CN108738377A - 发光装置的制造方法、发光装置、模块及电子设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种可靠性高的发光装置。提高发光装置的制造工序的良率。提供一种发光部的外侧的框状的非发光部具有厚度比发光部的厚度薄的部分的发光装置。在衬底上形成发光元件及粘合层。通过将一对衬底重叠并使粘合层固化来密封发光元件。然后，在使粘合层固化之后边对粘合层进行加热边利用具有凸部的构件对非发光部的至少一部分施压。

Description

发光装置的制造方法、发光装置、模块及电子设备
技术领域
本发明的一个方式涉及发光装置、模块、电子设备及其制造方法。本发明的一个方式尤其涉及一种利用有机电致发光(Electroluminescence，EL)的发光装置及其制造方法。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本发明的一个方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器等)、输入输出装置(例如，触摸面板等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。
背景技术
近年来，发光装置被期待应用于各种用途，并被要求多样化。
例如，用于移动设备等的发光装置需要为薄型、轻量且不易损坏等。
利用EL的发光元件(也记作“EL元件”)具有容易实现薄型轻量化、能够高速地响应输入信号以及能够使用直流低电压电源而驱动等特征，已研究将其应用于发光装置。
例如，专利文献1公开了在薄膜衬底上具备用作开关元件的晶体管以及有机EL元件的柔性有源矩阵型发光装置。
有机EL元件存在因从外部侵入的水分或氧等杂质而损害可靠性的问题。
当水分或氧等杂质从有机EL元件的外部侵入到构成有机EL元件的有机化合物或金属材料时，有时有机EL元件的寿命大幅度地降低。这是因为用于有机EL元件的有机化合物或金属材料与杂质起反应而劣化的缘故。
因此，正在积极开发用来防止杂质侵入的密封有机EL元件的技术。
[专利文献1]日本专利申请公开第2014-197522号公报
发明内容
本发明的一个方式的目的之一是提高发光装置的可靠性。本发明的一个方式的目的之一是提高发光装置的制造工序中的良率。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有曲面的发光装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种柔性发光装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种轻量的发光装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种薄型的发光装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的发光装置等。
注意，上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载显而易见地看出并抽出上述以外的目的。
本发明的一个方式是一种发光装置的制造方法，该发光装置包括具有发光元件的发光部以及发光部的外侧的框状的非发光部。非发光部优选包括间隔物及无机绝缘层。
本发明的一个方式的发光装置的制造方法a包括：在第一衬底上形成发光元件的第一工序；将粘合层形成在第一衬底或第二衬底上的第二工序；将第一衬底与第二衬底重叠以使将发光元件位于由粘合层、第一衬底及第二衬底围绕的空间中的第三工序；使粘合层固化的第四工序；以及在使粘合层固化之后边对粘合层进行加热边利用具有凸部的构件对非发光部的至少一部分施压的第五工序。
在制造方法a中，优选在第二工序之前在第一衬底或第二衬底上形成间隔物以及覆盖间隔物的侧面及顶面的无机绝缘层。在制造方法a中，优选在第五工序中使凸部与无机绝缘层重叠。
本发明的一个方式的发光装置的制造方法b包括：在第一衬底上形成剥离层的第一工序；在剥离层上形成被剥离层的第二工序；将粘合层形成在第一衬底或第二衬底上的第三工序；将第一衬底与第二衬底重叠的第四工序；使粘合层固化的第五工序；将第一衬底与被剥离层分离的第六工序；以及在使粘合层固化之后边对粘合层进行加热边利用具有凸部的构件对非发光部的至少一部分施压的第七工序。在制造方法b的第二工序中，作为被剥离层形成剥离层上的绝缘层以及绝缘层上的发光元件。在制造方法b的第三工序中，以与剥离层及被剥离层重叠的方式形成粘合层。在制造方法b的第四工序中，使发光元件位于由粘合层、第一衬底及第二衬底围绕的空间中。
在制造方法b中，可以在第六工序与第七工序之间包括将第三衬底贴合到被剥离层的工序。或者，在制造方法b中，也可以在第七工序之后包括将第三衬底贴合到被剥离层的工序。
在制造方法b中，优选在第三工序之前在第一衬底上或第二衬底上形成间隔物以及覆盖间隔物的侧面及顶面的无机绝缘层。在制造方法b中，优选在第七工序中使凸部与无机绝缘层重叠。
本发明的一个方式的发光装置的制造方法c包括：在第一衬底上形成第一剥离层的第一工序；在第一剥离层上形成第一被剥离层的第二工序；在第二衬底上形成第二剥离层的第三工序；在第二剥离层上形成第二被剥离层的第四工序；将粘合层形成在第一衬底或第二衬底上的第五工序；将第一衬底与第二衬底重叠的第六工序；使粘合层固化的第七工序；将第一衬底与第一被剥离层分离的第八工序；将第三衬底贴合到第一被剥离层的第九工序；将第二衬底与第二被剥离层分离的第十工序；以及在使粘合层固化之后边对粘合层进行加热边利用具有凸部的构件对非发光部的至少一部分施压的第十一工序。在制造方法c中，作为第一被剥离层或第二被剥离层形成绝缘层以及绝缘层上的发光元件。在制造方法c的第五工序中，以与第一剥离层及第一被剥离层重叠的方式形成粘合层。在制造方法c的第六工序中，使发光元件位于由粘合层、第一衬底及第二衬底围绕的空间中。
在制造方法c中，可以在第十工序与第十一工序之间包括将第四衬底贴合到第二被剥离层的工序。或者，在制造方法c中，也可以在第十一工序之后包括将第四衬底贴合到第二被剥离层的工序。
在制造方法c中，优选在第六工序之前包括将分隔壁形成于第一衬底或第二衬底上的工序。该分隔壁以围绕粘合层的方式设置。
在制造方法c中，优选在第五工序之前在第一衬底或第二衬底上形成间隔物以及覆盖间隔物的侧面及顶面的无机绝缘层。在制造方法c中，优选在第十一工序中使凸部与无机绝缘层重叠。
本发明的一个方式的发光装置包括发光部以及发光部的外侧的框状的非发光部。该发光装置包括第一柔性衬底、第二柔性衬底、第一粘合层、第二粘合层、第一绝缘层及第一功能层。第一粘合层位于第一柔性衬底与第一绝缘层之间。第二粘合层位于第二柔性衬底与第一绝缘层之间。第一功能层位于第二粘合层与第一绝缘层之间。第一粘合层与第二粘合层具有隔着第一绝缘层彼此重叠的部分。发光部在第一功能层中包括发光元件。非发光部在第一功能层中包括间隔物及无机绝缘层。无机绝缘层覆盖间隔物的侧面及顶面。非发光部的第一部分中的第一柔性衬底与第二柔性衬底之间的间隔比在发光部中窄。第一部分优选包括该无机绝缘层。
本发明的一个方式是一种包括上述发光装置中的任一个的模块。该模块安装有柔性印刷电路板(Flexible printed circuit，以下记为FPC)或TCP(Tape Carrier Package：带载封装)等连接器或者利用COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式或COF(Chip OnFilm：薄膜覆晶封装)方式等安装有集成电路(IC)。
本发明的上述方式也可以用于显示装置或输入/输出装置(触摸面板等)代替发光装置。
本发明的一个方式是一种包括上述模块、天线、电池、框体、照相机、扬声器、麦克风和操作按钮中的至少一个的电子设备。
根据本发明的一个方式可以提高发光装置的可靠性。根据本发明的一个方式可以提高发光装置的制造工序中的良率。
根据本发明的一个方式可以提供一种具有曲面的发光装置。根据本发明的一个方式可以提供一种柔性发光装置。根据本发明的一个方式可以提供一种轻量的发光装置。根据本发明的一个方式可以提供一种薄型的发光装置。根据本发明的一个方式可以提供一种新颖的发光装置等。
注意，上述效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要必须实现所有上述效果。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载显而易见地看出并抽出上述以外的效果。
附图说明
图1A至图1E是示出发光装置的制造方法的例子的流程图及截面图；
图2A至图2G是示出发光装置的制造方法的例子的截面图；
图3A至图3G是示出发光装置的制造方法的例子的流程图、截面图及俯视图；
图4A至图4D是示出发光装置的制造方法的例子的流程图及截面图；
图5A至图5F是示出发光装置的制造方法的例子的流程图及截面图；
图6A至图6D是示出发光装置的制造方法的例子的截面图；
图7是示出发光装置的制造方法的例子的流程图；
图8A至图8E是示出发光装置的制造方法的例子的截面图；
图9A至图9E是示出发光装置的制造方法的例子的截面图；
图10A和图10B是示出发光装置的制造方法的例子的流程图及截面图；
图11A至图11D是示出发光装置的制造方法的例子的截面图；
图12A至图12H是示出发光装置的例子的俯视图；
图13A和图13B是示出发光装置的制造方法的例子的截面图；
图14A至图14G是具有凸部的构件的俯视图以及说明构件的凸部与发光装置的凹部的截面图；
图15A和图15B是示出具有凸部的构件的俯视图以及发光装置的制造方法的例子的截面图；
图16A和图16B是示出发光装置的例子的俯视图及截面图；
图17A至图17D是示出发光装置的例子的截面图以及晶体管的例子的俯视图及截面图；
图18A和图18B是示出发光装置的例子的俯视图及截面图；
图19A和图19B是示出发光装置的例子的截面图；
图20A和图20B是示出发光装置的例子的截面图；
图21A和图21B是示出发光装置的例子的截面图；
图22A和图22B是示出发光装置的例子的截面图；
图23A至图23C是示出发光装置的例子的截面图；
图24A至图24C是示出输入/输出装置的例子的俯视图及截面图；
图25A和图25B是示出输入/输出装置的例子的透视图；
图26A和图26B是示出输入/输出装置的例子的截面图；
图27A至图27C是示出输入/输出装置的例子的截面图；
图28A、图28B、图28C1、图28C2、图28D、图28E、图28F、图28G以及图28H是示出电子设备及照明装置的例子的图；
图29A1、图29A2、图29B、图29C、图29D、图29E、图29F、图29G、图29H以及图29I是示出电子设备的例子的图；
图30A至图30E是示出电子设备的例子的图；
图31是说明样品的XRD谱的测定结果的图；
图32A至图32L是样品的TEM图像及其电子衍射图案；
图33A至图33C是样品的EDX面分析图像。
具体实施方式
参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于下面说明，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。
注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。此外，当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线，而不特别附加附图标记。
另外，为了便于理解，有时附图中示出的各构成的位置、大小及范围等并不表示其实际的位置、大小及范围等。因此，所公开的发明不一定局限于附图所公开的位置、大小、范围等。
另外，根据情况或状态，可以互相调换“膜”和“层”。例如，有时可以将“导电层”变换为“导电膜”。此外，有时可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”。
实施方式1
在本实施方式中，参照图1A至图15B说明本发明的一个方式的发光装置及其制造方法。
在本实施方式中虽然主要例示出使用EL元件的发光装置，但是本发明的一个方式不局限于此。本发明的一个方式还包括使用其他发光元件或显示元件的发光装置或显示装置。另外，本发明的一个方式不局限于发光装置及显示装置，也可以用于半导体装置、输入输出装置等各种装置。
本发明的一个方式的发光装置包括发光部及非发光部。发光部包括发光元件。非发光部在发光部的外侧以框状设置。
构成发光装置的功能元件(发光元件或晶体管等)有时由于从外部侵入的水分等的杂质而劣化，导致其可靠性下降。通过由一对气体阻隔性高的层(衬底或绝缘层等)夹持功能元件，能够抑制在发光装置的厚度方向上的杂质侵入(换言之，通过发光面及与发光面相对的面的侵入)。另一方面，在发光装置的侧面上，用来密封发光元件等的粘合层露出于大气中。例如，与使用玻璃粉等的情况相比，使用树脂作为粘合层时具有抗冲击性及耐热性高且不容易因外力等导致的变形而损坏的优点。通过作为粘合层使用树脂，可以提高发光装置的柔性及弯曲耐性。但是，有时树脂的气体阻隔性、防水性或防湿性不够。
由此，在本发明的一个方式中，发光装置的非发光部中包括其厚度比发光部的厚度薄的部分。
当发光装置(或粘合层)包括其厚度比其他部分薄的区域时，从发光装置的侧面侵入的水分等杂质不容易穿过该区域。因此，与发光装置(或粘合层)的厚度相同的情况相比，杂质不容易到达功能元件，而能够抑制发光装置的可靠性下降。
如此，在本发明的一个方式中，可以通过改变发光装置的形状(或粘合层的厚度)提高发光装置的可靠性，由此可以扩大用于粘合层的材料的选择范围。例如，即使使用树脂作为粘合层，也可以制造使用寿命长的发光装置。
另外，可以在非发光部中局部性地设置厚度比其他部分薄的区域。或者，厚度也可以从非发光部的发光部一侧向发光装置的端部连续地(平滑地)变薄。
以下例示出本发明的一个方式的发光装置的制造方法。
<制造方法1>
图1A示出发光装置的制造方法1的流程图。
[S1-1：形成发光元件]
首先，准备一对衬底(衬底11及衬底19)。然后，在衬底11上形成发光元件15(图1B)。在图1B等中，将衬底11上的设置有发光元件15的部分记作发光部25，其他部分记作非发光部26。
作为一对衬底，使用至少具有可承受制造工序中的处理温度的耐热性的衬底。一对衬底可以分别使用玻璃、石英、蓝宝石、陶瓷、有机树脂、金属、合金、半导体等材料。作为提取来自发光元件的光的一侧的衬底，使用使该光透过的材料。
作为一对衬底，优选都使用具有柔性的衬底(以下记作柔性衬底)。例如，可以使用有机树脂或其厚度为允许具有柔性的厚度的玻璃、金属或合金。例如，柔性衬底的厚度优选为1μm以上且200μm以下，更优选为1μm以上且100μm以下，进一步优选为10μm以上且50μm以下，更进一步优选为10μm以上且25μm以下。将柔性衬底的厚度及硬度设定为可兼具机械强度及柔性的范围内。柔性衬底既可以采用单层结构也可以采用叠层结构。
作为金属衬底的材料，例如可以举出铝、铜及镍等。作为合金衬底的材料，例如可以举出铝合金及不锈钢等。作为半导体衬底的材料，例如可以举出硅等。
作为具有柔性及透光性的材料，例如可以举出如下材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂及ABS树脂等。尤其优选使用线膨胀系数低的材料，例如优选使用聚酰胺-酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂以及PET等。另外，也可以使用将树脂浸渗于纤维体中的衬底(也称为预浸料)或将无机填料混合到有机树脂中来降低线膨胀系数的衬底。
作为发光元件15，可以使用能够进行自发光的元件，由电流或电压控制亮度的元件也包含在其范畴内。例如，可以使用发光二极管(LED)、有机EL元件以及无机EL元件等。另外，本发明的一个方式不局限于发光装置而还可以用于使用各种显示元件的显示装置。例如，作为显示装置除了发光元件之外还可以采用液晶元件、电泳元件或使用MEMS(微电子机械系统)的显示元件等。
在衬底11上除了发光元件15之外还可以形成晶体管、电阻器、开关元件及电容器等各种功能元件中的一种以上。
设置功能元件的区域不局限于发光部25。例如，也可以在非发光部26中形成信号线驱动电路、扫描线驱动电路及外部连接电极等中的一种以上。外部连接电极与传达来自外部的信号(视频信号、时钟信号、起始信号或复位信号等)或电位的外部输入端子电连接。
[S1-2：形成粘合层]
接着，将粘合层17形成于衬底11或衬底19上。
粘合层17的厚度例如可以为1μm以上且200μm以下，优选为1μm以上且100μm以下，更优选为1μm以上且50μm以下。
对粘合层17的形成方法没有特别的限制，例如分别可以使用液滴喷射法、印刷法(丝网印刷法及胶版印刷法等)、旋涂法或喷涂法等涂敷法、浸渍法、分配法或者纳米压印法等。
用于粘合层17的粘合剂的玻璃转化温度越低，在后面的工序中对粘合层17进行加压时粘合层17越易于凹陷。因此，易于在发光装置中形成粘合层17的厚度极薄的部分，由此可以提高发光装置的可靠性。另一方面，用于粘合层17的粘合剂的玻璃转化温度越高，发光装置的耐热性越高。因此，用于粘合层17的粘合剂的玻璃转化温度优选为60℃以上且120℃以下，更优选为80℃以上且100℃以下。
另外，如后面所述，粘合层17优选具有热塑性。
作为粘合层17，优选使用热固化型粘合剂或UV延迟固化型粘合剂。或者，也可以使用紫外线固化型等光固化型粘合剂、反应固化型粘合剂、厌氧型粘合剂等各种固化型粘合剂。作为包含于粘合剂中的树脂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等。尤其优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。
另外，在上述树脂中也可以包含干燥剂。例如，可以使用碱土金属的氧化物(氧化钙或氧化钡等)那样的通过化学吸附吸附水分的物质。或者，也可以使用沸石或硅胶等通过物理吸附来吸附水分的物质。当包含干燥剂时，能够抑制因大气中的水分侵入而导致的功能元件的劣化，由此可以提高发光装置的可靠性，所以是优选的。
上述树脂也可以包含均染剂或表面活性剂。
