KR20150033042A - 근접 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 측면이 광 차페성인 몰딩부를 포함하는 근접 센서와 그 제조 방법에 관한 것으로, 발광부에서 누설되어 수광부로 입사되는 누설광을 최소화하여 검출 정확도를 향상시킬 수 있고, 누설광을 최소화하면서 근접 센서의 구성 요소를 단순화하여 제조 단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 근접 센서는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 실장된 발광부, 상기 베이스 기판 상에 실장된 수광부, 상기 발광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부, 상기 수광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 포함하되, 상기 제1 몰딩부와 상기 제2 몰딩부는 서로 이격되어 사이에 이격 공간을 형성한다.

Description

근접 센서 및 그 제조 방법{PROXIMITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 근접 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 측면이 광 차페성인 몰딩부를 포함하는 근접 센서와 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 스마트폰 등 다양한 기능을 수행하는 전자 디바이스가 보급되면서, 다양한 기능을 수행하는 센서에 대한 수요도 늘어나고 있다. 상기 센서 중 한 종류는 근접하는 물체를 감지하는 근접 센서이다.
근접 센서는 발광부(21)와 수광부(31)를 구비하고, 센서에 근접한 물체에 반사된 발광부의 광을 수광부가 감지하는 원리로 동작한다. 이때, 발광부(21)의 광은 주로 적외선 영역의 광이 사용된다.
근접 센서에 있어서, 발광부(21)의 광중에서 일부는 감지 대상 물체에 반사되지 않은 채 바로 수광부(31)로 입사할 수 있는데, 이러한 연유로 근접 센서의 검출 정확도가 감소할 수 있다. 상기 수광부(31)로 바로 입사하는 광을 차폐하기 위해서, 도 1에 도시된 것과 같이 주로 발광부(21)와 수광부(31)를 차단하는 커버부(40)가 사용되었다.
그러나 커버부(40)와 베이스 기판(10) 사이의 틈으로 누설광이 발생할 수 있어 여전히 근접 센서의 오작동의 문제가 발생하였다. 또한, 커버부(40)라는 별도의 구성 요소가 추가되어야 하므로 제조 단가가 높아진다는 문제가 있었다.
따라서 누설광을 더욱 감소시켜 근접 센서의 검출 정확도를 향상시키면서도, 제조 단가를 낮출 수 있는 구조의 근접 센서 및 그 제조 방법에 대한 요구가 증대되어 왔다.
본 발명의 목적은 발광부에서 누설되어 수광부로 입사되는 누설광을 최소화하여 검출 정확도를 향상시킬 수 있는 근접 센서 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 누설광을 최소화하면서 근접 센서의 구성 요소를 단순화하여 제조 단가를 낮출 수 있는 근접 센서 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 근접 센서는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 실장된 발광부, 상기 베이스 기판 상에 실장된 수광부, 상기 발광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부, 상기 수광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 포함하되, 상기 제1 몰딩부와 상기 제2 몰딩부는 서로 이격되어 사이에 이격 공간을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제1 몰딩부의 상면은 상기 발광부가 방사하는 광을 통과시킬 수 있도록 투광성으로 형성되고, 상기 제1 몰딩부의 측면은 상기 발광부가 방사하는 광을 차폐시킬 수 있도록 표면이 처리될 수 있다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제1 몰딩부의 측면은 표면 부식 처리될 수 있다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제1 몰딩부의 측면은 표면 부식 처리될 수 있다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제1 몰딩부의 측면은 차광 코팅이 될 수 있다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제2 몰딩부의 상면은 상기 발광부가 방사하는 광을 통과시킬 수 있도록 투광성으로 형성되고, 상기 제2 몰딩부의 측면은 상기 발광부가 방사하는 광을 차폐시킬 수 있도록 표면이 처리될 수 있다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제2 몰딩부의 측면은 표면 부식 처리될 수 있다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제2 몰딩부의 측면은 차광 코팅이 될 수 있다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제1 몰딩부의 상면은 상기 베이스 기판과 맞닿는 상기 제1 몰딩부의 하면보다 그 면적이 좁을 수 있다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제2 몰딩부의 상면은 상기 베이스 기판과 맞닿는 상기 제2 몰딩부의 하면보다 그 면적이 좁을 수 있다.
상기 근접 센서의 일 형태로서, 상기 제1 몰딩부와 상기 제2 몰딩부 사이의 이격 공간에 상기 발광부가 방사하는 광을 차폐할 수 있는 차폐재가 충진될 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 근접 센서의 제조 방법의 일 실시예는 베이스 기판에 발광부 및 수광부를 실장하는 단계, 상기 발광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계, 상기 수광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 상기 제1 몰딩부와 이격되도록 형성하는 단계 및 상기 제1 몰딩부 또는 상기 제2 몰딩부 중 선택된 하나 또는 둘의 측면을 표면 부식 처리하는 단계를 포함한다.
상기 근접 센서의 제조 방법의 다른 실시예는 상기 베이스 기판에 발광부 및 수광부를 실장하는 단계, 상기 발광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계, 상기 수광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 상기 제1 몰딩부와 이격되도록 형성하는 단계 및 상기 제1 몰딩부 또는 상기 제2 몰딩부 중 선택된 하나 또는 둘의 측면에 차광 코팅을 하는 단계를 포함한다.
