TW201544831A - 光提取膜、面發光體及光提取膜的製造方法 - Google Patents

光提取膜、面發光體及光提取膜的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明為一種光提取膜，且構成光提取膜的材料包含矩陣樹脂（X）、離子液體（Y）及光擴散微粒子（Z）。本發明為一種包含所述光提取膜的面發光體。本發明為一種光提取膜的製造方法，用於製造積層於電致發光元件的基板上的光提取膜，包括：將包含活性能量線硬化性組成物、離子液體（Y）及光擴散微粒子（Z）的混合物供給至基材與具有凹凸結構的轉印部的模具之間，並照射活性能量線。

Description

光提取膜、面發光體及光提取膜的製造方法
本發明是有關於一種光提取膜、面發光體及光提取膜的製造方法。
先前，於面發光體中使用散射膜、光提取膜等。前者為藉由熱、或光硬化樹脂等使對光進行擴散的有機珠 （organic beads）等固定化的膜，且使自面發光體出射的光擴散。後者為藉由光的入射面與出射面的折射率差、或微細凹凸結構等使光線偏轉而提取光的膜。該些膜表面存在導電性欠佳、灰塵等附著的可能。 為了解決所述課題，例如提出有：將導電性聚合物或金屬氧化物添加於專利文獻 1 的膜，將離子液體添加於專利文獻 2、專利文獻 3、專利文獻 4 的膜，從而使導電性提高的膜。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-108220號 [專利文獻2]日本專利特開2014-006356號 [專利文獻3]日本專利特開2010-138393號 [專利文獻4]日本專利特開2005-031282號
[發明所欲解決之課題]
專利文獻1中提出的導電性聚合物存在如下擔憂：與用作膜的樹脂的相容性低，於濕熱試驗時滲向表層，而膜外觀降低。進而，專利文獻1中提出的金屬氧化物存在如下可能：存在引起光的散射、吸收的可能性，使光學膜的特性降低。另外，專利文獻2、專利文獻3、專利文獻4中提出的離子液體含有氟，而存在違反近年來的特別是歐美的鹵素限制的可能性。進而，存在因氟導致金屬模具腐蝕等的擔憂，且作為防靜電膜（antistatic  film）並不令人滿意。
因此，本發明的目的在於提供一種於提高面發光體的光提出效率·法線亮度或抑制出射光波長的出射角度依存性的同時，抑制滲出，且抗靜電性優異的無鹵素的光提取膜。 [解決課題之手段]
本發明具有以下的形態。 [1]一種光提取膜，其包含矩陣樹脂（X）、離子液體（Y）及光擴散微粒子（Z）。 [2]一種光提取膜，其包含離子液體（Y），且根據濁點滴定法求出的sp值的差的絕對值為0.1～17，所述sp值為所述離子液體（Y）與除所述離子液體（Y）外的構成光提取膜的材料的sp值。 [3]如[1]或[2]所述的光提取膜，其中光提取膜的表面電阻率為1´1014 Ω/cm2 以下。 [4]如[1]至[3]中任一項所述的光提取膜，其中光提取膜的電荷衰減時間為10秒以下。 [5]如[1]至[4]中任一項所述的光提取膜，其中所述離子液體（Y）的陰離子為非氟系化合物陰離子。 [6]如[5]所述的光提取膜，其中所述離子液體（Y）的陰離子為選自由乙二醇醚硫酸酯陰離子、及烷基苯磺酸陰離子所組成的組群中的至少一種陰離子。 [7]如[1]至[6]中任一項所述的光提取膜，其中所述離子液體（Y）的陽離子為烷醇胺鹽及銨鹽。 [8]如[1]至[7]中任一項所述的光提取膜，其中光提取膜包含矩陣樹脂（X），且 相對於所述矩陣樹脂（X）100質量份，所述離子液體（Y）的含量為0.1質量份～10質量份。 [9]如[8]所述的光提取膜，其中光提取膜包含光擴散微粒子（Z），且 相對於所述矩陣樹脂（X）100質量份，所述光擴散微粒子（Z）的含量為1質量份～70質量份。 [10]如[1]至[9]中任一項所述的光提取膜，其中光提取膜包含矩陣樹脂（X），且 所述矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂。 [11]如[1]至[10]中任一項所述的光提取膜，其中光提取膜於表面具有凹凸結構。 [12]一種面發光體，包含如[1]至[11]中任一項所述的光提取膜及電致發光（electroluminescence，EL）元件。 [13]一種光提取膜的製造方法，其為製造光提取膜的方法，其包括： 將包含離子液體（Y）、及活性能量線硬化性組成物的混合物供給至基材與具有凹凸結構的轉印部的模具之間，並照射活性能量線。 [發明的效果]
關於本發明的光提取膜，於提高面發光體的光提取效率·法線亮度或抑制出射光波長的出射角度依存性的同時，抗靜電性優異。 另外，關於本發明的面發光體，光提取效率或法線亮度優異，抑制出射光波長的出射角度依存性，抗靜電性優異。 進而，本發明的光提取膜的製造方法生產性優異，且所得的光提取膜於提高面發光體的光提取效率·法線亮度或抑制出射光波長的出射角度依存性的同時，抗靜電性優異。
以下，使用圖式對本發明的實施形態進行說明，但本發明並不限定於該些圖式。
本發明的光提取膜10積層於EL元件30的基板上，且構成光提取膜10的材料包含離子液體（Y）。
（構成光提取膜10的材料） 關於構成光提取膜10的材料，就光提取膜10的生產性優異、面發光體的光提取效率或法線亮度優異、抑制面發光體的出射光波長的出射角度依存性的方面而言，較佳為包含矩陣樹脂（X）、離子液體（Y）、及光擴散粒子（Z）。
（矩陣樹脂（X）） 矩陣樹脂（X）只要為可見光波長區域（大致400 nm～700 nm）的透光率高的樹脂，則並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；聚苯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS）樹脂等苯乙烯樹脂；氯乙烯樹脂等。該些矩陣樹脂（X）可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些矩陣樹脂（X）中，就可見光波長區域的透光率高、耐熱性、力學特性、或成形加工性優異的方面而言，較佳為丙烯酸樹脂。 此處，所謂丙烯酸樹脂，是指包含(甲基)丙烯酸或由其衍生物所衍生的單量體單元的樹脂。
關於矩陣樹脂（X）的透光率，就光提取膜10的外觀優異、面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為50%～95%，更佳為60%～90%。 矩陣樹脂（X）的透光率設為依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K7361來測定的值。
關於矩陣樹脂（X）的折射率，就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為1.30～2.00，更佳為1.35～1.90，尤佳為1.40～1.80。 將本說明書中的各材料的折射率設為於20℃下使用鈉D線來測定的值。
關於矩陣樹脂（X），就光提取膜10的生產性優異的方面而言，較佳為藉由對活性能量線硬化性組成物照射活性能量線使其硬化而成的樹脂。 活性能量線例如可列舉：紫外線、電子束、X射線、紅外線、可見光線等。該些活性能量線中，就活性能量線硬化性組成物的硬化性優異、可抑制光提取膜10的劣化的方面而言，較佳為紫外線、電子束，更佳為紫外線。
活性能量線硬化性組成物只要可藉由活性能量線而硬化則並無特別限定，就活性能量線硬化性組成物的操作性或硬化性優異、光提取膜10的柔軟性、耐熱性、耐擦傷性、耐溶劑性、透光性等各物性優異的方面而言，較佳為包含非交聯性單量體（A）、交聯性單量體（B）及聚合起始劑（C）的活性能量線硬化性組成物。
