TW201535476A - 磊晶成長裝置 - Google Patents

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TW201535476A
TW201535476A TW103139706A TW103139706A TW201535476A TW 201535476 A TW201535476 A TW 201535476A TW 103139706 A TW103139706 A TW 103139706A TW 103139706 A TW103139706 A TW 103139706A TW 201535476 A TW201535476 A TW 201535476A
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Kimitaka Okamoto
Haruki Shoji
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Abstract

藉晶圓之面內溫度分布的均勻化來提高磊晶層之層厚的均勻性，而且抑制副產生物對室的附著。 磊晶成長裝置係包括：室，係收容晶圓；基座，係在室內支撐晶圓；上部燈群，係由在室之上方排列成環狀的複數個加熱燈所構成；下部燈群，係由設置於室之下方的複數個加熱燈所構成；大致圓筒狀之反射構件，係在室之上方設置於上部燈群之環的內側；及追加反射構件，係位於晶圓的上方並設置於反射構件的內側，具有與晶圓平行的反射面；追加反射構件設置成塞住反射構件之下端部的開口。

Description

磊晶成長裝置
本發明係有關於一種磊晶成長裝置，尤其係有關於用以高效率且均勻地將室內之晶圓加熱的加熱構造。
磊晶成長裝置係例如廣用作用以在矽晶圓之表面形成單結晶層(磊晶層)的裝置。在逐片式磊晶成長裝置，在水平地設置一片晶圓之室內一面導入原料氣體一面加熱至既定溫度，而使磊晶層成長。
晶圓需要在1000~1200℃之高溫被加熱，其加熱源使用鹵素燈。鹵素燈係在室之上方及下方排列多個，進而在室的上方，設置用以測量晶圓之表面溫度的高溫計。因為此高溫計係接受來自被測量物體之熱輻射能量，進行溫度量測，所以需要在高溫計與被測量物體之間無障礙物(不透明體)。因此，鹵素燈係為了避免成為高溫計與晶圓之間的障礙，一般環狀地配置於高溫計的周圍。
在晶圓面內使磊晶層的厚度成為儘量均勻上，需要使藉鹵素燈所加熱之晶圓的面內溫度分布儘量均勻。因此，在專利文獻1，將大致圓筒狀之反射構件設置於鹵素燈之環排列的內側。此反射構件係具有與各外側加熱用鹵素燈對應之部分的下端位置比與各內側加熱用鹵素燈對應之部分的下端位 置更低的形狀。因為從各外側加熱用鹵素燈應往晶圓之內側的紅外線係被反射構件反射後，往晶圓之外側，所以可抑制照射於晶圓中心部之紅外線的量。
又，在專利文獻2，揭示一種磊晶製造裝置，該裝置係具有使設置於上部燈群的外側之大致圓筒狀之反射壁的下端部傾斜至內側的構造。若依據此構造，因為從上部燈群之任意的加熱用燈在正下方向所輻射的電磁波係在傾斜面反射後被引導至晶圓的端部，所以可抑制矽附著於晶圓之背面的端部，而可提高晶圓的平坦度。
【先行專利文獻】
【專利文獻】
[專利文獻1]特開2000-138170號公報
[專利文獻2]特開2011-146537號公報
可是，在以往之磊晶成長裝置的構造，因反射構件之影響，藉鹵素燈所加熱的晶圓之面內溫度分布的均勻性不充分，而在磊晶層的厚度發生不均。尤其如專利文獻1之記載所示，在將鹵素燈分成外側加熱用與內側加熱用，並進而將反射構件設置於室之上方的情況，觀察到晶圓之中央區域與外周區域的溫度變高，而中央區域與外周區域之間的中間區域之溫度變低的傾向。
