TW201640476A - 非矩形顯示器 - Google Patents
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Abstract
非矩形顯示器包含:沿第一方向延伸之複數個第一訊號線;沿第一方向延伸之複數個直流電壓線;及沿第一方向延伸之複數個第二訊號線,其中複數個直流電壓線之第一直流電壓線係在複數個第一訊號線之第一線路與複數個第二訊號線之第二線路之間,複數個直流電壓線之第二直流電壓線係在複數個第一訊號線之第三線路與複數個第二訊號線之第四線路之間,且第一線路及第三線路係彼此相鄰,或第二線路及第四線路係彼此相鄰。
Description
本發明之例示性實施例係關於一種非矩形顯示器。
顯示器可包含顯示面板中所形成之複數個像素、複數個閘極線、以及複數個數據線,複數個像素分別連接到對應之閘極線及數據線。
複數個掃描訊號經由該複數個閘極線提供,且複數個數據訊號由該複數個數據線提供。
然而,當顯示面板形成為非矩形的形狀時,例如:圓形顯示單元時,顯示面板的設計或功能性可能會因為顯示區域的形狀而被影響。
舉例而言,在圓形顯示面板中,環繞圓形顯示面板之外圍區域(bezel area)可能具有侷限的寬度,這是因為越大的外圍區域可能會減少顯示區域,如此可能進一步對於顯示面板之功能性有負面的影響。
然而當外圍區域變窄時,可設置用於產生複數個掃描訊號與數據訊號之驅動積體電路(IC)的區域可能也會縮小,舉例而言,驅動積體電路可能會被設置在環繞設定或預定的圓形顯示面板的整個圓周上。
驅動積體電路包含閘極驅動電路與數據驅動電路。然而依據驅動積體電路的排列,當閘極線與數據線互相平行形成時,其間因寄生電容所產生的耦合(coupling)可能會發生。因此,當閘極訊號被施加到閘極線時,閘極線和數據線之間的耦合可能干擾或改變數據線的數據訊號。
在先前技術所公開的上述資訊僅用於增強對本發明背景的理解,且因此其可能包含尚未構成先前技術的資訊。
根據本發明的實施例之態樣,非矩形顯示器可以防止或減少閘極線和數據線之間由於寄生電容的耦合之情況。
根據例示性實施例,非矩形顯示器包含:在第一方向延伸的複數個第一訊號線;在第一方向延伸的複數個直流電壓線;以及在第一方向延伸的複數個第二訊號線,其中複數個直流電壓線中的第一直流電壓線係位於複數個第一訊號線中的第一線路和複數個第二訊號線的第二線路之間,複數個直流電壓線之第二直流電壓線係位於複數個第一訊號線中之第三線路以及複數個第二訊號線的第四線路之間,且第一線路和第三線路係彼此相鄰,或第二線路和第四線路係彼此相鄰。
當第一線路和第三線路係彼此相鄰時,第二線路、第一直流電壓線、第一線路、第三線路、第二直流電壓線、以及第四線路可依序地排列。
至少一對之第一線路和第三線路、第二線路和第四線路、以及該第一直流電壓線以及該第二直流電壓線彼此係基於參考線對稱佈置。
當第二線路和第四線路彼此相鄰時,第一線路、第一直流電壓線、第二線路、第四線路、第二直流電壓線、以及第三線路可依序地排列。
至少一對之第一線路和第三線路、第二線路和第四線路、以及第一直流電壓線和第二直流電壓線彼此可基於參考線對稱佈置。
非矩形顯示器可以進一步包含複數個像素,該複數個像素係配置以接收透過複數個第一訊號線所傳遞之複數個訊號並分別與透過複數個第二訊號線所傳遞之複數個訊號同步。
非矩形顯示器可以進一步包含複數個第三訊號線,複數個第三訊號線在複數個接觸點連接到複數個第二訊號線,並且在與第一方向交叉之第二方向上延伸。
非矩形顯示器可以進一步包含複數個像素,複數個像素係配置以接收透過複數個第一訊號線所傳遞的複數個數據訊號並分別與透過複數個第三訊號線所傳遞的複數個掃描訊號同步。
複數個像素可以包含:複數個開關電晶體,包括連接到複數個第一訊號線之第一電極及以複數個第三訊號線所作為之閘極電極;以及複數個驅動電晶體,包括連接到複數個開關電晶體之第二電極之閘極電極、配置以透過複數個直流電壓線接收電壓的第一電極、及連接到有機發光二極體(OLEDs)之第二電極。
在與透過對應於前一像素列之第三訊號線傳送之複數個掃描訊號同步下,複數個像素可配置以接收初始化電壓。
非矩形顯示器可以進一步包括配置以提供初始化電壓且在第二方向上延伸之複數個初始化電壓線。
複數個像素可以包含:複數個開關電晶體,包括連接到複數個第一訊號線之第一電極及以複數個第三訊號線所作為之閘極電極;複數個驅動電晶體,包括與複數個開關電晶體之第二電極連接之第一電極、及連接到有機發光二極體的第二電極;以及連接於複數個驅動電晶體之閘極電極與複數個驅動電晶體之第二電極之間之複數個補償電晶體,複數個補償電晶體包括以複數個第三訊號線所作為之閘極電極。
複數個像素可以進一步包括複數個初始化電晶體,該複數個初始化電晶體包括與複數個驅動電晶體之閘極電極相連接之第一電極、及以對應於前一像素列之複數個第三訊號線所作為之閘極電極。
