TW201539823A - 用於製造可撓電子元件之方法及裝置 - Google Patents

用於製造可撓電子元件之方法及裝置 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一用於製造一可撓電子元件之方法。該方法包含以下步驟:製備一黏附層於一硬質支撐板上;於該硬質支撐板上形成該可撓電子元件;以及由該硬質支撐件釋放該電子元件。該可撓電子元件包含一有機發光二極體,且該黏附層包含一鎳層。釋放該電子元件之步驟包含將包括該可撓電子元件之硬質支撐板浸入水中以使得水可以滲入該鎳層以釋放該可撓電子元件。本發明係進一步關於一用於製造一可撓電子元件之裝置,以及一使用上述之方法或裝置所製造之電子元件。

Description

用於製造可撓電子元件之方法及裝置 發明領域
本發明係關於一用於製造可撓電子元件之方法,該方法係包含以下步驟:製備一黏附層於一硬質支撐板上;於該硬質支撐板上形成一可撓電子元件以及由該硬質支撐釋放該電子元件。本發明係進一步關於一用於執行該方法之裝置以及一經由上述之方法或裝置所製造之可撓電子元件。
發明背景
本發明之專利標的係應用於生成可撓電子件,例如:用於可撓顯示器之OLED。在生成期間,這些元件係使用該等元件經暫時固定於此之硬質玻璃支撐板而被製造。最後,該元件係由該支撐板而被釋放。
顯示器的暫時固定傳統係藉由膠合而達成。依據該黏膠之特異性,可應用多種物理性或光學釋放方法以由該硬質玻璃基材移除該元件。使用黏膠以及層方法具有多種缺點,例如:該方法係相對為緩慢的,在釋放期間損傷 該元件的風險,以及黏膠本身的溫度不穩定性,其係作為範例地限制用於堆疊於其頂部之層的最高處理溫度。
多種傳統膠合方法之替代法已被提出。大部份還是多多少少遭遇到上述同樣的缺點,或是著重於克服該等缺點之一但卻犧牲其它的缺點。例如,為了克服以上缺點,已提出將該元件局部膠合至該玻璃支撐板。然而,局部膠合係導致該元件惡質固定於該支撐板,其偶爾會使得該元件在其製造期間提早釋放發生。
因此本發明之一目標係提供一製造方法克服上述缺點,且可以製造可撓電子元件同時這些元件係良好且安全地被固定於一硬質支撐件,且其等可被輕易地釋放而不損傷該元件。
發明概要
此目標和其它目標係藉由本發明而被完成,在該發明中係提供一用於製造可撓電子元件之方法,該方法包含以下步驟:製備一黏附層於一硬質支撐板上;藉由在該硬質支撐板上製備一可撓基材層,以使得使用該黏附層而將該可撓基材固定至該硬質支撐板,而於該硬質支撐板上形成該可撓電子元件;以及製備一或多個元件層於該可撓基材層上,以使得形成該包含有至少該可撓基材層以及該一或多個元件層之可撓電子元件;且該方法係進一步包含由該硬質支撐件釋放該電子元件之步驟,其中該可撓電子元件包含一有機發光二極體,且其中該黏附層包含一鎳 層,且其中形成該可撓電子元件之步驟包含將該可撓電子元件插入一第一及第二防水層之間;且釋放該電子元件之步驟包含將包括該可撓電子元件之硬質支撐板浸入水中以使得水可以滲入該鎳層以釋放該可撓電子元件。
本發明係基於為了使得過去數年已發展之多種型態的可撓電子元件成為工業化的遠見,此類元件之製造方法需要經重新思考。此一良好範例係在主動式矩陣有機發光二極體之領域中。雖然之前很多研究團隊已成功製造在可撓基材上之主動式矩陣有機發光二極體顯示器原型,這些成就需要實質上修改已存在之方法或材料。因此,沒有已提出的方法被帶到量產的規模。主動式矩陣顯示器傳統上係被製造於硬質玻璃基材上。因此,大多數被提出之用於製造可撓顯示器之方法係依賴暫時性將一可撓基材結合於硬質玻璃載體。可使用黏膠使該可撓基材層合。可擇地,該可撓基材可在一母玻璃基材上經旋轉做出。在所有實例中,需要一釋放方法。在釋放期間以及釋放之後,顯示器效能需要被維持住。
