TW201628958A - 包括剝離方法的處理方法(二) - Google Patents

包括剝離方法的處理方法(二) Download PDF

Info

Publication number
TW201628958A
TW201628958A TW104138342A TW104138342A TW201628958A TW 201628958 A TW201628958 A TW 201628958A TW 104138342 A TW104138342 A TW 104138342A TW 104138342 A TW104138342 A TW 104138342A TW 201628958 A TW201628958 A TW 201628958A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
vacuum
flexible film
major surface
peripheral edge
Prior art date
Application number
TW104138342A
Other languages
English (en)
Inventor
艾力敦艾瑞克李維斯
貝爾曼羅伯特艾倫
曼利羅伯喬治
梅羅特拉卡蘭
Original Assignee
康寧公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 康寧公司 filed Critical 康寧公司
Publication of TW201628958A publication Critical patent/TW201628958A/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65HHANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H41/00Machines for separating superposed webs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006Delaminating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/061Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2201/00Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
    • B65G2201/02Articles
    • B65G2201/0214Articles of special size, shape or weigh
    • B65G2201/022Flat
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2249/00Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
    • B65G2249/04Arrangements of vacuum systems or suction cups
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling

Abstract

方法包括處理第一基板,其中該第一基板之第一主表面可移除地黏合至第二基板之第一主表面。該方法包含以下步驟(I):將可撓性膜黏合至該第一基板之第二主表面,其中該可撓性膜包括延伸離開該第一基板之前導周邊邊緣之舌片。該方法進一步包括以下步驟(II):藉由向該舌片施加一力來將該第一基板之該前導周邊邊緣自該第二基板剝離。

Description

包括剝離方法的處理方法(二) 相關申請案之交互參照
本申請案根據專利法主張2014年11月19日申請的美國臨時申請案序列號第62/081,892號之優先權權益,該臨時申請案之內容為本文之基礎且係以全文引用方式併入本文中。
本揭示內容總體上係關於包括剝離之處理方法,且更特定而言係關於包括以下步驟之處理方法:將第一基板之前導周邊邊緣自第二基板剝離,其中基板之至少一者可包含玻璃基板及/或矽晶圓。
在可撓性電子設備或其他裝置之製造中使用薄的、可撓性玻璃是受人關注的。可撓性玻璃可具有與電子裝置之製造或效能有關的有益性質,該等電子裝置例如液晶顯示器(liquid crystal display;LCD)、電泳顯示器(electrophoretic display;EPD)、有機發光二極體顯示器(organic light emitting diode display;OLED)、電漿顯示面板(plasma display panel;PDP)、觸控感測器、光電設備等等。使用可撓性玻璃之一個組成部分為操縱呈片材格式而非呈捲軸格式之玻璃的能力。
為允許在可撓性玻璃之處理期間操縱可撓性玻璃,典型地使用聚合物黏結劑將可撓性玻璃黏合至相對剛性的載體基板。一旦黏合至載體基板,載體基板之相對剛性的特性及大小允許在生產中操縱經黏合結構,而無非所需的彎曲或不會引起對可撓性玻璃之損壞。例如,薄膜電晶體(thin-film transistor;TFT)組件可在LCD之生產中附接至可撓性玻璃。
在處理之後,自載體基板移除可撓性玻璃。 然而,鑒於可撓性玻璃之精緻本質,施加來將可撓性玻璃自載體基板拆離的力會損壞可撓性玻璃。此外,典型地包括將器具插入至可撓性玻璃-載體介面之分離製程亦常常會損壞載體基板,從而使得載體基板對於未來使用而言不可用。因此,需要用於將薄的、可撓性玻璃自載體基板拆離的實際解決方案,其減少損壞可撓性玻璃及/或載體基板之可能性。
以下提出本揭示內容之簡化概述,以便提供對在實施方式中描述的一些示例性態樣之基本理解。
在本揭示內容之一態樣中,提供用於處理第一基板之方法,其中該第一基板之第一主表面可移除地黏合至第二基板之第一主表面。該方法包含以下步驟(I):將可撓性膜黏合至該第一基板之第二主表面,其中該可撓性膜包括延伸離開該第一基板之前導周邊邊緣之舌片。該方法進一步包括以下步驟(II):藉由向該舌片 施加力來將該第一基板之該前導周邊邊緣自該第二基板剝離。
