TW201712901A - 發光裝置的製造方法、發光裝置、模組及電子裝置 - Google Patents

Abstract

提供一種可靠性高的發光裝置。提高發光裝置的製程的良率。提供一種在發光部的外側以框狀設置的非發光部具有厚度比發光部的厚度薄的部分的發光裝置。在基板上形成發光元件及黏合層。藉由將一對基板重疊並使黏合層固化來密封發光元件。然後，邊對固化的黏合層進行加熱邊利用具有凸部的構件對非發光部的至少一部分施壓。

Description

發光裝置的製造方法、發光裝置、模組及電子裝置

本發明的一個實施方式係關於發光裝置、模組、電子裝置及其製造方法。本發明的一個實施方式尤其係關於一種利用有機電致發光(Electroluminescence，以下也記為EL)現象的發光裝置及其製造方法。

注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。作為本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、輸入裝置(例如，觸控感測器等)、輸入輸出裝置(例如，觸控面板等)以及上述裝置的驅動方法或製造方法。

近年來，發光裝置被期待應用於各種用途，並被要求多樣化。

例如，用於移動設備等的發光裝置需要為薄型、輕量且不易損壞等。

利用EL現象的發光元件(也記作“EL元件”)具有容易實現薄型輕量化、能夠高速地回應輸入信號以及能夠使用直流低電壓電源而驅動等特徵，已研究將其應用於發光裝置。

例如，專利文獻1公開了在薄膜基板上具備用作切換元件的電晶體以及有機EL元件的具有撓性的主動矩陣型發光裝置。

有機EL元件存在因從外部侵入的水分或氧等雜質而損害可靠性的問題。

當水分或氧等雜質從有機EL元件的外部侵入到構成有機EL元件的有機化合物或金屬材料時，有時有機EL元件的壽命大幅度地降低。這是因為用於有機EL元件的有機化合物或金屬材料與水分或氧等雜質起反應而劣化的緣故。

因此，正在積極開發用來防止雜質侵入的密封有機EL元件的技術。

[專利文獻1]日本專利申請公開第2014-197522號公報

本發明的一個實施方式的目的之一是提高發光裝置的可靠性。本發明 的一個實施方式的目的之一是提高發光裝置的製程中的良率。

本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有曲面的發光裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有撓性的發光裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種輕量的發光裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種薄型的發光裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的發光裝置等。

注意，上述目的的記載不妨礙其他目的的存在。此外，本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。另外，可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載顯而易見地看出並衍生上述以外的目的。

本發明的一個實施方式是一種發光裝置的製造方法，該發光裝置包括具有發光元件的發光部以及在發光部的外側以框狀設置的非發光部。非發光部較佳為包括間隔物及無機絕緣層。

本發明的一個實施方式的發光裝置的製造方法a包括：在第一基板上形成發光元件的第一製程；將黏合層形成在第一基板或第二基板上的第二製程；將第一基板與第二基板重疊並將發光元件配置於由黏合層、第一基板及第二基板圍繞的空間中的第三製程；使黏合層固化的第四製程；以及邊對固化的黏合層進行加熱邊利用具有凸部的構件對非發光部的至少一部分施壓的第五製程。

在製造方法a中，較佳為在第二製程之前在第一基板或第二基板上形 成間隔物以及覆蓋間隔物的側面及頂面的無機絕緣層。在製造方法a中，較佳為在第五製程中使凸部與無機絕緣層重疊。

本發明的一個實施方式的發光裝置的製造方法b包括：在第一基板上形成剝離層的第一製程；在剝離層上形成被剝離層的第二製程；將黏合層形成在第一基板或第二基板上的第三製程；將第一基板與第二基板重疊的第四製程；使黏合層固化的第五製程；將第一基板與被剝離層分離的第六製程；以及邊對固化的黏合層進行加熱邊利用具有凸部的構件對非發光部的至少一部分施壓的第七製程。在製造方法b的第二製程中，作為被剝離層形成剝離層上的絕緣層以及絕緣層上的發光元件。在製造方法b的第三製程中，以與剝離層及被剝離層重疊的方式形成黏合層。在製造方法b的第四製程中，將發光元件配置於由黏合層、第一基板及第二基板圍繞的空間中。

在製造方法b中，可以在第六製程與第七製程之間包括將被剝離層貼合到第三基板的製程。或者，在製造方法b中，也可以在第七製程之後包括將被剝離層貼合到第三基板的製程。

在製造方法b中，較佳為在第三製程之前在第一基板上或第二基板上形成間隔物以及覆蓋間隔物的側面及頂面的無機絕緣層。在製造方法b中，較佳為在第七製程中使凸部與無機絕緣層重疊。

本發明的一個實施方式的發光裝置的製造方法c包括：在第一基板上形成第一剝離層的第一製程；在第一剝離層上形成第一被剝離層的第二製 程；在第二基板上形成第二剝離層的第三製程；在第二剝離層上形成第二被剝離層的第四製程；將黏合層形成在第一基板或第二基板上的第五製程；將第一基板與第二基板重疊的第六製程；使黏合層固化的第七製程；將第一基板與第一被剝離層分離的第八製程；在第一被剝離層上貼合第三基板的第九製程；將第二基板與第二被剝離層分離的第十製程；以及邊對固化的黏合層進行加熱邊利用具有凸部的構件對非發光部的至少一部分施壓的第十一製程。在製造方法c中，作為第一被剝離層或第二被剝離層形成絕緣層以及絕緣層上的發光元件。在製造方法c的第五製程中，以與第一剝離層及第一被剝離層重疊的方式形成黏合層。在製造方法c的第六製程中，將發光元件配置於由黏合層、第一基板及第二基板圍繞的空間中。

在製造方法c中，可以在第十製程與第十一製程之間包括將第二被剝離層貼合到第四基板的製程。或者，在製造方法c中，也可以在第十一製程之後包括將第二被剝離層貼合到第四基板的製程。

在製造方法c中，較佳為在第六製程之前包括將分隔壁形成於第一基板或第二基板上的製程。該分隔壁以圍繞黏合層的方式設置。

在製造方法c中，較佳為在第五製程之前在第一基板或第二基板上形成間隔物以及覆蓋間隔物的側面及頂面的無機絕緣層。在製造方法c中，較佳為在第十一製程中使凸部與無機絕緣層重疊。

本發明的一個實施方式的發光裝置包括發光部以及在發光部的外側以框狀設置的非發光部。該發光裝置包括第一撓性基板、第二撓性基板、第 一黏合層、第二黏合層、第一絕緣層及第一功能層。第一黏合層位於第一撓性基板與第一絕緣層之間。第二黏合層位於第二撓性基板與第一絕緣層之間。第一功能層位於第二黏合層與第一絕緣層之間。第一黏合層與第二黏合層具有隔著第一絕緣層彼此重疊的部分。發光部在第一功能層中包括發光元件。非發光部在第一功能層中包括間隔物及無機絕緣層。無機絕緣層覆蓋間隔物的側面及頂面。非發光部包括與發光部相比第一撓性基板與第二撓性基板之間的間隔更窄的第一部分。第一部分較佳為包括該無機絕緣層。

本發明的一個實施方式是一種包括具有上述中的任一結構的發光裝置的模組。該模組安裝有軟性印刷電路板(Flexible printed circuit，以下記為FPC)或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)等連接器或者利用COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式或COF(Chip On Film：薄膜覆晶封裝)方式等安裝有集成電路(IC)。

本發明的上述方式不侷限於發光裝置，也可以用於顯示裝置或輸入/輸出裝置(觸控面板等)。

本發明的一個實施方式是一種包括上述模組、天線、電池、外殼、照相機、揚聲器、麥克風或操作按鈕中的至少一個的電子裝置。

根據本發明的一個實施方式可以提高發光裝置的可靠性。根據本發明的一個實施方式可以提高發光裝置的製程中的良率。

根據本發明的一個實施方式可以提供一種具有曲面的發光裝置。根據本發明的一個實施方式可以提供一種具有撓性的發光裝置。根據本發明的一個實施方式可以提供一種輕量的發光裝置。根據本發明的一個實施方式可以提供一種薄型的發光裝置。根據本發明的一個實施方式可以提供一種新穎的發光裝置等。

注意，上述效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一個實施方式並不需要必須實現所有上述效果。另外，可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載顯而易見地看出並衍生上述以外的效果。

10‧‧‧發光裝置

11‧‧‧基板

12‧‧‧黏合層

13‧‧‧絕緣層

15‧‧‧發光元件

16‧‧‧黏合層

17‧‧‧黏合層

18a‧‧‧分隔壁

18b‧‧‧臨時密封層

18c‧‧‧分隔壁

18d‧‧‧臨時密封層

19‧‧‧基板

21‧‧‧构件

21a‧‧‧构件

21b‧‧‧构件

22‧‧‧凸部

22a‧‧‧凸部

22b‧‧‧凸部

25‧‧‧發光部

26‧‧‧非發光部

31‧‧‧形成用基板

32‧‧‧剝離層

51‧‧‧形成用基板

52‧‧‧剝離層

53‧‧‧絕緣層

55‧‧‧彩色層

59‧‧‧間隔物

251‧‧‧撓性基板

258‧‧‧厚度薄的區域

259‧‧‧撓性基板

301‧‧‧顯示部

302‧‧‧像素

302B‧‧‧子像素

302G‧‧‧子像素

302R‧‧‧子像素

302t‧‧‧電晶體

303c‧‧‧容量

303g‧‧‧(1)掃描線驅動電路

303g‧‧‧(2)撮像像素驅動電路

303s‧‧‧(1)影像信號線驅動電路

303s‧‧‧(2)撮像信號線驅動電路

303t‧‧‧電晶體

304‧‧‧閘極

308‧‧‧撮像像素

308p‧‧‧光電轉換元件

308t‧‧‧電晶體

309‧‧‧FPC

311‧‧‧佈線

312‧‧‧閘極絕緣層

319‧‧‧端子

321‧‧‧絕緣層

328‧‧‧分隔壁

329‧‧‧間隔物

350R‧‧‧發光元件

351R‧‧‧下部電極

352‧‧‧上部電極

353‧‧‧EL層

353a‧‧‧EL層

353b‧‧‧EL層

354‧‧‧中間層

360‧‧‧黏合層

367BM‧‧‧遮光層

367p‧‧‧防反射層

367R‧‧‧彩色層

378‧‧‧絕緣層

390‧‧‧輸入/輸出裝置

501‧‧‧顯示部

505‧‧‧輸入/輸出裝置

505B‧‧‧輸入/輸出裝置

509‧‧‧FPC

589‧‧‧絕緣層

590‧‧‧撓性基板

591‧‧‧電極

592‧‧‧電極

593‧‧‧絕緣層

594‧‧‧佈線

595‧‧‧觸控感測器

597‧‧‧黏合層

598‧‧‧佈線

599‧‧‧連接層

701‧‧‧第一撓性基板

703‧‧‧第一黏合層

705‧‧‧第一絕緣層

711‧‧‧第二撓性基板

712‧‧‧凹部

713‧‧‧第二黏合層

715‧‧‧第二絕緣層

723‧‧‧背閘極

728‧‧‧絕緣層

729‧‧‧絕緣層

742‧‧‧半導體層

743‧‧‧閘極

744a‧‧‧導電層

744b‧‧‧導電層

747a‧‧‧開口

747b‧‧‧開口

747c‧‧‧開口

747d‧‧‧開口

772‧‧‧絕緣層

804‧‧‧發光部

806‧‧‧驅動電路部

808‧‧‧FPC

810‧‧‧間隔物

811‧‧‧絕緣層

812‧‧‧絕緣層

813‧‧‧無機絕緣層

814‧‧‧導電層

815‧‧‧絕緣層

817‧‧‧絕緣層

817a‧‧‧絕緣層

817b‧‧‧絕緣層

820‧‧‧電晶體

821‧‧‧絕緣層

822‧‧‧黏合層

823‧‧‧間隔物

824‧‧‧電晶體

825‧‧‧連接器

830‧‧‧發光元件

831‧‧‧下部電極

832‧‧‧光學調整層

833‧‧‧EL層

835‧‧‧上部電極

845‧‧‧彩色層

847‧‧‧遮光層

848‧‧‧電晶體

849‧‧‧保護層

856‧‧‧導電層

857‧‧‧導電層

857a‧‧‧導電層

857b‧‧‧導電層

2000a‧‧‧上板

2000b‧‧‧下板

2005a‧‧‧緩衝材料

2005b‧‧‧緩衝材料

2005c‧‧‧緩衝材料

2005d‧‧‧緩衝材料

2100‧‧‧基板

7000‧‧‧顯示部

7001‧‧‧顯示部

7100‧‧‧行動電話機

7101‧‧‧外殼

7103‧‧‧操作按鈕

7104‧‧‧外部連接埠

7105‧‧‧揚聲器

7106‧‧‧麥克風

7200‧‧‧電視機

7201‧‧‧外殼

7203‧‧‧支架

7211‧‧‧遙控器

7300‧‧‧可攜式資訊終端

7301‧‧‧外殼

7302‧‧‧操作按鈕

7303‧‧‧資訊

7304‧‧‧資訊

7305‧‧‧資訊

7306‧‧‧資訊

7310‧‧‧可攜式資訊終端

7320‧‧‧可攜式資訊終端

7400‧‧‧照明設備

7401‧‧‧底座

7402‧‧‧發光部

7403‧‧‧操作開關

7410‧‧‧照明設備

7412‧‧‧發光部

7420‧‧‧照明設備

7422‧‧‧發光部

7500‧‧‧可攜式資訊終端

7501‧‧‧外殼

7502‧‧‧取出構件

7503‧‧‧操作按鈕

7600‧‧‧可攜式資訊終端

7601‧‧‧外殼

7602‧‧‧鉸鏈

7650‧‧‧可攜式資訊終端

7651‧‧‧非顯示部

7700‧‧‧可攜式資訊終端

7701‧‧‧外殼

7703a‧‧‧按鈕

7703b‧‧‧按鈕

7704a‧‧‧揚聲器

7704b‧‧‧揚聲器

7705‧‧‧外部連接埠

7706‧‧‧麥克風

7709‧‧‧電池

7800‧‧‧可攜式資訊終端

7801‧‧‧錶帶

7802‧‧‧輸入輸出端子

7803‧‧‧操作按鈕

7804‧‧‧圖示

7805‧‧‧電池

9700‧‧‧汽車

9701‧‧‧車身

9702‧‧‧車輪

9703‧‧‧擋風玻璃

9704‧‧‧燈

9705‧‧‧霧燈

9710‧‧‧顯示部

9711‧‧‧顯示部

9712‧‧‧顯示部

9713‧‧‧顯示部

9714‧‧‧顯示部

9715‧‧‧顯示部

9721‧‧‧顯示部

9722‧‧‧顯示部

9723‧‧‧顯示部

9801‧‧‧外殼

9802‧‧‧外殼

9803‧‧‧顯示部

9804‧‧‧顯示部

9805‧‧‧麥克風

9806‧‧‧揚聲器

9807‧‧‧操作鍵

9808‧‧‧觸控筆

9821‧‧‧外殼

9822‧‧‧顯示部

9823‧‧‧鍵盤

9824‧‧‧指向裝置

在圖式中：圖1A至圖1E是示出發光裝置的製造方法的一個例子的流程圖及剖面圖；圖2A至圖2G是示出發光裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖3A至圖3G是示出發光裝置的製造方法的一個例子的流程圖、剖面圖及俯視圖；圖4A至圖4D是示出發光裝置的製造方法的一個例子的流程圖及剖面圖；圖5A至圖5F是示出發光裝置的製造方法的一個例子的流程圖及剖面圖；圖6A至圖6D是示出發光裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖7是示出發光裝置的製造方法的一個例子的流程圖； 圖8A至圖8E是示出發光裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖9A至圖9E是示出發光裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖10A和圖10B是示出發光裝置的製造方法的一個例子的流程圖及剖面圖；圖11A至圖11D是示出發光裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖12A至圖12H是示出發光裝置的一個例子的俯視圖；圖13A和圖13B是示出發光裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖14A至圖14G是具有凸部的構件的俯視圖以及說明構件的凸部與發光裝置的凹部的剖面圖；圖15A和圖15B是示出具有凸部的構件的俯視圖以及發光裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖16A和圖16B是示出發光裝置的一個例子的俯視圖及剖面圖；圖17A至圖17D是示出發光裝置的一個例子的剖面圖以及電晶體的一個例子的俯視圖及剖面圖；圖18A和圖18B是示出發光裝置的一個例子的俯視圖及剖面圖；圖19A和圖19B是示出發光裝置的一個例子的剖面圖；圖20A和圖20B是示出發光裝置的一個例子的剖面圖；圖21A和圖21B是示出發光裝置的一個例子的剖面圖；圖22A和圖22B是示出發光裝置的一個例子的剖面圖；圖23A至圖23C是示出發光裝置的一個例子的剖面圖；圖24A至圖24C是示出輸入/輸出裝置的一個例子的俯視圖及剖面圖；圖25A和圖25B是示出輸入/輸出裝置的一個例子的透視圖；圖26A和圖26B是示出輸入/輸出裝置的一個例子的剖面圖；圖27A至圖27C是示出輸入/輸出裝置的一個例子的剖面圖； 圖28A、圖28B、圖28C1、圖28C2、圖28D、圖28E、圖28F、圖28G以及圖28H是示出電子裝置及照明設備的一個例子的圖；圖29A129A1、圖29A2、圖29B、圖29C、圖29D、圖29E、圖29E、圖29G、圖29H以及圖291是示出電子裝置的一個例子的圖；圖30A至圖30E是示出電子裝置的一個例子的圖；圖31是說明樣本的XRD譜的測定結果的圖；圖32A和圖32L是說明樣本的TEM影像及電子衍射圖案的圖；圖33A至圖33C是說明樣本的EDX面分析影像的圖。

參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於下面說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。

注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。

另外，為了便於理解，有時圖式中示出的各構成的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷 限於圖式所公開的位置、大小、範圍等。

另外，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”變換為“導電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。