非矩形顯示器可以進一步包括配置以傳輸複數個發光控制訊號之複數個發光控制線。
根據例示性實施例,非矩形顯示器包含:複數個半導體;在複數個半導體上之閘極絕緣層;於閘極絕緣層上之第一電極;在第一電極上之第一層間絕緣層上;在第一層間絕緣層上之第二電極; 在第二電極上之第二層間絕緣層;以及於第二層間絕緣層上之第一訊號線、直流電壓線及第二訊號線。
直流電壓線可通過接觸孔連接到第二電極。
非矩形顯示器可以進一步包括配置為在與透過第二訊號線傳送之掃描訊號同步下接收透過第一訊號線傳送之數據訊號,並且配置以透過直流電壓線接收驅動電壓。
非矩形顯示器可以進一步包括與第一電極形成在同一階層上且通過接觸孔連接到第二訊號線之第三訊號線。
根據例示性實施例,非矩形顯示器包含:在第一方向延伸之第一訊號線;在第一方向上延伸之第二訊號線;在第一方向上之第一訊號線與第二訊號線之間之直流電壓線;以及通過接觸孔連接至第二訊號線並在與第一方向交叉的第二方向上延伸之第三訊號線。
非矩形顯示器可以進一步包括複數個像素,複數個像素係配置以在與透過第二訊號線傳遞之掃描訊號同步下接收透過第一訊號線傳遞之數據訊號,並透過直流電壓線接收驅動電壓。
以下,例示性實施例將被更詳細地參照附圖描述,其中全文中相似的參考符號指代相似的元件,然而,本發明可以各種不同的形式體現,並且不應當被解釋為僅限於本文所說明的實施例,相反的,這些實施例被作為示例提供,使得本公開將透徹而完整,並將本發明之態樣和特徵充分地傳達給所屬技術領域中具有通常知識者。因此,對於所屬技術領域中具有通常知識者用於完整理解本發明之態樣與特徵所不需要之流程、元件和技術可不進行說明。
在其後之詳細描述中,本發明之例示性實施例已經被揭示並以說明的方式描述。然而,正如所屬技術領域中具有通常知識者將認知的是,所述實施例可以各種不同方式修改,所有這些都不脫離本發明的精神或範圍。
因此,圖式和描述將被視為在本質上是說明性而非限制性的。整個說明書中類似之參考符號表示類似之元件。
通篇後續之說明書及申請專利範圍中,當描述一個元件被「耦接」到另一元件時,該元件可以是「直接耦接」到另一元件,或透過第三元件「電耦接」到另一元件。
此外,除非明確相反地描述,否則詞語「包括」以及諸如「包含」或「具有」的變化將被理解為指示包含所述的元件但不排除任何其他元件。
第1圖係繪示根據例示性實施例的顯示器的一些部件的佈局圖。
在第1圖中,複數個第一訊號線D1至D20、複數個第二訊號線G1至G20、以及複數個直流電壓線DCL1至DCL20形成於非矩形顯示面板20。第一訊號線、第二訊號線以及直流電壓線之數量可以根據非矩形顯示面板20之設計而變化。
因為被連接到一個直流電壓線,複數個直流電壓線DCL1至DCL20可以相同的直流電壓施加。
複數個第一訊號線D1至D20被分別形成以在y軸方向上延伸,且彼此沿x軸方向排列,並且被連接到驅動積體電路10。
複數個第二訊號線G1至G20被分別形成以在y軸方向上延伸,且彼此沿x軸方向排列,並且被連接到驅動積體電路10。
複數個直流電壓線DCL1至DCL20係形成在複數個第一訊號線D1至D20與複數個第二訊號線G1至G20之間。
複數個直流電壓線DCL1至DCL20被分別形成在相應之第一訊號線與第二訊號線之間,以在y軸方向上延伸,且彼此沿x軸方向排列。
舉例而言,直流電壓線DCL1被排列在第一訊號線D1及該第二訊號線G1之間,且直流電壓線DCL2被排列在第一訊號線D2及第二訊號線G2之間。
沿X軸方向,第二訊號線、直流電壓線、第一訊號線、第一訊號線、直流電壓線以及第二訊號線依序地排列。
舉例而言,根據一些實施例,第二訊號線G1、直流電壓線DCL1、第一訊號線D1、第一訊號線D2、直流電壓線DCL2以及第二訊號線G2可以被依序地排列。
根據一些實施例,第一訊號線、直流電壓線、第二訊號線、第二訊號線、直流電壓線、以及第一訊號線可被依序地排列。
舉例而言,根據一些實施例,第一訊號線D8、直流電壓線DCL8、第二訊號線G8、第二訊號線G9、直流電壓線DCL9以及第一訊號線D9可被依序地排列。
在下文中,這樣的排列將被稱為翻轉排列(flip arrangement)。
根據翻轉排列,並不存在第一訊號線位於複數個第二訊號線G1至G20之兩者相鄰之間(例如,第二訊號線G2以及G3)。
同樣地,並不存在第二訊號線位於複數個第一訊號線D1至D20的兩者相鄰之間(例如,第一訊號線D3以及D4)。
舉例而言,複數個第一訊號線D1至D20可以是傳輸複數個數據訊號之複數個數據線,且複數個第二訊號線G1至G20可以是傳輸複數個閘極訊號之複數個閘極線。
因此,複數個直流電壓線DCL1至DCL20之相應一個係設置於數據線以及閘極線之間。