在該態樣之一個實例中,該第一基板包含選自由以下組成之群的基板:玻璃基板及矽晶圓。
在該態樣之另一實例中,該第一基板包括約100微米至約300微米之厚度。
在該態樣之又一實例中,該第二基板包含載體基板,該載體基板包括約300微米至約700微米之厚度。
在該態樣之另一實例中,該第二基板包含載體基板,該載體基板包括大於該第一基板之覆蓋區的覆蓋區。
在該態樣之另一實例中,在步驟(II)之前,該方法進一步包含以下步驟:在將該第一基板黏合至該第二基板時處理該第一基板。在一個特定實例中,該處理該第一基板之步驟發生在步驟(I)之前。
在該態樣之另一實例中,該前導周邊邊緣包括限定於該第一基板之第一側向邊緣與第二側向邊緣之間的長度,且步驟(I)包括將該可撓性膜黏合至該第一基板之該第二主表面,以使得該可撓性膜沿該前導周邊邊緣之實質上整個長度延伸。在一個特定實例中,步驟(II)沿該前導周邊邊緣之該長度向該舌片均勻地施加該力。在另一特定實例中,步驟(II)實質上同時地沿該前導周 邊邊緣之該整個長度將該第一基板之該前導周邊邊緣自該第二基板剝離。
在該態樣之另一實例中,在步驟(II)之後,進一步包含以下步驟:將該第一基板自該第二基板完全地移除。在一個特定實例中,該將該第一基板自該第二基板完全地移除之步驟包含將該第一基板自該第二基板完全地剝離。
在該態樣之另一實例中,該方法亦可視情況包括以下步驟:預選擇該第一基板之最小彎曲半徑且選擇可撓性膜以增加該第一基板之有效剛度,以便在將該第一基板自該第二基板剝離時維持該第一基板之彎曲半徑在該最小彎曲半徑以上。
在該態樣之又一實例中,該方法進一步包含以下步驟:在將該第一基板自該第二基板剝離時控制該第一基板之彎曲半徑。
在該態樣之另一實例中,步驟(I)黏合該可撓性膜以覆蓋該第一基板之實質上整個第二主表面。
在該態樣之另一實例中,步驟(I)將該可撓性膜黏合至該第一基板之該第二主表面,以使得該舌片延伸離開該第一基板之該前導周邊邊緣約5cm至約20cm之距離。
在該態樣之另一實例中,在步驟(II)之後,該方法進一步包含以下步驟:自該第一基板移除該可撓性膜。在一個特定實例中,該自該第一基板移除該可撓 性膜之步驟包括將該可撓性膜曝露於紫外光以自該第一基板之該第二主表面釋放該可撓性膜。
在該態樣之另一實例中,步驟(II)包括將該舌片真空附接至真空附接構件,且隨後利用該真空附接構件向該舌片施加該力。
在該態樣之另一實例中,該方法進一步包含以下步驟:基於在步驟(II)期間獲得的資訊來判定該第一基板之該前導周邊邊緣與該第二基板之間的黏合強度。
該態樣可單獨進行,或以上文論述的該態樣之實例之一或任何組合進行。
D‧‧‧距離
F‧‧‧力
F1‧‧‧拉力
F2‧‧‧拉力
L1‧‧‧長度
L2‧‧‧長度
L3‧‧‧長度
R‧‧‧彎曲半徑
T1‧‧‧厚度
T2‧‧‧厚度
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
101‧‧‧剝離設備
103‧‧‧真空板
104‧‧‧真空源
104a‧‧‧通訊線路
105‧‧‧平移軸
107a‧‧‧第一方向/方向
107b‧‧‧第二方向/方向
109‧‧‧軸承
111‧‧‧平移軌
113‧‧‧固定螺釘
115‧‧‧支撐表面
117‧‧‧真空附接構件
118‧‧‧真空源
118a‧‧‧通訊線路
119‧‧‧臂
121‧‧‧前導邊緣
123‧‧‧尾端
125‧‧‧尾端
127‧‧‧浮動鉸鏈
129‧‧‧鉸鏈銷
131‧‧‧狹槽
133‧‧‧致動器
133a‧‧‧通訊線路
135‧‧‧方向
137‧‧‧連桿
138‧‧‧掛鉤
139‧‧‧細絲
139a‧‧‧末端
139b‧‧‧末端
141‧‧‧負載感測器
141a‧‧‧通訊線路
143‧‧‧控制裝置
201a‧‧‧第一銷/銷
201b‧‧‧第二銷/銷
301‧‧‧真空埠
303‧‧‧表面
401‧‧‧真空埠
403‧‧‧表面
405‧‧‧周邊環形間隙器
501‧‧‧方向
601‧‧‧第一基板
601a‧‧‧第一主表面
601b‧‧‧第二主表面
603‧‧‧第二基板
603a‧‧‧第一主表面
603b‧‧‧第二主表面
605‧‧‧方向
801a‧‧‧第一側向邊緣
801b‧‧‧第二側向邊緣
901‧‧‧真空導管
903‧‧‧真空腔室
905‧‧‧真空導管
907‧‧‧真空腔室
909‧‧‧前導周邊邊緣
911‧‧‧前導周邊邊緣
913‧‧‧尾接周邊邊緣
915‧‧‧尾接周邊邊緣
917‧‧‧可撓性膜
1001‧‧‧舌片
1003‧‧‧下表面
1005‧‧‧初始分離
1301‧‧‧第一基板
1302‧‧‧第二基板
1601a‧‧‧第一載體基板/第一基板
1601b‧‧‧第二載體基板/第二基板
1603‧‧‧中間基板
1901‧‧‧步驟
1903‧‧‧箭頭
1905‧‧‧步驟
1907‧‧‧箭頭
1909‧‧‧步驟
1911‧‧‧箭頭
1913‧‧‧箭頭
1915‧‧‧步驟
1917‧‧‧步驟
1919‧‧‧步驟
1921‧‧‧步驟
1923‧‧‧步驟
1925‧‧‧步驟
1927‧‧‧箭頭
1929‧‧‧箭頭
1931‧‧‧箭頭
1933‧‧‧箭頭
1935‧‧‧可選步驟
1937‧‧‧箭頭
1939‧‧‧步驟
