CN105304012A - Oled像素补偿电路和oled像素驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED像素补偿电路和OLED像素驱动方法,包括步骤:第二电容充电过程;补偿过程;数据电压写入过程;发光显示过程。本发明的技术方案中将OLED像素驱动电路中的一部分元件设置于像素区域外部,这种做法可以减少像素区域内部像素补偿电路占据的面积,可以有效提高像素的开口率。像素区域内部的原件数量减少之后可以降低OLED面板在布局布线过程中的难度,防止因为采用过细的信号线导致的信号电压下降。并且本发明的OLED像素驱动电路配合本发明的OLED像素驱动方法可以补偿阈值电压变化导致的OLED面板亮度不均匀的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种像素补偿电路和像素驱动方法,尤指一种用于OLED显示装置的像素补偿电路和像素驱动方法。
背景技术
OLED具有省电、适合大尺寸与全彩化的特点,但是在应用过程中也延伸出许多问题,例如OLED作为开关或驱动元件之用的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)的材料特性的变异与材料老化程度不同会造成面板显示的不均匀的现象。另外OLED长时间使用后会导致OLED器件老化,伴随器件的老化会产生阈值电压上升、发光效率下降的问题。为了解决上述问题本领域技术人员提出了多种像素补偿电路用来补偿OLED以及驱动元件阈值电压变化。
但是这些像素补偿电路的应用会引入新的问题:这些像素补偿电路多是采用nTnC(T代表薄膜晶体管,C代表电容,n为表示薄膜晶体管数量或电容数量的整数)的结构。虽然采用这些结构的像素补偿电路可以有效的补偿OLED和驱动晶体管的阈值电压的变化,但是像素补偿电路会占用像素区域(pixel)的大量空间。随着技术发展像素的尺寸变得越来越小,这样位于像素区域内部庞大的nTnC的补偿电路会严重影响OLED面板像素的开口率并且造成OLED面板内布线空间压缩。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED像素补偿电路和OLED像素驱动方法,其能够补偿不同驱动晶体管的阈值电压Vth不一致导致OLED显示器图像不均匀的问题;进一步的本发明的OLED像素补偿电路将一部分元件设置于像素区域外部,这样可以显著提高像素区域的开口率,减少OLED面板内部布线困难的问题。
为了解决上述问题,本发明提供一种OLED像素补偿电路其包括:所位于像素区域内部的负载驱动模块和数据电压存储模块,以及位于像素区域外部的阈值电压测量模块,其中:
所述阈值电压测量模块用于在第二扫描端的控制下测量并存储所述负载驱动模块的阈值电压;
所述数据电压存储模块用于在第一扫描端的控制下接收并存储数据信号端输出的数据电压,在发光控制端的控制下所述阈值电压测量模块中存储的阈值电压和所述数据电压存储模块中存储的数据电压串联叠加形成驱动电压输出至所述负载驱动模块;
所述负载驱动模块受控于发光控制端而将接收自所述数据电压存储模块的驱动电压转换为驱动有机发光二极管的驱动电流。
本发明的OLED像素补偿电路的进一步改进在于:所述负载驱动模块包括驱动晶体管、第二晶体管以及第三晶体管,其中:所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点,其源极连接于第三节点;所述第二晶体管的源极和漏极分别连接于所述驱动晶体管的栅极和漏极,其栅极连接于所述第二扫描端;第三晶体管的栅极连接于发光控制端,其漏极连接于第一电源,其源极连接于第三节点;所述驱动晶体管的漏极连接于有机发光二极管的阳极,所述有机发光二极管的阴极连接于第二电源;所述驱动晶体管用于将所述驱动电压转换为所述驱动电流,所述负载驱动模块的阈值电压为所述驱动晶体管的阈值电压。
本发明的OLED像素补偿电路的进一步改进在于:所述数据电压存储模块包括第一晶体管以及第一电容;所述第一电容的一端连接于第一节点,其另一端连接于第四节点;所述第一晶体管的源极连接于第一节点,其漏极连接于数据信号端,其栅极连接于所述第一扫描端;所述数据电压存储于所述第一电容中。
