TW201704856A - 光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法、光罩之檢查裝置、及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法、光罩之檢查裝置、及顯示裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可提高形成於被轉印體上之圖案之座標精度之光罩之製造方法。 本發明之光罩之製造方法具有：準備圖案設計資料A之步驟；準備表示基板之厚度之厚度分佈資料T之步驟；準備表示將光罩保持於曝光裝置時之主表面的形狀之轉印面形狀資料C之步驟；使用厚度分佈資料T及轉印面形狀資料C而獲得描繪差分資料F之步驟；估算與描繪差分資料F對應之主表面上之複數個點之座標偏移量而求出描繪用座標偏移量資料G之步驟；及使用描繪用座標偏移量資料G及圖案設計資料A而於光罩基底上進行描繪之描繪步驟。

Description

光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法、光罩之檢查裝置、及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種可較佳地使用於半導體裝置或顯示裝置(LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)等)之製造中之光罩，且係關於其製造方法及裝置、檢查方法及裝置。
期望提高形成於光罩之轉印用圖案之精度，進而，期望提高所形成之轉印用圖案之檢查精度。
於專利文獻1(日本專利特開2010-134433號公報)中，記載有於光罩圖案轉印於被轉印體上時，可提高其座標精度之描繪方法、描繪裝置。特別是，於專利文獻1中，記載有為了消除如下問題而獲得經修正之描繪資料之方法，該問題係於光罩製造步驟中，因描繪轉印用圖案時之膜面(圖案形成面)之形狀與曝光時不同而未於被轉印體上形成按照設計原樣之圖案。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-134433號公報
於顯示裝置之製造中，多用具備基於所欲獲得之器件之設計之轉印用圖案的光罩。對作為器件之以智慧型電話或平板終端為代表之液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置要求明亮、節省電力、動作速度較快、且解析度較高之悅目之圖像。因此，針對使用於上述用途之光罩，新之技術問題藉由發明人而顯現化。
若進行詳述，則為了清晰地表現微細之圖像而需要提高像素密度，目前欲實現像素密度超過400ppi(pixel per inch，每英吋像素數)之器件。因此，光罩之轉印用圖案之設計趨向微細化、高密度化之方向。另外，包含顯示用器件之較多之電子器件係藉由積層形成有微細圖案之複數個層(Layer)而立體地形成。因此，提高該等複數個層之座標精度、及相互座標之匹配變得重要。即，若各層之圖案座標精度均未滿足特定水準，則會於完成之器件中產生無法進行適當之動作等不良情況。因此，對各層要求之座標偏移之容許範圍趨向越來越小之方向。
另外，於專利文獻1中，記載有如下情形：估算光罩基底之描繪步驟之膜面之形狀與曝光時的膜面之形狀之形狀變化量，基於所估算出之形狀變化量而對使用於描繪之設計描繪資料進行修正。於該專利文獻1中，記載有如下方法：於描繪轉印用圖案之階段，對基板之膜面(於透明基板係指成膜之側之面，於光罩基底係指形成有膜之面，於光罩係指形成有圖案之面)之自理想平面之變形因素中的於曝光時亦殘留之部分、與於曝光時消失之部分進行區分而獲得修正之描繪資料。
於藉由描繪裝置而對附有光阻劑之光罩基底描繪圖案時，光罩 基底係以使膜面朝上之狀態載置於描繪裝置之工作台上。此時，作為光罩基底之膜面之表面形狀的自理想平面之變形因素，認為有以下敍述之4個變形因素。
(1)工作台之不充分之平坦度；(2)因工作台上夾入異物所致之基板之撓曲；(3)光罩基底膜面之凹凸；及(4)因光罩基底背面之凹凸引起之膜面之變形(即，因(3)及基板厚度之不均引起之膜面之變形)；因此，該狀態下之光罩基底之表面形狀係上述4個變形因素累積而形成。而且，對該狀態之光罩基底進行描繪。
另一方面，光罩於搭載於曝光裝置時，使膜面朝下，藉由僅支持光罩外緣部而固定。將形成有光阻膜之被轉印體(因於轉印圖案後藉由蝕刻等進行加工而亦稱為被加工體)配置於光罩之下並自光罩之上(自背面側)照射曝光之光。於該狀態下，上述4個變形因素中之(1)工作台之不充分之平坦度、及(2)因工作台上夾入異物所致之基板之撓曲消失。又，於該狀態下亦殘留(4)基板之背面之凹凸，但未形成圖案之背面之表面形狀不會對正面(圖案形成面)之轉印造成影響。另一方面，於在曝光裝置使用光罩時亦殘留之變形因素為上述(3)。
即，(1)、(2)、(4)之變形因素係於描繪時存在，且於曝光時消失。由該變化引起產生描繪時與曝光時之座標偏移。因此，只要對於源自上述(1)、(2)、(4)之變形因素之表面形狀自理想平面之變化量，修正設計描繪資料而設為描繪資料，另一方面，不使源自(3)之變形因素之表面形狀變化量反映於上述修正，即可獲得具有更準確之座標設計資料之轉印性能之光罩。
因此，根據專利文獻1之方法，可提高形成於被轉印體上之圖案之座標精度。
另一方面，曝光裝置內之光罩係於基板外緣附近之保持區域藉由曝光裝置之保持構件而大致水平地保持並支承。此時，藉由保持部受到強制性之限制而產生基板之變形。進而，若為顯示裝置製造用等之光罩，則由於利用基板外緣附近支承大面積之基板，故而亦產生由自重所致之撓曲。於該情形時，因膜面所表現之變形而亦對光罩之形成有圖案之區域造成影響，從而會產生使其座標精度劣化之情況。本發明人發現若考慮目前開發之高性能之顯示裝置等之圖案的微細化或高積體化，則亦需斟酌此種微細之影響。
例如，顯示裝置等器件係積層經圖案化之薄膜而形成，但積層之各層係藉由不同之各光罩所具有之轉印用圖案形成者。當然，使用之各光罩係基於嚴格之品質管理而製造。然而，由於各光罩為不同者，因此難以使其表面之平坦度均與完全之理想平面相同，又，亦難以使其膜面形狀於複數個光罩完全一致。
因此，於各光罩中，其膜面形狀具有個體差異，若考慮該等各光罩保持於曝光裝置內時表現出之膜面形狀而進行描繪資料之修正，則可形成座標精度更高之轉印用圖案。
即，本發明人針對專利文獻1之方法而發現如下方法較為有利，即於防止因描繪時與曝光時之膜面姿勢之差異引起的座標精度之劣化之方面，為了進一步提高精度而提高具有複數個層之器件之良率，亦考慮使用於各層之光罩基板之膜面形狀之個體差異、及由其等於曝光裝置內所受之力所致之影響而實質上消除由該影響所致之轉印性的劣化。
另外，於上述專利文獻1中，記載有如下步驟：以使膜面為上側將光罩基底載置於描繪裝置之工作台，於該狀態下對該光罩基底之上側之面之高度分佈進行測定。該步驟係於可將上述4個變形因素之結果定量化之方面有用。然而，該步驟具有增加光罩基底之描繪裝置佔 有時間之缺點。本發明人亦著眼於如下情形：由於描繪裝置佔有時間對光罩之生產效率或成本之影響較大，故而具有改善其之潛在性之技術課題。
因此，本發明之目的在於解決上述課題而提供一種可提高形成於被轉印體上之圖案之座標精度之光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法、光罩之檢查裝置、及顯示裝置之製造方法。
為了解決上述問題，本發明具有以下構成。
(構成1)
一種光罩之製造方法，其係包含準備於基板之主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底，且藉由描繪裝置而描繪特定之轉印用圖案者，且具有：基於上述特定之轉印用圖案之設計而準備圖案設計資料A之步驟；準備表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T之步驟；準備表示將上述光罩保持於曝光裝置時之上述主表面之形狀的轉印面形狀資料C之步驟；使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而獲得描繪差分資料F之步驟；估算與上述描繪差分資料F對應之上述主表面上之複數個點之座標偏移量而求出描繪用座標偏移量資料G之步驟；及使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪之描繪步驟。
(構成2)
