TW201604858A - Ｏｌｅｄ像素補償電路和ｏｌｅｄ像素驅動方法 - Google Patents

Ｏｌｅｄ像素補償電路和ｏｌｅｄ像素驅動方法 Download PDF

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Abstract

一種OLED像素補償電路和OLED像素驅動方法，包括下列步驟：第二電容充電過程；補償過程；資料電壓寫入過程；發光顯示過程。本發明將OLED像素驅動電路中的一部分元件設置於像素區域外部，藉此減少像素區域內部像素補償電路佔據的面積，以有效提高像素的開口率。像素區域內部的原件數量減少之後可以降低OLED面板在佈局佈線過程中的難度，防止因為採用過細的信號線導致的信號電壓下降。且本發明的OLED像素驅動電路配合本發明的OLED像素驅動方法可以補償閾值電壓變化導致的OLED面板亮度不均勻的問題。

Description

OLED像素補償電路和OLED像素驅動方法
本發明涉及一種像素補償電路和像素驅動方法，尤指一種用於OLED顯示裝置的像素補償電路和像素驅動方法。
OLED具有省電、適合大尺寸與全彩化的特點，但是在應用過程中也延伸出許多問題，例如OLED作為開關或驅動元件之用的薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)的材料特性的變異與材料老化程度不同會造成面板顯示的不均勻的現象。另外OLED長時間使用後會導致OLED器件老化，伴隨器件的老化會產生閾值電壓上升、發光效率下降的問題。為了解決上述問題本領域技術人員提出了多種像素補償電路用來補償OLED以及驅動元件閾值電壓變化。
但是這些像素補償電路的應用會引入新的問題：這些像素補償電路多是採用nTnC(T代表薄膜電晶體，C代表電容，n為表示薄膜電晶體數量或電容數量的整數)的結構。雖然採用這些結構的像素補償電路可以有效的補償OLED和驅動電晶體的閾值電壓的變化，但是像素補償電路會佔用像素區域(pixel)的大量空間。隨著技術發展像素的尺寸變得越來越小，這樣位於像素區域內部龐大的nTnC的補償電路會 嚴重影響OLED面板像素的開口率並且造成OLED面板內佈線空間壓縮。
有鑑於此，本發明人潛心構思並更深入研究，終於發明出一種OLED像素補償電路和OLED像素驅動方法。
本發明的目的在於提供一種OLED像素補償電路和OLED像素驅動方法，其能夠補償不同驅動電晶體的閾值電壓Vth不一致導致OLED顯示器圖像不均勻的問題；進一步的本發明的OLED像素補償電路將一部分元件設置於像素區域外部，這樣可以顯著提高像素區域的開口率，減少OLED面板內部佈線困難的問題。
為了解決上述問題，本發明提供一種OLED像素補償電路其包括：所位於像素區域內部的負載驅動模組和資料電壓存儲模組，以及位於像素區域外部的閾值電壓測量模組，其中：該閾值電壓測量模組用於在第二掃描端的控制下測量並存儲該負載驅動模組的閾值電壓；該資料電壓存儲模組用於在第一掃描端的控制下接收並存儲資料信號端輸出的資料電壓，在發光控制端的控制下該閾值電壓測量模組中存儲的閾值電壓和該資料電壓存儲模組中存儲的資料電壓串聯疊加形成驅動電壓輸出至該負載驅動模組；該負載驅動模組受控於發光控制端而將接收自該資料電壓存儲模組的驅動電壓轉換為驅動有機發光二極體的驅動電流。
本發明的OLED像素補償電路的進一步改進在於：該負載驅動模組包括驅動電晶體、第二電晶體以及第三電晶體，其中：該驅動電晶體的閘極連接於第一節點，其源極連接於第三節點；該第二電晶體的源極和汲極分別連接於該驅動電晶體的閘極和汲極，其閘極連接於該第二掃描端；第三電晶體的閘極連接於發光控制端，其汲極連接於第一電源，其源極連接於第三節點；該驅動電晶體的汲極連接於有機發光二極體的陽極，該有機發光二極體的陰極連接於第二電源；該驅動晶體管用於將該驅動電壓轉換為該驅動電流，該負載驅動模組的閾值電壓為該驅動電晶體的閾值電壓。