在相關技術領域中,由於數據線以及閘極線之間產生之寄生電容,可能會發生數據訊號以及閘極訊號之間之耦合。
然而,根據例示性實施例,直流電壓線被定位在數據線以及閘極線之間,因此可以防止或減少由於寄生電容之耦合的發生率。
舉例而言,在相關技術中,當直流電壓線不存在時,則在數據訊號透過數據線供給下閘極訊號會急劇地變化,且數據訊號可能因為由於兩線之間之寄生電容的耦合而改變。
然而,根據本發明之例示性實施例,因為直流電壓線係存在於兩線之間,因此在閘極線和數據線之間不產生寄生電容。
因此,在數據訊號中由於耦合之變化可能不會出現。
在第1圖中,圓形顯示面板被繪示為非矩形顯示面板20之一例。
然而,本發明不只限於此。
舉例而言,顯示面板20可以形成為整體或大致圓形之形狀、部分圓形、或多邊形,而不是圓形。
由於這些相關技術領域之矩形顯示器之形狀之差異,本發明之例示性實施例可以應用於非矩形顯示面板,其中複數個閘極線係形成以與複數個數據線延伸在相同之方向上。
在圓形顯示面板20之顯示單元30中,複數個像素可被形成使得複數個像素可透過相對應之第一訊號線D1至D20以及相對應之第二訊號線G1至G20傳遞之訊號進行操作。
舉例而言,在第1圖之中心,繪示了以複數個虛線方框所標示之像素列。
像素列中僅表示出顯示形成像素之一個例子,但是例示性實施例不僅限於此。
亦即,在該顯示單元30中,複數個像素可以透過各種配置或排列而形成。
第2圖係根據本發明之例示性實施例繪示第1圖中所示之顯示器之其他組件之佈局圖。
在第2圖中,複數個第三訊號線S1至S20在顯示面板20形成。
在先前第1圖所示之第一階層中,複數個第一訊號線D1至D20、複數個第二訊號線G1至G20、以及複數個直流電壓線與第2圖所揭示之複數個第三訊號線S1至S20所形成之第二階層係形成於不同階層上。第三訊號線的數量可能會根據顯示面板20之設計而有所變化。
第一階層係形成或設置在第二階層上,且絕緣層可以位於第一階層與第二階層之間。
另外,第二階層可以被形成或設置在第一階層上。
在第2圖中所示之第二階層中, 僅表示複數個第三訊號線S1至S20,但本發明不僅限於此。
為了便於例示性實施例之描述,僅示出透過複數個接觸點使複數個第三訊號線S1至S20電連接至複數個第二訊號線G1至G20,但本發明不限於此。
在第二階層中可以形成複數個不同訊號線。
第3圖係為繪示藉以(透過其中)使複數個第三訊號線以及複數個第二訊號線相連之複數個接觸點之佈局圖。
在第3圖中,繪示了連接至複數個第二訊號線G1至G20之複數個第三訊號線S1至S20。
複數個第二訊號線G1至G20形成之階層以及複數個第三訊號線S1至S20形成之階層可能彼此不同,且在複數個接觸點P1至P20之兩個對應線(第二訊號線G1至G20之其中之一以及第三訊號線S1至S20之其中之一)可互相連接。
複數個接觸點P1至P20可藉由形成接觸開口(例如:接觸孔)具形成於接觸開口中之接觸電極而形成 (例如:分別形成),但實施方式不限於此。
閘極驅動電路100被連接到複數個第二訊號線G1至G20,並且產生以及輸出複數個閘極訊號至複數個第二訊號線G1至G20。
複數個第二訊號線G1至G20通過複數個接觸點P10、P9、P8、...、P1、P11、P12、...、P18、P19、以及P20被連接到複數個第三訊號線S10、S9、S8、...、S1、S11、S12、...、S18、S19、以及S20。
舉例而言,第二訊號線G1通過接觸點P10連接至第三訊號線S10,第二訊號線G2通過接觸點P9連接至第三訊號線S9,第二訊號線G3通過接觸點P8連接至第三訊號線S8,且第二訊號線G10通過接觸點P1連接至第三訊號線S1。
第二訊號線G20通過接觸點P11與第三訊號線S11相連接,第二訊號線G19通過接觸點P12與第三訊號線S12相連接,第二訊號線G18通過接觸點P13與第三訊號線S13相連接,且第二訊號線G11通過接觸點P20與第三訊號線S20相連接。
第4圖係根據本發明例示性實施例表示圓形顯示面板之部分的示意圖。
第5圖係第4圖中被標記之複數個像素中之一個的電路圖。
如第3圖所示之複數個接觸點P1至P20 可以被應用或包括在第4圖中所示之例示性實施例中。
如第4圖中所示,第二訊號線G10和第三訊號線S1以接觸點P1(如:通過或經由)相連接,第二訊號線G9以及第三訊號線S2在接觸點P2相連接,第二訊號線G11以及第三訊號線S20在接觸點P20相連接,且第二訊號線G12以及第三訊號線S19在接觸點P19相連接。
如第5圖所示,像素PX1包括驅動電晶體M1、開關電晶體M2、被形成或設置在驅動電晶體M1之閘極電極以及源極電極之間之電容C1、以及有機發光二極體(OLED)。
如第4圖所示,由四角方框標註之複數個像素在顯示單元30中形成。
