TW201630099A - 使用精密塗佈的整合基板缺陷偵測 - Google Patents

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Abstract

本文提供用於經改善之基板缺陷偵測的設備及方法。利用例如雷射量測設備之缺陷偵測設備，可能可偵測基板缺陷。可利用材料層來修飾小於偵測設備之偵測極限的缺陷，以增加該等缺陷的有效尺寸。依據基板及缺陷的組成，可調整所沉積材料的組成及厚度。可利用缺陷辨識設備來辨識所偵測之缺陷的組成。缺陷辨識設備可為電子產生設備，而由電子與缺陷之交互作用可辨識該等缺陷的組成。在缺陷辨識階段期間或者其之前皆可移除所沉積的材料以有助於缺陷組成之辨識。

Description

使用精密塗佈的整合基板缺陷偵測
本揭露內容係關於使用精密塗佈的整合基板缺陷偵測之方法及設備。
在不含缺陷的情況下，基板或半導體晶圓的品質將改善。透過基板或半導體晶圓生產過程中的改善，缺陷將減少。當基板生產改善，去除較小缺陷的存在(先前對基板品質的影響極微)對於改善基板品質而言變得重要。該較小缺陷可具有無法透過習知缺陷偵測技術來偵測的尺寸。
以下在隨附圖式及實施方式中提出了本說明書中所描述之標的之一或更多實施例之細節。參閱實施方式、圖式、及申請專利範圍，其他特徵、態樣、及優點將變得顯而易見。應注意，除非特別指出圖式為縮尺圖，否則以下圖式之相對尺寸可能未按比例繪製。
在某些實施例中，可提供一方法。該方法可包含(a)將材料層沉積至帶有微粒之基板上，(b)利用量測設備來偵測該基板上之微粒的位置；及(c)辨識該微粒之組成。
在該方法的一些此類實施例中，該材料層可沉積在該微粒的至少一部分上。在一些此類實施例中，該方法更可包含步驟(d)：在步驟(b)之後且在步驟(c)之前，移除沉積於該微粒上之材料的至少一部分。在一些此類實施例中，步驟(d)中移除該材料的至少一部分可透過原子層蝕刻(ALE, Atomic Layer Etching)、反應性離子蝕刻、或離子銑削來移除。在該方法的一些另外或額外的此類實施例中，步驟(c)可包含透過來自電子與該微粒交互作用的X射線來辨識該微粒之組成。在該方法的一些另外或額外的此類實施例中，該方法更可包含步驟(d)：在步驟(b)之後，移除沉積於該微粒上之材料的至少一部分，其中步驟(c)包含透過藉由電子與該微粒交互作用所產生之歐傑電子來辨識該微粒之組成。
在該方法的一些另外或額外的實施例中，該材料層可沉積在該微粒周圍。
在該方法的一些另外或額外的實施例中，該方法更可包含決定用以沉積的該材料層之厚度，其中計算該厚度以使利用該量測設備來偵測該微粒的機率最大化。在一些此類實施例中，可藉由決定使偵測該微粒之機率最大化的厚度最佳點(thickness sweet spot)來計算該厚度。
在該方法的一些另外或額外的實施例中，可選擇該材料層或該基板其中一或更多者之組成，以使步驟(b)中利用該量測設備偵測該微粒的機率最佳化。
在該方法的一些另外或額外的實施例中，可選擇該材料層或該基板其中一或更多者之組成，以使步驟(c)中辨識該微粒之組成的機率最佳化。
在該方法的一些另外或額外的實施例中，該微粒可為在不沉積該材料之情況下利用該量測設備無法偵測的尺寸。
在該方法的一些另外或額外的實施例中，可透過原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)法來執行步驟(a)中之沉積。
在該方法的一些另外或額外的實施例中，該方法可於攝氏200度以下的環境溫度下執行。
在一些實施例中，可提供一設備。該設備可包含：處理腔室，其具有配置以接收帶有微粒之基板的至少一第一處理站；沉積設備，其配置以將材料沉積至該基板上；量測設備，其配置以偵測該基板上之微粒的位置；及一或更多控制器，其用於操作該處理腔室、該沉積設備、該量測設備。該一或更多控制器可包含用於執行下列操作的指令：(a)利用該沉積設備來將材料層沉積至位於該第一處理站的第一基板上， (b)利用該量測設備來偵測該基板上之該微粒的位置。在一些此類實施例中，該設備更可包含電子產生設備，其配置以產生導向該基板的電子；辨識設備，其配置以辨識該微粒之組成，而該一或更多控制器更可包含用於執行下列操作的指令：(c)利用該電子產生設備來產生導向該基板之該位置的電子，(d)利用該辨識設備來偵測該微粒與該等電子的交互作用，及(e)由該交互作用來辨識該微粒之組成。
在該設備的一些此類實施例，該設備更可包含第二處理站，其配置以接收該基板以使該一或更多控制器更可包含用於在操作(a)之後且在操作(e)之前將該基板由該第一處理站傳送至該第二處理站的指令。
在該設備的一些另外或額外的實施例中，該材料層可沉積在該微粒的至少一部分上。在一些此類實施例中，該一或更多控制器更可包含用於執行下列操作的指令：在操作(b)之後且在操作(c)之前移除沉積於該微粒上之材料的至少一部分。在一些此類實施例中，該沉積設備更可配置以自該基板移除材料，而移除該材料的至少一部分可透過藉由沉積設備所執行的ALE法來移除。在一些另外或額外的此類實施例中，操作(e)可包含透過藉由來自該電子產生設備之電子與該微粒交互作用所產生的歐傑電子來辨識該微粒之組成。
在該設備的一些另外或額外的實施例中，操作(e)可包含透過來自由該電子產生設備所產生之電子與該微粒交互作用的X射線來辨識該微粒之組成。
在該設備的一些另外或額外的實施例中，該材料層可沉積在該微粒周圍。
在該設備的一些另外或額外的實施例中，該沉積設備可配置以執行ALD。
在該設備的一些另外或額外的實施例中，該微粒可為在不沉積該材料之情況下利用該量測設備無法偵測的尺寸。
以下在隨附圖式及實施方式中提出了本說明書中所描述之標的之一或更多實施例之細節。參閱實施方式、圖式、及申請專利範圍，其他特徵、態樣、及優點將變得顯而易見。應注意，除非特別指出圖式為縮尺圖，否則以下圖式之相對尺寸可能未按比例繪製。
