TWI824614B - 顯示面板 - Google Patents

Abstract

一種顯示面板，包括電路基板及發光單元。發光單元包括第一型半導體層、發光層、第二型半導體層、第一型電極及兩個第二型電極。第一型半導體層包括連接部和自連接部側邊延伸而出的第一延伸部和第二延伸部。發光層在第一型半導體層與電路基板之間且重疊第一延伸部及第二延伸部。第二型半導體層重疊第一延伸部和第二延伸部。第一型電極在電路基板與第一型半導體層之間，第一型電極與連接部重疊且彼此電連接。兩個第二型電極分別重疊第一延伸部及第二延伸部，且分別電連接第二型半導體層中結構上彼此分離的兩個第二型半導體圖案。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種微型發光二極體的顯示面板。

微型發光二極體面板包括主動元件基板及主動元件基板上的微型發光二極體(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)，並與主動元件基板中的驅動電路層電性連接。微型發光二極體面板因高亮度、高解析度及高對比度等優點，使其成為各大廠商研發的焦點。

然而，由於微型發光二極體體積小，在巨量轉移(Mass transfer)接合至主動元件基板時需要有極高的對位精度。這造成微型發光二極體面板的製造良率難以提升。此外，微型發光二極體容易使鄰近畫素之間的出光容易發生光學串擾(cross talk)問題，上述原因都是微型發光二極體面板製造與普及所需面臨的挑戰。

本發明提供一種顯示面板，有效改善發光二極體之間彼 此光學串擾的問題，並且轉移良率佳。

本發明的顯示面板中，包括電路基板及發光單元，發光單元設置在電路基板上。其中發光單元包括第一型半導體層、發光層、第二型半導體層、第一型電極及兩個第二型電極。第一型半導體層具有連接部以及自連接部的側邊延伸而出的第一延伸部和第二延伸部。發光層位於第一型半導體層與電路基板之間，發光層重疊於第一延伸部及第二延伸部。第二型半導體層設置在發光層與電路基板之間，且重疊於第一延伸部和第二延伸部。第一型電極設置在電路基板與第一型半導體層之間，第一型電極與連接部重疊並且彼此電連接。兩個第二型電極設置在電路基板與第二型半導體層之間，其中兩個第二型電極分別重疊第一延伸部以及第二延伸部，且分別電連接第二型半導體層中結構上彼此分離的兩個第二型半導體圖案。

基於上述，本發明的發光單元以第一型電極作為共用電極，增加了第一型電極的接觸面積，減少對位所需精度，進而提高後續製造的顯示面板的生產良率，降低生產成本。此外，第一型半導體層的各延伸部彼此分離，使得重疊於延伸部的發光層所發出的光線，難以傳遞到相鄰的延伸部。據此，各延伸部作為顯示面板的子畫素，可有效抑制各子畫素發出的光線彼此串擾的問題。並且重疊於延伸部的發光層可以具有較大的發光面積，除了增加了面板空間利用率之外，也更適合用於色轉換面板。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉 實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