實施方式1

在本實施方式中，參照圖1A至圖15B說明本發明的一個實施方式的發 光裝置及其製造方法。

在本實施方式中雖然主要例示出使用EL元件的發光裝置，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。本發明的一個實施方式還包括使用其他發光元件或顯示元件的發光裝置或顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式不侷限於發光裝置及顯示裝置，也可以用於半導體裝置、輸入輸出裝置等各種裝置。

本發明的一個實施方式的發光裝置包括發光部及非發光部。發光部包括發光元件。非發光部在發光部的外側以框狀設置。

構成發光裝置的功能元件(發光元件或電晶體等)有時由於從外部侵入的水分等的雜質而劣化，導致其可靠性下降。藉由由一對氣體阻隔性高的層(基板或絕緣層等)夾持功能元件，能夠抑制在發光裝置的厚度方向上(換言之，藉由發光面及與發光面相對的面)的雜質侵入。另一方面， 在發光裝置的側面上，用來密封發光元件等的黏合層露出於大氣中。例如，與使用玻璃粉等作為黏合層的情況相比，使用樹脂作為黏合層時具有抗衝擊性及耐熱性高且不容易因外力等導致的變形而損壞的優點。藉由作為黏合層使用樹脂，可以提高發光裝置的撓性及彎曲耐性。但是，有時樹脂的氣體阻隔性、防水性或防濕性不夠。

由此，在本發明的一個實施方式中，發光裝置的非發光部中包括其厚度比發光部的厚度薄的部分。

當發光裝置(或黏合層)包括其厚度比其他部分薄的區域時，從發光裝置的側面侵入的水分等雜質不容易穿過該區域。因此，與發光裝置(或黏合層)的厚度相同的情況相比，雜質不容易到達功能元件，而能夠抑制發光裝置的可靠性下降。

如此，在本發明的一個實施方式中，可以藉由發光裝置的形狀(或黏合層的厚度)提高發光裝置的可靠性，由此可以擴大用於黏合層的材料的選擇範圍。例如，即使使用樹脂作為黏合層，也可以製造使用壽命長的發光裝置。

另外，可以在非發光部中局部性地設置厚度比其他部分薄的區域。或者，也可以包括從非發光部的發光部一側向發光裝置的端部厚度連續地(平滑地)變薄的區域。

以下例示出本發明的一個實施方式的發光裝置的製造方法。

(製造方法1〉

圖1A示出發光裝置的製造方法1的流程圖。

[S1-1：形成發光元件]

首先，準備一對基板(基板11及基板19)。然後，在基板11上形成發光元件15(圖1B)。在圖1B等中，將基板11上的設置有發光元件15的部分記作發光部25，其他部分記作非發光部26。

作為一對基板，使用至少具有可承受製程中的處理溫度的耐熱性的基板。一對基板可以分別使用玻璃、石英、藍寶石、陶瓷、有機樹脂、金屬、合金、半導體等材料。作為提取來自發光元件的光的一側的基板，使用使該光透過的材料。

作為一對基板，較佳為都使用具有撓性的基板(以下記作撓性基板)。例如，可以使用有機樹脂或其厚度為允許具有撓性的厚度的玻璃、金屬或合金。例如，撓性基板的厚度較佳為1μm以上且200μm以下，更佳為1μm以上且100μm以下，進一步較佳為10μm以上且50μm以下，更進一步較佳為10μm以上且25μm以下。撓性基板的厚度及硬度為可兼具機械強度及撓性的範圍內。撓性基板既可以採用單層結構也可以採用疊層結構。

作為構成金屬基板的材料，例如可以舉出鋁、銅及鎳等。作為構成合金基板的材料，例如可以舉出鋁合金及不鏽鋼等。作為構成半導體基板的材料，例如可以舉出矽等。

作為具有撓性及透光性的材料，例如可以舉出如下材料：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚矽氧烷樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)樹脂及ABS樹脂等。尤其較佳為使用線膨脹係數低的材料，例如較佳為使用聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂以及PET等。另外，也可以使用將樹脂浸滲於纖維體中的基板(也稱為預浸料)或將無機填料混合到有機樹脂中來降低線膨脹係數的基板。

作為發光元件15，可以使用能夠進行自發光的元件，由電流或電壓控制亮度的元件也包含在其範疇內。例如，可以使用發光二極體(LED)、有機EL元件以及無機EL元件等。另外，本發明的一個實施方式不侷限於發光裝置而還可以用於使用各種顯示元件的顯示裝置。例如，作為顯示裝置除了發光元件之外還可以採用液晶元件、電泳元件或使用MEMS(微機電系統)的顯示元件等。

在基板11上除了發光元件15之外還可以形成電晶體、電阻元件、切換元件及電容元件等各種功能元件中的一種以上。

設置功能元件的區域不侷限於發光部25。例如，也可以在非發光部26中形成信號線驅動電路、掃描線驅動電路及外部連接電極等中的一種以上。 外部連接電極與傳達來自外部的信號(視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位的外部輸入端子電連接。

[S1-2：形成黏合層]

接著，將黏合層17形成於基板11或基板19上。

黏合層17的厚度例如可以為1μm以上且200μm以下，較佳為1μm以上且100μm以下，更佳為1μm以上且50μm以下。

對黏合層17的形成方法沒有特別的限制，例如分別可以使用液滴噴射法、印刷法(網版印刷法及平板印刷法等)、旋塗法或噴塗法等塗佈法、浸漬法、分配器法或者奈米壓印法等。

用於黏合層17的黏合劑的玻璃轉移溫度越低，在後面的製程中對黏合層17進行加壓時黏合層17越易於凹陷。因此，易於在發光裝置中形成黏合層17的厚度極薄的部分，由此可以提高發光裝置的可靠性。另一方面，用於黏合層17的黏合劑的玻璃轉移溫度越高，發光裝置的耐熱性越高。因此，用於黏合層17的黏合劑的玻璃轉移溫度較佳為60℃以上且120℃以下，更佳為80℃以上且100℃以下。

另外，如後面所述，黏合層17較佳為具有熱塑性。

作為黏合層17，較佳為使用熱固性黏合劑或UV延遲固化型黏合劑。或者，也可以使用紫外線固化型等光固化型黏合劑、反應固化型黏合劑、 厭氧型黏合劑等各種固化型黏合劑。作為包含於黏合劑中的樹脂，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。

另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)那樣的藉由化學吸附吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當包含乾燥劑時，能夠抑制因大氣中的水分侵入而導致的功能元件的劣化，由此可以提高發光裝置的可靠性，所以是較佳的。

上述樹脂也可以包含均染劑或表面活性劑。

藉由對上述樹脂添加均染劑或表面活性劑，可以降低樹脂的表面張力，而提高樹脂的潤濕性。潤濕性越高，越可以均勻地塗佈樹脂。由此，能夠抑制貼合一對基板時的氣泡的混入，可以成為不容易發生黏合層的黏結失效或黏合層與被黏合層之間的介面破壞的結構。另外，能夠抑制發光裝置的顯示不良。

作為均染劑或表面活性劑，使用不給發光元件等帶來不良影響的材料。例如，可以使用對環氧樹脂添加0.01wt%以上且0.5wt%以下的氟類均染劑的材料。

此外，藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件，可以提 高發光元件的光提取效率。例如，可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。

[S1-3：將一對基板重疊]

接著，將基板11與基板19重疊並將發光元件15配置於由黏合層17、基板11及基板19圍繞的空間中(圖1C)。從發光裝置的可靠性的角度來看，該製程較佳為在減壓氛圍下進行。

[S1-4：固化黏合層]

接著，使黏合層17固化。

[S1-5：邊對黏合層進行加熱邊對非發光部施壓]

接著，邊對黏合層17進行加熱邊利用具有凸部的構件21a對非發光部26的至少一部分施壓(圖1D)。

在被加壓的部分中黏合層17的厚度變得比其他部分的厚度薄(圖1E)。或者，也可以說是在非發光部26中設置有與發光部25相比基板11與基板19之間的間隔窄的部分。

作為使從發光裝置的側面侵入的雜質不易於到達發光元件15的條件，例如可以舉出：發光裝置的厚度的最小值小；基板11與基板19之間的間隔的最小值小；或者黏合層17的厚度的最小值小。在本發明的一個實施方式中，對非發光部施壓的製程的目的是降低上述三個最小值中的至少一個。

另外，當發光部25的厚度不均勻時，有可能導致顯示品質下降。在本 發明的一個實施方式中，先使黏合層17固化，然後再使其變形。固化的黏合層17與固化之前的黏合層17相比更硬或流動性更低。由此，藉由利用具有凸部的構件21a可以使黏合層17局部性地變形。黏合層17的變形區域沒有過度擴展至超出直接被凸部按壓的非發光部26的範圍。因此，可以使黏合層17的厚度變薄的區域僅限於非發光部中，而不易使發光部25的厚度變得不均勻。本發明的一個實施方式可以提高發光裝置的可靠性並可以抑制發光裝置的視角特性下降及顯示品質下降。

黏合層17較佳為採用具有熱塑性的樹脂(以下記作熱塑性樹脂)。環氧樹脂等適合用作熱塑性樹脂。

藉由使用熱塑性樹脂，可以利用加熱使被固化的黏合層17軟化。例如，在製程S1-4中以大約為60℃的溫度使黏合層17固化，而在製程S1-5中以大約為100℃的溫度使黏合層17軟化。被軟化的黏合層17比被完全固化的黏合層17更容易藉由加壓而變形。另外，被軟化的黏合層17可以比固化前的黏合層17更局部性地變形。

例如，可以使用具有凸部的金屬模具對非發光部26的至少一部分施壓。明確而言，以凸部與非發光部26重疊的方式使金屬模具與基板11或基板19重疊。並且，對發光裝置10及金屬模具的疊層結構施壓。由此，發光裝置10中的與凸部重疊的部分及其附近被凸部壓扁，與其他部分相比黏合層17的厚度變薄。並且，對發光裝置的非發光部26設置厚度比發光部25薄的第一部分。另外，非發光部26可以在厚度薄的第一部分的外側包括比第一部分厚的第二部分。對第二部分及發光部25的厚度的大小關係沒有限制， 第二部分可以比發光部25薄，也可以比發光部25厚，也可以與發光部25具有相同的厚度。

較佳為利用熱壓機等能夠進行加壓的裝置對發光裝置10施壓。熱壓機的一個例子參見本實施方式的後文。

藉由上述製程，可以製造在非發光部26中包括其厚度比發光部25的厚度薄的部分的發光裝置。藉由採用這種結構可以抑制水分或氧等雜質侵入發光裝置的內部或到達發光元件。

根據在非發光部26中產生的干涉條紋可以確認在非發光部26中形成有厚度較薄的區域。在非發光部26中，形成有干涉條紋的區域的寬度例如可以為0.1mm以上、0.5mm以上或1mm以上且10mm以下、5mm以下或2mm以下。另外，當發光部25中產生干涉條紋時，有時顯示品質下降。因此，較佳為發光部25中不產生干涉條紋並且發光部25的厚度均勻(大致均勻)。

雖然圖1D示出利用具有凸部的構件21a從基板19一側對非發光部26施壓的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。較佳為在基板11和基板19中的撓性更高的基板一側或者厚度更薄的基板一側配置具有凸部的構件21a，由此更易於對非發光部26進行加壓。

圖2A示出利用具有凸部的構件21b從基板11一側對非發光部施壓的例子。同樣地，在該情況下，在非發光部中的被加壓的部分中，黏合層17的厚度變得比其他部分薄(圖2B)。

圖2C示出利用具有凸部的構件21a、21b從基板11一側及基板19一側的兩者對非發光部施壓的例子。此時，可以分別獨立地決定具有凸部的構件21a、21b的凸部的寬度、高度及位置。尤其是，當具有構件21a、21b的凸部隔著發光裝置重疊時，可以在非發光部中形成與發光部的厚度相比厚度極薄的部分(圖2D)。藉由採用該結構，從發光裝置的側面侵入的雜質不容易到達發光元件15，從而可以抑制發光裝置的可靠性下降，因此是較佳的。注意，構件21a、21b的凸部可以彼此錯開。

從發光部25的端部到發光裝置的端部之間設置有一個或多個被具有凸部的構件21a加壓的部分。圖1D示出從發光部25的左端到發光裝置的左端之間以及從發光部25的右端到發光裝置的右端之間各具有一個被凸部加壓的部分的情況。圖2E示出各具有兩個被加壓的部分的情況。在圖2E的例子中，在發光裝置的左右各形成兩個凹部(指凹陷、凹下去的部分)(圖2F)。然後，可以如圖2G所示藉由去除兩個凹部中位於外側的凹部的一部分使發光裝置的非發光部的寬度變窄(發光裝置的窄邊框化)。此時，較佳為以保留發光裝置的厚度最薄的部分的方式切斷發光裝置。圖2G所示的發光裝置包括厚度從非發光部的發光部一側到發光裝置的端部連續地(平滑地)減薄的部分。

由於圖2G所示的發光裝置的端部的厚度薄，因此外部的雜質不容易從端部侵入。此外，由於圖2G所示的發光裝置在非發光部還具有凹部，因此即使雜質從發光裝置的端部侵入，雜質也不容易到達發光元件。

雖然在製造方法1中示出在基板11上直接形成發光元件15的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。可以如下述製造方法2、3所示地將形成在形成用基板31上的發光元件等轉置到基板11上。藉由利用該方法，例如可以將在耐熱性高的形成用基板上形成的被剝離層轉置到耐熱性低的基板，被剝離層的製造溫度不會因耐熱性低的基板受到限制。藉由將被剝離層轉置到比形成用基板更輕、更薄或者撓性更高的基板等，能夠實現發光裝置的輕量化、薄型化、撓性化。

〈製造方法2〉

圖3A示出發光裝置的製造方法2的流程圖。

[S2-1：形成剝離層]

首先，準備一對基板(形成用基板31及基板19)。然後，在形成用基板31上形成剝離層32。

在此，雖然示出形成島狀剝離層的例子，但不侷限於此。在該製程中選擇在使形成用基板31與後述的絕緣層13分離時在形成用基板31與剝離層32的介面、剝離層32與絕緣層13的介面或者剝離層32中產生分離的材料。在本實施方式中，雖然例示出在絕緣層13與剝離層32的介面產生分離的情況，但是根據用於剝離層32或絕緣層13的材料的組合，產生分離的位置並不侷限於此。

作為形成用基板31，使用具有至少可承受製程中的處理溫度的耐熱性的基板。形成用基板31可以使用玻璃、石英、藍寶石、陶瓷、有機樹脂、 金屬、合金、半導體等材料。對形成用基板31的透光性沒有限制。

為了提高量產性，作為形成用基板31較佳為使用大型玻璃基板。例如，可以使用第3代(550mm×650mm)以上，第10代(2950mm×3400mm)以下的玻璃基板，或者，可以使用比該玻璃基板更大型的玻璃基板等。

在作為形成用基板31使用玻璃基板的情況下，在形成用基板31與剝離層32之間作為基底膜形成氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、或氮氧化矽膜等絕緣層時，可以防止來自玻璃基板的污染，所以是較佳的。

剝離層32可以使用如下材料形成：選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素；包含該元素的合金材料；或者包含該元素的化合物材料等。包含矽的層的結晶結構可以是非晶、微晶或多晶中的任一種。此外，也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅或In-Ga-Zn氧化物等金屬氧化物。當將鎢、鈦、鉬等高熔點金屬材料用於剝離層32時，絕緣層13及功能元件的形成製程的自由度得到提高，所以是較佳的。

剝離層32例如可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗佈法(包括旋塗法、液滴噴射法、分配器法等)、印刷法等形成。剝離層32的厚度例如為1nm以上且200nm以下，較佳為10nm以上且100nm以下。

當剝離層32為單層結構時，較佳為形成鎢層、鉬層或者含鎢或鉬的混合物的層。另外，也可以形成包含鎢的氧化物或氧氮化物的層、包含鉬的 氧化物或氧氮化物的層、或者包含鎢和鉬的混合物的氧化物或氧氮化物的層。此外，鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。

另外，在作為剝離層32形成由含有鎢的層和含有鎢的氧化物的層構成的疊層結構的情況下，也可以藉由形成含有鎢的層並且在其上形成含有氧化物的絕緣層，來利用會在鎢層和絕緣層之間的介面處形成含有鎢的氧化物的層的現象。此外，也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、一氧化二氮(N₂O)電漿處理、使用臭氧水等氧化性高的溶液的處理等形成包含鎢的氧化物的層。另外，電漿處理或加熱處理可以在單獨使用氧、氮、一氧化二氮的氛圍下或者在上述氣體和其他氣體的混合氣體氛圍下進行。藉由進行上述電漿處理或加熱處理來改變剝離層32的表面狀態，由此可以控制剝離層32和絕緣層13之間的黏合性。

另外，當能夠在形成用基板31與絕緣層13的介面進行剝離時，也可以不設置剝離層。例如，作為形成用基板31使用玻璃基板，以接觸於玻璃基板的方式形成聚醯亞胺、聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚碳酸酯以及丙烯酸樹脂等有機樹脂。接著，藉由進行雷射照射及加熱處理，提高形成用基板31與有機樹脂之間的黏合性。並且，在該有機樹脂上形成絕緣層13以及發光元件15等。然後，藉由以比前面的雷射照射高的能量密度進行雷射照射或者以比前面的加熱處理高的溫度進行加熱處理，能夠在形成用基板31與有機樹脂之間的介面進行剝離。此外，當剝離時，也可以藉由將液體浸透到形成用基板31與有機樹脂的介面進行分離。

在該方法中，由於在耐熱性低的有機樹脂上形成絕緣層13、發光元件 15及電晶體等，因此在製程中不易對基板施加高溫度。在此，使用氧化物半導體的電晶體並不必須要在高溫下形成，所以可以適當地在有機樹脂上形成。

另外，既可以將該有機樹脂用作構成裝置的基板，又可以去除該有機樹脂並使用黏合劑將所露出的面與其他基板貼合。

或者，也可以藉由在形成用基板31與有機樹脂之間設置金屬層，並且藉由使電流流過該金屬層加熱該金屬層，在金屬層與有機樹脂的介面進行剝離。

[S2-2：形成被剝離層]