連接到複數個像素之複數個第一訊號線D1至D20、複數個直流電壓線DCL1至DCL20以及複數個第三訊號線S1至S20可分別為複數個數據線、供給電壓ELVDD之複數個電壓供應線、以及複數個掃描線。
複數個第二訊號線G1至G20可以是用於傳遞從閘極驅動電路100輸出之複數個掃描訊號至複數個第三訊號線S1至S20之複數個閘極線。
在分別與複數個掃描訊號同步下透過複數個數據線被傳遞之複數個數據訊號被寫入複數個像素。
此外,透過複數個電壓供應線所提供之電壓ELVDD係設置以驅動複數個像素。
舉例而言,在複數個像素中之單一像素PX1中,第三訊號線S1係像素PX1之開關電晶體M2之閘極電極。
開關電晶體M2之一個電極以及第一訊號線D9係在節點N1連結。
舉例而言,開關電晶體M2的一個電極以及第一訊號線D9可以透過在接觸孔形成之接觸電極作連接。
驅動電晶體M1之源極電極以及直流電壓線DCL9在節點N2相連結。
舉例而言,驅動電晶體M1之源極電極以及直流電壓線DCL9可以通過在接觸孔形成之接觸電極作連接。
驅動電晶體M1之源極電極可以與電容C1的一個電極一起連接至直流電壓線DCL9。
開關電晶體M2的另一個電極連接到驅動電晶體M1之閘極電極以及電容C1之另一電極。
驅動電晶體M1之汲極電極係連接到OLED之陽極。
電壓ELVSS被供給到OLED之陰極。
如此直流電壓線(例如,電壓ELVDD之電壓供應線)可以設置在閘極線和數據線之間,以防止或減少由於在閘極線和數據線之間之寄生電容的耦合發生率。
第5圖示出一個像素PX1之像素電路,而在第4圖中所示之複數個像素可與第5圖中所示之像素電路以相同像素電路來實現。
在第5圖中,根據本例示性實施例之翻轉排列被應用在包括像素之非矩形顯示面板上,其中像素包括兩個電晶體和一個電容,但本發明不限於此。
也就是說,用於依序地排列閘極線、直流電壓線、和數據線之翻轉排列適用於各種像素結構。
第6圖是根據本發明之另一例示性實施例之圓形顯示面板之部分示意圖。
第7圖係第6圖中所示之複數個像素之其中一個之電路圖。
第3圖所示之複數個接觸點P1至P20可被應用或利用於在第6圖中所示之本例示性實施例。
如第6圖所示,第二訊號線G10以及第三訊號線S1係在接觸點P1相連接,第二訊號線G9和第三訊號線S2係在接觸點P2相連接,且第二訊號線G8以及第三訊號線S3係在接觸點P3相連接。
在第6圖中,第三訊號線S0被另外說明。
第3圖中未示出之第二訊號線也可被加入,並通過接觸點相連接。
在這種情況下,所加入之第二訊號線可以適當地根據該翻轉排列佈置。
如第7圖所示,像素PX21包括驅動電晶體T1、開關電晶體T2、補償電晶體T3、形成在驅動電晶體T1之閘極電極和直流電壓線DCL9之間之電容C2、初始化電晶體T4、發光控制電晶體T5及T6以及發光二極體。
如第6圖所示,被四角方框標註之複數個像素係形成在顯示單元40中。
連接至複數個像素之複數個第一訊號線D8至D12、複數個直流電壓線DCL8到DCL12以及複數個第三訊號線S0至S3可以分別為複數個數據線、電壓ELVDD之複數個電壓供應線、以及複數個掃描線。
複數個第二訊號線G8至G10可為複數個閘極線,其用於傳遞來自閘極驅動電路100所輸出之複數個掃描訊號至相應之複數個第三訊號線S1至S3。
複數個第三訊號線S1至S3分別形成橫跨對應之像素列且橫跨下一個像素列。
舉例而言,第三訊號線S1不僅形成橫跨包括複數個像素PX11至PX14之當前像素列,亦橫跨至包括複數個像素PX21至PX24之下一個像素列。
如第6圖所示,在顯示單元中,連同複數個第一訊號線、複數個直流電壓線、以及複數個第三訊號線,進一步形成藉以提供初始化電壓之複數個初始化電壓線(例如,初始化電壓線VIN1至VIN3)以及藉以提供發光控制訊號之複數個發光控制線(例如,發光控制線E1至E3)。
此外,複數個掃描線之兩對應掃描線被排列在複數個像素。
在每個像素中,兩個掃描線可為電晶體(例如,電晶體T2、T3以及T4)之閘極電極。
在與透過設置於前一像素列中之複數個掃描線所提供之複數個掃描訊號同步下,初始化電壓可被提供至複數個像素之每一個的驅動電晶體T1之閘極電極。
另外,在與透過設置於當前像素列之複數個掃描線所傳遞之複數個掃描訊號同步下,通過複數個數據線傳送之複數個數據訊號被寫入複數個像素中。
此外,經由複數個電壓供應線供給之電壓ELVDD被設置以驅動複數個像素,且OLED之發光由透過複數個發光控制線所傳輸之複數個發光控制訊號來控制。
舉例而言,在複數個像素之一的像素PX21中,第三訊號線S1是像素PX21之初始化電晶體T4之閘極電極,而第三訊號線S2是像素PX21之開關電晶體T2以及補償電晶體T3之閘極電極。
開關電晶體T2之一電極以及第一訊號線D9在節點N3相連接。
舉例而言,開關電晶體T2之一電極以及第一訊號線D9可通過(經由)在接觸孔(例如,參考第8圖之接觸孔CH2)形成之接觸電極連接。
