TW201624790A

TW201624790A - 有機電致發光裝置及照明裝置

Info

Publication number: TW201624790A
Application number: TW104134695A
Authority: TW
Inventors: Yasumi Yamada
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2014-12-22
Filing date: 2015-10-22
Publication date: 2016-07-01
Also published as: WO2016103857A1; JP2016119231A

Abstract

一種有機電致發光裝置，依序具有支持基板、第1吸濕層、具有有機層之有機電致發光元件、第2吸濕層、及防濕層。該防濕層，在平面透視時，設置成越過第1吸濕層之端部及第2吸濕層之端部。

Description

有機電致發光裝置及照明裝置

技術領域

本發明係有關於一種有機電致發光裝置等。

背景技術

以下，有機電致發光記載為「有機EL」。

以往，具有支持基板、及設於前述支持基板上之有機EL元件的有機EL裝置是習知的。前述有機EL元件具有第1電極、第2電極、及設於前述兩電極間之有機層。

前述有機EL元件容易因水分而劣化。為防止有機EL元件之水分劣化，例如，在專利文獻1中揭示了有機EL裝置，該有機EL裝置具有設於支持基板且包含有機層之有機EL元件、設於有機EL元件上之吸濕膜、及設於吸濕膜上之氣體障壁膜。

專利文獻1中說明了該有機EL裝置，由於吸濕膜覆蓋有機EL元件之表面及側面，且氣體障壁膜進一步覆蓋前述吸濕膜之表面及側面，故容易遮斷水分的主旨。

然而，前述構造之有機EL裝置無法充分地防止透過支持基板之水分或通過支持基板與氣體障壁膜之界面的水分侵入有機層。該有機EL裝置，由於無法充分地防止水蒸氣侵入有機層，故有發光壽命比較短之問題。

先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-020335號公報

發明概要

本發明之目的在於提供一種有效地防止水分侵入有機層，使發光壽命長之有機EL裝置及照明裝置。

本發明之有機EL裝置，依序具有支持基板、第1吸濕層、具有有機層之有機EL元件、第2吸濕層、及防濕層，且在平面透視時，前述防濕層設置成越過前述第1吸濕層之端部及第2吸濕層之端部。

本發明之較佳有機EL裝置的前述第1吸濕層，在平面透視時，設置成越過前述有機層之端部。

本發明之較佳有機EL裝置的前述第2吸濕層，在平面透視時，設置成越過前述有機層之端部。

本發明之較佳有機EL裝置的前述第2吸濕層被覆前述有機層之表面側及端面側，前述防濕層被覆前述第2吸濕層之表面側及端面側。

本發明之較佳有機EL裝置之前述有機EL元件局部具有端子，且在沒有前述端子的地方，前述第1吸濕層及第2吸濕層直接地密接。

本發明之較佳有機EL裝置之前述第1吸濕層及第2吸濕層分別獨立地包含硼化合物或硫化化合物。

依據本發明之另一方面，本發明提供一種照明裝置。

本發明之照明裝置，具有前述任一有機EL裝置。

本發明之有機EL裝置可藉防濕層防止水分侵入內部，進一步，些許侵入之水分亦被吸收至第1及第2吸濕層中，因此可有效地防止水分侵入有機層。該有機EL裝置之有機EL元件難以水分劣化，且可比較長期間安定地發光。

1‧‧‧有機EL裝置

2‧‧‧支持基板

2e,5e,33e,41e,42e‧‧‧端部

3‧‧‧有機EL元件

5‧‧‧防濕層

10‧‧‧長條物

31‧‧‧第1電極

32‧‧‧第2電極

31a,32a‧‧‧端子

33‧‧‧有機層

41‧‧‧第1吸濕層

42‧‧‧第2吸濕層

49‧‧‧接合部分

51‧‧‧第2防濕層

321‧‧‧第2主電極

322‧‧‧第2副電極

圖式之簡單說明

圖1係本發明之第1實施形態之有機EL裝置的平面圖。

圖2係在圖1之II-II線切斷且省略中央部的放大截面圖。

圖3係在圖1之III-III線切斷的放大截面圖。

圖4係第2實施形態之有機EL裝置的平面圖。

圖5係在圖4之V-V線切斷且省略中央部的放大截面圖。

圖6係在圖4之VI-VI線切斷的放大截面圖。

圖7係在圖4之VII-VII線切斷的放大截面圖。

圖8係顯示平面透視同一有機EL裝置時，第1吸濕層、第1電極、有機層、第2電極、第2吸濕層及防濕層之各端部的示意圖。

圖9係第3實施形態之有機EL裝置的平面圖。

圖10係在圖9之X-X線切斷的放大截面圖。

圖11係在圖9之XI-XI線切斷的放大截面圖。

圖12係顯示平面透視同一有機EL裝置時，第1吸濕層、第1電極、有機層、第2電極、第2吸濕層及防濕層之各端部的示意圖。

圖13係在沒有端子的地方切斷第5實施形態之有機EL裝置的放大截面圖。

圖14係在沒有端子的地方切斷第6實施形態之有機EL裝置的放大截面圖。

圖15係有機EL裝置連續地連接之長條物的平面圖。

圖16係在沒有端子的地方切斷分別在實施例1及比較例1製成之有機EL裝置的參考放大截面圖。

圖17係在沒有端子的地方切斷分別在比較例2及比較例3製成之有機EL裝置的參考放大截面圖。

用以實施發明之形態

以下，一面參照圖式一面說明本發明。但是，請留意各圖中顯示之厚度及長度等尺寸與實際者不同。

在本說明書中，表面係指板狀有機EL裝置或各層之其中一面，而背面係指與表面相反側之面。端面係指沿有機 EL裝置或各層之厚度方向延伸的面。各層係構成有機EL裝置之構件(支持基板、第1吸濕層、有機EL元件、第2吸濕層、防濕層等)的總稱。在本說明書中，雖然有時會在用語之前加上「第1」、「第2」，但該第1等只是為區別用語所附加，沒有其順序及優劣等之特別意味。在本說明書中，「PPP至QQQ」之記載意味「PPP以上且QQQ以下」。

[第1實施形態之有機EL裝置的結構]

圖1係由表面側觀看第1實施形態之有機EL裝置的平面圖。在有機EL裝置為頂部發光型之情形中，其表面係指光射出之面，而在有機EL裝置為底部發光型之情形中，其表面係指與光射出之面相反側的面。此外，本發明之有機EL裝置可為頂部發光型、底部發光型、或兩面發光型中任一種。