接著，在剝離層32上形成被剝離層。圖3B示出形成剝離層32上的絕緣層13及絕緣層13上的發光元件15作為被剝離層的例子。

作為絕緣層13，較佳為使用氣體阻隔性、防水性或防濕性高的絕緣層。

作為防濕性高的絕緣層，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮與矽的膜或氮化鋁膜等含有氮與鋁的膜等。

例如，將防濕性高的絕緣層的水蒸氣透過量設定為1×10^-5[g/(m²．day)]以下，較佳為1×10^-6[g/(m²．day)]以下，更佳為1×10^-7[g/(m²．day)]以下，進一步較佳為1×10^-8[g/(m²．day)]以下。

另外，作為絕緣層13也可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等。

絕緣層13可以藉由濺射法、電漿CVD法、熱氧化法、塗佈法、印刷法等形成。例如，藉由採用電漿CVD法在250℃以上且400℃以下的成膜溫度下形成絕緣層13，可以形成緻密的防濕性高的膜。另外，絕緣層13的厚度較佳為10nm以上且3000nm以下，更佳為200nm以上且1500nm以下。

在形成用基板31上，作為被剝離層除了發光元件15之外還可以形成電晶體、電阻元件、切換元件及電容元件等各種功能元件中的一種以上。此外，也可以製造發光元件以外的顯示元件。此外，也可以製造彩色層或遮光層。

[S2-3：形成黏合層]

接著，將黏合層17形成於形成用基板31或基板19上。

較佳為以黏合層17的端部與剝離層32及絕緣層13重疊的方式形成黏合層17。由此，可以提高形成用基板31的剝離良率。在基板19上形成黏合層17的情況下，在後面製程S2-4中將形成用基板31與基板19重疊時，黏合層17重疊於剝離層32及絕緣層13即可。

[S2-4：將一對基板重疊]

接著，將形成用基板31與基板19重疊並將發光元件15配置於由黏合層17、形成用基板31及基板19圍繞的空間中(圖3C)。

如圖3C所示，黏合層17的端部較佳為位於剝離層32的端部的內側。或者，黏合層17的端部也可以與剝離層32的端部重疊。由此，可以抑制形成用基板31與基板19過緊地黏合在一起，從而能夠抑制後面的剝離製程的良率下降。

在將流動性高的材料用於黏合層17的情況下，較佳為使用圖3D所示的分隔壁18a夾住黏合層17。

圖3E在示出基板19上形成有黏合層17及分隔壁18a時的俯視圖的一個例子。在框狀分隔壁18a的內側設置黏合層17。

另外，也可以如圖3F所示地在分隔壁18a的外側設置臨時密封層18b。

圖3G在示出基板19上形成有黏合層17、分隔壁18a及臨時密封層18b時的俯視圖的一個例子。在框狀分隔壁18a的內側設置有黏合層17。在框狀分隔壁18a的外側設置有臨時密封層18b。

黏合層17、分隔壁18a及臨時密封層18b可以分別形成於形成用基板31和基板19的任一方上。另外，也可以將黏合層17、分隔壁18a及臨時密封層18b都形成在一個基板上。或者，可以在一個基板上形成黏合層17及分隔壁18a，在另一個基板上形成臨時密封層18b。

例如，分隔壁18a及臨時密封層18b的厚度可以分別為1μm以上且200μm以下，較佳為1μm以上且100μm以下，更佳為1μm以上且50μm以 下。

對分隔壁18a及臨時密封層18b的形成方法沒有特別的限制，例如分別可以使用液滴噴射法、印刷法(網版印刷法及平板印刷法等)、塗佈法如旋塗法或噴塗法等、浸漬法、分配器法或者奈米壓印法等。

作為分隔壁18a及臨時密封層18b可以採用可用於黏合層17的各種材料。

作為分隔壁18a較佳為使用其黏度比黏合層17高的材料。在用於分隔壁18a的材料的黏度高時，能夠抑制來自大氣的水分等雜質的侵入，這是較佳的。

[S2-5固化黏合層]

接著，使黏合層17固化。

還可以使臨時密封層18b的至少一部分固化。藉由將發光裝置暴露於大氣氛圍中，從而形成用基板31及形成用基板19被大氣壓加壓。由此，可以保持由臨時密封層18b、形成用基板31以及形成用基板19包圍的空間中的減壓狀態。由此能夠抑制大氣中的水分等雜質侵入到發光裝置中。

再者，可以使分隔壁18a固化。藉由使分隔壁18a固化，可以製造出發光元件15被黏合層17、分隔壁18a及基板19密封的發光裝置。

對黏合層17、分隔壁18a及臨時密封層18b的固化順序沒有限制。

作為後面的製程，有三種製造方法，亦即，製造方法2-A、2-B及2-C。

首先，圖4A示出製造方法2-A的流程圖。製造方法2-A是在剝離形成用基板31之前使發光裝置變形的例子。

[S2-6A：邊對黏合層進行加熱邊對非發光部施壓]

接著，邊對黏合層17進行加熱邊利用具有凸部的構件21a對非發光部26的至少一部分施壓(圖4B)。

在圖4B等中，將形成用基板31上設置有發光元件15的部分記作發光部25，其他部分記作非發光部26。

被加壓的部分中黏合層17的厚度變得比其他部分的厚度薄(圖4C)。或者，也可以說是在非發光部26中設置有與發光部25相比形成用基板31與基板19之間的間隔窄的部分。

[S2-7A：剝離形成用基板]

接著，使形成用基板31與絕緣層13分離。接著，較佳為形成用來對形成用基板31進行剝離的剝離起點(也可以稱為開端)。將剝離起點形成在黏合層17與剝離層32重疊的區域中。

藉由利用機械的去除方法等如照射雷射、使用氣體或溶液等蝕刻剝離 層、分離基板、或者利用刀、手術刀、切割器等鋒利的刀具形成切口等，可以形成剝離起點。藉由形成剝離起點，可以使剝離層與被剝離層成為容易剝離的狀態，所以是較佳的。

例如，在可以利用刀具等切割基板19的情況下，藉由在基板19、黏合層17以及絕緣層13中形成切口，可以形成剝離起點。

此外，在照射雷射的情況下，較佳為將雷射照射到固化狀態的黏合層17、絕緣層13以及剝離層32重疊的區域。雖然可以從任一基板一側照射雷射，但是為了抑制散射的光照射到發光元件或電晶體等，較佳為從設置有剝離層32的形成用基板31一側照射雷射。另外，照射雷射一側的基板使用使該雷射透過的材料。

藉由在絕緣層13中形成裂縫(膜裂或裂口)，可以形成剝離起點。此時，除了絕緣層13之外，還可以去除剝離層32及黏合層17的一部分。藉由照射雷射，可以使包含於絕緣層13、剝離層32或黏合層17中的膜的一部分溶解、蒸發或熱破壞。

在進行剝離製程時較佳為使絕緣層13與剝離層32分離的力量集中在剝離起點上，因此較佳為在比固化狀態的黏合層17的中央部更靠近端部附近的部分形成剝離起點。尤其是，在端部附近當中，與邊部附近相比，更佳為在角部附近形成剝離起點。為了確實地將剝離層32和絕緣層13分離，在不與黏合層17重疊的位置形成剝離起點的情況下，剝離起點的形成位置與黏合層17的距離越近越好，明確而言，較佳為在距離黏合層17端部1mm 以內的位置形成剝離起點。

對用來形成剝離起點的雷射沒有特別的限制。例如，可以使用連續振盪型雷射或脈衝振盪型雷射。雷射的照射條件(頻率、功率密度、能量密度、束分佈(beam profile)等)根據形成用基板31及剝離層32的厚度或材料等而適當地控制。

藉由使用雷射，不需要為了形成剝離起點而切割基板等，從而能夠抑制塵埃等產生，所以是較佳的。此外，可以縮短形成剝離起點所需要的時間。此外，因為可以減少殘留在形成用基板31表面上的塵埃，所以容易再次利用形成用基板31。此外，因為不會磨損切割器等鋒利的刀具，所以有能夠降低成本、容易適用於大量生產等優點。此外，因為可以藉由拉起任何一個基板的端部開始剝離，所以該方法容易適用於大量生產。

接著，從所形成的剝離起點使絕緣層13與形成用基板31分離。此時，較佳為將一個基板固定於抽吸台等。例如，也可以將形成用基板31固定於抽吸台，將絕緣層13從形成用基板31剝離。另外，也可以將基板19固定於抽吸台，將形成用基板31從基板19剝離。

例如，可以從剝離起點利用物理力(用手或夾具進行剝離的處理或者使輥子轉動進行分離的處理等)將絕緣層13與形成用基板31分離。

另外，也可以藉由使水等液體浸透到剝離層32與絕緣層13的介面來將形成用基板31與絕緣層13分離。由於毛細現象液體滲到剝離層32與絕緣 層13之間，由此可以容易進行分離。此外，能夠抑制剝離時產生的靜電給包含在絕緣層13的功能元件帶來不良影響(由於靜電而使半導體元件損壞等)。注意，也可以使液體成為霧狀或蒸汽來噴射。作為液體可以使用純水或有機溶劑等，還可以使用中性、鹼性或酸性的水溶液或在其中溶化有鹽的水溶液等。

另外，在剝離後可以去除殘留在基板19上的無助於絕緣層13與基板19的黏合的黏合層17、分隔壁18a及臨時密封層18b等。藉由去除這些，能夠抑制在後面的製程中給功能元件帶來不良影響(雜質的混入等)，所以是較佳的。例如，可以藉由擦拭或洗滌等去除不需要的樹脂。

[S2-8A：貼合基板]

接著，使用黏合層12將基板11與使形成用基板31剝離而露出的絕緣層13貼合。例如，藉由切割發光裝置端部等製程，可以製造如圖4D所示的發光裝置。

作為黏合層12可以採用可用於黏合層17的各種材料。基板11可以使用上述材料，尤其較佳為使用撓性基板。

藉由上述步驟，可以製造本發明的一個實施方式的發光裝置。

接著，圖5A示出製造方法2-B、2-C的流程圖。製造方法2-B、2-C是在剝離形成用基板31後使發光裝置變形的例子。製造方法2-B是在貼合基板11之後使發光裝置變形的例子。製造方法2-C是在貼合基板11之前使發 光裝置變形的例子。

[S2-6B：剝離形成用基板]

在製造方法2-B和製造方法2-C中，都在黏合層17固化之後使形成用基板31與絕緣層13分離。剝離方法的詳細內容可以參照製程S2-7A。藉由該製程，絕緣層13露出(圖5B)。

由於在使發光裝置變形之前進行了形成用基板31的剝離，由此可以抑制由於發光裝置的變形引起的剝離良率下降。

[S2-7B：貼合基板]

在製造方法2-B中，然後利用黏合層12對絕緣層13貼合基板11。

在很多情況下，適合用作基板11的薄膜的兩面設置有剝離膜(也稱為分離膜或脫膜)。在貼合基板11與絕緣層13時，僅剝離設置在基板11上的一個剝離膜。藉由保留另一個剝離膜，易於進行後面的製程中的傳送和加工。根據剝離膜的線膨脹係數等的物理性質以及使發光裝置變形時的條件(溫度及壓力等)，有時較佳為在使發光裝置變形的製程之前剝離剝離膜。

[S2-8B：邊對黏合層進行加熱邊對非發光部施壓]

接著，邊對黏合層17進行加熱邊利用具有凸部的構件21b對非發光部26的至少一部分施壓(圖5C)。

在圖5C等中，將基板11上設置有發光元件15的部分記作發光部25， 其他部分記作非發光部26。

被加壓的部分中黏合層17的厚度變得比其他部分的厚度薄(圖5D)。或者，也可以說是在非發光部26中設置有與發光部25相比基板11與基板19之間的間隔窄的部分。

雖然圖5C示出利用具有凸部的構件21b從基板11一側對非發光部26施壓的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。

圖6A示出利用具有凸部的構件21a、21b從基板11一側及基板19一側的兩者對非發光部施壓的例子。在該情況下，非發光部被加壓的部分中的黏合層17的厚度也變得比其他部分的厚度薄(圖6B)。構件21a、21b所具有的凸部無須隔著發光裝置彼此重疊。

藉由上述步驟，可以製造本發明的一個實施方式的發光裝置。

[S2-7C：邊對黏合層進行加熱邊對非發光部施壓]

在製造方法2-C中，在製程S2-6B之後，邊對黏合層17進行加熱邊利用具有凸部的構件21b對非發光部26的至少一部分施壓(圖5E)。

在圖5E中，將絕緣層13上設置有發光元件15的部分記作發光部25，其他部分記作非發光部26。

圖5E示出只有絕緣層13位於黏合層17與具有凸部的構件21b之間的 例子。與隔著基板11等對黏合層17施壓的製程S2-8B等相比，可以更直接地對黏合層17施壓。因此，在該製程中，可以更準確地使黏合層17的厚度比其他部分薄。

[S2-8C：貼合基板]

接著，使用黏合層12對絕緣層13貼合基板11。例如，藉由切割發光裝置端部等製程，可以製造圖5F所示的發光裝置。

被加壓的部分中黏合層17的厚度變得比其他部分的厚度薄(圖5F)。或者，也可以說是在非發光部中設置有與發光部相比基板11與基板19之間的間隔窄的部分。

在製造方法2-C中，在使黏合層17變形之後貼合基板11，所以基板11的線膨脹係數等的物理性質及黏合層12的玻璃轉移溫度等的物理性質不受發光裝置變形的製程的條件(溫度及壓力等)限制。

雖然圖5E示出利用具有凸部的構件21b從絕緣層13一側對非發光部26施壓的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。

圖6C示出利用具有凸部的構件21a、21b從絕緣層13一側及基板19一側的兩者對非發光部施壓的例子。在該情況下，在非發光部被加壓的部分中的黏合層17的厚度也變得比其他部分的厚度薄(圖6D)。構件21a、21b所具有的凸部較佳為具有隔著發光裝置彼此重疊的部分。尤其是，當具有構件21a、21b的凸部隔著發光裝置至少部分重疊時，可以在非發光部中形 成與發光部的厚度相比厚度極薄的部分。

藉由上述步驟，可以製造本發明的一個實施方式的發光裝置。

〈製造方法3〉

圖7示出發光裝置的製造方法3的流程圖。

[S3-1：在第一形成用基板上形成第一剝離層]

首先，在形成用基板31上形成剝離層32。

[S3-2：在第一剝離層上形成第一被剝離層]

接著，在剝離層32上形成被剝離層。圖8A示出形成剝離層32上的絕緣層13及絕緣層13上的發光元件15作為被剝離層的例子。

[S3-3：在第二形成用基板上形成第二剝離層]

首先，在形成用基板51上形成剝離層52。形成用基板51可以使用能夠用於形成用基板31的各種材料。剝離層52可以使用能夠用於剝離層32的各種材料。

[S3-4：在第二剝離層上形成第二被剝離層]

接著，在剝離層52上形成被剝離層。圖8B示出形成剝離層52上的絕緣層53及絕緣層53上的彩色層55作為被剝離層的例子。

作為剝離層52上的被剝離層，不侷限於彩色層55，也可以形成遮光層 或觸控感測器等作為被剝離層。

對製程S3-1與製程S3-3的順序沒有特別的限制。先進行哪個製程都可以，也可以同時進行製程S3-1與製程S3-3。製程S3-2與製程S3-4的順序也同樣。

[S3-5：形成黏合層]

接著，將黏合層17形成於形成用基板31上或形成用基板51上。

在下一製程S3-6中，較佳為在重疊形成用基板31與形成用基板51時以與剝離層32、剝離層52、絕緣層13及絕緣層53重疊的方式形成黏合層17。由此，可以分別提高形成用基板31及形成用基板51的剝離良率。

在本實施方式中示出形成黏合層17、分隔壁18a及臨時密封層18b的例子(參照示出下一製程的圖8C的剖面圖)。

[S3-6：將一對基板重疊]

接著，將形成用基板31與形成用基板51重疊並將發光元件15配置於由黏合層17、形成用基板31及形成用基板51圍繞的空間中(圖8C)。

雖然在圖8C中示出剝離層32與剝離層52的大小相同的例子，但是剝離層32與剝離層52的大小也可以不同。

並且，黏合層17的端部較佳為位於剝離層32或剝離層52中至少一方 的端部的內側，明確而言，較佳為位於打算先剝離的形成用基板一側的剝離層的端部的內側。由此，能夠抑制形成用基板31與形成用基板51過緊地黏合在一起，從而能夠抑制後面的剝離製程中的良率下降。圖8C示出黏合層17的端部位於剝離層32及剝離層52的兩者的端部的內側的例子。

[S3-7固化黏合層]

接著，使黏合層17固化。再者，也可以使分隔壁18a及臨時密封層18b中的至少一方固化。

可以在製程S3-7之後的任一時序進行邊加熱黏合層17邊對非發光部施壓的製程。注意，時序可能影響剝離製程的良率及黏合層17的易變形度等。因此，較佳為在製程S3-7之後進行製程S3-8。

[S3-8：剝離第一形成用基板]

接著，使形成用基板31與絕緣層13分離。剝離方法的詳細內容可以參照製程S2-7A。藉由該製程，絕緣層13露出。

由於在使發光裝置變形之前進行了形成用基板31的剝離，由此可以抑制由於發光裝置的變形引起的剝離的良率下降。

在後面的製程中有製造方法3-A、3-B、3-C、3-D這四種方法。

首先，圖7示出製造方法3-A、3-B的流程圖。製造方法3-A、3-B是在剝離形成用基板51之前使發光裝置變形的例子。製造方法3-A是在貼合基 板11之後使發光裝置變形的例子。製造方法3-B是在貼合基板11之前使發光裝置變形的例子。

[S3-9A：貼合第一基板]

接著，在製造方法3-A中使用黏合層12對絕緣層13貼合基板11。這裡，也可以形成圍繞黏合層12的分隔壁18c以及位於分隔壁18c的外側的框狀的臨時密封層18d(參照示出下一製程的圖8D的剖面圖)。

