TW201721173A - 光反射器 - Google Patents

光反射器 Download PDF

Info

Publication number
TW201721173A
TW201721173A TW105122894A TW105122894A TW201721173A TW 201721173 A TW201721173 A TW 201721173A TW 105122894 A TW105122894 A TW 105122894A TW 105122894 A TW105122894 A TW 105122894A TW 201721173 A TW201721173 A TW 201721173A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting element
receiving element
reflector
substrate
Prior art date
Application number
TW105122894A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI701455B (zh
Inventor
Fumiaki Ohno
Seiji Koike
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by New Japan Radio Co Ltd filed Critical New Japan Radio Co Ltd
Publication of TW201721173A publication Critical patent/TW201721173A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI701455B publication Critical patent/TWI701455B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/46—Indirect determination of position data
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4811—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements common to transmitter and receiver
    • G01S7/4813—Housing arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4816—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of receivers alone
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)

Abstract

實現縮短到檢測對象的距離，可以進行更近的檢測對象物的位置檢測，並得以有助於配置空間的縮小化的光反射器。光反射器(10)，係具備有：基板(11)，係成板狀；發光元件(13)，係安裝於基板(11)；光接收元件(14)，係安裝於基板(11)；透光性樹脂層(12)，係密封發光元件(13)及光接收元件(14)；以及遮光部(21)，係設置於發光元件(13)及光接收元件(14)之間；遮光部(21)形成的高度，係在發光元件(13)及光接收元件(14)之間透過前述透光性樹脂層(21)可以直接接收光的一部分。