一種光罩之製造方法，其係包含準備於基板之主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底，且藉由描繪裝置而描繪特定之轉印用圖案 者，且具有：基於上述特定之轉印用圖案之設計而準備圖案設計資料A之步驟；準備表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、及表示上述主表面之表面形狀之基板表面形狀資料B之步驟；使上述光罩保持於曝光裝置內時於上述表面形狀所產生之移位反映於上述基板表面形狀資料B，而獲得表示保持於曝光裝置時之上述主表面之形狀的轉印面形狀資料C之步驟；使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而獲得描繪差分資料F之步驟；估算與上述描繪差分資料F對應之上述主表面上之複數個點之座標偏移量而求出描繪用座標偏移量資料G的步驟；及使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪之描繪步驟。
(構成3)
如構成1或2之光罩之製造方法，其中求出表示上述基板保持於曝光裝置內時產生之上述主表面之變形中的由上述基板之自重撓曲所致之上述主表面的變形量之自重變形量資料R，於獲得上述描繪差分資料F之步驟中，使用上述厚度分佈資料T、上述轉印面形狀資料C及上述自重變形量資料R。
(構成4)
如構成2之光罩之製造方法，其中上述基板表面形狀資料B係藉由：於以主表面實質上成為鉛直之方式保持上述光罩基底或用以製成上述光罩基底之基板之狀態下，對上述主表面上之複數個測定點之位置進行測定而求出。
(構成5)
如構成1至4中任一項之光罩之製造方法，其中上述厚度分佈資料T係藉由：於以主表面實質上成為鉛直之方式保持上述光罩基底或用以製成上述光罩基底之基板之狀態下，對上述主表面上之複數個測定點之位置進行測定而求出。
(構成6)
如構成1至5中任一項之光罩之製造方法，其中預先求出與上述描繪裝置固有之座標偏移成分相關之座標偏移固有資料Q，於上述描繪步驟中，使用上述描繪用座標偏移量資料G、上述圖案設計資料A及上述座標偏移固有資料Q而於上述光罩基底上進行描繪。
(構成7)
如構成1至6中任一項之光罩之製造方法，其中於獲得上述轉印面形狀資料C之步驟中，使用有限要素法。
(構成8)
如構成1至6中任一項之光罩之製造方法，其中於上述描繪步驟中，使用藉由基於上述描繪用座標偏移量資料G對上述圖案設計資料A進行修正而獲得之修正圖案資料H進行描繪。
(構成9)
如構成1至6中任一項之光罩之製造方法，其中於上述描繪步驟中，基於上述描繪用座標偏移量資料G而對上述描繪裝置具有之座標系進行修正，使用所獲得之修正座標系及上述圖案設計資料A而進行描繪。
(構成10)
如構成1至9中任一項之光罩之製造方法，其中於上述光罩保持於曝光裝置內時，藉由保持構件保持之複數個保持點配置於平面上。
(構成11)
一種描繪裝置，其係用於對在基板之主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底描繪轉印用圖案者，且具有：輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、及表示將上述基板保持於曝光裝置之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C；運算機構，其使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之描繪用座標偏移量資料G；及描繪機構，其使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪。
(構成12)
一種描繪裝置，其係用於對在基板之主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底描繪轉印用圖案者，且具有：輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、表示上述基板之主表面之形狀之基板表面形狀資料B、與將上述基板保持於曝光裝置時之保持狀態相關之資訊、及包含上述基板素材之物性值之基板資訊；運算機構，其可使用上述基板表面形狀資料B、與上述保持狀態相關之資訊、及上述基板資訊而運算表示保持於曝光裝置內之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C，並且使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之描繪用座標偏移量資料G；及描繪機構，其使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪。
(構成13)
如構成12之描繪裝置，其進而具有記憶機構，該記憶機構係保存表示上述基板保持於曝光裝置內時產生之上述主表面之變形中的由上述基板之自重撓曲所致之上述主表面的變形量之自重變形量資料R，上述運算機構係使用上述自重變形量資料R進行運算。
(構成14)
如構成12或13之描繪裝置，其具有記憶機構，該記憶機構係保存與上述描繪裝置固有之座標偏移成分相關之座標偏移固有資料Q，上述運算機構係使用上述座標偏移固有資料Q進行運算。
(構成15)
一種光罩之檢查方法，其係使用檢查裝置對在基板之主表面具有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查者，且具有：於將上述光罩載置於上述檢查裝置之工作台上之狀態下，進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L之步驟；準備表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T之步驟；獲得表示將上述光罩保持於曝光裝置時之上述主表面之形狀的轉印面形狀資料C之步驟；使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而獲得檢查差分資料J之步驟；估算與上述檢查差分資料J對應之上述主表面上之複數個點之座標偏移量而求出檢查用座標偏移量資料K之步驟；及使用上述檢查用座標偏移量資料K及上述圖案座標資料L而進行上述轉印用圖案之檢查之檢查步驟。
(構成16)
一種光罩之檢查方法，其係使用檢查裝置對在基板之主表面具 有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查者，且具有：於將上述光罩載置於上述檢查裝置之工作台上之狀態下，進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L之步驟；準備表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、及表示上述主表面之表面形狀之基板表面形狀資料B之步驟；使上述光罩保持於曝光裝置內時於上述表面形狀所產生之移位反映於上述基板表面形狀資料B，而獲得表示保持於曝光裝置時之上述主表面之形狀的轉印面形狀資料C之步驟；使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而獲得檢查差分資料J之步驟；估算與上述檢查差分資料J對應之上述主表面上之複數個點之座標偏移量而求出檢查用座標偏移量資料K之步驟；及使用上述檢查用座標偏移量資料K及上述圖案座標資料L而進行上述轉印用圖案之檢查之檢查步驟。
(構成17)
如構成15或16之光罩之檢查方法，其中求出表示上述基板保持於曝光裝置內時產生之上述主表面之變形中的由上述基板之自重撓曲所致之上述主表面的變形量之自重變形量資料R，於獲得上述檢查差分資料J之步驟中，使用上述厚度分佈資料T、上述轉印面形狀資料C及上述自重變形量資料R。
(構成18)
如構成15至17中任一項之光罩之檢查方法，其中預先求出與上述檢查裝置固有之座標偏移成分相關之檢查座標偏移常數資料S，上述檢查步驟係使用上述檢查用座標偏移量資料K、上述圖案座標資料L及上述檢查座標偏移常數資料S而對上述轉印用圖案進行檢 查。
(構成19)
如構成16至18中任一項之光罩之檢查方法，其中於求出上述轉印面形狀資料C之步驟中，使用有限要素法。
(構成20)
如構成15至19中任一項之光罩之檢查方法，其中上述轉印用圖案之檢查係使用使上述檢查用座標偏移量資料K反映於圖案設計資料A而獲得之修正設計資料M、及上述圖案座標資料L而進行。
(構成21)
如構成15至19中任一項之光罩之檢查方法，其中上述轉印用圖案之檢查係使用使上述檢查用座標偏移量資料K反映於上述圖案座標資料L而獲得之修正座標資料N、及圖案設計資料A而進行。
(構成22)
一種光罩之製造方法，其特徵在於包含：準備於主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底之步驟；將上述薄膜圖案化之步驟；及利用如構成15至21中任一項之光罩之檢查方法之檢查步驟。
(構成23)
一種顯示裝置之製造方法，其包含：準備於主表面形成有轉印用圖案且藉由如構成1或2之製造方法而製造之光罩之步驟；及藉由對上述光罩進行曝光而對具有被加工層之器件基板進行圖案轉印之步驟。
(構成24)
一種顯示裝置之製造方法，其係包含使用於各自之主表面形成有轉印用圖案之複數個光罩及曝光裝置而依次對形成於器件基板上之 複數個被加工層進行圖案轉印者，且其特徵在於：作為上述複數個光罩，使用藉由如構成1至10中任一項之光罩之製造方法而製造者。