本发明的OLED像素补偿电路的进一步改进在于:所述阈值电压测量模块包括第二电容、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管;所述第四晶体管的栅极连接于所述第二扫描端,其源极连接于所述第三节点,其漏极连接于所述第五节点;所述第五晶体管的栅极连接于所述发光控制端,其源极连接于所述第四节点,其漏极连接于所述第二电源,所述第四节点和所述第五节点之间跨接有第二电容;所述第六晶体管的栅极连接于发光控制端,其源极连接于所述第五节点,其漏极连接于参考电源;所述第七晶体管的栅极连接于第三扫描端,其漏极连接于第三电源,其源极连接于所述第五节点;所述第二电容用于存储所述阈值电压。
本发明的OLED像素补偿电路的进一步改进在于:所述第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管、第四晶体管第六晶体管以及第七晶体管为N沟道晶体管,所述驱动晶体管以及第五晶体管为P沟道晶体管。
本发明的OLED像素补偿电路的进一步改进在于:所述第三电源输出的电压和所述第二电源输出电压的差值大于所述驱动晶体管的阈值电压和待驱动的有机发光二极管的的阈值电压之和。
本发明的OLED像素补偿电路的进一步改进在于:所述第一电源输出正电压;所述第二电源接地;所述第三电源输出的电压大于第二电源的电压且小于所述第一电源的电压。
本发明还提供一种适用于上述OLED像素补偿电路的OLED像素驱动方法,其包括以下步骤:
S1,阈值电压补偿过程:所述阈值测量模块在第二扫描端的控制下测量并且存储负载驱动模块的阈值电压;
S2,数据电压写入过程:数据存储模块在第一扫描端的控制下接收并且存储数据信号端的数据电压;
S3,发光显示过程:在发光控制端的控制下,所述阈值电压测量模块存储的阈值电压以及所述数据电压存储模块存储的数据电压串联叠加至所述负载驱动模块形成驱动电压,所述负载驱动模块将所述驱动电压转化为驱动有机发光二极管的驱动电流。
本发明还提供一种适用于上述OLED像素补偿电路的OLED像素驱动方法,其包括以下步骤:
S1,阈值电压测量模块的复位过程:第五晶体管在发光控制端的控制下将第四节点连接于第二电源,所述阈值电压测量模块在第三扫描端的控制下使用第三电源对第二电容进行充电;
S2,阈值电压测量过程:第二扫描端将驱动晶体管配置为二极管接法,并且将第三节点和第五节点连接;所述第二电容放电直到驱动晶体管和有机发光二极管截止;
S3,数据电压写入过程:第一扫描端控制数据电压存储模块从数据信号端获取数据电压,所述数据电压存储在所述第一电容中;
S4,发光显示过程:发光控制端控制第五晶体管关断导致第四节点浮空,进而使所述数据电压存储模块的第一电容、阈值电压测量模块的第二电容以及参考电源的电压串联叠加至第一节点形成驱动电压,在发光控制端的控制下驱动晶体管将第一节点的驱动电压转换为驱动有机发光二极管的驱动电流。
本发明OLED像素补偿电路的OLED像素驱动方法的进一步改进在于:OLED像素补偿电路处于补偿过程时流过有机发光二极管的电流小于有机发光二极管的最小发光电流。
本发明的技术方案中将OLED像素驱动电路中的一部分元件设置于像素区域外部,这种做法可以减少像素区域内部像素补偿电路占据的面积,可以有效提高像素的开口率。像素区域内部的原件数量减少之后可以降低OLED面板在布局布线过程中的难度,防止因为采用过细的信号线导致的信号电压下降。并且本发明的OLED像素驱动电路配合本发明的OLED像素驱动方法可以补偿阈值电压变化导致的OLED面板亮度不均匀的问题,进一步的本发明的OLED像素驱动电路还可补偿有机发光二极管器件老化导致的发光效率下降的问题。
附图说明
图1为本发明的OLED像素补偿电路的电路图;
图2为本发明OLED像素驱动方法中像素补偿电路的驱动信号的时序图;
图3为本发明OLED像素驱动方法中OLED像素补偿电路处于第一电容充电过程时的电路状态图;
图4为本发明OLED像素驱动方法中OLED像素补偿电路处于补偿过程时的电路状态图;
图5为本发明OLED像素驱动方法中OLED像素补偿电路处于数据电压写入过程时的电路状态图;