當參考隨附圖式閱讀以下實施方式時,此等及其他態樣得以更好地理解,圖式中:第1圖為示例性剝離設備之示意側視圖;第2圖為剝離設備的沿第1圖之線2-2的正視圖;第3圖為剝離設備之真空板的沿第2圖之線3-3的俯視圖;第4圖為剝離設備之真空附接構件及臂的沿第2圖之線4-4的仰視圖;第5圖為第1圖之剝離設備呈打開定向之示意側視圖; 第6圖為第1圖之剝離設備呈打開定向之示意側視圖,其中載體基板真空附接至真空板;第7圖為第1圖之剝離設備呈閉合定向之示意側視圖,其中載體基板真空附接至真空板且附接構件真空附接至延伸離開第一基板之前導周邊邊緣的舌片;第8圖示意地例示沿前導周邊邊緣之長度均勻地施加於舌片的力;第9圖為剝離設備的沿第8圖之線9-9的放大部分橫截面;第10圖為第9圖之局部視圖,其例示以下步驟:藉由向舌片施加力來將第一基板之前導周邊邊緣自載體基板剝離;第11圖例示以下步驟:在將第一基板自載體基板剝離時控制第一基板之彎曲半徑;第12圖例示自載體基板完全地剝離的第一基板;第13圖為第1圖之剝離設備呈打開定向之示意側視圖,其中第一基板真空附接至真空板;第14圖為第1圖之剝離設備呈閉合定向之示意側視圖,其中第一基板真空附接至真空板且附接構件真空附接至延伸離開載體基板之前導周邊邊緣的舌片;第15圖例示以下步驟:在將載體基板自第一基板剝離時控制載體基板之彎曲半徑; 第16圖為第1圖之剝離設備呈打開定向之示意側視圖,其中第二載體基板真空附接至真空板;第17圖為第1圖之剝離設備呈閉合定向之示意側視圖,其中第二載體基板真空附接至真空板且附接構件真空附接至延伸離開第一載體基板之前導周邊邊緣的舌片;第18圖例示以下步驟:在將第一載體基板自中間基板及第二載體基板剝離時控制第一載體基板之彎曲半徑;以及第19圖例示處理第一基板之方法中的示例性步驟,其中該第一基板之第一主表面可移除地黏合至第二基板之第一主表面。
現將於下文參考展示示例性實施例之隨附圖式更全面地描述實例。在任何可能的情況下,整個圖式中使用相同元件符號來指代相同或相似部件。然而,各態樣可以許多不同形式來具體化且不應解釋為限於本文闡述之實施例。
本揭示內容之剝離設備可用於促進黏合至第二基板之第一基板的移除。在一個實例中,該剝離設備可促進矽晶圓或玻璃基板自載體基板之初始或完全分離。例如,該剝離設備可適用於將玻璃基板自載體基板初始地或完全地剝離,儘管在其他實例中載體基板可自玻璃基板及/或另一載體基板初始地或完全地剝離。
可撓性玻璃片常常用於製造液晶顯示器(liquid crystal display;LCD)、電泳顯示器(electrophoretic display;EPD)、有機發光二極體顯示器(organic light emitting diode display;OLED)、電漿顯示面板(plasma display panel;PDP)、觸控感測器、光電設備等等。為允許在處理期間操縱可撓性玻璃片,可使用黏結劑(例如,聚合物黏結劑)將可撓性玻璃片黏合至剛性載體基板。該載體基板可由玻璃、樹脂或能夠耐受處理基板(例如,玻璃基板、矽晶圓等等)期間之條件的其他材料製造,該基板可移除地黏合至該載體基板。在一些實例中,載體基板及黏合至載體基板之基板可各自包括限定於基板之各別主表面之間的厚度。該載體基板可視情況藉由提供具有一厚度之載體基板而引入所欲位準之剛性,該厚度大於可移除地黏合至該載體基板的基板之厚度。此外,在一些實例中,該載體基板可經選擇而具有一厚度,其中該載體基板及黏合至該載體基板的基板之總厚度在可與現存處理機器一起使用之範圍內,該現存處理機器經配置以處理相對厚的玻璃基板,該等玻璃基板具有在該載體基板及黏合至該載體基板的基板之總厚度之範圍內的厚度。
在一些實例中,第一基板可包含具有約100微米至約300微米之厚度的玻璃基板或矽晶圓。在其他實例中,該載體基板可包括約300微米至約700微米之 厚度。在此等實例中,該載體基板可包括一厚度,該厚度大於黏合至該載體基板的基板(例如,玻璃基板或矽晶圓)之厚度。
該載體基板之剛性特性及大小允許在生產中操縱經黏合玻璃片而無顯著彎曲,該顯著彎曲可在其他情況下引起對可撓性玻璃片及/或安裝至可撓性玻璃片之組件的損壞。在處理(例如,操縱、增加組件、處置等等)之後,本揭示內容之剝離設備可用於初始地或完全地將載體基板自經黏合基板(例如,玻璃基板或矽晶圓)剝離,或初始地或完全地將經黏合基板自載體基板剝離。
轉向第1圖及第2圖,展示示例性剝離設備101,其經配置以將第一基板自第二基板剝離。貫穿本揭示內容中,第一基板可包含矽晶圓、玻璃基板(例如,薄的、可撓性玻璃基板),或可移除地黏合至第二基板(諸如載體基板)之其他基板。在其他實例中,第二基板可包含矽晶圓、玻璃基板,或可移除地黏合至包含載體基板之第一基板的其他基板。
剝離設備101進一步包括真空板103,其經配置以可釋放地將基板之一緊固到位。例如,真空板可真空附接至第二基板之主表面,以可釋放地將第二基板緊固到位。真空板103包括長度「L1」(參見第1圖)及寬度「W1」(參見第2圖)。在所例示實例中,長度「L1」大於寬度「W1」,儘管長度及寬度可實質上相等,或在其他實例中,寬度可大於長度。
如第3圖所示,真空板103可包括一或多個真空埠,諸如在表面303(例如,實質上平面表面)處敞開的所例示覆數個真空埠301。複數個真空埠301可與真空源104流體連通,該真空源諸如真空槽、真空泵等等。如第1圖及第9圖所示,諸如可撓性軟管之真空導管901可提供複數個真空埠301與真空源104之間的流體連通。在一個實例中,如第9圖所示,真空腔室903可置放成與複數個真空埠301流體連通,以使得複數個真空埠301與真空導管901流體連通。
儘管未展示,但可提供一或多個間隙器以防止基板之主表面與真空板103之表面303之間的實際接合。此等間隙器可包含周邊間隙器,諸如外接複數個真空埠301之環。另外或替代地,間隙器可包含分佈於真空埠之間遍佈真空埠301之圖案的支柱。支柱可包含各種材料,諸如聚合物材料。間隙器可延伸約1.6mm(例如,1/16吋)之距離,儘管可在其他實例中使用其他距離。
參考第1圖,真空板103可視情況經配置以沿平移軸105在第一方向107a及與第一方向相反的第二方向107b之一上平移。例如,如示意地例示,複數個軸承109可接收沿平移軸105延伸之平移軌111。在一些實例中,在軸承沿平移軌111滑動時,真空板103可在方向107a、107b之一中自由地平移。視情況,諸如所例示固定螺釘113之鎖定構件可選擇性將真空板103相 對於平移軌111鎖定。在鎖定定向上,可防止真空板103相對於平移軌111移動。替代地,在解鎖定向上,真空板103能夠相對於平移軌111沿方向107a、107b之一平移。真空板103可選擇性地鎖定或解鎖以適應不同剝離程序。在其中僅涵蓋鎖定定向之應用中,可完全拋棄平移機構。在此等實例中,真空板103可相對於諸如地板、桌頂部、支架或其他支撐表面之支撐表面115固定地安裝。