상기 근접 센서의 제조 방법의 또 다른 실시예는 상기 베이스 기판에 발광부 및 수광부를 실장하는 단계, 상기 베이스 기판에 결합될 때 상기 발광부를 수용하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계, 상기 베이스 기판에 결합될 때 상기 수광부를 수용하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 형성하는 단계, 상기 제1 몰딩부 또는 상기 제2 몰딩부 중 선택된 하나 또는 둘의 측면을 표면 부식 처리하는 단계 및 상기 제1 몰딩부 및 상기 제2 몰딩부를 상기 베이스 기판에 결합하는 단계를 포함한다.
상기 근접 센서의 제조 방법의 또 다른 실시예는 상기 베이스 기판에 발광부 및 수광부를 실장하는 단계, 상기 베이스 기판에 결합될 때 상기 발광부를 수용하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계, 상기 베이스 기판에 결합될 때 상기 수광부를 수용하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 형성하는 단계, 상기 제1 몰딩부 또는 상기 제2 몰딩부 중 선택된 하나 또는 둘의 측면에 차광 코팅을 하는 단계 및 상기 제1 몰딩부 및 상기 제2 몰딩부를 상기 베이스 기판에 결합하는 단계를 포함한다.
상기 근접 센서의 제조 방법의 모든 실시예에 있어서, 상기 제1 몰딩부 및 상기 제2 몰딩부 사이에 차폐재를 충진하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 본 발명의 근접 센서는 발광부에서 누설되어 수광부로 입사되는 누설광을 최소화하여 검출 정확도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 본 발명의 근접 센서는 누설광을 최소화하면서 근접 센서의 구성 요소를 단순화하여 제조 단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래의 근접 센서의 일례의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 근접 센서의 제1 실시예의 사시도이다.
도 3은 상기 도 2의 근접 센서의 분해 사시도이다.
도 4는 상기 도 2의 근접 센서의 평면도이다.
도 5는 상기 도 2의 AA'를 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 근접 센서의 제2 실시예의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 근접 센서의 제3 실시예의 단면도이다.
도 8 내지 도 9는 본 발명의 근접 센서의 제조 방법의 다양한 실시예를 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명의 일 측면은 근접 센서에 관한 것이다.
이하, 첨부한 도 2 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 측면인 근접 센서의 제1 실시예에 대해서 설명한다.
도 2는 본 발명의 근접 센서의 제1 실시예의 사시도이고, 도 3은 상기 도 2의 근접 센서의 분해 사시도이고, 도 4는 상기 도 2의 근접 센서의 평면도이며, 도 5는 상기 도 2의 AA'를 따라 절단한 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 근접 센서(500)는 베이스 기판(100), 발광부(210), 수광부(230), 제1 몰딩부(310) 및 제2 몰딩부(330)를 포함한다.
베이스 기판(100)은 상면(101)과 상기 상면과 대향하는 하면(103)을 가진다. 베이스 기판의 상면(101)에 발광부(210), 수광부(230), 제1 몰딩부(310) 및 제2 몰딩부(330)가 결합된다. 베이스 기판(100)은 적어도 하나의 커넥트 단자(110, 130)가 구비된 회로 기판이다. 더욱 구체적으로, 베이스 기판(100)의 상면에는 발광부(210) 및 수광부(230)와 전기적으로 연결될 수 있는 커넥트 단자(110, 130)가 구비된다. 베이스 기판(100)의 하면(103)에는 본 발명의 근접 센서(500)가 실장되어 디바이스 등과 전기적을 연결될 수 있는 입출력 단자(150)가 구비될 수 있다.
발광부(210)는 베이스 기판의 상면(101) 상에 실장된다. 발광부(210)는 베이스 기판(100)의 커넥트 단자(110)와 와이어 본딩, 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 등을 통해서 결합할 수 있다. 발광부(210)는 베이스 기판(100)의 상면 상에서 일측으로 치우쳐서 실장되는 것이 바람직하다.
발광부(210)는 발광 다이오드(LED ; Light Emitting Diode) 또는 레이저 다이오드(LD ; Laser Diode) 등의 발광 소자가 사용된다. 발광부(210)는 특정한 파장 대역의 광을 발산한다. 발광부(210)는 적외선(IR ; Infrared Ray) 영역의 광인 것이 바람직하다.
더욱 구체적으로, 발광부(210)는 발광부의 상측 방향으로 광을 발산한다. 발광부(210)는 그 특성에 따라 상측 방향으로 방사되는 특정한 방사각을 가질 수 있다. 방사각이 좁은 경우, 발산되는 광은 넓게 퍼지지 않고 직진성을 가지고 발산된다. 방사각이 넓을 경우, 발산되는 광은 넓게 퍼져 발산된다. 발광부(210)의 방사각은 발산되는 광이 후술할 제1 몰딩부(310)의 상면에 해당하는 영역 정도까지 방사되는 것이 바람직하다.
수광부(230)는 베이스 기판의 상면(101) 상에 실장된다. 수광부(230)는 베이스 기판(100)의 커넥트 단자(130)와 와이어 본딩, 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 등을 통해서 결합할 수 있다. 수광부(230)는 베이스 기판(100)의 상면 상에서 타측으로 치우쳐서 실장되는 것이 바람직하다. 따라서 발광부(210)와 수광부(230)는 베이스 기판(100)의 상면 상에서 서로 이격되어 실장될 수 있다.
