TW201710459A - 圖案構造的處理方法、電子元件的製造方法及圖案構造的倒塌抑制用處理液 - Google Patents

圖案構造的處理方法、電子元件的製造方法及圖案構造的倒塌抑制用處理液 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可抑制圖案構造的倒塌的圖案構造的處理方法、包含所述處理方法的電子元件的製造方法及圖案構造的倒塌抑制用處理液。所述圖案構造的處理方法對包含無機材料的圖案構造賦予含有氟系聚合物的處理液，所述氟系聚合物具有含氟原子的重複單元。

Description

圖案構造的處理方法、電子元件的製造方法及圖案構造的倒塌抑制用處理液
本發明是有關於一種圖案構造的處理方法、電子元件的製造方法及圖案構造的倒塌抑制用處理液。
先前，於半導體基板製品等電子元件的製造領域中，使用藉由蝕刻等所獲得的微細的圖案構造。伴隨電子元件的小型化或高積體化等發展，圖案構造越來越微細化。 就清潔化等的觀點而言，藉由蝕刻等所獲得的圖案構造通常被賦予藥液。其後，實施淋洗處理，繼而進行乾燥。藉由該乾燥，於淋洗處理中所賦予的淋洗液等蒸發。 然而，例如於圖案構造包含多個柱狀構造的情況下，當淋洗液等蒸發時，存在受到殘存於柱狀構造的間隔部中的淋洗液等的表面張力的影響，以柱狀構造被拉入的方式倒塌的情況。伴隨圖案構造的微細化，其倒塌顯著。 近年來，期望一種抑制圖案構造的倒塌的技術，例如，於專利文獻1中提出於淋洗處理前，對圖案構造賦予特定的處理液。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開公報第2011/049091號
[發明所欲解決之課題] 本發明者等人對專利文獻1中所記載的技術進行了研究，結果判明，藉由淋洗液來抑制圖案構造的倒塌的效果有時不充分。 因此，本發明的目的在於提供一種可抑制圖案構造的倒塌的圖案構造的處理方法、包含所述處理方法的電子元件的製造方法及圖案構造的倒塌抑制用處理液。 [解決課題之手段]
所述課題藉由下述的方法來解決。 [1]一種圖案構造的處理方法，其對包含無機材料的圖案構造賦予含有氟系聚合物的處理液，所述氟系聚合物具有含氟原子的重複單元。 [2]如所述[1]所記載的圖案構造的處理方法，其中所述氟系聚合物包含(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物。 [3]如所述[1]或[2]所記載的圖案構造的處理方法，其中所述氟系聚合物為陽離子性。 [4]如所述[1]至[3]中任一項所記載的圖案構造的處理方法，其中所述處理液含有水。 [5]如所述[1]至[4]中任一項所記載的圖案構造的處理方法，其中所述圖案構造包含選自由Si、SiO2 、SiN、Ge及SiGe所組成的群組中的至少一種。 [6]如所述[1]至[5]中任一項所記載的圖案構造的處理方法，其中所述圖案構造同時包含Si、SiO2 及SiN。 [7]如所述[1]至[6]中任一項所記載的圖案構造的處理方法，其中所述處理液的pH為11以下。 [8]如所述[1]至[7]中任一項所記載的圖案構造的處理方法，其中所述處理液的pH為4以上、11以下。 [9]如所述[1]至[8]中任一項所記載的圖案構造的處理方法，其中所述處理液進而含有緩衝劑。 [10]如所述[1]至[9]中任一項所記載的圖案構造的處理方法，其中對賦予有所述處理液的所述圖案構造賦予包含有機溶劑的淋洗液。 [11]一種電子元件的製造方法，其包括如所述[1]至[10]中任一項所記載的圖案構造的處理方法。 [12]一種圖案構造的倒塌抑制用處理液，其被賦予至包含無機材料的圖案構造中，含有具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物。 [13]如所述[12]所記載的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其中所述氟系聚合物包含(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物。 [14]如所述[12]或[13]所記載的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其中所述氟系聚合物為陽離子性。 [15]如所述[12]至[14]中任一項所記載的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其含有水。 [16]如所述[12]至[15]中任一項所記載的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其中所述圖案構造包含選自由Si、SiO2 、SiN、Ge及SiGe所組成的群組中的至少一種。 [17]如所述[12]至[16]中任一項所記載的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其中所述圖案構造同時包含Si、SiO2 及SiN。 [18]如所述[12]至[17]中任一項所記載的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其pH為11以下。 [19]如所述[12]至[18]中任一項所記載的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其pH為4以上、11以下。 [20]如所述[12]至[19]中任一項所記載的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其進而含有緩衝劑。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種可抑制圖案構造的倒塌的圖案構造的處理方法、包含所述處理方法的電子元件的製造方法及圖案構造的倒塌抑制用處理液。
於本說明書中的基（原子群）的表述中，在無損本發明的效果的範圍內，未記載經取代及未經取代的表述包含不具有取代基的基（原子群），並且亦包含具有取代基的基（原子群）。例如，所謂「烷基」，不僅包含不具有取代基的烷基（未經取代的烷基），亦包含具有取代基的烷基（經取代的烷基）。各化合物的含義亦同樣如此。 另外，本說明書中的所謂「放射線」例如是指水銀燈的明線光譜、以準分子雷射為代表的遠紫外線、極紫外線（極紫外（Extreme Ultraviolet，EUV）光）、X射線、電子束等。 另外，於本發明中，所謂光是指光化射線或放射線。只要事先無特別說明，則本說明書中的「曝光」不僅是指利用水銀燈、以準分子雷射為代表的遠紫外線、X射線、EUV光等進行的曝光，利用電子束、離子束等粒子束進行的描繪亦包含於曝光中。 另外，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯兩者、或任一者，「(甲基)丙烯酸」表示丙烯酸及甲基丙烯酸兩者、或任一者。 另外，於本說明書中，「單量體」與「單體」的含義相同。本說明書中的單量體有別於寡聚物及聚合物，只要事先無特別說明，則是指重量平均分子量為2,000以下的化合物。於本說明書中，所謂聚合性化合物，是指具有聚合性官能基的化合物，可為單量體，亦可為聚合物。所謂聚合性官能基，是指參與聚合反應的基。 另外，於本說明書中，當談及「準備」時，是指除對特定的材料進行合成或調合等來準備以外，亦包含藉由購入等來籌措規定的物質。
[圖案構造的處理方法] 本發明的圖案構造的處理方法（以下，亦簡稱為「本發明的處理方法」）是如下的圖案構造的處理方法：對包含無機材料的圖案構造賦予含有氟系聚合物的處理液，所述氟系聚合物具有含氟原子的重複單元。 以下，為了便於說明，將用於本發明的處理液亦稱為「前處理液」，將對圖案構造賦予該「前處理液」亦稱為「前處理」。
例如於使用專利文獻1中所記載的前處理液對圖案構造進行了前處理的情況下，只要其後使用純水等進行淋洗處理，則即便進行乾燥，亦可抑制圖案構造的倒塌。 然而，若將有機溶劑（例如異丙醇）或有機溶劑與水的混合液用於淋洗液或前處理液，則可降低液體對於圖案構造的表面張力，因此有時將有機溶劑用於淋洗液或前處理液。 但是，若賦予包含有機溶劑的淋洗液或前處理液，並進行乾燥，則有時會產生圖案構造的倒塌。可認為其原因在於：前處理液中所含有的成分溶解於淋洗液或前處理液中的有機溶劑中，而難以獲得抑制圖案構造的倒塌的效果。 相對於此，本發明中的前處理液中所含有的具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物難以溶解於淋洗液或前處理液中所含有的有機溶劑中，藉此，可認為即便於前處理或淋洗處理後進行乾燥，亦可充分地獲得抑制圖案構造的倒塌的效果。