發光控制電晶體T5之源極電極以及直流電壓線DCL9在節點N4相連接。
舉例而言,發光控制電晶體T5中之源極電極以及直流電壓線DCL9可通過(經由)在接觸孔(例如,第8圖之接觸孔CH3)形成之接觸電極連接。
初始化電晶體T4之一電極以及初始化電壓線VIN2在節點N5相連接。
舉例而言,初始化電晶體T4之一電極以及初始化電壓線VIN2可通過在接觸孔形成之接觸電極連接(例如,參考第8圖之接觸孔CH41及CH42)。
開關電晶體T2之另一電極連接至驅動電晶體T1之源極電極以及發光控制電晶體T5之汲極電極。
補償電晶體T3連接在驅動電晶體T1之閘極電極以及汲極電極之間。
初始化電晶體T4之另一電極連接至補償電晶體T3之一電極、驅動電晶體T1之閘極電極、以及電容C2之另一電極。
發光控制電晶體T6連接在驅動電晶體T1之汲極電極以及OLED之陽極之間。
發光控制電晶體T5及T6之閘極電極係發光控制線E2。
電壓ELVSS被供給至OLED的陰極。
第8圖係表示出在第6圖中所示之四個像素之佈局的俯視圖。
如第8圖所示,第一訊號線D9、直流電壓線DCL9、以及第二訊號線G9以及第二訊號線G10、直流電壓線DCL10、以及第一訊號線D10係根據該翻轉排列設置。
因此,第一訊號線D9、直流電壓線DCL9、以及第二訊號線G9係根據或圍繞參考線RL1相對於第二訊號線G10、直流電壓線DCL10以及第一訊號線D10對稱地排列。
像素PX21亦根據或圍繞參考線RL1相對於像素PX22對稱地排列。
另外,第二訊號線G10、直流電壓線DCL10、以及第一訊號線D10、以及第一訊號線D11、直流電壓線DCL11、以及第二訊號線G11根據翻轉排列設置。
因此,第二訊號線G10、直流電壓線DCL10以及第一訊號線D10係根據或圍繞參考線RL2相對於第一訊號線D11、直流電壓線DCL11以及第二訊號線G11被對稱地排列。
像素PX22亦根據或圍繞參考線RL2相對於像素PX23對稱地排列。
此外,第一訊號線D11、直流電壓線DCL11以及第二訊號線G11、以及第二訊號線G12、直流電壓線DCL12以及第一訊號線D12係根據翻轉排列被設置。
因此,第一訊號線D11、直流電壓線DCL11以及第二訊號線G11係根據或圍繞參考線RL3相對於第二訊號線G12、直流電壓線DCL12以及第一訊號線D12對稱地設置。
像素PX23亦根據或圍繞參考線RL3相對於像素PX24對稱地排列。
與像素PX21相比,像素PX22以及像素PX24係相對彼此對稱排列,且像素PX23亦具有相同之結構。
舉例說明,像素PX21將更詳細地描述。
第二訊號線G9以及第三訊號線S2在接觸孔CH1通過接觸電極相連接。
如第8圖所示,第7圖中所示之像素電路的電晶體T1至T6之每一個係由虛線方框標示。
通道區域、源極電極以及汲極電極係形成在半導體201、202、203以及204。
在半導體201中,形成了補償電晶體T3以及發光控制電晶體T6之通道區域、源極電極、以及汲極電極。
在半導體202中,形成了驅動電晶體T1之通道區域、源極區域、以及汲極區域。
半導體201係形成為S形,但是本發明不僅限於此。
在半導體203中,形成了開關電晶體T2以及發光控制電晶體T5之通道區域、源極電極以及汲極電極。
在半導體204中,形成了初始化電晶體T4之通道區域、源極電極以及汲極電極。
第三訊號線S1係形成在半導體204之初始化電晶體T4之通道區域以橫跨半導體204。
第三訊號線S2係形成在半導體203之開關電晶體T2之通道區域以及在半導體201之補償電晶體T3之通道區域,以橫跨半導體201以及203。
發光控制線E2係形成在半導體201之發光控制電晶體T6之通道區域以及在半導體203之發光控制電晶體T5之通道區域,以橫跨半導體201以及半導體203。
驅動電晶體T1之閘極電極以及電容C2(下部電極)之另一電極係電極301。
直流電壓線DCL9以及電容C2之另一電極(上部電極)係通過在接觸孔CH51及CH52中之接觸電極相連接。
開關電晶體T2之一電極係通過接觸孔CH2連接到第一訊號線D9。
補償電晶體T3之一電極係通過接觸孔CH6連接到初始化電晶體T4之另一電極。
電極303通過接觸孔CH7連接到電容C2之另一電極301,且通過接觸孔CH6被連接至補償電晶體T3之一電極以及初始化電晶體T4之另一電極。
電容C2之一電極302通過接觸孔CH51與CH52連接到直流電壓線DCL9,使得電壓ELVDD被供給到電容C2之一電極。
第9圖係沿第8圖之線A-A'截取之剖視圖。
如第9圖所示,緩衝層102係形成在基板101上。
半導體201、202及203被形成在緩衝層102上,且閘極絕緣層103被形成在半導體201、202和203上。
