TW201712732A - 補正資訊生成裝置、描繪裝置、補正資訊生成方法及描繪方法 - Google Patents

補正資訊生成裝置、描繪裝置、補正資訊生成方法及描繪方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201712732A
TW201712732A TW105122188A TW105122188A TW201712732A TW 201712732 A TW201712732 A TW 201712732A TW 105122188 A TW105122188 A TW 105122188A TW 105122188 A TW105122188 A TW 105122188A TW 201712732 A TW201712732 A TW 201712732A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mark
target
adjacent
measurement
measurement position
Prior art date
Application number
TW105122188A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI643247B (zh
Inventor
北村清志
Original Assignee
思可林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 思可林集團股份有限公司 filed Critical 思可林集團股份有限公司
Publication of TW201712732A publication Critical patent/TW201712732A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI643247B publication Critical patent/TWI643247B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本發明之測定位置獲取部係於拍攝對象記號群94之圖像即測定圖像中,獲取作為一對象記號93之注目記號之測定位置。繼而,抽取以與該注目記號於縱向或橫向上相距既定距離之鄰接中心位置為中心之鄰接區域95中所包含之對象記號93作為鄰接記號,並獲取測定位置。反覆控制部將鄰接記號設為新的注目記號,反覆獲取鄰接於新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置,直至獲取測定圖像上之所有對象記號93之測定位置為止。補正資訊生成部將測定圖像上之所有對象記號93之測定位置與對象記號群94之設計位置建立對應關係,並基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊。藉此,可容易且恰當地進行對象記號93之配對處理。

Description

補正資訊生成裝置、描繪裝置、補正資訊生成方法及描繪方法
本發明係關於一種基於基板上之記號之位置資訊生成用於補正對上述基板描繪之圖像之描繪資料之補正資訊的技術。
習知以來,藉由對形成於半導體基板或印刷基板、或者電漿顯示裝置或液晶顯示裝置用之玻璃基板等(以下,稱為「基板」)之感光材料照射光,而進行圖案之描繪。近年來,伴隨著圖案之高精細化,利用使光束於感光材料上進行掃描而直接描繪圖案之描繪裝置。
例如,於日本專利特開2014-143335號公報(文獻1)之描繪裝置中,對在表面安裝有複數個半導體晶片之晶圓(所謂模塑晶圓),自光學頭照射調變雷射光,藉此將以電腦輔助設計(CAD,Computer Aided Design)資料記述之圖案反覆描繪於各半導體晶片。
然而,於如上所述之模塑晶圓,產生半導體晶片之安裝時之位置偏移或因模塑時產生之應力導致之位置偏移。為了補正此種離散之位置偏移而進行描繪,測定分別設置於複數個半導體晶片之對準標記等記號之位置,計算各記號之測定位置自設計位置之位移,其後進行使對各半導體晶片描繪之圖案之描繪資料與該位移匹配的動作。該複數個記號之位移計算係進行將自拍攝晶圓整體所得之圖像中抽取之複數個記號與設計資料中所包含之複數個記號分別建立對應關 係的配對處理,並將建立對應關係之各記號之測定位置與設計位置進行比較。
作為該配對處理之方法,已知有將晶圓之圖像上之記號與設計資料中位於距離該記號之測定位置最近之設計位置的記號建立對應關係之最接近探索法。然而,於拍攝到之晶圓相對於設計資料旋轉之情形等時,有無法利用最接近探索法進行恰當之配對處理之虞。
本發明適於補正資訊生成裝置,其目的在於容易且恰當地進行記號之配對處理。本發明亦適於描繪裝置、補正資訊生成方法及描繪方法。
本發明之一補正資訊生成裝置其係基於基板上之記號之位置資訊,生成用於補正對基板描繪之圖像之描繪資料之補正資訊。該補正資訊生成裝置包括:設計位置記憶部,其記憶於基板上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號即對象記號群之設計位置;測定位置獲取部,其於拍攝上述對象記號群之圖像即測定圖像中,獲取作為一對象記號之注目記號之測定位置,注目於以與上述注目記號於上述縱向或上述橫向上相距既定距離之位置即鄰接中心位置為中心之既定大小的鄰接區域,抽取上述鄰接區域中所包含之記號作為鄰接於上述注目記號之鄰接記號,並獲取上述鄰接記號之測定位置;反覆控制部,其藉由控制上述測定獲取部,而將上述鄰接記號設為新的注目記號,反覆獲取鄰接於上述新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置,直至獲取上述測定圖像上之所有對象記號之測定位置為止;及補正資訊生成部,其將上述測定圖像上之上述所有對象記號之上述測定位置與上述對象記號群之上述設計位置建立對應關係,並基於對應 之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊。根據該補正資訊生成裝置,可容易且恰當地進行記號之配對處理。
較佳為,藉由上述測定位置獲取部,將上述對象記號群中於上述縱向及上述橫向之一方向上位於最一端之一對象記號設為上述注目記號,並將上述對象記號群設為分別於上述縱向及上述橫向之另一方向上橫跨上述對象記號群之全長延伸之複數個對象記號行的集合,藉由上述反覆控制部控制上述測定獲取部,藉此,最先獲取包含上述注目記號之對象記號行之測定位置,並依序獲取與測定位置已被獲取之對象記號行於上述一方向上鄰接之對象記號行之測定位置。