Description

光反射器
本發明係關於光反射器，係具有發光元件及光接收元件，透過檢測反射光來檢測物體的位置等。
作為週知的光反射器例子，例示在基板上搭載發光元件及光接收元件的表面安裝型的光反射器之構成。圖8為顯示週知的光反射器之構成例的圖，圖8(A)為自元件上方觀看之俯視圖，圖8(B)為從側方觀看之側剖面圖。
週知例之光反射器100，其構造係成為在基板101上安裝發光元件103及光接收元件104，各該發光元件103及光接收元件104被透光性樹脂層102密封。且發光元件103及光接收元件104之間，為了降低在元件間因收送直射光而來的雜訊，而設有由光透射率低的樹脂構成之遮光壁107。作為發光元件及光接收元件之間設有遮光壁的例子，例如專利文獻1所揭露之接近感測器。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開平11-354832號公報。
最近，光反射器搭載於以智慧型手機為代表之行動終端機等行動裝置，被用於相機模組的自動對焦透鏡(Autofocus Lens)之位置檢測等應用單元(Application)上。在這種行動裝置中，因為有來自市場的高功能化需求，搭載零件之配置空間逐漸成為問題。由於因設計上的限制等難以為了搭載的零件而加大產品尺寸，而變得需要縮減(downsizing)各模組或裝置。
在此作為光反射器的適用例，以進行相機模組的自動對焦透鏡之位置檢測為例進行說明。為了進行在相機模組內位移之自動對焦透鏡的位置檢測，設有與透鏡的光軸方向的移動連動之反射物，並在反射物的對向配置光反射器，透過光反射器檢測來自反射物的反射光。此時利用光反射器之光接收元件的輸出訊號的變化與到反射物的距離相關之特性，透過檢測到反射物的距離而進行自動對焦透鏡的位置檢測。
為求相機模組的高功能化、小型化，在檢討縮小光反射器的配置空間時，光反射器本身的薄型化、縮短到檢測對象的距離等手法都被考慮。在週知的構成中，若單純進 行光反射器的薄型化，會產生基板的剛性不足，無法充分獲得安裝之位置準確度、需要擴大發光元件及光接收元件的配置間隔、光反射器之封裝(package)的安裝面積變大等課題。另外，上述週知例中，雖透過遮光壁降低由直射光造成的雜訊，但需要確保一定程度的到檢測對象物之距離，而使得到可以檢測位置的檢測對象物之距離變遠，故難以更進一步縮短可檢測距離以及縮小配置空間。
本發明之目的係實現一種光反射器，其係縮短到檢測對象物的距離，可以進行更近的檢測對象物的位置檢測，並得以有助於配置空間的縮小化。
本發明係提供一種光反射器，係具備有：基板，係成板狀；發光元件，係安裝於前述基板；光接收元件，係安裝於前述基板；透光性樹脂層，係密封前述發光元件及前述光接收元件；以及遮光部，係設置於前述發光元件及前述光接收元件之間；前述遮光部形成的高度，係在前述發光元件及前述光接收元件之間透過前述透光性樹脂層可以直接接收光的一部分。
前述光反射器中，也可以於密封前述發光元件的透光性樹脂層及密封前述光接收元件的透光性樹脂層之間具有空氣層，在前述發光元件及前述光接收元件之間，可以透 過前述透光性樹脂層及前述空氣層，直接接收光的一部分。
前述光反射器中，也可以於前述基板具有複數個凹部，而前述發光元件及前述光接收元件配置為各自收納在前述複數個凹部的其中之一，並透過前述發光元件及前述光接收元件之間的前述凹部之側壁部形成前述遮光部。
前述光反射器中，前述發光元件或前述光接收元件所配置之前述凹部也可以至少於側壁部設置反射膜。
前述光反射器中，前述發光元件的上端及前述光接收元件的上端，也可以形成為比前述遮光部的上端位於更上面的狀態。
依據本發明，可以實現一種光反射器，係縮短到檢測對象物的距離，可以進行更近的檢測對象物的位置檢測，並得以有助於配置空間的縮小化。
10、10A、10B、10C、100‧‧‧光反射器
11、101‧‧‧基板
12、102‧‧‧透光性樹脂層
13、103‧‧‧發光元件
13a、14a、23a‧‧‧上端
14、104‧‧‧光接收元件
15‧‧‧基體
16‧‧‧銅箔
17‧‧‧凹部
18‧‧‧通孔
19‧‧‧金屬圖樣
21‧‧‧遮光部
22‧‧‧縫隙
23、107‧‧‧遮光壁
50‧‧‧檢測對象物
Lo‧‧‧到檢測對象物之距離
