TW201611255A - 固體攝像元件、攝像裝置、電子機器、及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本技術係關於固體攝像元件、攝像裝置、電子機器、及半導體裝置，其藉由簡易之手法，可防止填充於將基板與覆晶電性連接之部位之底層填料樹脂滲出，且可防止電性短路及對加工設備接觸之2次損害。 使用形成晶載透鏡時之成型技術來形成堤部，該提部將用於形成設置於固體攝像元件之基板之上層之晶載透鏡而設置之透鏡材質層中，經由焊錫凸塊而連接覆晶之範圍，以環狀或方形狀包圍。藉此，可阻擋填充於基板與覆晶電性連接之範圍之底層填料樹脂。本技術可應用於固體攝像元件。

Description

固體攝像元件、攝像裝置、電子機器、及半導體裝置
本發明係關於一種固體攝像元件、攝像裝置、電子機器、及半導體裝置，尤其關於一種為了防止於將基板與覆晶電性連接之部位填充之底層填料滲出，且防止電性短路或對加工設備接觸之2次損害之固體攝像元件、攝像裝置、電子機器、及半導體裝置。
於進行於基板上經由焊錫凸塊而電性連接之覆晶安裝時，作為使其連接可靠性提高之手段，採取於基板與覆晶間注入並填充稱為底層填料樹脂之樹脂並使其固化之方法。
於與基板及覆晶對向之面形成有各者之焊錫凸塊，為了於包含焊錫凸塊之基板與覆晶之間隙完全填充底層填料樹脂，有必要選擇樹脂之黏度較低者。然而，由於有必要以量不會不足之方式多量地注入，故底層填料樹脂會自安裝覆晶之區域某種程度滲出而流出。
因此，於先前採取藉由於接合基板上之覆晶之區域周圍將焊錫圖案設置為環狀或方形狀，可形成底層填料樹脂之堤部，阻擋底層填料樹脂流出，藉此防止滲出之方法(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-234362號公報
然而，由於底層填料樹脂之阻擋能力會因焊錫凸塊或焊錫堤部之加工形狀而變化，故不僅焊錫凸塊之形狀，亦有必要精密地管理堤部形狀。
又，於後續步驟進行熱處理時，形成為環狀之焊錫材料熔化而流動，有時其一部分焊錫滯留而溢出並超出設計寬度，作為結果，不僅阻擋能力下降，而且有時會因溢出之焊錫導致對晶片之電性短路或對晶片加工設備之接觸等而產生2次損害。
本技術係鑑於此種狀況而完成者，尤其，藉由簡易之手法，可防止於將基板與覆晶電性連接之部位填充之底層填料樹脂滲出，且可防止電性短路或對加工設備接觸之2次損害。
本技術之一態樣之固體攝像元件，其包含：基板，其形成晶載透鏡，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式而形成，且阻擋填充於上述電性連接之範圍之底層填料樹脂。
上述阻擋部可藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，而形成為剖面與上述晶載透鏡形狀類似之凸透鏡狀。
於上述電性連接之範圍，削去上述材料層而作為凹處成型後，藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，而形成為剖面與上述晶載透鏡形狀類似之凸透鏡狀。
上述阻擋部藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，而行繩形成為剖面為凸透鏡狀。
上述阻擋部可為藉由將通孔於上述材料層成型而形成之溝。
上述阻擋部係於上述電性連接之範圍中之、上述材料層被削去且作為凹處而成型後，藉由將上述通孔成型之技術而形成之溝。
上述阻擋部亦可形成複數個。
本技術之一態樣之攝像裝置包含：基板，其形成晶載透鏡，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式而形成，且阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
本技術之一態樣之電子機器包含：基板，其形成晶載透鏡，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式形成，且阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