1、2、3、4、5、6、7、8:顯示面板

10:電路基板

20:吸光層

30:反射層

40R、40G、40B:波長轉換層

100、100a、100b、100c、100d:發光單元

110:第一型半導體層

111a:第一延伸部

111aS1:第一側面

111aS2:第二側面

111aS3:第三側面

111b:第二延伸部

111c:第三延伸部

112:連接部

112S1:第一側邊

112S2:第二側邊

112S3:第三側邊

120:發光層

120P:發光圖案

130:第二型半導體層

130P:第二型半導體圖案

140:第一型電極

150:第二型電極

160:反射層

L:光線

0P1、OP2、OP3:開口

A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’:剖線

圖1A是依照本發明的第一實施例的顯示面板的俯視示意圖。

圖1B是圖1A的顯示面板的仰視示意圖。

圖1C是圖1A的顯示面板沿剖線A-A’的剖視示意圖。

圖1D是圖1A的顯示面板沿剖線B-B’的剖視示意圖。

圖2A是依照本發明的第二實施例的顯示面板的俯視示意圖。

圖2B是圖2A的顯示面板沿剖線C-C’的剖視示意圖。

圖2C是圖2A的顯示面板沿剖線D-D’的剖視示意圖。

圖3A是依照本發明的第三實施例的顯示面板的俯視示意圖。

圖3B是圖3A的顯示面板沿剖線E-E’的剖視示意圖。

圖3C是圖3A的顯示面板沿剖線F-F’的剖視示意圖。

圖4A及圖4B是依照本發明的第四實施例的顯示面板的剖視示意圖。

圖5是依照本發明的第五實施例的顯示面板的剖視示意圖。

圖6是依照本發明的第六實施例的顯示面板的俯視示意圖。

圖7是依照本發明的第七實施例的顯示面板的俯視示意圖。

圖8是依照本發明的第八實施例的顯示面板的俯視示意圖。

本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。

現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1A是依照本發明第一實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖1B是圖1A的顯示面板的仰視示意圖。圖1C是圖1A的顯示面板沿剖線A-A’的剖視示意圖。圖1D是圖1A的顯示面板沿剖線B-B’的剖視示意圖。為了方便呈現，發光單元100的數量可以 是多個，而此處僅示意性地繪出一個，本發明並不限制發光單元100的數量。

請參照圖1A至圖1D，顯示面板1包括電路基板10及發光單元100，發光單元100設置在電路基板10上。其中發光單元100包括第一型半導體層110、發光層120、第二型半導體層130、第一型電極140及多個第二型電極150。第一型半導體層110包括連接部112，以及自連接部112第一側邊112S1延伸而出的第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c。發光層120重疊於第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c。第二型半導體層130包括彼此分離的兩個第二型半導體圖案130P，發光層120位於第一型半導體層110和第二型半導體圖案130P之間。第一型電極140與連接部112重疊並且彼此電連接。多個第二型電極150分別重疊第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c，且第二型電極150分別電連接第二型半導體圖案130P。

在本實施例中，電路基板10包括多種訊號線(例如資料線、掃描線或電源線)。並且例如是採用矽晶圓材料且包括互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的驅動基板，藉此提高電路基板10中各開關元件的反應速度及降低功耗，以滿足顯示面板1快速響應及高解析度的需求。然而本發明並不以此為限。在其他實施例中，電路基板10也可以是印刷電路板(printed circuit board，PCB)。在其它實施例中，電 路基板10也可以是玻璃基板和畫素電路層的組合，其中畫素電路層是採用半導體製程形成於玻璃基板上，且畫素電路層可包括主動元件(例如薄膜電晶體)和多種訊號線(例如資料線、掃描線或電源線)，但不以此為限。

另一方面，發光單元100例如是微型發光二極體(micro light emitting diode，micro LED)、次毫米發光二極體(mini light emitting diode，mini LED)、或其它尺寸大小的發光二極體，本發明並不以此為限。較佳地，本實施例採用的是微型發光二極體。發光單元100可以為紫外光(UV)發光二極體或是藍光發光二極體。另一方面，本實施例的發光單元100是覆晶式(flip-chip type)發光二極體。舉例來說，本實施例透過位於這些發光單元100磊晶結構同一側的第一型電極140以及第二型電極150，與電路基板10上對應的接合墊(未示出)相互對位，並利用習知的表面黏合技術(Surface-mount technology,SMT)相互接合，以達成發光單元100與電路基板10的電連接，然而本發明並不以此為限。

第一型半導體層110可以是N型半導體層，而第二型半導體層130可以是P型半導體層，然而本發明並不限於此。此外，第一型半導體層110及第二型半導體層130可以各自包括摻雜濃度不同的高濃度摻雜層以及具有正常摻雜濃度的半導體層的多層結構。舉例來說，連接部112與第一型電極140接觸的部分可以包括高摻雜的N⁺氮化鎵(GaN)，以利於第一型半導體層110和第一型電極140之間的歐姆接觸。相同地，第二型半導體層130與第 二型電極150接觸的部分可以包括高摻雜的P⁺ GaN層，以利於第二型半導體層130和第二型電極150之間的歐姆接觸。在其它的實施例中，也可使用其它材料作為第一型半導體層110及第二型半導體層130的基材，例如砷化鎵(GaAs)、砷化鎵銦(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)等，本實施例對此並不加以限定。