Lf、Ln、Ls‧‧‧位置檢測範圍
So‧‧‧感測器相對輸出
Sp‧‧‧輸出峰值點
X‧‧‧尺寸
圖1係顯示本發明之第1實施方式的光反射器構成之圖，(A)係從元件上方觀看的俯視圖，(B)係從側方觀看之側剖面圖。
圖2係示意性地顯示光反射器中光之路徑的圖，(A) 係顯示本實施方式之構成的說明圖，(B)係顯示週知例之構成的說明圖。
圖3係顯示本發明之第2實施方式的光反射器構成之圖，(A)係從元件上方觀看的俯視圖，(B)係從側方觀看之側剖面圖。
圖4係示意性地顯示第2實施方式的光反射器中光之路徑的圖。
圖5係顯示本實施方式的光反射器的輸出與到檢測對象物之距離之間的關係之特性圖。
圖6係顯示本發明之第3實施方式的光反射器構成之圖，(A)係從元件上方觀看的俯視圖，(B)係從側方觀看之側剖面圖。
圖7係顯示本發明之第4實施方式的光反射器構成之圖，從元件側方觀看之側剖面圖。
圖8係顯示週知的光反射器構成例之圖，(A)係從元件上方觀看的俯視圖，(B)係從側方觀看之側剖面圖。
圖9係顯示週知例中光反射器與檢測對象物之距離之說明圖。
圖10係顯示週知例之光反射器的輸出與到檢測對象物之距離之間的關係之特性圖。
以下針對具體揭示本發明之光反射器之實施方式(以下稱「本實施方式」)，參照圖式進行詳細說明。
在本實施方式係顯示以例如用於搭載於行動裝置之相機模組的自動對焦透鏡之位置檢測等的光反射器之構成例。
(到達本發明的各實施方式的內容之緣由)
關於本實施方式的構成之說明，首先對於在追求縮小光反射器之配置空間上的課題更具體地說明。
圖9係顯示週知例中光反射器與檢測對象物之距離之說明圖，圖10係顯示週知例之光反射器的輸出與到檢測對象物之距離之間的關係之特性圖。
以下說明係敘述進行相機模組之自動對焦透鏡的位置檢測之表面安裝型光反射器的例子。在這種情況下，在相機模組係設有與自動對焦透鏡的光軸方向之移動連動並位移之反射物，以此反射物為檢測對象物50，如圖9所示，對向於檢測對象物50而配置光反射器100。光反射器100係由發光元件103朝向檢測對象物50放射檢測光，由光接收元件104接收由檢測對象物50反射之反射光。
光反射器100的輸出(輸出電流)係對應自光反射器100的上端面至檢測對象物50(反射物)之距離Lo，具有如圖10所示之特性。在圖10中，縱軸係作為光反射器100 的感測器輸出，表示感測器相對輸出So的大小，並將可以檢測位置之檢測對象物50的最近位置中的輸出值作為1而常態化。橫軸係表示到檢測對象物50(反射物)的距離Lo。感測器相對輸出So係將光反射器100的輸出電流透過以多項式近似的曲線表示。光反射器100的感測器輸出係在預定範圍具有感測器輸出值相對於反射物的位置成相關之特性。
為了高準確度地檢測到成為檢測對象物50的反射物之距離，係使用相當於比感測器輸出的輸出峰值點Sp更遠的範圍，且相對於距離的增加，感測器的輸出係單調地減少之區域。作為檢測對象物50的位置檢測範圍Ls，例如欲檢測0.9mm的範圍時，在圖10的例中，到可以檢測位置之檢測對象物50距離Lo的範圍為0.6mm至1.5mm。在這情況下，感測器輸出的輸出峰值點Sp中的反射物的距離為0.3mm，位置檢測範圍的最近位置的到檢測對象物50的距離Ln為0.6mm，到最遠位置的距離Lf為1.5mm。
在此以搭載機器之相機模組的縮減為目的，為求縮小光反射器的配置空間，探討將到可以檢測位置之檢測對象物的距離縮短。為了縮短到檢測對象物的距離，需要使感測器輸出的輸出峰值點Sp之位置接近0，使其在圖10的特性圖中往左側移動。
鑒於上述事項，在本實施方式，以下示有光反射器的構成例，係將感測器輸出的輸出峰值點Sp之位置接近0，縮短到檢測對象物的距離，而使更近的檢測對象物的位置檢測變得可行，而有助於配置空間的縮小化。
(第1實施方式)
圖1係顯示本發明之第1實施方式的光反射器構成之圖，圖1(A)係從元件上方觀看的俯視圖，圖1(B)係從側方觀看之側剖面圖。光反射器10係構成為在基板11上安裝發光元件13及光接收元件14。