本技術之一態樣之半導體裝置包含：基板，其於最上層包含使用於晶載透鏡之材料層，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶間，即於上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由將上述晶載透鏡中使用之材料層成型，以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式形成，且阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
於本技術之一態樣中，於最上層包含晶載透鏡中使用之材料層之基板係與覆晶電性連接，藉由將底層填料樹脂填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述電性連接之範圍，且藉由將上述晶載透鏡中使用之材料層成型，以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式而形成阻擋部，藉此，阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
根據本技術之一態樣，藉由簡易之手法，可防止填充於基板與覆晶電性連接之部位之底層填料樹脂滲出，且可防止電性短路及對加 工設備之接觸即2次損害。
11‧‧‧基板
31‧‧‧透鏡材質層
32‧‧‧焊錫堤部
33‧‧‧焊錫凸塊
34‧‧‧底層填料樹脂
35‧‧‧晶載透鏡(OCL)
36‧‧‧無機材料層
37‧‧‧開口部
51‧‧‧覆晶
52‧‧‧焊錫凸塊
71‧‧‧堤部
72‧‧‧凹處
91‧‧‧部位
101‧‧‧溝
111‧‧‧溝
201‧‧‧攝像裝置
202‧‧‧光學系統
203‧‧‧快門裝置
204‧‧‧固體攝像元件
205‧‧‧驅動電路
206‧‧‧信號處理電路
207‧‧‧監視器
208‧‧‧記憶體
L‧‧‧箭頭
L'‧‧‧箭頭
圖1係顯示一般之固體攝像元件之構成例之圖。
圖2係顯示圖1之固體攝像元件之側面剖面之圖。
圖3係顯示適用本技術之固體攝像元件之第1實施形態之構成例之圖。
圖4係顯示圖3之固體攝像元件之側面剖面之圖。
圖5係顯示適用本技術之固體攝像元件之第2實施形態之構成例之側面剖面之圖。
圖6係顯示適用本技術之固體攝像元件之第3實施形態之構成例之側面剖面之圖。
圖7係顯示適用本技術之固體攝像元件之第4實施形態之構成例之側面剖面之圖。
圖8係顯示適用本技術之作為裝載固體攝像元件之攝像裝置而發揮功能之電子機器之構成例之圖。
<焊錫堤部>
圖1及圖2係顯示一般之固體攝像元件之構成例。此處，圖1係顯示構成固體攝像元件之基板上之構成物之平面布局，圖2係顯示於圖1之基板上安裝覆晶時之側面剖面。
於一般之固體攝像元件之基板11上，全體設置有與晶載透鏡(OCL)35之原材料相同之透鏡材料層31，藉由將該透鏡材料層31之表面整形成曲面形狀，形成OCL35。對於形成有該OCL35之透鏡材料層31，於光入射之面之相反側形成無機材料層36。OCL35之透鏡材質層31係例如STSR或CSiL等，無機材料層36係例如SiON、SiN、或SiO2等。
由於如此之構成，入射之光藉由透過OCL35及無機材料層36，特定波長之光被抽出，藉由未圖示之受光元件而被接收，形成圖像信號。再者，於圖2中，除此之外，設置有為了形成電極即鋁製焊墊(Al Pad)貫通透鏡材料層31及無機材料層36而成型之開口部37。
於透鏡材料層31上，透鏡材料層31未經成型處理之範圍係作為OCL整體區域而存在。於該OCL整體區域上，於與設置於覆晶51之焊錫凸塊52對向之位置，設置有基板11之焊錫凸塊33。即，藉由以焊錫將該焊錫凸塊33、52相互連接，將覆晶51與基板11電性連接。
為了使焊錫凸塊33、52連接之部位之電性連接狀態穩定，於連接覆晶51之範圍即成為連接焊錫凸塊33、52之間隙之部位，注入底層填料樹脂34而填充，並使其固化。底層填料樹脂34一般包含UV(紫外線)硬化樹脂或熱硬化樹脂等。為了使該底層填料樹脂34於連接有焊錫凸塊33、52之範圍毫無遺漏地填充，有必要使底層填料樹脂34之黏度降低，且以充足之量填充。