本發明的OLED像素補償電路的進一步改進在於：該資料電壓存儲模組包括第一電晶體以及第一電容；該第一電容的一端連接於第一節點，其另一端連接於第四節點；該第一電晶體的源極連接於第一節點，其汲極連接於資料信號端，其閘極連接於該第一掃描端；該資料電壓存儲於該第一電容中。
本發明的OLED像素補償電路的進一步改進在於：該閾值電壓測量模組包括第二電容、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體以及第七電晶體；該第四電晶體的閘極連接於該第二掃描端，其源極連接於該第三節點，其汲極連接於該第五節點；該第五電晶體的閘極連接於該發光控制端，其源極連接於該第四節點，其汲極連接於該第二電源，該第四節點和該第五節點之間跨接有第二電容；該第六電晶體的閘極連接於發光控制端，其源極連接於該第五節點，其汲極連接於參考電源； 該第七電晶體的閘極連接於第三掃描端，其汲極連接於第三電源，其源極連接於該第五節點；該第二電容用於存儲該閾值電壓。
本發明的OLED像素補償電路的進一步改進在於：該第一電晶體、第二電晶體以及第三電晶體、第四電晶體第六電晶體以及第七電晶體為N溝道電晶體，該驅動電晶體以及第五電晶體為P溝道電晶體。
本發明的OLED像素補償電路的進一步改進在於：該第三電源輸出的電壓和該第二電源輸出電壓的差值大於該驅動電晶體的閾值電壓和待驅動的有機發光二極體的的閾值電壓之和。
本發明的OLED像素補償電路的進一步改進在於：該第一電源輸出正電壓；該第二電源接地；該第三電源輸出的電壓大於第二電源的電壓且小於該第一電源的電壓。
本發明還提供一種適用於上述OLED像素補償電路的OLED像素驅動方法，其包括以下步驟：S1，閾值電壓補償過程：該閾值測量模組在第二掃描端的控制下測量並且存儲負載驅動模組的閾值電壓；S2，資料電壓寫入過程：資料存儲模組在第一掃描端的控制下接收並且存儲資料信號端的資料電壓；S3，發光顯示過程：在發光控制端的控制下，該閾值電壓測量模組存儲的閾值電壓以及該資料電壓存儲模組存儲的資料電壓串聯疊加至該負載驅動模組形成驅動電壓，該負載驅動模組將該驅動電壓轉化為驅動有機發光二極體的驅動電流。
本發明還提供一種適用於上述OLED像素補償電路的OLED像素驅動方法，其包括以下步驟：S1，閾值電壓測量模組的重定過程：第五電晶體在發光控制端的控制下將第四節點連接於第二電源，該閾值電壓測量模組在第三掃描端的控制下使用第三電源對第二電容進行充電；S2，閾值電壓測量過程：第二掃描端將驅動電晶體配置為二極體接法，並且將第三節點和第五節點連接；該第二電容放電直到驅動電晶體和有機發光二極體截止；S3，資料電壓寫入過程：第一掃描端控制資料電壓存儲模組從資料信號端獲取資料電壓，該資料電壓存儲在該第一電容中；S4，發光顯示過程：發光控制端控制第五電晶體關斷導致第四節點浮空，進而使該資料電壓存儲模組的第一電容、閾值電壓測量模組的第二電容以及參考電源的電壓串聯疊加至第一節點形成驅動電壓，在發光控制端的控制下驅動電晶體將第一節點的驅動電壓轉換為驅動有機發光二極體的驅動電流。
本發明OLED像素補償電路的OLED像素驅動方法的進一步改進在於：OLED像素補償電路處於補償過程時流過有機發光二極體的電流小於有機發光二極體的最小發光電流。
本發明的技術方案中將OLED像素驅動電路中的一部分元件設置於像素區域外部，這種做法可以減少像素區域內部像素補償電路佔據的面積，可以有效提高像素的開口率。像素區域內部的原件數量減少之後可以降低OLED面板在佈局佈線過程中的難度，防止因為採用過 細的信號線導致的信號電壓下降。並且本發明的OLED像素驅動電路配合本發明的OLED像素驅動方法可以補償閾值電壓變化導致的OLED面板亮度不均勻的問題，進一步的本發明的OLED像素驅動電路還可補償有機發光二極體器件老化導致的發光效率下降的問題。