[適宜形態] 圖1A～圖1D是示意性地表示本發明的圖案構造的處理方法的適宜形態的各步驟的剖面圖。按照圖1A～圖1D來表示步驟的流程，但亦可於各步驟的前後或中間適宜包含其他步驟，另外，可適宜調換順序。
圖1A表示準備圖案構造的步驟。於圖1A中，表示於基板2上具備圖案構造10的半導體基板製品（製造中間物）。本形態的圖案構造10是以隔著多個間隔部9而排列有多個柱狀構造部位1的形態來表示。再者，於本形態中，柱狀構造部位1亦可為於圖中的縱深方向或正前方向上延伸的壁狀的部位。此種柱狀構造部位1等間隔地排列，形成本形態的圖案構造10。形成圖案構造10的方法並無特別限定。作為一例，可列舉如下的方法：將抗蝕劑（樹脂）賦予至各個柱狀構造部位1上，並將其作為遮罩，藉由乾式蝕刻來對間隔部9進行切削。其後，可藉由灰化等來去除殘存的抗蝕劑及殘渣，而獲得所期望的圖案構造10。而且，將所獲得的圖案構造10適宜浸漬於充滿規定的藥液的浴槽等中，進行清潔化等。
柱狀構造部位1的構件寬度w2及間隔部9的間隔寬度w1（均參照圖1D）並無特別限定，只要對應於元件的設計等而適宜設定其寬度即可。於本形態中，就便於圖示而言，使柱狀構造部位1的構件寬度w2及間隔部9的間隔寬度w1分別成為等寬及等間隔。
於本說明書中，所謂圖案構造，是指按照固定的規則於表面包含凹凸的構造。典型而言，可列舉包含隔著規定的間隔部而立設多個的柱狀構造者。此處，所謂柱狀構造，是指具有高度的一般的構造，不僅包含圓柱及/或方柱，亦包含呈面狀地立設的壁狀的構造及/或山形的構造。就本發明的效果變得更顯著而言，柱狀構造較佳為排列有多個圓柱構造、方柱構造、壁狀構造的圖案構造。而且，於本發明中，如後述般，圖案構造包含無機材料。
柱狀構造部位1的構件寬度w2較佳為1 nm以上，更佳為5 nm以上，進而更佳為10 nm以上。作為上限，較佳為100 nm以下，更佳為75 nm以下，進而更佳為50 nm以下。 間隔部9的間隔寬度w1較佳為1 nm以上，更佳為5 nm以上，進而更佳為10 nm以上。作為上限，較佳為150 nm以下，更佳為120 nm以下，進而更佳為100 nm以下。 圖案的深度（柱狀構造部位1的高度）h（參照圖1D）較佳為10 nm以上，更佳為20 nm以上，進而更佳為30 nm以上。作為上限，較佳為2000 nm以下，更佳為1000 nm以下，進而更佳為300 nm以下。 柱狀構造部位1的縱橫比（高度h除以構件寬度w2所得的值）較佳為1以上，更佳為10以上，進而更佳為20以上。作為上限，較佳為100以下，更佳為50以下，進而更佳為30以下。 就本發明的效果顯著地顯現這一理由而言，較佳為構件寬度w2小、且間隔寬度w1小。仍然就本發明的效果顯著地顯現這一理由而言，較佳為縱橫比大。 再者，構件寬度w2及間隔寬度w1的測定位置只要適宜設定即可，但典型而言，為於柱狀構造部位1的高度h的中間位置所測定的寬度。例如，當柱狀構造部位1及/或間隔部9於剖面觀察中為長方形時，將短邊的長度設為各自的寬度。於不定形或橢圓形等的情況下，只要將投影面積直徑設為其長度（寬度）即可。
圖1B表示對圖案構造實施前處理的步驟。本步驟是成為本形態的主要部分的步驟，且為使用前處理液3對圖案構造10進行處理的步驟。關於該前處理液3，另外進行詳細敍述，但於本形態中，含有具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物。藉由賦予該前處理液3，於接下來利用淋洗液4進行處理時，可有效地抑制或防止圖案構造10的倒塌。此處，所謂「倒塌」，並不限定性地進行解釋，是指圖案構造10局部受到破壞或整體受到破壞。典型而言，是指圖案構造10局部彎曲或整體彎曲，柱狀構造部位1被弄倒。
圖1C表示對圖案構造實施淋洗處理的步驟。於本步驟中，使圖案構造10浸漬於充滿淋洗液4的浴槽中。藉此，可使淋洗液4遍及形成圖案構造10的柱狀構造部位1的壁面及/或間隔部9的底部。進而，亦可於前處理步驟前追加進行淋洗步驟。即，亦可進行多次淋洗步驟，並於中間插入前處理步驟。
圖1D表示對圖案構造進行乾燥的步驟。此處，可使殘存於圖案構造10中的先前所賦予的淋洗液4蒸發而去除。乾燥步驟較佳為進行加熱來進行，作為環境氛圍的溫度，較佳為15℃以上、30℃以下。乾燥時的氛圍並無特別限制，例如可列舉於N2 氣體中進行。於該乾燥步驟中，較佳為使殘存於柱狀構造部位1的間隔部9中的液體（淋洗液4等）蒸發而自該部分中去除。
圖2是示意性地表示圖案構造倒塌的例子的剖面圖。於圖2中，將對應於圖1D的步驟作為引起所述倒塌的例子來表示，且為不使用前處理液3而進行淋洗處理的例子。此處，於蒸發過程中受到由殘存於間隔部9內的液體的表面張力所產生的作用，因其毛細管力，柱狀構造部位1以被拉入的方式倒塌。其結果，圖案構造10倒塌，且表示以鄰接的兩個柱狀構造部位1彼此的頭部被拉近並密接的方式崩塌的例子。作為因淋洗液的表面張力而倒塌的情況下的倒塌的形態，如圖示般的形態成為典型例。 再者，關於圖案構造的形成及倒塌的例子，可參照日本專利特表2013-519217號公報、國際公開公報第2011/049091號等。
根據本發明者等人的見解，已知藉由降低液體對於圖案構造的表面張力，可緩和所述淋洗液的影響，並可抑制或防止圖案構造的倒塌。因此，藉由減低液體對於圖案構造的表面張力，可於淋洗處理及其乾燥時防止圖案構造的倒塌。根據本發明中的前處理液，可減低其表面張力，因此可有效地抑制圖案構造的倒塌。該表面張力可利用下式（I），並藉由測定淋洗液的接觸角來推算。再者，各參數的含義可藉由參照圖3來理解。圖3是說明應用於毛細管力的計算的各參數的含義的示意圖。
F＝2γD×（cosθCA ＋θt ）×H/S     ・・・（I）   F：毛細管力 γ：表面張力 D：圖案的縱深長度 S：圖案的間隔寬度w1 θCA ：圖案構造表面的接觸角 θt ：圖案錐角 H：圖案的高度
於本發明中，重要的是導入如上所述的關係式，並測定圖案構造的表面接觸角，藉此可評價倒塌的容易度（毛細管力）。藉由施加本發明的適宜形態的前處理液，可提高淋洗液的接觸角，減低毛細管力，並減低圖案構造的倒塌的風險。
[處理液（前處理液、圖案構造的倒塌抑制用處理液）] 其次，對用於本發明的處理方法的處理液（前處理液）進行詳細說明。本發明中的前處理液是含有具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物的處理液，有時稱為圖案構造的倒塌抑制用處理液。 以下，對本發明中的前處理液的含有成分進行說明。
＜具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物＞ 用於本發明的具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物是成為重複單元的多個單體進行聚合而成的聚合物，且為於該重複單元（單量體）中含有氟原子的聚合物。 氟系聚合物的重複單元中所含有的氟原子的形態並無特別限定，例如可適宜地列舉：將烷基的一部分或全部的氫原子取代成氟原子而成的氟烷基、將伸烷基的一部分或全部的氫原子取代成氟原子而成的氟伸烷基等形態。此時，烷基及伸烷基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀，其碳原子數亦無特別限定，例如為1～20。
（(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物） 此種氟系聚合物作為一例，較佳為包含具有氟烷基的(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物。 此處，氟烷基（以下，亦表述為Rf 基）較佳為烷基的氫原子的兩個以上被氟原子取代而成的基。於本發明中，Rf 基的烷基亦包括於碳-碳鍵間具有醚鍵的氧雜烷基。 Rf 基亦可含有氟原子以外的其他鹵素原子。進而，Rf 基較佳為烷基的氫原子全部被氟原子取代而成的基（即全氟烷基）。