然而，由於設置於基板11上之透鏡材料層31上與覆晶51之間隙之焊錫凸塊33、52係於水平方向設置為開放狀態，故當注入充分之量之低黏度之底層填料樹脂34時，會自無用之部位滲出。
因此，為了不使底層填料樹脂34滲出，以包圍連接焊錫凸塊33、52之範圍之方式形成環狀或方形狀之焊錫堤部32。藉此，即使於包圍連接焊錫凸塊33、52之部位之特定範圍以充分之量注入低黏度之底層填料樹脂34，亦可防止滲出至其他範圍。
然而，若構成焊錫堤部32，則因其高度、寬度、圖案形狀、剖面形狀或邊緣之尖度等加工形狀，底層填料樹脂34之阻擋能力亦會變化，故不僅焊錫凸塊形狀，亦有必要精密管理堤部形狀。
又，於後續步驟進行熱處理時，形成為環狀之焊錫材料因熱熔化而流動，焊錫滯留而溢出超過設計寬度，不僅阻擋能力下降，且發 生過因晶片之電性短路或對晶片加工設備之接觸等而產生2次損害。
進而，於應用於攝像元件或光通信晶片等時，由於焊錫堤部係有光澤之金屬，故如圖1之箭頭L所示，發生過因入射至基板之攝像元件之光於焊錫堤部表面反射而引起眩光等而產生不良影響。
又，由於基板11與焊錫之線膨脹係數不同，故曾因溫度變動而於焊錫堤部部產生物理應力，而引起裂痕等損傷。
<第1實施形態>
因此，應用本技術之固體攝像元件，取代於透鏡材料層31上形成之焊錫堤部32，以與成型透鏡材料層31本身而形成OCL35之手法相同之手法，形成阻擋底層填料樹脂34之流動之堤部。
更具體而言，如圖3、圖4所示般，於OCL整體區域內，利用形成OCL35之技術，取代焊錫堤部32，而以環狀或方形狀地包圍形成焊錫凸塊33之區域之方式，形成與透鏡形狀相同之凸狀之堤部71。再者，於圖3、圖4中，對具備與圖1、圖2相同之功能之構成標註相同之名稱、及相同之符號，且適當省略其說明者。
即，如圖3、圖4所示，於OCL整體區域、即於基板11上之透鏡材料層31上與覆晶51之間隙設置焊錫凸塊33、52之範圍，透鏡材料層31被削去而形成凹處72，進而，以包圍其周圍之方式，環狀或方形狀地形成與OCL35大致同高度之堤部71。藉由該堤部71，可防止底層填料樹脂34於基板11上之透鏡材料層31上與覆晶51之間隙，自設置焊錫凸塊33、52之範圍滲出。
此處，由於構成堤部71之透鏡材料層31一般為熱硬化樹脂或UV(Ultra Violet，紫外線)硬化樹脂，故於焊錫接合時之熱處理下形狀不變而焊錫熔化，可防止發生於電路上引起短路之電性加工不良。
又，由於構成堤部71之透鏡材料層31為不具有如構成焊錫堤部32之金屬般高之反射率之樹脂，故如圖3中之箭頭L'所示般，亦可防 止眩光等之不良影響。
再者，焊錫堤部32中會因線膨脹係數而產生損傷等，但由於堤部71係與透鏡材料層31為相同之材質，故線膨脹係數本為相同，故可抑制因熱產生損傷。
又，只要使用與OCL35相同材質之堤部71係以與OCL35相同之步驟形成，即不會增加加工成本，且，即使是數微米程度之微細圖案亦可容易地以高精度加工。
結果，可藉由簡易之手法，防止於電性連接基板與覆晶之部位填充之底層填料樹脂滲出，且可防止電性短路或對加工設備之接觸之2次損害。進而，可防止發生以往於使用焊錫堤部時產生眩光之情形。
<第2實施形態>
於以上，對於取代焊錫堤部32，而將透鏡材質層31，以藉由與加工OCL35之技術相同之技術形成與凸透鏡形狀相同凸狀之堤部71而不使底層填料樹脂34流出之方式構成之例進行說明。然而，由於只要為以底層填料樹脂34不流出之方式構成即可，故亦可為取代堤部71，將透鏡材質層31與凹透鏡形狀相同地成型，並以環狀或方形狀地包圍OCL整體區域、即於基板11上之透鏡材料層31上與覆晶51之間隙設置焊錫凸塊33、52之範圍之方式設置，而以不使底層填料樹脂34流出之方式構成。
圖5係顯示以環狀或方形狀地包圍OCL整體區域、即基板11上之透鏡材料層31上與覆晶51之間隙設置焊錫凸塊33、52之範圍之方式，設置由與凹透鏡形狀相同之凹狀之透鏡材質層31形成之部位91之構成例之側面剖面。
但是，於該例中，OCL整體區域、即於基板11上之透鏡材料層31與覆晶51之間隙設置焊錫凸塊33、52之範圍，並無必要削去透鏡材料 層31而形成凹處72。以往於形成堤部71之情形，有必要藉由凸形狀之堤部71阻擋底層填料樹脂34，故必須要有積存底層填料樹脂34之凹處72。然而，由於部位91係凹狀，且係假設滲出之底層填料樹脂34多少會流入之形狀，故不需要另設用於積存底層填料樹脂34之構造。