通过对上述树脂添加均染剂或表面活性剂，可以降低树脂的表面张力，而提高树脂的润湿性。润湿性越高，越可以均匀地涂敷树脂。由此，能够抑制贴合一对衬底时的气泡的混入，可以降低发生粘合层的粘结破坏或粘合层与被粘合层之间的界面破坏的概率。另外，能够抑制发光装置的显示不良。
作为均染剂或表面活性剂，使用不给发光元件等带来不良影响的材料。例如，可以使用添加有0.01wt％以上且0.5wt％以下的氟类均染剂的环氧树脂。
此外，通过在上述树脂中混合折射率高的填料或光散射构件，可以提高发光元件的光提取效率。例如，可以使用氧化钛、氧化钡、沸石、锆等。
[S1-3：将一对衬底重叠]
接着，将衬底11与衬底19重叠以使发光元件15位于由粘合层17、衬底11及衬底19围绕的空间中(图1C)。从发光装置的可靠性的角度来看，该工序优选在减压气氛下进行。
[S1-4：固化粘合层]
接着，使粘合层17固化。
[S1-5：边对粘合层进行加热边对非发光部施压]
接着，边对粘合层17进行加热边利用具有凸部的构件21a对非发光部26的至少一部分施压(图1D)。
在被加压的部分中粘合层17的厚度变得比其他部分的厚度薄(图1E)。或者，也可以说是在非发光部26中设置有与发光部25相比衬底11与衬底19之间的间隔窄的部分。
作为使从发光装置的侧面侵入的杂质不易于到达发光元件15的条件，例如可以举出：发光装置的厚度的最小值小；衬底11与衬底19之间的间隔的最小值小；或者粘合层17的厚度的最小值小。在本发明的一个方式中，对非发光部施压的工序的目的是降低上述三个最小值中的至少一个。
另外，当发光部25的厚度不均匀时，有可能导致显示质量下降。在本发明的一个方式中，先使粘合层17固化，然后再使其变形。固化之后的粘合层17与固化之前的粘合层17相比更硬或流动性更低。由此，通过利用具有凸部的构件21a可以使粘合层17局部性地变形。粘合层17的变形区域没有过度扩展至超出直接被凸部按压的非发光部26的范围。因此，可以使粘合层17的厚度变薄的区域仅限于非发光部中，而不易使发光部25的厚度变得不均匀。本发明的一个方式可以提高发光装置的可靠性并可以抑制发光装置的视角特性下降及显示质量下降。
粘合层17优选采用具有热塑性的树脂(以下记作热塑性树脂)。环氧树脂等适合用作热塑性树脂。
通过使用热塑性树脂，可以利用加热使被固化的粘合层17软化。例如，在工序S1-4中以大约为60℃的温度使粘合层17固化，而在工序S1-5中以大约为100℃的温度使粘合层17软化。被软化的粘合层17比被完全固化的粘合层17更容易通过加压而变形。另外，被软化的粘合层17可以比被完全固化的粘合层17更局部性地变形。
例如，可以使用具有凸部的模具对非发光部26的至少一部分施压。具体而言，以凸部与非发光部26重叠的方式使模具与衬底11或衬底19重叠。并且，对发光装置10及模具的叠层结构施压。由此，发光装置10中的与凸部重叠的部分及其附近被凸部压扁，与其他部分相比粘合层17的厚度变薄。因此，可以对发光装置的非发光部26设置厚度比发光部25薄的第一部分。另外，非发光部26可以在第一部分的外侧包括比第一部分厚的第二部分。对第二部分及发光部25的厚度的大小关系没有限制，第二部分可以比发光部25薄，也可以比发光部25厚，也可以与发光部25具有相同的厚度。
优选利用热压机等能够进行加压的装置对发光装置10施压。热压机的例子参见本实施方式的后文。
通过上述工序，可以制造在非发光部26中包括其厚度比发光部25的厚度薄的部分的发光装置。通过采用这种结构可以抑制水分或氧等杂质侵入发光装置的内部或到达发光元件。
例如，根据在非发光部26中产生的干涉条纹可以确认在非发光部26中形成有厚度较薄的区域。在非发光部26中，形成有干涉条纹的区域的宽度例如可以为0.1mm以上、0.5mm以上或1mm以上且10mm以下、5mm以下或2mm以下。另外，当发光部25中产生干涉条纹时，有时显示品质下降。因此，优选发光部25中不产生干涉条纹并且发光部25的厚度均匀(大致均匀)。
虽然图1D示出利用具有凸部的构件21a从衬底19一侧对非发光部26施压的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。优选在衬底11和衬底19中的柔性更高的衬底一侧或者厚度更薄的衬底一侧配置具有凸部的构件21a，由此更易于对非发光部26进行加压。
图2A示出利用具有凸部的构件21b从衬底11一侧对非发光部施压的例子。同样地，在该情况下，在非发光部中的被加压的部分中，粘合层17的厚度变得比其他部分薄(图2B)。
图2C示出利用具有凸部的构件21a、21b从衬底11一侧及衬底19一侧的双方对非发光部施压的例子。此时，可以分别独立地决定具有凸部的构件21a、21b的凸部的宽度、高度及位置。尤其是，当具有构件21a、21b的凸部隔着发光装置重叠时，可以在非发光部中形成与发光部的厚度相比厚度极薄的部分(图2D)。通过采用该结构，从发光装置的侧面侵入的杂质不容易到达发光元件15，从而可以抑制发光装置的可靠性下降，因此是优选的。注意，构件21a、21b的凸部可以彼此错开。
从发光部25的端部到发光装置的端部之间设置有一个或多个被具有凸部的构件21a加压的部分。图1D示出从发光部25的左端到发光装置的左端之间以及从发光部25的右端到发光装置的右端之间各具有一个被凸部加压的部分的情况。图2E示出各具有两个被加压的部分的情况。在图2E的例子中，在发光装置的左右各形成两个凹部(指凹陷、凹下去的部分)(图2F)。然后，可以如图2G所示通过去除两个凹部中位于外侧的凹部的一部分使发光装置的非发光部的宽度变窄(发光装置的窄边框化)。此时，优选以保留发光装置的厚度最薄的部分的方式切断发光装置。图2G所示的发光装置包括厚度从非发光部的发光部一侧到发光装置的端部连续地(平滑地)减薄的部分。
由于图2G所示的发光装置的端部的厚度薄，因此外部的杂质不容易从端部侵入。此外，由于图2G所示的发光装置在非发光部还具有凹部，因此即使杂质从发光装置的端部侵入，杂质也不容易到达发光元件。
虽然在制造方法1中示出在衬底11上直接形成发光元件15的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。可以如下述制造方法2、3所示地将形成在形成用衬底31上的发光元件等转置到衬底11上。通过利用该方法，例如可以将在耐热性高的形成用衬底上形成的被剥离层转置到耐热性低的衬底，被剥离层的制造温度不会因耐热性低的衬底受到限制。通过将被剥离层转置到比形成用衬底更轻、更薄或者柔性更高的衬底等，能够实现发光装置的轻量化、薄型化、柔性化。
<制造方法2>
图3A示出发光装置的制造方法2的流程图。
[S2-1：形成剥离层]
首先，准备一对衬底(形成用衬底31及衬底19)。然后，在形成用衬底31上形成剥离层32。
在此，虽然示出形成岛状剥离层的例子，但不局限于此。在该工序中选择在使形成用衬底31与后述的绝缘层13分离时在形成用衬底31与剥离层32的界面、剥离层32与绝缘层13的界面或者剥离层32中产生分离的材料。在本实施方式中，虽然例示出在绝缘层13与剥离层32的界面产生分离的情况，但是本发明的一个方式不局限于此，取决于用于剥离层32或绝缘层13的材料。
作为形成用衬底31，使用具有至少可承受制造工序中的处理温度的耐热性的衬底。形成用衬底31可以使用玻璃、石英、蓝宝石、陶瓷、有机树脂、金属、合金、半导体等材料。形成用衬底31不需要必须具有透光性。
为了提高量产性，作为形成用衬底31优选使用大型玻璃衬底。例如，可以使用第3代(550mm×650mm)以上，第10代(2950mm×3400mm)以下的玻璃衬底，或者，可以使用比该玻璃衬底更大型的玻璃衬底等。
在作为形成用衬底31使用玻璃衬底的情况下，在形成用衬底31与剥离层32之间作为基底膜形成氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、或氮氧化硅膜等绝缘层时，可以防止来自玻璃衬底的污染，所以是优选的。
剥离层32可以使用如下材料形成：选自钨、钼、钛、钽、铌、镍、钴、锆、锌、钌、铑、钯、锇、铱、硅中的元素；包含该元素的合金材料；或者包含该元素的化合物材料等。包含硅的层的结晶结构可以是非晶、微晶或多晶中的任一种。此外，也可以使用氧化铝、氧化镓、氧化锌、二氧化钛、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌或In-Ga-Zn氧化物等金属氧化物。当将钨、钛、钼等高熔点金属材料用于剥离层32时，绝缘层13及功能元件的形成工序的自由度得到提高，所以是优选的。
剥离层32例如可以通过溅射法、等离子体CVD法、涂敷法(包括旋涂法、液滴喷射法、分配法等)、印刷法等形成。剥离层32的厚度例如为1nm以上且200nm以下，优选为10nm以上且100nm以下。
当剥离层32为单层结构时，优选形成钨层、钼层或者含钨或钼的混合物的层。另外，也可以形成包含钨的氧化物或氧氮化物的层、包含钼的氧化物或氧氮化物的层、或者包含钨和钼的混合物的氧化物或氧氮化物的层。此外，钨和钼的混合物例如相当于钨和钼的合金。
另外，在作为剥离层32形成由含有钨的层和含有钨的氧化物的层构成的叠层结构的情况下，也可以通过如下方法形成含有钨的氧化物的层：形成含有钨的层并且在其上形成含有氧化物的绝缘层，来在钨层和绝缘层之间的界面处形成含有钨的氧化物的层。此外，也可以对包含钨的层的表面进行热氧化处理、氧等离子体处理、一氧化二氮(N2O)等离子体处理、使用臭氧水等氧化性高的溶液的处理等形成包含钨的氧化物的层。另外，等离子体处理或加热处理可以在单独使用氧、氮、一氧化二氮的气氛下或者在上述气体和其他气体的混合气体气氛下进行。通过进行上述等离子体处理或加热处理来改变剥离层32的表面状态，由此可以控制剥离层32和绝缘层13之间的粘合性。
另外，当能够在形成用衬底31与绝缘层13的界面进行剥离时，也可以不设置剥离层。例如，作为形成用衬底31使用玻璃衬底，以接触于玻璃衬底的方式形成聚酰亚胺、聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚碳酸酯以及丙烯酸树脂等有机树脂。接着，通过进行激光照射或加热处理，提高形成用衬底31与有机树脂之间的粘合性。并且，在该有机树脂上形成绝缘层13以及发光元件15等。然后，通过以比前面的激光照射高的能量密度进行激光照射或者以比前面的加热处理高的温度进行加热处理，能够在形成用衬底31与有机树脂之间的界面进行剥离。此外，当剥离时，也可以通过将液体浸透到形成用衬底31与有机树脂的界面进行分离。
在该方法中，由于在耐热性低的有机树脂上形成绝缘层13、发光元件15及晶体管等，因此在制造工序中不易将衬底暴露于高温度。在此，使用氧化物半导体的晶体管并不必须要在高温下形成，所以可以适当地在有机树脂上形成。
另外，既可以将该有机树脂用作构成装置的衬底，又可以去除该有机树脂并使用粘合剂将所露出的面与其他衬底贴合。
或者，也可以通过在形成用衬底31与有机树脂之间设置金属层，并且通过使电流流过该金属层加热该金属层，在金属层与有机树脂的界面进行剥离。
[S2-2：形成被剥离层]
接着，在剥离层32上形成被剥离层。图3B示出形成剥离层32上的绝缘层13及绝缘层13上的发光元件15作为被剥离层的例子。
作为绝缘层13，优选使用气体阻隔性、防水性或防湿性高的绝缘层。
作为防湿性高的绝缘层，可以举出含有氮与硅的膜(氮化硅膜、氮氧化硅膜等)或含有氮与铝的膜(氮化铝膜等)等。
例如，将防湿性高的绝缘层的水蒸气透过量设定为1×10-5[g/(m2·day)]以下，优选为1×10-6[g/(m2·day)]以下，更优选为1×10-7[g/(m2·day)]以下，进一步优选为1×10-8[g/(m2·day)]以下。
另外，作为绝缘层13也可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等。
绝缘层13可以通过溅射法、等离子体CVD法、涂敷法、印刷法等形成。例如，通过采用等离子体CVD法在250℃以上且400℃以下的成膜温度下形成绝缘层13，可以形成致密的防湿性高的膜。另外，绝缘层13的厚度优选为10nm以上且3000nm以下，更优选为200nm以上且1500nm以下。
在形成用衬底31上，作为被剥离层除了发光元件15之外还可以形成晶体管、电阻器、开关元件及电容器等各种功能元件中的一种以上。此外，也可以制造发光元件以外的显示元件。此外，也可以制造着色层或遮光层。
[S2-3：形成粘合层]
接着，将粘合层17形成于形成用衬底31或衬底19上。
优选以粘合层17的端部与剥离层32及绝缘层13重叠的方式形成粘合层17。由此，可以提高形成用衬底31的剥离良率。在衬底19上形成粘合层17的情况下，在后面工序S2-4中将形成用衬底31与衬底19重叠时，粘合层17的端部重叠于剥离层32及绝缘层13即可。
[S2-4：将一对衬底重叠]
接着，将形成用衬底31与衬底19重叠以使发光元件15位于由粘合层17、形成用衬底31及衬底19围绕的空间中(图3C)。
如图3C所示，粘合层17的端部优选位于剥离层32的端部的内侧。或者，粘合层17的端部也可以与剥离层32的端部重叠。由此，可以抑制形成用衬底31与衬底19过紧地粘合在一起，从而能够抑制后面的剥离工序的良率下降。
在将流动性高的材料用于粘合层17的情况下，优选使用图3D所示的分隔壁18a夹住粘合层17。
图3E在示出衬底19上形成有粘合层17及分隔壁18a时的俯视图的例子。在框状分隔壁18a的内侧设置粘合层17。
另外，也可以如图3F所示地在分隔壁18a的外侧设置临时密封层18b。
图3G示出在衬底19上形成有粘合层17、分隔壁18a及临时密封层18b时的俯视图的例子。在框状分隔壁18a的内侧设置有粘合层17。在框状分隔壁18a的外侧设置有临时密封层18b。
粘合层17、分隔壁18a及临时密封层18b可以分别形成于形成用衬底31和衬底19的任一方上。另外，也可以将粘合层17、分隔壁18a及临时密封层18b都形成在一个衬底上。或者，可以在一个衬底上形成粘合层17及分隔壁18a，在另一个衬底上形成临时密封层18b。
例如，分隔壁18a及临时密封层18b的厚度可以分别为1μm以上且200μm以下，优选为1μm以上且100μm以下，更优选为1μm以上且50μm以下。
对分隔壁18a及临时密封层18b的形成方法没有特别的限制，例如分别可以使用液滴喷射法、印刷法(丝网印刷法及胶版印刷法等)、涂敷法如旋涂法或喷涂法等、浸渍法、分配法或者纳米压印法等。
作为分隔壁18a及临时密封层18b可以采用可用于粘合层17的各种材料。
作为分隔壁18a优选使用其粘度比粘合层17高的材料。在用于分隔壁18a的材料的粘度高时，能够抑制来自大气的水分等杂质的侵入，这是优选的。
[S2-5固化粘合层]
接着，使粘合层17固化。
还可以使临时密封层18b的至少一部分固化。通过将发光装置暴露于大气气氛中，从而大气压施加到形成用衬底31及形成用衬底19。由此，可以保持由临时密封层18b、形成用衬底31以及形成用衬底19包围的空间中的减压状态。由此能够抑制大气中的水分等杂质侵入到发光装置中。
再者，可以使分隔壁18a固化。通过使分隔壁18a固化，可以制造出发光元件15被粘合层17、分隔壁18a及衬底19密封的发光装置。
对粘合层17、分隔壁18a及临时密封层18b的固化顺序没有限制。
作为后面的工序，有三种制造方法，即，制造方法2-A、2-B及2-C。
首先，图4A示出制造方法2-A的流程图。制造方法2-A是在剥离形成用衬底31之前使发光装置变形的例子。
[S2-6A：边对粘合层进行加热边对非发光部施压]
接着，边对粘合层17进行加热边利用具有凸部的构件21a对非发光部26的至少一部分施压(图4B)。
在图4B等中，将形成用衬底31上设置有发光元件15的部分记作发光部25，其他部分记作非发光部26。
被加压的部分中粘合层17的厚度变得比其他部分的厚度薄(图4C)。或者，也可以说是在非发光部26中设置有与发光部25相比形成用衬底31与衬底19之间的间隔窄的部分。
[S2-7A：剥离形成用衬底]
接着，使形成用衬底31与绝缘层13分离。接着，优选形成用来对形成用衬底31进行剥离的剥离起点(也可以称为开端)。将剥离起点形成在粘合层17与剥离层32重叠的区域中。
通过照射激光、使用气体或溶液等蚀刻剥离层、分断衬底、或者利用机械性的去除方法如利用刀、手术刀、切割器等锋利的刀具形成切口等，可以形成剥离起点。通过形成剥离起点，可以使剥离层与被剥离层成为容易剥离的状态，所以是优选的。
例如，在可以利用刀具等切割衬底19的情况下，通过在衬底19、粘合层17以及绝缘层13中形成切口，可以形成剥离起点。
此外，在照射激光的情况下，优选将激光照射到固化状态的粘合层17、绝缘层13以及剥离层32重叠的区域。虽然可以从任一衬底一侧照射激光，但是为了抑制散射的光照射到发光元件或晶体管等，优选从设置有剥离层32的形成用衬底31一侧照射激光。另外，照射激光一侧的衬底使用使该激光透过的材料。
通过在绝缘层13中形成裂缝(裂口)，可以形成剥离起点。此时，除了绝缘层13之外，还可以去除剥离层32及粘合层17的一部分。通过照射激光，可以使包含于绝缘层13、剥离层32或粘合层17中的膜的一部分溶解、蒸发或热破坏。
在进行剥离工序时优选使绝缘层13与剥离层32分离的力量集中在剥离起点上，因此优选不在固化状态的粘合层17的中央部而在端部附近形成剥离起点。尤其是，在端部附近当中，与边部附近相比，更优选在角部附近形成剥离起点。为了确实地将剥离层32和绝缘层13分离，在不与粘合层17重叠的位置形成剥离起点的情况下，优选剥离起点的形成位置与粘合层17的距离较近，具体而言，优选在距离粘合层17端部1mm以内的位置形成剥离起点。
对用来形成剥离起点的激光没有特别的限制。例如，可以使用连续波激光或脉冲波激光。激光的照射条件(频率、功率密度、能量密度、束分布(beam profile)等)根据形成用衬底31及剥离层32的厚度或材料等而适当地控制。
通过使用激光，不需要为了形成剥离起点而切割衬底等，从而能够抑制尘埃等产生，所以是优选的。此外，可以缩短形成剥离起点所需要的时间。此外，因为可以减少残留在形成用衬底31表面上的尘埃，所以容易再次利用形成用衬底31。此外，因为不会磨损切割器等锋利的刀具，所以有能够降低成本、容易适用于批量生产等优点。此外，因为可以通过拉起任何一个衬底的端部开始剥离，所以该方法容易适用于批量生产。
接着，从所形成的剥离起点使绝缘层13与形成用衬底31分离。此时，优选将一个衬底固定于抽吸台等。例如，也可以将形成用衬底31固定于抽吸台，将绝缘层13从形成用衬底31剥离。另外，也可以将衬底19固定于抽吸台，将形成用衬底31从衬底19剥离。