[S3-10A：邊對黏合層進行加熱邊對非發光部施壓]

接著，邊對黏合層17進行加熱邊利用具有凸部的構件21b對非發光部26的至少一部分施壓(圖8D)。

在圖8D中，將絕緣層13上設置有發光元件15的部分記作發光部25，其他部分記作非發光部26。

被加壓的部分中黏合層17的厚度變得比其他部分的厚度薄(圖8D)。或者，也可以說是在非發光部26中設置有與發光部25相比基板11與形成用基板51之間的間隔窄的部分。

[S3-11A：剝離第二形成用基板]

接著，使形成用基板51與絕緣層53分離。剝離方法的詳細內容可以參照製程S2-7A。藉由該製程，絕緣層53露出。

[S3-12A：貼合第二基板]

接著，使用黏合層16對絕緣層53貼合基板19。例如，藉由切割發光裝置端部等製程，可以製造圖8E所示的發光裝置。

藉由上述步驟，可以製造本發明的一個實施方式的發光裝置。

[S3-9B：邊對黏合層進行加熱邊對非發光部施壓]

在製造方法3-B中，在製程S3-8之後邊對黏合層17進行加熱邊利用具有凸部的構件21b對非發光部26的至少一部分施壓(圖9A)。

在圖9A中，將絕緣層13上設置有發光元件15的部分記作發光部25，其他部分記作非發光部26。

圖9A示出只有絕緣層13位於黏合層17與具有凸部的構件21b之間的例子。與隔著基板11等對黏合層17施壓的製程S3-10A等相比，可以更直接地對黏合層17施壓。因此，在該製程中，可以更準確地使黏合層17的厚度比其他部分薄。

[S3-10B：貼合第一基板]

接著，利用黏合層12對絕緣層13貼合基板11(圖9B)。如圖9B所示，也可以形成圍繞黏合層12的分隔壁18c以及位於分隔壁18c的外側的框狀的臨時密封層18d。

[S3-11A：剝離第二形成用基板]

接著，使形成用基板51與絕緣層53分離。剝離方法的詳細內容可以參 照製程S2-7A。藉由該製程，絕緣層53露出。

[S3-12A：貼合第二基板]

接著，使用黏合層16對絕緣層53貼合基板19。例如，藉由切割發光裝置端部等製程，可以製造圖9C所示的發光裝置。

藉由上述步驟，可以製造本發明的一個實施方式的發光裝置。

另外，為了降低黏合層17的厚度的最小值，可以對發光裝置設置圖9D及圖9E所示的間隔物59。間隔物59設置在非發光部中。間隔物59可以設置在絕緣層53上(參照圖9D參照)、絕緣層13上(圖9E參照)或絕緣層53及絕緣層13的兩者上。較佳為利用具有凸部的構件被施壓的部分與間隔物59重疊。由此，可以使黏合層17的厚度的最小值變得極小。

較佳為至少間隔物59的表面由無機材料構成。例如，可以使用無機材料形成整個間隔物59。如圖9E所示，間隔物59較佳為具有如下疊層結構：厚有機膜及覆蓋該有機膜的頂面及側面的無機膜的疊層結構。與使用無機材料形成整個間隔物59的情況相比，藉由作為間隔物59的一部分採用有機材料，更易於增加間隔物59的高度(厚度)。另外，可以縮短製造間隔物59所需的時間。間隔物59較佳為具有絕緣性。

接著，圖10A示出製造方法3-C、3-D的流程圖。製造方法3-C、3-D是在剝離形成用基板31及形成用基板51的兩者之後使發光裝置變形的例子。製造方法3-C是在貼合基板19之後使發光裝置變形的例子。製造方法3-D 是在貼合基板19之前使發光裝置變形的例子。

[S3-10C：剝離第二形成用基板]

在製造方法3-C和製造方法3-D中，都在製程S3-9A中貼合基板11之後使形成用基板51與絕緣層53分離。剝離方法的詳細內容可以參照製程S2-7A。藉由該製程，絕緣層53露出。

由於在使發光裝置變形之前不僅進行了形成用基板31的剝離還進行了形成用基板51的剝離，因此可以抑制各剝離製程中因發光裝置的變形引起的良率的降低。

另外，圖10B示出在製程S3-9A中不採用分隔壁18a及臨時密封層18b而僅以黏合層12貼合基板11的例子。發光裝置的端部具有如下部分：沒有隔著剝離層52而藉由黏合層12使基板11與形成用基板51貼合的部分。在該情況下，較佳為利用刀具等在基板11形成切口以形成框狀的剝離的起點。藉由在基板11至絕緣層53中形成切口，可以形成剝離的起點。例如，較佳為從圖10B所示的箭頭部分開始切入。

[S3-11C：貼合第二基板]

在製造方法3-C中，接著，使用黏合層16對絕緣層53貼合基板19。

[S3-12C：邊對黏合層進行加熱邊對非發光部施壓]

接著，邊對黏合層17進行加熱邊利用具有凸部的構件21a對非發光部26的至少一部分施壓(圖11A)。

在圖11A中，將絕緣層13上設置有發光元件15的部分記作發光部25，其他部分記作非發光部26。

被加壓的部分中黏合層17的厚度變得比其他部分的厚度薄(圖11B)。或者，也可以說是在非發光部26中設置有與發光部25相比基板11與基板19之間的間隔窄的部分。

藉由上述步驟，可以製造本發明的一個實施方式的發光裝置。

[S3-11D：邊對黏合層進行加熱邊對非發光部施壓]

在製造方法3-D中，在製程S3-10C之後邊對黏合層17進行加熱邊利用具有凸部的構件21a對非發光部26的至少一部分施壓(圖11C)。

在圖11C中，將絕緣層13上設置有發光元件15的部分記作發光部25，其他部分記作非發光部26。

圖11C示出只有絕緣層53位於黏合層17與具有凸部的構件21a之間的例子。與隔著基板19等對黏合層17施壓的製程S3-12C等相比，可以更直接地對黏合層17施壓。因此，在該製程中，可以更準確地使黏合層17的厚度比其他部分薄。

[S3-12D：貼合第二基板]

接著，使用黏合層16對絕緣層53貼合基板19(圖11D)。

藉由上述步驟，可以製造本發明的一個實施方式的發光裝置。

〈發光裝置的俯視圖的例子〉

在本發明的一個實施方式的發光裝置中，在非發光部的至少一部分中形成有厚度薄的區域。圖12A至圖12H示出包括一對基板(撓性基板251及撓性基板259)的發光裝置。發光裝置連接有FPC808。FPC808與撓性基板251上的外部連接電極(未圖示)電連接。

圖12A示出沿著發光裝置的四個邊形成有框狀的厚度薄的區域258的例子。在發光部804及驅動電路部806的外側設置有厚度薄的區域258。

圖12B示出沿著發光裝置的三個邊形成有厚度薄的區域258的例子。在圖12B中，非發光部中設置有驅動電路部806及外部連接電極的部分(圖12B中的發光裝置的右邊一側)不具有厚度薄的區域258。發光部804的與驅動電路部806鄰接的邊到發光裝置的端部的最短距離比發光部804的其他邊到發光裝置的最短距離長，因此，在設置有驅動電路部806的發光裝置一側，雜質不容易到達發光元件等。此時，非發光部也可以不具有比發光部的厚度薄的部分。由此，可以抑制構成驅動電路部806的元件因彎曲而劣化。另外，可以確實地使外部連接電極與FPC808導通。另外，藉由在形成凹部時進行加壓，可以抑制構成驅動電路部806的元件受損。

另外，在對元件的可靠性沒有負面影響的情況下，也可以在與驅動電路部806重疊的位置形成凹部。例如，撓性基板259可以在與掃描線驅動電 路或信號線驅動電路重疊的部分中包括凹部。另外，撓性基板259可以在與發光元件的電極(陽極或陰極)和佈線的接觸部重疊的部分中包括凹部。此外，在發光部中，也可以在偽像素上或濾色片的端部等的不對顯示品質造成影響的部分中設置厚度薄的區域。

圖12C示出沿著發光裝置的兩個邊形成有厚度薄的區域258的例子。

圖12D示出沿著發光裝置的一個邊形成有厚度薄的區域258的例子。

圖12E示出沿著發光裝置的四個邊形成框狀的厚度薄的區域258的例子。圖12E所示的例子與圖12A所示的例子的不同之處在於：圖12E所示的例子在發光部804與驅動電路部806之間設置有厚度薄的區域258。

圖12F示出沿著發光裝置的四個邊形成框狀的厚度薄的區域258的例子。圖12F所示的例子與圖12A所示的例子的不同之處在於：在圖12E所示的例子中，間隔地設置有多個厚度薄的區域258。

圖12G和圖12H都是發光部804具有圓形的頂面形狀的發光裝置的例子。發光部804的頂面形狀不侷限於多角形，也可以為圓形或橢圓形等各種形狀。

另外，發光裝置的頂面形狀不侷限於多角形，也可以為圓形或橢圓形等各種形狀。圖12G和圖12H的發光裝置的頂面形狀具有曲線部分和直線部分的兩者。

另外，厚度薄的區域258的頂面形狀可以為多角形、圓形或橢圓形等各種形狀。在圖12G中，厚度薄的區域258包括以曲線狀設置的部分及以直線狀設置的部分。圖12H中的厚度薄的區域258以圓狀設置。

〈利用熱壓機的加壓方法的例子〉

對製程S1-5等中進行的發光裝置的加壓方法進行說明。

圖13A和圖13B示出具有上板2000a及下板2000b的熱壓機。熱壓機包括熱源，而可以加熱上板2000a和下板2000b中的一個或兩個。

首先，在熱壓機的上板2000a與下板2000b之間配置發光裝置10、器具、緩衝材料等。

說明圖13A的結構。在下板2000b上隔著緩衝材料2005b配置有基板2100。基板2100是壓力夾具(press jig)的一個例子。基板2100上配置有發光裝置10(參照圖1D)。發光裝置10上配置有具有凸部的構件21a。凸部與基板19接觸。凸部與發光裝置10的非發光部重疊。具有凸部的構件21a是壓力夾具的一個例子。具有凸部的構件21a與上板2000a之間配置有緩衝材料2005a。

如圖13B所示，可以在具有凸部的構件21a與發光裝置10之間配置緩衝材料2005c。或者，如圖13B所示，可以在基板2100與發光裝置10之間配置緩衝材料2005d。藉由配置緩衝材料，發光裝置10被局部施壓，由此 可以抑制發光裝置10破損。此外，也可以不設置緩衝材料而對發光裝置10進行局部性地按壓來在黏合層17中形成厚度極薄的部分。根據發光裝置10的構成及按壓條件(負載或時間等)決定是否使用緩衝材料。

熱壓機較佳為具有對準機構。由此，可以在發光裝置10的所希望的位置形成凹部。另外，熱壓機較佳為具有吸附機構等用來固定發光裝置10的機構。由此，可以固定發光裝置10相對於凸部的位置。

構件21a和凸部可以使用能夠承受被施加的壓力的材料。具有凸部的構件21a可以使用具有凸部的金屬模具。作為金屬模具可以適用可用於基板的材料。例如，作為金屬模具可以使用樹脂、玻璃、金屬或合金等。另外，可以在基板上使用樹脂等有機材料或金屬等無機材料形成凸部。對於凸部的形成方法沒有限制，例如也可以使用濺射法、CVD法、塗佈法、印刷法、液滴噴射法、分配法等。另外，也可以在基板上配置黏合劑並使其固化來形成凸部。

圖14A至圖14F分別示出具有凸部的構件21的頂面形狀的例子。

如圖14A、圖14B、圖14D、圖14E和圖14F所示，可以以框狀形成凸部22。凸部22可以不位於構件21的邊緣部(圖14A)。或者，凸部22也可以延伸到構件21的邊緣部(圖14B)。或者，也可以沿著具有凸部的構件21的四個邊中的三個邊形成凸部22(圖14C)。或者，也可以沿著構件21的兩個邊或一個邊形成凸部22。另外，凸部22不侷限於與構件21的任一邊平行地設置的結構。凸部22的個數可以為單個或多個。圖14D示出在四 個邊上分別沿著各個邊設置有凸部22的例子。圖14E示出在四個邊上沿著各個邊間隔地設置有多個凸部22的例子。圖14F示出具有框狀的凸部22a及位於凸部22a內側的框狀的凸部22b這兩個凸部的構件21。

接著，在圖13A或圖13B所示的狀態下輕微地對發光裝置10施壓來固定發光裝置10。

然後，利用熱源對發光裝置10進行加熱。例如，將熱源的溫度設定為80℃以上且100℃以下。

接著，對發光裝置10進行加壓。邊利用熱源進行加熱邊利用具有凸部的構件21a對發光裝置10進行加壓。

對進行加壓時的負載沒有特別的限制。例如，可以將負載設定為0.5t以上、0.8t以上或1.0t以上且1.5t以下、2.0t以下或3.0t以下。對加熱溫度沒有特別的限制，可以根據黏合層17及發光元件15所使用的材料的玻璃轉移溫度等而決定。例如，可以將加熱溫度設定為80℃以上、90℃以上或100℃以上且120℃以下、150℃以下或200℃以下。對邊對發光裝置10進行加熱邊進行加壓的時間沒有特別的限定。

形成在發光裝置10的基板19上的凹部的寬度W2比凸部的寬度W1大(圖14G)。例如，寬度W2比寬度W1的1倍大且為寬度W1的1.5倍以下、2倍以下或3倍以下。寬度W2也可以大於寬度W1的3倍。此外，形成在發光裝置10的基板19上的凹部的深度為凸部的高度d以下。此外，例如， 可以將寬度W2設定為凹部的深度的1倍以上、5倍以上或10倍以上且20倍以下、50倍以下或100倍以下。

例如，凹部的深度可以為0.01mm以上、0.05mm以上或0.1mm以上且2mm以下、1mm以下或0.5mm以下。此外，寬度W2可以為0.1mm以上、1mm以上或1cm以上且10cm以下、5cm以下或3cm以下。此外，寬度W2較佳為大於非發光部的寬度的0倍且為非發光部的寬度的1倍以下，也可以為非發光部的寬度的0.2倍以上且0.8倍以下或非發光部的寬度的0.4倍以上且0.6倍以下。另外，寬度W2為不侷限於凹部的寬度，也可以為其厚度比發光部的厚度薄的區域的寬度。

在進行一定時間的加熱及加壓之後，邊繼續進行加壓邊進行冷卻來使黏合層17固化。因此，較佳為熱壓機具有加熱機構及冷卻機構的兩者。藉由邊加壓邊進行冷卻，可以保持發光裝置10的非發光部具有厚度薄的部分的狀態。

如上所述，可以利用熱壓機在發光裝置10的非發光部形成厚度薄的部分。

另外，當利用基板11製造多個發光裝置時，較佳為根據利用一個基板可以得到的發光裝置的個數或遮罩的形狀等決定具有凸部的構件的大小及凸部的形狀等。

圖15A所示的構件21具有兩個框狀的凸部22。兩個框狀的凸部22隔 著一定間隔配置。

圖15B示出使用基板11製造兩個發光裝置10的例子。藉由利用圖15A所示的具有凸部的構件21，可以一次性地對藉由在基板11上形成發光元件15製造出的兩個發光裝置10進行加壓。

如上所述，在本發明的一個實施方式的發光裝置的製造方法中，先使密封發光元件的黏合層固化，然後邊加熱邊進行加壓來使其變形。由此，可以使黏合層局部變形，從而可以提高發光裝置的可靠性並抑制發光裝置的視角特性降低及顯示品質下降。

另外，在本發明的一個實施方式的製造方法中，在剝離用來形成發光元件等的形成用基板之後進行黏合層的加壓。由此，可以抑制因發光裝置的變形造成的剝離製程的良率的下降。另外，在本發明的一個實施方式的製造方法中，在剝離形成用基板之後且將其貼合於其它的基板之前進行黏合層的加壓。由此，與隔著基板對黏合層進行加壓的情況相比，可以更直接地對黏合層17施壓。因此，可以更準確地使黏合層17的厚度比其它部分薄。

注意，本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。

實施方式2

在本實施方式中，參照圖式對本發明的一個實施方式的發光裝置進行 說明。

在本實施方式中雖然主要例示出使用有機EL元件的發光裝置，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。本實施方式所示的各發光裝置在非發光部中包括其厚度比發光部的厚度薄的區域，因此可靠性高。

在本實施方式中，發光裝置例如可以採用：用R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)這三種顏色的子像素表示一個顏色的結構；用R、G、B、W(白色)這四種顏色的子像素表示一個顏色的結構；或者用R、G、B、Y(黃色)這四種顏色的子像素表示一個顏色的結構等。對顏色要素沒有特別的限制，也可以使用RGBWY以外的顏色，例如可以使用青色(cyan)或洋紅色(magenta)等。

圖16A示出發光裝置的平面圖，圖16B示出沿著圖16A中的點劃線D1-D2間的剖面圖的一個例子。圖16A和圖16B所示的發光裝置為採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。

圖16A所示的發光裝置包括發光部804、驅動電路部806。可以將發光裝置中的發光部804以外的區域都視為非發光部。發光裝置與FPC808連接。沿著發光裝置的三個邊設置有凹部712。凹部712的厚度比發光裝置的其它部分薄。

圖16B所示的發光裝置包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第一功能層(多個電晶體、導電層857、絕緣層815、絕緣層 817、多個發光元件、以及絕緣層821)、第三黏合層822、第二功能層(彩色層845及遮光層847)、第二絕緣層715、第二黏合層713以及第二撓性基板711。第三黏合層822、第二絕緣層715、第二黏合層713及第二撓性基板711使可見光透過。發光部804及驅動電路部806所包括的發光元件及電晶體由第一撓性基板701、第二撓性基板711、以及第三黏合層822密封。