Rf 基的碳原子數較佳為4～20，更佳為6～16。另外，Rf 基可為直鏈狀，亦可為分支狀，較佳為直鏈狀。
作為Rf 基，可列舉以下的具體例，但並不限定於該些具體例。再者，於以下的例中，包含作為具有同一分子式的構造不同的基的「構造異構的基」。 可列舉：C4 F9 -[F(CF2 )4 -、(CF3 )2 CFCF2 -、(CF3 )3 C-等]、C5 F11 -[F(CF2 )5 -、(CF3 )3 CCF2 -等]、C6 F13 -、C7 F15 -、C8 F17 -、C9 F19 -、C10 F21 -、C11 F23 -、C12 F25 -、C13 F27 -、C14 F29 -、C15 F31 -、C16 F33 -等全氟烷基；HCt F2t -（t為4～20的整數）、Cl(CF2 )8 -等氟烷基；F(CF2 )3 OCF(CF3 )-、F(CF2 )2 [CF2 OCF(CF3 )]2 -、F(CF2 )2 [CF2 OCF(CF3 )]3 -、F(CF2 )3 OCF(CF3 )O(CF2 )2 -、F(CF2 )2 [CF2 OCF(CF3 )]2 O(CF2 )2 -、F(CF2 )5 OCF(CF3 )-、F[CF(CF3 )CF2 O]x CF(CF3 )(CF2 )2 -、F[CF(CF3 )CF2 O]y CF(CF3 )-、F[CF(CF3 )CF2 O]u -、F(CF2 CF2 CF2 O)v (CF2 )2 -、F(CF2 CF2 O)w (CF2 )2 -（x、y分別為1～6的整數，u為1～6的整數，v為1～6的整數，w為1～9的整數）等氧雜氟烷基等。
於本發明中，(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物只要含有源自(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體的重複單元，則並無特別限定。此處，(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體是指於(甲基)丙烯酸酯的酯殘基中存在Rf 基的化合物。再者，將丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯總稱為(甲基)丙烯酸酯。 作為(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體，較佳為由下式1所表示的化合物。   Rf -Q1 -OCOCR3 ＝CH2 ・・・式1   式中，Q1 ：二價有機基。R3 ：氫原子或甲基。Rf 表示與所述Rf 基相同的含義。作為Q1 ，具體可列舉：-(CH2 )n+p -、-(CH2 )n COONH(CH2 )p -、-(CH2 )n CONH(CH2 )p -、-(CH2 )n SO2 NH(CH2 )p -、-(CH2 )n NHCONH(CH2 )p -（其中，n及p分別為0或1以上的整數，且n＋p表示2～22的整數）等。作為Q1 ，較佳為-(CH2 )n+p -、-(CH2 )n CONH(CH2 )p -、-(CH2 )n SO2 NH(CH2 )p -（其中，p為2以上的整數，n＋p表示2～6的整數），特佳為-(CH2 )n+p -、n＋p為2～6的情況，即二亞甲基～六亞甲基。
作為由所述式1所表示的(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體的例子，可列舉CF3 (CF2 )7 (CH2 )2 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )7 (CH2 )3 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )9 (CH2 )2 OCOCR3 =CH2 、(CF3 )2 CF(CF2 )6 (CH2 )2 OCOCR3 =CH2 、F(CF2 )m (CH2 )2 OCOCH=CH2 （m＝6～16的混合物）、CF2 Cl(CF2 )9 (CH2 )3 OCOCR3 =CH2 、HCF2 (CF2 )9 (CH2 )2 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )9 (CH2 )11 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )9 CONH(CH2 )5 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )7 SO2 N(C3 H7 )C2 H4 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )9 O(CH2 )2 (CH2 )2 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )9 CH2 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )9 (CH2 )3 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )7 CH2 CF2 (CH2 )2 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )7 (CH2 )4 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )13 (CH2 )6 OCOCR3 =CH2 、CF3 (CF2 )7 (CH2 )2 OCH2 -Ph-(CH2 )2 OCOCR3 =CH2 （Ph為苯基）等，但並不限定於該些例子。
(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物中，源自所述(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體的重複單元的含有比例較佳為5質量%以上，更佳為20質量%以上，進而更佳為40質量%以上。上限為100質量%。 具體而言，(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物可為(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體的均聚體，亦可為兩種以上的(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體的共聚物。 當(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物含有兩種以上的源自(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體的重複單元時，較佳為含有源自Rf 基的碳原子數互不相同的(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體的重複單元的形態。 另外，(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物亦可為(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體與其他聚合性化合物的共聚物。 該些之中，(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物較佳為含有自作為其他聚合性化合物的非氟系聚合性化合物衍生出的重複單元的共聚物。可僅含有一種該源自非氟系聚合性化合物的重複單元、或含有兩種以上。此處，所謂非氟系聚合性化合物，是指不含氟原子的聚合性化合物。 作為非氟系聚合性化合物，可具有聚合性基以外的反應性基，亦可不具有聚合性基以外的反應性基。