進而，在將大致圓筒狀之反射構件設置於晶圓之上方的情況，發生通過反射構件之內側後從上方往下方的氣 流，因為此氣流直接吹至室之上圓頂的中央部，所以上圓頂之中央部的溫度易降低，而具有矽之副產生物易附著於上圓頂的問題。副產生物易附著時，來自鹵素燈之熱輻射能量變成難透過上圓頂，晶圓之中央區域的溫度變低的傾向變強，而晶圓之面內溫度分布變成更不均勻。
本發明係為了解決上述之課題而開發的，本發明之目的在於提供一種磊晶成長裝置，該磊晶成長裝置係可抑制在晶圓之主面所形成的磊晶層之厚度的面內不均，而且抑制副產生物對室的附著。
為了解決上述之課題，本發明之磊晶成長裝置係用以在晶圓之表面使磊晶層成長的磊晶成長裝置，其特徵在於包括：室，係收容該晶圓；上部燈群，係由在該室之上方排列成環狀的複數個加熱燈所構成；下部燈群，係由設置於該室之下方的複數個加熱燈所構成；大致圓筒狀之反射構件，係在該室之上方設置於該上部燈群之環的內側；及追加反射構件，係位於該晶圓的上方並設置於該反射構件的內側，具有與該晶圓平行的反射面；該追加反射構件係設置成塞住該反射構件的下端部之開口的至少一部分。
若依據本發明，因為從上部燈群所照射，並在晶圓之上面所反射的電磁波被追加反射構件再反射後，照射於晶圓之上面，所以可使晶圓之上面的面內溫度分布成為均勻，而可提高磊晶層的厚度之面內分布的均勻性。又，可阻止通過反射構件之內側後從上方往下方的氣流，藉此，可抑制副產生物 對覆蓋晶圓之上方的上圓頂之附著。
在本發明，該追加反射構件包括構成該反射面之圓板部、及設置成包圍該圓板部之外周的側壁部較佳。若依據此構成，可一面將與晶圓平行之反射面確保儘量寬廣，一面確保機械強度。
最好本發明之磊晶成長裝置係更包括高溫計，該高溫計係位於該室的上方並設置於該晶圓之中心的上方；該反射構件係設置成包圍朝向該晶圓之該高溫計的光軸；該追加反射構件係具有形成於該圓板部之中央的貫穿孔；該高溫計的該光軸係通過該貫穿孔。在將高溫計設置於晶圓之中心之上方的情況，需要將反射構件設置於上部燈群與高溫計之間，由於反射構件之存在，晶圓之面內溫度分布易變成不均勻。可是，若依據本發明，即使在這種設置反射構件的情況，亦可晶圓之面內溫度分布成為均勻。
最好本發明之磊晶成長裝置係更包括大致圓筒狀之隔離管，該隔離管係在該反射構件的內側設置成包圍該高溫計之光軸；該隔離管係被插入該追加反射構件之該貫穿孔。進而，最好在該反射構件之下端部，設置朝向下方直徑逐漸變小的傾斜部，該追加反射構件之外周端係與該傾斜部的內周面抵接。若依據此構成，只是將隔離管插入貫穿孔，就可進行追加反射構件之平面方向的定位，而可易於處理追加反射構件之設置等。又，僅藉追加反射構件之自重，就可容易且穩定地設置晶圓，而且可設置成反射面與晶圓自然地成為平行。
在本發明，該追加反射構件係由與該反射構件相 同之材料所構成較佳。若依據此構成，在因室內之溫度變化，而反射構件與追加反射構件發生熱膨脹時，因為反射構件與追加反射構件之熱膨脹率係相同，所以可防止追加反射構件之變形、位置偏移等。
若依據本發明，可提供一種磊晶成長裝置，該磊晶成長裝置係可抑制在晶圓之上面所形成的磊晶層之厚度的面內不均，而且抑制副產生物對室的附著。
1‧‧‧磊晶成長裝置
10‧‧‧室
11‧‧‧底環
12a‧‧‧上圓頂
12b‧‧‧下圓頂
13‧‧‧基座
14‧‧‧預備環
15‧‧‧支軸
16‧‧‧氣體導入口
17‧‧‧擋板
18‧‧‧整流構件
19‧‧‧氣體排氣口
20‧‧‧鹵素燈
20G‧‧‧上部燈群
20i‧‧‧內側加熱用鹵素燈
20o‧‧‧外側加熱用鹵素燈
21‧‧‧鹵素燈
21G‧‧‧下部燈群
22‧‧‧高溫計
22a‧‧‧隔離管
23‧‧‧反射壁
24‧‧‧反射壁
25‧‧‧反射板