(構成25)
一種光罩之檢查裝置，其係對在基板之主表面具有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查者，且具有：座標測定機構，其進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L；輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、表示將上述基板保持於曝光裝置之狀態之上述基板的主表面形狀之轉印面形狀資料C；運算機構，其使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之檢查用座標偏移量資料K；及檢查機構，其使用上述檢查用座標偏移量資料K及圖案設計資料A而對上述光罩之轉印用圖案進行檢查。
(構成26)
一種光罩之檢查裝置，其係對在基板之主表面具有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查者，且具有：座標測定機構，其進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L；輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、表示上述基板之主表面之形狀之基板表面形狀資料B、與將上述基板保持於曝光裝置時之保持狀態相關之資訊、及包含上述基板素材之物性值之基板資訊； 運算機構，其可使用上述基板表面形狀資料B、與上述保持狀態相關之資訊、及上述基板資訊而運算表示保持於曝光裝置內之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C，並且使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之檢查用座標偏移量資料K；及檢查機構，其使用上述檢查用座標偏移量資料K及圖案設計資料A而對上述光罩之轉印用圖案進行檢查。
根據本發明，可提供一種可提高形成於被轉印體上之圖案之座標精度的有效率之光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法、光罩之檢查裝置、及顯示裝置之製造方法。
10‧‧‧工作台
11‧‧‧描繪機構
12‧‧‧測定機構
13‧‧‧光罩基底(基板)
14‧‧‧薄膜
15‧‧‧描繪資料製作機構
20‧‧‧表面
21‧‧‧基準表面
d‧‧‧偏移
H‧‧‧高度
t‧‧‧厚度
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
Φ‧‧‧角度
△X‧‧‧X軸方向之偏移
△Y‧‧‧Y軸方向之偏移
圖1(a)係以主表面與鉛直方向成為平行之方式保持之基板之側視圖，圖1(b)係該基板之前視圖。
圖2(a)係設定有複數個測定點之基板之剖視圖，圖2(b)係該基板之前視圖。
圖3(a)係有限要素法中所使用之光罩模型之剖視圖，圖3(b)係該光罩模型之前視圖。
圖4(a)係以膜面成為上側之方式配置之光罩模型之剖視圖，圖4(b)係以膜面成為下側之方式配置之光罩模型之剖視圖，圖4(c)係以膜面成為上側之方式配置之光罩模型之前視圖，圖4(d)係以膜面成為下側之方式配置之光罩模型之前視圖。
圖5(a)係表示實施形態1之利用保持構件之保持位置、及保持狀態之光罩所受到之移位之光罩模型的剖視圖。圖5(b)係實施形態1之圖5(a)之光罩模型之前視圖，且以虛線表示利用保持構件之保持位置。
圖6(a)係表示於實施形態1中，施加至保持於曝光裝置之光罩之力之一例之剖視圖。圖6(b)係表示於實施形態1中，對光罩施加真空壓之區域及保持構件之保持位置之一例之圖。
圖7係構成實施形態1之光罩模型之六面體之模式圖。
圖8(a)~(e)係表示於實施形態1中，於自基板表面形狀資料B獲得轉印面形狀資料C後藉由基板之厚度度分佈資料T與轉印面形狀資料C之差分而獲得描繪差分資料F後，至自描繪差分資料F獲得描繪用座標偏移量資料G為止之步驟之模式圖。
圖9係用以計算膜面之形狀變動、與由此所致之座標偏移之關係之模式圖。
圖10(a)~(e)係表示於藉由基板之厚度分佈資料T與轉印面形狀資料C之差分而獲得檢查差分資料J後至自檢查差分資料J獲得檢查用座標偏移量資料K為止之步驟之模式圖。
圖11係實施形態之光罩之製造方法中所使用之描繪裝置之概念圖。
圖12係以向量表現出因基板表面之高低引起之測定點之座標偏移之圖。
圖13(a)係表示實施形態2中施加至保持於曝光裝置之光罩之力之一例之剖視圖。圖13(b)係表示實施形態2中保持構件之保持位置之一例之圖。
圖14(a)~(e)係表示實施形態1中自轉印面形狀資料C與反映理想基板之自重撓曲之參照形狀資料C1之差分而獲得已去除自重撓曲成分的轉印面修正資料D之步驟之模式圖。
圖15(a)~(d)係表示實施形態2中藉由基板之厚度分佈資料T與轉印面修正資料D之差分而獲得描繪差分資料F，並自描繪差分資料F獲得描繪用座標偏移量資料G之步驟之模式圖。
圖16(a)~(d)係表示實施形態2中自已去除自重撓曲成分之轉印面修正資料D與基板之厚度分佈資料T之差分求出檢查差分資料J，且自該檢查差分資料J獲得檢查用座標偏移量資料K之步驟之模式圖。
圖17(a)、(c)係表示描繪於測試用光罩之圖案之座標測定結果。圖17(b)、(d)係表示對將測試用光罩設置於曝光裝置之狀態下之座標偏移進行模擬之結果。
<實施形態1>(描繪)
本發明之實施形態之光罩之製造方法具有以下步驟。
準備光罩基底
於本發明之實施形態中，於在基板之主表面形成1個或複數個薄膜、及光阻膜之光罩基底上形成基於所欲獲得的器件所設計之轉印用圖案而進行用以形成光罩之描繪。因此，準備於基板之一主表面上形成有上述薄膜及光阻膜之光罩基底。
準備之光罩基底可使用公知者。
作為基板，可使用石英玻璃等透明基板。大小或厚度並無限制，但作為可使用於顯示裝置之製造中者，可利用一邊300mm~1800mm、厚度5~15mm左右者。
於本說明書中，存在如下情形：除形成薄膜前之基板以外，將於主表面形成有一個或複數個薄膜之基板、或者於薄膜上形成有光阻膜之基板稱為「基板」(或者，光罩基底基板、光罩基板)。
再者，於對基板之主表面之平坦度或厚度分佈(以下，亦稱為TTV(total thickness variation，總厚度變化))進行測定之步驟中，實質上不會產生成膜於主表面之薄膜或光阻膜之厚度之影響。其原因在於，薄膜或光阻膜之膜厚足夠小，不會對上述測定造成實質性之影響。
作為薄膜，除遮蔽使用光罩時之曝光之光之遮光膜(光學濃度OD=3以上)以外，可為使一部分曝光之光透過之半透光膜(曝光之光透過率為2~80%)，或亦可為相位偏移膜(例如，曝光之光之相位偏移量為150~210度、曝光之光透過率為2~30%左右者)或者對光之反射性進行控制之抗反射膜等光學膜。進而，薄膜亦可包含蝕刻阻止膜等功能膜。可為單膜，亦可為複數個膜之積層。例如，可應用包含Cr之遮光膜或抗反射膜、包含Cr化合物或金屬矽化物之半透光膜或相位偏移膜等。亦可應用積層有複數個薄膜之光罩基底。藉由對該等複數個薄膜之各者之圖案化應用本發明之方法，可製成具有優異之座標精度之轉印性之光罩。
形成於最表面之光阻劑可為正型亦可為負型。作為顯示裝置用光罩，正型較為有用。
I 準備圖案設計資料A之步驟
所謂圖案設計資料係基於所欲獲得之器件(顯示裝置等)而設計之轉印用圖案之資料。
藉由本發明之光罩而製造之器件之用途並無限制。例如，可藉由對構成液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置之各構成物之各層應用本發明而獲得優異之效果。例如，本發明可較佳地使用於具有間距未達7μm之線與間隙圖案(於線或間隙有線寬(CD：Critical Dimension(臨界尺寸))為4μm或者未達3μm之部分者等)或直徑為1.5~5μm、特別是1.5~3.5μm之孔圖案等之微細的設計之顯示裝置用光罩等。
圖案設計資料係若不進行修正而直接使用其進行描繪，則因描繪時(載置於描繪裝置內時)與曝光時(保持於曝光裝置內時)之膜面形狀之差異而導致轉印用圖案形成於被轉印體時之座標精度變得不充分。因此，進行藉由以下之步驟實施之修正。
II 獲得表示基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、及基板表面形狀資料 B之步驟
於該步驟中，至於獲取厚度分佈資料T及基板表面形狀資料B之順序，先進行任一者均可，又，可於不同之步驟中獲取，亦可於一個步驟中獲取。此處，例示使用相同之平坦度測定器而於一個步驟中進行測定之情形。
例如，以主表面實質上成為鉛直之方式保持測定對象之基板。即，可設為由自重所致之撓曲實質上不會對基本正背面之形狀造成影響之狀態而藉由平坦度測定機進行測定(參照圖1)。