例如，可以从剥离起点利用物理力(用手或夹具进行剥离的处理或者使辊子转动进行分离的处理等)将绝缘层13与形成用衬底31分离。
另外，也可以通过使水等液体浸透到剥离层32与绝缘层13的界面来将形成用衬底31与绝缘层13分离。由于毛细现象液体渗到剥离层32与绝缘层13之间，由此可以容易进行分离。此外，能够抑制剥离时产生的静电给包含在绝缘层13的功能元件带来不良影响(由于静电而使半导体元件损坏等)。注意，也可以使液体成为雾状或蒸汽来喷射。作为液体可以使用纯水、有机溶剂、中性、碱性或酸性的水溶液或在其中溶化有盐的水溶液等。
另外，在剥离后可以去除残留在衬底19上的无助于绝缘层13与衬底19的粘合的粘合层17、分隔壁18a及临时密封层18b等。通过去除这些，能够抑制在后面的工序中给功能元件带来不良影响(杂质的混入等)，所以是优选的。例如，可以通过擦拭或洗涤等去除不需要的树脂。
[S2-8A：贴合衬底]
接着，使用粘合层12将衬底11与使形成用衬底31剥离而露出的绝缘层13贴合。例如，通过切割发光装置端部等工序，可以制造如图4D所示的发光装置。
作为粘合层12可以采用可用于粘合层17的各种材料。衬底11可以使用上述材料，尤其优选使用柔性衬底。
通过上述步骤，可以制造本发明的一个方式的发光装置。
接着，图5A示出制造方法2-B、2-C的流程图。制造方法2-B、2-C是在剥离形成用衬底31后使发光装置变形的例子。制造方法2-B是在贴合衬底11之后使发光装置变形的例子。制造方法2-C是在贴合衬底11之前使发光装置变形的例子。
[S2-6B：剥离形成用衬底]
在制造方法2-B和制造方法2-6中，都在粘合层17固化之后使形成用衬底31与绝缘层13分离。剥离方法的详细内容可以参照工序S2-7A。通过该工序，绝缘层13露出(图5B)。
由于在使发光装置变形之前进行了形成用衬底31的剥离，由此可以抑制由于发光装置的变形引起的剥离良率下降。
[S2-7B：贴合衬底]
在制造方法2-B中，然后利用粘合层12对绝缘层13贴合衬底11。
在很多情况下，适合用作衬底11的薄膜的两面设置有剥离膜(也称为分离膜或脱膜)。在贴合衬底11与绝缘层13时，仅剥离设置在衬底11上的一个剥离膜。通过保留另一个剥离膜，易于进行后面的工序中的传送和加工。根据剥离膜的物理性质(线膨胀系数等)以及使发光装置变形时的条件(温度及压力等)，有时优选在使发光装置变形的工序之前剥离剥离膜。
[S2-8B：边对粘合层进行加热边对非发光部施压]
接着，边对粘合层17进行加热边利用具有凸部的构件21b对非发光部26的至少一部分施压(图5C)。
在图5C等中，将衬底11上设置有发光元件15的部分记作发光部25，其他部分记作非发光部26。
被加压的部分中粘合层17的厚度变得比其他部分的厚度薄(图5D)。或者，也可以说是在非发光部26中设置有与发光部25相比衬底11与衬底19之间的间隔窄的部分。
虽然图5C示出利用具有凸部的构件21b从衬底11一侧对非发光部26施压的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。
图6A示出利用具有凸部的构件21a、21b从衬底11一侧及衬底19一侧的双方对非发光部施压的例子。在该情况下，非发光部被加压的部分中的粘合层17的厚度也变得比其他部分的厚度薄(图6R)。构件21a、21b所具有的凸部无须隔着发光装置彼此重叠。
通过上述步骤，可以制造本发明的一个方式的发光装置。
[S2-7C：边对粘合层进行加热边对非发光部施压]
在制造方法2-C中，在工序S2-6B之后，边对粘合层17进行加热边利用具有凸部的构件21b对非发光部26的至少一部分施压(图5E)。
在图5E中，将绝缘层13上设置有发光元件15的部分记作发光部25，其他部分记作非发光部26。
图5E示出只有绝缘层13位于粘合层17与具有凸部的构件21b之间的例子。与隔着衬底11等对粘合层17施压的工序S2-8B等相比，可以更直接地对粘合层17施压。因此，在该工序中，可以更准确地使粘合层17的厚度比其他部分薄。
[S2-8C：贴合衬底]
接着，使用粘合层12对绝缘层13贴合衬底11。例如，通过切割发光装置端部等工序，可以制造图5F所示的发光装置。
被加压的部分中粘合层17的厚度变得比其他部分的厚度薄(图5F)。或者，也可以说是在非发光部中设置有与发光部相比衬底11与衬底19之间的间隔窄的部分。
在制造方法2-C中，在使粘合层17变形之后贴合衬底11，所以衬底11的物理性质(线膨胀系数等)及粘合层12的物理性质(玻璃转化温度等)不受发光装置变形的工序的条件(温度及压力等)限制。
虽然图5E示出利用具有凸部的构件21b从绝缘层13一侧对非发光部26施压的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。
图6C示出利用具有凸部的构件21a、21b从绝缘层13一侧及衬底19一侧的双方对非发光部施压的例子。在该情况下，在非发光部被加压的部分中的粘合层17的厚度也变得比其他部分的厚度薄(图6D)。构件21a、21b所具有的凸部优选具有隔着发光装置彼此重叠的部分。尤其是，当具有构件21a、21b的凸部隔着发光装置至少部分重叠时，可以在非发光部中形成与发光部的厚度相比厚度极薄的部分。
通过上述步骤，可以制造本发明的一个方式的发光装置。
<制造方法3>
图7示出发光装置的制造方法3的流程图。
[S3-1：在第一形成用衬底上形成第一剥离层]
首先，在形成用衬底31上形成剥离层32。
[S3-2：在第一剥离层上形成第一被剥离层]
接着，在剥离层32上形成被剥离层。图8A示出形成剥离层32上的绝缘层13及绝缘层13上的发光元件15作为被剥离层的例子。
[S3-3：在第二形成用衬底上形成第二剥离层]
首先，在形成用衬底51上形成剥离层52。形成用衬底51可以使用能够用于形成用衬底31的各种材料。剥离层52可以使用能够用于剥离层32的各种材料。
[S3-4：在第二剥离层上形成第二被剥离层]
接着，在剥离层52上形成被剥离层。图8B示出形成剥离层52上的绝缘层53及绝缘层53上的着色层55作为被剥离层的例子。
作为剥离层52上的被剥离层，不局限于着色层55，也可以形成遮光层或触摸传感器等作为被剥离层。
对工序S3-1与工序S3-3的顺序没有特别的限制。先进行哪个工序都可以，也可以同时进行两个工序。工序S3-2与工序S3-4的顺序也同样。
[S3-5：形成粘合层]
接着，将粘合层17形成于形成用衬底31上或形成用衬底51上。
在下一工序S3-6中，优选在重叠形成用衬底31与形成用衬底51时以与剥离层32、剥离层52、绝缘层13及绝缘层53重叠的方式形成粘合层17。由此，可以分别提高形成用衬底31及形成用衬底51的剥离良率。
在本实施方式中示出形成粘合层17、分隔壁18a及临时密封层18b的例子(参照示出下一工序的图8C的截面图)。
[S3-6：将一对衬底重叠]
接着，将形成用衬底31与形成用衬底51重叠以使发光元件15位于由粘合层17、形成用衬底31及形成用衬底51围绕的空间中(图8C)。
虽然在图8C中示出剥离层32与剥离层52的大小相同的例子，但是这两个剥离层的大小也可以不同。
并且，粘合层17的端部优选位于剥离层32或剥离层52中至少一方的端部的内侧，具体而言，优选位于打算先剥离的形成用衬底一侧的剥离层的端部的内侧。由此，能够抑制形成用衬底31与形成用衬底51过紧地粘合在一起，从而能够抑制后面的剥离工序中的良率下降。图8C示出粘合层17的端部位于剥离层32及剥离层52的双方的端部的内侧的例子。
[S3-7固化粘合层]
接着，使粘合层17固化。再者，也可以使分隔壁18a及临时密封层18b中的至少一方固化。
可以在工序S3-7之后的任一时序进行边加热粘合层17边对非发光部施压的工序。注意，时序可能影响剥离工序的良率及粘合层17的易变形度等。因此，优选在工序S3-7之后进行工序S3-8。
[S3-8：剥离第一形成用衬底]
接着，使形成用衬底31与绝缘层13分离。剥离方法的详细内容可以参照工序S2-7A。通过该工序，绝缘层13露出。
由于在使发光装置变形之前进行了形成用衬底31的剥离，由此可以抑制由于发光装置的变形引起的剥离的良率下降。
在后面的工序中有制造方法3-A、3-B、3-C、3-D这四种方法。
首先，图7示出制造方法3-A、3-B的流程图。制造方法3-A、3-B是在剥离形成用衬底51之前使发光装置变形的例子。制造方法3-A是在贴合衬底11之后使发光装置变形的例子。制造方法3-B是在贴合衬底11之前使发光装置变形的例子。
[S3-9A：贴合第一衬底]
接着，在制造方法3-A中使用粘合层12对绝缘层13贴合衬底11。这里，也可以形成围绕粘合层12的分隔壁18c以及位于分隔壁18c的外侧的框状的临时密封层18d(参照示出下一工序的图8D的截面图)。
[S3-10A：边对粘合层进行加热边对非发光部施压]
接着，边对粘合层17进行加热边利用具有凸部的构件21b对非发光部26的至少一部分施压(图8D)。
在图8D中，将绝缘层13上设置有发光元件15的部分记作发光部25，其他部分记作非发光部26。
被加压的部分中粘合层17的厚度变得比其他部分的厚度薄(图8D)。或者，也可以说是在非发光部26中设置有与发光部25相比衬底11与形成用衬底51之间的间隔窄的部分。
[S3-11A：剥离第二形成用衬底]
接着，使形成用衬底51与绝缘层53分离。剥离方法的详细内容可以参照工序S2-7A。通过该工序，绝缘层53露出。
[S3-12A：贴合第二衬底]
接着，使用粘合层16对绝缘层53贴合衬底19。例如，通过切割发光装置端部等工序，可以制造图8E所示的发光装置。
通过上述步骤，可以制造本发明的一个方式的发光装置。
[S3-9B：边对粘合层进行加热边对非发光部施压]
在制造方法3-B中，在工序S3-8之后边对粘合层17进行加热边利用具有凸部的构件21b对非发光部26的至少一部分施压(图9A)。
在图9A中，将绝缘层13上设置有发光元件15的部分记作发光部25，其他部分记作非发光部26。
图9A示出只有绝缘层13位于粘合层17与具有凸部的构件21b之间的例子。与隔着衬底11等对粘合层17施压的工序S3-10A等相比，可以更直接地对粘合层17施压。因此，在该工序中，可以更准确地使粘合层17的厚度比其他部分薄。
[S3-10B：贴合第一衬底]
接着，利用粘合层12对绝缘层13贴合衬底11(图9B)。如图9R所示，也可以形成围绕粘合层12的分隔壁18c以及位于分隔壁18c的外侧的框状的临时密封层18d。
[S3-11A：剥离第二形成用衬底]
接着，使形成用衬底51与绝缘层53分离。剥离方法的详细内容可以参照工序S2-7A。通过该工序，绝缘层53露出。
[S3-12A：贴合第二衬底]
接着，使用粘合层16对绝缘层53贴合衬底19。例如，通过切割发光装置端部等工序，可以制造图9C所示的发光装置。
通过上述步骤，可以制造本发明的一个方式的发光装置。
另外，为了降低粘合层17的厚度的最小值，可以对发光装置设置图9D及图9E所示的间隔物59。间隔物59设置在非发光部中。间隔物59可以设置在绝缘层53上(参照图9D参照)、绝缘层13上(图9E参照)或绝缘层53及绝缘层13的双方上。优选利用具有凸部的构件被施压的部分与间隔物59重叠。由此，可以使粘合层17的厚度的最小值变得极小。
优选至少间隔物59的表面使用无机材料形成。例如，可以使用无机材料形成整个间隔物59。如图9E所示，间隔物59优选具有如下叠层结构：厚有机膜及覆盖该有机膜的顶面及侧面的无机膜的叠层结构。与使用无机材料形成整个间隔物59的情况相比，通过作为间隔物59的一部分采用有机材料，更易于增加间隔物59的高度(厚度)。另外，可以缩短制造间隔物59所需的时间。间隔物59优选具有绝缘性。
接着，图10A示出制造方法3-C、3-D的流程图。制造方法3-C、3-D是在剥离形成用衬底31及形成用衬底51的双方之后使发光装置变形的例子。制造方法3-C是在贴合衬底19之后使发光装置变形的例子。制造方法3-D是在贴合衬底19之前使发光装置变形的例子。
[S3-10C：剥离第二形成用衬底]
在制造方法3-C和制造方法3-D中，都在工序S3-9A中贴合衬底11之后使形成用衬底51与绝缘层53分离。剥离方法的详细内容可以参照工序S2-7A。通过该工序，绝缘层53露出。
由于在使发光装置变形之前不仅进行了衬底31的剥离还进行了形成用衬底51的剥离，因此可以抑制各剥离工序中因发光装置的变形引起的良率的降低。
另外，图10B示出在工序S3-9A中不采用分隔壁18a及临时密封层18b而仅以粘合层12贴合衬底11的例子。发光装置的端部具有如下部分：没有隔着剥离层52而通过粘合层12使衬底11与形成用衬底51贴合的部分。在该情况下，优选利用刀具等在衬底11形成切口以形成框状的剥离起点。通过在衬底11至绝缘层53中形成切口，可以形成剥离起点。例如，优选从图10B所示的箭头部分开始切入。
[S3-11C：贴合第二衬底]
在制造方法3-C中，接着，使用粘合层16对绝缘层53贴合衬底19。
[S3-12C：边对粘合层进行加热边对非发光部施压]
接着，边对粘合层17进行加热边利用具有凸部的构件21a对非发光部26的至少一部分施压(图11A)。
在图11A中，将绝缘层13上设置有发光元件15的部分记作发光部25，其他部分记作非发光部26。
被加压的部分中粘合层17的厚度变得比其他部分的厚度薄(图11B)。或者，也可以说是在非发光部26中设置有与发光部25相比衬底11与衬底19之间的间隔窄的部分。
通过上述步骤，可以制造本发明的一个方式的发光装置。
[S3-11D：边对粘合层进行加热边对非发光部施压]
在制造方法3-D中，在工序S3-10C之后边对粘合层17进行加热边利用具有凸部的构件21a对非发光部26的至少一部分施压(图11C)。
在图11C中，将绝缘层13上设置有发光元件15的部分记作发光部25，其他部分记作非发光部26。
图11C示出只有绝缘层53位于粘合层17与具有凸部的构件21a之间的例子。与隔着衬底19等对粘合层17施压的工序S3-12C等相比，可以更直接地对粘合层17施压。因此，在该工序中，可以更准确地使粘合层17的厚度比其他部分薄。
[S3-12D：贴合第二衬底]
接着，使用粘合层16对绝缘层53贴合衬底19(图11D)。
通过上述步骤，可以制造本发明的一个方式的发光装置。
<发光装置的俯视图的例子>
在本发明的一个方式的发光装置中，在非发光部的至少一部分中形成有厚度薄的区域。图12A至图12H示出包括一对衬底(柔性衬底251及柔性衬底259)的发光装置。发光装置连接有FPC808。FPC808与柔性衬底251上的外部连接电极(未图示)电连接。
图12A示出沿着发光装置的四个边形成有框状的厚度薄的区域258的例子。在发光部804及驱动电路部806的外侧设置有厚度薄的区域258。
图12B示出沿着发光装置的三个边形成有厚度薄的区域258的例子。在图12B中，非发光部中设置有驱动电路部806及外部连接电极的部分(图12B中的发光装置的右边一侧)不具有厚度薄的区域258。发光部804的与驱动电路部806邻接的边到发光装置的端部的最短距离比发光部804的其他边到发光装置的其他的端部的最短距离长，因此，在设置有驱动电路部806的发光装置一侧，杂质不容易到达发光元件等。此时，非发光部也可以不具有比发光部的厚度薄的部分。由此，可以抑制构成驱动电路部806的元件因弯曲而劣化。另外，可以确实地使外部连接电极与FPC808导通。另外，通过在形成凹部时进行加压，可以抑制构成驱动电路部806的元件受损。
另外，在对元件的可靠性没有负面影响的情况下，也可以在与驱动电路部806重叠的位置形成凹部。例如，柔性衬底259可以在与扫描线驱动电路或信号线驱动电路重叠的部分中包括凹部。另外，柔性衬底259可以在与发光元件的电极(阳极或阴极)和布线的接触部重叠的部分中包括凹部。此外，只要不对显示品质造成影响，就可以将厚度薄的区域形成在发光部中。例如，可以以与伪像素或滤色片的端部重叠的方式形成厚度薄的区域。
图12C示出沿着发光装置的两个边形成有厚度薄的区域258的例子。
图12D示出沿着发光装置的一个边形成有厚度薄的区域258的例子。
图12E示出沿着发光装置的四个边形成框状的厚度薄的区域258的例子。图12E所示的例子与图12A所示的例子的不同之处在于：图12E所示的例子在发光部804与驱动电路部806之间设置有厚度薄的区域258。
图12F示出沿着发光装置的四个边形成框状的厚度薄的区域258的例子。图12F所示的例子与图12A所示的例子的不同之处在于：在图12F所示的例子中，间隔地设置有多个厚度薄的区域258。
图12G和图12H都是发光部804具有圆形的顶面形状的发光装置的例子。发光部804的顶面形状不局限于多角形，也可以为圆形或椭圆形等各种形状。
另外，发光装置的顶面形状不局限于多角形，也可以为圆形或椭圆形等各种形状。图12G和图12H的发光装置的顶面形状具有曲线部分和直线部分的双方。
另外，厚度薄的区域258的顶面形状可以为多角形、圆形或椭圆形等各种形状。在图12G中，厚度薄的区域258包括曲线部分及直线部分。图12H中的厚度薄的区域258具有圆形形状。
<利用热压机的加压方法的例子>
对工序S1-5等中进行的发光装置的加压方法进行说明。
图13A和图13B示出具有上板2000a及下板2000b的热压机。热压机包括热源，而可以加热上板2000a和下板2000b中的一个或两个。
首先，在热压机的上板2000a与下板2000b之间配置发光装置10、夹具、缓冲材料等。
说明图13A的结构。在下板2000b上隔着缓冲材料2005b配置有衬底2100。衬底2100是压力夹具(press jig)的例子。衬底2100上配置有发光装置10(参照图1D)。发光装置10上配置有具有凸部的构件21a。凸部与衬底19接触。凸部与发光装置10的非发光部重叠。具有凸部的构件21a是压力夹具的例子。具有凸部的构件21a与上板2000a之间配置有缓冲材料2005a。
如图13B所示，可以在具有凸部的构件21a与发光装置10之间配置缓冲材料2005c。或者，如图13B所示，可以在衬底2100与发光装置10之间配置缓冲材料2005d。通过配置缓冲材料，发光装置10被局部施压，由此可以抑制发光装置10破损。此外，也可以不设置缓冲材料而对发光装置10进行局部性地按压来在粘合层17中形成厚度极薄的部分。根据发光装置10的结构及按压条件(负荷或时间等)决定是否使用缓冲材料。