有關本發明為達成上述目的，所採用之技術、手段及其他之功效，茲舉一較佳可行實施例並配合圖式詳細說明如後。
〔本發明〕
10‧‧‧負載驅動模組
20‧‧‧閾值電壓測量模組
30‧‧‧資料電壓存儲模組
C1‧‧‧第一電容
Cout‧‧‧第二電容
DL‧‧‧資料信號端
Sn‧‧‧第一掃描端
Sn-1‧‧‧第二掃描端
Sn-2‧‧‧第三掃描端
S2‧‧‧發光控制端
T1‧‧‧第一電晶體
T2‧‧‧第二電晶體
T3‧‧‧第三電晶體
T4‧‧‧第四電晶體
T5‧‧‧第五電晶體
T6‧‧‧第六電晶體
T7‧‧‧第七電晶體
T8‧‧‧驅動電晶體
Ued‧‧‧兩端電壓
VDDH‧‧‧第一電源
VSS‧‧‧第二電源
VDDL‧‧‧第三電源
Vr‧‧‧參考電源
Vth‧‧‧閾值電壓
Vth_OLED‧‧‧有機發光二極體OLED的閾值電壓
a‧‧‧第一節點
b‧‧‧第二節點
c‧‧‧第三節點
d‧‧‧第四節點
e‧‧‧第五節點
圖1 為本發明的OLED像素補償電路的電路圖；圖2 為本發明OLED像素驅動方法中像素補償電路的驅動信號的時序圖；圖3 為本發明OLED像素驅動方法中OLED像素補償電路處於第一電容充電過程時的電路狀態圖；圖4 為本發明OLED像素驅動方法中OLED像素補償電路處於補償過程時的電路狀態圖；圖5 為本發明OLED像素驅動方法中OLED像素補償電路處於資料電壓寫入過程時的電路狀態圖；圖6 為本發明OLED像素驅動方法中OLED像素補償電路處於發光顯示過程時的電路狀態圖。
為使 貴審查委員對本發明之目的、特徵及功效能夠有更進一步之瞭解與認識，以下茲請配合【圖式簡單說明】詳述如後： 本發明OLED像素補償電路和OLED像素驅動方法的較佳實施例如圖1所示，在本實施例中OLED像素補償電路包括：包括：負載驅動模組10、閾值電壓測量模組20以及資料電壓存儲模組30，其中：閾值電壓測量模組20和第二掃描端Sn-1、發光控制端S2、第三掃描端Sn-2、第三電源VDDL以及負載驅動模組10連接，閾值電壓測量模組20用於在第二掃描端Sn-1的控制下測量並存儲負載驅動模組10的閾值電壓；資料電壓存儲模組30和第一掃描端Sn、資料信號端DL、閾值電壓測量模20塊以及負載驅動模組10連接。資料電壓存儲模組30受控於第一掃描端Sn接收並存儲資料信號端DL輸出的資料電壓；負載驅動模組10與發光控制端S2連接，負載驅動模組10受控於發光控制端S2將接收自資料電壓存儲模組30的電壓信號轉換為驅動有機光二極體的驅動電流；上述模組中：負載驅動模組10以及資料電壓存儲模組位元30於像素區域內部；閾值電壓測量模組30位於像素區域外部。
如圖1所示，負載驅動模組10包括驅動電晶體T8、第二電晶體T2以及第三電晶體T3；其中：驅動電晶體T8的閘極連接於第一節點a，其源極連接於第三節點c；第二電晶體T2的源極和汲極分別連接於驅動電晶體T8的閘極和汲極，其閘極連接於第二掃描端Sn-1，當第二掃描端Sn-1輸出信號有效時，驅動電晶體T8被配置成二極體連接方式；第三電晶體T3的閘極連接於發光控制端S2，其汲極連接於第一電源VDDH，其源極連接於第三節點c；當發光控制端S2的輸出信號有效時，驅動電晶體T8將第一節點a的電壓轉化為驅動有機發光二極體的驅動電流。驅動電晶體T8的源極連接於有機發光二極體的陽極，有機發光二極體的陰極連接 於第二電源。驅動電晶體T8用於將驅動電壓轉換為有機發光二極體的驅動電流。
如圖1所示，資料電壓存儲模組30包括第一電晶體T1以及第一電容C1；第一電容C1的一端連接於第一節點a，其另一端連接於第四節點d；第一電晶體T1的源極連接於第一節點a，其汲極連接於資料信號端DL，其閘極連接於第一掃描端Sn；從資料信號端DL接收到的資料電壓存儲於第一電容C1中。