수광부(230)는 포토 다이오드(PD ; Photo Diode) 등의 수광 소자가 사용된다. 수광부(230)는 특히 특정한 파장 대역의 광을 수광하는 특성을 가질 수 있다. 더욱 구체적으로는, 발광부(210)가 방사하는 광의 파장 대역에 해당하는 광을 수광하는 특성을 가진다. 수광부(230)는 상기 발광부(210)의 광의 파장 대역에 해당하는 광을 선택적으로 수광하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 수광부(230)는 입사되는 모든 파장 대역의 광에 있어서 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 통과시키는 광학 필터를 포함할 수 있다. 또한, 수광부(230)로서 특정 파장 대역의 광만을 선택적으로 검출할 수 있는 소자가 사용될 수 있다. 바람직한 실시예로는, 발광부(210)가 상술한 것과 같이 적외선 영역의 광을 방사하고, 수광부(230)는 상기 적외선 영역의 광을 수광한다. 수광부(230)가 모든 파장 대역의 광을 수광하여 검출하는 경우, 발광부(210)가 방사한 광이 아닌 외부에서 유입되는 다른 광에 의해 센서의 정확도가 떨어질 수 있다.
수광부(230)는 베이스 기판(100) 상에 실장되어 상측 방향에서 입사되는 광을 주로 수광한다.
수광부(230)는 발광부(210)가 방사하는 광을 수신하는 근접 감지 수광부(231) 이외에 조도를 감지하기 위한 조도 감지 수광부(233)를 더 포함할 수 있다. 조도 감지 수광부(233)는 가시광선에 해당하는 파장 대역의 광을 수광할 수 있다. 근접 감지 수광부(231)와 조도 감지 수광부(233)는 하나의 칩으로 패키지되어 있을 수 있다. 조도 감지 수광부(233)는 근접 감지 수광부(231)와 발광부(210) 사이에 위치하도록 배치될 수 있다. 이러한 배치에 의해 조도 감지 수광부(233)와 근접 감지 수광부(231)가 최대로 이격될 수 있다.
제1 몰딩부(310)는 발광부(210)를 봉지한다. 제1 몰딩부(310)는 발광부(210) 및 발광부(210)가 실장되어 있는 주변의 베이스 기판(100)을 덮어, 발광부(210)를 외부로부터 차폐시킨다. 제1 몰딩부(310)의 내부는 발광부(210)의 표면에 직접 결합할 수 있다. 또한, 발광부(210)의 표면과 이격되어 내부면(317)에 의해 둘러싸인 이격 공간을 형성한 채 발광부(210)를 외부로부터 차폐시킬 수 있다.
제1 몰딩부(310)는 발광부(210)를 봉지하며, 베이스 기판(100)의 상면 상에서 일측으로 치우쳐서 실장되는 것이 바람직하다.
도 5를 더 참조하면, 제1 몰딩부(310)는 베이스 기판(100)에 대향하는 상면(311) 및 상면으로부터 베이스 기판(100)까지 연장되는 측면(313)을 구비한다. 또한, 제1 몰딩부(310)는 베이스 기판(100)과 맞닿아 결합하는 하면(315)을 구비할 수 있다. 또한, 제1 몰딩부(310)는 발광부(210)의 표면과 직접 결합하거나, 발광부(210)가 수용되는 내부 공간을 형성하는 내부면(317)을 구비할 수 있다.
제1 몰딩부(310)는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC ; Epoxy Molding Compound) 또는 실리콘(silicone) 등의 수지재가 사용될 수 있다. 수지재는 광 투과성이 높은 특성을 갖는다. 더욱 구체적으로, 수지재는 발광부(210)가 방사하는 광에 대한 광 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 발광부(210)가 적외선 영역의 광을 방사하는 경우, 제1 몰딩부(310)를 형성하는 수지재는 상기 파장 대역에 대한 광 투과성이 높다.
제1 몰딩부(310)의 상면(311)은 베이스 기판(100)에 실질적으로 평행하도록 형성된다. 또한, 제1 몰딩부의 상면(311)은 베이스 기판의 상면(101)을 초과하지 않도록 형성된다. 제1 몰딩부의 상면(311)은 제1 몰딩부(310)가 베이스 기판의 상면(101)과 맞닿는 면적과 동일하거나 작게 형성된다. 제1 몰딩부의 상면(311)은 발광부(210)의 광을 굴절시켜 집광시키거나, 분산시킬 수 있도록 오목 또는 볼록한 렌즈 형태로 형성될 수 있다.
제1 몰딩부(310)의 상면(311)은 발광부(210)가 방사하는 광을 통과시킬 수 있도록 투광성으로 형성된다. 제1 몰딩부(310)가 발광부(210)의 광에 대해 광 투과성을 가질 경우, 상면(311)의 표면이 광이 투과가 되도록 표면이 처리되어 있어야 한다. 이러한 경우, 발광부(210)가 방사하는 광은 제1 몰딩부(310)의 수지재를 통과하고, 제1 몰딩부의 상면(311)도 통과하여 외부로 방사될 수 있다. 제1 몰딩부의 상면(311)을 통과한 발광부(210)의 광은 검출하려는 대상 물체가 근접한 경우, 대상 물체에 반사되어 수광부(230)에서 검출될 수 있다.
제1 몰딩부(310)의 측면(313)은 상기 상면(311)으로부터 연장되어 베이스 기판의 상면(101)까지 연장된다. 제1 몰딩부의 측면(313)은 베이스 기판의 상면(101)에 대해 수직이거나, 베이스 기판의 상면(101)에 대해 경사지게 형성된다. 제1 몰딩부의 상면(311)이 하면(315)과 동일한 면적과 형상을 가지는 경우, 측면(313)은 베이스 기판(100)에 수직으로 형성되고, 제1 몰딩부의 상면(311)이 하면(315)보다 작은 면적을 가지는 경우, 측면(313)은 베이스 기판(100)에 대해 경사지게 형성된다.