測定可藉由使用對所照射之光(雷射等)之反射光進行檢測等光學測定方法之平坦度測定機而進行。作為測定裝置之例，例如可列舉黑田精工股份有限公司製造之平面度測定機FTT系列、或日本專利特開2007-46946號公報中所記載者等。
此時，於主表面上按照等間隔(將相隔距離設為間距P)設定複數個沿XY方向描繪之方格之交點(方格點)，可將該交點設為測定點(參照圖2)。
例如，可使用具有如下功能之平坦度測定機：將實質上鉛直之平面設為基準面，對各測定點測定該基準面與上述各測定點之Z方向(參照圖2)之距離。藉由該測定，可掌握基板之主表面之平坦度，藉此可獲得基板表面形狀資料B。於圖2中表示將間距P設為10mm之例。
如圖2(a)所示，對主表面上之所有測定點之Z方向之高度進行測定。藉此，以平坦度映射表之形式獲得基板表面形狀資料B(參照圖8(a))。
再者，於獲取上述基板表面形狀資料B時，對於基板背面側(與成為膜面之主表面相反之面)，亦於與膜面側對應之位置設定測定點而進行相同之測定，藉此可預先求出基板背面形狀資料、及各測定點 之基板之厚度(膜面與背面之距離)分佈資料T(參照圖2(a))。基板之厚度分佈亦記述為TTV(Total thickness variation)。可於後段使用該厚度分佈資料T。
對於測定點之設定，可根據基板之尺寸之測定時間之觀點、及修正精度之觀點而確定相隔距離P。相隔距離P係例如可設為2≦P≦20(mm)，更佳為設為5≦P≦15(mm)。
又，於進行膜面側之表面平坦度測定後，可根據測定值求出最小平方平面。將該面之中心設為原點O。
III 獲得轉印面形狀資料C之步驟
其次，於該基板成為光罩時，考慮該光罩保持於曝光裝置內之狀態。設置於曝光裝置之光罩係以使膜面朝向下側之狀態保持。於該狀態下，基板之膜面(轉印面)係根據保持狀態而受到依存於該狀態之力，從而其形狀產生變化。此亦根據保持構件之形狀而成為不同之變形。
III-1 方式<1>
此處，對使用藉由圖6(a)(b)所示之方式保持光罩基板之曝光裝置之情形進行說明。
於曝光機內，光罩基板係使膜面側(圖案形成面)朝向下方而大致水平地被支承，於外緣附近與保持構件接觸而被保持。
大致水平地保持之基板係產生由自重所致之撓曲，主平面之中央附近之位置低於外緣附近。因此，以抗衡光罩之自重，減少光罩轉印面之撓曲為目的而於光罩之背面(與膜面側相反之面)設定特定之區域，可使由真空壓所致之力施加至該區域(圖6(b))。於該情形時，根據該區域或真空壓之大小而光罩所受之力產生變化。此處，所謂作用真空壓之情形係指如下狀態：藉由對光罩轉印面之背面之空間進行減壓而將光罩向上方抽吸。
可對受到此種力之狀態下之基板表面形狀(轉印面形狀)進行測定。即，於設置於曝光機之狀態之光罩之膜面設置所需數量的測定點，藉由光學機構等而進行形狀測定，藉此例如可獲得如圖10(b)所示之映射表。該測定點較佳為設為與於上述基板表面形狀資料B中所使用之測定點相同之位置。
然而，即便不進行測定，亦可實施本發明。
例如，可估算於保持於曝光裝置之狀態之光罩膜面所產生之移位，使該移位反映於基板表面形狀資料B而獲得轉印面形狀資料C(參照圖8(b))。即，可使用與於將光罩保持於曝光裝置時對主平面形狀造成影響之保持狀態相關之資訊(其包含利用保持構件之保持條件、及抗衡自重之真空壓條件)，藉由模擬而求出轉印面形狀資料C。
於該步驟中，較佳為應用有限要素法。因此，作為其準備階段而製作光罩模型(圖3)。
藉由既述之膜面側與背面側之平坦度測定而獲得兩個表面之形狀資料。此處，相對於最外周之測定點而分別於基板端部側於相隔1間距量之位置進而追加1個假想之測定點，將該假想測定點之Z方向之高度設定為與最外周之測定點相同之高度。該處理係用以於以下所使用之有限要素法中準確地反映基板之尺寸及重量。又，亦於膜面側與背面側之對應之測定點之中間設定假想測定點，設定對應之2個測定值之中央值。而且，以直線連結鄰接之測定點(包含假想測定點)(參照圖3(a)、(b))。
再者，上述假想測定點並不限定於設置於膜面與背面之測定值之中央之情形，亦可沿厚度方向按照等間隔設置2個點或3個點。
於圖4(a)~(d)中表示自正背兩表面及剖面觀察該光罩模型之模式圖。
其次，於該光罩模型中，設定光罩於曝光裝置內被保持於保持 構件之複數個保持點。該等複數個保持點係於光罩搭載於曝光裝置內時，藉由保持構件利用接觸或者吸附而保持、限制之點，根據曝光裝置之製造商、代或尺寸而不同，因此基於使用之曝光裝置而確定。
於本形態中，作為一例，對如下情形進行說明：於形成基板之主表面之外周之四個邊的附近，與四個邊平行地自外周相隔特定之距離而配置之四邊形帶狀之保持構件以包圍轉印用圖案形成區域的方式與基板之膜面側接觸(圖5(b)之虛線)。
即，於圖6(a)、(b)所示之模型中，將處於虛線上之測定點設為保持點。於曝光裝置內，保持點藉由與保持構件接觸而被限制從而移位，藉此存在因基板所具有之物性而移位波及至膜面形狀整體之情形。
進而，如上所述，對基板施加自重而產生撓曲，因此賦予用以降低撓曲之向上之力。此係藉由自基板之上(背面側)施加真空壓而進行(圖6(a))。如圖6(b)所示，施加真空壓之區域可設為包含基板主表面之中心之四邊形區域。
於圖5(a)所示之模型中，以成為保持點之測定點之位置於Z軸上成為零之方式設定強制移位量。再者，Z軸方向之零位置係參照既已設定之最小平方平面(及處於該最小平方平面之上之原點)。例如，若成為保持點之某個測定點之膜面側平坦度之值為5μm，則該測定點之強制移位量成為「-5μm」。
此處，較佳為將自背面側附加之真空壓之量設定為膜面之平坦度成為最小之量。
再者，存在如下情形：於對特定之面之平坦度(flatness)進行評估時，在該面與基準面(將與特定之面大致平行之面設為基準面之情形較多)之距離中表現為該距離之最大值與最小值之差。即，於平坦度之數值較小之情形時，意味著於該面凹凸較少而更平坦。
因此，為了確定應用於模擬之真空壓之量，只要於改變對光罩基板之背面賦予之真空壓時，求出膜面之平坦度成為最小時之真空壓即可。通常，由基板之自重撓曲所致之移位係於基板中心附近成為最大，故而可認為於膜面(基板主表面)之中心點距基準面之距離變得最接近基板外緣距基準面之距離時平坦度最小。於測定基板外緣距基準面之距離時，可於外緣上設定複數個測定點，或亦可將特定之位置設定為代表點。又，膜面平坦度成為最小時之真空壓可於實際上將基板設置於曝光裝置而實測，或亦可作為使用與上述保持狀態相關之資訊之模擬之一環節而求出。
其次，將上述所準備之模型條件輸入至有限要素法(FEM)之軟體，藉由上述強制移位而估算除保持點以外之各測定點進行何種移位。藉此，可獲得表示曝光裝置內之光罩之膜面形狀之「轉印面形狀資料C」。
於應用有限要素法時，需要各種物性值或條件之參數。於本形態中，將以下者設為例。
[基板(石英玻璃)物性值條件]
楊氏模數E：7341kg/mm2
泊鬆比ν：0.17
重量密度m：0.0000022kg/mm3
[光罩模型(Mask Model)條件]
各測定點之座標值(x、y、z)檔案：(關於膜面、背面、中間點之所有測定點)
連結測定點之條件檔案：六面體
於本形態中，關於膜面與背面之對應之測定點、其中間點(包含假想測定點)，將鄰接者彼此全部連接，藉此製成六面體集成之模型(參照圖7)。
[保持條件]
設定強制移位量之檔案：上述保持點之強制移位量
[真空壓條件]
設定有真空壓之量、及施加該真空壓之量之區域的檔案
而且，藉由有限要素法而算出除保持點以外之所有測定點之移位量。
保持於曝光裝置內之光罩係藉由作用於其之力之平衡而靜止。
此時成立：自重向量G-應力向量σ-真空壓力向量=0。
此處，應力向量σ=[k]×移位量向量u
(其中，[k]為由楊氏模數e及泊鬆比ν構成之矩陣)
自重向量G=要素體積×重量密度m×重力方向向量。
此處，如圖7所示，每一要素為各個六面體。
若針對所有要素(基板整體)重疊該六面體，則
G1-σ1-F1+G2-σ2-F2+G3-σ3-F3+…=0(式<1>)
G1-F1+G2-F2+G3-F3+…=σ1+σ2+σ3+…=[k1]u1+[k2]u2+[k3]u3+…(式<2>)
此處，移位量向量(u1、u2、u3、…)成為各測定點之移位量，且為欲求出之數值。然而，保持點之移位量向量係如上所述般作為強制移位量而輸入。
根據藉由上述有限要素法而算出之各測定點之移位量向量，獲得保持於曝光裝置內之光罩之膜面形狀之資料。即，該資料係藉由曝光裝置而完成圖案轉印時之光罩之膜面形狀之資料，且係「轉印面形狀資料C」。
III-2 方式<2>
於方式<2>中，使用圖13之模型。
此處，如圖13(b)所示，曝光裝置之保持構件分別接觸於光罩基板主表面之對向之2個邊的附近(處於圖13(b)之虛線上之測定點成為保持點)。而且，使膜面側朝向下方而保持光罩。曝光機內之光罩基板主平面係其保持點被保持構件限制而強制性地移位，藉此因基板具有之物性而使移位波及膜面形狀整體。
圖13(a)所示之模型係以成為保持點之測定點之位置於Z軸上成為零的方式設定強制移位量。再者，Z軸方向之零位置係參照既已設定之最小平方平面(及處於其上之原點)。例如，若成為保持點之某個測定點之膜面側平坦度之值為5μm，則該測定點之強制移位量成為「-5μm」。