圖2係在沒有端子的地方在與第1方向平行之線切斷圖1之有機EL裝置的截面的放大圖，圖3係在具有端子的地方在與第2方向平行之線切斷圖1之有機EL裝置的截面的放大圖。此外，在圖2中，省略截面構造沒有變化之中間部。

在圖1至圖3中，有機EL裝置1依序具有支持基板2、第1吸濕層41、具有有機層33之有機EL元件3、第2吸濕層42、及防濕層5。前述防濕層5，在平面透視時，設置成分別越過前述第1吸濕層41及第2吸濕層42之端部41e、42e。有機EL裝置1雖然可具有無法彎曲程度之剛性，但宜具有可彎曲之撓性。有機EL元件3具有局部露出外部之端子31a、32a。此外，在圖1中，為了容易了解地圖示露出外部之端子31a、32a，在該部分上權宜地附加無數點。

前述支持基板2、第1吸濕層41、具有有機層33之有機EL元件3、第2吸濕層42及防濕層5依序積層。在沿厚度方向依序排列之條件下，前述支持基板等之各層2、41、33、42、5可在分別直接密接之狀態下積層，或者，亦可在各層間或由前述各層任意選擇之2層間中介任意機能層之狀態下積層。

此外，在本說明書中，平面透視意味，在概念上，使視線相對於有機EL裝置之表面垂直，接著透視在該視線方向之對象構件。

如圖1至圖3所示，在平面透視時，前述第1吸濕層41及第2吸濕層42之端部41e、42e在厚度方向上一致。詳而言之，前述第1吸濕層41及第2吸濕層42，在平面透視時，形成相同面積之所希望形狀(在圖示例中為平面圖大略矩形)。即，前述第1吸濕層41及第2吸濕層42同形狀同大小且沿厚度方向重疊。因此，平面透視時，前述第1吸濕層41之端部41e與第2吸濕層42之端部42e一致。

前述第1吸濕層41及第2吸濕層42，在平面透視時，設置成越過前述有機層33之端部33e。詳而言之，前述第1吸濕層41及第2吸濕層42之面積分別大於有機層33。此外，前述有機層33之形狀沒有特別限制，可形成所希望形狀，而在圖示例中，形成平面圖大略矩形。前述第1吸濕層41之端部41e，在平面透視時，位於有機層33之端部33e外側，且前述第2吸濕層42之端部42e，在平面透視時，位於有機層33之端部33e外側。換言之，有機層33形成在第1吸濕層41及第2吸濕層42之內側。因此，在平面透視時，第1吸濕層41以覆蓋有機層33之背面側全體的方式積層，且第2吸濕層42以覆蓋有機層33之表面側全體的方式積層。

前述防濕層5，在平面透視時，設置成越過前述第1吸濕層41之端部41e及第2吸濕層42之端部42e。詳而言之，前述防濕層5之面積比第1吸濕層41及第2吸濕層42大。此外，前述防濕層5之形狀沒有特別限制，可形成所希望形狀，而在圖示例中，形成平面圖矩形。前述防濕層5之端部5e，在平面透視時，位於第1吸濕層41之端部41e外側且位於第2吸濕層42之端部42e外側。換言之，第1吸濕層41及第2吸濕層42形成在防濕層5之內側。因此，在平面透視時，防濕層5以覆蓋第1吸濕層41及第2吸濕層42之表面側全體的方式積層。

此外，在本說明書中，第1吸濕層41之端部41e，在平面透視時，意味第1吸濕層41之輪廓線，而第2吸濕層42、有機層33及防濕層5等之端部亦同樣地，在平面透視時，意味該等之輪廓線。

圖2及圖3中，有機EL裝置1由積層以下之構造形成，即：支持基板2、設於支持基板2上之第1吸濕層41、設於前述第1吸濕層41上之有機EL元件3、設於前述有機EL元件3上之第2吸濕層42、及設於前述第2吸濕層42上之防濕層5。

前述第1吸濕層41設於支持基板2之內面。支持基板2比第1吸濕層41足夠大，因此，支持基板2之端部2e延伸至第1吸濕層41之端部41e外側。

前述有機EL元件3包括具有端子31a之第1電極31、具有端子32a之第2電極32、及設於前述兩電極31、32間之有機層33。端子31a係陽極或陰極之端子，而端子32a係其相反極之端子。例如，端子31a係陽極(+)，而端子32a係陰極(-)。

第1電極31，以除了端子31a以外，直接密接於第1吸濕層41之表面的狀態積層。第1電極31之端子31a以直接密接於支持基板2之表面的狀態積層。有機層33以直接密接於該第1電極31之表面的狀態積層。第2電極32，以除了端子32a以外，直接密接於有機層33之表面的狀態積層。第2電極32之端子32a以直接密接於支持基板2之表面的狀態積層。第2吸濕層42，以除了端子32a以外直接密接於第2電極32之表面的狀態積層。如上所述，第1吸濕層41及第2吸濕層42分別設置成分別越過有機層33之端部33e。因此，第1吸濕層41之端部41e及第2吸濕層42之端部42e設置成分別越過有機層33之端部33e。而且，第2吸濕層42被覆有機層33之表面側並且被覆有機層33之端面側。因此，有機層33之背面側被第1吸濕層41被覆，而有機層33之表面側及端面側被第2吸濕層42被覆。

如圖2所示，在沒有端子31a、32a的地方，第1吸濕層41及第2吸濕層42直接地密接。第1吸濕層41及第2吸濕層42密接且兩層41、42接合之部分以符號49表示。該接合部分49係第1吸濕層41與第2吸濕層42之界面。然而，在第1吸濕層41及第2吸濕層42由同一材料形成之情形中，前述界面幾乎無法確認，在此情形中，第1吸濕層41及第2吸濕層42藉由接合部分49一體化。

此外，如圖3所示，在具有端子31a、32a的地方，第1吸濕層41及第2吸濕層42透過端子31a、32a密接。因此，有機層33之周圍被第1吸濕層41及第2吸濕層42包圍。有機層33可說是被封入吸濕層(第1吸濕層41及第2吸濕層42)之內部。