需說明的是，在本實施例中，延伸部的數量是以三個為例進行示範性地說明，並不表示本發明以此為限制。在其它實施例中，延伸自連接部112的延伸部數量也可根據實際的應用而調整為兩個或四個以上。

此外，如圖1B及圖1C所示，第二型半導體層130在結構上可以是彼此分離的多個第二型半導體圖案130P。較佳地，在電路基板10的法線方向上，本實施例的多個第二型半導體圖案130P可以僅各自重疊於第一延伸部111a、第二延伸部111b、第三延伸部111c、第二型電極150以及發光層120，而發光層120和第二型半導體圖案130P不重疊於連接部112。

在本實施例中，發光層120可區分為三個發光圖案120P，且這三個發光圖案120P分別重疊第一延伸部111a、第二延伸部111b及第三延伸部111c設置。發光層120的結構可以是多重量子井(Multiple-Quantum Well,MQW)結構、單一量子井結構、雙異質結構(Double Heterostructure)、單異質結構或其組合。本發明並不以此為限。並且如圖1C及圖1D所示，多個發光圖案120P在結構上彼此分離。因此，第一型半導體層110用以提供電子且 第二型半導體圖案130P用以提供電洞，使電子和電洞在各發光圖案120P中結合並將能量轉換為光子而發光。

第一型電極140和第二型電極150可以為金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)鍺金(GeAu)或其它適合與P型半導體及N型半導體產生歐姆接觸(ohmic contact)的金屬或合金，以及適合與電路基板10的金屬接合墊(未示出)以及焊接金屬產生連接的材料，本發明並不以此為限。

以圖1C為例，當顯示面板1被致能時，位於電路基板10上的第一型電極140可以選擇性的被提供一低電位或接地電位(ground)，而第二型電極150可以選擇性的被提供一高電位。由於第一型電極140和第二型電極150之間產生的電位差，使得電流可以從第二型電極150依序通過第二型半導體圖案130P、發光圖案120P、延伸部(例如第一延伸部111a、第二延伸部111b或第三延伸部111c)、連接部112以及第一型電極140，致使發光層120得以發出光線L。

換句話說，本實施例的第一型電極140可以視為共用電極。而第一型半導體層110的連接部112可以視為共用半導體層。發光層120的三個發光圖案120P(或第一型半導體層110的第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c)於電路基板10的投影面積大致上可以視為顯示面板1的三個子畫素的出光面積。也就是說，本實施例的發光單元100可視為具有三個發光元件的集成結構，且這三個發光元件的出光與否可個別地被控制。

藉由上述的設計，第一型半導體層110可以具有較大面積的第一型電極140，有效的增加第一型電極140與電路基板10上的接合面積，降低了發光單元100轉移至電路基板10時對位精度的要求，提升發光單元100巨量轉移時的成功率，進一步提升了顯示面板1的製造良率。

不但如此，請參照圖1C及圖1D。第一延伸部111a及第二延伸部111b的延伸方向(例如方向X)大致相同。更進一步來說，本實施例的第一延伸部111a及第二延伸部111b的延伸方向彼此平行。此外，第一延伸部111a及第二延伸部111b的延伸方向和連接部112的延伸方向(例如方向Y)不同。更進一步來說，在顯示面板1的平面上，本實施例的第一延伸部111a及第二延伸部111b的延伸方向垂直於連接部112的延伸方向。據此，第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c在結構上彼此分離而僅依靠連接部112的側邊112S1相連接。因此重疊於第一延伸部111a的發光圖案120P其所發出的光線L，將難以經由連接部112傳遞到鄰近的第二延伸部111b。重疊於第二延伸部111b的發光圖案120P其所發出的光線L，也難以經由連接部112傳遞到鄰近的第一延伸部111a及第三延伸部111c。重疊於第三延伸部111c的發光圖案120P其所發出的光線L，也難以經由連接部112傳遞到鄰近的第二延伸部111b。