使用第一黏合層703將第一絕緣層705與第一撓性基板701貼合。另外，此外，使用第二黏合層713將第二絕緣層715與第二撓性基板711貼合。第一絕緣層705及第二絕緣層715較佳為採用防濕性高的膜。較佳為將發光元件830及電晶體等配置於一對防濕性高的絕緣層之間，由此可以抑制水分等雜質侵入上述元件，從而可以提高發光裝置的可靠性。

在發光部804中，在第一撓性基板701上隔著第一黏合層703及第一絕緣層705包括電晶體820及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部被絕緣層821覆蓋。下部電極831較佳為反射可見光。上部電極835使可見光透過。

另外，發光部804包括與發光元件830重疊的彩色層845及與絕緣層821重疊的遮光層847。在發光元件830與彩色層845之間填充有第三黏合層822。

絕緣層815具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體的效果。另外， 為了減少起因於電晶體的表面凹凸，作為絕緣層817較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。

圖16B所示的發光裝置可以利用實施方式1的製造方法3製造。作為一個被剝離層形成第一絕緣層705及第一功能層。作為另一個被剝離層形成第二絕緣層715及第二功能層。

較佳為如圖16B所示地對整個發光裝置設置絕緣層817，由此可以提高剝離製程的良率。

另外，在作為絕緣層817使用有機材料的情況下，有絕緣層817的外部的水分等雜質藉由絕緣層817侵入發光元件830等的擔憂。因雜質的侵入而使電晶體或發光元件830劣化，由此導致發光裝置的劣化。因此，如圖17A等所示，較佳為藉由在絕緣層817中設置到達無機膜(在此，絕緣層815)的開口，使發光裝置具有即使水分等雜質從發光裝置的外部侵入也不容易到達電晶體或發光元件．830的結構。

在驅動電路部806中，在第一撓性基板701上隔著第一黏合層703及第一絕緣層705包括多個電晶體。圖16B示出驅動電路部806所包括的多個電晶體中的一個。

雖然圖16B示出底閘極型電晶體的例子，但是本發明的一個實施方式的發光裝置的電晶體的結構不侷限於此。

例如，本發明的一個實施方式的發光裝置也可以使用圖17B至圖17D所示的電晶體848。

圖17B示出電晶體848的俯視圖。圖17C是本發明的一個實施方式的發光裝置的電晶體848的通道長度方向的剖面圖。圖17C所示的電晶體848的剖面是沿著圖17B中的點劃線X1-X2的剖面。圖17D是本發明的一個實施方式的發光裝置的電晶體848的通道寬度方向的剖面圖。圖17D所示的電晶體848的剖面是沿著圖17B中的點劃線Y1-Y2的剖面。

電晶體848是一種包括背閘極電極的頂閘極型電晶體。

在電晶體848中，在絕緣層772的凸部上設置有半導體層742。藉由在絕緣層772的凸部上設置半導體層742，半導體層742的側面也可以被閘極743覆蓋。亦即，電晶體848具有能夠由閘極743的電場電圍繞半導體層742的結構。如此，將由導電層的電場電圍繞形成有通道的半導體層的電晶體結構稱為surrounded channel(s-channel)結構。另外，也可以將具有s-channel結構的電晶體稱為“s-channel型電晶體”或“s-channel電晶體”。

在s-channel結構中，也可以在半導體層742的整體(塊體)形成通道。在s-channel結構中可以使電晶體的汲極電流增大，來可以得到更高的通態電流(on-state current)。此外，也可以由閘極743的電場使形成在半導體層742中的通道形成區域的整個區域空乏化。因此，s-channel結構可以進一步降低電晶體的關態電流。

背閘極723設置在絕緣層378上。

設置在絕緣層729上的導電層744a在設置在閘極絕緣層312、絕緣層728及絕緣層729上的開口747c中與半導體層742電連接。另外，設置在絕緣層729上的導電層744b在設置在閘極絕緣層312、絕緣層728及絕緣層729中的開口747d中與半導體層742電連接。

設置在閘極絕緣層312上的閘極743藉由設置於閘極絕緣層312及絕緣層772中的開口747a及開口747b與背閘極723電連接。由此，閘極743和背閘極723被供應相同的電位。另外，也可以不設置開口747a或開口747b之一。另外，也可以不設置開口747a及開口747b的兩者。當不設置開口747a及開口747b的兩者時，可以對背閘極723和閘極743供應不同的電位。

另外，作為用於具有s-channel結構的電晶體的半導體，可以舉出氧化物半導體或者多晶矽或從單晶矽基板等轉置的單晶矽等的矽。

使用第一黏合層703將第一絕緣層705與第一撓性基板701貼合。另外，此外，使用第二黏合層713將第二絕緣層715與第二撓性基板711貼合。較佳為第一絕緣層705和第二絕緣層715中的一者或兩者採用防濕性高的膜，由此可以抑制水分等雜質侵入發光元件830等，從而可以提高發光裝置的可靠性。

導電層857是外部連結電極的一個例子。導電層857與將來自外部的信號及電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。此處，描述了其 中設置了FPC808作為外部輸入端子的示例。為了防止製程數的增加，導電層857較佳為以與用於發光部或驅動電路部的電極或佈線相同的材料、相同的製程製造。在此，示出使用與構成電晶體820的電極相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。

在圖16B所示的發光裝置中，FPC808位於第二撓性基板711上。連接器825藉由設置於第二撓性基板711、第二黏合層713、第二絕緣層715、第三黏合層822、絕緣層817及絕緣層815中的開口與導電層857連接。另外，連接器825還連接於FPC808。導電層857與FPC808藉由連接器825電連接。當導電層857與第二撓性基板711重疊時，藉由在第二撓性基板711中形成開口(或者使用具有開口部的基板)，可以使導電層857、連接器825及FPC808電連接。

當採用實施方式1所示的製造方法3-C時，較佳為在第二撓性基板711等中形成開口而使導電層857露出之後再進行製程S3-12C(對非發光部施壓的製程)。由此，可以抑制因發光裝置的變形導致使導電層857露出的製程的良率的下降。

圖18A、圖18B及圖19A示出圖16A和圖16B所示的發光裝置的變形實例。圖18A示出發光裝置的平面圖，圖18B示出沿著圖18A中的點劃線D3-D4的剖面圖的一個例子。圖19A示出沿著圖18A中的點劃線D5-D6的剖面圖的一個例子。

圖18A和18B所示的發光裝置是第一撓性基板701與第二撓性基板711 大小不同的例子。FPC808位於第二絕緣層715上，不重疊於第二撓性基板711。連接器825藉由設置在第二絕緣層715、第三黏合層822、絕緣層817、以及絕緣層815中的開口與導電層857連接。因為不需要在第二撓性基板711中設置開口，所以對第二撓性基板711的材料沒有限制。

當採用實施方式1所示的製造方法3-C或3-D時，較佳為在第二絕緣層715等中形成開口而使導電層857露出之後再進行對非發光部施壓的製程。由此，可以抑制因發光裝置的變形導致使導電層857露出的製程的良率的下降。

圖16B、圖17B、圖18B及圖19A所示的發光裝置的非發光部中設置有凹部712。在凹部712中，第二撓性基板711、第二黏合層713及第二絕緣層715中設置有凹部。再者，在圖18B及圖19A所示的發光裝置的凹部712中，第一撓性基板701、第一黏合層703及第一絕緣層705中也設置有凹部。如此，藉由在非發光部中形成其厚度比發光部的厚度薄的部分，能夠抑制雜質從發光裝置的側面侵入。

另外，使用氣體阻擋性或防潮性低的有機樹脂形成的絕緣層較佳為不露出到發光裝置的端部。藉由採用這種結構，能夠抑制雜質從發光裝置的側面侵入。例如可以採用如圖18B及圖19A所示在發光裝置的端部不設置絕緣層817的結構。

另外，圖19B示出發光元件830的變形例子。

另外，如圖19B所示，發光元件830也可以在下部電極831與EL層833之間包括光學調整層832。作為光學調整層832較佳為使用具有透光性的導電性材料。由於濾色片(彩色層)與微腔結構(光學調整層)的組合，所以能夠從本發明的一個實施方式的發光裝置取出色純度高的光。使光學調整層的厚度根據各子像素的發光顏色變化。

圖20A、圖20B及圖21A和圖21B示出圖16B所示的發光裝置的變形實例。

圖20A和圖20B及圖21A和圖21B所示的各發光裝置與圖16B所示的發光裝置的不同之處在於非發光部中設置有間隔物810。

間隔物810較佳為位於凹部712。由此，可以使黏合層822的厚度的最小值更小。

較佳為間隔物810的表面為無機膜。由此，水分等雜質不容易穿過間隔物810，而使該雜質不容易到達發光元件830，從而可以抑制發光裝置劣化。

圖20A所示的發光裝置中的間隔物810具有如下結構：絕緣層817上的絕緣層811與絕緣層811上的無機絕緣層813彼此層疊。絕緣層811可以與絕緣層821利用同一材料及同一製程形成。無機絕緣層813覆蓋絕緣層811的頂面及側面。

圖20B所示的發光裝置中的間隔物810具有如下結構：第二絕緣層715與黏合層822之間的絕緣層811及絕緣層811與黏合層822之間的無機絕緣層813彼此層疊。無機絕緣層813覆蓋絕緣層811的頂面及側面。

可以將間隔物810設置在第一撓性基板701一側或第二撓性基板711一側，也可以將其分別設置於第一撓性基板701一側及第二撓性基板711一側。

圖21A所示的發光裝置中的間隔物810具有如下結構：絕緣層817上的絕緣層811、絕緣層811上的絕緣層812、絕緣層812上的無機絕緣層813彼此層疊。絕緣層811可以與絕緣層821利用同一材料及同一製程形成。無機絕緣層813覆蓋絕緣層812的頂面及側面以及絕緣層811的頂面及側面。

圖21B所示的發光裝置中的間隔物810在絕緣層817上由單層構成。間隔物810由無機絕緣材料形成。

另外，圖22A和圖22B分別示出發光部804與凹部712的變形實例。

圖22A和圖22B所示的發光裝置包括絕緣層817a及絕緣層817b，在絕緣層817a上包括導電層856。電晶體820的源極電極或汲極電極與發光元件830的下部電極隔著導電層856電連接。

在圖22A和圖22B所示的發光裝置中，發光部804中的絕緣層821上具有間隔物823。藉由設置間隔物823，可以調節第一撓性基板701與第二 撓性基板711之間的間隔。

圖22A和圖22B所示的發光裝置包括覆蓋彩色層845及遮光層847的保護層849。在發光元件830與保護層849之間填充有黏合層822。

發光裝置較佳為在凹部712中具有間隔物810。由此，可以使黏合層822的厚度的最小值更小。

圖22A所示的發光裝置中的間隔物810具有如下結構：絕緣層817b上的絕緣層811、絕緣層811上的絕緣層812、絕緣層812上的無機絕緣層813彼此層疊。絕緣層811可以與絕緣層821利用同一材料及同一製程形成。絕緣層812可以與位於發光部804的間隔物823利用同一材料及同一製程形成。無機絕緣層813覆蓋絕緣層812的頂面及側面以及絕緣層811的頂面及側面。

圖22B所示的發光裝置與圖22A所示的發光裝置的不同之處在於無機絕緣層813覆蓋絕緣層817a的端部及絕緣層817b的端部。當作為絕緣層817a及絕緣層817b使用有機絕緣層時，較佳為使用無機絕緣層813覆蓋上述絕緣層817a及絕緣層817b的端部。由此，可以抑制水分等雜質侵入絕緣層817a或絕緣層817b並可以抑制上述雜質達到發光元件830。

本發明的一個實施方式的發光裝置可以採用圖23A所示的使用濾色片方式的底部發射型的發光裝置。

圖23A所示的發光裝置包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第一功能層(多個電晶體、絕緣層815、彩色層845、絕緣層817a、絕緣層817b、導電層856、多個發光元件及絕緣層821)、第二黏合層713以及第二撓性基板711。第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、絕緣層815、絕緣層817a以及絕緣層817b使可見光透過。

在發光部804中，在第一撓性基板701上隔著第一黏合層703及第一絕緣層705形成有電晶體820、電晶體824以及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817b上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。上部電極835較佳為反射可見光。下部電極831使可見光透過。對設置與發光元件830重疊的彩色層845的位置沒有特別的限制，例如可以設置在絕緣層817a與絕緣層817b之間或絕緣層815與絕緣層817a之間等。

使用第一黏合層703將第一絕緣層705與第一撓性基板701貼合在一起。當作為第一絕緣層705使用防潮性高的膜時，由於能夠抑制水等雜質侵入發光元件830等，從而可以提高發光裝置的可靠性，所以是較佳的。

圖23A所示的發光裝置可以利用實施方式1的製造方法2製造。作為被剝離層形成第一絕緣層705及第一功能層。

本發明的一個實施方式的發光裝置可以採用圖23B所示的使用分別塗布方式的頂部發射型的發光裝置。

圖23B所示的發光裝置包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第一功能層(多個電晶體、絕緣層815、絕緣層817、多個發光元件、絕緣層821及間隔物823)、第二黏合層713以及第二撓性基板711。第二黏合層713及第二撓性基板711使可見光透過。

圖23B所示的發光裝置可以利用實施方式1的製造方法2製造。作為被剝離層形成第一絕緣層705及第一功能層。

另外，圖23C所示的發光裝置包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第一功能層(導電層814、導電層857a、導電層857b、發光元件830、以及絕緣層821)、第二黏合層713、以及第二撓性基板711。

圖23C所示的發光裝置可以利用實施方式1的製造方法2製造。作為被剝離層形成第一絕緣層705及第一功能層。

導電層857a及導電層857b是發光裝置的外部連接電極，並且可以與FPC等電連接。

發光元件830包括下部電極831、EL層833以及上部電極835。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。發光元件830可以採用底部發射結構、頂部發射結構或雙發射結構。提取光一側的電極、基板、絕緣層等分別透射可見光。導電層814與下部電極831電連接。

在提取光一側的基板中，作為光提取結構可以具有半球透鏡、微透鏡陣列、具有凹凸結構的薄膜或光擴散薄膜等。例如，藉由使用具有與該基板、該透鏡或該薄膜相同程度的折射率的黏合劑等將上述透鏡或上述薄膜黏合在樹脂基板上，可以形成具有光提取結構的基板。

雖然導電層814不一定必須設置，但因為導電層814可以抑制起因於下部電極831的電阻的電壓下降，所以較佳為設置。另外，出於同樣的目的，也可以在絕緣層821、EL層833或上部電極835上等設置與上部電極835電連接的導電層。

導電層814可以藉由使用選自銅、鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧、鎳和鋁中的材料或以這些材料為主要成分的合金材料等，以單層或疊層形成。可以將導電層814的厚度例如設定為0.1μm以上且3μm以下，較佳為0.1μm以上且0.5μm以下。

〈材料的一個例子〉

接下來，說明可用於發光裝置的材料等。注意，有時省略說明本說明書中的前面已說明的組件。

對發光裝置所具有的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。另外，也可以在通道的上下設置閘極電極。

對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非 晶半導體或結晶半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用結晶半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。

另外，對用於電晶體的半導體材料沒有特別的限定，例如可以將第14族元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。典型的是，可以使用包含矽的半導體、包含砷化鎵的半導體或包含銦的氧化物半導體等。

尤其較佳為將氧化物半導體用於電晶體的形成有通道的半導體。尤其是，較佳為使用其能帶間隙比矽大的氧化物半導體。藉由作為包含在半導體層中的半導體使用與矽相比能帶間隙寬且載子密度小的半導體材料，可以降低電晶體的關閉狀態(off-state)時的電流，所以是較佳的。

例如，作為上述氧化物半導體，較佳為至少包含銦(In)或鋅(Zn)。更佳的是，包含表示為In-M-Zn類氧化物(M是Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce、Hf或Nd等金屬)的氧化物。

作為用於電晶體的半導體材料，較佳為使用CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)。CAAC-OS與非晶不同，缺陷能階密度低，從而能夠提高電晶體的可靠性。另外，因為CAAC-OS具有觀察不到晶界的特徵，所以能夠大面積地形成穩定且均勻的膜，並且CAAC-OS膜不容易因在使具有撓性的發光裝置彎曲時產生的應力而產生裂縫。

CAAC-OS是結晶的c軸在大致垂直於膜面的方向上配向的結晶氧化物半導體。還確認到氧化物半導體除了單晶結構之外還具有多種結晶結構諸如奈米尺寸的微晶集合體的奈米晶(nc：nanocrystal結構等。CAAC-OS的結晶性低於單晶結構而高於nc結構。

另外，CAAC-OS具有c軸配向性，其多個顆粒(奈米晶)在a-b面方向上連結而結晶結構具有畸變。因此，也可以將CAAC-OS稱為具有CAA crystal(c-axis-aligned a-b-plane-anchored crystal)的氧化物半導體。

發光裝置中的絕緣層可以使用有機絕緣材料或無機絕緣材料。作為有機樹脂，例如可以舉出丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、聚矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂及酚醛樹脂等。作為無機絕緣膜，可以舉出氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜、氮化矽膜、氧化鋁膜、氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。

作為發光裝置中的各導電層，例如可以採用鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等的金屬或者以這些元素為主要成分的合金的單層結構或疊層結構。另外，導電層也可以使用銦錫氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等具有透光性的導電材料。另外，還可以使用藉由使其含有雜質元素等而被低電阻化的多晶矽或氧化物半導體等的半導體或者鎳矽化物等矽化物。

本發明的一個實施方式的發光裝置可以採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。

當對下部電極831與上部電極835之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側注入到EL層833中，而電子從陰極一側注入到EL層833中。被注入的電子和電洞在EL層833中再結合，由此，包含在EL層833中的發光物質發光。

作為提取光一側的電極使用使可見光透過的導電層。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電層。

作為使可見光透過的導電層，例如可以使用氧化銦、銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物、氧化鋅(ZnO)、添加有鎵的氧化鋅等形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成得薄到其具有透光性來使用。此外，可以將上述材料的疊層膜用作導電層。例如，當使用銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等時，可以提高導電性，所以是較佳的。另外，也可以使用石墨烯等。