即使於如此之構成中，亦可防止底層填料樹脂34自於基板11上之透鏡材料層31上與覆晶51之間隙設置焊錫凸塊33、52之範圍滲出。更詳細而言，即使有時多少會滲出，但藉由凹狀之部位91予以吸收，作為結果，可不滲出至其以上之範圍。
又，由於構成部位91之透鏡材料層31一般為熱硬化樹脂或UV(Ultra Violet，紫外線)硬化樹脂，故於焊錫接合時之熱處理中，形狀不會變化而使焊錫熔化，可防止發生於電路上引起短路即電性加工不良。
進而，由於構成部位91之透鏡材料層31為不具有如構成焊錫堤部32之金屬般之高反射率之樹脂，故可防止眩光等之產生。
又，以往於焊錫堤部32中會因線膨脹係數差而產生損傷，但由於部位91係與透鏡材料層31為相同之材質，線膨脹係數本為相同，故可防止因熱造成損傷。
進而，使用與OCL35相同材質之部位91只要以與OCL35相同之步驟形成，即不會增加加工成本，且即使數微米程度之微細圖案亦可容易地高精度加工。
又，於該情形，進而只要於其外周部分構成包含上述之凸狀透鏡之堤部71，即可更加提高阻擋底層填料樹脂34之效果。即，藉由設置凹狀之部位91與凸狀之堤部71，由於凹凸形狀之溝交替配置，故可增大積存之樹脂之體積，故提高阻擋能力。進而，亦可複數個設置該凹凸形狀之組合。
<第3實施形態>
於上述就將透鏡材質層31設為凸狀之堤部71、或凹狀之部位91，即環狀或方形狀地包圍OCL整體區域，即於基板11上之透鏡材料層31上與覆晶51之間隙設置焊錫凸塊33、52之範圍之構成進行說明。然而，只要可構成能阻擋底層填料樹脂34之流動者，則亦可為其他之構成，例如，亦可使用為了設置電極墊而於基板11形成開口之技術，以將該範圍環狀或方形狀地包圍之方式形成凹形狀之溝。
圖6係顯示使用為了設置墊而開口之技術，以環狀或方形狀地包圍設置焊錫凸塊33、52之範圍之方式，形成用於阻擋底層填料樹脂34之凹形狀之溝之構成例之側面剖面。
於圖6中，於將OCL整體區域、即於基板11上之透鏡材料層31上與覆晶51之間隙設置焊錫凸塊33、52之範圍，以環狀或方形狀包圍之範圍，使用為了設置墊而開口之技術，設置有凹形狀之溝101。
因此，即使有時底層填料樹脂34會滲出，亦可藉由溝101進行阻擋。更具體而言，即使有時多少會滲出，藉由溝101予以吸收，結果亦可不滲出其以上之範圍。
再者，凹形狀之溝101只要追加專用步驟則可將形狀最佳化。但是於優先考慮成本之情形，亦可利用墊開口步驟之一部分。例如若僅處理墊開口步驟中去除透鏡材料層31之第1步驟，而略過去除無機材料層36之第2步驟，則可一方面保護基板晶片之配線、一方面形成溝101。
作為結果，即使於圖6所示之固體攝像元件中，亦可發揮與參照上述之圖2至圖5而說明之構成之固體攝像元件相同之效果。
<第4實施形態>
於以上，於透鏡材質層31中，對不成型OCL整體區域而剩餘且形成凹形狀之溝101之例進行說明，但亦可削去包圍透鏡材料層31上之覆晶51與焊錫凸塊33、52連接之範圍之範圍，形成凹處72，且形成凹 形狀之溝。
圖7係顯示以包圍透鏡材料層31上之OCL整體區域、即覆晶51與焊錫凸塊33、52連接之範圍之方式進行削切，形成凹處72，且形成凹形狀之溝111之構成例。
即，於圖7中，以包圍OCL整體區域、即覆晶51與焊錫凸塊33、52連接之範圍之方式進行削切，形成凹處72，且形成凹形狀之溝111。
即使於如此之構成中，亦可發揮於形成參照圖6而說明之凹形狀之溝101之情形相同之效果。
再者，於以上，形成固體攝像元件時，對利用OCL之透鏡材料層31形成堤部71、部位91、或溝101、111而不使底層填料樹脂34滲出之例進行說明，但例如即使應用於不含有受光元件等之半導體裝置等，亦可發揮相同之效果。即，於有必要連接基板與覆晶之半導體裝置等之情形，亦可形成並非必須之透鏡材質層31，並形成利用透鏡材料層31之堤部71、部位91、或溝101、111，而不使底層填料樹脂34滲出。
又，利用上述之OCL之透鏡材料層31而形成之堤部71、部位91、或溝101、111亦可之各者構造亦可設置複數個，或亦可組合複數個構成，藉此，亦可進而強力防止底層填料樹脂之滲出。