非交聯性單量體（A）例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸苯基酯、(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸降冰片酯、(甲基)丙烯酸金剛烷基酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸四環十二烷基酯、環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基二丙二醇酯、2-(甲基)丙烯醯基氧基甲基-2-甲基二環庚烷、4-(甲基)丙烯醯基氧基甲基-2-甲基-2-乙基-1,3-二氧雜環戊烷、4-(甲基)丙烯醯基氧基甲基-2-甲基-2-異丁基-1,3-二氧雜環戊烷、三羥甲基丙烷縮甲醛(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質磷酸(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質磷酸(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯類；(甲基)丙烯酸；(甲基)丙烯腈；(甲基)丙烯醯胺、N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、二甲基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯醯基嗎啉、羥基乙基(甲基)丙烯醯胺、亞甲基雙(甲基)丙烯醯胺等(甲基)丙烯醯胺類；使如下雙酚型環氧樹脂與(甲基)丙烯酸或其衍生物反應而成的化合物等環氧(甲基)丙烯酸酯類，所述雙酚型環氧樹脂是藉由雙酚類（雙酚A、雙酚F、雙酚S、四溴雙酚A等）與表氯醇（epichlorohydrin）的縮合反應而得；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等芳香族乙烯類；乙烯基甲醚、乙烯基乙醚、2-羥基乙基乙烯醚等乙烯醚類；乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯等羧酸乙烯酯類；乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯等烯烴類等。該些非交聯性單量體（A）可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些非交聯性單量體（A）中，就活性能量線硬化性組成物的操作性、硬化性優異，光提取膜10的柔軟性、耐熱性、耐擦傷性、耐溶劑性、透光性等各物性優異的方面而言，較佳為(甲基)丙烯酸酯類、環氧(甲基)丙烯酸酯類、烯烴類，更佳為(甲基)丙烯酸酯類及環氧(甲基)丙烯酸酯類。 所謂(甲基)丙烯酸酯，是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
相對於活性能量線硬化性組成物100質量%，非交聯性單量體（A）的含有率較佳為0.5質量%～60質量%，更佳為1質量%～57質量%，尤佳為2質量%～55質量%。若非交聯性單量體（A）的含有率為0.5質量%以上，則活性能量線硬化性組成物的操作性優異，光提取膜10的基材密著性優異。另外，若非交聯性單量體（A）的含有率為60質量%以下，則活性能量線硬化性組成物的交聯性及硬化性優異，光提取膜10的耐溶劑性優異。
交聯性單量體（B）例如可列舉：二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等六(甲基)丙烯酸酯類；二季戊四醇羥基五(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二季戊四醇羥基五(甲基)丙烯酸酯等五(甲基)丙烯酸酯類；二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基改質四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯等四(甲基)丙烯酸酯類；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三乙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三(2-(甲基)丙烯醯基氧基乙基) 異氰脲酸酯、碳數2～5的脂肪族烴改質三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸環氧乙烷改質三(甲基)丙烯酸酯等三(甲基)丙烯酸酯類；三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯（1,3-butylene glycol di(meth)acrylate）、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯（1,4-butanediol di(meth)acrylate）、1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、甲基戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙基戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基苯基)丙烷、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基苯基)丙烷、2,2-雙(4-(3-(甲基)丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基)苯基)丙烷、1,2-雙(3-(甲基)丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基)乙烷、1,4-雙(3-(甲基)丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基)丁烷、雙(2-(甲基)丙烯醯基氧基乙基)-2-羥基乙基異氰脲酸酯、環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙氧基化環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙氧基化環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、聚丙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、氫化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、聚乙氧基化氫化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、聚丙氧基化氫化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、雙苯氧基茀乙醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改質三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇的ε-己內酯加成物的二(甲基)丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇的γ-丁內酯加成物的二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇的己內酯加成物的二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇的己內酯加成物的二(甲基)丙烯酸酯、環己烷二甲醇的己內酯加成物的二(甲基)丙烯酸酯、二環戊二醇的己內酯加成物的二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A的環氧乙烷加成物的二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A的環氧丙烷加成物的二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A的己內酯加成物的二(甲基)丙烯酸酯、氫化雙酚A的己內酯加成物的二(甲基)丙烯酸酯、雙酚F的己內酯加成物的二(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸環氧乙烷改質二(甲基)丙烯酸酯等二(甲基)丙烯酸酯類；鄰苯二甲酸二烯丙酯（diallyl