應瞭解，如本說明書中所使用，「半導體晶圓」一詞係指涉由半導體材料(例如：矽)所製成的晶圓、及由一般不被認為是半導體的材料(例如：介電質及/或導體)所製成的晶圓(但通常有半導體材料設置在其上)兩者。絕緣層覆矽(SOI, Silicon on insulator)晶圓係為一此類範例。本揭露內容中所敘述之設備及方法可用於多種尺寸的半導體晶圓(包含直徑200 mm、300 mm、及450 mm的半導體晶圓)處理中。
不具有缺陷的情況係為基板或半導體晶圓品質中的要素。缺陷係透過基板處理中的改善而減少。當基板生產改善，去除較小缺陷的存在(先前對基板品質的影響極微)對於改善基板品質而言變得重要。
基板上的缺陷可能源自於多種來源。例如，缺陷可由典型基板處理腔室中的許多元件所引起。基板處理腔室可具有例如噴淋頭、腔室壁、及窗口之元件。噴淋頭、腔室壁、及窗口的材料、或先前操作中積聚在腔室元件上的材料可能各自以微粒的形式「脫落」至基板上，而引起缺陷。已確認辨識缺陷之組成對於追溯缺陷之來源亦為有用的，因此在減少基板缺陷總數方面能提供更進一步的改善。
基板缺陷係利用可具有偵測閾值的工具來偵測，該偵測閾值係由若干設計因子所決定。偵測閾值可包含最小尺寸閾值，其中在該最小尺寸閾值以下之缺陷可能不會被偵測到。該最小尺寸閾值可針對具有不同組成的缺陷及/或基板而改變。
範例工具可為雷射量測工具。雷射量測工具使用探針雷射，其發射光束至基板上。基板反射該光束，然後該反射被分析以測定缺陷是否存在於光束發射至其上的基板區域中。為了偵測較小尺寸的缺陷，需增加雷射功率(稱為通量)。當通量增加，基板或缺陷因更大功率的雷射光束而受到損害或剝落的機率亦會增加。
對於偵測較最小尺寸閾值更小的缺陷而言可能的解決方法係為缺陷之修飾。為了進行修飾，材料之一層或多層係沉積至基板上。該材料可包覆缺陷而因此有效地增加該缺陷的尺寸，可能增加至超過缺陷偵測設備之最小尺寸閾值的尺寸。該缺陷接著可在不增加雷射通量的情況下而可被雷射量測工具所偵測。
此外，在某些實施例中，缺陷修飾可結合缺陷偵測與缺陷辨識，以使先前在最小尺寸閾值之下的缺陷能夠被偵測及辨識。辨識缺陷可包含測定該缺陷的組成，例如其材料組成。可將缺陷修飾、偵測、及辨識劃分為它們各自獨立的階段。
在某些實施例中，缺陷偵測設備可掃描基板的整個區域，辨識各缺陷的座標位置，而接著在基板被掃描後，辨識在該座標位置的該等缺陷。在其他實施例中，一旦缺陷位置被辨識，缺陷本身即可被測定。
圖1A顯示範例基板處理設備的示意圖。顯示於圖1A中的基板處理設備可用於修飾缺陷。
為簡單起見，處理設備100係描繪為獨立的處理站，其具有用於維持低壓環境之處理腔室102。然而，將瞭解，多個處理站可被包含於共同的處理工具環境中(例如在共同反應腔室內)，如圖2中所描述。另外，將瞭解，在一些實施例中，藉由一或更多系統控制器，可程式化地調整處理設備100之一或更多參數(包含以上所詳加探討者)。
在一些實施例中，控制器係為系統的部分，其可為本說明書中所述範例的部分。此類系統可包含半導體處理設備，含一或複數處理工具、一或複數腔室、用於處理的一或複數工作台、缺陷偵測設備、缺陷辨識設備、及/或特定處理元件(晶圓基座、氣體氣流系統等)。該等系統可與電子設備整合，以於半導體晶圓或基板之處理前、處理期間、及處理後控制其操作。可將該等電子裝置稱為「控制器」，其可控制一或複數系統的各種元件或子部件。依據處理之需求及/或系統之類型，可將控制器程式化以控制本說明書中所揭露之製程的任一者，包含處理氣體之輸送、溫度設定(如：加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF, radio frequency)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、位置及操作設定、雷射功率通量、鏡片配置、電子產生設備設定、進出工具及連接至特定系統或與特定系統介面接合的其他傳送工具及/或負載鎖室之晶圓傳送。
廣泛而言，可將控制器定義為具有接收指令、發送指令、控制操作、允許清潔操作、允許終點量測等之各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。該積體電路可包含儲存程式指令的韌體形式之晶片、數位信號處理器(DSPs, digital signal processors)、定義為特殊應用積體電路(ASICs, application specific integrated circuits)之晶片、及/或執行程式指令(如：軟體)之一或更多的微處理器或微控制器。程式指令可為以各種個別設定(或程式檔案)之形式傳送到控制器的指令，其定義用以在半導體晶圓上、或針對半導體晶圓、或對系統執行特定製程的操作參數。在一些實施中，該操作參數可為由製程工程師所定義之配方的部分，該配方係用以在一或更多的層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓之晶粒的製造期間，完成一或更多的處理步驟。
在一些實施中，控制器可為電腦的部分或連接至電腦，該電腦係與系統整合、連接至系統、或透過網路連接至系統、或上述之組合。舉例而言，控制器係可位於「雲端」、或為晶圓廠主機電腦系統的全部或部分，其可允許晶圓處理之遠端存取。該電腦能達成對該系統之遠端存取，以監視製造操作之目前製程、查看過去製造操作之歷史、查看來自多個製造操作之趨勢或性能指標，來改變目前處理之參數，以設定處理步驟來接續目前的處理、或開始新的製程。在一些範例中，遠端電腦(如：伺服器)可透過網路將製程配方提供給系統，該網路可包含區域網路或網際網路。該遠端電腦可包含可達成參數及/或設定之輸入或編程的使用者介面，該等參數或設定接著自該遠端電腦傳送至該系統。在一些範例中，控制器接收資料形式之指令，在一或更多的操作期間，其針對該待執行的處理步驟之每一者而指定參數。應瞭解，該等參數可特定於待執行之製程的類型、及工具(控制器係配置成與該工具介面接合或控制該工具)的類型。因此，如上所述，控制器可分散，例如藉由包含一或更多的分離的控制器，其透過網路連接在一起並朝共同的目標而作業，例如本說明書中所敘述之製程及控制。用於此類目的之分開的控制器之範例可為腔室上之一或更多的積體電路，其與位於遠端(例如為平台等級、或為遠端電腦的部分)之一或更多的積體電路連通，其結合以控制該腔室上的製程。
