CN105551427A - 有机发光二极管显示器及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极管显示器及其驱动方法。有机发光二极管显示器具有的多个像素单元包括:用于提供扫描信号的第一、二扫描线;提供数据信号的数据线,数据信号用于控制有机发光二极管发光亮度;开关晶体管,电性连接第二扫描线与数据线,用于传输该数据信号;存储电容,电性连接该开关晶体管用于储存数据信号;驱动晶体管,用于提供驱动电流以驱动有机发光二极管发光;侦测电路,用于在第一扫描线提供的扫描信号控制下侦测该驱动晶体管的驱动特性,并输出表征该驱动特性的参数以补偿该数据信号,经补偿后的数据信号再加载至该像素单元。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示器,尤其涉及一种主动矩阵有机发光二极管显示器及其驱动方法。
背景技术
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示器依其驱动方式可分为被动矩阵有机发光二极管(PassiveMatrixOLED,PMOLED)显示器与主动矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOLED,AMOLED)显示器。
AMOLED显示器由于具有较高的亮度及较佳的寿命表现,亦可达到高分辨率的需求,因此较PMOLED显示器应用更为广泛。AMOLED显示器系通过一开关晶体管与驱动晶体管搭配电容来储存数据信号,通过驱动晶体管供给有机发光二极管电流发光,并通过电容储存的数据信号控制有机发光二极管的亮度灰阶。其中,该开关晶体管与驱动晶体管通常为薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)。
驱动薄膜晶体管输出一驱动电流以用于驱动OLED发光。然而,驱动薄膜晶体管由于制程、以及使用环境的温度、湿度等因素下,其均会产生老化,且老化程度不尽相同。由此,不同像素在输入相同的数据信号时,输出至OLED的驱动电流亦会不同,从而造成有机发光二极管显示器中像素的亮度亦不同。此现象会使有机发光二极管显示器显示出灰阶不良的图像,严重影响有机发光二极管显示器图像的均匀性(ImageUniformity)。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种具有较佳显示品的有机发光二极管显示器。
进一步,提供一种该有机发光二极管显示器的驱动方法。
一种有机发光二极管显示器,包括多个像素单元。该像素单元包括二相互绝缘的第一扫描线与第二扫描线,该二扫描线用于提供扫描信号;与该第一、第二扫描线绝缘的数据线,该数据线用于传输显示用的数据信号;开关晶体管,电性连接该第二扫描线与该数据线,并在该第二扫描线提供的扫描信号的控制下输出该数据信号;存储电容,该存储电容电性连接该开关晶体管并用来储存该数据信号;驱动晶体管,该驱动晶体管电性连接该开关晶体管与该存储电容,用于在该数据信号控制下提供一驱动电流;有机发光二极管,电性连接该存储电容与该驱动晶体管,并通过该驱动电流驱动发光及通过该数据信号控制发光亮度。该像素单元进一步包括一侦测电路,该侦测电路包括读取线与侦测晶体管,该读取线与该第一、第二扫描线及该数据线相互绝缘,该侦测晶体管电性连接该第一扫描线、该驱动晶体管以及该读取线,该侦测晶体管在该第一扫描线提供的扫描信号控制下侦测该驱动晶体管的驱动特性,并将表征该驱动特性的参数输出至该读取线,表征该驱动特性的参数用于补偿该数据信号,且经补偿后的数据信号再次加载至该像素单元。
一种有机发光二极管显示器的驱动方法,该有机发光二极管显示器包括多个像素单原,该像素单元包括:二相互绝缘的第一扫描线与第二扫描线;与该第一、第二扫描线绝缘的数据线;开关晶体管,电性连接该第二扫描线与该数据线;存储电容,该存储电容电性连接该开关晶体管并用来储存该数据信号;驱动晶体管,该驱动晶体管电性连接该开关晶体管与该存储电容,用于提供一驱动电流;有机发光二极管,电性连接该存储电容与该驱动晶体管;读取线,与该第一、第二扫描线及该数据线相互绝缘;侦测晶体管,电性连接该第一扫描线、该驱动晶体管以及该读取线,该驱动方法包括:
加载扫描信号至该第一扫描线,控制该侦测晶体管导通;
加载扫描信号至该第二扫描线,控制该开关晶体管导通;
加载数据信号至该开关晶体管,该数据信号控制该驱动晶体管导通,自该驱动晶体管提供一驱动电流,该驱动电流用于驱动该有机发光二极管发光;