剝離設備101進一步包括真空附接構件117,其經配置以相對於第一基板之前導周邊邊緣可釋放地真空附接。為促進真空附接,真空附接構件可包括一或多個真空埠。例如,如第4圖所示,一或多個真空埠可包含在真空附接構件117之表面403(例如,實質上平面表面)處敞開的複數個真空埠401。在一個實例中,複數個真空埠401可以一圖案佈置以使力沿真空附接構件117之寬度「W2」分佈。
複數個真空埠401可與真空源118流體連通,該真空源諸如真空槽、真空泵等等。如第1圖及第9圖所示,諸如可撓性軟管之真空導管905可提供複數個真空埠401與真空源118之間的流體連通。在一個實例中,如第9圖所示,真空腔室907可置放成與複數個真空埠401流體連通,以使得複數個真空埠401與真空導管905流體連通。
真空附接構件117可進一步包括間隙器,在一些實例中,該間隙器可防止真空附接構件117與基板表面之間的實際接合。例如,若真空附接構件117直接真空附接至第一基板(例如,玻璃基板、矽晶圓、載體基板),則間隙器可充當緩衝墊以保護玻璃表面免於因真空附接構件與第一基板之間的直接接觸引起的損壞。如第4圖示意地展示,一個實例間隙器(若提供)可包含周邊環形間隙器405,其外接複數個真空埠401。間隙器405可包含諸如聚合物材料之各種材料,且在一些實例中,可自真空附接構件117之表面403延伸約1.6mm(例如,1/16吋)之距離。
參考第1圖及第4圖,剝離設備101進一步包括臂119,其支撐真空附接構件117。如圖所示,臂119可包含板,儘管臂可包含框架、梁或經配置以支撐真空附接構件117之其他結構。在一些實例中,臂119可進一步包括長度「L2」,其大於真空板103之長度「L1」。提供具有相對較長長度「L2」之臂119可允許真空附接構件117遠離真空板103之表面303側向地間隔,且超出真空板之前導邊緣121。將真空附接構件117遠離真空板103之表面303側向地間隔可允許真空附接構件117真空附接至舌片,而舌片無需真空附接至真空板103之表面303。
儘管未展示,但在替代實例中,臂119可具有長度「L2」,其等於或小於真空板103之長度「L1」。 此種組態可允許真空附接構件117直接真空附接至第一基板之主表面,而第二基板真空附接至真空板103。
臂119亦相對於真空板103樞轉地附接。例如,如第1圖所示,真空板103之尾端123可相對於臂119之尾端125與鉸鏈樞轉地附接。在一些實例中,鉸鏈可包含浮動鉸鏈127,儘管固定鉸鏈組態可用於替代實例。浮動鉸鏈127可包括鉸鏈銷129,其經配置以在狹槽131內平移及旋轉。因此,浮動鉸鏈127可允許利用剝離設備101處理不同厚度的基板堆疊。
如第1圖所示,剝離設備101亦可包括致動器133,其經配置以向真空附接構件117施加力「F」,以將真空附接構件117舉升且因此引起臂119在方向135上繞浮動鉸鏈127樞轉。僅在一個實例中,力「F」可經由連桿137來施加,該連桿連接(例如,利用掛鉤138連接)至可撓性細絲139(例如,線材、纜線等等)。例如,如第2圖所示,細絲139之一個末端139a可附接至自真空附接構件117之第一側面延伸的第一銷201a,而細絲139之另一末端139b可附接至自真空附接構件117之第二側面延伸的第二銷201b。經由連桿137的力「F」之施加可產生向第一銷201a及第二銷201b的拉力「F1」、「F2」之施加。此外,如第1圖所示,繞浮動鉸鏈127之力矩臂得以最大化,因為銷201a、201b定位在真空附接構件117之最外前端處。因而,杠桿作用 可得以最大化以更有效地施加力「F」來起始基板之剝離。
如第1圖及第2圖進一步所例示,剝離設備101亦可包括負載感測器141,其經配置以感測藉由致動器133施加的力「F」。來自負載感測器141之資訊可經由通訊線路141a送回控制裝置143(例如,可程式化邏輯控制器)。控制裝置143可配置來(例如,「經程式化以」、「經編碼以」、「經設計以」及/或「經製作以」)經由通訊線路133a來控制致動器133,且經由各別通訊線路104a、118a來控制真空源104、118。
現將初步參考第19圖來描述處理之方法。該方法可利用第一基板以步驟1901開始,該步驟包括將該第一基板之第一主表面可移除地黏合至第二基板之第一主表面。貫穿本申請案中,第一基板可藉由聚合物黏結劑或其他材料來可移除地黏合至第二基板,該聚合物黏結劑或其他材料可耐受處理條件同時允許基板隨後至少部分地剝離分開。
在步驟1901之一個實例中,如第6圖-第12圖所示,該方法可利用第一基板601及第二基板603開始,該第一基板包含玻璃基板(例如,薄的、可撓性玻璃基板)或矽晶圓,且該第二基板包含載體基板(例如,玻璃載體基板)。如第9圖所示,在一些實例中,第一基板601可包括介於第一基板601之第一主表面601a與第二主表面601b之間的約100微米至約300微米之厚度 T1。如第9圖進一步所示,在一些實例中,第二基板603可包括介於第二基板603之第一主表面603a與第二主表面603b之間的約300微米至約700微米之厚度T2。如第9圖進一步所例示,在一些實例中,第二基板603(例如,載體基板)之厚度T2可大於第一基板601之厚度T1。提供相對較厚的載體基板可有助於增加第一基板(例如,玻璃基板或矽晶圓)之有效剛度以促進第一基板之處理。相對較厚的載體基板亦可有助於顯著地促使增加黏合至第二基板之第一基板之有效剛度。
如第9圖所例示,可將第一基板601之第一主表面601a可移除地黏合至第二基板603之第一主表面603a。此外,如第9圖進一步所示,第二基板603可包括大於第一基板601之覆蓋區的覆蓋區。實情為,第二基板603之前導周邊邊緣909延伸超出第一基板601之前導周邊邊緣911。另外,第二基板603之尾接周邊邊緣913可延伸超出第一基板601之尾接周邊邊緣915。實際上,在一些實例中,第二基板603之所有周邊邊緣可視情況延伸超出第一基板601之相應周邊邊緣各種距離,例如超出約0.5mm至約3mm。提供比第一基板601具有更大覆蓋區之第二基板603可有助於在處理期間保護第一基板之相對易碎的周邊邊緣免於損壞。實情為,對經黏合基板之邊緣的任何衝擊將趨向於發生在第二基板603之向外延伸周邊邊緣處,該向外延伸周邊邊 緣將起作用保護第一基板601之相對易碎的外周邊邊緣。