往回參照圖1A，處理設備100係與反應物輸送系統101流體連通，以將製程氣體輸送至分配噴淋頭106。反應物輸送系統101包含混合容器104，其用於混合及/或調整製程氣體以輸送至噴淋頭106。一或更多混合容器入口閥120可控制製程氣體至混合容器104之導入。
一些反應物可在汽化及隨後輸送至處理腔室102之前以液態形式儲存。圖1A之實施例包含汽化點103，其用於使待供應至混合容器104的液態反應物汽化。在一些實施例中，汽化點103可為加熱的液體注射模組。在一些額外的實施例中，汽化點103可為加熱汽化器。當無適當控制時(例如當使該液態反應物汽化/霧化中未使用氦時)，由此類模組/汽化器產生的飽和反應物蒸氣可在下游輸送管道中凝結。將不相容的氣體曝露於凝結的反應物可能產生小微粒。該等小微粒可能污染基板。
在一些實施例中，可提供在汽化點103上游的液體流量控制器(LFC, liquid flow controller)以控制用於汽化及輸送至處理腔室102之液體的質量流量。例如，LFC可包含位於LFC下游的熱質量流量計(MFM, thermal mass flow meter)。該LFC的柱塞閥可接著對由與該MFM電性連通之比例-積分-微分(PID, proportional-integral-derivative)控制器所提供之反饋控制信號響應而調整。
噴淋頭106朝向在處理站的基板112分配製程氣體及/或反應物(例如膜前驅物)，製程氣體及/或反應物的流量係藉由該噴淋頭上游之一或更多的閥(例如：閥120、120A、105)來控制。在圖1A中所顯示之實施例中，基板112位於噴淋頭106下方，且顯示為置於基座108上。將瞭解，噴淋頭106可具有任何合適的形狀，且可具有用於分配製程氣體至基板112之任何合適數量及配置的埠。
在一些實施例中，微容積107係位於噴淋頭106下方。在處理站內基板附近的微容積之中而非在處理腔室的全部容積之中執行原子層沉積(ALD, atomic layer deposition)製程，可減少反應物曝露及清掃時間，可縮減改變製程條件(例如壓力、溫度等)的時間，可限制處理站機器人對製程氣體的曝露等。範例微容積尺寸包含但不僅限於介於0.1公升與2公升之間的容積。
在一些實施例中，基座108可升高或下降以將基板112曝露於微容積107及/或改變微容積107的容積。舉例而言，在基板傳送階段中，基座108可下降，以使基板112能夠被裝載至基座108上。在基板上沉積的製程階段期間，基座108可升高以將基板112定位於微容積107內。在一些實施例中，微容積107可完全包圍基板112以及基座108的一部分，以在沉積製程期間產生高流阻抗區。
選擇性地，基座108可在部分沉積製程期間下降及/或升高，以調節微容積107內的製程壓力、反應物濃度等。於處理腔室102在製程期間維持於基礎壓力的一情境中，將基座108下降可使微容積107能夠被排空。將瞭解，在一些實施例中，基座高度可藉由合適的系統控制器來程式性地調整。
雖然本說明書中所述之範例微容積變化係關於可調整高度之基座，將瞭解，在一些實施例中，噴淋頭106的位置可相對於基座108而調整以改變微容積107的容積。另外，將瞭解，基座108及/或噴淋頭106的垂直位置可在本揭露內容的範圍內藉由任何合適的機構加以改變。在一些實施例中，基座108可包含旋轉軸，其用於旋轉基板112的方向。將瞭解，在一些實施例中，藉由具有用以執行前述操作之一子集合或全部的機器可讀取指令的一或多個合適的系統控制器，可程式性地執行該等例示性調整的其中一或多者。
此外，在圖1A中，噴淋頭106及基座108係與RF電源供應器114及匹配網路116電性連通，以對電漿施加功率。在一些實施例中，藉由控制處理站壓力、氣體濃度、RF源功率、RF源頻率、及電漿功率脈衝時序其中之一或多者(例如透過具有適當機器可讀取指令的系統控制器)，可控制電漿能量。舉例而言，RF電源供應器114及匹配網路116可於任何適合的功率加以操作，以形成具有期望之自由基物種成分的電漿。同樣地，RF電源供應器114可提供任何合適頻率的RF功率。在一些實施例中，RF電源供應器114可配置以控制彼此獨立之高頻及低頻RF功率源。低頻RF頻率之範例可包含但不僅限於介於50 kHz與500 kHz之間的頻率。範例高頻RF頻率可包含但不僅限於介於1.8 MHz與2.45 GHz之間的頻率。將瞭解，可不連續地或連續地調節任何合適的參數，以提供電漿能量供表面反應。在一非限定範例中，電漿功率可間歇地脈衝輸送，以相對於連續性供能之電漿減少對基板表面的離子轟擊。
在一些實施例中，可透過加熱器110來對基座108進行溫度控制。另外，在一些實施例中，可藉由例如蝶形閥118的一或更多閥操作真空來源來提供處理設備100的壓力控制。如圖1之實施例中所示，蝶形閥118調節下游真空泵浦(未顯示)所提供的真空。然而，在一些實施例中，亦可藉由改變導入處理腔室102之一或更多氣體的流率來調整處理設備100的壓力控制。在一些實施例中，可使用一或更多閥操作真空來源(例如蝶形閥118)，以在適當的ALD操作階段期間自圍繞處理站的體積移除膜前驅物。
當處理設備100安裝在無塵室或製造設施中時，處理設備100可耦接至設施(未顯示)。設施可包含提供處理氣體、真空、溫度控制、及環境微粒控制的管道。在某些實施例中，可於小於攝氏50度、小於攝氏100度、小於攝氏200度、或適於處理基板、偵測缺陷、或辨識缺陷之任何溫度的環境溫度下執行本說明書中所詳述之技術及製程。當處理設備100安裝在製造設施中時，該等設施可耦接至處理設備100。此外，處理設備100可耦接至傳送腔室，其係使用典型的自動化而使機器人能夠將半導體晶圓傳送進出處理設備100。