防濕層5，以除了端子31a、32a以外，直接密接於第2吸濕層42之表面的狀態積層。如上所述，防濕層5設置成越過第1吸濕層41之端部41e及第2吸濕層42之端部42e。防濕層5之端部5e延伸越過第1吸濕層41之端部41e及第2吸濕層42之端部42e。而且，防濕層5被覆第2吸濕層42之表面側並且亦被覆第2吸濕層42之端面側。如圖2所示，在沒有端子31a、32a的地方，防濕層5亦被覆第1吸濕層41之端面，且直接密接於支持基板2之表面。如圖3所示，在具有端子31a、32a的地方，密接於第2吸濕層42之端面的防濕層5密接於端子31a、32a之基部。

前述第1電極31之端子31a，例如，配設於有機EL裝置之第2方向一側，且，第2電極32之端子32a配設於第2方向相反側。在圖示例中，第1電極31之端子31a及第2電極32之端子32a沿有機EL裝置之第1方向分別延伸。前述第1方向係有機EL裝置之任意1方向，而前述第2方向係在有機 EL裝置之面內與前述第1方向直交的方向。

前述端子31a係第1電極31之一部分，且係露出外部之電極部分。前述端子32a係第2電極32之一部分，且係露出外部之電極部分。第1電極31之端子31a及第2電極32之端子32a不被防濕層5被覆而露出外部。

此外，在支持基板2具有導電性之情形中，為防止電氣短路，在支持基板2之表面上可設置絕緣層(未圖示)。

有機EL元件3之有機層33包含發光層，且可依需要具有電洞輸送層及電子輸送層等之各種機能層。有機層33之層結構稍後說明。

藉由將電源與前述第1電極31及第2電極32之各端子31a、32a連接並通電，使有機層33發光。

前述第1及第2吸濕層41、42係吸收水分之層。

前述防濕層5係用以防止水分(水蒸氣)等侵入有機EL元件3之層。

另外，本發明之有機EL裝置不限於上述第1實施形態，在本發明之意圖的範圍內可適當變更設計。以下，雖然說明本發明之其他實施形態，但在該說明中，主要說明與上述第1實施形態不同之結構及效果，而與上述第1實施形態相同之結構等，原樣地援用(作為對其進行說明者)用語或符號，且有時省略其結構的說明。

[第2實施形態之有機EL裝置的結構]

在圖4至圖7中，第2實施形態之有機EL裝置1，與第1實施形態同樣地，依序具有支持基板2、第1吸濕層41、具有有機層33之有機EL元件3、第2吸濕層42、及防濕層5。前述防濕層5，在平面透視時，設置成越過前述第1吸濕層41及第2吸濕層42之端部41e、42e，且第1吸濕層41及第2吸濕層42設置成越過有機層33之端部33e。

在本實施形態中，第2電極32由積層在有機層33之表面上且供給電荷至有機層33的第2主電極321、及具有端子32a的第2副電極322構成。

具體而言，第1電極31積層在第1吸濕層41之表面上。第1電極31具有2端子31a、31a，且其中一端子31a配設於有機EL裝置1之第1方向一側，而另一端子31a則配設於第1方向相反側。有機層33，以除了端子31a以外，直接密接於該第1電極31之表面的狀態積層。

另一方面，第2副電極322與第1電極31分開，且在第2方向一側，跨置在支持基板2之表面及第1吸濕層41之表面上而積層。第2副電極322具有2端子32a、32a，且其中一端子32a配設於有機EL裝置1之第1方向一側，而另一端子32a則配設於第1方向相反側。此外，第2主電極321跨置在有機層33之表面及第2副電極322之表面上而積層。由前述端子32a供給之電荷由第2副電極322通過第2主電極321，供給至有機層33。

如圖6及圖7所示，在沒有端子31a、32a的地方，第1吸濕層41及第2吸濕層42直接地密接。第1吸濕層41及第2吸濕層42藉由接合部分49一體化。

此外，如圖5所示，在具有端子31a、32a的地方，第1 吸濕層41及第2吸濕層42透過端子31a、32a密接。因此，在本實施形態中，有機層33之周圍被第1吸濕層41及第2吸濕層42包圍。

防濕層5，以除了端子31a、32a以外，直接密接於第2吸濕層42之表面的狀態積層。防濕層5被覆第2吸濕層42之表面側並且亦被覆第2吸濕層42之端面側。如圖6及圖7所示，在沒有端子31a、32a的地方，防濕層5亦被覆第1吸濕層41之端面，且直接密接於支持基板2之表面。

圖8係示意地顯示平面透視第2實施形態之有機EL裝置時，各層之配置的圖。為容易區別各層，以單點虛線表示第1電極31之輪廓，以雙點虛線表示第2電極32之輪廓，以虛線表示第1及第2吸濕層41、42之輪廓，以小虛線表示有機層33之輪廓，且以實線表示防濕層5之輪廓。

[第3實施形態之有機EL裝置的結構]

在圖9至圖11中，第3實施形態之有機EL裝置1，與第1實施形態同樣地，依序具有支持基板2、第1吸濕層41、具有有機層33之有機EL元件3、第2吸濕層42、及防濕層5。前述防濕層5，在平面透視時，設置成越過前述第1吸濕層41及第2吸濕層42之端部41e、42e，且第1吸濕層41及第2吸濕層42設置成越過有機層33之端部33e。

在本實施形態中，具有端子31a之第1電極31設於多數地方。此外，第2電極32由積層在有機層33之表面上且供給電荷至有機層33的多數第2主電極321、及具有端子32a的多數第2副電極322構成。本實施形態之有機EL裝置1獨立地形成多數發光區域。

具體而言，第1電極31獨立地設於多數地方(例如4地方)。各第1電極31積層在第1吸濕層41之表面上。各第1電極31具有一個端子31a。二個第1電極31之端子31a配設於有機EL裝置1之第1方向一側，而另二個第1電極31之端子31a配設於第1方向相反側。有機層33，以除了端子31a以外，直接密接於各第1電極31之表面的狀態積層。

另一方面，第2電極32，例如，由二個第2主電極321、及二個第2副電極322構成。一個第2副電極322與第1電極31分開，且在第2方向一側，積層在支持基板2之表面上。另一個第2副電極322與第1電極31分開，且在第2方向相反側，積層在支持基板2之表面上。各第2副電極322分別具有二個端子32a、32a，其中一端子32a配設於有機EL裝置1之第1方向一側，而另1端子32a配設於第1方向相反側。另外，二個第2主電極321在互相分開之狀態下，沿第2方向延伸。二個第2主電極321，在二第2主電極321間具有間隔之狀態下，跨置在有機層33之表面及二個第2副電極322之表面上而積層。由前述各端子32a供給之電荷由各第2副電極322通過各第2主電極321，供給至有機層33。