热压机优选具有对准机构。由此，可以在发光装置10的所希望的位置形成凹部。另外，热压机优选具有吸附机构等用来固定发光装置10的机构。由此，可以固定发光装置10相对于凹部的位置。
构件21a和凸部可以使用能够承受被施加的压力的材料。具有凸部的构件21a可以使用具有凸部的模具。作为模具可以适用可用于衬底的材料。例如，作为模具可以使用树脂、玻璃、金属或合金等。另外，可以在衬底上使用树脂等有机材料或金属等无机材料形成凸部。对于凸部的形成方法没有限制，例如也可以使用溅射法、CVD法、涂敷法、印刷法、液滴喷射法、分配法等。另外，也可以在衬底上配置粘合剂并使其固化来形成凸部。
图14A至图14F分别示出具有凸部的构件21的顶面形状的例子。
如图14A、图14B、图14D、图14E和图14F所示，可以以框状形成凸部22。凸部22可以不位于构件21的边缘部(图14A)。或者，凸部22也可以延伸到构件21的边缘部(图14B)。或者，也可以沿着具有凸部的构件21的四个边中的三个边形成凸部22(图14C)。或者，也可以沿着构件21的两个边或一个边形成凸部22。另外，凸部22可以不与构件21的任一边平行。凸部22的个数可以为单个或多个。图14D示出在四个边上设置有对应的凸部22的例子。图14E示出沿着四个边间隔地设置有多个凸部22的例子。图14F示出具有框状的凸部22a及位于凸部22a内侧的框状的凸部22b这两个凸部的构件21。
接着，在图13A或图13B所示的状态下轻微地对发光装置10施压来固定发光装置10。
然后，利用热源对发光装置10进行加热。例如，将热源的温度设定为80℃以上且100℃以下。
接着，对发光装置10进行加压。边利用热源进行加热边利用具有凸部的构件21a对发光装置10进行加压。
对进行加压时的负荷没有特别的限制。例如，可以将负荷设定为0.5t以上、0.8t以上或1.0t以上且1.5t以下、2.0t以下或3.0t以下。对加热温度没有特别的限制，可以根据粘合层17及发光元件15所使用的材料的玻璃转化温度等而决定。例如，可以将加热温度设定为80℃以上、90℃以上或100℃以上且120℃以下、150℃以下或200℃以下。对边对发光装置10进行加热边进行加压的时间没有特别的限定。
形成在发光装置10的衬底19中的凹部的宽度W2比凸部的宽度W1大(图14G)。例如，宽度W2比宽度W1大且为宽度W1的1.5倍以下、2倍以下或3倍以下。宽度W2也可以大于宽度W1的3倍。此外，形成在发光装置10的衬底19中的凹部的深度为凸部的高度d以下。此外，例如，可以将宽度W2设定为凹部的深度以上、凹部的深度的5倍以上或10倍以上且20倍以下、50倍以下或100倍以下。
例如，凹部的深度可以为0.01mm以上、0.05mm以上或0.1mm以上且2mm以下、1mm以下或0.5mm以下。此外，宽度W2可以为0.1mm以上、1mm以上或1cm以上且10cm以下、5em以下或3em以下。此外，宽度W2优选为大于非发光部的宽度的0倍且为非发光部的宽度以下，也可以为非发光部的宽度的0.2倍以上且0.8倍以下或非发光部的宽度的0.4倍以上且0.6倍以下。另外，宽度W2为不局限于凹部的宽度，也可以为其厚度比发光部的厚度薄的区域的宽度。
在进行一定时间的加热及加压之后，边继续进行加压边进行冷却来使粘合层17固化。因此，优选热压机具有加热机构及冷却机构的双方。通过边加压边进行冷却，可以保持发光装置10的非发光部具有厚度薄的部分的状态。
如上所述，可以利用热压机在发光装置10的非发光部形成厚度薄的部分。
另外，当利用衬底11制造多个发光装置时，优选根据利用一个衬底可以得到的发光装置的个数或掩模的形状等决定具有凸部的构件的大小及凸部的形状等。
图15A所示的构件21具有两个框状的凸部22。两个框状的凸部22隔着一定间隔配置。
图15B示出使用衬底11制造两个发光装置10的例子。通过利用图15A所示的具有凸部的构件21，可以一次性地对通过在衬底11上形成发光元件15制造出的两个发光装置10进行加压。
如上所述，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，先使密封发光元件的粘合层固化，然后边加热边进行加压来使其变形。由此，可以使粘合层局部变形，从而可以提高发光装置的可靠性并抑制发光装置的视角特性降低及显示质量下降。
另外，在本发明的一个方式的制造方法中，在剥离用来形成发光元件等的形成用衬底之后进行粘合层的加压。由此，可以抑制因发光装置的变形造成的剥离工序的良率的下降。另外，在本发明的一个方式的制造方法中，在剥离形成用衬底之后且将其贴合于其它的衬底之前进行粘合层的加压。由此，与隔着衬底对粘合层进行加压的情况相比，可以更直接地对粘合层17施压。因此，可以更准确地使粘合层17的厚度比其它部分薄。
注意，本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式2
在本实施方式中，参照附图对本发明的一个方式的发光装置进行说明。
在本实施方式中虽然主要例示出使用EL元件的发光装置，但是本发明的一个方式不局限于此。本实施方式所示的各发光装置在非发光部中包括其厚度比发光部的厚度薄的区域，因此可靠性高。
在本实施方式中，发光装置例如可以采用如下结构：用R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)这三种颜色的子像素表示一个颜色的结构；用R、G、B、W(白色)这四种颜色的子像素表示一个颜色的结构；或者用R、G、B、Y(黄色)这四种颜色的子像素表示一个颜色的结构等。对颜色要素没有特别的限制，也可以使用RGBWY以外的颜色，例如可以使用青色(cyan)或品红色(magenta)等。
图16A示出发光装置的平面图，图16B示出沿着图16A中的点划线D1-D2间的截面图的例子。图16A和图16B所示的发光装置为采用滤色片方式的顶部发射型发光装置。
图16A所示的发光装置包括发光部804、驱动电路部806。可以将发光装置中的发光部804以外的区域都视为非发光部。发光装置与FPC808连接。沿着发光装置的三个边设置有凹部712。凹部712的厚度比发光装置的其它部分薄。
图16B所示的发光装置包括第一柔性衬底701、第一粘合层703、第一绝缘层705、第一功能层(多个晶体管、导电层857、绝缘层815、绝缘层817、多个发光元件、以及绝缘层821)、第三粘合层822、第二功能层(着色层845及遮光层847)、第二绝缘层715、第二粘合层713以及第二柔性衬底711。第三粘合层822、第二绝缘层715、第二粘合层713及第二柔性衬底711使可见光透过。发光部804及驱动电路部806所包括的发光元件及晶体管由第一柔性衬底701、第二柔性衬底711、以及第三粘合层822密封。
使用第一粘合层703将第一绝缘层705与第一柔性衬底701贴合。另外，此外，使用第二粘合层713将第二绝缘层715与第二柔性衬底711贴合。第一绝缘层705及第二绝缘层715优选采用防湿性高的膜。优选将发光元件830及晶体管等配置于一对防湿性高的绝缘层之间，由此可以抑制水分等杂质侵入上述元件，从而可以提高发光装置的可靠性。
在发光部804中，在第一柔性衬底701上隔着第一粘合层703及第一绝缘层705包括晶体管820及发光元件830。发光元件830包括绝缘层817上的下部电极831、下部电极831上的EL层833以及EL层833上的上部电极835。下部电极831与晶体管820的源电极或漏电极电连接。下部电极831的端部被绝缘层821覆盖。下部电极831优选反射可见光。上部电极835使可见光透过。
另外，发光部804包括与发光元件830重叠的着色层845及与绝缘层821重叠的遮光层847。在发光元件830与着色层845之间的空间填充有第三粘合层822。
绝缘层815具有抑制杂质扩散到构成晶体管的半导体的效果。另外，为了减少起因于晶体管的表面凹凸，作为绝缘层817优选选择具有平坦化功能的绝缘层。
图16B所示的发光装置可以利用实施方式1的制造方法3制造。作为一个被剥离层形成第一绝缘层705及第一功能层。作为另一个被剥离层形成第二绝缘层715及第二功能层。
优选如图16B所示地对发光装置的整个区域设置绝缘层817，由此可以提高剥离工序的良率。
另外，在作为绝缘层817使用有机材料的情况下，有绝缘层817的外部的水分等杂质通过绝缘层817侵入发光元件830等的担忧。因杂质的侵入而使晶体管或发光元件830劣化，由此导致发光装置的劣化。因此，如图17A等所示，优选通过在绝缘层817中设置到达无机膜(在此，绝缘层815)的开口，使发光装置具有即使水分等杂质从发光装置的外部侵入也不容易到达晶体管或发光元件830的结构。
在驱动电路部806中，在第一柔性衬底701上隔着第一粘合层703及第一绝缘层705包括多个晶体管。图16B示出驱动电路部806所包括的晶体管中的一个。
虽然图16B示出底栅型晶体管的例子，但是本发明的一个方式的发光装置的晶体管的结构不局限于此。
例如，本发明的一个方式的发光装置也可以使用图17B至图17D所示的晶体管848。
图17B示出晶体管848的俯视图。图17C是本发明的一个方式的发光装置的晶体管848的沟道长度方向的截面图。图17C所示的晶体管848的截面是沿着图17B中的点划线X1-X2的截面。图17D是本发明的一个方式的发光装置的晶体管848的沟道宽度方向的截面图。图17D所示的晶体管848的截面是沿着图17B中的点划线Y1-Y2的截面。
晶体管848是一种包括背栅电极的顶栅型晶体管。
在晶体管848中，在绝缘层772的凸部上设置有半导体层742。通过在绝缘层772的凸部上设置半导体层742，半导体层742的侧面也可以被栅极743覆盖。即，晶体管848具有能够由栅极743的电场电围绕半导体层742的结构。如此，将由导电层的电场电围绕形成有沟道的半导体层的晶体管结构称为surrounded channel(s-channel)结构。另外，也可以将具有s-channel结构的晶体管称为“s-channel型晶体管”或“s-channel晶体管”。
在s-channel结构中，也可以在半导体层742的整体(块体)形成沟道。在s-channel结构中可以使晶体管的漏电流增大，来可以得到更高的通态电流(on-state current)。此外，也可以由栅极743的电场使形成在半导体层742中的沟道形成区域的整个区域耗尽化。因此，s-channel结构可以进一步降低晶体管的关态电流。
背栅极723设置在绝缘层378上。
设置在绝缘层729上的导电层744a在设置在栅极绝缘层312、绝缘层728及绝缘层729上的开口747c中与半导体层742电连接。另外，设置在绝缘层729上的导电层744b在设置在栅极绝缘层312、绝缘层728及绝缘层729中的开口747d中与半导体层742电连接。
设置在栅极绝缘层312上的栅极743通过设置于栅极绝缘层312及绝缘层772中的开口747a及开口747b与背栅极723电连接。由此，栅极743和背栅极723被供应相同的电位。另外，也可以不设置开口747a或开口747b之一。另外，也可以不设置开口747a及开口747b的双方。当不设置开口747a及开口747b的双方时，可以对背栅极723和栅极743供应不同的电位。
另外，作为用于具有s-channel结构的晶体管的半导体，可以举出氧化物半导体或者多晶硅或从单晶硅衬底等转置的单晶硅等的硅。
使用第一粘合层703将第一绝缘层705与第一柔性衬底701贴合。另外，此外，使用第二粘合层713将第二绝缘层715与第二柔性衬底711贴合。优选第一绝缘层705和第二绝缘层715中的一方或双方采用防湿性高的膜，由此可以抑制水分等杂质侵入发光元件830等，从而可以提高发光装置的可靠性。
导电层857是外部链接电极的例子。导电层857与将来自外部的信号及电位传达给驱动电路部806的外部输入端子电连接。此处，描述了其中设置了FPC808作为外部输入端子的示例。为了防止工序数的增加，导电层857优选以与用于发光部或驱动电路部的电极或布线相同的材料、相同的工序制造。在此，示出使用与构成晶体管820的电极相同的材料、相同的工序制造导电层857的例子。
在图16B所示的发光装置中，FPC808位于第二柔性衬底711上。连接体825通过设置于第二柔性衬底711、第二粘合层713、第二绝缘层715、第三粘合层822、绝缘层817及绝缘层815中的开口与导电层857连接。另外，连接体825还连接于FPC808。导电层857与FPC808通过连接体825电连接。当导电层857与第二柔性衬底711重叠时，通过在第二柔性衬底711中形成开口(或者使用具有开口部的衬底)，可以使导电层857、连接体825及FPC808电连接。
当采用实施方式1所示的制造方法3-C时，优选在第二柔性衬底711等中形成开口而使导电层857露出之后再进行工序S3-12C(对非发光部施压的工序)。由此，可以抑制因发光装置的变形导致使导电层857露出的工序的良率的下降。
图18A、图18B及图19A示出图16A和图16B所示的发光装置的变形实例。图18A示出发光装置的平面图，图18B示出沿着图18A中的点划线D3-D4的截面图的例子。图19A示出沿着图18A中的点划线D5-D6的截面图的例子。
图18A和18B所示的发光装置是第一柔性衬底701与第二柔性衬底711大小不同的例子。FPC808位于第二绝缘层715上，不重叠于第二柔性衬底711。连接体825通过设置在第二绝缘层715、第三粘合层822、绝缘层817、以及绝缘层815中的开口与导电层857连接。因为不需要在第二柔性衬底711中设置开口，所以对第二柔性衬底711的材料没有限制。
当采用实施方式1所示的制造方法3-C或3-D时，优选在第二绝缘层715等中形成开口而使导电层857露出之后再进行对非发光部施压的工序。由此，可以抑制因发光装置的变形导致使导电层857露出的工序的良率的下降。
图16B、图17B、图18B及图19A所示的发光装置的非发光部中设置有凹部712。在凹部712中，第二柔性衬底711、第二粘合层713及第二绝缘层715中设置有凹部。再者，在图18B及图19A所示的发光装置的凹部712中，第一柔性衬底701、第一粘合层703及第一绝缘层705中也设置有凹部。如此，通过在非发光部中形成其厚度比发光部的厚度薄的部分，能够抑制杂质从发光装置的侧面侵入。
另外，使用气体阻挡性或防潮性低的有机树脂形成的绝缘层优选不露出到发光装置的端部。通过采用这种结构，能够抑制杂质从发光装置的侧面侵入。例如可以采用如图18B及图19A所示在发光装置的端部不设置绝缘层817的结构。
另外，图19B示出发光元件830的变形例子。
另外，如图19B所示，发光元件830也可以在下部电极831与EL层833之间包括光学调整层832。作为光学调整层832优选使用具有透光性的导电性材料。由于滤色片(着色层)与微腔结构(光学调整层)的组合，所以能够从本发明的一个方式的发光装置提取色纯度高的光。使光学调整层的厚度根据各子像素的发光颜色变化。
图20A、图20B及图21A和图21B示出图16B所示的发光装置的变形实例。
图20A和图20B及图21A和图21B所示的各发光装置与图16B所示的发光装置的不同之处在于非发光部中设置有间隔物810。
间隔物810优选位于凹部712。由此，可以使粘合层822的厚度的最小值更小。
优选间隔物810的表面为绝缘膜。由此，水分等杂质不容易穿过间隔物810，而使该杂质不容易到达发光元件830，从而可以抑制发光装置劣化。
图20A所示的发光装置中的间隔物810具有如下结构：绝缘层817上的绝缘层811与绝缘层811上的无机绝缘层813彼此层叠。绝缘层811可以与绝缘层821利用同一材料及同一工序形成。无机绝缘层813覆盖绝缘层811的顶面及侧面。
图20B所示的发光装置中的间隔物810具有如下结构：第二绝缘层715与粘合层822之间的绝缘层811及绝缘层811与粘合层822之间的无机绝缘层813彼此层叠。无机绝缘层813覆盖绝缘层811的顶面及侧面。
可以将间隔物810设置在第一柔性衬底701一侧或第二柔性衬底711一侧，也可以将其分别设置于第一柔性衬底701一侧及第二柔性衬底711一侧。
图21A所示的发光装置中的间隔物810具有如下结构：绝缘层817上的绝缘层811、绝缘层811上的绝缘层812、绝缘层812上的无机绝缘层813彼此层叠。绝缘层811可以与绝缘层821利用同一材料及同一工序形成。无机绝缘层813覆盖绝缘层812的顶面及侧面以及绝缘层811的顶面及侧面。
图21B所示的发光装置中的间隔物810在绝缘层817上由单层构成。间隔物810由无机绝缘材料形成。
另外，图22A和图22B分别示出发光部804与凹部712的变形实例。
图22A和图22B所示的发光装置包括绝缘层817a及绝缘层817b，在绝缘层817a上包括导电层856。晶体管820的源电极或漏电极与发光元件830的下部电极隔着导电层856电连接。
图22A和图22B所示的发光装置在发光部804中的绝缘层821上具有间隔物823。通过设置间隔物823，可以调节第一柔性衬底701与第二柔性衬底711之间的间隔。
图22A和图22B所示的发光装置包括覆盖着色层845及遮光层847的保护层849。在发光元件830与保护层849之间的空间填充有粘合层822。
发光装置优选在凹部712中具有间隔物810。由此，可以使粘合层822的厚度的最小值更小。
图22A所示的发光装置中的间隔物810具有如下结构：绝缘层817b上的绝缘层811、绝缘层811上的绝缘层812、绝缘层812上的无机绝缘层813彼此层叠。绝缘层811可以与绝缘层821利用同一材料及同一工序形成。绝缘层812可以与位于发光部804的间隔物823利用同一材料及同一工序形成。无机绝缘层813覆盖绝缘层812的顶面及侧面以及绝缘层811的顶面及侧面。
图22B所示的发光装置与图22A所示的发光装置的不同之处在于无机绝缘层813覆盖绝缘层817a的端部及绝缘层817b的端部。当作为绝缘层817a及绝缘层817b使用有机绝缘层时，优选使用无机绝缘层813覆盖上述绝缘层817a及绝缘层817b的端部。由此，可以抑制水分等杂质侵入绝缘层817a或绝缘层817b并可以抑制上述杂质达到发光元件830。
本发明的一个方式的发光装置可以采用图23A所示的使用滤色片方式的底部发射型的发光装置。