本發明之另一補正資訊生成裝置其係基於基板上之記號之位置資訊,生成用於補正對上述基板描繪之圖像之描繪資料之補正資訊。該補正資訊生成裝置包括:設計位置記憶部,其記憶於基板上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號即對象記號群之設計位置;測定位置獲取部,其於拍攝上述對象記號群之圖像即測定圖像中,獲取上述對象記號群中於上述縱向及上述橫向之一方向上位於最一端之一對象記號即注目記號的測定位置,注目於以與上述注目記號於上述縱向及上述橫向之另一方向上相距既定距離之位置即鄰接中心位置為中心之既定大小的鄰接區域,抽取上述鄰接區域中所包含之記號作為鄰接於上述注目記號之鄰接記號,並獲取上述鄰接記號之測定位置;對象記號行獲取部,其藉由控制上述測定位置獲取部,而於包含上述注目記號並且於上述另一方向上橫跨上述對象記號群之全長延伸之注目對象記號行中,將上述鄰接記號設為新的注目記號,反覆獲取與上述新的注目記號於上述另一方向上鄰接之新的鄰接記號之測定位置,而獲取上述注目對象記號行之所有對象記號之測定位置;反覆 控制部,其藉由控制上述對象記號行獲取部,而獲取自上述對象記號群中將測定位置已被獲取之對象記號行去除所得之未獲取對象記號群中於上述一方向上位於最一端之一對象記號即下一注目記號的測定位置,並反覆獲取包含上述下一注目記號之下一注目對象記號行之所有對象記號之測定位置,直至獲取上述測定圖像上之所有對象記號之測定位置為止;及補正資訊生成部,其將上述測定圖像上之上述所有對象記號之上述測定位置與上述對象記號群之上述設計位置建立對應關係,並基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊。根據該補正資訊生成裝置,可容易且恰當地進行記號之配對處理。
本發明之於基板上描繪圖像之描繪裝置包括:光源部;如上述任一項之補正資訊生成裝置;描繪資料補正部,其利用藉由上述補正資訊生成裝置生成之補正資訊,補正對基板描繪之圖像之描繪資料;光調變部,其基於藉由上述描繪資料補正部補正之描繪資料,對來自上述光源部之光進行調變;及掃描機構,其使藉由上述光調變部調變之光於上述基板上進行掃描。
本發明之一補正資訊生成方法基於基板上之記號之位置資訊,生成用於補正對上述基板描繪之圖像之描繪資料之補正資訊。該補正資訊生成方法包括如下步驟:a)準備於基板上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號即對象記號群之設計位置之步驟;b)於拍攝上述對象記號群之圖像即測定圖像中,獲取作為一對象記號之注目記號之測定位置之步驟;c)注目於以與上述注目記號於上述縱向或上述橫向上相距既定距離之位置即鄰接中心位置為中心之既定大小的鄰接區域,抽取上述鄰接區域中所包含之記號作為鄰接於上述注目記 號之鄰接記號,並獲取上述鄰接記號之測定位置之步驟;d)將於上述c)步驟中測定位置已被獲取之上述鄰接記號設為新的注目記號,並反覆進行上述c)步驟,獲取鄰接於上述新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置,直至獲取上述測定圖像上之所有對象記號之測定位置為止之步驟;及e)將於上述d)步驟中獲取之上述測定圖像上之上述所有對象記號之上述測定位置與上述對象記號群之上述設計位置建立對應關係,並基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊之步驟。根據該補正資訊生成方法,可容易且恰當地進行記號之配對處理。
較佳為,於上述b)步驟中,將上述對象記號群中於上述縱向及上述橫向之一方向上位於最一端之一對象記號設為上述注目記號,並且於上述c)步驟及上述d)步驟中,將上述對象記號群設為分別於上述縱向及上述橫向之另一方向上橫跨上述對象記號群之全長延伸之複數個對象記號行的集合,最先獲取包含上述b)步驟中所選擇之上述注目記號之對象記號行之測定位置,並依序獲取與測定位置已被獲取之對象記號行於上述一方向上鄰接之對象記號行之測定位置。
本發明之另一補正資訊生成方法基於基板上之記號之位置資訊,生成用於補正對上述基板描繪之圖像之描繪資料之補正資訊。該補正資訊生成方法包括如下步驟:a)準備於基板上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號即對象記號群之設計位置之步驟;b)於拍攝上述對象記號群之圖像即測定圖像中,獲取上述對象記號群中於上述縱向及上述橫向之一方向上位於最一端之一對象記號即注目記號之測定位置之步驟;c)注目於以與上述注目記號於上述縱向及上述橫向之另一方向上相距既定距離之位置即鄰接中心位置為中心之既定大小的鄰接區域,抽取上述鄰接區域中所包含之記號作為鄰接於上述注 目記號之鄰接記號,並獲取上述鄰接記號之測定位置之步驟;d)於包含上述注目記號並且於上述另一方向上橫跨上述對象記號群之全長延伸之注目對象記號行中,將於上述c)步驟中測定位置已被獲取之上述鄰接記號設為新的注目記號,並反覆進行上述c)步驟,而反覆獲取鄰接於上述新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置,從而獲取上述注目對象記號行之所有對象記號之測定位置之步驟;e)獲取自上述對象記號群中將測定位置已被獲取之對象記號行去除所得之未獲取對象記號群中於上述一方向上位於最一端之一對象記號即下一注目記號的測定位置,對上述下一注目記號進行上述c)步驟及上述d)步驟,反覆獲取包含上述下一注目記號之下一注目對象記號行之所有對象記號之測定位置,直至獲取上述測定圖像上之所有對象記號之測定位置為止之步驟;及f)將於上述e)步驟中獲取之上述測定圖像上之上述所有對象記號之上述測定位置與上述對象記號群之上述設計位置建立對應關係,並基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊之步驟。根據該補正資訊生成方法,可容易且恰當地進行記號之配對處理。
本發明之於基板上描繪圖像之描繪方法包括如下步驟:藉由如上述任一項之補正資訊生成方法,獲取補正資訊之步驟;利用上述補正資訊,補正對基板描繪之圖像之描繪資料之步驟;及使基於經補正之描繪資料調變後之光於基板上進行掃描之步驟。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點當參照隨附圖式並根據以下所進行之本發明之詳細說明而明確。
1‧‧‧直描裝置
9‧‧‧基板
11‧‧‧平台
12‧‧‧平台移動機構
13‧‧‧光源部
14‧‧‧光學頭
15‧‧‧搬送機器人
16‧‧‧匣盒載置部
17‧‧‧基台
18‧‧‧罩蓋
19‧‧‧控制部
21‧‧‧攝像部
31、31a‧‧‧補正資訊生成裝置
32‧‧‧描繪資料補正部
91‧‧‧上表面
92‧‧‧半導體晶片
93‧‧‧對象記號
94‧‧‧對象記號群
95‧‧‧鄰接區域
96‧‧‧對象記號行
121‧‧‧Y方向移動機構
122‧‧‧X方向移動機構
123‧‧‧旋轉機構
131‧‧‧支柱
141‧‧‧空間光調變器
161‧‧‧匣盒
212、222‧‧‧導軌
221‧‧‧線性馬達
311‧‧‧設計位置記憶部
312‧‧‧測定位置獲取部
313‧‧‧反覆控制部
314‧‧‧補正資訊生成部
315‧‧‧對象記號行獲取部
S11~S18、S21~S27‧‧‧步驟
圖1係表示直描裝置之構成之圖。
圖2係表示基板之上表面之俯視圖。
圖3係表示控制部之功能之方塊圖。
圖4係表示對基板描繪圖像之流程之圖。
圖5係表示基板之上表面之俯視圖。
圖6係表示控制部之功能之方塊圖。
圖7係表示對基板描繪圖像之流程之圖。