範例系統可包含電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉沖洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、潔淨腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD, physical vapor deposition)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD, chemical vapor deposition)腔室或模組、原子層沉積(ALD, atomic layer deposition)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE, atomic layer etch)腔室或模組、離子植入腔室或模組、徑跡腔室或模組、雷射量測裝置、電子產生設備、及可與基板缺陷偵測或辨識有關或用於其中的任何其他半導體處理系統，但不限於此。
在一些實施例中，可存在有與系統控制器相關聯之使用者介面。使用者介面可包含顯示螢幕、設備及/或製程條件之繪圖軟體顯示器、及使用者輸入裝置(例如指向裝置、鍵盤、觸控螢幕、麥克風等)。
圖1B顯示範例基板蝕刻設備之示意圖。圖1B中的設備可用於在基板上執行蝕刻操作，以例如移除所沉積的材料。
範例基板蝕刻設備1100包含由腔室壁1101及窗口1111所界定之腔室。腔室壁1101可由例如不鏽鋼或鋁所製造。窗口1111可由例如石英或其他介電材料所製造。卡盤1117可配置以接收並支承半導體晶圓1119。卡盤1117可為用於當晶圓1119存在時支撐晶圓1119的靜電卡盤。可使用RF電源供應器1123對卡盤1117供電。RF電源供應器1123可透過連接線1127而連接至匹配電路1121。匹配電路1121可透過連接線1125而連接至卡盤1117。以此方式，RF電源供應器1123可連接至卡盤1117。
線圈1133係位於窗口1111的上方。RF電源供應器1141係配置以將RF功率供應至線圈1133。可透過位於上腔室的主噴射埠1160及/或透過側噴射埠1170(有時被稱為STG)來供應製程氣體。藉由利用封閉迴路控制流量限制裝置(例如節流閥(未顯示)或鐘擺閥(未顯示))，可使用真空泵浦1140(例如一或二階機械乾式泵浦及/或渦輪分子泵浦)將製程氣體抽出處理腔室1100，並維持處理腔室1100內之壓力。
在設備之操作期間，可透過噴射埠1160及/或1170來供應一或更多的反應物氣體。在某些實施例中，可僅透過主噴射埠1160或僅透過側噴射埠1170氣體來供應氣體。在某些情況下，可以噴淋頭來替代噴射埠。
可將射頻功率自RF電源供應器1141供應至線圈1133，以使RF電流流經線圈1133。RF電流流經線圈1133會在線圈1133周圍產生電磁場，該電磁場可在腔室1100內產生感應電流。各種所產生之離子及自由基與晶圓1119之物理性的及化學性的交互作用可在該晶圓上蝕刻特徵部。
圖1A或1B之單處理站設備可修改為多處理站設備。圖2顯示基板缺陷偵測設備之範例群集工具實施例的示意圖。
圖2描繪半導體製程群集架構，其具有與真空傳送模組(VTM, vacuum transfer module)238接合之各種模組。可將用以在多個儲存設施與處理模組之間「傳送」基板的傳送模組之配置稱為「群集工具架構」系統。氣閘230(亦稱為負載鎖室或傳送模組)顯示於在具有四個處理模組220a至220d的VTM238中，該四個處理模組可個別最佳化以執行不同的製造程序。作為舉例，可實施處理模組220a至220d以執行基板蝕刻、沉積、離子植入、基板清潔、濺鍍、及/或其他半導體製程以及雷射量測及其他缺陷偵測與缺陷辨識方法。該等處理模組其中一或更多者(220a至220d其中任一者)可依本說明書中所揭露的方式實施，即用於沉積膜、蝕刻基板、偵測缺陷、辨識缺陷、及依據本揭露實施例之其他合適的功能。可將氣閘230及處理模組220稱為「站」。每一站具有一刻面236，其將該站介面接合至VTM 238。在每一刻面內，感測器1至18係用於當基板226在各個站之間移動時偵測基板226之通過。
機器人222於站之間傳送基板。在一實施例中，機器人可具有一臂，而在另一實施例中，機器人可具有二臂，其中每一臂具有末端作用器224，以拾取基板用於傳送。大氣傳送模組(ATM, atmospheric transfer module)240中的前端機械人232可用於將基板自裝載埠模組(LPM, Load Port Module)242中的晶圓盒或前開式晶圓傳送盒(FOUP, Front Opening Unified Pod)234傳送到氣閘230。在處理模組220內的模組中心228可為放置基板的一位置。ATM 240中的對準器244可用於對準基板。
在例示性處理方法中，基板係放置於LPM 242中之複數FOUP 234其中一者中。前端機械人232將基板自FOUP 234傳送至對準器244，對準器244使基板226在針對缺陷而受到處理、蝕刻、或偵測、或缺陷辨識前，能夠適當地置中。在對準後，藉由前端機械人232來將基板移動至氣閘230中。由於氣閘模組能夠在ATM與VTM之間匹配環境，因此基板能在兩壓力環境之間移動而不受損害。機器人222將基板自氣閘230經由VTM 238而移至處理模組220a至220d其中一者。為了完成此基板移動，機器人222使用每一臂上的末端作用器224。
應注意，控制基板移動的電腦可位於群集架構的局部中、或可位於生產樓層中之群集架構的外部、或位於遠端且透過網路而連接至群集架構。
圖3顯示範例缺陷偵測設備之示意圖。圖3之範例基板缺陷偵測設備300可為例如雷射量測設備。圖3之設備可位於多站基板缺陷偵測設備之FOUP中，或可位於單站基板缺陷偵測設備中。在單站基板缺陷偵測設備的某些實施例中，基板缺陷偵測設備300可與其他設備一起被容納，以允許缺陷偵測以及其他製程在單一位置中執行。在單站基板缺陷偵測設備的其他實施例中，在該站僅可執行缺陷偵測。在此類實施例中，可在其他站或設備執行其他製程。