本發明提供用於一水媒介釋放方法。如同將被理解的,使用淡水於有效且快速地自該硬質支撐板釋放該可撓元件係有效地處理以上所提及之習知釋放方法的缺點。該硬質支撐板較佳係一玻璃支撐板。該鎳層,在Ni-SiOx界面,形成一NiO-SiO結合層,該結合層在水中係輕易釋放的。因此,該可撓顯示器可藉由將該套裝(基材加元件)浸入水中而自該玻璃基材上輕易地被釋放。
本發明之方法係提供一便利的釋放方法,其額外考量到電子元件係高度傾向於水的。使得該釋放方法可被應用於含有有機發光二極體(OLEDs)(例如:使用於生產可撓顯示器之主動式矩陣有機發光二極體(AMOLEDs))之可撓電子顯示器之額外的措施因此已被包括於本發明之方法中。藉此,形成該可撓電子元件之步驟係包含將一可撓電子元件插入一第一及第二防水層之間的步驟。這些防水層有效地將該可撓電子元件自其外在環境密封起來,使得包括該電子元件之該硬質支撐板可被浸入水中。
將一可撓電子元件插入該第一及第二防水層之間的步驟係如同下般被執行。在提供該可撓基材層的步驟之前,一第一防水層係經製備於該硬質支撐板上且係利用該黏附層而固定於其上。在形成該電子元件之後,該第二防水層係經沉積於該可撓電子元件上以覆蓋該元件。該第一防水層係經直接沉積在該黏附層之頂部,雖然額外的層係可擇地經插置於該第一防水層以及該鎳層之間。例如,一可擇之聚亞醯胺(PI layer)係額外地經添加於該第一防水層和該鎳層之間作為一額外的載體。
該第一及第二防水層之主要功能係用以預防任何的水達到該含有OLED之電子元件。一可撓電子元件係以此手段免於碰到水在浸泡步驟期間。此外,在製造期間或之後的任何時間,其也使免於潮濕或是來自於環境的水汽。本發明之方法因此提供於製造穩固的可撓電子元件。如同將被理解的,此有益於其用於手提式用品的用途,例 如:行動電話或是平板電腦。舉例來說,行動電話在其使用期間係經曝露於所有種類的天氣狀況,因此一使用於行動電話中之可撓顯示器係由額外的防水層而獲益。
依據一特定的實施態樣,如先前所提及之第一和第二防水層的防水層係經提供包含有二或多個水障蔽層。一水障蔽層係提供一經設計為不透水的層。一水障蔽層係例如包含氮化矽(SiNx)、SiO2、Al2O3或是AlOxNx的層。在本實施態樣中,該防水層包含二(或是多個)SiNx水障蔽層以提供足夠的保護對抗水滲透。舉例,使用氮化矽之水障蔽層,已知的是此層係包含有小孔。因此,單一氮化矽水障蔽層並不提供足夠保護力對抗吸引水進入該可撓電子元件。藉由堆疊二(或多個)水障蔽層於彼此的頂部以提供該防水層(亦即是,該第一及該第二防水層或是二者),則達到出現在經堆疊之水障蔽層中之任何小孔並不會重疊而提供水的滲漏。該可撓電子元件可因此被有效地保護。
甚至在另一實施態樣中,該第一及第二防水層之至少一者或二者係經製備包含有一吸收層插置於於此二水障蔽層之間。在此實施態樣中,使用經堆疊之水障蔽層不僅有效地減少重疊小孔之風險,並且額外地該吸收層導致任何不慎穿透該防水層之第一水障蔽層的水份在該吸收層中被捕捉以保護該可撓電子元件有效地免於水。該吸收層可由任何適用之材料所製成,且係具有額外的功能性,例如:增加光外分光或是使得表面粗糙變得平滑以致於提供較佳品質的後續層。舉例如:CaO奈米顆粒、沸石、分子 吸氧劑。