據此，發光層120的各個發光圖案120P所發出的光線L僅會經由相重疊的第一型半導體層110的延伸部傳遞並出射，並 不會傳遞至結構上分離的另一延伸部。因此，可有效抑制發光單元100的三個發光元件間發生出光串擾的問題，有助於提升顯示面板1的顯示解析度及正向出光量。

更進一步來說，由於發光圖案120P與第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c重疊，故發光圖案120P也可以依各延伸部的延伸方向上延伸，增加了發光層120發光面積，也增加了顯示面板1的空間利用率。

另一方面，本實施例的第一型電極140還可以延伸至第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c。並且第一型電極140重疊於部分發光層120以及第二型半導體層130。舉例來說，如圖1B及圖1C所示，第一型電極140可以與第二型半導體圖案130P接觸且重疊。特別說明的是，為了避免電流直接從第二型電極150經由第二型半導體層130直接流至第一型電極140而未通過發光層120，發光層120和第二型半導體層130的疊層結構與第一型電極140間還設有絕緣層(未繪示)。

由於第一型電極140採用了高反射率的金屬材料，藉由上述設計使得發光層120朝向電路基板10發出的光線L，可以被第一型電極140以及第二型電極150反射回朝向電路基板10的法線方向(例如圖1A至圖1D的方向Z)，有利於增加發光單元100的正向出光。須注意的是，第一型電極140及第二型電極150之間須保持適當的間距(例如大於2微米)，以避免發光單元100與電路基板10接合時因第一型電極140及第二型電極150的距離過近 而發生短路。

以下將列舉另一些實施例以詳細說明本發明，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。

圖2A是依照本發明的第二實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖2B是圖2A的顯示面板沿剖線C-C’的剖視示意圖。圖2C是圖2A的顯示面板沿剖線D-D’的剖視示意圖。請參照圖2A，本實施例的顯示面板2與顯示面板1相似，其差異在於：本實施的顯示面板2中，發光單元100a的第一型半導體層110的第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c的延伸方向(例如圖2A的方向X的反方向)的相對兩側面上設有反射層160。

詳細而言，反射層160例如是白漆或金屬鏡面塗層。此外，第一型半導體層110的各延伸部及連接部112的側邊可以皆被反射層160圍繞。以第一延伸部111a為例，反射層160可設置在第一延伸部111a的第一側面111aS1、第二側面111aS2以及第三側面111aS3。據此，發光圖案120P所發出的光線L自各延伸部的側面(例如第一延伸部111a的第一側面111aS1、第二側面111aS2以及第三側面111aS3)漏光的機會得以降低。此外，反射層160也可以設置在連接部112位在第一側邊112S1、第二側邊112S2以及第三側邊112S3的三個側面。也就是說，發光單元100a的第一型半導體層110在第一延伸部111a和第二延伸部111b的延伸方向(例如圖2A的方向X的反向)上，第一延伸部111a遠離連接部112 的第三側面111aS3，以及連接部112遠離第一延伸部111a的第二側邊112S2的側面，相對兩側面上設有反射層160。以進一步增加發光單元100a的出光效率，並且有效減少光線L自連接部112的第一側邊112S1、第二側邊112S2以及第三側邊112S3的三個側面漏光。

更進一步來說，反射層160的製程可以是利用濺鍍或是蒸鍍等方式，或是習知的物理氣相沉積或是化學氣相沉積等方法形成，本發明不以此為限。

圖3A是依照本發明的第三實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖3B是圖3A的顯示面板沿剖線E-E’的剖視示意圖。圖3C是圖3A的顯示面板沿剖線F-F’的剖視示意圖。請參照圖3A，本實施例的顯示面板3與顯示面板1相似，其差異在於：本實施的顯示面板3中，發光單元100的第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c的延伸方向(例如圖2A的方向X的反方向)的相對兩側面設有吸光層20。