如圖1所示，閾值電壓測量模組20包括第二電容Cout、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6以及第七電晶體T7；第四電晶體T4的閘極連接於第二掃描端Sn-1，其源極連接於第三節點c，其汲極連接於第五節點e；第五電晶體T5的閘極連接於發光控制端Sn，其源極連接於該第四節點d，其汲極連接於第二電源VSS，第四節點d和第五節點e之間跨接有第二電容Cout；第六電晶體T6的閘極連接於發光控制端S2，其源極連接於第五節點e，其汲極連接於參考電源Vr；第七電晶體T7的閘極連接於第三掃描端Sn-2，其汲極連接於第三電源VDDL，其源極連接於第五節點e；第二電容Cout用於存儲從負載驅動模組10觀測到的閾值電壓。
如圖1所示，第一電晶體T1，第二電晶體T2，第三電晶體T3，第一電容C1以及驅動電晶體T8位於像素區域內部。第四電晶體T4，第五電晶體T5，第六電晶體T6，第七電晶體T7以及第二電容Cout位於像素區域外部。將一部分構成像素補償電路的元件設置於像素區域外側的做法可以減少像素區域內部像素補償電路佔據的面積，可以有效提高像素的開口率。像素區域內部的原件數量減少之後可以降低OLED面板在佈 局佈線過程中的難度，因此在佈線的過程中可以採用更寬的信號線進而防止因為採用過細的信號線導致的信號電壓下降。
如圖1所示，第一電源VDDH為正電源，第二電源VSS接地。第三電源VDDL以及參考電源Vr的電壓值為給定值，並且這個給定值小於第一電源VDDH的電壓大於第二電源VSS的電壓。並且第三電源VDDL的電壓值大於驅動電晶體T8的閾值電壓Vth與有機發光二極體OLED的閾值電壓Vth_OLED之和。
如圖2所示，本實施例的OLED像素驅動方法透過第一掃描端Sn，第二掃描端Sn-1，第三掃描端Sn-2以及發光控制端S2控制OLED像素補償電路中的電晶體按照預定的時序導通或者關斷以達到控制OLED發光的目的。本實施例的方法包括以下四個步驟：S1，閾值電壓測量模組20的充電過程：對應圖2中t1狀態，此時第五電晶體T5導通，導致第四節點d連接於第二電源VSS，另一方面多路電壓選擇模組30將第三電源VDDL連接於第五節點e，此時第三電源VDDL向第二電容Cout充電；S2，閾值電壓補償過程：對應圖2中t2狀態，此時驅動電晶體T8呈二極體接法，多路電壓選擇模組30將第三節點c連接於第五節點e，第二電容Cout放電直到驅動電晶體T8或有機發光二極體關斷；S3，資料電壓寫入過程：對應圖2中t3狀態，資料信號端DL向資料電壓存儲模組40寫入資料電壓，資料電壓存儲於第一電容C1中； S4，發光顯示過程：對應圖2中t4狀態，發光控制端S2的信號有效導致第四節點d的電壓浮空，此時第一電容C1、第二電容Cout以及參考電源Vr的電壓疊加至驅動電晶體T8的閘極，此時驅動電晶體處於飽和區，流過驅動電晶體T8的源極和閘極的電流驅動有機發光二極體發光。
如圖2和圖3所示，當OLED像素補償電路處於，閾值電壓測量模組20的充電過程時第一掃描端Sn，第二掃描端Sn-1以及發光控制端S2均為低電平，第三掃描端Sn-2為高電平。此時受第一掃描端Sn控制第一電晶體T1關斷；受第二掃描端Sn-1控制的第二電晶體T2、第四電晶體T4關斷；受第三掃描端Sn-2控制的第七電晶體T7導通；受發光控制端S2控制的第五電晶體T5導通，第六電晶體T6以及第三電晶體T3關斷。
當OLED像素補償電路處於閾值電壓測量模組20的充電過程時，由於第五電晶體T5以及第七電晶體T7導通從第三電源VDDL、第五節點e、第四節點d至第二電源VSS之間形成一條通路。處於上述通路中第五節點e、第四節點d之間的第二電容Cout被充電，又由於其他電晶體均處於關斷狀態所以在第五電晶體T5以及第七電晶體T7導通壓降忽略不計的情況下第二電容Cout充電完成時兩端的電壓為VDDL-VSS。