图6为本发明OLED像素驱动方法中OLED像素补偿电路处于发光显示过程时的电路状态图。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示,在本实施例中OLED像素补偿电路包括:包括:负载驱动模块10、阈值电压测量模块20以及数据电压存储模块30,其中:阈值电压测量模块20和第二扫描端Sn-1、发光控制端S2、第三扫描端Sn-2、第三电源VDDL以及负载驱动模块10连接,阈值电压测量模块20用于在第二扫描端Sn-1的控制下测量并存储负载驱动模块10的阈值电压;数据电压存储模块30和第一扫描端Sn、数据信号端DL、阈值电压测量模20块以及负载驱动模块10连接。数据电压存储模块30受控于第一扫描端Sn接收并存储数据信号端DL输出的数据电压;负载驱动模块10与发光控制端S2连接,负载驱动模块10受控于发光控制端S2将接收自数据电压存储模块30的电压信号转换为驱动有机光二极管的驱动电流;上述模块中:负载驱动模块10以及数据电压存储模块位30于像素区域内部;阈值电压测量模块30位于像素区域外部。
如图1所示,负载驱动模块10包括驱动晶体管T8、第二晶体管T2以及第三晶体管T3;其中:驱动晶体管T8的栅极连接于第一节点a,其源极连接于第三节点c;第二晶体管T2的源极和漏极分别连接于驱动晶体管T8的栅极和漏极,其栅极连接于第二扫描端Sn-1,当第二扫描端Sn-1输出信号有效时,驱动晶体管T8被配置成二极管连接方式;第三晶体管T3的栅极连接于发光控制端S2,其漏极连接于第一电源VDDH,其源极连接于第三节点c;当发光控制端S2的输出信号有效时,驱动晶体管T8将第一节点a的电压转化为驱动有机发光二极管的驱动电流。驱动晶体管T8的源极连接于有机发光二极管的阳极,有机发光二极管的阴极连接于第二电源。驱动晶体管T8用于将驱动电压转换为有机发光二极管的驱动电流。
如图1所示,数据电压存储模块30包括第一晶体管T1以及第一电容C1;第一电容C1的一端连接于第一节点a,其另一端连接于第四节点d;第一晶体管T1的源极连接于第一节点a,其漏极连接于数据信号端DL,其栅极连接于第一扫描端Sn;从数据信号端DL接收到的数据电压存储于第一电容C1中。
如图1所示,阈值电压测量模块20包括第二电容Cout、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7;第四晶体管T4的栅极连接于第二扫描端Sn-1,其源极连接于第三节点c,其漏极连接于第五节点e;第五晶体管T5的栅极连接于发光控制端Sn,其源极连接于所述第四节点d,其漏极连接于第二电源VSS,第四节点d和第五节点e之间跨接有第二电容Cout;第六晶体管T6的栅极连接于发光控制端S2,其源极连接于第五节点e,其漏极连接于参考电源Vr;第七晶体管T7的栅极连接于第三扫描端Sn-2,其漏极连接于第三电源VDDL,其源极连接于第五节点e;第二电容Cout用于存储从负载驱动模块10观测到的阈值电压。
如图1所示,第一晶体管T1,第二晶体管T2,第三晶体管T3,第一电容C1以及驱动晶体管T8位于像素区域内部。第四晶体管T4,第五晶体管T5,第六晶体管T6,第七晶体管T7以及第二电容Cout位于像素区域外部。将一部分构成像素补偿电路的元件设置于像素区域外侧的做法可以减少像素区域内部像素补偿电路占据的面积,可以有效提高像素的开口率。像素区域内部的原件数量减少之后可以降低OLED面板在布局布线过程中的难度,因此在布线的过程中可以采用更宽的信号线进而防止因为采用过细的信号线导致的信号电压下降。
如图1所示,第一电源VDDH为正电源,第二电源VSS接地。第三电源VDDL以及参考电源Vr的电压值为给定值,并且这个给定值小于第一电源VDDH的电压大于第二电源VSS的电压。并且第三电源VDDL的电压值大于驱动晶体管T8的阈值电压Vth与有机发光二极管OLED的阈值电压Vth_OLED之和。
如图2所示,本实施例的OLED像素驱动方法通过第一扫描端Sn,第二扫描端Sn-1,第三扫描端Sn-2以及发光控制端S2控制OLED像素补偿电路中的晶体管按照预定的时序导通或者关断以达到控制OLED发光的目的。本实施例的方法包括以下四个步骤:
S1,阈值电压测量模块20的充电过程:对应图2中t1状态,此时第五晶体管T5导通,导致第四节点d连接于第二电源VSS,另一方面多路电压选择模块30将第三电源VDDL连接于第五节点e,此时第三电源VDDL向第二电容Cout充电;
S2,阈值电压补偿过程:对应图2中t2状态,此时驱动晶体管T8呈二极管接法,多路电压选择模块30将第三节点c连接于第五节点e,第二电容Cout放电直到驱动晶体管T8或有机发光二极管关断;
S3,数据电压写入过程:对应图2中t3状态,数据信号端DL向数据电压存储模块40写入数据电压,数据电压存储于第一电容C1中;
S4,发光显示过程:对应图2中t4状态,发光控制端S2的信号有效导致第四节点d的电压浮空,此时第一电容C1、第二电容Cout以及参考电源Vr的电压叠加至驱动晶体管T8的栅极,此时驱动晶体管处于饱和区,流过驱动晶体管T8的源极和栅极的电流驱动有机发光二极管发光。
如图2和图3所示,当OLED像素补偿电路处于,阈值电压测量模块20的充电过程时第一扫描端Sn,第二扫描端Sn-1以及发光控制端S2均为低电平,第三扫描端Sn-2为高电平。此时受第一扫描端Sn控制第一晶体管T1关断;受第二扫描端Sn-1控制的第二晶体管T2、第四晶体管T4关断;受第三扫描端Sn-2控制的第七晶体管T7导通;受发光控制端S2控制的第五晶体管T5导通,第六晶体管T6以及第三晶体管T3关断。
当OLED像素补偿电路处于阈值电压测量模块20的充电过程时,由于第五晶体管T5以及第七晶体管T7导通从第三电源VDDL、第五节点e、第四节点d至第二电源VSS之间形成一条通路。处于上述通路中第五节点e、第四节点d之间的第二电容Cout被充电,又由于其他晶体管均处于关断状态所以在第五晶体管T5以及第七晶体管T7导通压降忽略不计的情况下第二电容Cout充电完成时两端的电压为VDDL-VSS。
如图2和图4所述,当OLED像素补偿电路处于阈值电压补偿过程时第一扫描端Sn,第三扫描端Sn-2以及发光控制端S2均为低电平,第二扫描端Sn-1为高电平。此时受第一扫描端Sn控制第一晶体管T1关断;受第二扫描端Sn-1控制的第二晶体管T2、第四晶体管T4导通;受第三扫描端Sn-2控制的第七晶体管T7关断;受发光控制端S2控制的第五晶体管T5导通,第六晶体管T6以及第三晶体管T3关断。
当OLED像素补偿电路处于阈值电压补偿过程时,由于第一晶体管T1关断,第二晶体管T2导通,此时第一节点a和第二节点b的电压相等并且驱动晶体管T8处于二极管接法,所谓二极管接法就是驱动晶体管T8的栅极和漏极短接。此时第二晶体管T2、第四晶体管T4以及第五晶体管T5导通其他晶体管关断,因此在第二电源VSS、第四节点d、第五节点e、第三节点c、第二节点b以及第二电源VSS之间形成一条环路。由于第二电容Cout在第二电容充电过程中充入数值为VDDL-VSS的电压,所以此时第二电容Cout在上述环路中放电。上述环路的导通条件为:第三节点c和第二节点b之间的电势差Ucb大于驱动晶体管T8的阈值电压Vth并且第二节点b和第二电源VSS之间的电势差大于有机发光二极管OLED的阈值电压Vth_OLED。第二电容Cout沿上述环路放电过程中其两端电压不断减少,直到其两端电压Ued不能维持驱动晶体管T8以及机发光二极管OLED导通为止。综上所述,第二电容Cout放电完成时其两端电压Ued=Vth+Vth_OLED。另外为了防止在补偿过程中有机发光二极管OLED发光VDDL的电压值不能过大以致于OLED在补偿过程中发光。
如图2和图5所述,当OLED像素补偿电路处于数据电压写入过程时第一扫描端Sn,第二扫描端Sn-1以及发光控制端S2均为低电平,第三扫描端Sn-2为高电平。此时受第一扫描端Sn控制第一晶体管T1导通;受第二扫描端Sn-1控制的第二晶体管T2、第四晶体管T4关断;受第三扫描端Sn-2控制的第七晶体管T7关断;受发光控制端S2控制的第五晶体管T5导通,第六晶体管T6以及第三晶体管T3关断。