作為反射可見光的導電層，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，反射可見光的導電膜可以使用鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金、鋁、鎳和鑭的合金(Al-Ni-La)等包含鋁的合金(鋁合金)、銀和銅的合金、銀、 鈀和銅的合金(Ag-Pd-Cu，也記載為APC)或者銀和鎂的合金等包含銀的合金來形成。包含銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，藉由以與鋁合金膜接觸的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制鋁合金膜的氧化。作為該金屬膜、該金屬氧化膜的材料，可以舉出鈦、氧化鈦等。另外，也可以層疊上述使可見光透過的導電層與由金屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與ITO的疊層膜、銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等。

各電極可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成。除此之外，也可以藉由利用噴墨法等噴出法、網版印刷法等印刷法、或者鍍法形成。

EL層至少具有發光層。EL層833也可以具有多個發光層。作為發光層以外的層，EL層833還可以包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。

作為EL層833可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。構成EL層833的層分別藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。

發光元件也可以包含兩種以上的發光物質。由此，例如能夠實現白色發光的發光元件。例如，藉由以使兩種以上的發光物質的各發光成為補色關係的方式選擇發光物質，來能夠得到白色發光。例如，可以使用呈現R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、Y(黃色)或O(橙色)等的發光的發光物質或呈現包含R、G及B中之兩種以上的顏色的光譜成分的發光的發光 物質。例如，也可以使用呈現藍色發光的發光物質及呈現黃色發光的發光物質。此時，呈現黃色發光的發光物質的發光光譜較佳為包含綠色及紅色的光譜成分。另外，發光元件的發光光譜較佳為在可見區域的波長(例如為350nm以上且750nm以下，或400nm以上且800nm以下等)的範圍內具有兩個以上的峰值。

此外，發光元件也可以是包括一個EL層的單元件，又可以是包括隔著電荷產生層層疊的多個EL層的串聯元件。

另外，在本發明的一個實施方式中，也可以採用使用了量子點等無機化合物的發光元件。作為量子點材料，可以舉出膠狀量子點材料、合金屬模具量子點材料、核殼(Core Shell)型量子點材料、核型量子點材料等。例如，也可以包含鎘(Cd)、硒(Se)、鋅(Zn)、硫(S)、磷(P)、銦(In)、碲(Te)、鉛(Pb)、鎵(Ga)、砷(As)、鋁(Al)等元素。

作為絕緣層815，例如可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等無機絕緣膜。另外，作為絕緣層817、絕緣層817a以及絕緣層817b，例如分別可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯并環丁烯類樹脂等有機材料。還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。此外，也可以層疊多個絕緣膜來形成各絕緣層。

絕緣層821使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。作為樹脂，例如，可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚矽氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂等。尤其是，較佳為使用感光性的樹脂材料在下部電極831 上形成開口部，並且將絕緣層821的側壁形成為具有曲率的傾斜面。

對絕緣層821的形成方法沒有特別的限制，但可以利用光微影法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(噴墨法等)、印刷法(網版印刷、平板印刷等)等。

間隔物823可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料或金屬材料等形成。例如，作為無機絕緣材料及有機絕緣材料，可以舉出可用於上述絕緣層的各種材料。另外，作為金屬材料，可以使用鈦、鋁等。藉由使包含導電材料的間隔物823與上部電極835電連接，能夠抑制起因於上部電極835的電阻的電位下降。另外，間隔物823的形狀可以為正錐形或反錐形。

彩色層是使特定波長區域的光透射的有色層。例如，可以使用使紅色波長範圍的光、綠色波長範圍的光、藍色波長範圍的光、黃色波長範圍的光透過的濾色片等。作為可用於彩色層的材料，可以舉出金屬材料、樹脂材料、含有顏料或染料的樹脂材料等。

另外，本發明的一個實施方式不侷限於濾色片方式，也可以採用塗佈方式、顏色轉換方法或量子點方式等。

遮光層設置在相鄰的彩色層之間。遮光層遮擋相鄰的發光元件所發出的光，從而抑制相鄰的發光元件之間的混色。這裡，藉由以其端部與遮光層重疊的方式設置彩色層，可以抑制漏光。遮光層可以使用遮擋發光元件所發出的光的材料，例如可以使用金屬材料以及包含顏料或染料的樹脂材 料等形成黑矩陣。另外，藉由將遮光層設置於驅動電路部等發光部之外的區域中，可以抑制起因於導光等的非意圖的漏光，所以是較佳的。

保護層可以防止包含在彩色層中的雜質等擴散到發光元件。保護層由透過發光元件所發出的光的材料構成，例如可以使用氮化矽膜、氧化矽膜等無機絕緣膜或丙烯酸樹脂膜、聚醯亞胺膜等有機絕緣膜，也可以採用有機絕緣膜與無機絕緣膜的疊層結構。

此外，當將黏合層的材料塗佈於彩色層及遮光層上時，作為保護層的材料較佳為使用對黏合層的材料具有高潤濕性的材料。例如，作為保護層，較佳為使用ITO膜等氧化物導電層或其厚度薄得足以具有透光性的Ag膜等金屬膜。

藉由作為保護層的材料使用對黏合層的材料具有高潤濕性的材料，可以均勻地塗佈黏合層的材料。由此，可以防止當貼合一對基板時混入氣泡，從而可以防止顯示缺陷。

作為連接器，可以使用各種異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)及異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。

另外，將本發明的一個實施方式的發光裝置既可以用作顯示裝置，又可以用作照明設備。例如，也可以用作背光源或前光源等光源，亦即，用於顯示面板的照明設備。

如本實施方式所示那樣，本發明的一個實施方式的發光裝置藉由在非發光部中包括其厚度比發光部的厚度薄的區域，能夠抑制來自發光裝置側面的雜質的侵入。因此，能夠實現可靠性高的發光裝置。

注意，本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。

實施方式3

在本實施方式中，使用圖式對本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置進行說明。另外，在輸入輸出裝置所包括的組件中，關於與實施方式2所說明的發光裝置同樣的組件，可以參照上面的記載。此外，雖然在本實施方式中例示出使用發光元件的輸入輸出裝置，但是不侷限於此。此外，在本實施方式中說明的輸入輸出裝置也可以被稱為觸控面板。

因為本實施方式所示的各輸入輸出裝置在非顯示部中包括其厚度比顯示部的厚度薄的區域，所以可靠性高。注意，在輸入輸出裝置中，除了顯示部(發光部)之外的部分都可以稱為非顯示部(非發光部)。因此，可以說在顯示部301或顯示部501的外側框狀地設置非顯示部。例如，驅動電路是非發光部的一部分。

(結構例子1〉

圖24A是輸入輸出裝置的俯視圖。圖24B為圖24A中的點劃線A-B間及點劃線C-D間的剖面圖。圖24C是圖24A中的點劃線E-F間的剖面圖。

圖24A所示的輸入輸出裝置390包括顯示部301(兼作輸入部)、掃描線驅動電路303g(1)、成像像素驅動電路303g(2)、影像信號線驅動電路303s(1)及成像信號線驅動電路303s(2)。

顯示部301包括多個像素302及多個成像像素308。

像素302包括多個子像素。每個子像素包括發光元件及像素電路。

像素電路可以供應驅動發光元件的電力。像素電路與能夠供應選擇信號的佈線電連接。此外，像素電路與能夠供應影像信號的佈線電連接。

掃描線驅動電路303g(1)能夠對像素302供應選擇信號。

影像信號線驅動電路303s(1)能夠對像素302供應影像信號。

使用成像像素308能夠構成觸控感測器。明確而言，成像像素308能夠檢測出接觸於顯示部301的手指等。

成像像素308包括光電轉換元件及成像像素電路。

成像像素電路能夠使光電轉換元件驅動。成像像素電路與能夠供應控制信號的佈線電連接。此外，成像像素電路與能夠供應電源電位的佈線電連接。

作為控制信號，例如可以舉出能夠選擇用於讀出所記錄的成像信號的成像像素電路的信號、能夠使成像像素電路初始化的信號以及能夠決定成像像素電路檢測光的時間的信號等。

成像像素驅動電路303g(2)能夠對成像像素308供應控制信號。

成像信號線驅動電路303s(2)能夠讀出成像信號。

如圖24B及圖24C所示，輸入輸出裝置390包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第二撓性基板711、第二黏合層713以及第二絕緣層715。此外，第一撓性基板701與第二撓性基板711由第三黏合層360貼合。

在結構例子1中，非顯示部包括凹部。在凹部中，第三黏合層360的厚度薄。藉由採用這種結構，能夠抑制雜質從輸入輸出裝置的側面侵入內部。

第一撓性基板701與第一絕緣層705由第一黏合層703貼合。此外，第二撓性基板711與第二絕緣層715由第二黏合層713貼合。關於可用於基板、黏合層以及絕緣層的材料可以參照實施方式2。

像素302包括子像素302R、子像素302CG以及子像素302B(參照圖24C)。

例如，子像素302R包括發光元件350R及像素電路。像素電路包括能 夠對發光元件350R供應電力的電晶體302t。子像素302R還包括光學元件(例如，使紅色光透過的彩色層367R)。

發光元件350R包括依次層疊的下部電極351R、EL層353及上部電極352(圖24C)。

EL層353包括依次層疊的第一EL層353a、中間層354及第二EL層353b。

另外，為了高效地取出特定波長的光，可以在發光元件350R中設置微腔結構。明確而言，也可以在為了高效地取出特定光設置的反射可見光的膜與半反射半透射膜之間設置EL層。

例如，子像素302R包括與發光元件350R及彩色層367R接觸的第三黏合層360。彩色層367R位於與發光元件350R重疊的位置。由此，發光元件350R所發射的光的一部分透過第三黏合層360及彩色層367R，而如圖24B或圖24C中的箭頭的方向發射到子像素302R的外部。

輸入輸出裝置390包括遮光層367BM。以包圍著彩色層(例如彩色層367R)的方式設置有遮光層367BM。

輸入輸出裝置390將反射防止層367p設置在與顯示部301重疊的位置。作為反射防止層367p，例如可以使用圓偏光板。

輸入輸出裝置390包括絕緣層321。絕緣層321覆蓋電晶體302t等。另外，可以將絕緣層321用作覆蓋起因於像素電路及成像像素電路的凹凸的層，以提供平坦表面。此外，較佳為使用將能夠抑制雜質向電晶體302t等擴散的絕緣層覆蓋電晶體302t等。

輸入輸出裝置390包括與下部電極351R的端部重疊的分隔壁328。此外，在分隔壁328上包括用來控制第一撓性基板701與第二撓性基板711之間的間隔的間隔物329。

影像信號線驅動電路303s(1)包括電晶體303t及電容器303c。另外，驅動電路可以藉由與像素電路相同的製程形成在與像素電路相同的基板上。如圖24B所示，電晶體303t可以在絕緣層321上設置有第二閘極304。既可使第二閘極304與電晶體303t的閘極電連接，又可對第二閘極304以及電晶體303t的閘極施加不同的電位。另外，若需要，也可以在電晶體308t及電晶體302t等中分別設置第二閘極304。

成像像素308包括光電轉換元件308p及成像像素電路。成像像素電路可以檢測出照射到光電轉換元件308p的光。成像像素電路包括電晶體308t。例如，可以將pin型光電二極體用於光電轉換元件308p。

輸入輸出裝置390包括能夠供應信號的佈線311，並且佈線311設置有端子319。能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC309與端子319電連接。該FPC309也可以安裝有印刷線路板(PWB)。

另外，可以藉由相同的製程形成電晶體302t、電晶體303t及電晶體308t等電晶體。或者，這些電晶體也可以藉由彼此不同的製程形成。

〈結構例子2〉

圖25A及圖25B是輸入輸出裝置505的透視圖。注意，為了容易理解，示出典型的組件。圖26A和圖26B是圖25A所示的點劃線X1-X2間的剖面圖。

如圖25A及圖25B所示，輸入輸出裝置505包括顯示部501、掃描線驅動電路303g(1)及觸控感測器595等。另外，輸入輸出裝置505包括第一撓性基板701、第二撓性基板711及撓性基板590。

輸入輸出裝置505包括多個像素及多個佈線311。多個佈線311能夠對像素供應信號。多個佈線311被引導在第一撓性基板701的外周部，其一部分構成端子319。端子319與FPC509(1)電連接。

輸入輸出裝置505包括觸控感測器595及多個佈線598。多個佈線598與觸控感測器595電連接。多個佈線598被引導在撓性基板590的外周部，其一部分構成端子。並且，該端子與FPC509(2)電連接。注意，為了容易理解，在圖25B中由實線示出設置在撓性基板590的背面一側(與第一撓性基板701相對的面一側)的觸控感測器595的電極及佈線等。

作為觸控感測器595，例如可以適用靜電電容式的觸控感測器。作為靜電電容式，有表面型靜電電容式、投影型靜電電容式等。在此，以下示出 應用投影型靜電電容式觸控感測器的情況。

作為投影電容式，有自電容式、互電容式等。較佳為使用互電容式，因為可以同時進行多點檢測。

另外，對觸控感測器595可以適用可檢測出手指等檢測物件的靠近或接觸的各種感測器。

投影型靜電電容式觸控感測器595包括電極591及電極592。電極591與多個佈線598中的任一個電連接，電極592與多個佈線598中的其他的一個電連接。

如圖25A及圖25B所示，電極592具有在一個方向上反復地配置的多個四邊形在角部相互連接的形狀。

電極591是四邊形且在與電極592延伸的方向交叉的方向上反復地配置。多個電極591不一定配置得與一個電極592正交，也可以以它們之間的角度小於90。的方式設置。

佈線594以與電極592交叉的方式設置。佈線594使夾著一個電極592的兩個電極591電連接。此時，較佳為儘量使電極592與佈線594交叉部的面積小。由此，可以減少不設置電極的區域的面積，所以可以降低透射率的不均勻。其結果，可以減少透過觸控感測器595的光的亮度不均勻。

電極591及電極592的形狀不侷限於此，而可以具有各種形狀。

如圖26A所示，輸入輸出裝置505包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第二撓性基板711、第二黏合層713以及第二絕緣層715。此外，第一撓性基板701與第二撓性基板711由第三黏合層360貼合。

黏合層597以使觸控感測器595與顯示部501重疊的方式將撓性基板590與第二撓性基板711貼合在一起。黏合層597具有透光性。

電極591及電極592使用透光導電材料形成。作為透光導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物。此外，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使形成為膜狀的氧化石墨烯還原而形成。作為還原方法，可以舉出加熱等。

此外，作為用於電極591、電極592、佈線594等的導電層，就是說構成觸控面板的佈線及電極的材料，可以舉出包含氧化銦、氧化錫、氧化鋅等的透明導電層(例如為ITO等)。此外，用於構成觸控面板的佈線及電極的材料的電阻值較佳為較低。作為一個例子，可以使用銀、銅、鋁、碳奈米管、石墨烯以及鹵化金屬(鹵化銀等)等。並且，也可以使用由極細的(例如，其直徑為幾奈米)多個導電體構成的金屬奈米線。或者，也可以使用將導電體成為網狀的金屬絲網。作為一個例子，也可以使用Ag奈米線、Cu奈米線、Al奈米線、Ag絲網、Cu絲網以及Al絲網等。例如，在對構成觸控面板的佈線或電極使用Ag奈米線的情況下，可以將可見光的投射率設定為89%以上，並且將片電阻值設定為40Ω/□以上且100Ω/□以下。此外， 因為作為可用於上面所述的構成觸控面板的佈線及電極的材料的一個例子的金屬奈米線、金屬絲網、碳奈米管、石墨烯等的可見光的投射率高，所以可以用作用於顯示元件的電極(例如，像素電極或共用電極等)。

在藉由濺射法將透光導電材料形成在撓性基板590上之後，可以藉由光微影法等各種圖案化技術去除不需要的部分來形成電極591及電極592。

電極591及電極592由絕緣層593覆蓋。此外，到達電極591的開口設置在絕緣層593中，並且佈線594使相鄰的電極591電連接。此外，因為可以提高輸入輸出裝置的開口率，所以作為佈線594較佳為使用透光導電材料。另外，由於其導電性比電極591及電極592高的材料可以減少電阻，所以可以適用於佈線594。

另外，藉由設置覆蓋絕緣層593及佈線594的絕緣層，可以保護觸控感測器595。

此外，連接層599使佈線598與FPC509(2)電連接。

顯示部501包括多個配置為矩陣狀的像素。因為像素與結構實例1相同，所以省略說明。

另外，如圖26B所示，可以不使用撓性基板590，而由第一撓性基板701及第二撓性基板711的兩個基板構成觸控面板。第二撓性基板711與第二絕緣層715由第二黏合層713貼合，並且與第二絕緣層715接觸地設置觸 控感測器595。與覆蓋觸控感測器595的絕緣層589接觸地設置彩色層367R及遮光層367BM。可以不設置絕緣層589，而與佈線594接觸地設置彩色層367R及遮光層367BM。

〈結構例子3〉

圖27A及圖27B是輸入輸出裝置505B的剖面圖。在本實施方式中說明的輸入輸出裝置505B與結構實例2的輸入輸出裝置505的不同之處在於：將被供應的影像資料顯示在設置有電晶體的一側；以及觸控感測器設置在顯示部的第一撓性基板701一側。在此，僅對不同的結構進行詳細的說明，而關於可使用相同結構的部分，援用上述說明。

彩色層367R位於與發光元件350R重疊的位置。另外，圖27A所示的發光元件350R向設置有電晶體302t的一側射出光。由此，發光元件350R所發射的光的一部分透過彩色層367R，而發射到圖27A中的箭頭的方向上的輸入輸出裝置505B的外部。