如圖2和圖4所述，當OLED像素補償電路處於閾值電壓補償過程時第一掃描端Sn，第三掃描端Sn-2以及發光控制端S2均為低電平，第二掃描端Sn-1為高電平。此時受第一掃描端Sn控制第一電晶體T1關斷；受第二掃描端Sn-1控制的第二電晶體T2、第四電晶體T4導通；受第三掃描 端Sn-2控制的第七電晶體T7關斷；受發光控制端S2控制的第五電晶體T5導通，第六電晶體T6以及第三電晶體T3關斷。
當OLED像素補償電路處於閾值電壓補償過程時，由於第一電晶體T1關斷，第二電晶體T2導通，此時第一節點a和第二節點b的電壓相等並且驅動電晶體T8處於二極體接法，所謂二極體接法就是驅動電晶體T8的閘極和汲極短接。此時第二電晶體T2、第四電晶體T4以及第五電晶體T5導通其他電晶體關斷，因此在第二電源VSS、第四節點d、第五節點e、第三節點c、第二節點b以及第二電源VSS之間形成一條環路。由於第二電容Cout在第二電容充電過程中充入數值為VDDL-VSS的電壓，所以此時第二電容Cout在上述環路中放電。上述環路的導通條件為：第三節點c和第二節點b之間的電勢差Ucb大於驅動電晶體T8的閾值電壓Vth並且第二節點b和第二電源VSS之間的電勢差大於有機發光二極體OLED的閾值電壓Vth_OLED。第二電容Cout沿上述環路放電過程中其兩端電壓不斷減少，直到其兩端電壓Ued不能維持驅動電晶體T8以及機發光二極體OLED導通為止。綜上所述，第二電容Cout放電完成時其兩端電壓Ued=Vth+Vth_OLED。另外為了防止在補償過程中有機發光二極體OLED發光VDDL的電壓值不能過大以致於OLED在補償過程中發光。
如圖2和圖5所述，當OLED像素補償電路處於資料電壓寫入過程時第一掃描端Sn，第二掃描端Sn-1以及發光控制端S2均為低電平，第三掃描端Sn-2為高電平。此時受第一掃描端Sn控制第一電晶體T1導通；受第二掃描端Sn-1控制的第二電晶體T2、第四電晶體T4關斷；受第三掃描 端Sn-2控制的第七電晶體T7關斷；受發光控制端S2控制的第五電晶體T5導通，第六電晶體T6以及第三電晶體T3關斷。
當OLED像素補償電路處於資料電壓寫入過程時，由於第一電晶體T1、第五電晶體T5導通並且其他電晶體關斷，所以在資料信號端DL、第一節點a、第四節點b以及第二電源VSS之間形成通路。串接於上述通路中的第一電容C1被充電，第一電容C1充電完成時其兩端的電壓Uab為資料信號端電壓VDL和第二電源VSS的電勢差VDL-VSS。在資料電壓寫入過程中，由於第四電晶體T4、第六電晶體T6以及第七電晶體T7關斷，所以第二電容Cout處於浮空狀態，在資料電壓寫入過程中第二電容Cout兩端的電壓不改變。
如圖2和圖6所述，當OLED像素補償電路處於發光顯示過程時第一掃描端Sn，第二掃描端Sn-1以及均為低電平，第三掃描端Sn-2發光控制端S2為高電平。此時受第一掃描端Sn控制第一電晶體T1關斷；受第二掃描端Sn-1控制的第二電晶體T2、第四電晶體T4關斷；受第三掃描端Sn-2控制的第七電晶體T7關斷；受發光控制端S2控制的第五電晶體T5關斷，第六電晶體T6以及第三電晶體T3導通。
當OLED像素補償電路處於發光顯示過程時，由於第六電晶體T6以及第三電晶體T3導通其他電晶體關斷，在OLED像素補償電路中形成兩條通路：通路1從V-DDH、第三節點c、第二節點b至第二電源VSS；通路2從參考電源Vr、第五節點e、第四節點d至第一節點a。對於通路1，如果驅動電晶體T8的閘極電壓Va和第一電源VDDH電壓差值大於驅動電晶體T8的閾值電壓Vth時驅動電晶體T8導通。由於有機發光二極體 OLED和驅動電晶體T8串接，所以流過機發光二極體OLED的電流等於流過驅動電晶體T8第一極(汲極)和第二極(源極)之間的電流。綜上所述，當驅動電晶體T8導通時流過機發光二極體OLED的電流和第一節點a的電壓Va滿足如下關係：IOLED=0.5μpCOX(W/L)(VDDH-Va-Vth)2 (式1.1)