圖1係表示作為本發明之一實施形態之描繪裝置之直描裝置1的概略構成的圖。直描裝置1係對形成有作為抗蝕劑等感光材料之層之感光層之基板9之上表面照射光而於基板9上描繪圖案之圖像的裝置。基板9可為半導體基板、印刷配線基板、彩色濾光片用基板、液晶顯示裝置、有機電致發光(EL,Electroluminescence)顯示裝置、電漿顯示裝置等平板顯示裝置用玻璃基板、記錄碟片用基板等各種基板。
直描裝置1包含平台11、平台移動機構12、光源部13、光學頭14、搬送機器人15、匣盒載置部16、基台17、罩蓋18、控制部19等。罩蓋18覆蓋基台17之上方,形成處理基板9之處理空間。於處理空間內,配置平台11、平台移動機構12、光源部13、光學頭14及搬送機器人15。光源部13亦可配置於處理空間外。於直描裝置1,亦設置省略圖示之對準單元。
平台移動機構12配置於基台17上。平台移動機構12包含Y方向移動機構121、X方向移動機構122、及旋轉機構123。平台11將基板9以水平姿勢保持於其上表面。平台移動機構12係使基板9與平台11一併移動之移動機構。旋轉機構123使平台11以朝向 作為上下方向之Z方向之中心軸為中心旋轉。X方向移動機構122使旋轉機構123及平台11於作為副掃描方向之X方向移動。X方向為垂直於Z方向之水平方向。Y方向移動機構121使X方向移動機構122、旋轉機構123及平台11於作為主掃描方向之Y方向移動。Y方向為垂直於Z方向及X方向之水平方向。
Y方向移動機構121包含線性馬達及導軌212,藉由線性馬達使X方向移動機構122沿著導軌212移動。X方向移動機構122亦包含線性馬達221及導軌222,藉由線性馬達221使旋轉機構123沿著導軌222移動。
光源部13由固定於基台17之支柱131支撐。光學頭14連接於光源部13。光學頭14之數量亦可為2個以上,於此情形時,例如,光學頭14沿X方向排列。光源部13包含雷射驅動部、雷射振盪器、及光學系統。藉由光源部13生成之光束被導引至光學頭14。
光學頭14包含對來自光源部13之光進行調變之作為光調變部之空間光調變器141。空間光調變器141例如為GLV(註冊商標)(Grating Light Valve)。空間光調變器141亦可為數位微鏡裝置(DMD,Digital Micromirror Device)等。光學頭14進而包含將來自光源部13之光束轉換為光束剖面為線狀之線狀光並導引至空間光調變器141的光學系統、及將於空間光調變器141進行空間調變後之光束導引至基板9之光學系統。
未處理之基板9以收納於匣盒161之狀態載置於匣盒載置部16。基板9由搬送機器人15經由罩蓋18之開口自匣盒161取出,並載置於平台11上。而且,藉由控制部19控制對準單元,而調整基板9之XY方向之位置及旋轉位置。
平台11藉由Y方向移動機構121於Y方向移動,與此並行地自光學頭14將經空間調變之光束朝向基板9出射,而對基板9描繪圖案。若Y方向之移動結束,則平台11藉由X方向移動機構122於X方向步進移動,並一面藉由Y方向移動機構121朝與上次相反之方向移動一面進行描繪。當反覆進行上述動作而對基板9上之應描繪之區域整體進行描繪時,藉由搬送機器人15將基板9自平台11搬送至匣盒161。
於直描裝置1,平台移動機構12係使藉由空間光調變器141進行調變後之光於基板9上進行掃描的掃描機構。再者,作為該掃描機構,亦可於固定之平台11上設置使光學頭14於X方向及Y方向移動之機構。直描裝置1進而包括拍攝基板9之上表面91之攝像部21。攝像部21例如安裝於光學頭14。
圖2係表示基板9之上表面91之俯視圖。基板9係於大致圓板狀之半導體基板上安裝複數個半導體晶片92並藉由樹脂對該複數個半導體晶片92進行模塑所得者(所謂模塑基板)。各半導體晶片92於俯視下為大致矩形狀。於圖2所示之例中,於各半導體晶片92之左上之角部設置記號93。記號93例如為設置於各半導體晶片92之上表面之對準標記。記號93亦可為設置於半導體晶片92之上表面之圖案之一部分等。於圖2中,以黑圓點表示記號93,但記號93之形狀可進行各種變更。又,半導體晶片92之數量及配置、以及記號93之數量及配置亦可進行各種變更。
複數個記號93於基板9上沿圖2中之橫向(X方向)及縱向(Y方向)配置成格子狀。於以下之說明中,亦將X方向及Y方向簡稱為「橫向」及「縱向」。又,如下所述,記號93成為位置測定之對 象,故而於以下之說明中稱為「對象記號93」。進而,將基板9上之複數個對象記號93總稱為「對象記號群94」。於圖2所示之例中,對象記號群94之外形、即藉由直線將對象記號群94之位於外緣之複數個對象記號93連結而成之形狀為大致矩形狀。再者,對象記號群94之外形並不限定於大致矩形狀,可進行各種變更。
於直描裝置1,基於基板9上之記號93之位置資訊,藉由控制部19補正對基板9描繪之圖像之描繪資料,並基於經補正之描繪資料,於複數個半導體晶片92上描繪圖案。關於描繪資料之補正,將於下文進行敍述。於基板9,複數個半導體晶片92之上表面為分別被描繪圖案之複數個圖案描繪區域。
圖3係表示控制部19之功能之方塊圖。於圖3中,一併表示連接於控制部19之直描裝置1之構成之一部分。控制部19成為包含進行各種運算處理之中央處理單元(CPU,Central Processing Unit)、記憶基本程式之唯讀記憶體(ROM,Read Only Memory)、及記憶各種資訊之隨機存取記憶體(RAM,Random Access Memory)之一般之電腦系統的構成。控制部19之功能可藉由專用之電路實現,亦可局部使用專用之電路。
如圖3所示,控制部19包括補正資訊生成裝置31、及描繪資料補正部32。補正資訊生成裝置31包含設計位置記憶部311、測定位置獲取部312、反覆控制部313、及補正資訊生成部314。補正資訊生成裝置31基於基板9上之記號93之位置資訊,生成用於補正對基板9描繪之圖像之描繪資料之補正資訊。描繪資料補正部32利用藉由補正資訊生成裝置31生成之補正資訊,補正對基板9描繪之圖像之描繪資料。
其次,一面參照圖4,一面對藉由直描裝置1於基板9上描繪圖像之流程進行說明。於直描裝置1,首先,藉由利用補正資訊生成裝置31之設計位置記憶部311記憶而準備於基板9上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號93即對象記號群94之設計位置(步驟S11)。對象記號群94之設計位置例如自描繪於基板9上之預定之圖像之設計資料即CAD資料中被抽取並記憶於設計位置記憶部311。
於該設計資料,對象記號群94之複數個對象記號93之設計位置沿著縱向及橫向等間隔地排列。於以下之說明中,將於縱向或橫向上鄰接之各2個對象記號93間之距離稱為「記號間距離」。縱向之記號間距離與橫向之記號間距離可相同,亦可不同。於圖2所示之例中,縱向之記號間距離與橫向之記號間距離相同。記號間距離例如為約2mm。
繼而,藉由攝像部21,拍攝平台11上之基板9之上表面91,並獲取基板9之圖像(以下,稱為「測定圖像」)。基板9之測定圖像係拍攝基板9上之對象記號群94所得之圖像。藉由攝像部21所獲取之測定圖像被發送至控制部19之測定位置獲取部312。