電極301係形成在閘極絕緣層103上,且層間絕緣層104係形成於其上。
複數個第三訊號線S1至S20可與電極301形成在相同階層上。
舉例而言,第8圖所示之第三訊號線S2可與電極301形成在同一階層上以通過接觸孔CH1被連接到第二訊號線G9。
電極302在層間絕緣層104上形成,且層間絕緣層105在其上形成。
第一訊號線D9、直流電壓線DCL9、以及第二訊號線G9係在層間絕緣層105上形成,而接觸孔CH51在層間絕緣層105中間形成,以連接直流電壓線DCL9以及電極302。此外,也可以在前述生成結構上進一步形成鈍化層106。
包括根據翻轉排列所設置之第一訊號線、直流電壓線、以及第二訊號線的非矩形顯示面板之例示性實施例已經被描述。
直流電壓線可以被配置在第一訊號線以及第二訊號線之間,以防止或減少第一訊號線與第二訊號線之間之寄生電容產生之發生率,使得傳遞到第一訊號線及第二訊號線之每一個之訊號失真(distortion)之發生率可得以被防止或減少。
在前述之例示性實施例中,形成在第一訊號線以及第二訊號線之間之直流電壓線係被描述為提供電壓ELVDD,但本發明不僅限於此。
用於驅動像素之另一電壓可以被供給。
除非另有說明,綜貫附圖以及書面說明,相同之參考符號表示相同之元件,且因此,其說明將不再重複。在圖式中,元件、層和區域之相對尺寸可為了清晰度而被放大。
將會被理解的是,雖然「第一」、「第二」、「第三」等 術語,在本文中可以用來描述各種元件、組件、區域、層及/或部分,但是這些元件、組件、區域、層及/或部分不應該受這些術語之限制。這些術語係用來區分一元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分。因此,下述之第一元件、組件、區域、層或部分可被稱為第二元件、組件、區域、層或部分,而不脫離本發明之精神以及範圍。
空間相對術語,如「在...之下」、「以下」、「下」、「上方」、「上」,以及類似語彙,可為了便於說明在這裡使用以描述圖式所繪示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。將可以理解的是,除了在圖式中描述之方位,空間相對術語旨在涵蓋裝置在使用或操作中之不同取向。例如,如果在圖式中之裝置被翻轉,則描述為在其他元件或特徵「下方」或「之下」或「下」之元件將接著被定位為在其他元件或特徵「上方」。因此,例示性術語「下方」和「下」可以涵蓋上方和下方的方位。該裝置可被另外定位(例如,旋轉90度或在其它方位),且在此使用之空間相對描述應相應地解釋。
將被理解的是,當元件或層被稱為在其他元件或層「上」、「連接到」或「耦合到」另一元件或階層時,其可直接在其他元件或層上、連接到或耦合到另一元件或層,或一個或多個中間元件或中間層可以存在。另外,亦將會被理解的是,當元件或層被稱為在兩個元件或層「之間」時,其可以是這兩個元件或層之間之唯一元件或層,或一個或多個中間元件或層亦可存在。
本文所使用的術語僅用於描述具體實施例之目的,且並非意在限制本發明。除非上下文清楚地另外指明,否則單數形式「一」和「一個」意在亦包括複數形式。將進一步理解的是,術語「包括」、「包含」、「具有」當在本說明書中使用時,指定存在所述特徵、整體、步驟、操作、元件、及/或組件,但不排除存在或附加一個或多個其它特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其群組。如本文中所使用的,術語「及/或」包括一個或多個相關所列之項目之任意組合以及所有組合。表達式如「….中的至少一個」當後綴於元件列表時,係修飾整個元件列表而非修飾列表中之單個元件。
如本文所用,術語「基本上」、「大約」和類似的術語被用作近似的術語而不是作為程度用語,且旨在解釋將為所屬技術領域中具有通常知識者所認知的測量或計算值之固有偏差。另外,當使用「可」描述本發明之實施例時指「本發明之一個或多個實施例」。如本文所用,術語「使用」、 「使用中」和 「使用的」可以分別被認為同義於「利用」、 「利用中」以及 「利用的」之術語。此外,術語「例示性」意在指示一個例子或說明。
根據本文所描述的本發明的實施例之電子或電氣裝置及/或任何其他相關之裝置或組件可以利用任何合適之硬體、韌體(例如,應用程序專用積體電路)、軟體或軟體、韌體以及硬體之組合來實現。例如,可在一個積體電路(IC)晶片或在分別之IC晶片上形成這些裝置之各種組件。此外,這些裝置之各種組件可以在可撓式印刷電路膜、捲帶式晶片載體封裝(TCP)、印刷電路板(PCB)上實現,或者形成在一個基板上。此外,這些裝置之各種組件可以是一個程序或線程,運行在一個或多個處理器上,在一個或多個計算裝置中,執行計算機程序指令並與其他系統組件互動以進行本文所描述的各種功能。計算機程序指令被儲存在可在計算裝置中使用之記憶體,利用標準的記憶裝置,例如像是隨機存取記憶體(RAM)。計算機程序指令亦可以儲存在其他的非臨時性計算機可讀介質,例如,CD-ROM、閃存驅動器,或類似物。此外,所屬技術領域中具有通常知識者應該了解,各種計算裝置之功能可以被組合或集成到單一計算裝置中,或在不背離本發明之例示性實施例之精神以及範圍下,特定計算裝置之功能可以分散在一個或多個其他計算裝置。
