體層122-1電性連接，而第二電極E2、第三電極E3則位於半導體元件層122的另一側，並與第一半導體圖案122-4、第二半導體圖案122-5電性連接。在本實施例中，半導體元件層122同樣包括顯示發光平台122a與至少一備用發光平台122b。
由於第一電極E1、第二電極E2與第三電極E3分佈於半導體元件層122兩側，因此顯示發光平台122a與備用發光平台122b的面積可以不受到第一電極E1的影響而最大化。
綜上所述，在本揭露的顯示畫素以及顯示面板中，用以作為子畫素的發光二極體晶片除了具有顯示發光平台之外，還進一步具有能夠取代顯示發光平台的備用發光平台，當顯示發光平台無法正常顯示時，本揭露可透過適當電路的驅動使備用發光平台發光以取代顯示發光平台原本的顯示功能。如此，本揭露的顯示畫素以及顯示面板不易出現瑕疵點，使得製造良率獲得明顯的提升。除此之外，本揭露可以在不增加顯示畫素尺寸與排列間距的情況下，大幅提高顯示畫素及顯示面板的製造良率。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧承載器
120‧‧‧顯示畫素
122‧‧‧半導體元件層
122-1‧‧‧第一型摻雜半導體層
122-2‧‧‧第一發光層
122-3‧‧‧第二發光層
122-4‧‧‧第一半導體圖案
122-5‧‧‧第二半導體圖案
122a‧‧‧顯示發光平台
122b‧‧‧備用發光平台
122c‧‧‧擬平台
130‧‧‧保護層
132a、132b、132c‧‧‧開口
B1‧‧‧第一凸塊
B2‧‧‧第二凸塊
B3‧‧‧第三凸塊
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
E3‧‧‧第三電極
H‧‧‧開口
LED‧‧‧發光二極體晶片
SCL‧‧‧切割線
SP‧‧‧子畫素
SUB‧‧‧基板
圖1是本揭露第一實施例的顯示面板的示意圖。 圖2A至圖2E是本揭露第一實施例的發光二極體晶片的製造流程示意圖。 圖3A至圖3E是本揭露第二實施例的發光二極體晶片的製造流程示意圖。 圖4A是本揭露第三實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。 圖4B與圖4C是本揭露第三實施例的發光二極體晶片的頂視圖。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧承載器
120‧‧‧顯示畫素
122‧‧‧半導體元件層
122-1‧‧‧第一型摻雜半導體層
122-2‧‧‧第一發光層
122-3‧‧‧第二發光層
122-4‧‧‧第一半導體圖案
122-5‧‧‧第二半導體圖案
122a‧‧‧顯示發光平台
122b‧‧‧備用發光平台
122c‧‧‧擬平台
B1‧‧‧第一凸塊
B2‧‧‧第二凸塊
B3‧‧‧第三凸塊
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
E3‧‧‧第三電極
LED‧‧‧發光二極體晶片
SP‧‧‧子畫素
SUB‧‧‧基板

Claims (10)

  1. 一種顯示畫素，適於配置於一承載器上，該顯示畫素包括： 多個發光二極體晶片，配置於該承載器上並與該承載器電性連接，各該發光二極體晶片分別作為一子畫素並且包括一半導體元件層，其中該半導體元件層包括一顯示發光平台與至少一備用發光平台，而在各該發光二極體晶片被驅動期間，各該發光二極體晶片中的該顯示發光平台與該備用發光平台其中之一能夠發光。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示畫素，其中各該發光二極體晶片的邊長小於或等於100微米。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示畫素，其中各該發光二極體中的該半導體元件層包括：     一第一型摻雜半導體層； 相互分離的一第一發光層與一第二發光層，配置於該第一型摻雜半導體層的部分區域上；以及 一第二型摻雜半導體層，包括相互分離的第一半導體圖案與一第二半導體圖案，其中該第一半導體圖案位於該第一發光層上，該第二半導體圖案位於該第二發光層上，而該第一半導體圖案與該第一發光層構成至少部分的該顯示發光平台，且該第二半導體圖案與該第二發光層構成至少部分的該備用發光平台。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示畫素，其中該些發光二極體晶片發出多個色光。
  5. 一種顯示面板，包括：一 承載器；     多個如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的顯示畫素，且該些顯示畫素陣列排列於該承載器上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的顯示面板，其中該承載器包括一線路板或一互補金氧半導體積體電路。
  7. 一種顯示面板的驅動方法，包括：     提供一顯示面板，該顯示面板包括一承載器以及多個如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的顯示畫素，其中該些顯示畫素陣列排列於該承載器上； 藉由該承載器驅動該些顯示畫素，並且偵測該些顯示畫素中的該些顯示發光平台是否正常顯示；以及 當該些顯示畫素中的至少一個顯示畫素被判斷為一異常顯示畫素時，禁能該異常顯示畫素中的該顯示發光平台，並且致能該異常顯示畫素中的該備用發光平台。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板的驅動方法，其中各該顯示畫素包括一晶圓層級晶片尺寸封裝體。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板的驅動方法，其中偵測該些顯示畫素中的該些顯示發光平台是否正常顯示的方法包括：量測該些顯示發光平台的電流-電壓關係，以判斷各該顯示發光平台是否出現開路或短路之異常狀態。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板的驅動方法，其中偵測該些顯示畫素中的該些顯示發光平台是否正常顯示是藉由一控制電路來執行。
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