利用測定位置獲取部312,於測定圖像中,獲取作為一對象記號93之注目記號之位置(步驟S12)。於以下之說明中,將測定圖像上之記號之位置稱為「測定位置」。作為注目記號,例如抽取測定圖像中之對象記號群94中於縱向及橫向之一方向上位於最一端之一對象記號93。於圖2所示之例中,抽取對象記號群94中最靠(-X)側之對象記號93作為注目記號,獲取該注目記號之測定位置。於圖2中,以二點鏈線之圓包圍作為注目記號之對象記號93。
繼而,求出與注目記號於縱向或橫向上相距上述記號間 距離之位置即鄰接中心位置,注目以該鄰接中心位置為中心之既定大小之鄰接區域95。繼而,抽取鄰接區域95中所包含之對象記號93作為鄰接於注目記號之鄰接記號,獲取測定圖像中之鄰接記號之測定位置(步驟S13)。於圖2中,以二點鏈線描繪以與上述注目記號於縱向((-Y)側)相距記號間距離之鄰接中心位置為中心之鄰接區域95。於圖2所示之例中,鄰接區域95為由與縱向及橫向大致平行之邊構成之大致矩形狀。鄰接區域95例如為1邊為約200μm之大致正方形。
繼而,藉由利用反覆控制部313控制測定位置獲取部312,而將於步驟S13中測定位置已被獲取之鄰接記號設為新的注目記號(步驟S14)。繼而,返回至步驟S13,反覆獲取鄰接於該新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置(步驟S15、S13)。具體而言,求出與新的注目記號於縱向或橫向上相距上述記號間距離之位置即新的鄰接中心位置,注目以該新的鄰接中心位置為中心之既定大小之新的鄰接區域95。繼而,抽取該新的鄰接區域95中所包含之對象記號93作為鄰接於新的注目記號之新的鄰接記號,獲取測定圖像中之新的鄰接記號之測定位置。於反覆控制部313,記憶複數個對象記號93被設為注目記號之順序(以下,稱為「注目順序」)。
反覆進行步驟S13~S15時,例如,將自最初之注目記號沿大致(-Y)方向排列之複數個對象記號93依序設為鄰接記號並獲取測定位置。於在注目記號之(-Y)側之鄰接區域95不存在對象記號93之情形時,注目該注目記號之(+X)側之鄰接區域95,將該鄰接區域95之對象記號93設為鄰接記號並獲取測定位置,其後,將該對象記號93設為新的注目記號。繼而,將自新的該注目記號沿大致(+Y)方向排列之複數個對象記號93依序設為鄰接記號並獲取測定位置。又,於在注 目記號之(+Y)側之鄰接區域95不存在對象記號93之情形時,亦同樣地注目該注目記號之(+X)側之鄰接區域95,將該鄰接區域95之對象記號93設為鄰接記號並獲取測定位置,其後,將該對象記號93設為新的注目記號。
其後,將自新的該注目記號沿大致(-Y)方向排列之複數個對象記號93依序設為鄰接記號並獲取測定位置。於此情形時,如圖5所示,於對象記號群94中,對分別沿縱向延伸之對象記號93之行即複數個對象記號行96,自(-X)側朝向(+X)方向依序進行對象記號93之測定位置之獲取。於圖5中,以二點鏈線包圍各對象記號行96。於圖5所示之例中,對象記號群94係分別於縱向上橫跨對象記號群94之全長延伸並且沿著橫向排列的複數個對象記號行96之集合。於補正資訊生成裝置31,反覆進行上述步驟S13~S15,直至獲取測定圖像上之所有對象記號93之測定位置為止,即,直至不存在下一鄰接記號為止。
再者,對象記號行96亦可為沿橫向延伸之對象記號93之行。於此情形時,對象記號群94係分別於橫向上橫跨對象記號群94之全長延伸並且沿著縱向排列的複數個對象記號行96之集合。於補正資訊生成裝置31,與上述同樣地,藉由反覆進行上述步驟S13~S15而對複數個對象記號行96,例如自(+Y)側朝向(-Y)方向依序進行對象記號93之測定位置之獲取,直至獲取測定圖像上之所有對象記號93之測定位置為止。
換言之,於補正資訊生成裝置31,將對象記號群94中於縱向及橫向之一方向上位於最一端之一對象記號設為注目記號。繼而,藉由利用反覆控制部313控制測定位置獲取部312,而於對象記號群94(即,分別於縱向及橫向中另一方向上橫跨對象記號群94之全長 延伸之複數個對象記號行96之集合)中,最先獲取包含注目記號之對象記號行96之測定位置。其後,依序獲取與測定位置已被獲取之對象記號行96於上述一方向上鄰接之對象記號行96之測定位置。
當獲取測定圖像上之所有對象記號93之測定位置時,藉由補正資訊生成部314,將該所有對象記號93之各者之測定位置與對象記號群94之設計位置建立對應關係。對象記號群94之測定位置與設計位置之對應關係之建立(即配對處理)例如藉由如下步驟而進行,即,將最先被獲取測定位置之最靠(-X)側之對象記號行96之測定位置與設計資料中位於最靠(-X)側之對象記號行之設計位置建立對應關係,然後以行為單位將剩餘之對象記號行96與設計資料之對象記號行建立對應關係。
繼而,針對對象記號群94之各對象記號93,基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊(步驟S16)。具體而言,獲取各對象記號93之測定位置自設計位置之偏移作為對應於各對象記號93之半導體晶片92自設計位置之位置偏移,而生成對基板9上之所有半導體晶片92之位置偏移分別進行補正之補正資訊。
當以上述方式獲取補正資訊時,藉由描繪資料補正部32,利用該補正資訊補正對基板9描繪之預定之圖像之描繪資料(步驟S17)。具體而言,基於表示各半導體晶片92自設計位置之位置偏移之補正資訊,補正描繪資料中所包含之描繪於各半導體晶片92之預定之圖案的位置。繼而,基於經補正之描繪資料,控制空間光調變器141及平台移動機構12,藉此使經調變之光於基板上進行掃描。藉此,描繪資料中所包含之各半導體晶片92用之圖案於考慮半導體晶片92之 位置偏移後準確地描繪於對應之各半導體晶片92上(步驟S18)。
如以上所說明般,補正資訊生成裝置31包括設計位置記憶部311、測定位置獲取部312、反覆控制部313、及補正資訊生成部314。設計位置記憶部311記憶於基板9上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號93即對象記號群94之設計位置。測定位置獲取部312於拍攝對象記號群94所得之圖像即測定圖像中,獲取作為一對象記號93之注目記號之測定位置。繼而,注目於以與該注目記號於縱向或橫向上相距既定距離(記號間距離)之位置即鄰接中心位置為中心之既定大小之鄰接區域95,抽取該鄰接區域95中所包含之對象記號93作為鄰接於注目記號之鄰接記號並獲取該鄰接記號之測定位置。
反覆控制部313藉由控制測定位置獲取部312,而將鄰接記號設為新的注目記號,並反覆獲取鄰接於新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置,直至獲取測定圖像上之所有對象記號93之測定位置為止。補正資訊生成部314將測定圖像上之所有對象記號93之測定位置與對象記號群94之設計位置建立對應關係,並基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊。
如此般,於補正資訊生成裝置31,利用已獲取之對象記號93之測定位置,依序獲取於縱向或橫向上鄰接於該對象記號93之其他對象記號93之測定位置,藉此可高精度地獲取對象記號群94之各對象記號93之測定位置。藉此,可容易且恰當地進行對象記號93之配對處理。其結果,可容易且高精度地生成用於補正對基板9描繪之圖像之描繪資料之補正資訊。