phthalate）、對苯二甲酸二烯丙酯、間苯二甲酸二烯丙酯、碳酸二乙二醇二烯丙酯等二烯丙基類；(甲基)丙烯酸烯丙酯；二乙烯基苯；亞甲基雙丙烯醯胺；藉由多元酸（鄰苯二甲酸、琥珀酸、六氫鄰苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、壬二酸、己二酸等）、與多元醇（乙二醇、己二醇、聚乙二醇、聚丁二醇（polytetramethylene glycol）等）及(甲基)丙烯酸或其衍生物的反應而得的化合物等聚酯二(甲基)丙烯酸酯類；使二異氰酸酯化合物（甲伸苯基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等）、與含羥基的(甲基)丙烯酸酯（(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯等）反應而成的化合物，於醇類（烷二醇、聚醚二醇、聚酯二醇、螺二醇化合物等的一種或兩種以上）的羥基上加成二異氰酸酯化合物、使剩餘的異氰酸酯基與含羥基的(甲基)丙烯酸酯反應而成的化合物等胺基甲酸酯多官能(甲基)丙烯酸酯類；二乙二醇二乙烯基醚、三乙二醇二乙烯基醚等二乙烯基醚類；丁二烯、異戊二烯、二甲基丁二烯等二烯類等。該些交聯性單量體（B）可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些的交聯性單量體（B）中，就光提取膜10的柔軟性、耐熱性、耐擦傷性、耐溶劑性、透光性等各物性優異的方面而言，較佳為六(甲基)丙烯酸酯類、五(甲基)丙烯酸酯類、四(甲基)丙烯酸酯類、三(甲基)丙烯酸酯類、二(甲基)丙烯酸酯類、二烯丙基類、(甲基)丙烯酸烯丙酯、聚酯二(甲基)丙烯酸酯類、胺基甲酸酯多官能(甲基)丙烯酸酯類，更佳為六(甲基)丙烯酸酯類、五(甲基)丙烯酸酯類、四(甲基)丙烯酸酯類、三(甲基)丙烯酸酯類、二(甲基)丙烯酸酯類、聚酯二(甲基)丙烯酸酯類及胺基甲酸酯多官能(甲基)丙烯酸酯類。
相對於活性能量線硬化性組成物100質量%，交聯性單量體（B）的含有率較佳為30質量%～98質量%，更佳為35質量%～97質量%，尤佳為40質量%～96質量%。若交聯性單量體（B）的含有率為30質量%以上，則活性能量線硬化性組成物的交聯性或硬化性優異、光提取膜10的耐溶劑性優異。另外，若交聯性單量體（B）的含有率為98質量%以下，則光提取膜10的柔軟性優異。
聚合起始劑（C）例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、乙偶姻（acetoin）、苯偶醯、二苯甲酮、對甲氧基二苯甲酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、α,α-二甲氧基-α-苯基苯乙酮、苯偶醯二甲基縮酮、甲基苯基乙醛酸（methyl phenyl glyoxylate）、4,4'-雙(二甲基胺基) 二苯甲酮、1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-乙基蒽醌等羰基化合物；硫化四甲基硫蘭（tetramethylthiuram monosulfide）、二硫化四甲基硫蘭（tetramethylthiuram disulfide）等硫化合物類；2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物、苯甲醯基二乙氧基膦氧化物等醯基膦氧化物類等。該些聚合起始劑（C）可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些聚合起始劑（C）中，就活性能量線硬化性組成物的操作性或硬化性、光提取膜10的透光性優異的方面而言，較佳為羰基化合物、醯基膦氧化物類，更佳為羰基化合物。
相對於活性能量線硬化性組成物100質量%，活性能量線硬化性組成物中的聚合起始劑（C）的含有率較佳為0.1質量%～10質量%，更佳為0.5質量%～8質量%，尤佳為1質量%～5質量%。若聚合起始劑（C）的含有率為0.1質量%以上，則活性能量線硬化性組成物的操作性或硬化性優異。另外，若聚合起始劑（C）的含有率為10質量%以下，則光提取膜10的透光性優異。
關於本發明的一個側面，非交聯性單量體（A）為選自由(甲基)丙烯酸酯類、環氧(甲基)丙烯酸酯類、及烯烴類所組成的組群中的至少一種單量體，交聯性單量體（B）為選自由六(甲基)丙烯酸酯類、五(甲基)丙烯酸酯類、四(甲基)丙烯酸酯類、三(甲基)丙烯酸酯類、二(甲基)丙烯酸酯類、二烯丙基類、(甲基)丙烯酸烯丙酯、聚酯二(甲基)丙烯酸酯類、及胺基甲酸酯多官能(甲基)丙烯酸酯類所組成的組群中的至少一種單量體，聚合起始劑（C）為選自由羰基化合物、及醯基膦氧化物類所組成的組群中的至少一種化合物。
（離子液體（Y）） 離子液體（Y）是指於100℃中以液體存在的鹽（即，熔點為100℃以下的鹽），包含陰離子與陽離子。離子液體（Y）分散存在於光提取膜中。其中較佳為不含有氟原子的非氟系離子液體（Y'）。 離子液體（Y）由於具有電傳導性，故傳送自外部賦予的電荷，可期待可抑制光提取膜10的帶電，抑制灰塵的附著。 另外，由於離子液體（Y）與一般的固體的防靜電劑不同，為液體，故於矩陣樹脂（X）中的分散性優異，光提取膜10的製造容易。
離子液體（Y）理想為與所添加的矩陣樹脂（X）的相容性高，且可抑制滲出。例如，使用濁點滴定法算出矩陣樹脂（X）與離子液體（Y）的sp值，將sp值差的絕對值設為基準。 離子液體（Y）與除離子液體外的構成光提取膜的材料的sp值的差的絕對值較佳為0.1～17，更佳為6～16。若小於0.1，則與除離子液體外的構成光提取膜的材料完全相容，用以表現抗靜電性能而添加的離子液體（Y）的量變多；若超過17，則與除離子液體外的構成光提取膜的材料的相容性低，於濕熱試驗時變得容易滲出。此處，除離子液體外的構成光提取膜的材料可列舉：矩陣樹脂（X）、光擴散微粒子（Z）等。 矩陣樹脂（X）與離子液體（Y）的sp值的差的絕對值較佳為0.1～18，更佳為6～17。若小於0.1，則與矩陣樹脂完全相容，用以表現抗靜電性能而添加的離子液體（Y）的量變多。另外，若大於18，則與矩陣樹脂（X）的相容性低，於濕熱試驗時變得容易滲出。 另外，於本說明書中，使用濁點滴定法所得的sp可藉由於將試樣溶解在良溶劑中而成的溶液中添加不良溶劑直至濁點的方法來算出。   Vml 1/2 （δ3 -δml ）=Vmh 1/2 （δmh -δ3 ）   Vml 、Vmh ：分別為sp值低的不良溶劑與sp值高的不良溶劑的體積 δml 、δmh ：分別為sp值低的不良溶劑與sp值高的不良溶劑的sp值 δ3 ：高分子的sp值 將式變形，根據下式算出sp值。   δ3 =（Vml 1/2 ·δml + Vmh 1/2 ·δmh ）/（Vml 1/2 + Vmh 1/2 ）
離子液體（Y）的陰離子例如只要不含有氟原子即可，可列舉：醯胺系陰離子、硫酸鹽系陰離子、磷酸鹽系陰離子等。該些離子液體（Y）的陰離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些離子液體（Y）的陰離子中，就光提取膜10的抗靜電性優異的方面而言，較佳為醯胺系陰離子、硫酸鹽系陰離子，更佳為硫酸鹽系陰離子。
醯胺系陰離子例如可列舉氰胺陰離子等。該些醯胺系陰離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。 硫酸鹽系陰離子例如可列舉：源自乙二醇醚硫酸酯的反應物的陰離子（乙二醇醚硫酸酯陰離子）、源自苯磺酸烷基酯的反應物的陰離子（苯磺酸烷基酯陰離子）、丁基硫酸鹽陰離子、甲基硫酸鹽陰離子、乙基硫酸鹽陰離子、硫酸氫鹽陰離子、辛基硫酸鹽陰離子、烷基硫酸鹽陰離子等。該些硫酸鹽系陰離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。 磷酸鹽系陰離子例如可列舉丁基磷酸鹽陰離子等。該些磷酸鹽系陰離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。 此外可列舉：硝酸鹽（nitrate）系陰離子、硫氰酸鹽（thiocyanate）系陰離子、乙酸鹽系陰離子、胺基乙酸鹽系陰離子、乳酸鹽（lactate）系陰離子等。