基板11係印刷電路基板，由鍍銅基層板所形成，係在由玻璃環氧樹脂(glass epoxy)等硬性絕緣材料而成之板狀的基體15附著導電材料之銅箔16。基板11係透過雷射加工等而在一方的面(圖中的上表面)形成複數個凹部17，在另一方的面(圖中的底面)形成貫通之貫通孔，貫通孔中填入導電材料之金屬而形成通孔(via hole)18。另外，以塞住通孔18的上部的方式，構成金屬膜之金屬圖樣19形成於凹部17的底部以及側壁部甚至到達基體15的上表面部之範圍。銅箔16及金屬圖樣19係透過蝕刻來圖案化成預定形狀，各自形成基板11之外部及內部的連接用電極，經由通孔18連接。
發光元件13係發光二極體(LED)等的元件，安裝為可 以向檢測對象物放射光。光接收元件14係光電晶體(Phototransistor)等的元件，安裝為可以接收由檢測對象物反射的光。在這情況下，發光元件13及光接受元件14透過晶粒接合(Die bonding)及打線接合(Wire bonding)形成必要的連接。
基板11之發光元件13及光接收元件14的安裝面(圖中的上側的面)形成：設有光透射率高的透光性樹脂層12，發光元件13及光接收元件14被透光性樹脂層12密封之構造。
發光元件13及光接收元件14配置為各自收納在基板11之複數個凹部17的其中之一的狀態。在此，發光元件13及光接收元件14如圖1(B)所示，發光元件13的上端13a或光接收元件14的上端14a的一部分不埋入凹部17而突出。此突出之部分，變成互相進行直射光的收送，但大部分的光的收送係經由檢測對象物的反射來進行。另外，透過基板11之2個凹部17之間的側壁部形成遮光部21，遮蔽發光元件13及光接收元件14之間收送的光的一部分。在此，發光元件13的上端13a及光接收元件14的上端14a的一部分形成比遮光部21的上端還要往上露出的狀態。
圖2係示意性地顯示光反射器中光之路徑的圖，圖2(A) 係顯示本實施方式之構成的說明圖，圖2(B)係顯示週知例之構成的說明圖。圖2中附有箭號的鏈線，係為了幫助理解而示意性地顯示光的路徑。
如圖2(A)所示，本實施方式的光反射器10係使發光元件13及光接收元件14的一部分自凹部17暴露的構造，係構成為發光元件13及光接收元件14之間僅收送少量直射光，大部分為收送由檢測對象物50反射之反射光。另外雖然沒有以圖表示，但係構成為收送於透光性樹脂層12的上端反射的反射光。如此，在本實施方式，係意圖地於發光元件13及光接收元件14之間收送少量的直射光。相對於此，圖2(B)所示的週知例係具有遮光壁107遮蔽發光元件103及光接收元件104之間的直射光之構造，在檢測對象50接近的狀態下，從發光元件103放射的光會被遮光壁107遮蔽而不會射入光接受元件104。
本實施方式透過在發光元件13及光接收元件14之間，故意地使其收送少量的直射光，藉此即使在到檢測對象物50的距離Lo很短的情況下也可以於光接收元件14接收自發光元件13放射的光，即使在檢測對象物50非常接近光反射器10的情況下也可以進行檢測位置。亦即，可以使感測器輸出的輸出峰值點Sp接近零，可以近距離進行檢測對象50的檢測位置。透光性樹脂層12及檢測對象物50之間因為存在空氣，故變成預定臨界角以上時，因全 反射而使來自發光元件13的光不會到達檢測對象物50，該光的一部分會直接或是在透光性樹脂層12內反射而射入光接收元件14，但該射入的部分擔任使光接收元件14的輸出值增加的角色。
而在本實施方式，因構成為在基板11形成凹部17並在其中安裝發光元件13及光接收元件14，故只要將基板11的厚度部分地變薄，就可以形成遮光部21、配置發光元件13及光接收元件14。因此，與為求光反射器的薄型化而單純將基板變薄的情況相比，可以充分保持強度，控制基板11的彎曲，並可獲得安裝發光元件13及光接收元件14所需的平面度。且因為本實施方式的構成不設置樹脂等而成的遮光壁，故可以削減為了形成遮光壁之機械加工等追加工程。
進而依據本實施方式，在提高基板11整體的剛性時，即使將凹部17從底面到基板背面的厚度大幅變薄，也可以抑止產生在安裝及密封時窒礙難行的彎曲問題，得以追求光反射器封裝之輕薄短小化(薄型化)。如圖2所示之例，與圖2(B)的週知例相比較，圖2(A)的本實施方式實現尺寸X程度的輕薄短小化。
(第2實施方式)
圖3係本發明之第2實施方式的光反射器構成之示意 圖，圖3(A)係從元件上方觀看的俯視圖，圖3(B)係從側方觀看之側剖面圖。第2實施方式之光反射器10A係與圖1所示之第1實施方式相較之下變更了透光性樹脂層12的構成之構成例。在第2實施方式，對於與第1實施方式相同或同等的構成要件附上相同元件符號而省略說明。