通过该侦测晶体管侦测该驱动晶体管的驱动特性,并将表征该驱动特性的参数输出至该读取线;
自该读取线读取该参数,并依据该参数补偿该数据信号;
加载该经补偿后的数据信号至该有机发光二极管,并控制该有机发光二极管的发光亮度。
相较于现有技术,通过在每一像素单元中设置侦测电路用于侦测驱动晶体管的驱动特性信息,并通过该驱动特性信息获得补偿信号,利用该补偿信号对输出像素单元的数据信号进行补偿,经补偿后的数据信号则能够更为准确地控制像素单元的亮度,保证图像显示的均匀性。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例中OLED显示器的平面结构示意图。
图2为本发明一实施例中如图1所示两个相邻的像素单元的电路图。
图3为如2所示数据驱动器中辅助单元与其中一像素单元以及辅助单元的电路图。
图4为其为本发明一较佳实施例中驱动如图2所示两个相邻像素单元的时序图。
主要元件符号说明
OLED显示器 | 1 |
显示面板 | 10 |
驱动电路 | 20 |
扫描线 | G1~Gn |
资料线 | D1~Dm |
读取线 | R1-Rm |
像素单元 | P、P11~Pnm |
时序控制器 | 21 |
扫描驱动器 | 23 |
数据驱动器 | 25 |
电源供应电路 | 27 |
侦测电路 | 29 |
开关晶体管 | T1 |
存储电容 | Cs |
驱动晶体管 | Td |
有机发光二极管 | OLED |
侦测晶体管 | Ts |
辅助单元 | 251 |
第一转换单元 | 251a |
转换电阻 | Rc |
模拟/数字转换器 | ADC |
地端 | GND |
第一输入端 | Vin |
第一输出端 | Vout |
补偿单元 | 251b |
第一运算单元 | L1 |
第二运算单元 | L2 |
第二转换单元 | 251c |
数字/模拟转换器 | DAC |
缓存器 | BF |
扫描信号 | Gs |
数据信号 | Ds |
补偿后的数据信号 | Dsc |
驱动特性信息 | Is |
电源电压 | VDD |
驱动电流 | Id |
测试电压 | Vs |
参考电压 | Vref |
补偿信号 | Sc |
节点 | Px |
开启电压 | Vth |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下通过具体实施例配合附图进行详细说明。
图1为本发明一较佳实施方式中有机发光二极管显示器1的平面结构示意图。该有机发光二极管显示器1包括显示面板10与驱动电路20,其中,驱动电路20用于驱动显示面板10显示图像。可以理解,驱动电路20系设置于显示面板10的非显示区域。
具体地,显示面板10的显示区域(未标示)中设置多个相互平行且绝缘的扫描线G1~Gn、多个相互平行且绝缘的数据线D1~Dm以及多个读取线R1-Rm,该多个扫描线G1~Gn与该多个数据线D1~Dm相互垂直且绝缘相交,从而在交叉处定义多个矩阵排列的像素单元,该多个像素单元可定义为P11~Pnm,其中,m、n为正整数。该多个读取线R1-Rm的每一条分别平行于相应的资料线D1-Dm设置。
驱动电路20包括时序控制器21、扫描驱动器23、数据驱动器25以及电源供应电路27。
时序控制器21用于输出一同步信号至该扫描驱动器23、数据驱动器25以及电源供应电路27,以控制扫描驱动器23输出对应的扫描信号,及控制数据驱动器25输出对应的数据信号,且控制电源供应电路27提供电源电压至像素单元P11~Pnm。
扫描驱动器23用于通过该多个扫描线G1~Gn提供扫描信号Gs至像素单元P11~Pnm,以启动该多个像素单元P11~Pnm。数据驱动器25通过该多个数据线D1~Dm提供数据信号Ds至该多个像素单元P11~Pnm,以控制该多个像素单元P11~Pnm对应显示该数据信号Ds,同时数据驱动器25还通过该多个读取线R1-Rm获取多个像素单元P11~Pnm的驱动特性信息Is。需要说明书的是,该驱动特性信息Is表征驱动像素单元P11~Pnm中驱动组件的驱动特性对应的参数,本实施例中,该驱动特性信息Is可以为表示驱动组件正常工作时的电流。
电源供应电路27用于为该多个像素单元P11~Pnm提供驱动所需的电源电压VDD。
请参阅图2,图2为本发明一实施例中如图1所示其中二相邻的像素单元Pij与P(i+1)j的电路图。需要说明的是,像素单元P11~Pnm的内部结构均相同,故本实施例仅以像素单元Pij与P(i+1)j为例进行说明,其中,i、j均为正整数,且1<i≦n,1≦j≦m。