於補正資訊生成裝置31,步驟S13~S15中之對象記號93之測定位置之獲取、及步驟S16中之配對處理亦可針對每一對象記 號行96交替地進行。即,於獲取最先被獲取測定位置之最靠(-X)側之對象記號行96的測定位置後且獲取下一對象記號行96(自(-X)側起為第2個之對象記號行96)之測定位置之前,進行最先之對象記號行96之測定位置與設計位置之對應關係之建立。繼而,每當獲取新的對象記號行96之測定位置時,進行該新的對象記號行96之測定位置與設計位置之對應關係之建立。藉此,於自(-X)側起為第2個之後之對象記號行96之配對處理時,可利用最先之對象記號行96之配對處理之結果,故而可容易地進行上述第2個之後之對象記號行96之配對處理。
如上所述,直描裝置1包括補正資訊生成裝置31、光源部13、描繪資料補正部32、空間光調變器141、及平台移動機構12。描繪資料補正部32利用藉由補正資訊生成裝置31生成之上述補正資訊,補正對基板9描繪之圖像之描繪資料。空間光調變器141係基於藉由描繪資料補正部32補正後之描繪資料對來自光源部13之光進行調變的光調變部。平台移動機構12係使藉由空間光調變器141進行調變後之光於基板9上進行掃描的掃描機構。直描裝置1可基於基板9上之複數個對象記號93之位置而實現對基板9上之複數個圖案描繪區域之高精度之描繪。
基於補正資訊生成裝置31之複數個對象記號93之測定位置之獲取順序可進行各種變更。例如,藉由測定位置獲取部312,與上述同樣地,將對象記號群94中於縱向及橫向之一方向上位於最一端之一對象記號93設為注目記號。繼而,藉由利用反覆控制部313控制測定位置獲取部312,而於對象記號群94(即,分別於縱向及橫向中另一方向上橫跨對象記號群94之全長延伸之複數個對象記號行96之集合)中,最先獲取包含注目記號之對象記號行96之測定位置。再者, 注目記號於包含注目記號之對象記號行96中並非必須位於端部,亦存在位於該對象記號行96之中央部之情形。
其後,針對最先被獲取測定位置之對象記號行96之各對象記號93,注目以與各對象記號93之測定位置於(+X)側相距記號間距離之鄰接中心位置為中心之鄰接區域95。繼而,於在上述一方向上分別鄰接於最先之對象記號行96之複數個對象記號93之複數個鄰接區域95中,例如自(+Y)側朝向(-Y)側依序獲取各鄰接區域95之對象記號93之測定位置。藉此,獲取自(-X)側起為第2個之對象記號行96之所有對象記號93之測定位置。其後,依序獲取與測定位置已被獲取之對象記號行96於上述一方向上鄰接之對象記號行96之測定位置。
如此般,於補正資訊生成裝置31,可利用測定位置已被獲取之對象記號行96之各對象記號93之測定位置而容易地獲取於上述一方向上鄰接之對象記號行96之各對象記號93之測定位置。
又,於此情形時,步驟S13~S15中之對象記號93之測定位置之獲取、及步驟S16中之配對處理亦可針對每一對象記號行96交替地進行。即,於獲取最先被獲取測定位置之最靠(-X)側之對象記號行96之測定位置後且獲取下一對象記號行96(自(-X)側起為第2個之對象記號行96)之測定位置之前,進行最先之對象記號行96之測定位置與設計位置之對應關係之建立。繼而,每當獲取新的對象記號行96之測定位置時,進行該新的對象記號行96之測定位置與設計位置之對應關係之建立。藉此,於自(-X)側起為第2個之後之對象記號行96之配對處理時,可利用最先之對象記號行96之配對處理之結果,故而可容易地進行上述第2個之後之對象記號行96之配對處理。
獲取上述對象記號93之測定位置時,最先之注目記號 並非必須為測定圖像中之對象記號群94中於縱向及橫向之一方向上位於最一端之一對象記號93。例如,亦可選擇對象記號群94中任一對象記號93作為注目記號,依序注目該注目記號之(+X)側、(-X)側、(+Y)側及(-Y)側之鄰接區域95,將各鄰接區域95之對象記號93設為鄰接記號並獲取測定位置。繼而,將測定位置已被獲取之鄰接記號設為新的注目記號,反覆獲取鄰接於該注目記號之新的鄰接記號中未進行測定位置之獲取的鄰接記號之測定位置。再者,於鄰接於新的注目記號之所有鄰接記號之測定位置獲取完畢之情形時,回溯上述注目順序,選擇新的注目記號而反覆獲取鄰接記號之測定位置。回溯注目順序而選擇之新的注目記號為測定位置獲取完畢之對象記號93,且為與測定位置未被獲取之對象記號93於縱向或橫向上鄰接之對象記號93。
於此情形時,亦反覆進行上述步驟S13~S15,直至獲取測定圖像上之所有對象記號93之測定位置為止。當獲取測定圖像上之所有對象記號93之測定位置時,藉由補正資訊生成部314,將該所有對象記號93之各者之測定位置與對象記號群94之設計位置建立對應關係。對象記號群94之測定位置與設計位置之對應關係之建立例如藉由將位於大致矩形狀之對象記號群94之各角部之對象記號93的測定位置與設計資料中位於該各角部之對象記號之設計位置建立對應關係而進行。繼而,針對對象記號群94之各對象記號93,基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊。藉此,與上述同樣地,可容易且恰當地進行對象記號93之配對處理,其結果,可容易且高精度地生成用於補正描繪資料之補正資訊。
圖6係表示直描裝置1之控制部19之其他較佳例的圖。於圖6所示之控制部19,補正資訊生成裝置31a除包括設計位置記憶 部311、測定位置獲取部312、反覆控制部313及補正資訊生成部314以外,進而包括對象記號行獲取部315。
圖7係表示藉由包括補正資訊生成裝置31a之直描裝置1描繪圖像之流程的圖。於該直描裝置1,首先,與圖4所示之步驟S11同樣地,藉由利用補正資訊生成裝置31之設計位置記憶部311記憶而準備於基板9上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號93即對象記號群94之設計位置(步驟S21)。
繼而,藉由攝像部21,獲取拍攝基板9上之對象記號群94所得之測定圖像,並發送至控制部19之測定位置獲取部312。於測定位置獲取部312,選擇作為一對象記號93之注目記號,並獲取該注目記號於測定圖像上之位置即測定位置(步驟S22)。於步驟S22中,抽取測定圖像中之對象記號群94中於縱向及橫向之一方向上位於最一端之一對象記號93作為注目記號,並獲取測定位置。例如,如圖2中以二點鏈線之圓包圍般,抽取對象記號群94中最靠(-X)側之對象記號93作為注目記號,並獲取該注目記號之測定位置。
繼而,求出與注目記號於縱向及橫向中另一方向上相距上述記號間距離之位置即鄰接中心位置,注目以該鄰接中心位置為中心之既定大小之鄰接區域95。例如,如圖2中以二點鏈線表示般,注目以與上述注目記號於縱向((-Y)側)相距記號間距離之鄰接中心位置為中心之鄰接區域95。繼而,抽取鄰接區域95中所包含之對象記號93作為鄰接於注目記號之鄰接記號,並獲取測定圖像中之鄰接記號之測定位置。
其後,藉由對象記號行獲取部315,抽取包含注目記號並且於上述另一方向上橫跨對象記號群94之全長延伸的注目對象記號 行。例如,抽取圖5中沿橫向(X方向)排列之複數個對象記號行96中最靠(-X)側之對象記號行96作為注目對象記號行。進而,藉由利用對象記號行獲取部315控制測定位置獲取部312,而於該注目對象記號行中,將上述鄰接記號設為新的注目記號,並反覆獲取於上述另一方向上鄰接於該新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置。藉此,獲取注目對象記號行之所有對象記號93之測定位置(步驟S23)。