作為具有所述反應性基的非氟系聚合性化合物，例如可列舉(甲基)丙烯酸-3-氯-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、二乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚(氧基伸乙基/氧基伸丙基)二醇單(甲基)丙烯酸酯、甘油單(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷單(甲基)丙烯酸酯等含有羥基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、二丙酮(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二異丙基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺等醯胺；(甲基)丙烯酸-γ-三甲氧基矽烷基丙酯；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸氮丙啶酯；含有嵌段化異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯等，但並不限定於該些化合物。
作為不具有所述反應性基的非氟系聚合性化合物，例如可列舉(甲基)丙烯酸二十二酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸十六酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸聚氧伸烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、具有聚矽氧烷基的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環十二酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸甲苯酯、(甲基)丙烯酸-3,3-二甲基丁酯、(甲基)丙烯酸-3,3-二甲基-2-丁酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸酯；氯乙烯等，但並不限定於該些化合物。
再者，(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物較佳為含有源自具有親水性基的聚合性化合物的重複單元（即，具有親水性基的重複單元）。 作為具有親水性基的非氟系聚合性化合物，例如除所述(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯等含有羥基的(甲基)丙烯酸酯以外，可適宜地列舉具有氧基伸乙基等氧基伸烷基的聚合性化合物等。
另外，(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物亦可含有源自具有陽離子性基或陰離子性基的聚合性化合物的重複單元（即，具有陽離子性基或陰離子性基的重複單元）。此處，作為陽離子性基，例如可列舉一級胺基～三級胺基、亞胺基、四級銨鹽基、肼基等，作為陰離子性基，例如可列舉羧基、磺基、膦醯基及該些的鹼等。 如此，對(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物賦予陽離子性或陰離子性等性質。
(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物。
(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物較佳為藉由包含所述(甲基)丙烯酸氟烷基酯單體的聚合性化合物的乳化聚合或分散聚合而以乳液的形態獲得。具體而言，可列舉於乳化劑及聚合溶媒的存在下，添加聚合起始劑來使所述聚合性化合物進行聚合的方法。作為乳化劑，可採用作為乳化劑而公知或眾所周知的非離子性（nonionic）、陽離子性、陰離子性、兩性的界面活性劑的一種以上。 作為該乳化劑（界面活性劑），並無特別限定，例如可列舉：(聚氧伸烷基)烷基胺、(聚氧伸烷基)烯基胺、聚氧化乙烯烷基苯基醚、N-取代二胺、聚氧伸烷基烷基醚等。相對於聚合性化合物100質量份，乳化劑的量例如為0.5質量份～20質量份。 即便如此，亦對(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物賦予陽離子性、陰離子性等性質。
再者，所述聚合時的聚合溶媒較佳為水系介質。水系介質亦可包含有機溶媒。作為有機溶媒，可列舉水溶性的有機溶媒，例如可適宜地列舉：丙酮等酮系有機溶媒；二乙二醇、二丙二醇等二醇系有機溶媒等。 作為聚合起始劑，並無特別限定，可對應於聚合溫度而使用有機過氧化物等過氧化物系、偶氮系、氧化還原系、過硫酸鹽等通用的起始劑。另外，亦可藉由游離輻射等來使聚合開始。於聚合反應中，亦可使硫醇類等鏈轉移劑存在於聚合反應系統中。 藉由所述聚合而合成的聚合物較佳為作為微粒子而存在於聚合溶媒中。 微粒子的粒徑較佳為0.01 μm～1 μm，更佳為0.05 μm～0.5 μm。粒徑可藉由動態光散射裝置、電子顯微鏡等來測定。
（氟系聚合物的重量平均分子量） 用於本發明的氟系聚合物的重量平均分子量（Mw）並無特別限定，但較佳為1,000～100,000，更佳為5,000～50,000。 用於本發明的氟系聚合物若重量平均分子量為1,000以上，則容易附著於圖案構造上，更容易發揮本發明的效果。另一方面，當重量平均分子量為100,000以下時，容易獲得對於前處理液的充分的溶解性。
再者，重量平均分子量及數量平均分子量是將四氫呋喃（Tetrahydrofuran，THF）用作展開溶媒，並藉由凝膠滲透層析（Gel Permeation Chromatography，GPC）法所求出的聚苯乙烯換算值。更詳細而言，使用GPC於下述條件下進行。 裝置：東曹（Tosoh）公司製造 HLC-8320GPC 管柱：東曹公司製造 TSK-GEL G3000PWXL 管柱溫度：35℃ 流速：0.5 mL/min 校準曲線：創和科學公司製造 聚丙烯酸鈉標準（POLY SODIUM ACRYLATE STANDARD） 溶離液：利用純水將磷酸二氫鈉十二水合物/磷酸氫二鈉二水合物（34.5 g/46.2 g）的混合物稀釋至5000 g而成的溶液。
（氟系聚合物的陽離子性等） 可對用於本發明的氟系聚合物賦予陽離子性、陰離子性等性質，但較佳為陽離子性。氟系聚合物藉由為陽離子性，而容易附著於圖案構造上，更容易發揮本發明的效果。 再者，作為對用於本發明的氟系聚合物賦予陽離子性等性質的方法，並無特別限定，例如可列舉：如上所述，使用具有陽離子性基等的聚合性化合物進行聚合、或使用陽離子性的乳化劑進行聚合的方法。
（氟系聚合物的含量） 用於本發明的前處理液中的氟系聚合物的含量較佳為0.0001質量%以上，更佳為0.0005質量%以上，進而更佳為0.001質量%以上。上限例如為10質量%以下，較佳為5質量%以下，進而更佳為3質量%以下。 再者，氟系聚合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
（市售品的例子） 作為所述具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物，可使用市售品，具體而言，例如可適宜地列舉以下的例子。再者，專利文獻1中所使用的「沙福隆（Surflon）S-221（AGC清美化學（AGC SEIMI CHEMICAL）公司製造，全氟烷基三烷基鹵化銨）」等不符合具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物。 《旭硝子公司製造》 ・阿薩佳德（Asahi Guard）AG-E060（陽離子性） ・阿薩佳德（Asahi Guard）AG-E100（陽離子性） ・阿薩佳德（Asahi Guard）AG-E070（陽離子性） ・阿薩佳德（Asahi Guard）AG-E080（陰離子性） ・阿薩佳德（Asahi Guard）AG-E550D（非離子性） ・阿薩佳德（Asahi Guard）AG-E600（兩性） 《AGC清美化學公司製造》 ・SW-930 ・SWK-601 《日華化學公司製造》 ・NK佳德（NK GUARD）SR-2020（陽離子性） ・NK佳德（NK GUARD）S-0545（非離子性） ・NK佳德（NK GUARD）S-750（陽離子性） 《大金工業公司製造》 ・優尼恩（Unidyne） TG-8111 ・優尼恩（Unidyne） TG-6501 《氟化物科技（Fluoro Technology）公司製造》 ・弗洛洛瑟夫（FLUORO SURF）FS-2050-P2.0（非離子性） 《迪愛生（DIC）公司製造》 ・美佳法（Megafac）F-570（非離子性）