对于像素单元Pij,其由扫描线Gi-1与扫描线Gi、数据线Dj以及读取线Rj定义构成,对于像素单元P(i+1)j,其由扫描线Gi与扫描线Gi+1、数据线Dj以及读取线Rj定义构成。
首先,像素单元Pij包括开关晶体管T1、存储电容Cs、驱动晶体管Td与有机发光二极管OLED与侦测晶体管Ts,其中,该侦测晶体管Ts与读取线Rj构成侦测电路29。
该开关晶体管T1的栅极电性连接扫描线Gi,源极电性连接该数据线Di,漏极电性连接存储电容Cs,该开关晶体管T1在该扫描线Gi提供的扫描信号Gsi控制导通或者截止,并在导通状态时将该数据信号Ds至该存储电容Cs。
该存储电容Cs电性连接于该有机发光二极管OLED,用于储存该数据信号Ds,从而在开关晶体管T1处于截止状态时,保持数据信号Ds持续加载于有机发光二极管OLED,保证有机发光二极管OLED仍然能保持原有的亮度。
该驱动晶体管Td的栅极电性连接该开关晶体管T1的漏极,用于在该数据信号Ds的控制下使得驱动晶体管Td导通或者截止;该驱动晶体管Td的源极电性连接该电源供应电路27,用于接收该电源电压VDD;该驱动晶体管Td的漏极电性连接有机发光二极管OLED与侦测晶体管Ts。该驱动晶体管Td在电源电压VDD的驱动下自源极和漏极传输一驱动电流Id至有机发光二极管OLED,该驱动电流Id驱动有机发光二极管OLED启动并发光。
该侦测晶体管Ts的栅极电性连接于扫描线Gi-1,自扫描线Gi-1接收扫描信号Gs(i-1),侦测晶体管Td在该扫描信号Gs的控制下开启或者导通,可以理解,扫描线Gi-1加载该扫描信号Gs的时间较该扫描Gi加载该扫描信号Gs的时间早,亦即侦测晶体管Ts较开关晶体管T1、驱动晶体管Td导通时间早;侦测晶体管Td的源极电性连接该驱动晶体管Td,漏极电性连接该读取线Rj。该侦测晶体管Ts用于侦测该驱动晶体管Td的驱动特性信息Is,并且将该驱动特性信息Is传输自读取线Rj,读取线Rj则将驱动特性信息Is传输至数据驱动器25。本实施例中,驱动特性信息Is为表征驱动晶体管Td驱动特性的参数,亦即驱动晶体管Td导通时自源极传输至漏极的驱动电流Id。该扫描线Gi-1加载该扫描信号的时间段与扫描线Gi加载该扫描信号Gs的时间段)存在部分重叠,从而在此时间段内该侦测晶体管Td对驱动晶体管Td的驱动特性信息Is进行侦测。
同理,像素单元P(i+1)j亦包括开关晶体管T1、存储电容Cs、驱动晶体管Td与有机发光二极管OLED与侦测晶体管Ts,其中,该侦测晶体管Ts与读取线Rj构成侦测电路29,该些组件的连接方式与像素单元Pij相同,在此不再赘述,区别仅在于开关晶体管T1的栅极电性连接扫描线Gi+1,侦测驱动晶体管Td的栅极电性连接扫描线Gi。
数据驱动器25包括至少一辅助单元251,该辅助单元251电性连接该多个读取线R1~Rm,用于自读取线接收该驱动特性信息Is,并根据该驱动特性信息Is输出补偿信号Sc,以及将该补偿信号Sc对提供至相应像素单元的数据信号Ds进行补偿。
请参阅图3,其为如2所示数据驱动器25中辅助单元251与其中一像素单元Pij中驱动晶体管Td以及侦测电路29的电路图,该辅助单元251包括第一转换单元251a、补偿单元251b以及第二转换单元251c。
该第一转换单元251a电性连接读取线Rj,用于将自读取线Rj接收的驱动特性信息Is转换为可计算的测试电压Vs。具体地,第一转换单元251a包括转换电阻Rc与模拟/数字转换器ADC,该转换电阻Rc电性连接于该读取线Rj与地端GND之间,用于将该驱动特性信息Is转换为测试电压Vs。该模拟/数字转换器ADC的其中第一输入端Vin电性连接于读取线Rj与转换电阻Rc之间一节点Px,用于输入该转换电阻Rc转换的测试电压Vs。该模拟/数字转换器ADC将该测试电压Vs转换为一数字式的测试电压Vs,并通过电性连接该补偿单元251b的第一输出端Vout传输至补偿单元251b。
补偿单元251b自转换单元251a接收该数字式测试电压Vs,并对该测试电压Vs与参考电压Vref进行运算而获得补偿信号Sc,进一步将补偿信号Sc与像素单元Pij待显示的数据信号Ds进行运算,从而获得经补偿后的数据信号Dsc。其中,参考电压Vref表示驱动晶体管Td默认的驱动特性信息对应的电压参数。
补偿单元251b包括第一运算单元L1与第二运算单元L2,该第一运算单元L1接收该数字式测试电压Vs,并将其与参考电压Vref进行相减运算,从而获得测试电压Vs与参考电压Vref的差值,该差值即为该补偿信号Sc。