图23A所示的发光装置包括第一柔性衬底701、第一粘合层703、第一绝缘层705、第一功能层(多个晶体管、绝缘层815、着色层845、绝缘层817a、绝缘层817b、导电层856、多个发光元件及绝缘层821)、第二粘合层713以及第二柔性衬底711。第一柔性衬底701、第一粘合层703、第一绝缘层705、绝缘层815、绝缘层817a以及绝缘层817b使可见光透过。
在发光部804中，在第一柔性衬底701上隔着第一粘合层703及第一绝缘层705形成有晶体管820、晶体管824以及发光元件830。发光元件830包括绝缘层817b上的下部电极831、下部电极831上的EL层833以及EL层833上的上部电极835。下部电极831与晶体管820的源电极或漏电极电连接。下部电极831的端部由绝缘层821覆盖。上部电极835优选反射可见光。下部电极831使可见光透过。对设置与发光元件830重叠的着色层845的位置没有特别的限制，例如可以设置在绝缘层817a与绝缘层817b之间或绝缘层815与绝缘层817a之间等。
使用第一粘合层703将第一绝缘层705与第一柔性衬底701贴合在一起。当作为第一绝缘层705使用防潮性高的膜时，由于能够抑制水等杂质侵入发光元件830等，从而可以提高发光装置的可靠性，所以是优选的。
图23A所示的发光装置可以利用实施方式1的制造方法2制造。作为被剥离层形成第一绝缘层705及第一功能层。
本发明的一个方式的发光装置可以采用图23B所示的使用分别涂布方式的顶部发射型的发光装置。
图23B所示的发光装置包括第一柔性衬底701、第一粘合层703、第一绝缘层705、第一功能层(多个晶体管、绝缘层815、绝缘层817、多个发光元件、绝缘层821及间隔物823)、第二粘合层713以及第二柔性衬底711。第二粘合层713及第二柔性衬底711使可见光透过。
图23B所示的发光装置可以利用实施方式1的制造方法2制造。作为被剥离层形成第一绝缘层705及第一功能层。
另外，图23C所示的发光装置包括第一柔性衬底701、第一粘合层703、第一绝缘层705、第一功能层(导电层814、导电层857a、导电层857b、发光元件830、以及绝缘层821)、第二粘合层713、以及第二柔性衬底711。
图23C所示的发光装置可以利用实施方式1的制造方法2制造。作为被剥离层形成第一绝缘层705及第一功能层。
导电层857a及导电层857b是发光装置的外部连接电极，并且可以与FPC等电连接。
发光元件830包括下部电极831、EL层833以及上部电极835。下部电极831的端部由绝缘层821覆盖。发光元件830可以采用底部发射结构、顶部发射结构或双发射结构。提取光一侧的电极、衬底、绝缘层等分别透射可见光。导电层814与下部电极831电连接。
提取光一侧的衬底作为光提取结构可以具有半球透镜、微透镜阵列、具有凹凸结构的薄膜或光扩散薄膜等。例如，通过使用具有与该衬底、该透镜或该薄膜相同程度的折射率的粘合剂等将上述透镜或上述薄膜粘合在树脂衬底上，可以形成具有光提取结构的衬底。
虽然导电层814不一定必须设置，但因为导电层814可以抑制起因于下部电极831的电阻的电压下降，所以优选设置。另外，出于同样的目的，也可以在绝缘层821、EL层833或上部电极835上等设置与上部电极835电连接的导电层。
导电层814可以通过使用选自铜、钛、钽、钨、钼、铬、钕、钪、镍和铝中的材料或以这些材料为主要成分的合金材料等，以单层或叠层形成。导电层814的厚度例如可以为0.1μm以上且3μm以下，优选为0.1μm以上且0.5μm以下。
<材料的例子>
接下来，说明可用于发光装置的材料等。注意，有时省略说明本说明书中的前面已说明的构成要素。
对发光装置所具有的品体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管。此外，还可以采用顶栅型或底栅型的晶体管结构。另外，也可以在沟道的上下设置栅电极。
对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体或结晶半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用结晶半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
另外，对用于晶体管的半导体材料没有特别的限定，例如可以将第14族元素、化合物半导体或氧化物半导体用于半导体层。典型的是，可以使用包含硅的半导体、包含砷化镓的半导体或包含铟的氧化物半导体等。
尤其优选将氧化物半导体用于晶体管的形成有沟道的半导体。尤其是，优选使用其带隙比硅大的氧化物半导体。通过作为包含在半导体层中的半导体使用与硅相比带隙宽且载流子密度小的半导体材料，可以降低晶体管的关闭状态(off-state)时的电流，所以是优选的。
例如，上述氧化物半导体优选至少包含铟(In)或锌(Zn)。更优选的是，上述氧化物半导体包含表示为In-M-Zn氧化物(M是Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce、Hf或Nd等金属)的氧化物。
作为用于晶体管的半导体材料，优选使用CAAC-OS(C Axis Aligned CrystallineOxide Semiconductor：c轴取向结晶氧化物半导体)。CAAC-OS与非晶不同，缺陷能级密度低，从而能够提高晶体管的可靠性。另外，因为CAAC-OS具有观察不到晶界的特征，所以能够大面积地形成稳定且均匀的膜，并且CAAC-OS膜不容易因在使柔性发光装置弯曲时产生的应力而产生裂缝。
CAAC-OS是结晶的c轴在大致垂直于膜面的方向上取向的结晶氧化物半导体。还确认到氧化物半导体具有单晶结构之外的各种结晶结构诸如纳米尺寸的微晶集合体的纳米晶(nc：nanocrystal)结构等。CAAC-OS的结晶性低于单晶结构而高于nc结构。
另外，CAAC-OS具有c轴取向性，其多个颗粒(纳米晶)在a-b面方向上连结而结晶结构具有畸变。因此，也可以将CAAC-OS称为具有CAA crystal(c-axis-aligned a-b-plane-anchored crystal)的氧化物半导体。
发光装置中的绝缘层可以使用有机绝缘材料或无机绝缘材料。作为有机树脂，例如可以举出丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、聚硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂及酚醛树脂等。作为无机绝缘膜，可以举出氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜及氧化钕膜等。
作为发光装置中的各导电层，例如可以采用铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽或钨等的金属或者以这些元素为主要成分的合金的单层结构或叠层结构。另外，导电层也可以使用铟锡氧化物、包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物、包含氧化钛的铟锡氧化物、铟锌氧化物、添加有氧化硅的铟锡氧化物等具有透光性的导电材料。另外，还可以使用通过使其含有杂质元素等而被低电阻化的多晶硅或氧化物半导体等的半导体或者镍硅化物等硅化物。
本发明的一个方式的发光装置可以采用顶部发射结构、底部发射结构或双面发射结构。
当对下部电极831与上部电极835之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，空穴从阳极一侧注入到EL层833中，而电子从阴极一侧注入到EL层833中。被注入的电子和空穴在EL层833中复合，由此，包含在EL层833中的发光物质发光。
作为提取光一侧的电极使用使可见光透过的导电层。另外，作为不提取光一侧的电极优选使用反射可见光的导电层。
作为使可见光透过的导电层，例如可以使用氧化铟、铟锡氧化物(ITO：Indium TinOxide)、铟锌氧化物、氧化锌(ZnO)、添加有镓的氧化锌等形成。另外，也可以通过将金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料、包含这些金属材料的合金或这些金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等形成得薄到其具有透光性来使用。此外，可以将上述材料的叠层膜用作导电层。例如，当使用银和镁的合金与ITO的叠层膜等时，可以提高导电性，所以是优选的。另外，也可以使用石墨烯等。
作为反射可见光的导电层，例如可以使用铝、金、铂、银、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等金属材料或包含这些金属材料的合金。另外，也可以在上述金属材料或合金中添加有镧、钕或锗等。此外，反射可见光的导电膜可以使用铝和钛的合金、铝和镍的合金、铝和钕的合金、铝、镍和镧的合金(Al-Ni-La)等包含铝的合金(铝合金)、银和铜的合金、银、钯和铜的合金(Ag-Pd-Cu，也记载为APC)或者银和镁的合金等包含银的合金来形成。包含银和铜的合金具有高耐热性，所以是优选的。并且，通过以与铝合金膜接触的方式层叠金属膜或金属氧化物膜，可以抑制铝合金膜的氧化。作为该金属膜、该金属氧化膜的材料，可以举出钛、氧化钛等。另外，也可以层叠上述使可见光透过的导电层与由金属材料构成的膜。例如，可以使用银与ITO的叠层膜、银和镁的合金与ITO的叠层膜等。
各电极可以通过利用蒸镀法或溅射法形成。除此之外，也可以通过利用喷墨法等喷出法、丝网印刷法等印刷法、或者镀法形成。
EL层至少具有发光层。EL层833也可以具有多个发光层。作为发光层以外的层，EL层833还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质或双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。
作为EL层833可以使用低分子化合物或高分子化合物，还可以包含无机化合物。构成EL层833的层分别通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等的方法形成。
发光元件也可以包含两种以上的发光物质。由此，例如能够实现发射白色光的发光元件。例如通过以两个以上的发光物质发射补色的发光的方式选择发光物质，可以获得白色发光。例如，可以使用发射红色(R)光、绿色(G)光、蓝色(B)光、黄色(Y)光或橙色(O)光等的发光物质或发射包含红色光、绿色光及蓝色光之中两种以上的光谱成分的光的发光物质。例如，也可以使用发射蓝色光的发光物质及发射黄色光的发光物质。此时，发射黄色光的发光物质的发光光谱优选包含绿色光及红色光的光谱成分。发光元件的发光光谱优选在可见区域(例如为350nm以上且750nm以下，或400nm以上且800nm以下等)的波长范围内具有两个以上的峰值。
此外，发光元件也可以是包括一个EL层的单元件，又可以是包括隔着电荷产生层层叠的多个EL层的串联元件。
另外，在本发明的一个方式中，也可以采用使用了量子点等无机化合物的发光元件。作为量子点材料，可以举出胶状量子点材料、合金型量子点材料、核壳(Core Shell)型量子点材料、核型量子点材料等。例如，也可以包含镉(Cd)、硒(Se)、锌(Zn)、硫(S)、磷(P)、铟(In)、碲(Te)、铅(Pb)、镓(Ga)、砷(As)、铝(Al)等元素。
作为绝缘层815，例如可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等无机绝缘膜。另外，作为绝缘层817、绝缘层817a以及绝缘层817b，例如分别可以使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯类树脂等有机材料。还可以使用低介电常数材料(low-k材料)等。此外，也可以层叠多个绝缘膜来形成各绝缘层。
绝缘层821使用有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。作为树脂，例如，可以使用聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、环氧树脂或酚醛树脂等。尤其是，优选使用感光性的树脂材料形成绝缘层821以在下部电极831上具有开口部且将绝缘层821的侧壁形成为具有曲率的倾斜面。
对绝缘层821的形成方法没有特别的限制，但可以利用光刻法、溅射法、蒸镀法、液滴喷射法(喷墨法等)、印刷法(丝网印刷、胶版印刷等)等。
间隔物823可以使用无机绝缘材料、有机绝缘材料或金属材料等形成。例如，作为无机绝缘材料及有机绝缘材料，可以举出可用于上述绝缘层的各种材料。另外，作为金属材料，可以使用钛、铝等。当包含导电材料的间隔物823与上部电极835电连接时，能够抑制起因于上部电极835的电阻的电位下降。另外，间隔物823的形状可以为正锥形或反锥形。
着色层是使特定波长区域的光透射的有色层。例如，可以使用使红色波长范围的光、绿色波长范围的光、蓝色波长范围的光、黄色波长范围的光透过的滤色片等。作为可用于着色层的材料，可以举出金属材料、树脂材料、含有颜料或染料的树脂材料等。
另外，本发明的一个方式不局限于滤色片方式，也可以采用涂敷方式、颜色转换方法或量子点方式等。
遮光层设置在相邻的着色层之间。遮光层遮挡相邻的发光元件所发出的光，从而抑制相邻的发光元件之间的混色。这里，通过以其端部与遮光层重叠的方式设置着色层，可以抑制漏光。遮光层可以使用遮挡发光元件所发出的光的材料，例如可以使用金属材料以及包含颜料或染料的树脂材料等形成黑矩阵。另外，通过将遮光层设置于驱动电路部等发光部之外的区域中，可以抑制起因于波导光等的非意图的漏光，所以是优选的。
保护层可以防止包含在着色层中的杂质等扩散到发光元件。保护层由透过发光元件所发出的光的材料构成，例如可以使用氮化硅膜、氧化硅膜等无机绝缘膜或丙烯酸树脂膜、聚酰亚胺膜等有机绝缘膜，也可以采用有机绝缘膜与无机绝缘膜的叠层结构。
此外，当将粘合层的材料涂敷于着色层及遮光层上时，作为保护层的材料优选使用对粘合层的材料具有高润湿性的材料。例如，作为保护层，优选使用ITO膜等氧化物导电层或其厚度薄得足以具有透光性的Ag膜等金属膜。
通过作为保护层的材料使用对粘合层的材料具有高润湿性的材料，可以均匀地涂敷粘合层的材料。由此，可以防止当贴合一对衬底时混入气泡，从而可以防止显示缺陷。
作为连接体，可以使用各种各向异性导电膜(ACF：Anisotropic ConductiveFilm)及各向异性导电膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
另外，将本发明的一个方式的发光装置既可以用作显示装置，又可以用作照明装置。例如，也可以用作背光源或前光源等光源，即，用于显示面板的照明装置。
如本实施方式所示那样，本发明的一个方式的发光装置通过在非发光部中包括其厚度比发光部的厚度薄的区域，能够抑制来自发光装置侧面的杂质的侵入。因此，能够实现可靠性高的发光装置。
注意，本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式3
在本实施方式中，使用附图对本发明的一个方式的输入输出装置进行说明。另外，在输入输出装置的构成要素中，关于与实施方式2所说明的发光装置同样的构成要素，可以参照上面的记载。此外，虽然在本实施方式中例示出使用发光元件的输入输出装置，但是不局限于此。此外，在本实施方式中说明的输入输出装置也可以说是触摸屏。
因为本实施方式所示的各输入输出装置在非显示部中包括其厚度比显示部的厚度薄的区域，所以可靠性高。注意，在输入输出装置中，除了显示部(发光部)之外的部分都可以称为非显示部(非发光部)。因此，可以说在显示部301或显示部501的外侧框状地设置非显示部。例如，驱动电路是非发光部的一部分。
<结构例子1>
图24A是输入输出装置的俯视图。图24B为图24A中的点划线A-B间及点划线C-D间的截面图。图24C是图24A中的点划线E-F间的截面图。
图24A所示的输入输出装置390包括显示部301(兼作输入部)、扫描线驱动电路303g(1)、成像像素驱动电路303g(2)、图像信号线驱动电路303s(1)及成像信号线驱动电路303s(2)。
显示部301包括多个像素302及多个成像像素308。
像素302包括多个子像素。每个子像素包括发光元件及像素电路。
像素电路可以供应驱动发光元件的电力。像素电路与能够供应选择信号的布线电连接。此外，像素电路与能够供应图像信号的布线电连接。
扫描线驱动电路303g(1)能够对像素302供应选择信号。
图像信号线驱动电路303s(1)能够对像素302供应图像信号。
使用成像像素308能够构成触摸传感器。具体而言，成像像素308能够检测出接触于显示部301的手指等。
成像像素308包括光电转换元件及成像像素电路。
成像像素电路能够使光电转换元件驱动。成像像素电路与能够供应控制信号的布线电连接。此外，成像像素电路与能够供应电源电位的布线电连接。
作为控制信号，例如可以举出能够选择用于读出所记录的成像信号的成像像素电路的信号、能够使成像像素电路初始化的信号以及能够决定成像像素电路检测光的时间的信号等。
成像像素驱动电路303g(2)能够对成像像素308供应控制信号。
成像信号线驱动电路303s(2)能够读出成像信号。
如图24B及图24C所示，输入输出装置390包括第一柔性衬底701、第一粘合层703、第一绝缘层705、第二柔性衬底711、第二粘合层713以及第二绝缘层715。此外，第一柔性衬底701与第二柔性衬底711由第三粘合层360贴合。
在结构例子1中，非显示部包括凹部。在凹部中，第三粘合层360的厚度薄。通过采用这种结构，能够抑制杂质从输入输出装置的侧面侵入内部。
第一柔性衬底701与第一绝缘层705由第一粘合层703贴合。此外，第二柔性衬底711与第二绝缘层715由第二粘合层713贴合。关于可用于衬底、粘合层以及绝缘层的材料可以参照实施方式2。
像素302包括子像素302R、子像素302G以及子像素302B(参照图24C)。
例如，子像素302R包括发光元件350R及像素电路。像素电路包括能够对发光元件350R供应电力的晶体管302t。子像素302R还包括光学元件(例如，使红色光透过的着色层367R)。
发光元件350R包括依次层叠的下部电极351R、EL层353及上部电极352(图24C)。