其次，將上述準備之模型條件輸入至有限要素法(FEM)之軟體，估算除保持點以外之各測定點藉由上述強制移位而進行何種移位。藉此，可獲得表示曝光裝置內之光罩之膜面形狀之「轉印面形狀資料C」。於該轉印面形狀資料C中包含由重力所致之撓曲成分(參照圖14(b))。
於應用有限要素法時，需要各種物性值或條件之參數。然而，本方式係不對設置於曝光裝置之光罩基板應用真空壓。因此，無需上述方式<1>中之設定有真空壓條件之檔案。
此處，亦如圖7所示，每一要素設為各個六面體。
六個所有要素(基板整體)之總和為： G1-σ1+G2-σ2+G3-σ3+…=0(式<3>)
G1+G2+G3+…=σ1+σ2+σ3+…=[k1]u1+[k2]u2+[k3]u3+…(式<4>)
此處，移位量向量(u1、u2、u3、…)成為各測定點之移位量，且係欲求出之數值。然而，保持點之移位量向量係如上所述般作為強制 移位量而輸入。
藉由利用上述有限要素法而算出之各測定點之移位量向量，獲得保持於曝光裝置內之光罩之膜面形狀之資料。即，該資料係藉由曝光裝置而完成圖案轉印時之光罩之膜面形狀之資料，且係「轉印面形狀資料C」。
獲得轉印面修正資料D之步驟
於上述轉印面形狀資料C中包含由作用於基板之重力所致之撓曲之影響。另一方面，此種由自重撓曲所致之膜面形狀之變形、進而由該變形所致之各座標位置之偏移量係只要提供源自基板之尺寸或材料的物性值等，則可相對容易地估算。因此，於使用於顯示裝置用光罩之製造之曝光裝置中，有具備修正源自該自重撓曲成分之座標偏移之功能者，於該情形時，補償自重撓曲成分而進行描繪。
因此，為了求出描繪修正圖案資料，需要以不會成為與利用曝光裝置所具備之重力撓曲成分之補償功能的修正重複之修正之方式，自「轉印面形狀資料C」去除重力撓曲成分。因此，求出自上述轉印面形狀資料C去除由基板之自重撓曲所致之變形量、即自重撓曲成分所得之轉印面修正資料D(圖14(e))。
因此，估算僅由自重撓曲所致之變形成分(自重撓曲成分)。即，對與上述基板相同之素材、形狀、尺寸且理想形狀(主平面彼此平行之理想平面)之基板(亦稱為理想基板)，求出僅由主表面之重力撓曲所致之變形(圖14(d))。亦將該變形稱為參照形狀資料C1。此處，可與上述相同地應用有限要素法。
或者，亦可代替求出假設之理想基板的重力撓曲成分，而準備特定之基準基板，藉由上述有限要素法之順序對該基板求出由自重撓曲所致之變形。亦可使用於該情形時獲得之參照形狀資料C2來代替上述C1。於已相對於特定之曝光裝置而確定基準基板之規格之情形 時，可應用該方法。該C1或C2係相當於表示基板保持於曝光裝置內時產生之上述主表面之變形中之由上述基板的自重撓曲所引起之上述主表面的變形量之自重變形量資料R。
而且，若自既求出之轉印面形狀資料C減去C1(或C2)而求出差分，則可獲得轉印面修正資料D(圖14(e))。
IV 獲得描繪差分資料F之步驟
如上所述，於藉由描繪裝置而對光罩基底描繪圖案時，光罩基底係以使膜面朝上之狀態載置於描繪裝置之工作台上。此時，可認為於光罩基底之膜面之表面形狀自理想平面之變形因素中有以下4個變形因素。
(1)工作台之不充分之平坦度；(2)因工作台上夾入異物所致之基板之撓曲；(3)光罩基底膜面之凹凸；及(4)因光罩基底之背面之凹凸引起之膜面之變形；因此，該狀態下之光罩基底之表面形狀係上述4個變形因素累積而形成。而且，對該狀態之光罩基底進行描繪。
另一方面，於描繪後實施圖案化，於設置於曝光裝置內之光罩，於其主表面，上述(1)、(2)、(4)之變形因素消失。需要將由該形狀變化所致之座標偏移程度定量化。
此處，上述(1)之變形因素係描繪裝置之工作台固有者，且係只要使用相同之工作台，則具有再現性而產生之座標偏移要素。因此，可預先精密地測定描繪裝置之工作台面形狀並作為參數而保有，於求出下述之描繪差分資料F時使用該參數。將該參數例如設為座標偏移固有資料Q。
又，上述(2)之變形因素係偶發性之座標偏移因素，產生概率並不大。進而，為了進一步降低由該因素所致之座標偏移之產生，更嚴 格地進行工作台之清潔步驟，藉此可極力排除異物之存在。
換言之，由上述(3)+(4)之變形因素所致之描繪工作台上之高度變動可設為(3)+(基板厚度變動)。即，對於影響至座標偏移之要素中之(4)之變形因素，可使用厚度分佈資料T之數值進行資料修正。
因此，於本發明中，可使用預先求出之厚度分佈資料T及轉印面形狀資料C而實施獲得描繪差分資料F之步驟。
方式<1>之情形(圖8)：
如圖8所示，求出轉印面形狀資料C與厚度分佈資料T之差分。較佳為，自此處所獲得之差分進一步減去表示工作台面平坦度等描繪裝置固有之座標偏移要素之座標偏移固有資料Q而求出描繪差分資料F。再者，該座標偏移固有資料Q亦可於以座標偏移量之形式轉換為XY座標值後，反映於描繪用座標偏移量資料G。
方式<2>之情形(圖14、15)
如圖15所示，求出轉印面修正資料D與厚度分佈資料T之差分，藉此求出描繪差分資料F。較佳為，自此處所獲得之差分進一步減去座標偏移固有資料Q而求出描繪差分資料F。再者，該座標偏移固有資料Q亦可於以座標偏移量之形式轉換為XY座標值後，反映於描繪用座標偏移量資料G。
另一方面，保持於曝光裝置內之光罩之膜面之自理想平面的變形因素係為以下敍述之3個變形因素累積所得者。
(5)光罩之膜面之凹凸(與上述(3)實質上相同)；(6)因藉由光罩保持構件保持而強制地產生之膜面之變形；及(7)由自重所致之撓曲(於為了降低該撓曲而施加真空壓之情形時為由該真空壓所致之反方向之變形)
因此，該2個膜面形狀之差異係成為產生因轉印引起之座標偏移之原因的要素，因此可謂其係應該應用於「圖案設計資料A」之修正 者。即，該差異為上述描繪差分資料F。
V 獲得描繪用座標偏移量資料G之步驟
將上述描繪差分資料F轉換為XY座標上之移位(座標偏移量)。例如，可藉由以下之方法而進行轉換(參照圖9)。
圖9係描繪裝置之工作台10上之基板(光罩基底)13之剖面的放大圖。省略薄膜14。如上所述，配置於工作台10上之基板13之表面20之形狀成為因複數個因素而自理想平面變形者。
此處，於與高度0之測定點(即，高度與基準表面21一致之測定點)鄰接之測定點之高度為H的情形時，因該高度之差異所致之基板13之表面20與基準表面21所成的角之角度Φ係以如下式表示：sinΦ=H/Pitch……(式1)
(間距(Pitch)：測定點之相隔距離、即與鄰接之測定點之距離P)。
再者，於上述內容中，H/Pitch亦可考慮為基板表面之高度方向之梯度。
再者，若Φ之值足夠小，則亦可近似於：Φ=H/Pitch……(式1')。
於以下之說明中，使用(式1)。
於上述情形時，因該高度之差異引起之測定點之X軸方向的偏移d可藉由下式而求出：d=sinΦ×t/2=H×(t/2Pitch)……(式2)。
再者，於上述中，若Φ足夠小，則亦可近似於：d=Φ×t/2=H×(t/2Pitch)……(式2')。
或者，因高度之差異引起之測定點之座標偏移量亦可藉由使用向量的方法而算出。圖12係以向量表現出因高度之差異引起之測定點之座標偏移的圖。於描繪時高度分佈資料E中，考慮自任意之3個部位 之測定點製作之傾斜面。此時，傾斜面與X軸方向之偏移△X、傾斜面與Y軸方向之偏移△Y係以下述式表示。
△X=t/2×cosθx
△Y=t/2×cosθy……(式3)
可自任意之3個部位之測定點製作2個傾斜向量。根據該2個傾斜向量之外積計算而製作相對於傾斜面之法線向量。
進而，根據法線向量與X軸單位向量之內積計算而算出cosθx，根據法線向量與Y軸單位向量之內積計算而算出cosθy。
可將所算出之cosθx及cosθy代入至(式3)而最終算出X軸方向之偏移△X及Y軸方向之偏移△Y。
再者，此處t為基板之厚度。各測定點之厚度t包含於已於上述中獲取之TTV。
因此，於本形態中，對基板13上之所有測定點求出相當於轉印面形狀資料C(於方式<2>中，自轉印面形狀資料C減去重力撓曲成分所得之轉印面修正資料D)與厚度分佈資料T之差分之高度，於X方向、Y方向對所獲得之描繪差分資料F計算座標偏移量，藉此可獲得描繪用座標偏移量資料G。當然，只要不破壞本發明之效果，計算方法並不限定於上述內容。
VI 進行修正圖案資料H之描繪之描繪步驟
使用上述所獲得之描繪用座標偏移量資料G及「圖案設計資料A」，進行修正圖案資料H之描繪。
此時，亦可基於描繪用座標偏移量資料G對圖案設計資料A進行修正而求出描繪修正圖案資料H(未圖示)，基於該描繪修正圖案資料H進行描繪。
於對圖案設計資料A進行修正時，亦可對針對每一測定點獲得之描繪用座標偏移量資料G進行加工而使用。例如，亦可於使用最小平 方法對每一測定點內插資料、或以特定之規則標準化後，使描繪用座標偏移量資料G反映於圖案設計資料A。
或者，亦可基於描繪用座標偏移量資料G修正上述描繪裝置具有之座標系，且使用所獲得之修正座標系及上述「圖案設計資料A」進行描繪。其原因在於，於較多之描繪裝置中具有如下功能，即對其具有之座標系進行特定之修正，並且基於該修正座標系而進行描繪。