輸入輸出裝置505B在射出光的方向上包括遮光層367BM。以圍繞彩色層(例如為彩色層367R)的方式設置有遮光層367BM。

觸控感測器595設置在第一撓性基板701一側，而非第二撓性基板711一側(圖27A)。

黏合層597以使觸控感測器595與顯示部重疊的方式將撓性基板590與第一撓性基板701貼合。黏合層597具有透光性。

另外，在圖27A及圖27B中示出將底閘極型電晶體用於顯示部501時的結構。

例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層用於圖27A所示的電晶體302t及電晶體303t。

例如，可以將包含多晶矽等的半導體層用於圖27B所示的電晶體302t及電晶體303t。

另外，在圖27C中示出採用頂閘極型電晶體時的結構。

例如，可以將包含多晶矽或從單晶矽基板轉置的單晶矽膜等的半導體層適用於圖27C所示的電晶體302t及電晶體303t。

注意，本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。

實施方式4 〈CAC-OS的構成〉

以下，對可用於在本發明的一個實施方式中公開的電晶體的CAC(Cloud Aligned Complementary)-OS的構成進行說明。

在本說明書等中，金屬氧化物(metal oxide)是指廣義上的金屬的氧化 物。金屬氧化物被分類為氧化物絕緣體、氧化物導電體(包括透明氧化物導電體)和氧化物半導體(Oxide Semiconductor，也可以簡稱為OS)等。例如，在將金屬氧化物用於電晶體的活性層的情況下，有時將該金屬氧化物稱為氧化物半導體。換言之，可以將OS FET稱為包含金屬氧化物或氧化物半導體的電晶體。

在本說明書中，將如下金屬氧化物定義為CAC(Cloud Aligned Complementary)-OS(Oxide Semiconductor)或CAC-metal oxide：金屬氧化物中具有導電體的功能的區域和具有電介質的功能的區域混合而使金屬氧化物在整體上具有半導體的功能。

換言之，CAC-OS例如是指包含在氧化物半導體中的元素不均勻地分佈的構成，其中包含不均勻地分佈的元素的材料的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為0.5nm以上且3nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也將在氧化物半導體中一個或多個元素不均勻地分佈且包含該元素的區域混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀，該區域的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為0.5nm以上且3nm以下或近似的尺寸。

包含不均勻地分佈的特定的元素的區域其物理特性由該元素所具有的性質決定。例如，包含不均勻地分佈的包含在金屬氧化物中的元素中更趨於成為絕緣體的元素的區域成為電介質區域。另一方面，包含不均勻地分佈的包含在金屬氧化物中的元素中更趨於成為導體的元素的區域成為導電體區域。藉由使導電體區域及電介質區域以馬賽克狀混合，該材料具有半導體的功能。

換言之，本發明的一個實施方式的金屬氧化物是物理特性不同的材料混合的基質複合材料(matrix composite)或金屬基質複合材料(metal matrix composite)的一種。

氧化物半導體較佳為至少包含銦。尤其較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含元素M(M選自鎵、鋁、矽、硼、釔、銅、釩、鈹、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種)。

例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO)是指材料分成銦氧化物(以下，稱為InO_X1(X1為大於0的實數))或銦鋅氧化物(以下，稱為In_X2Zn_Y2O_Z2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))以及鎵氧化物(以下，稱為GaO_X3(X3為大於0的實數))或鎵鋅氧化物(以下，稱為Ga_X4Zn_Y4O_Z4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InO_X1或In_X2Zn_Y2O_Z2均勻地分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀)。

換言之，CAC-OS是具有以GaO_X3為主要成分的區域和以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域混在一起的構成的複合氧化物半導體。在本說明書中，例如，當第一區域的In對元素M的原子數比大於第二區域的In對元素M的原子數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。

注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以InGaO₃(ZnO)_m1(m1為自然數)或In_(1+x0)Ga_(1-x0) O₃(ZnO)_m0(-1x01，m0為任意數)表示的結晶性化合物。

上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。

另一方面，CAC-OS與氧化物半導體的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀區域，一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域，並且，這些區域以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。

CAC-OS不包含組成不同的二種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。

注意，有時觀察不到以GaO_X3為主要成分的區域與以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域之間的明確的邊界。

在CAC-OS中包含選自鋁、矽、硼、釔、銅、釩、鈹、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該元素為主要成分的奈米粒子狀區域，一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域，並且，這些區域以馬賽克狀無規律地分散。

〈CAC-OS的分析〉

接著，說明使用各種測定方法對在基板上形成的氧化物半導體進行測定的結果。

〈〈樣本的結構及製造方法〉〉

以下，對本發明的一個實施方式的九個樣本進行說明。各樣本在形成氧化物半導體時的基板溫度及氧氣體流量比上不同。各樣本包括基板及基板上的氧化物半導體。

對各樣本的製造方法進行說明。

作為基板使用玻璃基板。使用濺射裝置在玻璃基板上作為氧化物半導體形成厚度為100nm的In-Ga-Zn氧化物。成膜條件為如下：將腔室內的壓力設定為0.6Pa，作為靶材使用氧化物靶材(In：Ga：Zn=4：2：4.1[原子數比])。另外，對設置在濺射裝置內的氧化物靶材供應2500W的AC功率。

在形成氧化物時採用如下條件來製造九個樣本：將基板溫度設定為不進行意圖性的加熱時的溫度(以下，也稱為室溫或R.T.)、130℃或170℃。另外，將氧氣體對Ar和氧的混合氣體的流量比(以下，也稱為氧氣體流量比)設定為10%、30%或100%。

〈〈X射線衍射分析〉〉

在本節中，說明對九個樣本進行X射線衍射(XRD：X-ray diffraction)測定的結果。作為XRD裝置，使用Bruker公司製造的D8 ADVANCE。條件 為如下：利用Out-of-plane法進行θ/2θ掃描，掃描範圍為15deg.至50deg.，步進寬度為0.02deg.，掃描速度為3.0deg./分。

圖31示出利用Out-of-plane法測定XRD譜的結果。在圖31中，最上行示出成膜時的基板溫度為170℃的樣本的測定結果，中間行示出成膜時的基板溫度為130℃的樣本的測定結果，最下行示出成膜時的基板溫度為R.T.的樣本的測定結果。另外，最左列示出氧氣體流量比為10%的樣本的測定結果，中間列示出氧氣體流量比為30%的樣本的測定結果，最右列示出氧氣體流量比為100%的樣本的測定結果。

圖31所示的XRD譜示出成膜時的基板溫度越高或成膜時的氧氣體流量比越高，2θ=31°附近的峰值強度則越高。另外，已知2θ=31°附近的峰值來源於在大致垂直於被形成面或頂面的方向上具有c軸配向性的結晶性IGZO化合物(也稱為CAAC(c-axis aligned crystalline)-IGZO)。

另外，如圖31的XRD譜所示，成膜時的基板溫度越低或氧氣體流量比越低，峰值則越不明顯。因此，可知在成膜時的基板溫度低或氧氣體流量比低的樣本中，觀察不到測定區域的a-b面方向及c軸方向的配向。

〈〈電子顯微鏡分析〉〉

在本節中，說明對在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本利用HAADF-STEM(High-Angle Annular Dark Field Scanning Transmission Electron Microscope：高角度環形暗場-掃描穿透式電子顯微鏡)進行觀察及分析的結果(以下，也將利用HAADF-STEM取得的影 像稱為TEM影像)。

說明對利用HAADF-STEM取得的平面影像(以下，也稱為平面TEM影像)及剖面影像(以下，也稱為剖面TEM影像)進行影像分析的結果。利用球面像差校正功能觀察TEM影像。在取得HAADF-STEM影像時，使用日本電子株式會社製造的原子解析度分析電子顯微鏡JEM-ARM200F，將加速電壓設定為200kV，照射束徑大致為0.1nmΦ的電子束。

圖32A為在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本的平面TEM影像。圖32B為在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本的剖面TEM影像。

〈〈電子衍射圖案的分析〉〉

在本節中，說明藉由對在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本照射束徑為1nm的電子束(也稱為奈米束)，來取得電子衍射圖案的結果。

觀察圖32A所示的在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本的平面TEM影像中的黑點a1、黑點a2、黑點a3、黑點a4及黑點a5的電子衍射圖案。電子衍射圖案的觀察以固定速度照射電子束35秒鐘的方式進行。圖32C示出黑點a1的結果，圖32D示出黑點a2的結果，圖32E示出黑點a3的結果，圖32F示出黑點a4的結果，圖32G示出黑點a5的結果。

在圖32C、圖32D、圖32E、圖32F及圖32G中，觀察到如圓圈那樣的(環狀的)亮度高的區域。另外，在環狀區域內觀察到多個斑點。

觀察圖32B所示的在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本的剖面TEM影像中的黑點b1、黑點b2、黑點b3、黑點b4及黑點b5的電子衍射圖案。圖32H示出黑點b1的結果，圖32I示出黑點b2的結果，圖32J示出黑點b3的結果，圖32K示出黑點b4的結果，圖32L示出黑點b5的結果。

在圖32H、圖32I、圖32J、圖32K及圖32L中，觀察到環狀的亮度高的區域。另外，在環狀區域內觀察到多個斑點。

例如，當對包含InGaZnO₄結晶的CAAC-OS在平行於樣本面的方向上入射束徑為300nm的電子束時，獲得了包含起因於InGaZnO₄結晶的(009)面的斑點的衍射圖案。換言之，CAAC-OS具有c軸配向性，並且c軸朝向大致垂直於被形成面或頂面的方向。另一方面，當對相同的樣本在垂直於樣本面的方向上入射束徑為300nm的電子束時，確認到環狀衍射圖案。換言之，CAAC-OS不具有a軸配向性及b軸配向性。

當使用大束徑(例如，50nm以上)的電子束對具有微晶的氧化物半導體(nano crystalline oxide semiconductor。以下稱為nc-OS)進行電子衍射時，觀察到類似光暈圖案的衍射圖案。另外，當使用小束徑(例如，小於50nm)的電子束對nc-OS進行奈米束電子衍射時，觀察到亮點(斑點)。另外，在nc-OS的奈米束電子衍射圖案中，有時觀察到如圓圈那樣的(環狀的)亮度 高的區域。而且，有時在環狀區域內觀察到多個亮點。

在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本的電子衍射圖案具有環狀的亮度高的區域且在該環狀區域內出現多個亮點。因此，在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本呈現與nc-OS類似的電子衍射圖案，在平面方向及剖面方向上不具有配向性。

如上所述，成膜時的基板溫度低或氧氣體流量比低的氧化物半導體的性質與非晶結構的氧化物半導體膜及單晶結構的氧化物半導體膜都明顯不同。

〈〈元素分析〉〉

在本節中，說明使用能量色散型X射線性分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得EDX面分析影像且進行評價，由此進行在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本的元素分析的結果。在EDX測定中，作為元素分析裝置使用日本電子株式會社製造的能量色散型X射線性分析裝置JED-2300T。在檢測從樣本發射的X射線時，使用矽漂移探測器。

在EDX測定中，對樣本的分析目標區域的各點照射電子束，並測定此時發生的樣本的特性X射線的能量及發生次數，獲得對應於各點的EDX譜。在本實施方式中，各點的EDX譜的峰值歸屬於In原子中的向L殼層的電子躍遷、Ga原子中的向K殼層的電子躍遷、Zn原子中的向K殼層的電子躍 遷及O原子中的向K殼層的電子躍遷，並算出各點的各原子的比率。藉由在樣本的分析目標區域中進行上述步驟，可以獲得示出各原子的比率分佈的EDX面分析影像。

圖33A至圖33C示出在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本的剖面的EDX面分析影像。圖33A示出Ga原子的EDX面分析影像(在所有的原子中Ga原子所占的比率為1.18至18.64[atomic%])。圖33B示出In原子的EDX面分析影像(在所有的原子中In原子所占的比率為9.28至33.74[atomic%])。圖33C示出Zn原子的EDX面分析影像(在所有的原子中Zn原子所占的比率為6.69至24.99[atomic%])。另外，圖33A、圖33B及圖33C示出在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本的剖面中的相同區域。在EDX面分析影像中，由明暗表示元素的比率：該區域內的測定元素越多該區域越亮，測定元素越少該區域就越暗。圖33A至圖33C所示的EDX面分析影像的倍率為720萬倍。

在圖33A、圖33B及圖33C所示的EDX面分析影像中，確認到明暗的相對分佈，在成膜時的基板溫度為R.T.且氧氣體流量比為10%的條件下製造的樣本中確認到各原子具有分佈。在此，著眼於圖33A、圖33B及圖33C所示的由實線圍繞的區域及由虛線圍繞的區域。

在圖33A中，在由實線圍繞的區域內相對較暗的區域較多，在由虛線圍繞的區域內相對較亮的區域較多。另外，在圖33B中，在由實線圍繞的區域內相對較亮的區域較多，在由虛線圍繞的區域內相對較暗的區域較多。

換言之，由實線圍繞的區域為In原子相對較多的區域，由虛線圍繞的區域為In原子相對較少的區域。在圖33C中，在由實線圍繞的區域內，右側是相對較亮的區域，左側是相對較暗的區域。因此，由實線圍繞的區域為以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1等為主要成分的區域。

另外，由實線圍繞的區域為Ga原子相對較少的區域，由虛線圍繞的區域為Ga原子相對較多的區域。在圖33C中，在由虛線圍繞的區域內，左上方的區域為相對較亮的區域，右下方的區域為相對較暗的區域。因此，由虛線圍繞的區域為以GaO_X3或Ga_X4Zn_Y4O_Z4等為主要成分的區域。

如圖33A、圖33B及圖33C所示，In原子的分佈與Ga原子的分佈相比更均勻，以InO_X1為主要成分的區域看起來像是藉由以In_X2Zn_Y2O_Z2為主要成分的區域互相連接的。如此，以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域以雲狀展開形成。

如此，可以將具有以GaO_X3等為主要成分的區域及以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成的In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-OS。

CAC-OS的結晶結構具有nc結構。在具有nc結構的CAC-OS的電子衍射圖案中，除了起因於包含單晶、多晶或CAAC結構的IGZO的亮點(斑點)以外，還出現多個亮點(斑點)。或者，該結晶結構定義為除了出現多個亮點(斑點)之外，還出現環狀的亮度高的區域。

另外，如圖33A、圖33B及圖33C所示，以GaO_X3等為主要成分的區域及以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域的尺寸為0.5nm以上且10nm以下或者1nm以上且3nm以下。在EDX面分析影像中，以各元素為主要成分的區域的直徑較佳為1nm以上且2nm以下。

如上所述，CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaO_X3等為主要成分的區域及以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。

在此，以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域的導電性高於以GaO_X3等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。

另一方面，以GaO_X3等為主要成分的區域的絕緣性高於以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域。換言之，當以GaO_X3等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。

因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，起因於GaO_X3等的絕緣性及起因於In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1的導電性的互補作用可以實現高通態電流(I_on)及高場效移動率(μ)。

另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適於顯示器等各種半導體裝置。

本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。

實施方式5

在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個實施方式的電子裝置及照明設備。

藉由使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等，可以製造可靠性高的電子裝置或照明設備。另外，藉由使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等，可以製造具有曲面或撓性且可靠性高的電子裝置或照明設備。

作為電子裝置，例如可以舉出：電視機(也稱為電視或電視接收機)；用於電腦等的監視器；如數位相機、數位攝影機等影像拍攝裝置；數位相框；行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)；可攜式遊戲機；可攜式資訊終端；音頻再生裝置；彈珠機等大型遊戲機等。

此外，由於本發明的一個實施方式的電子裝置或照明設備具有撓性，因此也可以將該電子裝置或照明設備沿著房屋或高樓的內壁或外壁、汽車的內部裝飾或外部裝飾的曲面組裝。

此外，本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括二次電池，較佳為藉由非接觸電力傳送對該二次電池充電。

作為二次電池，例如，可以舉出利用凝膠狀電解質的鋰聚合物電池(鋰離子聚合物電池)等鋰離子二次電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機自由基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等。

本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括天線。藉由由天線接收信號，可以在顯示部上顯示影像或資訊等。另外，在電子裝置包括天線及二次電池的情況下，可以將天線用於非接觸電力傳送。

圖28A、圖28B、圖28C1、圖28C2、圖28D及圖28E示出具有彎曲的顯示部7000的電子裝置的一個例子。顯示部7000的顯示面是彎曲的，能夠沿著彎曲的顯示面進行顯示。顯示部7000也可以具有撓性。

藉由使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等，可以製造顯示部7000。

藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的電子裝置。

圖28A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7100包括外殼7101、顯示部7000、操作按鈕7103、外部連接埠7104、揚聲器7105、麥克風7106 等。

圖28A所示的行動電話機7100在顯示部7000中具備觸控感測器。藉由用指頭或觸控筆等觸摸顯示部7000可以進行打電話或輸入文字等所有操作。

此外，藉由操作按鈕7103的操作，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部7000的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。

圖28B示出電視機的一個例子。在電視機7200中，在外殼7201中組裝有顯示部7000。在此示出利用支架7203支撐外殼7201的結構。

可以藉由利用外殼7201所具備的操作開關或另外提供的遙控器7211進行圖28B所示的電視機7200的操作。另外，也可以在顯示部7000中具備觸控感測器，藉由用指頭等觸摸顯示部7000可以進行顯示部7000的操作。可以在遙控器7211中具備從該遙控器7211輸出的資料的顯示部。藉由利用遙控器7211所具備的操作鍵或觸控面板，可以進行頻道或音量的操作，並可以對在顯示部7000上顯示的影像進行操作。

另外，電視機7200採用具備接收機及數據機等的結構。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機將電視機7200連接到有線或無線方式的通訊網路，從而進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資訊通訊。

圖28C1、圖28C2、圖28D及圖28E示出可攜式資訊終端的一個例子。各可攜式資訊終端包括外殼7301及顯示部7000。並且，也可以包括操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風、天線或電池等。顯示部7000具備觸控感測器。藉由用指頭或觸控筆等觸摸顯示部7000可以進行可攜式資訊終端的操作。

圖28C1是可攜式資訊終端7300的透視圖，圖28C2是可攜式資訊終端7300的俯視圖。圖28D是可攜式資訊終端7310的透視圖。圖28E是可攜式資訊終端7320的透視圖。

本實施方式所例示出的可攜式資訊終端例如具有選自電話機、電子筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言，可以將該可攜式資訊終端用作智慧手機。該本實施方式所例示出的可攜式資訊終端例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。