基板缺陷偵測設備300包含支撐基板302的基板支承體306、雷射光源308、鏡片314及318、光線偵測器312及316、及控制器310。基板缺陷偵測設備300可偵測處理基板之缺陷。基板缺陷偵測設備300可包含具有為偵測傾斜散射、前向散射、逆散射、垂直入射散射的光線等而設計之各種配置的偵測器。來自該等偵測器的信號可以各種方式結合，以使提供各種各樣背景散射之各種各樣基板的偵測機率最大化。在某些實施例中，基板缺陷偵測設備可能產生需要被消去的「干擾」。可經由控制軟體中的演算法或透過其他技術來消去干擾。雷射暗視野檢驗系統係為此類基板缺陷偵測設備之範例。
基板支承體306可為如敘述於圖1A中之卡盤的基板支承體。基板支承體306可配置以以特定方向支承基板302。基板302可為已事先經歷處理操作之基板。基板302可為在一般生產期間經加工的基板，或其可為特別為了分析缺陷以改善基板處理並造成具有較低缺陷數之製程而製成的基板。若基板係特別為了分析缺陷而製成，則其可能與生產基板不同，不同之處在於該基板之組成可特製成有助於缺陷偵測及辨識。
光源308可為例如雷射之光線的來源。光源308可用於將例如雷射光束之光線導向基板302。在某些實施例中，可透過一或更多偏振元件(未顯示)來引導光線，以在光線到達基板302之前改變該光線。可將光線以一傾斜入射角度導向基板302。可計算該入射角度而使導向基板302之光束至少一部分被基板302的表面反射。基板302可使導向該基板之光線散射。
被基板302反射或散射之光線可被鏡片及光線偵測器所收集。基板缺陷偵測設備300的不同實施例可具有不同數量的鏡片及光線偵測器。圖3中的實施例中具有兩個鏡片(鏡片314及318)及兩個光線偵測器(光線偵測器312及316)。鏡片314及318可收集被基板302的表面散射的光、使其聚焦、及/或使其偏振。在某些實施例中，鏡片可為凹透鏡、凸透鏡、柱狀透鏡、或折射透鏡。該等鏡片可為單獨的鏡片或一組鏡片。
在鏡片314及318收集光線、使其聚焦、及/或使其偏振之後，該光線可分別被光線偵測器312及316所偵測。被光線偵測器所偵測之光線的資料可用於確定是否有任何缺陷存在於被光源308所照射之基板的該區域中。
在此類實施例中，鏡片318可收集以相對於基板302呈更尖銳的角度而散射的光線、使其聚焦、及/或使其偏振，以使該光線被光線偵測器316所收集。鏡片314可收集較接近垂直於基板302而散射的光線、使其聚焦、及/或使其偏振，以使該光線被光線偵測器312所收集。
圖3中的缺陷偵測設備300係為範例缺陷偵測設備。在本說明書中所揭露之方法、設備、及製程中，亦可使用其他類配置的缺陷偵測設備。例如，可使用在鏡片之數量及功能、偏振設備之類型、光學設備之式樣、光線偵測設備之類型、及雷射或其他發光設備之式樣方面具有不同配置的雷射量測設備。此外，可在本說明書中所揭露之方法、設備、及製程中使用雷射量測設備以外的其他設備(例如電子顯像(SEM)設備、非雷射暗視野檢驗設備、非雷射明視野檢驗設備、及其他設備)來辨識缺陷。
圖4繪示可有助於缺陷偵測之範例缺陷修飾程序。圖4中的範例塗佈程序可為用以修飾基板上之缺陷的程序且可藉由例如ALD設備來執行。顯示於圖4中的程序可為執行雷射量測前之缺陷偵測程序的階段。
在步驟400A中，缺陷404存在於基板402上。如顯示於圖4中，缺陷404可為來自例如下列各處之微粒：腔室壁、腔室中之窗口、基板處理中使用之工具、或來自其他來源之污染物。缺陷微粒404可為目前在以不對基板造成損害之通量等級使用雷射的情況下無法透過習知雷射量測技術來偵測的尺寸。
在400B中，修飾層406已沉積至基板402及缺陷微粒404上。修飾層406可為透過半導體沉積操作(例如：原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、或物理氣相沉積(PVD))所沉積的層。在某些實施例中，ALD可提供下列其中一或更多者之優勢：保形性、厚度控制的精確度、及控制潤濕缺陷及基板的能力。修飾層406之材料可為與沉積製程相容且適用於缺陷微粒之修飾的任何材料。作為非限定之範例，在此類沉積製程中可使用SiO2 、Si3 N4 、TiN、TiO2 、非晶碳(AC, amorphous carbon)、Al2 O3 或其他材料。如顯示於步驟400B中，修飾層406增加缺陷尺寸的有效直徑。缺陷微粒404之修飾可將缺陷尺寸(其先前可能為小於缺陷偵測設備之最小偵測閾值的尺寸)增加至超過缺陷偵測設備之最小偵測閾值的尺寸。因此，缺陷之修飾可使先前具有無法被偵測之尺寸的缺陷，能夠增加至接著可被偵測之尺寸。
在某些實施例中，可選擇修飾層之材料以幫助微粒之偵測。已確認用以偵測缺陷組成的一方法係為比較由各種材料(例如：基板、缺陷、及修飾層)所產生之X射線微粒的能量。若材料選擇得當而使由基板、缺陷、及修飾層所產生之X射線微粒的能量係為不同，可有助於該等缺陷之偵測。
舉例而言，若基板係由特定厚度之單或複數材料所組成，或具有該特定厚度之單或複數材料(其單獨或組合產生最理想的光學特性)，或者若基板不產生與沉積於基板上之目標微粒所產生之X射線相似的X射線，則修飾層可具有與基板材料相同或不同的材料以有助於微粒之偵測。例如，若鋁微粒係待偵測，可使用裸矽晶圓且可沉積碳膜以凸顯該鋁微粒。在此範例中，由矽晶圓所產生之X射線的能量可為一值，由碳膜所產生之X射線的能量可為第二值，而由鋁微粒所產生之X射線的能量可為第三值。在此類範例中，由於下層基板材料、修飾層、及缺陷微粒之間的差別所致，沉積具有相當高之折射率的膜可用於更加凸顯基板上的缺陷，此與將某種顏色的光照在白色背景上可凸顯某種顏色之污點的情況相似。
在某些實施例中，可存在材料類型、材料平滑度、及材料厚度之組合，其可改善微粒偵測及分類的機率或使其最佳化。此類材料類型之範例可包含SiO2 、TiN、非晶碳、或其他材料，其中該其他材料將產生減少該等材料之中背景干擾的X射線，意即，該單或複數材料不產生具有與目標微粒之X射線能量相同或相似之能量的X射線。
在此類實施例中，可透過將下層基板及/或欲偵測之缺陷材料的組成納入考量來選擇修飾層的材料。在某些其他實施例中，可選擇修飾層的材料以幫助辨識缺陷之材料組成，或者或此外，幫助偵測缺陷。