詳細而言，吸光層20可以是黑色矩陣(Black Matrix,BM)。此外，第一型半導體層110的各延伸部及連接部112的側邊可以皆被吸光層20圍繞。以第一延伸部111a為例，吸光層20可設置在第一延伸部111a的第一側面111aS1、第二側面111aS2以及第三側面111aS3。據此，光線自各延伸部的側邊(例如第一延伸部111a的第一側面111aS1、第二側面111aS2以及第三側面111aS3)的漏光可以被吸光層20所吸收。吸光層20也可以設置在連接部 112的第一側邊112S1、第二側邊112S2以及第三側邊112S3。也就是說，發光單元100的第一型半導體層110在第一延伸部111a和第二延伸部111b的延伸方向(例如圖3A的方向X的反向)上，相對的第三側面111aS3以及第二側邊112S2的側面設有吸光層20。可有效減少光線自連接部112的第一側邊112S1、第二側邊112S2以及第三側邊112S3處的三個側面漏光，並增加顯示面板3顯示畫面的對比度。另一方面，本實施例的多個發光單元100之間被吸光層20所覆蓋，可以用於遮蔽電路基板10上的主動元件(例如薄膜電晶體)，以避免發光單元100所發出的光線造成主動元件發生劣化。

圖4A及圖4B是依照本發明的第四實施例的顯示面板的剖視示意圖。在本實施例中，顯示面板4的俯視圖與圖3A的顯示面板3的俯視圖相似，因此相同構件的描述及各構件的相對位置及連接關係可以參考圖3A的繪示。請參照圖4A及圖4B，顯示面板4和顯示面板3的差異在於：在本實施例中，顯示面板4是以反射層30來取代圖3A及圖3B中的吸光層20。因此，反射層30還延伸至發光層120和第二型半導體層130的至少一側面。

請同時參照圖3A以及圖4A，反射層30例如是由高反射率材料製作而成的擋牆結構。反射層30可圍繞第一型半導體層110的各延伸部及連接部112的側面設置。以第一延伸部111a為例，反射層30可以設置在第一延伸部111a的第一側面111aS1、第二側面111aS2以及第三側面111aS3上。據此，朝向各延伸部的側 面(例如第一延伸部111a的第一側面111aS1、第二側面111aS2以及第三側面111aS3)傳遞的光線都會被反射。此外，請同時參考圖3A實施例的顯示面板3的俯視圖，反射層30也可以設置在連接部112的第一側邊112S1、第二側邊112S2以及第三側邊112S3的三個側面上，以進一步增加發光單元100a的出光效率，並且有效減少光線自連接部112的第一側邊112S1、第二側邊112S2以及第三側邊112S3處的三個側面漏光。反射層30除了可達到圖2B中反射層160的技術功效外，朝向各發光元件的發光圖案120P和第二型半導體層130的側面傳遞的光線也能經由反射層30的反射而自對應的發光元件的出光面(例如)出射。可以增加整體出光量，以及達到發光單元100向垂直電路基板10的法線方向(例如圖4A及圖4B中的方向Z)集中出光的效果。

圖5是依照本發明的第五實施例的顯示面板的剖視示意圖。本實施例的顯示面板5與顯示面板4相似，其差異在於：顯示面板5還包括吸光層20，設置於發光單元100上，其中吸光層20包括開口OP1、開口OP2以及開口OP3，分別重疊於第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c。以及波長轉換層40R、波長轉換層40G以及波長轉換層40B，分別填充於開口OP1、開口OP2以及開口OP3中。