本實施形態之有機EL裝置1，在有機層33中，四個第1電極31及二個第2主電極重疊之四個區域發光。

此外，在本實施形態中，亦在沒有端子31a、32a的地方，第1吸濕層41與第2吸濕層42直接地密接。另外，如圖10所示，在具有端子31a的地方，第1吸濕層41及第2吸濕層42透過端子31a密接。

防濕層5，以除了端子31a、32a以外，直接密接於第2吸濕層42之表面的狀態積層。防濕層5被覆第2吸濕層42之表面側並且亦被覆第2吸濕層42之端面側。

圖12係示意地顯示平面透視第3實施形態之有機EL裝置時，各層之配置的圖。為容易區別各層，以單點虛線表示第1電極31之輪廓，以雙點虛線表示第2電極32之輪廓，以虛線表示第1及第2吸濕層41、42之輪廓，以小虛線表示有機層33之輪廓，且以實線表示防濕層5之輪廓。

[第4實施形態之有機EL裝置的結構]

在上述第1至第3實施形態中，雖然第1吸濕層41之端部41e及第2吸濕層42之端部42e一致(即，雖然第1吸濕層41與第2吸濕層42同形狀同大小且在平面透視時重疊)，但亦可第1吸濕層41及第2吸濕層42中之任一層比另一層大。

例如，第1吸濕層41之端部41e可以由第2吸濕層42之端部42e延伸至外側的方式形成第1吸濕層41，或者，第2吸濕層42之端部42e可以由第1吸濕層41之端部41e延伸至外側的方式形成第2吸濕層42(未圖示)。

[第5實施形態之有機EL裝置的結構]

在上述第1至第3實施形態中，雖然第1吸濕層41及第2吸濕層42，在平面透視時，可都設置成越過有機層33之端部33e，但第1吸濕層41之端部41e及第2吸濕層42之端部42e中之任一端部，在平面透視時，亦可與有機層33之端部33e一致或配置於有機層33之端部33e內側。

例如，在圖13所示之例中，第1吸濕層41之端部41e配置於有機層33之端部33e內側。該第1吸濕層41，在平面透視時，進入有機層33之端部33e。在此情形中，防濕層5，在平面透視時，亦形成為越過第1及第2吸濕層41、42之端部41e、42e，因此可防止水分由第1及第2吸濕層41、42之端面侵入。

不過，如上述實施形態地，第1吸濕層41及第2吸濕層42都設置成越過有機層33之端部33e之有機EL裝置1由於藉第1及第2吸濕層41、42封入有機層33，故是較佳的。

[第6實施形態之有機EL裝置的結構]

此外，如圖14所示，在支持基板2之表面上，可積層與設於第2吸濕層42上之防濕層5分開的另一防濕層51。該防濕層51(稱為第2防濕層51)設於第1吸濕層41之背面側，如圖所示，宜以可與防濕層5接合之程度的大小設置，更佳的是設於支持基板2之表面全體上。藉由如此使防濕層5與第2防濕層51接合，可有效地防止水分之侵入。

另外，圖13及圖14之有機EL裝置，雖然例示第1實施形態之結構，但亦可更換成第2或第3實施形態之結構。

[支持基板]

前述支持基板係片狀物，且宜為可撓之片狀物。

前述支持基板可為透明或不透明。然而，在構成底部發光型之有機EL裝置之情形中，使用透明之支持基板。在構成頂部發光型之有機EL裝置之情形中，可使用透明之支持基板或不透明之支持基板。此外，前述透明意味無色透明或有色透明。前述透明之指標可例示為，例如，全光線透射率70%以上，且以80%以上為佳。然而，前述全光線透射率係藉由依據JIS K7105(塑膠之光學特性試驗方法)之測量法來測量。

在本發明中，支持基板宜使用可防止水蒸氣及氧等侵入之具有優異障壁性的基板。例如，支持基板可由，例如，金屬片、樹脂片、玻璃片、陶瓷片等適當選擇使用。此外，在本說明書中，片包含一般被稱為薄膜者。前述金屬片雖然沒有特別限制，但可舉由不鏽鋼、銅、鈦、鋁、合金等構成之可撓薄板為例。前述金屬片之厚度係，例如10μm至100μm。前述樹脂片雖然沒有特別限制，但可舉由以下者形成之可撓合成樹脂片為例，即：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等之聚酯系樹脂；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚甲基戊烯(PMP)、乙烯丙烯共聚物、乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等之以α-烯烴為單體成分的聚烯烴系樹脂；聚氯乙烯(PVC)；乙酸乙烯酯系樹脂；聚碳酸酯(PC)；聚苯硫(PPS)；聚醯胺(尼龍)、全芳香族聚醯胺(聚芳醯胺)等之醯胺系樹脂；聚醯亞胺系樹脂；聚醚醚酮(PEEK)等。前述樹脂片之厚度雖然沒有特別限制，但可為，例如，10μm至200μm。因為可賦予良好障壁性，可在前述樹脂片之至少一面積層習知之障壁層。

此外，為防止驅動時有機EL裝置之溫度上升，前述支持基板宜具有優異散熱性。另外，在使用導電性基板(金屬片等)作為支持基板之情形中，為對於對面之電極絕緣，可在前述支持基板之表面設置絕緣層。再者，在支持基板上設有絕緣層之情形中，第1吸濕層宜設置在該絕緣層之表面上。

[第1及第2吸濕層]

第1及第2吸濕層包含具有吸收水分之性質的材料。前述具有吸收水分之性質的材料可舉例如：硼化合物；硫化化合物；鹼金屬或鹼土族金屬之氧化物、氟化物、硫酸鹽、鹵化物、磷酸鹽或過氯酸鹽；分散有鹼金屬或鹼土族金屬之氧化物粒子的樹脂等。第1吸濕層及第2吸濕層分別獨立地包含選自於前述材料之1種或2種以上，較佳地，包含硼化合物或硫化化合物中之至少一者。此外，由分散有鹼金屬或鹼土族金屬之氧化物粒子之樹脂形成之吸濕層由於已揭示於專利文獻1(日本特開2011-020335號)中，故詳細情形請參照專利文獻1。