26‧‧‧反射構件
26a‧‧‧反射構件之傾斜部
27‧‧‧追加反射構件
27a‧‧‧圓板部
27b‧‧‧側壁部
27c‧‧‧貫穿孔
S1‧‧‧晶圓之中央區域
S2‧‧‧晶圓之外周區域
S3‧‧‧晶圓之中間區域
W‧‧‧晶圓
第1圖係表示本發明之較佳實施形態的磊晶成長裝置之構造的示意側面剖面圖。
第2圖係表示在第1圖之磊晶成長裝置的上部燈群20G之布置的示意平面圖。
第3圖係表示追加反射構件27之形狀的圖，第3圖(a)係平面圖，第3圖(b)係側面剖面圖。
第4圖係用以說明追加反射構件27之功能的模式圖，第4圖(a)係表示以往之無追加反射構件27的情況，第4圖(b)係表示設置追加反射構件27的情況。
第5圖係用以說明追加反射構件27之功能的模式圖，第5圖(a)係表示以往之無追加反射構件27的情況，第5圖(b)係表示設置追加反射構件27的情況。
第6圖係表示晶圓W之上面之面內溫度分布的圖形。
第7圖係表示磊晶晶圓之差排發生分布的示意平面圖。
以下，一面參照附加之圖面，一面詳細說明本發明之較佳實施形態。
第1圖係表示本發明之較佳實施形態的磊晶成長裝置之構造的示意側面剖面圖。
如第1圖所示，磊晶成長裝置1係逐片處理矽晶圓之逐片式裝置，並包括：室10，係收容晶圓W；及基座13，係在室10內從晶圓之下面側水平地支撐晶圓W；基座13係藉支軸15支撐成轉動自如。氣體導入口16、擋板17及整流構件18設置於室10之一側的側部，氣體排氣口19設置於與該一側相對向之另一側的側部。此外，在磊晶成長裝置1之既定方向係根據其平常之使用狀態所決定，「上方」意指從被水平地放置於該裝置內之晶圓W的下面往上面的方向，「下方」意指從該晶圓W之上面往下面的方向。
室10包括圓環狀之底環11、覆蓋晶圓W之上方的上圓頂12a、及覆蓋晶圓W之下方的下圓頂12b，藉上圓頂12a與下圓頂12b所夾之室10的內部成為密閉空間。底環11係不銹鋼製，上圓頂12a及下圓頂12b係主要由不遮蔽來自加熱源的電磁波之透明的石英材料所構成。在本實施形態表示上圓頂12a為平板的例子，但是亦可朝向外側(上方)彎曲成凸狀。下圓頂12b形成漏斗形。上圓頂12a及下圓頂12b係固定於底環11，但是可對底環11拆裝，在維修時，從底環11拆下後，進行附著於內表面之矽的副產生物之除去等的維修作業。
用以對晶圓W之上面加熱的上部燈群20G設置於 室10的上方，用以對晶圓W之下面加熱的下部燈群21G設置於室10的下方。上部燈群20G及下部燈群21G係都由臥式之複數個鹵素燈20所構成，並按照既定順序排列成環狀。
第2圖係表示在第1圖之磊晶成長裝置的上部燈群20G之布置的示意平面圖。
如第2圖所示，上部燈群20G係由以下之構件所構成，20個內側加熱用鹵素燈20i，係主要對晶圓W之徑向的晶圓之內側區域(中央區域)S1加熱；12個外側加熱用鹵素燈20o，係主要對晶圓W之徑向的晶圓之外側區域(外周區域)S2加熱；這些鹵素燈係按照既定順序排列成環狀。
如第1圖所示，在上部燈群20G的外側，設置用以將來自各鹵素燈20之電磁波封入燈罩內的反射壁23，上部燈群20G係被反射壁23所包圍。一樣地，在下部燈群21G的外側，設置用以將來自各鹵素燈21之電磁波封入燈罩內的反射壁24，下部燈群21G係被反射壁24所包圍。
反射板25設置於上部燈群20G的上方。從鹵素燈20朝向上方所輻射之電磁波係構成為被反射板25反射後，往被載置於基座13上的晶圓W。尤其，藉由位於各內側加熱用鹵素燈20i的上方之反射板25的局部平面形狀與各外側加熱用鹵素燈20o之上方的相異，構成為從各內側加熱用鹵素燈20i被輻射至上方的電磁波往晶圓W的內側區域。只是一樣地設置鹵素燈，將位於鹵素燈20的正下之晶圓W之外周區域S2比晶圓W之中央區域S1更強烈地加熱，因該加熱之不均，在晶圓W的表面所形成之磊晶層之厚度的面內分布亦變成不均 勻，滑動差排亦變成易發生。可是，在將一部分之鹵素燈20作為晶圓W之內側區域的加熱用，並調整那些鹵素燈之上方的反射板25之角度的情況，可使熱輻射能量分散，而可使磊晶層的厚度變成均勻。