進而，於圖6、圖7中，顯示溝101、111之底部係貫通透鏡材料層31，成為達到無機材料層36之構成之例，但只要為能吸收滲出之底層填料樹脂34之深度即可，並非必須到達無機材料層36。即，溝101、111之底部只要盡量吸收滲出之底層填料樹脂34，亦可為例如形成於透鏡材料層31內之深度者。
<對電子機器之應用例>
上述之固體攝像元件，可應用於例如數位靜態照相機或數位攝錄影機等之攝像裝置、具備攝像功能之行動電話機，或具備攝像功能 之其他機器等之各種電子機器。
圖8係顯示作為應用本技術之電子機器之攝像裝置之構成例之方塊圖。
圖8所示之攝像裝置201構成為包含光學系統202、快門裝置203、固體攝像元件204、驅動電路205、信號處理電路206、監視器207、及記憶體208，可拍攝靜止圖像及動態圖像。
光學系統202具有1片或複數片透鏡而構成，將來自被攝物體之光(入射光)引導至固體攝像元件204，使其於固體攝像元件204之受光面成像。
快門裝置203配置於光學系統202與固體攝像元件204之間，根據驅動電路205之控制，可對固體攝像元件204之光照期及遮光期進行控制。
固體攝像元件204由上述固體攝像元件構成。固體攝像元件204係根據經由光學系統202及快門裝置203而於受光面成像之光，於一定期間累積信號電荷。固體攝像元件204所累積之信號電荷係依據自驅動電路205供給之驅動信號(時序信號)而被傳送。固體攝像元件204可以其單體作為單片而構成，亦可與光學系統202或信號處理電路206等一起作為經封裝之照相機模組之一部分而構成。
驅動電路205輸出控制固體攝像元件204之傳送動作及快門裝置203之快門動作之驅動信號，驅動固體攝像元件204及快門裝置203。
信號處理電路206係對於自固體攝像元件204輸出之信號電荷實施各種信號處理。由信號處理電路206實施信號處理而得到之圖像(圖像資料)被供給至監視器207予以顯示，或被供給至記憶體208予以記憶(記錄)。
於如此而構成之攝像裝置201中，作為固體攝像元件204，藉由應用以如上述般不使底層填料樹脂滲出之方式而完成之固體攝像元 件，可使畫質提高。
又，本發明之實施形態並非限定於上述之實施形態者，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種變更。
再者，本技術亦可採取以下之構成。
(1)一種固體攝像元件，其包含：基板，其形成晶載透鏡，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式形成，且阻擋填充於上述電性連接之範圍之底層填料樹脂。
(2)如技術方案(1)之固體攝像元件，其中上述阻擋部藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，而形成為剖面與上述晶載透鏡形狀類似之凸透鏡狀。
(3)如技術方案(1)或(2)之固體攝像元件，其中於上述電性連接之範圍，削去上述材料層而作為凹處成型後，藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，而形成為剖面與上述晶載透鏡形狀類似之凸透鏡狀。
(4)如技術方案(1)之固體攝像元件，其中上述阻擋部藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，而形成為剖面為凹透鏡狀。
(5)如技術方案(1)之固體攝像元件，其中上述阻擋部係藉由將通孔於上述材料層成型之技術而形成之溝。
(6)如技術方案(1)或(5)之固體攝像元件，其中上述阻擋部係於上述電性連接之範圍中之上述材料層被削去且作為凹處而成型後，藉由將上述通孔成型之技術而形成之溝。
(7)如技術方案(1)至(6)之任一者之固體攝像元件，其中上述阻擋部形成複數個。
(8)一種攝像裝置，其包含：基板，其形成晶載透鏡，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式而形成，且阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