제1 몰딩부(310)의 측면(313)은 광 비투과성이다. 더욱 구체적으로는, 발광부(210)가 방사하는 광을 차폐시킬 수 있도록 형성된다. 따라서 발광부(210)에서 방사되는 광은 제1 몰딩부(310)의 내부를 투과하여 측면(313)의 내측에 도달하여도, 측면(313)을 통과하지 못하여 측면(313)의 외부로는 방사되지 않는다. 발광부(210)의 광이 제1 몰딩부의 측면(313)을 통과하는 경우, 발광부(210)가 광이 검출 대상 물체에 반사되지 않고 바로 수광부(230)에 검출되어 검출 오류를 일으킬 수 있다. 따라서 제1 몰딩부의 측면(313)이 발광부(210)의 광에 대해 광 차폐성인 경우 근접 센서(500)의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.
제1 몰딩부(310)의 측면(313)은 발광부(210)의 광에 대해 광 차폐성을 가지기 위해, 표면이 부식 처리될 수 있다. 표면 부식 처리는 일부의 표면이 부식 처리된 금형으로부터 사출 성형하여 형성할 수 있다. 금형의 일부 표면을 부식 처리하면, 그 표면이 거칠게 가공될 수 있다. 더욱 구체적으로, 금형의 표면이 전기 방전을 주거나, 샌딩 입자에 의해 마찰 및 충격을 주어 표면을 거칠게 가공할 수 있다. 이렇게 가공된 표면으로부터 사출 성형된 사출물은 표면이 거칠게 형성될 수 있다. 부식 처리된 표면은 광 차폐성을 가진다. 더욱 구체적으로, 부식 처리된 표면은 광을 표면에서 난반사시켜 광 투과성을 떨어트릴 수 있다. 또한, 일부 투과된 광도 굴절되어 다양한 방향으로 방사된다. 따라서 제1 몰딩부의 측면(313)을 부식 처리 하여 발광부(210)의 광 중에서 측면(313)을 통과하여, 수광부(230)로 바로 입사되는 누설광을 최소화할 수 있다. 이를 통해 근접 센서(500)의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.
제1 몰딩부(310)의 측면(313)에 있어서, 수광부(230) 측의 측면(314)을 통과한 누설광이 수광부(230)에 더욱 잘 검출될 수 있다. 따라서 제1 몰딩부의 측면(313)에 있어서, 수광부(230) 측의 측면(314)의 부식 정도가 다른 부분의 측면의 부식 정도보다 클 수 있다.
제1 몰딩부(310)의 하면(315)은 베이스 기판의 상면(101)과 맞닿는 부분이다. 상기 하면은(315) 베이스 기판의 상면(101)을 초과하지 않도록 형성된다. 또한, 상기 하면(315)은 측면(313)과 맞닿는 가장가리 부분이 베이스 기판의 상면(101)의 가장자리 부분과 대응되도록 형성되어, 베이스 기판의 상면(101)의 측단에 맞닿도록 형성될 수 있다.
제2 몰딩부(330)는 수광부(230)를 봉지한다. 제2 몰딩부(330)는 수광부(230) 및 수광부(230)가 실장되어 있는 주변의 베이스 기판(100)을 덮어, 수광부(230)를 외부로부터 차폐시킨다. 제2 몰딩부(330)의 내부는 수광부(230)의 표면에 직접 결합할 수 있다. 또한, 수광부(230)의 표면과 이격되어 내부면(337)에 의해 둘러싸인 이격 공간을 형성한 채 수광부(230)를 외부로부터 차폐시킬 수 있다.
제2 몰딩부(330)는 수광부(230)를 봉지하며, 베이스 기판(100)의 상면 상에서 타측으로 치우쳐서 실장되는 것이 바람직하다. 따라서 제2 몰딩부(330)는 제1 몰딩부(310)와 반대측에 형성될 수 있다. 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(330)는 서로 이격되어 사이에 이격 공간(S)을 형성할 수 있다. 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(330) 사이에서 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(330)와 모두 결합되지 않는 베이스 기판(100)의 상면이 존재하여 외부로 노출될 수 있다. 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(330) 사이에서 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(330)와 모두 결합되지 않는 베이스 기판(100)의 상면이 없도록 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(330)가 하면에서 맞닿도록 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(330)의 서로 마주보는 측면(314, 334)이 경사지게 형성되어, 상기 측면(314, 334) 사이에 이격 공간(S)이 형성될 수 있다.
도 5를 더 참조하면, 제2 몰딩부(330)는 베이스 기판(100)에 대향하는 상면(331) 및 상면으로부터 베이스 기판(100)까지 연장되는 측면(333)을 구비한다. 또한, 제2 몰딩부(330)는 베이스 기판(100)과 맞닿아 결합하는 하면(335)을 구비할 수 있다. 또한, 제2 몰딩부(330)는 수광부(230)의 표면과 직접 결합하거나, 수광부(230)가 수용되는 내부 공간을 형성하는 내부면(337)을 구비할 수 있다.
제2 몰딩부(330)는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC ; Epoxy Molding Compound) 또는 실리콘(silicone) 등의 수지재가 사용될 수 있다. 수지재는 광 투과성이 높은 특성을 갖는다. 더욱 구체적으로, 수지재는 발광부(210)의 광에 대한 광 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 발광부(210)가 적외선 영역의 광을 방사하는 경우, 제2 몰딩부(330)를 형성하는 수지재는 상기 파장 대역에 대한 광 투과성이 높다.