此時所使用之描繪用座標偏移量資料G亦可與上述相同地加工。
再者，本發明之描繪方法並不限定於上述形態。
於進行描繪時，亦可對除轉印用圖案區域以外適當地賦予標記圖案等而進行。如下所述，可於此處追加描繪座標測定用標記圖案。
例如，存在曝光裝置具有之保持構件之形狀如上所述般根據裝置而不同之情形。
於方式<1>中，例示具備沿基板之四邊之4個直線狀之保持構件之曝光裝置。
於方式<2>中，對平行地配置於基板之對向之兩邊之附近的保持構件與基板之膜面側接觸之情形進行說明。
然而，亦可於具有其他構件之形狀之裝置應用本發明。該情形係只要於賦予上述有限要素法之計算時之模型條件、保持條件、視需要而賦予真空壓條件時，適當地變更該等條件而進行即可。
又，於上述形態中，光罩保持於保持構件之保持點係設為限制於平面上(基板膜面之最小平方平面)者。該處理係設為保持構件於單一平面保持光罩。然而，於因保持構件之形狀而無法於單一平面搭載保持點之情形時，只要於在獲得轉印面形狀資料C之步驟中設定強制移位量時，反映保持構件之形狀即可。
又，只要不妨礙本發明之作用效果，亦可變更步驟之順序。又，即便改變運算之順序，結果亦不產生變化之情形當然包含於本發 明。
於藉由上述形態之描繪方法而於光罩基底描繪經修正之圖案資料後，藉由圖案化之流程而製造光罩。
關於圖案化流程
已進行描繪之光罩基底(光罩半成品)係經由以下之步驟而成為光罩。
對於圖案化之流程，可應用公知之方法。即，已實施描繪之光阻膜係藉由公知之顯影液而顯影，從而形成光阻劑圖案。可將該光阻劑圖案作為蝕刻光罩而對薄膜進行蝕刻。
蝕刻方法可使用公知者。可應用乾式蝕刻，亦可應用濕式蝕刻。本發明係作為顯示裝置用光罩之製造方法而特別有用，故而於應用濕式蝕刻之情形時，可顯著地獲得本發明之效果。
再者，對於上述所說明之本發明之描繪步驟，成為該描繪之對象者並非僅為光罩基底(未描繪轉印用圖案者)，亦可為具備複數個薄膜且於其一部分形成有圖案之光罩半成品。
可對具備複數個薄膜之光罩基底，於用以實現各個薄膜之圖案化之描繪步驟應用上述所說明之本發明之描繪步驟。於該情形時，在可製造重疊精度優異之高精度之光罩之方面極其有利。
描繪裝置
再者，本申請案包含關於可實施如上所述之描繪方法之描繪裝置之發明。
即，該描繪裝置係用於對在基板之主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底描繪轉印用圖案之描繪裝置。
描繪裝置具備以下機構。
輸入機構
輸入機構係如下之機構：可輸入上述轉印用圖案之圖案設計資 料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、及表示將上述基板保持於曝光裝置之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C。
運算機構
運算機構係使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之描繪用座標偏移量資料G。
而且，該描繪裝置具有描繪機構，該描繪機構係使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪。
進而，本發明之描繪裝置亦可具備以下機構。
輸入機構
輸入機構係如下之機構：可輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、及表示上述基板之主表面之形狀之基板表面形狀資料B、與將上述基板保持於曝光裝置時之保持狀態相關之資訊、及包含上述基板素材之物性值之基板資訊。
運算機構
運算機構係如下之機構：可使用上述基板表面形狀資料B、與上述保持狀態相關之資訊、及上述基板資訊而運算表示保持於曝光裝置內之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C，並且可使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之描繪用座標偏移量資料G。作為運算機構，例如可使用個人電腦等公知之運算裝置。
描繪機構
描繪機構係如下之機構：使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪。
再者，描繪裝置較佳為具備對上述輸入機構、運算機構、及描繪機構進行控制之控制機構。
此處，所謂關於保持狀態之資訊，較佳為例如包含關於保持條件(保持構件之形狀、或於將基板保持於曝光裝置內時基板與保持構件接觸之基板保持點之座標(可根據座標之資訊估算保持點之強制移位量))之資訊，進而，於使用真空壓之情形時，包含關於真空壓條件(真空壓之量及施加之區域)之資訊。
基板資訊係例如可為表示基板之楊氏模數、泊鬆比及重量密度之資訊。
藉由使用此種描繪裝置，可實施上述所說明之光罩製造方法所需之描繪步驟。
<實施形態2>(檢查)
如以上說明，根據本發明，可獲得能使形成於被加工體之圖案之座標精度為極高者之光罩。
另外，於在出廠前對此種光罩進行檢查時，最理想的是進行考慮到載置於檢查裝置之狀態之光罩與保持於曝光裝置之狀態的光罩之差異之檢查。
因此，由發明人發現新之檢查方法之必要性。
VII 獲得圖案座標資料L之步驟
使膜面(圖案形成面)為上側將已進行圖案形成之光罩載置於座標檢查裝置之工作台而進行轉印用圖案之座標測定。將此處所獲得之資料設為圖案座標資料L。
此處，座標測定較佳為藉由如下方式進行：預先對與轉印用圖案同時形成於光罩之主表面上之標記圖案之座標進行測定。該標記圖 案較佳為設置於主表面上且為轉印用圖案之區域外之複數個位置。
VIII 準備表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T之步驟
於該步驟中，可與上述實施形態1之II中所說明之步驟相同地獲得厚度分佈資料T。
IX 獲得轉印面形狀資料C之步驟
可與上述實施形態1之III中所說明之步驟相同地獲得轉印面形狀資料C。
X 獲得檢查差分資料J之步驟
藉由求出上述厚度分佈資料T與轉印面形狀資料C之差分而獲得檢查差分資料J(參照圖10(a)~(d))。
較佳為，對此處所獲得之差分進一步減去工作台面平坦度等檢查裝置固有之座標偏移成分即檢查座標偏移常數資料S。
XI 獲得檢查用座標偏移量資料K之步驟
估算與檢查差分資料J對應之上述主表面上之複數個點之座標偏移量而求出檢查用座標偏移量資料K(參照圖10(d)~(e))。此處，可與上述V之步驟相同地進行將高度之差分換算為座標偏移量之步驟。
而且，於檢查步驟中，使用所獲得之檢查用座標偏移量資料K及上述圖案座標資料L而進行上述轉印用圖案之檢查。
具體而言，轉印用圖案之檢查係可使用使檢查用座標偏移量資料K反映於圖案設計資料A而獲得之修正設計資料M、及圖案座標資料L進行(比較)。
或者，上述轉印用圖案之檢查亦可使用使檢查用座標偏移量資料K反映於上述圖案座標資料L而獲得之修正座標資料N、及上述圖案設計資料A而進行(比較)。
較佳為藉由本發明之檢查方法而對藉由本發明之製造方法而製造之光罩進行檢查。
再者，光罩之用途並無限制，其構成亦無限制。
明確的是於所謂之二元光罩、多灰階光罩、相位偏移光罩等具有任一膜構成之光罩中，均可獲得本發明之作用效果。
檢查裝置
再者，本發明包含關於可實施如上所述之檢查方法之檢查裝置之發明。
即，一種光罩之檢查裝置，其係對在基板之主表面具有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查者，且具有：座標測定機構，其進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L；輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、表示將上述基板保持於曝光裝置之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C；運算機構，其使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之檢查用座標偏移量資料K；及檢查機構，其使用上述檢查用座標偏移量資料K及圖案設計資料A而對上述光罩之轉印用圖案進行檢查。
進而，本發明包含以下之檢查裝置。
一種檢查裝置，其係對在基板之主表面具有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查之光罩檢查裝置，且上述檢查裝置具有：座標測定機構，其進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L；輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、 表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、表示上述基板之主表面之形狀之基板表面形狀資料B、與將上述基板保持於曝光裝置時之保持狀態相關之資訊、及包含上述基板素材之物性值之基板資訊；運算機構，其可使用上述基板表面形狀資料B、與上述保持狀態相關之資訊及上述基板資訊而運算表示保持於曝光裝置內之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C，並且使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之檢查用座標偏移量資料K；及檢查機構，其使用上述檢查用座標偏移量資料K及上述圖案設計資料A而對上述光罩之轉印用圖案進行檢查。