当OLED像素补偿电路处于数据电压写入过程时,由于第一晶体管T1、第五晶体管T5导通并且其他晶体管关断,所以在数据信号端DL、第一节点a、第四节点b以及第二电源VSS之间形成通路。串接于上述通路中的第一电容C1被充电,第一电容C1充电完成时其两端的电压Uab为数据信号端电压VDL和第二电源VSS的电势差VDL-VSS。在数据电压写入过程中,由于第四晶体管T4、第六晶体管T6以及第七晶体管T7关断,所以第二电容Cout处于浮空状态,在数据电压写入过程中第二电容Cout两端的电压不改变。
如图2和图6所述,当OLED像素补偿电路处于发光显示过程时第一扫描端Sn,第二扫描端Sn-1以及均为低电平,第三扫描端Sn-2发光控制端S2为高电平。此时受第一扫描端Sn控制第一晶体管T1关断;受第二扫描端Sn-1控制的第二晶体管T2、第四晶体管T4关断;受第三扫描端Sn-2控制的第七晶体管T7关断;受发光控制端S2控制的第五晶体管T5关断,第六晶体管T6以及第三晶体管T3导通。
当OLED像素补偿电路处于发光显示过程时,由于第六晶体管T6以及第三晶体管T3导通其他晶体管关断,在OLED像素补偿电路中形成两条通路:通路1从VDDH、第三节点c、第二节点b至第二电源VSS;通路2从参考电源Vr、第五节点e、第四节点d至第一节点a。对于通路1,如果驱动晶体管T8的栅极电压Va和第一电源VDDH电压差值大于驱动晶体管T8的阈值电压Vth时驱动晶体管T8导通。由于有机发光二极管OLED和驱动晶体管T8串接,所以流过机发光二极管OLED的电流等于流过驱动晶体管T8第一极(漏极)和第二极(源极)之间的电流。综上所述,当驱动晶体管T8导通时流过机发光二极管OLED的电流和第一节点a的电压Va满足如下关系:
IOLED=0.5μpCOX(W/L)(VDDH-Va-Vth)2(式1.1)
另外串接于通路2的第一电容C1、第二电容Cout以及参考电源叠加至第一节点a,由此得出第一节点a处的电压Va:
Va=Vr-Vth-Vth_OLED+VDL(式1.2)
将式1.2带入式1.1可得:
IOLED=0.5μpCOX(W/L)(VDDH-Vr+Vth_OLED-VDL)2(式1.3)
从式1.3可知流过有机发光二极管OLED的电流IOLED和VDDH、Vr、Vth_OLED以及VDL有关和驱动晶体管T8的阈值电压Vth无关,而有机发光二极管OLED的亮度由流过有机发光二极管OLED的电流IOLED决定,所以通过本发明OLED像素补偿电路的补偿之后可以消除驱动晶体管T8的阈值电压Vth的误差对机发光二极管OLED的影响。另外有机发光二极管OLED长时间使用后会发生器件老化,伴随器件老化会产生阈值电压Vth_OLED上升、发光效率下降等问题,而在本实施例中IOLED的表达式中还包含Vth_OLED项,Vth_OLED的上升可以使IOLED增长,增长的电流可以用来补偿下降的发光效率,从而解决器件老化导致的发光效率下降的问题。
以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明,本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而,实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定,本发明将以所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED像素补偿电路,其特征在于,包括:所位于像素区域内部的负载驱动模块和数据电压存储模块,以及位于像素区域外部的阈值电压测量模块,其中:
所述阈值电压测量模块用于在第二扫描端的控制下测量并存储所述负载驱动模块的阈值电压;
所述数据电压存储模块用于在第一扫描端的控制下接收并存储数据信号端输出的数据电压;在发光控制端的控制下所述阈值电压测量模块中存储的阈值电压和所述数据电压存储模块中存储的数据电压串联叠加形成驱动电压输出至所述负载驱动模块;
所述负载驱动模块受控于发光控制端而将接收自所述数据电压存储模块的驱动电压转换为驱动有机发光二极管的驱动电流。