＜水＞ 本發明中的前處理液較佳為含有水的水系的處理液。作為水，例如較佳為蒸餾水、離子交換水、超純水等實施了淨化處理的水，更佳為用於半導體製造的超純水。 於前處理液中，水的量較佳為70質量%以上，更佳為80質量%以上，進而更佳為90質量%以上。作為上限，考慮到各成分的添加，例如未滿100質量%。
＜pH＞ 本發明中的前處理液的pH（氫離子濃度）較佳為4以上。當前處理液中所含有的氟系聚合物例如為陽離子性時，若前處理液的pH為4以上，則更容易發揮效果。 另一方面，若前處理液的pH過高，則可能存在賦予有前處理液的圖案構造溶解並受損的情況，因此前處理液的pH較佳為11以下。 pH是於室溫（25℃）下，使用堀場（HORIBA）公司製造的F-51（商品名）而測定的值。
再者，可將先前公知的無機酸、有機酸、無機鹼、有機鹼用於pH的調整。作為無機酸，例如可列舉鹽酸（HCl）。 作為無機鹼，例如可列舉：鹼金屬的鹽（例如KOH、LiOH、NaOH等）、鹼土金屬的鹽（例如Ca(OH)2 、Mg(OH)2 等）、氫氧化銨或其鹽、肼類或其鹽、羥基胺或其鹽等。 作為有機鹼，可適宜地列舉：2-胺基乙醇（2-Aminoethanol）（單乙醇胺（Monoethanol Amine，MEA）、二甘醇胺（2-(2-胺基乙氧基)乙醇）（Diglycolamine，DGA）、苄基胺（Benzyl amine，BzA）、N,N-二甲基-2-胺基乙醇（N,N-dimethyl-2-amino ethanol，DMEA）、2-甲基胺基乙醇（Methyl Amino Ethanol，MAE）等。 用於pH調整的成分的含量並無特別限定，於前處理液中，較佳為0.005質量%以上，更佳為0.01質量%以上。上限例如為3質量%以下，較佳為1質量%以下。
＜緩衝劑＞ 本發明中的前處理液較佳為進而含有緩衝劑（pH緩衝劑），更佳為含有pKa為4以上、12以下的緩衝劑。藉此，前處理液的pH難以變動，儲存穩定性優異。 再者，所謂「pH緩衝劑」，是指於添加至溶液中時，可使該溶液的氫離子濃度不會因酸或鹼的添加而變化的化合物。 另外，所謂「pKa」，是指用以定量地表示酸強度的指標之一，其含義與酸性度常數相同。其是考慮到自酸中釋放出氫離子的解離反應，由其負的常用對數pKa來表示其平衡常數Ka者。pKa越小，表示越強的酸。例如可使用利用ACD/Labs（高級化學發展（Advanced Chemistry Development）公司製造）等而算出的值。 作為此種緩衝劑，例如可列舉：所述用於pH的調整的無機酸、有機酸、無機鹼、有機鹼。另外，除此以外，亦可適宜地列舉：蘋果酸、乙醇酸、乳酸、檸檬酸、磷酸、甲酸、乙酸等。 緩衝劑的含量並無特別限定，於前處理液中，較佳為0.005質量%以上，更佳為0.01質量%以上。上限例如為3質量%以下，較佳為1質量%以下。
＜有機溶劑＞ 本發明中的前處理液可包含有機溶劑。 作為有機溶劑，例如可列舉：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、乙二醇、丙二醇、甘油、1,6-己二醇、環己二醇、山梨糖醇、木糖醇、2-甲基-2,4-戊二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇等醇化合物溶劑；包含烷二醇烷基醚（乙二醇單甲基醚、二乙二醇、二丙二醇、丙二醇單甲基醚、二乙二醇單甲基醚、三乙二醇、聚乙二醇、丙二醇單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、三丙二醇單甲基醚、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇單丁基醚等）的醚化合物溶劑；甲醯胺、單甲基甲醯胺、二甲基甲醯胺、乙醯胺、單甲基乙醯胺、二甲基乙醯胺、單乙基乙醯胺、二乙基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺化合物溶劑；二甲基碸、二甲基亞碸、環丁碸等含硫化合物溶劑；γ-丁內酯、δ-戊內酯等內酯化合物溶劑等。
該些有機溶劑之中，較佳為水混合性有機溶劑，更佳為表面張力為30 mN/m以下的水混合性有機溶劑。作為此種有機溶劑的具體例，可適宜地列舉乙醇、1-丙醇、2-丙醇（異丙醇（Isopropyl Alcohol，IPA））、1-丁醇等烷醇類，更佳為2-丙醇。藉由使用包含此種有機溶劑的前處理液，當於前處理後或淋洗處理後進行乾燥時，可進一步抑制圖案構造的倒塌。
於前處理液中，有機溶劑的含量較佳為0.1質量%～80質量%，更佳為1.0質量%～70質量%，進而更佳為5.0質量%～60質量%。再者，亦可將兩種以上的有機溶劑混合，其比例為任意。 若有機溶劑的含量為所述範圍內，則可充分地獲得效果，但於有機溶劑的含量為0.1質量%以上的情況下，更容易發揮本發明的效果。另外，於有機溶劑的含量為80質量%以下的情況下，容易獲得所述氟系聚合物或後述的添加劑對於前處理液的溶解性。
＜其他添加劑＞ 於本發明中的前處理液中，可適宜地單獨添加其他添加劑、或將其他添加劑組合來添加。例如可列舉：防蝕劑（日本專利特開2014-232874號公報的段落[0132]、日本專利特開2014-185332號公報的段落[0015]～段落[0022]、日本專利特開2014-220300號公報的段落[0030]～段落[0037]）、螯合劑（日本專利特開2014-093407號公報的段落[0024]、日本專利特開2014-041260號公報的段落[0024]）等。
另外，視需要亦可含有界面活性劑。作為界面活性劑，已知有各種，可視需要而任意地選擇，例如可列舉離子系或非離子系的界面活性劑，作為其具體例，可列舉：烷基磺酸、烷基羧酸；該些的含有氟的衍生物、酯、銨鹽；矽系界面活性劑；於構造中含有環氧乙烷、環氧丙烷等的界面活性劑等。 另外，例如亦能夠以無損本發明的效果的程度使用日本專利特開2015-35458號公報中所記載的磷酸酯或其鹽；國際公開第2011/049091號或國際公開第2012/032854號中所記載的含有氟的鹵化銨、含有氟的甜菜鹼、或含有氟的氧化胺；國際公開第2012/032856號中所記載的咪唑鎓鹵化物、吡啶鎓鹵化物、或鹵化銨；國際公開第2012/032855號中所記載的烷基吡啶鎓鹵化物等。 另外，例如亦能夠以無損本發明的效果的程度使用日本專利特開2011-091349號公報、日本專利特開2010-103136號公報、及日本專利特開2011-049468號公報等中所記載的矽烷基化劑。
於本發明中的前處理液中，所述添加劑的含量較佳為0.0001質量%～10質量%，更佳為0.005質量%～7質量%，進而更佳為0.015質量%～5質量%。若添加劑的含量為所述範圍內，則可發揮添加劑的效果，並充分地獲得本發明的效果。
＜前處理液的製造方法等＞ 本發明中的前處理液可藉由將各成分適宜混合而獲得。 再者，如後述般，為了去除異物或減低缺陷等，較佳為利用過濾器對所獲得的前處理液進行過濾。
＜套組及濃縮液＞ 本發明中的前處理液可設為將其原料分割成多個而成的套組。例如可列舉：準備於水中含有所述氟系聚合物的液體組成物作為第1液，並準備於水中含有其他成分的液體組成物作為第2液的形態。作為其使用例，較佳為將兩液混合來調液前處理液，其後適時地應用於所述前處理的形態。可於任一者中包含有機溶劑等。藉此，不會招致由氟系聚合物的分解所引起的液體性能的劣化，可有效地發揮所期望的作用。第1液及第2液中的各成分的含量可根據先前所述的含量，作為混合後的濃度而適宜設定。 另外，前處理液亦可作為濃縮液來準備。於此情況下，可於使用時藉由水來稀釋後使用。