另外串接於通路2的第一電容C1、第二電容Cout以及參考電源疊加至第一節點a，由此得出第一節點a處的電壓Va：Va=Vr-Vth-Vth_OLED+VDL (式1.2)
將式1.2帶入式1.1可得：IOLED=0.5μpCOX(W/L)(VDDH-Vr+Vth_OLED-VDL)2 (式1.3)
從式1.3可知流過有機發光二極體OLED的電流IOLED和VDDH、Vr、Vth_OLED以及VDL有關和驅動電晶體T8的閾值電壓Vth無關，而有機發光二極體OLED的亮度由流過有機發光二極體OLED的電流IOLED決定，所以透過本發明OLED像素補償電路的補償之後可以消除驅動電晶體T8的閾值電壓Vth的誤差對機發光二極體OLED的影響。另外有機發光二極體OLED長時間使用後會發生器件老化，伴隨器件老化會產生閾值電壓Vth_OLED上升、發光效率下降等問題，而在本實施例中IOLED的運算式中還包含Vth_OLED項，Vth_OLED的上升可以使IOLED增長，增長的電流可以用來補償下降的發光效率，從而解決器件老化導致的發光效率下降的問題。
以上結合附圖實施例對本發明進行了詳細說明，本領域中普通技術人員可根據上述說明對本發明做出種種變化例。因而，實施例 中的某些細節不應構成對本發明的限定，本發明將以所附權利要求書界定的範圍作為本發明的保護範圍。
由上述得知本發明確實符合「具有產業可利用性」、「新穎性」、「進步性」，爰依法提出發明專利申請，祈請惠予審查並早日賜准專利，實感德便。
10‧‧‧負載驅動模組
20‧‧‧閾值電壓測量模組
30‧‧‧資料電壓存儲模組
C1‧‧‧第一電容
Cout‧‧‧第二電容
Sn‧‧‧第一掃描端
Sn-1‧‧‧第二掃描端
Sn-2‧‧‧第三掃描端
S2‧‧‧發光控制端
T1‧‧‧第一電晶體
T2‧‧‧第二電晶體
T3‧‧‧第三電晶體
T4‧‧‧第四電晶體
T5‧‧‧第五電晶體
T6‧‧‧第六電晶體
T7‧‧‧第七電晶體
T8‧‧‧驅動電晶體
VDDH‧‧‧第一電源
VSS‧‧‧第二電源
VDDL‧‧‧第三電源
Vr‧‧‧參考電源
a‧‧‧第一節點
b‧‧‧第二節點
c‧‧‧第三節點
d‧‧‧第四節點
e‧‧‧第五節點

Claims (10)

  1. 一種OLED像素補償電路，包括：位於像素區域內部的負載驅動模組和資料電壓存儲模組，以及位於像素區域外部的閾值電壓測量模組，其中：該閾值電壓測量模組用於在第二掃描端的控制下測量並存儲該負載驅動模組的閾值電壓；該資料電壓存儲模組用於在第一掃描端的控制下接收並存儲資料信號端輸出的資料電壓；在發光控制端的控制下，該閾值電壓測量模組中存儲的閾值電壓和該資料電壓存儲模組中存儲的資料電壓串聯疊加形成驅動電壓輸出至該負載驅動模組；該負載驅動模組受控於發光控制端而將接收自該資料電壓存儲模組的驅動電壓轉換為驅動有機發光二極體的驅動電流。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素補償電路，其中，該負載驅動模組包括驅動電晶體、第二電晶體以及第三電晶體，其中：該驅動電晶體的閘極連接於第一節點，其源極連接於第三節點；該第二電晶體的源極和汲極分別連接於該驅動電晶體的閘極和汲極，其閘極連接於該第二掃描端；第三電晶體的閘極連接於發光控制端，其汲極連接於第一電源，其源極連接於第三節點；該驅動電晶體的汲極連接於有機發光二極體的陽極，該有機發光二極體的陰極連接於第二電源；該驅動晶體管用於將該驅動電壓轉換為該驅動電流，該負載驅動模組的閾值電壓為該驅動電晶體的閾值電壓。