高溫計(非接觸式熱電耦溫度計)22位於室10的上方並安裝於晶圓W之中心的上方。高溫計22係以接收從晶圓W所輻射之電磁波的方式來測量該晶圓W的表面溫度。室10內(尤其晶圓W之中心位置)的溫度係藉高溫計22監視，未圖示之控制器使用高溫計22之量測結果來控制各鹵素燈20的輸出。
將圓筒狀之隔離管22a設置於高溫計22的正下，隔離管22a係設置成包圍高溫計22之光軸。藉由設置隔離管22a，可抑制來自鹵素燈20之熱輻射對高溫計22之量測系統的影響，而可提高高溫計22之量測精度。
反射構件26設置於室10之上方。反射構件26係由鍍金之鋁板所構成之大致圓筒狀的構件，配置於排列成環狀之上部燈群20G的內側，並包圍高溫計22的外側，在反射構件26的下端部，設置以圓筒之直徑逐漸變小的方式所形成之傾斜部26a。反射構件26係以下端朝向晶圓W之中心點的方式設定傾斜部26a的角度較佳。
反射構件26係為了防止高溫計22之量測精度因來自上部燈群20G之電磁波的影響而降低所設置。又，反射構件26限制來自鹵素燈20之電磁波所照射的區域。因為從任意之鹵素燈20往比晶圓W之中心點更進深側的電磁波係被反射 構件26所遮蔽，所以照射於比晶圓W之中心點更接近該鹵素燈20的區域，而不會照射於比晶圓W之中心點更進深側的區域。
追加反射構件27設置於反射構件26的內側。追加反射構件27係由鍍金之鋁板所構成之大致圓板狀的構件，並設置於隔離管22a與反射構件26之間的空間。追加反射構件27具有與晶圓W平行的反射面，並設置成塞住圓筒狀之反射構件26之下端部的開口。追加反射構件27係由與反射構件26相同之材料所構成較佳，但是亦可使用相異之材料。若是相同之材料，因為兩者之熱膨脹率係相同，所以在因室10內之溫度變化而反射構件26及追加反射構件27發生熱膨脹時，可防止追加反射構件27之變形、位置偏移等。
第3圖係表示追加反射構件27之形狀的圖，第3圖(a)係平面圖，第3圖(b)係側面剖面圖。
如第3圖所示，追加反射構件27具有構成主要之反射面的圓板部27a、及設置於圓板部27a之外周的側壁部27b。圓板部27a係為了使在晶圓W之上面反射後往上方的電磁波進一步反射所設置，側壁部27b係為了確保追加反射構件27之機械強度所設置。側壁部27b對圓板部27a之角度係無特別限定，但是比直角更向外開放較佳。若依據此形狀，側壁部27b的表面亦可用作反射面。
將貫穿孔27c設置於追加反射構件27之中央部(圓板部27a之中央部)，高溫計22之隔離管22a係設置成貫穿此貫穿孔27c。因為追加反射構件27的外周端27d(側壁部的27b 尖端)係與反射構件26之傾斜部26a的表面(內周面)抵接，所以不使用特殊之固定手段，僅藉自重就可水平地設置追加反射構件27。因此，對反射構件26之追加反射構件27的拆裝作業係很容易。
第4圖及第5圖係用以說明追加反射構件27之功能的模式圖，圖(a)係表示未設置追加反射構件27的情況，圖(b)係表示設置追加反射構件27的情況。
如第4圖(a)及(b)所示，晶圓W之中央區域S1係藉來自上部燈群20G中之上述之內側加熱用鹵素燈20i(參照第2圖)的電磁波E1充分地加熱，晶圓W之外周區域S2係藉來自上述之外側加熱用鹵素燈20o(參照第2圖)的電磁波E2充分地加熱。可是，晶圓W的中央區域S1與外周區域S2之間的中間區域S3係未被充分地加熱，因此，在晶圓W之面內溫度分布發生不均。而且，如第4圖(a)所示，在反射構件26之內側無追加反射構件27的情況，來自內側加熱用鹵素燈20i之電磁波E1係如虛線所示，只是在晶圓W之上面反射後行進至上方，晶圓W之中間區域S3係未被電磁波E1的反射波加熱。