在第2實施方式，密封發光元件13及光接收元件14之透光性樹脂層12係構成為具有分割發光元件13及光接收元件14之間之縫隙22，藉由縫隙22在發光元件13及光接收元件14之間形成空氣層。縫隙22係可以透過使用刀片等的切削加工等而形成，縫隙22的寬度可透過例如選擇刀片的厚度等來設定適宜的大小。不過，在不需要詳細設定縫隙22的尺寸的情況下，也可以在透光性樹脂層12的成形時透過模具設置縫隙22。另外，縫隙22在圖3的例子中，雖被設置在透光性樹脂層12厚度整體，並到達基板11的上端面，但也可以為只在透光性樹脂層12厚度的一部分形成縫隙22。另外，在透光性樹脂層12也可透過凹部等的縫隙以外的構成形成空氣層。
圖4係第2實施方式的光反射器中光之路徑的示意圖。在圖4附有箭號的鏈線係為了幫助理解而示意性地顯示的光的路徑。
在第2實施方式，藉由在透光性樹脂層12的發光元件 13及光接收元件14之間設置縫隙22，將通常自發光元件13直接射入光接收元件14的光的一部分，利用透光性樹脂層12與空氣層的折射率的差別，由縫隙22的側壁(透光性樹脂層12與空氣層的界面)反射。藉此，形成降低光接收元件14所接受的光量之構造。透過調整縫隙22的寬度，可以調整直射光的收送的量。進而，成為可對應作為感測器的用途或所需解析度而調整縫隙22的寬度，而使相對於檢測對象物50與光反射器之相對距離之變化的感測器輸出的變化，成為可以確保充分的大小。
圖5係顯示本實施方式的光反射器的輸出與到檢測對象物之距離之間的關係之特性圖。在圖5，縱軸係作為光反射器的感測器輸出，表示感測器相對輸出So的大小，將感測器的輸出峰值點Sp的輸出值(電流值)作為1而常態化。橫軸係表示到檢測對象物(反射物)的距離Lo。感測器相對輸出So係表示光反射器的輸出電流。光反射器係將此曲線透過多項式近似並變換成直線，計算到檢測對象物的距離。
圖5所示各自之感測器輸出的特性曲線係對應以下購成例。
A：第1實施方式的構成例(圖1(A)、圖1(B)、圖2(A)之構成)，無縫隙。
B：第2實施方式的構成例(圖3(A)、圖3(B)、圖4之 構成)，縫隙寬度小(75μm)。
C：第2實施方式的構成例(圖3(A)、圖3(B)、圖4之構成)，縫隙寬度中(220μm)。
D：第2實施方式的構成例(圖3(A)、圖3(B)、圖4之構成)，縫隙寬度大(300μm)。
E：比較例(週知例)(圖8(A)、圖8(B)、圖2(B)之構成)。
如圖5之特性所示，透過本實施方式的構成，與比較例(週知例)相比，可以使感測器輸出的輸出峰值點Sp接近零。作為具體例，感測器輸出的輸出峰值點為0.15mm以下，可以使檢測對象物的位置檢測範圍移動至接近的位置。在圖所示之例，感測器輸出的輸出峰值點，A為0.03mm，B為0.07mm，C為0.08mm，D為0.11mm(比較例E為0.30mm)。
而在如第2實施方式地設置縫隙的情況，透過調整縫隙的寬度，可調整感測器輸出特性的傾斜，亦即可調整相對於到檢測對象物之距離之變化的輸出變化量。在圖示例中，與縫隙寬度小的B相比，縫隙大的D之感測器輸出特性的傾斜較陡。而且，感測器輸出的輸出峰值點之絕對值係縫隙寬度越大則越變小。在這情況下，透過將縫隙寬度設定為大，相對於檢測對象物的位置變化之輸出變化量會變大，可使位置檢測的解析度更精密。
(第3實施方式)
圖6係顯示本發明之第3實施方式的光反射器的構成之圖，圖6(A)係從元件上方觀看的俯視圖，圖6(B)係從側方觀看之側剖面圖。第3實施方式之光反射器10B係與圖3所示之第2實施方式相較之下變更了發光元件13及光接收元件14之安裝構成的構成例。在第3實施方式中，對於與第1實施方式相同或同等的構成要件附上相同元件符號而省略說明。
在第3實施方式，發光元件13及光接收元件14構成為：由表面安裝型晶片所形成，透過無線接合(wireless bonding)安裝在凹部17的底面。而且，以表面安裝型晶片設置發光元件13及光接收元件14之構成，於圖1之第1實施方式、圖3之第2實施方式的兩者中皆可以適用。在第3實施方式的構成中，也與第1及第2實施方式相同地可以將光反射器薄型化，並更加縮短檢測距離的極限。