離子液體（Y）的陽離子例如可列舉：銨系陽離子、咪唑鎓系陽離子、鏻系陽離子、吡啶鎓系陽離子、吡咯啶鎓系陽離子、吡咯啉鎓系陽離子、三唑鎓系陽離子等。該些離子液體（Y）的陽離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些離子液體（Y）的陽離子中，就光提取膜10的抗靜電性優異的方面而言，較佳為銨系陽離子、咪唑鎓系陽離子，更佳為銨系陽離子。
銨系陽離子例如可列舉：源自烷醇胺鹽反應物的陽離子（烷醇胺陽離子）、丁基三甲基銨陽離子、乙基二乙基丙基銨陽離子、2-羥基乙基-三乙基銨陽離子、甲基-三辛基銨陽離子、甲基三辛基銨陽離子、四丁基銨陽離子、四乙基銨陽離子、四庚基銨陽離子、三丁基甲基銨陽離子、三乙基甲基銨陽離子、三(2-羥基)甲基銨陽離子、銨陽離子等。該些銨系陽離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。 咪唑鎓系陽離子例如可列舉1-烯丙基-3-甲基咪唑鎓陽離子、1-苄基-3-甲基咪唑鎓陽離子、1,3-雙(氰甲基)咪唑鎓陽離子、1,3-雙(氰丙基)咪唑鎓陽離子、1-丁基-2,3-二甲基咪唑鎓陽離子、4-(3-丁基)-1-咪唑鎓陽離子、1-(3-氰丙基)-3-甲基咪唑鎓陽離子、1-乙基-3-甲基咪唑鎓陽離子、1-丁基-3-甲基咪唑鎓陽離子、1-癸基-3-甲基咪唑鎓陽離子、1,3-二乙氧基咪唑鎓陽離子、1,3-二甲氧基-2-甲基咪唑鎓陽離子、1-己基-3-甲基咪唑鎓陽離子、1-甲基-3-辛基咪唑鎓陽離子、1-甲基-3-丙基咪唑鎓陽離子等。該些咪唑鎓系陽離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。 鏻系陽離子例如可列舉：四丁基鏻陽離子、三丁基甲基鏻陽離子、三己基四癸基鏻陽離子等。該些鏻系陽離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。 吡啶鎓系陽離子例如可列舉：1-丁基-3-甲基吡啶鎓陽離子、1-丁基-4-甲基吡啶鎓陽離子、1-丁基吡啶鎓陽離子、1-乙基吡啶鎓陽離子、1-(3-氰丙基)吡啶鎓陽離子、3-甲基-4-丙基吡啶鎓陽離子等。該些吡啶鎓系陽離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。 吡咯啶鎓系陽離子例如可列舉：1-丁基-1-甲基吡咯啶鎓陽離子、2-甲基吡咯啶鎓陽離子、3-苯基吡咯啶鎓陽離子等。該些吡咯啶鎓系陽離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。 吡咯啉鎓系陽離子例如可列舉：2-乙醯基吡咯啉鎓陽離子、3-乙醯基吡咯啉鎓陽離子、1-(2-硝基苯基)吡咯啉鎓陽離子等。該些吡咯啉鎓系陽離子可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。
作為離子液體（Y），較佳為陽離子為選自由銨系陽離子、咪唑鎓系陽離子、鏻系陽離子、吡啶鎓系陽離子、吡咯啶鎓系陽離子、吡咯啉鎓系陽離子、三唑鎓系陽離子等所組成的組群中的至少一種陽離子，且陰離子為選自由醯胺系陰離子、硫酸鹽系陰離子、磷酸鹽系陰離子等所組成的組群中的至少一種陰離子的離子液體（Y）。
離子液體（Y）可為市售的離子液體（Y），例如可列舉：「胺基離子AS100」、「胺基離子AS300」、「胺基離子AS400」等日本乳化劑（股份）製造的胺基離子AS系列等。
（光擴散微粒子（Z）） 光擴散微粒子（Z）具有對光進行擴散的功能。因此，藉由於光提取膜10中包含光擴散微粒子（Z），可抑制面發光體的出射光波長的出射角度依存性。
光擴散微粒子（Z）只要為具有可見光波長區域（大致400 nm～700 nm）的光擴散效果的粒子，則並無特別限定，可使用公知的微粒子。光擴散微粒子（Z）可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。
光擴散微粒子（Z）的材料例如可列舉：金、銀、矽、鋁、鎂、鋯、鈦、鋅、鍺、銦、錫、銻、鈰等金屬；氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化鍺、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物、氧化銻、氧化鈰等金屬氧化物；氫氧化鋁等金屬氫氧化物；碳酸鎂等金屬碳酸化物；氮化矽等金屬氮化物；丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂等樹脂等。該些光擴散微粒子（Z）的材料可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些光擴散微粒子（Z）的材料中，就製造光提取膜10時的操作性優異的方面而言，較佳為矽、鋁、鎂、氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鋁、碳酸鎂、丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂，更佳為氧化矽、氧化鋁、氫氧化鋁、碳酸鎂、丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂的粒子，尤佳為丙烯酸樹脂、矽酮樹脂。
關於光擴散微粒子（Z）的折射率，就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為1.30～2.00，更佳為1.35～1.90，尤佳為1.40～1.80。
光擴散微粒子（Z）的體積平均粒徑較佳為0.5 μm～10 μm，更佳為1 μm～8 μm，尤佳為1.5 μm～6 μm。若光擴散微粒子（Z）的體積平均粒徑為0.5 μm以上，則可有效果地使可見波長區域的光散射。另外，若光擴散微粒子（Z）的體積平均粒徑為10 μm以下，則可抑制面發光體的出射光波長的出射角度依存性。 光擴散微粒子（Z）的體積平均粒徑設為藉由雷射繞射散射法來測定的值。
光擴散微粒子（Z）的形狀例如可列舉：球狀、圓柱狀、立方體狀、直方體狀、角錐狀、圓錐狀、星型狀、不定形形狀等。該些光擴散微粒子（Z）的形狀可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些光擴散微粒子（Z）的形狀中，就可有效果地使可見波長區域的光散射的方面而言，較佳為球狀、立方體狀、直方體狀、角錐狀、星型狀，更佳為球狀。
（構成光提取膜10的材料的組成） 相對於矩陣樹脂（X）100質量份，離子液體（Y）的含量較佳為0.1質量份～10質量份，更佳為0.5質量份～8質量份。若離子液體（Y）的含量為0.1質量份以上，則光提取膜10的抗靜電性優異。另外，若離子液體（Y）的含量為10質量份以下，則與後述的基材15的密著性優異。
相對於矩陣樹脂（X）100質量份，光擴散微粒子（Z）的含量較佳為1質量份～70質量份，更佳為5質量份～60質量份。若光擴散微粒子（Z）的含量為1質量份以上，則可抑制面發光體的出射光波長的出射角度依存性。另外，若光擴散微粒子（Z）的含量為70質量份以下，則面發光體的光提取效率或法線亮度優異。
構成光提取膜10的材料除了包含矩陣樹脂（X）、離子液體（Y）、及光擴散微粒子（Z）以外，於不損及光提取膜10的性能的範圍內，亦可包含其他添加劑。
其他添加劑例如可列舉：脫模劑、紫外線吸收劑、光穩定化剤、阻燃劑、消泡劑、調平劑、防污性提高劑、分散穩定剤、黏度調整劑等。
關於其他添加劑的含有率，就可不損及光提取膜10的性能地提高其他添加劑所具有的特性的方面而言，相對於光提取膜的總質量，較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下。具體而言，較佳為0.05質量%～10質量%，更佳為0.1質量%～5質量%。
（矩陣樹脂（X）與光擴散微粒子（Z）的組合） 關於矩陣樹脂（X）與光擴散微粒子（Z），藉由具有折射率差，而產生光擴散微粒子（Z）的效果。 矩陣樹脂（X）與光擴散微粒子（Z）的折射率差較佳為0.03～0.25，更佳為0.05～0.20，尤佳為0.07～0.15。若矩陣樹脂（X）與光擴散微粒子（Z）的折射率差為0.03以上，則可抑制面發光體的出射光波長的出射角度依存性。另外，若矩陣樹脂（X）與光擴散微粒子（Z）的折射率差為0.25以下，則面發光體的光提取效率或法線亮度優異。