(9)一種電子機器，其包含：基板，其形成晶載透鏡，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式而形成，且阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
(10)一種半導體裝置，其包含：基板，其於最上層包含使用於晶載透鏡之材料層，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶間，即於上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由將上述晶載透鏡中使用之材料層成型，以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式而形成，且阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
31‧‧‧透鏡材質層
33‧‧‧焊錫凸塊
34‧‧‧底層填料樹脂
35‧‧‧晶載透鏡(OCL)
36‧‧‧無機材料層
51‧‧‧覆晶
L'‧‧‧箭頭

Claims (10)

  1. 一種固體攝像元件，其包含：基板，其形成有晶載透鏡，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由使上述晶載透鏡之材料層成型，而以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式形成，且阻擋填充於上述電性連接之範圍之底層填料樹脂。
  2. 如請求項1之固體攝像元件，其中上述阻擋部藉由使上述晶載透鏡之材料層成型，而形成為剖面與上述晶載透鏡形狀類似之凸透鏡狀。
  3. 如請求項2之固體攝像元件，其中於上述電性連接之範圍，削去上述材料層而作為凹處成型後，藉由將上述晶載透鏡之材料層成型，而形成為剖面與上述晶載透鏡形狀類似之凸透鏡狀。
  4. 如請求項1之固體攝像元件，其中上述阻擋部藉由使上述晶載透鏡之材料層成型，而形成為剖面為凹透鏡狀。
  5. 如請求項1之固體攝像元件，其中上述阻擋部係藉由使通孔於上述材料層成型之技術而形成之溝。
  6. 如請求項1之固體攝像元件，其中上述阻擋部係於上述電性連接之範圍中，上述材料層被削去且作為凹處而成型後，藉由使上述通孔成型之技術而形成之溝。
  7. 如請求項1之固體攝像元件，其中上述阻擋部形成複數個。
  8. 一種攝像裝置，其包含：基板，其形成有晶載透鏡，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述 電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由使上述晶載透鏡之材料層成型，而以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式形成，且阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
  9. 一種電子機器，其包含：基板，其形成有晶載透鏡，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶之間，即上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由使上述晶載透鏡之材料層成型，而以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式形成，且阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
  10. 一種半導體裝置，其包含：基板，其於最上層包含使用於晶載透鏡之材料層，且電性連接覆晶；底層填料樹脂，其填充於上述基板與上述覆晶間，即於上述電性連接之範圍；及阻擋部，其藉由使上述晶載透鏡所使用之材料層成型，而以環狀或方形狀地包圍上述電性連接之範圍之周圍之方式形成，且阻擋填充於上述電性連接範圍之底層填料樹脂。
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