依據本發明之一較佳實施態樣,該第一及第二防水層係經製備為包含一外圍延伸區域延伸越過一其中該可撓電子元件係經插置於該等防水層之間以密封該電子元件於該防水層之間之區域的那一邊。該等可撓電子元件在防水層二者之外圍延伸區域之間並不延伸於該第一及第二防水層之間。例如,在該外圍延伸區域中,該第一及第二防水層之水障蔽層係經沉積於彼此之頂部以致於係連續地被堆疊以密封該電子元件。
依據本發明之另一實施態樣,該外圍延伸區域係延伸越過在該硬質支撐板上之鎳層,以使得在該製造期間密封該鎳層。在此實施態樣中,該外圍延伸區域在該可撓電子元件製造期間係提供額外的保護對抗水滲透。有延伸橫越經沉積在該硬質支撐板上之鎳層之區域的外圍延伸區域的結果,該鎳層本身也係由該環境經密封的。此預防水過早地滲入該鎳層,因此防止可撓電子元件在製造期間提早釋放和失敗。
此外,進一步的優點,其可在製造之後將該可撓顯示器保持在該硬質支撐板上,因此其係可被運輸或儲存以供稍後的使用。在儲存期間,運輸或其它的處理,帶有該外圍延伸區域之防水層將保持該包括其所有層(硬質支撐板、黏附層、包括防水層之可撓電子元件)之套裝係固定的。該套裝因此是經保護免於損壞的。
當該可撓電子元件係準備好要被安裝時,藉由切 割或是斷裂部份的外圍延伸區域該可撓電子元件係輕易地由該硬質支撐板被移除。因此,依據另一實施態樣,由該硬質支撐板釋放該可撓電子元件之步驟在該浸泡之前包含斷裂在該外圍延伸區域中之防水層以致提供至該鎳層的通道以允許在該浸泡期間水滲入該鎳層。該切割或斷裂製造一穿過該外圍延伸區域至該底下的鎳層之裂縫。接著,該套裝可被浸入水中以使得水滲入該鎳層,藉此釋放該可撓電子元件。如同將被了解的,基於本釋放方法係一經水媒介釋放方法之事實,釋放該可撓顯示器可在任何有水之地方被輕易地執行。
以上所提及之吸收層係提供以致插入該等水障蔽層之間由該外圍延伸區域所圍住的區域。該吸收層未延伸在該等水障蔽層之間的外圍延伸區域之內。該第一及第二防水層之水障蔽層在外圍延伸區域中係連續的以密封該吸收層免於在外圍延伸區域中任何的切割或斷裂。
該方法係可應用於製造任何型式的可撓電子元件。該方法係特別有利於製造易受水影響且必須避免和水接觸之電子元件。如同上述已提供之一範例,本發明之方法係特別可用於製造主動式矩陣有機發光二極體(AMOLEDs)。
依據本發明之第二方面,提供有一使用依照稍前請求項之任一項的方法用於製造一可撓電子元件之裝置,其包含一用於提供一黏附層於一硬質支撐板上之層沉積臺,該黏附層包含一鎳層;一用於形成該可撓電子元件 於該硬質支撐板上之元件製造臺,藉由沉積一第一防水層於該使用黏附層而被固定之硬質支撐板上,沉積一可撓基材層於該第一防水層上,形成一或多個元件層於該可撓基材層上,且沉積一第二防水層覆蓋該一或多個元件層;以及一用於由該硬質支撐移除該電子元件之元件釋放臺,其中元件釋放臺包含一浸泡浴用以使該包括可撓電子元件之硬質支撐板浸泡至水中以使得水滲入該鎳層以釋放該可撓電子元件。
依據本發明之第三方面,提供有一可撓電子元件,其係利用依照第一方面之方法所製造,或是使用依照第二方面之裝置所製造。此可撓電子元件可例如為一主動式矩陣有機發光二極體(AMOLED)。
1‧‧‧層的堆疊
2‧‧‧硬質支撐板
3‧‧‧可撓電子元件
4‧‧‧基材層
5‧‧‧元件層
8‧‧‧第二防水層
9‧‧‧第一防水層
10‧‧‧水障蔽層
11‧‧‧水障蔽層
12‧‧‧吸收層
15‧‧‧水障蔽層
17‧‧‧水障蔽層
18‧‧‧吸收層
22‧‧‧基材層
23‧‧‧邊緣
25‧‧‧鎳層