＜容器＞ 本發明中的前處理液（不論是否為套組）只要腐蝕性等不成為問題，則可填充至任意的容器中來保管、搬運，然後使用。另外，面向半導體用途，較佳為清潔度高、雜質的溶出少的容器。作為可使用的容器，可列舉愛塞璐化學（Aicello Chemical）（股份）製造的「清潔瓶（Clean Bottle）」系列、兒玉樹脂工業（Kodama Plastics）（股份）製造的「潔淨瓶（Pure Bottle）」等，但並不限定於該些容器。該容器或其收容部的內壁較佳為由與選自由聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、及聚乙烯-聚丙烯樹脂所組成的群組中的一種以上的樹脂不同的樹脂，或實施了防鏽·金屬溶出防止處理的金屬形成。 作為所述不同的樹脂，可特佳地使用氟系樹脂（全氟樹脂）。如此，藉由使用收容部的內壁為氟系樹脂的容器，與使用收容部的內壁為聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、或聚乙烯-聚丙烯樹脂的容器的情況相比，可抑制乙烯及/或丙烯的寡聚物的溶出這一不良情況的產生。 作為此種收容部的內壁為氟系樹脂的容器的具體例，例如可列舉英特格（Entegris）公司製造的氟潔淨（FluoroPure）全氟烷氧基（Perfluoroalkoxy，PFA）複合圓筒等。另外，亦可使用日本專利特表平3-502677號公報的第4頁等、國際公開第2004/016526號手冊的第3頁等、國際公開第99/46309號手冊的第9頁及第16頁等等中所記載的容器。
＜過濾＞ 為了去除異物或減低缺陷等，較佳為利用過濾器對本發明中的前處理液進行過濾。只要是自先前以來用於過濾用途等的過濾器，則可無特別限定地使用。例如可列舉利用聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene，PTFE）等氟樹脂，尼龍等聚醯胺系樹脂，聚乙烯、聚丙烯（Polypropylene，PP）等聚烯烴樹脂（高密度、含有超高分子量）等的過濾器。該些原材料之中，較佳為聚丙烯（包含高密度聚丙烯）及尼龍。過濾器的孔徑合適的是0.001 μm～1.0 μm左右，較佳為0.02 μm～0.5 μm左右，更佳為0.01 μm～0.1 μm左右。藉由設為該範圍，可抑制過濾堵塞，並可確實地去除前處理液中所含有的雜質或凝聚物等微細的異物。 當使用過濾器時，亦可將不同的過濾器加以組合。此時，利用第1種過濾器的過濾可僅進行一次，亦可進行兩次以上。當將不同的過濾器加以組合來進行兩次以上的過濾時，較佳為第二次以後的孔徑等同於或大於第一次的過濾的孔徑。另外，亦可於所述範圍內將孔徑不同的第1種過濾器加以組合。此處的孔徑可參照過濾器生產商的標稱值。作為市售的過濾器，例如可自日本頗爾（Pall）股份有限公司、愛多邦得科東洋（Advantec Toyo）股份有限公司、日本英特格（Nihon Entegris）股份有限公司（原日本密科理（Mykrolis）股份有限公司）、或北澤微濾器（Kitz Microfilter）股份有限公司等所提供的各種過濾器中進行選擇。 第2種過濾器可使用由與所述第1種過濾器相同的材料等所形成的過濾器。第2種過濾器的孔徑合適的是0.01 μm～1.0 μm左右，較佳為0.1 μm～0.5 μm左右。藉由設為該範圍，當於前處理液中含有成分粒子時，可於使該成分粒子殘存的狀態下，去除混入至前處理液中的異物。 例如，可藉由包含前處理液的一部分的成分的混合液來進行利用第1種過濾器的過濾，在向其中混合殘餘的成分來製備前處理液後，進行第2次過濾。
＜金屬濃度＞ 本發明中的前處理液較佳為作為雜質而包含於液中的金屬（Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及Zn的金屬元素）的離子濃度均為5 ppm以下（較佳為1 ppm）。尤其，於最頂尖的半導體元件的製造中，因設想需要更高的純度的前處理液，故其金屬濃度更佳為較ppm級更低的值，即ppb級，進而更佳為ppt級（所述濃度均為質量基準）。
作為金屬濃度的減低方法，例如可列舉：於製造前處理液時所使用的原材料的階段、及製備前處理液後的階段的至少一個階段中，充分地進行蒸餾及/或使用離子交換樹脂的過濾。 作為金屬濃度的減低方法的其他方法，可列舉關於收容用於前處理液的製造的原材料的「容器」，使用如進行收容前處理液的容器的說明一項中所示的雜質的溶出少的容器。另外，亦可列舉以金屬成分不自製備前處理液時的「配管」等中溶出的方式，對配管內壁施加氟系樹脂的內襯等方法。
＜雜質及粗大粒子＞ 本發明中的前處理液鑒於其使用用途，較佳為液中的雜質，例如金屬成分等少。尤其，較佳為液中的Na離子濃度、K離子濃度、Ca離子濃度處於1 ppt～1 ppm（質量基準）的範圍內。 另外，於前處理液中，較佳為平均粒徑為0.5 μm以上的粗大粒子數處於100個/cm3 以下的範圍內，較佳為處於50個/cm3 以下的範圍內。
[圖案構造] 本發明中的被賦予前處理液的圖案構造只要是包含無機材料的圖案構造，則並無特別限定，例如可為作為與基板不同的構件而設置在基板上的圖案構造，另外，亦可為基板的一部分得到加工而與基板一體地形成的圖案構造。
再者，此處作為基板，例如可列舉半導體基板。 所謂半導體基板，以不僅包含矽基板（晶圓），亦包含對其施加有電路構造的基板構造體整體的含義來使用。所謂半導體基板構件或構件，是指構成以上所定義的半導體基板的構件，可包含一種材料，亦可包含多種材料。再者，有時將加工完的半導體基板加以區別而稱呼為半導體基板製品，視需要進一步進行區別，將對其施加加工而成的晶片等稱為半導體元件或半導體裝置。即，廣義上半導體元件（半導體裝置）屬於半導體基板製品。進而，將安裝有所述半導體元件的製品稱為半導體製品。半導體基板的方向並無特別限定，但為了便於說明，於本說明書中，將柱狀構造部位1側設為上方，將基板2側設為下方。再者，於隨附的圖式中，將半導體基板或其構件的構造簡化來圖示，視需要只要作為必要的形態來進行解釋即可。
作為構成此種圖案構造的無機材料，例如可列舉包含選自由Si、SiO2 、SiN、Ge及SiGe所組成的群組中的至少一種的無機材料，較佳為包含選自由Si、SiO2 及SiN所組成的群組中的至少一種的無機材料。
另外，作為圖案構造，亦可適宜地列舉同時包含Si、SiO2 及SiN的圖案構造。作為此種圖案構造，例如可列舉：柱狀構造部位（參照圖1A～圖1D）於上下方向上成為三層構造（上層、中層及下層），其各層包含Si、SiO2 或SiN的圖案構造（作為一例，上層：Si，中層：SiO2 ，下層：SiN等）。
[淋洗處理] 本發明的處理方法較佳為對賦予有前處理液的圖案構造進行賦予包含有機溶劑的淋洗液的淋洗處理的形態。 作為此種有機溶劑，較佳為水混合性有機溶劑，更佳為表面張力為30 mN/m以下的水混合性有機溶劑。作為此種有機溶劑的具體例，可適宜地列舉乙醇、1-丙醇、2-丙醇（異丙醇（IPA））、1-丁醇、1-甲氧基乙醇、丙酮等，更佳為2-丙醇。藉由使用包含此種有機溶劑的淋洗液，當於淋洗處理後進行乾燥時，可進一步抑制圖案構造的倒塌。 再者，將表面張力設為使用協和界面科學（股份）製造的自動表面張力計CBVP-Z而測定的於室溫（23℃）下的測定值。 作為淋洗液，可為僅包含此種有機溶劑的淋洗液，亦可為將有機溶劑與水混合而成的淋洗液。 於為將有機溶劑與水混合而成的淋洗液的情況下，有機溶劑與水的體積比（有機溶劑/水）較佳為1/0.1～1/10，更佳為1/0.3～1/7。
[前處理液及淋洗液的賦予] 於本發明的處理方法中，賦予前處理液及淋洗液的形態（即，前處理及淋洗處理的形態）並無特別限定。例如，可為使用浴槽的批次式的處理，亦可為使用逐片式裝置的處理。具體而言，於浴槽處理中，如圖1A～圖1D所示般，可使包含圖案構造的半導體基板製品浸漬於充滿前處理液或淋洗液的浴槽中來進行處理。逐片式裝置較佳為具有處理槽，於該處理槽中搬送所述半導體基板或使其旋轉，並向該處理槽內賦予（噴出、噴射、流下、滴加等）前處理液或淋洗液，而使前處理液或淋洗液接觸半導體基板者。
再者，前處理及淋洗處理的處理溫度較佳為10℃以上，更佳為20℃以上。作為上限，較佳為80℃以下，更佳為60℃以下，進而更佳為40℃以下。再者，處理溫度是以賦予至圖案構造上時的溫度為基礎，但亦可為保存溫度，另外，於批次處理的情況下，可作為其槽內的溫度來設定，於循環系統的情況下，可作為循環流路內的溫度來設定。另外，關於前處理及淋洗處理的處理時間，浸漬時間較佳為10秒～30分鐘，更佳為15秒～20分鐘，進而更佳為20秒～15分鐘，特佳為30秒～10分鐘。