第二运算单元L2接收该补偿信号Sc,并且将其与待输出至像素单元Pij的数据信号Ds作相减运算,从而对该数据信号Ds进行补偿,并输出经补偿后的数据信号Dsc。可以理解,补偿信号Sc与数据信号Ds均为数字信号。
第二转换单元251c包括数字/模拟转换器DAC与缓存器BF,该数字/模拟转换器DAC用于将经补偿后的数字数据信号Dsc转换为模拟信号输出至缓存器BF。缓存器BF用于暂存该模拟补偿后的数据信号Dsc并提供至对应数据线Dj,进而传输至像素单元Pij中。
请参阅图4,其为本发明一较佳实施例中驱动像素单元Pij与P(i+1)j的时序图,其中,标识Gs分别表示加载于扫描线Gi-1、Gi以及Gi+1的扫描信号,Ds分别表示待提供至像素单元Pij与P(i+1)j的数据信号,Dsc分别表示经补偿后并提供至像素单元Pij与P(i+1)j的数据信号。
现结合图2-4具体说明对像素单元Pij与P(i+1)j的驱动方式以及数据补偿方式。
在t1时刻,扫描线Gi-1开始加载扫描信号Gs,但由于此扫描信号Gs还未达到侦测晶体管Ts的开启电压Vth,故侦测晶体管Ts并未导通。
在t2时刻,描信号Gs达到侦测晶体管Ts的开启电压Vth,侦测晶体管Ts开启,同时,扫描线Gi开始加载扫描信号Gs,但是由于此时信号Gs还未达到开关晶体管T1的开启电压Vth,故开关晶体管T1与驱动晶体管Td并未导通。
在t3时刻,扫描信号Gs达到开关晶体管T1的开启电压Vth,开关晶体管T1开启,由此数据信号Ds通过开关晶体管T1加载至驱动晶体管Td的栅极以及存储电容Cs,从而使得驱动晶体管Td开始导通,由于驱动晶体管Td的源极加载电源电压VDD,则自驱动晶体管Td的源极-漏极产生一驱动电流,从而使得有机发光二极管OLED开始发光,且该驱动电流即作为驱动晶体管Td的驱动特性信息Is。由于侦测晶体管Ts处于导通状态,则该驱动特性信息Is经由读取线Rj传输至辅助单元251。
驱动特性信息Is经转换电阻Rc转换为对应的测试电压Vs,进一步,测试电压Vs经模拟/数字转换器ADC转换为数字式的测试电压Vs,第一运算单元L1将其与参考电压Vref进行相减运算,从而获得补偿信号Sc。
第二运算单元L2接收该补偿信号Sc,并且将其与在t3时刻输出至像素单元Pij的数据信号Ds作相减运算,从而对该数据信号Ds进行补偿,并输出经补偿后的数据信号Dsc。第二转换单元251c的该数字/模拟转换器DAC将经补偿后的数据信号Dsc转换为模拟信号,并暂存于缓存器BF。
另外,在t3时刻,像素单元P(i+1)j的侦测晶体管T2导通,且扫描线Gi+1开始加载扫描信号Gs,但由于此扫描信号Gs还未达到开关晶体管T1的开启电压Vth,故开关晶体管Ts并未导通,则此时像素单元P(i+1)j的侦测晶体管T2并未传输对应的驱动特性信息Is至数据驱动器25。
在t4时刻,扫描线Gi-1的描信号Gs开始降低并小于侦测晶体管Ts的开启电压Vth,故侦测晶体管Ts截止,像素单元Pij的侦测晶体管T2停止传输对应的驱动特性信息Is至数据驱动器25。同时,数据驱动器25在t4时刻将经补偿后的数据信号Dsc输出至像素单元Pij的开关晶体管T1,并通过存储电容Cs传输至有机发光二极管OLED以较精确地控制其亮度。
另外,在像素单元P(i+1)j中,扫描信号Gs达到开关晶体管T1的开启电压Vth,开关晶体管T1开启,由此数据信号DS通过开关晶体管T1加载至驱动晶体管Td的栅极以及存储电容Cs,从而使得驱动晶体管Td开始导通,由于驱动晶体管Td的源极加载电源电压VDD,则自驱动晶体管Td的源极-漏极产生一驱动电流,从而使得有机发光二极管OLED开始发光,且该驱动电流即作为驱动晶体管Td的驱动特性信息Is。由于侦测晶体管Ts处于导通状态,则该驱动特性信息Is经由读取线Rj传输至数据驱动电路25的辅助单元251。从而辅助单元251依据驱动特性信息Is对数据信号Dsc进行补偿,从而获得补偿后的数据信号Dsc。在t5时刻,数据驱动器25将经补偿后的数据信号Dsc输出至像素单元P(i+1)j至开关晶体管T1,并通过存储电容Cs传输至有机发光二极管OLED并精确控制其亮度。
可见,扫描线Gi-1加载该扫描讯Gs的时间较该扫描线Gi加载该扫描信号Gs的时间早,且该扫描线Gi-1加载该扫描信号的时间段(t1-t5)与扫描线Gi加载该扫描信号Gs的时间段(t2-t5)存在部分重叠(t3-t4),从而在此时间段内该侦测晶体管Td对驱动晶体管Td的驱动特性信息Is进行侦测。以此类推,其他像素单元均可按照其述方式进行驱动以及补偿,在此不再赘述。