儘管第6圖-第12圖未展示,但在其他實例中,第一基板601及第二基板603之覆蓋區可實質上相等。提供實質上相等的覆蓋區可簡化製造。例如,第一基板及第二基板可首先黏合在一起,且隨後可將該等基本沿共同分離路徑分離,其中基板因而具有實質上相同的覆蓋區。
在又一實例中,儘管第6圖-第12圖未展示,但第一基板可具有大於第二基板之覆蓋區,以使得第一基板之外周邊邊緣之一或全部延伸超出第二基板。替代地,不管相對的覆蓋區大小,儘管未展示,但第一基板之前導周邊邊緣911可視情況包括懸伸部分(例如,舌片),其延伸超出第二基板之前導周邊邊緣909例如約50微米至約150微米,諸如約100微米。此等實例可有益於幫助將第一基板之前導周邊邊緣自第二基板剝離。
如第19圖進一步所示,本揭示內容之任何方法可視情況沿箭頭1903進行至以下步驟1905:在第一基板601黏合至第二基板603時,處理第一基板601。第一基板601可經處理例如以包括電子設備、濾色器、觸控感測器、液晶阱及顯示應用中之其他電子設備。在另一實例中,處理可包括蝕刻玻璃或以其他方式加工玻璃基板。當使用矽晶圓時,處理可包括將矽晶圓切割成較小塊件,或以其他方式處理矽晶圓以製造電子組件。
如藉由第19圖中之箭頭1907所示,在處理之步驟1905之後,該方法可視情況進行以下步驟1909:將可撓性膜黏合至第一基板之第二主表面,其中可撓性膜包括延伸離開第一基板之前導周邊邊緣的舌片。例如,如第9圖及第10圖所示,可撓性膜917黏合至第一基板601之第二主表面601b。可撓性膜917可具有廣泛範圍之厚度,例如約75微米至約150微米,儘管可在其他實例中提供其他厚度。可撓性膜可由樹脂(例如,透明樹脂)製造,諸如由聚合物材料製造。在一個實例中,可撓性膜可由聚醯亞胺材料製造,該聚醯亞胺材料經配置以抵抗高溫且經配置以轉變呈張力的相對高的力。在特定實例中,可撓性膜可由PVC、聚烯烴、聚乙烯或其他材料製造。
可撓性膜亦可包括壓敏黏著劑,其可提供顯著強度來促進第一基板自第二基板之剝離製程,同時亦允許後續移除而不在第一基板上不留下殘餘材料。在一個實例中,黏著劑材料可藉由曝露於紫外光而破裂。具有UV敏感黏著劑材料之可撓性材料之特定實例可包含切割膠帶,其常用作在矽晶圓切割期間的背襯膠帶。
如第8圖所示,第一基板601之前導周邊邊緣911可包括限定於第一基板601之第一側向邊緣801a與第二側向邊緣801b之間的長度「L3」。如圖中所示,長度「L3」在與真空板103之寬度「W1」相同的方向上延伸。視情況,黏合可撓性膜917之步驟可包括將可 撓性膜黏合至第一基板601之第二主表面601b,以使得可撓性膜917沿第一基板601之前導周邊邊緣911之實質上整個長度「L3」延伸。在其他實例中,可撓性膜917可延伸長度「L3」之約70%至約100%,諸如長度「L3」之約85%至約100%、諸如約90%至約100%、諸如約95%至約100%。增加可撓性膜917沿長度「L3」延伸之程度可有助於跨於前導周邊邊緣911之長度「L3」均勻地分佈力以減少應力集中,且允許沿可撓性膜917之整個長度「L3」之同時剝離。
黏合可撓性膜917之步驟1909可視情況黏合可撓性膜917以覆蓋第一基板601之實質上整個第二主表面601b。實情為,如第9圖所示,可撓性膜917自第一基板601之前導周邊邊緣911至尾接周邊邊緣915延伸第一基板601之整個長度。黏合可撓性膜917以覆蓋第一基板601之實質上整個第二主表面601b可有助於保護第二主表面601b免於損壞,且亦可有助於調整第一基板601之總體有效剛度。儘管未展示,在其他實例中,可撓性膜917可僅跨於第二主表面601b之一部分黏合。例如,可撓性膜917可自前導周邊邊緣911在自第一基板601之前導周邊邊緣911至尾接周邊邊緣915之方向上延伸至少約8cm(例如,約3吋)之距離。將可撓性膜917延伸於僅第二主表面601b之部分之上可曝露第二主表面601b之部分以供處理,甚至在可撓性膜917黏合至第一基板601之第二主表面601b之一部分時亦 如此。將可撓性膜917延伸於僅第二主表面601b之部分之上亦可減少材料成本,且可減少隨後自第一基板601移除可撓性膜917之時間。將可撓性膜917延伸於僅第二主表面601b之部分之上可在不必加固第一基板601的可能已具有用於特定製程應用的足夠剛度之部分時有用。
如第10圖所示,可撓性膜917包括舌片1001,其延伸離開第一基板601之前導周邊邊緣911距離「D」。由於舌片1001之下表面1003可包括壓敏黏著劑,所以舌片之末端可自身向下折疊以覆蓋壓敏黏著劑,進而防止舌片1001無意地結合至第二基板603或剝離設備101之相鄰部分。例如,在一些實例中,可撓性膜可延伸約距離「D」之兩倍,且隨後向下折疊且自身黏附以形成具有有效距離「D」之折疊舌片。在一些實例中,舌片1001延伸離開第一基板601之前導周邊邊緣911之距離「D」可處於約5cm(2吋)至約20cm(8吋)範圍內,儘管可在其他實例中提供其他大小的舌片。此外,所例示舌片可延伸前導周邊邊緣911之整個長度「L3」。
如藉由第19圖中之箭頭1907所示,黏合之步驟1909可在處理之步驟1905之後進行。在其他實例中,如藉由箭頭1911所指示,該方法可直接進行至黏合之步驟1909。例如,該方法可在步驟1901處開始而處理步驟已進行。例如,該方法可以黏合至第二基板之第 一基板開始,其中第一基板已獲處理,同時第一基板黏合於第二基板上。在此等實例中,該方法可在步驟1901處開始,且直接進行至黏合之步驟1909。在另一實例中,如先前所提及,處理之步驟1905可在黏合之步驟1909之後進行,如藉由箭頭1913所指示。此步驟次序可例如在可撓性膜917不干擾處理之步驟1905時進行。
如箭頭1915、1917所指示,該方法可最終進行至以下步驟1919:藉由向舌片1001施加力「F」,將第一基板601之前導周邊邊緣911自第二基板603剝離。如第5圖所示,為準備剝離之步驟119,臂119連同附接至臂之遠端的真空附接構件117可在方向501上繞浮動鉸鏈127樞轉至打開定向。