27‧‧‧虛線
30‧‧‧外圍延伸區域
32‧‧‧堆疊
33‧‧‧水
35‧‧‧浴
40‧‧‧套裝
本發明將進一步藉由參考所附的圖式敘述其某些特定實施態樣而經說明。該詳細的敘述係提供本發明可能的施行範例,但並不被認為是敘述落在範圍內的唯一實施態樣。本發明之範圍係界定於請求項中,且該敘述係被認為說明用的而非限制本發明。在該等圖式中:圖1係概要地說明依據本發明之方法在製造期間一可撓電子元件之堆疊構形;圖2A-2L係概要地說明該等層的連貫沉積以及依據本發明之一實施態樣的釋放方法;圖3係概要地說明本發明之一方法。
較佳實施例之詳細說明
圖1係概要地說明在一製造方法期間依據本發明用以製造一可撓電子元件之層的堆疊1。在依據本發明之一實施態樣的方法中所執行之連續步驟也在圖2A-2L中說明。在圖3中係提供一更概要的說明。該可撓電子元件3係利用一硬質支撐板2而被製造。該硬質支撐板2可為例如玻璃或是陶瓷晶圓。使用玻璃晶圓係有利的,因為此使得該晶圓在一製造方法中每一次其使用後可經清潔和再利用。在圖2A中,一玻璃硬質支撐板2係經製備為該方法之第一步驟,相對於圖3的步驟50。
依照圖3之步驟52以及在圖2B中所概要說明的,在該玻璃晶圓2之頂部上,遍及分開地其表面,沉積有一鎳薄層。該鎳層之厚度係少於1μm,且典型地係10-100nm。該鎳層25,在該鎳-玻璃界面(Ni-SiO2),將形成一NiO-SiO結合層連同該硬質支撐板2。此一結合層係提供一相對強之固定雖然同時其係可於水中溶解的。可擇地,一聚亞醯胺(PI)基材層22係經沉積於該鎳層25之頂部,如圖1中所說明的。此PI層係可擇的且可經省略的;在圖2A-2L中所說明的實施態樣並不含有此一可擇的PI層。
在不想要有PI層22之實例中,該方法繼續形成該可撓電子元件,在圖3中說明為步驟55之虛線框。形成該可撓電子元件之步驟係由數個連續步驟所組成。形成該可撓電子元件包括以下步驟:用於保護該電子元件免於水之步驟,用於提供結構完整性予該元件之步驟,以及用於形成 該元件本身之步驟。在圖3中,形成該可撓電子元件之步驟55係由以下連續步驟所組成:製備一第一防水層(步驟56),沉積一可撓基材層(步驟58),形成該元件層(步驟60)以及製備一第二防水層(步驟62)。該等步驟56、58、60以及62係概要地在圖2C-2I中說明。
在敘述步驟56、58、60以及62之各者之前,在此先提供圖1中所說明之連續層堆疊1的進一步敘述。如圖1中所說明,在該可擇之PI層22頂部之上,該第一防水層9係由二水障蔽層10及11,在該二水障蔽層之間係插置有一吸收層12。該水障蔽層10及11係舉例包含一氮化矽SiN層。各水障蔽層10及11之厚度係在50-300nm之範圍內。此水障蔽層係已知為水不能穿透的,然而偶爾這些層包含孔洞(未顯示)會在水障蔽層中形成滲漏。藉由使用二連續之水障蔽層10及11,例如由SiN所製,穿過二層10及11之滲漏的發生率係經有效地避免。此係基於僅有有限的機會在水障蔽層10及11中之孔洞會重疊之事實。藉由避免在該二層10及11中之孔洞重疊而形成一滲漏而有效地減少滲漏發生的風險。
一額外的重要性,如在圖1中所說明的,該第一防水層9係包含一吸收層12經插置於該二障蔽層10及11之間。該吸收層12係確保如果水會滲漏經過該外水障蔽層10,其將被保持收存於該吸收層12中以避免進一步滲入該可撓電子元件3。在圖1中,該吸收層12係經指明為一用於平面化之有機塗覆(OCP)層。此命名係參照OCP層用於使載體之表面變為平滑以使得另一水障蔽層11能夠具有較高之 品質之進一步的功能。該OCP層係包含任何適用之材料,例如:聚丙烯酸樹脂。