前述硼化合物係在其分子中含有硼原子之化合物，且由於可藉真空蒸鍍法形成吸濕層，故含硼無機化合物是理想的。前述含硼無機化合物可舉硼之氧化物、硼之含氧酸、硼之溴化物等為例。前述硼之氧化物可舉氧化硼(B₂O₃)為例。前述硼之含氧酸係以硼原子為中心原子之含氧酸或其鹽。硼之含氧酸可舉例如：原硼酸、偏硼酸、次硼酸、四硼酸、五硼酸、及其鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等。前述硼之溴化物可舉三溴化硼(BBr₃)為例。其中，由於具有優異吸濕性，氧化硼是理想的。此外，由於氧化硼亦具有優異透明性，故作為頂部發光型有機EL裝置之吸濕層的形成材料是理想的。

前述硫化化合物係在其分子中含有硫原子之化合物。且由於可藉真空蒸鍍法形成吸濕層，故含硫無機化合物是理想的。前述含硫無機化合物可舉例如：鹼金屬或鹼土族金屬之硫化物；鹼金屬或鹼土族金屬以外之金屬的硫化物；非金屬硫化物等。前述硫化物可舉硫化碳、硫化鋅等為例。

前述鹼金屬可舉鋰、鈉、鉀等為例，而鹼土族金屬可舉鎂、鈣、鋇等為例。前述鹼金屬之氧化物可舉氧化鋰、氧化鈉、氧化鉀等為例，而鹼土族金之氧化物屬可舉氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇等為例。前述鹼金屬或鹼土族金屬之氟化物可舉氟化鋰、氟化鈣、氟化鎂、氟化鈉等為例。前述鹼金屬或鹼土族金屬之硫酸鹽可舉硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鈣等為例。前述鹼金屬或鹼土族金屬之鹵化物可舉氯化鈣、氯化鎂、溴化鈣等為例。前述鹼金屬或鹼土族金屬之磷酸鹽可舉磷酸鈣等為例。前述鹼金屬或鹼土族金屬之過氯酸鹽可舉過氯酸鋇、過氯酸鎂等為例。

在使用鹼金屬或鹼土族金屬之氧化物作為形成原料之情形中，例如，考慮藉由以該氧化物作為蒸鍍源進行真空蒸鍍之方法，或者，在導入氧氣之情形下以鹼金屬或鹼土族金屬作為蒸鍍源進行真空蒸鍍之方法等，形成吸濕層。然而，前者之方法困難，而後者之方法由於存在氧氣，恐有有機EL元件劣化之虞。此外，在使用分散有鹼金屬或鹼土族金屬之氧化物粒子之樹脂作為形成材料的情形中，無法藉由真空蒸鍍法形成吸濕層。就此而言，在使用硼化合物及硫化化合物之情形中，以硼化合物及硫化化合物作為蒸鍍源進行真空蒸鍍可輕易地形成吸濕層，且亦在形成吸濕層時不易產生有機EL元件之劣化。由如此之理由來看，第1及第2吸濕層之形成材料宜使用硼化合物及硫化化合物。因此，第1吸濕層及第2吸濕層宜分別獨立地包含硼化合物及硫化化合物。特別地，由於具有優異吸濕性，第1吸濕層及第2吸濕層以包含硼化合物更佳。

第1吸濕層及第2吸濕層可由同一材料形成，或者，可由不同材料形成。第1吸濕層及第2吸濕層宜由同一材料形成。

在第1吸濕層及第2吸濕層包含硼化合物之情形中，該等吸濕層可舉以下情形等為例，即：(a)只實質地包含具有吸濕性之硼化合物；(b)包含具有吸濕性之硼化合物及具有吸濕性之其他化合物；(c)包含具有吸濕性之硼化合物及沒有吸濕性之其他化合物；(d)包含具有吸濕性之硼化合物、沒有吸濕性之其他化合物及具有吸濕性之其他化合物。此外，吸濕性係指物質由其周圍化學地吸收水分之性質。另外，在本說明書中「只實質地包含A」意味容許混入不可避免地包含之程度的微量成分(A以外之成分)，而混入刻意量除外。

在第1及第2吸濕層包含硼化合物及其他化合物之情形中，硼化合物之量雖然沒有特別限制，但例如，硼化合物之量，分別獨立地，相對於吸濕層全體為50質量%以上且小於100質量%，且宜為60質量%至99質量%，而以80質量%至99質量%更佳。

在第1及第2吸濕層之厚度沒有特別限制，可分別獨立地為，例如，5nm至500nm，且宜為30nm至200nm。

[防濕層]

防濕層係以包含具有遮斷水分之性質(防濕性)的材料為條件，沒有特別限制。由於具有優異防濕性，防濕層之形成材料宜為氮化合物。

前述氮化合物係在其分子中包含氮原子之化合物，且由於可藉真空蒸鍍法形成防濕層，含氮無機化合物是理想的。

前述含氮無機化合物可舉例如：金屬或半金屬之氮化物、金屬或半金屬之氧氮化物、金屬或半金屬之碳氮化物、金屬或半金屬之氧碳氮化物等。前述金屬可舉例如：如上述例示之鹼金屬、鹼土族金屬、及該等金屬以外之金屬。鹼金屬及鹼土族金屬以外之金屬可舉鈦、鋁、鋅、鎵、銦等為例。前述半金屬係指顯現金屬及非金屬之中間性質的物質。前述半金屬可舉例如：矽、鍺、砷、銻、碲、釙、砈等。防濕層宜包含選自於金屬或半金屬之氮化物、氧氮化物、碳氮化物及氧碳氮化物中之至少1種，且以包含選自於矽之氮化物、氧氮化物、碳氮化物及氧碳氮化物中之至少1種更佳。矽之氮化物、氧氮化物、碳氮化物及氧碳氮化物可分別舉氮化矽、氧氮化矽、碳氮化矽、氧碳氮化矽等為例。

防濕層可為只實質地包含前述具有防濕性之氮化合物的情形，亦可除了前述氮化合物以外，包含其他化合物。較佳地，防濕層只由前述具有防濕性之氮化合物形成，且只實質地包含氮化合物。

在防濕層包含氮化合物及其他化合物之情形中，氮化合物之量雖然沒有特別限制，但例如，氮化合物之量，相對於防濕層全體，可為50質量%以上且小於100質量%，且宜為60質量%至99質量%，而以80質量%至99質量%更佳。