關於矩陣樹脂（X）與光擴散微粒子（Z）的組合，就光提取膜10的耐熱性、力學特性、成形加工性優異，折射率差為所述較佳範圍，且面發光體的光提取效率或法線亮度優異，可抑制面發光體的出射光波長的出射角度依存性的方面而言，矩陣樹脂（X）較佳為丙烯酸樹脂，其中，較佳為矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為氧化矽微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為氧化鋁微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為氫氧化鋁微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為碳酸鎂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為丙烯酸樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為苯乙烯樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為矽酮樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為胺基甲酸酯樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為三聚氰胺樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為環氧樹脂微粒子，更佳為矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為丙烯酸樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為苯乙烯樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為矽酮樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為胺基甲酸酯樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為三聚氰胺樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為環氧樹脂微粒子，尤佳為矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為丙烯酸樹脂微粒子、矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂且光擴散微粒子（Z）為矽酮樹脂微粒子。
作為本發明的一個側面，離子液體（Y）包含陽離子及陰離子，所述陽離子為選自由銨系陽離子、咪唑鎓系陽離子、鏻系陽離子、吡啶鎓系陽離子、吡咯啶鎓系陽離子、吡咯啉鎓系陽離子、三唑鎓系陽離子等所組成的組群中的至少一種，所述陰離子為選自由醯胺系陰離子、硫酸鹽系陰離子、磷酸鹽系陰離子等所組成的組群中的至少一種；矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂；光擴散微粒子（Z）為選自由氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子、氫氧化鋁微粒子、碳酸鎂微粒子、丙烯酸樹脂微粒子、苯乙烯樹脂微粒子、矽酮樹脂微粒子、胺基甲酸酯樹脂微粒子、三聚氰胺樹脂微粒子、及環氧樹脂微粒子所組成的組群中的至少一種微粒子。
關於本發明的光提取膜10，就光提取膜10的結構穩定性優異、面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為具有凹凸結構層12與基底層13。 本發明的光提取膜10例如可列舉：如圖1所示般的具有包含凹凸結構11的凹凸結構層12與基底層13的光提取膜10等。
（凹凸結構層12） 凹凸結構層12具有凹凸結構11。 就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為設置凹凸結構11。 凹凸結構11可為凸起，亦可為凹陷，凸起與凹陷亦可混合存在，但就光學膜10的生產性優異的方面而言，較佳為凸起。
凹凸結構11的形狀例如可列舉：球截形形狀、球截形梯形形狀、橢圓體球截形形狀（以一個平面切取旋轉橢圓體後的形狀）、橢圓體球截形梯形形狀（以彼此平行的兩個平面切取旋轉橢圓體後的形狀）、角錐形狀、角錐梯形形狀、圓錐形狀、圓錐梯形形狀、與該些相關聯的屋頂型形狀（球截形形狀、球截形梯形形狀、橢圓體球截形形狀、橢圓體球截形梯形形狀、角錐形狀、角錐梯形形狀、圓錐形狀及圓錐梯形形狀沿著底面部伸長而成般的形狀）等。該些凹凸結構11的形狀可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些凹凸結構11的形狀中，就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為球截形形狀、球截形梯形形狀、橢圓體球截形形狀、橢圓體球截形梯形形狀、角錐形狀、角錐梯形形狀，更佳為球截形形狀、橢圓體球截形形狀、角錐形狀，尤佳為球截形形狀、橢圓體球截形形狀。 本說明書中的各形狀可不嚴密地為所述形狀，亦包含十分類似的形狀。
將凹凸結構11的配置例示於圖2。 凹凸結構11的配置例如可列舉：六方排列（圖2A）、矩形排列（圖2B）、菱形排列（圖2C）、直線狀排列（圖2D）、圓狀排列（圖2E）、無規配置（圖2F）等。六方排列表示於六邊形的各頂點及中點配置凹凸結構11，且該六邊形的配置連續地排列。矩形排列表示於矩形的各頂點配置凹凸結構11，且該矩形的配置連續地排列。菱形排列表示於菱形的各頂點配置凹凸結構11，且該菱形的配置連續地排列。直線狀排列表示以直線狀配置凹凸結構11。圓狀排列表示沿著圓配置凹凸結構11。無規配置表示不規則地配置凹凸結構11。該些凹凸結構11的配置中，就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為六方排列、矩形排列、菱形排列，更佳為六方排列、矩形排列。
將凹凸結構11的一例示於圖3A及圖3B。 凹凸結構11的底面部14是指由凹凸結構11的底部（具有基底層13的情況下，為與基底層13的接觸面）的外周緣所包圍的虛擬的面狀部分。 另外，凹凸結構11的底面部14的最長直徑L是指凹凸結構11的底面部14中最長的部分的長度，關於凹凸結構11的底面部14的平均最長直徑Lave ，藉由掃描式顯微鏡對光提取膜10的具有凹凸結構11的表面進行成像，測定5處凹凸結構11的底面部14的最長直徑A，將其平均值設為凹凸結構11的底面部14的平均最長直徑Lave 。 進而，所謂凹凸結構11的高度H，於凸起結構的情況是指自凹凸結構11的底面部14至最高部位的高度，於凹陷結構的情況是指自凹凸結構11的底面部14至最低部位的高度，關於凹凸結構11的平均高度Have ，藉由掃描式顯微鏡對光提取膜10的剖面進行成像，測定5處凹凸結構11的最高部位的高度B，將其平均值設為凹凸結構11的平均高度Have 。
關於凹凸結構11的底面部14的平均最長直徑Lave ，就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為2 μm～200 μm，更佳為6 μm～150 μm，尤佳為10 μm～100 μm。
關於凹凸結構11的平均高度Have ，就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為1 μm～100 μm，更佳為3 μm～75 μm，尤佳為5 μm～50 μm。
關於凹凸結構11的縱橫比，就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為0.3～1.4，更佳為0.35～1.3，尤佳為0.4～1.0。 將凹凸結構11的縱橫比設為根據凹凸結構11的平均高度Have /凹凸結構11的底面部14的平均最長直徑Lave 所算出的值。