제2 몰딩부(330)의 상면(331)은 베이스 기판(100)에 실질적으로 평행하도록 형성된다. 또한, 제2 몰딩부의 상면(331)은 베이스 기판의 상면(101)을 초과하지 않도록 형성된다. 제2 몰딩부의 상면(331)은 제2 몰딩부(330)가 베이스 기판의 상면(101)과 맞닿는 면적과 동일하거나 작게 형성된다. 제2 몰딩부의 상면(331)은 검출 대상 물체에 반사된 발광부(210)의 광을 굴절시켜 집광시키거나, 분산시킬 수 있도록 오목 또는 볼록한 렌즈 형태로 형성될 수 있다. 더욱 구체적으로, 제2 몰딩부의 상면(331)은 수광부(230)가 광 검출 특성을 향상시키기 위한 최적의 형태로 형성될 수 있다.
제2 몰딩부(330)의 상면(331)은 발광부(210)가 방사하는 광을 통과시킬 수 있도록 투광성으로 형성된다. 제2 몰딩부(330)가 발광부(210)의 광에 대해 광 투과성을 가질 경우, 상면(331)의 표면이 광이 투과가 되도록 표면이 처리되어 있어야 한다. 이러한 경우, 발광부(210)의 광은 제2 몰딩부의 상면(331)을 통과하고, 제2 몰딩부(330)의 수지재도 통과하여 수광부(230)에 입사될 수 있다. 발광부(210)의 광은 근접한 검출 대상 물체에 반사되어 제2 몰딩부의 상면(331)과 수지재를 통과하여 수광부(230)에 입사될 수 있다.
제2 몰딩부(330)의 측면(333)은, 제1 몰딩부의 측면(331)과 마찬가지로, 상기 상면(331)으로부터 연장되어 베이스 기판의 상면(101)까지 연장된다. 제2 몰딩부의 측면(333)은 베이스 기판의 상면(101)에 대해 수직이거나, 베이스 기판의 상면(101)에 대해 경사지게 형성된다. 제2 몰딩부의 측면(331)이 하면(335)과 동일한 면적과 형상을 가지는 경우, 측면(333)은 베이스 기판(100)에 수직으로 형성되고, 제2 몰딩부의 측면(331)이 하면(335)보다 작은 면적을 가지는 경우, 측면(333)은 베이스 기판(100)에 대해 경사지게 형성된다.
제2 몰딩부(330)의 측면(333)은, 제1 몰딩부(310)의 측면(313)과 마찬가지로, 광 비투과성이다. 더욱 구체적으로는, 발광부(210)의 광을 차폐시킬 수 있도록 형성된다. 따라서 발광부(210)의 광은 제2 몰딩부의 측면(333)의 외측에 도달하여도, 측면(333)을 통과하지 못하여 제2 몰딩부(330)의 내부로 투과되지 않는다. 제2 몰딩부의 측면(333)에 조사되는 발광부(210)의 광은 검출 대상 물체에 반사된 광이 아닌, 제1 몰딩부의 측면(313)을 투과한 광 등의 누설광이 많다. 따라서 발광부(210)의 광이 제2 몰딩부의 측면(333)을 통과하는 경우, 누설광이 수광부(230)에 검출되어 검출 오류를 일으킬 수 있다. 따라서 제2 몰딩부의 측면(333)이 발광부(210)의 광에 대해 광 차폐성인 경우 근접 센서(500)의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.
제2 몰딩부(330)의 측면(333)은, 제1 몰딩부(310)의 측면(313)과 같이, 발광부(210)의 광에 대해 광 차폐성을 가지기 위해, 표면이 부식 처리될 수 있다. 부식 처리된 표면은 광 차폐성을 가진다. 더욱 구체적으로, 부식 처리된 표면은 광을 표면에서 난반사시켜 광 투과성을 떨어트릴 수 있다. 또한, 일부 투과된 광도 굴절되어 다양한 방향으로 방사된다. 따라서 제2 몰딩부의 측면(333)을 부식 처리 하여 제2 몰딩부의 측면(333)을 통과하는 누설광을 최소화할 수 있고, 통과한 누설광도 제2 몰딩부의 측면(333)의 내측에서 난반사되어 수광부(230)에 입사되어 검출되는 정도를 최소화할 수 있다. 이를 통해 근접 센서(500)의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.
제2 몰딩부(330)의 측면(333)에 있어서, 발광부(210) 측의 측면(334)에 누설광이 더 많이 입사될 수 있다. 따라서 제2 몰딩부의 측면(333)에 있어서, 발광부(210) 측의 측면(334)의 부식 정도가 다른 부분의 측면의 부식 정도보다 클 수 있다.