[電子元件的製造方法] 本發明亦有關於一種電子元件的製造方法，其製造電子元件（例如半導體基板製品、微型機器等），且包含所述本發明的圖案構造的處理方法。即，本發明中的賦予有前處理液的圖案構造例如可用於半導體基板製品等電子元件中。 [實施例]
繼而，列舉實施例來對本發明進行說明，但本發明並不限定於該些實施例。再者，只要事先無特別說明，則實施例中所示的量及/或比率的規定為質量基準。
＜實施例1～實施例27及比較例1～比較例4＞ 準備形成有包含下述表1中所記載的各材料（Si、SiO2 或SiN）的評價用的清潔的平坦膜的晶圓。為了去除自然氧化膜，使用5%HF進行預處理。利用預處理後的晶圓，進行燒杯試驗（前處理）。具體而言，首先製備下述表1中所示的成分組成的前處理液，一面於燒杯內以250 rpm對室溫的前處理液進行攪拌，一面將晶圓放入至該燒杯中，進行5分鐘的前處理。利用40℃的異丙醇（IPA）對前處理後的晶圓實施30秒淋洗處理，並利用N2 氣體進行乾燥。乾燥時的溫度設為20℃（室溫）。
針對所述乾燥後的晶圓，使用作為淋洗液的異丙醇（IPA）並利用下述的接觸角裝置測定靜止接觸角。其為所述θCA 的代用計量，該值越大，cosθCA 變得越小。作為結果，可以說能夠減小圖案構造中的毛細管力。將結果示於下述表1中。
靜止接觸角[θCA ]的測定是使用協和界面科學（股份）DM-500（商品名），於室溫（25℃）下進行。
另外，使用橢圓儀（Elipso meter），確認包含Si的平坦膜的損傷（Damage）。具體而言，利用橢圓偏光法（使用分光橢圓儀，日本J.A.伍拉姆（J.A. Woollam JAPAN）（股份）的瓦賽（Vase））測定前處理前後的膜厚，藉此算出經去除的膜的厚度。採用5點的平均值（測定條件 測定範圍：1.2 eV-2.5 eV，測定角：70度、75度）。將結果示於下述表1中。 A：損傷為0.1 nm以下 B：損傷超過0.1 nm、且為0.5 nm以下 C：損傷超過0.5 nm
[表1] 表1
＜表1的註釋＞ conc.：濃度（質量%） R.T.：室溫（約25℃）
沙福隆（Surflon）S-221：AGC清美化學公司製造，全氟烷基三烷基鹵化銨 聚乙烯吡咯啶酮：日本觸媒公司製造，K-30 再者，關於各實施例，作為表1中的成分1，使用所述具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物的市售品。
HCl：鹽酸 DGA：二甘醇胺 MEA：2-胺基乙醇 DMEA：N,N-二甲基-2-胺基乙醇 DI water：蒸餾水
表1中的毛細管力的計算的前提如下所述。 γ：72.5 mN/m D：20 nm S：20 nm θCA ：測定值（°） θt ：0° H：400 nm
如根據表1中所示的結果而明確般，可知於實施例1～實施例27中，與比較例1～比較例4相比，毛細管力的值小，可抑制圖案構造的倒塌。
此時，可知使用陽離子性的氟系聚合物作為成分1的實施例存在毛細管力的值變得更小的傾向。 例如，若觀察Si的毛細管力，則氟系聚合物為陽離子性的實施例1～實施例2、實施例10～實施例12及實施例14～實施例25的值小於氟系聚合物並非陽離子性的實施例3～實施例9及實施例13。 更具體而言，例如若對實施例1與實施例3進行對比，則氟系聚合物為陽離子性的實施例1的毛細管力的值小於氟系聚合物為非離子性的實施例3（在實施例2與實施例4的對比中亦同樣）。
再者，前處理液的pH為11以下的實施例1～實施例24及實施例26～實施例27與前處理液的pH為12的實施例25相比，減低了對於平坦膜的損傷。
另外，關於添加有緩衝劑的前處理液，即便於室溫下放置24小時，pH亦不會變動，儲存穩定性優異。
＜實施例2-2、實施例2-3、實施例10-2、實施例10-3、實施例20-2、實施例21-2、實施例22-2、及實施例28＞ 除變更淋洗處理的條件以外，以與表1中所示的實施例1～實施例27相同的方式進行評價。具體而言，首先製備下述表2中所示的成分組成的前處理液，一面於燒杯內以250 rpm對室溫的前處理液進行攪拌，一面將晶圓放入至該燒杯中，進行5分鐘的前處理。利用下述表2中所示的23℃的淋洗液對前處理後的晶圓實施30秒淋洗處理，並利用N2 氣體進行乾燥。乾燥時的溫度設為20℃（室溫）。 另外，針對所述乾燥後的晶圓，使用下述表2中所示的淋洗液測定靜止接觸角，並求出毛細管力的值。將結果示於下述表2中。
[表2] 表2
根據表2中所示的結果，亦可知於各實施例中，毛細管力的值小，可抑制圖案構造的倒塌。
1‧‧‧柱狀構造部位
2‧‧‧基板
3‧‧‧前處理液（處理液、圖案構造的倒塌抑制用處理液）
4‧‧‧淋洗液
9‧‧‧間隔部
10‧‧‧圖案構造
100‧‧‧半導體基板製品
h‧‧‧柱狀構造部位的高度
w1‧‧‧間隔部的間隔寬度
w2‧‧‧柱狀構造部位的構件寬度
F‧‧‧毛細管力
D‧‧‧圖案的縱深長度
S‧‧‧圖案的間隔寬度
H‧‧‧圖案的高度
θ‧‧‧圖案構造表面的接觸角（靜止接觸角）
圖1A是示意性地表示準備本發明的圖案構造的處理方法的適宜形態的圖案構造的步驟的剖面圖。 圖1B是示意性地表示對本發明的圖案構造的處理方法的適宜形態的圖案構造實施前處理的步驟的剖面圖。 圖1C是示意性地表示對本發明的圖案構造的處理方法的適宜形態的圖案構造實施淋洗處理的步驟的剖面圖。 圖1D是示意性地表示對本發明的圖案構造的處理方法的適宜形態的圖案構造進行乾燥的步驟的剖面圖。 圖2是示意性地表示圖案構造倒塌的例子的剖面圖。 圖3是說明應用於毛細管力的計算的各參數的含義的示意圖。
3‧‧‧前處理液(處理液、圖案構造的倒塌抑制用處理液)

Claims (20)

  1. 一種圖案構造的處理方法，其對包含無機材料的圖案構造賦予含有氟系聚合物的處理液，所述氟系聚合物具有含氟原子的重複單元。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的圖案構造的處理方法，其中所述氟系聚合物包含(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的圖案構造的處理方法，其中所述氟系聚合物為陽離子性。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的圖案構造的處理方法，其中所述處理液含有水。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的圖案構造的處理方法，其中所述圖案構造包含選自由Si、SiO2 、SiN、Ge及SiGe所組成的群組中的至少一種。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的圖案構造的處理方法，其中所述圖案構造同時包含Si、SiO2 及SiN。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的圖案構造的處理方法，其中所述處理液的pH為11以下。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的圖案構造的處理方法，其中所述處理液的pH為4以上、11以下。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的圖案構造的處理方法，其中所述處理液進而含有緩衝劑。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的圖案構造的處理方法，其中對賦予有所述處理液的所述圖案構造賦予包含有機溶劑的淋洗液。
  11. 一種電子元件的製造方法，其包括如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的圖案構造的處理方法。
  12. 一種圖案構造的倒塌抑制用處理液，其被賦予至包含無機材料的圖案構造中，含有具有含氟原子的重複單元的氟系聚合物。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其中所述氟系聚合物包含(甲基)丙烯酸氟烷基酯聚合物。
  14. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其中所述氟系聚合物為陽離子性。