凹凸結構11的底面部14的形狀例如可列舉：三角形、四邊形等多邊形；完全圓形、橢圓形等圓形；不定形等。該些凹凸結構11的底面部14的形狀可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。該些凹凸結構11的底面部14的形狀中，就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為多邊形、圓形，更佳為圓形。
將自上方觀察到的光提取膜的一例示於圖4。 關於相對於光提取膜10的面積（圖4中以實線包圍的面積）而言凹凸結構11的底面部14的面積（圖4中以點線包圍的面積）所佔的比例，就面發光體的光提取效率或法線亮度優異的方面而言，較佳為20%～99%，更佳為25%～95%，尤佳為30%～93%。 於凹凸結構11的底面部14全部為相同大小的圓形的情況下，凹凸結構11的底面部14的面積相對於光提取膜10的面積的比例最大值成為91%左右。
（基底層13） 就支撐凹凸結構層12的凹凸結構11的方面而言，較佳為設置基底層13。
關於基底層13的厚度，就光提取膜10的柔軟性、與後述的基材15的密著性優異的方面而言，較佳為3 μm～60 μm，更佳為5 μm～50 μm。 藉由掃描式顯微鏡對光提取膜10的剖面進行成像，測定5處基底層13的高度，將其平均值設為基底層13的厚度。
凹凸結構層12與基底層13的材料組成可相同，亦可不同，就光提取膜10的生產性優異的方面而言，較佳為材料組成相同。
光提取膜10的表面電阻率較佳為1´1014 Ω/cm2 以下，較佳為1´109 Ω/cm2 ～1´1013 Ω/cm2 。若光提取膜10的表面電阻率為1´1014 Ω/cm2 以下，則光提取膜10的抗靜電性優異。 將光提取膜10的表面電阻率設為於溫度23℃、相對濕度50%RH的環境下，使用高電阻率計，以施加電壓500 V、測定時間60秒來測定的值。
光提取膜10的電荷衰減時間較佳為10秒以下，更佳為0.1秒～5秒。若光提取膜10的電荷衰減時間為10秒以下，則光提取膜10的抗靜電性優異。 將光提取膜10的電荷衰減時間設為於溫度23℃、相對濕度50%RH的環境下，使用帶電電荷衰減度測定器，以施加電壓10 kV測定的電荷衰減至1/2為止的時間。
（基材21） 為了保持光提取膜10的形狀，可將基材21設置於光提取膜10的光入射面側（即，光提取膜10不具有基底層13時為凹凸層12的底部側；光提取膜10具有基底層13時為與存在有基底層13的凹凸層12的一側相反的一側）。
關於基材21，就活性能量線硬化性組成物的硬化性優異的方面而言，較佳為使活性能量線透過的基材。
基材21的材料例如可列舉：丙烯酸樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；聚苯乙烯、ABS樹脂等苯乙烯樹脂；氯乙烯樹脂；二乙醯基纖維素、三乙醯基纖維素等纖維素樹脂；聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺等醯亞胺樹脂；玻璃；金屬。該些基材21的材料中，就柔軟性優異、活性能量線的透過性優異的方面而言，較佳為丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、苯乙烯樹脂、纖維素樹脂、醯亞胺樹脂，更佳為丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、醯亞胺樹脂。
關於基材21的厚度，就光提取膜10的操作性優異、活性能量線硬化組成物的硬化性優異的方面而言，較佳為10 μm～1000 μm，更佳為20 μm～500 μm，尤佳為25 μm～300 μm。 藉由掃描式顯微鏡對基材21的剖面進行成像，測定5處厚度，將其平均值設為基材的厚度。
關於基材21，為了提高與光提取膜10的密著性，視需要，亦可對基材21的表面實施易接著處理。 易接著處理的方法例如可列舉：於基材21的表面形成包含聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂等的易接著層的方法、對基材21的表面進行粗面化處理的方法等。
關於基材21，除了易接著處理以外，視需要，亦可實施防靜電、防反射、防止基材彼此的密著等表面處理。
（黏著層22） 為了接著於EL元件30，亦可於光提取膜10的光入射面側設置黏著層22。於具有基材21的情況下，只要於基材21的與和光提取膜10相接的面為相反側的表面設置黏著層22即可。 黏著層22例如可列舉：使用公知的黏著劑而成的層等。
（保護膜23） 為了提高光提取膜10的操作性，亦可於光提取膜10的光入射面側或光出射面側（即凹凸層12側）設置保護膜23。保護膜23只要於將光提取膜10等貼於EL元件30的表面、或於用作面發光體時，自光提取膜10等剝離即可。 保護膜23例如可列舉：公知的保護膜等。例如，原材料可列舉：聚乙烯、聚丙烯、聚烯烴、聚酯等。
（光提取膜10的製造方法） 本發明的光提取膜10的製造方法例如可列舉：使用圖5所示的裝置50的方法等。 關於本發明的光提取膜10的製造方法，就可連續地生產提取膜10的方面而言，較佳為使用圖5所示的裝置50的方法。
以所期望的調配量將用以構成光提取層11的活性能量線硬化性組成物、離子液體（Y）、視需要的光擴散微粒子（Z）、其他添加劑混合，將所得的混合物51預先投入至貯存槽55。 於圓筒形的輥模具52與橡膠製的夾持輥53之間導入基材21。於此狀態下，自槽55經由前端安裝有噴嘴的配管56，將混合物51供給至旋轉的輥模具52與基材21之間。 旋轉的輥模具52與基材21之間所夾持的混合物51是於活性能量線照射裝置54附近藉由活性能量線而硬化。藉由將所得的硬化物自輥模具52脫模，可得到具有基材21的光提取膜10。
關於混合物51的黏度，就製造光提取膜10時的操作性優異的方面而言，較佳為10 mPa·s～3000 mPa·s，更佳為20 mPa·s～2500 mPa·s，尤佳為30 mPa·s～2000 mPa·s。 此處，可藉由使用B型黏度計，測定於混合物51中使圓盤或圓筒旋轉時，作用於圓盤或圓筒的黏性阻力扭矩來決定黏度。
相對於混合物51的總質量，混合物51中的活性能量線硬化性組成物的含量較佳為55質量%～98質量%，更佳為59質量%～95質量%。
輥模具52例如可列舉：鋁、黃銅、鋼等金屬模具；矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、ABS樹脂、氟樹脂、聚甲基戊烯樹脂等樹脂模具；對樹脂實施了鍍敷的模具；以於樹脂中混合各種金屬粉而成的材料所製作的模具等。該些輥模具52中，就耐熱性或機械強度優異、適合連續生產的方面而言，較佳為金屬模具。具體而言，金屬模具於聚合放熱強、難以變形、難以受損、可控制溫度的適合精密成形等的多方面而言較佳。
模具的轉印面（轉印部）的製造方法例如可列舉：藉由鑽石刀具的切削、如國際公開2008/069324號手冊中所記載般的蝕刻等。該些轉印面的製造方法中，就容易形成具有曲面的凹陷的方面而言，較佳為如國際公開2008/069324號手冊中所記載般的蝕刻。 另外，轉印面的製造方法可使用如下方法：自具有轉印面的凹陷的反轉形狀即凸起的母模具，將使用電鑄法製作的金屬薄膜捲繞於輥芯構件來製造圓筒形的輥模具52。
為了維持表面溫度，視需要，亦可於輥模具52的內部或外部設置覆套式加熱器（sheathed heater）或溫水套等熱源設備。 自活性能量線照射裝置54產生的活性能量線例如可列舉：紫外線、電子束、X射線、紅外線、可見光線等。該些活性能量線中，就活性能量線硬化性組成物的硬化性優異、可抑制光提取膜10的劣化的方面而言，較佳為紫外線、電子束，更佳為紫外線。
活性能量線照射裝置54的活性能量線的發光光源例如可列舉：化學燈、低壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、無電極紫外線燈、可見光鹵素燈、氙燈等。 關於活性能量線照射裝置54的活性能量線的累積光量，就活性能量線硬化性組成物的硬化性優異、可抑制光提取膜10的劣化的方面而言，較佳為0.01 J/cm2 ～10 J/cm2 ，更佳為0.5 J/cm2 ～8 J/cm2 。 為了維持混合物51的保管溫度，視需要，亦可於槽55的內部或外部設置覆套式加熱器或溫水套等熱源設備。