而且，在第1實施方式至第3的實施方式中，構成附著於基板11之凹部17的側壁部的金屬膜之金屬圖樣19，其材質也可以為光反射率高且有光澤之物，並作為在凹部17具有反射膜的構成。藉此，可以讓凹部17作為反射鏡發揮機能，增加光接收元件14的光接收量。
(第4實施方式)
圖7係本發明之第4實施方式的光反射器構成之示意圖，從元件側方觀看之側剖面圖。第4實施方式之光反射器10C係在發光元件13及光接收元件14之間將遮光壁較低地形成之構成例。
在第4實施方式，基板11係印刷電路基板，由鍍銅基層板所形成，係在硬性的絕緣材料而成之板狀的基體15附著導電材料的銅箔16，且不具有凹部。在基板11之上，其構成為發光元件13及光接收元件14各自透過倒裝接合(Face down bonding)安裝，該等發光元件13及光接收元件14由透光性樹脂層12密封。
基板11上的發光元件13及光接收元件14之間，設有由光透射率低的樹脂構成之遮光壁23，透過遮光壁23形成遮光部而遮蔽元件間收送之直射光的一部分。在此，發光元件13及光接收元件14與圖1所示之第1實施方式相同，形成發光元件13的上端13a及光接收元件14的上端14a的一部分配置在比遮光壁23的上端23a還要往上露出的狀態之構造。此構造係透過切割透光性樹脂層12及遮光壁23的一部分之構成而得以實現，與第2實施方式之縫隙22相同，可以透過使用刀片等的切削加工等而形成。透過調整遮光壁23的高度，可以調整在發光元件13及光接收元件14的元件間收送直射光的光量，適宜地設定光反射器之光接收元件的輸出等級、感測器輸出的輸出峰值點之距 離等。
如第4實施方式，在形成透過遮光壁23遮蔽直射光的一部分之遮光部的構成中，也可以與第1及第2實施方式相同，更加縮短檢測距離的極限。
如上述，在第1實施方式至第3實施方式之光反射器，構成為不設置遮光壁而以基板的凹部之側壁部作為遮光部。因此，可以透過凹部以外之部分的厚度提高基板之剛性，且讓光反射器得以小型化。
另外，本實施方式的光反射器即使在檢測對象物接近的情況下，發光元件的光仍不會被遮光壁所遮蔽而能照射至檢測對象物，由檢測對象物反射的光不會被遮光壁所遮蔽而能射入光接收元件。因此，得以比起過去大幅縮短可以檢測位置的距離，得以有助於使用光反射器之應用單元的小型化、薄型化。
另外，在如第1實施方式至第3實施方式的使基板的凹部之側壁部作為遮光部發揮機能之構成中，因為沒有必要在發光元件及光接收元件之間設置遮光壁，故得以削減為了形成遮光壁之追加工程，且得以小型化光反射器的尺寸。
進而，如第2實施方式，對於對應用途之與檢測對象的距離的變化，透過構成為在發光元件及光接收元件之間設置預定寬度的縫隙等而具有空氣層，而得以調整感測器輸出的變化量。例如在想要取大的感測器輸出之變化量的情況下，透過將縫隙(空氣層)的寬度加大，可使針對距離變化之感測器輸出的變化量加大。如此，可對應光反射器各用途的距離檢測之所需解析度，透過設置於發光元件及光接收元件之間之空氣層的寬度適宜地調整。
如以上說明，依據本實施方式，透過適宜地選擇遮光部的高度、透光性樹脂層的厚度、發光元件及光接收元件的元件間距離、甚至是設置於發光元件及光接收元件之間之空氣層的寬度，得以保持剛性並輕薄短小化，相較於過去可以檢測位置更接近的檢測對象物。透過本實施方式的構成，可以更加縮短檢測距離的極限，得以實現可以有助於配置空間縮小化之光反射器。
以上雖參考圖式針對各種實施方式進行說明，但是本發明不限於該等相關例，自不待言。所屬技術領域中具有通常知識者在申請專利範圍記載的範圍內，自然得以想到各種變更例或修正例，關於這些當然也會被理解為屬於本發明的技術範圍。另外，只要在不脫離本發明之精神的範圍內，也可以任意組合上述實施方式之各構成要件。
(產業上的可利用性)
本發明具有得以更加縮短檢測距離的極限，可以有助於配置空間縮小化的效果，例如對行動裝置等的電子機器所搭載之光反射器等有用。
10‧‧‧光反射器
11‧‧‧基板
12‧‧‧透光性樹脂層
13‧‧‧發光元件
13a、14a‧‧‧上端
14‧‧‧光接收元件
15‧‧‧基體
16‧‧‧銅箔
17‧‧‧凹部
18‧‧‧通孔
19‧‧‧金屬圖樣
21‧‧‧遮光部