EL层353包括依次层叠的第一EL层353a、中间层354及第二EL层353b。
另外，为了高效地提取特定波长的光，可以在发光元件350R中设置微腔结构。具体而言，也可以在为了高效地提取特定光设置的反射可见光的膜与半反射半透射膜之间设置EL层。
例如，子像素302R包括与发光元件350R及着色层367R接触的第三粘合层360。着色层367R位于与发光元件350R重叠的位置。由此，发光元件350R所发射的光的一部分透过第三粘合层360及着色层367R而如图24B或图24C中的箭头所示那样发射到子像素302R的外部。
输入输出装置390包括遮光层367BM。以包围着着色层(例如着色层367R)的方式设置有遮光层367BM。
输入输出装置390在与显示部301重叠的位置包括反射防止层367p。作为反射防止层367p，例如可以使用圆偏振片。
输入输出装置390包括绝缘层321。绝缘层321覆盖晶体管302t等。另外，可以将绝缘层321用作覆盖起因于像素电路及成像像素电路的凹凸的层，以提供平坦表面。此外，优选使用将能够抑制杂质向晶体管302t等扩散的绝缘层覆盖晶体管302t等。
输入输出装置390包括与下部电极351R的端部重叠的分隔壁328。此外，在分隔壁328上包括用来控制第一柔性衬底701与第二柔性衬底711之间的间隔的间隔物329。
图像信号线驱动电路303s(1)包括晶体管303t及电容器303c。另外，驱动电路可以通过与像素电路相同的制造工序形成在与像素电路相同的衬底上。如图24B所示，晶体管303t可以在绝缘层321上设置有第二栅极304。既可使第二栅极304与晶体管303t的栅极电连接，又可对第二栅极304以及晶体管303t的栅极施加不同的电位。另外，若需要，也可以在晶体管308t及晶体管302t等中分别设置第二栅极304。
成像像素308包括光电转换元件308p及成像像素电路。成像像素电路可以检测出照射到光电转换元件308p的光。成像像素电路包括晶体管308t。例如，可以将PIN型光电二极管用于光电转换元件308p。
输入输出装置390包括能够供应信号的布线311，并且布线311设置有端子319。能够供应图像信号及同步信号等信号的FPC309与端子319电连接。印刷线路板(PWB)也可以贴合到FPC309。
另外，可以通过相同的制造工序形成晶体管302t、晶体管303t及晶体管308t等晶体管。或者，这些晶体管也可以通过彼此不同的制造工序形成。
<结构例子2>
图25A及图25B是输入输出装置505的透视图。注意，为了容易理解，图25A及图25B只示出主要构成要素。图26A和图26B是图25A所示的点划线X1-X2间的截面图。
如图25A及图25B所示，输入输出装置505包括显示部501、扫描线驱动电路303g(1)及触摸传感器595等。另外，输入输出装置505包括第一柔性衬底701、第二柔性衬底711及柔性衬底590。
输入输出装置505包括多个像素及多个布线311。多个布线311能够对像素供应信号。多个布线311被配置到第一柔性衬底701的外周部，多个布线311的一部分形成端子319。端子319与FPC509(1)电连接。
输入输出装置505包括触摸传感器595及多个布线598。多个布线598与触摸传感器595电连接。多个布线598被配置到柔性衬底590的外周部，多个布线598的一部分形成端子。并且，该端子与FPC509(2)电连接。注意，为了容易理解，在图25B中由实线示出设置在柔性衬底590的背面一侧(与第一柔性衬底701相对的面一侧)的触摸传感器595的电极及布线等。
作为触摸传感器595，例如可以适用静电电容式的触摸传感器。作为静电电容式，有表面型静电电容式、投影型静电电容式等。在此，以下示出应用投影型静电电容式触摸传感器的情况。
作为投影电容式，有自电容式、互电容式等。优选使用互电容式，因为可以同时进行多点检测。
另外，对触摸传感器595可以适用可检测出手指等检测对象的靠近或接触的各种传感器。
投影型静电电容式触摸传感器595包括电极591及电极592。电极591与多个布线598中的任一个电连接，电极592与多个布线598中的其他的一个电连接。
如图25A及图25B所示，电极592具有在一个方向上排列的多个四边形在角部相互连接的形状。
电极591是四边形且在与电极592延伸的方向交叉的方向上排列。多个电极591不一定配置得与一个电极592正交，也可以设置得以小于90°的角度与一个电极592交叉。
布线594与电极592交叉。布线594使夹着一个电极592的两个电极591电连接。此时，优选尽量使电极592与布线594交叉部的面积小。由此，可以减少不设置电极的区域的面积，所以可以降低透射率的不均匀。其结果，可以减少透过触摸传感器595的光的亮度不均匀。
电极591及电极592的形状不局限于此，而可以具有各种形状。
如图26A所示，输入输出装置505包括第一柔性衬底701、第一粘合层703、第一绝缘层705、第二柔性衬底711、第二粘合层713以及第二绝缘层715。此外，第一柔性衬底701与第二柔性衬底711由第三粘合层360贴合。
粘合层597以使触摸传感器595与显示部501重叠的方式将柔性衬底590与第二柔性衬底711贴合在一起。粘合层597具有透光性。
电极591及电极592使用透光导电材料形成。作为透光导电材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等导电氧化物。此外，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使包含氧化石墨烯的膜还原而形成。作为还原方法，可以举出加热等。
此外，作为用于电极591、电极592、布线594等的导电层，就是说构成触摸屏的布线及电极的材料，可以举出包含氧化铟、氧化锡、氧化锌等的透明导电层(例如为ITO等)。此外，用于构成触摸屏的布线及电极的材料的电阻值优选较低。作为例子，可以使用银、铜、铝、碳纳米管、石墨烯以及卤化金属(卤化银等)等。并且，也可以使用由极细的(例如，其直径为几纳米)多个导电体构成的金属纳米线。或者，也可以使用作为网状导电体的金属丝网。作为例子，也可以使用Ag纳米线、Cu纳米线、Al纳米线、Ag丝网、Cu丝网以及Al丝网等。例如，在对构成触摸屏的布线或电极使用Ag纳米线的情况下，可以将可见光的透射率设定为89％以上，并且将薄层电阻值设定为40Ω/□以上且100Ω/□以下。此外，因为作为可用于上面所述的构成触摸屏的布线及电极的材料的例子的金属纳米线、金属丝网、碳纳米管、石墨烯等的可见光的透射率高，所以可以用作用于显示元件的电极(例如，像素电极或共同电极等)。
在通过溅射法将透光导电材料形成在柔性衬底590上之后，可以通过光刻法等各种图案化技术去除不需要的部分来形成电极591及电极592。
电极591及电极592由绝缘层593覆盖。此外，到达电极591的开口设置在绝缘层593中，并且布线594使相邻的电极591电连接。此外，因为可以提高输入输出装置的开口率，所以作为布线594优选使用透光导电材料。另外，由于其导电性比电极591及电极592高的材料可以减少电阻，所以可以适用于布线594。
另外，通过设置覆盖绝缘层593及布线594的绝缘层，可以保护触摸传感器595。
此外，连接层599使布线598与FPC509(2)电连接。
显示部501包括多个配置为矩阵状的像素。因为像素与结构实例1相同，所以省略说明。
另外，如图26B所示，可以不使用柔性衬底590，而由第一柔性衬底701及第二柔性衬底711的两个衬底构成触摸屏。第二柔性衬底711与第二绝缘层715由第二粘合层713贴合，并且与第二绝缘层715接触地设置触摸传感器595。与覆盖触摸传感器595的绝缘层589接触地设置着色层367R及遮光层367BM。可以不设置绝缘层589，而与布线594接触地设置着色层367R及遮光层367BM。
<结构例子3>
图27A至图27C是输入输出装置505B的截面图。在本实施方式中说明的输入输出装置505B与结构实例2的输入输出装置505的不同之处在于：将被供应的图像数据显示在设置有晶体管的一侧；以及触摸传感器设置在显示部的第一柔性衬底701一侧。在此，仅对不同的结构进行详细的说明，而关于可使用相同结构的部分，援用上述说明。
着色层367R位于与发光元件350R重叠的位置。另外，图27A所示的发光元件350R向设置有晶体管302t的一侧射出光。由此，发光元件350R所发射的光的一部分透过着色层367R而如图27A中的箭头的所示那样发射到输入输出装置505B的外部。
输入输出装置505B在射出光的方向上包括遮光层367BM。以围绕着色层(例如为着色层367R)的方式设置有遮光层367BM。
触摸传感器595设置在第一柔性衬底701一侧，而非第二柔性衬底711一侧(图27A)。
粘合层597以使触摸传感器595与显示部重叠的方式将柔性衬底590与第一柔性衬底701贴合。粘合层597具有透光性。
另外，在图27A及图27B中示出将底栅型晶体管用于显示部501时的结构。
例如，可以将包含氧化物半导体、非晶硅等的半导体层用于图27A所示的晶体管302t及晶体管303t。
例如，可以将包含多晶硅等的半导体层用于图27B所示的晶体管302t及晶体管303t。
另外，在图27C中示出采用顶栅型晶体管时的结构。
例如，可以将包含多晶硅或从单晶硅衬底转置的单晶硅膜等的半导体层适用于图27C所示的晶体管302t及晶体管303t。
注意，本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式4
<CAC-OS的构成>
以下，对可用于在本发明的一个方式中公开的晶体管的CAC(Cloud AlignedComplementary)-OS的构成进行说明。
在本说明书等中，金属氧化物(metal oxide)是指广义上的金属的氧化物。金属氧化物被分类为氧化物绝缘体、氧化物导电体(包括透明氧化物导电体)和氧化物半导体(Oxide Semiconductor，也可以简称为OS)等。例如，在将金属氧化物用于晶体管的活性层的情况下，有时将该金属氧化物称为氧化物半导体。换言之，可以将OS FET称为包含金属氧化物或氧化物半导体的晶体管。
在本说明书中，将如下金属氧化物定义为CAC(Cloud Aligned Complementary)-OS(Oxide Semiconductor)或CAC-metal oxide：金属氧化物中具有导电体的功能的区域和具有电介质的功能的区域混合而使金属氧化物在整体上具有半导体的功能。
换言之，CAC-OS例如具有包含在氧化物半导体中的元素不均匀地分布的构成。包含不均匀地分布的元素的材料的尺寸为0.5nm以上且10nm以下，优选为0.5nm以上且3nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也将在氧化物半导体中一个或多个元素不均匀地分布且包含该元素的区域混合的状态称为马赛克(mosaic)状或补丁(patch)状。该区域的尺寸为0.5nm以上且10nm以下，优选为0.5nm以上且3nm以下或近似的尺寸。
包含不均匀地分布的特定的元素的区域其物理特性由该元素所具有的性质决定。例如，包含不均匀地分布的包含在金属氧化物中的元素中更趋于成为绝缘体的元素的区域用作电介质区域。另一方面，包含不均匀地分布的包含在金属氧化物中的元素中更趋于成为导体的元素的区域用作导电体区域。通过使导电体区域及电介质区域混合而形成马赛克状，该材料具有半导体的功能。
换言之，本发明的一个方式的金属氧化物是物理特性不同的材料混合的基质复合材料(matrix composite)或金属基质复合材料(metal matrix composite)的一种。
氧化物半导体优选至少包含铟。尤其优选包含铟及锌。除此之外，也可以还包含元素M(M选自镓、铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种)。
例如，在CAC-OS中，具有CAC构成的In-Ga-Zn氧化物(尤其可以将这种In-Ga-Zn氧化物称为CAC-IGZO)具有材料分成铟氧化物(InOX1(X1为大于0的实数))或铟锌氧化物(InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2为大于0的实数))以及镓氧化物(GaOX3(X3为大于0的实数))或镓锌氧化物(GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4为大于0的实数))等而形成马赛克状的构成。而且，形成马赛克状的InOX1和InX2ZnY2OZ2均匀地分布在膜中。该构成也被称为云状构成。
换言之，CAC-OS是具有以GaOX3为主要成分的区域和以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域混在一起的构成的复合氧化物半导体。在本说明书中，例如，当第一区域的In对元素M的原子数比大于第二区域的In对元素M的原子数比时，第一区域的In浓度高于第二区域。
注意，IGZO也是包含In、Ga、Zn及0的化合物的通称。作为IGZO的典型例子，可以举出以InGaO3(ZnO)m1(m1为自然数)和In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1≤x0≤1，m0为任意数)表示的结晶性化合物。
上述结晶性化合物具有单晶结构、多晶结构或CAAC结构。CAAC结构是多个IGZO的纳米晶具有c轴取向性且在a-b面上以不取向的方式连接的结晶结构。
另一方面，CAC-OS与氧化物半导体的材料构成有关。在包含In、Ga、Zn及O的CAC-OS的材料构成中，CAC-OS的一部分中观察到以Ga为主要成分的纳米粒子状区域，CAC-OS的一部分中观察到以In为主要成分的纳米粒子状区域。这些纳米粒子状区域无规律地分散而形成马赛克状。因此，在CAC-OS中，结晶结构是次要因素。
CAC-OS不包含组成不同的二种以上的膜的叠层结构。例如，不包含包括以In为主要成分的膜与以Ga为主要成分的膜的两层结构。
注意，有时观察不到以GaOX3为主要成分的区域与以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域之间的明确的边界。
在CAC-OS中包含选自铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种以代替镓的情况下，CAC-OS是指如下构成：CAC-OS的一部分中观察到以被选择的元素为主要成分的纳米粒子状区域，CAC-OS的一部分中观察到以In为主要成分的纳米粒子状区域，并且，在CAC-OS中，这些纳米粒子状区域无规律地分散而形成马赛克状。
<CAC-OS的分析>
接着，说明使用各种测定方法对在衬底上形成的氧化物半导体进行测定的结果。
《样品的结构及制造方法》
以下，对本发明的一个方式的九个样品进行说明。各样品在形成氧化物半导体时的衬底温度及氧气体流量比上不同。各样品包括衬底及衬底上的氧化物半导体。
对各样品的制造方法进行说明。
作为衬底使用玻璃衬底。使用溅射装置在玻璃衬底上作为氧化物半导体形成厚度为100nm的In-Ga-Zn氧化物。成膜条件为如下：将腔室内的压力设定为0.6Pa，作为靶材使用氧化物靶材(In∶Ga∶Zn＝4∶2∶4.1[原子数比])。另外，对设置在溅射装置内的氧化物靶材供应2500W的AC功率。
在形成氧化物时采用如下条件来制造九个样品：将衬底温度设定为不进行意图性的加热时的温度(以下，也称为室温或R.T.)、130℃或170℃。另外，将氧气体对Ar和氧的混合气体的流量比(以下，也称为氧气体流量比)设定为10％、30％或100％。
《X射线衍射分析》
在本节中，说明对九个样品进行X射线衍射(XRD：X-ray diffraction)测定的结果。作为XRD装置，使用Bruker AXS公司制造的D8 ADVANCE。条件为如下：利用Out-of-plane法进行θ/2θ扫描，扫描范围为15deg.至50deg.，步进宽度为0.02deg.，扫描速度为3.0deg./分。
图31示出利用Out-of-plane法测定的XRD谱。在图31中，最上行示出成膜时的衬底温度为170℃的样品的测定结果，中间行示出成膜时的衬底温度为130℃的样品的测定结果，最下行示出成膜时的衬底温度为R.T.的样品的测定结果。另外，最左列示出氧气体流量比为10％的样品的测定结果，中间列示出氧气体流量比为30％的样品的测定结果，最右列示出氧气体流量比为100％的样品的测定结果。
图31所示的XRD谱示出成膜时的衬底温度越高或成膜时的氧气体流量比越高，2θ＝31°附近的峰值强度则越高。另外，已知2θ＝31°附近的峰值米源于在大致垂直于结晶性IGZO化合物的被形成面或顶面的方向上具有c轴取向性的结晶性IGZO化合物(该化合物也被称为CAAC(c-axis aligned crystalline)-IGZO)。
另外，如图31的XRD谱所示，成膜时的衬底温度越低或氧气体流量比越低，峰值则越不明显。因此，可知在成膜时的衬底温度低或氧气体流量比低的样品中，观察不到测定区域的a-b面方向及c轴方向的取向。
《电子显微镜分析》
在本节中，说明对在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品利用HAADF-STEM(High-Angle Annular Dark Field Scanning TransmissionElectron Microscope：高角度环形暗场-扫描透射电子显微镜)进行观察及分析的结果。另外，也将利用HAADF-STEM取得的图像称为TEM图像。
说明对利用HAADF-STEM取得的平面图像(以下，也称为平面TEM图像)及截面图像(以下，也称为截面TEM图像)进行图像分析的结果。利用球面像差校正功能观察TEM图像。在取得HAADF-STEM图像时，使用日本电子株式会社制造的原子分辨率分析电子显微镜JEM-ARM200F，将加速电压设定为200kV，照射束径大致为0.1nmφ的电子束。
图32A为在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品的平面TEM图像。图32B为在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品的截面TEM图像。