（面發光體） 本發明的面發光體包含本發明的光提取膜10及EL元件30。本發明的面發光體亦可具有黏著層、及基材。 本發明的面發光體例如可列舉：圖6所示的面發光體等。 關於圖6所示的面發光體，於依序積層有玻璃基板31、陽極32、發光層33、陰極34的EL元件30的玻璃基板31的表面上，隔著黏著層22、基材21積層有光提取膜10。
本發明的面發光體由於包含本發明的光提取膜，故光提取效率或法線亮度優異、抑制出射光波長的出射角度依存性、抗靜電性優異。 因此，本發明的面發光體例如可較佳地用於照明、顯示器、螢幕等。 [實施例]
以下藉由實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該些實施例。 再者，實施例中的「份」及「%」表示「質量份」及「質量%」。
（sp值的測定（濁點滴定法）） 關於製造例1所得的矩陣樹脂（X）或實施例·比較例使用的離子液體（Y），可藉由例如K.W.孫、J.M.科比特：「應用聚合物科學雜誌」（K. W. Suh, J. M. Corbett: J. Apply Polym. Sci.）、12[10]、第2359頁-第2370頁（1968）中記載的方法實驗性地求出。分別使用正己烷與去離子水滴定將各試樣溶解於10 mL的四氫呋喃而得到的溶液直至濁點。   Vml 1/2 （δ3 -δml ）=Vmh 1/2 （δmh -δ3 ）   Vml 、Vmh ：分別為sp值低的不良溶劑與sp值高的不良溶劑的體積 δml 、δmh ：分別為sp值低的不良溶劑與sp值高的不良溶劑的sp值 δ3 ：高分子的sp值 將式變形，根據下式算出sp值。   δ3 =（Vml 1/2 ·δml + Vmh 1/2 ·δmh ）/（Vml 1/2 + Vmh 1/2 ）   算出各sp值，並算出矩陣樹脂（X）與實施例·比較例使用的離子液體（Y）的sp值的差的絕對值。
（表面電阻率的測定） 將實施例·比較例所得的混合物供給至兩個聚對苯二甲酸乙二酯基材（商品名「COSMOSHINE A4100」、東洋紡（股份）製造、厚度188 μm）之間，以硬化物的厚度成為25 μm的方式藉由夾持輥均勻地延伸。然後，自基材的上方照射紫外線，使由基材夾持的混合物硬化，剝離其中一個基材而獲得測定樣本。 針對所得的測定樣本，使用高電阻率計（機種名「Hiresta UP」、三菱化學（股份）製造）來測定表面電阻率。將測定條件設為如下：於溫度23℃、相對濕度50%RH的環境下，使用URS探針，將施加電壓設為500 V，將測定時間設為60秒。 再者，所謂表面電阻率低的情況是指表面導電率高，可期待抗靜電性優異。
（電荷衰減時間的測定） 與表面電阻率的測定相同地獲得測定樣本。 針對所得的測定樣本，使用帶電電荷衰減度測定器（機種名「靜電衰減測定器（Static Honest Meter）H-100」、SSD靜電電器（Shishido Electrostatic）（股份））來測定電荷衰減時間。將測定條件設為如下：於溫度23℃、相對濕度50%RH的環境下，將施加電壓設為10 kV，於電壓達到飽和值後釋放電壓，並將電荷衰減至1/2的時間設為電荷衰減時間。基於裝置的規格，電壓的飽和值最大為3.0 kV。 再者，電荷衰減時間短的情況是指容易使帶電的電荷耗散（dissipation），可期待抗靜電性優異。
（密著性評價） 與表面電阻率的測定相同地獲得測定樣本。 針對所得的測定樣本，於高溫高濕環境下保管後，實施密著性評價。將高溫高濕條件設為如下：於溫度85℃、相對濕度85%RH的環境下一星期。關於試驗完成後的樣本，依據JIS K5600實施密著性評價。
（光提取效率的測定） 於實施例·比較例·參考例所得的面發光體上配置開口有直徑10 mm的孔的厚度0.1 mm的遮光片，並將其配置於積分球（integrating sphere）（藍菲光學（labsphere）公司製造、大小為6吋）的樣本開口部。於此狀態下，藉由分光計測器（分光器：機種名「PMA-12」（浜松光子學公司製造）、軟體：軟體名「PMA用基礎軟體U6039-01版本（ver.）3.3.1」）測定如下光，並由標準視感度曲線進行修正，從而算出面發光體的光子數，所述光為對有機EL元件通電10 mA的電流而點燈時的自遮光片的直徑10 nm的孔出射的光。 將如下比例設為光提取效率，所述比例為將參考例所得的面發光體的光子數設為100%時的實施例·比較例所得的面發光體的光子數的比例。
（法線亮度的測定） 於實施例·比較例·參考例所得的面發光體上配置開口有直徑10 mm的孔的厚度0.1 mm的遮光片。於此狀態下，藉由亮度計（機種名「BM-7」、拓普康（Topcon）公司製造），自面發光體的法線方向測定如下光，而獲得面發光體的亮度值，所述光為對有機EL元件通電1.5 A的電流而點燈時的自遮光片的直徑10 nm的孔出射的光。 將如下比例設為法線亮度，所述比例為將參考例所得的面發光體的亮度值設為100%時的實施例·比較例所得的面發光體的亮度值的比例。
（色度變化量的測定） 於實施例·比較例·參考例所得的面發光體上配置開口有直徑10 mm的孔的厚度0.1 mm的遮光片。於此狀態下，藉由亮度計（機種名「BM-7」、拓普康公司製造），自面發光體的法線方向（0°）、自面發光體的法線方向傾斜10°的方向、自面發光體的法線方向傾斜20°的方向、自面發光體的法線方向傾斜30°的方向、自面發光體的法線方向傾斜40°的方向、自面發光體的法線方向傾斜50°的方向、自面發光體的法線方向傾斜60°的方向、自面發光體的法線方向傾斜70°的方向、自面發光體的法線方向傾斜75°的方向、自面發光體的法線方向傾斜80°的方向分別測定如下光的xy表色系的色度x、y，所述光為對EL元件通電1.5 A的電流而點燈時的自遮光片的直徑10 nm的孔出射的光。以各角度的x值及x的平均值為橫軸、以各角度的y值及y的平均值為縱軸進行繪圖，算出自繪製x及y的平均值所得的點至繪製各角度的x及y的值所得的點為止的距離，將該距離變得最長時的值設為色度變化量。 再者，色度變化量越小，則是指面發光體的出射光波長的出射角度依存性得以抑制。
（材料） 活性能量線硬化性組成物A：後述製造例1所製造的活性能量線硬化性組成物（硬化物的折射率為1.52） 離子液體A：「胺基離子AS100」（商品名、日本乳化劑（股份）製造、烷醇胺與二醇硫酸酯的反應物） 離子液體B：「胺基離子AS300」（商品名、日本乳化劑（股份）製造、烷醇胺與烷基苯磺酸的反應物） 離子液體C：「胺基離子AS400」（商品名、日本乳化劑（股份）製造、烷醇胺與二烷基琥珀酸酯磺酸的反應物） 離子液體D：三-正丁基甲基銨雙三氟甲烷磺醯亞胺（商品名「FC-4400」、住友3M（股份）製造） 界面活性劑E：「1SX-1055」（商品名、大成精細化工（Taisei fine chemical）（股份）製造） 界面活性劑F：「1SX-1090」（商品名、大成精細化工（股份）製造） 界面活性劑G：「8SX-1071」（商品名、大成精細化工（股份）製造） 光分散微粒子A：矽酮樹脂球狀微粒子（商品名「TSR9000」、邁圖高新材料（Momentive Performance Materials）公司製造、折射率1.42、體積平均粒徑2 μm） 有機EL元件A：將Symfos OLED-010K（柯尼卡美能達（Konica Minolta）公司製造、白色OLED元件）的光出射面側表面的光提取構件剝離所得的有機EL元件
[製造例1] （活性能量線硬化性組成物A的製造） 將作為二異氰酸酯化合物的六亞甲基二異氰酸酯117.6 g（0.7莫耳）及異氰脲酸酯型的六亞甲基二異氰酸酯三聚體151.2 g（0.3莫耳）、作為含羥基的(甲基)丙烯酸酯的丙烯酸2-羥基丙酯128.7 g（0.99莫耳）及季戊四醇三丙烯酸酯693 g（1.54莫耳）、作為觸媒的二月桂酸二-正丁基錫22.1 g、以及作為聚合抑制劑的對苯二酚單甲醚0.55 g供給至玻璃製燒杯，升溫至75℃，並於保持75℃的狀態下持續攪拌，使其反應直至燒杯內殘存的異氰酸酯化合物的濃度成為1莫耳/L以下為止，冷卻至室溫而獲得胺基甲酸酯多官能丙烯酸酯。 將所得的胺基甲酸酯多官能丙烯酸酯35份、聚丁二醇二甲基丙烯酸酯（商品名「壓克酯（acryester）PBOM」、三菱麗陽（Mitsubishi Rayon）（股份）製造、數量平均分子量650）20份、雙酚A的環氧乙烷加成物的二(甲基)丙烯酸酯（商品名「新前沿（New Frontier）BPEM-10」、第一工業製藥（股份）製造）40份、丙烯酸苯氧基乙酯（商品名「新前沿（New Frontier）PHE」、第一工業製藥（股份）製造）5份及1-羥基環己基苯基酮（商品名「豔佳固（Irgacure）184」、汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals）（股份）製造）1.2份混合而獲得活性能量線硬化性組成物A。