2.如权利要求1所述的OLED像素补偿电路,其特征在于:所述负载驱动模块包括驱动晶体管、第二晶体管以及第三晶体管,其中:所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点,其源极连接于第三节点;所述第二晶体管的源极和漏极分别连接于所述驱动晶体管的栅极和漏极,其栅极连接于所述第二扫描端;第三晶体管的栅极连接于发光控制端,其漏极连接于第一电源,其源极连接于第三节点;所述驱动晶体管的漏极连接于有机发光二极管的阳极,所述有机发光二极管的阴极连接于第二电源;所述驱动晶体管用于将所述驱动电压转换为所述驱动电流,所述负载驱动模块的阈值电压为所述驱动晶体管的阈值电压。
3.如权利要求2所述的OLED像素补偿电路,其特征在于:所述数据电压存储模块包括第一晶体管以及第一电容;所述第一电容的一端连接于第一节点,其另一端连接于第四节点;所述第一晶体管的源极连接于第一节点,其漏极连接于所述数据信号端,其栅极连接于所述第一扫描端;所述数据电压存储于所述第一电容中。
4.如权利要求3所述的OLED像素补偿电路,其特征在于:所述阈值电压测量模块包括第二电容、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管;所述第四晶体管的栅极连接于所述第二扫描端,其源极连接于所述第三节点,其漏极连接于所述第五节点;所述第五晶体管的栅极连接于所述发光控制端,其源极连接于所述第四节点,其漏极连接于所述第二电源,所述第四节点和所述第五节点之间跨接有第二电容;所述第六晶体管的栅极连接于发光控制端,其源极连接于所述第五节点,其漏极连接于参考电源;所述第七晶体管的栅极连接于第三扫描端,其漏极连接于第三电源,其源极连接于所述第五节点;所述第二电容用于存储所述阈值电压。
5.如权利要求4所述的OLED像素补偿电路,其特征在于:所述第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管、第四晶体管第六晶体管以及第七晶体管为N沟道晶体管,所述驱动晶体管以及第五晶体管为P沟道晶体管。
6.如权利要求1所述的OLED像素补偿电路,其特征在于:所述第三电源输出的电压和所述第二电源输出电压的差值大于所述驱动晶体管的阈值电压和待驱动的有机发光二极管的阈值电压之和。
7.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于:所述第一电源输出正电压;所述第二电源接地;所述第三电源输出的电压大于第二电源的电压且小于所述第一电源的电压。
8.一种适用于如权利要求1所述OLED像素补偿电路的OLED像素驱动方法,其特征在于包括以下步骤:
S1,阈值电压补偿过程:所述阈值测量模块在第二扫描端的控制下测量并且存储负载驱动模块的阈值电压;
S2,数据电压写入过程:数据存储模块在第一扫描端的控制下接收并且存储数据信号端的数据电压;
S3,发光显示过程:在发光控制端的控制下,所述阈值电压测量模块存储的阈值电压以及所述数据电压存储模块存储的数据电压串联叠加至所述负载驱动模块形成驱动电压,所述负载驱动模块将所述驱动电压转化为驱动有机发光二极管的驱动电流。
9.一种适用于如权利要求4所述OLED像素补偿电路的OLED像素驱动方法,其特征在于包括以下步骤:
S1,阈值电压测量模块的复位过程:第五晶体管在发光控制端的控制下将第四节点连接于第二电源,所述阈值电压测量模块在第三扫描端的控制下使用第三电源对第二电容进行充电;
S2,阈值电压测量过程:第二扫描端将驱动晶体管配置为二极管接法,并且将第三节点和第五节点连接;所述第二电容放电直到驱动晶体管和有机发光二极管截止;
S3,数据电压写入过程:第一扫描端控制数据电压存储模块从数据信号端获取数据电压,所述数据电压存储在所述第一电容中;
S4,发光显示过程:发光控制端控制第五晶体管关断导致第四节点浮空,进而使所述数据电压存储模块的第一电容、阈值电压测量模块的第二电容以及参考电源的电压串联叠加至第一节点形成驱动电压,在发光控制端的控制下驱动晶体管将第一节点的驱动电压转换为驱动有机发光二极管的驱动电流。
10.如权利要求9所述的OLED像素驱动方法,其特征在于:OLED像素补偿电路处于补偿过程时流过有机发光二极管的电流小于有机发光二极管的最小发光电流。
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