제2 몰딩부(330)의 하면(335)은, 제1 몰딩부(310)의 하면(315)과 같이, 베이스 기판의 상면(101)과 맞닿는 부분이다. 상기 하면(335)은 베이스 기판의 상면(101)을 초과하지 않도록 형성된다. 또한, 상기 하면(335)은 측면(333)과 맞닿는 가장가리 부분이 베이스 기판의 상면(101)의 가장자리 부분과 대응되도록 형성되어, 베이스 기판의 상면(101)의 측단에 맞닿도록 형성될 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 측면인 근접 센서의 제2 실시예에 대해서 설명한다. 설명의 편의성을 위해서 본 발명의 근접 센서의 제2 실시예를 설명하는데 있어서, 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한 근접 센서의 제1 실시예와 다른 점을 중심으로 설명한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 근접 센서(600)에 있어서, 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(330) 사이의 이격 공간(S)에는 발광부(210)의 광을 차폐할 수 있는 차폐재(410)가 충진되어 있을 수 있다. 몰딩부의 측면을 통한 누설광은 주로, 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(330)의 서로 마주보는 측면(314, 334)을 통해 누설된다. 따라서 상기 측면(314, 334) 사이의 이격 공간(S)에 차폐재(410)를 충진하면 누설광에 의한 근접 센서(600)의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 일 측면인 근접 센서의 제3 실시예에 대해서 설명한다. 설명의 편의성을 위해서, 본 발명의 제3 실시예를 설명하는데 있어서, 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 제1 실시예와 다른 점을 중심으로 설명한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 근접 센서(700)에 있어서, 제1 몰딩부(310)의 측면(313)은 발광부(210)의 광에 대해 광 차폐성을 가지기 위해, 표면에 차광 코팅(400)이 되어 있을 수 있다. 상기 차광 코팅(400)은 광 투과성이 낮은 재질로 형성된다. 특히, 차광 코팅(400)은 발광부(210)의 광에 해당하는 파장 대역에 대한 차광성이 높은 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 차광 코팅(400)은 제1 몰딩부의 측면(313)에 있어서, 제2 몰딩부(330)와 마주보도록 형성된 측면(314)에 더욱 두껍게 형성될 수 있다. 따라서 상기 제2 몰딩부(330)와 마주보도록 형성된 측면(314)이 차광성이 높을 수 있다.
제2 몰딩부(330)의 측면(333)도, 제1 몰딩부(310)의 측면(313)과 같이, 발광부(210)의 광에 대해 광 차폐성을 가지기 위해, 표면에 차광 코팅(400)이 되어 있을 수 있다.
상기 차광 코팅(400)은 제2 몰딩부의 측면(333)에 있어서, 제1 몰딩부(310)와 마주보도록 형성된 측면(334)에 더욱 두껍게 형성될 수 있다. 따라서 상기 제1 몰딩부(310)와 마주보도록 형성된 측면(334)이 차광성이 높을 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면은 근접 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 근접 센서의 제조 방법은 상술한 본 발명의 근접 센서에 대한 제조 방법이다. 본 발명의 근접 센서의 제조 방법을 설명하는데 있어서, 상술한 본 발명의 근접 센서에 관한 설명과 동일한 내용 중 일부는 생략한다.
근접 센서의 제조 방법을 설명하는데 있어서, 각 단계는 반드시 나열된 순서대로 수행되어야 하는 것은 아니며, 공정의 특성 및 기호에 따라 각 단계의 수행 순서는 바뀔 수 있다.
이하, 첨부한 도 8을 참조하여, 본 발명의 일 측면인 근접 센서의 제조 방법의 제1 실시예에 대해서 설명한다.
본 발명의 근접 센서의 제조 방법의 제1 실시예는 발광부 및 수광부 실장 단계(S110), 제1 몰딩부를 형성하는 단계(S120), 제2 몰딩부를 형성하는 단계(S130) 및 부식 처리 단계(S140)를 포함한다.
발광부 및 수광부 실장 단계(S110)는 베이스 기판(100)에 발광부(210) 및 수광부(230)를 실장하는 단계이다. 베이스 기판의 상면(101)에는 발광부(210)와 수광부(230)가 실장될 위치가 미리 표시되어 있을 수 있다. 또한, 베이스 기판의 상면(101)에는 발광부(210) 및 수광부(230)와 전기적으로 연결될 커넥트 단자(110, 130)가 구비될 수 있다.
발광부(210) 및 수광부(230)는 베이스 기판(100)의 상면에 와이어 본딩, 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 등을 통해서 결합할 수 있다. 그러나 상기 결합 방식에 한정되는 것은 아니다.
발광부(210)와 수광부(230)는 각각 베이스 기판(100)의 상면에서 서로 다른 일측으로 치우쳐서 실장되는 것이 바람직하다. 따라서 발광부(210)와 수광부(230)는 베이스 기판(100)의 상면 상에서 서로 이격될 수 있다.
수광부(230)는 발광부(210)의 광을 수광하는 수광소자(231)와 함께 조도를 감지하기 위한 조도 감지 수광소자(233)를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 수광부(230)는 조도 감지 수광소자(233)가 발광부(210)와 더 가깝게 위치하도록 배향될 수 있다.
제1 몰딩부를 형성하는 단계(S120)는 발광부(210)를 봉지하는 제1 몰딩부(310)를 형성하는 단계이다. 제1 몰딩부(310)는 베이스 기판(100)에 대향하는 상면(311) 및 상기 상면으로부터 베이스 기판(100)까지 연장되는 측면(313)을 구비한다. 또한, 제1 몰딩부(310)는 베이스 기판(100)과 맞닿아 결합하는 하면(315)을 구비할 수 있다. 또한, 제1 몰딩부(310)는 발광부(210)의 표면과 직접 결합하거나, 발광부(210)가 수용되는 내부 공간을 형성하는 내부면(317)을 구비할 수 있다.