接著,如第6圖所示,第二基板603定位於真空板103之上。真空源104可施加真空,且繼而經由複數個真空埠301抽吸。第二基板603之第二主表面603b此後真空附接至真空板103之表面303。一旦真空附接,第二基板603即具有固定形狀。在所例示實例中,第二基板603可固定成實質上平坦平面形狀,儘管可在其他實例中需要其他形狀。固定形狀可有助於將第二基板603牢固地緊固到位以促進剝離製程。
在將第二基板603真空附接至真空板103之前、期間或之後,臂119連同真空附接構件117可在方向605上繞浮動鉸鏈127樞轉至第7圖所示的閉合定向。在第7圖所示的閉合定向中,臂119在自第一基板 601之尾接周邊邊緣915至前導周邊邊緣911的方向上跨於第一基板601延伸。如第7圖進一步所示,鉸鏈銷129可回應於臂在第一基板及第二基板之總厚度上閉合而沿浮動鉸鏈127之狹槽131向上行進。
如第7圖所示,剝離之步驟1919可包括以下步驟:將舌片1001真空附接至真空附接構件117。實情為,真空源118可施加真空且繼而經由複數個真空埠401抽吸,以使得舌片1001真空附接至真空附接構件117之表面403。剝離之步驟1919可隨後利用真空附接構件117向舌片1001施加力「F」。實情為,參考第2圖,致動器133可在向上方向上施加力「F」,從而引起拉力「F1」及「F2」施加於真空附接構件117之銷201a、201b。
如藉由第8圖中之一列平行箭頭示意表示的力分佈所示,該方法可沿第一基板601之前導周邊邊緣911之長度「L3」向舌片1001均勻地施加壓力「F」。因而,應力可跨於前導周邊邊緣911均勻地分佈,以避免沿前導周邊邊緣的不必要的高應力集中。如第10圖所示,因為力係施加於離前導周邊邊緣911之距離「D」處,所以力可集中在前導周邊邊緣911與第二基板603之間的介面處。最終,前導周邊邊緣911處之應力產生前導周邊邊緣911與第二基板603之間的初始分離1005。初始分離可在前導周邊邊緣之一個末端處開始。替代地,在一些實例中,剝離之步驟可實質上同時地沿 前導周邊邊緣911之整個長度「L3」將第一基板601之前導周邊邊緣911自第二基板603剝離。沿前導周邊邊緣911之整個長度「L3」同時剝離可利用力沿前導周邊邊緣之整個長度之均勻施加來達成,且可有助於減少沿該長度之不必要的應力尖峰,該不必要的應力尖峰可在其他情況下損壞第一基板。
在剝離第一基板601之前導周邊邊緣911的步驟1919之後的某時,該方法可視情況包括以下步驟1921:基於在剝離之步驟1919期間獲得的資訊,判定第一基板601之前導周邊邊緣1919與第二基板603之間的黏合強度。例如,來自負載感測器141之資訊(例如,力量測值)可藉由通訊線路141a傳輸至控制裝置143。控制裝置143可配置來監視來自負載感測器141之資訊,且可進一步經配置以由於資訊(諸如,力量測值)中之尖峰而識別初始分離1005發生之時間,該尖峰發生在初始分離1005之時。藉由負載感測器141在初始分離1005之時提供的資訊可用於判定(例如,計算)第一基板601之前導周邊邊緣1919與第二基板603之間的黏合強度。黏合強度可以多種方式來使用。例如,判定黏合強度可用於幫助判定黏合至第二基板之第一基板之規格。此資訊可提供至供應商,該等供應商可想要此資訊來對第一基板進行適當的進一步處理。黏合強度亦可作為反饋提供至控制裝置143,以用於修改將後續第一基板自後續第二基板分離之後續製程。實情為,可採取一 系列分離程序來涉及具有類似黏合強度之基板。因而,黏合強度之反饋可用於幫助微調製程以增加分離之效率及有效性(例如,減少達成初始分離之時間、在分離時維持最小彎曲半徑等等)。
在剝離前導周邊邊緣911之步驟1919之後,該方法可進一步包括以下步驟1923:將第一基板601自第二基板603完全地移除。在又一實例中,如第11圖及第12圖所示,將第一基板601自第二基板603完全地移除之步驟1923包含將第一基板自第二基板完全地剝離。實情為,真空附接構件117可受舉升,其中臂119在方向135上繞浮動鉸鏈127樞轉,以使得剝離設備101達成打開定向。在第12圖所示的打開定向中,第一基板601自第二基板603完全地剝離,即使圖式例示成第一基板601之外部拐角擱置(而不黏著)於第二基板603之外部部分上亦如此。
在一些實例中,在將第一基板自第二基板剝離(例如,初始地剝離、部分地剝離、完全地剝離)之步驟期間,該方法可進一步包括以下步驟1925:控制第一基板601之彎曲半徑「R」(參見第11圖)。例如,可能需要確保第一基板601不以彎曲半徑小於預定最小彎曲半徑之方式剝離。預定最小彎曲半徑可為第一基板601可受安全彎曲而無破裂或以其他方式遭損壞之顯著機率的半徑。在一個實例中,控制裝置143可控制致動器133以在初始分離1005之後隨時間推移提供預定變化力 「F」。以隨時間推移之受控方式來改變力「F」可經設計來確保彎曲半徑「R」不落至預定最小彎曲半徑以下。在其他實例中,儘管未展示,但可提供近接感測器,其感測第一基板之實際彎曲半徑,其中控制裝置143可基於來自近接感測器之反饋適當地修改藉由致動器施加的力「F」。
在其他實例中,除預選擇最小彎曲半徑之外,控制彎曲半徑「R」之步驟1925可進一步包括選擇可撓性膜917以增加第一基板601之有效剛度,以便在將第一基板自第二基板剝離(例如,初始地剝離、部分地剝離、完全地剝離)之步驟期間維持第一基板601之彎曲半徑「R」在最小彎曲半徑以上。例如,切割膠帶可經選擇用於可撓性膜917,該切割膠帶具有足夠剛性以在跨於第一基板601之整個第二主表面601b施加時,調整第一基板601之有效剛性。第一基板601之剛性可藉由選擇例如切割膠帶(包括背襯及/或黏著劑)之材料及/或厚度來調整。增加第一基板601之剛性可有助於第一基板抵抗彎曲,且因此有助於在將第一基板601自第二基板603剝離(例如,初始地剝離、部分地剝離、完全地剝離)時,維持彎曲半徑「R」在預定最小彎曲半徑以上。