基於以上,步驟56之製備該第一防水層,如圖3中所說明,係由數個連續之次步驟所組成,該等次步驟係於圖2C、2D及2E中說明。在圖2C中,該第一防水層9之第一水障蔽層10係經沉積於該鎳層25之頂部(或是,若是有的話,於該可擇之PI層22之上)。接著,如圖2D中所說明,該吸收層12(OCP層)係經沉積於部份層10的表面。該OCP層或是吸收層12在層10之中央部份延伸越過該層10之表面,留下一外圍延伸區域30未經覆蓋。該外圍延伸區域30係在吸收層12週圍延伸而圍繞該吸收層12。
該外圍延伸區域30係一功能性帶體,其係使用於本發明之製造方法。該外圍延伸區域30(也在圖1中有說明)作為數種不同之功能。在製造期間,且在釋放該可撓電子元件3之前,該外圍延伸區域30覆蓋且密封該鎳黏附層25。此避免水過早滲入該鎳層25,而在該可撓電子元件3製造期間過早釋放該堆疊1。此外,只要該可撓電子元件3準備要被釋放或是由該硬質支撐板2被移除,該外圍延伸區域30係作為一切割帶,其允許一機械或是操作者可安全地斷裂是切割該外圍延伸區域30以提供到達該黏附層25之通道。在該套裝被切割和浸泡至水浴中之後,該切割帶使得該套裝40易於由該晶圓2剝離,不需要碰到或是握持住該套裝40之該可撓電子元件3存在的中央部份。此外,該外圍延伸區域30也密封住該可撓電子元件3以及該第一及第二防水層9和 8之吸收層12及18。
該外圍延伸區域30之不同的功能係參照圖1之說明來解釋。在圖1中,可見到在外圍延伸區域30中,該第一防水層9之水障蔽層10、11以及第二防水層8之水障蔽層15及17係連續地在外圍延伸區域30中排置在彼此之頂部。此排置造成該吸收層12及18環繞其週邊被密封。此外,該外圍延伸區域30延伸於該玻璃晶圓2上越過該鎳吸收層25之邊緣23。因此,其可確保在製造該可撓電子元件3期間該鎳黏附層25也被密封隔絕於水或是潮濕。最後,該虛線27指出一可擇之位置用於機械去切割過該外圍延伸區域30以在將該堆疊1浸入水的期間曝露出該鎳黏附層25於水以釋放該可撓電子元件3。在該虛線27的右邊到吸收層12及18的左邊的部份在水滲入之後係被使用為剝離區且係至少部份分解該鎳層25。
接著,如圖2E中所說明,在沉積吸收層12之後,該防水層9係藉由沉積另一水障蔽層11於該表面上而完成。圖3之步驟56係以此種手段完成了。如同將被了解的,如果想要多於二水障蔽層,圖2C及2E中所說明的任何步驟係經重覆以創造額外的層。
圖3中之下一步驟係在步驟58中之沉積一基材,以及步驟60形成元件層。如同該技術領域中具有通常技術者所了解的,在一般指明為58和60之次步驟中實際採行的步驟將依擬被形成之可撓電子元件的類型而定。本發明之方法係有利地被應用於製造AMOLED或是其它包含OLED 之元件,但也可被應用於製造其它類型的電子元件。因此,在圖2F中,步驟58及60係經簡易概述以說明該可撓電子元件3係經形成於該第一防水層9之另一水障蔽層11之頂部上。如何取得所欲之可撓電子元件以及應用那一元件層的細節係據此假設為該具有通常知識者所已知。參考以上,該可撓電子元件3不延伸至該外圍延伸區域30內,但將被安全地插置於該第一及第二防水層9及8之間在其中間部份。在圖1中,其說明的是該可撓電子元件係包含一基材層4以及元件層5。該可撓電子元件3之確切的陳列係依擬被生產之元件的類型而定。