[製造例2] （輥模具的製造） 於外徑200 mm、軸方向的長度320 mm的鋼製輥的外周面實施厚度200 μm、維氏硬度（Vickers hardness）230 Hv的銅鍍敷。於銅鍍敷層的表面塗佈感光劑，進行雷射曝光、顯影及蝕刻，而獲得於銅鍍敷層形成有使直徑50 μm、深度25 μm的半球狀凹陷以最小間隔3 μm排列成六方排列的轉印部的模具。於所得的模具的表面，為了賦予防鏽性及耐久性，實施鉻鍍敷而獲得輥模具。
[參考例1] 將有機EL元件A直接用作面發光體。將使用的面發光體的光學特性的評價結果示於表2。
[實施例1] 將活性能量線硬化性組成物A 100份、光擴散微粒子（Z）43份及離子液體A 1份混合而獲得混合物。所得的混合物的硬化物的抗靜電特性的評價結果示於表2。 對製造例2所得的輥模具塗佈所得的混合物，於其上放置聚對苯二甲酸乙二酯基材（商品名「COSMOSHINE A4300」、東洋紡（股份）製造、厚度188 μm），以基底層的厚度成為25 μm的方式藉由夾持輥均勻地延伸。然後，自基材的上方照射紫外線，使由輥模具與基材夾持的混合物硬化，剝離輥模具，而獲得具有基材的光提取膜。 獲得如下光提取膜的凹凸結構的大小與輥模具的凹陷的大小大致對應的球截形形狀的凸起，所述光提取膜的凹凸結構的大小是根據利用掃描型顯微鏡對所得的光提取膜進行成像而得的圖像而算出。另外，根據利用掃描型顯微鏡進行成像而得的圖像，所得的光提取膜的凹凸結構與輥模具對應，以最小間隔3 μm排列成六方排列，且球狀凸起的底面部面積相對於光提取膜的面積的比例為76%。 於有機EL元件A的光出射面側塗佈嘉吉（Cargill）標準折射液（折射率1.52、茉麗特（Moritex）（股份）製造）作為黏著層，使所得的具有基材的光提取膜的基材面光學密著，而獲得面發光體。將所得的面發光體的光學特性的評價結果示於表2。
[實施例2～實施例4、比較例1～比較例2] 除了以表1所記載的種類及量將混合物混合以外，進行與實施例1相同的操作，而獲得光提取膜及面發光體。再者，離子液體及光擴散微粒子的含量表示相對於活性能量硬化性組成物100質量份的質量份。將所得的混合物的硬化物的抗靜電特性的評價結果與所得的面發光體的光學特性的評價結果示於表2。 [實施例3～實施例5] 以表1所記載的種類及量將混合物混合，但由於不與矩陣樹脂（X）相容，故無法獲得光提取膜及面發光體。
實施例1～實施例4所得的光提取膜於提高面發光體的光提取效率·法線亮度或抑制出射光波長的出射角度依存性的同時，抗靜電性優異。 另一方面，比較例1所得的光提取膜不包含離子液體（Y），而抗靜電性差。比較例2所得的光提取膜雖包含離子液體（Y），但含有氟化合物，濕熱試驗後的密著性差。比較例3～比較例5中，不包含離子液體（Y），而含有界面活性劑，與矩陣樹脂（X）的相容性差。  [產業上之可利用性]
本發明的光提取膜進行提高面發光體的光提取效率·法線亮度或抑制出射光波長的出射角度依存性的同時，抗靜電性優異，故包含本發明的光提取膜的面發光體例如可較佳地用於照明、顯示器、螢幕等。
10‧‧‧光提取膜
11‧‧‧凹凸結構
12‧‧‧凹凸結構層
13‧‧‧基底層
14‧‧‧凹凸結構的底面部
21‧‧‧基材
22‧‧‧黏著層
23‧‧‧保護膜
30‧‧‧EL元件
31‧‧‧玻璃基板
32‧‧‧陽極
33‧‧‧發光層
34‧‧‧陰極
50‧‧‧裝置
51‧‧‧混合物
52‧‧‧輥模具
53‧‧‧夾持輥
54‧‧‧活性能量線照射裝置
55‧‧‧槽
56‧‧‧配管
H‧‧‧凹凸結構的高度
L‧‧‧凹凸結構的底面部的最長直徑
圖 1 是表示本發明的光提取膜的剖面的一例的示意圖。 圖 2A 是自光提取膜的上方觀察本發明的光提取膜的凹凸結 構的配置例的示意圖。 圖 2B 是自光提取膜的上方觀察本發明的光提取膜的凹凸結 構的另一配置例的示意圖。 圖 2C 是自光提取膜的上方觀察本發明的光提取膜的凹凸結 構的又一配置例的示意圖。 圖 2D 是自光提取膜的上方觀察本發明的光提取膜的凹凸結 構的又一配置例的示意圖。 圖 2E 是自光提取膜的上方觀察本發明的光提取膜的凹凸結 構的又一配置例的示意圖。 圖 2F 是自光提取膜的上方觀察本發明的光提取膜的凹凸結構的又一配置例的示意圖。 圖 3A 是表示本發明的光提取膜的凹凸結構的剖面的一例的 示意圖。 圖 3B 是表示本發明的光提取膜的凹凸結構的一例的示意圖。 圖 4 是自光提取膜的上方觀察本發明的光提取膜的一例的示 意圖。 圖 5 是表示本發明的光提取膜的製造裝置的一例的示意圖。 圖 6 是表示本發明的面發光體的剖面的一例的示意圖。
10‧‧‧光提取膜
11‧‧‧凹凸結構
12‧‧‧凹凸結構層
13‧‧‧基底層
21‧‧‧基材
22‧‧‧黏著層
23‧‧‧保護膜

Claims (13)

  1. 一種光提取膜，其包含矩陣樹脂（X）、離子液體（Y）及光擴散微粒子（Z）。
  2. 一種光提取膜，其包含離子液體（Y），且根據濁點滴定法求出的sp值的差的絕對值為0.1～17，所述sp值為所述離子液體（Y）與除所述離子液體（Y）外的構成光提取膜的材料的sp值。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光提取膜，其中光提取膜的表面電阻率為1´1014 Ω/cm2 以下。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的光提取膜，其中光提取膜的電荷衰減時間為10秒以下。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的光提取膜，其中所述離子液體（Y）的陰離子為非氟系化合物陰離子。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的光提取膜，其中所述離子液體（Y）的陰離子為選自由乙二醇醚硫酸酯陰離子、及烷基苯磺酸陰離子所組成的組群中的至少一種陰離子。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的光提取膜，其中所述離子液體（Y）的陽離子為烷醇胺鹽及銨鹽。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的光提取膜，其中光提取膜包含矩陣樹脂（X），且 相對於所述矩陣樹脂（X）100質量份，所述離子液體（Y）的含量為0.1質量份～10質量份。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的光提取膜，其中光提取膜包含光擴散微粒子（Z），且 相對於所述矩陣樹脂（X）100質量份，所述光擴散微粒子（Z）的含量為1質量份～70質量份。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的光提取膜，其中光提取膜包含矩陣樹脂（X），且 所述矩陣樹脂（X）為丙烯酸樹脂。
  11. 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的光提取膜，其中光提取膜於表面具有凹凸結構。
  12. 一種面發光體，包含如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的光提取膜及電致發光元件。
  13. 一種光提取膜的製造方法，其為製造光提取膜的方法，包括： 將包含離子液體（Y）、及活性能量線硬化性組成物的混合物供給至基材與具有凹凸結構的轉印部的模具之間，並照射活性能量線。
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