除非另有定義,否則這裡使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與所屬技術領域中具有通常知識者所通常理解之相同意義。將進一步理解的是術語,例如那些在常用字典中所定義的,應當被解釋為具有與其在相關技術領域及/或本說明書的語境中之含義相符之含義,並且不應當被解釋為理想化的或過於正式的意義,除非本文有明確地定義。
雖然本發明已經搭配目前被認為是可行的例示性實施例進行了描述,但是應當理解的是,本發明並不限定於所公開的實施例,而是反之意在涵蓋包括於所附申請專利範圍與其等效物之精神及範疇內之各種修改及等同配置。
D1-D20‧‧‧第一訊號線
G1-G20‧‧‧第二訊號線
S0、S1-S20‧‧‧第三訊號線
DCL、DCL1-DCL20‧‧‧直流電壓線
10‧‧‧驅動積體電路
20‧‧‧顯示面板
30、40‧‧‧顯示單元
P1-P20‧‧‧接觸點
100‧‧‧閘極驅動電路
PX1、PX11-PX14、PX21-PX24‧‧‧像素
M1、T1‧‧‧驅動電晶體
M2、T2‧‧‧開關電晶體
T3‧‧‧補償電晶體
T4‧‧‧初始化電晶體
T5、T6‧‧‧發光控制電晶體
C1、C2‧‧‧電容
ELVDD、ELVSS‧‧‧電壓
N1-N5‧‧‧節點
VIN1-VIN3‧‧‧初始化電壓線
E1-E3‧‧‧發光控制線
RL1-RL3‧‧‧參考線
201-204‧‧‧半導體
CH1、CH2、CH3、CH41、CH42、CH51、CH52、CH6、CH7‧‧‧接觸孔
301-303‧‧‧電極
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧閘極絕緣層
104、105‧‧‧層間絕緣層
106‧‧‧鈍化層
G1-G20‧‧‧第二訊號線
S0、S1-S20‧‧‧第三訊號線
DCL、DCL1-DCL20‧‧‧直流電壓線
10‧‧‧驅動積體電路
20‧‧‧顯示面板
30、40‧‧‧顯示單元
P1-P20‧‧‧接觸點
100‧‧‧閘極驅動電路
PX1、PX11-PX14、PX21-PX24‧‧‧像素
M1、T1‧‧‧驅動電晶體
M2、T2‧‧‧開關電晶體
T3‧‧‧補償電晶體
T4‧‧‧初始化電晶體
T5、T6‧‧‧發光控制電晶體
C1、C2‧‧‧電容
ELVDD、ELVSS‧‧‧電壓
N1-N5‧‧‧節點
VIN1-VIN3‧‧‧初始化電壓線
E1-E3‧‧‧發光控制線
RL1-RL3‧‧‧參考線
201-204‧‧‧半導體
CH1、CH2、CH3、CH41、CH42、CH51、CH52、CH6、CH7‧‧‧接觸孔
301-303‧‧‧電極
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧閘極絕緣層
104、105‧‧‧層間絕緣層
106‧‧‧鈍化層
第1圖係根據本發明之例示性實施例說明顯示器之一些組件之佈局圖。
第2圖係根據本發明之例示性實施例表示第1圖所示之顯示器之其他組件之佈局圖。
第3圖係根據本發明之例示性實施例繪示藉以使複數個第三訊號線以及複數個第二訊號線連接之複數個接觸點之佈局圖。
第4圖係根據本發明之例示性實施例繪示圓形顯示面板之部分之示意圖。
第5圖係根據本發明之例示性實施例之第4圖中標記之複數個像素中之一個的電路圖。
第6圖係根據本發明之例示性實施例繪示圓形顯示面板之一部分之示意圖。
第7圖係根據本發明之例示性實施例之第6圖中所示的複數個像素中之一個之電路圖。
第8圖係根據本發明之例示性實施例繪示在第6圖中所示之四個像素的佈局之平面圖。
第9圖係根據本發明之例示性實施例沿第8圖之線A-A'截取之剖視圖。
D1-D20‧‧‧第一訊號線
G1-G20‧‧‧第二訊號線
DCL、DCL1-DCL20‧‧‧直流電壓線
10‧‧‧驅動積體電路
20‧‧‧顯示面板
30‧‧‧顯示單元
Claims (20)
- 一種非矩形顯示器,其包含: 複數個第一訊號線,係在一第一方向上延伸; 複數個直流電壓線,係在該第一方向上延伸; 以及 複數個第二訊號線,係在該第一方向上延伸,其中 該複數個直流電壓線之一第一直流電壓線係在該複數個第一訊號線中之一第一線路與該複數個第二訊號線中之一第二線路之間, 該複數個直流電壓線之一第二直流電壓線係在該複數個第一訊號線中之一第三線路與該複數個第二訊號線之一第四線路之間,以及 該第一線路與該第三線路係為彼此相鄰的,或該第二線路與該第四線路係為彼此相鄰的。