可攜式資訊終端7300、7310及7320可以將文字及影像資訊等顯示在其多個面上。例如，如圖28C1及圖28D所示，可以將三個操作按鈕7302顯示在一個面上，而將由矩形表示的資訊7303顯示在另一個面上。圖28C1及圖28C2示出在可攜式資訊終端的上表面顯示資訊的例子，而圖28D示出在可攜式資訊終端的側面顯示資訊的例子。另外，也可以在三個面以上顯示資訊，圖28E示出在互不相同的面分別顯示資訊7304、資訊7305及資訊7306的例子。

此外，作為資訊的例子，可以舉出提示收到SNS(Social Networking Services：社交網路服務)的通知、電子郵件或電話等的顯示；電子郵件等的標題或發送者姓名；日期；時間；電量；以及天線接收強度等。或者，也可以在顯示資訊的位置顯示操作按鈕或圖示等代替資訊。

例如，可攜式資訊終端7300的使用者能夠在將可攜式資訊終端7300放在上衣口袋裡的狀態下確認其顯示(這裡是資訊7303)。

明確而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從可攜式資訊終端7300的上方看到這些資訊的位置。使用者可以確認到該顯示而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端7300，由此能夠判斷是否接電話。

圖28F至圖28H示出具有彎曲發光部的照明設備的一個例子。

使用本發明的一個實施方式的發光裝置等製造圖28F至圖28H所示的各照明設備所包括的發光部。

藉由本發明的一個實施方式，能夠提供一種具備彎曲的發光部且可靠性高的照明設備。

圖28F所示的照明設備7400包括具有波狀的發光面的發光部7402。因此，提供設計性高的照明設備。

圖28G所示的照明設備7410所包括的發光部7412採用對稱地配置彎曲為凸狀的兩個發光部的結構。因此，可以以照明設備7410為中心全方位地進行照射。

圖28H所示的照明設備7420包括彎曲為凹狀的發光部7422。因此，因為將來自發光部7422的發光聚集到照明設備7420的前面，所以適合應用於照亮特定的範圍的情況。藉由採用這樣結構，可以發揮不容易產生影子的效果。

此外，照明設備7400、照明設備7410及照明設備7420所包括的各發光部也可以具有撓性。可以採用使用可塑性構件或可動框架等構件固定發光部並按照用途能夠隨意使發光部的發光面彎曲的結構。

照明設備7400、照明設備7410及照明設備7420都包括具備操作開關7403的底座7401以及由底座7401支撐的發光部。

雖然在此例示了由底座支撐發光部的照明設備，但是也可以以將具備發光部的外殼固定或吊在天花板上的方式使用照明設備。由於能夠在使發光面彎曲的狀態下使用照明設備，因此能夠使發光面以凹狀彎曲而照亮特定區域或者使發光面以凸狀彎曲而照亮整個房間。

圖29A1、圖29A2、圖29B至圖29I示出具有撓性顯示部7001的可攜式資訊終端的一個例子。

使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等製造顯示部7001。例如，可以適用能夠以0.01mm以上且150m以下的曲率半徑彎曲的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等。顯示部7001也可以具備觸控感測器，可以藉由用手指等接觸顯示部7001進行可攜式資訊終端的操作。

根據本發明的一個實施方式，可以提供具有撓性顯示部且可靠性高的電子裝置。

圖29A1是示出可攜式資訊終端的一個例子的透視圖，並且圖29A2是示出可攜式資訊終端的一個例子的側面圖。可攜式資訊終端7500包括外殼7501、顯示部7001、取出構件7502、操作按鈕7503等。

可攜式資訊終端7500在外殼7501內包括有捲成捲筒狀的具有撓性的顯示部7001。可以利用取出構件7502取出顯示部7001。

此外，可攜式資訊終端7500能夠由內置的控制部接收影像信號，且能夠將所接收的影像顯示於顯示部7001。此外，在可攜式資訊終端7500中內置有電池。此外，也可以採用外殼7501具備連接連接器的端子部而以有線的方式從外部直接供應影像信號及電力的結構。

此外，可以由操作按鈕7503進行電源的ON、OFF工作或顯示的影像的切換等。圖29A1、圖29A2和圖29B示出在可攜式資訊終端7500的側面配置操作按鈕7503的例子，但是不侷限於此，也可以將操作按鈕7503配置 在可攜式終端7500的與顯示面同一的面(正面)或背面上。

圖29B示出取出顯示部7001的狀態的可攜式資訊終端7500。在這樣的狀態下，可以在顯示部7001上顯示影像。可以在圖29A1所示的顯示部7001的一部分被捲成捲筒狀狀態和圖29B所示的將顯示部7001取出的狀態下，可攜式資訊終端7500進行不同顯示。例如，藉由在圖29A1的狀態下使顯示部7001的被捲成捲筒狀的部分處於非顯示狀態，可以減少可攜式資訊終端7500的功耗。

另外，可以在顯示部7001的側部設置用來加固的框，以便在取出顯示部7001時該顯示部7001的顯示面被固定為平面狀。

此外，除了該結構以外，也可以採用在外殼中設置揚聲器並使用與影像信號同時接收的音訊信號輸出聲音的結構。

圖29C至圖29E示出能夠折疊的可攜式資訊終端的一個例子。圖29C示出展開狀態的可攜式資訊終端7600，圖29D示出從展開狀態和折疊狀態中的一個狀態變為另一個狀態時的中途狀態的可攜式資訊終端7600，圖29E示出折疊狀態的可攜式資訊終端7600。可攜式資訊終端7600在折疊狀態下可攜性好，在展開狀態下因為具有無縫拼接的較大的顯示區域所以顯示一覽性強。

顯示部7001由鉸鏈7602所連接的三個外殼7601來支撐。藉由鉸鏈7602使兩個外殼7601之間彎折，可以從可攜式資訊終端7600的展開狀態可逆性 地變為折疊狀態。

圖29F及圖29G示出能夠折疊的可攜式資訊終端的一個例子。圖29F示出以使顯示部7001位於內側的方式折疊的可攜式資訊終端7650。圖29G示出以使顯示部7001位於外側的方式折疊的可攜式資訊終端7650。可攜式資訊終端7650具有顯示部7001及非顯示部7651。藉由在不使用可攜式資訊終端7650時，以使顯示部7001向內側的方式折疊，能夠抑制顯示部7001被弄髒或受損傷。

圖29H示出具有撓性的可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7700包括外殼7701及顯示部7001。而且，可攜式資訊終端可以包括用作輸入單元的按鈕7703a及按鈕7703b、用作聲音輸出單元的揚聲器7704a、揚聲器7704b、外部連接埠7705、麥克風7706等。可攜式資訊終端7700也可以安裝有具有撓性的電池7709。例如，也可以以與顯示部7001重疊的方式配置電池7709。

外殼7701、顯示部7001及電池7709具有撓性。因此，可以容易地使可攜式資訊終端7700彎曲為所希望的形狀並使可攜式資訊終端7700扭曲。例如，以使顯示部7001位於內側或外側的方式折疊並使用可攜式資訊終端7700。或者，可以將可攜式資訊終端7700捲成捲筒狀並使用。如此，可以自由地使外殼7701及顯示部7001變形，因此可攜式資訊終端7700具有如下優點：即使掉落或被施加非意圖的外力，也不容易破損。

因為可攜式資訊終端7700是輕量的，所以在使用夾子等夾住外殼7701 的上部將可攜式資訊終端7700吊下並使用的情況或者在使用磁鐵等將外殼7701固定在牆上並使用的情況等各種情況下可以以良好的方便性使用可攜式資訊終端7700。

圖29I示出手錶型的可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7800具有錶帶7801、顯示部7001、輸入輸出端子7802、操作按鈕7803等。錶帶7801被用作外殼。可攜式資訊終端7800可以安裝有具有撓性的電池7805。例如，也可以與顯示部7001或錶帶7801重疊的方式配置電池7805。

錶帶7801、顯示部7001及電池7805具有撓性。因此容易使可攜式資訊終端7800彎曲為所希望的形狀。

操作按鈕7803除了時間設定之外還可以具有電源開關、無線通訊的開關、靜音模式的開啟及關閉、省電模式的開啟及關閉等各種功能。例如，藉由利用組裝在可攜式資訊終端7800中的作業系統，還可以自由地設定操作按鈕7803的功能。

藉由使用指頭等接觸顯示在顯示部7001上的圖示7804，可以啟動應用程式。

另外，可攜式資訊終端7800可以進行被通訊標準化的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通訊，可以進行免提通話。

此外，可攜式資訊終端7800也可以包括輸入輸出端子7802。在可攜式 資訊終端7800包括輸入輸出端子7802的情況下，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由輸入輸出端子7802進行充電。另外，在本實施方式中例示出的可攜式資訊終端的充電工作也可以利用非接觸電力傳送進行，而不藉由輸入輸出端子。

圖30A示出汽車9700的外觀。圖30B示出汽車9700的駕駛座。汽車9700包括車體9701、車輪9702、擋風玻璃9703、燈9704、霧燈9705等。本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等可以用於汽車9700的顯示部等。例如，可以在圖30B所示的顯示部9710至顯示部9715中設置本發明的一個實施方式的發光裝置等。或者，也可以對燈9704或霧燈9705使用本發明的一個實施方式的發光裝置等。

顯示部9710和顯示部9711是設置在汽車的擋風玻璃上的顯示裝置。藉由使用具有透光性的導電材料來製造電極及佈線，可以使本發明的一個實施方式的發光裝置等處於稱為能看到對面的所謂的透視式狀態。若顯示部9710或顯示部9711成為透視式狀態就在駕駛汽車9700時也不會成為視野的障礙。因此，可以將本發明的一個實施方式的發光裝置等設置在汽車9700的擋風玻璃上。另外，當在發光裝置等中設置用來驅動他們的電晶體等時，較佳為採用使用有機半導體材料的有機電晶體或者使用氧化物半導體的電晶體等具有透光性的電晶體。

顯示部9712是設置在支柱部分的顯示裝置。例如，藉由將來自設置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9712，可以補充被支柱遮擋的視野。顯示部9713是設置在儀表板部分的顯示裝置。例如，藉由將來自設置在車 體的成像單元的影像顯示在顯示部9713，可以補充被儀表板遮擋的視野。亦即，藉由顯示來自設置在汽車外側的成像單元的影像，可以補充死角，從而提高安全性。另外，藉由顯示補充看不到的部分的影像，可以更自然、更自在地確認安全。

另外，圖30C示出作為駕駛座和副駕駛座採用了長條座椅的汽車室內。顯示部9721是設置於車門部位的顯示裝置。例如，藉由將設置於車體外側的成像單元所拍攝的影像顯示在顯示部9721，可以補充被車門遮擋的視野。另外，顯示部9722是設置於方向盤的顯示裝置。顯示部9723是設置於橫排長座的座位中央部的顯示裝置。注意，藉由將顯示裝置設置於座椅或靠背等並以該顯示裝置的發熱為熱源，可以將該顯示裝置用作座椅加熱器。

顯示部9714、顯示部9715或顯示部9722可以提供導航資訊、速度計、轉速計、里程、油量表、換擋指示燈、空調的設定以及其他各種資訊。另外，使用者可以適當地改變顯示部所顯示的顯示內容及佈置等。另外，顯示部9710至顯示部9713、顯示部9721、顯示部9723也可以顯示上述資訊。顯示部9710至顯示部9715、顯示部9721至顯示部9723還可以被用作照明設備。此外，顯示部9710至顯示部9715、顯示部9721至顯示部9723還可以被用作加熱裝置。

採用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等的顯示部可以為平面。

圖30D所示的可攜式遊戲機包括外殼9801、外殼9802、顯示部9803、 顯示部9804、麥克風9805、揚聲器9806、操作鍵9807以及觸控筆9808等。

圖30D所示的可攜式遊戲機包括兩個顯示部(顯示部9803和顯示部9804)。注意，本發明的一個實施方式的電子裝置所包括的顯示部的數量不侷限於兩個，而可以包括一個或三個以上的顯示部。在電子裝置包括多個顯示部的情況下，至少一個顯示部包括本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等即可。

圖30E示出筆記本式個人電腦，該筆記本式個人電腦包括外殼9821、顯示部9822、鍵盤9823、指向裝置9824等。

本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。

S1-1,S1-2,S1-3,S1-4,S1-5‧‧‧步驟

Claims (17)

1. 一種包括具有發光元件的發光部及該發光部的外側的框狀的非發光部的發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成該發光元件；以第二基板與該第一基板之間夾著黏合層彼此重疊的方式配置該第二基板與該第一基板，其中該發光元件位於由該黏合層、該第一基板及該第二基板圍繞的空間中；固化該黏合層；以及在固化該黏合層之後邊對該黏合層進行加熱邊利用具有凸部的構件對該非發光部的至少一部分施壓。
2. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置的製造方法，其中，該非發光部包括間隔物及無機絕緣層，在配置該第二基板與該第一基板之前，在該第一基板或該第二基板上形成該間隔物及覆蓋該間隔物的側面及頂面的該無機絕緣層，並且，當利用該構件對該非發光部的至少該一部分施壓時，該凸部與該無機絕緣層重疊。
3. 一種發光元件的發光部及該發光部的外側的框狀的非發光部的發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成剝離層；在該剝離層上形成被剝離層；以第二基板與該第一基板之間夾著黏合層彼此重疊的方式配置該第二基板與該第一基板，其中該發光元件位於由該黏合層、該第一基板及該第二基板圍繞的空間中；固化該黏合層； 使該第一基板與該被剝離層彼此分離；以及在固化該黏合層之後邊對該黏合層進行加熱邊利用具有凸部的構件對該非發光部的至少一部分施壓，其中，該剝離層上的絕緣層及該絕緣層上的該發光元件被用作該被剝離層，並且，該黏合層以與該剝離層及該被剝離層重疊的方式形成。
4. 根據申請專利範圍第3項之發光裝置的製造方法，還包括如下步驟：在該第一基板與該被剝離層的分離與利用該構件對該分發光部的至少該一部分的施壓之間，對該剝離層貼合第三基板。
5. 根據申請專利範圍第3項之發光裝置的製造方法，還包括如下步驟：在利用該構件對該非發光部的至少該一部分施壓後對該剝離層貼合第三基板。
6. 根據申請專利範圍第3項之發光裝置的製造方法，其中，該非發光部包括間隔物及無機絕緣層，在配置該第二基板與該第一基板之前，在該第一基板或該第二基板上形成該間隔物及覆蓋該間隔物的側面及頂面的該無機絕緣層，並且，當利用該構件對該非發光部的至少該一部分施壓時，該凸部與該無機絕緣層重疊。
7. 一種發光元件的發光部及該發光部的外側的框狀的非發光部的發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成第一剝離層；在該第一剝離層上形成第一被剝離層；在第二基板上形成第二剝離層；在該第二剝離層上形成第二被剝離層； 以該第二基板與該第一基板夾著黏合層彼此重疊的方式配置該第二基板與該第一基板，其中該發光元件位於由該黏合層、該第一基板及該第二基板圍繞的空間中；固化該黏合層；使該第一基板與該第一被剝離層彼此分離；對該第一剝離層貼合第三基板；使該第二基板與該第二被剝離層彼此分離；以及在固化該黏合層之後邊對該黏合層進行加熱邊利用具有凸部的構件對該非發光部的至少一部分施壓，其中，該剝離層上的絕緣層及該絕緣層上的該發光元件被用作該第一被剝離層或該第二被剝離層，並且，該黏合層以與該第一剝離層及該第一被剝離層重疊的方式形成。
8. 根據申請專利範圍第7項之發光裝置的製造方法，還包括如下步驟：在使該第二基板與該第二被剝離層分離與利用該構件對該分發光部的至少該一部分施壓之間，對該第二剝離層貼合第四基板。
9. 根據申請專利範圍第7項之發光裝置的製造方法，還包括如下步驟：在利用該構件對該非發光部的至少該一部分施壓後對該第二剝離層貼合第四基板。
10. 根據申請專利範圍第7項之發光裝置的製造方法，還包括如下步驟：在配置該第二基板與該第一基板之前，在該第一基板或該第二基板上形成分隔壁，其中該分隔壁以圍繞該黏合層的方式形成。
11. 根據申請專利範圍第7項之發光裝置的製造方法， 其中，該非發光部包括間隔物及無機絕緣層，在配置該第二基板與該第一基板之前，在該第一基板或該第二基板上形成該間隔物及覆蓋該間隔物的側面及頂面的該無機絕緣層，並且，當利用該構件對該非發光部的至少該一部分施壓時，該凸部與該無機絕緣層重疊。
12. 一種發光裝置，包括：發光部；以及該發光部的外側的框狀的非發光部；第一撓性基板；第二撓性基板；第一黏合層；第二黏合層；第一絕緣層；以及第一功能層，其中，該第一黏合層位於該第一撓性基板與該第一絕緣層之間；該第二黏合層位於該第二撓性基板與該第一絕緣層之間；該第一功能層位於該第二黏合層與該第一絕緣層之間；該第一黏合層與該第二黏合層具有隔著該第一絕緣層彼此重疊的部分；該發光部在該第一功能層中包括發光元件；該非發光部在該第一功能層中包括間隔物及無機絕緣層；該無機絕緣層覆蓋該間隔物的側面及頂面；該非發光部包括與該發光部相比該第一撓性基板與該第二撓性基板之間的間隔更窄的第一部分；
13. 根據申請專利範圍第12項之發光裝置，其中該第一部分包括該無機 絕緣層。
14. 一種模組，包括：申請專利範圍第12項之發光裝置；以及軟性印刷電路板或集成電路。
15. 一種電子裝置，包括：申請專利範圍第14項之模組；以及感測器、天線、電池、外殼、攝像頭、揚聲器、麥克風或操作按鈕中的至少一個。
16. 一種模組，包括：利用申請專利範圍第1項之發光裝置的製造方法製造的發光裝置；以及軟性印刷電路板或集成電路。
17. 一種電子裝置，包括：申請專利範圍第16項之模組；以及感測器、天線、電池、外殼、攝像頭、揚聲器、麥克風或操作按鈕中的至少一個。