在某些實施例中，不同缺陷微粒的可濕性可能改變。可濕性係為針對修飾材料黏附至微粒之傾向。可濕性可因例如微粒組成、基板組成、修飾材料組成、及修飾層厚度而改變。
圖5顯示範例缺陷微粒、基板、及修飾材料之間的可濕性差異。圖5顯示範例情境500A、500B、及500C。
範例情境500A顯示缺陷微粒之可濕性等於基板之可濕性的情況。在情境500A中，修飾層506A覆蓋缺陷微粒504A的厚度係與修飾層506A覆蓋基板502A的厚度相同。
範例情境500B顯示缺陷微粒之可濕性小於基板之可濕性的情況。在情境500B中，修飾層506B覆蓋缺陷微粒504B的厚度係小於修飾層506B覆蓋基板502B的厚度。
範例情境500C顯示缺陷微粒之負可濕性。在情境500C中，當修飾層506C沉積，其在缺陷微粒504C周圍形成凹坑。意即，修飾層的材料具有避開缺陷微粒的傾向，或至少不黏附至該缺陷微粒。因此，修飾並不會增加缺陷微粒的尺寸。然而，缺陷周圍的凹坑確實增加缺陷相對於基板表面區域的尺寸。
依據該應用，可調整修飾層、缺陷微粒、及基板之間的可濕性關係以增加偵測或辨識缺陷的可能性。舉例而言，若欲單純增加缺陷尺寸，可針對最大可濕性而調整修飾層、缺陷微粒、基板之間的關係以透過修飾最有效地增加缺陷尺寸。應注意，在某些實施例中，最大可濕性可為缺陷微粒比基板更吸引修飾層的情況。在此類應用中，缺陷實際上可以較基板更快的速率來獲取修飾層。在其他實施例中，較低可濕性可為期望的。此類應用可能需要與概述於情境500B中之可濕性類似的可濕性。此類應用可為其中修飾層太快覆蓋缺陷微粒可能使辨識缺陷微粒組成更加困難的應用。仍有其他應用中，負可濕性(如情境500C所繪示)可為期望的，其可能被期望用以幫助缺陷微粒之辨識。
此外，修飾層的厚度可能影響缺陷的可偵測性。圖6顯示由修飾層厚度所造成之範例的可偵測性改變之圖表。
在圖6中，y軸顯示缺陷之可偵測性，隨著缺陷之可偵測性升高，該y軸更接近該圖表的頂端。x軸顯示修飾層的厚度，隨著修飾層增厚，該x軸更接近該圖表的右側。如圖6所繪示，起初，修飾會改善缺陷之可偵測性。然而在點602，缺陷之可偵測性係為最大值。超過點602，即使可將額外的修飾層或更厚的修飾層塗佈於基板，缺陷之可偵測性仍降低。因此，謹慎調節修飾層之厚度可促成偵測缺陷之更高可能性。在某些實施例中，最小目標微粒尺寸之75-100%的膜厚度可促成對於缺陷偵測之最佳結果。舉例而言，若待偵測之目標微粒為15 nm的SiO2 微粒，可以TiO2 、SiN、或SiO2 之塗層來修飾基板。TiO2 塗層之厚度可為12-17 nm之間以使偵測最佳化。較12-17 nm之範圍薄或厚的修飾層可導致較少SiO2 微粒被偵測。此外，SiO2 微粒的SiN或SiO2 塗層可個別為15-20 nm厚及10-15 nm厚以使偵測最佳化。
在某些實施例中，可存在可改善微粒偵測及分類或使其最佳化的厚度或厚度範圍。最佳化膜厚度可與偵測設備中所使用之雷射波長以及微粒尺寸相關。在所使用設備的雷射波長及特定撞擊角度下，所選擇之厚度可能產生抗反射性(相消性干擾)或反射性(相長性干擾)的情況。
應瞭解，圖6為修飾之例示性實施例的說明性範例。其他修飾之實施例在修飾層厚度與缺陷可偵測性之間可具有不同的關係。
圖7A顯示在具有不同尺寸之缺陷的測試基板上所偵測之缺陷。在缺陷偵測程序期間，可利用缺陷偵測設備(例如：雷射量測設備)來偵測圖7A的缺陷。圖7A的基板未經歷缺陷修飾而因此該等缺陷為其原始尺寸。
圖7A中所示之基板包含具有60 nm、50 nm、40 nm、35 nm、32 nm、及30 nm直徑的SiO2 缺陷，以及具有40 nm直徑的Al2 O3 與W缺陷。35 nm直徑的SiO2 缺陷包含雙重微粒以及單一微粒。雙重微粒係為該結果之非刻意人工產物。
在圖7A中，該缺陷偵測設備能夠偵測40 nm的鎢、60 nm的SiO2 、50 nm的SiO2 、及35 nm的SiO2 雙重微粒缺陷。該缺陷偵測設備亦能夠部分地偵測40 nm 的Al2 O3 缺陷。該缺陷偵測設備無法偵測40 nm、35 nm的單一微粒、32 nm、及30 nm的SiO2 缺陷。因此，顯示於圖7A中的實施例對於SiO2 缺陷具有較40 nm直徑高的缺陷偵測閾值。圖7A亦顯示，缺陷偵測閾值可依據缺陷微粒組成而變化。
圖7B顯示圖7A中測試基板上的額外缺陷，該等額外缺陷在塗佈精密修飾物塗層之後被偵測。圖7B顯示與顯示於圖7A中相同，但經修飾之後的基板。圖7B顯示在將該基板修飾後，除了在圖7A中被該缺陷偵測設備所偵測的缺陷之外的缺陷。
圖7B顯示在該基板修飾後，該40 nm、35 nm的單一微粒、32 nm直徑的SiO2 缺陷能夠被該缺陷偵測設備所偵測。該缺陷偵測設備亦能夠部分地偵測直徑30 nm的SiO2 缺陷，且偵測額外的40 nm之Al2 O3 缺陷。因此，該基板之修飾導致先前無法被偵測的缺陷變得可被偵測。
圖8繪示可幫助缺陷辨識之範例銑背(mill back)程序。缺陷辨識係辨識缺陷微粒之組成。步驟800A顯示具有已利用修飾層806A來修飾之缺陷微粒804的基板802。步驟800A顯示與圖4之步驟400B中所顯示之基板、缺陷微粒、及修飾層相似之基板、缺陷微粒、及修飾層。
步驟800B顯示經銑背後之該修飾層。可利用離子銑削程序或經由蝕刻程序(例如ALE或反應性離子蝕刻(RIE))來完成銑背。可於某些實施例中使用非等向性之技術，以使經修飾的缺陷僅有頂部被移除，而顯露恰好足夠之缺陷以利用表面敏感性技術(例如歐傑電子能譜儀(Auger Electron Spectroscopy))來進行辨識。可在利用該修飾層塗覆時該修飾層使得缺陷微粒804本身無法辨識的情況下使用銑背程序。在此類情況下，可在基板上執行修飾以幫助該等缺陷之偵測。在該等缺陷被偵測之後，可接著將該修飾層銑背以提供該等缺陷組成之辨識。在某些實施例中，銑背程序可在缺陷辨識之前執行。在其他實施例中，銑背程序可在缺陷辨識期間或在其之後執行。在某些實施例中，可經由歐傑能譜儀(其可包含電子束產生器、歐傑電子能量分析儀、及用於清潔及/或濺鍍待分析之表面的氬離子束)來執行銑背。除了執行銑背以外，此類設備可具有辨識缺陷組成之能力。