Claims (5)

  1. 一種光反射器，係具備有：基板，係成板狀；發光元件，係安裝於前述基板；光接收元件，係安裝於前述基板；透光性樹脂層，係密封前述發光元件及前述光接收元件；以及遮光部，係設置於前述發光元件及前述光接收元件之間；前述遮光部係形成在前述發光元件及前述光接收元件之間可以經由前述透光性樹脂層直接收送光的一部分的高度。
  2. 如請求項1所記載之光反射器，其中係於密封前述發光元件的透光性樹脂層及密封前述光接收元件的透光性樹脂層之間具有空氣層，且在前述發光元件及前述光接收元件之間，可以經由前述透光性樹脂層及前述空氣層而直接收送光的一部分。
  3. 如請求項1所記載之光反射器，其中前述基板具有複數個凹部，而前述發光元件及前述光接收元件配置為各自收納在前述複數個凹部的其中之一，並透過前述發光元件及前述光接收元件之間的前述凹部之側壁部形成前述遮光部。
  4. 如請求項3所記載之光反射器，其中前述發光元件或前述光接收元件所配置之前述凹部，至少於側壁部設置反射膜。
  5. 如請求項1至4中任一項所記載之光反射器，其中前述發光元件的上端及前述光接收元件的上端的一部分，形成為位於比前述遮光部的上端更上方的狀態。
TW105122894A 2015-12-08 2016-07-20 光反射器 TWI701455B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/084436 WO2017098584A1 (ja) 2015-12-08 2015-12-08 フォトリフレクタ
WOPCT/JP2015/084436 2015-12-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201721173A true TW201721173A (zh) 2017-06-16
TWI701455B TWI701455B (zh) 2020-08-11