一旦將第一基板601自第二基板603完全地移除之步驟1923完成,該方法即可在製程之任何點處結束,如藉由箭頭1927、1929、1931及1933所指示。在該方法結束之前,在一個實例中,該方法可進一步利 用處理第一基板601之可選步驟1935來繼續,如箭頭1937所指示。實情為,可進行其他處理步驟,其中可撓性膜917可對第一基板601之第二主表面601b提供保護。在其他實例中,舌片1001可用於幫助處理第一基板(例如,操縱第一基板)而無需夾持第一基板,該夾持可在其他情況下損壞第一基板。
結束之前,該方法亦可包括以下步驟1939:將可撓性膜917自第一基板601移除。可取決於用於將可撓性膜917黏合至第一基板601之黏著劑之特性來使用各種移除技術。在一個實例中,將可撓性膜917自第一基板601移除之步驟1939可包括將可撓性膜曝露於紫外光,以自第一基板601之第二主表面601b釋放可撓性膜917,如可撓性膜之黏著劑為UV敏感性時的情況。
關於第19圖及第1圖-第12圖描述的方法可利用廣泛範圍之基板來進行。第13圖-第15圖例示另一實例,除非另有指明,否則該實例可包括關於以上第19圖及第1圖-第12圖所論述的相同步驟及/或等效步驟。然而,在第13圖-第15圖之所例示實例中,第一基板1301包含載體基板,且第二基板1302(例如,玻璃基板或矽晶圓)可真空附接至真空板103。類似地,如以上所論述,第一基板1301可自第二基板1302剝離(例如,完全地剝離),如第13圖及第15圖所示。
第16圖-第18圖例示另一實例,除非另有指明,否則該實例可包括關於以上第19圖及第1圖-第15 圖所論述的相同步驟及/或等效步驟。然而,在第16圖-第18圖之所例示實例中,第一基板1601a包含第一載體基板,且第二基板1601b包含可真空附接至真空板103之第二載體基板。中間基板1603可夾在第一載體基板1601a與第二載體基板1601b之間,且可移除地黏合至該等載體基板。類似地,如以上所論述,第一基板1601a可藉由自中間基板1603剝離(例如,完全地剝離)而自第二基板1601b剝離(例如,完全地剝離)。一旦完全地剝離,中間基板1603即可藉由第5圖-第12圖或第13圖-第15圖所示的方法之一自第二載體基板1601b剝離。中間基板可由一或多個層製成。例如,中間基板可為顯示面板,其包括背板基板、蓋基板及安置於其之間的顯示元件。
此等僅為可對以上所述之設備及方法做出的變化之幾個實例。可在不脫離發明申請專利範圍之精神及範疇的情況下做出其他各種修改及變化。
L1‧‧‧長度
L2‧‧‧長度
F‧‧‧力
101‧‧‧剝離設備
103‧‧‧真空板
104‧‧‧真空源
104a‧‧‧通訊線路
105‧‧‧平移軸
107a‧‧‧第一方向/方向
107b‧‧‧第二方向/方向
109‧‧‧軸承
111‧‧‧平移軌
113‧‧‧固定螺釘
115‧‧‧支撐表面
117‧‧‧真空附接構件
118‧‧‧真空源
119‧‧‧臂
121‧‧‧前導邊緣
123‧‧‧尾端
125‧‧‧尾端
127‧‧‧浮動鉸鏈
129‧‧‧鉸鏈銷
131‧‧‧狹槽
133‧‧‧致動器
133a‧‧‧通訊線路
135‧‧‧方向
137‧‧‧連桿
138‧‧‧掛鉤
139‧‧‧細絲
141‧‧‧負載感測器
141a‧‧‧通訊線路
143‧‧‧控制裝置
201b‧‧‧第二銷/銷
901‧‧‧真空導管
905‧‧‧真空導管

Claims (10)

  1. 一種處理一第一基板之方法,其中該第一基板之一第一主表面可移除地黏合至一第二基板之一第一主表面,該方法包含以下步驟:(I)將一可撓性膜黏合至該第一基板之一第二主表面,其中該可撓性膜包括延伸離開該第一基板之一前導周邊邊緣之一舌片;以及(II)藉由向該舌片施加一力來將該第一基板之該前導周邊邊緣自該第二基板剝離。
  2. 如請求項1所述之方法,其中該第一基板包括約100微米至約300微米之一厚度。
  3. 如請求項1所述之方法,其中該前導周邊邊緣包括限定於該第一基板之一第一側向邊緣與一第二側向邊緣之間的一長度,且步驟(I)包括將該可撓性膜黏合至該第一基板之該第二主表面,以使得該可撓性膜沿該前導周邊邊緣之實質上整個長度延伸。
  4. 如請求項3所述之方法,其中步驟(II)沿該前導周邊邊緣之該長度向該舌片均勻地施加該力。
  5. 如請求項1之方法,其中在步驟(II)之後,進一步包含以下步驟:將該第一基板自該第二基板完全地移除。
  6. 如請求項1所述之方法,其進一步包含以下 步驟:預選擇該第一基板之一最小彎曲半徑且選擇一可撓性膜以增加該第一基板之有效剛度,以便在將該第一基板自該第二基板剝離時維持該第一基板之一彎曲半徑在該最小彎曲半徑以上。
  7. 如請求項1所述之方法,其進一步包含以下步驟:在將該第一基板自該第二基板剝離時控制該第一基板之一彎曲半徑。
  8. 如請求項1所述之方法,其中步驟(I)黏合該可撓性膜以覆蓋該第一基板之實質上整個第二主表面。
  9. 如請求項1-8中任一項所述之方法,其中步驟(I)將該可撓性膜黏合至該第一基板之該第二主表面,以使得該舌片延伸離開該第一基板之該前導周邊邊緣約5cm至約20cm之一距離。
  10. 如請求項1所述之方法,其中在步驟(II)之後,進一步包含以下步驟:將該可撓性膜自該第一基板移除,其中該將該可撓性膜自該第一基板移除之步驟包括以下步驟:將該可撓性膜曝露於紫外光以將該可撓性膜自該第一基板之該第二主表面釋放。
TW104138342A 2014-11-19 2015-11-19 包括剝離方法的處理方法(二) TW201628958A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462081892P 2014-11-19 2014-11-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201628958A true TW201628958A (zh) 2016-08-16

Family

ID=56014415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104138342A TW201628958A (zh) 2014-11-19 2015-11-19 包括剝離方法的處理方法(二)