  15. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其含有水。
  16. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其中所述圖案構造包含選自由Si、SiO2 、SiN、Ge及SiGe所組成的群組中的至少一種。
  17. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其中所述圖案構造同時包含Si、SiO2 及SiN。
  18. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其pH為11以下。
  19. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其pH為4以上、11以下。
  20. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的圖案構造的倒塌抑制用處理液，其進而含有緩衝劑。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI786101B (zh) * 2017-04-10 2022-12-11 美商蘭姆研究公司 蝕刻後處理以預防圖案崩塌

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6875811B2 (ja) * 2016-09-16 2021-05-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置
WO2018216326A1 (ja) 2017-05-26 2018-11-29 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法
JP6949559B2 (ja) * 2017-05-30 2021-10-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US20190374982A1 (en) * 2018-06-06 2019-12-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method for treating substrate and rinsing liquid
CN114762087A (zh) 2019-11-29 2022-07-15 中央硝子株式会社 保护膜形成用化学溶液及晶圆的清洗方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003122027A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Sumitomo Chem Co Ltd 剥離剤組成物
JP2003213463A (ja) * 2002-01-17 2003-07-30 Sumitomo Chem Co Ltd 金属腐食防止剤および洗浄液
US7678155B2 (en) 2003-04-08 2010-03-16 Daikin Industries, Ltd. Water- and oil-repellent treatment of textile
KR101299074B1 (ko) * 2006-03-03 2013-08-30 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 홍채 인코딩 시스템
JP2007262262A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Sanyo Chem Ind Ltd ジェミニ型界面活性剤
US20080125342A1 (en) 2006-11-07 2008-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning memory device structures
JP5075516B2 (ja) * 2007-07-25 2012-11-21 株式会社ダイセル レジスト保護膜用重合体溶液の製造方法
US7855931B2 (en) * 2008-07-21 2010-12-21 Micron Technology, Inc. Memory system and method using stacked memory device dice, and system using the memory system
US9053924B2 (en) * 2008-12-26 2015-06-09 Central Glass Company, Limited Cleaning agent for silicon wafer
US20120214722A1 (en) 2009-10-22 2012-08-23 Mitsubishi Gas Chemical Company Inc. Treatment solution for preventing pattern collapse in metal fine structure body, and process for production of metal fine structure body using same
US20120205345A1 (en) 2009-10-23 2012-08-16 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Treatment solution for preventing pattern collapse in metal fine structure body, and process for production of metal fine structure body using same
JP5629098B2 (ja) 2010-01-20 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 シリコン基板上のパターン修復方法
KR101850356B1 (ko) * 2010-09-08 2018-04-20 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 미세 구조체의 패턴 붕괴 억제용 처리액 및 이를 이용한 미세 구조체의 제조 방법
SG11201406694RA (en) * 2012-01-06 2014-11-27 Aerobotics Inc Novel systems and methods that facilitate underside inspection of crafts
JP5543633B2 (ja) * 2012-11-26 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
CN104871289B (zh) * 2012-12-14 2017-10-10 巴斯夫欧洲公司 包含表面活性剂和疏水化剂的组合物在处理线间距尺寸为50nm或更低的图案化材料时避免图案崩塌的用途
US8957006B2 (en) * 2013-03-11 2015-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning solution comprising an ether acetate for preventing pattern collapse
JP6191372B2 (ja) * 2013-10-04 2017-09-06 セントラル硝子株式会社 ウェハの洗浄方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI786101B (zh) * 2017-04-10 2022-12-11 美商蘭姆研究公司 蝕刻後處理以預防圖案崩塌

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