詳細而言，顯示面板5的發光單元100設置在吸光層20與電路基板10之間。在一些實施例中，發光單元100例如是藍光或紫外光發光二極體，則波長轉換層40R可以是將藍光或紫外光 轉換成紅光的波長轉換材料，波長轉換層40G可以是將藍光或紫外光轉換成綠光的波長轉換材料，波長轉換層40B可以是將紫外光轉換成藍光波長轉換材料。在一些實施例中，發光單元100可以是藍光發光二極體，則波長轉換層40R可以是將藍光轉換成紅光的波長轉換材料，波長轉換層40G可以是將藍光轉換成綠光波長轉換材料，而其中一個開口(例如開口OP3)可以不填充波長轉換材料。上述的各色光波長轉換材料可以是習知的螢光粉材料、濾光層或是量子點結構，本發明並不以此為限。

另一方面，在其它實施例中，反射層30也可以替換成與吸光層20相同的材料，以簡化顯示面板5的製程步驟。吸光層20的設置方式及優點可以參照前述實施例，在此不再贅述。

藉由波長轉換層40R、波長轉換層40G以及波長轉換層40B分別重疊發光單元100的第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c，使得本實施例的顯示面板5可以為彩色出光的色轉換面板。由於本發明的發光單元100可以有效抑制光學串擾，使得分別重疊於波長轉換層40R、波長轉換層40G以及波長轉換層40B的各發光圖案120P所發出的光線L，不會傳遞至鄰近的其它發光層120，也就不會激發其它相鄰的波長轉換層，因此具有較佳的解析度以及亮度。上述的優點應用在擴增實境(Augmented Reality,AR)、虛擬實境(virtual reality,VR)或者混合實境(Mixted Reality,MR)等等的近眼顯示裝置中，可以發揮更加的顯示效果，增進用戶的觀看體驗。

圖6是依照本發明的第六實施例的顯示面板的俯視示意圖。請參照圖6，本實施例的顯示面板6與顯示面板1相似，其差異在於：發光單元100b的延伸部的沿伸方向不同。

詳細而言，發光單元100b的連接部112具有相對的第一側邊112S1以及第二側邊112S2，第一延伸部111a及第二延伸部111b分別從相對的第二側邊112S2以及第一側邊112S1延伸而出，第一延伸部111a以及第二延伸部111b彼此平行。此外，該領域技術人員可以依據實際的子畫素設計需求而調整第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c的沿伸方向，本發明並不以此為限。由於本實施例的發光單元100b的其他元件設置方式及優點類似前述各實施例的發光單元，詳細說明可以參照前述實施例的相關段落，在此不再贅述。

圖7是依照本發明的第七實施例的顯示面板的俯視示意圖。請參照圖7，本實施例的顯示面板7與顯示面板1相似，其差異在於：發光單元100c的延伸部的沿伸方向不同。

詳細而言，發光單元100c的連接部112包括第一側邊112S1、第二側邊112S2以及第三側邊112S3，第一側邊112S1和第二側邊112S2彼此相對，第三側邊112S3連接第一側邊112S1及第二側邊112S2，其中第一延伸部111a、第二延伸部111b及第三延伸部111c分別自第一側邊112S1、第二側邊112S2及第三側邊112S3延伸而出。其中，第一延伸部111a的沿伸方向(例如圖7中方向X的反向)及第二延伸部111b的沿伸方向(例如圖7中的方 向X)可以彼此平行，第三延伸部111c的沿伸方向可以和連接部112的沿伸方向(例如圖7中的方向Y)平行，而方向X和方向Y可以彼此垂直，本發明並不以此為限。由於本實施例的發光單元100c的其他元件設置方式及優點類似前述各實施例的發光單元，詳細說明可以參照前述實施例的相關段落，在此不再贅述。

圖8是依照本發明的第八實施例的顯示面板的俯視示意圖。請參照圖8，本實施例的顯示面板8與顯示面板1相似，其差異在於：發光單元100d的延伸部的沿伸方向不同。

詳細而言，發光單元100d的第一延伸部111a以及第三延伸部111c皆從連接部112的第二側邊112S2延伸而出，而第二延伸部111b從連接部112的第一側邊112S1延伸而出。第一延伸部111a以及第三延伸部111c彼此平行。該領域技術人員可以依據實際的子畫素設計需求而調整第一延伸部111a、第二延伸部111b以及第三延伸部111c的沿伸方向，本發明並不以此為限。由於本實施例的發光單元100d的其他元件的設置方式及優點類似前述各實施例的發光單元，詳細說明可以參照前述實施例的相關段落，在此不再贅述。