在圖3之步驟62中,圖1中所說明之第二防水層8係經製備。參考圖2G、2H和2I,其等係說明用以製備該第二防水層8之可能的次步驟。在圖2G中,該第二防水層8之第一水障蔽層15係經沉積於該堆疊之頂部上,也覆蓋該外圍延伸區域30。接著在圖2H中,相似於圖2D中所說明的步驟,一吸收層18係經沉積於該第一水障蔽層15之頂部上於其中間部份。該吸收層18係可由和吸收層12相同的材料所製成,也就是一用於平面化之有機塗覆(OCP)。該吸收層18並未如圖2H中所說明般延伸至該外圍延伸區域30內。接著,如圖2I中所說明,該堆疊係被該第二防水層8之另一水障蔽層17所覆蓋。圖3之步驟62,製備該第二防水層,係藉此而被完成。在圖2I中,由圖2A-2I中所說明之各層所形成之堆疊係一般指明為標號32。
參照圖3,其中可擇之步驟63係指出由該硬質支 撐板2釋放該可撓電子元件3並不需要在該堆疊32形成之後立即執行。如同將被了解的,在那些可撓電子元件3將立即被使用於製造一裝置(如電視、平板電腦或是行動電話)之實例中,該可撓電子元件3在該堆疊32被創造之後係直接被釋放。在該實例中,可擇之步驟63係被跳過且該方法係立即接續至步驟66,釋放該可撓電子元件3。然而,在許多應用中,該可撓電子元件係保持經固定於該硬質支撐板2,而該堆疊32係先被運輸或是儲存,在被應用之前。本發明之經水媒介的釋放方法使得釋放該可撓電子元件套裝40之步驟可在製造環境之外被執行。基於水之可利用性係足夠於執行本發明之方法最後步驟66之事實,一工程師或技師可在任何所欲的位置執行釋放可撓電子元件的步驟。
釋放該可撓電子元件(步驟66)係概要地在圖2J、2K和2L中說明。在圖2J中,指明的是為了釋放該可撓電子元件,製造一栽切27在該外圍延伸區域30中,其提供通道至該鎳吸收層25。接著,如圖2K中所說明,該堆疊32係被浸入一含有水33之浴35中。此使得水33可穿過栽切27滲入該鎳層25以溶解該黏附層25。在圖2L中,該可撓電子元件套裝40係由該硬質支撐板2上被剝離。該外圍延伸區域30使得可不需要額外的工具來剝離該可撓電子元件40。
如同將被了解的,雖然參照一特定之範例來敘述本發明,本發明並未被限制於所提供之特定範例。舉例來說,該第一或第二防水層之構形係可不同於圖1中所說明的構形。自然而然地,相較於圖2C-2E和2G-2I中所說明的步 驟,該等防水層之不同的構形需要採取些微不同的步驟。此外,使用聚亞醯胺(PI)層22也是被表示為可擇的。
本發明並未被限制於特定類型之擬被創造的可撓電子元件,雖然被提出的是此方法係特別有利於製造含有OLED(特別是AMOLED)之可撓電子元件。這是因為這些可撓電子元件對曝露於水係高度敏感的,然而本發明提供一避免可撓電子顯示器本身和水接觸之以水媒介的釋放方法。
本發明已就其某些特定實施態樣而敘述。將被了解的是,圖式中所顯示且在此所敘述之實施態樣係意於說明的目的而已,且不管如何並非意於限制本發明。此處所討論之發明的內容僅由所附申請專利範圍之範圍所限制。
1‧‧‧層的堆疊
2‧‧‧硬質支撐板
3‧‧‧可撓電子元件
4‧‧‧基材層
5‧‧‧元件層
8‧‧‧第二防水層
9‧‧‧第一防水層
10‧‧‧水障蔽層
11‧‧‧水障蔽層
12‧‧‧吸收層
15‧‧‧水障蔽層
17‧‧‧水障蔽層
18‧‧‧吸收層
22‧‧‧基材層
23‧‧‧邊緣
25‧‧‧鎳層
27‧‧‧虛線
30‧‧‧外圍延伸區域

Claims (15)