相较于先前技术,通过在每一像素单元中设置侦测电路用于侦测驱动晶体管Td的驱动特性信息Is,数据驱动器25的辅助单元251则通过该驱动特性信息Is获得一补偿信号Sc,从而对输出像素单元P的数据信号Ds进行补偿,经补偿后的数据信号Dsc则能够更为准确地控制像素单元P的亮度,保证图像显示的均匀性。
可变更地,辅助单元251亦可以无需设置于数据驱动器25内,而系独立于数据驱动器25设置于显示面板10上。
当然,本发明并不局限于上述公开的实施例,本发明还可以是对上述实施例进行各种变更。本技术领域人员可以理解,只要在本发明的实质精神范围的内,对以上实施例所作的适当改变和变化都落在本发明要求保护的范围的内。
Claims (19)
1.一种有机发光二极管显示器,包括多个像素单元,该像素单元包括:
二相互绝缘的第一扫描线与第二扫描线,用于提供扫描信号;
与该第一、第二扫描线绝缘的数据线,该数据线用于传输显示用的数据信号;
开关晶体管,电性连接该第二扫描线与该数据线,并在该第二扫描线提供的扫描信号的控制下输出该数据信号;
存储电容,该存储电容电性连接该开关晶体管并用来储存该数据信号;
驱动晶体管,该驱动晶体管电性连接该开关晶体管与该存储电容,用于在该数据信号控制下提供一驱动电流;
有机发光二极管,电性连接该存储电容与该驱动晶体管,并通过该驱动电流驱动发光及通过该数据信号控制发光亮度;
其特征在于,该像素单元进一步包括一侦测电路,该侦测电路包括读取线与侦测晶体管,该读取线与该第一、第二扫描线及该数据线相互绝缘,该侦测晶体管电性连接该第一扫描线、该驱动晶体管以及该读取线,该侦测晶体管在该第一扫描线提供的扫描信号控制下侦测该驱动晶体管的驱动特性,并将表征该驱动特性的参数输出至该读取线,表征该驱动特性的参数用于补偿该数据信号,且经补偿后的数据信号再次加载至该像素单元。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该第一扫描线加载该扫描信号的时间较该第二扫描线加载该扫描信号的时间早。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该第一扫描线加载该扫描信号的时间段与该第二扫描线加载该扫描信号的时间段存在部分重叠。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该第一扫描线与该第二扫描线相邻设置。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该驱动晶体管的栅极接收该数据信号,源极接收电源电压,漏极电性连接该侦测晶体管的源极,该侦测晶体管的栅极电性连接该第一扫描线,该侦测晶体管的漏极电性连接该读取线。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该读取线平行于该数据线。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该有机发光二极管显示器进一步包括一辅助单元,该辅助单元电性连接该读取线,用于自读取线接收该表征该驱动特性的参数,并根据该表征该驱动特性参数输出补偿信号,以及通过该补偿信号对该数据信号进行补偿。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该辅助单元包括第一转换单元与补偿单元,该第一转换单元电性连接读取线,用于将自读取接收该表征该驱动特性的参数转换为数字式测试电压,该补偿单元自该转换单元接收该数字式测试电压,并依据该数字式测试电压与一预存的参考电压以获得相应的补偿信号。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该第一转换单元包括一转换电阻与一模拟/数字转换器,该转换电阻电性连接于该读取线与地之间,用于将该表征该驱动特性的参数转换为该测试电压,该模拟/数字转换器输入该转换电阻转换的测试电压,并将该测试电压转换为该数字式测试电压。
10.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该补偿单元包括第一运算单元,该第一运算单元接收该数字式测试电压,并将该数字式测试电压与该参考电压进行相减运算,从而获得测试电压与参考电压的差值,该差值作为该补偿信号。
11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该补偿单元还包括第二运算单元,该第二运算单元接收该补偿信号,并且将该补偿信号与该数据信号作相减运算,获得该补偿后的数据信号。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该驱动晶体管的驱动特性为该驱动晶体管的源极-漏极电流与电压的关系。