防濕層之厚度沒有特別限制，例如，可為50nm至2000nm，且宜為100nm至1000nm。

[具有第1電極、有機層及第2電極之有機EL元件]

前述第1電極可為陽極或陰極。例如，第1電極係陽極。

前述第1電極(陽極)之形成材料雖然沒有特別限制，但可舉例如：銦錫氧化物(ITO)；含氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)；鋁；金；白金；鎳；鎢；銅；合金等。在構成底部發光型之有機EL裝置的情形中，使用透明之第1電極。

第1電極之厚度雖然沒有特別限制，但通常為0.01μm至1.0μm。

有機層係由至少2層形成之積層構造。有機層之構造可舉例如：(A)包含電洞輸送層、發光層及電子輸送層之3層構造、(B)包含電洞輸送層、發光層及電子注入層之3層構造、(C)包含電洞輸送層及發光層之2層構造、(D)包含發光層及電子輸送層之2層構造等。

前述(B)及(C)之有機層之發光層兼作電子輸送層。前述(D)之有機層之發光層兼作電洞輸送層。

本發明使用之有機層可為(A)至(D)中之任一構造。

以下，說明在第1電極為陽極之情形中，具有前述(A)構造之有機層。

電洞輸送層設於第1電極之表面。不過，在不使有機EL元件之發光效率降低之條件下，除此以外之任意機能層亦可中介於第1電極與電洞輸送層之間。

例如，電洞注入層可設於第1電極之表面，且電洞輸送層可設於該電洞注入層之表面。電洞注入層係具有輔助電洞由陽極層注入電洞輸送層之機能的層。

電洞輸送層之形成材料只要是具有電洞輸送機能之材料即可，沒有特別限制。電洞輸送層之形成材料可舉例如：4,4,4"-三(咔唑-9-基)-三苯胺(簡稱：TcTa)等之芳香族胺化合物；1,3-雙(N-咔唑)苯等之咔唑衍生物；N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺(簡稱：NPB)、N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-2,2'-二甲基聯苯胺(簡稱：α-NPD)、N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-9,9'-螺二茀(簡稱：Spiro-NPB)等之螺化合物；高分子化合物等。電洞輸送層之形成材料可使用單獨1種或合併使用2種以上。此外，電洞輸送層可為2層以上之多層構造。

電洞輸送層之厚度雖然沒有特別限制，但由降低驅動電壓之觀點來看，宜為1nm至500nm。

發光層設於電洞輸送層之表面。

發光層之形成材料只要是具有發光性之材料即可，沒有特別限制。發光層之形成材料，例如，可使用低分子螢光發光材料、低分子磷光發光材料等之低分子發光材料。

低分子發光材料可舉例如：4,4'-雙(2,2'-聯苯乙烯)-聯苯(簡稱：DPVBi)等之芳香族二次甲基化合物；5-甲基-2-[2-[4-(5-甲基-2-苯並唑基)苯基]乙烯]苯並唑等之二唑化合物；3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-三級丁基苯-1,2,4-三唑等之三唑衍生物；1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯等之苯乙烯基苯化合物；苯醌衍生物；萘醌衍生物；蒽醌衍生物；茀醌衍生物；甲亞胺鋅錯合物、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)等之有機金屬錯合物等。

此外，發光層之形成材料亦可使用在主材料中摻雜有發光性摻雜物材料者。

前述主材料，例如，可使用上述低分子發光材料，除此以外，亦可使用1,3,5-三(9H-咔唑-9-基)苯(簡稱：TCP)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(簡稱：mCP)、2,6-雙(N-咔唑基)吡啶、9,9-二(4-二咔唑基-苄基)茀(簡稱：CPF)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-茀(簡稱：DMFL-CBP)等之咔唑衍生物。

前述摻雜物材料可使用例如：苯乙烯基衍生物；苝衍生物；三(2-苯吡啶基)銥(III)(Ir(ppy)₃)、三(1-苯異喹啉)銥(III)(Ir(piq)₃)、雙(1-苯異喹啉)(乙醯丙酮)銥(III)(簡稱：Ir(piq)₂(acac))等有機銥錯合物等的磷光發光性金屬錯合物等。

此外，發光層之形成材料中亦可包含上述電洞輸送層之形成材料、後述電子輸送層之形成材料、各種添加劑等。

發光層之厚度雖然沒有特別限制，但宜為例如2nm至500nm。

電子輸送層設於發光層之表面。不過，在不使有機EL元件之發光效率降低之條件下，除此以外之任意機能層亦可中介於第2電極與電子輸送層間。

例如，電子注入層可設於電子輸送層之表面，且第2電極可設於該電子注入層之表面。電子注入層係具有輔助電子由前述第2電極注入電子輸送層之機能的層。

電子輸送層之形成材料只要是具有電子輸送機能之材料即可，沒有特別限制。電子輸送層之形成材料可舉例如：三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Alq₃)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡稱：Blq₃)等之金屬錯合物；2,7-雙[2-(2,2'-二吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]-9,9-二甲基茀(簡稱：Bpy-FOXD)、2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對三級丁基苯基)-1,3,4-二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、2,2',2"-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯並咪唑)(簡稱：TPBi)等之複合芳香族化合物；聚(吡啶-2,5-二基)(簡稱：PPy)等之高分子化合物等。電子輸送層之形成材料可使用單獨1種或合併使用2種以上。此外，電子輸送層可為2層以上之多層構造。

電子輸送層之厚度雖然沒有特別限制，但由降低驅動電壓之觀點來看，宜為1nm至500nm。

第2電極可為陰極或陽極。例如，第2電極係陰極。

前述第2電極之形成材料雖然沒有特別限制，但在構成頂部發光型之有機EL元件的情形中，使用透明之第2電極。具有透明及導電性之第2電極之形成材料可舉例如：銦錫氧化物(ITO)；含氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)；添加有鋁等導電性金屬之氧化鋅(ZnO：Al)；鎂-銀合金等。第2電極之厚度雖然沒有特別限制，但通常為0.01μm至1.0μm。

[有機EL裝置之用途及效果]