儘管某些實施例可使所有或實質上所有的修飾層銑背，但其他實施例可將修飾層的一部分留下而僅將該修飾層的其他部分銑背。該修飾層在銑背之後留下的部分可為覆蓋基板及缺陷微粒的層。在其他實施例中，基板及/或缺陷微粒的全部或部分可在銑背之後曝露。在步驟800B中，修飾層806B在銑背之後留下。在將修飾層銑背之後，可辨識缺陷微粒之組成。
圖9繪示辨識缺陷微粒的範例方法。在某些實施例中，該設備在偵測缺陷的位置之後亦可辨識該缺陷之組成。在某些實施例中，可藉由缺陷偵測設備或缺陷辨識設備來辨識基板缺陷的組成。缺陷辨識設備可為單站設備的部分或可為多站設備的部分，如本說明書中先前所揭露。
缺陷辨識設備可為，例如：電子產生設備，如與電子能量分析儀/能譜儀耦接的電子探針，一般稱為歐傑能譜儀。可產生電子且該等電子可瞄準基板。特別是，該等電子可瞄準缺陷偵測程序期間被偵測的個別缺陷或缺陷群組。電子可與缺陷交互作用，且可由電子與缺陷之交互作用來測定缺陷之組成。
舉例而言，在如圖900A中所示的某些實施例中，電子與缺陷之交互作用可產生X射線。在圖900A中，該缺陷已被修飾，但電子908仍可與該缺陷交互作用。電子908與缺陷微粒904的交互作用係透過電子-光子發射螢光而產生X射線，如該圖中所繪示。可接著使用能量散佈或波長散佈偵測器之任一者或兩者來偵測X射線。可由所偵測之X射線特有的能量來測定缺陷之組成，其中特定能量係與特定元素相關聯。在某些實施例中，係藉由將電子微粒交互作用所產生之X射線的能量與已知或可能的組成元素所產生之X射線能量值匹配，來測定缺陷之組成。
在另一範例中，圖900B中之實施例顯示與已經歷銑背操作之基板交互作用的探針射束電子。該銑背操作已部分地曝露缺陷微粒904。探針射束電子908可與曝露之缺陷微粒904交互作用以產生歐傑電子，而由於塗層已被移除，該等歐傑電子可自該微粒逸出。可收集該等歐傑電子，並可接著藉由分析其特有的能量而測定缺陷微粒之組成。在某些實施例中，可藉由分析該等歐傑電子之能量來測定缺陷之組成。其他實施例可分析所產生之歐傑電子的量。
顯示於圖900B中的實施例(使用銑背且利用歐傑電子來辨識缺陷微粒)可用於某些應用中，在該等應用中修飾層會妨礙缺陷微粒本身藉由電子與缺陷微粒交互作用所產生之X射線而測定。
本說明書中上文所敘述之該裝置/製程可與例如用以製造或生產半導體元件、顯示器、LED、光伏面板等之微影圖案化工具或製程結合使用，一般而言(儘管非必然)，此類工具/製程將於共同的製造設施中一起使用或執行。膜的微影圖案化一般包含部分或所有下列步驟(每一個步驟係以若干合適的工具來達成)：(1)使用旋轉塗佈或噴霧塗佈工具將光阻塗佈於工件(例如基板)上；(2)使用加熱板、或加熱爐、或UV固化工具將光阻固化；(3)以例如晶圓步進機之工具將光阻曝露於可見光、或UV光、或x射線光；(4)使用例如溼式清洗台之工具將光阻顯影以選擇性地移除光阻，藉以將之圖案化；(5)藉由使用乾式或電漿輔助蝕刻工具將光阻圖案轉移至下層之膜或工件中；及(6)使用例如RF或微波電漿光阻剝除機之工具將光阻移除。
亦將瞭解，除非明確識別特別描述之實施例其中任一者中的技術特徵係彼此不相容，或附近的上下文暗示其係互斥且無法輕易以互補及/或支持性的思考角度加以結合，否則本揭露內容之整體性設想且預想到可選擇性地結合該等互補性實施例之特定技術特徵以提供一或更多全面性但稍微不同的技術解決方案。因此將進一步察知以上描述僅作為範例提出且可在本揭露內容的範圍內進行細節上的變更。
100‧‧‧處理設備
101‧‧‧反應物輸送系統
102‧‧‧處理腔室
103‧‧‧汽化點
804‧‧‧混合容器
105‧‧‧閥
106‧‧‧噴淋頭
107‧‧‧微容積
108‧‧‧基座
110‧‧‧加熱器
112‧‧‧基板
114‧‧‧射頻電源供應器
116‧‧‧匹配網路
118‧‧‧蝶形閥
120‧‧‧閥
120A‧‧‧閥
1100‧‧‧基板蝕刻設備
1101‧‧‧腔室壁
1111‧‧‧窗口
1117‧‧‧卡盤
1119‧‧‧晶圓
1121‧‧‧匹配電路
1123‧‧‧RF電源供應器
1125‧‧‧連接線
1127‧‧‧連接線
1133‧‧‧線圈
1140‧‧‧真空泵浦
1141‧‧‧RF電源供應器
1160‧‧‧主噴射埠
1170‧‧‧側噴射埠
220(220a、220b、220c、220d)‧‧‧處理模組
222‧‧‧機器人
224‧‧‧末端作用器
226‧‧‧基板
228‧‧‧模組中心
230‧‧‧氣閘
232‧‧‧前端機械人
234‧‧‧前開式晶圓傳送盒
236‧‧‧刻面
238‧‧‧真空傳送模組
240‧‧‧大氣傳送模組
242‧‧‧裝載埠模組
244‧‧‧對準器
300‧‧‧基板缺陷偵測設備
302‧‧‧基板
306‧‧‧基板支承體
308‧‧‧光源
310‧‧‧控制器
312‧‧‧光線偵測器
314‧‧‧鏡片
316‧‧‧光線偵測器
318‧‧‧鏡片
400A‧‧‧步驟
400B‧‧‧步驟
402‧‧‧基板
404‧‧‧缺陷/缺陷微粒
406‧‧‧修飾層
500A‧‧‧情境
502A‧‧‧基板
504A‧‧‧缺陷微粒
506A‧‧‧修飾層
500B‧‧‧情境
502B‧‧‧基板
504B‧‧‧缺陷微粒
506B‧‧‧修飾層
500C‧‧‧情境
502C‧‧‧基板
504C‧‧‧缺陷微粒
506C‧‧‧修飾層
602‧‧‧點
800A‧‧‧步驟
802‧‧‧基板
804‧‧‧缺陷微粒
806A‧‧‧修飾層
800B‧‧‧步驟
806B‧‧‧修飾層
900A‧‧‧圖
904‧‧‧缺陷微粒
908‧‧‧電子
900B‧‧‧圖
圖1A顯示範例基板處理設備的示意圖。
圖1B顯示範例基板蝕刻設備的示意圖。
圖2顯示基板缺陷偵測設備之範例群集工具的示意圖。
圖3顯示範例缺陷偵測設備的示意圖。
圖4繪示可幫助缺陷偵測的範例缺陷修飾程序。
圖5顯示範例缺陷微粒、基板、及修飾材料之間的可濕性差異。
圖6係為顯示由修飾層厚度所造成之範例的可偵測性改變之圖表。