13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,该有机发光二极管显示器包括一数据驱动器,该辅助单元设置于该数据驱动器中,该数据驱动器与该数据线电性连接以提供该数据信号。
14.一种有机发光二极管显示器的驱动方法,该有机发光二极管显示器包括多个像素单元,该像素单元包括:二相互绝缘的第一扫描线与第二扫描线;与该第一、第二扫描线绝缘的数据线;开关晶体管,电性连接该第二扫描线与该数据线;存储电容,该存储电容电性连接该开关晶体管并用来储存该数据信号;驱动晶体管,该驱动晶体管电性连接该开关晶体管与该存储电容,用于提供一驱动电流;有机发光二极管,电性连接该存储电容与该驱动晶体管;读取线,与该第一、第二扫描线及该数据线相互绝缘;侦测晶体管,电性连接该第一扫描线、该驱动晶体管以及该读取线,其特征在于,该驱动方法包括:
加载扫描信号至该第一扫描线,控制该侦测晶体管导通;
加载扫描信号至该第二扫描线,控制该开关晶体管导通;
加载数据信号至该开关晶体管,该数据信号控制该驱动晶体管导通,自该驱动晶体管提供一驱动电流,该驱动电流用于驱动该有机发光二极管发光;
通过该侦测晶体管侦测该驱动晶体管的驱动特性,并将表征该驱动特性的参数输出至该读取线;
自该读取线读取该参数,并依据该参数补偿该数据信号;
加载该经补偿后的数据信号至该有机发光二极管,并控制该有机发光二极管的发光亮度。
15.如权利要求14所述的驱动方法,其特征在于,该第一扫描线加载该扫描信号的时间较该第二扫描线加载该扫描信号的时间早,且该第一扫描线加载该扫描信号的时间段与该第二扫描线加载该扫描信号的时间段存在部分重叠。
16.如权利要求14所述的驱动方法,其特征在于,在加载经补偿后的数据信号至该有机发光二极管时,加载于该第一扫描线的扫描信号控制该侦测晶体管截止。
17.如权利要求14所述的驱动方法,其特征在于,还包括将该驱动特性信息转换为为数字式测试电压,并将该数字式测试电压与参考电压进行相减运算,从而获得测试电压与参考电压的差值,该差值作为该补偿信号。
18.如权利要求17所述的驱动方法,其特征在于,将该补偿信号其与待输出至像素单元的数据信号作相减运算,从而对该数据信号进行补偿。
19.如权利要求14所述的驱动方法,其特征在于,该驱动晶体管的驱动特性信息为该驱动晶体管的源极-漏极电流与电压的关系。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107452809A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管结构及amoled驱动电路 |
CN108182901A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其检测方法、显示装置 |
CN108269525A (zh) * | 2017-01-03 | 2018-07-10 | 昆山国显光电有限公司 | Amoled显示装置及其驱动方法 |
CN108510940A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-09-07 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏、显示屏亮度的补偿方法及补偿装置 |
WO2018205556A1 (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示面板 |
US20190074383A1 (en) * | 2017-09-04 | 2019-03-07 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor structure and driving circuit of amoled |
CN110389865A (zh) * | 2018-04-19 | 2019-10-29 | 名硕电脑(苏州)有限公司 | 可携式电子装置及信号输出方法 |
CN110895302A (zh) * | 2018-09-12 | 2020-03-20 | 启端光电股份有限公司 | 发光二极管检测系统 |