제1 몰딩부(310)의 상면(311)은 베이스 기판(100)에 실질적으로 평행하도록 형성될 수 있다. 다른 가능한 형태로서, 제1 몰딩부의 상면(311)은 발광부(210)의 광을 굴절시켜 집광시키거나, 분산시킬 수 있도록 오목 또는 볼록한 렌즈 형태로 형성될 수 있다.
제1 몰딩부(310)는 베이스 기판(100)의 상면 상에서 사출 성형되거나, 별도로 사출 성형되어 발광부(210)를 봉지하도록 베이스 기판(100)의 상면에 결합될 수도 있다.
제1 몰딩부(310)는 발광부(210)의 광에 대해 광 투과성성이 높은 것이 바람직하다. 일 실시예에서 발광부(210)의 광은 적외선 영역이고, 따라서 제1 몰딩부(310)의 재질은 적외선 영역에 대해서 광 투과성이 높은 것이 바람직하다. 또한, 제1 몰딩부(310)는 발광부(210) 또는 베이스 기판(100)의 상면과 견고하게 결합될 수 있어야 한다. 제1 몰딩부(310)의 재질의 일례로서 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC ; Epoxy molding Compound) 또는 실리콘(silicone) 등의 수지재가 있다. 그러나 상술한 재질에 한정되는 것은 아니다.
제2 몰딩부를 형성하는 단계(S130)는 수광부(230)를 봉지하는 제2 몰딩부(330)를 형성하는 단계이다. 제2 몰딩부(330)는 베이스 기판(100)에 대향하는 상면(331) 및 상기 상면으로부터 베이스 기판(100)까지 연장되는 측면(333)을 구비한다. 또한, 제2 몰딩부(330)는 베이스 기판(100)과 맞닿아 결합하는 하면(335)을 구비할 수 있다. 또한, 제2 몰딩부(330)는 수광부(230)의 표면과 직접 결합하거나, 수광부(230)가 수용되는 내부 공간을 형성하는 내부면(337)을 구비할 수 있다.
제2 몰딩부(330)의 상면(331)은 베이스 기판(100)에 실질적으로 평행하도록 형성될 수 있다. 다른 가능한 형태로서, 제2 몰딩부의 상면(331)은 검출 대상 물체에 반사된 발광부(210)의 광을 굴절시켜 집광시키거나, 분산시킬 수 있도록 오목 또는 볼록한 렌즈 형태로 형성될 수 있다. 더욱 구체적으로, 제2 몰딩부의 상면(331)은 수광부(230)가 광 검출 특성을 향상시키기 위한 최적의 형태로 형성될 수 있다.
제2 몰딩부(330)는 베이스 기판(100)의 상면 상에서 사출 성형되거나, 별도로 사출 성형되어 수광부(230)를 봉지하도록 베이스 기판(100)의 상면에 결합될 수도 있다.
제2 몰딩부(330)는 발광부(210)의 광에 대해 광 투과성성이 높은 것이 바람직하다. 일 실시예에서 발광부(210)의 광은 적외선 영역이고, 따라서 제2 몰딩부(330)의 재질은 적외선 영역에 대해서 광 투과성이 높은 것이 바람직하다. 또한, 제2 몰딩부(330)는 발광부(210) 또는 베이스 기판(100)의 상면과 견고하게 결합될 수 있어야 한다. 제2 몰딩부(330)의 재질의 일례로서 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC ; Epoxy molding Compound) 또는 실리콘(silicone) 등의 수지재가 있다. 그러나 상술한 재질에 한정되는 것은 아니다.
부식 처리 단계(S140)는 제1 몰딩부(310) 또는 제2 몰딩부(330) 중 선택된 하나 또는 둘의 측면(313, 333)을 표면 부식 처리하는 단계이다. 더욱 구체적으로, 부식 처리 단계는 일부의 표면이 부식 처리된 금형으로부터 사출 성형하여 형성할 수 있다. 금형의 일부 표면을 부식 처리하면, 그 표면이 거칠게 가공될 수 있다. 더욱 구체적으로, 금형의 표면이 전기 방전을 주거나, 샌딩 입자에 의해 마찰 및 충격을 주어 표면을 거칠게 가공할 수 있다. 이렇게 가공된 표면으로부터 사출 성형된 사출물은 표면이 거칠게 형성될 수 있다. 부식 처리된 표면은 광 차폐성을 가진다.
또한, 부식 처리 단계(S140)는 베이스 기판(100) 상에 사출 성형된 몰딩부(310, 330)의 측면(313, 333)을 부식 처리하는 것일 수 있다. 또한, 몰딩부의 사출 형성 단계에서 부식 처리 단계(S140)가 수행되고, 이후에 일부의 측면에 대해서 추가적인 부식 처리 단계가 진행될 수 있다.
또한, 다른 실시예로서, 별도로 사출 성형된 몰딩부의 측면(313, 333)을 부식 처리한 후, 베이스 기판(100)의 상면 상에 결합시키는 것도 가능하다.
부식 처리된 표면은 광 투과성을 떨어트릴 수 있다. 또한, 일부 투과된 광도 굴절되어 다양한 방향으로 방사된다. 따라서 측면(313, 333)을 부식 처리 하여 발광부(210)의 광중에서 측면(313, 333)을 통과하여, 수광부(230)로 바로 입사되는 누설광을 최소화할 수 있다. 이를 통해 근접 센서(500)의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도 9를 참조하여, 본 발명의 일 측면인 근접 센서의 제조 방법의 제2 실시예에 대해서 설명한다.
근접 센서의 제조 방법의 제2 실시예를 설명하는데 있어서, 상술한 근접 센서의 제1 실시예와 다른 점을 중심으로 설명한다.