- 如申請專利範圍第1項所述之非矩形顯示器,其中當該第一線路與該第三線路為彼此相鄰時,該第二線路、該第一直流電壓線、該第一線路、該第三線路、該第二直流電壓線以及該第四線路係依序地排列。
- 如申請專利範圍第2項所述之非矩形顯示器,其中該第一線路及該第三線路、該第二線路及該第四線路、以及該第一直流電壓線及該第二直流電壓線之至少一對係根據一參考線彼此對稱地排列。
- 如申請專利範圍第1項所述之非矩形顯示器,其中當該第二線路及該第四線路為彼此相鄰時,該第一線路、該第一直流電壓線、該第二線路、該第四線路、該第二直流電壓線以及該第三線路係依序地排列。
- 如申請專利範圍第4項所述之非矩形顯示器,其中該第一線路及該第三線路、該第二線路及該第四線路以及該第一直流電壓線及該第二直流電壓線之至少一對係根據一參考線彼此對稱設置。
- 如申請專利範圍第1項所述之非矩形顯示器,其進一步包括複數個像素,在分別與透過該複數個第二訊號線傳遞之複數個訊號同步下,該複數個像素被配置以接收透過該複數個第一訊號線傳遞之複數個訊號。
- 如申請專利範圍第1項所述之非矩形顯示器,其進一步包括複數個第三訊號線,該複數個第三訊號線在複數個接觸點連接到該複數個第二訊號線,且延伸於與該第一方向交叉之一第二方向上。
- 如申請專利範圍第7項所述之非矩形顯示器,其進一步包括複數個像素,在分別與透過該複數個第三訊號線傳遞之複數個掃描訊號同步下,該複數個像素被配置以接收透過該複數個第一訊號線傳遞之複數個數據訊號。
- 如申請專利範圍第8項所述之非矩形顯示器,其中該複數個像素包含: 複數個開關電晶體,包括連接到該複數個第一訊號線之第一電極及以該複數個第三訊號線所作為之閘極電極;以及 複數個驅動電晶體,包括連接到該複數個開關電晶體之第二電極之閘極電極、配置以透過該複數個直流電壓線接收一電壓的第一電極、以及連接至一有機發光二極體(OLEDs)之第二電極。
- 如申請專利範圍第8項所述之非矩形顯示器,其中在與對應於前一像素列透過該第三訊號線傳送之複數個掃描訊號同步下,該複數個像素係配置以接收一初始化電壓。
- 如申請專利範圍第10項所述之非矩形顯示器,其更進一步包括複數個初始化電壓線,該複數個初始化電壓線配置以供應該初始化電壓且在該第二方向上延伸。
- 如申請專利範圍第10項所述之非矩形顯示器,其中該複數個像素包含: 複數個開關電晶體,包括連接到該複數個第一訊號線之第一電極、以及以該複數個第三訊號線所作為之閘極電極; 複數個驅動電晶體,包括連接到該複數個開關電晶體之第二電極的第一電極、及連接到一有機發光二極體之第二電極; 以及 複數個補償電晶體,連接於該複數個驅動電晶體之閘極電極與該複數個驅動電晶體之第二電極之間,該複數個補償電晶體包括以該複數個第三訊號線所作為之閘極電極。
- 如申請專利範圍第12項所述之非矩形顯示器,其中該複數個像素進一步包括複數個初始化電晶體,該複數個初始化電晶體包括連接至該複數個驅動電晶體之閘極電極的第一電極、以及以對應於前一像素列之該複數個第三訊號線作為之閘極電極。
- 如申請專利範圍第10項所述之非矩形顯示器,其更進一步包括複數個發光控制線配置以傳輸複數個發光控制訊號。
- 一種非矩形顯示器,包括: 複數個半導體; 一閘極絕緣層,在該複數個半導體上; 一第一電極,在該閘極絕緣層上; 一第一層間絕緣層,在該第一電極上; 一第二電極,在該第一層間絕緣層上; 一第二層間絕緣層,在該第二電極上;以及 一第一訊號線、一直流電壓線以及一第二訊號線,在該第二 層間絕緣層上。
- 如申請專利範圍第15項所述之非矩形顯示器,其中該直流電壓線係通過一接觸孔連接至該第二電極。
- 如申請專利範圍第15項所述之非矩形顯示器,更進一步包括複數個像素配置以在與透過該第二訊號線所傳送之一掃描訊號同步下接收透過該第一訊號線所傳送之一數據訊號,以及配置以透過該直流電壓線接收一驅動電壓。
- 如申請專利範圍第15項所述之非矩形顯示器,更進一步包括與該第一電極形成在同一階層上且通過一接觸孔以連接至該第二訊號線之一第三訊號線。
- 一非矩形顯示器,包含: 一第一訊號線,在一第一方向上延伸; 一第二訊號線,在該第一方向上延伸; 一直流電壓線,在該第一訊號線和該第二訊號線之間並在該第一方向上; 以及 一第三訊號線,通過一接觸孔連接至該第二訊號線且在交叉該第一方向之一第二方向上延伸。
- 如申請專利範圍第19項所述之非矩形顯示器,更進一步包括複數個像素配置以在與透過該第二訊號線所傳送之一掃描訊號同步下接收透過該第一訊號線所傳送之一數據訊號,以及配置以透過該直流電壓線接收一驅動電壓。
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