若步驟S23結束,則將已藉由反覆控制部313獲取測定位置之對象記號行96自對象記號群94中去除。於以下之說明中,將自對象記號群94中將測定位置已被獲取之對象記號行96去除所得者稱為「未獲取對象記號群」。於存在未獲取對象記號群之情形(步驟S24)時,藉由反覆控制部313控制對象記號行獲取部315,藉此返回至步驟S22,選擇未獲取對象記號群中於上述一方向上位於最一端之一對象記號93即下一注目記號,並獲取該下一注目記號之測定位置(步驟S22)。繼而,獲取包含該下一注目記號之下一注目對象記號行之所有對象記號93之測定位置(步驟S23)。
於補正資訊生成裝置31a,反覆進行上述步驟S22~S24,直至獲取測定圖像上之所有對象記號93之測定位置為止,即,直至不存在未獲取對象記號群為止。
當獲取測定圖像上之所有對象記號93之測定位置時,藉由補正資訊生成部314,將該所有對象記號93之各者之測定位置與對象記號群94之設計位置建立對應關係(即,進行配對處理)。該配對處理例如藉由如下步驟而進行,即,將最先被獲取測定位置之最靠(-X)側之對象記號行96之測定位置與設計資料中位於最靠(-X)側之對象記號行之設計位置建立對應關係,然後以行為單位將剩餘之對象記號行 96與設計資料之對象記號行建立對應關係。繼而,針對對象記號群94之各對象記號93,基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊(步驟S25)。
當以此方式獲取補正資訊時,藉由描繪資料補正部32,利用該補正資訊補正對基板9描繪之預定之圖像之描繪資料(步驟S26)。繼而,基於經補正之描繪資料,控制空間光調變器141及平台移動機構12,藉此使經調變之光於基板上進行掃描。藉此,描繪資料中所包含之各半導體晶片92用之圖案於考慮半導體晶片92之位置偏移後準確地描繪於對應之各半導體晶片92上(步驟S27)。
如以上所說明般,於補正資訊生成裝置31a,針對每一對象記號行96獲取複數個對象記號93之測定位置,藉此,可容易且恰當地進行對象記號93之配對處理。其結果,可容易且高精度地生成用於補正對基板9描繪之圖像之描繪資料之補正資訊。又,包括補正資訊生成裝置31a之直描裝置1可基於基板9上之複數個對象記號93之位置而實現對基板9上之複數個圖案描繪區域之高精度之描繪。
於補正資訊生成裝置31a,步驟S22~S24中之對象記號行96之對象記號93之測定位置的獲取、及步驟S25中之配對處理亦可針對每一對象記號行96交替地進行。即,於獲取最先被獲取測定位置之最靠(-X)側之對象記號行96之測定位置後且獲取下一對象記號行96(自(-X)側起第2個對象記號行96)之測定位置之前,進行最先之對象記號行96之測定位置與設計位置之對應關係之建立。繼而,每當獲取新的對象記號行96之測定位置時,進行該新的對象記號行96之測定位置與設計位置之對應關係之建立。藉此,可容易地進行對象記號行96之配對處理。
上述補正資訊生成裝置31、31a及直描裝置1可進行各種變更。
例如,直描裝置1亦可省略攝像部21。於此情形時,例如,將藉由直描裝置1以外之裝置拍攝到之基板9上之對象記號群94的圖像(測定圖像)輸入至補正資訊生成裝置31、31a,並由測定位置獲取部312受理。
亦可於基板9上之各半導體晶片92設置2個以上之記號。例如,於各半導體晶片92之上表面之左上之角部與右下之角部設置記號。於此情形時,首先,將配置於複數個半導體晶片92之左上之角部之複數個記號分別設為對象記號93,利用與上述對象記號93之測定位置之獲取同樣之方法,獲取該左上之複數個對象記號93之測定位置。其後,將配置於複數個半導體晶片92之右下之角部之複數個記號分別設為對象記號93,利用與上述對象記號93之測定位置之獲取同樣之方法,獲取該右下之複數個對象記號93之測定位置。繼而,求出配置於各半導體晶片92之左上之角部及右下之角部的對象記號93之測定位置與設計位置之差,並基於該差生成補正資訊。
或者,首先將配置於複數個半導體晶片92之左上之角部之複數個記號分別設為對象記號93,利用與上述對象記號93之測定位置之獲取同樣之方法,獲取該左上之複數個對象記號93之測定位置。繼而,於各半導體晶片92中,注目以與配置於左上之角部之對象記號93於右下方向相距既定距離之鄰接中心位置為中心的鄰接區域,並獲取該鄰接區域內之記號(即配置於右下之角部之記號)之測定位置。其後,求出配置於各半導體晶片92之左上之角部之對象記號93及配置於右下之角部之記號之測定位置與設計位置的差,並基於該差 生成補正資訊。
圖3所示之包括設計位置記憶部311、測定位置獲取部312、反覆控制部313及補正資訊生成部314之補正資訊生成裝置31亦可作為基於基板9上之記號之位置資訊生成用於補正對基板9描繪之圖像之描繪資料之補正資訊的裝置(例如,如上所述之電腦系統)而單獨使用。又,圖6所示之包括設計位置記憶部311、測定位置獲取部312、反覆控制部313、補正資訊生成部314及對象記號行獲取部315之補正資訊生成裝置31a亦可作為基於基板9上之記號之位置資訊生成用於補正對基板9描繪之圖像之描繪資料之補正資訊的裝置(例如,如上所述之電腦系統)而單獨使用。或者,補正資訊生成裝置31、31a亦可與直描裝置1以外之裝置一併使用。
上述實施形態及各變形例中之構成只要不相互矛盾則可適當組合。
對發明詳細地描述並進行了說明,但上述說明為例示性者並非限定性者。因此,認為只要不脫離本發明之範圍,則可實現多種變形或態樣。
9‧‧‧基板
91‧‧‧上表面
92‧‧‧半導體晶片
93‧‧‧對象記號
94‧‧‧對象記號群
95‧‧‧鄰接區域

Claims (8)

  1. 一種補正資訊生成裝置,其係基於基板上之記號之位置資訊,生成用於補正對上述基板描繪之圖像之描繪資料之補正資訊;其包括:設計位置記憶部,其記憶於基板上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號即對象記號群之設計位置;測定位置獲取部,其於拍攝上述對象記號群之圖像即測定圖像中,獲取作為一對象記號之注目記號之測定位置,注目於以與上述注目記號於上述縱向或上述橫向上相距既定距離之位置即鄰接中心位置為中心之既定大小的鄰接區域,抽取上述鄰接區域中所包含之記號作為鄰接於上述注目記號之鄰接記號,並獲取上述鄰接記號之測定位置;反覆控制部,其藉由控制上述測定獲取部,而將上述鄰接記號設為新的注目記號,並反覆獲取鄰接於上述新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置,直至獲取上述測定圖像上之所有對象記號之測定位置為止;及補正資訊生成部,其將上述測定圖像上之上述所有對象記號之上述測定位置與上述對象記號群之上述設計位置建立對應關係,並基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊。