與將上述基板保持於曝光裝置時之保持狀態相關之資訊及包含上述基板素材之物性值之基板資訊係如上所述。
所謂運算表示保持於曝光裝置內之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C係指用以進行與上述III-1~III-2之步驟相同之步驟之運算。
於使用上述檢查用座標偏移量資料K及上述圖案設計資料A而對上述光罩之轉印用圖案進行檢查時，進行上述XI之步驟所需之比較(若需要則進行用以比較之運算)。
顯示裝置之製造方法
本發明係於包含藉由對在主表面形成有轉印用圖案之光罩進行曝光而對具有被加工層之器件基板進行圖案轉印之顯示裝置之製造方法中，包含使用藉由本發明之光罩之製造方法製造之光罩之顯示裝置之製造方法。
即，一種顯示裝置之製造方法，其係使用藉由本發明之製造方法製造之光罩，且於製造該光罩時應用如下之圖案轉印方法，即，使 用已對保持於曝光裝置內之狀態確定條件之該曝光裝置而進行曝光。藉由圖案轉印而轉印於被加工體之圖案係藉由實施蝕刻等加工而成為顯示裝置。
此處，作為曝光裝置具有之光學性能，例如於為如下者時，本發明之效果顯著。
一種用作LCD用(或者FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用、液晶用)之等倍曝光之曝光裝置，其構成如下：光學系統之數值孔徑(NA)為0.08~0.15(特別是0.08~0.10)；同調因子(σ)為0.5~0.9；曝光波長以i射線、h射線、g射線中之任一者為代表波長之曝光之光，特佳為包含i射線、h射線、g射線全部之寬波長光源。
再者，於應用真空壓之情形時，較佳為於在曝光裝置設置光罩時，應用於上述有限要素法中所應用之真空壓。
所謂被加工層係指於轉印光罩具有之轉印用圖案後，經過蝕刻等製程而成為所期望之電子器件之構成物之各層。例如，於形成用以驅動液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)電路之情形時，可例示像素層、源極/汲極層等。
所謂器件基板係指具有成為欲獲得之電子器件之構成物之電路的基板、例如液晶面板基板、有機EL面板基板等。
進而，本發明係於包含使用上述曝光裝置及於各者之主表面形成有轉印用圖案之複數個光罩依次對形成於器件基板上之複數個被加工層進行圖案轉印之顯示裝置的製造方法中，包含使用藉由本發明之製造方法而製造之光罩。
應用本發明而製造之顯示裝置係構成其之各層之重疊(覆載)精度極高。因此，顯示裝置製造之良率較高，製造效率較高。
[實施例]
使用圖17所示之模式圖，對利用本發明之光罩之製造方法(描繪步驟)之發明的效果進行說明。
此處，表示如下結果：於在具有特定之基板表面形狀(基板表面形狀資料B)之基板(光罩基底)描繪轉印用圖案之情形時，藉由模擬而求出設置於曝光裝置內時之轉印用圖案之座標精度成為何種精度(最終形成於被轉印體上之圖案之座標精度成為何種精度)之結果。
首先，使用描繪裝置，於上述光罩基底描繪特定之測試圖案。此處所使用之測試用光罩基底係設為於具有850mm×1200mm之尺寸之石英基板的主表面形成有遮光膜、及正型光阻膜者。
作為此處所使用之圖案設計資料，設為包含沿X、Y方向按照75mm之間隔配置於主表面之大致整個面之十字圖案的測試圖案。而且，將該光阻劑顯影，對遮光膜進行濕式蝕刻，藉此獲得具有遮光膜圖案之測試用光罩。將該測試用光罩設置於座標檢查裝置而進行座標測定，結果為圖17(a)。
再者，此處因描繪裝置之工作台平坦度、及座標檢查裝置之工作台平坦度引起之座標偏移的因素係藉由預先測定兩個裝置之工作台平坦度而自圖17(a)之資料去除。
其次，對將該測試用光罩設置於曝光裝置(等倍投影曝光方式)之狀態之座標偏移進行模擬。此處，使用上述方式<1>之曝光裝置，使用該曝光裝置之光罩保持構件之形狀資訊、真空壓條件及基板物性資訊，利用有限要素法估算上述測試圖案所產生之座標偏移而獲得圖17(b)之資料(比較例)。
另一方面，於對上述光罩基底描繪相同之測試圖案時，對描繪機之座標系實施修正而描繪圖案設計資料。於修正座標系時，藉由上述II~V之步驟求出描繪用座標偏移量資料而進行。於圖17(c)表示將該結果獲得之測試用光罩設置於座標檢查裝置而進行座標測定之結 果。
其次，與上述相同地對將該結果獲得之測試用光罩設置於曝光裝置之狀態下之座標偏移進行模擬。將模擬之結果示於圖17(d)(實施例)。
根據圖17(d)，可知與圖17(b)相比，可於被轉印體上獲得更接近圖案設計資料之轉印圖像。於利用本發明之方法而製造之光罩中，座標精度較高，可將座標誤差值抑制於未達0.15μm。即，可設為大致除去除由描繪裝置之能力所致之座標偏移以外之誤差成分的精度。

Claims (26)

  1. 一種光罩之製造方法，其包含準備於基板之主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底，且藉由描繪裝置而描繪特定之轉印用圖案，且具有：基於上述特定之轉印用圖案之設計而準備圖案設計資料A之步驟；準備表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T之步驟；準備表示將上述光罩保持於曝光裝置時之上述主表面之形狀的轉印面形狀資料C之步驟，使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而獲得描繪差分資料F之步驟；估算與上述描繪差分資料F對應之上述主表面上之複數個點之座標偏移量而求出描繪用座標偏移量資料G之步驟；及使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪之描繪步驟。
  2. 一種光罩之製造方法，其包含準備於基板之主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底，且藉由描繪裝置而描繪特定之轉印用圖案，且具有：基於上述特定之轉印用圖案之設計而準備圖案設計資料A之步驟；準備表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、及表示上述主表面之表面形狀之基板表面形狀資料B之步驟；使於上述光罩保持於曝光裝置內時於上述表面形狀產生之移位反映於上述基板表面形狀資料B，而獲得表示保持於曝光裝置時之上述主表面之形狀的轉印面形狀資料C之步驟； 使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而獲得描繪差分資料F之步驟；估算與上述描繪差分資料F對應之上述主表面上之複數個點之座標偏移量而求出描繪用座標偏移量資料G之步驟；及使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪之描繪步驟。
  3. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中求出表示上述基板保持於曝光裝置內時產生之上述主表面之變形中的由上述基板之自重撓曲所致之上述主表面的變形量之自重變形量資料R，於獲得上述描繪差分資料F之步驟中，使用上述厚度分佈資料T、上述轉印面形狀資料C及上述自重變形量資料R。
  4. 如請求項2之光罩之製造方法，其中上述基板表面形狀資料B係藉由：於以主表面實質上成為鉛直之方式保持上述光罩基底或用以製成上述光罩基底之基板之狀態下，對上述主表面上之複數個測定點之位置進行測定而求出。
  5. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中上述厚度分佈資料T係藉由：於以主表面實質上成為鉛直之方式保持上述光罩基底或用以製成上述光罩基底之基板之狀態下，對上述主表面上之複數個測定點之位置進行測定而求出。
  6. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中預先求出與上述描繪裝置固有之座標偏移成分相關之座標偏移固有資料Q，於上述描繪步驟中，使用上述描繪用座標偏移量資料G、上述圖案設計資料A、及上述座標偏移固有資料Q而於上述光罩基底上進行描繪。
  7. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中於獲得上述轉印面形狀資料C之步驟中，使用有限要素法。