《电子衍射图案的分析》
在本节中，说明通过对在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品照射束径为1nm的电子束(也称为纳米束)来取得的电子衍射图案。
观察图32A所示的在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品的平面TEM图像中的黑点a1、黑点a2、黑点a3、黑点a4及黑点a5的电子衍射图案。电子衍射图案的观察以固定速度照射电子束35秒钟的方式进行。图32C示出黑点a1的结果，图32D示出黑点a2的结果，图32E示出黑点a3的结果，图32F示出黑点a4的结果，图32G示出黑点a5的结果。
在图32C、图32D、图32E、图32F及图32G中，观察到如圆圈那样的(环状的)亮度高的区域。另外，在环状区域内观察到多个斑点。
观察图32B所示的在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品的截面TEM图像中的黑点b1、黑点b2、黑点b3、黑点b4及黑点b5的电子衍射图案。图32H示出黑点b1的结果，图32I示出黑点b2的结果，图32J示出黑点b3的结果，图32K示出黑点b4的结果，图32L示出黑点b5的结果。
在图32H、图32I、图32J、图32K及图32L中，观察到环状的亮度高的区域。另外，在环状区域内观察到多个斑点。
例如，当对包含InGaZnO4结晶的CAAC-OS在平行于样品面的方向上入射束径为300nm的电子束时，获得了包含起因于InGaZnO4结晶的(009)面的斑点的衍射图案。换言之，CAAC-OS具有c轴取向性，并且c轴朝向大致垂直于CAAC-OS的被形成面或顶面的方向。另一方面，当对相同的样品在垂直于样品面的方向上入射束径为300nm的电子束时，确认到环状衍射图案。换言之，CAAC-OS不具有a轴取向性及b轴取向性。
当使用大束径(例如，50nm以上)的电子束对具有纳米晶的氧化物半导体(nanocrystalline oxide semiconductor。以下称为nc-OS)进行电子衍射时，观察到类似光晕图案的衍射图案。另外，当使用小束径(例如，小于50nm)的电子束对nc-OS进行纳米束电子衍射时，观察到亮点(斑点)。另外，在nc-OS的纳米束电子衍射图案中，有时观察到如圆圈那样的(环状的)亮度高的区域。而且，在nc-OS的纳米束电子衍射图案中，有时在环状区域内观察到多个亮点。
在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品的电子衍射图案具有环状的亮度高的区域且在该环状区域内出现多个亮点。因此，在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品呈现与nc-OS类似的电子衍射图案，在平面方向及截面方向上不具有取向性。
如上所述，成膜时的衬底温度低或氧气体流量比低的氧化物半导体的性质与非晶结构的氧化物半导体膜及单晶结构的氧化物半导体膜都明显不同。
《元素分析》
在本节中，说明成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品所包含的元素的分析结果。为了进行分析，使用能量分散型X射线分析法(EDX：EnergyDispersive X-ray spectroscopy)取得EDX面分析图像。在EDX测定中，作为元素分析装置使用日本电子株式会社制造的能量分散型X射线分析装置JED-2300T。在检测从样品发射的X射线时，使用硅漂移探测器。
在EDX测定中，对样品的分析对象区域的各点照射电子束，并测定此时发生的样品的特性X射线的能量及发生次数，获得对应于各点的EDX谱。在本实施方式中，各点的EDX谱的峰值归属于In原子中的向L壳层的电子跃迁、Ga原子中的向K壳层的电子跃迁、Zn原子中的向K壳层的电子跃迁及O原子中的向K壳层的电子跃迁，并算出各点的各原子的比率。通过在样品的分析对象区域中进行上述步骤，可以获得示出各原子的比率分布的EDX面分析图像。
图33A至图33C示出在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品的截面的EDX面分析图像。图33A示出Ga原子的EDX面分析图像。在所有的原子中Ga原子所占的比率为1.18至18.64[atomic％]。图33B示出In原子的EDX面分析图像。在所有的原子中In原子所占的比率为9.28至33.74[atomic％]。图33C示出Zn原子的EDX面分析图像。在所有的原子中Zn原子所占的比率为6.69至24.99[atomic％]。另外，图33A、图33B及图33C示出在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品的截面中的相同区域。在EDX面分析图像中，由明暗表示元素的比率：该区域内的测定元素越多该区域越亮，测定元素越少该区域就越暗。图33A至图33C所示的EDX面分析图像的倍率为720万倍。
在图33A、图33B及图33C所示的EDX面分析图像中，确认到明暗的相对分布，在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10％的条件下制造的样品中确认到各原子具有分布。在此，对图33A、图33B及图33C所示的由实线围绕的区域及由虚线围绕的区域进行调查。
在图33A中，在由实线围绕的区域内相对较暗的区域较多，在由虚线围绕的区域内相对较亮的区域较多。另外，在图33B中，在由实线围绕的区域内相对较亮的区域较多，在由虚线围绕的区域内相对较暗的区域较多。
换言之，由实线围绕的区域为In原子相对较多的区域，由虚线围绕的区域为In原子相对较少的区域。在图33C中，在由实线围绕的区域内，右侧是相对较亮的区域，左侧是相对较暗的区域。因此，由实线围绕的区域为以InX2ZnY2OZ2或InOX1等为主要成分的区域。
另外，由实线围绕的区域为Ga原子相对较少的区域，由虚线围绕的区域为Ga原子相对较多的区域。在图33C中，在由虚线围绕的区域内，左上方的区域为相对较亮的区域，右下方的区域为相对较暗的区域。因此，由虚线围绕的区域为以GaOX3或GaX4ZnY4OZ4等为主要成分的区域。
如图33A、图33B及图33C所示，In原子的分布与Ga原子的分布相比更均匀，以InOX1为主要成分的区域看起来像是通过以InX2ZnY2OZ2为主要成分的区域互相连接的。如此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域以云状展开形成。
如此，可以将具有以GaOX3等为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域不均匀地分布而混合的构成的In-Ga-Zn氧化物称为CAC-OS。
CAC-OS的结晶结构具有nc结构。在具有nc结构的CAC-OS的电子衍射图案中，除了起因于包含单晶、多晶或CAAC结构的IGZO的亮点(斑点)以外，还出现多个亮点(斑点)。或者，该结晶结构定义为除了出现多个亮点(斑点)之外，还出现环状的亮度高的区域。
另外，如图33A、图33B及图33C所示，以GaOX3等为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域的尺寸为0.5nm以上且10nm以下或者1nm以上且3nm以下。在EDX面分析图像中，以各元素为主要成分的区域的直径优选为1nm以上且2nm以下。
如上所述，CAC-OS的结构与金属元素均匀地分布的IGZO化合物不同，具有与IGZO化合物不同的性质。换言之，CAC-OS具有以GaOX3等为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域互相分离且以各元素为主要成分的区域形成马赛克状的构成。
在此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域的导电性高于以GaOX3等为主要成分的区域。换言之，当载流子流过以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域时，呈现氧化物半导体的导电性。因此，当以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域在氧化物半导体中以云状分布时，可以实现高场效应迁移率(μ)。
另一方面，以GaOX3等为主要成分的区域的绝缘性高于以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域。换言之，当以GaOX3等为主要成分的区域在氧化物半导体中分布时，可以抑制泄漏电流而实现良好的开关工作。
因此，当将CAC-OS用于半导体元件时，起因于GaOX3等的绝缘性及起因于InX2ZnY2OZ2或InOX1的导电性的互补作用可以实现高通态电流(Ion)及高场效应迁移率(μ)。
另外，使用CAC-OS的半导体元件具有高可靠性。因此，CAC-OS适于显示器等各种半导体装置。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合而实施。
实施方式5
在本实施方式中，参照附图说明本发明的一个方式的电子设备及照明装置。
通过使用本发明的一个方式的发光装置、显示装置、或输入输出装置等，可以制造可靠性高的电子设备或照明装置。另外，通过使用本发明的一个方式的发光装置、显示装置、或输入输出装置等，可以制造具有曲面或柔性且可靠性高的电子设备或照明装置。
作为电子设备，例如可以举出：电视装置(也称为电视或电视接收机)；用于计算机等的监视器；如数码相机、数码摄像机等照相机；数码相框；移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)；便携式游戏机；便携式信息终端；声音再现装置；弹珠机等大型游戏机等。
此外，由于本发明的一个方式的电子设备或照明装置具有柔性，因此也可以将该电子设备或照明装置沿着房屋或高楼的内壁/外壁的曲面、汽车的内部装饰/外部装饰的曲面组装。
此外，本发明的一个方式的电子设备也可以包括二次电池，优选能够通过非接触电力传送对该二次电池充电。
作为二次电池，例如，可以举出利用凝胶状电解质的锂聚合物电池(锂离子聚合物电池)等锂离子二次电池、镍氢电池、镍镉电池、有机自由基电池、铅蓄电池、空气二次电池、镍锌电池、银锌电池等。
本发明的一个方式的电子设备也可以包括天线。通过由天线接收信号，可以在显示部上显示图像或数据等。另外，在电子设备包括天线及二次电池的情况下，可以将天线用于非接触电力传送。
图28A、图28B、图28C1、图28C2、图28D及图28E示出具有弯曲的显示部7000的电子设备的例子。显示部7000的显示面是弯曲的，能够沿着弯曲的显示面进行显示。显示部7000也可以具有柔性。
通过使用本发明的一个方式的发光装置、显示装置、或输入输出装置等，制造显示部7000。
通过本发明的一个方式，能够提供一种具备弯曲的显示部且可靠性高的电子设备。
图28A示出移动电话机的例子。移动电话机7100包括框体7101、显示部7000、操作按钮7103、外部连接端口7104、扬声器7105、麦克风7106等。
图28A所示的移动电话机7100在显示部7000中具备触摸传感器。通过用指头或触屏笔等触摸显示部7000可以进行打电话或输入文字等所有操作。
此外，通过操作按钮7103的操作，可以进行电源的ON、OFF工作。此外，可以切换显示在显示部7000的图像的种类。例如，可以将电子邮件的编写画面切换为主菜单画面。
图28B示出电视装置的例子。在电视装置7200中，在框体7201中组装有显示部7000。在此示出利用支架7203支撑框体7201的结构。
可以通过利用框体7201所具备的操作开关或另外提供的遥控操作机7211进行图28B所示的电视装置7200的操作。另外，也可以在显示部7000中具备触摸传感器，通过用指头等触摸显示部7000可以进行显示部7000的操作。可以在遥控操作机7211中具备显示从该遥控操作机7211输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7211所具备的操作键或触摸屏，可以进行频道或音量的操作，并可以对在显示部7000上显示的图像进行操作。
另外，电视装置7200采用具备接收机及调制解调器等的结构。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器将电视装置7200连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的数据通信。
图28C1、图28C2、图28D及图28E示出便携式信息终端的例子。各便携式信息终端包括框体7301及显示部7000。并且，也可以包括操作按钮、外部连接端口、扬声器、麦克风、天线或电池等。显示部7000具备触摸传感器。通过用指头或触屏笔等触摸显示部7000可以进行便携式信息终端的操作。
图28C1是便携式信息终端7300的透视图，图28C2是便携式信息终端7300的俯视图。图28D是便携式信息终端7310的透视图。图28E是便携式信息终端7320的透视图。
本实施方式所例示出的便携式信息终端例如具有选自电话机、电子笔记本和信息阅读装置等中的一种或多种的功能。具体而言，可以将该便携式信息终端用作智能手机。该本实施方式所例示出的便携式信息终端例如可以执行移动电话、电子邮件、文章的阅读及编写、音乐播放、网络通讯、电脑游戏等各种应用程序。
便携式信息终端7300、7310及7320可以将文字及图像信息等显示在其多个面上。例如，如图28C1及图28D所示，可以将三个操作按钮7302显示在一个面上，而将由矩形表示的信息7303显示在另一个面上。图28C1及图28C2示出在便携式信息终端的上表面显示信息的例子，而图28D示出在便携式信息终端的侧面显示信息的例子。另外，也可以在三个面以上显示信息，图28E示出在互不相同的面分别显示信息7304、信息7305及信息7306的例子。
此外，作为信息的例子，可以举出提示收到SNS(Social Networking Services：社交网络服务)的通知、电子邮件或电话等的显示；电子邮件等的标题或发送者姓名；日期；时间；电量；以及天线接收强度等。或者，也可以在显示信息的位置显示操作按钮或图标等代替信息。
例如，便携式信息终端7300的使用者能够在将便携式信息终端7300放在上衣口袋里的状态下确认其显示(这里是信息7303)。
具体而言，将打来电话的人的电话号码或姓名等显示在能够从便携式信息终端7300的上方看到这些信息的位置。使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端7300，由此判断是否接电话。
图28F至图28H示出具有弯曲发光部的照明装置的例子。
使用本发明的一个方式的发光装置等制造图28F至图28H所示的各照明装置所包括的发光部。
通过本发明的一个方式，能够提供一种具备弯曲的发光部且可靠性高的照明装置。
图28F所示的照明装置7400包括具有波状的发光面的发光部7402。因此，提供设计性高的照明装置。
图28G所示的照明装置7410所包括的发光部7412采用对称地配置弯曲为凸状的两个发光部的结构。因此，可以以照明装置7410为中心全方位地进行照射。
图28H所示的照明装置7420包括弯曲为凹状的发光部7422。因此，因为将来自发光部7422的发光聚集到照明装置7420的前面，所以适合应用于照亮特定的范围的情况。通过采用这样结构，不容易产生影子。
此外，照明装置7400、照明装置7410及照明装置7420所包括的各发光部也可以具有柔性。可以采用使用可塑性构件或可动框架等构件固定发光部并按照用途能够随意使发光部的发光面弯曲的结构。
照明装置7400、照明装置7410及照明装置7420都包括具备操作开关7403的底座7401以及由底座7401支撑的发光部。
虽然在此例示了由底座支撑发光部的照明装置，但是也可以以将具备发光部的框体固定或吊在天花板上的方式使用照明装置。由于能够在使发光面弯曲的状态下使用照明装置，因此能够使发光面以凹状弯曲而照亮特定区域或者使发光面以凸状弯曲而照亮整个房间。
图29A1、图29A2、图29B至图29I示出具有柔性显示部7001的便携式信息终端的例子。
使用本发明的一个方式的发光装置、显示装置或输入输出装置等制造显示部7001。例如，可以适用能够以0.01mm以上且150m以下的曲率半径弯曲的发光装置、显示装置或输入输出装置等。显示部7001也可以具备触摸传感器，可以通过用手指等接触显示部7001进行便携式信息终端的操作。
根据本发明的一个方式，可以提供具有柔性显示部且可靠性高的电子设备。
图29A1是示出便携式信息终端的例子的透视图，并且图29A2是示出便携式信息终端的例子的侧面图。便携式信息终端7500包括框体7501、显示部7001、取出构件7502、操作按钮7503等。
便携式信息终端7500在框体7501内包括有卷起来的柔性显示部7001。可以利用取出构件7502取出显示部7001。
此外，便携式信息终端7500能够由内置的控制部接收影像信号，且能够将所接收的影像显示于显示部7001。此外，在便携式信息终端7500中内置有电池。此外，也可以采用框体7501具备连接连接器的端子部而以有线的方式从外部直接供应影像信号及电力的结构。
此外，可以由操作按钮7503进行电源的ON、OFF工作或显示的影像的切换等。图29A1、图29A2和图29B示出在便携式信息终端7500的侧面配置操作按钮7503的例子，但是不局限于此，也可以将操作按钮7503配置在便携式终端7500的与显示面同一的面(正面)或背面上。
图29B示出取出显示部7001的状态的便携式信息终端7500。在这样的状态下，可以在显示部7001上显示影像。可以在图29A1所示的显示部7001的一部分被卷起来的状态和图29B所示的将显示部7001取出的状态下，便携式信息终端7500进行不同显示。例如，通过在图29A1的状态下使显示部7001的被卷成卷起来的部分处于非显示状态，可以减少便携式信息终端7500的功耗。
另外，可以在显示部7001的侧部设置用来加固的框，以便在取出显示部7001时该显示部7001具有平坦的显示面。