綜上所述，本發明的發光單元以第一型電極作為共用電極，增加了第一型電極的接觸面積，減少對位所需精度，進而提高後續製造的顯示面板的生產良率，降低生產成本。此外，第一型半導體層的各延伸部彼此分離，使得重疊於延伸部的發光層所發出的光線，難以傳遞到相鄰的延伸部。據此，各延伸部作為顯 示面板的子畫素，可有效抑制各子畫素發出的光線彼此串擾的問題。並且重疊於延伸部的發光層可以具有較大的發光面積，除了增加了面板空間利用率之外，也更適合用於色轉換面板。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

1:顯示面板

10:電路基板

100:發光單元

110:第一型半導體層

111a:第一延伸部

111aS3:第三側面

120:發光層

120P:發光圖案

130:第二型半導體層

130P:第二型半導體圖案

140:第一型電極

150:第二型電極

Claims (11)

1. 一種顯示面板，包括： 電路基板；以及 發光單元，設置在該電路基板上，該發光單元包括： 第一型半導體層，具有連接部以及自該連接部的至少一側邊延伸而出的第一延伸部和第二延伸部； 發光層，位於該第一型半導體層與該電路基板之間，該發光層重疊於該第一延伸部以及該第二延伸部； 第二型半導體層，設置在該發光層與該電路基板之間，且重疊於該第一延伸部和該第二延伸部； 第一型電極，設置在該電路基板與該第一型半導體層之間，該第一型電極與該連接部重疊且彼此電連接；以及 兩個第二型電極，設置在該電路基板與該第二型半導體層之間，其中該兩個第二型電極分別重疊該第一延伸部和該第二延伸部，且分別電連接該第二型半導體層中結構上彼此分離的兩個第二型半導體圖案。
2. 如請求項1所述的顯示面板，其中該第一型電極還延伸至該第一延伸部和該第二延伸部，並且重疊於部分該發光層和部分該第二型半導體層。
3. 如請求項1所述的顯示面板，其中該第一型半導體層在該第一延伸部和該第二延伸部的延伸方向上的相對兩側面上設有反射層。
4. 如請求項3所述的顯示面板，其中該反射層還延伸至該發光層和該第二型半導體層的至少一側面。
5. 如請求項3所述的顯示面板，還包括： 吸光層，設置於該發光單元上，其中該吸光層包括兩個開口，該兩個開口分別重疊於該第一延伸部以及該第二延伸部；以及 波長轉換層，填充於該兩個開口中。
6. 如請求項1所述的顯示面板，其中該第一型半導體層在該第一延伸部和該第二延伸部的延伸方向上的相對兩側面上設有吸光層。
7. 如請求項1所述的顯示面板，其中該發光層和該第二型半導體層不重疊於該連接部。
8. 如請求項1所述的顯示面板，其中該第一延伸部及該第二延伸部從該連接部的該至少一側邊的同一側邊延伸而出，該第一延伸部和該第二延伸部彼此平行。
9. 如請求項1所述的顯示面板，其中該至少一側邊包括彼此相對的兩側邊，該第一延伸部及該第二延伸部分別從該兩側邊延伸而出，該第一延伸部和該第二延伸部彼此平行。
10. 如請求項1所述的顯示面板，其中該第一型半導體層還具有第三延伸部，該連接部的該至少一側邊包括第一側邊、第二側邊以及第三側邊，該第一側邊和該第二側邊彼此相對，該第三側邊連接該第一側邊及該第二側邊，其中該第一延伸部、該第二延伸部及該第三延伸部分別自該第一側邊、該第二側邊及該第三側邊延伸而出。
11. 如請求項1所述的顯示面板，其中該第一延伸部及該第二延伸部的延伸方向垂直於該連接部的延伸方向。

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