圖7A顯示在具有不同尺寸之缺陷的測試基板上所偵測之缺陷。
圖7B顯示圖7A中測試基板上的額外缺陷，該等額外缺陷在塗佈精密修飾物塗層之後被偵測。
圖8繪示可幫助缺陷辨識之範例銑背(mill back)程序。
圖9繪示辨識缺陷微粒的範例方法。
300‧‧‧基板缺陷偵測設備
302‧‧‧基板
306‧‧‧基板支承體
308‧‧‧光源
310‧‧‧控制器
312‧‧‧光線偵測器
314‧‧‧鏡片
316‧‧‧光線偵測器
318‧‧‧鏡片

Claims (25)

  1. 一種方法，包含以下步驟： (a)將材料層沉積至帶有微粒之基板上； (b)利用量測設備來偵測該基板上之微粒的位置；及 (c)辨識該微粒之組成。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該材料層係沉積在該微粒的至少一部分上。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，更包含步驟(d)：在步驟(b)之後且在步驟(c)之前，移除沉積於該微粒上之該材料的至少一部分。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中步驟(d)中移除該材料的至少一部分係透過原子層蝕刻(ALE, Atomic Layer Etching)、反應性離子蝕刻、或離子銑削來移除。
  5. 如申請專利範圍第2項之方法，其中步驟(c)包含透過來自電子與該微粒交互作用的X射線來辨識該微粒之組成。
  6. 如申請專利範圍第2項之方法，更包含： 步驟(d)：在步驟(b)之後，移除沉積於該微粒上之該材料的至少一部分，其中步驟(c)包含透過藉由電子與該微粒交互作用所產生之歐傑電子來辨識該微粒之組成。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該材料層係沉積在該微粒周圍。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，更包含決定用以沉積的該材料層之厚度，其中計算該厚度以使利用該量測設備來偵測該微粒的機率最大化。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中藉由決定使偵測該微粒之機率最大化的厚度最佳點(thickness sweet spot)來計算該厚度。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中選擇該材料層或該基板其中一或更多者之組成，以使步驟(b)中利用該量測設備偵測該微粒的機率最佳化。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中選擇該材料層或該基板其中一或更多者之組成，以使步驟(c)中辨識該微粒之組成的機率最佳化。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該微粒係為在不沉積該材料之情況下利用該量測設備無法偵測的尺寸。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中係透過原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)法來執行步驟(a)中之沉積。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，於攝氏200度以下的環境溫度下執行。
  15. 一種設備，包含： 處理腔室，其具有配置以接收帶有微粒之基板的至少一第一處理站； 沉積設備，其配置以將材料沉積至該基板上； 量測設備，其配置以偵測該基板上之微粒的位置；及 一或更多控制器，其用於操作該處理腔室、該沉積設備、該量測設備、該電子產生設備、及該辨識設備，該一或更多控制器包含用於執行下列操作的指令： (a)利用該沉積設備來將材料層沉積至位於該第一處理站的該第一基板上，及 (b)利用該量測設備來偵測該基板上之該微粒的位置。
  16. 如申請專利範圍第15項之設備，更包含： 電子產生設備，其配置以產生導向該基板的電子；及 辨識設備，其配置以辨識該微粒之組成，其中該一或更多控制器更包含用於執行下列操作的指令： (c)利用該電子產生設備來產生導向該基板之該位置的電子， (d)利用該辨識設備來偵測該微粒與該等電子的交互作用，及 (e)由該交互作用來辨識該微粒之組成。
  17. 如申請專利範圍第16項之設備，更包含配置以接收該基板的第二處理站，其中該一或更多控制器更包含用於在操作(a)之後且在操作(e)之前將該基板由該第一處理站傳送至該第二處理站的指令。
  18. 如申請專利範圍第16項之設備，其中該材料層係沉積在該微粒的至少一部分上。
  19. 如申請專利範圍第18項之設備，其中該一或更多控制器更包含用於執行下列操作的指令：在操作(b)之後且在操作(c)之前利用材料移除設備或利用與該電子產生設備設置在一起的移除設備來移除沉積於該微粒上之該材料的至少一部分。
  20. 如申請專利範圍第19項之設備，其中該沉積設備更配置以自該基板移除材料，而移除該材料的至少一部分係透過藉由沉積設備所執行的ALE法來移除。
  21. 如申請專利範圍第19項之設備，其中操作(e)包含透過藉由來自該電子產生設備之電子與該微粒交互作用所產生的歐傑電子來辨識該微粒之組成。
  22. 如申請專利範圍第16項之設備，其中操作(e)包含透過來自由該電子產生設備所產生之電子與該微粒交互作用的X射線來辨識該微粒之組成。
  23. 如申請專利範圍第15項之設備，其中該材料層係沉積在該微粒周圍。
  24. 如申請專利範圍第15項之設備，其中該沉積設備係配置以執行ALD。
  25. 如申請專利範圍第15項之設備，其中該微粒係為在不沉積該材料之情況下利用該量測設備無法偵測的尺寸。
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