WO2020098048A1 (zh) * | 2018-11-12 | 2020-05-22 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2020114015A1 (zh) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 补偿装置、显示屏、显示装置和补偿方法 |
CN111477175A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器件寿命改善方法、相关装置及存储介质 |
CN113345368A (zh) * | 2020-03-02 | 2021-09-03 | (株)提尔爱 | 具有减少的显示图像串扰的led显示装置 |
CN114038391A (zh) * | 2021-06-08 | 2022-02-11 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种像素补偿电路系统和像素补偿方法 |
CN116434702A (zh) * | 2023-04-27 | 2023-07-14 | 惠科股份有限公司 | 像素结构、显示面板、控制方法和显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101582237A (zh) * | 2008-05-16 | 2009-11-18 | 群康科技(深圳)有限公司 | 像素结构与有机发光二极管显示器 |
US20100123699A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-20 | Leon Felipe A | Electroluminescent display initial-nonuniformity-compensated drive signal |
CN103562989A (zh) * | 2011-05-27 | 2014-02-05 | 伊格尼斯创新公司 | 用于amoled显示器的老化补偿的系统和方法 |
CN103903559A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置和驱动有机发光显示装置的方法 |
WO2014141958A1 (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
-
2014
- 2014-10-30 CN CN201410597256.5A patent/CN105551427B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101582237A (zh) * | 2008-05-16 | 2009-11-18 | 群康科技(深圳)有限公司 | 像素结构与有机发光二极管显示器 |
US20100123699A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-20 | Leon Felipe A | Electroluminescent display initial-nonuniformity-compensated drive signal |
CN103562989A (zh) * | 2011-05-27 | 2014-02-05 | 伊格尼斯创新公司 | 用于amoled显示器的老化补偿的系统和方法 |
CN103903559A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置和驱动有机发光显示装置的方法 |
WO2014141958A1 (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108269525A (zh) * | 2017-01-03 | 2018-07-10 | 昆山国显光电有限公司 | Amoled显示装置及其驱动方法 |
WO2018205556A1 (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示面板 |
US20190074383A1 (en) * | 2017-09-04 | 2019-03-07 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor structure and driving circuit of amoled |