相對地，如第4圖(b)所示，在反射構件26之內側設置追加反射構件27的情況，來自內側加熱用鹵素燈20i之電磁波E1係在晶圓W之上面反射後行進至上方，在追加反射構件27的表面進一步反射，而到達晶圓W之中間區域S3。因此，可將晶圓W之中間區域S3充分加熱，而可使晶圓W之面內溫度分布均勻化。
又，如第5圖(a)所示，在未設置追加反射構件27 的情況，因為通過大致圓筒狀之反射構件26的內側後，從上方往下方之氣冷用的冷卻風(氣流)C1直接吹到室10之上圓頂12a的中央部AO，所以上圓頂12a之中央部AO的溫度變成比周圍更低。尤其，從上部燈群20G往室10之上圓頂12a之中央部AO的電磁波E1係被反射構件26所遮蔽，因為不會到達上圓頂12a的中央部AO，所以上圓頂12a之中央部AO的溫度易變低。這種上圓頂12a之中央部AO的溫度降低成為矽之副產生物之附著的原因。若副產生物附著，則來自鹵素燈20之熱輻射能量難透過上圓頂12a，而晶圓W之中央區域S1的溫度變低，晶圓W之面內溫度分布變成更不均勻。
相對地，如第5圖(b)所示，在反射構件26之內側設置追加反射構件27的情況，可阻止通過反射構件26的內側後從上方往下方的冷卻風C1。又，在設置追加反射構件27的情況，在晶圓W之上面所反射的電磁波在追加反射構件27上進一步反射後，往上圓頂12a的中央部AO，因為集中於上圓頂12a之中央部AO，所以可將上圓頂12a的中央部AO比周圍更強烈地加熱。因此，可抑制上圓頂12a之中央部AO的溫度降低，而可抑制副產生物對上圓頂12a之附著。
在以上之磊晶成長裝置1，在將晶圓W載置於基座13後，將上部燈群20G及下部燈群21G點燈，而將晶圓W加熱，同時一面從氣體排氣口19進行排氣，一面從氣體導入口16導入三氯矽烷(SiHCl3)氣體或二氯矽烷(SiH2Cl2)氣體等之原料氣體。
原料氣體係從氣體導入口16通過擋板17、整流構 件18後，向室10的上部空間流入。藉上部燈群20G及下部燈群21G將晶圓W、基座13及預備環14加熱，藉由原料氣體沿著被加熱之晶圓W的表面以層流狀態流動，在晶圓W發生磊晶成長，而形成磊晶層。
第6圖係表示在室內被加熱之晶圓的上面之面內溫度分布的圖形，橫軸表示與晶圓之中心的距離，縱軸表示對晶圓之中心位置的溫差。又，圖形G1表示使用具有追加反射構件27之本實施形態的磊晶成長裝置所加熱的晶圓，圖形G2、G3分別表示使用不具有追加反射構件27之以往的磊晶成長裝置所加熱的晶圓。尤其，圖形G2係在上圓頂未失透時的面內溫度分布，圖形G3係在上圓頂之中央部失透時的面內溫度分布。
如第6圖所示，在使用以往之磊晶成長裝置的情況，因為未設置追加反射構件27，所以在上圓頂之中央部失透時，如圖形G2所示，溫度分布成為W型。即，晶圓W之中心部的溫度變成相對地高，進而，晶圓W之外周部的溫度亦變成相對地高，但是晶圓之中間部的溫度變成相對地低。又，在副產生物附著於上圓頂的中央部而失透的情況，如圖形G3所示，晶圓之中心部的溫度變成很低，溫度分布成為V型。在具有這種溫差的情況，在磊晶層之成長亦發生差異，其厚度之不均變大。
相對地，在使用本實施形態之磊晶成長裝置的情況，藉追加反射構件27之作用，從晶圓W之中心至外周端溫度大致成為定溫(圖形G1)。因此，可使晶圓之面內溫度分布變 成定值，而可製造抑制磊晶層之厚度的面內不均之高品質的磊晶晶圓。
第7圖係表示磊晶晶圓之差排發生分布的示意平面圖，第7圖(a)係表示使用具有追加反射構件27之本實施形態的磊晶成長裝置所製造者，第7圖(b)係表示使用不具有追加反射構件27之以往的磊晶成長裝置所製造者。