  1. 一種用於製造可撓電子元件之方法,該方法包含以下步驟:製備一黏附層於一硬質支撐板上;藉由下列步驟於該硬質支撐板上形成該可撓電子元件:在該硬質支撐板上製備一可撓基材層,以便使用該黏附層而將該可撓基材固定至該硬質支撐板;和製備一或多個元件層於該可撓基材層上,以便形成該包含有至少該可撓基材層以及該一或多個元件層之可撓電子元件;以及由該硬質支撐件釋放該電子元件;其中該可撓電子元件包含一有機發光二極體,且其中該黏附層包含一鎳層,且其中:形成該可撓電子元件之步驟包含將該可撓電子元件插入一第一及第二防水層之間;以及釋放該電子元件之步驟包含將包括有該可撓電子元件之硬質支撐板浸入水中,以便使得水可以滲入該鎳層以釋放該可撓電子元件。
  2. 如請求項1之方法,其中該插入步驟包含在製備該可撓基材層步驟之前,製備該第一防水層於該硬質支撐板上且係利用該黏附層而固定於其上,而在形成該電子元件之後,製備該第二防水層於該可撓電子元件上。
  3. 如請求項1或2之方法,其中該第一和第二防水層之至少一者或二者係經製備為包含有二或多個水障蔽層。
  4. 如請求項3之方法,其中該等水障蔽層之一者或多者或全部係經製備為包含氮化矽(SiNx)、氧化鋁(AlOx)、氮氧化鋁(AlOxNy)、氧化矽(SiOx)。
  5. 如請求項3或4之方法,其中該第一及第二防水層之至少一者或二者係經製備為包含插置於至少二水障蔽層之間的一吸收層。
  6. 如請求項5之方法,其中該吸收層係經製備為包含以下群組中之至少一者:聚丙烯酸樹脂、CaO奈米顆粒、沸石、分子吸氧劑。
  7. 如先前請求項任一項之方法,其中該第一及第二防水層係經製備為包含一外圍延伸區域,該外圍延伸區域延伸越過一區域,其中該可撓電子元件係經插置於該等防水層之間,以供密封該電子元件於該等防水層之間。
  8. 如請求項7之方法,其中該外圍延伸區域係延伸越過在該硬質支撐板上之鎳層,以便使得在該製造期間密封該鎳層。
  9. 如請求項7或8以及請求項5或6之至少一項之方法,其中該吸收層係經製備以致插置於該等水障蔽層之間由該外圍延伸區域所圍住的區域。
  10. 如請求項7-9中任一項之方法,其中該等第一或第二防水層之該等水障蔽層在該外圍延伸區域中係鄰接,以密封該吸收層。
  11. 如請求項7-10項任一項之方法,其中由該硬質支撐板釋放該可撓電子元件之步驟包含:在該浸泡步驟之前,使在該外圍延伸區域中之防水層斷裂,以致提供至該鎳層的通道,以允許水在該浸泡期間滲入該鎳層。
  12. 如先前請求項任一項之方法,其中該可撓電子元件係一主動式矩陣有機發光二極體。
  13. 一種用於使用依照先前請求項之任一項的方法來製造可撓電子元件之裝置,該裝置包含:一層沉積臺,該層沉積臺係用於製備一黏附層於一硬質支撐板上,該黏附層包含一鎳層;一元件製造臺,該元件製造臺係用於藉由下列動作形成該可撓電子元件於該硬質支撐板上:藉由沉積一第一防水層於該使用黏附層而被固定之硬質支撐板上、沉積一可撓基材層於該第一防水層上、形成一或多個元件層於該可撓基材層上、以及沉積一第二防水層覆蓋該一或多個元件層;以及一元件釋放臺,該元件釋放臺係用於由該硬質支撐件移除該電子元件,其中該元件釋放臺包含一浸泡浴,其用以使該包括有可撓電子元件之硬質支撐板浸泡至水中,以使得水滲入該鎳層以供釋放該可撓電子元件。
  14. 一種可撓電子元件,其係利用依照請求項1-12項中任一項之方法所製造,或是使用依照請求項13之裝置所製造。
  15. 如請求項14之可撓電子元件,其中該可撓電子元件係一 主動式矩陣有機發光二極體。
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