근접 센서의 제조 방법의 제2 실시예는 발광부 및 수광부 실장 단계(S210), 제1 몰딩부를 형성하는 단계(S220), 제2 몰딩부를 형성하는 단계(S230) 및 차광 코팅 단계(S240)를 포함한다.
차광 코팅 단계(S240)는 제1 몰딩부(310) 또는 제2 몰딩부(330) 중 선택된 하나 또는 둘의 측면(313, 333)에 차광 코팅(400)을 하는 단계이다. 차광 코팅(400)은 광 투과성이 낮은 재질로 형성된다. 특히, 차광 코팅(400)은 발광부(210)의 광에 해당하는 파장 대역에 대한 차광성이 높은 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
차광 코팅(400)은 제1 몰딩부(310) 또는 제2 몰딩부(330)의 서로 마주보는 측면(314, 334)에 더욱 두껍게 형성될 수 있다.
또한, 차광 코팅 단계(S240)는 몰딩부(310, 330)가 베이스 기판(100)의 상면 상에 결합된 상태에서 차광 코팅될 수 있다. 또한 다른 가능한 실시예로서, 별도로 사출 성형된 몰딩부의 측면(313, 333)에 차광 코팅(400)을 한 후, 베이스 기판(100)의 상면 상에 결합될 수도 있다.
차광 코팅(400)된 표면은 광 투과성을 떨어트릴 수 있다. 따라서 측면을 차광 코팅 처리 하여 발광부(210)의 광중에서 측면을 통과하여, 수광부(230)로 바로 입사되는 누설광을 최소화할 수 있다. 이를 통해 근접 센서(500)의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.
100 : 베이스 기판
210 : 발광부 230 : 수광부
310 : 제1 몰딩부 330 : 제2 몰딩부
311, 331 : 상면 313, 314 : 측면
315, 335 : 하면 317, 337 : 내부면
400 : 차광 코팅

Claims (15)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 실장된 발광부;
    상기 베이스 기판 상에 실장된 수광부;
    상기 발광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부;
    상기 수광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 포함하되,
    상기 제1 몰딩부와 상기 제2 몰딩부는 서로 이격되어 사이에 이격 공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 상면은 상기 발광부가 방사하는 광을 통과시킬 수 있도록 투광성으로 형성되고,
    상기 제1 몰딩부의 측면은 상기 발광부가 방사하는 광을 차폐시킬 수 있도록 표면이 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 측면은 표면 부식 처리된 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 측면은 차광 코팅이 된 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 상면은 상기 발광부가 방사하는 광을 통과시킬 수 있도록 투광성으로 형성되고,
    상기 제2 몰딩부의 측면은 상기 발광부가 방사하는 광을 차폐시킬 수 있도록 표면이 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 측면은 표면 부식 처리된 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 측면은 차광 코팅이 된 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 상면은 상기 베이스 기판과 맞닿는 상기 제1 몰딩부의 하면보다 그 면적이 좁은 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 상면은 상기 베이스 기판과 맞닿는 상기 제2 몰딩부의 하면보다 그 면적이 좁은 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부와 상기 제2 몰딩부 사이의 이격 공간에 상기 발광부가 방사하는 광을 차폐할 수 있는 차폐재가 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 근접 센서.
  11. 베이스 기판에 발광부 및 수광부를 실장하는 단계;
    상기 발광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 수광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 상기 제1 몰딩부와 이격되도록 형성하는 단계; 및
    상기 제1 몰딩부 또는 상기 제2 몰딩부 중 선택된 하나 또는 둘의 측면을 표면 부식 처리하는 단계를 포함하는 근접 센서 제조 방법.
  12. 베이스 기판에 발광부 및 수광부를 실장하는 단계;
    상기 발광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 수광부를 봉지하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 상기 제1 몰딩부와 이격되도록 형성하는 단계; 및
    상기 제1 몰딩부 또는 상기 제2 몰딩부 중 선택된 하나 또는 둘의 측면에 차광 코팅을 하는 단계를 포함하는 근접 센서 제조 방법.
  13. 베이스 기판에 발광부 및 수광부를 실장하는 단계;
    상기 베이스 기판에 결합될 때 상기 발광부를 수용하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판에 결합될 때 상기 수광부를 수용하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 제1 몰딩부 또는 상기 제2 몰딩부 중 선택된 하나 또는 둘의 측면을 표면 부식 처리하는 단계; 및
    상기 제1 몰딩부 및 상기 제2 몰딩부를 상기 베이스 기판에 결합하는 단계를 포함하는 근접 센서 제조 방법.
  14. 베이스 기판에 발광부 및 수광부를 실장하는 단계;
    상기 베이스 기판에 결합될 때 상기 발광부를 수용하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판에 결합될 때 상기 수광부를 수용하고, 상기 베이스 기판에 대향하는 상면 및 상기 상면으로부터 상기 베이스 기판까지 연장되는 측면을 구비하는 제2 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 제1 몰딩부 또는 상기 제2 몰딩부 중 선택된 하나 또는 둘의 측면에 차광 코팅을 하는 단계; 및
    상기 제1 몰딩부 및 상기 제2 몰딩부를 상기 베이스 기판에 결합하는 단계를 포함하는 근접 센서 제조 방법.
  15. 제11 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부 및 상기 제2 몰딩부 사이에 차폐재를 충진하는 단계를 더 포함하는 근접 센서 제조 방법.

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