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP2017537857A (zh)
KR (1) KR20170086593A (zh)
CN (1) CN107210247A (zh)
SG (1) SG11201704108YA (zh)
TW (1) TW201628958A (zh)
WO (1) WO2016081337A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017122879A1 (de) * 2017-10-02 2019-04-04 Bayerisches Zentrum für Angewandte Energieforschung e.V. Vorrichtung zur sensorgestützten Datenerfassung
CN108155270B (zh) * 2017-12-13 2019-09-20 北京创昱科技有限公司 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法
TW202211363A (zh) * 2020-09-01 2022-03-16 美商伊路米納有限公司 夾具及相關系統及方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6431623B1 (en) * 1999-06-11 2002-08-13 Honeywell International Inc. Vacuum device for peeling off thin sheets
JP4494753B2 (ja) * 2003-10-27 2010-06-30 リンテック株式会社 シート剥離装置及び剥離方法
JP2006059861A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Lintec Corp 脆質部材の転着装置
US8137417B2 (en) * 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
JP2009154407A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tdk Corp 剥離装置、剥離方法および情報記録媒体製造方法
CN101661198A (zh) * 2008-08-26 2010-03-03 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器阵列基板及其制造方法
JP2010204264A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Dainippon Printing Co Ltd 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法
JP6003675B2 (ja) * 2013-01-25 2016-10-05 旭硝子株式会社 基板の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107210247A (zh) 2017-09-26
KR20170086593A (ko) 2017-07-26
WO2016081337A1 (en) 2016-05-26
JP2017537857A (ja) 2017-12-21
SG11201704108YA (en) 2017-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6942630B2 (ja) 剥離を含む加工の方法
JP6314136B2 (ja) ガラス基板を加工する方法およびガラス器具
CN107481958B (zh) 对位贴合设备和对位贴合方法
WO2016201830A1 (zh) 柔性基板及其制作方法、显示装置
TW201310744A (zh) 用於將施體薄膜從基板上剝離之方法及裝置
KR20170087117A (ko) 유연 기판 제조 장치
TW201628958A (zh) 包括剝離方法的處理方法(二)
TW201325904A (zh) 可撓式元件的取下方法
JP5697769B2 (ja) 偏光フィルム貼付装置
JP2015208736A (ja) 拭き取り装置および積層体の作製装置
TW201737766A (zh) 處理基板的方法
JP2016539502A (ja) 剥離方法および装置
KR20160052878A (ko) 합착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
JP2009099865A (ja) 保護テープの除去装置と除去方法
KR102116267B1 (ko) 편광판의 이형필름 제거장치 및 제거방법
JP2006039238A (ja) 偏光板やarフィルム等の機能性フィルムの貼付装置
JP2017075028A (ja) カバーフィルム剥離装置
KR102268164B1 (ko) 유연 디바이스 제조 장치 및 이를 이용한 유연 디바이스의 제조 방법
CN220731467U (zh) 一种晶圆解胶装置
JP2007163694A (ja) 光学フィルム貼付け装置、光学フィルム貼付け方法、及び表示用パネルの製造方法
KR101774219B1 (ko) 비접촉식 약액 필름 박리 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 합착 장치 및 방법
KR101590088B1 (ko) 패드 박리 장치 및 이를 포함하는 유리판 연마 시스템
KR101408379B1 (ko) 합착 시트를 이용한 패턴 형성 장치 및 방법, 및 이를 구비한 평판디스플레이 제조 장치 및 방법
TWM647866U (zh) 晶圓膠膜移除裝置
JP2005141139A (ja) 偏光板吸引テーブルおよび偏光板貼付装置