Family

ID=59012834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105122894A TWI701455B (zh) 2015-12-08 2016-07-20 光反射器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10418507B2 (zh)
JP (1) JP6683732B2 (zh)
CN (1) CN108369969A (zh)
TW (1) TWI701455B (zh)
WO (1) WO2017098584A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI750358B (zh) * 2017-09-12 2021-12-21 南韓商三星電機股份有限公司 相機模組

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9696199B2 (en) * 2015-02-13 2017-07-04 Taiwan Biophotonic Corporation Optical sensor
CN111337995B (zh) * 2018-12-18 2023-05-23 夏普株式会社 光学式接近传感器以及便携终端装置
CN214259197U (zh) * 2020-11-25 2021-09-24 深圳市杉川机器人有限公司 Tof模组、摄像头组件及扫地机器人
CN112932339B (zh) * 2021-02-10 2022-08-05 江西欧迈斯微电子有限公司 3d模组及扫地机器人

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4040078A (en) * 1976-05-11 1977-08-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Opto-isolators and method of manufacture
JP3034909B2 (ja) 1990-05-26 2000-04-17 旭テック株式会社 セラミックス溶射層形成方法
JPH0432547U (zh) * 1990-07-13 1992-03-17
US5291038A (en) * 1990-12-19 1994-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective type photointerrupter
JP2781476B2 (ja) * 1991-05-23 1998-07-30 シャープ株式会社 反射型フォトインタラプタ
JP2880001B2 (ja) * 1991-07-30 1999-04-05 キヤノン株式会社 フレキシブルプリント基板
JPH05152603A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Sharp Corp 反射型光結合装置
JP3349826B2 (ja) * 1994-07-08 2002-11-25 沖電気工業株式会社 光反射センサ
GB9515649D0 (en) 1995-07-31 1995-09-27 Johnson & Johnson Medical Surface sensor device
JP3700394B2 (ja) 1998-06-12 2005-09-28 スタンレー電気株式会社 近接センサ
JP2001291458A (ja) * 2000-02-01 2001-10-19 Stanley Electric Co Ltd 光学式タッチスイッチ装置
JP2007013050A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Citizen Electronics Co Ltd 反射型フォトセンサ
CN101078771A (zh) * 2006-05-24 2007-11-28 夏普株式会社 光学式测距装置及其制造方法
KR20090083888A (ko) * 2009-07-20 2009-08-04 한국 고덴시 주식회사 광학식 액체 레벨 센서
JP2013187357A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Stanley Electric Co Ltd 反射光センサ
TWI453923B (zh) * 2012-06-22 2014-09-21 Txc Corp Light sensing chip package structure
WO2014054083A1 (ja) * 2012-10-05 2014-04-10 パイオニア株式会社 半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法
CN104584434B (zh) * 2012-10-18 2018-01-30 夏普株式会社 光传感器和电子设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI750358B (zh) * 2017-09-12 2021-12-21 南韓商三星電機股份有限公司 相機模組

Also Published As

Publication number Publication date
US10418507B2 (en) 2019-09-17
US20180366607A1 (en) 2018-12-20
TWI701455B (zh) 2020-08-11
CN108369969A (zh) 2018-08-03
JP6683732B2 (ja) 2020-04-22
JPWO2017098584A1 (ja) 2018-09-27
WO2017098584A1 (ja) 2017-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201721173A (zh) 光反射器
US11264367B2 (en) Electronic device, optical module and manufacturing process thereof
TWI735232B (zh) 光發射器或光偵測器模組及製造一光發射器或光偵測器模組之方法
WO2017203953A1 (ja) 半導体装置
KR101659549B1 (ko) 광 센서
JP2017005428A (ja) 近接センサ
CN111564519A (zh) 接近传感器及使用其的电子机器
JP2013187357A (ja) 反射光センサ
JP2010114114A (ja) 反射型フォトインタラプタ
US11239398B2 (en) Optoelectronic semiconductor component and biometric sensor
WO2017099022A1 (ja) センサ用基板およびセンサ装置
JP2007109851A (ja) フォトインタラプタ
JP2015088518A (ja) 光学装置
JP7055010B2 (ja) 光学装置
JP4999595B2 (ja) 反射型フォトセンサ
JP4999596B2 (ja) 反射型フォトセンサ
JP5865593B2 (ja) 光学装置、光学装置の製造方法および電子機器
JP2007059658A (ja) フォトインタラプタ
KR20150033042A (ko) 근접 센서 및 그 제조 방법
JP2008226969A (ja) 光通信モジュール
TW201624209A (zh) 可進行橫向偵測及調整追蹤距離的光學導航模組
TWM485399U (zh) 整合型光學模組的封裝結構
TWI384635B (zh) Light sensing module package structure and its packaging method
JP2019074651A (ja) 光学装置および光学モジュール
JP2009152447A (ja) 光結合装置およびその製造方法