可將一個本發明之有機EL裝置或組合多數個本發明之有機EL裝置作成照明裝置及顯示裝置等之發光面板來利用。

由於本發明之有機EL裝置在有機層之背面設有第2吸濕層，第2吸濕層可吸收透過支持基板之水分。此外，由於防濕層設置成越過第1吸濕層之端部及第2吸濕層之端部，水分難以由第1及第2吸濕層之端面侵入。本發明之有機EL裝置由於具有前述第2吸濕層及防濕層比第1及第2吸濕層大相乘地作用，可有效地防止水分侵入有機層。特別地，藉由直接密接地接合第1吸濕層及第2吸濕層，可更有效地防止水分侵入有機層。該有機EL裝置長期間安定地持續發光。

[有機EL裝置之製造方法]

本發明之有機EL裝置可藉卷對卷方式多數連續地製造，或者，可個別地製造。前述個別地製造之方式稱為批式方式。

以下，說明藉卷對卷方式連續地製造多數有機EL裝置之方法。

卷對卷方式之有機EL裝置的製造方法具有：捲出可撓帶狀支持基板的捲出步驟；在前述帶狀支持基板上形成第1吸濕層之第1吸濕層形成步驟；在前述支持基板之第1吸濕層上形成多數有機EL元件之元件形成步驟；在前述有機EL元件上形成第2吸濕層之第2吸濕層形成步驟；在前述第2吸濕層上形成防濕層之防濕層形成步驟；及將具有帶狀支持基板、第1吸濕層、有機EL元件、第2吸濕層及防濕層之帶狀積層體捲取成卷狀的捲取步驟。本發明之有機EL裝置亦可藉由真空蒸鍍法連續地形成第1吸濕層至防濕層。

(捲出步驟)

捲出步驟係將捲繞成卷之帶狀支持基板送出至製造線的步驟。

前述帶狀之支持基板係細長之長方形可撓片狀物。前述帶狀支持基板之長度(長向之長度)雖然沒有特別限制，但可為例如10m至1000m，而其寬度(短向之長度)雖然亦沒有特別限制，但可為例如10mm至300mm。

(第1吸濕層形成步驟)

將前述捲出之支持基板依需要在洗淨槽中洗淨後，進行乾燥。洗淨乾燥後，在該支持基板之表面上形成第1吸濕層。藉由如上所述地使硼化合物等之具有吸濕性的材料附著在支持基板表面之所希望區域，可形成第1吸濕層。

雖然第1吸濕層之形成方法可依據其形成材料採用最適當方法，但可舉例如：電阻加熱蒸鍍及電子束蒸鍍等之真空蒸鍍法、濺鍍法、熱CVD、光CVD、電漿CVD、MOCVD、原子層沉積法(ALD)等。最好利用真空蒸鍍法形成第1吸濕層。

(元件形成步驟)

有機EL元件之形成步驟與習知同樣地進行。

簡言之，在形成了前述第1吸濕層之支持基板上形成第1電極。

雖然第1電極之形成方法可依據其形成材料採用最適當方法，但可舉濺鍍法、真空蒸鍍法、噴墨法等為例。例如，在藉由金屬形成陽極之情形中，使用真空蒸鍍法。

在前述第1電極上，除了其端子外，形成有機層。在前述第1電極之表面上，依序形成電洞輸送層、發光層及電子輸送層等，藉此可形成有機層。雖然電洞輸送層、發光層、電子輸送層等之形成方法可依據其形成材料採用最適當之方法，但可舉濺鍍法、真空蒸鍍法、噴墨法、塗布法等為例。通常藉由真空蒸鍍法形成該等層。

接著，在有機層之表面上，形成第2電極。第2電極係以與第1電極之端子重疊之方式形成。雖然第2電極之形成方法可依據其形成材料採用最適當之方法，但可舉濺鍍法、真空蒸鍍法、噴墨法等為例。

前述多數有機EL元件之間隔沒有特別限制，可適當設定。例如，前述間隔係0.5mm至5mm。

[第2吸濕層形成步驟]

如上所述地藉由使硼化合物等之具有吸濕性的材料附著在除了2電極端子以外之有機EL元件的表面上，形成第2吸濕層。

雖然第2吸濕層之形成方法可依據其形成材料採用最適當之方法，但可舉例如：電阻加熱蒸鍍及電子束蒸鍍等之真空蒸鍍法、濺鍍法、熱CVD、光CVD、電漿CVD、MOCVD、原子層沉積法(ALD)等。最好利用真空蒸鍍法形成第2吸濕層。

[防濕層形成步驟]

如上所述地藉由使具有防濕性之材料，除了端子以外，附著在第2吸濕層之表面上，形成防濕層。

雖然防濕層之形成方法可依據其形成材料採用最適當之方法，但可舉物理蒸氣沈積法或化學蒸氣沈積法等為例。其中，宜利用真空蒸鍍法、特別是電漿真空蒸鍍法形成防濕層。

前述電漿沒有特別限制，例如，可使用電弧放電電漿、輝光放電電漿等。電弧放電電漿與輝光放電電漿等不同，具有非常高之電子密度。因此，前述電漿宜使用電弧放電電漿。電弧放電電漿之產生源可利用壓力梯度型電漿氣體、直流放電電漿產生裝置、高頻放電電漿產生裝置等。其中，由於可安定地產生高密度之電漿，宜使用壓力梯度型電漿氣體作為電漿源。

形成防濕層之電漿蒸鍍裝置可使用以往習知者。

簡言之，電漿蒸鍍裝置具有：可使內部保持真空之腔室；連續地傳送帶狀支持基板的搬送裝置；產生電漿之電漿源；加入了材料之蒸鍍源；供給反應氣體至前述腔室內之反應氣體供給裝置；供給放電氣體至前述腔室內之放電氣體供給裝置；及使前述腔室內呈真空狀態之真空泵。前述蒸鍍源係以與所搬送之支持基板相對向之方式，通常，設置在腔室之底部。雖然使加入前述蒸鍍源之材料蒸發的手段可使用前述電漿，但亦可使用電阻加熱或電子束。