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之OLED像素補償電路，其中，該資料電壓存儲模組包括第一電晶體以及第一電容；該第一電容的一端連接於第一節點，其另一端連接於第四節點；該第一電晶體的源極連接於第一節點，其汲極連接於該資料信號端，其閘極連接於該第一掃描端；該資料電壓存儲於該第一電容中。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之OLED像素補償電路，其中，該閾值電壓測量模組包括第二電容、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體以及第七電晶體；該第四電晶體的閘極連接於該第二掃描端，其源極連接於該第三節點，其汲極連接於該第五節點；該第五電晶體的閘極連接於該發光控制端，其源極連接於該第四節點，其汲極連接於該第二電源，該第四節點和該第五節點之間跨接有第二電容；該第六電晶體的閘極連接於發光控制端，其源極連接於該第五節點，其汲極連接於參考電源；該第七電晶體的閘極連接於第三掃描端，其汲極連接於第三電源，其源極連接於該第五節點；該第二電容用於存儲該閾值電壓。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之OLED像素補償電路，其中，該第一電晶體、第二電晶體以及第三電晶體、第四電晶體第六電晶體以及第七電晶體為N溝道電晶體，該驅動電晶體以及第五電晶體為P溝道電晶體。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素補償電路，其中，該第三電源輸出的電壓和該第二電源輸出電壓的差值大於該驅動電晶體的閾值電壓和待驅動的有機發光二極體的閾值電壓之和。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素補償電路，其中，該第一電源輸出正電壓；該第二電源接地；該第三電源輸出的電壓大於第二電源的電壓且小於該第一電源的電壓。
  8. 一種適用於如申請專利範圍第1項所述之OLED像素補償電路的OLED像素驅動方法，其係包括以下步驟：S1，閾值電壓補償過程：該閾值測量模組在第二掃描端的控制下測量並且存儲負載驅動模組的閾值電壓；S2，資料電壓寫入過程：資料存儲模組在第一掃描端的控制下接收並且存儲資料信號端的資料電壓；S3，發光顯示過程：在發光控制端的控制下，該閾值電壓測量模組存儲的閾值電壓以及該資料電壓存儲模組存儲的資料電壓串聯疊加至該負載驅動模組形成驅動電壓，該負載驅動模組將該驅動電壓轉化為驅動有機發光二極體的驅動電流。
  9. 一種適用於如申請專利範圍第4項所述之OLED像素補償電路的OLED像素驅動方法，其係包括以下步驟：S1，閾值電壓測量模組的重定過程：第五電晶體在發光控制端的控制下將第四節點連接於第二電源，該閾值電壓測量模組在第三掃描端的控制下使用第三電源對第二電容進行充電；S2，閾值電壓測量過程：第二掃描端將驅動電晶體配置為二極體接法，並且將第三節點和第五節點連接；該第二電容放電直到驅動電晶體和有機發光二極體截止；S3，資料電壓寫入過程：第一掃描端控制資料電壓存儲模組從資料信號端獲取資料電壓，該資料電壓存儲在該第一電容中； S4，發光顯示過程：發光控制端控制第五電晶體關斷導致第四節點浮空，進而使該資料電壓存儲模組的第一電容、閾值電壓測量模組的第二電容以及參考電源的電壓串聯疊加至第一節點形成驅動電壓，在發光控制端的控制下驅動電晶體將第一節點的驅動電壓轉換為驅動有機發光二極體的驅動電流。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之OLED像素驅動方法，其中，OLED像素補償電路處於補償過程時流過有機發光二極體的電流小於有機發光二極體的最小發光電流。
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