  2. 如請求項1之補正資訊生成裝置,其中,藉由上述測定位置獲取部,將上述對象記號群中於上述縱向及上述橫向之一方向上位於最一端之一對象記號設為上述注目記號,將上述對象記號群設為分別於上述縱向及上述橫向之另一方向 上橫跨上述對象記號群之全長延伸之複數個對象記號行的集合,藉由利用上述反覆控制部控制上述測定獲取部,而最先獲取包含上述注目記號之對象記號行之測定位置,並依序獲取與測定位置已被獲取之對象記號行於上述一方向上鄰接之對象記號行之測定位置。
  3. 一種補正資訊生成裝置,其係基於基板上之記號之位置資訊,生成用於補正對上述基板描繪之圖像之描繪資料之補正資訊;其包括:設計位置記憶部,其記憶於基板上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號即對象記號群之設計位置;測定位置獲取部,其於拍攝上述對象記號群之圖像即測定圖像中,獲取上述對象記號群中於上述縱向及上述橫向之一方向上位於最一端之一對象記號即注目記號的測定位置,注目於以與上述注目記號於上述縱向及上述橫向之另一方向上相距既定距離之位置即鄰接中心位置為中心之既定大小的鄰接區域,抽取上述鄰接區域中所包含之記號作為鄰接於上述注目記號之鄰接記號,並獲取上述鄰接記號之測定位置;對象記號行獲取部,其藉由控制上述測定位置獲取部,而於包含上述注目記號並且於上述另一方向上橫跨上述對象記號群之全長延伸之注目對象記號行中,將上述鄰接記號設為新的注目記號,反覆獲取與上述新的注目記號於上述另一方向上鄰接之新的鄰接記號之測定位置,而獲取上述注目對象記號行之所有對象記號之測定位置;反覆控制部,其藉由控制上述對象記號行獲取部,而獲取自上述對象記號群中將測定位置已被獲取之對象記號行去除所得之未獲 取對象記號群中於上述一方向上位於最一端之一對象記號即下一注目記號的測定位置,並反覆獲取包含上述下一注目記號之下一注目對象記號行之所有對象記號之測定位置,直至獲取上述測定圖像上之所有對象記號之測定位置為止;及補正資訊生成部,其將上述測定圖像上之上述所有對象記號之上述測定位置與上述對象記號群之上述設計位置建立對應關係,並基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊。
  4. 一種描繪裝置,其於基板上描繪圖像;其包括:光源部;請求項1至3中任一項之補正資訊生成裝置;描繪資料補正部,其利用藉由上述補正資訊生成裝置生成之補正資訊,補正對基板描繪之圖像之描繪資料;光調變部,其基於藉由上述描繪資料補正部補正後之描繪資料,對來自上述光源部之光進行調變;及掃描機構,其使藉由上述光調變部進行調變後之光於上述基板上進行掃描。
  5. 一種補正資訊生成方法,其係基於基板上之記號之位置資訊,生成用於補正對上述基板描繪之圖像之描繪資料之補正資訊;其包括如下步驟:a)準備於基板上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號即對象記號群之設計位置之步驟;b)於拍攝上述對象記號群之圖像即測定圖像中,獲取作為一對象記號之注目記號之測定位置之步驟; c)注目於以與上述注目記號於上述縱向或上述橫向上相距既定距離之位置即鄰接中心位置為中心之既定大小的鄰接區域,抽取上述鄰接區域中所包含之記號作為鄰接於上述注目記號之鄰接記號,並獲取上述鄰接記號之測定位置之步驟;d)將於上述c)步驟中測定位置已被獲取之上述鄰接記號設為新的注目記號,反覆進行上述c)步驟,獲取鄰接於上述新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置,直至獲取上述測定圖像上之所有對象記號之測定位置為止之步驟;及e)將於上述d)步驟中獲取之上述測定圖像上之上述所有對象記號之上述測定位置與上述對象記號群之上述設計位置建立對應關係,並基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資料之補正資訊之步驟。
  6. 如請求項5之補正資訊生成方法,其中,於上述b)步驟中,將上述對象記號群中於上述縱向及上述橫向之一方向上位於最一端之一對象記號設為上述注目記號,於上述c)步驟及上述d)步驟中,將上述對象記號群設為分別於上述縱向及上述橫向之另一方向上橫跨上述對象記號群之全長延伸之複數個對象記號行的集合,最先獲取包含上述b)步驟中所選擇之上述注目記號之對象記號行之測定位置,並依序獲取與測定位置已被獲取之對象記號行於上述一方向上鄰接之對象記號行之測定位置。
  7. 一種補正資訊生成方法,其基於基板上之記號之位置資訊,生成用於補正對上述基板描繪之圖像之描繪資料之補正資訊;其包括如下步驟: a)準備於基板上沿縱向及橫向配置成格子狀之複數個對象記號即對象記號群之設計位置之步驟;b)於拍攝上述對象記號群之圖像即測定圖像中,獲取上述對象記號群中於上述縱向及上述橫向之一方向上位於最一端之一對象記號即注目記號之測定位置之步驟;c)注目於以與上述注目記號於上述縱向及上述橫向之另一方向上相距既定距離之位置即鄰接中心位置為中心之既定大小的鄰接區域,抽取上述鄰接區域中所包含之記號作為鄰接於上述注目記號之鄰接記號,並獲取上述鄰接記號之測定位置之步驟;d)於包含上述注目記號並且於上述另一方向上橫跨上述對象記號群之全長延伸之注目對象記號行中,將於上述c)步驟中測定位置已被獲取之上述鄰接記號設為新的注目記號,反覆進行上述c)步驟,而反覆獲取鄰接於上述新的注目記號之新的鄰接記號之測定位置,從而獲取上述注目對象記號行之所有對象記號之測定位置之步驟;e)獲取自上述對象記號群中將測定位置已被獲取之對象記號行去除所得之未獲取對象記號群中於上述一方向上位於最一端之一對象記號即下一注目記號的測定位置,對上述下一注目記號進行上述c)步驟及上述d)步驟,反覆獲取包含上述下一注目記號之下一注目對象記號行之所有對象記號之測定位置,直至獲取上述測定圖像上之所有對象記號之測定位置為止之步驟;及f)將於上述e)步驟中獲取之上述測定圖像上之上述所有對象記號之上述測定位置與上述對象記號群之上述設計位置建立對應關係,並基於對應之測定位置與設計位置之差,生成用於補正描繪資 料之補正資訊之步驟。
  8. 一種描繪方法,係於基板上描繪圖像者;其包括如下步驟:藉由請求項5至7中任一項之補正資訊生成方法,獲取補正資訊之步驟;利用上述補正資訊,補正對基板描繪之圖像之描繪資料之步驟;及使基於經補正之描繪資料調變後之光於基板上進行掃描之步驟。
TW105122188A 2015-09-30 2016-07-14 補正資訊生成裝置、描繪裝置、補正資訊生成方法及描繪方法 TWI643247B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015192920A JP6595870B2 (ja) 2015-09-30 2015-09-30 補正情報生成装置、描画装置、補正情報生成方法および描画方法
JP2015-192920 2015-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201712732A true TW201712732A (zh) 2017-04-01
TWI643247B TWI643247B (zh) 2018-12-01

Family