此外，除了该结构以外，也可以采用在框体中设置扬声器并使用与影像信号同时接收的音频信号输出声音的结构。
图29C至图29E示出能够折叠的便携式信息终端的例子。图29C示出展开状态的便携式信息终端7600，图29D示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态时的中途状态的便携式信息终端7600，图29E示出折叠状态的便携式信息终端7600。便携式信息终端7600在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域所以显示一览性强。
显示部7001由铰链7602所连接的三个框体7601来支撑。通过铰链7602使两个框体7601之间弯折，可以从便携式信息终端7600的展开状态可逆性地变为折叠状态。
图29F及图29G示出能够折叠的便携式信息终端的例子。图29F示出以使显示部7001位于内侧的方式折叠的便携式信息终端7650。图29G示出以使显示部7001位于外侧的方式折叠的便携式信息终端7650。便携式信息终端7650具有显示部7001及非显示部7651。通过在不使用便携式信息终端7650时，以使显示部7001向内侧的方式折叠，能够抑制显示部7001被弄脏或受损伤。
图29H示出柔性便携式信息终端的例子。便携式信息终端7700包括框体7701及显示部7001。而且，便携式信息终端可以包括用作输入单元的按钮7703a及按钮7703b、用作声音输出单元的扬声器7704a、扬声器7704b、外部连接端口7705、麦克风7706等。便携式信息终端7700也可以安装有柔性电池7709。例如，也可以以与显示部7001重叠的方式配置电池7709。
框体7701、显示部7001及电池7709具有柔性。因此，可以容易地使便携式信息终端7700弯曲为所希望的形状并使便携式信息终端7700扭曲。例如，以使显示部7001位于内侧或外侧的方式折叠并使用便携式信息终端7700。或者，可以将便携式信息终端7700卷起来并使用。如此，可以自由地使框体7701及显示部7001变形，因此便携式信息终端7700具有如下优点：即使掉落或被施加非意图的外力，也不容易破损。
因为便携式信息终端7700是轻量的，所以在使用夹子等夹住框体7701的上部将便携式信息终端7700吊下并使用的情况或者在使用磁铁等将框体7701固定在墙上并使用的情况等各种情况下可以以良好的方便性使用便携式信息终端7700。
图29I示出手表型的便携式信息终端的例子。便携式信息终端7800具有表带7801、显示部7001、输入输出端子7802、操作按钮7803等。表带7801被用作框体。便携式信息终端7800可以安装有柔性电池7805。例如，也可以与显示部7001或表带7801重叠的方式配置电池7805。
表带7801、显示部7001及电池7805具有柔性。因此容易使便携式信息终端7800弯曲为所希望的形状。
操作按钮7803除了时间设定之外还可以具有电源开关、无线通信的开关、静音模式的开启及关闭、省电模式的开启及关闭等各种功能。例如，通过利用组装在便携式信息终端7800中的操作系统，还可以自由地设定操作按钮7803的功能。
通过使用指头等触摸显示在显示部7001上的图标7804，可以启动应用程序。
另外，便携式信息终端7800可以进行被通信标准化的近距离无线通信。例如，通过与可进行无线通信的耳麦相互通信，可以进行免提通话。
此外，便携式信息终端7800也可以包括输入输出端子7802。在便携式信息终端7800包括输入输出端子7802的情况下，可以通过连接器直接与其他信息终端进行数据的交换。另外，也可以通过输入输出端子7802进行充电。另外，在本实施方式中例示出的便携式信息终端的充电工作也可以利用非接触电力传送进行，而不通过输入输出端子。
图30A为汽车9700的外观图。图30B示出汽车9700的驾驶座。汽车9700包括车体9701、车轮9702、挡风玻璃9703、灯9704、雾灯9705等。本发明的一个方式的发光装置、显示装置或输入输出装置等可以用于汽车9700的显示部等。例如，可以在图30B所示的显示部9710至显示部9715中设置本发明的一个方式的发光装置等。或者，也可以对灯9704或雾灯9705使用本发明的一个方式的发光装置等。
显示部9710和显示部9711是设置在汽车的挡风玻璃上的显示装置。通过使用具有透光性的导电材料来制造电极及布线，可以使本发明的一个方式的发光装置等处于称为能看到对面的所谓的透视式状态。若显示部9710或显示部9711成为透视式状态就在驾驶汽车9700时也不会成为视野的障碍。因此，可以将本发明的一个方式的发光装置等设置在汽车9700的挡风玻璃上。另外，当设置用来驱动发光装置等的晶体管等时，优选采用使用有机半导体材料的有机晶体管或者使用氧化物半导体的晶体管等具有透光性的晶体管。
显示部9712是设置在立柱部分的显示装置。例如，通过将来自设置在车体的成像单元的影像显示在显示部9712，可以补充被立柱遮挡的视野。显示部9713是设置在仪表盘部分的显示装置。例如，通过将来自设置在车体的成像单元的影像显示在显示部9713，可以补充被仪表盘遮挡的视野。即，通过显示来自设置在汽车外侧的成像单元的影像，可以取消死角，从而提高安全性。另外，通过显示影像补充看不到的部分的区域，可以更自然、更自在地确认安全。
另外，图30C示出作为驾驶座和副驾驶座采用了长条座椅的汽车室内。显示部9721是设置于车门部位的显示装置。例如，通过将设置于车体外侧的成像单元所拍摄的影像显示在显示部9721，可以补充被车门遮挡的视野。另外，显示部9722是设置于方向盘的显示装置。显示部9723是设置于横排长座的座位中央部的显示装置。注意，通过将显示装置设置于座椅或靠背等并以该显示装置的发热为热源，可以将该显示装置用作座椅加热器。
显示部9714、显示部9715或显示部9722可以提供导航数据、速度计、转速计、里程、油量表、换挡指示灯、空调的设定以及其他各种信息。另外，使用者可以适当地改变显示部所显示的显示内容及布置等。另外，显示部9710至显示部9713、显示部9721、显示部9723也可以显示上述信息。显示部9710至显示部9715、显示部9721至显示部9723还可以被用作照明装置。此外，显示部9710至显示部9715、显示部9721至显示部9723还可以被用作加热装置。
采用本发明的一个方式的发光装置、显示装置、或输入输出装置等的显示部可以为平面。
图30D所示的便携式游戏机包括框体9801、框体9802、显示部9803、显示部9804、麦克风9805、扬声器9806、操作键9807以及触屏笔9808等。
图30D所示的便携式游戏机包括两个显示部(显示部9803和显示部9804)。注意，本发明的一个方式的电子设备所包括的显示部的数量不局限于两个，而可以包括一个或三个以上的显示部。在电子设备包括多个显示部的情况下，至少一个显示部包括本发明的一个方式的发光装置、显示装置、或输入输出装置等即可。
图30E示出笔记本式个人计算机，该笔记本式个人计算机包括框体9821、显示部9822、键盘9823、指向装置9824等。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
符号说明
10：发光装置，11：衬底，12：粘合层，13：绝缘层，15：发光元件，16：粘合层，17：粘合层，18a：分隔壁，18b：临时密封层，18c：分隔壁，18d：临时密封层，19：衬底，21：构件，21a：构件，21b：构件，22：凸部，22a：凸部，22b：凸部，25：发光部，26：非发光部，31：形成用衬底，32：剥离层，51：形成用衬底，52：剥离层，53：绝缘层，55：着色层，59：间隔物，251：柔性衬底，258：厚度薄的区域，259：柔性衬底，301：显示部，302：像素，302B：子像素，302G：子像素，302R：子像素，302t：晶体管，303c：容量，303g(1)：扫描线驱动电路，303g(2)：撮像像素驱动电路，303s(1)：图像信号线驱动电路，303s(2)：撮像信号线驱动电路，303t：晶体管，304：栅极，308：撮像像素，308p：光电转换元件，308t：晶体管，309：FPC，311：布线，312：栅极绝缘层，319：端子，321：绝缘层，328：分隔壁，329：间隔物，350R：发光元件，351R：下部电极，352：上部电极，353：EL层，353a：EL层，353b：EL层，354：中间层，360：粘合层，367BM：遮光层，367p：防反射层，367R：着色层，378：绝缘层，390：输入/输出装置，501：显示部，505：输入/输出装置，505B：输入/输出装置，509：FPC，589：绝缘层，590：柔性衬底，591：电极，592：电极，593：绝缘层，594：布线，595：触摸传感器，597：粘合层，598：布线，599：连接层，701：第一柔性衬底，703：第一粘合层，705：第一绝缘层，711：第二柔性衬底，712：凹部，713：第二粘合层，715：第二绝缘层，723：背栅极，728：绝缘层，729：绝缘层，742：半导体层，743：栅极，744a：导电层，744b：导电层，747a：开口，747b：开口，747c：开口，747d：开口，772：绝缘层，804：发光部，806：驱动电路部，808：FPC，810：间隔物，811：绝缘层，812：绝缘层，813：无机绝缘层，814：导电层，815：绝缘层，817：绝缘层，817a：绝缘层，817b：绝缘层，820：晶体管，821：绝缘层，822：粘合层，823：间隔物，824：晶体管，825：连接体，830：发光元件，831：下部电极，832：光学调整层，833：EL层，835：上部电极，845：着色层，847：遮光层，848：晶体管，849：保护层，856：导电层，857：导电层，857a：导电层，857b：导电层，2000a：上板，2000b：下板，2005a：缓冲材料，2005b：缓冲材料，2005c：缓冲材料，2005d：缓冲材料，2100：衬底，7000：显示部，7001：显示部，7100：移动电话机，7101：框体，7103：操作按钮，7104：外部连接端口，7105：扬声器，7106：麦克风，7200：电视装置，7201：框体，7203：支架，7211：遥控操作机，7300：便携式信息终端，7301：框体，7302：操作按钮，7303：框体，7304：框体，7305：框体，7306：框体，7310：便携式信息终端，7320：便携式信息终端，7400：照明装置，7401：底座，7402：发光部，7403：操作开关，7410：照明装置，7412：发光部，7420：照明装置，7422：发光部，7500：便携式信息终端，7501：框体，7502：取出构件，7503：操作按钮，7600：便携式信息终端，7601：框体，7602：铰链，7650：便携式信息终端，7651：非显示部，7700：便携式信息终端，7701：框体，7703a：按钮，7703b：按钮，7704a：扬声器，7704b：扬声器，7705：外部连接端口，7706：麦克风，7709：电池，7800：便携式信息终端，7801表带，7802：输入输出端子，7803：操作按钮，7804：图标，7805：电池，9700：汽车，9701：车身，9702：车轮，9703：挡风玻璃，9704：灯，9705：雾灯，9710：显示部，9711：显示部，9712：显示部，9713：显示部，9714：显示部，9715：显示部，9721：显示部，9722：显示部，9723：显示部，9801：框体，9802：框体，9803：显示部，9804：显示部，9805：麦克风，9806：扬声器，9807：操作键，9808：触屏笔，9821：框体，9822：显示部，9823：键盘，9824指向装置。
本申请基于2015年7月30日提交到日本专利局的日本专利申请No.2015-150777以及2016年6月16日提交到日本专利局的日本专利申请No.2016-119834，通过引用将其完整内容并入在此。

Claims (17)

1.一种包括具有发光元件的发光部及所述发光部的外侧的框状的非发光部的发光装置的制造方法，包括如下步骤：
在第一衬底上形成所述发光元件；
以第二衬底与所述第一衬底之间夹着粘合层彼此重叠的方式配置所述第二衬底与所述第一衬底，其中所述发光元件位于由所述粘合层、所述第一衬底及所述第二衬底围绕的空间中；
固化所述粘合层；以及
在固化所述粘合层之后边对所述粘合层进行加热边利用具有凸部的构件对所述非发光部的至少一部分施压。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，
其中，所述非发光部包括间隔物及无机绝缘层，
在配置所述第二衬底与所述第一衬底之前，在所述第一衬底或所述第二衬底上形成所述间隔物及覆盖所述间隔物的侧面及顶面的所述无机绝缘层，
并且，当利用所述构件对所述非发光部的至少所述一部分施压时，所述凸部与所述无机绝缘层重叠。
3.一种包括具有发光元件的发光部及所述发光部的外侧的框状的非发光部的发光装置的制造方法，包括如下步骤：
在第一衬底上形成剥离层；
在所述剥离层上形成被剥离层；
以第二衬底与所述第一衬底之间夹着粘合层彼此重叠的方式配置所述第二衬底与所述第一衬底，其中所述发光元件位于由所述粘合层、所述第一衬底及所述第二衬底围绕的空间中；
固化所述粘合层；
使所述第一衬底与所述被剥离层彼此分离；以及
在固化所述粘合层之后边对所述粘合层进行加热边利用具有凸部的构件对所述非发光部的至少一部分施压，
其中，所述剥离层上的绝缘层及所述绝缘层上的所述发光元件被用作所述被剥离层，
并且，在使所述第一衬底与所述被剥离层彼此分离之前所述粘合层重叠于所述剥离层及所述被剥离层。
4.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，还包括如下步骤：
在所述第一衬底与所述被剥离层的分离与利用所述构件对所述非发光部的至少所述一部分的施压之间，对所述剥离层贴合第三衬底。
5.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，还包括如下步骤：
在利用所述构件对所述非发光部的至少所述一部分施压后对所述剥离层贴合第三衬底。
6.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，
其中，所述非发光部包括间隔物及无机绝缘层，
在配置所述第二衬底与所述第一衬底之前，在所述第一衬底或所述第二衬底上形成所述间隔物及覆盖所述间隔物的侧面及顶面的所述无机绝缘层，
并且，当利用所述构件对所述非发光部的至少所述一部分施压时，所述凸部与所述无机绝缘层重叠。
7.一种包括具有发光元件的发光部及所述发光部的外侧的框状的非发光部的发光装置的制造方法，包括如下步骤：
在第一衬底上形成第一剥离层；
在所述第一剥离层上形成第一被剥离层；
在第二衬底上形成第二剥离层；
在所述第二剥离层上形成第二被剥离层；
以所述第二衬底与所述第一衬底夹着粘合层彼此重叠的方式配置所述第二衬底与所述第一衬底，其中所述发光元件位于由所述粘合层、所述第一衬底及所述第二衬底围绕的空间中；
固化所述粘合层；
使所述第一衬底与所述第一被剥离层彼此分离；
对所述第一剥离层贴合第三衬底；
使所述第二衬底与所述第二被剥离层彼此分离；以及
在固化所述粘合层之后边对所述粘合层进行加热边利用具有凸部的构件对所述非发光部的至少一部分施压，
其中，绝缘层及所述绝缘层上的所述发光元件被用作所述第一被剥离层或所述第二被剥离层，
并且，在使所述第一衬底与所述第一被剥离层彼此分离之前所述粘合层重叠于所述第一剥离层及所述第一被剥离层。
8.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法，还包括如下步骤：
在使所述第二衬底与所述第二被剥离层的分离与利用所述构件对所述非发光部的至少所述一部分施压之间，对所述第二剥离层贴合第四衬底。
9.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法，还包括如下步骤：
在利用所述构件对所述非发光部的至少所述一部分施压后对所述第二剥离层贴合第四衬底。
10.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法，还包括如下步骤：
在配置所述第二衬底与所述第一衬底之前，在所述第一衬底或所述第二衬底上形成分隔壁，
其中所述分隔壁以围绕所述粘合层的方式形成。
11.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法，
其中，所述非发光部包括间隔物及无机绝缘层，
在配置所述第二衬底与所述第一衬底之前，在所述第一衬底或所述第二衬底上形成所述间隔物及覆盖所述间隔物的侧面及顶面的所述无机绝缘层，
并且，当利用所述构件对所述非发光部的至少所述一部分施压时，所述凸部与所述无机绝缘层重叠。
12.一种发光装置，包括：
发光部；以及
所述发光部的外侧的框状的非发光部；
第一柔性衬底；
第二柔性衬底；
第一粘合层；
第二粘合层；
第一绝缘层；以及
第一功能层，
其中，所述第一粘合层位于所述第一柔性衬底与所述第一绝缘层之间，
所述第二粘合层位于所述第二柔性衬底与所述第一绝缘层之间，
所述第一功能层位于所述第二粘合层与所述第一绝缘层之间，
所述第一粘合层与所述第二粘合层隔着所述第一绝缘层彼此部分重叠，
所述发光部在所述第一功能层中包括发光元件，
所述非发光部在所述第一功能层中包括间隔物及无机绝缘层，
所述无机绝缘层覆盖所述间隔物的侧面及顶面，
并且，所述非发光部的第一部分中的所述第一柔性衬底与所述第二柔性衬底之间的间隔比所述发光部中窄。
13.根据权利要求12所述的发光装置，其中所述第一部分包括所述无机绝缘层。
14.一种模块，包括：
权利要求12所述的发光装置；以及
柔性印刷电路板或集成电路。
15.一种电子设备，包括：
权利要求14所述的模块；以及
传感器、天线、电池、框体、照相机、扬声器、麦克风和操作按钮中的至少一个。
16.一种模块，包括：
利用权利要求1所述的发光装置的制造方法制造的发光装置；以及
柔性印刷电路板或集成电路。
17.一种电子设备，包括：
权利要求16所述的模块；以及
传感器、天线、电池、框体、照相机、扬声器、麦克风和操作按钮中的至少一个。
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