在形成包含選自於金屬或半金屬之氮化物、氧氮化物、碳氮化物及氧碳氮化物中之至少1種的防濕層的情形中，前述蒸鍍源中可加入，例如，金屬或半金屬、或該等之氮化物、氧氮化物、碳氮化物或氧碳氮化物。此外，在蒸鍍源中加入了金屬或半金屬之情形中，藉由使用含氮氣體、含氮氧氣體、含氮烴氣體或含氮氧烴氣體作為反應氣體，可形成由金屬或半金屬之氮化物構成之防濕層。前述含氮氣體可舉例如：氮(N₂)、氨(NH₃)或一氧化氮(NO)等。含氮氧氣體可舉例如：一氧化氮(NO)或一氧化二氮(N₂O)、或氮(N₂)與氧(O₂)之混合氣體等。含氮烴氣體可舉前述含氮氣體與含烴氣體之混合氣體為例。前述含烴氣體可舉例如：甲烷(CH₄)、乙烷(C₂H₆)、丙烷(C₃H₈)、丁烷(C₄H₁₀)、乙烯(C₂H₄)、乙炔(C₂H₂)等。含氮氧烴氣體可舉例如：前述含氮氣體、含氧氣體及含烴氣體之混合氣體、或含氮氧氣體及含烴氣體之混合氣體等。

藉由使真空泵作動，使腔室之內部保持真空狀態。腔室內之壓力在0.01Pa至0.5Pa之範圍內，且宜為0.02Pa至0.15Pa。在真空狀態之腔室內，由放電氣體供給裝置將放電氣體導入電漿產生源而產生電漿。接著，由反應氣體供給裝置將反應氣體導入腔室內，同時使材料由蒸鍍源蒸發，藉此可在吸濕層上形成防濕層。

前述反應氣體之導入及前述電漿之產生可同時地進行，或，可在導入前述反應氣體後產生前述電漿，或者，亦可在前述電漿之產生後導入反應氣體。由於可在附著防濕層之形成材料前使吸濕層之表面活性化，宜在產生電漿後導入反應氣體。

前述蒸鍍速度宜適當設定，例如，可為10至300nm/分。

(捲取步驟)

捲取步驟係將經過前述各步驟製得之帶狀積層體(第1吸濕層、有機EL元件、第2吸濕層及防濕層積層在帶狀支持基板上者)捲取成卷狀的步驟。

如此，可藉卷對卷方式製得連接多數有機EL裝置之長條物。圖15係顯示該長條物10之平面圖。藉由在以圖15之中空箭號所示的地方切斷該長條物10，可製得如圖1所示之個別有機EL裝置。此外，在圖15中，雖然例示藉卷對卷方式製造第1實施形態之有機EL裝置之情形的長條物，但亦可同樣地藉卷對卷方式製造第2或第3實施形態之有機EL裝置。

實施例

以下，顯示實施例及比較例以進一步說明本發明。然而，本發明不只限於下述實施例。

[實施例1]

在市售玻璃基板表面之預定範圍內，藉由真空蒸鍍(蒸鍍速度：1nm/秒)厚度20nm之B₂O₃(氧化硼)，形成第1吸濕層。

在該第1吸濕層之表面上，藉由真空蒸鍍厚度150nm之鋁，形成陽極。接著，在前述陽極之表面(除了端子以外)上，藉由真空蒸鍍厚度60nm之α-NPD(N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-2,2'-二甲基聯苯胺)，形成電洞輸送層。在該電洞輸送層之表面上，藉由真空蒸鍍厚度40nm之Alq₃(三(8-羥基喹啉)鋁)，形成發光層。在該發光層之表面上，藉由真空蒸鍍厚度1nm之氟化鋰，形成電子注入層。在該電子注入層之表面上，藉由真空蒸鍍厚度100nm之ITO(銦錫氧化物)，形成陰極。包含發光層之有機層形成在第1吸濕層的端部內側。

在該陰極之表面(除了端子以外)上，藉由真空蒸鍍(蒸鍍速度：1nm/秒)厚度20nm之B₂O₃(氧化硼)，形成第2吸濕層。第2吸濕層係以越過有機層之端部的方式形成。

在該第2吸濕層之表面上，藉由電漿蒸鍍厚度300nm之SiON(氧氮化矽)，形成防濕層。防濕層係以越過第1及第2吸濕層之端部且被覆該第1及第2吸濕層之端面的方式形成。然而，防濕層未形成在端子上。

前述電漿蒸鍍使用壓力梯度型電漿槍作為電漿源，使用矽粒子作為蒸鍍源，使用氧及氮之混合氣體作為反應氣體，且以蒸鍍速度1nm/秒進行。

如此製成如圖1至圖3所示之頂部發光型有機EL裝置。

以下說明在實施例1中製成之有機EL裝置，請參照圖16，第1及第2吸濕層延伸至有機層外側，且防濕層延伸至第1及第2吸濕層外側。前述第2吸濕層被覆且密接有機層之表面及端面，而前述防濕層被覆且密接第1吸濕層之端面以及第2吸濕層之表面及端面。此外，第1吸濕層與第2吸濕層接合。

(實施例1之有機EL裝置的結構)

防濕層：厚度300nm之SiON

第2吸濕層：厚度20nm之B₂O₃

陰極：厚度100nm之ITO

電子注入層：厚度1nm之LiF

發光層：厚度40nm之Alq₃

電洞輸送層：厚度60nm之α-NPD

陽極：厚度150nm之Al

第1吸濕層：厚度20nm之B₂O₃

基板：玻璃基板

[比較例1]

除了未形成第1吸濕層以外，與實施例1同樣地，製成有機EL裝置。在比較例1中製成之有機EL裝置的結構顯示於圖16中。

[比較例2]

除了在基板之表面全體上形成第1吸濕層，且越過防濕層之端部形成第1吸濕層以外，與實施例1同樣地，製成有機EL裝置。

在比較例2中製成之有機EL裝置，如圖17所示，防濕層未被覆第1吸濕層之表面的一部份及端面。

[比較例3]

除了只在第2吸濕層之表面上形成防濕層以外，與實施例1同樣地，製成有機EL裝置。

在比較例3中製成之有機EL裝置，如圖17所示，防濕層未被覆第1及第2吸濕層之端面。

[有機EL裝置之發光壽命的測量]

分別將實施例及比較例之有機EL裝置組裝在實驗用電路中，將之保管在60℃、90%RH下，並施加電壓使之長時間連續地發光。然後，設其發光初期之亮度為100%時，測量亮度到達70%之時間。

結果顯示於表1中。

由表1可知，實施例1之有機EL裝置比較長時間發光。比較例1至3之有機EL裝置，與實施例1相比，發光壽命極短。

產業上之可利用性

本發明之有機EL裝置可作成，例如，照明裝置、顯示裝置等來利用。