  8. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中於上述描繪步驟中，使用藉由基於上述描繪用座標偏移量資料G修正上述圖案設計資料A而獲得之修正圖案資料H進行描繪。
  9. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中於上述描繪步驟中，基於上述描繪用座標偏移量資料G修正上述描繪裝置具有之座標系，且使用所獲得之修正座標系及上述圖案設計資料A而進行描繪。
  10. 如請求項1或2之光罩之製造方法，其中於上述光罩保持於曝光裝置內時，藉由保持構件保持之複數個保持點配置於平面上。
  11. 一種描繪裝置，其係用於對在基板之主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底描繪轉印用圖案者，且具有：輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、及表示將上述基板保持於曝光裝置之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C；運算機構，其使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之描繪用座標偏移量資料G；及描繪機構，其使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪。
  12. 一種描繪裝置，其係用於對在基板之主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底描繪轉印用圖案者，且具有：輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、表示上述基板之主表面之形狀之基板表面形狀資料B、與將上述基板保持於曝光裝置時之保持狀態相關之資訊、及包含上述基板素材之物性值之基板資訊； 運算機構，其可使用上述基板表面形狀資料B、與上述保持狀態相關之資訊、及上述基板資訊而運算表示保持於曝光裝置內之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C，並且使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之描繪用座標偏移量資料G；及描繪機構，其使用上述描繪用座標偏移量資料G及上述圖案設計資料A而於上述光罩基底上進行描繪。
  13. 如請求項12之描繪裝置，其進而具有記憶機構，該記憶機構係保存表示上述基板保持於曝光裝置內時產生之上述主表面之變形中的由上述基板之自重撓曲所致之上述主表面的變形量之自重變形量資料R，上述運算機構係使用上述自重變形量資料R進行運算。
  14. 如請求項12或13之描繪裝置，其具有保存與上述描繪裝置固有之座標偏移成分相關之座標偏移固有資料Q之記憶機構，且上述運算機構係使用上述座標偏移固有資料Q進行運算。
  15. 一種光罩之檢查方法，其係使用檢查裝置對在基板之主表面具有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查者，且具有：於將上述光罩載置於上述檢查裝置之工作台上之狀態下，進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L之步驟；準備表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T之步驟；獲得表示將上述光罩保持於曝光裝置時之上述主表面之形狀的轉印面形狀資料C之步驟；使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而獲得檢查差分資料J之步驟； 估算與上述檢查差分資料J對應之上述主表面上之複數個點之座標偏移量而求出檢查用座標偏移量資料K之步驟；及使用上述檢查用座標偏移量資料K及上述圖案座標資料L而進行上述轉印用圖案之檢查之檢查步驟。
  16. 一種光罩之檢查方法，其係使用檢查裝置對在基板之主表面具有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查者，且具有：於將上述光罩載置於上述檢查裝置之工作台上之狀態下，進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L之步驟；準備表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、及表示上述主表面之表面形狀之基板表面形狀資料B之步驟；使於上述光罩保持於曝光裝置內時於上述表面形狀產生之移位反映於上述基板表面形狀資料B，而獲得表示保持於曝光裝置時之上述主表面之形狀的轉印面形狀資料C之步驟；使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而獲得檢查差分資料J之步驟；估算與上述檢查差分資料J對應之上述主表面上之複數個點之座標偏移量而求出檢查用座標偏移量資料K之步驟；及使用上述檢查用座標偏移量資料K及上述圖案座標資料L而進行上述轉印用圖案之檢查之檢查步驟。
  17. 如請求項15或16之光罩之檢查方法，其中求出表示於上述基板保持於曝光裝置內時產生之上述主表面之變形中的由上述基板之自重撓曲所致之上述主表面的變形量之自重變形量資料R，於獲得上述檢查差分資料J之步驟中，使用上述厚度分佈資料T、上述轉印面形狀資料C及上述自重變形量資料R。
  18. 如請求項15或16之光罩之檢查方法，其中預先求出與上述檢查裝置固有之座標偏移成分相關之檢查座標偏移常數資料S，且於上述檢查步驟中，使用上述檢查用座標偏移量資料K、上述圖案座標資料L及上述檢查座標偏移常數資料S而對上述轉印用圖案進行檢查。
  19. 如請求項16之光罩之檢查方法，其中於求出上述轉印面形狀資料C之步驟中，使用有限要素法。
  20. 如請求項15或16之光罩之檢查方法，其中上述轉印用圖案之檢查係使用使上述檢查用座標偏移量資料K反映於圖案設計資料A而獲得之修正設計資料M、及上述圖案座標資料L而進行。
  21. 如請求項15或16之光罩之檢查方法，其中上述轉印用圖案之檢查係使用使上述檢查用座標偏移量資料K反映於上述圖案座標資料L而獲得之修正座標資料N、及圖案設計資料A而進行。
  22. 一種光罩之製造方法，其特徵在於包含：準備於主表面上形成有薄膜及光阻膜之光罩基底之步驟；將上述薄膜圖案化之步驟；及利用如請求項15或16之光罩之檢查方法之檢查步驟。
  23. 一種顯示裝置之製造方法，其包含：準備於主表面形成有轉印用圖案、且藉由如請求項1或2之製造方法而製造之光罩之步驟；及藉由對上述光罩進行曝光而對具有被加工層之器件基板進行圖案轉印之步驟。
  24. 一種顯示裝置之製造方法，其係包含使用於各者之主表面形成有轉印用圖案之複數個光罩及曝光裝置，依次對形成於器件基板上之複數個被加工層進行圖案轉印者，其特徵在於：作為上述複數個光罩，使用藉由如請求項1或2之光罩之製造 方法而製造者。
  25. 一種光罩之檢查裝置，其係對在基板之主表面具有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查者，且具有：座標測定機構，其進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L；輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、表示將上述基板保持於曝光裝置之狀態之上述基板的主表面形狀之轉印面形狀資料C；運算機構，其使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上之複數個點之檢查用座標偏移量資料K；及檢查機構，其使用上述檢查用座標偏移量資料K及圖案設計資料A而對上述光罩之轉印用圖案進行檢查。
  26. 一種光罩之檢查裝置，其係對在基板之主表面具有將薄膜圖案化而成之轉印用圖案之光罩進行檢查者，且具有：座標測定機構，其進行形成於上述主表面之上述轉印用圖案之座標測定而獲得圖案座標資料L；輸入機構，其輸入上述轉印用圖案之圖案設計資料A、表示上述基板之厚度分佈之厚度分佈資料T、表示上述基板之主表面之形狀之基板表面形狀資料B、與將上述基板保持於曝光裝置時之保持狀態相關之資訊、及包含上述基板素材之物性值之基板資訊；運算機構，其可使用上述基板表面形狀資料B、與上述保持狀態相關之資訊及上述基板資訊而運算表示保持於曝光裝置內之狀態之上述基板之主表面形狀的轉印面形狀資料C，並且使用上述厚度分佈資料T及上述轉印面形狀資料C而運算上述主表面上 之複數個點之檢查用座標偏移量資料K；及檢查機構，其使用上述檢查用座標偏移量資料K及圖案設計資料A而對上述光罩之轉印用圖案進行檢查。
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