ID=58492382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105122188A TWI643247B (zh) 2015-09-30 2016-07-14 補正資訊生成裝置、描繪裝置、補正資訊生成方法及描繪方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6595870B2 (zh)
KR (1) KR101836685B1 (zh)
TW (1) TWI643247B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI709826B (zh) * 2018-01-22 2020-11-11 日商斯庫林集團股份有限公司 修正資訊產生方法、描繪方法、修正資訊產生裝置及描繪裝置
TWI762803B (zh) * 2019-03-05 2022-05-01 日商鎧俠股份有限公司 基板貼合裝置、基板配對裝置及半導體裝置之製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048835A (ja) * 1996-08-06 1998-02-20 Ibiden Co Ltd プリント配線板の製造装置及び製造方法
JP4454706B2 (ja) * 1998-07-28 2010-04-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
US7068833B1 (en) * 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
JP2002252157A (ja) * 2001-02-22 2002-09-06 Sony Corp マスク作製用部材およびその製造方法ならびにマスクおよびその製造方法ならびに露光方法ならびに半導体装置の製造方法
JP4299688B2 (ja) 2004-02-04 2009-07-22 パナソニック株式会社 基板検査方法及び基板検査装置
US7408618B2 (en) * 2005-06-30 2008-08-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus substrate alignment
SG153747A1 (en) * 2007-12-13 2009-07-29 Asml Netherlands Bv Alignment method, alignment system and product with alignment mark
US7916295B2 (en) * 2008-09-03 2011-03-29 Macronix International Co., Ltd. Alignment mark and method of getting position reference for wafer
WO2011101187A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2013058520A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI709826B (zh) * 2018-01-22 2020-11-11 日商斯庫林集團股份有限公司 修正資訊產生方法、描繪方法、修正資訊產生裝置及描繪裝置
TWI762803B (zh) * 2019-03-05 2022-05-01 日商鎧俠股份有限公司 基板貼合裝置、基板配對裝置及半導體裝置之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017068002A (ja) 2017-04-06
KR101836685B1 (ko) 2018-03-08
TWI643247B (zh) 2018-12-01
JP6595870B2 (ja) 2019-10-23
KR20170038657A (ko) 2017-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080112609A1 (en) Position detecting method and device, patterning device, and subject to be detected
TW201721305A (zh) 曝光裝置、曝光裝置之調正方法以及程式
TWI647739B (zh) 圖案形成裝置及圖案形成方法
TWI643247B (zh) 補正資訊生成裝置、描繪裝置、補正資訊生成方法及描繪方法
JP2015144156A (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
KR101661410B1 (ko) 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 데이터 보정 방법 및 묘화 방법
JP2009192693A (ja) パターン描画装置
JP6134166B2 (ja) 位置検出装置および位置検出方法
CN110249266B (zh) 描绘装置及描绘方法
JP2014071349A (ja) パターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法
KR101665764B1 (ko) 묘화 장치, 기판 처리 시스템 및 묘화 방법
JP2008135423A (ja) 輪郭検出装置、位置決め装置、パターン描画装置および輪郭検出方法
JP6355544B2 (ja) 位置測定装置、データ補正装置、位置測定方法およびデータ補正方法
JP5872310B2 (ja) 描画装置、テンプレート作成装置、および、テンプレート作成方法
JP2014066870A (ja) パターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法
TWI771080B (zh) 基板位置檢測方法、描繪方法、基板位置檢測裝置以及描繪裝置
TWI709826B (zh) 修正資訊產生方法、描繪方法、修正資訊產生裝置及描繪裝置
JP2012198372A (ja) 描画装置および描画方法
JP2024046030A (ja) テンプレート生成装置、描画システム、テンプレート生成方法およびプログラム
TW202414106A (zh) 模板生成裝置、描繪系統、模板生成方法以及電腦可讀取的程式
JP2016207816A (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP2016038493A (ja) 光学特性取得装置、位置測定装置、光学特性取得方法および位置測定方法
JP2008009084A (ja) カラーフィルタの描画方法
CN118092079A (zh) 位置检测装置、描绘装置、位置检测方法及记录有程序的记录介质
JP6178585B2 (ja) 位置検出装置、露光装置、および、光量調整方法