如第7圖(a)所示，使用本實施形態之磊晶成長裝置所製造之磊晶晶圓的滑動差排很少。另一方面，如第7圖(b)所示，在使用以往之磊晶成長裝置所製造之磊晶晶圓的外周部發生很多滑動差排。依此方式，若依據本實施形態之磊晶成長裝置，藉由抑制晶圓之面內溫度分布的不均，可抑制滑動差排的發生。
如以上之說明所示，本實施形態之磊晶成長裝置1係因為將追加反射構件27設置於大致圓筒狀之反射構件26的內側，所以可使晶圓之面內溫度分布變成均勻，而可確保磊晶層之膜厚分布的均勻性。又，可抑制矽的副產生物對室10之上圓頂12a的附著，而可防止晶圓之面內溫度分布的惡化。
以上，說明了本發明之較佳實施形態，但是本發明係未限定為該實施形態，可在不超出本發明之主旨的範圍施加各種變更，那些變更亦包含於本發明，這是理所當然。
例如，在該實施形態，作為加熱燈之一例，列舉了鹵素燈，但是本發明係未限定為鹵素燈，只要是能以高輸出產生紅外線之加熱源都可。又，在該實施形態列舉了矽晶圓，但是本發明係未限定為矽晶圓，可將各種晶圓作為對象。
又，在該實施形態，表示追加反射構件27由圓板部27a與側壁部27b所構成的構成，但是亦可例如是圓頂狀。又，追加反射構件27之安裝方法亦未限定為上述之方法，亦可採用其他的方法。
1‧‧‧磊晶成長裝置
10‧‧‧室
11‧‧‧底環
12a‧‧‧上圓頂
12b‧‧‧下圓頂
13‧‧‧基座
14‧‧‧預備環
15‧‧‧支軸
16‧‧‧氣體導入口
17‧‧‧擋板
18‧‧‧整流構件
19‧‧‧氣體排氣口
20‧‧‧鹵素燈
20G‧‧‧上部燈群
21‧‧‧鹵素燈
21G‧‧‧下部燈群
22‧‧‧高溫計
22a‧‧‧隔離管
23‧‧‧反射壁
24‧‧‧反射壁
25‧‧‧反射板
26‧‧‧反射構件
26a‧‧‧反射構件之傾斜部
27‧‧‧追加反射構件
W‧‧‧晶圓

Claims (6)

  1. 一種磊晶成長裝置，用以在晶圓之表面使磊晶層成長，其特徵在於包括：室，係收容該晶圓；上部燈群，係由在該室之上方排列成環狀的複數個加熱燈所構成；下部燈群，係由設置於該室之下方的複數個加熱燈所構成；大致圓筒狀之反射構件，係在該室之上方設置於該上部燈群之環的內側；及追加反射構件，係位於該晶圓的上方並設置於該反射構件的內側，具有與該晶圓平行的反射面；該追加反射構件係設置成塞住該反射構件的下端部之開口的至少一部分。
  2. 如申請專利範圍第1項之磊晶成長裝置，其中該追加反射構件係包括：構成該反射面之圓板部；及側壁部，係設置成包圍該圓板部之外周。
  3. 如申請專利範圍第2項之磊晶成長裝置，其中更包括高溫計，該高溫計係位於該室的上方並設置於該晶圓之中心的上方；該反射構件係設置成包圍朝向該晶圓之該高溫計的光軸；該追加反射構件係具有形成於該圓板部之中央的貫穿孔；該高溫計的該光軸係通過該貫穿孔。
  4. 如申請專利範圍第3項之磊晶成長裝置，其中更包括大致 圓筒狀之隔離管，該隔離管係在該反射構件的內側設置成包圍該高溫計之光軸；該隔離管係被插入該追加反射構件之該貫穿孔。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之磊晶成長裝置，其中在該反射構件之下端部，設置朝向下方直徑逐漸變小的傾斜部，該追加反射構件之外周端係與該傾斜部的內周面抵接。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之磊晶成長裝置，其中該追加反射構件係由與該反射構件相同之材料所構成。
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