WO2019041543A1 (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管结构及amoled驱动电路 |
CN107452809A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管结构及amoled驱动电路 |
CN108182901A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其检测方法、显示装置 |
CN110389865A (zh) * | 2018-04-19 | 2019-10-29 | 名硕电脑(苏州)有限公司 | 可携式电子装置及信号输出方法 |
CN110389865B (zh) * | 2018-04-19 | 2023-04-28 | 名硕电脑(苏州)有限公司 | 可携式电子装置及信号输出方法 |
CN108510940A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-09-07 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏、显示屏亮度的补偿方法及补偿装置 |
CN108510940B (zh) * | 2018-05-10 | 2020-04-07 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏、显示屏亮度的补偿方法及补偿装置 |
CN110895302B (zh) * | 2018-09-12 | 2022-10-28 | 启端光电股份有限公司 | 发光二极管检测系统 |
CN110895302A (zh) * | 2018-09-12 | 2020-03-20 | 启端光电股份有限公司 | 发光二极管检测系统 |
WO2020098048A1 (zh) * | 2018-11-12 | 2020-05-22 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN111244124B (zh) * | 2018-11-12 | 2021-09-03 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111244124A (zh) * | 2018-11-12 | 2020-06-05 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US11341877B2 (en) | 2018-12-06 | 2022-05-24 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Compensation device, display screen, display device and compensation method |
WO2020114015A1 (zh) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 补偿装置、显示屏、显示装置和补偿方法 |
CN113345368A (zh) * | 2020-03-02 | 2021-09-03 | (株)提尔爱 | 具有减少的显示图像串扰的led显示装置 |
CN113345368B (zh) * | 2020-03-02 | 2024-03-01 | (株)提尔爱 | 具有减少的显示图像串扰的led显示装置 |
CN111477175A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器件寿命改善方法、相关装置及存储介质 |
CN114038391A (zh) * | 2021-06-08 | 2022-02-11 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种像素补偿电路系统和像素补偿方法 |
CN116434702A (zh) * | 2023-04-27 | 2023-07-14 | 惠科股份有限公司 | 像素结构、显示面板、控制方法和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105551427B (zh) | 2019-01-04 |
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